CURSO PROFISSIONAL DE TÉCNICO DE GESTÃO DE EQUIPAMENTOS INFORMÁTICOS

MÓDULO 6 – AMPLIFICADORES COM TRANSÍSTORES BIPOLARES - 30 HORAS –

 Apresentação
Neste módulo será introduzido o conceito de Amplificadores com Transístores Bipolares,
pretendendo-se fornecer uma perspetiva alargada do seu funcionamento. Este módulo tem
carácter teórico-prático, devendo decorrer, em parte, em instalações laboratoriais
proporcionando aos alunos a verificação e confirmação dos conceitos teóricos estudados
relativos às caraterísticas, princípio de funcionamento e montagens básicas dos transístores
bipolares.
 Objetivos de aprendizagem
o Conhecer o funcionamento do transístor com sinais dinâmicos
o Conhecer o modelo equivalente do transístor em regime dinâmico
o Conhecer o significado das impedâncias de entrada e saída
o Adaptação de impedâncias
o Compreender e realizar "andares amplificadores com transístores" típicos
 Âmbito de conteúdos
o Amplificação de sinais
o Modelo dinâmico do transístor
o Modelo P e T do transístor
o Noção de impedância e ganho
o Impedâncias de entrada e saída
o Ganhos de corrente e tensão
o Análise em regime dinâmico das diferentes configurações (BC, EC, CC), com
várias técnicas de polarização (fixa, divisor de tensão e emissor)
o Amplificadores em cascata
o Noções de banda passante e frequência de corte de um amplificador
o Amplificadores de potência

1. AMPLIFICAÇÃO NO DOMÍNIO AC
Foi demonstrado no módulo anterior que o transístor pode ser empregue como um dispositivo
amplificador. Isto é, o sinal de saída senoidal é maior que o sinal de entrada, ou, dito de outra
forma, a potência ac de saída é maior que a potência ac de entrada. A questão reside, então,
em como a potência ac de saída pode ser maior que a potência ac de entrada? A conservação
de energia estabelece que em qualquer instante a potência total de saída, Po, de um sistema
não pode ser maior que uma potência de entrada, Pi, e que a eficiência definida por η = Po/ Pi
não pode ser maior que 1. O fator esquecido na discussão acima, que permite uma potência ac
de saída ser maior que a potência ac de entrada, é a potência dc aplicada. Ela é uma
contribuinte para a potência total de saída, embora parte dela seja dissipada pelo circuito em
elementos resistivos. Por outras palavras, há uma “troca” de potência dc para o domínio ac
que permite estabelecer uma potência ac de saída maior. De fato, a eficiência de conversão é
definida por η = Poac / Pi dc , onde Poac é a potência ac na carga e Pi dc é a potência dc
fornecida.

1
O papel da fonte dc pode ser descrito considerando primeiro o circuito dc simples da Fig.1. A
direção resultante do fluxo de corrente é indicada na figura com o traçado da corrente I versus
tempo. Inserindo agora um mecanismo de controlo, como o apresentado na Fig.2. O
mecanismo de controlo atua de forma que a aplicação de um sinal relativamente pequeno
nesse mecanismo pode resultar numa oscilação muito grande no circuito de saída. Para o
sistema da Fig.2, o valor de pico da oscilação é controlado pelo nível dc estabelecido.

Figura 1 - Corrente estacionaria estabelecida por uma fonte DC

Figura 2 - Efeito de um elemento de controlo no fluxo em estado estacionário do sistema elétrico da fig.1

Qualquer tentativa de exceder esse limite dc resultará em um "corte" da região de pico do

sinal de saída. Em resumo, portanto, um projeto adequado de um amplificador requer que as
componentes dc e ac sejam sensíveis às limitações e solicitações de ambas.
Entretanto, é realmente de grande valia que amplificadores a transístor para pequenos sinais
possam, ser considerados lineares para muitas aplicações, permitindo o uso do teorema da
superposição para isolar a análise dc da análise ac.

2. MODELAÇÃO DO TRANSÍSTOR
A base para a análise do transístor em pequenos sinais é o uso de circuitos equivalentes
(modelos) a serem introduzidos neste capítulo.
Uma vez determinado o circuito ac equivalente, o símbolo gráfico do dispositivo pode ser
substituído, no desenho esquemático, por este circuito, e os métodos básicos de análise ac de

2
circuito (análise de malha, análise dos nós e teorema de Thévenin) podem ser aplicados para
determinar a resposta do circuito.
Há duas escolhas de modelos em evidência hoje em dia, considerando o circuito equivalente
substituto para o transístor. Por muitos anos, as instituições industriais e educacionais
confiaram profundamente nos parâmetros híbridos (Dinâmico). O circuito equivalente na
forma de parâmetros híbridos continua a ser muito popular embora deva dividir a sua fama
com o circuito equivalente derivado diretamente das condições de operação do transístor — o
modelo re. Fabricantes continuam a especificar os parâmetros híbridos para uma região
particular de operação nas suas folhas de especificações. Os parâmetros (ou componentes) do
modelo re. podem ser derivados diretamente dos parâmetros híbridos nesta região.
Entretanto, em relação à precisão o circuito híbrido equivalente sofre limitações para um
conjunto particular de condições de operação se é para ser mais preciso. Os parâmetros do
outro circuito equivalente podem ser determinados para qualquer região de operação dentro
da região ativa e não são limitados por um simples conjunto de parâmetros fornecidos pela
folha de especificações. Entretanto, o modelo re. falha na justificação do nível da impedância
de saída do dispositivo e nos efeitos de realimentação da saída para a entrada.
Como ambos os modelos são amplamente utilizados hoje em dia, serão examinados em
detalhes neste módulo. Em algumas análises e exemplos será usado o modelo híbrido,
enquanto em outras somente o modelo re. será utilizado. Neste capítulo veremos o
quanto os dois modelos estão intimamente relacionados e como os resultados obtidos com
um podem ser aplicados ao outro modelo.
A fim de demonstrar os efeitos que o circuito ac equivalente produzirá na análise a seguir,
considere o circuito da Fig.3. Vamos assumir por enquanto que o circuito equivalente ac para
pequenos sinais do transístor já foi determinado. Como estamos interessados na resposta ac
do circuito, todas as fontes dc podem ser substituídas por um potencial nulo equivalente
(curto-circuito) uma vez que eles determinam somente a componente dc (nível quiescente) da
tensão de saída, e não a amplitude da oscilação ac de saída. Isto é claramente demonstrado na
Fig.4.
Os níveis dc foram importantes somente para determinar o ponto Q de operação apropriado.
Uma vez determinado, os níveis dc podem ser ignorados na análise ac do circuito. Além disso,
os condensadores de acoplamento C1 e C2 e o condensador de passagem C3 foram escolhidos
para apresentar uma reatância muito pequena nas frequências de aplicação. Portanto, eles
podem, para os devidos fins, ser substituídos por um caminho de baixa resistência ou um
curto-circuito.

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 Figura 3 - Circuito com transístor sob exame nesta discussão introdutória.

Figura 4 - O circuito da Fig.3 após a remoção da fonte dc e a inserção do curto-circuito

equivalente para os condensadores

Note que isto acarretará um "curto-circuito" da resistência de polarização Re . Lembrando que

os condensadores são "circuitos-abertos" sob condições de estado estacionário dc, isto
permite uma separação entre estágios para os níveis dc e condições quiescentes.
Se estabelecermos um terra comum e rearranjarmos os elementos da Fig.4, R1 e R2 ficarão em
paralelo, e Rc aparecerá entre o coletor e o emissor conforme mostrado na Fig.5. Já que os
componentes do circuito equivalente do transístor da Fig. 7.5 é constituído por resistências e
fontes controladas de tensão, técnicas de análise como sobreposição, teorema de Thévenin, e
assim por diante, podem ser aplicadas para determinar as quantidades desejadas.

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 Figura 5 - Circuito da Fig.4 redesenhado para análise ac de pequenos sinais.

Ao examinar a Fig.5 e identificar as quantidades importantes a serem determinadas para o

sistema. Como sabemos que o transístor é um dispositivo amplificador, imaginamos esperar
alguma indicação de como a tensão de saída V0 está relacionada à tensão de entrada Vi - o
ganho em tensão. Note, na Fig.5, que para esta configuração Ii = IB e I0 = IC , o qual define o
ganho em corrente Ai = I0/IC. A impedância de entrada Zi e a impedância de saída Z0 mostrar-
se-ão particularmente importantes nas análises a seguir.
Em resumo, o equivalente ac de um circuito é obtido por:
Fixando todas as fontes de tensão dc em zero e substituindo- as por um curto-circuito
equivalente.
Substituindo todos os condensadores por um curto-circuito equivalente.
Removendo todos os elementos em paralelo com os curtos-circuitos equivalentes introduzidos
nos passos 1 e 2.
Redesenhando o circuito numa forma mais conveniente e lógica.

Nas seções seguintes os circuitos híbridos equivalentes e o circuito re equivalente serão

introduzidos para completar a análise ac do circuito da Fig.5.

3. NOÇÃO DE IMPEDÂNCIA E GANHO

Antes da investigação dos circuitos equivalentes para TBJs em detalhes, vamos concentrar-nos
naqueles parâmetros de um sistema de duas portas que são mais importantes do ponto de
vista da análise e projeto. Para o sistema de duas portas (dois pares de terminais) da Fig.6, a
seção de entrada (a seção na qual o sinal é geralmente aplicado) é a da esquerda e a seção de
saída (onde a carga é ligada) é o lado direito. De fato, para muitos sistemas elétricos e
eletrónicos o fluxo geral é, normalmente, da esquerda para a direita. Para ambos os conjuntos
de terminais, a impedância entre cada par de terminais sob condições de operações normais é
muito importante.

Figura 6 - Sistema de duas portas

3.1. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA, Zi
Para a seção de entrada, a impedância de entrada Zi é definida pela lei de Ohm como se segue:

Se o sinal de entrada Vi for variado, a corrente Ii pode ser calculada usando o mesmo nível de
impedância de entrada. Por outras palavras:
Para a análise de pequenos sinais, uma vez determinada a impedância de entrada, o mesmo
valor pode ser usado para níveis variados do sinal de entrada.

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Na verdade, veremos nas seções a seguir que a impedância de entrada de um transístor pode
ser determinada, aproximadamente, através das condições de polarização, condições estas
que não mudam simplesmente porque a amplitude do sinal ac aplicado variou.
E útil ressaltar que para frequências na faixa média e baixa (tipicamente <100 kHz):
A impedância de entrada de um amplificador a transístor TBJ é puramente resistiva, depende
do modo como o transístor é empregue, e pode variar de poucos ohms até megaohms.
Além disso:
Um ohmímetro não pode ser usado para medir a impedância de entrada ac para pequenos
sinais, já que o ohmímetro opera no modo dc.
A equação Zi = Vi / Ii é particularmente útil porque fornece um método de medir a resistência
de entrada no domínio ac. Por exemplo, na Fig.7, uma resistência sensor foi adicionada à seção
de entrada para permitir a determinação de Ii usando a lei de Ohm.
Um osciloscópio ou multímetro digital (DMM) pode ser usado para medir a tensão VS e Vi .
Ambas as tensões podem ser pico-a pico, pico, ou valores rms, desde que ambos os níveis
usem a mesma unidade-padrão. A impedância de entrada é então determinada da seguinte
maneira:

Figura 7 - Determinação de Zi

A importância da impedância de entrada de um sistema pode ser demonstrada através do

circuito da Fig.8. A fonte de sinal tem uma resistência interna de 600Ω, e o circuito
(possivelmente um amplificador a transístor) tem uma resistência de entrada de 1,2KΩ. Se a
fonte for ideal (RS = OΩ), os 10mV completos serão aplicados ao sistema, porém com
uma impedância da fonte, a tensão de entrada deve ser determinada usando-se a regra do
divisor de tensão como se segue:

Portanto, somente 66,7% do total do sinal de entrada está disponível na entrada. Se Zi fosse
somente de 600Ω, então ou 50% do sinal disponível. Obviamente, se Zi = 8,2KΩ , Vi seria de
93,2% do sinal aplicado. O nível de impedância de entrada pode, portanto, ter um impacto
significativo no nível do sinal que entra no sistema (ou amplificador).

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 Figura 8 - Demonstração do o impacto de Zi sobre a resposta de um amplificador.

Nas seções e capítulos a seguir será demonstrado que a resistência de entrada ac depende de
o transístor estar na configuração base-comum, emissor-comum ou coletor-comum e da
disposição dos elementos resistivos.

Exercício:
Para o circuito da figura a seguir, determine o valor da impedância de entrada.

3.2. IMPEDÂNCIA DE SAÍDA, ZO

A impedância de saída é naturalmente definida no conjunto dos terminais de saída, mas a
maneira pela qual é definida é muito diferente daquela da impedância de entrada. Isto é:
A impedância de saída é determinada nos terminais de saída olhando-se para dentro do
sistema e com o sinal aplicado fixado em zero.
Na Fig.9, por exemplo, o sinal aplicado foi fixado em zero volts. Para determinar Z0 , um sinal V
é aplicado aos terminais de saída e o nível de V0 é medido com um osciloscópio ou DMM
sensível. A impedância de saída é então determinada da seguinte maneira:

Figura 9 - Determinação de Z0

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Em particular, para frequências baixas e médias (tipicamente 100 kHz):
A impedância de saída de um amplificadora transístor TBJ é naturalmente resistiva, e
dependendo da configuração e da disposição dos elementos resistivos, Z0 pode variar de
poucos ohms até valores que podem exceder 2MΩ.
Além disso:
Um ohmímetro não pode ser usado para medir a impedância de saída ac para pequenos sinais,
já que o ohmímetro opera no modo dc.
Para configurações de amplificadores onde um ganho significativo de corrente é desejado, o
nível de Z0 deve ser tão grande quanto possível. Como demonstrado pela Fig.10, se , a maior
parte da corrente de saída do amplificador passará pela carga. Será demonstrado nas seções e
capítulos a seguir que Z0 é geralmente muito grande quando comparado a RL , o que toma
possível a sua substituição por um circuito-aberto equivalente.

Figura 10 - Efeito de Z0 = R0 na carga ou na corrente de saída IC

Exercício:
2. Para o circuito da figura a seguir, determine o valor da impedância de saída.

3.3. GANHO DE TENSÃO, AV

Uma das mais importantes características de um amplificador é o ganho em tensão ac para
pequenos sinais, determinado por:

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Para o sistema da Fig.11, não foi ligada nenhuma carga aos terminais de saída, e o nível do
ganho determinado pela equação AV = V0/Vi refere-se a um ganho de tensão sem carga. Isto

é,

Figura 11 - Determinação do ganho em tensão sem carga

Para o sistema de Fig.11, tendo uma resistência de fonte RS , o nível Vi teria que ser
determinado primeiro usando a regra do divisor de tensão antes do ganho V0/VS ser
calculado. Isto é,

portanto

Experimentalmente, o ganho de tensão AV ou AV NL pode ser determinado simplesmente

medindo os níveis de tensão apropriados com um osciloscópio ou DMM sensível e
substituindo dentro das equações apropriadas.
Dependendo da configuração, o valor do ganho de tensão para um amplificador a transístor de
estágio simples com carga varia, tipicamente, de pouco mais de 1 até algumas centenas. Um
sistema multiestágio (várias unidades), entretanto, pode ter um ganho de tensão em torno de
milhares de vezes.

Exercício:
3. Para o amplificador da Fig. determine:
a. Vi b. Ii c. Zi d. AV

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 3.4. GANHO DE CORRENTE, Ai
O último parâmetro a ser discutido é o ganho de corrente definido por:

Embora na maioria das vezes o ganho de tensão seja o item de menor interesse, é todavia um
parâmetro importante que pode ter um impacto significativo na eficiência global do projeto.
Em geral:
Para amplificadores TBJ, o ganho de corrente varia tipicamente entre pouco menos de 1 até um
nível que pode ser maior que 100.
Para a situação da carga da Fig.12,

Figura 12 - Determinação do ganho de corrente com carga

com

Esta última equação permite a determinação do ganho de corrente em função do ganho de

tensão e dos níveis de impedância.

4. MODELO re DO TRANSÍSTOR
O modelo re emprega um díodo e uma fonte controlada de corrente para duplicar o
funcionamento do transístor na região de interesse. Lembre que a fonte de corrente
controlada por corrente é aquela onde seus parâmetros são controlados por uma corrente de
outro ramo do circuito. De fato: em geral:
Amplificadores a transístor TBJ são classificados como dispositivos controlados por corrente.

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 4.1. CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Na Fig.13a um transístor pnp em base-comum foi colocado dentro de uma estrutura de duas-
portas. Na Fig.13b o modelo re do transístor foi colocado entre os mesmos quatro terminais.
Como foi notado na Seção "Modelagem do Transístor", o modelo (circuito equivalente) foi
escolhido de tal forma que representa uma aproximação do funcionamento do dispositivo que
ele está a substituir na região operacional de interesse. Por outras palavras, o resultado obtido
com o modelo em questão estará relativamente próximo daquele obtido com o transístor real.

Figura 13 - (a) Transístor TBJ em base-comum; (b) modelo re para a configuração da fig. 13

Para a junção base-emissor do transístor da Fig.13a, o díodo equivalente da Fig.13b entre os

mesmos dois terminais parece muito apropriado. A fonte de corrente da Fig.13b estabelece o
fato que IC = αIe com a corrente controladora Ie aparecendo no lado da entrada do circuito
equivalente conforme mostra a Fig.13a. Estabelecemos, portanto, uma equivalência nos
terminais de entrada e saída, com a fonte controlada por corrente, fazendo uma ligação entre
as duas.
Lembrando que, a resistência ac de um díodo pode ser determinada pela equação
, onde ID é a corrente dc através do díodo no ponto-Q (quiescente). Esta
mesma equação pode ser usada para achar a resistência ac do díodo da Fig.13b se
simplesmente substituirmos a corrente de emissor como se segue:

O subscrito e de re foi escolhido para enfatizar que é o nível dc da corrente de emissor que
determina o nível ac da resistência do díodo da Fig.13b. Substituindo o valor resultante de re
na Fig.13b resultará no modelo bastante útil da Fig.14.

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Devido ao isolamento que existe entre os circuitos da entrada e saída da Fig.14, deve ser óbvio
que a impedância de entrada Zi para a configuração base-comum de um transístor é
simplesmente re. Ou seja,
Zi = re
Para a configuração base-comum, valores típicos de Zi atingem a faixa de poucos ohms até um
máximo de cerca de 50Ω.

Figura 14 - Circuito re equivalente base comum

Para a impedância de saída, se fixarmos o sinal em zero, então Ie = 0A e IC = α Ie = α (0A) = 0A ,

resultando num circuito aberto equivalente para os terminais de saída. O resultado é que para
o modelo da Fig.14,
De fato:
Para a configuração base-comum, valores típicos de Z0 estão na faixa de megaohms.
A resistência de saída da configuração base-comum é determinada pela inclinação das retas
das curvas características de saída como mostrado na Fig.15. Assumindo que as linhas sejam
perfeitamente horizontais (uma excelente aproximação) resultaria na conclusão da equação
anterior . Se medirmos Z0 graficamente com cuidado ou experimentalmente, serão
obtidos níveis que vão tipicamente de 1- a 2-MΩ.
Em geral, para a configuração base-comum a impedância de entrada é relativamente pequena
e a impedância de saída muito alta.

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 Figura 15 - Definição de Z0

O ganho de tensão será agora determinado para o circuito da Fig. 16.

Figura 16 - Definição de AV = V0/Vi para a configuração base-comum

tal que

para o ganho de corrente,

e

O fato de a polaridade da tensão V0 , quando determinada através da corrente IC , ser a

mesma que foi definida pela Fig.16 (i.e., o lado negativo está no potencial terra) revela que V0
e Vi estão em fase para a configuração base-comum. Para um transístor npn em configuração
base-comum, a equivalência será vista como mostra a Fig.17.

Figura 17 - Modelo aproximado para a configuração de um transístor npn em base-

comum.
Exercício:
1. Para a configuração base-comum da Fig.14, com IE = 4mA, α = 0,98, e um sinal ac de 2mV
aplicado entre os terminais de base e emissor:
a. Determine a impedância de entrada.
b. Calcule o ganho de tensão se uma carga de 0,56kΩ for ligada aos terminais de saída.
c. Ache a impedância de saída e o ganho de corrente.

4.2. CONFIGURAÇÃO DE EMISSOR-COMUM

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Para a configuração emissor-comum da Fig.18a, os terminais de entrada são a base e o emissor
do transístor, mas, agora, os terminais do coletor e emissor são a saída. Além disso, o terminal
emissor é agora comum para as portas de entrada e a saída do amplificador.

Figura 18 - (a) Transístor TBJ emissor-comum; (b) modelo aproximado para a configuração da Fig.18a.

Substituindo o circuito re equivalente para o transístor npn, resultará na configuração da

Fig.18b. Note que a fonte controlada por corrente está ainda conectada entre os terminais da
base e coletor, e o díodo, entre os terminais da base e emissor. Nesta configuração a corrente
de base é a corrente de entrada, enquanto a corrente de saída é ainda IC . Relembre do
módulo anterior, que as correntes de base e coletor estão relacionados pela seguinte equação:

A corrente através do díodo é, portanto, determinada por

e
Entretanto, como beta ac é geralmente muito maior que 1, usaremos a seguinte aproximação
para a análise de corrente:

A impedância de entrada é determinada pela seguinte relação:

A tensão VBE é aquela medida através do díodo como mostra a Fig.19. O nível de re é ainda
determinado pela corrente IE.

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 Fig. 19 - Determinação de Zi usando o modelo aproximado.
Usando a lei de Ohm temos

Substituindo, encontramos:

Em essência, esta ultima equação afirma que a impedância de entrada para uma situação tal
como a mostrada na Fig.20 é beta vezes o valor de re . Por outras palavras, um elemento
resistivo no braço emissor é refletido para o circuito de entrada com um fator multiplicativo β.
Por exemplo, se re = 6,5Ω como no exercício anterior e β = 160 (bem típico), a impedância de
entrada aumentou para um nível de:

Figura 20 - Impacto de re na impedância de entrada.

Para a configuração emissor-comum, valores típicos de Zi definidos por βre atingem uma faixa
de poucas centenas de ohms até kilo ohm, com máximos de aproximadamente 6-7 kilo ohms.
Para a impedância de saída, as características de interesse estão nas curvas da Fig.21. Note
que a inclinação das curvas aumenta com o aumento da corrente de coletor. Quanto maior a
inclinação, menor o nível da impedância de saída (Z0 ). O modelo re da Fig.18 não inclui uma
impedância de saída, mas se estiver disponível por uma análise gráfica ou de data sheets ela
pode ser incluída, como mostra a Fig.22.

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 Figura 21 - Definição de re para a configuração emissor-comum.

Figura 22 - Inclusão de re no circuito equivalente do transístor.

Para a configuração emissor-comum, valores típicos de Z0 estão na faixa de 40 a 50 kΩ.

Para o modelo da Fig.22, se o sinal aplicado for zero, a corrente IC é 0A e a impedância de
saída é:
Z0 = r0
Obviamente, se a contribuição devida a rO for ignorada como no modelo re , a impedância de
saída é definida por Z0 = ∞Ω.
O ganho de tensão para a configuração emissor-comum será agora determinado para a
configuração da Fig.23 assumindo que Z0 = ∞Ω . O efeito de incluir rO será considerado mais à
frente.

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 Figura 23 - Determinação do ganho de tensão e de corrente para o amplificador a transístor
em emissor-comum.

Para a direção definida de I0 e polaridade de V0 ,

V0 = -I0RL
O sinal menos (-) simplesmente reflete o fato de que a direção de I0 na Fig.23 estabelecerá
uma tensão V0 De polaridade oposta.
Continuando, temos:

e
onde

O sinal de menos (-) resultante para o ganho de tensão revela que as tensões de entrada e
saída estão desfasadas de 180°.
O ganho de corrente para a configuração da Fig.23:

Usando o fato de que a impedância de entrada é βre, que a corrente de coletor é βIB e que a
impedância de saída é r0 , o modelo equivalente da Fig.24 pode ser uma ferramenta eficaz na
análise a seguir. Considerando valores típicos para os parâmetros, a configuração emissor-
comum pode ser considerada tendo um nível moderado de impedância de entrada, um alto
ganho de tensão e corrente, e uma impedância de saída que pode ser incluída na análise do
circuito.

Figura 24 - Modelo re para a configuração do transístor em emissor-comum

Exercício:
2. Dado β = 120 e IE = 3,2mA para uma configuração emissor comum com r0 = ∞Ω ,
determine:
a. Zi b. Ai c. AV se uma carga de 2 kΩ é aplicada.

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 4.3. CONFIGURAÇÃO DE COLECTOR-COMUM
Em vez de definir um novo modelo para a configuração coletor comum, aplica-se,
normalmente, o modelo da Fig.18 utilizado para a configuração emissor-comum. Nos capítulos
subsequentes, algumas configurações coletor-comum serão investigadas, e o efeito da
utilização do mesmo modelo tomar-se-á muito claro.

5. MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE

Foi dito que o modelo re para um transístor é sensível ao nível dc de operação do amplificador.
O resultado é uma resistência de entrada que varia com o ponto dc de operação. Para o
modelo híbrido equivalente, descrito nesta seção, os parâmetros são definidos num ponto de
operação que pode ou não refletir as condições reais de operação do amplificador. Isto é
devido ao fato de que as tabelas de especificações não podem fornecer parâmetros para um
circuito equivalente, qualquer que seja o ponto de operação. Elas devem escolher condições
de operação que acreditam refletir as características gerais do dispositivo.
Os parâmetros híbridos, mostrados na Fig.25, são tirados da folha de especificações do
transístor 2N4400. Os valores são fornecidos para uma corrente de coletor de 1mA e uma
tensão coletor-emissor de 10V. Além disso, uma faixa de valores é fornecida para cada
parâmetro como um guia para um projeto inicial ou análise de um sistema. Uma vantagem
óbvia da lista fornecida pela folha de especificações é o conhecimento imediato de níveis
típicos para os parâmetros do dispositivo quando comparado com outros transístores.
As quantidades hie, hre, hfe, e hoe da Fig.25 são chamadas de parâmetros híbridos ou
dinâmicos, e são os componentes de um circuito equivalente para pequenos sinais a ser
descrito sucintamente. Por anos, o modelo híbrido com todos os seus parâmetros foi o modelo
escolhido pelas comunidades educacionais e industriais.

Figura 25 - Parâmetros híbridos para o transístor 2N4400

Atualmente, porém, o modelo re é usado com mais frequência, mais comumente com o
parâmetro hoe do modelo híbrido equivalente, para fornecer alguma medida da impedância
de saída.
Já que as folhas de especificações fornecem os parâmetros híbridos e o modelo híbrido
continua a receber uma boa dose de atenção, é muito importante que este modelo seja
discutido com detalhes neste módulo. Feito isso, as similaridades entre os modelos re e híbrido
serão muito evidentes. Na verdade, uma vez definidos os componentes de um modelo para
um ponto de operação em particular, os parâmetros do outro modelo estarão imediatamente
disponíveis.

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A descrição do modelo híbrido equivalente será iniciada com o sistema geral de duas portas da
Fig.26. O conjunto a seguir de equações constitui apenas um dos vários modos pelos quais as
quatro variáveis da Fig.26 podem ser relacionadas.

Figura 26 – Sistema de duas portas

É a mais usada em análise de circuitos a transístor, e portanto, será discutida em detalhes
neste capítulo.

Os parâmetros relacionando as quatro variáveis são chamados parâmetros h da palavra

"híbrido". O termo "híbrido" foi escolhido devido à mistura de variáveis (V e I) em cada
equação, resultando num conjunto "híbrido" de unidades de medida para os parâmetros h.
Um entendimento bem claro do que os parâmetros h representam e como nós podemos
determinar suas amplitudes pode ser feito isolando-se cada um e examinando-se as relações
obtidas.
Se arbitrariamente fizermos V0 = 0 (curto-circuito nos terminais de saída), e resolvermos para
h11 na equação anterior, resultará o seguinte:

A relação indica que o parâmetro h11 é um parâmetro de impedância com as unidades de

ohms. Já que é a razão da tensão de entrada para a corrente de entrada com os terminais de
saída "curto-circuitados", é chamado de parâmetro de impedância de entrada de curto-
circuito. O subscrito 11 de h11 é devido ao fato de que o parâmetro é determinado pela
relação de quantidades medidas nos terminais de entrada.
Se Ii é feito igual a zero abrindo-se os terminais de entrada, resultará o seguinte para h12 :

O parâmetro h12 , portanto, é a relação da tensão de entrada pela tensão de saída com a
corrente de entrada igual a zero. Não há unidade associada pois é uma razão entre níveis de
tensão e é chamada de parâmetro de relação de transferência de tensão reversa de circuito-
aberto. O subscrito 12 de h12 mostra que o parâmetro é uma quantidade de transferência
determinada pela razão de medidas da entrada para a saída. O primeiro inteiro do subscrito
define a quantidade medida que aparece no numerador, o segundo inteiro define a
quantidade que aparece no denominador.
O termo inverso é incluído porque a razão compreende uma tensão de entrada sobre uma
tensão de saída, inversa da razão normalmente de interesse.

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Se na equação: I0 = h21 Ii + h22 V0 fixarmos V0 igual a zero ao novamente darmos um curto-
circuito nos terminais de saída, resultará o seguinte para h21 :

Note que temos agora a relação de uma quantidade de saída por uma quantidade de entrada.
O termo direto será usado então em vez de inverso, como foi indicado para h12. O parâmetro
h21 é a relação da corrente de saída pela corrente de entrada com os terminais de saída
"curto-circuitados". Este parâmetro, assim como h12 , não tem unidades, uma vez que é uma
razão entre níveis de corrente. É formalmente chamado parâmetro de razão de transferência
direta de corrente de curto-circuito. O subscrito 21 novamente indica que é um parâmetro de
transferência com a quantidade de saída no numerador e a quantidade de entrada no
denominador.
O último parâmetro, h22 , pode ser determinado abrindo-se novamente os terminais de
entrada para fazer Ii=0 e resolvendo para h22 na equação I0 = h21 Ii + h22 V0 :

Como é a razão da corrente de saída pela tensão de saída, este parâmetro representa a
condutância de saída e é medido em siemens (S). E chamado de parâmetro de admitância de
saída de circuito aberto. O subscrito 22 revela que é determinado por uma relação de
quantidades de saída.
Já que a unidade de cada termo da equação: Vi = h11 Ii + h12 V0 é volt, vamos aplicar a lei das
tensões de Kirchhoff "ao contrário" para encontrar um circuito que "corresponde" à equação.
Realizando esta operação, resultará no circuito da Fig.27. Como o parâmetro h11 tem a
unidade ohm, ele é representado por uma resistência na Fig.27. A quantidade h12 é não tem
unidade e, portanto, simplesmente aparece como um fator multiplicativo do termo de
"realimentação" no circuito de entrada.
Como cada termo da equação I0 = h21 Ii + h22 V0 tem unidade de corrente, vamos agora
aplicar a lei das correntes de Kirchhoff "ao contrário" para obter o circuito da Fig.28. Já que
h22 tem unidade de admitância, que para o modelo do transístor representa condutância, ele
é representado pelo símbolo da resistência. Tenha em mente, porém, que a resistência em
ohms é igual ao recíproco da condutância (1/h22).

Figura 27 - Circuito hibrido equivalente de entrada

20
 Figura 28 - Circuito hibrido equivalente de saída

O circuito “ac” equivalente completo para o dispositivo linear básico de três terminais está
indicado na Fig.29 com um novo conjunto de subscritos para os parâmetros h. A notação da
Fig.29 é de natureza mais prática, pois relaciona os parâmetros h com as relações
apresentadas obtidas nos últimos parágrafos. A escolha das letras utilizadas é justificada pelo
seguinte:
h11 —> Resistência de entrada —> hi
h12 —> Razão de transferência de tensão inversa —> hr
h21 —> Razão de transferência direta de corrente —> hf
h22 —> Condutância de saída —> h0

Figura 29 - Circuito hibrido equivalente completo

O circuito da Fig.29 é aplicável para qualquer dispositivo linear eletrónico de três terminais ou
sistema com fontes internas independentes. Para o transístor, porém, embora ele possua três
configurações básicas, elas são todas configurações de três terminais, de forma que o circuito
equivalente resultante terá o mesmo formato que o mostrado na Fig.29. Em cada caso, o ramo
inferior das seções de entrada e saída do circuito da Fig.29 pode ser conectada como mostrado
na Fig.30, desde que o nível de potencial seja o mesmo. Essencialmente, o modelo do
transístor é um sistema de três terminais com duas portas. Os parâmetros h, entretanto,
mudarão de acordo com a configuração.

21
 Figura 30 - Configuração emissor-comum: (a) símbolo gráfico; (b) circuito hibrido equivalente

Para distinguir qual parâmetro foi usado ou qual está disponível, um segundo parâmetro foi
acrescentado à notação do parâmetro h. Para a configuração base-comum a letra minúscula
"b" foi adicionada, enquanto para as configurações emissor-comum e coletor-comum as letras
"e" e "c" foram adicionadas, respetivamente.
O circuito híbrido equivalente para a configuração emissor-comum aparece com a notação-
padrão na Fig.30. Note que Ii = Ib , I0 = Ic e através da aplicação da lei das correntes de
Kirchhoff, Ie = Ib + Ic . A tensão de entrada é agora Vbc com a tensão de saída Vcc . Para a
configuração base-comum da Fig.31, Ii = Ie e I0 = Ic com Vbe = Vf e Vcb = V0 . Os circuitos das
Figs.30 e 31 são aplicáveis para transístores pnp e npn.

Figura 31 - Configuração base-comum: (a) símbolo gráfico; (b) circuito hibrido equivalente

O fato de que ambos os circuitos de Thévenin e Norton aparecem no circuito da Fig.29

representa um motivo a mais para chamarmos o circuito resultante de circuito híbrido
equivalente.
Dois circuitos adicionais equivalentes com transístor, que não serão discutidos neste texto,
chamados de circuitos equivalentes com parâmetro z e parâmetro y, utilizam a fonte de tensão
ou a fonte de corrente, mas não ambas no mesmo circuito equivalente.
Em geral, nas configurações emissor-comum e base-comum, os valores hr e h0 permitem que
eles (hr e h0) não sejam incluídos no modelo, não afetando consideravelmente os resultados
obtidos para os importantes parâmetros Zi , Z0 , AV e Ai .

22
Como, normalmente, hr é uma quantidade relativamente pequena, a sua remoção é
aproximada por hr = 0 e hr V0 = 0 , resultando num equivalente a curto-circuito para o
elemento de realimentação, conforme mostra a Fig.32. Em geral, a resistência
determinada por 1/ ho é grande o suficiente para ser ignorada em comparação com uma carga
paralela; o que permite a sua substituição por um equivalente a circuito-aberto para os
modelos EC e BC, como mostrado na Fig.32.

Figura 32 - Efeito da remoção de hre e hoe no circuito híbrido equivalente.

Figura 33 - Modelo do circuito híbrido equivalente aproximado

O circuito equivalente resultante da Fig.33 é muito similar à estrutura geral dos circuitos
equivalentes base-comum e emissor-comum obtida com o modelo re . O circuito híbrido
equivalente e os modelos re para cada configuração foram repetidos na Fig.34 para fins de
comparação. Deve ficar claro, da Fig.34a, que:

da Fig.34b

Particularmente, note que o sinal de menos da última equação leva em conta o fato que a
fonte de corrente do circuito híbrido equivalente-padrão está a apontar para baixo em vez de
estar na direção real como mostrado no modelo re na Fig.34b.

23
 Figura 34 - Modelo híbrido versus modelo re: (a) configuração emissor-comum; (b)
configuração base-comum.

Exercício:
1. Dado IE = 2,5mA, hfe = 140, hoe = 20μS e hob = 0,5μS, determine:
a. O circuito híbrido equivalente emissor-comum.
b. O modelo re base-comum.

6. ANÁLISE DO MODELO HÍBRIDO DAS DIFERENTES CONFIGURAÇÕES

A análise usando o circuito hibrido equivalente aproximado da Fig.35 para a configuração
emissor-comum e da Fig.36 para a configuração base-comum e muito semelhante à utilizada
no modelo re .

Figura 35 - Circuito híbrido equivalente aproximado para emissor-comum.

Figura 36 - Circuito híbrido equivalente aproximado para base-comum.

24
Como os vários parâmetros do modelo hibrido são especificados pela folha de especificações
ou analise experimental, a analise ac associada com o uso do modelo re não pode ser aplicada
de imediato ao modelo hibrido. Ou seja, quando o problema é apresentado, os parâmetros
como hie, hje, hib, e assim por diante, são especificados. Tenha em mente, porem, que os
parâmetros híbridos e os componentes do modelo re estão relacionados pelas seguintes
equações discutidas na secção anterior:

6.1. CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

Para a configuração com polarização fixa da Fig.37, o circuito ac equivalente para pequenos
sinais aparece conforme a Fig.38, usando o modelo hibrido equivalente aproximado para
emissor-comum.

Figura 37 - Configuração com polarização fixa.

Figura 38 - Substituindo o circuito híbrido equivalente aproximado no circuito ac equivalente da

Fig.37

Zi : Da Fig.38,
Zi = RB || hie
Z0 : Da Fig.38
Z0 = RC || 1/hOe
Av : Usando R' = 1/hOe || RC

25
com

tal que

Ai : Assumindo que então e

com:

Exercício:
1. Para o circuito da Fig., determine:
a. Zi b. Z0 c. Av d. Ai

6.2. CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO

Para a configuração polarizada por divisor de tensão da Fig. 39, o circuito ac equivalente para
pequenos sinais resultantes terá o mesmo aspeto da Fig.38 com RB substituído por R' = R1 | R2

26
 Figura 39 - Configuração de polarização por divisor de tensão.

Zi : Da Fig.38, com RB = R'

Zi = R' || hie
Z0 : Da Fig.38

AV :

Ai :

O efeito de é o mesmo daquele encontrado para a configuração com polarização

fixa.

6.3. CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO NO EMISSOR NÃO-DESVIADO

Para a configuração EC com polarização no emissor não-desviado da Fig.40, o modelo ac para
pequenos sinais será o mesmo da Fig.41, com βre substituído por hie e βIb por hfeIb. A analise
processa-se exatamente do mesmo modo com:

27
 Figura 40 - Configuração EC com polarização no emissor não-desviado.

Figura 41 - Modelo equivalente

Zi :

e
Z0 :

AV :

Ai :

6.4. CONFIGURAÇÃO SEGUIDOR-DE-EMISSOR

Para o seguidor-de-emissor da Fig.42 o modelo ac para pequenos sinais é parecido com o da
Fig.43 para βre = hie e β = hfe . As equações resultantes serão, portanto, muito semelhantes.

28
 Figura 42 - Configuração seguidor de Emissor

Figura 43 - Modelo Equivalente

Zi :
e
Z0 : Para Z0 , o circuito de saida definido pelas equações resultantes aparecera como mostrado
na Fig.44.

Ou, desde que

29
 Figura 44 - Definindo Z, para a configuração seguidor-de-emissor.

AV : Para o ganho de tensão, a regra do divisor de tensão pode ser aplicada à Fig.44 como
segue:

Mas já que

Ai :

6.5. CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

A ultima configuração a ser examinada com o circuito hibrido equivalente aproximado será o
amplificador base-comum da Fig.45. Substituindo o modelo hibrido equivalente aproximado
para base-comum, resultara no circuito da Fig.46.

Figura 45 - Configuração base-comum

30
 Figura 46 - Substituindo o circuito hibrido equivalente aproximado ao circuito ac equivalente da Fig.45

Da Fig. 8.46,
Zi :
Z0 :
AV :

com

tal que

Ai :

Exercício:
2. Para o circuito da Fig. determine:

a. Zi b. Z0 c. AV d. Ai

7. MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE COMPLETO

A análise da última Secção foi limitada ao circuito hibrido equivalente aproximado com alguma
discussão sobre a impedância de saída. Nesta secção empregamos o circuito equivalente
completo para mostrar o impacto de hr e definir em termos mais específicos o impacto de h0 .
É importante compreender que, como o modelo hibrido equivalente apresenta o mesmo
aspeto para as configurações base-comum, emissor-comum e coletor-comum, as equações
desenvolvidas nesta secção podem ser aplicadas para quaisquer dessas configurações. Isto é,
para a configuração base comum, hfb , hib , e assim por diante, são empregados, enquanto
para a configuração emissor-comum, hfe , hie , e assim por diante, são utilizados. Lembre-se

31
que, se são fornecidos os parâmetros para uma configuração, e desejamos aplica-los em outra,
o Apêndice A mostra como é feita a conversão.
Considere a configuração geral da Fig.47 com os parâmetros de especial interesse para
sistemas de duas portas. O modelo hibrido equivalente completo é, então, utilizado na Fig.48,
usando parâmetros que não especificam o tipo de configuração.
Por outras palavras, as soluções serão em termos de hi , hr , hf e h0 .
Diferente da análise de secções anteriores, o ganho de corrente será determinado primeiro, já
que as equações desenvolvidas nesta análise serão uteis na determinação dos outros
parâmetros.

Figura 47 - Sistema de duas portas.

Figura 47 - Substituindo o circuito híbrido equivalente completo no sistema de duas portas da Fig.47.

7.1. GANHO DE CORRENTE, Ai=IO/Ii

Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao circuito de saída, temos:

Substituindo obtemos

Reescrevendo a equação acima, temos

Tal que

Note que o ganho de corrente será reduzido para o resultado usual de Ai = hf se o fator h0RL
for suficientemente pequeno quando comparado a 1.

32
 7.2. GANHO DE TENSÃO, AU=UO/Ui
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de entrada, resulta em:

Substituindo o resultado acima resulta em:

Resolvendo para a relação V0/Vi temos:

Neste caso, a forma usual de retomara se o fator for

suficientemente pequeno comparado a hi

7.3. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA, Zi=Ui/Ii

Para o circuito de entrada,

Substituindo

Uma vez que

Tal que a equação acima se torna

Resolvendo para a relação Vi /Ii , obtemos:

E substituindo,

Resulta assim em

A forma usual de será obtida se o segundo fator for suficientemente menos que o
primeiro.

7.4. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA, ZO=UO/IO

A impedância de saída de um amplificador é definida pela razão da tensão de saída pela
corrente de saída com o sinal VS fixo em zero. Para o circuito de entrada, ,

Substituindo esta relação na equação seguinte obtida do circuito de saída, temos:

33
e

Neste caso, a impedância de saída é reduzida a forma usual para o transístor,

quando o segundo fator no denominador for suficientemente menor que o primeiro.

Exercício:
Para o circuito da figura a seguir, determine os seguintes parâmetros, usando o modelo hibrido
equivalente completo e compare com os resultados obtidos usando o modelo aproximado.

a. Zi e Z'i b. AV c. d. Z0 (com RC ) e Z'0 (incluindo RC ).

8. QUADRO RESUMO
Agora que as configurações mais comumente utilizadas dos amplificadores a transístor para
pequenos sinais foram introduzidas, o quadro a seguir é apresentado com um resumo das
características gerais de cada um. Deve ficar absolutamente claro que os valores apresentados
são valores típicos, e estabelecem apenas uma base para comparação. Os níveis obtidos numa
análise real serão muito provavelmente diferentes, e de certeza que serão de uma
configuração para outra.

34
Figura 48 - Valores Relativos para os Parâmetros Importantes dos Amplificadores EC, BC e CC Transistor

9. AMPLIFICADORES EM CASCATA

35
Uma conexão popular de estágios amplificadores e a conexão em cascata. Basicamente, a
conexão em cascata e uma serie de acoplamentos de estágios em que a saída de um estágio
representa o sinal de entrada do estágio seguinte.
A conexão em cascata proporciona uma multiplicação do ganho de cada estágio, resultando
num ganho global muito maior.
O ganho global do amplificador em cascata é o produto dos ganhos AV1 e AV2 dos estagios,

Um amplificador em cascata com acoplamento RC construído usando TBJs é mostrado na

Fig.49. Como antes, a vantagem de estágios em cascata é o ganho global de tensão. O ganho
de tensão de estágio é

A impedância de entrada do amplificador é aquela do estagio 1,

Zi = R1 || R2 || βre
e a impedância de saída do amplificador é aquela do estagio 2,
Z0 = RC || r0
O próximo exercício demonstra a analise de um amplificador TBJ em cascata, mostrando o
grande ganho de tensão conseguido.

Figura 49 - Amplificador TBJ em cascata (acoplamento RC).

Exercício:
Calcule o ganho de tensão, impedância de entrada e a impedância de saída para o amplificador
TBJ em cascata da figura a seguir.
Calcule a tensão de saída resultante se uma carga de 10KΩ for conectada na saída.

36
10. CONSIDERAÇÕES GERAIS SOBRE FREQUÊNCIA
A frequência do sinal aplicado pode ter um efeito pronunciado na resposta de um circuito
simples ou multe estágio. A análise realizada até então baseou-se no espectro de frequências
medias.
Em baixas frequências, não podemos substituir os condensadores de acoplamento e de desvio
por curtos-circuitos, pois, nesta faixa de frequência, as suas reatâncias já não são desprezáveis.
Em altas frequências, os parâmetros dependentes da frequência dos circuitos equivalentes
para pequenos sinais, os elementos capacitivos isolados e do circuito irão limitar a resposta do
sistema. O aumento do numero de estágios num sistema em cascata ira limitar também tanto
a resposta em alta frequência como a resposta para baixas frequências.
As curvas de ganho de um amplificador com acoplamento RC, direto e por transformador, são
fornecidas na Fig.50. Observe que a escala horizontal é uma escala logarítmica, permitindo a
representação das regiões de baixas e altas frequências. Para cada gráfico, as regiões de
baixas, altas e medias frequências foram definidas. Alem disso, os motivos principais da
redução do ganho nas altas e baixas frequências foram indicados dentro de parenteses.
Para o amplificador com acoplamento RC, a queda nas altas frequências é devida ao aumento
na reactância de CC , CS , ou CE , e nas baixas frequências é resultado da capacitância parasita
de alguns elementos e do ganho dependente da frequência dos dispositivos ativos. Para
entendermos a queda no ganho em sistemas com acoplamento por transformador, devemos,
antes, compreender a “operação de transformação” e o circuito equivalente do
transformador. Por enquanto, vamos dizer que é devido ao “curto circuito” (através dos
terminais de entrada do transformador) da reactância indutiva em baixas frequências, (XL =
2πfL). O ganho deve, obviamente, ser zero em f = 0, já que neste ponto não há um fluxo
circulante através do núcleo para induzir o secundário do transformador. Como indicado na
Fig.50, a resposta em alta frequência é controlada principalmente pela capacitância entre as
voltas dos enrolamentos primário e secundário.

Para o amplificador com acoplamento direto, não há condensadores de acoplamento ou de

desvio que proporcionem uma queda no ganho em baixas frequências. Como indica a figura,
trata-se de uma resposta plana até à frequência de corte superior, que é determinada pelas

37
capacitâncias parasitas do circuito, ou pela dependência do ganho com a frequência dos
dispositivos ativos.
Para cada sistema da Fig.50, há uma faixa de frequências na qual o valor do ganho é igual ou
próximo ao valor nas frequências médias. Para estabelecer os limites de frequência em que
temos um alto ganho relativo, 0,707 AVmed é o ganho escolhido para especificar a frequência
de corte. As frequências correspondentes f1 e f2 são normalmente chamadas de frequências
de ângulo, corte, banda, quebra, ou meia potência. O fator 0,707 foi escolhido porque neste
nível a potencia de saída é metade do valor na banda media, isto é, nas medias frequências,

E nas frequências de meia potência

A largura de banda (ou banda passante) de cada sistema é determinada por f1 e f2 ou seja,

Figura 50 - Ganho versus frequência para (a) amplificadores com acoplamento RC; (b)
amplificadores com acoplamento a transformador; (c) amplificadores com acoplamento direto

38
 10.1. RESPOSTA EM BAIXAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADOR TJB
A análise desta secção empregara a configuração de polarização por divisor de tensão com
carga, mas os resultados obtidos podem ser aplicados a qualquer configuração do TBJ. Será
necessário apenas encontrar a resistência equivalente apropriada para a combinação R - C.
Para o circuito da Fig.51, os condensadores CS , CC e CE determinarão a resposta em baixas
frequências. Examinaremos, agora, o efeito de cada um, independentemente, da ordem
listada.

Figura 51 - Amplificador TBJ com carga, com condensadores que afetam a resposta em baixas frequências

CS
Como CS está normalmente ligado entre a fonte aplicada e o dispositivo ativo, a forma geral da
configuração R - C é estabelecida pelo circuito da Fig. 52.

Figura 52 - Determinação do efeito de CS na resposta em baixas frequências.

A resistência total é agora RS + Ri e a frequência de corte determinada é:

Nas frequências médias e altas, a reactância do condensador será pequena o suficiente para
considerar o elemento um curto-circuito.
A relação entre Vi e VS será, portanto,

39
Em fLs a tensão será 70,7% do valor determinado pela equação anterior, assumindo que CS é o
único elemento capacitivo a controlar a resposta em baixas frequências.
Quando analisarmos os efeitos de CS no circuito da Fig.51, devemos considerar que CE e CC
estão a operar da forma esperada, pois caso contrario a analise tomar-se-ia impraticável. Ou
seja, consideramos que os valores das reatâncias de CE e CC permitem o emprego de um
curto-circuito equivalente, quando comparadas ás outras impedâncias em serie. Utilizando
esta hipótese, o circuito equivalente ac para a entrada do circuito da Fig.51 é da forma
mostrada na Fig.53.

Figura 53 - Equivalente ac localizado para Cs.

O valor de Ri para a equação da frequência de corte é determinado por:

A tensão Vi aplicada na entrada do dispositivo ativo pode ser calculada utilizando a regra do
divisor de tensão:

CC
Como o condensador de acoplamento está normalmente conectado entre a saída do
dispositivo ativo e a carga aplicada, a configuração R - C que determina a frequência de corte
inferior devido a CC aparece na Fig.54. Da Fig.54, a resistência total em serie é agora R0 + RL e
a frequência de corte inferior devido a CC é determinada por

Ignorando os efeitos de CC e CE , a tensão da saída V0 em fLc será 70,7% do seu valor no meio
da faixa. Para o circuito da Fig.51, o circuito equivalente ac para a saída, com Vi = 0V, aparece
na Fig.54. Portanto, o valor resultante para R0 na equação anterior é, simplesmente,

40
 Figura 54 - Equivalente ac localizado para I com Vi = 0 V.
CE
Para determinar , o circuito“visto” por CE deve ser determinado como mostra a Fig.55. Uma
vez estabelecido o valor de RE , a frequência de corte devido a CE pode ser determinada
utilizando a seguinte equação:

Figura 55 - Determinando o efeito de C, na resposta em baixas frequências.

Para o circuito da Fig.51, o equivalente ac “visto” por CE aparece na Fig.56. Portanto, o valor

de e determinado por

Onde

Figura 56 - Equivalente ac localizado por CE

O efeito de CE no ganho é mais bem descrito de maneira quantitativa, lembrando-se de que o

ganho para a configuração da Fig.57 é dado por:

41
Obviamente, o ganho máximo ocorre quando RE é zero ohm. Em baixas frequências, com o
condensador de desvio CE no seu estado equivalente de “circuito aberto”, todo o valor de RE
aparece na equação acima, resultando no ganho mínimo. À medida que a frequência aumenta,
a reatância do condensador CE diminui, reduzindo a impedância do paralelo entre RE e CE até
chegar a zero, quando a CE se toma um curto-circuito. O
resultado é um ganho máximo no meio da faixa determinado por . Em o
ganho será 3 dB abaixo do valor no meio da faixa determinado com RE “em curto”. Antes de
prosseguir, é bom não esquecer que CS, CC e CE afetarão a resposta apenas em baixas
frequências. Para as frequências no meio da faixa, os condensadores serão considerados
curtos-circuitos.
Embora os condensadores afetem o ganho em faixas de frequências semelhantes, a frequência
de corte inferior mais alta determinada por CS , CC ou CE terá o maior impacto sobre a
resposta. Isto porque é a ultima frequência de corte antes do meio da faixa.
Se as frequências estão relativamente distantes entre si, a frequência de corte mais alta
determinará a frequência de corte inferior do sistema. Se houver duas ou mais frequências de
corte "altas", o resultado será o aumento da frequência de corte inferior e a redução da banda
passante resultante do sistema. Por outras palavras, há uma interação entre elementos
capacitivos que podem afetar a frequência de corte inferior do sistema. Entretanto, se as
frequências de corte estabelecidas por cada condensador diferirem suficientemente entre si, o
efeito de uma sobre a outra pode ser desprezado — fato demonstrado no seguinte exercício:

Exercício:
Determine a frequência de corte inferior para o circuito da Fig.51, utilizando os seguintes
parâmetros:

11. AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA

Ao utilizarmos amplificadores de potência, cuja finalidade seja excitar um transdutor qualquer
que precise de elevada potência para o seu acionamento, a escolha dos componentes, dos
métodos de cálculo, enfim, todas as considerações acerca do projeto desse novo estágio serão
bem diferentes das adotadas para o projeto de circuitos pré-amplificadores, que trabalham
com sinais de baixo nível. Dessa forma, devemos levar em consideração qual a potência que
deve ser obtida, qual será a excursão de corrente e a tensão do coletor, e ambas aliadas a um
mínimo de distorção exigido.
Além dos aspetos abordados, é imprescindível que se fale também a respeito da temperatura,
sobre a qual devemos ter total controlo. Para isso devemos, além de métodos de acoplamento
e adequados de escolha de componentes, utilizar também o uso de dissipadores de calor, dos
quais dispomos inúmeros tipos e formatos, visando atender a todas as reivindicações
necessárias em termos de espaço, estabilização da temperatura, preço, entre outros.

42
Segundo o que foi abordado, vamos encontrar circuitos que de uma forma mais ou menos
complexa vão satisfazer as nossas necessidades em termos de potência, atuando com um grau
maior ou menor de eficiência.
Podemos dividir os amplificadores em quatro classes distintas: A, AB, B e C.

11.1. AMPLIFICAÇÃO EM CLASSE A

No amplificador classe A, o sinal de saída deve ser uma cópia exata do sinal aplicado à sua
entrada. Neste caso, o transístor deve conduzir durante todo o ciclo do sinal de entrada.
Operando em classe A, pode haver distorção do sinal de saída, mas isto pode ser evitado se o
transístor operar na sua região linear (zona ativa). Uma operação em classe A acha-se
delineada na Fig.57.

Figura 57 - Operação em casse A

Um amplificador é considerado a funcionar em classe A quando funciona, sempre na região

ativa. Isto significa que a corrente de coletor flui durante os 360° do ciclo em corrente
alternada.
Relembra-se o amplificador emissor comum representado novamente na Fig.58(a), em que na
Fig.58(b) apresentamos o circuito em corrente contínua, na Fig.59 o circuito em corrente
alternada e na Fig.60 as retas de carga D.C e C.A. Na Fig.61 apresentamos somente a reta de
carga C.A.,.

43
 Figura 58 - (a) Amplificador polarizado em emissor comum. (b) Equivalente do circuito para análise DC

Figura 59 - Circuito em corrente alternada

Figura 60 - Reta de carga em corrente contínua e corrente alternada

Como vimos anteriormente, rB e Uth indicados na Fig.59 representam o equivalente de

thévenin visto da base, para a esquerda, em que rB é dada pela expressão indicada a seguir e a
tensão de thévenin será um divisor de tensão entre o paralelo de R1 e R2 com a resistência da
fonte, relativamente à fonte de sinal. Uth representa o sinal que chega à base do transístor. A
resistência em corrente alternada, do coletor é o paralelo de RC com RL cuja expressão
também se indica a seguir.

44
 Figura 61 - Amplitude máxima do sinal de saída

11.1.1. CORRENTE TOTAL DE COLECTOR

A extremidade superior da reta de carga c.a. da Fig.60 calcula-se considerando UCE = 0,
obtendo-se a seguinte expressão, já dada anteriormente.

Esta será a corrente de saturação, se desprezarmos a pequena diferença de potencial UCE

quando o transístor se encontra na saturação. A extremidade inferior da mesma reta de carga
é dada por:

11.1.2. AMPLITUDE DO SINAL NA SAÍDA

A amplitude máxima de um sinal, pico a pico, que se pode aplicar a este amplificador, sem
distorção, está representado na Fig.61. Como se verifica, o semiciclo positivo deverá ter um
valor máximo que vai desde o ponto Q até à tensão de corte. O semiciclo negativo deverá ter
um valor máximo desde zero, considerando que a tensão de saturação é idealmente zero, até
ao ponto Q. Verifica-se também na mesma figura que se o ponto Q
estiver deslocado para uma das extremidades da reta de carga, um dos picos do sinal é
cortado, pelo que só parte da reta de carga é aproveitada.
Em seguida, mostram-se algumas expressões que justificam a descrição feita, assim como as
limitações e cuidados a ter no dimensionamento deste tipo de amplificadores. Como vimos
anteriormente, a tensão c.a. de corte é dada por:

Analisando a Fig.61, verifica-se que o valor do semiciclo positivo máximo é dado por:

Ficando então: rC ICQ

Podemos então resumir as amplitudes máximas da seguinte forma:
SEMICICLO POSITIVO MÁXIMO – rC ICQ
SEMICICLO NEGATIVO MÁXIMO – UCEQ

45
A amplitude pico a pico máxima do sinal, que pode ser amplificado (valores aproximados) será:

Devemos escolher o menor dos valores para que não haja corte de um dos picos, o que
acontece quando a variação da tensão UCE ultrapassa UCEcorte ou atinge a saturação.

11.1.3. POTÊNCIA NA CARGA

A potência c.a. que se obtém na carga é por definição:

Em que:
PL - Potência c.a. na carga.
UL - Tensão eficaz na carga
RL - Resistência de carga.

Relembre-se as seguintes expressões:

onde UPP define a tensão pico a pico

Fazendo as varias substituições, obtemos:

Esta é a expressão que nos dá a potência na carga, sendo muito útil pelo facto de através da
reta de carga obtermos o valor de pico a pico do sinal e pela expressão dada obtemos a
potência do sinal de saída.
A maior parte da potência dissipada pelo transístor é em funcionamento D.C. A tensão e
corrente contínuas de um amplificador foram definidas, respetivamente por: UCEQ e ICQ .
Então a potência dissipada pelo transístor será dada por:

Esta potência nunca deve exceder os valores indicados pelo fabricante, tal como temos
referido.

11.1.4. EFICIÊNCIA DE UM ANDAR AMPLIFICADOR

Em qualquer máquina elétrica, existe uma grandeza importante, que é o seu rendimento. Num
amplificador, essa grandeza não tem grande significado visto termos duas componentes, uma
D.C. e outra C.A. Então é usual definir outra grandeza designada por eficiência, que é a relação
entre a potência obtida na carga (potência útil) e a potência D.C. total consumida pelo
amplificador, pelo facto de a potência C.A. perdida, ser insignificante comparada com a
potência D.C.

46
A fonte de alimentação fornece uma corrente D.C. total que circula na resistência de coletor
(RC) e na resistência de polarização R1 , quando temos polarização por divisor de tensão, com
uma tensão de alimentação, UCC .
Então obtemos a seguinte expressão:

Obtendo a seguinte expressão para a eficiência:

11.1.5. GANHO DE POTÊNCIA

Tal como definimos anteriormente, temos:

Ganho de corrente →

Ganho de tensão → (depende do tipo de amplificador)

O ganho de potência será também por definição, dado por:
em que:
p0 - Potência de saída
pi - Potência de entrada
por outro lado sabemos que:

E que:

teremos então:

sendo :
Ap - Ganho de potência
Au - Ganho de tens
Ai – Ganho de corrente

Para os amplificadores, coletor comum e base comum, o raciocínio é idêntico ao utilizado para
o emissor comum, pelo que apresentamos de seguida, num quadro resumo, as últimas
expressões deduzidas para o amplificador E.C. e as correspondentes para as outras montagens,
C.C. e B.C.
A montagem em emissor comum é das três montagens o que apresenta melhores
características para este tipo de operação.

47
 Figura 62 - Amplificação em classe A
Exercício
1. O circuito da figura a seguir mostra um amplificador classe A em que o transístor tem as
seguintes especificações: e uma tensão de ruptura .
DADOS: ; ; ; ; ; ;
; ;
Calcule:
1.1. O ponto de funcionamento em repouso (P.F.R.) e a reta de carga c.c. Verificar se as
especificações são ultrapassadas.
1.2. A reta de carga c.a. e representar as duas retas de carga c.c. e c.a.
1.3. A amplitude de pico a pico máxima na saída.
1.4. Os ganhos de tensão Au corrente Ai e de potência Ap .
1.5. A potência máxima na carga; a potência total fornecida pela fonte e a eficiência do
amplificador.

11.2. AMPLIFICADORES EM CLASSE B

Os amplificadores em classe A, como pudemos observar, apresentam fatores que limitam o
seu uso, como o baixo rendimento e o consumo de energia da fonte de alimentação mesmo na
ausência de sinal de entrada.

48
Para equipamentos alimentados por bateria, o ideal é que ela seja utilizada apenas quando
existir um sinal aplicado à entrada do circuito. Com os amplificadores a operar em classe B, é
isto o que ocorre.
Num amplificador em classe B, na ausência de sinal aplicado à base, a corrente de coletor será
nula. Isto significa que o transístor opera no ponto de corte.
Para a operação em classe B, temos que utilizar dois transístores, onde um deles amplifica a
parte positiva do sinal e o outro, a parte negativa. Na ausência de um dos dois, teremos na
saída uma grande distorção.

Figura 63 - Operação em classe B

11.2.1. CIRCUITO PUSH-PULL

Quando um transístor opera em classe B, corta um semiciclo, como se mostra na Fig.64. Para
evitar a distorção resultante, usamos dois transístores num arranjo push-pull, ou também
designado de funcionamento complementar, visto só funcionar um em cada semiciclo da
corrente alternada.

Figura 64 - Gráfico da corrente e da tensão num amplificador de classe B

Com este tipo de montagem, conseguem-se amplificadores que apresentam baixa distorção,
grande potência de carga uma vez que cada transístor só funciona durante um semiciclo e alta

49
eficiência. A Fig.65 mostra uma montagem deste tipo, que é formada por um seguidor de
emissor NPN e um seguidor de emissor PNP. De referir o que foi dito anteriormente, que as
correntes e tensões do transístor PNP são simétricas relativamente ao transístor NPN, sendo a
sua análise em tudo idêntica, pelo que só faremos pequenas referências ao seu
funcionamento.
As resistências de polarização devem ser escolhidas para situar o ponto Q ao corte. Isto
polariza o referido emissor de cada transístor entre os 0,6 e 0,7 V, qualquer que seja a tensão
C.A. necessária, somente para ligar ou desligar o díodo emissor (isto idealmente). Como as
resistências de polarização são iguais, cada díodo emissor é polarizado com a mesma tensão,
ficando cada transístor com uma tensão UCE dada por:

11.2.2. PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

Figura 65 - Circuito push-pull

Analisando o circuito representado na Fig.65 verifica-se que estando o P.F.R. situado na

extremidade da reta de carga (ao corte), na presença de sinal e considerando o semiciclo
positivo, o transístor T1 fica polarizado e por isso em condução, continuando o transístor T2 ao
corte. Assim, circula corrente em T1 e nas resistências de polarização, pelo que o circuito
resultante representa um seguidor de emissor.
No semiciclo negativo T1 continuará ao corte e T2 em condução, que, embora sendo um
transístor PNP o circuito c.a. ficará igual à parte superior.
Numa montagem push-pull, quando um dos transístores estiver a conduzir significa que
estamos na presença de sinal, e este pode percorrer toda a reta de carga Fig.64, uma vez que o
P.F.R. se encontra na sua extremidade. No outro semiciclo será o outro transístor que se
encontra em condução, significando então que a variação do sinal na saída de um circuito a
funcionar em classe B será maior do que um sinal amplificado num circuito a funcionar em
classe A.
Assim, a saída será dada por:

50
11.2.3. RECTA DE CARGA EM AC E DC
Como não há resistências nos ramos do coletor e como se pode ver na Fig.65, a corrente D.C.
de saturação é indeterminada, sendo a sua limitação imposta pelas características dos
transístores e pelas resistências de polarização. Assim, a reta de carga D.C. será vertical, o que
é traduzido pela não existência de quaisquer equações possíveis que representem esta
corrente. Para uma pequena variação de UBE origina correntes de coletor elevadas, pelo que
as características dos transístores (NPN e PNP) deverão ser tão próximas quanto possível.
No semiciclo positivo funciona a parte superior do circuito indicada na Fig.64 e no semiciclo
negativo funciona a parte inferior do circuito indicada na mesma figura, uma
vez que cada parte do circuito tem funcionamento complementar. Assim, é suficiente fazer a
análise apenas a uma parte do circuito. Para cada semiciclo ainda se aplica a teoria do seguidor
de emissor para o cálculo da reta de carga C.A., pelo que podem ser aplicadas as mesmas
expressões que se indicam a seguir:

A resistência vista do emissor para cada situação é dada por: rE = RL e Icq = 0 logo, a corrente
de saturação e a tensão de corte em corrente alternada são dadas por:

Figura 66 - Recta de carga D.C. e A.C.

11.2.4. GANHO DE TENSÃO COM CARGA

O ganho de tensão deste tipo de circuitos será, como se disse, idêntico ao do seguidor de
emissor ficando então:

que é um divisor de tensão aos terminais de RL como se viu anteriormente.

11.2.5. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA E IMPEDÂNCIA DE SAÍDA

A impedância de entrada é vista da base a carga na saída:

A impedância de saída (sem contemplar a resistência de carga RL) é dada por:

51
11.2.6. DEFINIÇÃO DOS GANHOS
Já vimos que o ganho de corrente é aproximadamente igual ao parâmetro β e o ganho de
tensão é aproximadamente igual à unidade, ficando:

O ganho em potência será definido pela expressão:

No semiciclo positivo do sinal de entrada, o transístor de cima - T1 - encontra-se em condução

e o de baixo - T2 - está ao corte. Cada transístor, quando em condução, funciona como um
seguidor de emissor normal, pelo que a tensão pico a pico na saída é aproximadamente igual à
tensão de alimentação (para circuitos ideais), sendo a impedância de entrada elevada e a de
saída baixa.

11.2.7. DISTORÇÃO DE CRUZAMENTO (CROSSOVER)

Na montagem push-pull o transístor de cima - T1 - só funciona quando a tensão de polarização
na base tiver um valor próximo de 0,7 V e o de baixo - T2 - só conduz quando a tensão de
polarização tiver um valor próximo de - 0,7 V.
Assim, existe uma variação de tensão de entrada que vai desde os - 0,7 a + 0,7 V, em que os
transístores neste tipo de montagem não conduzem, o que origina uma distorção na saída,
designada por distorção crossover, quando o sinal cruza o eixo das abcissas como se indica na
Fig.67.

52
 Figura 67 - Distorção Crossover

Para eliminar a distorção crossover é necessário aplicar uma pequena polarização fixa direta
em cada díodo emissor, o que significa localizar o ponto Q ligeiramente acima do ponto de
corte.

11.3. AMPLIFICAÇÃO EM CLASSE AB

Como vimos, a principal desvantagem do amplificador em classe B é a distorção "crossover",
que pode ser eliminada, bastando para isto, polarizarmos os transístores um pouco acima do
corte. Este tipo de amplificador é denominado classe AB, pois opera em uma faixa entre as
classes A e B, como mostra a Fig.68.

Figura 68 - Comparação das classes de amplificação em classe A, B e AB

53
Na operação em classe AB, temos os transístores a operar um pouco acima do corte. Dessa
forma, mesmo na ausência de sinal aplicado às bases dos transístores, alguma corrente nelas,
fazendo com que IC seja diferente de zero, eliminando, portanto, a distorção por transição, um
fator indesejável e percetível pelo ouvido humano.
Na Fig.69, temos um circuito a operar em classe AB, em que a polarização de base é obtida por
intermédio de dois díodos formando um espelho de corrente.

Figura 69 - Amplificador em classe AB polarizado por díodos

Os esquemas da figura anterior (à esquerda) representam circuitos designados por espelho de

corrente, em que o da esquerda utiliza um transístor NPN e o da direita um PNP. Se a
característica dos díodos for idêntica à característica de cada díodo emissor, então a corrente
que circula no díodo de polarização é aproximadamente igual à corrente de emissor do
transístor. Assim, conhecendo a tensão do alimentação ficamos a conhecer a queda de tensão
na resistência R , pelo que podemos determinar a corrente que circula no díodo e assim, saber
a corrente de coletor, considerando-a aproximadamente igual à corrente de emissor.
Para manter o ponto Q o mais estável possível, por vezes podem ser utilizados dois díodos de
polarização, como se apresenta na Fig.69 (à direita). Este processo tem um inconveniente pelo
facto de ser difícil encontrar díodos com as mesmas características dos díodos emissores dos
transístores, mas tem a vantagem de se evitar deriva térmica.
No entanto, é possível utilizar dois transístores ligados como se indica na Fig.70 a funcionar
como díodos. Se os transístores de polarização tiverem as mesmas características que os
transístores do push-pull, garantem a mesma corrente nos dois ramos.

54
 Figura 70 - Amplificador em classe AB polarizado por transístores

A deriva térmica pode originar a destruição dos transístores por excessiva corrente de coletor.
Analisemos o que sucede:
Quando UBE aumenta devido ao aumento de temperatura, a corrente IC também aumenta. A
informação dada pelo fabricante indica que a corrente de coletor pode aumentar 10 vezes
para um aumento de 60 mV do UBE . Como o aumento da temperatura implica um aumento
de corrente, que origina novo aumento de temperatura, pode ser perigoso e destruir o
transístor, pelo que, por vezes, é necessário utilizar dissipadores de calor para este tipo do
circuitos. Este efeito é designado por deriva térmica, que se pode resumir utilizando a seguinte
simbologia:

11.4. AMPLIFICADORES EM CLASSE C

Um amplificador de potência opera em classe C quando circula corrente de coletor apenas nos
sinais positivos aplicados à base do transístor. Em tal classe de operação, polarizamos o
transístor num ponto abaixo do corte, de modo que o sinal aplicado à
base tenha de vencer a tensão de início de condução do transístor para que ele reinicie a sua
operação, resultando numa grande distorção do sinal de saída.
Por esse motivo, tal classe de amplificador é apenas empregada em circuitos transmissores de
radiofrequência, nos quais, por meio de circuitos ressonantes conseguimos eliminar a
distorção, ou em circuitos que empregam compensação para reprodução da segunda
harmónica do sinal.
A Fig.71 mostra um amplificador RF sintonizado. A tensão alternada de entrada excita a base e
a tensão amplificada de saída aparece no coletor. Depois, o sinal amplificado e invertido é
acoplado por condensadores à resistência de carga. Devido ao circuito ressonante paralelo, a
tensão de saída é máxima à frequência de ressonância, sendo dada por:

55
O ganho de tensão desce em cada lado da frequência de ressonância f0 como se observa na
Figura 15 (b). Devido a isso, um amplificador sintonizado de classe C é concebido para
amplificar uma estreita banda de frequências. Daí que seja ideal na amplificação de sinais de
radiodifusão e televisão, porque a cada estação ou canal encontra-se consignada uma estreita
banda de frequências em ambos os lados de uma frequência central.

Figura 71 - (a) Amplificador sintonizado em classe C. (b) Ganho de tensão em função da frequência

APÊNDICE

Parâmetros Híbridos - Equações de conversão (Exatas e Aproximadas)

EXATAS
CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

CONFIGURAÇÃO COLECTOR-COMUM

56
APROXIMADAS
CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

CONFIGURAÇÃO COLECTOR-COMUM

57