Оксид галлия(III)
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Оксид галлия(III) | |
---|---|
Общие | |
Систематическое наименование |
Оксид галлия |
Хим. формула | Ga2O3 |
Физические свойства | |
Состояние | белые кристаллы |
Молярная масса | 187,44 г/моль |
Плотность | α-6,48; β-5,88 г/см³ |
Термические свойства | |
Температура | |
• плавления | 1725; 1740 °C |
Мол. теплоёмк. | 92,18 Дж/(моль·К) |
Энтальпия | |
• образования | -1090 кДж/моль |
Классификация | |
Рег. номер CAS | 12024-21-4 |
PubChem | 5139834 |
Рег. номер EINECS | 234-691-7 |
SMILES | |
InChI | |
RTECS | LW9650000 |
ChemSpider | 4313617 |
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
Медиафайлы на Викискладе |
Оксид галлия — амфотерный оксид, бинарное неорганическое соединение металла галлия и кислорода с формулой Ga2O3, белые кристаллы, полупроводник.
Получение
[править | править код]- Непосредственно из элементов:
- Термическое разложение гидроксида галлия:
- Окисление сульфида галлия:
Физические свойства
[править | править код]Оксид галлия — белый или жёлтый порошок, существует в двух модификациях:
- α-Ga2O3 образует кристаллы тригональной сингонии, пространственная группа R 3c, параметры ячейки a = 0,4972 нм, c = 1,3402 нм, Z = 6.
- β-Ga2O3 — кристаллы моноклинной сингонии, пространственная группа C 2/m, параметры ячейки a = 12,214 А, b = 3,0371 А, c = 5,7981 А, β = 103,83, Z = 4.
β-форма является наиболее стабильной.
Химические свойства
[править | править код]- Реагирует с концентрированными кислотами:
- и щелочами:
- При сплавлении со щелочами образует метагаллаты:
- Восстанавливается водородом до металла:
- Реагирует при сплавлении с хлористым аммонием:
- При прокаливании в токе аммиака образует нитрид галлия:
- С карбонатом цинка при высоких температурах образует шпинель[1]:
- При сплавлении с галлием образует окись галлия(I):
Применение
[править | править код]Для получения галлиево-гадолиниевого граната и других соединений галлия.
В полупроводниковой промышленности (приборы силовой электроники).[2][3]
Примечания
[править | править код]- ↑ Лидин, 2000, с. 89.
- ↑ Из оксида галлия и эпоксидки создан транзистор с напряжением пробоя выше 8 киловольт Архивная копия от 24 августа 2022 на Wayback Machine // 3DNews Daily Digital Digest, 3.06.2020
- ↑ Полупроводники нового поколения позволят поднять запас хода электромобилей на 10 % Архивная копия от 24 августа 2022 на Wayback Machine // 3DNews Daily Digital Digest, 24.08.2022
Литература
[править | править код]- Химическая энциклопедия / Редкол.: Кнунянц И.Л. и др.. — М.: Советская энциклопедия, 1988. — Т. 1. — 623 с.
- Лидин Р.А. и др. Химические свойства неорганических веществ: Учеб. пособие для вузов. — 3-е изд., испр. — М.: Химия, 2000. — 480 с. — ISBN 5-7245-1163-0.
- Справочник химика / Редкол.: Никольский Б.П. и др.. — 2-е изд., испр. — М.—Л.: Химия, 1966. — Т. 1. — 1072 с.
- Справочник химика / Редкол.: Никольский Б.П. и др.. — 3-е изд., испр. — Л.: Химия, 1971. — Т. 2. — 1168 с.
Это заготовка статьи о неорганическом веществе. Помогите Википедии, дополнив её. |