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TP Electronique Analogique

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Electronique Analogique

TP1 : OSILLOSCOPE CATHODIQUE Diode ZENER

2020-2021
Encadré par Pr. EZZAZI
Introduction
L'électronique analogique est la discipline traitant des
systèmes électroniques sur des grandeurs
(tension, courant, charge) à variation continue. Elle diffère de
l'électronique numérique dans laquelle ces dernières
sont quantifiées. On emploie le terme « analogique » car les
grandeurs électriques utilisées sont à l'image du signal à traiter.
Diode Zener :
 La diode Zener est un composant électrique dont les propriétés
sont semblables à une diode conventionnelle, à la différence
que la diode Zener laisse passer le courant inverse lorsque celui-
ci dépasse le seuil de l'effet d'avalanche.
 Une diode conventionnelle classique possède généralement
une tension de seuil vers 0.6V. La diode Zener possède
également cette tension de seuil, mais possède également un
seuil lorsque le courant inverse dépasse l'effet d'avalanche. Cet
effet d'avalanche peut aller de 1.2V jusqu'à plusieurs centaines
de Volts.
 Certaines diodes Zener
possède même une troisième
broche qui sert de régulateur
pour modifier manuellement
la valeur de l'effet
d'avalanche.
 La diode Zener est donc
utilisée pour sa propriété très
spécifique lorsqu'un courant inverse le parcours. Un usage
classique consiste à utiliser la diode Zener dans un circuit
électrique pour réguler la tension.
2
Objectifs :
Le but de ce TP est de :
 Comprendre les modes d’affichage et les principes de
synchronisation.
 Découvrir l’oscilloscope et familiariser avec cet appareil.
 Etudier la diode Zener et réaliser le montage stabilisateur.

Matériels utilisés :
-L’oscilloscope : L'oscilloscope est très certainement l’un des
instruments les plus utiles à la disposition
des scientifiques, aussi bien au laboratoire
qu'à l'atelier. Son rôle consiste pour
l'essentiel à tracer une courbe de tension
(sur l'axe Y) évoluant dans le temps (sur l'axe
X). Cette courbe peut être visualisée en
temps réel, sur l'écran. On voit alors
exactement ce qui se passe dans un condensateur ou un circuit
intégré, comme si on lui faisait passer une radiographie.
Constitution d’un oscilloscope :
1- Un tube cathodique comprenant un canon à électrons, des
systèmes de déflexion du faisceau et un écran fluorescent ou
plus exactement cathodoluminescent.
2- Des amplificateurs.
3- Des générateurs de d.d.p continues.
4- Une base de temps comportant un dispositif de
synchronisation.

3
Potentiomètre : Générateur de tension continue :

Voltmètre :

Montage :

4
-Manipulation :
-Manipulation 1 : Mesure des tensions continues
On réalise le montage suivant puis on prend des mesures de
tensions en changeant les positions du curseur sur le
potentiomètre.
On obtient les résultats suivants :
Pour R=32Ω :

Pour R=45Ω :

5
Le tableau suivant représente ces résultats :
Potentiomètre Vlue(V) L(cm) Sv(V/div) V=L.Sv(V)
Position 1 : 32 (34*10) / 100=3,4 1,6 2 3,2
Position 2 : 45 (48*10) / 100=4,3 2,2 2 4,4
Position 3 : 70 (63*10) / 100=6,3 3 2 6

On remarque que les résultats des mesures faites par le voltmètre et


l’oscilloscope sont approximativement proches.

Manipulation 2 : Diode ZENER


On réalise le montage suivant :

R=100Ω ; F=1kHz ; Vz=3,3V


On obtient le résultat suivant
sur l’oscilloscope :

6
A partir du graphe obtenue la diode zener block le passage du
signal d’entré lorsqu’il dépasse la tension d’avalanche(négative),
donc elle fait le redressement du l’aire négatif.

Conclusion
A travers ce TP on a pris les notes suivantes :
 Savoir bien régler l’appareil (oscilloscope, générateur,
voltmètre), pour avoir un signal de qualité permettant
d’effectuer facilement les mesures désirées.
 L’oscilloscope étant un appareil de mesure on réalise le zéro
avant toute autre manipulation.
 Pour obtenir une tension stable Us en sortie d’un générateur,
on interpose une diode Zener polarisée en inverse entre celui-ci
et le récepteur avec UZ=Us.

TP2 : CARACTERISATION ET
APPLICATIONS D’UNE DIODE SIMPLE
7
Introduction
Les diodes sont des composants a deux bornes passives non-
linéaires. Le courant n’est pas directement proportionnel à la tension
appliquée. Une diode consiste en une jonction PN, dans laquelle le
courant circule du matériel de type P (anode) vers celui de type N
(cathode). Une diode idéale se comporte comme un interrupteur
commande par une tension, produisant un circuit ouvert dans une
direction (l’anode est négative par rapport à la cathode, diode en
polarisation inverse), et un court-circuit dans l’autre (l’anode est
positive par rapport à la cathode, diode en polarisation directe).

Objectifs :
Le but de ce TP est de :
✓ Relever la caractéristique statique d’une diode à jonction.
✓ Appliquer le fonctionnement d’une diode dans le redressement
simple alternance.
✓ Faire l’écrêtage en utilisant la diode à jonction.

Théorique :
Caractéristique de la diode :
La diode est un semi-conducteur unidirectionnel en tension et en
courant, il a donc un sens passant et un sens bloqué. Il constitué de 2
semi-conducteurs de type P et N. Elle est symbolisée comme suite :

8
La fonction "générique" d'une diode est de laisser passer le courant
dans un sens, nous disons qu'elle est conductrice (dans le sens
passant ou sens direct) et de bloquer le courant dans l'autre sens.
Nous disons alors qu'elle est bloquée (dans le sens bloquant ou
inverse).
Applications :
->Redressement :
Le redresseur simple alternance, ou redresseur
demi-onde, est composé d'une source de
tension alternative et d'une diode de
redressement placées en série dans un circuit
de charge.
La figure suivante illustre des circuits
redresseurs simple alternance utilisant une
diode idéale comme dispositif de redressement
et une résistance en guise de charge.

9
Fonctionnement :
✓ La tension de sortie est celle prise aux bornes de la résistance.
✓ La polarité de la tension de sortie dépend du sens de la diode
dans le circuit.
D'après la figure, lorsque la tension alternative d'entrée est positive :
✓ La tension à l'anode de la diode est positive par rapport à la
cathode.
✓ La diode considérée comme idéale laisse donc circuler le
courant dans la charge pour toute la durée de l'alternance
positive.
Par contre :
✓ Lorsque le potentiel d'entrée
est négatif, la diode se
trouve polarisée en sens
inverse et se comporte
comme un interrupteur ouvert.
✓ Aucun courant ne peut parcourir le circuit pendant que la diode
est à l'état bloqué, la tension aux bornes de la
charge demeure nulle pour toute l'alternance négative.
->Ecrêtage :
L'écrêtage consiste à supprimer une partie de l’amplitude du signale.
Le redressement supprimant les alternances négatives peut être
considéré comme un cas particulier de l’écrêtage.

10
Manipulation :
Manipulation 1 : Tracé de la caractéristique
Matériels utilisés :
Oscilloscope cathodique, résistance 100Ω, Ampèremètre, Voltmètre
Diode à jonction, Générateur de tension continue.
a) Caractéristique directe :

En variant la tension d’entrée E entre 0 et 20V, et on note les valeurs


de ID et VD données par le voltmètre et ampèremètre avec
IDmax=200mA.
Calcule : Pour E=0,2V : VD= (18*1) /100=0,18V avec un calibre=1V.

E(V) 0,2 0,5 0,8 1 1,5 2 5 10 15

ID(mA) 0,001 36*10-3 234*10-3 960*10-3 6 9,5 42 90 144

VD(V) 0,18 0,42 0,5 0,59 0,68 0,7 0,76 0,78 0,8

ID= (10*100) /100=10𝜇A avec un calibre=100𝜇A.

11
Pour E=0,2V Pour E=15V

1) La caractéristique de la diode :

2) Le rôle de la résistance dans le circuit est de protéger la diode de


la surtension, tel que le courant qui passe par la diode ne doit pas
dépasser IDmax=200mA.
3) L’équation de la droite de charge :
Selon la loi des mailles : E=VD +R.ID

12
E−𝑉𝐷
Donc : ID=
𝑅
𝐸
Pour 𝑉𝐷 = 0 −> 𝐼𝐷 =
Avec { 𝑅}
Pour 𝐼𝐷 = 0 −> 𝑉𝐷 = 𝐸
Pour E=2V on a :
2−𝑉𝐷 Pour 𝑉𝐷 = 0 −> 𝐼𝐷 = 20𝑚𝐴
ID= et { }
100 Pour 𝐼𝐷 = 0 −> 𝑉𝐷 = 2𝑉

Le point du fonctionnement théorique est Pth(0,7V ;10,3mA)


Le point du fonctionnement expérimental est Pexp(0,7V ;9,5mA)
Les résultats théoriques et pratiques sont presque identiques.
4) A l’aide de la caractéristique

13
✓ La tension de seuil c’est l’intersection de la partie linière et l’axe
des tensions : Vs=E0= 0,75V
∆𝑉𝐷
✓ La résistance dynamique : rd=
∆𝐼𝐷
0,78−0,76
Pour le 42mA≤ ID≤90mA : rd= =0,41Ω<< 1
(90−42)×10−3

5) Un modèle simplifié de la diode :


La diode en polarisation directe est équivalente à un générateur de
tension E0 et une résistance interne rd.

b) Caractéristique inverse :

La diode maintenant polarisée en inverse. En variant la tension


d’entrée E entre 0 et 20V, et on note les valeurs de ID et VD données
par le voltmètre et ampèremètre avec IDmax=200mA.

E(V) 0,2 0,5 0,8 1 1,5 2 5 10 15

ID(mA) 0,006 0,024 0,039 0 ,048 0,024 0,033 0,024 0,16 0,024

VD(V) 0,19 0,47 0,75 0,94 1,41 1,86 5 9,6 14,4

14
Pour E=0,2V Pour E=2V

La caractéristique de la diode :

Les valeurs trouvées de VD et ID sont avant le claquage de la


diode pour ne pas être détruite. Le ID saturé en quelque micro-
ampère tout au long d’expérience. Le ID relever avec l’ampère mètre
est l’opposé de celle de la caractéristique de la diode.

15
APPLICATION DE LA DIODE
1) Redressement simple alternance

La diode est alimentée par une tension alternative, celle-ci ne laisse


passer le courant que dans le sens direct c'est-à-dire que lorsque la
tension est positive, donc pendant une alternance sur deux.

-Manipulation
Matériels utilisés :
Une diode parfaite, un GBF en tension sinusoïdale avec F=1KHz et
Vcrete-crete=Vmax -Vmin=6V et une résistance R=100Ω.
Le montage :

16
3,4) Ve et Vs sur l’oscilloscope :

5) Théoriquement lorsque la tension d’entrée est positive la diode


se comporte comme un court-circuit et Vs=Ve.
Alors Vsmaxth=Vemax=3V
Selon le graphe Vsmax-exp≈2,8V
Donc Vsmaxth≈ Vsmax-exp
6- Mesure de la valeur moyenne du signal redressé Vs

17
7-Comparaison de la valeur théorique :
1 𝑇
𝑈𝑚𝑜𝑦 = ∫0 𝑈𝑚𝑎𝑥 sin 𝜔𝑡 dt
𝑇
𝑈𝑚𝑎𝑥 −cos (𝜔𝑡)
𝑈𝑚𝑜𝑦 = [ ]
𝑇 𝜔
𝑈𝑚𝑎𝑥 − cos(𝜔𝑡) + 1
𝑈𝑚𝑜𝑦 = ( )
𝑇 𝜔
2𝜋
Avec 𝜔 = => cos (𝜔𝑇)=cos (2𝜋)=1
𝑇
D’où 𝑈𝑚𝑜𝑦 = 0
La valeur moyenne des signaux alternatifs est nulle.
La valeur moyenne pour le signale redressait :
1 𝑇
𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ = ∫0 𝑈𝑚𝑎𝑥 sin 𝜔𝑡 dt
𝑇
𝑈𝑚𝑎𝑥 𝑇/2
𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ = ∫0 sin 𝜔𝑡 dt
𝑇
𝑈𝑚𝑎𝑥 −cos (𝜔𝑡)
𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ =
[ ]
𝑇 𝜔
𝜔𝑇
𝑈𝑚𝑎𝑥 ((−𝑐𝑜𝑠 ( 2 ) + 1))
𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ =
𝑇 𝜔
2𝜋 𝜔𝑇 𝜔𝑇
𝜔 = => = 𝜋 => cos ( )=cos (𝜋)=-1
𝑇 2 2
𝑈𝑚𝑎𝑥 2
𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ = ∗
𝑇 𝜔
𝑈𝑚𝑎𝑥 2𝑇
 𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ = ∗
𝑇 2𝜋
𝑈𝑚𝑎𝑥
 𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ = avec 𝑈𝑚𝑎𝑥 = 3𝑉
𝜋
 𝑈𝑚𝑜𝑦𝑡ℎ = 0.95𝑉 = 1𝑉 = 𝑉𝑚𝑜𝑦𝑒𝑥𝑝
6) Ecrêtage :

18
Le montage :

Avec une tension d’entrée sinusoïdale d’amplitude 3V et de


fréquence 500Hz. La tension de sortie après l’écrêtage :

• Le principe de l’écrêtage est vérifié, puisque le signal de sortie


supprime la tension du signal d’entrée supérieur ou égale à
E0=1V. (Image à gauche)
• La tension maximale du signal de sortie selon le graphe
Umax=0,8V≈E0.
• Lorsque on change E0=-1V, L’écrêtage se fait au niveau d’aire
inférieur ou égale à E0. (Image à droite)

19
Conclusion
Le fonctionnement de la diode à jonction est nécessaire pour l’utiliser
dans des montages d’écrêtage selon un niveau spécifié comme le
redressement simple alternance dans lequel l’utilisation d’une seule
diode est suffisante et la suppression se fait soit sur l’aire positif ou
négatif.

TP3 : MONTAGES A AMPLIFICATEURS


OPERATIONNELS
20
Introduction
Les circuits étudiés jusqu’ici sont des circuits passifs constitués de
résistances, condensateurs inductances et diodes. Ils modifient un
signal électrique en dissipant une partie de l’énergie délivrée par le
générateur. Les signaux sont nécessairement atténués par de tels
circuits. Il est cependant souvent nécessaire d'amplifier un signal par
exemple pour traiter un signal de faible amplitude (pré amplification
d’un microphone…). Un circuit capable d'amplifier un signal et donc
de lui transmettre de l'énergie est dit actif. Il nécessite l'utilisation
d'une source d'énergie extérieure et doit de ce fait être alimenté. Ce
rôle peut être assuré par un composant appelé « amplificateur
opérationnel » ou « ampli OP » composé de plusieurs transistors.
Dans le cas idéal un amplificateur OP multiplie une tension d’entrée
par un facteur fixe appelé gain en tension. Mais nous allons voir que
l’amplificateur OP peut également remplir d’autres fonctions.

Objectifs :
Le but de ce TP est de :
✓ Observer le comportement d’amplificateur opérationnel.
✓ Réaliser Expérimentalement plusieurs montages types à base
d’AOP.
✓ Caractériser ces montages et déterminer leurs limites.

Théorique :
A la base, l'AOP est un amplificateur différentiel, donc
muni de deux entrées, l'une dite non inverseuse (V+) et
l'autre inverseuse (V-),
d'une sortie (s), et deux sources d’alimentations Vs+ et Vs-
symétrique par rapport à la masse.
21
-Manipulation :
-Manipulation 1 : Montage AOP « inverseur »
Matériels utilisés :
Un amplificateur opérationnel parfait avec deux
sources d’alimentations symétrique +15V/-15V,
Un GBF en tension sinusoïdale avec F=1KHz et
Vcrete-crete=Vmax -Vmin=2V et deux résistances
R1=1KΩ et R2=10KΩ.
𝑉𝑠 𝑅2
Q1 : Montrer que G= = -
𝑉𝑒 𝑅1

D’après le théorème de Milleman :


𝑉
∑ 𝑖
𝑅𝑖
V1=V- -V+ = 1 =0 avec V1= -Vd=0 car l’AO supposé idéal
𝑅𝑖

𝑉𝑒 𝑉𝑠
+ 𝑉𝑒 𝑉𝑠 𝑉𝑠 𝑅2
𝑅1 𝑅2
Donc 1 1 =0 ⇒ =- ⇒ =-
+ 𝑅1 𝑅2 𝑉𝑒 𝑅1
𝑅1 𝑅2

𝑉𝑠 𝑅2
Alors =- = G = le gain en tension de l’AOP
𝑉𝑒 𝑅1

Q2 : Le montage

22
Q3 : La visualisation des tensions d’entrée et de sortie
Avec un calibre de 1V/div pour Ve et un
calibre de 5V/div pour Vs.
Vsmax = 5*2=10V et de sens inverse de Ve
mais de même fréquence.
𝑉
Donc Vs =- 10Ve ⇒ Gexp= 𝑠 = -10
𝑉𝑒

𝑽𝒔 𝑹𝟐
D’où Gth= =- =-10 =Gexp
𝑽𝒆 𝑹𝟏

On peut conclure que les résultats


théoriques et expérimentaux sont identiques.

-Manipulation 2 : Montage AOP « Non-inverseur »


Matériels utilisés :
Un amplificateur opérationnel parfait avec deux
sources d’alimentations symétrique +15V/-15V,
Un GBF en tension sinusoïdale avec F=1KHz et
Vcrete-crete=Vmax -Vmin=1V et deux résistances
R1=R2=10KΩ.
Q1 : Le montage

23
𝑉𝑠 𝑅2
Q2 : Montrer que G= = 1+
𝑉𝑒 𝑅1

Loi des nœuds : 𝐼1 + 𝐼 − = 𝐼2 . On a 𝐼 − = 0 donc 𝐼1 = 𝐼2


Lois des mailles :
𝑉𝑒
(1): −𝑉𝑒 + 𝑅1 𝐼1 + (𝑉 + − 𝑉 − ) = 0 or 𝑉 + − 𝑉 − = 0 donc 𝐼1 =
𝑅1

(2): −𝑉𝑠 + 𝑅2 𝐼2 + 𝑅1 𝐼1 + (𝑉 + − 𝑉 − ) = 0
−𝑉𝑠 + (𝑅2 + 𝑅1 ). 𝐼1 + (𝑉 + − 𝑉 − ) = 0 Or 𝑉 + − 𝑉 − = 0
𝑉𝑠
Donc 𝐼1 =
𝑅1 +𝑅2

𝑉𝑒 𝑉𝑠 𝑽𝒔 𝑹𝟐
Ainsi on a : = D’où la relation = 𝟏+
𝑅1 𝑅1 +𝑅2 𝑽𝒆 𝑹𝟏

Q3 : La visualisation des tensions d’entrée et de sortie.


Avec un calibre de 1V/div pour Ve et Vs.
Vsmax = 1×2 = 2V et du même sens que
Ve.
𝑉
Donc Vs=2Ve ⇒ Gexp= 𝑠 = 2
𝑉𝑒

𝑽𝒔 𝑹𝟐
D’où Gth= =1+ =2 =Gexp
𝑽𝒆 𝑹𝟏

On peut conclure que les résultats


théoriques et expérimentaux sont
identiques.

-Manipulation 3 : Montage AOP « Suiveur »


Matériels utilisés :
Un amplificateur opérationnel parfait avec deux sources d’alimentations
symétrique +15V/-15V, Un GBF en tension sinusoïdale avec F=1KHz.

24
Le montage

Q1 : Vérifier la valeur du gain G pour Ve=2V à F=1kHz


On a déjà démontré la relation du gain G :
𝑽𝒔 𝑹𝟐
Gth= =1+
𝑽𝒆 𝑹𝟏

𝑽𝒔 𝑹𝟐
D’où Gth= =1+ =1
𝑽𝒆 𝑹𝟏

Avec un calibre de 1V/div pour Ve et Vs.


Vs=1*2=2V de même sens, de même
fréquence et de même phase que Ve.
𝑉
Donc Vs=Ve = 2V ⇒Gexp= 𝑠 = 1
𝑉𝑒

25
Manipulation 4 : Montage AOP « Sommateur-
Inverseur »
Matériels utilisés :
Un amplificateur opérationnel parfait avec deux sources d’alimentations
symétrique +15V/-15V, Un GBF en tension sinusoïdale avec F=1KHz. V1 est une
tension continue de 2v, V2 est une tension sinusoïdale d’amplitude 2V crête à
crête et trois résistances R1=R1= R2=10KΩ.

Q1 : Montrer l’expression de Vs
D’après le théorème de Milleman, à l’entrée inverseuse, on a :
𝑉2 𝑉1 𝑉𝑠
+ +
𝑅1 𝑅1 𝑅2
1 1 1 = 0 or 𝑉 + − 𝑉 − = 0
+ +
𝑅1 𝑅1 𝑅2

R2 R2
Donc on a : Vs = −( . V1 + . V2 )
R1 R1

On a donc 𝑉𝑠 = −(𝑉1 + 𝑉2 ) puisque 𝑅1 = 𝑅2


On observe une oscillation de la tension de sortie entre -1 et -3 V.
Ce résultat correspond concordent avec la théorie car on a :

𝑉𝑠 = − sin(2000. 𝜋𝑡) − 2.

26
Q2 : Le montage

Q3 : Visualisation de Vs et comparaison à la valeur théorique


On conclue depuis le résultat obtenu dans l’oscillateur que Vs oscille entre -1 et
-3V.

𝑅 𝑅2
Théoriquement on a : 𝑉𝑠 = −( 2 . 𝑉1 + . 𝑉2 )
𝑅1 𝑅1

𝑉𝑠 = −(2 − sin (2000. 𝜋𝑡)) ∈ [−3𝑉 ; −1𝑉]


Donc Vsth =Vsexp
On peut conclure que les résultats théoriques et expérimentaux sont
identiques.

27
Montages particuliers
Montage intégrateur
Expression de Vs
𝑄 1
Loi des mailles : 𝑉𝑒 − 𝑅. 𝑖 = 0 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑉𝑒 = 𝑅. 𝑖 𝑒𝑡 𝑉𝑠 = − = − ∫ 𝑖. 𝑑𝑡
𝐶 𝐶
𝑉𝑒 𝟏
En remplaçant i par 𝑜𝑛 𝑜𝑏𝑡𝑖𝑒𝑛𝑡 𝑽𝒔 = − ∫ 𝑽𝒆 . 𝒅𝒕 (1)
𝑅 𝑹𝑪

Le montage a été réalisé avec le GBF délivrant un signal sinusoïdal (2) selon les
instructions que nous avions reçu de l’encadreur.
Montage

Visualisation des tensions

28
Nous n’avons pas obtenu exactement un l’intégral du signal en sortie à cause
de certains bruits dont nous n’avons pas pu détecter la cause. Cependant, le
signal en sortie est de même période que celui en entrée et a grossièrement
𝜋
l’allure d’un signal sinusoïdal avec une déphase d’environ − .
2

Lorsque la pente de la tension Vs devient horizontale, Vs est maximal et vaut


𝑽𝒆 𝒎𝒂𝒙
expérimentalement 3,2 𝑉. D’après (1) et (2) 𝑽𝒔𝒎𝒂𝒙 = Ainsi
𝑹𝑪×𝟐𝝅𝒇

𝑹𝑪𝒆𝒙𝒑 = 𝟗. 𝟗𝟒𝟕 × 𝟏𝟎−𝟔 ≈ 𝑹𝑪𝒕𝒉 = 𝟏𝟎−𝟓 .


Montage dérivateur
Expression de Vs
𝑄 𝑑𝑉𝑒
Loi des mailles : 𝑉𝑠 + 𝑅. 𝑖 = 0 𝑑𝑜𝑛𝑐 𝑉𝑠 = −𝑅. 𝑖 𝑒𝑡 𝑉𝑒 = d’où 𝑖 = 𝐶.
𝐶 𝑑𝑡
𝒅𝑽𝒆
En remplaçant i par son expression dans celle de Vs, on a : 𝑽𝒔 = −𝑹𝑪.
𝒅𝒕

Montage

Visualisation des tensions

29
Ici les bruits sont relativement faibles. Le signal est quasi-sinusoïdale avec une
𝜋
déphase d’environ et de même fréquence que le signal d’entrée. Il s’agit donc
2
bien de la dérivée du signal d’entrée car la dérivée d’un fonction sinus ou
𝜋
cosinus est la même fonction retardée de .
2

Conclusion
L’amplificateur opérationnel est un circuit intégré fort utile. Il peut
être utilisé pour amplifier une tension ou pour faire des opérations
mathématiques comme des sommes, des intégrations ou encore des
dérivations.

TP4 : Le transistor Bipolaire :


Courbes caractéristiques
30
Introduction
Un transistor est constitué de deux jonctions PN tête-bêche. Les deux
jonctions sont les jonctions base-émetteur et base-collecteur. Il
existe deux types de transistors bipolaires :
• NPN → les électrons majoritaires de l'émetteur diffusent à
travers la base et atteignent le collecteur.
• PNP → les trous majoritaires de l'émetteur diffusent à travers la
base et atteignent le collecteur.
A RETENIR : En fonctionnement normal direct (conduction), un
transistor bipolaire s'utilise de telle façon que : la jonction base-
émetteur soit polarisée en direct (conductrice) et la jonction base-
collecteur soit polarisée en inverse (bloquée).

Objectifs : :
Le but de ce TP est de :
✓ Etudier le comportement du transistor bipolaire et sa
caractéristique.
✓ Etudier un montage élémentaire particulier (le montage
émetteur commun).
Théorique :
Un transistor bipolaire est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes)
montées en sens inverse. Selon le sens de montage de ces diodes on
obtient les 2 types de transistors bipolaires :
La flèche indique toujours l'émetteur
et le sens de circulation du courant.

31
Pour caractériser complètement le fonctionnement d'un transistor, il
faut déterminer 6grandeurs : IC, Ib , Vce,Vbe

Manipulation :
Le circuit constitue de :
Deux alimentations continuent
variables E1 et E2, deux résistances
Rb=10KΩ et Rc=100Ω, un transistor
bipolaire.

32
Partie 1 : Caractérisation d’entrée et de transfert.
On fixe l’alimentation E2 sur 10V, en variant l’alimentation E1 entre
0et 12V, puis on relève :
• Le courant entré à la base du transistor Ib.
• Le courant entré au collecteur du transistor Ic.
• La tension entre la base et l’émetteur du transistor Vbe.
Ce qui obtient est le suivant :
E1(V) 1 1,5 2 3 5 7 9 10 12
Ib(µA) 65 70 120 210 420 600 800 900 1140
Ic(mA) 5 5,6 13,5 29 60 83 90 92 93
Vbe(V) 0,65 0,66 0,68 0,69 0,72 0 ,76 0,77 0,78 0,8

Pour E1=1V

La caractéristique d’entrée Ib =f(Vbe) :

33
D’après la caractéristique de Ib en fonction de Vbe on remarque
qu’elle rassemble bien à la caractéristique du la diode à jonction en
polarisation directe. Donc on peut comparer la jonction base-
émetteur du transistor à une diode polariser en directe (jonction PN).
La caractéristique de transfert Ic=f(Ib) :

La forme de la courbe résulte des mesures expérimentales est


identique à celle théorique.
• D’après la caractéristique de transfert la valeur de Ib à partir de
laquelle le Ic attient une valeur maximale et reste presque
constant est : Ibsatu=600µA
𝑰𝒄
• Le coefficient d’amplification de courant est : β=
𝑰𝒃
Don la partie linéaire de la courbe et selon la ponte, Ib= Ibsatu=600µA
pour Ic=90mA ⇒ β=150 c’est le gain en courant

34
Partie 2 : Caractérisation de sortie Ic=f(Vce).

Maintenant on fixe deux fois E1 et on varie E2 entre o et 12V.


Pour E1=10V
E2(V) 1 1,5 2 3 5 7 9 10 12
Ib(µA) 900 900 900 900 900 900 900 900 900
Ic(mA) 10 14 19 28 46 65 84 93 111
Vce(V) 0,02 0,028 0,036 0,052 0,084 0,12 0,19 0,26 0, 7

Pour E2=12V

35
La courbe de Ic=f(Vce)

La forme de la courbe résulte des mesures expérimentales est


identique à celle théorique.
Pour E1=5V
E2(V) 1 1,5 2 3 5 7 9 10 12
Ib(µA) 430 430 430 430 430 430 430 430 430
Ic(mA) 10 14 19 28 43 59 62 66 70
Vce(V) 0,032 0,044 0,056 0,082 0,16 0,78 2,4 3,2 4, 7

Pour E2=10V

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La courbe de Ic=f(Vce)

La forme de la courbe résulte des mesures expérimentales est


identique à celle théorique.
Conclusion :
L’objectif de ce TP était de vérifier le fonctionnement du transistor
bipolaire et relever sa caractéristique quadripôle, et cela ce qu’on a
satisfait d’après les mesures des courants et des tensions en jouant
sur les deux alimentations.

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