Chapitre 1

Amplificateurs petits signaux à base

des transistors bipolaires
 Amplificateurs petits signaux à base des transistors bipolaires

I- DEFINITIONS
Un transistor est un composant électronique utilisé pour remplir la fonction d’amplificateur (de
courant ou de tension) ou la fonction de commutateur électronique. On envisage deux
configurations NPN et PNP. Pour un transistor NPN, on trouve :
- Un Emetteur (zone N) fortement dopé
- Une base (zone P) très mince et faiblement dopée
- Un collecteur (zone N) peu dopé

Sur le schéma électrique, la flèche est orientée dans le sens où la jonction Base-Emetteur est
passante.
Le transistor PNP étant le symétrique du transistor NPN, on traitera spécialement par la suite le
« NPN »
Exemples de Transistor:

• Transistor NPN:
BC 547 / BC 557 - 2N2222 / 2N2907

• Transistor PNP: 2N3906

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II- TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME STATIQUE

II-1 Grandeurs caractéristiques
Le transistor bipolaire est caractérisé par:

- VBE : tension base-émetteur

- IB : Courant de base
- VCE : tension collecteur-émetteur
- IC : Courant de collecteur
- Le courant d’émetteur IE qui s’obtient par: IE = IB + IC
VBE et IB sont les grandeurs d’entrée, VCE et IC sont les grandeurs de sortie et on a :
VBE << VCE et IB << IC

II-2 Réseaux de caractéristiques

Un transistor possède quatre grandeurs électriques qui sont toutes dépendantes l'une de l'autre.
Par conséquent, pour un couple de grandeurs donné, il existe plusieurs caractéristiques que l'on
appelle un réseau de caractéristiques. Prenons l'exemple du couple (VCE, IC), nous savons
que le courant IC est fonction du courant IB (IC est également fonction de la tension VBE
puisque celle-ci détermine IB). Par conséquent, il est possible de tracer une courbe
caractéristique pour chaque valeur du courant IB.
- Caractéristique IB = f(VBE ) à VCE(cst) : Réseau d’entrée

Dès que VBE est supérieur à Vseuil, toutes les courbes sont pratiquement confondues car
l’influence de la tension de sortie sur le courant d’entrée est négligeable. La caractéristique est
identique à celle d’une diode qui est constituée par la jonction base-émetteur.
Pour un transistor ( par ex. au silicium), VBE varie très peu et reste voisin de 0.65 V
- Caractéristique IC = f(IB ) à VCE(cst)

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On a :
- IC = 0 en fonctionnement bloqué
- IC = β IB en fonctionnement linéaire ( β : gain en courant )
- IC = ICsat en fonctionnement saturé (à VCEsat)

- Caractéristique I = f (V ) à IB cst : Réseau de sortie

C CE

- VCE< VCEsat (presque 0.3V pour le transistor en silicium), Ic varie linéairement avec
VCE et dépend de IB.
- VCE = VCEsat , le transistor se sature lorsque IC ne dépend plus de IB (IB > IBSAT).
- VCE > VCEsat : le courant IC est quasi-indépendant de VCE et il est donné par la relation:

(ICE0 (courant de fuite) et k étant faible, on utilise en pratique la relation simplifiée:

IC = β IB (régime linéaire))
- Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur fermé
- Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert
On utilise souvent les caractéristiques IC = f (VCE) mais il est utile de considérer les
caractéristiques complètes « 4-quadrants » représentées ci-après.

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Remarque :
- Le réseau de transfert en courant est constitué par des courbes presque linéaires passant par le
point IB = 0 et ICE0 qui est faible (IC = β IB )
- A partir des valeurs de deux grandeurs, on peut déduire celles des deux autres

- D’après Le réseau de transfert en tension : VBE= f(VCE) avec IB constant, on constate que les
variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension d’entrée.

- Réellement, Il y a une légère croissance du courant IC avec VCE. Cette dépendance du courant
s’appelle : l’effet early
II-3 Caractéristiques techniques
- Les constructeurs précisent, pour chaque type de transistor, les valeurs à ne pas dépasser sous
peine de détruire le composant :
VCEM : Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur
VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant.
ICM : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur et l’émetteur.
PDM : Puissance maximale dissipée par le transistor
IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base
- La puissance que peut dissiper un transistor est donnée par :
P =V * I +V *I
d CE C BE B

 Pd = VCE * IC ( car IB << IC)

La puissance dissipée en continu est donc minimum si le transistor est bloqué (IC = 0) ou s’il
est saturé (VCE  0).
Exemples : Extrait de la documentation des constructeurs du transistor 2N2222 (valeurs
typiques )

VCE max = 30V

IC max = 800 mA
Ptot max = 0,5 W = puissance totale que peut dissiper le transistor au maximum

II- 4 Polarisation d’un transistor bipolaire :

En général, un transistor a besoin d'être "polarisé", pour fonctionner. Cela signifie qu'on
doit appliquer sur ses connections les tensions correctes et en amplitude et en polarité pour qu'il
effectue la fonction désirée.

Quand nous parlons de polarisation, nous parlons uniquement de tensions continues, et ce sont
ces tensions continues qui vont permettre le fonctionnement correct en alternatif.

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Quand nous utiliserons la fonction amplification qui est le principal objet de ce chapitre, nous
appliquerons un signal alternatif à l'entrée et nous le récupérerons agrandi à la sortie, ceci ne
sera possible que si les tensions continues sont présentes.
La polarisation a pour rôle alors de placer le point de fonctionnement (point de repos) dans une
zone où ses caractéristiques sont linéaires.
i- Point de repos :

Le point de repos (ou de fonctionnement) est pour lequel VBE, VCE, et IC sont parfaitement fixés.
Ce point est défini par VCE, et IC car VBE est connu (0,6 à 0,7 V)

ii- Droite de charge statique S :

Le montage de l’étage de sortie (figure ci-dessous) impose une relation entre les deux grandeurs
de sortie VCE et Ic. Cette relation correspond à l’équation de la droite de charge statique S , qui
se trace dans la caractéristique: IC = f (VCE )

- Équation de la droite S

- Points extrêmes de la droite:

Connaissant la valeur de IB, on trouve le point P à l’intersection de la courbe correspondante et

de la droite de charge statique.

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iii - Montage de polarisation par résistance de base

Le courant de base est quasi-constant :

- Détermination des résistances

Les grandeurs V , V ,  , V et l étant connus, les résistances sont comme suit :

BB cc CE C

- Détermination du point de repos :

Connaissant VBB , Vcc ,  , RB et RC, les grandeurs Ic et VCE sont données par :

Remarque: Ce montage n'assure pas la stabilisation du point de repos (VCE et lc non constants)
puisque IC et VCE dépendent fortement de .

iv- Montage de polarisation par résistance entre collecteur et base

Ce montage est également appelé montage à contre-réaction de tension

D’après ce montage, on a :

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
→ La tension aux bornes de la résistance RB varie de manière quasi-opposée à la
tension aux bornes de la résistance Rc.
- Détermination des résistances

Connaissant VCC,  , VCE et lC , les résistances sont données :

- Détermination du point de repos

Connaissant VCC,  , RB et RC, on trouve le courant IC comme suit :

La tension VCE est donnée par :

Remarque:

Si Rc >> RB /  : Ic = (VCC- VBE)/ RC

IC est indépendant des variations du gain   Stabilité du point de fonctionnement

v- Montage de polarisation par pont de base:

Thévenin appliquée au
niveau de la base

Avec : Rth = R1 // R2

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Le courant IC est déterminé comme suit :

Note : Ce montage assure bien la stabilité du point de fonctionnement ce qui rend l’utilisation
de ce montage, la plus courante

III- TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME DYNAMIQUE

III- 1 Amplificateur

Le signal est appliqué à l’entrée d’un amplificateur par une source représentée par un générateur
de tension et ayant une résistance interne Rg :
➢ La source peut être, par exemple, une antenne, un capteur ou un circuit électronique qui
fournit un signal analogique.

➢ Le générateur d’entrée (eg,Rg) est appelé générateur de commande ou générateur

d’attaque.
➢ La charge est représentée par la résistance Ru (résistance de charge ou d’utilisation).
Elle peut être, par exemple, un haut parleur, un système de déviation du faisceau
d’électrons d’un oscilloscope ou un circuit électronique

Le rôle principal de l’amplificateur est d’augmenter la tension ou/et le courant du signal

d’entrée ve et donc sa puissance.
On parle dans le cas des amplificateurs de superposition de deux régimes :

- Un régime continu qui sert à fixer le point de polarisation Po du montage.

- Un régime sinusoïdal (petits signaux) qui représente le signal à amplifier

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III-2 Modèle dynamique du transistor

Les caractéristiques du transistor montre qu’il existe des zones où son comportement est
pratiquement linéaire. En fixant le point de polarisation dans ces zones, on peut écrire que les
variations des grandeurs d’entrée et de sortie sont reliées par les relations :

vbe = dVBE (variation de VBE autour du point de fonctionnement (VBE0) )

ib = dIB (variation de IB autour du point de fonctionnement (IB0) )
vce = dVCE (variation de VCE autour du point de fonctionnement (VCE0) )
ic = dlc (variation de IC autour du point de fonctionnement (IC0) )

En régime dynamique, on peut considérer le transistor comme un quadripôle, en utilisant les

paramètres hybrides, comme le montre les figures suivantes :

i- Principe de l’amplification

Comme il est illustré sur la figure ci-après, en régime actif linéaire, une petite variation vBE de
VBE entraîne une petite variation iB de IB, ce qui entraîne une forte variation iC de IC et une
variation iE de IE. Et si l’on dispose d’une résistance dans le circuit d’émetteur (ou dans le circuit
de collecteur), la variation de IE (ou de IC) crée une variation de la tension aux bornes de cette
résistance : C’est le principe des circuits « collecteur commun » et « émetteur commun ».

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En fait c’est la polarisation qui va nous permettre de régler le transistor dans sa fonction
amplification de manière à ce que le signal de sortie soit rigoureusement (ou presque) identique
au signal d'entrée au niveau forme pas en amplitude. Pour atteindre cet objectif, il faut
positionner le transistor sur sa droite de charge très précisément grâce à une polarisation
convenable. Et on doit préciser alors que pour obtenir une amplitude de sortie amplifiée sans
écrêtage, il est important de fixer le point de polarisation Q au milieu de la droite de charge :

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Contrairement au cas suivant où le signal est distordu car le point de polarisation Q n’est pas
choisi convenablement cad au milieu de la droite de charge.

Conclusion: L’amplification est une fonction linéaire. En augmentant l’amplitude du signal, il

faut conserver sa forme, si non, il y a distorsion de l’information portée par le signal. La
distorsion est due à la non linéarité des caractéristiques des transistors. Pour la réduire à un
niveau raisonnable, il faut utiliser les zones linéaires des caractéristiques des transistors (Fixer
le point de polarisation Q au milieu de la droite de charge).

ii- Paramètres dynamiques h (Paramètres hybrides)

h11 est la résistance d'entrée dans le cas où la sortie est en court-circuit :

h12 indique le taux de réaction en tension dans le cas où l'entrée est en circuit ouvert :

h21 est le gain en courant dans le cas où la sortie est en court-circuit :

( h21 = = qq 10 à qq 100 (Voisin de β) )

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h22 représente la conductance de sortie dans le cas où l'entrée est en circuit ouvert :

Remarque :

Dans les fiches techniques, les paramètres « h » sont donnés mais on trouve :
i (au lieu de 11) = Input (entrée)
o (au lieu de 22) = Output (sortie)
f (au lieu de 21) = Forward transfert (transfert direct)
r (au lieu de 12) = Reverse transfert (transfert inverse)
Les paramètres sont valables pour un point de repos donné et pour un fonctionnement en régime
linéaire.

iii- Détermination des paramètres hij

D’après la figure de réseaux de caractéristiques, on voit clairement que :
hll se détermine à partir de la caractéristiques d'entrée: VBE = f (IB) à VCE = cte
hl2 se détermine à partir de la caractéristiques d'entrée: VBE = f (VCE) à IB = cte.
h21 se détermine à partir de la caractéristiques: IC = f (IB) à VCE = cte
h22 se détermine à partir de la caractéristiques: IC = f (VCE) à IB = cte

Pente h22
Pente h21

Pente h11

Les paramètres du transistor en petits signaux sont donc caractérisés par les pentes des tangentes
aux points de polarisation. Ils varient en fonction du choix du point de polarisation. Si le point
de polarisation est mal choisi, des distorsions apparaissent sur le signal de sortie.
Le signal d'entrée doit être aussi choisi suffisamment faible (petits signaux) pour que le
transistor fonctionne dans le domaine linéaire et ainsi produire des signaux sans distorsion.

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Remarque:
Vbe ne varie pas en fonction de Vce et Ic est quasi-constante par rapport à Vce ce qui implique
que h12 et h22 sont très faibles  h12  0 et h22  0

Ces approximations permettent de simplifier le schéma équivalent du transistor en régime

dynamique qui devient comme suit :

IV- MONTAGES D’AMPLIFICATEUR DE TENSION

IV.1 Généralités
La façon la plus simple d'étudier un amplificateur est de diviser l'étude en deux parties : étude
du régime statique (analyse en continu) et une étude du régime dynamique (analyse en
alternatif).

Pour les étages envisagés ici, on utilise la polarisation par pont de résistances. En effet,
moyennant un choix convenable des résistances, il est possible de rendre ce montage presque
indépendant du β du transistor, ce qui est la clé de la stabilité des performances.
Il est possible de superposer des variations aux grandeurs continues dans ce montage à travers
les trois électrodes du transistor : Attaque sur la base, l’émetteur ou le collecteur, mais
généralement, seule l’injection sur la base et l’émetteur sont utilisées.
Le prélèvement des signaux amplifiés s’effectue essentiellement sur le collecteur ou sur
l’émetteur

• Paramètres d’amplificateurs
L’amplificateur est un circuit linéaire qui fonctionne en régime petits signaux. C’est un
quadripôle linéaire qui, par analogie avec le transistor, peut être substitué par le schéma
équivalent :

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Les paramètres dynamiques d’un amplificateur sont :

i- L’amplification (le gain) en tension :

Le paramètre Av0 est alors le gain en tension à vide

ii- L’amplification (le gain) en courant :

iii- La résistance d’entrée :

C’est la résistance vue par le générateur d'attaque :

iv- La résistance de sortie :

C’est la résistance vue par la charge Ru quand tous les générateurs indépendants sont
éliminés (les générateurs de tension court-circuitées et générateurs de courant coupés). Ainsi
pour calculer Rs, on débranche la charge, on court-circuite le générateur d’attaque et on
considère comme si on a en sortie un générateur délivrant Vs et is

IV.2 Montage à émetteur commun

Pour cet amplificateur, le signal d’entrée est injecté au niveau de la base et le signal de sortie
est prélevé au niveau du collecteur : c’est un montage universel

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eg : source de tension alternative (eg=em sinwt)

Afin de ne pas modifier le comportement du transistor pour le régime continu, la liaison entre
le générateur qui injecte les variations (eg) et le transistor est capacitive. Il en est de même pour
le prélèvement des signaux en sortie :

• C1 et C2 sont des condensateurs de liaison (ou de couplage) : Un condensateur de liaison

assure le couplage dynamique de deux points
• CE est le condensateur de découplage, il assure le couplage dynamique d'un point et de la
masse. Son rôle est de rendre l'influence de la résistance d’émetteur négligeable en régime
dynamique.
Ces condensateurs sont choisis de façon à ce que leur impédance soit très faible à la fréquence
du travail (en régime dynamique): Ci sont équivalents à des courts-circuits.
Et en continu, ils ont une très grande impédance : Ci sont équivalents à des circuits ouverts.

Effet d’amplification sur le signal ve

i- Modèle dynamique du montage :
On suppose que l’étude de la polarisation est effectuée ; cela signifie que l’on s’est bien fixé un
point de fonctionnement Po dans la zone convenable.
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Les sources de tension continue sont remplacées par la masse en régime dynamique et les Ci
sont remplacés par des court-circuits (impédances très faibles à la pulsation w du signal eg)
Ce montage est dit à émetteur commun car du point de vue alternatif, l'émetteur est relié à la
masse par l'intermédiaire du condensateur de découplage Ce.

ii- Paramètres d’amplificateurs

• Gain en tension :

(A est négatif et grand)

v

• Gain en courant :

(A est négatif et grand)

i

Ce montage permet une bonne amplification en tension et en courant

Note : le signe (moins, dans les expressions du gain, indique que les signaux de sorties
sont en opposition de phase avec ceux d’entrée

• Résistance d'entrée :

En général, RB est très grande devant h11

On a donc: Ze  h11 : la résistance d’entrée Re est faible

• Résistance de sortie :
Pour calculer Rs, on débranche la charge, on court-circuite le générateur d’attaque et on
considère comme si on a en sortie un générateur délivrant Vs et is

Ainsi on trouve : Rs = RC : La résistance de sortie Rs est alors grande

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IV- 3 Montage à collecteur commun

Pour le cas de ce montage, l'entrée est du côté de la base et la sortie est du côté de l'émetteur.

i- Modèle dynamique du montage :

On pose :

Le montage vérifie la relation :

ii -Paramètres de l’amplificateur

• Gain en tension :

Av est presque égal à 1 car le montage vérifie :

• Gain en courant

 Ai est positif et grand

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• Résistance d’entrée:

La résistance d'entrée est grande.

• Résistance de sortie:

Rs 

On peut remarquer que Rs est bien faible

L'amplificateur collecteur commun est un amplificateur en courant et il est utilisé comme

adaptateur d'impédance, car il a un gain en tension unitaire, une grande résistance d'entrée et
une faible résistance sortie.
Remarque:
Le montage en émetteur commun est utilisé en amplificateur. Par contre, pour améliorer ses
caractéristiques d’entrée et de sortie, on peut lui associer un montage en collecteur commun en
amont et en aval.

IV-4 Montage à base commune :

Parmi les montages fondamentaux, il existe aussi l’amplificateur à base commune. Le terme
de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans
cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré
au collecteur.
Ce circuit n'est pas le plus employé en basse fréquence, mais il est souvent utilisé pour les
amplificateurs qui exigent une impédance d'entrée exceptionnellement basse, comme
les microphones à bobine mobile. Ce circuit est très utilisé dans les amplificateurs à haute
fréquence.

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En guise de conclusion, nous présentons le tableau suivant qui montre clairement les
caractéristiques de ces trois montages fondamentaux

Indication :
Tous ces montages réalisent l’amplification de classe A. En effet, les signaux amplifiés sont
dans la partie rectiligne de la caractéristique statique du transistor. L'amplification est linéaire,
les signaux de sortie reproduisent les signaux d'entrée sans distorsion.

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