TP02 Pratique Part01

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

UNIVERSITE L'ARBI BEN M'HIDI OUM El BOUAGHI
INSTITUT DES SCIENCES ET DES TECHNIQUES APPLIQUÉES
DÉPARTEMENT réseaux et télécommunications
1ère Année Licence Réseaux et télécommunications

Année Universitaire 2019/2020
Electronique 2
TP02: Transistors
Travail à faire
I) But du TP :
 Savoir utiliser le multimètre pour mesurer des grandeurs électriques de transistor
 Etude des caractéristiques statique d’un transistor bipolaire
 Obtenir expérimentalement la caractéristique d’un transistor bipolaire
II) Partie Théorique Rappel:
 Un transistor bipolaire est un semi-conducteur comportant deux jonctions PN. Suivant l'orientation
de ces jonctions, on obtient soit un transistor NPN ou PNP.
 Sur les schémas, on repère les différentes parties
 la lettre E pour l'émetteur.
 la lettre B pour la base.
 la lettre C pour le collecteur
 En fonctionnement normal direct (conduction),
Transistor NPN Transistor PNP
un transistor bipolaire s'utilise de telle façon que :
o la jonction base-émetteur soit polarisée en direct (conductrice) ;
o la jonction base-collecteur soit polarisée en inverse (bloquée).
 « L'effet transistor » permet une amplification de puissance importante, car à l'aide d'un faible
courant base, sous une tension base-émetteur faible (inférieure au volt), on obtient le passage d'un
fort courant émetteur à travers la jonction base-collecteur polarisée en inverse sous une tension
importante (quelques volts à quelques dizaines de volts).
 (a) Analogie des bornes base (B), collecteur (C) et émetteur
(E) d’un transistor à jonction bipolaire (BJT pour “Bipolar
Junction Transistor”) avec deux diodes “dos à dos”. (b)
Symbole graphique d’un transistor NPN.
 Transistor 2N2222
1
Pour ce T.P. on utilisera un transistor NPN 2N2222A (voir schéma ci-dessous) qui a pour caractéristiques
 Courant collecteur Ic : 800mA

 Puissance totale dissipée : 500mW
 Gain en courant B : 75 minimum (pour Ic = 10mA, Vce = 10V)
 Température de fonctionnement : -65°C à +150°C
 Transistors en amplificateurs et en commutation TO-92 METAL package. le complément (PNP) MPSA42,
2N3906 TO-18 metal package. Le Complément (PNP) °: 2N2907A
1
2
..
I. Caractéristiques statique
 Les courbes (V, I) et les droites de charge des transistors sont obtenues en appliquant du courant
continu (DC), mais en pratique, les transistors sont habituellement utilises en courant alternatif (AC).
 Le montage de la figure 4 permet de mesurer les caractéristiques du BJT (courbe (V, I) et VBE) et du
circuit lui-même (droite de charge).
 En l’absence de AC et alimente par un courant continu VCC, un circuit BJT aura une valeur spécifique
de IC, VCE pour un VBE (ou IB) donne ; il s’agit du point de fonctionnement (ou Q-point), qui se trouve
à l’intersection de la droite de charge du circuit avec la courbe (V, I) du transistor.
 Les relations générales du transistor bipolaire sont : IE = IC + IB,
 Lorsque le transistor est polarisé dans sa zone de conduction (VBE ≈0,6V, VBC ≈0,6V,), on définit ß,
le gain en courant statique tel que : (de l'ordre de 50 à 1000, suivant les transistors).
 Lorsque le transistor est bloqué (VBE<<0.7) IC=0 et IB=0

 Lorsque le transistor est saturé (VBE> 0,7V), VCE ≈0 et IC< ß IB.
2
 On définit le point de repos (ou de fonctionnement) du transistor par le quadruplet (IB0, VBE0, IC0,
VCE0). Le zéro en indice indique qu'il s'agit du courant fixé par la polarisation.
Droite de charge statique
Droite d’attaque statique

N
LA DROITE DE CHARGE ET LA DEOITE D’ATTAQUE
La loi des mailles de sortie permet d'écrire :

 E2=VCE+Rc*Ic ; La droite de charge
Cette équation est caractéristique du circuit dans lequel est branché
le transistor. Le point P0 Elle fixe la polarisation du montage et par
son intersection avec une des caractéristiques du transistor I
IC=f(VCE), elle fixe également le point de fonctionnement du I
transistor.
La loi des mailles à l’entrée permet d'écrire :
 E1=VBE+Rb*Ib ; la droite d’attaque Le point N est définit par l’intersection de la caractéristique d'entrée du
transistor VBE =f(IB) et de la droite d'équation E1 = EB -Rb Ib appelée droite d'attaque statique.
Point de repos Q :
 Le point de repos doit être choisi dans la zone d’amplification du transistor.
La droite de charge définit le lieu de point de fonctionnement
VCE0=E2-RC*IC0
La droite d’attaque définit l’emplacement exact de Q :
IB0=(E1-VBE)/RB
Et on a IC=B*IB=B*IB0=IC0
Conclusion Comme le montre la figure, Il existe trois régimes de
fonctionnement pour le transistor bipolaire :
3
 Le régime bloqué (VBE < VS=VD) : la diode base-émetteur (BE) est bloquée et aucun courant ne
circule dans le transistor :
 Le régime linéaire (VBE > VS=VD)
 Le régime saturé (VCE < VCEsat)

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 Courant collecteur Ic : 800mA

 Lorsque le transistor est bloqué (VBE<<0.7) IC=0 et IB=0

Droite d’attaque statique

LA DROITE DE CHARGE ET LA DEOITE D’ATTAQUE

La loi des mailles de sortie permet d'écrire :

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