Tetrafluoreto de silício
Tetrafluoreto de silício ou tetrafluorsilano é o composto químico de fórmula SiF4.Essa molécula tetraédrica é notável por ter uma fase líquida "estreita" (seu ponto de ebulição é somente 4°C acima de seu ponto de fusão).Foi sintetizado pela primeira vez por John Davi em 1812.[1]
Síntese
[editar | editar código-fonte]SiF4 é um produto secundário da síntese fertilizantes à base de fosfatos, resultando do ataque do HF em silicatos.Em laboratório, o composto pode ser sintetizado aquecendo-se BaSiF6 (hexafluorosilicato de bário) acima de 300Cº, o SiF4 é volatilizado, deixando um resíduo sólido de BaF2.O BaSiF6 requerido para a reação é obtido pelo tratamento de uma solução aquosa de ácido hexafluorossilícico com cloreto de bário.[2]O análogo GeF4 é preparado similarmente, excepto de que sua temperatura de "quebra" é de 700Cº.[3]
Usos
[editar | editar código-fonte]Esse composto volátil tem usos limitados em microeletrônica e síntese orgânica.[4]
Ocorrência
[editar | editar código-fonte]Plumas vulcânicas tem quantidades significativas de tetrafluoreto de silício, a produção pode chegar á várias toneladas diárias.[5]Parte do tetrafluoreto de silício é hidrolisado para gerar ácido hexafluorossilícico.
Referências
- ↑ John Davy (1812). «An Account of Some Experiments on Different Combinations of Fluoric Acid». Philosophical Transactions of the Royal Society of London. 102: 352–369. ISSN 0261-0523. JSTOR 107324. doi:10.1098/rstl.1812.0020
- ↑ Hoffman, C. J.; Gutowsky, H. S. “Silicon Tetrafluoride” Inorganic Syntheses McGraw-Hill: New York, Volume 4, pages 145-6, 1953.
- ↑ Hoffman, C. J.; Gutowsky, H. S. "Germanium Tetrafluoride” Inorganic Syntheses McGraw-Hill: New York, Volume 4, pages 147-8, 1953.
- ↑ Shimizu, M. "Silicon(IV) Fluoride" Encyclopedia of Reagents for Organic Synthesis, 2001 John Wiley & Sons. DOI: 10.1002/047084289X.rs011
- ↑ T. Mori, M. Sato, Y. Shimoike, K. Notsu (2002). «High SiF4/HF ratio detected in Satsuma-Iwojima volcano's plume by remote FT-IR observation» (PDF). Earth Planets Space. 54: 249–256
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