PETUNJUK UNTUK PESERTA: 1. Tes terdiri dari dua bagian. Tes bagian pertama terdiri dari 20 soal isian singkat dan tes bagian kedua terdiri dari 5 soal uraian. 2. Waktu yang disediakan untuk menyelesaikan semua soal adalah 210 menit. 3.... more
PETUNJUK UNTUK PESERTA: 1. Tes terdiri dari dua bagian. Tes bagian pertama terdiri dari 20 soal isian singkat dan tes bagian kedua terdiri dari 5 soal uraian. 2. Waktu yang disediakan untuk menyelesaikan semua soal adalah 210 menit. 3. Tuliskan nama, kelas, dan asal sekolah Anda di sebelah kanan atas pada setiap halaman. 4. Untuk soal bagian pertama: (a) Masing-masing soal bagian pertama bernilai 1 (satu) angka. (b) Beberapa pertanyaan dapat memiliki lebih dari satu jawaban yang benar. Anda diminta memberikan jawaban yang paling tepat atau persis untuk pertanyaan seperti ini. Nilai hanya akan diberikan kepada pemberi jawaban paling tepat atau paling persis. (c) Tuliskan hanya jawaban dari soal yang diberikan. Tuliskan jawaban tersebut pada kotak di sebelah kanan setiap soal. 5. Untuk soal bagian kedua: (a) Masing-masing soal bagian kedua bernilai 7 (tujuh) angka. (b) Anda diminta menyelesaikan soal yang diberikan secara lengkap. Selain jawaban akhir, Anda diminta menuliskan semua langkah dan argumentasi yang Anda gunakan untuk sam-pai kepada jawaban akhir tersebut. (c) Jika halaman muka tidak cukup, gunakan halaman sebaliknya. 6. Tuliskan jawaban Anda dengan menggunakan tinta, kecuali gambar dan ilustrasi. 7. Selama tes, Anda tidak diperkenankan menggunakan buku, catatan, dan alat bantu hitung. Anda juga tidak diperkenankan bekerjasama. 8. Mulailah bekerja hanya setelah pengawas memberi tanda dan berhentilah bekerja segera setelah pengawas memberi tanda. 9. Selamat bekerja.
Pure CeO2 and Ni-doped cerium oxide (NDC) films were deposited by a facile and economic jet nebulizer spray pyrolysis (JNSP) process at 450 ºC substrate temperature. Here, efforts have been done to enhance the performance of the NDC diode... more
Pure CeO2 and Ni-doped cerium oxide (NDC) films were deposited by a facile and economic jet nebulizer spray pyrolysis (JNSP) process at 450 ºC substrate temperature. Here, efforts have been done to enhance the performance of the NDC diode using various doping concentrations of Ni (0, 2, 4, and 6 wt%). X-ray diffraction revealed polycrystalline film formation with a cubic crystal structure and the crystallite size of CeO2 was increased from 10 to 21 nm on Ni doping. EDX study confirms the presence of Ni in NDC films. FESEM explicitly shows fine spherical grains-like morphology. The optical studies indicate the reduction in the bandgap of CeO2 from 3.30 to 2.86 eV on Ni doping. The Photoluminescence (PL) spectrum proves that the oxygen vacancy is created in the CeO 2 thin films while doping with Ni which leads to the blue shift and intensity enhancement of emission peak. NDC film prepared with 6 wt% showed a higher electrical conductivity ~ 3.76 × 10-10 S/cm which indicates that it is suitable for photodiode fabrication. The fabricated p-Si/n-NDC photodiode works with superior parameters like ideality factor (n) and barrier height (Φ B) under dark and illuminated conditions. The saturation current (I o) of the p-Si/n-NDC diode is varied from ~ 2.69 × 10-05 to 6.57 × 10-04 A with Ni concentrations. The estimated n and Φ B values of the p-Si/n-NDC junction diode are found to be decreased from 7.6 to 2.5 and 0.72 to 0.60 eV. These outcomes indicate that the fabricated photodiode is a useful element in optoelectronic devices.
