Complement Electronique 3

Complement d’electronique niveaux 3 DIT
Douala Institute of Technology (DIT)

Course title: COMPLEMENT D’ELECTRONIQUE (Electronique et Optoélectronique)
Level: III Options: All Industrial Academic year: 2022/ 2023
Lecturer: ATEUNKENG JEAN GABAIN Address Email: ateunkeng@gmail.com
Prerequis
➢ Base de genie electrique
➢ Electrocinetique et electrostatique
➢ Electronique analogie et numerique
Objectifs :
Donner un apercu sur la comprehension, gestion, dimensionnement, Conception, Maintenance,
Analyse des équipement électronique et diverse.
Contenu du cour
Chapitre 1: Theorie des semi-conducteur
Chapitre 2 : Diodes et application
Chapitre 3 : Transistor bijonctions et application
Chapitre 4 : transistor Uni jonction et application
Chapitre 5 : Amplificateur opérationnel et application
Chapitre 6 : les Filtre et applications
Logiciel :
➢ Proteus et divers
Evaluation :
➢ Participation en class
➢ Control continue
➢ Examen semestriel
Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 1 DIT3

I. Theories des semi-conducteurs

1.1. Introduction et Definition
Un semi – conducteur est un matériau dont la résistivité est comprise entre 10-3 et
107Ω.m. Ainsi, les semi – conducteurs se situent à mi – chemin entre les matériaux conducteurs
et les matériaux isolants.
On dit que les semi – conducteurs sont des éléments chimiquement tétravalents par ce
qu'ils comportent quatre (4) électrons sur leur couche périphérique. Cette dernière propriété est
particulièrement importante en électronique.
Voila pourquoi les semi – conducteurs sont à la base de tous les composants
électroniques. On peut citer par exemple : les diodes, les transistors, les thyristors
1.2. L’ATOME
1.2.1. Generalites
L'atome est constitué par un noyau et des électrons, qui gravitent en orbite autour du noyau. Le
noyau, constitué de protons, est chargé positivement et les électrons sont chargés négativement.
Exemple : Le noyau d'un atome de silicium possède 14 électrons
Une observation de ce schéma nous permet de voir que : deux électrons circulent sur la
première orbite, huit sur la deuxième et quatre sur l'orbite périphérique.
Le nombre maximal d'électrons pouvant circuler sur chaque orbite est donné par la formule
suivante :
N = 2 n2
dans laquelle n est le numéro de l'orbite.
Les 14 électrons neutralisent la charge des 14 protons. C'est pourquoi on dit que l'atome
est électriquement neutre. Entre les atomes, il existe plusieurs types de liaisons dont les plus
importantes sont : la liaison de covalence, la liaison ionique, la liaison métallique, la liaison
moléculaire …
1.2.2. Niveau d’energie
Les électrons peuvent circuler sur la 1ère , la 2ème ou la 3ème orbite, et non sur les orbites
intermédiaires

Il faut dépenser une certaine quantité d'énergie pour faire passer un électron d'une orbite
inférieure à une orbite supérieure.
Si une énergie extérieure bombarde un atome, elle peut augmenter l'énergie d'un électron
qui s'élève à un niveau énergétique supérieur. On dit que l'atome est en état d'excitation. Cet état
ne dure pas longtemps car l'électron excitée revient bientôt à son niveau énergétique initial, en
restituant l'énergie acquise, sous forme de chaleur ou de lumière.
1.2.3. Cristal
Un atome de silicium isolé possède quatre électrons sur son orbite de valence. Cependant,
pour être chimiquement stable, il doit en avoir huit sur cette orbite. Il se combinera donc avec
quatre autres atomes, de manière à avoir huit électrons sur son orbite de valence.
Lorsque les atomes de silicium se combinent pour former un solide, ils se disposent en une
structure ordonnée appelée cristal. Ainsi, chaque atome de silicium se positionne de lui – même
entre quatre autres atomes de silicium.
1.2.4. Les trous

Lorsqu'une énergie externe enlève un électron de valence, l'électron migrateur laisse un
vide ou encore une lacune appelée trou. L'atome d'où vient cet électron se charge positivement et
l'atome où va cet électron se charge négativement. Le phénomène des trous est très important dans
le fonctionnement des diodes et des transistors.
1.3. Types de Semi-conducteurs
1.3.1. Notion de dopage
On appelle cristal pur un semi – conducteur formé à partir des atomes de même nature.
Le dopage est l'ajout d'atomes d'impuretés à un cristal de semi – conducteur, pour
augmenter le nombre d'électrons libres, ou encore le nombre de trous.

On obtient un cristal de type N si le dopeur est pentavalent (cinq électrons de valence) et

un cristal de type P si le dopeur est trivalent (trois électrons de valence).
Un cristal dopé est appelé un semi – conducteur intrinsèque.
1.3.2. Semi-conducteur de type N
Pour augmenter le nombre d'électrons de la bande de conduction, on ajoute des atomes
pentavalents au cristal. L'ajout d'atomes pentavalents à un cristal de silicium préserve la majorité
des atomes de silicium. Après la formation des liaisons de covalence, l'atome central possède un
électron de trop qui doit circuler sur une orbite de la bande de conduction. Ainsi, les électrons
sont des porteurs majoritaires et les trous sont des porteurs minoritaires.
Ce type de semi – conducteur est appelé semi – conducteur de type N
Les atomes pentavalents sont appelés atome donneur d'électrons. Exemple : l'arsenic,
l'antimoine, le phosphore …
1.3.3. Semi-conducteur type P
Pour avoir des trous supplémentaires, on utilise des atomes trivalents. Après l'ajout d'une
telle impureté, chaque atome trivalent sera entouré de quatre atomes de silicium. Il aura ainsi
sept (7) électrons sur son orbite de valence. Il restera donc un trou.
Un tel semi – conducteur est appelé semi – conducteur de type P .
Les atomes trivalents sont appelés atomes accepteurs d'électrons. Exemple : l'aluminium,
le bore, le gallium …
1.3.4. Jonction PN
On peut fabriquer un cristal moitié du type P et moitié du type N. la zone de rencontre
entre les régions de type P et N s'appelle une jonction. Un tel cristal s'appelle une diode.
Le côté P possède un grand nombre de trous (porteurs majoritaires) et le côté N possède un

grand nombre d'électrons (porteurs minoritaires)
Au niveau de la jonction des deux semi – conducteurs, in se produit un phénomène de
diffusion des porteurs : les électrons diffusent de N vers P et les trous de P vers N.
Le départ d'un électron libre de la région N crée un atome chargé positivement (ion positif)
dans la région N. peu après son entée dans la région P, il tombe dans un trou. Le trou disparait et
l'atome en question devient chargé négativement (ion négatif).
A mesure que le nombre d'ions augmente, la région voisine de la jonction s'appauvrit en
électrons libres et en trous. Cette région est appelée la couche d'appauvrissement ou de déplétion.
1.3.5. Barriere de potentiel

La couche d'appauvrissement se comporte comme une barrière qui empêche les électrons
de traverser la jonction. Un électron libre de la région N qui veut pénétrer dans la zone
d'appauvrissement se heurte à une paroi d'ions négatifs qui le repoussent vers la droite. S'il a
assez d'énergie, il peut percer la paroi et pénétrer dans la région P où il tombe dans un trou créant
ainsi un ion négatif.
L'intensité de la couche d'appauvrissement croit à mesure que les électrons la traversent,
jusqu'à obtention d'un équilibre. La différence de potentiel entre les extrémités de la couche
d'appauvrissement s'appelle la barrière de potentiel.
A 25°C, la barrière de potentiel est égale à 0,7V pour le silicium et 0,3V pour le
germanium.

II. Diodes et Applications

2.1. La diode a Jonction
2.1.1. Presentation de la diode a jonction
a) Definition
Une diode à jonction est un dipôle constitué d'un cristal de semi – conducteur. Elle comporte une
jonction PN et deux électrodes métalliques qui sont respectivement en contact avec la région P
(anode) et la région N (cathode). Son rôle est de laisser passer le courant dans un sens, et de le
bloquer dans le sens inverse.
b) Symbole et presentation physique
c) Constitution d’une diode

Une diode à jonction est réalisée à base d'un fragment de silicium ou de germanium. Elle comporte
une région P, une région N et une zone intermédiaire appelée jonction.
La zone P est la zone où les trous sont majoritaires et la zone N est la zone où les électrons sont
majoritaires.
2.1.2. Polarisation de la diode a jonction
a) Polarisation directe
On dit qu'une diode est polarisée en direct lorsque l'anode est reliée au pôle positif du
générateur et la cathode au pôle négatif. Ainsi le potentiel de l'anode est supérieur au potentiel de
la cathode. Dans ce cas, la diode est passante.

Le modèle électrique d'une diode polarisée en direct est équivalent à une source de tension
u0 appelée tension seuil, en série avec une résistance dynamique Rd.
La diode reste bloquée tant que ud < uo
b) Polarisation inverse
Une diode est dite polarisée en inverse lorsque le potentiel de la cathode est supérieur au potentiel
de l'anode. Dans ce cas, la diode reste bloquée.
2.1.3. caracteristiques de la diode a jonction

a) caracteristique reelle
➢ Zone OC : la diode est soumise à une tension Ud < U0. Aucun courant ne circule. C'est la
zone de blocage direct.
➢ Zone CB : la tension Ud≅U0. Un léger courant circule dans la diode. C'est la zone de
coude.

➢ Zone BA : Ud > U0. Le courant est de plus en plus important. C'est la zone de conduction,
ou encore zone linéaire.
➢ Zone OD : le courant est négatif. C'est la zone de blocage inverse.
➢ Zone DF : pour une petite variation de la tension, on a une grande variation du courant.
C'est la zone de claquage inverse.
b) Caractéristique linéaire
On suppose que la diode a un courant nul pour toute valeur de Ud < U0. Elle commence à
conduire à partir de Ud = Uo. Ainsi, on a Ud = U0 + Rd Id
c) Caractéristique idéale
Dans la caractéristique idéale, on suppose que la tension seuil U0 est nulle, ainsi que la
résistance dynamique rd de la diode.
- En direct, la diode est comparable à un interrupteur fermé
- En inverse, la diode est comparable à un interrupteur ouvert.
Remarque : Pour une diode au germanium, la tension seuil U0 est comprise entre 0,2V et
0,3V. pour une diode au silicium, U0 est comprise entre 0,6V et 0,7V
2.1.4. Analyse de la ligne de charge (Droite de charge)

La droite de charge permet de déterminer le courant et la tension exacte de la diode. Soit le
circuit de la figure suivante :
L'équation de la maille donne : Vs – Rp I – V = 0 Pour I = 0, on trouve V = Vs Pour V = 0, on a

I = 𝑉𝑆/𝑅p
Exemple :
soit Vs = 2V et Rp = 100Ω. Touvez le point de fonctionement
Pour V = 0
Le point de coordonnées (I = 20mA ; V = 0) appartient à l'axe vertical. On l'appelle point de
saturation parce qu'il représente le courant maximal.
Pour I = 0, on a V = Vs = 2V
Le point de coordonnées (I = 0A ; V = 2V) appartient à l'axe horizontale. On l'appelle point de
blocage ou encore point de coupure parce qu'il représente la tension maximale.
Le point d'intersection entre la droite de charge et la caractéristique de la diode (point Q) est appelé
point de fonctionnement de la diode. Les coordonnées de ce point représentent le courant et la
tension de la diode pour une tension de source de 2V et une résistance de protection de 100Ω
Ce point peut aussi se déterminer graphiquement par lecture directe sur papier millimétré.
2.1.5. Configuration des diode en parallel et series a avec l’entre continue

a) Diodes en anode commune

Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs anodes, la diode qui conduit est celle qui a la plus
petite tension de cathode.
Dans ce cas, on suppose que E > 2V

b) Diodes a cathodes Communes
Lorsqu' on groupe plusieurs diodes par leurs cathodes, la diode qui conduit est celle qui a la plus
grande tension d'anode.
Dans ce cas, on suppose que E < 10V
2.1.6. Choix d’une diode

Une diode à jonction est essentiellement caractérisée par :
➢ Le courant direct (IF) : c'est le courant nominal qu'elle laisse passer dans le sens direct.
➢ La tension inverse (Vinv) : c'est la tension inverse qu'elle peut supporter sans destruction
de sa jonction. Pour choisir une diode à jonction pour une application quelconque, on doit
tenir compte des grandeurs suivantes :
➢ Le courant direct moyen maximal : IFAM
➢ Le courant direct de pointe répétitif : IFRM
➢ Le courant inverse continu : IR
➢ La tension directe continue : VF
➢ La tension inverse de pointe répétitive : VRRM

➢ La résistance dynamique : Rd - La tension seuil : Us, U0 ou E La puissance consommée

par une diode est égale à : Pd = Vd x Id = (U0 + rd Id) Id
2.2. Diodes Speciales
2.2.1. Diode électroluminescente (DEL)
Les diodes électroluminescentes (DEL) sont souvent désignées par leur sigle anglais LED (ligth
emeting diode). Ce sont des diodes à jonction à semi – conducteur, qui émettent de la lumière
lorsqu'elles sont polarisées en direct. Certaines émettent des radiations infra – rouge. On les
appelle des photo – émetteurs.
a) Symbole
b) Fonctionnement
 En polarisation direct :
- Si VAK > VF alors la LED s'allume ;
- Si VAK < VF alors la LED s'éteint.
 En polarisation inverse, la LED reste éteinte.
N.B : VF est la tension seuil de la LED
c) Carasteristiques
Leur tension seuil direct VF0 varie de 1,5V à 2,2Vet le courant direct varie de 10mA à 30mA
Remarque : Il existe aussi des LED bicolores : ce sont des doubles LED, l'une verte et l'autre
rouge. Les deux sont contenus dans un même boitier
Selon les polarités, c'est l'une ou l'autre des LED qui s'allume à la fois.
d) Application des LED
Les LED sont utilisées pour réaliser :
- Les voyants indiquant la présence d'une tension
- Les indicateurs des fonctions logiques ;
- Les afficheurs des valeurs numériques (afficheur 7 segments).
- Les opto – coupleurs
2.2.2. Les photo-diodes

Une photo – diode est une diode à jonction à semi – conducteur qui produit un courant inverse
lorsque sa cathode est éclairée par une lumière convenable.
Ainsi, elle est toujours polarisée en inverse. Les photo – diodes font partie de la catégorie des photo
– détecteurs.
2.2.2. Les photo-coupleurs

Un photo – coupleur est constitué par l'association d'un photo – émetteur et d'un photo – détecteur.
Les deux sont contenus dans un même boitier métallique ou plastique étanche à la lumière. Ils sont
couplés optiquement et isolés électriquement.

Les opto – coupleurs peuvent être utilisés comme relais ou comme transformateur d'isolement. On
peut aussi les utiliser pour la transmission des informations à distance (signaux téléphoniques,
signaux vidéo …)
2.3. Application des diodes-Le redressement
2.3.1. Redressement mono ou simple alternance
2.3.2. Redressement mono ou simple alternance avec filtrage par condensateur
2.3.3.
2.3.4. Redressement double alternance
2.3.4.1. Montage a pont de graetz
Ou
2.3.4.2. Montage a pont de graetz avec filtrage par condensateur

2.3.4.3. Montage avec transformateur a point milieu
2.4. La diode Zener et Application

2.4.1. Definition et presentation
2.4.1.1. Definition
Une diode zener est une diode à jonction qui, en plus du courant direct, laisse passer un courant
inverse relativement important, sans destruction par claquage de sa jonction.
2.4.1.2. Symbole
Une diode zener peut avoir un des symboles suivants :
2.4.2. Montage direct et montage indirect
Dans le sens direct, la diode zener se comporte comme une diode à jonction ordinaire, c'est – à –
dire qu'elle conduit à partir de la tension seuil U0.

Dans le sens inverse, la diode zener reste bloquée jusqu'à une certaine valeur Uz de la tension, puis
elle cède brusquement passage à un courant important. Uz est appelée la tension de zener.
2.4.3. Caracteristics
Iz = intensité inverse
Izmin = intensité inverse minimale
Izmax = intensité inverse maximale
OD = zone de fuite
DE : zone de coude
EF = zone d'avalanche non destructive.
2.4.4. Modèle électrique de la diode zener
Une diode zener polarisée en inverse est équivalente à une source de tension Uzo en série avec une
résistance dynamique rz.

2.4.5. La diode zener ideal

Une diode zener idéale a les caractéristiques suivantes :
- La chute de tension directe Uo est nulle ;
- La résistance dynamique rz est nulle ;
- Lorsque le courant inverse est différent de zéro, la tension inverse est constante.
D'où la caractéristique suivante :
2.5. Application des diodes zener : Stabilization (Regulation)des tension

2.5.1. But de la stabilization
La stabilisation a pour but de maintenir la tension constante aux bornes de la charge, quelque soient
les variations de la tension d'alimentation, ou de la résistance de charge. L'élément principal de la
stabilisation de tension est la diode zener
2.5.2. Stabilisation amont

La charge restant fixe, on fait varier la tension d'alimentation
Schema
Allure de la courbe

Facteur de stabilisation
2.5.3. Stabilisation en aval

La tension d'entrée restant fixe, on fait varier la tension de sortie à l'aide d'un rhéostat de charge

III. Le Transistor Bipolaire et Application

3.1. Introduction
Le transistor bipolaire est un composant électronique fabriqué à base de semi – conducteurs. Son
apparition a complètement révolutionné le monde industriel.
Avant 1950, tout équipement électronique fonctionnait à base des tubes à vide. C'était un
dispositif volumineux, et qui consommait beaucoup d'énergie.
En 1951, SHOCKLEY inventa le tout premier transistor à jonction. Dés lors le transistor
commença à remplacer progressivement les tubes à vide dans toutes les applications.
Au niveau des ordinateurs, cette évolution fut spectaculaire. Avant 1950, un ordinateur occupait
une salle de 100m2 à peu près. Il coûtait plusieurs millions de francs, et consommait plusieurs
kilowatts. A cause du transistor, un meilleur ordinateur tient de nos jours dans une poche. Il
coûte quelques centaines de milliers de francs et consomme quelques centaines de watts.
3.2. Constitution et symbolisation

Constitution
Le transistor bipolaire ou transistor à jonction est constitué par un cristal de semi – conducteur
(silicium ou germanium), comportant deux jonctions PN et trois régions de conductibilité
différente, qui sont :
➢ L'émetteur : il est fortement dopé. Sa fonction est d'émettre ou d'injecter des électrons dans
la base.
➢ La base : elle est légèrement dopée et très étroite. Sa fonction est de conduire la plupart des
électrons émis par l'émetteur vers le collecteur.
➢ Le collecteur : son niveau de dopage est moyen. Son rôle est de recueillir ou de collecter
les électrons provenant de la base
Symbolisation
Selon la disposition des trois régions, on distingue deux types de transistors :

Comment trouver la base, et le type de transistor ?

A l'aide d'un ohmmètre, on teste deux à deux les électrodes du transistor. On détermine la paire
qui est bloquée dans les deux sens. L'électrode restante est la base.
On teste ensuite les jonctions base
– émetteur et base
– collecteur.
➢ Si elles sont passantes dans le sens direct, alors on a affaire à un transistor NPN ;
➢ Si elles sont passantes dans le sens inverse, alors on a affaire à un transistor PNP ;
➢
Comment distinguer le collecteur et l'émetteur ?
On réalise le montage suivant :
On fait varier E jusqu'à ce que U se stabilise. On en déduit qu'on a atteint la tension de claquage
entre E et B. on permute le collecteur et l'émetteur et on mesure à nouveau la tension U. la plus
faible tension de claquage correspond au couple base – émetteur.
3.3. Polarisation d’un transistor Bipolaire

La polarisation d’un transistor consiste à lui appliquer un ensemble de tensions et de courants, afin
qu’il soit en état d’amplifier un signal.
Il existe trois modes de polarisation :
- Le montage base commune ;
- Le montage émetteur commun ;
- Le montage collecteur commun.
La polarisation de base

Polarisation par réaction d'émetteur
Polarisation par diviseur de tension
On se ramène donc à un schéma de polarisation par réaction d'émetteur.

3.4. Caracteristique Statique d,un transistor NPN
Les caractéristiques d'un transistor sont définies par quatre paramètres principaux :
- La tension base
– émetteur ( VBE) ;
- Le courant de base ( IB) ;
- La tension collecteur émetteur ( VCE) ;
- Le courant collecteur ( Ic).
Caractéristique d'entrée
Caractéristique de sortie
Caractéristiques de transfert en courant

Caractéristiques idéalisées

IV. Le Transistor a effet de champ

4.1. Introduction
Le transistor bipolaire est le composant essentiel de l'électronique linéaire. Son fonctionnement

repose sur deux types de charges qui sont : les trous et les électrons. D'où le qualificatif bipolaire.
Il existe par contre un autre type de transistor, dont le fonctionnement repose sur un seul type de
charge : soit les trous, soit les électrons. C'est le transistor unipolaire. Ce type de transistor
convient particulièrement pour certaines applications en électronique.
Le transistor à effet de champ est un exemple de transistor unipolaire. C'est un dispositif
commandé par une tension, par opposition au transistor bipolaire qui est commandé par un
courant.
On distingue deux types de transistors à effet de champ :
• Le transistor à effet de champ (TEC) à jonction ou JFET (Jonction Field Effet

Transistor).
• Le transistor à effet de champ à grille isolée ou MOSFET (Metal Oxyde Semi –
Conductor Field Effet Transistor).
4.2. Le transistor a effet de champ a jonction (JFET)
4.2.1. Constitution et symbole

Il existe deux catégories de JFET :
- Le JFET à canal N ;
- Le JFET à canal P.
a) JFET à canal N
Un JFET à canal N est constitué d'un barreau de silicium dopé d'un matériau semi – conducteur
de type N à deux ilots, et d'un matériau de type P noyé dans ses flancs.
La partie inférieure s'appelle la source (S), la partie supérieure s'appelle le drain (D). Les deux
régions P sont reliées intérieurement et constituent la grille (G). Le petit espace entre les deux
régions P s'appelle le canal. Les électrons libres doivent circuler par ce canal pour aller de la
source au drain

b)JFET à canal P
Un JFET à canal P est constitué d'un barreau de silicium dopé d'un matériau semi – conducteur de
type P à deux ilots, et d'un matériau de type N noyé dans ses flancs.
a) constitution ; b) Symbole
4.2.2. Caractéristiques d'un JFET à canal N

• On place une source de tension positive entre le drain et la source, et une source de tension
négative entre la grille et la source.
• n courant d'électrons circule de la source vers le drain, en passant par le canal. Il ut toujours
polariser la grille en inverse. Cela a pour but d'empêcher tout courant au niveau de la grille.
• lus la tension grille est négative, plus le anal est étroit.
• Le TEC a une impédance d'entrée très élevée.
a) Tension de blocage grille – source

Lorsque la tension grille est suffisamment négative, le canal se ferme et bloque le courant drain.
On note VGS(blocage) la valeur de la tension grille qui bloque le courant drain.
Exemple : Pour le transistor 2N5951, on a VGS(blocage) = - 3,5V Certains constructeurs

appellent cette tension la tension de pincement.
b) Caractéristique de drain : ID = f ( VGS)
Ces caractéristiques sont comparables à celles d'un transistor bipolaire. Elles comportent
une région de saturation, une région active, une région de claquage et une région de blocage.
La tension maximale de saturation (VDS = 4V pour VGS = 0) est égale à la valeur absolue
de la tension de blocage grille – source.

Entre 4V et 30V, le courant drain est presque constant et le JFET se comporte comme une
source de courant d'environ 100mA.
Lorsque VGS dépasse 30V, le JFET entre dans la zone de claquage.
c) Caractéristique de transconductance.
C'est la courbe de variation du courant de sortie (ID) en fonction de la tension d'entrée (VGS).
L'équation générale de cette caractéristique est donnée par :
d) Fonctionnement en commutation
C'est le fonctionnement d'un JFET dans les deux états extrêmes, c'est – à dire l'état passant et l'état
bloqué
- Lorsque VGS = 0, le TEC est passant et il est comparable à un interrupteur fermé entre le drain
et la source.
- Lorsque VGS = VGS(blocage), le TEC est bloqué et il est comparable à un interrupteur ouvert
entre le drain et la source.
4.2.3. Polarisation d'un JFET à canal N

a) Polarisation de grille

C'est la pire façon de polariser un JFET car, le point de repos varie excessivement.
Droite de charge statique
b) Polarisation automatique

Figure 11 : Courbe de polarisation automatique d'un TEC

c) Polarisation par diviseur de tension
Cette polarisation repose sur le même principe que celle d'un transistor bipolaire par diviseur de
tension. La tension de Thévenin appliquée à la grille est égale à :

Id ne varie pas beaucoup, d'où le point de repos est stable.

Remarque :
Le fonctionnement d'un JFET à canal P est complémentaire à celui d'un JFET à canal N. Autrement
dit, toutes les tensions et les courants doivent être inversés. Les différentes polarisations d'un JFET
canal N sont aussi valables pour le JFET à canal P

4.2.3. Etude du JFET en régime d'amplification

a) Schéma équivalent en régime dynamique
Du fait de sa grande résistance d'entrée entrainant IG = 0, le schéma équivalent en régime
dynamique du JFET est le suivant :
gm est appelée la transconductance ou encore la conductance mutuelle. Sa valeur est donnée par :
Son unité est le milliampère par volt(mA/V).

rDS est la résistance interne du TEC. Sa valeur est
Certains constructeurs note S pour gm et 𝜌 pour rDS
Dans la plupart de cas, rDS est très grande. Le schéma devient :
Certains constructeurs notent S pour gm et 𝜌 pour rDS.

b) Montage source commune


Remarque : On a toujours Av < 1 pour un amplificateur à drain commun.

4.3. Transistor a effet de champ a grille isolle (MOSFET)

4.3.1. Constitution et symbole
Le transistor à effet de champ métal oxyde – semi – conducteur (MOSFET) ou tout

simplement transistor MOS est également constitué d'une source, d'une grille et d'un drain.
Cependant, à la différence du TEC à jonction, la grille est séparée du canal.
Le courant grille est extrêmement petit, que la grille soit négative ou positive. La grille est
métallique, d'où l'appellation MOS.
Tout comme les TEC à jonction, Il existe deux types de transistor MOS :
• Le transistor MOS à canal N (NMOS) ;
• Le transistor MOS à canal P (PMOS).
On distingue deux modes de fonctionnement :
• Le fonctionnement en régime d'appauvrissement, où les électrons s'éloignent du canal
;
• Le fonctionnement en régime d'enrichissement, où les électrons affluent vers le canal. Ainsi

les différents symboles sont les suivants :

4.3.2. Fonctionnement
a) Fonctionnement en régime d'appauvrissement ou de déplétion
En régime d'appauvrissement la tension grille est négative. Plus cette tension est négative plus le
courant drain est petit et le MOSFET fonctionne comme un JFET. Lorsqu' elle est suffisamment
négative, ce courant s'annule.
Le fonctionnement à grille négative dépend de l'appauvrissement du canal en électrons libres.
Remarque : Le substrat est généralement relié à la source dès la fabrication.
b) Fonctionnement en régime d'enrichissement

En régime d'enrichissement, la tension VGS est positive. Cette tension positive augment le nombre
d'électrons libres qui traversent le canal. Ainsi, plus VGS est positive plus le courant drain est
grand.
Remarque : Le fonctionnement d'un MOSFET à canal P est complémentaire à celui d'un

MOSFET à canal N. Autrement dit, toutes les tensions sont inversées, ainsi que les courants.
Les différentes polarisations d'un JFET sont aussi valables pour un MOSFET.
4.3.3. Transistor MOS complémentaire ( CMOS)
Il est constitué de deux transistors :

- Un transistor MOS à canal N ;
- Un transistor MOS à canal P.
Les deux transistors fonctionnent en régime d'enrichissement, et de façon complémentaire. Lorsqu'
un transistor conduit, l'autre est bloqué, et vice versa. L'ensemble est cependant bloqué lorsque le
tension d'entrée est nul. Les deux transistors étant en série, le courant du circuit est très faible
(quelques nano ampères). La puissance dissipée par le circuit est de quelques nano Watts
seulement. C'est la raison pour laquelle on utilise les transistors CMOS dans les circuits intégrés à
très haut niveau d'intégration et à très faible consommation. On les retrouve particulièrement dans
les calculatrices, les montres numériques et les satellites.

Chapitre 5 : L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ET APPLICATION
I – AMLIFICATEUR DIFFERENTIEL
1) Définition
On appelle amplificateur différentiel un composant électronique comportant deux entrées et une
sortie. Il a pour rôle de faire la différence entre deux tensions appliquées à ses entrées, et
d'amplifier cette différence.
2) Symbole
3) Amplificateur différentiel réel

Pour un amplificateur différentiel réel, on a la relation suivante :
4) Amplificateur différentiel réel

Dans le cas d'un amplificateur réel,
on a AC = 0 D'où S = AD ( V+ - V - ) et RMMC = ∞
II – AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Introduction
L'amplificateur opérationnel est le nom commercial de l'amplificateur différentiel. Ils sont
commercialisés sous forme de circuits intégrés.
L'amplificateur opérationnel le plus courant est le 741. Son boitier se présente sous la forme
suivant :

2) Définition
L'AOP est un circuit intégré comportant de nombreux transistors, renfermés dans un boitier relié
à l'extérieur par l'intermédiaire des broches, qui sont des bornes de connexion.
3) Polarisation d'un AOP

Pour que le circuit puisse fonctionner, les transistors doivent être polarisés. Pour cela, on leur
applique deux tensions continus symétriques (+Vcc et –Vcc)
4) Caractéristiques d'un AOP
Le schéma équivalent interne de l'AOP est le suivant :

Un AOP réel est caractérisé par :

o Une amplification, différentielle très élevée (AD = 5 x104 à 2 x 105 ) ;
o Un RMMC élevé (de l'ordre de 3 x103 à 105) ;
o Une impédance d'entrée très élevée ( Ze = 1MΩ à plusieurs dizaines de MΩ)
o Un courant d'entrée très faible (quelques dizaines de mA) ;
o Un courant de sortie faible.
5) Tension d'off set ou de décalage

Lorsqu'on alimente les deux entrées d'un Aop au même potentiel, on devrait avoir une tension de
sortie nulle. Ce n'est cependant pas le cas. Pour ramener la sortie à zéro, on applique une certaine
tension à l'entrée +Vcc ou à l'entrée – Vcc. Cette tension est appelée tension d'off set ou tension
de décalage. Elle joue un rôle de compensation et sa valeur est de quelques volts.
III – FONCTIONNEMENT D'UN AOP
Un Aop peut avoir deux modes de fonctionnement : le mode linéaire et le mode saturé.
1) Fonctionnement en mode linéaire

Si le point de fonctionnement est situé sur le segment [M1 ; M2] , alors Vs est proportionnelle à
Vd. On a Vs = AD0 Vd
La tension de sortie Vs varie de – Vsat à +Vsat et la tension d'entrée Vd doit être comprise entre
- ℇ et + ℇ
Vsat = AD ℇ
ℇ est une tension qui est toujours très faible, de l'ordre de 1mV
Remarque : Pour faire fonctionner un Aop en régime linéaire, il suffit d'avoir une contre –
réaction négative, c'est – à – dire une liaison de l'entée inverseuse à la sortie.
2) Fonctionnement en régime de saturation
Lorsque la tension d'entrée Vd n'est pas dans l'intervalle [ℇ ; ℇ] , on dit que l'Aop fonctionne en
régime de saturation
ℇ étant une tension très faible, un Aop se sature très facilement.
Remarque : Pour faire fonctionner un Aop en régime de saturation, il faut, soit lui appliquer une
contre – réaction positive, soit n'appliquer aucune contre – réaction. Une contre – réaction positive
est une liaison de la borne non inverseuse à la sortie.

3) Amplificateur opérationnel idéal

a) Définition
Pour étudier plus facilement des circuits comportant des Aop, on a imaginé un composant idéal
appelé Aop parfait. Ce composant fictif fonctionne de manière idéale. Il permet de déterminer
approximativement et rapidement les performances d'un montage.
b)Performances de l'Aop idéal

Un Aop idéal comporte les caractéristiques suivantes :
- Une amplification commune nulle (AC = 0)
- Une amplification différentielle infinie (AD → ∞)
- Une impédance de sortie nulle (Zs = 0)
- Une impédance d'entrée infinie (Ze → ∞)
- Les deux bornes d'entrée sont toujours au même potentiel ( V+ = V- )
- Vd = 0 →ℇ =0
Ainsi, sa caractéristique est la suivante :
Conséquences :
Par ailleurs, Ze → ∞ d'où

IV – APPLICATION DES AOP EN REGIME LINEAIRE
Dans ce paragraphe, tous les Aop seront considérés comme étant idéals
1) Montage suiveur
Ce montage est utilisé comme adaptateur d'impédance.

2)Montage inverseur
3) Montage non inverseur
4) Montage sommateur

5) Montage soustracteur
V – FONCTIONNEMENT DE L'AOP EN REGIME DE SATURATION
En régime de saturation, la tension différentielle Vd = V+ - V - n'est plus nulle.
1) Montage comparateur.
Un comparateur est un circuit qui effectue la comparaison entre deux tensions d'entrée et qui
fournit en sortie le basculement haut ou bas, selon le signe de la différence V+ - V - entre les
entrées. La sortie varie alors entre +Vsat et - Vsat

Application : Une tension v est comparée à une tension constante Vref, qui est une tension de
référence.

Complement Electronique 3

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Complement Electronique 3

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Complement Electronique 3

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Complement d’electronique niveaux 3 DIT

Douala Institute of Technology (DIT)

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 1 DIT3

I. Theories des semi-conducteurs

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 2 DIT3

1.2.4. Les trous

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 3 DIT3

On obtient un cristal de type N si le dopeur est pentavalent (cinq électrons de valence) et

Le côté P possède un grand nombre de trous (porteurs majoritaires) et le côté N possède un

1.3.5. Barriere de potentiel

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 4 DIT3

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 5 DIT3

II. Diodes et Applications

c) Constitution d’une diode

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 6 DIT3

La diode reste bloquée tant que ud < uo

2.1.3. caracteristiques de la diode a jonction

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 7 DIT3

- En inverse, la diode est comparable à un interrupteur ouvert.

2.1.4. Analyse de la ligne de charge (Droite de charge)

L'équation de la maille donne : Vs – Rp I – V = 0 Pour I = 0, on trouve V = Vs Pour V = 0, on a

2.1.5. Configuration des diode en parallel et series a avec l’entre continue

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 9 DIT3

Dans ce cas, on suppose que E > 2V

Dans ce cas, on suppose que E < 10V

2.1.6. Choix d’une diode

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 10 DIT3

➢ La résistance dynamique : Rd - La tension seuil : Us, U0 ou E La puissance consommée

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 11 DIT3

2.2.2. Les photo-coupleurs

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 12 DIT3

2.3.2. Redressement mono ou simple alternance avec filtrage par condensateur

2.3.4.2. Montage a pont de graetz avec filtrage par condensateur

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 13 DIT3

2.3.4.3. Montage avec transformateur a point milieu

2.4. La diode Zener et Application

2.4.2. Montage direct et montage indirect

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 14 DIT3

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 15 DIT3

2.4.5. La diode zener ideal

2.5. Application des diodes zener : Stabilization (Regulation)des tension

2.5.2. Stabilisation amont

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 16 DIT3

2.5.3. Stabilisation en aval

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 17 DIT3

III. Le Transistor Bipolaire et Application

3.2. Constitution et symbolisation

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 18 DIT3

Comment trouver la base, et le type de transistor ?

3.3. Polarisation d’un transistor Bipolaire

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 19 DIT3

Polarisation par réaction d'émetteur

Polarisation par diviseur de tension

On se ramène donc à un schéma de polarisation par réaction d'émetteur.

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 20 DIT3

3.4. Caracteristique Statique d,un transistor NPN

Caractéristiques de transfert en courant

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 21 DIT3

Prepared by : ATEUNKENG J.G Page 22 DIT3

IV. Le Transistor a effet de champ