REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE KASDI MARBEH -OUARGLA

FACULTE DES NOUVELLES TECHNOLOGIES DE L’INFORMATION ET DE LA COMMUNICATION

DEPARTEMENT D’ELECTRONIQUE ET DE TELECOMMUNICATION

COURS destiné aux étudiants de 3ème année Licence électronique

Electronique des impulsions

Cours & Exercices corrigés & Travaux pratiques

Dr. OTMANI Hamza

Année universitaire
2019-2020
 Chapitre 3 : Composants actifs en commutation
1. Diode en commutation
1.1 Diode à jonction

Une diode à jonction est un dipôle à base de semi-conducteurs qui ne laisse passer le
courant que dans un seul sens : c'est un conducteur unidirectionnel.

Fig 3.1. Diode à jonction

* Polarisée en direct, la diode se comporte comme un interrupteur fermé : elle est passante.

Fig 3.2. Diode polarisée en direct

* Polarisée en inverse, la diode se comporte comme un interrupteur ouvert : elle est

bloquée.

Fig 3.3. Diode polarisée en inverse

* Remarque : Lorsqu'on assimile une diode passante à un interrupteur fermé, on considère

que cette diode est idéale. Dans la réalité, une diode réelle se comporte comme une source
de tension en série avec une résistance.

2
 Fig 3.4. Diode réelle se comporte comme une source de tension en série avec une
résistance.

* E0 : tension de seuil de la diode (environ 0,7 V pour une diode au silicium)

* rD : résistance dynamique de la diode.

I.2 Diode en commutation

Fig. 3.5 : Diode en commutation ; Fig. 3.6 : Points de fonctionnement d'une diode en
commutation

La diode est un commutateur qui est commandée par le sens de la tension qui lui est
appliquée. Il n'y a pas de séparation entre le circuit de commande est le circuit commandé.
C'est la polarité de la tension d'alimentation de la charge qui commande la diode. La figure
Fig. 3.5 : Diode en commutation montre une diode utilisée en commutateur, alors que la
figure Fig. 3.6: Points de fonctionnement d'une diode en commutation montre les points de
fonctionnement sur la caractéristique de la diode, le point C correspond à la diode
conductrice, alors que le point B correspond à la diode bloquée.

♦ Quand Vc=+E, la diode est conductrice, la majeure partie de Vc se trouve aux borne de
R, un courant I important circule dans le circuit. La résistance de conduction (statique)
F
R =Vd/I est faible, elle varie entre quelques milliohms à quelques dizaines d'ohms. Alors
F F
que le courant If augmente, la résistance de conduction Rf diminue (voir point de
fonctionnement C), il en résulte que la tension Vd = Rf*If reste quasiment constante
(caractéristique quasi verticale). Par conséquent, dans le cas d'une diode conductrice, le

3
calcul est généralement fait non pas avec la résistance de conduction mais avec la tension Vd
qu'on prend généralement égale à 0.7 V pour les diodes au silicium. Pour éviter que la diode
soit détruite par échauffement,il faut veiller à ne pas dépasser la puissance maximale qu'elle
peut dissiper, soit I .V <P .
FMAX DMAX DMAX
Pour faire conduire une diode il ne suffit pas que la polarité de la tension de
commande soit correcte, il faut qu'elle soit supérieure à la tension de seuil , sinon la
diode restera bloquée ou très faiblement conductrice.

Exemple:
Si on a une diode telle que P = 500 mW, si on prend V =2V et E=12V, il faut
DMAX DMAX
calculer R pour que le courant ne dépasse pas I = 500mW / 2V = 250 mA.
FMAX
R = (12 - 2)V / 250 mA = 40Ω

♦ Quand Vc = -E, la diode est bloquée, le courant Ir est quasiment nul (dépends beaucoup
de la température), la résistance de blocage dépasse le gigaohms pour les diodes au
silicium. Pratiquement toute la tension -E se trouve au borne de la diode, afin que la diode
ne soit pas détruite par claquage, la tension inverse -E ne doit pas dépasser la tension
inverse maximale U fournie par le constructeur.
RMAX

I.3 Charge de transition

Lorsqu’une jonction est polarisée en inverse, un courant inverse très faible Ir circule à
travers cette jonction. Ce courant est dû au déplacement des porteurs minoritaires et la
zone de charge d’espace se comporte dans ce cas comme une zone de déplétion dépourvue
de charges mobiles puisque le nombre volumique de ces derniers peut être considéré
comme négligeable devant le nombre volumique des charges fixes. On peut donc assimiler
cette zone de déplétion à un condensateur dont les armatures porteraient les charges
positives et les charges négatives.
L’expression de la capacité de transition CT sera donnée par la formule applicable dans le
cas d’un condensateur plan dont les armatures de surfaces S sont séparées par une
épaisseur e.
Puisque la largeur e de la zone de charge d’espace varie en fonction de la tension
appliquée à la jonction Vr, la capacité de transition varie également en fonction de cette
tension selon la relation :
𝜀𝑆 1
𝐶𝑇= 𝑒 𝑉𝑟 𝑚
0 1−
𝑉0
𝜀= 𝜀 0𝜀 r est la permittivité du diélectrique.
𝜀𝑆
𝐶𝑇= est la capacité de transition à l’équilibre (Vr = 0) ; e0 est la largeur de la zone de
𝑒
0
déplétion à l’équilibre ; et m est un paramètre compris entre 0.5 (cas d’une jonction
abrupte) et 0.3 (cas d’une jonction progressive linéaire ou graduelle).
1.4 Charge de diffusion
Si on polarise la diode en direct en appliquant une tension Vd = Vf , un courant Id = If
circule de la zone P vers la zone N. Ce courant est dû à la diffusion des porteurs de charges
mobiles (p.c.m). Or la migration ne s’effectue pas instantanément et on peut considérer que

4
les p.c.m. qui sont devenues des minoritaires, forment une charge stockée QS qu’on peut
estimer en connaissant leur durée de vie moyenne ԏ . L’accroissement de charge dans la
jonction revient à introduire un effet capacitif dit de diffusion : CD = ԏ If Puisque CD est
souvent très supérieure à CT , on peut légitimement supposer que la charge est stockée dans
CD ; elle peut être estimée: Qs = ԏ If

2. Les transistors bipolaires

2.1 Présentation
Un transistor bipolaire est un composant à base de semi-conducteurs qui possède
trois bornes (la base, le collecteur et l'émetteur).
Un transistor bipolaire est un transistor commandé en courant : il permet de contrôler
un courant sur une borne de sortie grâce à un courant envoyé sur une borne d'entrée (la
base). Le transistor est le composant électronique le plus utilisé à l'heure actuelle pour
réaliser des amplificateurs ou des interrupteurs.
Il existe deux types de transistors bipolaires : les transistors bipolaires NPN et les transistors
bipolaires PNP.

2.2 Symbole normalisé et structure interne des transistors bipolaires

Fig. 3.7 : Transistor bipolaire NPN et transistor bipolaire PNP

2.3 Définition des grandeurs électriques caractéristiques

Les tensions et les courants repérés ci-dessus sont fléchés positifs pour les deux types de
transistors (NPN et PNP) :
● iB : courant de base
● iC : courant de collecteur
● iE : courant d'émetteur
● VCE : tension collecteur émetteur pour un transistor NPN (VEC pour un transistor PNP)
● VBE : tension base émetteur pour un transistor NPN (VEB pour un transistor PNP)
La loi des nœuds s'applique au niveau de ces deux transistors : iE = iB + iC

2.4 Principes de fonctionnement

Un transistor bipolaire est un transistor commandé en courant. La commande se fait grâce
au courant de base iB. On pourrait comparer un transistor bipolaire à une vanne en
hydraulique.

5
Cas d'un transistor bipolaire NPN : un faible courant qui rentre sur la base, permet de
contrôler le passage d'un courant plus important qui circule du collecteur vers l'émetteur.
Cas d'un transistor bipolaire PNP : un faible courant qui sort de la base, permet de contrôler
le passage d'un courant plus important qui circule de l'émetteur vers le collecteur.

Fig. 3.8 : Principe de fonctionnement du transistor bipolaire NPN et transistor bipolaire PNP

2.5 Régimes de fonctionnement

2.5.1 Fonctionnement en régime linéaire
En régime linéaire, le transistor est passant : il réalise une amplification du courant d'entrée
iB . i C = β . i B β est appelé gain en courant du transistor ou coefficient d'amplification
en courant (β est parfois noté hFE). Aucun transistor de même référence ne dispose du même β ;
ce β se situe dans une plage garantie par le constructeur et est compris entre deux valeurs
limites : βmin < β < βmax.

2.5.2 Fonctionnement en régime de commutation.

En régime de commutation, le transistor se comporte comme un interrupteur (entre C et E)
commandé par le courant de base.
Règles de fonctionnement :
● Si iB = 0 => iC = 0 => Le transistor est bloqué, il se comporte comme
un interrupteur ouvert :

● Si iB > 0 => iC = iCsat => Le transistor est saturé,il se comporte comme

un interrupteur fermé :

2.5.3 Remarque concernant le fonctionnement des transistors bipolaire.

La jonction BE d'un transistor bipolaire NPN se comporte comme une diode :
-si la jonction BE conduit alors le transistor conduit (iC > 0)
- si la jonction BE est bloquée alors le transistor est bloqué (iC = 0).

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La jonction EB d'un transistor bipolaire PNP se comporte comme une diode :
- si la jonction EB conduit alors le transistor conduit (iC > 0)
- si la jonction EB est bloquée alors le transistor est bloqué (iC = 0).

2.5.4 Choix des régimes de fonctionnement des transistors bipolaires.

Le choix du régime de fonctionnement (linéaire ou commutation) d'un transistor bipolaire
dépend :
- de la manière dont sont connectées les alimentations et les résistances autour du transistor
- des valeurs choisies pour ces alimentations et résistances.
Voici ci-dessous des exemples de montages à base de transistor bipolaire qui fonctionnent
en régime de commutation. Selon la valeur de la tension d'entrée Ve de ces montages, le
transistor peut être bloqué ou saturé.

Fig. 3.9 : Exemple de montage d’un transistor bipolaire NPN fonctionnant en régime de
commutation

7
 Fig. 3.10 : Exemple de montage d’un transistor bipolaire PNP fonctionnant en régime de
commutation

Fig. 3.11 : Exemple de montage d'un transistor bipolaire NPN fonctionnant en régime de
commutation et commandant un moteur électrique

- Si K est ouvert => la jonction BE du transistor NPN est bloquée (car iB = 0)

=> le transistor est bloqué (iC = 0)

8
=> le transistor se comporte entre C et E comme un interrupteur ouvert
=> le moteur électrique est à l'arrêt.
- Si K est fermé => la jonction BE du transistor NPN conduit (iB = iBsat > 0)
=> le transistor est saturé (iC = iCsat > 0)
=> le transistor se comporte entre C et E comme un interrupteur fermé
=> le moteur électrique est en marche.

2.6 Transistor bipolaire en commutation

Dans un transistor utilisé comme commutateur, la section émetteur collecteur est utilisée
comme contact et la section base émetteur représente le circuit de commande. Le circuit de
commutation et le circuit de commande ne sont pas galvaniquement séparés. Le transistor
en conduction correspond au commutateur fermé, le transistor bloqué au commutateur
ouvert.

Fig. 3.12 : Transistor en commutation, points de fonctionnement d'un transistor en

commutation

On distingue trois cas de fonctionnement :

A) Fonctionnement linéaire
Le point de fonctionnement Q se trouve entre le point B et le point S, il évolue selon les
équations suivantes :
(1) Ic = β Ib, loi qui caractérise le transistor
(2) E = R I + V , Loi d'ohm dans la maille de sortie = droite de charge
C C CE
Si I ↑, (1) ⇒ I ↑, (2) ⇒ V ↓, le point de fonctionnement Q se déplace sur la droite de
B C CE
charge de B vers S.

B) Blocage
C'est quant le point de fonctionnement Q se trouve au point B: I = 0, I = 0, V = V
C B CE CC
Pour bloquer le transistor, il faut annuler I , ce qui revient à bloquer la jonction base
B
émetteur, pour ce, il suffit d'annuler la tension V ou la rendre négative pour renforcer
BE
le blocage.

9
Au blocage presque toute la tension V se retrouve au borne du transistor, une très faible
CC
chute de tension se produit dans R à cause du courant résiduel du collecteur I qui dépend
C CER
du transistor utilisé et des tension V et V . On ne fait pas une grande erreur en supposant
BE CE
qu'il est de l'ordre du μA .

Pour le 2N2222 I = 10 nA avec V = -3V et V =60V

CERmax BE CE

C) Saturation
Le point de fonctionnement Q est au point S.
I =I
B BSAT

I =I =βI
C CMAX BSAT

V =V ≈ 0.7 V
BE BESAT

V =V ≈ 0.2V
CE CESAT

𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬𝑺𝑨𝑻
𝑰𝑪𝑴𝑨𝑿 =
𝑹𝑪

Même si I augmente au delà de I , I reste égal à I , V reste sensiblement égale à

B BSAT C CMAX BE
V et V sensiblement égale à V .
BESAT CE CESAT
Pour saturer un transistor il faut lui appliquer un courant I tq:
B
𝑰𝑪𝑴𝑨𝑿
𝑰𝑩 > 𝑰𝑩𝑺𝑨𝑻 =
𝜷
Pour le 2N2222 , V = 0.3V pour Ic=150mA, Ib=15mA
CEsat
V = 1V pour Ic=0.5A, Ib =50mA (pendant 300 μs)
CEsat

Le plus souvent on ne dispose pas du β du transistor, on connaît seulement la fourchette

*β ,β ] disponible sur le catalogue du constructeur.
MIN MAX

Exemple :
On dispose d'un transistor 2N1711 dont β ∈ [100, 300]
Vcc = 12V
V = 9V
BB
Rc=1KΩ
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬𝑺𝑨𝑻 𝟏𝟐 − 𝟎. 𝟐
𝑰𝑪𝑴𝑨𝑿 = = = 𝟏𝟏. 𝟖 𝒎𝑨
𝑹𝑪 𝟏𝟎𝟎𝟎

𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬𝑺𝑨𝑻 𝟗𝑽−𝟎.𝟕𝑽

• β = 100 ⇒ I = 12mA/100 = 120 μA ⇒ 𝑹𝑩 = = = 𝟔𝟗 𝑲𝛀
BSAT 𝑰𝑩𝑺𝑨𝑻 𝟏𝟐𝟎𝝁𝑨

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 𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬𝑺𝑨𝑻 𝟗𝑽−𝟎.𝟕𝑽
 β = 300 ⇒ I = 12mA/300 = 40 μA ⇒ 𝑹𝑩 = = = 𝟐𝟎𝟕 𝑲𝛀
BSAT 𝑰𝑩𝑺𝑨𝑻 𝟒𝟎𝝁𝑨
Pour être sur qu'on aura saturation quelque soit le 2N1711 dont on dispose, il faut que
IB soit > 120 μA soit R < 69 KΩ.
B
𝐼𝐶𝑀𝐴𝑋
La condition de saturation devient alors : 𝐼𝐵 > 𝐼𝐵𝑆𝐴𝑇 = 𝛽

Quand le transistor est fortement saturé ; I > I , on définit le facteur de saturation comme
B BSAT
:
𝐼𝐵
𝜇=
𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡
Quand le transistor est saturé, la quasi totalité de la tension V se trouve au borne de la
CC
résistance de charge du collecteur. De ce fait, même si le courant Ic est important, il y a une
faible dissipation de puissance au niveau du transistor car V reste très faible (0.2V à 0.3
CESAT
V, peut atteindre 1V pour certains transistor si Ic est trop important)

Exercice :
Soit le montage de la figure ci contre, donner une relation entre
RB et Rc pour que le transistor soit saturé.
𝐼
La condition de saturation est𝐼𝐵 > 𝐼𝐵𝑆𝐴𝑇 = 𝐶𝑀𝐴𝑋𝛽
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬𝑺𝑨𝑻 𝑽
𝑰𝑪𝑴𝑨𝑿 = ≈ 𝑹𝑪𝑪
𝑹𝑪 𝑪
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬𝑺𝑨𝑻 𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑩 = ≈
𝑹𝑩 𝑹𝑩
D’où 𝑹𝑩 < βMIN . R c

11
 Chapitre 4 circuits de mise en forme
1. Montages écrêteurs (limiteurs) à diodes
Lorsqu'on souhaite éliminer une partie d'un signal, la diode est un composant capable de
répondre à ce besoin spécifique. Lorsqu'on on veut écrêter par exemple un signal sinusoïdal
à un niveau donné, on peut employer le circuit de la figure 4.1. Les deux niveaux de tensions
V1 et V2 sont réglables. Bien entendu, il est nécessaire que l'amplitude du signal à écrêter soit
supérieure à V1 et V2 pour que le circuit puisse remplir correctement la fonction pour laquelle
il a été conçu.

Fig. 4.1 : Ecrêtage du signal appliqué à l'entrée

Exemple 1:

Fig. 4.2 : Circuit écrêteur simple

L’équation de maille du circuit écrêteur de la figure 4.2 s’écrit, lorsque la diode D est
passante :
𝑉𝑒 𝑡 = 𝑅 ∗ 𝑖𝑑 𝑡 + 𝑉𝑑 + 𝐸 ….......…..…………………………….......…………………… (1)
Lorsque la diode D est idéal (Vd=0), alors le courant id(t) d’après l’équation (1) sera :
𝑉 𝑡 −𝐸
𝑖𝑑 𝑡 = 𝑒 𝑅 ….......…..…………………..……….........……………………….…… (2)
D’où les graphes des fonctions id(t) = f(Ve(t)) et Vs(t) = g(Ve(t)) de la figure 4.2 :
- Si Ve(t) < E ⇒ id (t)= 0 : D est bloquée (circuit ouvert), R*id(t) = 0 et Vs(t) = Ve(t) ;
- Si Ve(t) ≥ E ⇒ id (t)≥ 0 : D est passante (court circuit), Vd = 0 et Vs(t) = E;

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Exemple 2 : Considérer le circuit de la figure 4.3 : avec Emax > E2 et 𝐸2 > 𝐸1 .
La figure 4.3 représente un circuit écrêteur double et les graphes des fonctions :
id(t) = f (Ve(t)) et Vs(t) = g (Ve(t)) pour différents états de diode.
- Si Ve(t) > 0 et Ve(t) ≥ E1 : D1 est passante et D2 est bloquée;
- Si Ve(t) < 0 et 𝑉𝑒 (𝑡) > 𝐸2 : D2 est passante et D1 est bloquée.

Fig. 4.3 : Circuit écrêteur double

La figure 4.4 montre l’écrêtage d’un signal sinusoïdal de la tension d’entrée

Ve(t) = Vm*cos (ω*t) et la tension de sortie Vs(t).

Fig. 4.4 : Ecrêtage d’un signal sinusoïdal

Fig. 4.5 : Ecrêteur à diode en série avec une pile

Il existe plusieurs façons d’écrêter un signal à un niveau autre que 0V. Les circuits les plus
utilisés comportent une diode en série avec une pile, comme le montre l’exemple illustré à la
figure 4.5.

13
D’où le graphe de fonction Vs(t) = f(Ve(t)) de la figure 4.5 :
𝑅2
- Si Ve(t) < E ⇒ id (t)= 0 : D est bloquée (c.o), Ve(t) = R*id(t)+ Vs(t) ⇒ 𝑉𝑠 (𝑡) = 𝑅 +𝑅 ∗ 𝑉𝑒 𝑡
1 2
- Si Ve(t) ≥ E ⇒ id (t)≥ 0 : D est passante (c.c), Vd = 0 et Vs(t) = E;

Remarque : dans les circuits précédents, on considère toujours des diodes idéales.

2. Détecteur de crêtes
La sortie de circuit de la figure 4.6 affichera les crêtes d’une onde.

Fig. 4.6 : Détecteur de crêtes

La figure 4.7 représente l’allure de la tension Vs(t), aux bornes de la cellule (R et C), lorsque
RC est grande devant la période T du signal appliqué (RC >> T). Pendant le premier quart
d’alternance positive, le condensateur se charge à travers la diode, à la valeur crête du signal
appliqué et Vs(T/4) = Vmax. Au-delà de t = T/4, le condensateur ne se décharge que
faiblement pendant une période du signal appliqué et, par la suite, la diode ne conduira que
pendant un intervalle de temps τ court devant la période T : τ = (t1-t2) << T.

Fig. 4.7 : Allure de la tension redressée

La tension Vs(t) aux bornes du condensateur, décroit de sa valeur maximale V max à une valeur
minimale V1. Si td= τ = (t1-t2) est le temps de décharge du condensateur dans la charge R, la
tension V1 = Vs (td) s’écrira :
𝑡𝑑
𝑇
𝑉1 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑒 −𝑅𝐶 ≈ 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ 1 − 𝑅𝐶 ….......….……..….....……………………….…… (3)
Avec 𝑡𝑑 = 𝑇 − 𝜏 ≈ 𝑇 et 𝑅𝐶 ≫ 𝑇 .
La tension redressé Vs(t) est la somme d’une tension continue V0 et d’une tension
d’ondulation, d’amplitude crête à crête : ΔV, V0 est la valeur moyenne de Vs(t) sur une
période T du signal appliqué au dispositif :
𝑇 ∆𝑉 𝑇
∆𝑉 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉1 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑅𝐶 et 𝑉0 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 − 2 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 ∗ 1 − 2𝑅𝐶
On définit le taux d’ondulation de la tension redressée par :
∆𝑉 ∆𝑉 𝑇
= = ….......….……..…….………………………..………….…… (4)
𝑉0 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑅𝐶

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3. Amplificateurs opérationnels en régime non linéaire
Un Amplificateur Opérationnel (ou un Amplificateur Linéaire Intégré : ALI) permet
d’amplifier la différence de potentiel « e » entre les 2 tensions d’entrées :
Les symboles normalisés utilisés pour sa représentation en schéma sont les suivants :

Fig. 4.8 : Amplificateur opérationnel.

Remarque :
AOP signifie Amplificateur Opérationnel Parfait (on dit également amplificateur opérationnel
idéal).Ne pas confondre +V et –V qui sont les tensions d’alimentation du CI avec Ve+ et Ve–
qui sont les tensions d’entrée de l’AOP.

3.1 Caractéristiques d’un Amplificateur Opérationnel

Soit « e » la tension différentielle d’entrée du montage avec : e = Ve+ - Ve-
Schéma équivalent :

Fig. 4.9 : Caractéristiques d’un amplificateur opérationnel.

On a : Ao.e – Rs.Is – Vs = 0 donc : Vs = Ao.e – Rs.Is

On adopte pour un AOP dit « idéal » les caractéristiques suivantes :
RE = Résistance d’entrée de l’AOP ∞ ; Ie+ = Ie- 0
On admet alors la tension différentielle e = RE . Ie 0
RS = Résistance de sortie de l’AOP 0 ; RS . Is 0 et par suite : Vs = Ao . e
Ao est le gain en boucle ouverte de l’AOP. On l’admet ∞
Lorsque les deux entrées de l'ampli-op ne sont plus identiques, il ne fonctionne plus en
mode linéaire, mais en commutation (mode non-linaire). Conséquence: la sortie se trouve
soit dans un état haut proche de +Vcc ou plus exactement +Vsat, soit dans un état bas: -Vsat.
Dans une chaîne de mesure, les comparateurs de signaux peuvent être utilisés pour
comparer un signal analogique à un autre. Selon le résultat de la comparaison, la sortie peut

15
prendre deux états différents. Cette opération à donc pour effet de simplifier l'information
issue par exemple d'un capteur de luminosité en une information binaire (nuit/jour), il s'agit
d'une opération TOR (Tout Ou Rien).

3.2 Fonctionnement en boucle ouverte, COMPARATEUR

Pour |Vi| < V l'ampli-op fonctionne en linéaire :
th
Vo = A * Vi, A > 105
BO BO
Pour |Vi| > V l'ampli-op fonctionne en non
th
linéaire (ou en saturation) :
Vi > V soit V+ - V- > V ⇒ Vo=V
th th OH
Vi < V soit V+ - V- < V ⇒ Vo=V
th th OL
Essayons de voir quel est l'ordre de grandeur de V .
th
Fig. 4.10 : Ampli-op en boucle ouverte
Pour Vi = V , Vo = V =A * V
th OH BO th
L'ampli-op étant alimenté au maximum entre +15V, -15V, et si on tient compte des tensions
de déchet on a V de l'ordre de 13V:
OH
V ~ 13V
OH
Vth = 13/105 = 0.130 mV
Vth étant très faible, on peut idéaliser la
caractéristique, (figure ci contre), et dire :
Vi > 0 soit V+ > V- ⇒ Vo=V
OH
Vi < 0 soit V+ < V- ⇒ Vo=V
OL
Fig. 4.11 : Caractéristique idéalisée

3.3 Fonctionnement en comparateur à seuil unique (Comparateur simple)

Un simple AOP sans boucle de contre-réaction
constitue un comparateur de tensions. Compte-
tenu de son gain en boucle ouverte très élevé,
l'AOP seul fonctionne selon les équations
suivantes :
V+ > V- ⇒Vs=+Vsat ≈ + Vcc
V+ < V- ⇒ Vs=-Vsat ≈ - Vcc Fig. 4.12: Comparateur de tensions

Vs ne peut qu'être égal à +Vsat ou -Vsat. On réalise donc la comparaison des deux tensions
d'entrée. Au niveau vocabulaire technique, on parle de basculement du comparateur lors
d'une transition +Vsat => -Vsat ou -Vsat => +Vsat. Si l'on veut comparer une tension à une
référence (qui peut être la masse), il suffit de brancher cette dernière à une entrée de l'AOP,

16
selon que l'on souhaite un niveau positif ou négatif en sortie lorsque la comparaison est
vraie ou non. Cette tension constitue le seuil de basculement du comparateur.

Fig. 4.13 : Comparateurs simples

Vous vous en doutez certainement, la simplicité de ce montage se paye à un niveau ... Pour
expliquer le principal bémol de ce circuit, observez les images ci-dessous qui parlerons
d'elles-mêmes (on compare la tension sinusoidale Ve à la masse) :

Fig. 4.14 : Signal d’entrée, signal de sortie théorique et signal de sortie réel d’un
comparateur simple.

17
On observe expérimentalement un multi-basculement de la sortie lors du passage par 0 du
signal d'entrée. Pourquoi ? Tout "simplement" du fait que le signal d'entrée n'est pas
parfaitement pur, il est légèrement bruité (bruits thermiques, perturbations
électromagnétiques, ...). Même si l'intensité de ce bruit est souvent très faible, elle peut
suffire à faire basculer un AOP suffisamment sensible, d'où les basculements parasites
autour du 0. Afin de pallier ce problème, on utilise des comparateurs à bascule de Schmitt.

3.4 Comparateur Trigger de Schmitt non-inverseur

Fig. 4.15 : Comparateur Trigger de Schmitt non-inverseur

Afin d'assimiler correctement ce montage, je vous invite à étudier le comparateur simple en

premier lieu. Le trigger de schmitt fait appel à une boucle de réaction sur l'entrée non-
inverseuse, il fonctionne donc en mode saturé. La tension de sortie Vs ne peut qu'être égale
à +Vsat ou -Vsat.

Observons la séquence de fonctionnement :

𝑉𝑒 𝑉𝑠
+ 𝑉𝑒 𝑅2 +𝑉𝑠 𝑅1
𝑅1 𝑅2
V-=e : 𝑉+ = 1 1 =
+ 𝑅1 +𝑅2
𝑅2 𝑅1

18
Si Vs=-Vsat , basculement à +Vsat pour
𝑉𝑒 𝑅2 +𝑉𝑠 𝑅1
V+ >e : ⇔ >𝑒
𝑅1 +𝑅2

⇔ 𝑉𝑒 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1 > 𝑒 𝑅1 + 𝑅2
𝑅 𝑅 𝑅
⇔ 𝑉𝑒 > 𝑒 1 + 𝑅1 − 𝑉𝑠 𝑅1 = 𝑒 1 + 𝑅1 +
2 2 2
R1
𝑉𝑠𝑎𝑡 = VH
R2

Fig. 4.16: Basculement de -Vsat à +Vsat

Si Vs=+Vsat basculement à -Vsat pour

V+ <e :
𝑉𝑒 𝑅2 +𝑉𝑠 𝑅1
⇔ <𝑒
𝑅1 +𝑅2
⇔ 𝑉𝑒 𝑅2 + 𝑉𝑠 𝑅1 < 𝑒 𝑅1 + 𝑅2
𝑅 𝑅 𝑅
⇔ 𝑉𝑒 < 𝑒 1 + 𝑅1 − 𝑉𝑠 𝑅1 = 𝑒 1 + 𝑅1 −
2 2 2
R1
𝑉𝑠𝑎𝑡 = VB
R2

On a VH ≠ VB et VH > 𝑉B

On obtient deux seuils différents à l'instar

du trigger inverseur, ce qui va conduire à
un cycle d'hystérésis. La valeur de
référence « e » permet de "décaler" ce
cycle sur l'axe Ve.
Fig. 4.17: Basculement de +Vsat à -Vsat

Résumons cela par des graphiques Vs=f(Ve). Première évolution croissante de Ve avec seuil
positif .
Décroissance de Ve, le seuil étant maintenant -Vseuil .

19
Si l'on assemble ces deux courbes, on
obtient un phénomène dit
d'hystérésis qui caractérise le principe
fondamental de ce trigger de schmitt.
Les points de basculement diffèrent
selon le sens d'évolution de Ve :
Ce trigger est dit non-inverseur car le
signal d'entrée est indirectement
appliqué à l'entrée non-inverseuse de
l'AOP, ce qui fait basculer ce dernier
à +Vsat lorsque l'on dépasse le seuil
positif VH, et à -Vsat lorsque l'on
Fig. 4.18: Les points de basculement diffèrent
passe en dessous du seuil négatif VB.
selon le sens d'évolution de Ve pour un
trigger de schmitt non inverseur

Le principal intérêt de ce montage réside dans la disparation du phénomène de multi

basculement du comparateur simple autour du seuil. Si le signal d'entrée franchit un seuil, ce
dernier bascule directement à son opposé, et de fait, même si l'entrée est bruitée, elle ne
fait plus basculer l'AOP autour du seuil. Les deux graphiques ci-dessous parlent bien
(évolution des tensions d'entrée et de sortie en fonction du temps) :

Fig. 4.19: Les signaux d’entrée et de sortie d’un comparateur simple

20
 Fig. 4.20: Les signaux d’entrée et de sortie d’un trigger de schmitt non inverseur

3.5 Trigger de Schmitt inverseur

Fig. 4.21: Trigger de Schmitt inverseur

Afin d'assimiler correctement ce montage, je vous invite à étudier le comparateur simple en

premier lieu. Le trigger de schmitt fait appel à une boucle de réaction sur l'entrée non-
inverseuse, il fonctionne donc en mode saturé, et non en mode linéaire. La tension de
sortie Vs ne peut qu'être égale à +Vsat ou -Vsat.

21
Observons la séquence de fonctionnement :
R1 R1
V+ = Vs R +R = αVs avec α = R +R
1 2 1 2

Hypothèse : 𝑉𝑠 = +𝑉𝑠𝑎𝑡 à t=0 : 𝑉+ = 𝛼𝑉𝑠

Si 𝑉𝑒 = 𝑉− > 𝑉+ ⇒ 𝑉𝑠 = −𝑉𝑠𝑎𝑡 et 𝑉+ = −𝛼𝑉𝑠
Si 𝑉𝑒 = 𝑉− < 𝑉+ ⇒ 𝑉𝑠 = +𝑉𝑠𝑎𝑡 et 𝑉+ = 𝛼𝑉𝑠
Explications : pour que l'AOP bascule, il faut, soit que V- soit supérieur à V+ et alors
Vs = -Vsat, soit inférieur à V+ et alors
Vs = +Vsat.
V+ constitue donc le seuil de notre
comparateur, mais du fait que ce dernier est du
à la boucle de réaction, il varie en fonction
de Vs.

Si Vs = +Vsat alors Vseuil = Vs . R1/R1+R2

Fig. 4.22: Basculement de +Vsat à -Vsat

Si Vs = -Vsat alors Vseuil = -Vs . R1/R1+R2

Résumons cela par des graphiques Vs=f(Ve).

Première évolution croissante de Ve avec seuil
positif :
Décroissance de Ve, le seuil étant maintenant -Vseuil :

Fig. 4.23: Basculement de +Vsat à -Vsat

22
Si l'on assemble ces deux courbes, on obtient un
phénomène dit d'hystérésis qui caractérise le
principe fondamental de ce montage. Les points de
basculement diffèrent selon le sens d'évolution
de Ve :
Ce trigger est dit inverseur car le signal d'entrée
est appliqué à l'entrée inverseuse de l'AOP, ce qui
fait basculer ce dernier à -Vsat lorsque l'on
dépasse le seuil positif, et à +Vsat lorsque l'on
passe en dessous du seuil négatif.
Fig. 4.24: Les points de basculement diffèrent
selon le sens d'évolution de Ve pour un
trigger de schmitt non inverseur

Le principal intérêt de ce montage réside dans la disparation du phénomène de multi-basculement

du comparateur simple autour du seuil. Si le signal d'entrée franchit un seuil, ce dernier bascule
directement à son opposé, et de fait, même si l'entrée est bruitée, elle ne fait plus basculer l'AOP.

Le symbole d'un trigger de schmitt est le suivant :

23
3.6 Trigger de Schmitt à portes logiques
Une transition d'un niveau logique L à un niveau logique H, appliquée à l'entrée d'un
inverseur, peut être schématisée comme indiqué à la figure ci dessous.

Fig. 4.25: Signaux à l’entrée et à la sortie d’un inverseur

Schématisé ainsi, il apparaît que les signaux présents à l'entrée et à la sortie de l'inverseur
présentent des fronts bien droits, c'est-à-dire que la tension varie instantanément d'un état
logique à l'état logique complémentaire.
Or, ceci est une vision purement théorique. Les signaux réels s'éloignent de cette
représentation théorique et appliqués au même circuit logique, auraient la forme
représentée à la figure ci-dessous.

Fig. 4.26: Signaux réels à l’entrée et à la sortie d’un inverseur

Il apparaît donc qu'un signal logique met un certain temps (ici t2 - t1) pour passer d'un état
logique à un autre. Une deuxième remarque s'impose. Si l'on se réfère à la figure (a) ci
dessous, il apparaît que la tension présente des variations dues aux parasites ou aux "bruits".

24
Ces derniers sont définis comme des perturbations ou des variations de tension à petite
échelle sur un signal électrique.

Fig. 4.27: Oscillations indésirables à l’entrée et à la sortie d’un buffer

Un buffer peut être défini comme un amplificateur de courant, c'est-à-dire un circuit

conservant la forme du signal et augmentant la puissance disponible à sa sortie.
Ce buffer présente, par exemple, un seuil de basculement égal à Vcc / 2, comme représenté
à la figure (a) précédente. Or, le signal d'entrée possède des perturbations. En sortie, le
signal logique n'est donc pas stable mais présente des oscillations comme représenté à la
figure (b) précédente.
En effet, les oscillations indésirables à l'entrée franchissent à plusieurs reprises le seuil de
basculement du buffer.
Il a donc été nécessaire de concevoir des circuits logiques qui puissent palier ces deux types
d'inconvénients.
Ce sont les bascules de Schmitt ou encore triggers de Schmitt. L'idée fondamentale est de
créer deux seuils de basculement, l'un sur le front montant d'un signal, l'autre sur le front
descendant de ce signal. Ceci est représenté à la figure suivante.

Fig. 4.28: Signaux à l’entrée et à la sortie d’un trigger de schmitt

25
A l'instant t1, la tension présente à l'entrée atteint le seuil de basculement VT+, la sortie
passe très rapidement du niveau logique L au niveau logique H, bien que le seuil VT+ soit
franchi plusieurs fois au cours des oscillations présentes à l'entrée du trigger.
Au cours du front descendant, c'est à l'instant t2 que le signal d'entrée franchit le seuil de
basculement VT-. La sortie passe alors très rapidement du niveau logique H au niveau
logique L.
Les deux instants de basculement sont les deux instants où le signal franchit pour la
première fois le seuil considéré. Il est évident que plus la différence (VT+) - (VT-) est
importante, plus ce circuit sera fiable et insensible aux fluctuations parasites superposées au
signal originel. Cet écart de tension entre les deux seuils est appelé hystérésis. C'est une
caractéristique propre à un trigger de Schmitt. Le cycle d'hystérésis est représenté à la figure
ci dessous.

Fig. 4.29: Cycle d’hystérésis d’une bascule de schmitt

Les flèches sur ce schéma indiquent le sens de parcours des tensions à l'entrée et à la sortie
du trigger.
Il apparaît clairement que la sortie passe du niveau L au niveau H dès que le seuil VT+ est
franchi à l'entrée de la bascule (flèche bleue). De même, il faut que la tension d'entrée
descende à VT- pour que la sortie passe du niveau H au niveau L (flèche rouge).
La différence (VT+) - (VT-) constitue également la "marge de bruit" qui est l'écart de tension
qu'un signal peut avoir sans entraîner d'incident particulier sur le fonctionnement d'un
circuit. La figure suivante présente l'allure d'un signal présent à l'entrée d'une bascule de
Schmitt.

Fig. 4.30: Marge de bruit d’un circuit logique

26
A un moment donné, l'entrée a franchi le seuil VT+, la sortie est donc au niveau H.
On aperçoit les perturbations du signal d'entrée, mais ce signal n'atteint jamais le seuil VT-,
donc l'entrée est considérée en permanence à l'état H.

Le symbole suivant ( ) indique qu'un circuit logique possède un cycle

d'hystérésis. Des exemples sont donnés à la figure suivante :

Fig. 4.31: Circuits logiques avec hystérésis

3.7 Réalisations pratiques des triggers de schmitt

3.7.1 Trigger de base
Dans le trigger de la figure suivante, deux résistances R1 et R2 sont associées à un buffer.

Fig. 4.32: Trigger de schmitt

Les deux résistances sont montées en pont diviseur de tension. L'entrée du buffer a une
résistance très élevée, de l'ordre de quelques dizaines de MΩ (en technologie CMOS). L'effet
de ce buffer sera donc négligé sur le pont diviseur de tension. Pour cela, R1 et R2 auront des
valeurs assez grandes. Par exemple, R1 = 22 k Ω et R2 = 100 kΩ.

27
Dans ce cas, nous avons la relation (1) suivante :
𝑉1 𝑉𝑢
+ 𝑉1 𝑅2 +𝑉𝑢 𝑅1
𝑅1 𝑅2
𝑉0 = 1 1 =
+ 𝑅1 +𝑅2
𝑅2 𝑅1

𝑅2
⇔ 𝑉0 = 𝑉1 − 𝑉𝑢 + 𝑉𝑢 ……….……………………………………….(1)
𝑅1 +𝑅2

Appliquons à l'entrée E le signal indiqué à la figure suivante.

Fig. 4.33: Entrée et sortie du trigger de schmitt

Au départ, V1 = Vu = 0 volt. Au fur et à mesure que V1 augmente, la tension d'entrée du

buffer Vo augmente aussi et Vu reste nulle. En effet, il faut que Vo atteigne Vcc/2 pour que
la sortie S bascule au niveau H.
La tension V1 nécessaire au basculement du buffer est la tension de seuil supérieur VT+.
A partir de la relation (1) précédente, exprimons cette tension V1 de basculement.
Juste avant le basculement, la tension Vo est donc égale à Vcc/2 et la tension de
sortie Vu est encore nulle. Remplaçons Vo et Vu par leur valeur dans l’équation (1).

𝑉𝑐𝑐 𝑅2
= 𝑉1 − 0 +0
2 𝑅1 +𝑅2

𝑉𝑐𝑐 𝑅2
D’où : = 𝑉1 𝑅
2 1 +𝑅2

La tension V1 de basculement que l'on appelle VT+ est donc donnée par la relation (2).

𝑅1 +𝑅2 𝑉𝑐𝑐
𝑉1 𝑏𝑎𝑠𝑐𝑢𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡 = 𝑉𝑇+ = × ………………………………….(2)
𝑅2 2

Si l'on remplace dans le cas présent R1 et R2 par leur valeur et sachant que la tension
d'alimentation est de 5 volts, on obtient une tension de basculement de :

22×10 3 +100×10 3 5
𝑉𝑇+ = × 2 ≅ 3.05 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠 Ceci est donc la valeur du seuil supérieur.
100×10 3

28
Tant que la tension V1 restera supérieure à la tension de seuil inférieur VT-, la
sortie S restera au niveau H (donc à la tension Vcc).
Quand la tension d'entrée V1 redescend, le buffer bascule au niveau L pour Vo = Vcc/2.
Calculons donc VT- à l'aide de l'équation (1) en remplaçant Vo par Vcc/2 et Vu par Vcc.
d'où :
𝑉𝑐𝑐 𝑅2
= (𝑉𝑇−) − 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑐𝑐
2 𝑅1 + 𝑅2

On obtient la relation (3) :

𝑉𝑐𝑐 𝑅1 +𝑅2
𝑉𝑇− = 𝑉𝑐𝑐 − ……………………………………………(3)
2 𝑅2

Remplaçons R1, R2 et Vcc par leur valeur numérique :

5 22 × 103 + 100 × 103

𝑉𝑇− = 5 − ≅ 1.95 𝑣𝑜𝑙𝑡
2 100 × 103

Le seuil inférieur est donc de 1,95 volt.

L'hystérésis vaut (VT+) - (VT-) = 3,05 - 1,95 = 1,1 volt.

Il serait par ailleurs possible d'augmenter la valeur de l'hystérésis en prenant une valeur
pour R1 supérieure à 22 kΩ.

3.7.2 Trigger réalisé avec des portes NAND

Ici, nous n'utilisons pas de résistances. Ce trigger est représenté à la figure postérieure. Il
comprend trois portes NAND à trois entrées réalisées en technologie CMOS. Le
fonctionnement de ce trigger utilise la propriété suivante : la tension du seuil de
basculement est fonction du nombre d'entrées reliées ensemble sur lesquelles est appliqué
le signal de commande. Ce seuil sera d'autant plus élevé qu'il y aura d'entrées reliées
ensemble.
A l'état de repos, l'entrée E et la sortie S sont au niveau logique L. Quand la tension à l'entrée
augmente et atteint VT+, la porte 1 commute, l'entrée SET passe au niveau L et la sortie S au
niveau H.

Fig. 4.34: Trigger obtenu avec trois portes NAND

29
Quand la tension à l'entrée E redescend et franchi le seuil VT-, la porte 3 commute et sa
sortie passe au niveau H. La sortie S commute également et repasse au niveau L. Donc ce
montage est bien un trigger possédant deux seuils de basculement VT+ et VT-
L'hystérésis (VT+) - (VT-) vaut environ 1/3 de Vcc soit 1,66 volt pour Vcc = 5 volts.
Si l'on veut réduire l'hystérésis à 1/6 de Vcc, il faut réunir seulement deux entrées de la
porte 1. Ceci est indiqué à la figure suivante.

Fig. 4.35: Autre version du trigger de schmitt avec trois NAND

Ainsi, le seuil VT+ est diminué. Ce circuit particulier est souvent utilisé comme bascule de
Schmitt disponible sous forme de circuit intégré de la famille CMOS.

3.8 Trigger de schmitt à base du timer NE555

Les transitions hautes et basses sur les entrées de la plupart des appareils CMOS doivent
être des bords rapides. Si les bords ne sont pas assez rapides, ils ont tendance à fournir plus
de courant et cela pourrait endommager l'appareil. Les signaux analogiques ne sont
généralement pas parfaits et n'ont pas toujours des bords propres. Le Trigger de Schmitt est
un type spécial de comparateur utilisé pour éviter de tels signaux.
Un comparateur est un appareil qui compare deux tensions et le résultat est l'indication de
savoir si une tension est plus élevée que l'autre ou non. Le trigger de Schmitt, également
appelé comparateur régénératif, compare la tension d'entrée à deux tensions de référence
et produit une sortie équivalente. La sortie d'un trigger de Schmitt est toujours une onde
carrée ou rectangulaire quelle que soit la forme de l'entrée. Il est souvent utilisé lorsque
nous devons effectuer les opérations suivantes:
 Convertir l'onde sinusoïdale en onde carrée
 Pour nettoyer les signaux bruyants
 Pour convertir des bords lents (comme dans une onde triangulaire) en bords rapides
(comme une onde carrée)

Le trigger de Schmitt peut être construit à partir d'un timer NE555. Une autre fonction du
timer NE555 consiste à utiliser les deux comparateurs internes comme unités indépendantes
pour former un trigger de Schmitt.

30
 3.8.1 NE555

Fig. 4.40: NE555 dans un boitier dual inline Fig. 4.41:NE556, version double du 555

Le NE555 (plus fréquemment appelé 555) est un circuit intégré utilisé pour la temporisation
ou en mode multivibrateur. Le NE555 a été créé en 1970 par Hans R. Camenzind et
commercialisé en 1971 par Signetics. Ce composant est toujours utilisé aujourd'hui à cause
de sa facilité d'utilisation, son faible coût et sa stabilité. Un milliard d'unités sont fabriquées
par an.
Le NE555 contient 23 transistors, 2 diodes et 16 résistances qui forment 4 éléments :
 deux amplificateurs opérationnels de type comparateur ;
 un amplificateur opérationnel de type inverseur ;
 et une bascule SET-RESET.

Fig. 4.42: Symbole schématique du 555

Le NE555 existe aussi en version double avec l'appellation NE556. La table suivante présente
les broches présentes sur la version simple dans un boitier DIP. Les autres boitiers utilisent
les mêmes noms de broches.

# Nom Description

1 GND Masse

2 TRIG Gâchette, amorce la temporisation

3 OUT Signal de sortie

4 RESET Remise à zéro, interruption de la temporisation

5 CONT Accès à la référence interne (2/3 de VCC)

31
 6 THRES Signal la fin de la temporisation quand la tension dépasse 2/3 de VCC

7 DISCH Limite permettant de décharger le condensateur de temporisation

8 VCC Tension d'alimentation, le plus souvent entre 5 et 15V

Fig. 4.43: Schéma bloc simplifié du NE555

On peut voir à partir du schéma bloc les différents composants du NE555, soit :

 2 comparateurs
 3 résistances configurées en diviseur de tension. Les deux tensions respectivement de 1/3
et 2/3 de Vcc servent de références aux comparateurs.
 1 bascule SET-RESET contrôlée par les comparateurs
 1 inverseur
 1 transistor pour décharger le condensateur de temporisation

L'opération du 555 suit la logique de fonctionnement du schéma de bloc présenté et peut

prendre 4 états différents.

 Le signal RESET est à un niveau bas : La bascule est remise à zéro et le transistor de
décharge s'active et la sortie reste impérativement à un niveau bas. Aucune autre
opération n'est envisageable.
 Le signal TRIG est inférieur à 1/3 de VCC : la bascule est activée (SET) et la sortie est à un
niveau haut, le transistor de décharge est désactivé.
 Le signal THRES est supérieur à 2/3 de VCC : la bascule est remise à zéro (RESET) et la
sortie est à un niveau bas, le transistor de décharge s'active.
 Les signaux THRES et TRIG sont respectivement inférieurs à 2/3 de VCC et supérieurs à
1/3 de VCC : la bascule conserve son état précédent de même que pour la sortie et le
transistor de décharge.

32
Ces états sont résumés dans le tableau suivant :

RESET TRIG THRES OUT DISCH

0 X X 0 Actif

1 <1/3 Vcc X 1 Inactif

1 >1/3 Vcc >2/3 Vcc 0 Actif

1 >1/3 Vcc <2/3 Vcc Valeur précédente

3.8.2 Circuit du Timer 555 en tant que trigger de Schmitt

Le circuit suivant montre la structure d'un timer 555 utilisé comme un trigger de Schmitt.

Fig. 4.44: Circuit du Timer 555 en tant que trigger de Schmitt

Les broches 4 et 8 sont connectées à l'alimentation (VCC). Les broches 2 et 6 sont liées entre
elles et l'entrée est donnée à ce point commun via un condensateur C. ce point commun est
alimenté par une tension de polarisation externe VCC/2 à l'aide du circuit diviseur de tension
formé par les résistances R1 et R2.

33
La caractéristique importante du Trigger de Schmitt est l'hystérésis. La sortie du Trigger de
Schmitt est élevée si la tension d'entrée est supérieure à la valeur de seuil supérieure, et la
sortie du Trigger de Schmitt est faible si la tension d'entrée est inférieure à la valeur de seuil
inférieure.
La sortie conserve sa valeur lorsque l'entrée se situe entre les deux valeurs de
seuil. L'utilisation de deux valeurs de seuil est appelée Hystérésis et le Trigger de Schmitt
agit comme un élément de mémoire (un multivibrateur bistable ou une bascule).
Les valeurs de seuil dans ce cas sont 2/3 VCC et 1/3 VCC, c'est-à-dire que le comparateur
supérieur se bascule à 2/3 VCC et le comparateur inférieur se bascule à 1/3 VCC. La tension
d'entrée est comparée à ces valeurs de seuil par les comparateurs individuels et la bascule
est réglée ou réinitialisée en conséquence. Sur cette base, la sortie devient élevée ou faible.
Lorsqu'une onde sinusoïdale d'amplitude supérieure à VCC / 6 est appliquée à l'entrée, la
bascule est réglée et réinitialisée alternativement pour le cycle positif et le cycle négatif. La
sortie est une onde carrée et les formes d'onde pour l'onde sinusoïdale d'entrée et l'onde
carrée de sortie sont indiquées ci-dessous.

Fig. 4.45:Forme d’ondes d’entrée et de sortie d’un trigger de Schmitt non-inverseur à base
du Timer NE 555

3.8.3 Trigger de Schmitt inverseur à base du Timer NE 555

Le fonctionnement normal du timer 555 en tant que trigger de Schmitt inverseur. Lorsque
l'entrée du trigger, qui est la même que l'entrée externe, tombe en dessous de la valeur seuil
de 1/3 VCC, la sortie du comparateur inférieur passe à l'état haut et la bascule est réglée et
la sortie à la broche 3 passe à l'état haut.
De même, lorsque l'entrée de seuil, qui est identique à l'entrée externe, dépasse la valeur de
seuil de 2/3 VCC, la sortie du comparateur supérieur passe à l'état haut et la bascule est
RESET et la sortie à la broche 3 devient basse.

34
La forme d'onde du trigger de Schmitt inverseur est illustrée ci-dessous.

Fig. 4.46:Forme d’ondes d’entrée et de sortie d’un trigger de Schmitt inverseur à base du
Timer NE 555

35
 TD n°3 Composants actifs en commutation

Exercice 1
1) Dans le circuit représenté sur la figure ci-contre,
déterminer l’état passant ou bloqué de la diode.
2) Dans le cas où la diode est passante, déterminer le
courant Id qui la traverse.
On supposera que la diode est parfaite et possède une
tension de seuil égale à 0,7 V.
Réponse :
1) La diode est passante.
2) Id=I1-I2 ⇒ I1=(E-VA)/R1 et I2=VA/R2 alors Id=93mA-17.5mA=75.5mA

Exercice 2
On considère le montage suivant qui utilise une diode au
silicium dont la caractéristique est idéalisée. Lorsque la
diode sera passante ou bloquée, elle sera remplacée
respectivement par un court circuit ou un circuit ouvert.
Le générateur ve(t), dont le graphe est donné ci-après,
fournit une tension triangulaire, de valeur moyenne
nulle, d’amplitude 50V et de période T = 1ms.
On se propose de déterminer les
caractéristiques du générateur de Thévenin
qui alimente la diode entre les noeuds A et
K.
1) Déterminer l’expression du générateur
de Thévenin eth(t) = f (ve(t), E1, E2, R1, R2).
Faire l’application numérique afin d’obtenir
eth(t) en fonction de ve(t).
2) Déterminer la résistance interne Rth du
générateur de Thévenin.
3) Dessiner alors le schéma de simulation
du montage. A l’instant t = 0 s, Quel est
l’état de la diode ?
Donner l’équation de la droite de charge de la diode et en déduire la valeur de la tension
particulière ve (t1) qui amène la diode à la frontière entre la zone passante et bloquée.
4) Déterminer l’expression de la tension de sortie vs (t) du montage complet lorsque la diode
est passante. Faire l’application numérique.
5) Déterminer l’expression de la tension de sortie vs (t) du montage complet lorsque la diode
est bloquée. Faire l’application numérique.
6) Représenter sur le graphe donné, l’évolution de la tension de sortie vs (t) sur une période,
en indiquant clairement les points remarquables.
Réponse :
1) eth(t)= (ve(t)-(E1+E2))*R2/ (R1+R2) soit : eth(t)=0.6ve(t)-12 2) Rth=R1⫽R2=60Ω
3) la diode est passante, va(t)= eth(t)- Rth. Ia(t) , ve (t1)=20V
4) la diode est passante, vs(t)=10V

36
5) Vs(t)= [[ve(t)- E1]*R2/ (R1+R2)] + [E2*R1/ (R1+R2)] (théorème de superposition) soit :
Vs(t)=0.6ve(t)-2
Exercice 3
Soit le schéma à transistor alimenté par une tension de 12V et où
R1 = 100kΩ, R2 = 500Ω et le gain du transistor β = 120, Vbe=0.7V
Trouvez la tension aux bornes de la résistance R2.
Réponse :
1) Ib=113µA 2) IC=13.56mA 3) VR2=R2*Ic

Exercice 4
On souhaite faire fonctionner un transistor comme un
interrupteur.
Calculez la résistance R1 nécessaire au fonctionnement du
transistor comme interrupteur, c'est-à-dire en ON/OFF.
Réponse :
1)Icmax=15mA 2) Ib˃0.1mA
3) Ib=(5-0.7)/R1 ⇒R1<43kΩ

TD n°4 circuit de mise en forme

Exercice 1
On considère le schéma suivant :
La caractéristique des diodes est idéalisée
(Vd seuil=0,6 V, Rd=0Ω)
VE=Vemax.sin (ω.t)
a) Exprimez la valeur minimum de Vemax
(en fonction de E0, R1 et R2) qui assure la
conduction des diodes.
b) E0 = 4V, VE = 16 .sin (100π.t),
R1 = R2 = 1 kΩ.
c)En prenant pour échelles : 1cm pour 2V, et 1cm pour 5mA, tracez le graphe de VS et I.
d) Justifiez leur forme et précisez les valeurs remarquables.
Réponse :
a)
Les diodes sont
passantes si :

b)

37
Exercice 2
On considère le montage ci-dessous ; la tension d'entrée est ve(t)=V0sinωt. On suppose que
RC >> T = 2π /ω. La diode est supposée idéale
et de seuil nul. On note v(t) la tension aux
bornes de R.
a) Décrire qualitativement et comparer les
évolutions temporelles de ve(t) et v(t). On
pourra s'aider d'une représentation
graphique.
b) A partir de quel instant t0 le courant iD devient- il nul ? Montrer que v(t0) ≈ V0.
c) Comment varie v(t) aux instants ultérieurs ?
d) Montrer qu'au cours d'une période, la variation maximale de tension Δv aux bornes de la
résistance est approximativement proportionnelle à T et que Δv/V0 << 1.
e) AN : on désire que la tension v(t) soit de l'ordre de 12 V et qu'un courant de 1 mA circule
dans R. Quelle doit être la valeur de la capacité C pour que Δv/V0 < 10- 2, la fréquence du
générateur étant de 50 Hz ?
Réponse :

38
Exercice 3
Les amplificateurs opérationnels A1 et A2 utilisés dans les montages ci-dessous sont
supposés idéaux et fonctionnent en commutation.

Fig. (a)

Fig. (b)

On donne R=1KΩ, R1= 2KΩ, R2=1KΩ et Vsat=12V.

1. On considère le montage de la figure (a).Représenter, en la justifiant, la caractéristique de
transfert Vs1 = f(Ve1) lorsque Ve1 varie de –Vsat à +Vsat. Quelle est la fonction accomplie par
ce montage ?
2. On se propose d’étudier le montage de la figure (b) dans les deux cas suivants :
A. premier cas : Ve2=Ve1.
2.1. Déterminer le potentiel V+ de l’entrée non inverseuse de l’amplificateur opérationnel A2
en fonction de Vs1, Vs2, R1 et R2.
2.2. On fait croître la tension d’entrée Ve2 de –Vsat à +Vsat, la tension de sortie Vs2 subit un
basculement (de +Vsat à –Vsat) lorsque la tension d’entrée atteint une valeur Ve2= VHB.
Calculer VHB.
2.3. On fait croître la tension d’entrée Ve2 de +Vsat à -Vsat, la tension de sortie Vs2 subit un
basculement (de -Vsat à +Vsat) lorsque la tension d’entrée atteint une valeur Ve2= VBH.
Calculer VBH.
2.4 Représenter, la caractéristique de transfert Vs2 = f(Ve2) du comparateur lorsque Ve2 varie
de –Vsat à +Vsat et de +Vsat à –Vsat.
2.5. Calculer la largeur du cycle d’hystérésis L =VHB- VBH.
B. deuxième cas : Ve2=-Ve1.
Réponse :
1) ce montage représente un comparateur simple (ou comparateur à zéro).
2) A. Premier Cas : Ve2 = Ve1.

2.1)

39
2.2) Basculement de Vs2 de -Vsat à +Vsat :

2.3) Basculement de Vs2 de Vsat à -Vsat :

2.5) La largeur du cycle d’Hystérésis : L = VHB - VBH = 3 + 3 = 6V.

B. Deuxième Cas : Ve2 = -Ve1

La largeur du cycle d’Hystérésis : L’ = V’HB – V’BH = 9 + 9 = 18V. L’>L.

40
 TP 2 : circuits limiteurs (écrêteurs)

1-Outil de simulation utilisé : WORKBENCH

Il existe de nombreux logiciels de simulation électrique. Certains sont conçus tout particulièrement
pour les circuits d'électronique. Le logiciel mis à votre disposition, WORKBENCH, fait partie de cette
dernière catégorie.
But du TP : Le but de ce TP est de :
-pour comprendre le principe de base des circuits limiteur (écrêteur)
-pour mesurer les formes d’onde de sortie sous différents signaux d’entrée et de fréquence.

2. Circuit écrêteur (limiteur à diodes) :

Le montage de la figure ci-dessous représente un écrêteur (limiteur) polarisé.

Figure 1 : Montage écrêteur et tensions d’écrêtage

On peut ajuster le niveau auquel une tension sera limitée en utilisant une diode et une tension de
polarisation. La diode D1 ne peut conduire que si la tension à ses bornes atteint sa tension seuil.
Dans ce cas, la tension de sortie est fixée par : Vs = −0,6V − U1
Le même raisonnement est fait pour la deuxième branche contenant la deuxième diode D2.

3-Manipulation :

- Tracer avec précision e(t) et Vout(t) ?

a/- Limiteur à un seul niveau positif :

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b/- Limiteur à un seul niveau négatif :

c/- Limiteur à deux niveau :

d/- Circuit de restauration :

e/- Doubleur de tension :

- Pour chaque circuit, faire une étude théorique (Diode parfaite).

- Comparer avec les résultats pratiques.
- Donner des conclusions

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 TP 3 : trigger de schmitt
1-Outil de simulation utilisé : WORKBENCH
Il existe de nombreux logiciels de simulation électrique. Certains sont conçus tout
particulièrement pour les circuits d'électronique. Le logiciel mis à votre disposition,
WORKBENCH, fait partie de cette dernière catégorie

2- trigger de schmitt

Pour éviter la dégradation des performances du comparateur simple à haute fréquence, il

existe une solution : utiliser une boucle de rétroaction positive. On relie la sortie Vs à
l’entrée V+ de l’AOP. Grâce à cela, on obtient des fronts de commutation plus abrupts et des
caractéristiques moins dépendantes de la fréquence. C’est le principe du trigger de Schmitt
qui est représenté sur la Figure 1.

Ve(v)

Vs(v)

Figure 1

Voici comment il fonctionne :

1. Supposons que Ve = V‐ = 0 et Vs = +Vsat. On a alors : V+ = R1/(R1+R2).Vsat . On appelle
tension de seuil V2, la tension V2 =R1/(R1+R2).Vsat.
2. On augmente Ve jusqu’à ce qu’il soit supérieur à V2 (Ve – V2 > 0). On a alors V+ ‐ V‐ < 0.
3. L’AOP bascule et Vs passe à –Vsat. La nouvelle valeur de V+ devient
V+ = ‐ R1/(R1+R2).Vsat. On appelle tension de seuil V1, cette tension. Si on augmente
encore Ve , rien ne se passe.
4. Si, par contre, on diminue Ve jusqu’à ce qu’il soit inférieur à V1 (Ve – V1 < 0), on a alors :
V+ ‐ V‐ > 0.
5. L’AOP bascule et Vs passe à +Vsat .
On obtient ainsi un cycle d’hystérésis caractérisé par deux tensions de seuil V1 et V2.

3. Tensions de seuil
Faites le montage de la Figure 1. Vous prendrez R1 = 1 kΩ et R2 = 10 kΩ. Appliquez une
tension sinusoïdale d’entrée de fréquence f = 100 Hz et d’amplitude 1 V. Augmentez
l’amplitude jusqu’à observer un basculement de la tension Vs. A quelles tensions
observe‐t‐on ce basculement ? Expliquez pourquoi.
4. Tracé de Vs(t)
Augmentez encore l’amplitude de Ve d’1 V. Tracez les tensions Ve et Vs en fonction du
temps.

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5. Tracé de Vs(Ve)
Passez en mode XY et tracez l’évolution de la tension Vs en fonction de Ve (c’est‐à‐dire, le
cycle d’hystérésis).
6. Comportement avec la fréquence
Augmentez la fréquence à 10 kHz, 100 kHz puis 1 MHz. Qu’observez-vous sur les fronts de
commutation ? Le paramètre qui limite la variation de la tension de sortie est le slow rate.
Mesurez sa valeur à 100 kHz et vérifiez qu'elle est proche de la valeur théorique (15 V/μs).

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