TD 3
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? Exercice 01 :
Soit D une diode à jonction PN au silicium. Sa caractéristique peut être approchée par la
courbe suivante :
R1 Circuit (1) D
I (mA)
E R2
20
R3 R5
D
0,2 0,6 0,8 V (V) e(t) R4 Ru s(t)
E
Circuit (2)
PEN Solution :
1) Le circuit 1 :
1) On utilise le thèorème de Thévenin pour simplifier le circuit :
Trouvons ETh :
E R2 ETh
R2
Id
ETh Vd
2) Le circuit 2 :
1) D’après la caractéristique, on a la diode D est de la 3ème approximation :
Si la diode est passante :
Rd
≡
V0
∆V
Tel que V0 = 0, 6V et Rd = = 10Ω.
∆I
Si la diode est bloquée :
≡
e(t) R4 eTh
La résistance R5 n’est pas parcourue par un courant, donc eTh devient un diviseur de
tension et :
R4
eTh = e(t)
R4 + R3
Pour RTh :
R3 R5
R4
RTh = R5 + (R3 k R4 )
Par suite le circuit devient :
RTh
eTh R4 s(t)
R4
RTh = R5 + (R3 k R4 )
Par suite le circuit devient :
Rd
eTh V0 R4 s(t)
eTh R4 s(t)
E
On donne Rc = 1, 8 KΩ.
PEN Solution :
1) Dans ce cas on a VE < Vz0 , la diode de Zener est donc bloquée, et le circuit devient :
Ip Rp Is
VE Rc
Vs
2) Au seuil de conduction on a Iz = 0A, et Vs = Vz0 = 45V, or : Vs = Rc Is ⇐⇒ Is = , le
Rc
circuit vérifie toujours l’équation ci-dessus, mais avec des paramètres différentes :
Rp + Rc
VE − Rp Is − Rc Is = 0 ⇐⇒ VE = Vz0 = 50V
Rc
Donc à partir de VE = 50V, la tension est régulée.
3) Traçons la courbe Vs = f (VE ) :
Si 40 ≤ VE ≤ 50, la diode est bloquée, et :
f (40) = 36 V
f (50) = 45 V
45V
36V
4) Lorsque VE = 60V, la diode est passante, le circuit donc devient comme suit :
Ip Rp Is
Iz
VE Vz0 Rc Vs
? Exercice 03 :
Les diodes D1 et D2 , de la figure suivante sont identiques et possèdent la même caractéris-
tiques parfaite.
La tension d’entrée est sinusoïdale : Ve (t) = Vm sin(ωt).
On donne : Vm = 15V, E = 5V, R1 = 200W et R2 = 800W.
R1
D1 VD1 VD2 D2
Ve (t) R2 Vs (t)
E E
PEN Solution :
1) Cherchons VTh :
R1
Ve (t) R2 VTh
R1
R2
D1 VD1 VD2 D2
VTh
E E
RTh
V0 V0
VTh
E E
V0 + E = −(V0 + E)
Qui est absurde. Donc les deux diodes ne peuvent pas conduire au même temps.
D1
Id1
Vd1 E2
D2 Vd2
Vs (t) R Vs (t)
E2
Id2
PEN Solution :