000650486

UNIVERSITÉ DU QUÉBEC
MÉMOIRE PRÉSENTÉ À
L'UNIVERSITÉ DU QUÉBEC À TROIS-RIVIÈRES
COMME EXIGENCE PARTIELLE

DE LA MAÎTRISE EN ELECTRONIQUE INDUSTRIELLE
PAR
BENHISSEN NACER EDDINE
MODÉLISATION DES COUPLAGES ÉLECTROTHERMIQUES

DANS LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES
SEPTEMBRE 1998
Université du Québec à Trois-Rivières
Service de la bibliothèque
Avertissement
L’auteur de ce mémoire ou de cette thèse a autorisé l’Université du Québec

à Trois-Rivières à diffuser, à des fins non lucratives, une copie de son
mémoire ou de sa thèse.
Cette diffusion n’entraîne pas une renonciation de la part de l’auteur à ses

droits de propriété intellectuelle, incluant le droit d’auteur, sur ce mémoire
ou cette thèse. Notamment, la reproduction ou la publication de la totalité
ou d’une partie importante de ce mémoire ou de cette thèse requiert son
autorisation.
RÉSUMÉ
L'objectif principal de ce mémoire est la recherche d' un nouveau
modèle numérique pour l'analyse électrothermique des systèmes de
composants électroniques.
Et pour atteindre l' objectif visé, nous allons élaborer et étudier des modèles
numériques implantés dans les ordinateurs séquentiels et parallèles. Un effort
spécial sera consacré à l'optimisation des algorithmes de la modélisation
électrothermique dans le cas du traitement parallèle.
Nous visons la modélisation des couplages électrothermiques entre les
différentes sources de chaleur dans le but de minimiser les pertes de puissance
dans les composants.
Comme résultat final nous espérons pouvoir joindre ensemble et d'une
manière interactive les modèles électriques complets de composants
électroniques de puissance avec les modèles complets de transfert de chaleur
par conduction, par convection et par radiation dans les structures
géométriques complexes.
II
REMERCIEMENTS
Je remercie mon directeur de recherche, Monsieur Adam SKOREK et
mon codirecteur Ahmed LAKHSASI pour leurs encouragements, leurs
supports, leurs directives, leurs conseils ainsi que leurs critiques qui ont été
extrêmement utiles pour la réalisation de ce projet. Je tiens aussi à remercier
toutes les personnes qui m'ont aidé de près ou de loin à réaliser ce travail.
Mes remerciements s'adressent aussi, à mon ancien collègue du Laboratoire
de d'électrothennie M Moktar BENAOUDIA ainsi que mes collèges du
département pour leurs supports et leurs encouragements, ainsi qu'à tous mes
amIs.
Enfin mes remerciements vont au Conseil de recherches en sciences naturelles
et génie du Canada (CRSNG) pour leur support financier qui a été fortement
apprécié .
III
TABLE DES MATIÈRES
LISTE DES FIGURES ....... .. ... ... ..... ...... . '" .... ................. .. ... . .. ... VIII
LISTE DES TABLEAUX... ... .. . ... .. . ... ... ... ... ... ........ .. . ..... ... ...... ... XI
LISTE DES SYMBOLES ... ...... .. .... ... ........ ...... .. ... ... .... ....... ....... XII
LISTE DES ABRÉVIATIONS ... ....... ..... .... ... . .... .. ... ... ...... .. .... ..... XIV
Chapitre 1. Introduction 1
1.1. Définition.. . ... ... ... .. . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. . ... ... .. . ........ ... 1
1.2. Rappel sur les modes de transfert de chaleur. .. .. .... ..... . ....... .. ... ..... 3
1.2.1. La conduction. ....... .. .. ... ... ... ... ...... .. .... .............. ..... ... .... . 3
1.2.2. La convection. .. ... ... ... ...... ... ... ... ... ... ... .. . .... .... ... ... ... ... .. .. 5
1.2.3. Le rayonnement.. . ... ... ... .. . .... .. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ........ ..... 6
1.2.4. Conclusion... ... .. . .. . .. . ... .. . .. . ... .. . . .. .. . ... .. . ... ... ... .. . ... .. . . .. ... . 7
Chapitre II. Notions de base sur la physique des semi-

conducteurs 8
2.1. Défmition ..... . ... ........ . ..................................... .. ..... ......... . 8

2.2. Jonction pn polarisée en direct .................................. ........ .... . 9
2.3 . Jonction pn polarisée en inverse .......... ........ . .. ................... .... . 10
2.4. Architecture des modules hybrides de puissance ....... ...... .. .. .. ...... . 11
2.4.1. La puce semi-conductrice ... ..... . ... ... ...... ... ... ......... .. .... ...... . 12
2.4.2. Le diffuseur ....... ... ... ........... .............. ... .... ... .. . .. ...... ..... . 13
2.4.3. L'isolant ............... .......... .................... .... .. ...... . ..... .. ... . 14
2.4.4. Le diffuseur inférieur et le socle ............... ....... .... ............... . 15
2.4.5. Les interfaces ............................................. ....... .... ...... . 15
l.4.6. Effet diffuseur ................... ........... ............................... . 16
2.4.7. L'encapsulation .............................. ......... .... ................ . 17
2.4.8. Conclusion ...................... ..... .. . ... .. ... .... .... .. ....... ....... ... . 18
2.5. La diode ....................................................... ................. . 18
2.5.1. Caractéristique courant-tension ............. .. ..... .. ... .. .............. . 18
2.5.2. Caractéristique courant-tension dépendante de la température .... . . 19
2.5.3. Diode au Germanium ... ...... ..... ..... ... ... .... . ...................... . 20
2.5.4. Diode comme composant de circuit...... ...... .... .. ....... .. . ......... 21
2.5.4.1. Diode idéale... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. .... ... ....... ..... 21
IV
2.5.4.1. Diode idéale. .. .. . ... ... .. . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... .... ..... 21
2.5.4.2. Diode de charge. .. ... .. . ... ...... .... .. ... .. ... ........ ... ...... ..... . .. . 21
2.6. L'IGBT. .. .. . ... ... ... ... .. . ... .. . ... ... ... ... ... ... .. . ... ... ... .. . ... ... .. ..... 22
2.6.1. Définition... ... .. . .. . ... .. . .. . ... ... ... ... ... ... .. . .. . .. . ... .. . ... ... .. ..... 22
2.6.2. Structure de l'IGBT...... ... ... .. . ......... ... .... .. ... .... .. ..... .. ...... 23
2.6.3. Différentes familles d'IGBT..... . ..... . .. . ... ... ... ... .. . ... ...... ... ... 24
2.6.3 .1. Technologie PT (Punch-Through) ... ... .. . ... ... ... ... ... ... ....... 25
2.6.3.2. Technologie NPT (Non-Punch-Through) .. . .. . ... ... ... ... .. .... . 25
2.6.4. Conversions propres aux figures .. ... .. .. ..... . ... .. . ..... . .. ... . ..... .. 26
2.6.5. Exemple ... ... ... ... .. . .. . .. . ... .. .. .. .. . .. . ... ... ... ... ...... ... ... ... ... ... 28
2.6.6. État de fermeture...... .. . .. . ... ... ........... . .. . ... .. . .. ... . .. ... . ... .... 29
2.6.7. Caractéristiques générales. .. .. . .. .. ........... ......... .. ... ..... ........ 29
2.7. Pertes de puissance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 31
2.7 .1. Pertes statiques.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .. . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . .. 32
2.7.1.1. Modélisation statique .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.7.1.2. Caractéristiques statiques.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... 34
2.7.2. Pertes dynamiques (modélisation dynamique). ..... ...... .. .. ... ... ... 35
2.7.3. Pertes à la fermeture .. ... . ... ...... ... ...... ... ...... ... .. . ... .. .. ... ...... 35
2.7.4. Pertes à l'ouverture... ... ...... ... ... ...... .. . .. . ... ...... ...... .... .. . .... 37
2.7.5. Modélisation générale de l'énergie dissipée... ..... . ... ... .. . .. ... .... 38
Chapitre III. Couplage électrothermique 39
3.1. Caractérisation thermique.. .. ................. .. . ..... . ......... .. ......... ... 39

3.1.1. Couplage électrothermique en conduction continu
(modélisation) ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... ... ... ... 40
3.1.2. Choix d'un radiateur.. . ... ... ... ... ... ... ......... ... .. . ...... ........ .. ... 41
3.1.2.1. Résistance thermique entre la jonction et le boîtier. .. .. . .... . .. . . 43
3.1.2.2. Résistance thermique entre le boîtier et le radiateur.. . ........ ... 43
3.1.2.3. Résistance thermique entre le radiateur et l'air ... ... ... ........ ... 43
3.1.3.Conclusion. .. ... ... ... ... ... ... ... ........... ... ... . ........ ... .... .......... . 44
3.2. Formulation des équations électrothenniques.. . ................ ........... 46
3.2.1. Méthodes de résolutions........... ............ . ..... ............ ......... 46
3.2.1.1. Méthodes analogiques... .. . .. . .. . .. . .. . .. . .. . .. . . .. .. . .. . .. . .. . ...... . 47
3.2.1.2. Méthodes analytiques.. . ......... ........ .... ...... ........ . ..... ..... 47
3.2.1.3. Méthodes numériques... ... ... ... ... ... ... ... ... ...... .. . ........ ...... 49
3.2.1.3.1. Méthode nodale... ...... ... ...... ... ... ... ... .. . ... ... ... ........... 49
3.2.1.3.2. Méthode des différences finies........ . .......................... 51
v
3.2.1.3.3. Méthode des éléments finis ....... ...... ... . ..... . .......... .. ... . 54
3.2.1. 3.4. Méthode mixte ......... ........ . ......... .... .. .. .... .. ......... ... . 60
3.2.2. Codes numériques séquentiels (structure) ... ..... ... ..... . ........... . 62
. . . L"ImItes d' app l'IcatlOn
323 . . .. .. ... ..... .. ... . ..... .... .... .. ........ ... ..... . 62
3.2.4. Rôle du traitement parallèle ... .. ........... .. .. .. .......... .. .. .. .. . .... . 62
Chapitre IV. Principe de la simulation électrothermique 63
4.1. Analogie thermo-électrique ... .. ... . ... ..... . .......... . .... .. .... .. ........ . 63
4.2. Résistance thermique .. . ... .. ....... ............. ... .......... . ...... ... ..... . . 63
4.3. Capacité thermique ...... ............ .............. ........................... . 66
4.4. Impédance thermique ....... ............. . ........ ... .. ........ ........ . ..... . 68
4.5. Extension de l'analogie thermo-électrique .... .. ... ... ..... .... ... .. .... .. . 71
4.6. Principe de la simulation électrothermique ... ....... ..... ......... .... ... . 72
4.7. Modélisation électrothermique d'une diode ... .... .. ................. .. ... . 73
4.7.1. Simulation sur MATLAB ... ... .. .. .. .. ..... .. . ... ... ... ......... ....... ... 73
4.7.2. Simulation sur SABER ........ . ..... .... . ... ..... .. .. ... ... .......... ..... . 74
4.8. Modélisation électrothermique d'un IGBT ...... ...... .. , ..... .... ... .... .. 75
4.8.1. Simulation sur NISA .. .. ........ ... .. .... .... .. ... ....... .. .... .... ... .... . 75
4.8.2. Analyse ......... .......... . ............ .. .................................... . 78
4.9. Étude électrothermique d'un onduleur (simulation sur SABER) ...... . 78
4.9.1. Topologie .. . .......... .. .. .. ... ............................................. . 79
4.9.2. Séquences .......... .... ... .. ......................... .......... ............. . 83
4.9.3. Caractéristiques thermiques .................... ............. ... .. .... ... . . 83
4.9.4. Conclusion ...................... ..................................... . ........ . 83
Chapitre V. Modélisation parallèle 85
5.1. Outils parallèles ....................... . ....... . .. . ........ . .................... . 86

5.2. Architectures parallèles .... ......... ... .. ... ........... ...... ... .. .. .... . ..... . 86
5.2.1. Une instruction une donnée SISD ............ .. .. .... . ... .............. . 86
5.2.2. Une instruction plusieurs données SIMD .... ................... ... .... .. 86
5.2.3. Plusieurs instructions et une donnée MISD .. .. ............ . .... ...... . 87
5.2.4. Plusieurs instructions et plusieurs données MIMD .............. ..... . 87
5.3. Traitement et temps de communication ................ . ... ................. . 88
5.4. Structures multiprocesseurs ............. ...... ... .... .. ... ................... . 88
5.5. Exemple d'une machine parallèle ... ... .. .. .. .... ................. . ... ... ... 90
5.6. Implantation d'un programme parallèle pour la résolution de
l'équation de la conduction thermique ............. .. .. ... .. .. .... .... ..... . 91
VI
5.6.1.1. Discrétisation par différences finies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .. 92
5.6.1.2. Identification du vecteur Xi... ... .. . ... ... ... ... ... . .. . ... ... .. . ... ... 99
5.6.1.3 Identification de bi . .. ... ... ... ... ... ... . .. ... . .. ... ... . ... . . . ... ... ...... 99
5.6.1 .4. Identification de A( ij) .... .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .. . . . .. 99
5.6.1.5. Utilisation de la méthode directe de CROUT (décomposition
LR) ... ... ... ... ... .. . ... .. . ... ... ..... .. ... ... ... .. . .. . ... ... .. . ... ..... . 99
5.6.1.5.1. Calcul de L et R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
5.6.1.5.2. Résolution de L*z = y ... .. ... . ... ... .. .. ..... .......... .......... . 102
5.6.1.5.3. Résolution de R *x=z... .. .. .. ... ... ................... ... ....... .. 103
5.6.1.6. Discrétisation de l'équation de transfert de chaleur.... .. . . . . . . . .. . 104
5.6.1.7. Exemple implanté sur MATLAB. . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .. . .. . . . . . . ... 106
5.6.1.8. Interprétations et conclusions .... ... ... ... ... .. .. ............... ..... . 108
5.6.2. Traitement parallèle .. . .. . ... ............... .. .... . .. . .. . .......... ... ....... 110
5.6.2.1 . Modèle thermique .... .. .... ....... .... ......... ... .............. ... ...... III
5.6.2.2 . Choix de l'architecture parallèle................ .. .... ..... ... ...... ... 116
5.6.2.3. Évaluation des performances ... .. . .. .. ... .. .................. ... ....... 117
5.6.2.3 .1. Performances...... ... .. . ... ........ ... . .. .. .. .. ............ . ....... ... 118
5.6.2.3.2. Efficacité. .. ............... .. . ................ .... ..... ............ .... 118
5.6.2.4. Organigramme ............................... ............................ 119
5.6.2.5. Résultats de simulation. ... ... .. ... ... ....... ... .. .. .................... 120
Conclusion générale et recommandations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . ... 123
Bibliographie ... ... ... ... ... ... ... .. ... .. .. .. ... .... .. ... ... .. . ... ..... .. . .. ... .. .. . ... 125
Annexe 1 ... . . . . . . . .. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
- Simulation électrothermique sur SABER d'un onduleur monophasé
avec charge RL (Signaux) : d'attaque, courant, tension, température... 135
- Simulation électrothermique d'un IGBT sur NISA... .. . ... ... ... ... ... ... 140
- Programme sur Matlab pour tracer 1 = f (T), sans et avec T... . . . . . . . . . ... 142
- Programme sur Matlab (dfd1a.m) pour la discrétisation de l'équation
de la chaleur en ID, distribution de la température ............... .. ....... 144
- Résultats de simulation sur Matlab pour la résolution de l'équation de
POISSON en 3D. . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . 147
Annexe II .. .. ..... . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
- Fiche technique: HARRIS Semi-conductor IGBT.. . ... ... .. . ... .. . ... ... ... 153
- Models Cl and CH (Metal film resistors). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. ... . .. . . . . . . . 156
- International Rectifier IGBT, modèle: IRGPH50MD2 ....... .............. 157
- Wakefield Engineering (les radiateurs) .......... ................... . ... ....... 165
Index ......... ... .. .... ... . .. . .. ......... . .......... .. ...... . .... .. ............ ......... 171
VII
LISTE DES FIGURES
Chapitre II
Figure 2.1. Représentation schématique d'une jonction pn.. . .. . ... ... ... .... . 8
Figure 2.2.a. jonction pn polarisée en direct. .. ... .. . ... ... ... ... ... ... ... ... .. .. 9
Figure 2.2.b. jonction pn polarisée en inverse ... ... ... ... .... ... ... ... .. . ... ... . 9
Figure 2.3. Coupes typiques d'un module de puissance ... .. . ...... .... . ... ... . 12
Figure 2.4. Évaluation de la conductivité du Silicium en fonction de la
température. . . . .. .. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Figure 2.5. Isolation d'une puce semi-conductrice. .. ... .... .. ... ........ ..... .. 17
Figure 2.6. Schéma d' une diode à jonction. .. ........ . ... ... .. . ... ..... ....... ... 18
Figure 2.7. Caractéristique d' une diode àjonction .. . .. . ... ... .. . .. . ... ..... .... 20
Figure 2.8. Diode idéale. ... ... .. ... .. ....... ... ... .. . ... .... .. .... .. ... .... ..... .... 21
Figure 2.9. Caractéristique de la diode de charge du circuit. .... ... .... ... .. .. 22
Figure 2.l0. Circuit équivalent simplifiée d'un IGBT .. . ... .. . ... .. . ... ... .. ... 23
Figure 2.11 . Structure d'un IGBT (microscopique) ... ... ... ... ... ... ... .. . ... .. 24
Figure 2.l2 .a. Structure de l'IGBT PT ... ... ... ... .. . ... ... ... ... ... ... ... ... ..... 26
Figure 2.l2.b. Structure de l'IGBT NPT. .. .. .. ... ..... ... ... .. ... ..... .. .. ...... . 26
Figure 2.13. Représentation d'une structure semi-conducteur ... ... .... .. .... . 27
Figure 2.l4. Schéma d'un IGBT.. . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .. . ... ... 28
Figure 2.15 . Schéma de principe du couplage électrothennique...... .. . .. ... 31
Figure 2.l6. Caractéristique directe classique .... .... ... ... .. . .. . .. . .. . .. . ... .... 32
Figure 2.17. Ondes réelles et idéalisées de tension et de courant à la
fefllleture... ... .. . .. .. ...... .... ........... .... ..... ... ... .. ........ .... 36
Figure 2.18. Ondes réelles et idéalisées de tension et de courant à
l' ouverture . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . 37
Chapitre III
Figure 3.1 . Diagramme fonctionnel en régime continu.. . .. . ... ..... . ... ... .... 40
Figure 3.2. Résistance thennique en fonction du volume du radiateur... .... 42
Figure 3.3. Coupe typique composant-radiateur... ........... .. ... .. ......... ... 43
Figure 3.4. Schéma thennique équivalent. .. .. . ... ... ... ... ... .... .. .. . ... ... .... 44
Figure 3.5. Réseau thefllloélectrique lié à la méthode nodale... .. . .. . ... ... .. . 51
Figure 3.6. Bilan thennique associé à un nœud interne.. . ... .. . ... ... ... ... ... 52
VIII
F"19ure 3 ..
7 Él'ement tnangu
. l'
alfe de relerence
' 1:.' .. ...... .... ...... .. ...... ......... . 59
Figure 3.8. Structure d'un code séquentiel.. ..... ... .. ...... .... ..... .. .... ..... . 62
Chapitre IV
Figure 4.1. Problème thermique ID du mur d'épaisseur finie.. . .. ... . ... ... ... 64
Figure 4.2. Schéma équivalent thermo-électrique ... ... .. . ... ... ... ... ... .... ... 65
Figure 4.3. Ligne à constantes réparties. ... ... .. .. ... . ............ ... .. ..... .. ... 67
Figure 4.4. Schéma thermo-électrique « mono-cellulaire »... ... .. .. .. ... ... .. 68
Figure 4.5 . Problème thermique ID du milieu plan stratifié ......... ...... ... . 70
Figure 4.6. Organigramme du principe de la simulation électrothermique 72
3D ... .. .. ......... .. .. .... ......... .... ..... . ....... ...... .. ... ..... .. ... ..
Figure 4.7. Caractéristique 1 = f(V) avec droite de charge (point de 73
fonctionnement) ....... ... ..... ... .. . .. .. .. ... .... ... ...... ... ....... . .
Figure 4.8. Caractéristique 1 = f(V) « influence de la température » ... .... . 73
Figure 4.9.a. Schéma électrothermique (R+D en série) sur SABER ... .'..... 74
Figure 4.9.b. Caractéristiques: V = f(t); Îch=f(t) et VDiode =f(t) .... .. ... ... .... 74
Figure 4.10. Implantation d'une cellule IGBT sur NISA.... .. ...... .. ....... .. 75
Figure 4.1l. Introduction d'une source de chaleur ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 76
Figure 4.12. Distribution de la température à l' intérieure des couches de
l'IGBT... .. . ... ... ... ... ... ... ... ... ... .... ... ... ... ... .... ... ... .... .. 76
Figure 4.l3.a. Distribution de la température à l'intérieure de l' IGBT. .. ... . 77
Figure 4.l3.b. Distribution de la température aux différents instants....... .. 77
Figure 4.14. Schéma simplifié de l'ensemble Onduleur-Charge. .. ... ... ... .. 79
Figure 4.l4. Schéma Onduleur(IGBT+DRL) + Charge (RL)... ... .. . ... ...... 80
Figure 4.l6. Schéma du bloc de commande. .. ... ... ... ... .... .. ... ... .. . ... ..... 80
Figure 4.17. Schéma électrique général (commande + onduleur)....... .. .... 81
Figure 4.l8. Schéma général (électrique + thermique)... ... ..... . .. . .... ..... . 82
Figure 4.19. Analyse des séquences pendant 10 ms ........................ ..... 135
Figure 4.20. Analyse des séquences pendant 200 ms ...... ... .. .. .. .. ..... .. .. .. 135
Figure 4.2l. Tension appliquée à la gâchette de l'IGBT 4 .... ... .......... .. .. 135
Figure 4.22. Tension appliquée... ........... .... .. .. . .... .. ..... . ... ...... .. .. . .... 135
Figure 4.23. Tension appliquée à la gâchette de l'IGBT 2 ... ...... .. ... ...... .. 135
Figure 4.24. Signal de commande c1k2 avec VG3 ... . . . ............. . .. .. . .. .. . . .. 135
Figure 4.25 . Signal de commande qui attaque l'IGBT 1 ....... .. .............. .. 136
Figure 4.26. Courant du collecteur de l'IGBT 1... .. . .. . ... ..... ... ... ... ... .... 136
Figure 4.27. Courant dans le collecteur de l'IGBT 4 .. .. ... .. ... ... ..... ........ 136
Figure 4.28. VG de l' IGBT 2. .. ... ... .... .. ..... ... ... ... ... ... ... .... . ... ... ... ..... 136
lX
Figure 4.29. Courant iG1 ... . .. . . ..... . .. ........ .. ....... .. .. .. ... ... . .. .... ... ... . .. 136
Figure 4.30. VG de l'IGBT 1.. .. .. ... ... ... .. .. ... ... . ... ... .. ... . .... . ........ .. .. . 136
Figure 4.31. Signal de contrôle .. ....... .... ....... ..... . .... ........ ..... ... ... .... 136
Figure 4.32. Ti au niveau de l'IGBT 3 et 4 sur 10 ms .... .... . .. . ... ... .... .. ... 137
Figure 4.33. Ti au niveau de l'IGBT 2 ; 3 et 4 sur 200 ms .. . ..... ... . ....... .. 137
Figure 4.34. TBoîtier de l' IGBT 3 et 4 durant 10 ms ..... . ..... .. ..... ... ........ .. 137
Figure 4.35 . TBoîtier des 4 IGBT durant 200 ms ...... ..... ..... . ... ... ...... . ... .. 137
Figure 4.36. Distribution de la température sur quelques nœuds du boîtier
T0247 de l'IGBT 4 .... ........ ... ... ... .... .. ... .... ... .. ........... . 138
Figure 4.37 . Distribution de la température sur quelques nœuds du boîtier
T0247 de l'IGBT 1. .. ... .. . .. . ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 138
Figure 4.38. Température du radiateur TTC 1406 sur les quatres IGBT
durant 200 ms avec ta = 27° C... ... .. . .. . .. . ... ... ... ... .... .. .. ... . 138
Chapitre V
Figure 5.1. Architecture MIMD... ... ... .. . ... ... .. . .. .... ... ... ... ... .. . ... .. . . .. . 87
Figure 5.2. Intégration d'un système multiprocesseur. .. ... .. . .. ... . . . ... ... . . . 88
Figure 5.3.Topologie de l'hypercube .. ... .. .. .. .. .... .. ... .. .... .. .. .. .... . ..... .. 89
Figure 5.4. Diveres topologies .. .... ..... ... ... ... ... .. . .. . .. . ... ... ... ... ... ... ... 90
Figure 5.5. Machine ALEX, AVX, Série 2 à 64 nœuds. .. ... ... ... ... ... ... ... 90
Figure 5.6. Température To calculée par la méthode des différences 108
finies ... ..... ............. .... .... . .. ........................... .. .. ... .. . .
Figure 5.7. Réseau d'interconnexion .. . ..... ......... . ... .... .... . ... .... .. ...... . 111
Figure 5.8. Forme de la matrice A(ij,k) en 3D .. ... . ..... .. .. .............. . ... . 113
Figure 5.9. Topologie appliquée (arbre binaire + réseau linéaire).. ... .. .... . 116
Figure 5.10. Classification des systèmes de traitement parallèle. . . . . . . . . . . . .. 117
Figure 5.11. Organigramme... ... ... ... ... ... .. . ... ... ... .. . ... ... . .. ... .. . ... ... .. 119
Figure 5.l2. Comparaison du temps de calcul entre les 3 machines.... .. ... . 120
Figure 5.13. Comparaison du temps de calcul entre le séquentiel et le 120
parallèle ...... ... .............. . .. ... . ... ... . ... ........ . ..... ... ..... ..
Figure 5.14. Performances et efficacité. .. ... .... ..... .. .. ..... ..... . .. . .. ... . ... . 121
Figure 5.15. Distribution de la température à l'intérieur de la structure ...... 122
x
LISTE DES TABLEAUX
Tableau 2.1 . Propriétés électriques et thermo-physiques des principaux

,.
substrats ceramIques ........ . ........ . .... .... .. ........ ....... ..... . 14
Tableau 2.2. Codage des hachures et dénominations des différentes zones
en fonction des concentrations en dopants ........... . ...... ..... . 27
Tableau 5.1. Comparaison du temps de calcul entre la méthode de
CROUT et de THOMAS ... .. .................. ... .. .. ...... .. ..... .. 109
Tableau 5.2. Comparaison au niveau : temps de calcul, performance et
éfficacité. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .. 121
XI
LISTE DES SYMBOLES
2
~i,j) Surface normale aux lignes de flux [m ]
A(ij) Matrice en 2 dimensions
A(ij,k) Matrice en 3 dimensions
b vecteur
C Capacité linéique [F]
Cp, Cv Chaleur massique [J/(kg.K)]
C th Capacité thermique [J/K]
D Domaine d'application
E Efficacité
ej Épaisseur de l'isolant [ml
F Facteur de fonne
g Conductance thennique [W/(m2 .K)]
h Coefficient d'échange convectif [W/(m2 .K)]
10 Courant annulant le coefficient de température de [A]
la chute de tension directe
Id Courant qui traverse la diode [A]
Ip Courant de la charge [A]
Is Courant inverse de saturation [A]
i(t) Onde de courant [A]
J Densité de courant [A/m2 ]
K Interrupteur
k Conductivité thennique [W/m.K]
ko Conductivité thennique à 300 K [W/m.K]
ki Conductivité thennique de l'isolant [W/m.K]
Lm Inductance de la cellule de commutation [H]
N Ensemble des entiers naturels
n Porteurs de charge (électrons)
P Puissance totale dissipée [W]
p Porteurs de charge (trous)
P(i,j,k) Nœuds interne
Q Énergie dissipée [WJ
Q(I,V) Point de repos où de fonctionnement
q Densité volumique des sources internes [W/m3]
r Résistance linéique [0]
Rs Résistance série [0]
Rth Résistance thennique [K/W]
XII
2
S Surface d'échange [m ]
s Performance
T Température [K]
Ta Température ambiante [K]
t Temps [s]
Vo Tension de seuil [V]
Vcc Tension d'alimentation continue [V]
Vd Tension appliquée sur la diode [V]
Vi Ensemble des indices des noeuds
V·.1 Tension appliquée sur la jonction [V]
V(t) Onde de tension [V]
Vp Tension de déchet [V]
W com Énergie dissipée par commutation [W]
Woff Énergie dissipée à l'ouverture [W]
Won Énergie dissipée à la fermeture [W]
Zt11 Impédance thermique [KlJ]
Voo,a,roo,b : Paramètres statiques
p Masse volumique [kg/m 3]
~ Flux de chaleur [W]
e Écart de température [K]
a Diffusivité thermique [m2/s]
<p Densité de flux de chaleur [W/m2 ]
2 4
cr Constante de Stéfan-Boltzmann [W/(m .K )]
[5.67.1 0-8]
E Émissivité
11 Rendement
ecs Résistance thermique entre le boîtier et le radiateur [OC/W]
eJc Résistance thermique entre la jonction et le boîtier [OC/W]
esa Résistance thermique entre le radiateur et l'air [OC/W]
Pv Densité de charge
XIII
LISTE DES ABRÉVIATIONS
Al203 : Alumine
AIN : Nitrure d'aluminium
BeO : Oxyde de béryllium
GAAS : Galium Arsenide
1GBT : 1sulated Gate Bipolar Transistor (Transistor biploaire à grille
isolée)
LAM : Système d'exploitation pour le traitement parallèle
MIMD : Plusieurs instructions, plusieurs données
MISD : Plusieurs instructions, une donnée
ML1 : Modulation à largeur d'impulsion
MP1 : Standard de programmation pour le traitement parallèle
NPT : Non-Punch-Through (Non-perçante-traversante)
PT : Punch-Through (Perçante-traversante)
SIMD : Une instruction, plusieurs données
S1SD : Une instruction, une donnée
SPMD : Même programme, plusieurs données
ue : Unité centrale.
XIV
Chapitre 1 INTRODUCTION
Introduction
1.1 Définition
La conception d'un interrupteur de puissance performant et fiable nécessite une
étude à la fois électrique et thermique (électrothermique).
L'analyse des transferts de chaleur dans les composants de l'électronique de puissance,
repose sur les lois fondamentales de la théorie générale des transferts de chaleur. Ses
particularités résident essentiellement dans la géométrie et la structure des dispositifs, et
dans les sources de chaleur [26].
Le comportement des composantes semi-conducteurs est devenu très compliqué, un modèle
numérique est nécessaire pour analyser le comportement électrothermique dans le but
d'obtenir une meilleure optimisation au niveau des pertes. La conception d'outils de
simulation correspondante se trouve confronté par la complexité des phénomènes physiques
afin d'obtenir une description suffisante du comportement du composant.

Les logiciels qui occupent actuellement le marché donnent une idée parfaite sur le
comportement de ces composants que ce soit du point de vue électrique ou thermique
(PSPICE, FLUX 2D, FLUX 3D, NISA, SABER, JMAG, ... ).
Le traitement nécessite beaucoup de simulation, et le facteur majeur qui entre en jeu, c' est
le temps de simulation, d'où la nécessité d'une nouvelle approche.
Récemment une approche plus performante à été appliquée, il s' agit d' implanter des codes
parallèles [61][62][66] pour atteindre des meilleurs résultats avec un temps de calcul
moindre [59][60].
Dans ce mémoire, on va identifier un modèle mathématique macroscopique en trois
dimensions incluant les paramètres électriques et thermiques.
Par la suite, on va élaborer des algorithmes adaptés au traitement parallèle sur les machines
de type : Même programme plusieurs données (Same Pro gram Multiple Data) « SPMD )),
ainsi que les simulations numériques :
Séquentielles sur des logiciels de CAO comme (SABER, NISA), puis sur Matlab, et en
C sur une station UNIX.
Parallèles sur l'environnement LAM avec le standard MPI. Et enfin faire une
comparaison au niveau temps d'exécution entre les deux traitements.
2
Chapitre 1 INTRODUC TION
1.2 Rappel sur les Modes de transfert de chaleur
On distingue habituellement trois modes différentes de transfert :
La conduction, le rayonnement et la convection [17][18][21][23].
L'écoulement de la chaleur dans les composants électroniques étant essentiellement de type
conductif les deux autres modes interviennent surtout dans les échanges avec
l'environnement extérieur [26].
On ne peut se lancer dans l'analyse thermique des composants sans un développement
particulier sur ces modes de transmission.
1.2.1 La conduction
La conduction est le mode de transmission de la chaleur provoqué par la différence
de température entre deux régions d'un milieu matériel.
Dans le mode d'échange par convection, le transfert de la chaleur se fait dans les fluides, les
liquides ou les gaz en mouvement. Ce cas se rencontre souvent dans l'échange entre une
paroi et un fluide.
La loi fondamentale de la conduction thermique, établie par Fourier, s'exprime
mathématiquement par la proportionnalité, en tout point d'un corps isotrope, de la densité
de flux au gradient de température :
--+
cp = -k.grad(T) (l.I)
3
Cette loi traduit le fait que l'énergie thermique se propage des points les plus chauds vers
les plus froids, et que le flux est d'autant plus intense que l'écart de température par unité de
longueur est grand.
Le coefficient de proportionnalité k est la conductivité thermique du corps considéré, et
s'exprime en W/(m.K). Elle peut varier d'un point à l'autre du corps. La connaissance de la
conductivité thermique des matériaux reste un problème majeur.
Cette grandeur dépend d'un certain nombre de paramètres :
- nature chimique du matériau,
- nature de la phase considérée (solide, liquide, gazeuse),
- température.
En d'autres termes, la loi de Fourier est non linéaire, en appliquant le premier principe de la
thermodynamique à un élément de volume indéformable et au repos (la variation d'énergie
interne du système est égale à l'énergie thermique entrant dans le volume au travers de la
surface limite, ajoutée de la chaleur dégagée par les sources internes).
On obtient finalement l'équation :
P.C p . : = div [k.grad(Tl]+ q (1.2)
Avec:
p : masse volumique du corps [kg/ml ]
Cp : chaleur massique du corps [J/(kg.K)]
q : densité volumique des sources internes [W/ml ]
4
Chapitre 1 INTRODUC TION
Dans le cas particulier d'un corps homogène et de conductivité indépendante de la
température l'équation devient:
p.C p aT 2 q
- - .-=\1 T+- (1.3)
k at k
La quantité k/(p.Cp), appelée diffusivité thermique [m2/s] caractérise la vitesse de diffusion
de la chaleur dans le matériau.
1.2.2 La convection
C'est le mécanisme le plus important de transfert d'énergie entre une surface solide
et un liquide ou un gaz.
On distingue deux types de phénomènes convectifs :
La convection naturelle, ou libre, pour laquelle le mouvement provient de l' action
simultanée de différences de température existant au sein du milieu, et d'un champ de
force massique,
La convection forcée, pour laquelle le mouvement est imposé par une action extérieure
(pompe, ventilateur, ... ).
La représentation exacte des processus de transfert par convection pose des problèmes de
mécanique des fluides souvent très difficiles à résoudre directement.
Cependant, comme on ne s'intéresse en général qu'à la quantité de chaleur échangée entre le
fluide et une paroi solide, on introduit un coefficient d'échange superficiel h tel que la
5
densité de flux de chaleur q>, à travers un élément de surface de la parOI, soit
proportionnelle à la différence entre la température T de cet élément est une température
moyenne du fluide Ta :
(1.4)
Le coefficient h dépend :
- du type de convection
- du type d'écoulement
- de la géométrie de l'écoulement
- la vitesse de l'écoulement
- la température
- les propriétés thermo-physiques du fluide (viscosité)
- des conditions adoptées au niveau de la paroi (température constante, ou
densité de flux constante).
1.2.3 Le rayonnement
C'est le mécanisme par lequel la chaleur se transmet dans l'espace. Il s'agit d'un
rayonnement électromagnétique. La loi fondamentale de ce phénomène, appelée loi de
Stefan-Boltzmann, exprime la densité de flux d'énergie émise par une surface idéale, dite
noire, en fonction de sa température absolue :
4
<p=cr T (1. 5)
Où cr est la constante de Stéfan-Boltzmann : 5.67.10-

8
[ 2W4] '
m .K
6
L'équation d'échange, dans le cas particulier d'un corps noir à la température absolue T,
plongé dans une enceinte noire à la température absolue Ta, s'écrit :
(1.6)
En pratique, on tiendra compte de la géométrie du système par l'introduction d'un facteur de
forme F lié à l'angle de vue de la surface rayonnante vers l'ambiance, et des propriétés
émissives réelles de la surface, que l' on qualifiera par un coefficient e appelé émissivité :
4 4
<p =ê F cr (T - Ta ) (1 .7)
1.2.4 Conclusion
Les deux modes d'échanges : convection naturelle et rayonnement thermique sont
généralement négligeables [26]. L'existence d'un radiateur est destiné pour l'évacuation de
la chaleur [Workefield Engineering][55]. Le calcul de l'échange est une étape essentielle de
la conception thermique des composants électroniques, car les caractéristiques principales
des interrupteurs de puissance dépendront beaucoup de la qualité du refroidissement
(évacuation de la chaleur au plus près des sources de dissipation).
7
Chapitre II. Notions de base sur la physique des semiconducteurs
Notions de base sur la

physique des semi-conducteurs
2.1 Définition
La jonction pn est le module élémentaire dont dépend le fonctionnement de tous les
dispositifs à semi-conducteurs.
Le dopage d'un semi-conducteur monocristal avec des accepteurs d'un côté et des donneurs
de l'autre donne une jonction pn. A la figure 2.1, les ions donneurs sont représentés par des
signes plus et les électrons qu'ils donnent sont représentés par de petits cercles pleins. Les
trous sont représentés par de petits cercles creux et les ions accepteurs par des signes moins.
ions accepteurs ion", ions donneIfi
lectrons
Irous
typep -~ typen
régi on
d'appatMissemeri
ou
de déplébon
Figure 2.1 Représentation schématique d'une jonction pn.
8
On suppose que la jonction représentée à la figure ci-dessus est en équilibre et que la
section transversale du semi-conducteur est uniforme.
Initialement, le gradient de concentration à travers la jonction fait diffuser des trous vers la
droite et des électrons vers la gauche. Les ions non neutralisés du voisinage de la jonction,
donnent une densité de charge pv. En raison de son appauvrissement ou sa déplétion en
charges mobiles, cette région est appelée la région d'appauvrissement ou de déplétion, ou
de transition. La largeur de cette région est de l'ordre de quelques dixièmes de micromètre.
Il n'y a de porteurs qu'à l 'extérieur-de la région d' appauvrissement; à gauche, les porteurs
sont d'une manière prédominante des trous (p ~ NA) et à droite des électrons (n :::::.ND) . Un
flux de porteurs peut circuler dans un sens dans une jonction pn et pratiquement aucun dans
l' autre sens. Telle est la propriété électrique essentielle d'une jonction pn.
2.2 Jonction pn polarisée en direct
Dans le montage représenté à la figure 2.2.a, on applique une tension VD à la
jonction en connectant la borne positive de la batterie au côté p et la borne négative au côté
n.
'------+-111 - - Il,I-'+----~
vD vD
Figure 2.2 a) jonction pn polarisée en direct,
b) jonction pn polarisée en inverse.
9
Chapitre Il. Notions de base sur la physique des semiconducteurs
La tension appliquée réduit donc la barrière de potentiel de q VD, ce qui perturbe l'équilibre
établi entre les porteurs de diffusion et de mobilité à travers la jonction. La diminution du
potentiel de jonction permet la diffusion de trous du côté p au côté n de la jonction. De
même, des électrons diffusent du côté n au côté p. Les trous qui circulent vers la droite et
les électrons qui circulent vers la gauche forment un courant de même sens. Le courant
résultant qui traverse la jonction égale donc la somme du courant de trous et du courant
d'électrons. Après leur traversée de la jonction, les électrons (trous) deviennent des porteurs
minoritaires et forment un courant minoritaire injecté. Ce courant de diffusion est grand car
le nombre de porteurs disponibles est considérable. La tension appliquée, de polarité
indiquée à la figure 2.2.a, qui produit ce courant est appelé la polarisation directe et la
jonction est dite polarisée en direct.
2.3 Jonction pn polarisée en inverse
La polarité de la tension appliquée au montage représenté à la figure 2.2.b (opposée
à celle appliquée au montage représenté à la figure 2.2.a) polarise la jonction en inverse.
Cette tension augmente la barrière de potentiel de q VD et diminue donc le flux de porteurs
majoritaires (trous dans le type p et électrons dans le type n).
L'équilibre initial est perturbé et un petit courant traverse la jonction du côté n au côté p
(dans le sens opposé à celui de la polarisation directe). Ce courant noté Is et appelé le
10
courant inverse de saturation est très petit parce que les porteurs minoritaires sont peu
nombreux.
On peut aussi décrire le mécanisme de conduction en polarisation inverse comme suit : la
polarité de VD est telle qu'elle éloigne les trous de type p et les électrons de type n de la
jonction. Par conséquent, la région à densité de charges négatives s'étend davantage vers la
gauche de la jonction figure 2.2.b et la région à densité de charges positives s' étend vers la
droite.
Ce processus ne peut continuer indéfiniment parce que les trous qui formeraient un flux
permanent vers la gauche devraient traverser la jonction en provenance du silicium de type
n. Comme ces porteurs sont très peu nombreux, le courant résultant est pratiquement nul.
2.4 Architecture des modules hybrides de puissance
Avant de nous lancer dans l'analyse thermique des composants électroniques, il est
nécessaire de présenter le module. Nous exposerons ici quelques généralités concernant
l'architecture des modules hybrides de puissance, sans entrer dans le détail.
La coupe présentée ci-dessous, révèle le caractère multicouches.
11
silicium
puce !.---brasures
cuivre
diffuseur
accrochages
Nitrure d 'aluminium
isolant
accrochages
cuivre
diffuseur
brasures
cuivre
socle
Figure 2.3 : coupes typiques d'un module de puissance
L'assemblage hybride de puissance est généralement constitué d'un empilement de divers
matériaux, et compte typiquement cinq couches, ainsi que quatre interfaces réalisant des
liaisons entre ces couches figure 2.3.
2.4.1 La puce semi-conductrice
C'est à la puce qu' incombe la fonction semi-conductrice du module. Le matériau
utilisé et le silicium. Sa conductivité thermique est très convenable elle varie en fonction de
la température selon la loi [10][11][12][13][30]:
K(T) = ko . (T/300)-4/3 (3 .1)
Avec, ko : Conductivité thermique à 300 K. [W/m.K]
12
200
f's l
1
:2 175
E
~ . :
~ 150 \
"
cr
]
.~=
125
'""" '-
.
:
--
100
o
"-.....
]
8
75 "---
l
50 0 50 100 150 200 250 300 350 400
température (oC)
Figure 2.4 : Évolution de la conductivité du silicium en fonction de la température
L'étude [29] tend à montrer que la pnse en compte d'une conductivité thermique du
silicium fonction de la température conduisait à des résultats très peu différents de ceux
relatifs à une conductivité thermique constante. Pour valider cette approche, on a réalisé un
code sur Matlab pour résoudre l'équation de transfert de la chaleur (1.3), selon les deux
cas:
k est une fonction de T
k = constante
Les résultats, présentés à la figure 5.6 montrent bien la validation de cette approche. Ce qui
nous facilite énormément le traitement des codes séquentiels et parallèles.
La capacité calorifique du silicium varie également quelque peu avec la température.
2.4.2 Le diffuseur
Le diffuseur se situant immédiatement sous la puce il offre un support à l'élément
semi-conducteur, il diffuse la chaleur générée dans la puce pour un abaissement global de
la température du silicium.
13
Chapitre Il. Notions de hase sur la physique des semiconducteurs
Ce diffuseur est un bon conducteur électrique et thermique. Le matériau utilisé est le cuivre.
2.4.3 L'isolant
L'isolant, ou substrat, sert de support mécanique aux circuits électriques, il assure
leur isolation galvanique par rapport au radiateur, et augmente l'évacuation du flux
thermique. On attend donc de ce constituant qu'il ait :
une résistivité électrique élevée pour limiter les courants de fu ite,
une rigidité diélectrique élevée pour supporter les tensions appliquées,
une faible permittivité pour réduire les capacités parasites,
une conductivité thermique élevée pour ne pas entraver l'évacuations de la chaleur,
de "bonnes" propriétés de liaison avec le cuivre.
L' hybridation de puissance utilise des substrats céramiques, principalement l' alumine, le
nitrure d'aluminium, et l'oxyde de béryllium, substrats dont le tableau 2.1 résume les
propriétés électriques et thermophysiques.
Conductivité Résistivité Coefficient de Permittivité Rigidité
thermique électrique dilatation relative diélectrique
W/(m.K) [~lcm] KI kY/mm
Ah03 20 > 10 12 6.3 9.4 > 12
AIN 170 > 10 12 4.4 8.9 15
BeO 260 > 10 12 8 6.5 > 10
Tableau 2.1 : Propriétés électriques et thermophysiques des principaux substrats

céramiques [26] .
14
Le substrat d'alumine possède un certain nombre de qualités, en particulier un pnx
modeste, mais sa faible conductivité thermique le rend peu adapté aux applications de forte
puissance [26] .
L'oxyde de béryllium semblait être un excellent produit de substitution, mais sa toxicité
potentielle, lorsqu'il est dispersé sous forme de poussières, en a interdit l'emploi.
Le nitrure d'aluminium, présente d'excellentes propriétés électriques et thermophysiques.
La technologie des substrats AIN a continuellement progressé, de sorte que leur
conductivité thermique, atteint maintenant des valeurs proches de celles des su~strats BeO.
La substitution de l'alumine par le nitrure d'aluminium a amélioré les caractéristiques
thermiques des composants.
Il reste toutefois que le substrat AIN est cher et fortement dépendant du procédé de
fabrication .
2.4.4 Le diffuseur inférieur et le socle
Restant deux couches, le diffuseur inférieur et le socle, toutes deux en cuivre. La
première réalise l'interface entre le substrat et le socle, la seconde sert à la tenue mécanique
de l'ensemble, et bien sûr aux liens avec l'environnement extérieur.
2.4.5 Les interfaces
Les diverses couches de l'assemblage décrit ci-dessus ne sont solidaires que par
l'intermédiaire d'interfaces de liaison.
15
Les joints constituant la partie délicate des modules hybrides de puissance. De par leur
faible aptitude à conduire la chaleur, ils sont le siège de forts gradients de température, et
sont donc responsables pour beaucoup de l'échauffement des semi-conducteurs.
Les accrochages entre l'isolant et les deux diffuseurs s'effectuent par la méthode dite de
liaison directe cuivre-céramique. Mise an point au début des années 70 pour la liaison
cuivre-alumine, cette technique produit une soudure de très bonne qualité.
Les quelques travaux sur les propriétés thermiques de ces substrats, en particulier ceux de
[25][33][34], attribuent à ces liaisons une conductance thermiques de 20 W/(m.K).
La conductivité thermique de ces alliages dépend fortement de leur teneur en étain, et la
fourchette traditionnellement donnée [35] est [30 - 60 W/(m.K)], le joint de brasure de la
puce assure en plus des liaisons mécaniques et thermiques, une liaison électrique avec le
diffuseur (il est donc relativement important qu'il présente une faible résistance ohmique) et
que sa qualité est essentielle à un fonctionnement performant et durable.
2.4.6 Effet diffuseur
La volonté d'isoler électriquement la puce semi-conductrice de son socle métallique
conduit à l'insertion, entre la puce et l'isolant, d'une couche métallique, afin de réaliser la
liaison mécanique puce-isolant et la liaison électrique puce et connexion extérieure.
16
puce
soudure ---I------------f
couche métallique k
accrochage -I------------f l-i
isolant
Figure 2.5 : Isolation d'une puce semi-conductrice
L'isolation participe à l'évacuation de la chaleur en introduisant dans l'architecture ci-dessus
une résistance thermique RtIt = ei / (ki.S).
Avec ei l'épaisseur de l'isolant, ki la conductivité thermique de l'isolant, et S la surface
d'échange.
L'accrochage cuivre-isolant présente toujours une conductance thermique relativement
faible. Il reste donc à augmenter la surface d'échange en permettant un écoulement
tridimensionnel de la chaleur entre la puce et "l'isolant. La couche métallique va ainsi se
voir attribuer la réalisation d'une troisième fonction qui est le diffuseur de chaleur.
2.4.7 L'encapsulation
Il reste encore à évoquer les liaisons électriques des plages métallisées d'aluminium
situées sur la face supérieure des puces, avec d'autres puces ou des conducteurs. La surface
du module est recouverte de gel silicone et le tout est recouvert d'une matière plastique.
17
2.4.8 Conclusion
Il existe, en électronique de pUIssance, bien d'autres configurations possibles,
suivant la nature du substrat, des conducteurs, des joints, des contacts, du boîtier.
L'architecture décrite est cependant la plus répandue dans le domaine des moyennes
puissances, et cherche à s'imposer pour des puissances plus élevées.
2.5 La diode
2.5.1 Caractéristique Courant-Tension
Une diode pn comprend :
Une épaisseur de semi-conducteurs P
Une jonction pn
Une épaisseur de semi-conducteur N.
~pln--'
Rsp RSN
~
Id Rs ...YL
~
O!
VD
Figure 2.6 Schéma d'une diode à jonction
Ces deux épaisseurs de matériau sont équivalentes à une résistance placées de part et
d'autre de la jonction.
Dans les schémas électriques représentatifs, on les regroupe en une seule résistance appelée
la résistance série Rs. C'est un élément parasite et sa valeur doit être minimisée au
18
maximum. Pour des courants directs relativement importants, la tension appliquée sur la
diode VD n'est plus la tension appliquée sur la jonction et on a la relation :
(2.1)
La caractéristique courant-tension offre la propriété intéressante de lier les phénomènes qui
se produisent dans le voisinage de la jonction aux grandeurs accessibles aux bornes
externes. La jonction pn et ses contacts ohmiques, autrement dit, ses bornes, forment un
dispositif à deux électrodes appelé une diode à jonction. L'analyse théorique d'une
jonction pn donne l'équation :
~
ID = Is (eT]· V
T
- 1) (A) (2.2)
le paramètre Tl de l'équation dépend en particulier du silicium utilisé.
V =_T_ (V) (2.3)

T 11600
A la température ambiante (T = 293 K), VT = 25 mV, (figure 4.8).
Le courant inverse de saturation Is dépend des concentrations des trous et des électrons et
de l'aire de la jonction; Is sert donc de «facteur de proportionnalité » pour les courants de
jonction.
2.5.2 Caractéristique Courant-Tension dépendante de la Température
L'équation de la caractéristique de diode comprend deux grandeurs, VT et Is,
fortement dépendantes de la température. Selon les données expérimentales, la variation de
Is est de 7 % / oC et comme (1.07)10 ~ 2, le courant inverse de saturation double par
échauffement de 10 oc. Si l'on connaît Is à la température Tl, l'équation :
19
Is(T) = Is(Tl) . 2 (A) (2.4)
permet de calculer Is à toute température T.
2.5.3 Diode au Germanium
On trouve sur le marché des diodes à jonction au germanium et on les utilise dans
des circuits. Le principe de leur fonctionnement est le même que celui, des diodes au
silicium. Il existe toutefois deux différences :
- 11 = 1,
- le courant Is d'une diode au germanium est de 1000 à 10000 fois supérieur au courant
d'une diode au silicium de mêmes dimensions et de mêmes densités de dopage.
Autre propriété : La tension de (seuil) Vl)~ 0.2 V. Et sa représentation graphique tracée à la
figure 2.7.
Id
Polarisation
directe
Vc Is
Vd
Polarisation
inverse
Figure 2.7 Caractéristique d'une diode à jonction
20
2.5.4 Diode comme composant de circuit

2.5.4.1 Diode idéale
Une diode idéale est un dispositif à deux électrodes représentées à la figure 2.8.
Selon la caractéristique, le courant circule dans la diode dans un seul sens.
Figure 2.8 Diode idéale
Ce comportement est important en commutation car il permet à la diode de fonctionner en
interrupteur.
2.5.4.2 Diode de charge
La figure 2.9.b représente la caractéristique courant-tension de la diode pn pratique.
Selon la loi des tensions de Kirchhoff appliquée au circuit représenté à la figure 2.9.a :
-V cc + ID R + V D =0 (2.5)
1 V
I D = --V +cc- (2.6)
R D R
21
ID
(a)
VCC (b)
R
+ I
Vcc Vo DQ
_ Caractéristique de la droite de charge du circuit

Figure 2.9 _ Caractéristique de la diode
La droite de charge et la caractéristique de la diode doivent être satisfaites simultanément,
le point Q de l'intersection est appelé le point de repos ou de fonctionnement. Ce point est
umque.
Note: Pour plus de détailles au niveau des équations et les paramètres qui influence la
diode, on peut citer [6][23] et [57].
2.6 L'IGBT
2.6.1 Définition
Dans les organes semi-conducteurs la dissipation de la chaleur est considérable, et
donc ils peuvent perdre leurs comportements si la chaleur ne s'évacue pas efficacement et
donc limite les performances électriques du système.
Récemment le développement méthodologique de la simulation d'un réseau
électrothermique est utilisé pour analyser le comportement par exemple d'un pont onduleur
MLI, lequel utilise l'IGBT comme organe de commutation [9], car l'IGBT a une
commande de grille simple, d'ailleurs, c'est souvent cité comme un avantage, mais en
22
réalité, cette commande est complexe et demande beaucoup d'attention (absorbé par les
pertes de commutation à l' ouverture, le concepteur néglige souvent ces pertes à la
fermeture) .
L'IGBT ouvre des perspectives très attirantes liées à leur facilité de commande, leur
performance dynamique, il présente de faibles pertes en conduction du fait de la présence
du transistor bipolaire et une commande simple et peu dissipative grâce au MûS.
Colledeur
+
Il
(a) Emetteur
Figure 2.10 Circuit équivalent simplifiée d'un IGBT
De façon générale la commande de l'IGBT doit évidemment privilégier la minimisation,
des pertes dissipées dans le composant et lou la rapidité de commutation
2. 6.2 Structure de l'IGBT
Si l'on prend un MûS de puissance et que par distraction on laisse la semelle W du
drain devenir p+ on obtient un IGBT.
23
La figure 2.11, montre la structure typique d'un IGBT à n couches, la considération pour p
couches est la même [2].
Il
..+ ..... 111-
Aépertition des éleetrons et des trous dut"...t rét.t de fermeture

Struelure t)lpique d'un IGBT
Figure 2.11 : Structure d'un IGBT (microscopique)
Rappelons qu'un semi-conducteur de type p possède beaucoup de trous (porteurs
majoritaires) et peu d'électrons (porteurs minoritaires), alors que les semi-conducteurs de
type n possèdent beaucoup d'électrons et peut de trous.
L'IGBT est donc né de la volonté d'associer sur le même cristal de silicium, la rapidité du
transistor à effet de champ unipolaire, avec la faible chute de tension à l'état passant du
transistor bipolaire.
2.6.3 Différentes familles d'IGBT
Un des principaux problèmes rencontrés par les concepteurs d'IGBT pour en
optimiser les performances, consiste à réduire le gain de la partie transistor PNP, et
éventuellement la durée de vie des porteurs de charge, tout en conservant une chute de
tension à l'état passant aussi faible que possible.
24
Deux technologies très différentes sont actuellement utilisées et conduisent à des
comportements différents [2][47][58].
2.6.3.1 Technologie PT (Punch-Through)
Perçante-traversante au sens où la zone déserte est volontairement limitée par une
couche tampon (épitaxiée). La très grande majorité d'IGBT est actuellement réalisée avec
cette technologie (figure 2.I2.a).
Il y a des IGBT rapides (avec peu de traînage, mais une chute de tension élevée), et
symétriquement des IGBT à faible chute de tension (avec un traînage beaucoup plus
important).
2.6.3.2 Technologie NPT (NonPunch-Through)
(Non perçante-travers antre) où homogène, le but visé dans la technologie est le
contrôle de la quantité totale de charge injectée par l'émetteur côté anode. On réduit le gain
et donc le phénomène de traînage sans réduire la durée de vie des porteurs minoritaires
(figure 2.I2.b). Cette technologie présente l'avantage de diminuer considérablement
l' amplitude du courant de traînage, mais elle ne peut pas être réalisée dans des conditions
satisfaisantes pour des tensions nominales inférieures à IOOO volts.
25
1,.; 7 um +. 20um
1001 7 um .+. 20um
Gate Gate
Source Source
P-Base
Deep P+ Deep P+
gOum 170um
Nd = 6.7 . 1013 cm-3
thl=0.5 us thl =1 us
Nd • 6.1013 cm-3
N- Drift
N- Drift
N+ BufT'er 15um
P+ Substrat P+ Substrat
Anode Anode
Figure 2.12 Structure de L'IGBT a) PT, b) NPT
2.6.4 Conversions propres aux figures
Il s'agit de faire une représentation la plus réaliste d'une structure semi-conductrice.
Néanmoins il est indispensable de se rappeler qu'il s'agit d'une image déformante. Les
graphismes «réalistes» sont nombreux, liés aux technologies disponibles, à la rapidité, à la
tenue en tension etc, ... planar ou mesa tout diffusé ou épitaxié, souvent selon les tenues en
tension. Il Y a encore la symétrie ou l'asymétrie de cette même tenue en tension. Même en
dessinant les coupes des figures les proportions exactes n'ont pas pu être respectées:
l'oxyde de grille de l'IGBT est de l'ordre de 0.1 J.UIl. Avec une échelle, on ne récupère que
26
quelques dizaines de mm pour le dessin. À peine le polysilicium de la grille se verrait-il. Il
faut donc bien se souvenir que les silhouettes du type de la figure 2.13, ci-dessous sont une
convention [6] .
Un autre protocole est indispensable, celui liant les concentrations (en cm-3) de dopants et
leurs représentations qualitatives par des lettres ou des hachures. Ainsi les règles prises
pour le dessin sont représentées dans le tableau (2.2).
contact métallique (# l'm)
Sillicium polycrislaHin (Grine # 11'm) ~ ....------. Connexion
~ r+-+-+-+-+-+-+-+_+III+_+R+_+-+-+_+_+--,
SiliCium monocristalün
-
(type~ )
Figure 2.13 Représentation d'une structure semi-conducteur [6].
LETIRES type N
HACHURESN
lETIRES type P
HACH~ESP
Tableau 2.2 : Codage des hachures et dénominations des différentes zones en

fonction des concentrations en dopants [6] .
27
2.6.5 Exemple
~
•
3 l
<II
•
"!!
1?
TJB § .
~
!
~
8
c
JfWj91SroA JClNC'T1OH :;:
BIPOlAIRE fil
(!Ct /IIPN PlANAR)
Figure 2.14 Schéma d'un IGBT [6]
28
2.6.6 État de fermeture
Durant la fermeture, la tension Vg de la gâchette augmente, ce qui provoque une
liaison de canal de source à la région directe du dispositif, les électrons sont donc injectés
de la source vers la région directe au même moment les trous sont injectés dans la région
directe dopée n-.
L'injection cause une modulation (variation) de conductivité de la région directe, où les
deux densités d'électrons et de trous sont très élevés par rapport au dopage original de n-.
Cette variation provoque la diminution de la tension de fermeture car la résistance de cette
région diminue.
2.6.7 Caractéristiques générales
Structures:
Verticale,
MûS planar diffusé,
Accumulation normalement ouvert, canal N ou P.
Technologies:
Matériau
Epitaxie, drain diffusé, grille silicium polycristallin, .. ..
Tension
Planar : (anneaux de garde, poches, électrode de champ, ... ).
Courant
Hyper ramifié mais une seule nappe métallique.
29
Rapidité
Capacité et résistance série de la grille, traînée, problème de la durée de vie
(Au, électrons ou protons)
Contrôle d'injection de charge, .. ..
BoÎtier
Fil, vis, cosses, isolé ou non, étanche, plastique, modules ...
Applications principales
Mise en parallèle - série - surcharges en court-circuit, commutation - découpage
alimentation - commande de moteur, moteur - onduleur - convertisseur.
Caractéristiq ues
Impédance d'entrée élevée
Commande des changements d'état par une tension
Pertes faibles à l'état passant
Pertes de commutation faibles
Pouvoir de coupure élevé
Grande rapidité de commutation
Normalement ouvert (enrichissement par inversion)
Robustesse aux court-circuits
30
2.7 Pertes de puissance
L'analyse thermique des composants électroniques est fondamentalement non
linéaire. Car si le champ de température régnant dans un dispositif dépend de la chaleur
générée en son sein, cette même chaleur est, en électronique de puissance, fonction de l'état
thermique des sources, selon des lois électriques associées à la nature semi-conductrice de
la génération de chaleur. C'est cette interaction, dont le schéma apparaître comme un
système bouclé, que nous désignerons couplage électrothermique.
Densité de puissance
1 1
Lois électriques Lois thermiques
t 1
Champ de température
Figure 2.15 : Schéma de principe du couplage électro-thermique
Trois types de pertes sont à considérer, correspondant aux diverses phases de
fonctionnement d'un interrupteur de puissance :
- Les pertes statiques (ou pertes de conduction), associées à l'état passant de
l'interrupteur,
- Les pertes au blocage, associées à l'état ouvert de l'interrupteur,
- Les pertes dynamiques (ou pertes en commutation), associées aux changements d'état,
(ouverture et fermeture) .
31
En notant v(t) et i(t) les ondes respectivement de tension aux bornes de l'interrupteur, et de
courant dans l'interrupteur, puis T la période de ces signaux, la puissance totale dissipée
dans le composant est donnée par :
1 rT
p = - Jo v(t).i(t).dt (2.7)
T
Il nous faut bien choisir une structure de puissance qui définira l'allure des signaux v(t) et
i(t). Nous avons opté pour la cellule de commutation la plus élémentaire.
Nous n'exigerons, dans tout ce qui suit, que la puissance dissipée durant la phase de tenue
en tension et que le régime thermique sera supposé stationnaire.
2.7.1 Pertes statiques
2.7.1.1 Modélisation statique
Durant la phase de conduction, le courant i(t), que nous noterons ip(t), est imposé
par la structure de puissance. Le contrôle de v(t), chute de tension directe à l' état passant
que nous noterons Vp(t), appartient quant à lui au semi-conducteur. Sa loi d'évolution avec
le courant définit la caractéristique directe du composant, l'allure la plus usuelle est
présentée ci-dessous.
---r----~~------------.~
Figure 2.16 : Caractéristique directe classique
32
Cette caractéristique permet de définir deux paramètres :
Vo, paramètre de type "tension de seuil",
ro, paramètre ohmique essentiellement représentatif de la résistivité de la zone centrale
du dispositif (après ou non modulation), et de celle d'un éventuel canal (pour les
dispositifs à commande électrostatique dont le canal participe à la conduction).
On écrira donc, pour la chute de tension directe :
(2.8)
Et pour la puissance statique, dans des conditions de stationnarité du régime thermique :
(2.9)
Quand à la modélisation, on pourra la rattacher à l'expérimentation, ou à un développement
limité au premier ordre :
(2.10)
avec :
v 00 : tension de seuil à 0° C,
a : coefficient de température de la tension de seuil,
roo : résistance à O°C,
b : coefficient de température de la résistance.
En définitive, la chute de tension directe est donnée par :
(2.11)
33
Cette relation permet, de définir explicitement un paramètre caractéristique du
comportement électrothermique du composant. Il s' agit du coefficient de température de la
chute de tension directe :
(2 .12)
coefficient faisant en particulier apparaître deux zones de conduction bien distinctes,
suivant le niveau de courant injecté :
une zone de comportement électrothermique négatif, définie par Ip < 10 ,
une zone de comportement électrothermique positif, définie par Ip > 10 ,
10 étant le niveau de courant annulant le coefficient de température. Cette grandeur, donnée
par :
(2.13)
dépend de la nature du dispositif. Nulle pour les transistors MûS de puissance, elle est,
pour les diodes de puissance classiques, toujours supérieure au courant nominal.
L'IGBT, présente un 10 intermédiaire, inférieur (dans un rapport 1/3 à 2/3, suivant le
compromis MûS-bipolaire réalisé) au courant nominal «constructeur» [26].
2.7.1.2 Caractéristiques statiques
La connaissance de quatre paramètres {V00, a, roo, b}, associés à la modélisation de
l'état passant d'un interrupteur de puissance, passe par la détermination expérimentale des
caractéristiques directes du composant, ce pour au moins deux valeurs de température.
34
2.7.2 Pertes dynamiques (Modélisation dynamique)
Une des particularités de la modélisation des pertes statiques est son caractère
général. En effet, la structure de puissance n' intervient qu'à travers de l'onde de courant
ip(t) qu'elle impose au dispositif semi-conducteur durant la phase de conduction. Le réseau
Vp(Ip,Tj) étant du seul ressort du composant, la stratégie de caractérisation de l'état passant
s' en trouve grandement facilitée . À l'inverse, les phases de transition ne peuvent être
appréhendées de la même façon, en découplant le circuit du composant. Interviennent,
selon une liste non exhaustive :
Le type de commutation : forcée, assistée, zéro de courant, zéro de tension, .. .
Les fronts de tension et de courants, l'amplitude des courants et tensions découpées,
La dynamique des signaux de commande,
Les éléments parasites : inductances, capacités, ...
Le composant étudié et les autres composants actifs du circuit : temps de commutation,
courant de traînage, courants de recouvrement, température, ...
2.7.3 Perte à la fermeture
Pendant cette phase d'amorçage, en considérant un courant constant dans la charge,
l'interrupteur et la diode antiparallèle sont traversés par des courants complémentaires. Par
conséquent, l'étude de la commutation de l'interrupteur à la fermeture doit prendre en
compte les phénomènes liés à l'ouverture de la diode. En second lieu, le front de courant
étant contrôlé par l'interrupteur, la tension à ses bornes lui sera imposée, par la tension E
35
d'alimentation du montage bien sûr, mais également par l'inductance parasite de la cellule
de commutation Lm.
E
\ I RM
\ Ir
\/r
on
tl
Figure 2.17 : Ondes réelles et idéalisées de tension et de courant à la fermeture
Sur la base des ondes idéalisées, on peut établir les énergies dissipées à la fermeture en
fonction de la tension et du courant commutés, comme suit:
Won = kan . E . 1 - k' on . e (2.14)
Avec, en utilisant les notations figure 2.17 :
ton
(2.15)
Les coefficients kon et k' on dépendent, outre des caractéristiques dynamiques de
l'interrupteur, de celles de la diode, de l'inductance Lm, et d'une façon générale de la tension
et du courant commutés [26].
36
2.7.4 Perte à l'ouverture
L'ouverture d'un IGBT s'effectue, vis-à-vis du courant, en deux parties toujours bien
distinctes. La première, très rapide, correspond au blocage de la fonction MOS de
l'interrupteur, et occasionne une surtension due à l'indépendance de la cellule de
commutation. Dès lors apparaît le recouvrement de la fonction bipolaire PNP, et ce, comme
il est coutume de la qualifier pour la circonstance, "base en l'air".
Il en résulte un changement net de pente dans la décroissance du courant. Cette seconde
phase, dites de traînage, et caractérisée par son amplitude initiale 2m et sa durée tint, se
produit sous pleine tension, et est donc relativement dissipative.
E
~------------------VT
lm os
-+L---------~~=-----~t ~~--+-+---------------~~--~t
tv
Figure 2.18 : Ondes réelles et idéalisées de tension et de courant à l'ouverture
En notant Woff l'énergie dissipée à l'ouverture, on a :
Woff = koff . E . 1 + k' off . e (2.16)
Avec :
37
t
V 2.p + 1 p
K = -+ t + t
off 2 2(P + 1) mos 2(P + 1) int
2.p + 1
k
off
= .L (2.17)
2(P + 1)2 m
1
p=~
1
mos
2.7.5 Modélisation générale de l'énergie dissipée
On peut établir une modélisation générale de l'énergie dissipée, à l'ouverture et à la
fermeture, dont l'interrupteur commandable. En négligeant l' ondulation de courant de
charge, et en notant Wcom la somme des deux termes énergétiques établis précédemment, on
déduira :
_ , . 2
W corn - kcorn . E . 1+ k corn . 1 (2.18)
Avec :
(2.19)
Le courant 1 est imposé par la structure de puissance (courant de charge).
Une fois l'environnement électrique de l'interrupteur entièrement fixé, nous considérerons
que les coefficients kcorn et k' corn ne sont plus paramètrés que par les conditions de
fonctionnement : courants de charge, tension d'alimentation, et températures de jonction.
38
Chapitre III. Couplage électrothermique
Couplage électrothermique
Aux modèles électriques, il reste à adjoindre un outil décrivant le transfert de chaleur
des sources de dissipation vers le radiateur. Le régime thermique sera supposé stationnaire,
avec une résistance thermique totale du système composant-radiateur invariante.
3.1 Caractérisation thermique
La mesure de la résistance thermique d'un dispositif s'effectue au moyen du banc de
caractérisation thermique des composants électroniques en régime stationnaire. Ce banc, est
dédié à la mesure de la température de jonction Tj d'un composant conduisant, de façon
continue, un courant de charge Ip. Dès lors, en notant Vp, la tension de déchet et Ta la
température du puit de chaleur, on obtient la résistance thermique Rot [54] du système
composant-radiateur en calculant:
(3.1)
39
Chapitre Ill. Couplage é/ectrothermique
3.1.1 Couplage électrothermique en conduction continue (modélisation)
Considérons un système composant-puits de chaleur, caractérisé par :
Voo,a,roo,b : paramètres statiques du composant,
: température du puit de chaleur,
: résistance thermique du système.
Les équations électrothermiques du système en régime de conduction continue s' écrivent,
en notant Ip le courant conduit, Vp la chute de tension directe, P la puissance dissipée et Tj
la température de jonction du composant :
Vp = (Voo - a.T ) + (roo + b.T ).I p

j j
P=Vp.I p (3 .2)
T. - Ta
P = _J=---_
R
th
d'où le diagramme fonctionnel.
Figure 3.1 Diagramme fonctionnel en régime continu
40
La résolution des équations (3.2) permet d'exprimer la température de jonction du
composant en fonction du courant conduit :
(3 .3)
Relation à partir de laquelle il est aisé d'établir les lois d'évolution de la tension de déchet et
de la puissance dissipée, mais surtout où apparaît clairement l'influence du couplage
électrohermique.
3.1.2 Choix d'un radiateur
Le rôle du radiateur c' est la protection du semi-conducteur de la chaleur produite, si
cette chaleur n'est pas dégagée, la température du semi-conducteur dépasse la température
critique, ce qui provoque la réduction de la durée de vie, et de la fiabilité.
L'objectif est donc de garder la température de jonction en dessous de la température
critique.
Le meilleur radiateur n'est pas nécessairement le plus grand en volume, ni le plus cher,
mais plutôt celui qui donne le meilleur rapport performance/prix.
La figure 3.2 représente la résistance thermique en fonction du volume du radiateur dans les
deux cas : convection naturelle et forcée.
41
tQ..D - -
..-
•• ' ''op
1-- -' ....... .. -. ..

, . .. .- ~
~ 1.... .- . -. -
~
~
1.........
~~
~
~ ..
.
.~
r
: Il
. ,,
~ 1"0""
i'-I ~
~ ~~~ ----1- . .. 1
i< 1.0
.~ ';Ji lc,...'··-
'
_...... ...
~
P- ~.
~~lil ,!
I 1
i
~
~; :
.- .
~ ,
i ~
~ t~ ,<
1
~
a..
. .... _.... f- ..
..
1
i
,. ..
. Ir·._-·····
..
.. .. . .
:1. ! r'Io..
~ , - -. i'
t .,.,.-
1 ..... "" ~
'u .... i'o ,

~ 1 i
0.01
f
; IlU i1 1 ~
1 100 1000 'o.cœ
t-aT-SH( 'fIOLUN! lIN.')
Figure 3.2 Résistance thermique en fonction du volume du radiateur[Wakefield .E]
Typiquement pour réduire la résistance thermique de 50 %, il faut quadrupler le volume du
radiateur.
La sélection du radiateur nécessite la connaissance du :
le volume occupé
la température de jonction maximale
l'énergie dissipée par le composant
la taille du boîtier et l'orientation du composant
la température ambiante et la vélocité de l' air.
Et pour calculer le volume, il faut déterminer certains paramètres.
42
EXTERNAt
SEMICONDUCTOR CASE
JUNCTION
HEATSINK L....---9sa
Figure 3.3 Coupe typique composant-radiateur [Wakefield Engineering]
3.1.2.1 Résistance thermique entre la jonction et le boîtier
Cette résistance est notée Sje (exprimé en °C/W). Cette résistance dépend de la
géométrie du composant, elle est spécifiée par le constructeur.
3.1.2.2 Résistance thermique entre le boîtier et le radiateur
Cette résistance est notée Ses, elle est variable (exprimé en °C/W), elle peut être
minimisée par les données du fournisseur.
3.1.2.3 Résistance thermique entre le radiateur et l'air
Cette résistance est notée Ssa, aussi exprimé en °C/W, cette résistance est utilisée
dans la sélection du radiateur, elle est fonction du coefficient du transfert de la chaleur par
convection he, et de la surface du radiateur.
esa = 1 / (he . S)
43
La résistance thermique totale Btot = 8jc + 8cs + 8sa
Or :
Avec :
Q : énergie dissipée en W
Tj : température de jonction oc
ambiante en oC
"
••--:_fJ-=.j_c----llf---4.~----lL.--_fJ_cs---l1 • 1_fJ_s_a----l
.. •
~onction Tboitier Tradiateur Tambiante
Figure 3.4 Schéma thermique équivalent
À partir de ce schéma, on peut déterminer 8sa , la seule variable inconnue, et partir de la
figure 3.2 on détermine la surface optimale du radiateur.
3.1.3 Conclusion
L'utilisation adéquate d'un interrupteur de puissance nécessite, une connaIssance
précise des pertes dissipées dans la partie active du composant durant chacune des phrases
de fonctionnement. Les données fournies par les constructeurs ne permettent de se faire
qu'une idée vague des performances envisageables des dispositifs. Les difficultés
d'évaluation proviennent du fait que, malgré un rôle prépondérant joué par les
caractéristiques intrinsèques de la partie silicium, un certain nombre de paramètres externes
intervient de manière significative sur le comportement global de la fonction interrupteur.
44
Chapitre II/. Couplage électrothermique
Ce sont en premier lieu les paramètres liés à l'environnement électriques, qui imposent une
évaluation du composant au sein d'une cellule de commutation aussi proche que possible
de celles qu ' il aura à subir dans la structure du convertisseur.
L'association avec une diode de roue libre de qualité équivalente à celle de l'interrupteur ne
peut être, à ce propos, que fortement recommandée pour éviter de perdre d'un côté ce que
l'on peut gagner de l'autre. En outre, les techniques de câblages doivent être, elle aussi, à la
mesure des composants mis en œuvre pour réduire les effets néfastes des éléments
parasites.
Enfin, et surtout, la principale limitation des semi-conducteurs de puissance reste associée à
l'environnement thermique. C'est en définitive la qualité de transfert de chaleur, qui
détermine le domaine d'utilisation du composant, et en particulier la puissance commutable
et la tenue en courants. Dans cette situation le dimensionnement de la fonction interrupteur,
est une phase incontournable de la conception d'un convertisseur [26].
45
3.2 Formulation des équations électrothermiques
L'équation de transfert de la chaleur pour un corps homogène isotrope :
en ID avec une conductivité thermique qui dépend de T
- a[
k(T).- aT] = p.c aT
v '- (3.4)
àx àx at
et en 3D :
-a[k (T).- aT] +-a [ k aT] +-a [ k

(T).- aT] = p.c v ' -aT
(T).- (3 .5)
àx x àx ày Y ày az z az at
Ce modèle est précis et il permet de tenir compte de la non-linéarité de la conductivité
thermique k (T).
Pour résoudre (3 .5), il est nécessaire de connaître certaines méthodes de résolutions.
3.2.1 Méthodes de résolutions
Les équations étant posées, il reste désonnais à les résoudre. Ils existent pour cela de
nombreuses méthodes, mais on distingue, du moins dans le domaine de la modélisation
thermique des composants électroniques, quatre approches.
Approche analogique,
analytique,
"
numérique,
"
mixte.
"
46
3.2.1.1 Méthodes analogiques
Ces méthodes ont été les premières à être utilisées pour modéliser les transferts
conductifs dans les composants électroniques. Elles ont donné lieu à la définition de
notions très utilisées en électronique de puissance, telles que la résistance thermique, la
capacité thermique, la constante de temps thermique, et l' impédance thermique.
3.2.1.2 Méthodes analytiques
Le problème de transfert de la chaleur par conduction à travers une structure peut-
être traité en résolvant analytiquement l'équation de la chaleur. Cette approche présente
l'avantage de donner une solution explicite et mathématiquement exacte.
Parmi les méthodes analytiques, citons le théorème de superposition. Leurs solutions
mathématiques générales se présentent sous la forme de séries de Fourier (géométrie
planes), de séries de fonctions de Bessel (géométries cylindriques), ou de série de fonctions
trigonométriques cardinales (géométries sphériques). Il reste alors à déterminer la valeur
des constantes arbitraires introduites en faisant respecter les conditions aux limites et la
condition initiale, c'est-à-dire à calculer les modes de transferts (ou de modes propres, ou
fonctions propres) et les valeurs propres associées [23].
47
La littérature purement thermique est riche en développements de ce type, avec en
particulier de nombreuses publications relatives aux structures multicouches, problème
concernant directement l' analyse thermique des composants électroniques [4][8][40][53].
La seconde grande catégorie de méthodes analytiques est liée à l'utilisation de
transformations intégrales. Le principe général consiste, au moyen d'une transformation
intégrale adaptée à la géométrie, et une réduction de l'équation de la chaleur à une équation
différentielle ordinaire. On trouvera ainsi fréquemment employée la transformation de
Laplace pour la description des régimes transitoires, à laquelle il conviendra d' en ajouter
d'autres, telles celles de Fourier (coordonnées cartésiennes) ou celle de Hankel
(coordonnées cylindriques), pour une analyse 2D ou 3D des phénomènes [23].
Dans le cas des systèmes multicouches, cette méthodologie de résolution, couplée à la
théorie des quadripôles par l'introduction (dans "l' espace transformé") des matrices
caractéristiques des couches, est généralement d'une plus grande simplicité d'application
que le calcul par séparation des variables, pour lequel la recherche des valeurs propres
devient très vite complexe lorsque le nombre de parois augmente. En effet, on accède alors
au comportement thermique de la structure par simple produits de matrice carrée de
dimension 2.
Les méthodes purement analytiques offrent certes des avantages appréciables : souplesse et
précision. Cependant, elles restent limitées à des géométries simples. Ce handicap restreint
considérablement leur domaine d'application.
48
3.2.1.3 Méthodes numériques
Le progrès des calculateurs, en matière de capacité mémoire et de vitesse
d'exécution, a rendu possible le développement des méthodes numériques de résolution des
équations aux dérivées partielles. Ces méthodes, appliquées en thermique, permettent le
calcul approché des répartitions de température, quelle que soit la complexité géométrique
du problème.
Ce sont donc des outils de simulation très puissants, capables de résoudre, avec une
excellente précision, à peu près n'importe quel cas.
3.2.1.3.1 Méthode nodale
Les méthodes numériques sont souvent basées sur la considération des noeuds, la
méthode nodale découle directement de l' analogie avec la théorie de la conduction
électrique, via la mise en place d'un réseau formé de noeuds, caractérisés par des capacités
et éventuellement des sources, et liés entre eux par des résistances [14].
Le principe est le suivant : le milieu est discrétisé en éléments de volumes supposés
isothermes. Soit Vi l'un d'entre eux, Ti sa température, ki sa conduction thermique, Ci sa
chaleur massique, Pi sa masse volumique, et <Di le flux de chaleur apporté à ce volume. On
affecte au centre de l'élément la capacité thermique Cm, définie par :
(3 .6)
L' analyse des échanges conduit à installer entre les différents noeuds des conneXIons
résistives dans les trois directions de l'espace, il découle un système d'équations
algébriques traduisant thermiquement la loi des noeuds de Kirchhoff.
49
Chapitre Il/. Couplage électrothermique
Si l'on note n le nombre de noeuds, et Vi l'ensemble des indices des noeuds voisins au
nœuds i, ce système s'écrit, dans le cas de la figure 3.5 :
i -- =
j _-_T_
+ L _ _T..:.... oJ (3 .7)
jE Vi R t he·1,j') + R t h('1, j')
Avec :
ôt : pas de discrétisation temporelle
Rth(ij) ou Rth(j,i) représente une résistance thermique, soit par conduction :
d,
1
(3 .8)
Rth(i ,j) =k A
i· (i ,j)
Soit par convection :
d,
1
(3 ,9)
Rth(i,j) =h A
(1' ,j') ' (")
1,j
ôx, ôy, ôz,}

avec d . E _1, _1 ,_1 ,~ij) est un coefficient de convection
1 { 222
Dans les deux cas, ~ij) est la surface de Vi normale aux lignes de flux,
50
Figures 3.5 : Réseau "thermoélectrique" lié à la méthode nodale
3.2.1.3.2 Méthode des différences finies
Comme précédemment, le milieu est discrétisé en éléments de volumes, au centre
desquels on place un noeud. Puis on effectue pour chacun des nœuds un bilan thermique où
interviennent les températures des nœuds voisins, les propriétés thermiques de la matière, et
éventuellement, en régime instationnaire, le terme capacitif représentant l'augmentation
d'énergie interne pendant l'intervalle de temps considéré.
Envisageons en premier lieu le cas stationnaire, et appliquons le bilan thermique à un nœud
interne P (ij,k}
51
Figure 3.6 : Bilan thermique associé à un nœud interne
Ce bilan, avec des notations évidentes, s'écrit :
. . . .
l~(1 - l, J, k) + ~(1. + l , J,. k) fYOZ + l~(1. , J - l, k) + ~(1. , J. + l , k ) f XOZ + l~(1. , J, k - 1) + ~(1. , J,. k + 1) fxo y
= q( .. k )OXOYOZ = 0 (3.10)
l, J,
Avec :
T(i-l , j,k) - T(i ,j,k) T(i+l, j,k) - T(i ,j ,k )

~ = k a ~ = k
(i - l , j, k) ox (i + l , j, k) ox
T(i,j-l,k) - T(i , j,k) T(i ,j+l,k) - T(i , j,k)

~ = k a ~ = k (3.11)
(i, j - l, k) oY (i, j + l , k) oY
T(i ,j,k-l ) - T(i,j,k) T(i , j ,k+l) - T(i ,j ,k)

~ = k a ~ = k
(i, j, k - 1) oz (i, j, k + 1) oz
Ce qui conduit à l'équation de noeud interne suivante :
52
' l ,J,' k) - 2.TCl· ,J,. k)

TC'1-l ,J,' k) + TC 1+ TC I,J-
" 1"k) + TC I,J+
' . 1,k) - 2.TCl· ,J,. k) TC"l,J, k- 1) + TC'l,J,. k +1) - 2.TCl· ,J,. k )
~y + ~y + ~y
q
Ci, j , k)
+ =0 (3.12)
k
En régime in stationnaire, deux cas apparaissent, suivant que l'on expnme la dérivée
partielle de la température (en P(ij ,k») par rapport au temps en fonction de l'instant suivant
(méthode explicite) ou de l'instant précédent (méthode implicite).
or) 1
T( .. k) - T( . . k)
' h0 de exp l'IClte,
Dans la met . on ecnt:
"
( -
àt p
(i,j,k)
l,J,
8t
l,J,
= --'-'-=-'--'-----''--'-''-'-'- (3 .13)
Où T'(ij,k) est la température en p(ij,k) à l'instant t + ot. L'équation du noeud interne est alors
T(i ,j ,k) = T(i ,j ,k)

cdit
+ - - \T .
1 . + T . . - 2.T..
) Cl.OI
+ - - \T. .
1 + T . . - 2.T . .
)
(oxY (. - I , J, k) (. + I , J,k) (',J , k) (O
yY
(' , J - 1, k) (' , J + 1, k) (' , J, k )
Cl.OI ( ) Cl.OI ( )
3.14
(ozy ("
+ - - \ T .. + T .. - 2.T . . + - .'1
J, k - 1) (" J, k + 1) (" J, k) k (i, j, k)
L'avantage de cette technique et que chaque équation ne contient qu'une seule inconnue, à
savoir T' (ij,k). Dans la méthode implicite, en écrit :
(or)
1
= T(i,j ,k) - T(i,j ,k)

(3 .15)
àt p 8t
(i,j,k)
Où T' (ij,k) est la température en P(ij,k) à l'instant t - ot. On aboutit alors à :
53
a .8t 1
T(i ,j ,k ) = \ i ,j ,k) + - - \2.T . . - T . . - T . .
)
+ --
a.ot 1
~.T . . - T . - T
)
(oxy (t , J, k ) (t-I , J, k) (t+I , J, k) (liyy (t , J, k ) (t , j - I, k) (i , j+l , k )
a .8t ( ) a .8t
+--~.T .. - T . -T . - - .q. . (3.16)
(ozY ( t, J, k) (t , J, k - 1) (t , J, k + 1) k (t, J, k)
La méthode de calcul est inconditionnellement stable. En revanche, seule la température
T' (ij,k) est connue. Il faudra donc résoudre à chaque incrément de temps un système linéaire.
Les équations (3 .14) et (3 .16) ne sont valables que pour les noeuds intérieurs. Pour les
autres, l'équation correspondante dépend des conditions aux limites particulières et se
détermine en effectuant un bilan thermique autour du territoire relatif au noeud frontière
considéré. L'équation obtenue peut-être, comme précédemment, explicite ou implicite.
Dans le chapitre V, on verra plus en détails la résolution de l'équation de transfert de la
chaleur.
3.2.1.3.3 Méthode des éléments finis
La méthode des éléments finis est une méthode d'approximation d'une fonction
inconnue sur un domaine continu, par l'utilisation de fonctions d'interpolation sur un
ensemble de sous-domaines de géométrie connue, appelés éléments finis. Connue dans son
principe depuis plus d'un demi-siècle, elle n'a vraiment pris son essor qu'avec l'événement
des moyens informatiques modernes. Une de ses originalités, par rapport à la méthode des
différences finies pour laquelle la formulation des équations différentielles n'est pas
fondamentalement modifiée par l'introduction des dérivées discrètes, réside dans une
formulation intégrale du phénomène analysé. Cette formulation intégrale peut être de type
variationnel (lorsque cela est possible), ou de type projectif en association avec une base de
54
données de fonction. Cette seconde approche est d'un emploi plus large que la première. Il
sera cependant toujours intéressant, lorsque la nature du problème le permet, d'exploiter
l' approche variationnelle pour son lien étroit, souvent d'ordre énergétique, avec la physique
du problème [74].
La formulation variationnelle est basée sur l'équivalence entre la résolution d'un problème
différentiel du second ordre, et la recherche de la fonction rendant extrémal l'intégrale d'une
grandeur scalaire, fonctionnelle dont le problème est l'équation d'Euler. Considérant un
système physique dont l'évolution, en fonction d'une suite de variables indépendantes, est
décrite par la variation d'un certain nombre de variables d'état et de leurs dérivées
partielles. Dans le cas d'un système décrit par une unique variable d' état scalaire u, fonction
des trois dimensions, (x, y, z) de l'espace, la formulation variationnelle repose sur
l'existence d'une fonctionnelle de type intégral :

, , ,
1 = bL(x, y, z, u,ux , uy,uz).dro
(3 .17)
au au au
u =- et u =- et u =-
x àx Y Gy z Oz
dont la condition d'extremum, définie par l'équation d'Euler associée à 1 :
(3 .18)
conditions aux limites du domaine n
55
est la représentation différentielle du phénomène physique analysé. L, connu sous le nom
de fonction de Lagrange du système, est généralement construite à partir de la différence de
deux termes :
Un terme Wc de coénergie de type cinétique, variant de façon quadratique en fonction des
dérivées partielles.
Un terme Wp d'énergie potentielle, fonction de la variable d'état.
On écrira :
(3 .19)
Pour un problème de conduction thermique stationnaire, décrit par l'équation (1.2) , la
fonction de Lagrange s'écrit :
2
q>
L =--qT (3 .20)
2k
Où q> est la norme euclidienne de la densité de flux de chaleur.
L'approche projective est basée sur des considérations d'orthogonalité de deux vecteurs
dans un espace d'Hilbert, en particulier sur le fait que seul le vecteur nul est orthogonal à
tous les vecteurs de l'espace.
Soit :
L(u)+f=O (3 .21)
l'équation aux dérivées partielles régissant le phénomène sur un domaine Q , avec L
l'opérateur différentiel, u les solutions et f la fonction d'excitation. La méthode dite des
56
Chapitre Ill. Couplage électrothermique
résidus pondérés, méthode projective la plus couramment utilisée [23], consiste à
rechercher des fonctions u vérifiant les conditions aux limites et telles que L(u) + f est
orthogonale à toute fonction 'II ayant des propriétés de dérivabilités déterminées, ce qui
s'écrit :
(3.22)
Si l'ensemble des fonctions de pondération est de dimension infinie, il est alors possible
d'avoir une équivalence entre le problème aux dérivées partielles et sa formulation
intégrale. En pratique, cet ensemble est de dimension finie et l'équation (3 .22) ne constitue
qu'une approximation, caractérisée par la donnée de cet ensemble de fonctions.
Pour la plupart des problèmes, l'obtention d'une solution exacte est aussi difficile en
formulation intégrale que différentielle, ce qui incite à rechercher une solution approchée
sous la forme d'une combinaison linéaire de fonctions indépendantes connues et dont la
manipulation mathématique ne présente pas de difficulté. Dans le cas de la méthode des
éléments finis, ces fonctions sont généralement polynomiales pas morceaux. La solution u
recherchée est donc approchée par la combinaison u * :
* n
(3 .23)
u (x, y,z)=.Lu . .N.(x , y,z)
1=1 1 1
où la suite des coefficients (Ui)i E Nn sera déterminée par la méthode de manière à réaliser la
meilleure approximation possible de u sur la base de fonctions (N) i E Nn·
57
Chapitre Ill. Couplage électrothermique
Si la formulation intégrale est variationnelle, on considérera la fonctionnelle F définis à
l'aide des interpolations par :
, , ,
F = bL(x, y, Z, u* , u *x ' u *y ' U *z)·dro
, n
u*x =.Lu . .N '. (x , y, z )
1=1 1 IX
(3 .24)
, n '( )
u*y=.Lu . .N. x , y, z
1= 1 1 Iy
, n '( )
u*z = Lu ..N. x , y, z
i=1 1 IZ
Fonctionnelle ne dépendant dès lors plus que de la suite de coefficients (Ui)i E ND . La
condition nécessaire d'extrémalisation devient :
(3 .25)
Dans le cadre de la formulation intégrale associée à la méthode des résidus pondérés, il faut
choisir un ensemble de fonctions de projection ('Pi) iE No avant d'écrire les équations de
projection de L(u*) + f sur chacune de ses fonctions :
(3 .26)
Pour les deux types de formulation intégrale, on obtient, après interpolation de la fonction
recherchée, un système de n équations, dont la résolution fournit la fonction approximante
58
u * via la détermination de la suite (Ui) i E Nn. Il est clair que les éléments de cette suite sont
les valeurs de u* en des points particuliers, appelés noeuds, du domaine d'intégration [74].
Le dernier point que nous devons aborder est la notion de découpage. Le pnnclpe
fondamental de la méthode des éléments finis consiste à définir une partition du domaine
d'étude en un certain nombre de sous-domaines, appelés éléments finis, afin, d'une part de
caractériser le domaine d'origine par une grille de points communs aux éléments adjacents
(des noeuds), et d'autre part de réâIiser une interpofation locale de la fonction incomiue. Un
élément fini sera donc caractérisé non seulement par ses noeuds mais également par sa
fonction d'approximation et des valeurs de nodales.
Prenons l'exemple de l'élément triangulaire de référence, présenté à la figure 3.7.
(0 ,1) (0 ,1)
(0, 1/2)
(0 ,0) (1,0) Xr (0,0) (1/2,0) (1,0)
Figure 3.7 : Éléments triangulaires de référence
À gauche: élément du premier ordre, à droite: élément quadratique de lagrange
Le polygone d'interpolation s'écrit, pour l'élément du premier ordre:
59
et pour l'élément quadratique de Lagrange :
On trouvera dans [74], plus amples informations sur les éléments de référence les plus
couramment utilisés. Notant à ce propos que tout élément rectiligne ou curviligne peut-être
déduit d'un élément de référence, polygone régulier, par une transformation géométrique
bijective.
3.2.1.3.4 Méthode mixte
L'approche mixte vise à allier les avantages des méthodes numériques à ceux de
l'une des deux premières approches.
La première étape consiste à trouver une solution analytique spécifique pour un élément
typique et représentatif du problème, qui, en électronique de puissance, se présente
généralement sous la forme d'une structure plane stratifiée, possédant des sources de
60
chaleur sur une face, et une condition d'échange convectif avec un puits de chaleur sur la
face opposée [26].
La première étape est donc dédiée au calcul du profil tridimensionnel de température pour
une source. Cette démarche a amené les concepteurs de la méthode, après transformation
intégrale de l'équation de la chaleur, à étendre la notion de quadripôle aux transferts
conductifs tridimensionnels, et à rechercher dès lors la fonction d'influence de la source
pour le calcul du profil de température sur la surface de dissipation.
Le retour aux variables spatiale et temporelle peut se faire à l'aide d'une intégrale double
(éventuellement simple, en régime stationnaire) représentative des transformations inverses.
Les auteurs ont opté pour une autre méthode, basée sur l' utilisation de développements en
série de fonction de Bessel et de la transformation de Fourier rapide.
Dans une seconde étape, les conditions aux limites latérales sont prises en compte à l'aide
de la méthode des images, par l'introduction de source fictive [23]. Le calcul d'une carte de
température est alors réalisée en appliquant le principe de superposition à l'ensemble des
influences thermiques dues aux sources (réelle et fictive) .
Cette méthodologie semi-analytique a conduit au développement d'un outil de modélisation
thermique des circuits et composants électroniques, dont la philosophie est basée sur une
exploitation rapide ne nécessitant qu'un matériel informatique modeste, soit donc sur une
alliance entre la souplesse et la rapidité de la solution analytique, et la capacité de
description des méthodes purement numériques.
61
3.2.2 Codes numériques séquentiels (Structure)
L'organigramme suivant résume le code implanté sur un processeur séquentiel
Saisie des données distance et nombre de points sur chaque axe
~-
Présence d'une source de chaleur q
~
Résolution A . x = b
~
Affichage des résultats
Figure 3.8 Structure d'un code séquentiel
3.2.3 Limites d'application
Les limites d' application se résument dans le fait que si on veut faire une analyse
plus précise avec un maillage fin, alors le calcul devient énorme, ce qui nécessite des
heures de simulation, voir les résultats de simulation dans le chapitre V.
3.2.4 Rôle du traitement parallèle
Le rôle du traitement parallèle est de combler les inconvénients du traitement
séquentiel. Car la tâche de simulation est distribuée selon plusieurs processeurs, donc le
temps de calcul se minimise. Ce traitement n'est utile que dans les cas des structures
compliquées avec des maillages très fins.
62
Chapitre 4. Principe de la simulation électrothermique
Principe de la
simulation électrothermique
4.1 Analogie thermoélectrique
Il existe une certaine similitude entre les phénomènes de conduction thermique et de
conduction électrique.
La loi de Fourier pour la conduction thermique <p = -k.grad(T) (4.1)
La loi d'ohm pour la conduction électrique : J = -cr e .grad(V) (4.2)
La ressemblance entre ces deux lois fondamentales, découle d'une modélisation des deux
phénomènes que l'on peut schématiser par "l'écoulement d'un fluide des régions à potentiel
élevé vers les régions à potentiel faible" . Il demeure que l'analogie thermo-électrique,
utilisée depuis longtemps et avec succès pour traiter des problèmes de conduction
thermique unidimensionnelle, permet d'établir une correspondance entre:
~ ~
- Densité de flux de chaleur <p et densité de courant J ,
- Température T et potentiel V,
63
- Conductivité thermique k et conductivité électrique cr e'
Et par extension, entre:
- flux de chaleur <l> et courants électriques l,
- écart de température et différence de potentiel.
Dès lors, la tentation est grande de traiter les problèmes thermiques en s'inspirant de la
théorie des circuits électriques.
4.2 Résistance thermique
Le concept de résistance thermique, en toute logique, s'apparente à celui de
résistance électrique.
Si on considère une structure homogène de section S et d'épaisseur e, traversée par un flux
de chaleur uniforme selon un axe normal à la section (figÜre 4.1), la résistance- thermique
de la structure sera définie par :
e
R =- (4.3)
th k.S
k : étant la conductivité thermique du matériau.
---
...
" -- -+--+--------+--~
x
- < •
Figure 4.1 : Problème thermique ID du mur d'épaisseur finie
64
La définition (4.3) est évidemment à rapprochée de celle établissant la résistance électrique
d'un fil en fonction de sa longueur, de sa section et de sa conductivité électrique. D'autre
part, la résolution de l'équation stationnaire de la chaleur conduit, dans le cas de la structure
présentée figure 4.1, et en prenant comme origine des abscisses la surface chauffée, à :
<p
T(x) = To - - .x
1
(\Ix E [0, e]) k (4.4)
<p(X) = <p
Outre le fait qu'il subsiste, dans le profil de température, une indétermination relative à la
condition d'échange·en x = e, il est intéressant de retrouver la loi d'ohm classique tel que :
x
T - T(x) = - .cP (4 .5)
o k.S
où <1>, flux de chaleur, vaut <p.S.
Les implications et applications de la relation (4 .5) sont nombreuses. En premier lieu, cette
équation peut servir de base au développement de méthodes de mesure de résistances
thermiques.
Par analogie, on mesure bien des résistances électriques à l'aide de rapports tension sur
courant. La structure représentée figure 4.1, peut-être modélisée par le schéma "électrique"
suivant :
Figure 4 .2 : Schéma équivalent thermoélectrique
65
Ce schéma, est d'une puissance considérable, il ouvre la voie au traitement analogique de
l'équation stationnaire de la chaleur, dans un vaste formalisme emprunté à la théorie des
circuits électriques. Ainsi, on pourra utiliser :
- La mise en parallèle ou en série de résistances, en particulier, en thermique des
composants électroniques, la mise en série pour la modélisation unidimensionnelle d'un
assemblage de puissance.
- Des sources de courant, éventuellement liées à des nœuds de potentiel pour la prise en
compte des phénomènes électrothermiques régissant la dissipation de puissance dans les
puces semi-conductrices,
- Des sources de tension pour modéliser les conditions aux limites de Dirï"chlet et de
Fourier.
En outre, ces considérations autorisent la possibilité d'une ml se en œuvre aisée de la
méthode nodale sur des logiciels de simulation électrique, tel que SPICE.
4.3 Capacité thermique
Le concept de capacité thermique, issu de la thermodynamique, est représentatif de
l'augmentation d'énergie interne d'un corps ayant subi une élévation de température. Pour
un solide homogène, de masse volumique p, de chaleur massique Cp, et de volume V, la
capacité thermique est donnée par :
Ch = p.Cp.V (4.6)
Dans le cadre d'un transfert conductif unidimensionnel en régime in stationnaire, on peut
établir une correspondance entre capacités thermique et électrique, et, par extension, entre
66
chaleur et charge électrique. Considérant la ligne présentée à la figure 4.3, et caractérisée
par une résistance linéïque r et une capacité linéique e.
r "----tI~
V(x , t)
i C t
V(x + dx , Il
TI
Figure 4.3 : Ligne à constantes réparties
L'équation régissant l'évolution de la tension le long de cette ligne, à savoir :
a2 v av
-2-= r.c.- (4.7)
ax at
est à rapprocher de l'équation instationnaire ID de la conduction de la chaleur sans source
interne qui, rappelons-le, s'écrit :
(4.8)
À l'aide des définitions de la difTusivité thermique a et de la résistance thermique par unité
de longueur, on en déduit l'expression, p.Cp.S (S étant la section de passage du flux de
chaleur), du terme analogue à la capacité linéique de la ligne, terme qui n'est autre que la
capacité thermique par unité de longueur du milieu homogène considéré.
Si en régime stationnaire, on pouvait définir, pour une structure telle que celle présentée
figure 4.1, une résistance thermique pour toute l'épaisseur du milieu, la modélisation du
régime instationnaire doit, pour être exacte, comporter une infinité de cellules Re.
67
En pratique, on se contente d'un nombre fini de cellules, ce qui équivaut à traiter le cas
d'une ligne électrique à constantes localisées, modélisation restant exacte en régime
stationnaire. Si ce nombre fini est égal à l'unité, notre milieu, supposé pour la circonstance
couplé avec un radiateur infini en x = e, est modélisé par le schéma électrique représenté
figure 4.4. On peut alors aisément introduire une grandeur appelée, par analogie, constante
de temps thermique, et définie par :
(4.9)
Figure 4.4 : Schéma thermoélectrique" mono-cellulaire"
4.4 Impédance thermique
Considérons un milieu, initialement isotherme, soumis à t = 0 à une excitation <1> . En
notant 8(t, <1» un écart de température caractéristique de l'évolution thermique du milieu
par rapport à son état initial, on peut mathématiquement définir une grandeur, représentant
cet écart rapporté à l'excitation, comme suit :
Z (t,<I» = 9(t,<I» (4.10)

th <1>
68
Et éventuellement, si lim Z (t,cp) existe et est non nul, son équivalent réduit :
th
t--++oo
Z (t, cp)
z (t,cp) = __
th_ _ (4.11)
th lim Z (t,cp)
th
t-++-oo
où Zü! représente l'impédance thermique réduite.
Par exemple, pour notre structure présentée figure 4.1, et modélisée par le schéma
thermoélectrique de la figure 4.4, on a :
---.L
'tth
Zth (t,ind) = R th .(I-e ) (4.12)
et : (4.13)
où e vaut To - Te, et où "ind" signifie que l'excitation <1> considérée est indicielle. Ztb(t, <1»
est représentative de la réponse thermique du milieu à l'excitation <1>. C'est donc une
grandeur dépendante des caractéristiques du milieu, du temps, mais aussi de l'excitation. De
sorte que si, par analogie électrique, on désire utiliser le terme d'impédance thermique,
Ztb(t, <1» devrait porter le nom d'impédance thermique du milieu relative à l'excitation <1> .
En pratique, Ztb(t, <1» est notée Ztb(t), au pire Rtb(t), et appelée impédance thermique du
milieu, comme si cette grandeur était une caractéristique intrinsèque. On trouvera d'ailleurs
l'équation (4.10) très souvent écrite sous la forme :
e (t) = Ztb(t). <1> (4.14)
69
Cette forme revient à remplacer le schéma électrique de la figure 4.4 par celui de la figure
4.2 avec une résistance variable au cours du temps.
La définition (4.10), ne convenant guère qu'à l'excitation à laquelle elle est liée, il s'agit
donc de trouver une formulation un peu plus générale.
Considérons le cas unidimensionnel d'un milieu plan stratifié, composé de n couches et n
interfaces, soumis sur sa face supérieure (plan x = 0 sur la figure 4.5) à une densité de flux
cp uniforme selon un axe normal aux plans des interfaces, et possédant sur sa face opposée
une condition d'échange convectif avec un puits de chaleur.
o ._._._._._._
Xl interface 1 : conductance gl
couche n : kn,Pn,Cn,On interface n : conductance &t
xn
x
Figure 4.5 : Problème thermique ID du milieu plan stratifié
Si le régime thermique est stationnaire, avant application de l'excitation, la représentation
exacte du problème n'est pas du type de la relation (4.14), mais une fonction de transfert
dans l'espace de Laplace, c'est-à-dire un produit de convolution (et non un produit simple)
dans l'espace non transformé. La démonstration fait appel d'une part à l'utilisation de la
transformation de Laplace pour la résolution de l'équation de la conduction thermique,
d'autre part à la représentation quadripolaire des couches
70
4.5 Extension de l'analogie thermoélectrique
Les notations de résistance thermique et d'impédance thermique indicielle,
empruntées au formalisme unidimensionnel, sont largement utilisées en électronique de
puissance [14][54], et constituent d'ailleurs l'essentiel des données thermiques des
composants commercialisés.
Notons toutefois qu'apparaissent maintenant, dans certains livres de données [39], des
grandeurs supplémentaires pour décrire l'interaction thermique entre puces intégrées au sein
d'un même module.
L'utilisation de ces concepts est régie par deux équations fondamentales, liant un flux de
puissance à un écart de température caractéristique, toutes deux issues de l'analyse
unidimensionnelle. Elles s'écrivent, respectivement pour les régimes stationnaires et
instationnaires :
(4.15)
t '
9(t) = JO Zth.ind (u) .~(t - u) .du
Où la résistance thermique Rth et l'impédance thermique indicielle Z'th.ind vérifient la
relation : R th = lim Z th.ind (t) (4.16)

t-H-OO
Précisons également que le terme noté ~ de l'équation (4.15),qui représente une puissance
constante, pourra toutefois être associé à la valeur moyenne d'un signal de puissance
électrique périodique.
71
L'extension de l'analogie thermoélectrique aux régimes tridimensionnels nécessite de se
munir d'une définition d'écart de température qui soit représentative du phénomène étudié.
On écrira généralement cet écart sous la forme:
(4.17)
Ou, en transitoire : (4.18)
Définitions pour lesquelles Ta représente une température de référence, et Tj, température
de jonction.
4.6 Principe de la simulation électrothermique
Son principe est schématisé ci-dessous.
Résolution de l'équation de conduction

. détermination du champ de température
Figure 4.6 : Organigramme du principe de la simulation électrothermique 3D
72
4.7 Modélisation électrothermique d'une diode
4.7.1 Simulation sur Matlab
Applications élémentaires des diodes
Considérons le circuit déjà représenté à la figure 2.8 .
CARACTÉRISTIQUE COURANT -TENSION
0.6 0.7 0.8 0.9 1.1

VD M
Figure 4.8 : Caractéristique 1 = f (V) « Influence de T »
73
Chapi Ire -1. Principe de la simulation électrolhermique
4.7.2 Simulation sur SABER
' l' j f
1-
" l
..,
'.'
: f
Figure 4.9.a Schéma Électrothermique (R+D en série) sur SABER
Les résultats de simulation nous donnent:
20
10
~ O
>
-10
0.005 0.01 0.015 0 .02 0.025 0.03 0.D35
?
$ -
..c:
._u 1
0.005 0.û1 0.015 0.02 0.025 0.03 0 .035
~ 0
>° _5
-10
0.005 0.01 0015 0.02 0.025 0.03 0.035

t (s)
Figure 4.9.b Caractéristiques : V = f(t) ; i.:h = [Ct) et VDiod~ = [Ct)
74
Chapi tre -1. Principe de la simulation élec/rothermique
4.8 Modélisation électrothermique d'un IGBT
4.8.1 Simulation sur NISA
Certaines modifications simplificatrices seront faites, car il y a beaucoup de détail qUI
peuvent être simplifiés. La figure 4.10 représente l'IGBT (échelle microscopique) avec les
simplifications apportées.
x 10-6
o
N
1()
N
ln
N
Figure 4.10 : Implantation d'une cellule IGBT sur NISA
75
Chapitre -1. Principe de la simulation électrothermique
Note: Cette structure à été aspirer de l'article [1] pour une raison de comparaison afin de
valider le modèle sur NISA.
Les matériaux constituant les différentes couches sont représentés par un seul matériau
c'est le « Gallium Arsenide» : GAAS afin de prendre le même modèle semi-conducteur
[4].
Figure 4.11 : Introduction d' une source de chaleur
Conditions aux limites : température fixe sur le collecteur, et génération de la chaleur sur
une partie de la gâchette.
Figure 4.12 : Distribution de la température à l'intérieure des couches de l' IGBT
76
Chapitre .J. Principe de la simulation éleetrothermique
Figure 4.13 .a: Distribution de la température dans la structure de l' IGBT.
Figure 4.13 .b : Distribution de la température aux différents instants
77
4. 8.2 Analyse
On peut constater que l' étude fait sur NISA™ montre bien la validation de ce
modèle par comparaison à celle publiée dans l'article [1].
4. 9 Étude électrothermique d'un onduleur (Simulation sur SABER)
Les hacheurs et les onduleurs sont des convertisseurs statiques utilisant des semi-
conducteurs fonctionnant en commutation.
Quand un semi-conducteur est passant, il tend à conduire en permanence. Son blocage n' est
plus automatiquement assuré à la fin de son intervalle normal de conduction. Les hacheurs
et la plupart des onduleurs fonctionnent en commutation forcée et non pas en commutation
naturelle.
La modulation en largeur d' impulsion, est très utilisée dans la conversion de l' énergie
[48][49][50][51]. C'est une méthode permettant à la fois la variation de la tension de sortie
et le contrôle de son harmonique. Elle consiste à introduire des commutations
supplémentaires à fréquence plus élevée que la fréquence du fondamentale, transformant la
tension en une suite de créneaux d'amplitude fixe et de largeur variable. Le choix de la
séquence d'allumage détermine à la fois l'amplitude et la fréquence de la tension de sortie.
La MLI présente deux avantages importants : Elle repousse vers les fréquences les plus
élevées les harmoniques de la tension de sortie, ce qui facilite le filtrage. Elle permet de
faire varier la valeur de la fondamentale de la tension de sortie.
78
4.9.1 Topologie
Il s'agit d'un onduleur monophasé commandé par une ML!.
La charge peut être un moteur asynchrone, ou un circuit quelconque, et pour facilité l'étude
on prend une charge RL [9][10][48].
K3
...
c
u Charge
Figure 4.14 Schéma simplifié de l'ensemble Onduleur-charge
L'onduleur délivre une tension u(t). TI est constitué de quatre interrupteurs électroniques
fonctionnant simultanément deux par deux.
Pendant une demi-période de fonctionnement, les interrupteurs KI et ~ sont fermé alors
que les interrupteurs K3 et K2 restent ouverts.
Pendant la demi-période suivante, c'est l'inverse KI et ~ sont ouverts tandis que K3 et K2
sont fermés. Les interrupteurs KI, K2, K3 et ~ sont des IGBT. Afin de simplifier le
principe d'un onduleur, la commande de chaque IGBT n'est pas représentée dans ce
montage. Et puisqu'il s'agit d'une charge inductive, le montage comporte obligatoirement
des diodes de roue libre branchées en parallèle avec les interrupteurs.
Et pour compléter le schéma électrique, il suffit d'ajouter le bloc de
79
commande analogique.
IGBT1-l Dl IGBT3l 3
Er c u
R L
IGBT2 l D2 IGBT 41 4
.Figure 4.15 Onduleur (IGBT + DRL) + Charge (RL)
Figure 4.16 Schéma du bloc de commande
80
~
;s
.~
-
0 ()
'S
~(,,)
~
'~
.§
~-
;s
G1
r---
=1 (S1)
.S
":) ~ 1 T
~ ' ,
,IGBT11,,,) J_ IGBT3
~ G4 1 03
l~ C
~ • 1 _u
..... E 1
.S
t:t 1 1 IGBT, .. I
. O2 o.
G3
--r--
=3 (S3)
../ '-+ -
( ~
\.' t j ~ \.-:'') ~ • G2
~ Figure 4.17 : Schéma électrique général (Commande + onduleur)

....~
~
u
~
~ - 1
N
00
"';'
1...
~
'SI
C
~ ~ ~
G1
~I
~
(PPWL) 1 1
'\ Y~Yap E1 (S1)
'~
s:::
·.gl ( 6 ) Y ~ G4
.s;:: 1
.S
"l
.s
~
~I T ~ ~ .-----. G3
.E:
.-
~I
1...
'l..,r
--L
- 1
~
"- . / \
L
'-'~r-"',
1
'- '#~V.) 1
...
E3(S3)
G2
D: Mur1560
C-1 uF
E- 300 V
Rc-15C
l- 2.66 mH
R-50C
.~-
~
Figure 4.18 : Schéma général (électrique + thermique)
Ô
4.9.2 Séquences
On cherche les séquences pendant lesquelles les IGBT et les diodes sont passants, il
faut d'une part représenter i(t) et u(t) et d'autre part, indiquer sur une période T, les
intervalles de temps durant lesquels i(t) est strictement positif, soit négatif ou nul. Durant la
phase positive le contrôle de la gâchette de l'IGBTI s'ouvre et se ferme à une fréquence de
900 Hz, (voir Annexe 1) figures 4.19 et 4.20, alors que l'IGBT4 est fermé.
Durant cette phase l'IGBT2 et 3 sont ouverts. Et au niveau de l'autre phase, c'est l'inverse
qui se passe, c-à-d, l'IGBT3 qui commute à une fréquence de 900 Hz, alors que l'IGBT2
est fermé, durant cette phase l'IGBTI et 4 sont ouverts, Ainsi de suite on obtient les
séquences de commutation.
Les figures 4.21 ; 4.22 ; 4.23 ; 4.24 ; 4.25 ; 4.28; et 4.30 voir en annexe, nous montrent les
signaux appliqués à la gâchette (signaux d'attaque).
4.9.3 Caractéristiques thermiques
Les réponses au niveau de la température, figures 4.32 et 4.38 voir en annexe,
justifient bien que la température atteint des valeurs maximums durant les phases de
commutation due aux pertes d'énergie.
TjonaiOll > T boîtier > T radiateur> Ta
4.10 Conclusion
Pour une réponse en équilibre thermique, les caractéristiques électriques changent
avec la température, le niveau moyen de l'énergie dissipé change quand la t~mpérature dans
le radiateur augmente [9][10][11][12][13].
83
Pour calculer cette température, il faut passer par cinq étapes itératives pour déterminer la
condition initiale de température.

ère
1 étape: Simuler au moins 3 périodes (cycles).
2ème étape: L'énergie dissipée moyenne est déterminée pour chaque composant en utilisant
la calculatrice WaveCalc sur SABER.

ème
3 étape: La valeur calculée de cette énergie est utilisée comme source d'énergie à
l'intérieur de chaque réseau thermique correspondant dans le réseau électrique.
4ème étape: Une analyse en courant continu est utile pour le réseau thermique pour
déterminer la température moyenne en équilibre, en utilisant la calculatrice de SABER.
S ème étape: Finalement, cette température calculée est utilisée comme condition initiale
pour une autre simulation électrothermique en reprenant l'étape 1.
Ce processus d' itération est répété jusqu' à ce que l' énergie moyenne converge vers l'état
d' équilibre. Il faut au moins 3 itérations pour déterminer l'énergie dissipée moyenne.
Cette étude, nous montre une analyse électrothermique d'un dispositif d' onduleur
commandé par un MLI en utilisant l'IGBT comme organe de commutation ainsi que
l'influence des réponses thermiques sur le comportement électrique du convertisseur, en
utilisant le logiciel SABER, mais un facteur important entre en jeu et qui ni pas négligeable
c' est le temps nécessaire pour effectuer la simulation. C'est pour cette raison que l'objectif
visé par la suite c'est de paralleliser l'étude électrothermique au complet et qui sera la
prochaine étape.
84
Chapitre V Modélisation parallèle
Modélisation parallèle
Le développement des dernières années s'oriente vers la réalisation des systèmes
multiprocesseurs. Ces systèmes se composent de plusieurs processeurs interconnectés, qui
partagent une mémoire, les périphériques d'entrées/sorties et d'autres ressources. Chaque
processeur est capable d'exécuter une partie du même programme ou un programme
différent. Tout cela conduit à de meilleures performances du système.
Les concepteurs s'efforcent d'augmenter la rapidité d'exécution des calculateurs
numériques. Une approche évidente consiste à améliorer la technologie utilisée pour la
réalisation des composantes, les progrès dans cette voie restent incessants. Il existe
cependant un certain nombre de limites naturelles fondamentales aux développements
technologiques [69] .
Un autre moyen pour améliorer la vitesse des machines de calcul est d'effectuer
simultanément, en concurrence ou en parallèle, autant d'opérations qu'il est possible. Dans
les ordinateurs à architecture traditionnelle, toutes les opérations sont exécutées
séquentiellement :
Extraction - Décodage - Exécution
85
Aucune de ces étapes ne peut-être lancée avant que la précédente ne soit finie, une nouvelle
instruction ne peut être recherchée avant que l'exécution de la précédente ne soit complétée.
Avec le développement des ordinateurs, de plus en plus d'opérations élémentaires ont été
exécutées concurremment.
Le calcul parallèle est un terme très général qUl peut recouvnr bien des méthodes
différentes d'implantation.
5.1 Outils parallèles.
Nous devons utiliser une méthode plus détaillée de classification des systèmes de
traitement parallèle, la plus connue est due à Flynn. Cette classification distingué quatre
types fondamentaux de systèmes.
5.2 Architectures parallèles.

5.2.1 Une instruction une donnée SISD
Ils sont en général construits à partir d'un processeur unique et l'on obtient un
système multiprocesseur, d'architecture classique avec pratiquement pas de parallélisme.
Cette classe regroupe cependant des systèmes plus sophistiqués utilisant certaines méthodes
de parallélisme de façon très localisée.
5.2.2 Une instruction plusieurs données SIMD
Plusieurs processeurs exécutent simultanément la même instruction, chaque
instruction est exécutée sur un jeu différent de données. Les résultats sont mémorisés dans
des mémoires locales. Le programme est rangé dans la mémoire principale et transmis à
l'UC.
86
5.2.3 Plusieurs instructions et une donnée (MISD)
Une séquence de données est transmise à une séquence d'opérateurs, chacun d'eux
est contrôlé par une UC séparée qui exécute une séquence d'instructions différentes.
5.2.4 Plusieurs instructions et plusieurs données (MIMD)
Plusieurs processeurs exécutent simultanément des séquences d'instructions
différentes sur différents jeux de données. Ce type de système et habituellement appelé
multi processeur.
PIOC:~$se.... 1
....._D..:..,.
1 _ _ _- - .
. ., . r
,:;".-
M ém Qiré
p ri ncipale .
. ..
Figure 5.1 Architecture MIMD
Le système MIMD constitue le type le plus répandu de calculateur parallèle. Un nombre
quelconque de processeurs d'un même système de calcul exécute en concurrence des
programmes différents utilisant des jeux de données différents. Un programme peut être
subdivisé en sous-programmes qUi peuvent être exécutés simultanément sur plusieurs
87
processeurs. Il peut arnver que dans une même machine multiprocesseur, plusieurs
processeurs exécutent à un instant donné différents morceaux d'un même programme, alors
que d'autres processeurs sont occupés par d'autres programmes.
5.3 Traitement et temps de communication
Un multiprocesseur est composé de : processeurs, de mémoires, d'unités d'interface
et d'un réseau de communication qui relie tous les modules. La performance globale d'un
système multiprocesseur ne dépend pas seulement de la vitesse et de la capacité de ses
processeurs, mais elle dépend fortement de la qualité de son réseau de communication.
' '',,'
P;~t~ssel,lr . 'P;o~sseu'r 'Proc:esseur ·
1 2 n
'. M~moire ' ,:··~~~oir.~ ' f .>: ~

• h~t~rface1'
'f.
. ; Interface.2
1 , ': 2 " m 110 " :'" 110
Figure 5.2 Intégration d'un système multiprocesseur
5.4 Structures multiprocesseurs

n
La structure hypercube [69][70] est caractérisée par la présence de N = 2
processeurs interconnectés selon un cube de dimension n. Chaque processeur constitue un
noeud ou sommet du cube.
88
•
Dimension 0
• •
Dimension 1
(2 noeuds)
(1 noeud)
o
Dimensions 3
Dimensions 4 Dimensions 6
(8 noeuds)
(16 noeuds) (32 noeuds)
Figure 5.3 Topologie de l'hypercube
Chaque noeud possède des connections directes séparées vers n autres nœuds. Ces chemins
correspondent aux arrêts (canaux) du cube.
En plus de cette topologie, nous pouvons citer divers autres exemples comme :
Réseau annulaire
~o
cl ~éseaU en arbre binaire
Réseau en grille
89
Réseau en grille torique
011
101
110
Figure 5.4 Diveres topologies
5.5 Exemple d'une machine parallèle
\,
,
"
••..•.... -~ . ~
,/
Figure 5.5 Mac~line ALEX. AVX. Série 2 à 64 noeuds
90
Ce sont des ordinateurs ayant plusieurs processeurs i860 et T805 , branchés ensemble pour
former des nœuds. Chaque nœud est constitué de deux processeurs, une mémoire et quatre
liens de communication. Un AVX série 2 est constitué de plusieurs distributions
indépendantes de mémoire MIMD. Le système d'exploitation utilisé est l'UNIX pour le
processeur maître (HOST) et pour les nœuds de calcul, on utilise Alex Trollius [67].
5.6 Implanta.tion d'un programme parallèle pour la résolution de
l'équation de la conduction thermique
L'ingénieur d'aujourd'hui doit posséder une bonne formation tant en analyse
mathématique qu'en analyse numérique, en vue d'une meilleure compréhension des
phénomènes, ce qui ramène à résoudre des problèmes d'optimisation, c'est-à-dire à choisir,
entre plusieurs solutions possibles, celle qui est meilleure.
Un problème d'optimisation se rencontre sous différentes formes en particulier en
programmation linéaire et non-linéaire (avec équations différentielles ou aux dérivés
partielles).
Pour résoudre un problème, il faut bien poser les problèmes (construire les équations aux
dérivées partielles), choisir le bon algorithme (méthodes numériques pour construire et
résoudre les équations algébriques et la programmation en informatique pour exécuter
efficacement les calculs sur ordinateur) et savoir discuter les résultats.
91
Pour bien mener ces étapes, on va essayer d'élaborer un modèle pour simuler le
comportement électrothermique d'un composant, et comme on a vu précédemment, on va
juste s'intéresser à la couche la plus sensible qui est celle du silicium [37](38][72][73][74].
5.6.1 Traitement séquentiel (Équation de Poisson)
Soit le problème :
dans D
u=g surùD
où :
D : C'est le domaine de définition.
ùD : La frontière.
5.6.1.1 Discrétisation par différences finies
En utilisant le schéma à 5 points, soit D un rectangle [O,a]*[O,b], on définit un
quadrillage de D, en découpant l'intervalle [O,a] à l'aide de M points intermédiaires et
l'intervalle [O,b] à l'aide de N points intermédiaires, tels que :
°= Xo < Xl < X2 < ... .. .... < XM < XM+I = a
0= Yo < YI < Y2 < .......... < YN < YN+I = b
a b
Avec un pas constant: ~X =- - ~Y=-
M+1 N +1
92
b
n
Pl3,AI
1
1
x
xl x2
'" xM "Xm+1
Tels que :
Xi = i. ~X pour 0 < i < M+l
Yi = j . ~Y pour O < j < N+l
Les points du quadrillage ou du maillage sont les points P(i,j) de coordonnées (Xi,yJ On
cherche les valeurs approchées u(i,j) de u solution du problème aux points P(i,j), puisque u
est connue sur la frontière (oD) où elle est égale à g.
Il suffit de calculer u(i,j) aux points intérieurs pour 1 < i < M et 1 < j < N.
Avec l' approche des dérivées aux points du maillage [72], on a :
ou . 1 - u.1-1
uH
-;:::;
OX 2.~ ~X
02 U] 1 [(ou) (ou) ] 1 [U i+1,j - Ui ,j Ui ,j - Ui _ 1,j]

( ox2 i,j ;:::; ~x ox i+~,j - ox i-~,j ;:::; ~x ~x - ~
;:::;_I_[u. l' +u. l' -2 .U.. ] (5.1)
2 H ,J 1- ,J 1,J
~
de même
02U] ;:::;_1
2 2
[u 1,J+ .. 1 -
.. l+ u1,J- 2 .U . . ]
1,J
(5.2)
(
oy .. ~y
1,J
93
Chapitre V Modé lisation parallè le
2
Du 2
Du [u i+1 Jo - 2u iJo + u i-1 Jo] [u i Jo+l - 2u iJo + u i Jo- l ]
=> du =--
2
+- - = ' , ' + ' " (503)
DX Dy2 dx 2 dy2
Le système linéaire à résoudre s'écrit donc :
- _ 1 [u _ 2u +u ] - _1 [u - 2u +u ] =f
dx2 i+l, j i, j i - l, j dy2 i, j + l i, j i, j - l i, j
pour 1 ~ i ~ M et 1 ~ j ~ N ( 504)
u 0 0= g o 0 pour (i = 0 ou m + 1) ou Ci = 0 ou n + 1)
1, J 1, J
Où fij et gij sont données 0
Pour écrire ce système d'équations sous forme matricielle, nous devons ranger les
inconnues Uij aux points intérieurs au domaine rectangulaire, dans un vecteur u de
dimension M*N cela revient à numéroter les points Pijo
Il Ya plusieurs façons de le faire, par exemple, par ordre de j croissant, et pour chaque j par
ordre de i croissant.
A A
11 12
A A A o
21 22 23
A= (5 0S)
o A A A
n-l , n-2 n-l , n-l n- l , n
A A
n, n-l n, n
On trouve N blocs de M dimensions, les blocs A(k,l) sont donc des matrices de dimensions
(M,M) Les matrices A(k,l) sont nulles sauf pour k-l ,k et k+ l ,k et k,k.
0
94
A est une matrice tridiagonale par blocs.
1
A(k,l) sont définies par A(k,k-1) = A(k,k+ 1) = - - lm
Lly2
Où lm est la matrice identité d'ordre M, tandis que A(k,k) est définie par :
pa
apa ° 1 2 2
A = avec (l = -- - et p =--+--
k, k Llx 2 Llx 2 Lly2
apa
° pa
Pour les frontières, on à :
1 1
g(l , 1)= - u(O,I) + - u(l,O)
Llx 2 Lly2
1 1
g(1 ,n)= -u(O, n) + - u(l, n + 1)
Llx 2 Lly2
g(i ,l) = _1_ u(i ,O)

Lly2
pour 2 ~ i ~ m- 1
g(i , n) = _1_ u(i , n + 1)
l1y2
1 1
g(m,l)=-u(m + 1,1)-u(m,O)
Llx 2 l1y2
1 1
g(m,n) = - u(m + 1, n) - u(m, n + 1)
Llx 2 Lly2
95
g(l, j) = _1_ u( 0, j)
~x2
pour 2 ~ j ~ n- 1
1
g(m, j) = -u(m + 1, j)
~2
Tous les autres g(i,j) sont nuls.
Remarque
Si le coefficient k, ou si les pas de discrétisation ilx et ~y ne sont plus constants, les
sous matrices A(k,l), n'ont plus une expression aussi simple et ne sont plus égaux entre
elles. Néanmoins, la matrice A reste tridiagonale par blocs [72].
Le développement du modèle discrétisé nous donne :
Pour j = 1;
- ~ [U(O, l) - 2.u(1,1) + U(2,1)] - ~ [U(l ,O) - 2.u(1 ,1) + U(1 ,2)] = f(l,l)
~ !:ly
- ~ [U(l , l) - 2.u(2,1) + U(3 , 1)] - ~ [U(2,0) - 2.u(2,1) + U(2,2)] = f(2 , 1)

~ !:ly
- ~ [u(m - 2,1) - 2.u(m -1 ,1) + U(m, l)] - ~ [u(m -1 ,0) - 2.u(m -1 ,1) + u(m -1,2)] = f(m -1, 1)
~ !:ly
- ~ [u(m -1 ,1) - 2.u(m, 1) + u(m+ 1,1)]- ~[u(m,o) - 2.u(m, 1) + u(m,2)] = f(m,l)

~ !:ly
96
Chapitre V Modé lisation parallè le
Pour j =2 ;
- ~ [u(0,2) - 2.u(1,2) + U(2,2)] - ~ [U(1 , I) - 2.u(1 ,2) + U(1 ,3 )] = f(1 ,2)

~'( l1y
- ~ [U(l,2) - 2.u(2,2) + U(3 ,2)] - ~ [U(2,1) - 2.u(2,2) + U(2,3)] = f(2 ,2)

~ l1y
- ~ [u(m - 2,2) - 2.u(m - 1,2) + U(m,2)] - ~ [u(m -1 , 1) - 2.u(m -1 ,2) + u(m - 1,3 )] = f(m - 1,2)
~ l1y
- ~ [u(m - 1,2) - 2.u(m,2) + u(m + 1,2)] - ~ [u(m, 1) - 2.u(m,2) + U(m,3)] = f(m,2)

l1x l1y
pour j = 0-1 ;
- ~[u(o, n -1 ) - 2.u(I , n -1) + u(2, n -1)]- ~[U(I , n - 2) - 2.u(I , n -1) + u(1 , n)] = tt l , n-I )
~ ~y
- ~[U(I , n -1) - 2.u(2,n -1) + u(3, n -1)]- ~[U(2,n - 2) - 2.u(2,n -1) + U(2, n)] = tt2, n - 1)
~ ~y
- ~ [u(m - 2, n - 1) - 2.u(m -l , n - 1) + u(m,n -1)] - ~ [u(m -l , n - 2) - 2.u(m - l , n - 1) + u(m - l , n)] = ttm - l , n - 1)

~ ~y
- ~[u(m -I,n -1 ) - 2.u(m,n -1) + u(m + l , n -1 )]- ~[u(m, n - 2) - 2.u(m,n -1 ) + u(m, n)] = ttm, n-l )
~ ~
97
et enfin pour j = n ;
- ~[u(o, n) - 2.u(1 , n) + u(2, n)] - ~[U(l, n -1) - 2.u(l , n) + u(l , n + 1)] = f(l , n)
~ ~y
- ~[U(l, n) - 2.u(2, n) + u(3, n)] - ~[U(2, n -1) - 2.u(2, n) + u(2, n + 1)] = f(2, n)
~" ~y
- ~[u(m - 2, n) - 2.u(m - l , n) + u(m, n)] - ~[u(m - l , n -1) - 2.u(m - l , n) + u(m - l , n + 1)] = f(m - l , n)
~ ~y
- ~[u(m - l , n) - 2.u(m, n) + u(m + l , n)] - ~ [u(m, n -1) - 2.u(m, n) + u(m, n + 1)] = f(m, n)
~ ~y
Avec :
1 1
a ---- a ----
1- ~x2 2 - ~y2
On ramène les éléments connus à droite, et les inconnus à gauche, on obtient le système :
N*M N*M NaM
(5 .6)
* XI = bl
N*M L..-..._ _ _ _ _ _ _.....:.-~~
98
Il suffit d'identifier les éléments de la matrice A(i,j) qui possède une taille NM*NM, ainsi
que le vecteur Xi et hi avec i [l ,NM].
5.6.1.2 Identification du vecteur Xi
La numérotation s'effectue par ordre i croissant, et pour chaque j par ordre de i croissant.
5.6.1.3 Identification de bi
Voir programme sur l'annexe
5.6.1.4 Identification de A(i,j)
Voir programme sur l'annexe
V6.1.5 Utilisation de la méthode directe de CROUT
(décomposition LR)
A peut s'écrire sous la forme: A=L*R
Où L est une matrice triangulaire inférieure dont les éléments diagonaux sont égaux à 1 et
R est une matrice triangulaire supérieure.
99
r r ...... ... ... .... r

1 0 .. .. .. .... ... .. ... .. .0 Il 12 ln
l 1 0 r .... ....... ..... r
21 22 2n
L= R=
0
l l ... ......... .. ....1 0 r

nI n2 no
Le système : A x = y
S'écrit alors : L R x = y
LZ=Y
C'est-à-dire :
{ z=Rx
La résolution du système comporte alors trois étapes :
Calcul de L et R
résolution du système L z = y ; ce qui donne z
", Rx=z;" " x

" " "
Nous allons étudier les différentes étapes :
100
5.6.1.5.1 Calcul de L et R
posons A = [aij], le produit L R donne
al1 = rl1
élnl = Inl . rll
d' une manière générale, on a :
n
a. .
I, j
= kL=11.l , k r .
k ,j
=1
l, 1
1 = 0 SI k>i
i, k
r = 0 SI k>j
k, j
10 1
r =a avec j = 1à n
1, J Ij
pour i = 1 :::)
1 avec j = là n
j,l r
1,1
i -1
r =a L 1 .r pour j =i à n avec j =i à n
1, J 1, J k = 1 i, k k, j
pour i = 2 à n :::) i-1

a - L 1 .r
j,l k = 1 j, k k, i
= avec j =i à n
J,1 r
1, 1
Note: La méthode n'est valable que si tous les ri,i sont non nuls
5.6.1.5.2 Résolution de Lz = y
ce système s'écrit :
z =y
1 1
1 .Z +Z =y
2,1 1 2 2
1 .Z + 1 .Z + Z =y
3,1 1 3,2 2 3 3
1 .Z + 1 .Z + 1 .Z + ..... + Z =y
n,l 1 n,2 2 n,3 3 n n
102
on obtient ainsi de proche en proche ZI,Z2"""Zo :
j-l
Z. = y. - L 1. k ,Zk pour j =2à n
J J k=l J,
5.6.1.5.3 Résolution de R x = Z
Ce système s'écrit :
r .X + r .X + .. .. . + r .X + r .X = Z
1,1 1 1,2 2 1, n - 1 n - 1 1, n n 1
r .X + .. ... + r .X +r .X =Z
2,2 2 2, n - 1 n - 1 2, n n 2
r .X +r .X =Z
n - 1, n - 1 n - 1 n - 1, n n n -1
r .X =Z
n,n n n
On obtient de proche en proche Xn, Xn-l , . .... . . , Xl :
n
Z. - L r. k 'Zk
J k=j+l J,
x. = ---"------ avec j =n - 1à 1
J r ..
J,J
103
5. 6.1.6 Discrétisation de l'équation de transfert de la chaleur
- 8[ 8T] =
k(T)- p.c .-aT T(t, x = L) = Ta
ax ax Vat
avec (5 .7)
8T =
P(t)
ax x=o k(T) .S
Où P(t) est la puissance dissipée, p est la densité massique du silicium et Cv est la chaleur
spécifique du silicium.
Si on considère que la conductivité thermique ne dépend pas de la température, le modèle
thermique ID se réduit par l'équation simplifiée (4 .8) :
Si l'indice i repère la variable x et l'indice j repère la variable t, l'équation (4.8) discrétisée
peut s'écrire, en utilisant les différences centrées sur x et les différences à droite sur 1.
- v(T
p.c- - T ) = -1- [ T - 2T +T ]
k.L\t i,j + 1 i, j {\x 2 i + l,j i,j i -1,j
k.L\t 2.k .L\t k.L\t

=:>T = .T + 1- .T + .T (5.8)
i, j + 1 2 i - l,j 2 1, J 2 i + 1, j
p.c .L\x p.c .{\x p.c .L\x
v v v
On obtient Ti à l'instant j+ 1 comme combinaison de Ti-I, Ti et Ti+} à l'instant j.
Avec i = 1 à n-l
104
Pour i = n => Tn = Ta (Conditions aux limites pour x = L)
L:,t
J+1
J-1
1-1 1+1
t L = n. ~x
tMm 1
1
1 ~x = LI n
1
1
t;j --------+- ------- Tm=m. ~t
1
1
t1 1
1
1 X
XI
x1 xn-L
Pour la condition
T -T T -T
or P(t) i + l, j 1, J l, j O,j
= = =
àx x=O k(T).S ~x ~
~.P
=:)T J (5 .9)
-T =--=~T
O, j l, j k.S 0, j
Et pour avoir n équations à n inconnues, on ajoute la condition
T(i,o) = T T(n,j) = T
a a
avec :
p : densité massique du silicium
: chaleur spécifique "

"
k : conductivité thermique
105
5.6.1.7 Exemple implanté sur Matlab
~t.k
Soit r= 2 et h = ~x
p.cv ·&c k.S
L'équation (5.8) nous donne l'algorithme:
T = r.T + (1 - 2.r).T + r.T avec i = 2 à m - 1 et j =2 àn - 1

i, j + 1 i - 1, j i, j i + 1, j
T - T = h.P(j) avec j = 2 à n
1, j 2, j
T =T i=làm
i,l a
T =T j =1 à n (5.10)
m, J a
D ' où le programme dfd1a.m [Annexe].
Avec comme application numérique [27][28]:
3
L= 550!lm ; S= 10 mm2 ; P .Cy= l.63 J/(cm .K) ; K= l.54 W/(cm.K)
P = 3 kW ; a = 0.6 (rapport cyclique) ; Ta = 27 oC ; Tf = 50 !ls
M = 50 ; N = 200.
106
D' où l'algorithme :
Distance selon x et y
1 1
+
Nombre de points selon x et y
1 1
~
Calcul du pas selon x et y
1 1
~
Conditions aux limites (Dirichlet)
Selon les quatre côtes
~
Saisie des données pour q(i,j) selon trois possibilités :
Dans un nœud
Dans un ensemble des nœuds
Dans tous les nœuds internes
1
T
Identification du vecteur bi
Identification de la matrice A(i,j)
,
Résolution du système A(i,j) * Xi = bi par la Méthode de CROUT
1
~
Affectation du vecteur solution x à la variable T(i,j)
1 1
~
Affichage des résultats sous forme :
Tableau / Graphique
107
Les résultats de simulation nous donnent la figure ci-dessous.
500~-----,,-------~,----~,~-----~,----~,~----~,-------,~----~
1 1 l , , 1 1
1 1 1 1 1 1
1 1 1 .1 : : :
L80 -------~-------~-------~------~--~-~-
1 1 1 1 ·
rl ~-------~-------~-------
' 1 1
, , , 1 i ' , 1
LOO Co~ductivit. thermi~ue: 1: : :

- - --~--r-------r-------r--- - --~-------,-------,-------,-------
1
: non linéaire : . 1
: "","11 :
1 1
:
1
:
./~ t 1 1 1
L40 - -- - - - -:-' \ ...,' !\ ,

- - - - - - :- - - - - - ,.;-:- -~ =~- -:- - - - - - t'~ -------: -------: -------
1 1
-------t -----,:,t: ~' " -t -----i --- --_lr; -::--1-------! -------

1 1 1 "•. 0' II'; 1 ~ "1 1 1
1 1 . f "· \; \ . '., 1 1
L20
r
~
. D. . . . LOO -- -- - - -~ - - -: (_ .: .~ ~---- -- -~- --- -- -:\--- - ~-- -:; ~:~.~-- -- --- ~-- -- ---
1
1
t
1
1
1
t
1
\ 1
l
. ".
'-.J
, •.• _. ...
'....
•
1
1 ./ 1 1 1. 1 1 j"-.__ --....-.. 1
;./. : : ConducftlVlté th,..."lque : ..--_._.:. --~ -
---- --..:'f -------,- --- ----,- --- ---c:-bnStaiiti-- -- ----:- --- ---"..~~ ::: - ---
" ,' 1 ------__
... :/ 1
/..' . 1 1 1 1 1 1
360 _. . - ,.7'<" - -~ - . . - - .. - -~ - - - - . . - -~ - - - - .. - -:- - - - - .. - ~ ... - - - - ... - ~ ... - - - - _ .. ~ ... - - - - --
II 1 1 1 f i l 1
l 1 1 l i t 1 1
2·J1 0 i ---- ------ ------+------ ------ ------- ------- -------

r
f i l
-~
1
-~
1
1
1
1
~-
1
1
~
1
~
1
1
1
~
•
1 1 1 l , 1 1 1
S20 rI~ --- ---:-, ---- ---:- - --- ---:- - --- ---:- - ------: ------- -: -- --- -- ~ -------
l , , , 1 1
~,OO u....
1· _ _- - ' -_ _- - ' -_ _- - ' -_ _- ' -_ _....1.-_ _....1.-_ _- ' - - _ - - - - '
J 10 20 3J 40 50 60 7e 80
t [us] M = 50 noeuds 1x N = 200 noeujs ! t
Figure 5.6 Température To calculée par la méthode des différences finies
5.6.1. 7 Interprétations et conclusions
Les résultats obtenus montrent bien qu'une conductivité thermique du silicium
fonction de la température conduisait à des résultats très peu différents de ceux relatifs à
une conductivité thermique constante.

Ce qui confirme les résultats des recherches menée par Ch.SCHAEFFER (polytechnique de
Grenoble) et S.RAËL.[26].
108
La température est au maximum au niveau de la jonction Tj (x = 0), ce qui est parfaitement
en concordance avec la réalité et donc le risque d'une détérioration se situe dans cette
partie du composant.
La résolution de l'équation de Poisson par la méthode des différences finies, nous donne
des résultats très satisfaisants, reste à exploiter et optimiser les algorithmes pour résoudre le
modèle approprié, car cette méthode est simple mais très coûteuse au niveau de la mémoire,
ce qui ouvre des perspectives très larges dans l'exploitation au niveau de l'analyse
numérique, à titre d'exemple j'ai fais une comparaison entre la méthode de CROUT et la
méthode de Thomas modifiée selon une matrice tridiagonale, le tableau ci-dessous nous
donne le temps de calcul selon la taille de la matrice.
Taille de la matrice Méthode de CROUT t (s) Méthode de THOMAS t (s)

64*64 5.49 l.75
169*169 70.58 5.43
196*196 104.91 6.92
256*256 228.22 11.32
324*324 46l.87 16.31
784*784 - 118.09
1444*1444 - 277.59
2304*2304 - 730.78
Tableau 5.1 Comparaison du temps de calculs entre la Méthode de CROUT et de

THOMAS .
Enfin, on a ajouté une étude en 3D, pour voir la souplesse de cette méthode.
Les résultats, nous montrent clairement que l'on peut exploiter parfaitement ce type
d'analyse.
Donc en 3D et pour un maillage très grand le traitement séquentiel se trouve limité par le
temps de calcul, c'est pour cette raison que les objectifs s'orientent dans ce cas aux
traitements parallèles sur des Mac~ines SPMD.
109
5.6.2 Traitement parallèle
D'après les résultats obtenus par le traitement séquentiel, on voit bien la nécessité
du traitement parallèle.
Dans ce chapitre, nous allons décrire les outils utilisés pour élaborer un code parallèle.
L' outil de développement utilisé est le LAM, car il présente de très grands avantages :
Tous les nœuds de calcul sont totalement connectés
Il y a de bons outils de débuggage et de vérification disponible
La vitesse de transmission des données d'un nœud de calcul à l'autre est de
10 Mb/s
L' utilisateur conserve un contrôle total durant l'exécution des programmes sur le réseau
Il y a une très bonne synchronisation des messages et jamais d'erreur de transmission,
donc pas d' interférence et pas de perte d'information [68][70][71].
Ce qui constitue un bon outil pour élaborer notre code parallèle.
Notre tentative est d'implanter un code parallèle sur des machines parallèles, tel que les
quatre machines SPARC 20, disponible au Laboratoire d'électrothermie industrielle, du
département de Génie Électrique.
Avec une configuration LAM (Système d'exploitation conçu pour le traitement
parallèle d'un réseau d'ordinateurs indépendants), le réseau est totalement connecté et
l'outil de communication pour envoyer et recevoir des messages d'une station à une autre
est assuré par le standard MPI, lequel nous donne une très bonne synchronisation des
messages et pratiquement pas de perte d'information, de plus la vitesse de transmission des
110
données d' un nœud à l'autre est de 10 Mb/s, ce qui constitue un bon outil pour l'élaboration
d' un code parallèle [68][70][71].
noeud 0 noeud l
noeud 2 noeud 3
Figure 5.7 Réseau d' interconnexion
5.6.2.1 Modèle thermique
Nous avons développé un modèle thermique 3D, obtenu par un modèle numérique à
partir de la discrétisation de l'équation de la chaleur donnée par :
-
ax
or]
a [ kx(T).-
ax
a [ ky(T).-
+-
ay
or]
ay
a [ kz(T).-
+-
az
or]
az
=p.c v .- .orat (5 .11)
Ce modèle est précis et il permet de tenir compte de la non-linéarité de la conductivité
thermique k(T).
On peut considérer que la conductivité thermique est constante, car elle ne vane pas
beaucoup avec la température, la figure 5.6 montre bien cette approche.
Avec k constant, l'équation (5 . Il) en régime permanent devient :
111
(5.12)
Où q est le taux de production de la chaleur en [W/m 3 ] .
La discrétisation en 3D en différences finies nous donne:
-~ h·
~x
l -1 ,J,. k - 2.T.l,J,. k + T.1+ 1,J,· k ] - ~ h.l,J.-1 , k - 2.T.l,J,. k + T.1,J+. 1,k]
~y
- - 1- [ T. .
2 1,J,k - l
- 2.T. .
1,J,k
+ T. .
1,J,k+l
] = q1,J,k
..
~z
2 ~i~ M -1
pour 2 ~ j ~ N-1
(
2 ~ k ~ W-1
T. . k = q . . k
l,J, l,J,
pour :
Ci = 1 ou i = M) ou
(j = 1 ou j = N) ou
{
(k = lou k = W)
où :
M,N, W : Le nombre de points respectivement selon x, y et z.
Pour écrire ce système d'équation sous forme matricielle, nous devons ranger les inconnues
Tij,k. aux points intérieurs au domaine cubique, dans un vecteur de dimension (M-2)*(N-
2) *(W-2), cela revient à numéroter les points T ij,k. On trouve une matrice A de (W_2)2
112
blocs. Chaque bloc représente une matrice de 2D qui possède à son tour (N-2)2 blocs.
Chaque bloc est une matrice de (M_2)2 éléments.
A est une matrice creuse qui possède des blocs tridiagonaux, des blocs diagonaux et des
zéros. En raison de la symétrie, on peut faire le traitement uniquement sur deux matrices
2D, A (matrice bande) et C (diagonale). La figure 5.8, nous montre la structure de cette
matrice.
c
,K
Matrice ID :
0
([M-2])2 0
0
/
Matrice 2D: 0
([M-2] *[N-2])2
0 0
0 0
/
Matrice 3D:
([M-2] [N-2][W_2])2
0
0
0
Figure 5.8 Forme de la matrice A(i,j,k) en 3D
113
L'algorithme le mieux adapté pour résoudre ce système, est bien celui de THOMAS
à matrice tridiagonale. On prend uniquement les deux blocs A et C. de la matrice 2D [38].
f'.~-,
f'.~-,
f'.~
"
f'.~-,
,,~
-,
,,~
~
A c
Ainsi, on peut trouver les autres blocs gl ,g2, .. .... UI ,U2, .. . .. .
Et par récurrence, on peut trouver les blocs XW-2, XW-I, ..... X I.
Xl Ul
~ U2
Xl ~
~--+---4---~--~--~--~ *
X4 U4
X5 U5
X6 U6
1 1 1 111
U =-_ou = - _ ou
=--
Avec : p = 2 _ ( - + - + - )
~X 2 ~y 2 ~2 1 ~X 2 ' 2 ~y 2' 3 ~2
114
d'où l' algorithme de THOMAS :
YI=A-I.C
y2 . (A - C . y1 ri .C
~I = A-I.b l
~ 2 = (A - C . yJ-I .(b l - C.~J
~i = (A - C. Yi_Iyl.(b i - C.~i_l) pour i = 2: W - 2
X n =A
Pn pour i = W - 3 : -1 : 1
=
x 1. PI
A. - y ..x.
1 1+
1
Cet algorithme nous a conduit à l'élaboration d'une topologie basée sur un réseau par arbre
binaire pour trouver les gi et les Ui, et un réseau linéaire pour trouver les Xi.
115
YI ~1
....................
~2
...........................
YW-3· ~W-3
~W-2 = XW-2
• XW-l
Figure 5.9 Topologie appliquée (Arbre binaire + réseau linéaire)
5.6.2.2 Choix de l'architecture parallèle
Pour améliorer la vitesse des machines de calcul, on effectue simultanément en
parallèle, autant d'opérations qu'il est possible.
Il existe cependant plusieurs moyens de réaliser des opérations en parallèle. Nous devons
donc utiliser une méthode plus détaillée de classification des systèmes de traitement
parallèle.
116
Comme nous avons ici un seul programme qui roule sur tous les nœuds, mais les données
traitées sont différentes d'un nœud à l'autre, nous avons adopter l'architecture SPMD
(Même programme, plusieurs données) .
Calcul parallèle
Une instruction Une instruction Plusieurs instructions Plusieurs instructions

une donnée plusieurs données et une donnée et plusieurs données
Figure 5.10 Classification des systèmes de traitement parallèle
5.6.2.3 Évaluation des performances
Les multiprocesseurs sont des systèmes très complexes, comprenant plusieurs
processeurs, plusieurs modules - mémoire, des unités d'entrée / sortie et des réseaux
d' interconnexion. L'évaluation des performances d'un multiprocesseur est par conséquence
assez complexe. Le fait que le même système puisse résoudre de différentes façons diverses
classes de problèmes, complique largement l'évaluation. En effet, les différents problèmes
117
possèdent différentes potentialités de parallélisation et certains problèmes ne peuvent même
pas être parallélisés.
Définissons tout d' abord deux mesures pour évaluer les performances d' un
multiprocesseurs [69].
5.6.2.3.1 Performances
On définit l'accélération d'un multiprocesseur S comme le rapport entre le temps
d'exécution d'un programme sur un monoprocesseur et le temps d' exécution du même
programme sur le multiprocesseur : s = T séquentietfTparallèle
Dans le cas idéal, lorsque le programme peut être partitionné en n processus de même
temps d' exécution, on doit obtenir s = n. En pratique, la grande majorité des programmes
ne peut pas être subdivisée de cette façon, ce qui conduit donc à une surcharge. Il existe
habituellement une fraction f de toutes les opérations du programme qui doit être exécutée
en séquentiel, qui ne peut pas donc être parallèlisée. En conséquence, l' accélération
pratique s est toujours inférieure au nombre des processeurs n.
5.6.2.3.2 Efficacité
Dans certains cas, la fraction f des instructions séquentielles, est considérable. Dans ce cas,
certains processeurs peuvent être parfois inactifs. On définit alors l' efficacité ou
l'utilisation d'un multiprocesseur E comme le rapport entre l'accélération et le nombre de
processeurs n.
E = s/n= T séquentiel / n * T parallèle
Dans le cas idéal, si l' on peut avoir s = n, l'efficacité sera E = nln = 1.00.
118
Mais comme dans la pratique s < n, on a E < 1.
La conception et la gestion des opérations du multiprocesseur doivent s'efforcer d' obtenir
une valeur de E aussi proche de 1 que cela est possible.
5.6.2.4 Organigramme
k = k-l~-<
Display
Figure 5.11 Organigramme
119
5.6.2.5 Résultats de simulation
.--- - ~--------
14000
12000
-:.
0
10000
Q)
.:!. 8000
CI)
Q.
FD pentlum 200Mhz sec.
E
Q)
6000 • un lx .'q uen t/el sec .
""" o MPlpsrsll'/e nc.
4000
2000
0
8 12 16
Taille des m atrlees
Figure 5.12 Comparaison du temps de calcul entre les trois machines
6000
5000
4000 D Séquentiel
3000 • Parallèle
2000
D La différence
1000
o JA~--".
8*8*8 12*12*12 16*16*16 20*20*20
Figure 5.13 Comparaison du temps de calcul entre le code séquentiel et

parallèle
120
Performances Efficacité
Temps d'exécution de Temps d'exécution t , Sp
Maillage l'algorithme sur une de l'algorithme sur Sp = seq e p=-
machine séquentielle une machine tpar p
en (s) parallèle en (s)
8*8*8 2 1.40 1.43 0.36
12*12*12 56 44.58 1.25 0.31
16*16*16 595 483 1.23 0.30
20*20*20 4063 2933 1.39 0.35
Tableau 5.2 Comparaison au niveau : temps de calcul, performances et efficacité
1,5
iii Perfonnances
0,5
• Effic acité
o
Taille des Matrices
Figure 5.14 Performances et efficacité
121
120
110
100
90
BO
10
.....
10 .. . ... " . .. .
o 0
. . . . .. .. .. . . . . ..
Fig 5.15 Distribution de la température à l'intérieur de la structure
122
Conclusion générale et recommandations
L'évolution de l'électronique de puissance reste fortement liée à l'apparition sur le
marché de composants semi-conducteurs performants, pouvant contrôler des courants et
des tensions élevées, le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT), composant réalisant un
bon compromis entre état passant et dynamique de commutation, il est devenu
l'interrupteur le plus utilisé.
Les contraintes thermiques demeurent parmi les principales limitations des modules de
pUlssance.
Au niveau de la modélisation électrothermique, les logiciels qui occupent actuellement le
marché donnent une idée parfaite sur le comportement de ces composants que ce soit du
point de vue électrique ou thermique.
Par contre dans une analyse très détaillée et plus réaliste, le traitement nécessite beaucoup
de données et de simulation. et le facteur majeur, c'est le temps de simulation.
L'exemple qu'on a traité dans le chapitre V donne une idée parfaite sur l'analyse
électrothermique et montre que le temps de simulation augmente d'autant qu'on veut
augmenter la précision et raffiner le maillage. De là la précision (géométrie) et la
complexité (équations) du phénomène à étudier se trouvent confrontées à ce paramètre.
123
Par comparaison avec le traitement parallèle, on remarque une nette baisse du temp s de
simulation. Le tableau 5.2 illustre parfaitement cette comparaison. Ce temps peut être
amélioré en optimisant les algorithmes parallèles. Le choix s'étend entre plusieurs
architectures et topologies de construction d' un programme parallèle et avec une bonne
maîtrise du partage des tâches sur chaque nœud, on peut arriver à améliorer les
performances et l'efficacité, d' où il est évident que l' approche du traitement parallèle ouvre
des perspectives très larges dans l' avenir.
Les recommandations s' orientent au mveau de la recherche sur l' optimisation de
l' algorithme parallèle. En effectuant une parallélisation des opérations (distributions des
taches sur plusieurs processeurs) la plus uniforme possible, mais avec certaines précautions,
car dans certains cas le traitement séquentiel et beaucoup plus performant que le traitement
parallèle. Le principal inconvénient est le temps de communications entre processeurs. Ce
qui étend le choix entre plusieurs topologies selon l' équation à traiter. D'ailleurs on peut
combiner plusieurs équations différentielles pour donner une meilleure représentation au
niveau du comportement électrothermique d' un ou plusieurs composantes selon les
différentes couches et structures.
Ajouter à cela, une étude sur la disposition des composantes dans une carte à circuits
imprimés et la recherche d' une meilleure position de ces organes pour avoir le minimum de
pertes d' énergie et pour mieux évacuer la chaleur.
124
BIBLIOGRAPHIE
[1] A.R. Brown, A. Asenov,J.R. Barker, P. Waind, and D.E. Crees

« Calibration of the Numerical Simulation in the Design of Righ Temperature
IGBTs ». Departement of Electronics and Electrical Enginnering. University
of Glasgow. Scotland, UK. 08/1997.

«The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)). Departement of Electronics
and Electrical Enginnering. University of Glasgow. Scotland, UK. 08/1997.

«Numerical Simulation of IGBTs Elevated Temperatures» Departement of
Electronics and Electrical Enginnering. University of Glasgow. Scotland, UK.
08/1997.
[4] Marion E. Rines «Dynamic Temperature rise in periodically heated

heterogeneous structures». DYNATEMP. Rines Consulating Services.
Mastons Mills. Boston.
[5] NISA II. «User's Manual ». EMRe. Michigan. 1994
[6] Jacques Arnould. Pierre Merle. «Dispositifs de l'électronique de

puissance ». V2 . 1994.
[7] International Rectifier. «IGBT Designer's Manual». California.1994.
[8] Ahmed Lakhsasi «Note de courS». GEl 6030. Conception assistée par
ordinateur en électrothermie industrielle. Avril 1997. UQTR.CRSNG.
[9] R. Alan Mantooth, Allen R Refner, «Electrothermal Simulation of an

IGBT PWM Inverter», IEEE Trans, Power Electron, Vol 12, p. 474, May
1997.
125
[10] Allen R. Refner, David L. Blackburn «Thermal Component Models for
Electrothermal Network Simulation », IEEE Trans Power, vol 17, p 413,
September 1994.
[11] Allen R. Refner, « Modeling Buffer Layer IGBT's for Circuit

Simulation», IEEE Trans Power, vol 10, p111, March 1995.
[12] Allen R. Refner, «A Dynamic Electro-Thermal Model for ther IGBT »,

IEEE Trans Power, vol 30, p30, March/April1994.
[13] Allen R, Refner, « An Experimentally Verified IGBT Model

Implemented in the Saber Circuit Simulator », IEEE Trans Power, vol 9, p532,
September 1994.
[14] J.T.Rsu, L. Vu-Quoc, « A Rational Formulation of Thermal Circuit

Models by Finite Element Method and Model Reduction Techniques for
Electo-Thermal Simulation », University of Florida, FL 32611, USA.March
1994.
[15] F. KREITR, « Transmission de la chaleur et thermodynamique »,

MASSON 1967.
[16] Jacques. J. Garceau, « Cours phénomènes d'échanges Ing-1013 »,

septembre 1996.UQTR
[17] Gordon N. Ellison, « Thermal Computations For Electronic Equipment »,
126
VNR. NY,1984.
[18] J.P. Holman, «Heat transfert », seven edition, McGraw-HillI990.
[19] A.PEREZ-MAS, J.M.FOUCHET, «Électronique Pratique», 1ère édition

BORDAS,1984.
[20] R. Anholt, «Electrical and Thermal Characterization of MESFETs,

HEMTs, and HBTs », Artech house, 1995.
[21] D .H. Bacon, « Basic Thermodynamics and heat transfert»,

Butterworths, 1983.
[22] R. D. Langman, « Worked Examples III Electroheat »,

ASTON/CAMBRIDGE 1987.
[23] BÉLAÏD f, « Étude Théorique et Expérimentale des Phénomènes

Thermiques dans un Convertisseur Électronique de Puissance », Mémoire Ms
Sciences en Electronique Indust, Septembre 1990.
[24] A. NAPIERALSKI, S. TOUNSI, J.M. DORKEL, Ph. LETURCQ,

«Developing a true 3D transient thermal model for power components or
hybrid power circuits », EPE MADEP, pp. 0.104-0.109, Firenze, September
1991.
127
[25] J.M. DORKEL, a. NAPIERALSKl, Ph, LETURCQ,J.J.SIMON, R.
PICAULT, «La méthode des coefficients d'influence: son application à
l'identification des paramètres thermiques d' une technologie d' assemblage
hybride », 3ème colloque sur la thermique, l'Energie et l'Environnement,
Perros-Guirec, Trégastel, Juin 1989.
[26] S. RAËL,« Méthodologie de conception des modules de puissance:

étude électrothermique de l'association parallèle», Thèse doctorat, INP de
Grenoble, Mai 1996
[27] A. AMMOUS. S. GHEDIRA. B. ALLARD. H. MOREL « Estimation du

risque de destruction de l'IGBT par modélisation électrothermique »,
CEGELY-ECP~ 17
ème
Journée tunisiennes d' électronique et automatique, 5
et 6 Novembre 1997 . Nabeul-Tunisie.
[28] A. Ammous, S. Ghedira, BAllard and H. Morel «Choosing a thermal

model for electrothermal simulation of power semiconductor devices».
CEGEL Y-INSA-Lyon,
[29] SCHAEFFER, J-P. FERRIEUX, L. PIERRET. « The steady state

thermal behaviour of an IGBT module : 2D-FEM. Simulation ans influence os
materials thermal conductivity and power injection mode ». EPE Journal,
vo1.1, nol , pp.33-44,December 1992.
128
[30] Anis Ammous, B. ALLARD, H. MOREL «Transcient temperature
measurements and modeling of IGBT' s under short circuit». IEEE, trans on
power electronics, vol 13. Nol, January 1998.
[31] C. Gillot, L. Meysenc, C. Schaeffer, A. Bicard. «Intefrated single and

two-phase micro heat sinks under IGBT CHIPS ». IEEE, Annual Meeting,
New Orleans, Louisana, Octobre 5-9, 1997.
[32] Ch. ZARDINI, F. RODES, G. DUCHAMP, «Simulations thermiques

d'un assemblage hybride de pUIssance. Régimes stationnaire et
instationnaire », Journées GRECO, Clamart, Avril 1988.
[33] J.M. DORKEL, A. NAPIERALSKI, Ph. LETURCQ, E. MONRANI, R.

PICAULT, J.J.SIMON,« Conception thermique d'un commutateur hybride
de puissance », EPF'90, pp. 109-114, Toulouse, Octobre, 1990.
[34] J.M. DORKEL, A. NAPIERALSKI, Ph. LETURCQ, S..TOUNSI, «Aide

à la conception thermique d'un module interrupteur de puissance à transistors
MOS. Mesure des coefficients d'influence thermique », Rapport LAAS
no9007 5, Toulouse, Mars 1990.
[35] Ch. ZARDINI, E. WOIRGARD, H. HUILLE T, «Simulation thermique

des assemblages hybrides de puissance », Journées GRECO CNRS, Bordeaux,
Mai 1989.
129
[36] E.FARJAH, J.L. SCHANEN, J.P. FERRIEUX, « Power MOSFET
modelling based on its behaviour», IEEE-IMAC-TC1 '93, pp.461-466,
Montreal, July 1994.
[37] P. LASCAUX. R. THÉODOR « Analyse numérique matricielle

appliquée a l'art de l'ingénieur». Tome 1 et 2. MASSON. 1987
[38] A. GOURDIN. M. BOUMAHRAT « Méthodes numériques appliquées».

TD-Lavoisier second édition 1989.
[39] SGC-THOMSON, « Schttky and rectifier diodes databook», 2ème

Edition, 1994.
[40] P.DUPUY, K.BELLIL,P.TOUNSI,J-M.DORKELL «Thennal and

electrothennal simulation of intefrated power circuits using SMODTHERM
software ». 3rd THERMINIC Workshop. 21-23 sept 1997. Cannes.
[41] Pawelski.W, Napieralski.A, Grecki.M «The IGBT circuit-oriented

isothennic model ». 3rd THERMINIC Workshop. 21-23 sept 1997. Cannes.
[42] « Device simulation of a Trench-IGBT with integrated diverter

structures ». SIL VACO, Inc. V6. N#12, Dec 1995.
[43] Omar Elmazria, J-P-Charles and B.Lepley « Simulation of irradiation

effects in IGBT with ATLAS». Suplec. Université de Metz. SILVACO int.
V6 n#2 . Fev 1995.
[44] « Simulation of Latch-up in an n-channel IGBT». SILVANO, Int. v7,

n#4, avril 1996.
[45] Jean-Marie PETER « Protection des IGBT contre les courts-circuits».

RGF, n#2. Fev 1994.
130
[46] H.KOBEISSI « Analyse et simulation des dispositifs semiconducteurs par
des méthodes fmies ». Dépt de Génie électrique. Université de Montréal. Ecôle
polytechnique. Juillet 1993.
[47] F.CALMON « Participation à l'étude du comportement électrothermique

des IGBT ». Thèse Doctorat. I.N.S.A.L, Lyon. Juillet 1995 .
[48] D.BENADDA, F.V ANDEVILLE « Electronique : Problèmes d'examens

corrigés et commentés ». Electronique de puissance. Haceurs et Onduleurs.
Eyrolles. 1987.
[49] A.BA-RAZZOUK «Conception d'un système de commande et

d'alimentation de moteurs à courant continu ». Rapport de recherche. UQTR
Hiver.1996.
[50] A.MEFTAH «Réalisation d'un onduleur triphasé commandé par

modulation de largeur d'impulsion ». Rapport de stage. UQTR, Janvier 1995.
[51] F.LABRIQUE, G.SEGUIER «Les convertisseurs de l'électronique de

puissance ». Tome 4. La conversion continu-alternatif. Technique et
documentation. Lavoisier .1989.
[52] Malay.TRIVEDI, Krishna SHENAI «Critical evaluation of IGBT

performance in zero CUITent switchnig environment ». Syst on silicon research
center. Depart of Elect Eng and compt Science. Univ of illinois of Chicago.
1997.
[53] J.SIGG, P. TÜRKES, R.KRAUS « Parameter extraction methodology and

validation for an electro-thermal physics-based NPT IGBT Model ». IEEE. Ind
App. Society. Annual meeting. New-orleons, Louisiana, Oct 5-9. 1997.
[54] S.AZZOPARDI, J-M-THEBAUD, J-M-VINASSA et C.ZARDINI

«Thermal resistance influence of a power hybrid assembly of the internaI
physical and electrical behaviour of the IGBT ». 4ème Int Workshop. Polznan.
Poland 12-14 June 1997.
131
[55] K.GAUEN « New Models and techniques analyse power transistor and its
thermal environment ». MOTOROLA Inc, Kokmo, Indiana, PCIM. August
1996.
[56] Mohan undeland ROBBINS « Power electronics converters applications

and design ».2nd Edition. wILEY. 1995.
[57] « APLAC User's Manual ». Nokia research center. Finland 1997.
[58] A.ELASSER, V. PARTHASARATHY, and D.A.TORREY « A Stydy of

the internaI device dynamics of Punch-Through and Nonpunch-Through
IGBT's under Zero-Current-Switching ». IEEE. Trans on Power Elect. Vol 12.
No. 1. January 1997.
[59] A.R.BROWN, A.Asnenov, J.R.BARKER « Development of a parallel 3D

finite element power semiconductor device simulator». Depart of Electronics
and Electrical Enginnering. University of Glasgow. Scotland. UK. August
1997.
[60] A.R.BROWN, A.Asnenov, J.R.BARKER « Topologically rectangular

finite element grids in the parallel simulation of semiconductor devices».
Depart of Electronics and Electrical Enginnering. University of Glasgow.
Scotland. UK. August 1997
[61] A.R.BROWN, A.Asnenov, J.R.BARKER « Partitioning of topologically

rectangular fmite element grids». Depart of Electronics and Electrical
Enginnering. University of Glasgow. Scotland. UK. August 1997.
[62] A.R.BROWN, A.Asnenov, J.R.BARKER « Scalable parallel 3D finite

element nonlinear Poisson solver». Depart of Electronics and Electrical
Enginnering. University of Glasgow. Scotland. UK. 16 August 1994.
[63] NISAII « User's Manual ». EMRC. Michigan. 1994.
[64] « SABER User's Guide ». ANALOGY, Inc. 1987-93.
[65] « Semikron International ». innovation + service. Partner for Power

Electronics. 1997-98.
132
[66] Adam Skorek «A paraUel approach for electrothennal analysis of power
electronics devices ». InterPACK' 97, june 15-19, 1997 . Island ofHawai' i.
[67] » A VX series 2 ParaUel computer system, Training session ». Alex III
[68] » MPI Primer Developing With LAM ». Ohio Supercomputer, Nov 1996.
[69] D. TABAK. « Les multiprocesseurs» Masson 1992.
[70] Peter S. Pacheco « Parallel Programming with MPI », Morgan Kaufmann

Pub li shers , Inc 1997.
[71] M. Snir, J. Dongarra «MPI The complete reference », The MIT Press,
Massachusetts Institute ofTechnology. 1996.
[72] J.P.NOUGIER« Méthodes de calcul numérique ». Paris.

MASSON. 1983 .
[73] C.NOWAKOWSKI «Méthodes de calcul numérique ». Tome 2.

Programmes en Basic et en Pascal. P.S.!. 1983.
[74] G.DHATT, G.TOUZOT « Une présentation de la méthode des éléments

finis ». Édition PARIS .
133
ANNEXEI
~ Simulation électrothermique sur SABER d'un

onduleur monophasé avec charge RL (Signaux):
d'attaque, courant, tension, température.
~ Simulation électrothermique d'un IGBT sur NISA.
~ Programme sur Matlab pour tracer 1 = f (T), sans et

avec T.
~ Programme sur Matlab (dfdla.m) pour la

discrétisation de l'équation de la chaleur en ID,
distribution de la température.
~ Résultats de simulation sur Matlab pour la

résolution de l'équation de POISSON en 3D
l34
(1 >a "flO" ~
(1)11"4=11-
(1 n:a.?_... ILtn? ~
t
~
(1)c; lk2_burLjn 1
(1)C: lk_andJ_in2
~ I-n
(1klk buF2 ln
(l)gld_andJ_out --U-~~
~
(1 >g2d_buF Lout
(1)vJd and1 ouL n r-
(1 >e'1d_buf:Cout. l
W1 n
~
(1 )w III+:1 --U-~~
(1)oue3 Il 1
~
t.C",) ù 7n 8n 'Jn 10n
Fig 4.19 . Analyse des séquences pendant 10 ms
(lklk2 bufl Jn
(l)c: Ik_and.Lin2
(Ue 1tJlUF2-l1l
(1)e-ld andl auL
(l)vllIlJlul'Laut
(1 >M:l.C... j1-,.~
(l>t1:04.U""~Laul
(l)QUU
(1 >0.",:1
o
.... 20ft 100" 120n
Fig 4.20 . Analyse des séquences pendant 200ms

l<\On l.6OrI tao..
...
cv, ..,
~~========================~--------'
' .5
l.'
..
11
.. s
--••
- '"
-- a. .. .. .. .. .. . .
Fig 4.21. Tension appliquée à la gâchette de i'IGBT4
,.
•.5,-_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _-,
,g' ~'~~~~~~~~
...oa. Ji...
('I,n.,.)
...
lJ
II
--
.... )II ...
Fig 4.22. Tension appliquée

1 tü)
,., U
Il
l.' !
...
7
•
r ,~
.-1 ,,.
-,+----
. ..- -- --- - - - - -_..
~+-~---~----~--~~~----r-~ ~ _.~
..• ..
-\
\
__ u_
JIIt ~ .. .. .. ,. .. ... .Ir. ,,'-)
(9) I\(I)
M l tg) -.L.
Fig 4.23. Tension appliquée à la gâchette de l'IGBT2 Fig 4.24. Signal de commande clk2 avec VG3
135
(v. (10,
~T
i -----------------------~------------
::~l~- - - - -n-I ---, _
,... ~
J
J.' 1 !
~~
-~
- ~
l5CM ~
JeIDII -I !
15IM ~ i
:
n , ,,
:fl 1 1 """"
Iso. 4
' !
-. J i 1
o ! _ ~
1 •
0"-'
~ ~--.---.-------r- __---.--~---'---c--~ ~ +i-------,--~--,---~--_--.---------~
o 111 b. ]II .. SR: .. 7w .. ... 10. U.)
o ~ ~ ~ ~ '" ~
(V) . Ua) ---. QU'lb) 7 _
Fig 4.25 . Signal de commande qui attaque l'IGBTl Fig 4.26 . Courant du collecteur de l'IGBTl
(v,
un
~~------------------------------------~ n.5 ~.--------------------------------------.
iCICIR ~
-. J
..
..... J
eo.. ~
~~
~ .
i
j. - . :
i1
- -i 1
i
=~
1
_
.-~
~
I .... ..
. - -.----'------"-"'------'--~.
0_ ;...-- ----"-- ---1
~
~----.---.---~------,---,---.-----------~
~ +_--._--.---._-.---.--_.--_r--_r--_r--~ o 2DPt ... ... lIOJt U. 1:2'OR t40lt 1""" 1"" :l'DGINI u .>
o la 2'R lfII .... ~ '" 7. .. .. ,lit Lw) (V.:lla) ~
an zlU) _ (1)1,*,". "",,,, ._
Fig 4.27 . Courant dans le colecteur de l'IGBT4 Fig 4.28 . Vgaœet1e de l'IGBT2
--al)
!
(V)
ft
111)
- -1
i l'JO
'1
,
~ <!GO
1 1
1 1 1 I!IO l 1 1
1
!
1 IGO
1
-- l
~
!IO
1
--
~
0
1
(Jn : t(a.)
... 210 )0
=
...
'" 1\0
Fig 4.29 . Courant igl
500 . . .10 u.) -" O.
(V) : l(a)
1
1
2QR
-- .... ....
Fig 4.30 . Vgaœet1e de l'IGBTI

ao.. 1.. 12'01t 1'" 1.0.. laD.. 200ft l(
..,
1.
:=,~ 1\ r
\ A ~\ l' A I A A
l
:1' !\ !~/ 1/ 1\ 1\ ! \ 1\ 1l,
1\
r
\
.. .
"l.
-4.
.. . .
~I Vi1
1 .1
. ,!
I
•i
l
I ~! ~: ~I
;
! 1
;
/
I
f
/ 1 \ .1 \ 1i !\ 1 :\
i i
V V
\ \
J
:
... --.----,---:r---------,---.,...-------~
o
(\11' 1'-'-)
,.....
__
.. tœ. 1. .... ... 1.. ,.. tfs)
Fig 4.31 . Signal de contrôle
136
(C)
52.5 ~---------------------------,
50 ~
47.5 -l
45 . 1
42.5 ~
4O -J
37.5
32.5
J
35 J
3O ~
,
-i
27.5 ..L ~
: _.;;;;0....._ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _- '
J... ...
~ +I--r_-._-_.-_,r_-._-_r--.--._-,,-~
ci 7,.
(c) :t(a) 'P" (l)tJ4
Fig 4.32 . Température de jonction au niveau de l' IGBT3 et 4 sur lOms
(C)
~------------------------,
55-
~---~-~-_,r_----~-~-_,--_-~-~
o ~ ~ ~ ~ ~ ~ H~ ~ ~ tW
(C) : Hs) 'U" (1)tj3 (l)lJ4
Fig 4.33 . Température de jonction au niveau de l'IGBT2,3 et 4 sur 200ms
a;)
n~----------------~
l2
li
211
27
a+--r-~--r-,,-_-r_~-_r--~
o ~ ~ ~ _ ~ ~ ~ ~ ~ ~t~
CC) : Ua) __ mUof .

Fig 4.34. Température au niveau de la boîtier de l'IGBT3 et 4 durant 10 ms
(t'> l U S ) _ _ (UU12 (l)thJ ~
Fig 4.35 . Température au niveau de la boîtier de chaque IGBT durant 200ms
137
(C>
ll.5""'!".- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ,
ll ~
lO.5 -l
lO ...l
29.5 ~
29 ~
28.5 ~
2B -l
n;~J-----~~~~~~~~~~~~~~============~
~.5~1--._--_,----r_--_r----r_--._--_.----._--_,--~
cl 2»0 loo 4ft 501 ... 7,. .. .... Ha)
(1)t.a217 _UIrrt.4<'.....
(C> :~(a>
~. m~;-4liioii1i14"" -- ·
mtîi24 UJW'iï .47iiDiIïO (i) tii24f_ thrft. 47riDd!ii
Fig 4.36.Distribution de la température sur quelques nœuds du boîtier T0247 de l'IGBT4

(C)
~.5 ~----------------------------------~-----------------_,
12 Ji
:H . 5 ~
31 ~
30.5 ~
v~~------------------------------------~
26.5 J
1
les)
(t) :l(s) (1)~7 _ lherft.lInode2
(1 )La2.. 7 _ l.~ .1/n0de<4
_Ehef'". (1)E02'47 V~·
Fig 4.37.Distribution de la température sur quelques nœuds du boîtier T0247 de l'IGBTI
(c>
~~,-------------------------------------------------------.
28.8 J
28.6 ~
28.4 ~1
28.1
1
28
1
27.8 ~
27.6 ~
27.4 1
27.2
27 J".,~~:::=
4 1(,()n
(C) :Hs) rlIlllrPl""f'im_ ml.
nnct
~Cl~)~~------------
<l)lc2
n(I~)fr~4-------------
Fig 4.38 . Température du radiateur TTC 1406 sur les quatre IGBT durant 200 ms avec t. = 27°C
138
Simulation SABER
Listing: (Spécifications) _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __
Composants électriques :
v.vaa vaa 0 = 300
LH vaa vr = 80u
r.rI vr va = 30
r.rg vgg vg = 10
pulsgen. 1 vgg 0 = 20
Model Éleetro-thermique d'un IGBT :
Igbt_therm.l va vg 0 tj =tauhl_l=1.6, kp=1.5
Composants thermiques :
Chip_therm.l tj th = thick=0.05, a_chip=O.1

T 024 7 therm. 1 th tc = a_chip=O.l, ychedm=0.2
Tte 1406 therm. 1 te ta = a heat=O.4
Ua ta 0 = 300
139
ANALYSIS = THEAT
SOLV = FRON
FILE = igbt47
SAVE=26 , 34, 39
INITIAL = 405.0
STEP = 0
*TITLE
igbt1
*ELTYPE
1, 102, 1
*NODES
1, , , , O.OOOOOE+OO, O.OOOOOE+OO, O.OOOOOE+OO,
2, , , , 4.16667E+OO,
3, , , , 8.33333E+OO,
O.OOOOOE+OO, O.OOOOOE+OO, °°
O.OOOOOE+OO, O.OOOOOE+OO,
4, , , , 1.25000E+01,
5, , , , O.OOOOOE+OO,
O.OOOOOE+OO,
8.33333E-01,
O.OOOOOE+OO,
O.OOOOOE+OO, °°°
4.16667E+OO, 2.83333E+01, O.OOOOOE+OO,

234""
235"" 8.33333E+OO,
O.OOOOOE+OO,
2.83333E+01,
3.00000E+01,
O.OOOOOE+OO,
O.OOOOOE+OO,
°°
°°°
237""
238"" 4.16667E+OO, 3.00000E+01, O.OOOOOE+OO,
239"" 8.33333E+OO, 3.00000E+01, O.OOOOOE+OO,
* ELEMENTS
1, l, l, l,
1,
2,
2,
l,
6,
1,
5,
1,
°
2,
3,
3,
1,
7,
l,
6,
l,
°
3, 4, 8, 7, °
234, 235, 239, 238,

135, 5, l, l,
235,
* MAT HEAT
217, 221, 239, °
DENS, 1,0, 0, . 532E-11, , , ,,0
KXX , 1,0, 0,.32E-04"",0
KYY , 1,0, 0,.32E-04"",0
KZZ , 1,0, 0, . 32E-04"" ,0
C 1,0, 0,.36"",0
DENS, 2,0, 0,.532E-11"",0
KXX ,
KYY ,
2, 0,
2,0,
°°
0, . 32E-04, , , , ,
0, . 32E-04, , , , ,
KZZ , 2,0, 0,.32E-04"",0
C 2,0, 0,.36"",0
DENS, 3,0, 0, . 532E-11, , , ,,0
KXX , 3,0, °
0, . 32E-04, , , , ,
KYY ,
KZZ ,
3,0,
3,0,
0, .32E-04"", °°
0, . 32E-04, , , , ,
c 3,0, 0,.36"",0
DENS, 4,0, 0,.532E-12",.,,0
140
KXX
KYY ,
, 4,0,
4,0,
0,. 32E-04"",
0,.32E-04"",0
°
KZZ , 4,0, 0,.32E-04"",0
C 4,0, 0,.36"",0
DENS, 5, 0, 0, .532E-11"",0
°°°
KXX , 5, 0, 0, .32E-04"",
KYY , 5,0, 0, . 32E-04, , , , ,
KZZ , 5,0, 0, . 32E-04, , , , ,
C 5,0, 0,.36"",0
*TIMEAMP
1,5,0
. 0 , .0,10.0,1.0,30.0,1.0,40.0,.0
100.0,.0
*HEATCNTL, ID= 1
l,l,l, .001
*TIMEINTEG
0.5,1.0,100.0,1.0,0.0, .5,5
*ELHEATGEN
** ELHEATGEN SET = 1
124,3.30000E-05", 1
125, 3.30000E-05", 1
126, 3. 30000E-05, , , 1
*CONVBC
** CONVBC SET = 1
1",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
2",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
3",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
10",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
Il,,,1,-1,
.700E+OO, .405E+03
12",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
19",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
20",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
21",1,-1,
.700E+OO, .405E+03
*STEPSIZE
1.0,1.0,1.0,1.0,1.0,1.0,1.0,1.0
1.0,1.0,4.0,4.0,4.0,4.0,4.0,1.0
1.0,1.0,1.0,1.0,1.0,1.0,1.0,1.0
°
1. 0, 6. 0, 6. 0, 6. 0, 6. 0, 6. 0, 6. 0, 6.
6.0,6.0,6.0
*TEMPHISTORY
10,19,31,79,119,123,127,199,203,219,223
*TEMPOUT
.0,10.0,1.0
10.0,30.0,4.0
30.0,40.0,1.0
40.0,100.0,6.0
* EN DDATA
141
0/0 Caractéristique Courant-Tension, et droite de charge
clear
k= 1.380662* 1e-23 ;
q= 1.6021892* le-19;
iso= le-9·,
teta= 1.9;
tp=298;
vcc=12 ,·
r=5 ,·
i=O ,·
for v=.5: .01 :1.1;

i=i+ 1;
id=iso*(2/\((tp-298)/l 0))*(exp(v*q/(teta*k*tp ))-1);
idi(i)=id;
is=( vcc-v)/r;
isi(i)=is;
end
v=.5 :.01: 1.1 ;

plot( v,idi, Ir',v,~i, 'b');grid
ho Id on
for v= l.1:-.00001: 1;
id=iso*(2/\«(tp-298)/1 0))*(exp(v*q/(teta*k*tp ))-1);
is=( vcc-v)/r;
if abs( is-id) < 1e-4
plot(v,is,'mo')
else
end
end
hold off
142
% Caractéristiques Courant-Tension avec influence de la température
c1ear
k= I.380662*le-23;
q= 1.6021892* le-19;
iso=le-9·,
teta=1.9;
vcc=12 ,·
r=5 ,·
j=O;
for tp=298 : 10:398;
i=O·,
j=j+ 1;
for v=.5 :.01:1.1 ;
i=i+ 1·,
id=iso* (2/\((tp-298)/1 0»*(exp(v*q/(teta*k*tp»-1);
idi(j,i)=id;
is=(vcc-v)/r;
isi(i)=is;
end
end
v=.5: .01:1.1 ;
plot(v,idi);grid
axis([0.5 LI 0 5])
zoom
143
dfdla.m
cl ear
~ Discrétisat i on de l'équation de la chaleur en ID
L= 5 5 0 *le-4;
S=1 0* le- 2 ;
c= 1 .6 3 ;
r o=l ;
KO= 1.5486;
p= 3 000;
a = O. 6 ;
Ta=27+273;
M=input('Donner le nombre de points à discrétiser selon x = ');
N=input('Donner le nombre de points à discrétiser selon t > 3.x = '
) ;
Tf= input('Donner le temps final pour estimé la température à la fi
n du canal en us= ');Tf=Tf*le-6;
% c alcul du pas selon x et t

dx=L/(M-l);dt=Tf/(N-l);
u=dt/(S*ro*c*dx) ;
% calcul de la durée d'impulsion

tfer=round(a*(N-l)) ;
% Les conditions aux limites

for i=l :M.1.
T (i, 1) =Ta;
end;
for j =l:N
T(M,j)=Ta;
end;
~ Calcul de r(i,l) selon les conditions aux limites

for i=l:M-l;
k(i, l)=KO* (3001 ((T(i+l, l)+T(i, 1)) 12)) /\ (4/3);
Rth(i,l)=dx/(S*k(i,l)) ;
r(i,l)=u/Rth(i,l);
l(i,l)=dx/(S*k(i,l));
e nd
for j=l:N
if j <= tfer
P(j)=p;
else
P(j)=O;
end
144
dfdla.m
end
if r <= 0 .5
d isp ('Le procédé est stable: Ok pour le calcul ... ');
e l se
disp('Le procédé ne peur être appliqué, le calcul est inst
abl e . refaire le maillage');
stop
e nd
~ Évolution du système, schéma explicite car en calcul T (i,j)

~ à partir des valeurs précédentes T(i,j-l)
f o r j=2:N
for i=2:M-l
T(i,j)=r(i-l,j-l)*T(i-l,j-l)+(l-r(i-l,j-l)-r(i,j-l
) )* T(i,j-l)+r(i,j-l)*T(i+l,j-l);
end
k (i, j) =KO* (300/ ( (T (i+l, j) +T (i, j) ) /2) )" (4/3) ;
Rth(i,j)=dx/(S*k(i,j)) ;
r(i,j)=u/Rth(i,j) ;
l(i,j)=dx/(S*k(i,j)) ;
T (1 , j ) =T (2 , j ) + l cL j ) * P ( j ) ;
end
~ Affichage des résultats

for j=l:N;
t(j)=j*dt;
end
for i=l :M;
x(i)=(i-l)*dx;
end
figure (1)
plot(t*le6,T(1, :), Ir') ;grid;zoom
axis([O Tf*le6 Ta Ta+160])
title ('Réponse de la température To par la méthode des différence
s finies')
xlabel(['t [us] ' , ' M = ',num2str(M), ' noeuds / x',' N =
',num2str(N),' noeuds / t'])
ylabel ( 'To [K]')
figure(2)
plot(t*le6,P/lOOO, 'b');grid;zoom
axis([O Tf*le6 0 p/1000])
title ('Réponse d' 'une impulsion de puissance dissipée Pl)
145
dfdla.m
x l ab el ( 't [ us) , )
y label (' P [kW ) ' )
f i gure(3)
for e=lO:lO:Tf*le6
ho l d on
plot (x*le4, T (:, e), 'r') ;grid; zoom
end
axis([O L*le4 Ta Ta+120])
title ('Distribution de la température')
xlabel ( 'x [um ) ')
y l ab el ( 'T [ K] , )
Note: On peut ajouter dans l'affichage (plot) : le tenne k( :,e),'g'
146
Exemple d'application de la résolution de l'équation de Poisson
» dfd2
Donner la distance DX 30
Donner la distance DY 70
Donner le nOllIbre de points selon DX 10
Donner le nOllIbre de points selon DY 6
Donner la valeur de la telllpérature le long de la frontière basse 20
Donner la yaleur de la telllpérature le long de la frontière haute 20
. Donner la valeur de la telllpérature le long de la frontière droite 20
Donner la valeur de la telllpérature le long de la frontière gauche 0

************************************************
* Uoulez-vous illlposé la chaleur : *
* 1. A un noeud ? *
* 2. Dans un ense~le des noeuds ? *
* 3. Dans tous les noeuds internes ? *
************************************************
Entrez uotre choix : 3

Donner la quantité de chaleur à illlposé sur l'ensellIble des noeuds internes 0
dilll
32
20.0000 o o ft o 2U.ODUI
20.0000 4.1675 2.6394 2.6394 4.U675 20.0UOU
20.0000 7.3129 5.1978 5.1978 7.3129 20.000U
20.0000 9.9588 7.6363 7.6363 9.9588 20.0011
20.0000 12.1673 9.9Ji32 9.9432 12.1673 21.0011
20.0000 14.0577 12.1240 12.1241 1".1577 21.0011
20.0000 15.7211 14.1951 1".1951 15.7210 21.0010
20.0000 17.2281 16.1798 16.1798 17.2281 21.0000
20.0000 18.6376 18.1050 18.1151 18.6376 20.001'
20.0000 20.0001 21.1110 21.101. 26.UDOO 20.6011
147
..,.
-
00
M=IO;
N=IO ;
Ox=lU; 110
Oy=IO; : ;
FH= )OO; FH-IOO; FD~50; FG=5U; 100

10r '- -~ ---: ~
_ -~--_- _ _ __
90
80
70
.';'5 ~ 1
60
50
10
"--.'........
10
;'>--,~-._,- -, ~-~------:
1 • .....I.-~ -
1 234 " ' __ -----.----- 5
0 "' 0
100 1 !;
140 , 1
....
90 120
80 100
70 80
60
60
40
50
10 20
10
'. ----10
5 -.
----
~-
"- 5 5 --,. .--- 5

~' .., ..- -,..-.
o-·~ O 0 '0
-
0'\
..".
100 r· 100
p \ 't, ~
90 1., .·. . 90
j
li l, \. •
..:.:.....:..,
.'
80 1; i - .. 80
70 : !
i
-'~-\\~.(~ . .
70
1 • .. >' 1 :".
j :i
, 1
60 . . . ,. r;..r.l:tj.L\\· . ' .
" / .L-I-"" °.l.- - ' '"
60
50 1.. , . \ . .;; \ \ \ '.\' \ '.
50
20 \ \,' ·\V\,\\ 20
10 ~ Il\\~S'S\~
-.......,y...J- ~
~O 15
20
o 0 5
20
ox=20 18
oy =20 16
M=20 14 .,,o".·,"'U ,j'1~.1
N=20
FB = 50 oC
FH = 50 oC
FD = 100 oC
FO = 100 oC
1/,.t>48if-J~-==-";'- 7~·o--i~
q =0
i /
'.Y-.>::.~r.~ .
~~ ~ -- '--_~ ' - :_ ~l ." ., i
..
. ~~ 95. 1
.9
2 4 6 8 '1 012 14 16 18
Donner la distance OX = 10 140
Donner la distance OV = 10 120
Donner le nombre de points selon OX ~ 10
Donner le nombre de points selon OV = 14 100
Donner la valeur de la température le long de la frontière basse = 100 80
Donner la valeur de la température le long de la frontière haute = 100 60
Donner la valeur de la température le long de la frontière droite = 50
Donner la valeur de la température le long de la frontière gauche = 50 19
••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
• Voulez-vous imposé la chaleur : •
• 1. A un noeud? •
• 2. Dans un ensemble des noeuds? •
• 3. Dans tous les noeuds internes ? •
••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
Entrez votre choix : 2 14
Voulez-vous :
1 . Choisir un ensemble de points
2 . Choisir des points séparée
Faite votre choix :2 .5
donner le nombre de points : 3
Donner le nwnéro du noeud selon x .., 3
Donner le numéro du noeud selon y = 4
Donner la quantité de chaleur à imposé sur ce noeud = 100
Donner le numéro du noeud selon x = 9
Donner le numéro du noeud selon x = 6
La dimension de la matrice est :96·96
temps de calcul = 60.8500
-
VI
o
2 3 4 5 6 7 8 9
Résolution de l'Équation de Poisson en 3D : Exemple d'application
I\J W (J'1 ID -...j CD
m
1
1 1 1 1 1 1 N
y
j ..
~/
:x: \
\ .:
~\
x·
~\
},
ID \.
\ ......•. ...................... / ......•........ •..........

m :><
a a a a a a(J'1
a a I\J
(J'1 (J'1 (J'1
151
ANNEXE II
~ Fiche technique: HARRIS Semi-conductor IGBT.
~ Models CJ and CH (Metal film resistors).
~ International Rectifier IGBT, modèle:

IRGPH50MD2.
~ Wakefield Engineering (les radiateurs).
152
Harris Semiconductor
- ---
--
-50s
=--= -
-
-- -
====--
-
=--
== == == =
-=- = ;&
No. AN9320 June 1993 Harris Power

PARALLEL OPERATION OF
SEMICONDUCTOR SWITCHES
Sebald R. Kom, Consulting Applications Engineer
ln uninterruptable power supplies demands !or current han- AI first glance, each switching device has only two functional
dling capability to meel Ioad current requiremenll plus mar· states, an "off· stal8" and an "on-state". But by cIoser exam~
gins for overload and reliability purposes olten exceed the nation, we ha... to consider how Mt gel !rom "off" to "on" and
capability 01 the largest semiconductor device type consid- back to "off", the "dynamic" ar.. of the switching W8\/81orm
ered and paralleling may become an attractiYe alternative. (F'tgUre 1). The dynamic .... is only • fraction of the total
Ali switching power semiconductors Sllrting with SCR's (1), W8Y8Iorm, but il is by lat the most important wh." il comes
bipolar transistors [2"') darlingtons (5) and field eflect tran- to perallel operation.
sistors [6-10), ha... been successlully paralleled, but proper
ln power electronics. thera ara three difterent Ioad types;
precaution had to be taken. We wiU review sorne of these
resistiY8, cepecitiYa, and inducti.... The resulting W8\/8lorms
methocts, describe the characteristics 01 the insulated gate
are sufficiently difterent to requira either diftarant switching
transistors, and &how the proper melhods ID operate thia rel-
atiYely MW family of deviœs in parallet.
deYices or the circuit designer may haw to change the
switching circuit to meet the differ8nt requirements, aspe-
Ali semiconductor circuits using parallel conneded deYices cially when deYices are operated in perallel
to switch • higher Ioad current CM easiIy be analyDd by
Otf-5tme
uslng K'uchoff's law. As long as ail voltage drops in the pelai-
lei branches are equal, the currenll tI'IroIqI the branches The off·state il probabIy the Ieast demanding state in para~
areequal. lei operation 01 semlconductor deviceI. As long as leakage
This sounds sensible and Iogical, but as soon as _ con- current is Iow, 8Y8O dlfferences 01 more !han 100% would not
sider the difterent stages every swilc:hing deYice ha to
cr..te any difficultiel.
assume and we consider the perameters 01 eech switching On-State
device which guarant... equal \/Oltage drops in the
branches over the required ternperature range and O\IW the The on-state Il again a ralatiYely uncriticaI and unewntful
du ration of the switching cycle, oornplications begin ID period (FlOure 2). Most deviœs in switching applications are
appear. overdriY8n and difIIrances in gain or transconductance do
not translate into proportional output currenl
,ITAlIC
_;....rl_--LI-
nllEOfF
DELAY
(lTORAQI
11IIE)
FlGUR! 1. SWITCHING WAYEFORM DEFlNl11OHS.
8-89
153
Application Note 9320
E'*' 1/ a bipolar d8vice takas a larger share cA the local current. Need\esS to say, Il Is desirable to haw small lum-on delays .
the rapid falJ.olf in gail and the increase i'I VSAT as • takas the !or parallel operation. To reduce deltas in top". Il is advis- .
higler share will pr9II8IlI dlsast8l'. Thermal runIIMy i'I bipoIar able to drn.. deYiceI with fast rising oontrol signais and use
applications is no! as ~ as we may ~ (2~~ devIces !rom tha seme masle design. The sam. deYice type
numbar doa. no! guarant.. tha! they ar. made !rom !ha
For bipolar devioes. the pararn8l8l' havi'lg a eIMr negaln.. sam. mask design. Therelora. devices !rom diflerent manu-
lemperalure c:oeIIIQent li VBE' Vœ(SAT)' on the other hand, facturers should not be intermilced.
can haw positiYe Of negatNe temperalur. coefficient depenO-
ing on the devioe type (npn Of pnp) and operating point. RI.. nme
The ease of patalleling cA power FETs has been poi'Ited out Rise lime is an interesting part of the switching Wlveform
by many authOls (6-9), and has ~ demonstrated in many (FIgUre 4). The deYice operate. in an analog domain.
applications, althougtl eac:h appfication requires analysis cA althougl!or a wry short time, but n_rtheless. analog.
both dynamic and stalie sharing.
1 - . - - - ONTIIE ---~
• GAIN
• TRAHSCONDUC'TAHCI
• TEMPERATURE
• AllIE TIllE 0If
• DRMNQ SIGNAL
oc CURAENT GAIN }
• INDUctoR
SATURAnON VOLTAGE lIIPOlAII
USlEWTTER
vct.TIooOI }
EIilTTER RESISTOfIS Rf
TRAHSCONOUCTANCE
~
FIGURE 2. OH TlME OF SWITCHING WAVEFOAU AND

CONTROUJHG PARAMETERS.
Turn-On Delay nme FlGURE'- RlR11ME OF~ WAVEI"ORIIS ANDPIMAIIEnRS

N'UJEJQtQ IT.
Tufl'H)fl delay lime is the time from where the oontroI signal
is applied, reaches 10% amplitude, to tha point where tha Again, transconductance and junc:tion temperature become
switched current tises to the 10% amplitude (Figure 3). important oonsIderaIions. but junction temperature dlffer·
ences as • result cA riIe tine differences are relatiwly smal.
!our IndUCIors insertect mo tha emittet !Md on bipoIars, source
~Dft l !Md on FErs or cathode !Md on diodes. tan be eldremely
• TEWOERATUIIE efIIc:tiw (3~ Ail dIffer8nC8s ln lufl'H)fl deIay and rise lime
• AISE TIIE Off become visible at thin part of tha _ ...Iorm. Differences
COHmOL
SIGNAL whlch may exilt, .1thougI smaft, requlte the 8Y8luation of tha
• DEVIa: TYPE tofward biased sale operating 81. . (FBSOA).
ln most cases. transistors haw almost rectangular FBSOA
!or tha short durations they remain irI tha analog demain of
tha lufl'H)fl perlod. Problems seIdom axisl, but precautions
should net be ignored either.
Note !hat the device with the s/lortest tum-on delay and the
shortest rise-time will take most of the currenl '-4ost transis-
tors h.... a negative temperature coefficient of IOput IIOttage
and Miller effed feedbac:t whlch can cause currenl begging
if power dissipation is high during tum on.
1\Im-Off DeI8y nme (Storage nme)
FIGURE 3. DEFINITlOH OF TURN-ON, DELAY TIll!, TIIIONI
AND CONTROUJHG PARAMETERS. Tu~ff delay time is !ha prelude to the most important part
Fortunately, differenc:es is tum-on delay are relatiwly smau. of the switc:hing waveform. especiaUy on bipoIar devices
AIthougtl this delay is signif.cant in large-area SCR's. but it is (Figure 5). On bipolar deYices, il is important to remove the
much less a problem with bipolars Of power FErs. It is leu stored charge as fast as possible, which may requite more
important when switching inducIiw loIds. but should be expansive drive circuit~ Especially on large power darting-
moni!Ofed when devices to be paralleled IWitch resiltNe tons. negatiw bias Of baker clamps result in significant
Joad, disc:harge capacitOf Of ha... 10 carry the rllCOYlry cur- redUCIion of storage time and improve parallel operations.
rant of • diode.
8-90
154
Application Note 9320
The transition time of the base current signallrom positiw to IGT Structura and OperatIon
negatiYl (npn device) is important in the r8mCMlI rate of the
The basic deviœ structure is illustrated by th. unit celi cross
stored charge.
section of Figura 7. Lb the MOSFET. the IGT consista 01
many individual cella connected in paraJiei. Processing of the
IGT is simllar to the Ylrtical O-MOS technology used Il
BlPOUII COHTROLlED MOSFET.. In the st.ady stat•• the n-channeIIGT may be
ay: modeled u a bipoIar pop driven by an n-channel MOSFET.
STORED CHARGE The MOSFET supplies base current to the pnp thus the
• STATEOF
MOSFETs gate YOItage conlrols the total current.
SATURATION
NEGATIVE lIlAS
TEMPERATURE
CONTROL SIGNAL
NEGATIVE
lIAI
FIGURE 5. TURH-OFF WAVEFORM AND PARAMETERS

INI'LUEHCIHG IT.
Fall n,.,.
Parameters whictl reduce slorage lime wiU also reduce f.1I
tima (Figur. 6). For parallelad devices. diflerences in tum-off
delay or storage lim. wiU ha.... noticeable effect on faJl
lime.
When inductive Ioads are tumed off. the ~rse biased ut.
operating ar.a (RBSOA) must be oonsidered on bipolat
devices. Hot spot Iormallon (11) whictl resulls in sudden
reductlon of the VaE and further incr8as8 Il la could resul Il
permanent damage.
BlPOUR:
1UNIT CEU.ITRUCTURlI
ITOAED CHAIIGE REIIOVAL
-- 'NU. - RA"n OF CONTROL IIQHAL z
~
ITAlI
NEGATIVE BIAS (TIWISII1ON
o
- TlME) SATURA110N VOLTAGE

TEIlPlRATVRL EOUIV.
CIRCUIT
-fi)
~w
~O
~z
CL
FEl:
RoecONl CAPAaTANCE
'"
OF FEl DlSCHARGE
IMPEDANCE (Tl1IE FIGURE 7. UNIT C!LL. CROSS SECTION AND STEADY STATE
COHSTAHT) EQUIVALENT CIRCUIT OF lOT TRANSISTOR.
ln normal operation. the eminer la groundecl. the coIlector

FIGURE'. FAU. TillE AND INF\.UENCING PARAMETERS. biased posltille and wiIh no gate-eminer YOItage appIied; JI
The Ineua.ted Gate Tranaletor is r....rse biased. The device ia in the ~rd bIodting
mode. When a positiw YOItage is appIied 10 the gate with
The insulaled gate transislor (IGT~ combines the high r.spect ta the eminer. an inversion channel is Iormed under
input impedance. voltage conlrolled tum onItum off capa~ the gate and MOSFET curr.,,1 fIows from the 11+ source
ties of power MOSFETs and tha Iow anostal. conduction region into the n-epi-1ayeI' ta bec:ome the base currenl for the
tosses of bipolar transistors. making il an ideal device for pnp. .MctIon J2 becom.. forward biased and the device
many power electronics switching control applications. entera the conduction state. Holea are injected trom the bot-
8-91
155
.. GOMPAi", vr
MODELS Cd and CH
Metai Film Resistors
Military/Established Reliability, MIL·R·55182 Qualified
ïypes RNC and RNR, PrecÎsion
FEATURES
• RNC and RNR resislors are designed füf tha many military <l;Jp!ic:::lticr:s
where established reliability is a must
• Extended life tests of over one-hait billion unit test hours have proven the
reliability inherent in the manufacturing process
• AU CH and CJ reslStors are "S" leve! iailure raie
- - ~-- • These resistors are provided with high purity copper leads in accordance
with MIL-STD-1276. Two solder finishesare-available: -Electroplated
60/40 solder and hot dipped 60/40 solder. .
• Blue epoxy insulation coating over polyimide vamish provictBs supencr
moisture resistance properties
• NOTE: Users ordering characteristic K will be provided characteristic H
or Jin accordance with paragraph~:.?!-,~~r~!kR-55182
[STl'uï;'â·;;;''A''''''' :::T{{ ~'c::<~ .... ,-:,.. : ..,." , .,. .. . ~ ..-. ,- ' . . .. .
~.:i
i
. ~I ......." .
WATIAGE . _-
, .'- --:--: . ~ -.
: ûALE
! mii....f\.-5S1ô2 , VOLTAGE
RESISTANCE
P,A~JGE STANDARD
TEMPERATURE
COEFF!C!ENT !
I ~?OEL ! TVPE 70-C 1 125"C RATING (Ohms) TOLERANCE PPM/' C !
!CJ50 RNCso.J/
RNR50J
1/10 1/20 200 49.9-15Ok .1, .5, l~.o 25
!
.. - ,
i C H50 RNC50HI
RNRSOH
i
1 1/ 10 1120 200
i
10-15ùk
49_9-15011
_5;__~%: -
.I"k•.. · - .
' • 5û
i
i, CJ55 RNC55J/ 1/8 1/10 200 49.9-JOlk -cl , .5;.\.% -- :.- . .. 25
,
,
RNRS5J , , 1 1 1 - -- --,
1 CH55 RNC55H! 1/8 1/ 10 200 10-301k 1 .5,1% ~
! ! R~!R55H
,1 , ,1 -. i 49 !I-:lOlk 1 : 1~o .
- 1
,
- f
! CJôO
! RNCGOJ/
PNRBOJ 1
1/4
1
1/8
1
1
250
1
49.9-4991<
1
.1, .5, 1% 25
.
!
i1 CH60 !1 RNC60HI
RNRGQII
1/4 1/8 250 10-499k
49.9--1991<
. •5.1% -.
'.1%:: . '-
, 50 ,
!
, CJ65 RNC65J1 ,
1 1 ---J
,
1
R"RGSJ
1/2 1/4
1
300 49.9-1M .'t·5~.'%
1
25
i
1 CH65 RNC65H! 1/2 114 300 100HA _5, 1'10 50
l ______~____R_N_R_6_5_H__~______~~______~__________~____4__
9.9-1M____~_____- 1_~.__
. --~--
, DIMENSlcttAL·CCNFlQUP.AT!ONS -
IINumcefs in tlrackats = rrJtl:m"stcr: 1
1.5O :t .125
1 1
', '
1- A_I~
. -_ _ _ _--;'
(38.10::3.181-+1
1 1
1 1
====l I;!
+ ()
.ù~~ i 1:
OALE MtL-R-55182
l, GJSO
MODEL
HN(; ~O. 'i
TYPE
------~--------r_------ -
. 1451:
A
.Oi5
B
.066 ... .00b 1 1
~
l RNR50.1 [3_68 ± .381] (1.68 ± ,203)

l.406J.
~
I!!0 60
RNC50HI
: 40
ANA50H
, I Il.
0 ~O
, ~
'i75'1}- r-
[5~i f~J -,.l!_)_~_:

f _~_')8_[_'2-_29_"_·-:_T_:~_J-+-II_[._~_-5--11111
RNC55J.' i I 1
o ","""
ANR55J
1 .- 70 . 90 !t0 130 150 170 1~
CH55
RNC55Hi l' AMBlENT TEMP. DEG. CENTIGRADE
RNR55H
, CJSO ,1 RNCVOJf l' .375 + .025 [9.53 -+ _535] _135.;. .020 [3.43 1 _SOS] li .025 " l'
,
l RNRGOJ - .040 - 1.02J - .005 - .1 271 1 1.6351 1
1CH60 1 ~~~~~ 1 _ ___ !-

__ --!I 1
1
'Cj6:j - RNC65Ji 1 _5ô0 =: .030 .1 sa + .ooï [4.63 l' .1ïS] l' .OZ~ l' " 1
1
l
0 - ,
RNR65J [14_22 ± _762J - .o1!'i - .381J [-G35J

1
:.-'(_;H_6_5__-,-__ C_
R65_ ~N_N
65_'::__-'-____________' - - _ _____ _ _ ....1_ _ _., L __ J
"0 DALE ELECTRONtCS. tNC .. 5M Hinh RIrP.f!1. Bradford. PA 1670H1930 0 Phone (814) 362-5600 o-Fax 814-362-5635 156
International PD - 9.1047A
II\iRIRectifier IRGPH50MD2
INSULATED GATE SIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated
WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY Fast Co Pack IGST
DIODE
Features
• Short circuit rated -10!Js @ 125°C, V GE = 15V VCES = 1 200V
• Switch ing-Ioss rating includes ail "tail " lasses
• HEXFRED'" soft ultrafast diodes
VCE(sat) ~ 2 .9V
• Optimized for medium operating frequency ( 1 ta
G
10kHz) See Fig. 1 for Currant vs. Frequency curve
E
@VGE =15V, Ic =23A
n-channel
Description
Co-packaged IGBTs are a natural extension of Intemational Rectifier's weil
known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast
recovery diode in one package, resulting in substantial benefits ta a host of
high-voltage, high-current, applications.
These new short circuit rated devices are especially suited for motor control
and other applications requiring short circuit withstand capability.
TO-247AC
Absolute Maximum Ratings
1
1 Parameter Max. Unlt~
VeEs Collector-to-Emitter Voltage 1200 V 1
le @ Tc = 25·C Continuous Collector Current 42

le @ Tc = 100·C Continuous Collector Current 23 ,1
leM Pulsed Collector Current <D 84 A
,1
ILM Clamped Inductive Load Current al B4 , i
1
IF @ Tc = 100·C Diode Continuous Forward Current 16 1
IFM Diode Maximum Forward Current B4 1
Ise Short Circuit Wllhstand Time 10 IJS

VGE Gale-to-Emitter Voltage :t2O V
Po @Te=25·C Maximum Power Dissipation 200 W
PD @ Tc = l00·C Maximum Power Dissipation 78 i
TJ Operating Junction and ·55 to +150
TSTG Storage Temperature Range ·C
Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1 .6mm) from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 Ibfoin (1 .1 Nom)
" - - - -.
Thermal Resistance
Parameter Min. Typ. Max. Unlts
Rwe Junction-to-Case - IGBT - - 0.64
Ru.Jc Junction·to-Case - Diode - - 0.83 · C/W 1
Rocs Case-to-Sink, fiat, greased surface - 0.24 -

RaJA Junction-to-Ambient, typical socket mount - - 40
~l _. Weight - 6 (0.21) - g (oz)
Revision 1
C-481
157
IRGPH50MD2 IXORI
Electrical Characteristics @ T~ =25°C (unless otherwise specified)
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions !
V(BR)CES Coliector·to·Emitter Breakdown Voltage(]) 1200 - - V VGE = OV, le = 250~A ,
1
~VIBA)CEsI.1TJ Temperature CoeIf. of Breakdown Voltage - 1.1 - vrc VGE = OV, Ic = 1.0mA i
VCE(on) Collector-to-Emitter Saturation Voltage - 2.3 2.9 le = 23A VGE = 15V !
- 3.0 - V le = 42A See Fig. 2, 5 1
- 2.8 - le = 23A, TJ = 150°C
VGE(lh) Gate Threshold Voltage 3.0 - 5.5 VCE = VGE, le = 2S0jJA
ÔVGE(lhy6TJ Temperature Caeff. of Threshold Voltage - -13 - mvrc VeE = VGE, le = 250~A !
g,. Forward Transconductance ® 11 15 - S VeE = 100V, le = 23A 1
leEs Zero Gate Voltage Collector Current - - 250 ~A VGE = OV, VeE = 1200V 1
1
- - 6500 VGE = OV, VeE =1200V, TJ = 150°C

VFM Diode Forward Voltage Drop - 2.5 3.0 V le = 16A See Fig. 13
:
- 2.1 2.5 le = 16A, TJ = 150'C 1
IGES Gate-to-Emitter Leakage Current - - ±1oo nA VGE = ±20V i
Switching Characteristics @ TJ =25°C (unless otherwise speclfled) 1
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions 1
ag Total Gate Charge (tum-on) - 89 130 le = 23A 1

aQe Gate - Emitter Charge (turn-on) - 22 33 nC Vcc=4ooV !
aoc Gate - Collector Charge (tum-on) - 26 39 See Fig. 8
!
!,;t[onj Tum-0n Delay Time - 100 - TJ = 25°C

tr Rise Time - 140 - ns le = 23A, Vcc = 960V i,
!,;t(oIfJ Turn-0ff Delay Time - 510 no VGE = 15V, RG = S.on 1
t, FaliTime - 470 730 Energy losses include "tail" and
Eon Tum-0n Switching Loss - 3.0 - diode reverse recovery. 1
EOH Tum-Off Switching Loss - 8.0 - mJ See Fig. 9, 10, 11 , 18 !

El, Total Switching Loss - 11 17
tse Short Circuit Withstand Time 10 - - ilS Vcc = 720V, TJ = 125°C
VGE = 15V, RG = S.on
Id[on] Tum-On Delay Time - 86 - TJ = 150°C, See Fig. 9, 10, 11 , 18
tr RiseTime - 130 - ns le = 23A, Vee = 960V
idIot!) Turn-Qlf Delay Time - 800 - VGE = 15V, RG =5.0n
tf FaliTime - 920 - Energy /osses include "ta il" and
Et. Total Switching Loss - 20 - mJ diode reverse recovery
LE Internai Emitter Inductance - 13 - nH Measured 5mm fram package
Cin Input Capacitance - 1900 - VGE=OV
Coes Output Capacitance - 140 - pF Vcc = 30V See Fig. 7
Cres Reverse Transfer Capacitance - 24 - f = 1.0MHz
t" Diode Reverse Recovery Time - 90 135 ns TJ= 25°C See Fig.
- 164 245 TJ= 125°C 14 IF = 16A
1" Diode Peak Reverse Recovery Charge - 5.8 10 A TJ =25°C See Fig.
- 8.3 15 TJ = 125°C 15 VR =2oov
arr Diode Reverse Recovery Charge - 260 675 nC TJ = 25°C See Fig.
- 680 1838 TJ = 125°C 16 ci'dI = 2OOA/JJS
di(rec)rNdt Diode Peak Rate of Fall of Recovery - 120 - A/ilS TJ = 25°C See Fig.
Duringlt, - 76 - TJ = 125°C 17
Notes: - - V, L=1 ~,
~ Vcc=8O%(Vees), VGE=20 H @ Pulse width S.OIlS,
Ci) Repetitive rating; VGE =2OV, pulse width limited RG=S.on, (See fig. 19 ) single shot.
by max. junction temperature. ( See fig. 20 ) œPulse width s~; duty factor S 0.1%.
C-482
158
II~~RI IRGPH50MD2
2S
DUIy cycle: 50"__
20
- r-. ....... ~ TJ: 125· C
Tsink : 9O'C
Gate drive as specilied
~ Tum-on tosses inctude
~ 1'-0..
effects of reve<se recavery
~
Power DISSipation = 40W
ë: 15
~ ~. ofrated .......
:J voltage r-....
ü
T
,~
"0
tU
10 '--
1
Jl 1
1
'"
0
J(JAA
....J
5 - ~
..........
r.... ..... ...... 1-
, 1
o
0.1 la 100
f. Frequency (kHz)
Fig. 1 - Typical Load Currant vs. Frequency

(Load Current = 'Rus of fundamental)
1 ~~----------------------------, 1 ~r---------~--------~--------,
VGE= 15V
20115 PULSE WlDTH
la la 15 20
VCE • Collector-to-Emitter Voltage (V) VGe • Gate-to-Emitter Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Charactaristics Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
C-483
159
IRGPH50MD2
50 6.0
VGE =15V VGE = 15V
80llS PULSE WIDT 1,..
5.5
~ ?: ~
40 1'... CD
5.0 ./
ë Cl
~
:;
..........
........
S
0 4.5
V le =46A
>
Ü
0 3D
~ CP
:: 4.0
+ . - .- .
./ ""
TI
.!!!
0 '" ~ ·ë
w
b
3.5
.. " , V
:;.ii' V
"
Ü
Ü 20
~ 3.0 le = 23A-
...
" 1\
0 .
-
0 1
--
E .!!! 2.5 i"""'
~
::> 0
E Ü
·x
t1l
10
w - 2.0 ... -
le = 12A
~ _._. ~ 1.5
0
1.0 _ ......_ _...... _~i.- ..........._.r.....I.....I--'
25 50 75 100 125 150 ~ ~ ~ 0 ro ~ ~ ~ l001rol~IM
Tc . Case Temperature (oC) Tc . Case Temperature (oC)
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Fig. 5 - Collector-to-Emitter Voltage vs.

Case Temperature Case Temperature
u
-,
oC
N
CD
en
c
R
m 0 .1 ~-----~~--~~~WP~-----~-----~~------~~--------~
.. -- .. ... _-
CD
OC •
,
PQM .
_:
ïii
E
CP SINGLE PULSE
oC
1- (THERMAl RESPONSE)
, . Outy_O . ' , " 2

0.01 _~~ _ _ _.r...________.r...__________.r...___________
2. P_TJ - PQM_Z1l1JC+ TC ~~~~~~~ ___ ~
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 'a

tl • Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig. 6 - Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance. Junction-to-Case
C-484
160
IRGPH50MD2
Jooa r----~-~~-~-.~---__, 20
VGE = OV. 1= lMHz VeE = 400V
C ies = C ge + Cgc . C ceSHORTED le = 23A .-
C res = Cgc
C o e s = Cce + Cgc
Jooo ~---=====+=========::t V
Goes
./
V
2000 I--'~-;;;:;t:=======-I -- ./ .. -
l 000~-----------+-+------------~ -
w
Cl 4
1 .. -
V
>
. . - . -
o
10 100 o 20 40 60 80 100
VCE ' Collector-to-Emitter Voltage (V) ~. Total Gate Charge (nC)
Fig. 7 - Typical Capacitance vs. Fig. 8 - Typical Gate Charge vs .

Collector-to-Emitter Voltage Gate-to-Emitter Voltage
60 loor=-~~'-~-~~~-,-~-~~
5.8
v ee
VGE
Tc
= 960V
= 15V
= 25°C
./ AG = 50
VGE = 15V
Ve = 960V
le = 23A
5.6 / le = 46A
5.4
V
/
5.2
/
5.0
1
1 .- - -
' .8
o 10 20 30 40 50 60 ~ -ro 0 ro ~ ~ 80 loolrol~l~
RG. Gate Resistance (n) Tc , Case Temperature (oC)
=ig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Fig. 10 - Typical Switching Lasses vs.
Resistance Case Temperature
C-485
161
IRGPH50MD2
25 1000 r.:---=-'::~--""""'"'T'----y-
AG =5 il VGE = 20V
-:l
E 20
Tc =150·C
VCC = 960V
VGE = 15V
L ë:
TJ = 125·C
en
/ !!!
ih
100 t-"""""",::;:;t:===*===i
·~E
Il>
(/)
en
0 15
:. .
...J
OPERAT'NO AREAI
/
Cl
.~
.s:::. 10
B
V
10
.~
~ l5
en
(ij
ë
1-
5 , / ü
~
ë5
Ü
(J
0 0.1 ' ' - - -......" - - - - " " - - -......

o 10 20 30 40 50 10 100 10<
1C • Collector-to-Emitter Current (A) VCE • Collector-to-Emitter Voilé
Fig. 11 - Typical Switching Losses vs. Fig. 12 - Tum-Off SOA

Collector-to-Emitter Current
100r--~-~-~-~-~-~
$
u..
c:
~
::::l
Ü
"E 10 I==t-=,,~:t:::::':.TJ =150·C
ca
~
0
Il.
,:_:::...' J .. 12S"C=-=-
U)
::::l _.- - . ::. -r,.
~ 2S"C
0
CIl
c::
ca
ë:
ca
iii
oS
I -- -fl--I-+--- +-- - - - - _ .
1'--.lr.:.......,..,..........,..,......_ ......_ " ' - - - '

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0
Forward Voltage Drop - VFM (V)
Fig. 13 - Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
C-486
162
IRGPH50MD2
JOO ~----------------------------~ 40~----------------------------~
VR = 200V VR = 200V
TJ = 12S oC--- TJ = 12SO C---
TJ = 25°C - -
,,
TJ =2SoC - 1
1
... ... ~ ~------------------------------~~'~

,1
200
...
,,
., 1
,1
1
1
::ë
a:
a:
o L-__________________________-J
100 1000 o~--------------------------~
100
dit Idt - (A/lJs) di,/dt - (A/lJs)
ig. 14 - Typical Reverse Recovery vs. di,Jdt Fig. 15 - Typical Recovery Current vs. di,/dt
1200 r.:====:::::;~-----_,
VR = 200V
1000r--------------------------------.
TJ = 12SoC---
.,. . . fI!. -- ...... VR =200V
.... .... ....

TJ= 2SoC TJ = 12SO C---
.... .. ' ....

TJ = 25°C
oco ~------~7·~'----------------------~
.
".--~ : -
.---.--------
.... .... -"".-
« ........ 1F = 16,A-__________________..,.;rtII!!~
600 1 00~--,_~~~~~~----------------~
.... .--- -------------

IF= 32A
.... ....
oL-__________________________-J
100 1000 10~------------------------------~
100 1000
di,/dt - (A/IJS)
Fig. 16 - Typical Stored Charge vs. ditldt Fig. 17 - Typical di(rec)wdt vs. dit/dt
C-487
163
IRGPH50MD2
80%
otVce
-=
Id(oIf>--!
Fig. 18a - Test Circuit for Measurement of

lu.A, Eon' Eolf(diode)' t rr, arr, Irr, ~(on),
t" ~(ofl). tl
t1 12
Fig. 18b - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
Eolf, ~(ofl), 4
GATE VOLTAGE D.U.T.

le
___~:~--_J:~-~----- am VOLTAGE
lx
Vrx
ANDCURRENT Vpk
Vcc 10% ~ , 1,::\90% le Ipk

le
---:
Id(on) 'L3
,:
~\i
~5% Vce --'~
:
:
Ir
t '----
'
... .
. .
'. . .... . .
.. . .. '.... ... '. :
l
. 1Eon= fvœid
1,;
12
!
l DIODE RECOVERY
IWAVEFORMS
: 14
Erec = Âld id dt
.
12
------- DtOOE REVERSE l 1 J~
t1 1 1 RECOVERY ENERGY :
13! ! 14
Fig. 18c - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a. Fig. 18d - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a
Eon, ~on), t,
Defining Defining Erac. t,.. arr, Irr
Refer to Section 0 for the following:
Appendix H: Section 0 - page 0-10

Fig. 18e - Macro Waveforms for Test Circuit Fig. 18a
Fig. 19 - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 20 - Pulsed Collector Current Test Circuit
Package Outline 3 - JEDEC Outline TO-247AC Section 0 - page 0-13
C-488
164
PGAs wilh Wakefield-designed assembly 10als: mesa types
provode attachment on aH four sodes 01 Ihe PGA and are also
T radilional heaI sinks are ohen Ihoughl 01 as elllruded ideal for use with miaoproœssors used without sockets.
aluni'l..., tftdirec1ional m
heal sinks. For IC applications. Ihe W_,d SodcetClip'" assemblies are used with cerlaln
standan! design loday io the omnidndionaI pin lin clesv>: sodeel manuiaCIurers' l'GA UF and ZIF seckels lor secure
Walulfield Engineering has offenod \hese as Slanclard designs ratenlion 01 the heal sink and processor, induding all.ersoons
since 1984. As miaoprocessor SI)8eds have lisen and gate of the Irllef PlIf1Iium'" Po-ocessor Iamily.
array functionaJity has increased, masl 01 Ille series shawn in
Other mechanicaf attachmenl rnechanisms indude nul and
this catalog have been desiçned witllin the Iast Ihree years.
Radial lin heal snes, typicaIIy lound in large axnpuler sysIBmS
Ioc_ appicalion to relain heal snes adapted lor œt3mic
wlln n91 airllOW rates, .... generaHy no! Iound in notebook and
PGAs wi1Io Singl&- and auaHloreadecl stud feal"'es, such as th.
Digital Alpha AXP processors .,d Hewletl-Padalrd PA RISC
desl<1op PC designs. A general calegori2alion 01 typicaI heat
pr~ A ,.. common •• ....po is .... relenlion 01 an
sink application by system parameter can be shawn _ on
extemal he.. sink will> a cust<m cIp designed 10 attach aaoss
available enclosure airftow: the _ _ and IC 10~_ in Ille prinIed
.... ~T.,..
circui1 card for this purpose (used for higllleadoounl surface-
T,...~ RdIf ~ ~ CcnIIaIuIed Far!
bof Adœr AIngIt f1n Fin Pin Fin Fin s.: mounl padcage types such as COFPs and BGAs).
f<lall.nl Convoc-JOt'I
{Anf ~ysafml
Ol .... Walcelield EnginHt-Wlg 011.... thr. . types a/IiqWd _
Notcboolut~ and Iwo ~ adhesiIMs (PSA&-suppied
OL'" preapplied ID the _ 01 W"1d hui sinIcs) in pre40nn
Cart!l~,
formaI for generaI usage wiIh Penguin'" Cooters:
O·SO...fM
""- 0 ·2(0 Lf'-t
_LfIoI
Lôlfgo System!
. '.~" . :l:: .: ~ ,'--::1.-.I.l :.."" ••" : ,,: .... , .
!I~.- :-.~ , ' :-~ ..··•...u,. ··.' "ur." :.:':" ,
....... T"" ... Drsu. .tOn

ThertNllr candLc:I:ve ~iD1 epc.y. reQLIf'n eWv...eo
3OO-i'DO LAt1
~.=-·7.oI~aal l!'CClll~_
.:.uocu.:lt*''"', ...,:t.'\I ........~
~15" .,.y
- . . . m g.
I~ c:oncu::.-Je ....
C:~~""~eUnR!J.
p." q:œy: requrn
~1!c:r'Jlc~f~ê!'; CUIIICS.aI'C\IOI'r
~.; ~b OeIIftYt, .. CCJr.'Ipœfteheai • .,.
ClIOn'Cf1CS Ine. Therl"'aol.heh" T~ pres ....~_
Nole: AlrflCMrangI5 . . îdenliliedbVgIIIIIfWQIlCM8gDII'YoI~ .a~,PSAj .
s-~ern. ThHe ... g..œ _ _ _ ~ ID . . . as a;uide.
Iir*...,...,.,.,..., ...... Sutb-rr
W_
P:'N 14.1'1ar..-es n.un:ta !nt. ARa.11'"" SZ2l ~
Conw:*.IIod ... hUI duCIed 1Iirftaw. ~ad""IPSA •.
PIN S.JIfat:1:r ChOmera Ire. Th!nnAbctt'''T~12 Dn!SIUf~~Wl'
Pef9Jin'" Cooters, inlegrated c:in:uiI .... dissipMion 2 ~1PSr.1
componantS. are designed and manuIactured by
Engineering and \y\lic8lIy 1"_ Ihermat resistance . _ in s.a-.s SeCIion 01 .... Walreleid ~
the l - . g ganeral rangeo (8.): Car.IDg tor .tdiIionoI inIr:lrmDon ragtWIIing .... OeItIISond'"
152, 154, nl56 ........ rw- and . . . . - hardeners.
................. "-'"T_ T_ .... _
-_.) r_....- --
Ccnl;:lJt:'li·....' V.~I.•,,; . Ti~ (:ni", ., II" "';.:mauc.i" \-
P,n FItI, Unicti-"~ Fin. RMIDI F.. HI!at Sinks 0.10 'CIW ID 12 0IrCN:
s.. :"rc5:-:urt!·S'! ··:: i;n·~ :'... dll·:!~'·.·":::" c_ _
T_ _
:::onwo.,k!d F", ..... 01 ,\s~s 0.05 'C.'W iD 0.50'01/11
l-.,..d Co.;t PIa!es \J.OI CI'If 10 0. fO'CIW
l'SA
F;r.::dr$ J .!JO CM" 1.30'C/W
St........
Two Pef9Jin'" Cooters EngWla.ing Evaluation Kils (PIN
200, PIN 300) are ilYIIi_ for design engineers selecling from
(pIN c_"'Y '- ...
Ihe many WaJœfeld Engineering _ designs avaiIable.
(W"""') {'Cin."IWl (1bIAn."
TI O.so 0>0 1J~
10 06> 0-"", '20
Hal sm aIt _ _ aM Decoming inaeasingty Tl '.010 0 .25 70
important, providing cIIImping Ior heaI oinks use<! _ thermal -...-.. ir*lrmation la _ I m m _tl8ld
in,.rtace ma/e<ials; toMling Iorœs lor _ heat sink relention
~ '.~EI9.-ing~_.
in snack and vtonIIicn -.g; and reducIion 01 asaembIy lime
in fniWlUIacturing. Hea1 snes \or mœt œramic pin grill arrays
maybe_ usingseveral_; These _ ........ a d _ ara eIecIricaIy
• - - . . . a/1ac11nW11lo IhIIlC padIage: conca.ctiwo 8IId _. desig>ated by part runber sulfiles 1"1,"
• Clip a _ 1 1 o certain _ i l : l'GAs: 1"2~ lW1d 1"3." suppiied preassemb!ed 10 !he base ollhe
appmpriaIe heal __ To anacto the ~ 0,,* 10 the tC package.
•• Clip
Othera_
_ 1 O ce".,in
_ sacIIaIs: .
l'GA _
a tIIIease iner is removed from Ille PSA and the heal sink IS
pIaced with minrnal pressLWl! appied (10 PSI or Ies$). Proper
The c:hoice cl alIaChrIa1I meIhad is rno8I fr8quentIy made cIaroing a/lne ettactmant surface . . . ~ alcohol is
based on evaIuaIion 01 ........ ' - sne..aQa _ _ 8IId the rec:cnmended. Use 01 a hoI air gun for a I~sec:ond preheating
requirements 01 an OEM's .......-ng --.:ons.
Clip 01 \he PSA pre-Iorm will aid in - . g of the PSA prior to
designs sucto as the Wakrieid EnP-ing 63115efies attactvnent. EIectricaIIy conduc:1ioe 1"1."1"2: lW1d 1"3" PSAs .re
SnapCIip'" asserrDies attach manuaIIy wiIIo no tooIIlO rnaruIaduIad from lIdhasi.- Iaminated 10 an 0.002 in.-II1idr.
lntelOX4'" and _ _ miaap",.,.... pacUged in atuminum toi! CIIIrier. 0IIw PSA _ _ .... atso available
17 x 17 PGAs. Other dIIIigns, such as the Wakefield upon roques! as nonsIandard items, incIuding eIeC1rica1y
SpidefCtip'· types, atIaCh 10 17 x 17, 18 x 18, and 19.19 nonconduc1ive PSAs.
165
WaKellelQ
Engineering
1.1»01' :('1 - _ ..
r.r l
:l 1 ~flO I -- _ _
r_ :.".
Pero 34.63 io . Pero 48..0 Per. <9.04 "'.

lifT 2.79 lbIft wr 5.01 WT 4.52 /bill
0" 1.30 C/wt:r eu 1.50 e.. 1.50 'CI<Ji3"
t--~~---.,
T~I-1 1
~~ Uil 1
; P.It ,
-
wr
Per. 44.00
3.58
1.70
...
lbII1
"Clwn-
__o.
Pif.
wr
....
36.118
2.16
1.70
in.
lJrlI
"CIwI3"
59.611
<.57
1.30
on.
lI>Ih
~-
,
'M'
1 ~HI
,.,.
J:'I;
~"I
, ,
L :' !Ct I~St - - :..
L~ :~~~-__
:,i: .', Per. 40.41 .,. . :': .I ~, Per. 48.36 in.
WT ' .40 lbIft 'NT 5.92 lbIII
6,.. 1.50 ·CI..:':1' e.. 1.50 ' C/w1':1'
.•, -1---
(II,?,
IlUt
""""ï.m-jh
l ...·112"...
li T:
a
r;-;D'ftl1l
ïr
!:l ' )
....
~.:=r.I"n:
,--' ~itj"J..t"f!""~f.:tJ
. '... ".:..
f .~IZAt~
1 Otlf1tlll
""~ œ,.
..,I .J L_ ... ~ ~ )MI
r
G._ Q:.a
L---_ ,:~ _ __ .!'-~_
Per. 62.00 in. .!?'..... fJef. 17.70 in. Per. 31 .81 in.
WT 4.65 IbII! WT 1.04 /bill WT 2.84 IbIII
a.. 1.40 'CIw!3' a.. 3.30 ·C:...1':1' a.. 1.90 'C/wI3'
166
Wakefield
EngineeriJ.
NORMALLY
STOC/CEO
li "'' 'U[T.- ' 0111 .

""'1
'-1- '
'os.
.
~I" l ""1"" 111111
1 .;./ -; r".
P"
r'-. --
,..
1 I~
... 1.!.... .
' -' ~ --- " '- ' ---i
:"-If ~ r.- g:
Pero 87.08 in. FW. 72.89 in.

wr lS.4' .... wr 727 bIIt
... 0.50 "CIwIT .... 1.00 'CIod3"
IIIIIIIIIIIIIIIIII~
irr.:'QI -r~""
1111111111" Il' " 111111111 L~

1 .J L~~ J L.~ lIT ~ 1 1'--11) CUI
~---~:
-IL.......
a.ca
..
CI Il
....U
..~
_ ·.L
Q-
I ~l.
••
Pero 63.50 in. .':" P.. 74.68 in.

wr 7.17 lbIIt wr 6.25 lbIIt
e.. 1.10 'C/wf3" e.. 1.00 .C/w/3"
!.lit
....
rll
Qi.1)... . ft" f
1111111 1 1111 111'1'111-

: ,.. IlI- .... TT
1
I
l'III"'''"lllilliij'''''"11I1111''Y
'1 Il~
r""- ~': 1 ("'~--J
sm
~
:•• n
L..-L_ _ _ _ u..
~~
' . 12....
~~
1
p.. 68.05 in. P.. 91 .52 in.

wr 5.43 lbIIt wr 10.56 bill
e.. 0.95 .CIwI'S'" ~ 1.00 ·CIwfJ"
-1r
r-1 5.~ '1
O
UD~
PII
I~ """""III!IW""""iil"""1II1 ~
!)W! '-
,""111"11111111111111111111111
1- ~ Il .-~QI g _ ___ _ "~
Par. 67.32 in. Per. 102.86 in.
wr 7.13 bill wr 9.07 lbIII
e.. 1.30 .CIwI'S'" e.. 0.60 'CIwf'r
167
Wakefield
Engineering
~ ' ... c: X l ~ J'

I l .' .
Illlllllllllllllllllllllllllllllll ~ .,
/IOR/llALlY
STOCKED
Pet. n o.!.. 1ft.

WT 18.71 .....
lSa 0..65 ~
!: .. '
" " 1l " l " " " " " l " l " l "1 1 L -"f ~,~
11 - ._. -- - ". .. _
11:.'1.11
__ J ~': .
1
I~
VIT
la
.• ~
<...&0
1.51
.~
.IbItI
.a.JT
1
1111111111111111111111111111111 : ~~
1 11 Di 1 . ~L' 1
- --- . -- - - ~".!I ", P i,
III "11"1"1" 111111111111111111111,11,- ~_ ~+

NORMALLY
STOCKED
~.
0,", -i 1-- l' ""
n
Per. 10114.. ~-- _ ._--- - -, .. - -- ~ - - - -• . . - - - -{
wr aD t btI ' ,
Isa 0.70 -c;.-r
168
Wakefield
Engineering
NO/UlAUY
STOCKED
~~ ~~-I
Per. 47.03 in. Plr. 54 .44 n.
wr 3.81 lbII1 WT 4.88 IMt
1.10 Iwo{ ..... , . 0-. 1.30 'Clwtr ..... 1.<0 .c....:'J-
r- ~~1. - --- ~
/11111111111111 r~~,J
1 1 ,~;t i
r:::-t _,. . .Jt ~ J
. • 1
:J:OE "."
Per. 44.96 in. Per. 61.82 If\.
VfT 5.82 Ibift WT 5.62 lbIII
e.. 1.30 'Clwrr &sa 1.10 "C/od3-
Per. 74.31 in.

VfT 6.64 lb!11
e.. 0.90 "CIwfJ"
il III li 11111
r - -:.;~-_ . ~~ ~
,.
~ IIII~
"-.
""" in.
81 .47
wr 6.19 Ib/II
lu 0.90 "C.-.r.r
- ---- - - - ... _------ - - -- - - - - - -- -
169
Wakefield
Engineering
.--
--.....
_ :s.
':,' ~ ,~=- Iw
c::..
...
-.- -.. .:.
... I:a= ... ..... .
=' .
". . 1
-
, ..n
...
...
...
.... UOI
.• ...
... , - .....
.... .... ..
,""
...
.-
.-..
a_ t ...
,- , .....
:.JO ! J.a
.. ~
.• . ... : ..
....
..,. ... I.M : • •
.. .... 11. .
... ".
UW
."
..... . ..,
... ' fA>

, . ... .. t:,"
,-
170
INDEX
171
Chapitre!
A F N
algorithmes . 2 facteur de forme . 9 non linéaire . 5

analyse thermique· 4 fluide· 4, 7, 8
flux· 5, 7, 8
P
C
Fourier· 5
froids· 5 parallèle· 2
chaleur· l, 4, 6, 7, 9 parallèles· 3
chauds· 5 G paramètres· 2, 5
chimique· 5 paroi· 4, 7, 8
coefficient· 5, 7, 9 gazeuses· 5
composants électroniques· 4, géométrie . l , 8, 9
R
9
conception . l , 9 radiateur· 9
1
conduction· 4, 5 rayonnement· 4, 8, 9
conductivité· 5, 6 indéformable· 6 refroidissement · 9
conductivité thermique· 5 interrupteur· 1
convectifs· 7 interrupteurs· 9
convection· 4, 7, 8, 9 S
isotrope· 5
corps· 5, 6, 9
simulation . 2
L Stefan-Boltzmann· 8
D Stéfan-Boltzmann . 8
liquide . 4, 5 superficielle· 7
densité· 5, 6, 7, 8 surface· 6, 7, 8, 9
densité volumique· 6
diffusivité . 6 M
dimensions . 2 T
machines· 2
macroscopique . 2, 7 température· 4, 5, 6, 7, 8,
E matériau . 5, 6 9
matériaux . 5 termophysique . 8
écoulement· 4, 8 matériel· 4 thermiques· 2
électronique de puissance· 1 mécanique· 7 thermodynamique· 5
électroniques de puissance· 1 mécanique des fluides· 7 transmission . 4
émissives . 9
émissivité . 9
enceinte· 9 V
énergie thermique· 5, 6 MIMD·2 viscosité· 8
évacuation· 9 modèle· 2 vitesse de diffusion . 6
ChapitreII
A E M
accepteurs ' 8 écoulement · 17 matériau ' 12, 14, 18
alumine ' 14, 15 électronique de puissance ' 18, 31 matériaux ' 12
aluminium ' 14, 15, 17 électrons ' 8, 9, 10, Il , 19 mécanique · 14, 15, 16
analyse thermique ' Il empilement · 12 mécaniques ' 16
architecture ' Il , 17, 18 équilibre ' 9, 10 métallique ' 16, 17
évacuation ' 14, 17 métallisées ' 17
évacuations ' 14 minoritaires ' 10, Il
B modélisation ' 34, 35, 38
monocristal . 8
béryllium ' 14, 15 F multicouches' Il
boîtier ' 18
flux ' 9, 10, Il , 14
N
c nitrure' 14, 15
G
capacité' 13, 35
capacité calorifique ' 13 galvanique · 14
céramiques ' 14 o
chaleur ' 13, 14, 16, 17,31
charge ' 21 , 22, 35, 38 H oxyde ' 14, 15
chute de tension ' 32, 33
commutation ' 21 , 31 , 35, 37
hybride ' 12
composants électroniques ' Il , 31
hybrides ' II, 16
p
conductance thermique ' 16
conduction ' Il , 31,32, 33, 35 paramètres' 34, 38
conductivité ' 12, 13, 14, 15, 16, 17
1 penni tti vité ' 14
conductivité thermique ' 12, 13, 14, 15,
pertes · 31 , 35
16, 17 porteurs ' 9, 10, 11
couches ' 12, 15 interface ' 15 poussiéres . 15
courant · 10, Il , 19, 20, 21 , 32, 35, 36, interrupteur· 21, 31 , 32, 34, 35, 36, 37,
puce ' 13, 17
37 38
courants · 14, 19, 32, 35,36, 38 interrupteurs ' 35
cuivre ' 14, 15, 16 isolant · 14, 16
cuivres ' 17 isolants · 16, 17 R
isolation ' 14, 17
radiateur ' 14
D résistance thermique · 17
J résistivité électrique ' 14
rigidité diélectrique ' 14
densité · 9, Il
densités ' 20 jonction' 8, 9,10, 11, 18, 19, 20, 38
diffuseur ' 13, 14, 15, 16, 17 jonction pn . 9, 19
diffuseurs ' 16 s
dilatation' 14
dimensions ' 20 K semi-conducteur ' 8, 13, 18, 32,
diode ' 18, 19, 20, 21 , 22 35
diodes ' 20 semi-conducteurs ' 8, 16, 18
Kirchhoff · 21
dopage . 8, 20 semi-conducteurs. . 8, 16
dynamique ' 35 semi-conductrice ' 12, 16, 17, 31
silicium ' Il , 12, 13, 19, 20
silicone ' 17
soudure ' 16
173
stationnaire· 32 thermiques · 15, 16, 31
statique · 32, 33
T thermophysiques . 15
statiques · 31 , 34, 35 thermophysiques .. 14
surface · 17 teclmologie . 15 toxicité · 15
température · 13, 16, 19,20, 31 , 34,35 trous · 8,9, 10, Il , 19
tension · 9, 10, 19, 20, 21 ,32,35,36,
37, 38
174
Chapitre III
éléments fInies · 59
A éléments fInis · 54, 57, 59
explicite· 47, 53, 54
o
analytiques · 47, 61 oxydation · 59
F
B p
flux · 56
formulation variation · 55
bilan · 51,52, 54 parallèle · 62
Fourier · 48, 61
paroi · 48
c G R
capacité · 47, 49, 51 , 61
géométrie · 47, 54
chaleur· 39, 40, 47, 48, 56, 61 radiateur · 39
charge · 39 résistance thermique · 39, 40, 47
chute de tension · 40
coefficient · 57, 58 1
complexe· 48
composants électroniques · 39, isolation · 58
s
46,47, 48,61
séquentiels
conditions aux limites· 47 54 61
séquentiel · 62
conduction · 40, 47, 56 ' , J stationnaire· 39, 51 , 53, 56, 61
couches · 48
statique · 40
courant · 39, 40
jonction· 39, 40, 41 surface · 61
courants · 41
D M T
matériel · 61 température· 39, 40, 41 , 49, 53,
densité · 56
mathématiques· 47 54, 61
différentielle · 56, 57
modélisation· 46, 61 tension · 41
différentielles . 48, 54
thermiques· 39,40, 47,51 , 61
dimensions · 55, 57
transitoires · 48
N
E
numériques. . 62
écoulement· 47
électronique de puissance · 47, 60
175
Chapitre IV
A électrode · 66 milieux· 70
électronique de puissance · 71 modélisation · 63, 66, 67
électrothermique . 63, 73, 75
analogie · 65, 69
p
c F
parallèle · 66
fluide · 63
capacité · 66, 67
flux· 63, 64, 70
chaleur · 63, 64, 65 , 66, 67, 70
Fourier · 63, 66 R
composants électroniques . 66
conditions aux limites · 66
conduction · 63, 67, 70 radiateur · 68
conductivité · 64, 65 1 résistance thennique . 64, 65, 67,
conductivité thennique . 64 71
convectifs · 70 interface · 70
coucbes · 71
courant · 66 s
courants · 63, 64, 65 J
simulation · 66, 72
jonction · 72 sœtionnarre · 65, 66, 67, 70, 71
D surface· 65
densité · 63, 70 L
diode · 73 T
diodes · 73
logiciel · 66
température · 64, 65, 66, 68, 71 ,
72
E M tension· 66
thenniques· 64, 66, 71
écoulement · 63
matériau · 64
mathématiques· 68
176
Chapitre V
A équations · 91 , 94, 105, 123, 124 N

évaluation · 117
Extraction· 85
ALEX · 90 noeud · 88, 89
algébriques · 91 nœud · 91 , 107, 110, Ill, 117,
algoritlune · 91 , 106, 107, 114, 124
115, 121 , 124 F nœuds · 89, 91 , 107
algoritlunes · 109, 124 non-linéaire · 91
annulaire · 89 Flynn · 86 numérotation · 99
arbre binaire· 89, Ils
architecture· 85, 86, 116, 117
AVX · 90, 91 G o
grille · 89, 90, 123 optimisation · 91 , 124
c
calculateurs · 85 H p
capacité · 88
chaleur · 104, 105, Ill , Il2, 124
hypercube · 88, 89 parallèle · 85, 86, 87, 90, 91 , 110,
chaleur spécifique · 104, 105
116, Il7, 120, 121, 124
circuits imprimés · 124
parallèles· 86
classification · 86, 116
communication · 88, 91 , Il 0 1 parallélisation · 118, 124
parallèlisée · 118
communications · 124
parallélisme · 86
composantes · 85, 124 i860 · 91
perfonnance · 88
concepteurs · 85 infonnatique· 91
perfonnances · 85, 117,118, 121,
Conditions aux limites · 105, 107 ingénieur · 91
124
conduction · 91 interconnexion · III , 117
périphériques · 85
conductivité thennique · 104,
phénoménes . 91
lOS, 108, III
processeur · 85, 86, 88, 91
connections · 89 L processeurs · 85, 86,87, 88, 91 ,
contraintes· 123
117, 118, 124
cube · 88, 89
LAM · IlO programmes · 87, 110, 118
puissance· 104, 123
puissance dissipée · 104
D M
Décodage · 8S
densité massique · 104, 105
machine · 88, 90, 121 Q
machines· 85, 110, 116, 120
développements · 85
maillage · 93, 109, 123 quadrillage · 92, 93
diagonaux· 99, lB
mathématique· 91
différences centrées · 104
Matlab ·106
différences [mies · 92, 108, 109,
Il2
matrice· 95, 96, 99, 107, 109, R
112, lB , Il4
Dirichlet · 107
mémoires · 86, 88
Discrétisation· 92, 104 recommandations · 123, 124
MlMD · 87,91
MlSD · 87
MPI·ll0
E multiprocesseur· 86, 87, 88, 117, s
118, Il9
efficacité· Il8, 121, 124 multiprocesseurs · 85,88, 117, séquentiel · 92, 109, 110, 118,
électrothennie . 110 118 120, 124
~Iectrothennique . 92, 123, 124 silicium · 92, 104, 105, 108
Equation de Poisson · 92 SIMD · 86
177
SISD·86
SPMD· 109, 117
teclmologie . 85
température · 104, 108, 109, 111 ,
v
structure · 88, 113, 122 122
structures· 124 THOMAS· 109, 114, 115 vecteur · 94, 99, 107, 112
synchronisation · 110 topologie · 89, 115 vitesse · 85, 88, 110, 116
traitement · 86, 109, 110, 113,
116, 117, 123, 124
T triangulaire · 99
tridiagonale· 95, 96
tridiagonaux . 113
T805 . 91
178

000650486

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

000650486

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

000650486

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

UNIVERSITÉ DU QUÉBEC

COMME EXIGENCE PARTIELLE

MODÉLISATION DES COUPLAGES ÉLECTROTHERMIQUES

L’auteur de ce mémoire ou de cette thèse a autorisé l’Université du Québec

Cette diffusion n’entraîne pas une renonciation de la part de l’auteur à ses

L'objectif principal de ce mémoire est la recherche d' un nouveau

modèle numérique pour l'analyse électrothermique des systèmes de

numériques implantés dans les ordinateurs séquentiels et parallèles. Un effort

spécial sera consacré à l'optimisation des algorithmes de la modélisation

électrothermique dans le cas du traitement parallèle.

Nous visons la modélisation des couplages électrothermiques entre les

différentes sources de chaleur dans le but de minimiser les pertes de puissance

dans les composants.

Comme résultat final nous espérons pouvoir joindre ensemble et d'une

manière interactive les modèles électriques complets de composants

électroniques de puissance avec les modèles complets de transfert de chaleur

par conduction, par convection et par radiation dans les structures

Je remercie mon directeur de recherche, Monsieur Adam SKOREK et

mon codirecteur Ahmed LAKHSASI pour leurs encouragements, leurs

extrêmement utiles pour la réalisation de ce projet. Je tiens aussi à remercier

Mes remerciements s'adressent aussi, à mon ancien collègue du Laboratoire

de d'électrothennie M Moktar BENAOUDIA ainsi que mes collèges du

Enfin mes remerciements vont au Conseil de recherches en sciences naturelles

Chapitre II. Notions de base sur la physique des semi-

2.1. Défmition ..... . ... ........ . ..................................... .. ..... ......... . 8

Chapitre III. Couplage électrothermique 39

3.1. Caractérisation thermique.. .. ................. .. . ..... . ......... .. ......... ... 39

Chapitre IV. Principe de la simulation électrothermique 63

Chapitre V. Modélisation parallèle 85

5.1. Outils parallèles ....................... . ....... . .. . ........ . .................... . 86

Tableau 2.1 . Propriétés électriques et thermo-physiques des principaux

La conception d'un interrupteur de puissance performant et fiable nécessite une

étude à la fois électrique et thermique (électrothermique).

L'analyse des transferts de chaleur dans les composants de l'électronique de puissance,

particularités résident essentiellement dans la géométrie et la structure des dispositifs, et

dans les sources de chaleur [26].

Le comportement des composantes semi-conducteurs est devenu très compliqué, un modèle

numérique est nécessaire pour analyser le comportement électrothermique dans le but

d'obtenir une meilleure optimisation au niveau des pertes. La conception d'outils de

simulation correspondante se trouve confronté par la complexité des phénomènes physiques

afin d'obtenir une description suffisante du comportement du composant.

comportement de ces composants que ce soit du point de vue électrique ou thermique

(PSPICE, FLUX 2D, FLUX 3D, NISA, SABER, JMAG, ... ).

le temps de simulation, d'où la nécessité d'une nouvelle approche.

Dans ce mémoire, on va identifier un modèle mathématique macroscopique en trois

dimensions incluant les paramètres électriques et thermiques.

ainsi que les simulations numériques :

C sur une station UNIX.

comparaison au niveau temps d'exécution entre les deux traitements.

1.2 Rappel sur les Modes de transfert de chaleur

On distingue habituellement trois modes différentes de transfert :

La conduction, le rayonnement et la convection [17][18][21][23].

L'écoulement de la chaleur dans les composants électroniques étant essentiellement de type

l'environnement extérieur [26].

On ne peut se lancer dans l'analyse thermique des composants sans un développement

particulier sur ces modes de transmission.

La conduction est le mode de transmission de la chaleur provoqué par la différence

de température entre deux régions d'un milieu matériel.

La loi fondamentale de la conduction thermique, établie par Fourier, s'exprime

mathématiquement par la proportionnalité, en tout point d'un corps isotrope, de la densité