R.T.

HUMBOTOV

ELEKTRoNix.r
I hissa

@lektron cihazlarr)
AIi maktablar va texnikumlar iigiin
5 dars vesaiti
\n
"v)
Kitab Azerbaycan Diivlat Neft Akademiyasrnrn
90 illiyina hesr olunur

Azarbaycan Respublikasr Tehsil Nazirliyi

terelinden tasdiq edilmigdir
, (169 sayh, 26.04.2000-ci il tarixli
emr)

J k'-i ,t -r\, 1
.Bah - 2010
6t/. jt ol
CI3
H Rey verenlar: M.B.Namazov AzTU-nun dosenti,
texnika elmleri namizedi,

i.M.ismayrlov ADNA-run dosenti,

texnika elmleri namizedi

Redaktor: dosentA.M.OliYev

R.T.Hiimbetov Elektronika I hisse (Elektron cihazlart).

Ali mektebler ve texnikumlar iigiin ders vesaiti' 2-ci negr,
Bakr, <Maarif>, 2010,284 sehifeii, 129 gekilli

Dars vasaitinde elektrik siqnallannrn tosnifatl, onlann esas

xiisusiyyatlari va xarakteristikalarl, miixtolif toyinatll etektrik
diivrelorinde qevrilmesi vo iitiirirtnssi prosesleri araSdtrtltr' Berk
cisimlerda, qazlarda ve vakuumda elekrrik ceroyanlnm axmasr xiisusiy-
vattari qrsaca rerh edilir. Yanmke9irici maleriallann xiisusiyryetlari'
onlarrn iizerinde qurulmuS miixtolif tayinatll cihazlar: rezistorlar. diod-
lar, tranzistorlar, iiristorlar, optik elekron cihazlannln i5 prinsipleri,
dbvreye qoqulma sxemleri, xarakterik xiisusiyyotlo, xarakteristikalan,
oarametrlori vo tolbiq saholari haqqrnda geniq molumat verilir' Eyni
lumandu ders vsiaitinda inteqral mikrosxemlerin tosnifatl,
yanmkegirici inteqral mikosxemlorda aktiv va passiv elementlerin
irazrrlanmast texnologiyastntn merhslaleri izah edilir, hibrid inteqral
mikrosxemlerde pasiiv elementlerin haarlanma iisullan aragdrrtlrr'
Elektrovakuumlu vo qazbo$almah (ion) cihazlann esas ntivlerinin
quruluslan, i$ prinsipla;i. daivraya qosulma sxemleri. xarakteristikalan,
oaramenlari vi tatbiq sahalari haqqlnda malumat verilir'
' Vasait ali reiniki makteblerin va texnikumlann elektronika'
avtomatla$drrma, telekommunikasiya, rudiotexnika, cihazqaylrma va
elektroenergetika yaintimlii ixtisaslan tia'o tahsil alan telebalari iigiin
nezerda tunrlmu5dur. Vosaitdon hom da idaroetme vo elektronika sa-
hesindo galllan miitexessisler de faydalana bilarlar'

@ R.T.Hiimbatov, 2010
 6N sdz
Hal-hazrrda texmkamn biitiin nailiyyetlari <ilgme, nezaret,
tenzimleme ve idaroetrno sistemlerinde elektron qurfulann genig
istifada ohurmasr ile bilavasite elaqedardu. Elektron qurlularrn
elmi+exniki teraqqide rolu mrkroelektron elementlennin yaran-
masrndan va totbiqindan sonra daha da arffnrgdrr. indi maigo-
timizden baglayaraq kosmik todqiqatlara qeder insan fealiyye-
tinin heg bir sahesini elektron cihazlan, mikrosxem texnikasr,
mikroprosessorlarsz tosowiir etrnak mi.irnki.in deyildir.
Ona gciro de elektronika vo mikrosxem texnikasrmn oyre-
nilmasinin vacib oldufiunu qeyd etrnek lazrmdrr. Lakrn uzun iller
boyu Azorbaycan dilindo miivafiq derslik ve dars vesaitlerinin
gatrgmamasr bu elmin esaslanrun tedrisinde boytik getinliklar ya-
ratmrgdr.
Ders vesaiti tortib edilerken miiallifin uzun miiddot Azer-
baycan Dovlet Neft Akademiyasrmn <Avtomatika, telemexanika
ve elektronkar> kafedrasrnda oxudulu miihazirelerin materialla-
nndan istifada olunmugdur. Eyni zamanda son vaxtlar negr olun-
mug derslik ve ders vesaitlerindeki materiallann segilmesi, ar-
drcrl ve meqsedyiinlii izah olunmasr, bezi miirekkeb m6vzulann
sadelegdinlmesi iizerinde iglemeye sey g<istarilmigdir. Teqdim
olunan m<ivzulann hecminin boyiik oldugu nezere ahnaraq, ders
vesaitinin iki kitabdan ibaret nogr edilrnesi nezerde tutulmugdur.
Birinci kitaba elektronikarun iimumi anlayrglan, yanmke-
giriciler elektronikasrrun en genig yaylmrg cihazlanntn, vakuum-
lu ve plazrnah elektron crhazlanrun ve mikroelektronika element-
lerinin qumluqu ve i9 prinsipi, xarakteristikalan, parametrleri va
tetbiq.sahelan haqqrnda melumatlar daxil edilmigdir.
Ikinci kitabda miixtelif teyinath elektron qurfulanrun (agar
sxemlerimn, giiclendiriciterin, harmonik ve impuls gekilli reqsler
generatorlannn, montiq elemetlerinil ve mehdudlagdtnctlann,
kombinasiya qurlulannrn, saylaclann, analoq-roqem va roqom-
analoq geviricilorinin, dizlondiricilerin, siizgaclerin, stabilizator-
larLn vo s.) igi aragdrnlmrgdrr.
 GiRi$
Elmi-texiki tereqqinin vacib istiqametlerinden biri qa-
baqcrl texnologiyalann menimsenilmesi, istehsalm avto-
matlagdrnlmasr ve mexaniklegdirilmesidir. Bu istiqametler-
le elaqedar mi.ixtelif meselelerin helli elektron-hesablama
texnikasrnda bag veren inqilabi deyigmelere ve senayenin
<elektronlagdrnlmasrnar> esaslantr.
Mehsuldar qiiwelerde esash keyfiyyet deyigmelerini
temin etmek, yeni mehsullar, qabaqcrl texnika ve texnolog-
iya yaratmaq tigiin tebiot ve texniki elmlerin inkigafi ve on-
lann esas sahelerinden olan berk cismin fzikasr, mikro-
elektronika, kvant elektronikasr ve optikasl, radio-fizika ve
radioelektronika sahelerinde tedqiqatlan geniglendirmek la-
zrmdrr. Elekkonika sahesinde elde edilen miiveffeqiyyetden
cemiyyetin iimurni senaye vo elmi potensiah gox asrltdrr.
Elektronika elektronlann elektrik ve maqnit saheleri
ile qargrhqh tesiri ve bunlann istifade prinsiplerinden behs
eden elmdir. Elektronikadan genig istifade olunmast elek-
tron qurfiulannrn yiiksek hessashgr, ig siireti, universalhlt
ve kigik iilgiileri ile elaqedardrr. Yiiksek hessashq ise miix-
telif giiclendiricilerin k<imeyi ile elde edilir. Ytiksek i9 sti-
reti elektrik reqslerinin tebieti ila elaqedardrr. Elektronika-
mn universalhlr mi.ixtelif enerji ntivlerinin (mexaniki, isti-
lik, igrq, ses, giia enerjileri) elektrik enerjisine gewilme im-
kanlannrn m<ivcudlufundan ireli gelir. Biitiin elektron sxem-
lerinin i;i elektrik enerjisinin emalt ve miixtelif gewilmeleri
ile elaqedardrr. Elektron qur[ulannrn olgiileri inteqral tex-
nologiyanrn inkigafi sayesinde ilden ile daha kigik olur.
Elektron cihazlarr dedikde, igi berk cisimde, maye-
de, vakuumda, qazda ve ya plazmada elektrik, istilik ve
akustika hadiselerinden istifade olunmastna esaslanan ci-
hazlar nezerde tutulur.
 Mikroelektronika elektron texnikasrnrn inteqral tex_
nologiyastna esaslanan mikroelektron qurlulannrn iglenme-
si, layihelandirilmesi, hazrrlanmasr va totbiqini ehaie eden
sahedir. Mikroelektron elementler iizerinde (urulmug mux-
telif teyinath qurlulann qurulu$u, i9 prinsipi, iginin xarakte-
rik xrisusiyyatleri ve tetbiqi meselelerinden behs eden saha
ise mikrosxem texnikasr adlanrr.
Elektronika aramstz olaraq inkigaf edir ve bu prosesde
esas rol elektronikarun element bazasrnln istehsal texnologiyasr-
na mexsusdur.
Elektronikanrn element bazast oz inkigafinda radiolam-
palardan baglayaraq mikroprosessorlara qeder bir nege mer-
hele kegmigdir.
Birinci merhele 6z baglangrcrnr XIX esrin sonundan
g<iti.iriir. Siqnallan elektromaqnit dallalan vasitesile uzaq
mesafoye <it{iren radio qurfusunun ixtira edilmesi (1895-ci
il) mtasir rabite vasitelerinin inkigafina tekan verir. Bu mer-
hele esasen passiv elementlor: naqillor, induktiv sar$aclar,
maqnitlor, rezistorlar, kondensatorlar, elektromaqnit qogucu-
lar ve.relelerin praktiki tetbiqi ile xarakterize olunur.
Ikinci merhela 1904-cii ilde ingilis alimi Y. Fleminqin
ikielektrodlu lampadan elektrovakuum diodu kimi istifade
etmesi ile elaqedardrr. 1907-ci ilde elektrik reqslerini giic-
landiren ve generasiya eden iig elektrodlu lampa-triod ve
bunun ardrnca giiclii generator lampalan ixtira olundu. Giic-
lendirici lampalann tetbiqi uzun rabite xetlerinde siqnalla-
nn srinmesinin qar$lslnl almaga, simsiz teleqrafdan istifade
ise sesi, musiqini ve tesviri mesafeye dtiirmeye imkan ya-
ratdr.
Bu mi.iddetda radioda, harbi elektronikada ve relevizi-
yada gox b6yiik nailiyyetler elde edilmig ve elektron sena-
yesinin inkigafinrn osasl qoyulmugdur. Kiilli miqdarda yeni
ixtiranrn tetbiqi neticosinde aktiv ve passiv elementlerin ha-
zrrlanmast texnologiyasr daim tekmillegdirilmigdir.
Hele ilk vaxtlardan elektron senayesinde maya doyo-
rinin, elementlerin cilgii ve kiitlelennin azaldtlmasr, iq
miiddetinin, etibarh!rnrn arttnlmast meselelerinin helli iiza-
rinde apanlan igler kiqik <ilgiilii (miniatiir) lampalann ve qi-
ni kondensatorlann yaradrlmasrnln osasrnl qoydu. 1940-ct il-
larde elementlerin texniki xarakteristikalan nazori hiidudla-
ra gox yaxrnlagdrfirndan yeni ixtiralar tetbiq edilmaden elek-
tronikam inkigaf etdirmek olmazdr.
1948-ci ilde AB$-da D.Bardin, U.Brafteyn, U.$okli te-
refinden elektron lampastntn vezifelerini yerine yetiren iig
elektrodlu yanmkegirici cihaz - tranzistor ixtira olundu. Bu
cihazlann d6vreni agrb-ballama xiisusiyyetlerine malik
olmasr, kigik olgiilari ve yiiksek etibarhgr tezlikle elektron
hesablayrcr magrnlann istehsahnda bir gox mutereqqi ideya-
Iann tetbiqine yol agdr. Yalnrz yanmkegirici cihazlar esa-
srnda miirekkeb aviasiya ve kosmik elektron qurlulanmn
yaradrlmasr miimkiln oldu. Diskret yanmkerici cihazlann
yaranmasl elektronikamn inkigafinda iigiincii merheleni xa-
rakterize edir.
Minlerle elektron elementinden ibaret qurlu ve sis-
temlerin yaradrlmasrnrn realhfir elektronika ve elektron se-
nayesinin inkigafinda yeni ziddiyyetler ortaya glxartdl.
Qiinki bele qurfulann layihelendirilmesinin gox asan olma-
srna baxmayaraq, onlann sehvsiz yrfrlmasr vo iq qabiliyye-
tinin temin olunmasr gox getinlikler tciredirdi. Elementlera-
rasr birlegmeler probleminin helli mikosxemlerin meydana
glxmasrna sebeb oldu ve bu da eiektron senayesinde mikro-
elektronikanrn inkigafimn esasrnr qoydu. Ilk inteqral sxem-
ler 1958-ci ilde AB$-da D.Kilbi ve R.Noys terefinden ya-
radrlmrg va 1962-ci ilden baglayaraq senayede genig
miqyasda buraxrlmafa baglamrgdrr.
 Qeyd etmek lazrmdrr ki, inteqral sxemlerin totbiqindon
evvel qurlular gap platalan iizerinde yrfrlrrdr. Platada ayn-
ayn kegirici xetler bir yerdo qrup iisulu ile eyni zamanda
yastr tekstolit ve ya giige-tekstolit esasrn tizerinden nazik
mis qatrn (folqanrn) kimyevi i.isulla gcittiriilrnesi neticesinde
hazrrlanrrdr. Bu, miniatiirlegdirme problemini tam hell et-
mese de birlegmelerin etibarhlrnt xeyli artrrmala imkan
verdi. Mehz gap platalannrn inkigafi 1940-cr illerin sonunda
qahntebeqeli, daha sonra naziktebeqali hibrid inteqral mik-
rosxemlerin yaradrlmasrna gotirib gtxanr. (inteqral mikro-
sxem>> meftrumunun 6zii 1960-cr illerin sonunda 1970-ci il-
lerin ewelinde meydana gelmigdir. Bu dovr yanmkegirici-
ler elektronikasrnda yeni ideyalann vo texnologiyalann, da-
ha mi.ikammel cihaz ve qurfiulann tetbiqi ile xaraktenze
olunur. Bu merhelede inteqral elektronikanrn miirekkebleg-
mo stiroti daha da boyiik olmugdur. inteqral mikrosxemler
esasrnda elektron qurlulann ve sistemlerin yaradrlmasr elek-
tronikanrn inkigafimn d<irdiincii marhelesine aiddir. Bu mar-
helede yaranan aparatlara mikroelektron aparatlar deyilir.
<<Mikroelektronika>, <mikrosxem>>, <<mikroyrErm>,
<mikroprosessor>, <<mikro-EHM>, <mikrosxemotexni-
ka>> ve <<mikrotexnologiya> mofhumlan riz kriklerini mik-
romini attirle gdirmo prosesindon gdtiirmiiglor.
<Mikro> srizti birinci iig merheleda hazrrlanan elektron
cihaz ve qurlulanna nisboton daha kigik cilgtilere malik ci-
haz ve qurgulann yaradrlmasrnr nezerde futur. Mikosxem
elementlerinin sonsuz kigildilmesi onlann funksional im-
kanlannr, etibarhfrnr, iq siiretini artlrmala ve serf etdiyi
enedini azaltmaga imkan verir.
Mikroelektronikamn biitiin imkanlanndan tam istifade
edilmesi iigiin onlann qurlulannrn ve sistemlerinin teyina-
trnr, istismar geraitini, element bazasrnr vo s. nozoro almaqla
kompleks mikrominiatiirlegdirme esasrnda yaratmaq lazrm-
drr. Bu o demekdir ki, qurlu ve sistemlerin daha da miirek-
keblegmesine baxmayaraq, onlann kiitlesi, hecmi ve qiy-
meti artmamahdrr.
Perspektivde mikoelektronikantn inteqrasiya seviy-
yesinin daha da arttnlmast nezerde tutulur ki, bu da mikro-
sxemlerin elementlerinin handesi olgiilerinin bir gox bak-
teriya ve molekullann 6lgiilerine yaxrnlaSdrrmala imkan ve-
racekdir. Bu iEde fuksional elektronikaya boyiik iimid bas-
tenilir. Fuksional elektronika texnoloji yox, fiziki inteqra-
siya esasrnda yaradrlacaqdrr. Fiziki inteqrasiyamn xarakterik
xiisusiyyetleri odur ki, bele mikrosxemin gtivdesinde tranzis-
tor, diod, rezistor ve s. kimi sahelori aylrmaq mtimki.in deyil-
dir. Bu ciir funksional xiisusiyyetler miixtolif effektler yara-
dan atom ve molekullararast elaqeler hesabtna realize olu-
nur. Bele fuksional cihaza pyezokristal misal ola biler.
Son vaxtlar elm ve texnikamn yeni sahosi - optoelek-
tronika inkigaf etmeye baglamrgdtr. Onun fiziki esasrnr elek-
trik siqnallanmn optik siqnallara ve tersine gewilmosi va
giiamn miihitlerde yayrlmasr hadiseleri tegkil edir. Optoe-
lektronikamn miisbet xtisusiyyeti i99i tezliklerin sonsuz artl-
nlmasr ve molumatln paralel iglanmesi imkanlanntn mtivc-
udluludur.
iqtisadi ve sosial inkigafin miiasir merhelesinde dlke
teserriifatrmn elektronlaqdrnlmasr problemi elektronikantn ve
mikrosxemotexnikamn qabaqlaylcl sifuotlo inkigafim nezerde
nrtur. Burada esas yeri mikroprosessorlu inteqral mikrosxem-
ler, miko-EHM-ler, hesablayrcr sistemlor vo onlann esastn-
da <ilgme-hesablayrcr komplekslerin, miikemmel idareetme
ve tenzim sistemlerinin yaradtlmast h.rtmahdrr. Mikropro-
sessorlann, mikro-EHM-lerin ve diger hesablaycr texnikantn
texnoloji proseslerin idareedilmesine totbiqi sonayedo bag
veren inqilabtn yeni merhelesi kimi qiymetlendirilmelidir.
 1. ELEKTRiK SiQNALLARI VO ONLARIN
ELEKTRiK DOVROLORiNDON KECMOSi
Elektron qurfulannrn igi onlarrn toyinatrndan asrh o1-
mayaraq bilavasite melumatrn emall vo gevrilmesi ile ela-
qedardrr.
Har hansr <iyrenilen prosesin ve ya obyektin haqqrnda
bize bilik veren xeberler toplusuna molumat deyilir. Melu-
mat deyende ritiirme, boliigdiirme, gevrilme ve ya bilavasite
istifade obyekti olan xeberler nezerde hrtulur. Eyni zaman-
da oz veziyyetini zaman ve mekana gore deyige bilen her
hansr bir malumat menbeyinin de oldugu nezerde tutulur.
Bu menbe rolunu termoctitiin elektrik hereket qiiwesi, siq-
nal lampasmln yanmasl vo s. oynaya biler. Menbeyin veziy-
yeti haqqrnda xaborlar movcu<i kanallar vasitesile xeberler
qebuledicisine daxil olur. Belelikle, ritiiriilen xaberi isteni-
len deqiqlikle birmenah tesvir eden ve onu emal edib mesa-
feya ritiirmeye yararh olan fiziki prosese siqnal deyilir.
Siqnal qrsaca olaraq <iziinde molumat dagryan fiziki proseso
deyilir. Siqnala funksional teyinatr baxrmrndan zaman ve
mokanda molumatl <itiirme vasitesi kimi ve yaxud her hansr
bir maddi malumat dagryrcrsr kimi baxmaq olar.

l.l. Siqnallarln tesnifafi va esas parametrlari

Siqnal manbeyinin, qebuledicinin ve siqnal ritiirtilen

miihitin xiisusiyyetlennden asrL olaraq elektrik, akustik ve
optik siqnallar miivcuddur.
Elektron qurgulannda osason elektrik siqnallan iizenn-
de gevnlmeler apanhr. Yalnrz bir qrup elementler - optron-
lar mi.istesnalq tegkil edir ki, bunlann giriginda elektrik siq-
nah optik $iialanmaya, grxrgda ise eksine gevrilir.
 Siqnahn iizerinde gevrilmoler apanlmasrna baxmaya-
raq o dagrdrlt molumatl saxlayrr. Bununla beraber-qeyd er
mek lazrmdrr ki, gevrilmelor neticesindo itkilor de miim-
kiindiir. Daha do!rusu siqnal tehrif oluna biier, ktiyler ve
ongollor yarana biler va s.
- Hei hansr xeberin 6tiiriilmesi menbeyin veziyyetintn
deyigmesi ile eiaqedar oldulundan siqnal bir ve ya tir nege
aeyiqmeye meruz qalan parametrlere mensub olmahdrr'
Heg bir parametri deyiqmeyen siqnal ciziinde melumat dagr-
ya bilmez. Her hansr cihazrn gosterigi yalmz deyigen zaman
melumatdagryrct xarakteri a1a biler. Meselen zelzelenin
mdvcud oldu[unu qeyd eden cihazrn (seysmoqrafin) g6s-
*yalnrz-fisileden
terigi diqqeti sonra tekanlann tesirini hiss
edende celb edir.
Siqnallan $erti olaraq statik ve dinamik siqnallara
boltirler.
Statik siqnallar esason melumattn miioyyon miiddet
erzinde ottiriilmesi iigiin, bagqa sdzle melumafin saxlamltb
sonradan istifade olunmasr iigiin igledilir.
Dinamik siqnallar ise esasen melumatln mekanda
otiiriilmesi iigiin (meselen, elektromaqnit ve akustik dalfa-
lar) istifade olunur.
Menbeyin xiisusiyyetleri ve siqnahn zamandan asth
deyigmesinin xarakteri haqqlnda elde hansr ilkin melumattn
oldupundan asrlt olaraq siqnallar miiayyen edilmig ve
tesadiifi siqnallara bolilniir.
Oger iiqnahn <iziinii aparmasrm (deyigmesini) qebul
edile bilen deqiqlikle ovvelcoden bilmek miimkiindiirse,
bele siqnal miiayyen (determine) edilmig siqnal adlanrr'
Meselen, genetator amplitudu U., tezliyi a. ve fazast 9.
olan sinuso,-idal gerginlili siqnah hasil edirse, onun gtxrqtnda
her hansr anda gerginliyin ani qiymeti bu ifade ile miieyyen
edile biler (gekil 1 . 1al:
u(t)=U"cos( @"t + Q)'

10
 Bu hemin siqnahn nyazi modeli olub zamandan ash
miioyyen funksiyamn yazrhgrdrr. Bele yazrhg siqnallarrn
miixtelif xiisusiyyetlerinin ve onlann gevrilme iisullannrn
tehlilini asanlagdrnr.
Tesadiifi siqnallann deyigmesini qabaqcadan miiey-
yon doqiqliklo bilmek milmki.in deyildir, giinki bu halda
siqnal menbeyinin veziyyeti bir gox amillerle mi.ioyyon
edilir (gekil 1. I b). Ona goro do her olgme seriyasr <iztiniin
zamandan asrh funksiyasr ile yazrlrr. Tesadtifi siqnallara rni-
sal olaraq elektrik qida dcivrelerinde induksiya edilan siq-
nallan, gi.iclondiricilerin kiiLylerini ve s. gcistarmek olar.
Tam genig menada deyigme qanunu melum olmayan her
hansr siqnal tasadiifi hesab edilir. Bele siqnallann yazrhgr
iigiin ehtimal (stoxastik) nezeriyyesi qanunlan istifade olu-
nur. Bu qanunlar her an iigiin siqnahn ayn-ayn qiymet-
lerinin paylanma ehtimallannr xarakterize edir.

Tasadrifi
siqnal n

b)

c)
t
$akil L1. Siqnallarrn n<ivleri

Siqnallar fiziki mahiyyetine gore analoq vo diskret

siqnallara briltintir.

ll
 Analoq siqnah dedikde coroyanrn ve ya gerginliyin
zamanda kesilmeyen funksiyasr nezerde tutulur. Analoq
siqnallan sabit ve deyigen olur.
Sabit analoq siqnah deyende bir polyarhfa malik za-
mandan asrh yavag deyigen coreyan ve ya gerginlik nezarde
tutulur (9okil 1.1a).
Deyiqan analoq siqnah dedikde ise zamandan asrlr
olaraq ham de igaresi deyigen coroyan ve ya gorginlik funk-
siyasr nezerde tutulur (gekil I a). Buna misal olaraq xiisusi
hal kimi harmonik ve ya sinusoidal siqnah gostormak olar.
Diskret siqnallar corayanln ve ya gerginliyrn zamata
gore kesilen funksiyalanndan ibaretdir. Bu siqnallar miiey-
yon mohdud seviyyelere malik ola bilerler. Elektronikada
en gox iki seviyyeye-ytiksek gerginliye (cereyana) ve algaq
gerginliye (cereyana) malik olan diskret siqnallardan istifa-
da olunur. Onlara impuls vo ya ikilik siqnallarr deyilir. Bu
siqnallann qiymetleri iki reqem simvolu ( <1> ve <0>) ile
g<isterilir (qekil 1c).
Elektron qurlulannda siqnallar hem kigik (meselen,
qurgu daxilinde), hem de gox bdytk (meselen, kosmik fe-
zamn tedqiqinde) mesafelere citiiriile biler. Elektrik siqnal-
lannrn yayrlma siiretinin igrq siiretine yaxrn olmasr onlann
texnikanrn miixtelif sahelerinde genig istifadesine zemin
yaradrr.
Her hansr siqnal miieyyen maddi sistemle aynlmaz
elaqede olur ve buna rabita sistemi ve ya melumatt iittr-
me sistemi deyilir. Umumi qekilde bu sistemi gekil 1.2-de
oldulu kimi tesvir etmek olar.
Melumat manbeyi xoberlor formasrnda molumat ya-
radrr, iitiiriiciide bu xeberler faydah siqnallara gevrilir. Ra-
bite kanahnda faydah siqnallardan baqqa fiziki tebietine go-
re onlara yaxan olan tesadiifi prosesler de ciztinil gosterir.
Bu konar siqnallar ve prosesler faydah siqnallarla ist-iiste dti-

t2
 $orok onlan tehrif edir. Ona gcire de qebul edilen siqnal
citi.iri.iciiden gelon siqnaldan farqlenir.
eebuledici ona daxil
olan siqnala g<ire melumat menbeyina gcinderilen xeberi
berpa edir. Bunun iigiin tobiidf ki, xeberin siqnala
gewilmesi qaydasr evvelden melum olmahdrr. Bunun
esasrnda eks gevrilme heyata kegirilir ve neticede
qebuledici terefde mtimktin olan xeberler goxlulundan
mehz gonderilen xebere uylun meluat seqilib aynlrr."

Tahrif
Xeber Faydah
siqnal faydalr
siqnal

$akil 1.2. Malumah tittirme sistemi

ideal halda bu melumat g<inderilan xebera tam uylun

olur. Lakin siqnahn tehrifi neticesinde xeberin berpasr
zaman sehva yol verilir. Bele sistemde adresat (malumat
ig,ledicisi) rolunu bilavasite insan, yaxud insanla elaqedar
olan texniki qurgular oynaya biler.
Siqnallar bir srra parametrlerle xarakterizo olunur vo
iimumi.halda bu parametrler iig osas qrupa brili.iniir: struktur,
identifikasiyaedici ve melumat dagryan parametrler.
. Struktur parametrler siqnahn serbestlik dereceieri_
nin sayrnr gcisterir.
Identifikasiyaedici parametrler faydah siqnah diger
,,
(Iazrm 61n,rrun) siqnallann igerisinden segib ayrrmaq
iigtin-
diir.

13
 Melumatdagryrcr parametrler titiiriilon melumatt
kodtagdrrmaq iigiin istifade olunur'
Rtyazr S=Xsin(2 rlft+ p) ifadesi ile tesvir edilen.siq-
nahn misaltnda mtixtelif tipli siqnatlann parametrlerin
xiisusiyyetlerini araqdrraq. Ovvelceden qebul edek ki' me-
iu-ut 'r""nU"vi ,4 goxlufundakr miimkiin xeberleri sinusoi-
gevirir'
aui ."qtt".in k amplitudunun miixtelif qiymetlerine
O"."fi, X kemiyryLtine siqnahn melumatdagtyrct parametri
kimi baxmaq laztmdtr.
S siqnahnr f tezliyine gdre hemin sinifden olan diger
tezlikli siinallarian ayrnrlar. Demeli, S siqnahnrn .f para-
metri idenaifikasiyaedici parametrdir'
Baxtlan siqnahn meliimatdaqrytcl parametrlno . goro
serbe.tlik derecelerinin sayr iimumi halda ! parametrindan
para-
asrltdrr. Ona g610 , parametr (bu halda zaman) struktur
paramet-
metri olur. Melumitdagryrcr X parametri struktur
her
Ana"n (l-a"n) asrh olmiya da biler' Meselen, menbeyin
hansr bir a el xeberine uylun olan amplitudun
seqilmig
deyigmez
xeX qiymeti siqnahn bttiin davamiyyeti bo)Trnca
oalrr. Amptitudun her hansr seqilmig qiymeti 1la sin(2tfi+@
xebarle-
ilarmonit ioptunanla elaqeder oldufiundan ottiriiciide
rin baxrlan kodlaSdrrma vairan.o AA--'+ X 0':A-+S
qayda*
na ekvivalent olur. Burada S=Xsin(2 dt+ Q)' baqqa sozle
miimkiin olan xeber miieyyen amplirudlu ve sonsuz, dava-
rniyV",fin".rnonik siqnalla'miiqayise olunur' Belelikle' ba-
,iiii ,".iuntA. S siqnah melumatdagrytcr X parametrine go-
re cemi bir serbastlik derecesine malikdir'
eg". yuxandakr ifadede amplitud 1X) /parametrinden
ayn-ayrl
asrh olirsa, onda miimktin olan xeberleri siqnahn
urlu.a*t qiymetleri ile miiqayise etmek olar' Meselen' tu-
i"q li, -ii.f.iin olan xeberier T zaman intervahnda. S(r)=
:i61 ti"1z 16r* rp1 siqnahnrn mehimatdaqryrc I pararneti .x(t)-
uir-ul",ia",i t iniervahnda yerleqen tb t2""""t, anlar.n-
"i,
l4
 dakr qiymetleri ile miiqaise edilir. Bu zaman S(t) siqnah I
zaman intervahnda siqnahn serbestlik derecosine birabar
olan n=T/t komponente malik olacaqdrr. eeyd etmak la_
zrmdrr ki, bu misalda / parametri qiymetlerin sayrla bilen
goxlulunu ala bilerse S(r.) siqnaL prinsip etibariie sonsuz
sayh serbestlik derecesine malik ola biler.
. - Melumatda$lylct parametr kimi mtixtetif parametrler
istifade oluna biler. Yuxandakr ifadede melumatiaqryrcr pa_
rametr kirni X;f, p parametrleri istifade oluna biler, bu halda
tezlik f eyni zamanda hem melumatdagryrcr, hem de indenti-
fakasiya eden parametr ola biler.
Melumatdagryrcr parametrlerine gore de siqnallar dis_
kret ve arasrkesilmez olurlar. Oger melumatdagryrcr para_
metrin miimkiin olan qiymetler goxlu[u sayrlandrrsi ve
miieyyen hiiduda malikdirse, siqnal bu parametre gore dis_
kret_ adlanrr. Oger siqnahn melumatdagryrcr parametri
arasrkesilmaz goxlugu qebul ederse siqnal bu parametre
gdro araslkasilmaz adlanrr. Oger melumatdagryrcr para_
metr brr deyil, bir nege olarsa siqnal bir parametre gdre
disket ve digerine grire arasrkesilmeyen ola biler.
Qeyd etmek lazrmdrr ki, siqnallann yazrhgr iigtin ciir_
beciir riyazi modellerden istifade olunur. Lakin siqnahn 6tii_
riilmesi prosesi heg de deyigmir: ritiirmede xeber siqnahn
veziyyetine gevrilir: siqnal rabita kanalnda ongallorin tosi_
rindan tehrif olunur ve onun veziyyeti qabaq&dan miioy_
yen edile bilmeyecek derecede deyigir: qebuledicide siq_
nahn deyigmig veziyyetine grire iittirtilen xeber haqqrndi
qerar qebul edilir. Aydrndrr ki, siqnahn miixtelif xeberleri
kodlagdrran veziyyetleri arasrnda ferq na qeder gox olarsa,
berpa zamanr sehvlerin yaranma ehtimah bir o qeder azalar.
Demeli, riyazi modelin krimeyile siqnahn engellere daya_
nrqhlrnr tedqiq etmok iigrin modelde siqnahn miimkiin ve_
ziyyetleri arasrndakr ferqlerin derecesi miioyyon edilmeli-

l5
dir. Buna imkan veren iisullardan biri siqnahn miimkiin va-
ziyyetlerinin her hanst abstrakt fezada nciqtalor geklinde
gosterilmesidir. Bu fezada her hanst iki ndqte arasrndakr
mosafa bu vo ya digor iisulla teyin edilir (metrik feza). Bele
fezalarda siqnahn miimkiin veziyyetleri arastndakr ferqin
darecesi bu veziyyetlere uylun gelen ndqteler arastndakt
mesafe ile ifade olunur.
Modelde siqnalt zamana gore tesvir etmekle onun
parametrlerini, enerjisini, giiciinii, davamiyyetini ve s. teyin
etmek olar. Riyazi yazrhglann bagqa-baqqa formalan siqna-
trn diger parametrlerini daha yaxqr tesvir edir. Qox hallarda
siqnahn tezlik xiisusiyyetlerinin tedqiqine xiisusi ehemiyyet
venlir. Bunun iigtn tezlik oblashnda siqnal spektr geklinde
tesvir edilir. Bu spektr riyazi Furye gevrilmesi esastnda
ahnrr. Siqnaln tezlik xiisusiyyetlerinin miieyyen edilmasi
onun xarakteristikalannrn identifikasiya edilmesi (en gox
melumat daqrytct parametrlerinin teyin edilmesi), siiziilmesi
(engeller fonunda faydah siqnahn segilib aynlmasr) ve
arasrkesilmez siqnahn disketleqdirme tezliyinin segilmasi
meselalerinin helline imkan verir. Siqnahn vacib parametr-
lerinden biri onun tezlik spektrinin enidir. Qiinki mehz bu
parametr siqnahn melumatt emal eden ve otiiren qurgularla
uzlagmastnda esas 96tiiriiliir.
Siqnahn zamandan asllt melum funksiya qektinde (ye-
ni miieyyen edilmig) yazrldrlrnr qebul ederek tezlik spekt-
lerinin altnmast ve tehlilinin xiisusiYryetlerini araqdtraq.
Tutaq ki, tedqiq edilen siqnal dtivri zamandan asfi x(t)
funksiyasr ite ifade olunur ve bu funksiya Dirixle gertlerini
odeyir. Bagqa siizle funksiya onun deyigme periodu T hed-
dinde pargalanml$-aramslz ve pargalanmrg monotondur ve
kesilme noqtelerinde mehdud qiymetler alrr. Bu halda
funksiyanr Furye strast geklinde tosvir etmok olar:

x(t) - a.+laocoskc,t +lbrsinku (1 1)

k=t k=l
t6
 Bu ifadanin emsallan bele teyin olunur.

a.=-I',)x(t)dt;a^=12r.!x(t)coskatdt (1.2)

a,;
bo = lx( t ) sin kddt, ( k = 1,2,3...)
,l

Siqnahn bele tesvir olunmasl fiziki cahetden sabit

toplananrn (a), ap,! 17 tezlikli birinci harmonikarun vo
2a, ve 3a, va s. tezlikli yiiksek harmonikalann aynlmasl
halrna uygun gelir. Furye srasrnln ao va bo(eL,2,3...,) em-
sallannrn qiymatleri bu halda siqnahn tezlik spektrini tegkil
edir.
Furye srrasrnrn diger yazrhgr da mcivcuddur:

x( t ) = d" +id o cos(ka4r + ) 0o

k=l
Burada sabit toplanan d,, amplituda d1 ve siqnahn ir-cr
S harmonikasrnrn fazasr 01, bele teyin edilir:
\ ,-----;-
o d,, a.:
dr = lan' + b')r ; 0n= arcbtg(-e^ / a^)
\ =
dn-nrn ve 4o-nn (k=1,2,j,...,) qiymetlerinin toplusuna
adeten amplitud ve faza tezlik spektrlari (amplitud spektri
ve faza spektri) deyilir. d*-nrn ve 1o-nrn siqnahn her harmo_
nikasr iigr.in gristerilen qiymetlerinin taprlmasr iigtn yerine
yetirilen emeliyyatlar ardrcrlhgr ise siqnahn harmonil teh_
Iili adlanrr.
Yiik miiqavimeti vahid oldulu halda periodik siqnahn
orta giicii bele hesablanrr:
,T-
P", =
- !rilx'(t tat = al"+ li2?-r.a.'
Gririindiiyii kimi orta giicti onun amplitud
 I .2 ifadesinde 7----- o
qebul ederek uygun periodik
siqnahn spektrinden qeyri-periodik siqnahn tezlik spektrini
almaq olar. Bu halda iki qonqu harmonika arastndakr
tezlikler ferqi (a4:2 ty'T) stfra yaxtnlaqtr, bagqa sozle tezlik
spektri diskret (xetvari) haldan aramsz (biitdv) hala keqir'
Oger tedqiq olunan siqnahn funksiyasr x (t) sonlu intervalda
Dirixle gertlerin (g, ,<,ltarQ ddeyirse vo sonsuz arahqda (-a
+o/ inteqrallana bilerse onda bu funksiyanrn tezlik spektri
Furye inteqrah ile teYin edilir:

x( ja1=ix(t )e-id dt

Bu gevrilmenin fiziki mlnasrm aydrnlaqdrrmaq iigiin

eks Furye gevrilmesinin ifadesine baxaq. Bu ifade X(ia)
tesvirinden eks istiqametde orijinala - x(/) zaman funksi-
yasrna keqmaye imkan verir:

,rtt=fifiX(io)ei'da=l::,.7*lfirtiotar,:)et'
Demeli, Furye inteqrah qeyri-penodik x(r.) funksiyast-
nl sonsuz sayda sonsuz kigik amplitudlu
tu4( id))=J-x(
24
ir)t,
ve -edan +ea kimi diapazonu ahata edon tezlikli harmo-
nikalann hecmi geklinde tosvir etmoyo imkan verir'
Belelikle, Xf ay' spektrin ayn-ayn sahelenne gdre har-
monik toplananlann paylanma stxh!,rnt xarakterize edir ve
onu gox vaxt siqnahn spektral srxhfr adlandrnrlar' Ahnan
XA d=X( dde(,r ifadesinde Xf a)=lXA dl -siqnaLnrn ampli-
tud-tezlik spektri, 0(a)=arglgX(i a) ise faza-tezlik spekt-

t8
ridir. x(t) siqnahnrn enerjisini toyin ederken parseval bera-
berliyinden istifade olunur:
w = I:x, ( t )dt = r, ta.
|f1,,
Beraberliyin sol terefindeki ifade zaman oblastrnda
siqnalru tam enerjisini, saf terefindeki ise amplitud tezlik
spektrinin paylanmasr nezere ahnmaqla tezlik oblastrnda
hesablanmrg tam enerjisini gristerir.
Indi ise elektron qurfiulannrn igi ila alaqedar olan en
genig yayrlmrg siqnal novlerinin xarakteristikalannr tefsilatr
ile oyrenek.

1.2. Deyigan siqnallann esas xarakteristikalan

Zamandan asil,r u(t) funksiysrndan ibaret deyigen siq-

nal Furye srrasr geklinde bele yazrlrr:
u O): a A r _*cos( @"t- g)+ U 2^.xcos(2 a"t- g)+
"+
+U,^"pos(3 a.t-9)+...
burada a,=2 {"i h, ez. g3, - ayrt-ayrl harmonikalann ilkin
fazalan; U,.oo Ur^,o U r^*-onlarn amplitudlandrr. ealan
kemiyyatlerin teyini yuxanda gristerilmigdir.
Qeyd edildiyi kimi, Furye srrasrnln menasr odur ki,
funksiya esas tezlikdan I ,2,3 . . . ve /< defe gox tezliye malik,
ilkin fazah ve miiayyen amplitudlara malik sinusiodal reqs-
Ierin cemi kimi tesvir edile biler. Bu cemin her toplananrna
harmonika, esas tezlikli (a;/ reqslere l-ci harmonika, a1
tezlikli reqslere 2-ci harmonika ve s. deyilir.
Ut! qiymetler toplusuna amplitud spektri, po ke-
^",
miyyetler toplusuna faza spektri deyilir. eox vaxt amplitud
spektri briyiik maraq kesb edir ve onu qrsa olaraq spekir ad-
landrnrlar (gekil 1.3). gaquli parqalann uzunlugu miivafiq
amplitudlara uylun gelir, onlara spektral xatlar deyilir.

l9
 $okil 1.3. SPekt n tosviri

Yuxandakr ifadeden g<iriini.ir ki, cem sonsuz stradan

ibaretdir - spektr sonsuzdur. Bucaq siiretinin (o) artmasr
ile harmonikalann amplitudlan azaldrlrndan yiiksek tez-
Iikler reqsleri nezere altnmtr ve siqnaltn spektrini mehdud-
lagdrnrlai. Mehdudlagmrg spektrin yerleqdiyi tezlik interva-
hna spektrin eni deyilir. Spektrin mehdudlaqdtnlmasr ele
apanlrr ki, siqnahn tehrifi verilmig hedde olsun, bagqa sdzle
siqnalda olan melumat itirilmosin. Baxtlan siqnal hem de
geiginliyin orta, orta diizlendirilmig, effektiv ve amplitud
qiymetleri ile xarakterize olunur:
u __!_"j'u( )dt
"' = til - ti
". ;,

Gerginliyin orta qiymati yuxandakt ifadeda U, qiy-

metine uy[un gelir ve siqnalda sabit toplanantn oldulunu
gosterir.
Gerginliyin orta diizlandirilmig qiymeti siqnaltn
hem ampttud, hem de faza spektri ile miieyyen edilir ve
miixtelif diizlendirici qurgulann igini xarakterize edir.

20
 u",ro, =LI-.-t- r[o(t)dt
Oger siqnalda sabit toplanan yoxdursa onda orta dtiz-
lendirilmig gerginliyin miisbet ve menfi yarrmdallalan be-
raber olur.
Effektiv (tesiredici) qiymat gerginliyin orta kvadratik
qiymetidir:

uE=
Bu gerginlik yalnrz siqnahn amplitud spektri ile miiey-
yen edilir ve faza spektrinden asrh olmur. O, elektrik prose-
sinin giic{inii xarakterize edir ve istilik tesirine gore sabit
siqnallara ekvivalentdir.
Miisbet ve manfi yanmdalgalann effektiv qiymetleri
iimumi halda beraber olmaya da bilerlar ve bir- biri ile aga-
[rdakr asrhhqia bafihdrr:
u1 = (a:r )' + (ui )'
Garginliyin amplitutd (pik) qiymeti U u(t)
^.,:max
hem amplitud, hem de faza spektrinden asrhdrr. O hem
miisbet [/-^, hem de monfi [f,,^ yanmperiodlar iigiin te-
yin edile biler. Bunlar da iimumi halda bir-birine beraber
ola biler.
Siqnahn sinusiodal formadan ferqlenmesi harmonika-
lar emsah K, ve ya qeyri-xetti tehrifler emsal ile qiymot
lendirilir:
r [-" r f"-
K
" i =
I r=z_a
i ; x, =
n lp,u i.
U, va Ul uylun olaraq l-ci ve k-ct harmonikalann ef-
fektiv garginlikleridir.
I(, ve I(, bir-biri ile bele elaqedardrr:

2l
 Kr =-T+*
t + Ki
,,1
nl t -lx'" t
Deyigen siqnahn u(t) effektiv qiymetini hem de l-ci
harmonikantn effektiv qiymeti ve harmonika emsalt vasite-
sile ifade etmek olar:

u't =u l+K; *u,1t+LK'n)

'
1.3. impuls gekilli siqnallann asas xarakteristikalan

Cereyantn ve ya gerginliyin sxemdeki keqid prosesle-

rinin davamiyyetinden kigik ve ya onunla miiqayise edile-
cek qeder bir vaxt erzinde her hansr sabit seviyyeden (xii-
susi halda srfirdan) bu ve ya diger terefe deyigmesine im-
puls deyilir.
impulslann miixtelif n<ivleri olur (;ekil 1.4.): diizbu-
caqh (a) trapesiya (b), eksponensial (iti uclu) (c), migarva-
ri (9), iigbucaqh (@, ikitarefli (iki polyarhqh) (e). Impuls

Sokil ].4. Videoimouls siqnallart

22
siqnallan miisbot (r, b, 9, 11 ve manfi (c) olurlar. Bu ciir im-
puls siqnallarr televiziyada genig istifade olundugundan on-
lara videoimpulslar da deyilir.
Impuls siqnallannrn diger novii radioimpulslardrr.
(gekil 1.s)

$ekil I 5. Radioimpuls siqnallarr

Bu iki n<iv impulsu elaqelendiren odur ki, radioim-

pulslan ohato edon qrrrq xotli ayrilor videoimpulsu tesvir
edir.
Qeyd emek lazrmdrr ki, gosterilan impulslar ideal for-
maya malikdir, heqiqetde iso real impulslar oz adlanna tam
uygun formaya malik olmur. Real diizbucaqh impuls gekil
1.6-da gosterilmigdir.
Amplitr:dun yarrsr (0,5 U,,/ seviyyesinde teyin editen
zaman intervah impulsun aktiv davamiyTeti t,
adlanrr.
Herden onu flI U- seviyyesinde de teyin edirler.
Amplitud gerginlik va ya coroyan impulsunun en b<i-
yiik qiymetine d,eyllir (U).
Impuls 6n cebhe ve arxa cebhe anlayrglan ile de xa-
raktenze edilir. 6n cabha impulsun artmasi arxa cabha ise
azalmasr proseslerinin davamiyyetlen ile miieyyen edilir.
 Qox vaxt im-
pulsun 0,1U- seviy-
t yesinden 0,9 U^ se-
l_ vilyasine artmaslnm
davamiyyeti ile
- - ---+ miioyyon edilen aktiv
o,a ,/ _____1 davamiyyet !* anlay-
l-t grndan istifade edilir.
Anoloji olaraq 0,9 U,,
T
$ekil 1.6. Real dnzbucaqlt impuls sevryyesinden QI U-
sevilyesine azalma
miiddeti impulsun azalma davamilyeti ," adlaff. tx ve t* t.
nin bir nege faizini tegkil edir.
Onlar 4 - e nisbeten ne qedar kigrk olarsa, impuls siqnah
bir o qeder diizbucaqh formaya yaxm olar. Bezer, tn ve f^.-in
avezine impulsun cebheleri artma (azalma) siiretleri ile
xarakterize olunur. Bu anlayrga iin (arxa) cebhenin dikliyi
olunur. Diizbucaqh impuls iigiin diklik texminen beie teyin
olunur:
S=UJta
impulsun cebheler arasmdakl sahesine yash tepe de-
yilir. U yastr toponin soviyyosinin agalr diigmesini gdsterir.
impulsun ene{isinin onun davamiyyetine nisbetine
impulsun giicii deyilir:
P;wh,
iki qongu eyni igareli impulsun baglanlrcr arasrndakr
vaxt tekrarolunma periodu (7) adlamr. Onun eks qiy-
metinin impulsun takrarolunma tezliyi adlandrnrlar.
I=!T
impulsun periodunun bir hissesini fasile tegkil edir.
Fasile (gekil l.4a) bir impulsun sonu ila ondan sonra gelan
impulsun baglanlrcrna qeder olan vaxtdv: tFT-tf

24
 Impulsun davamiyyetinin tekrarolunma perioduna olan
nisbetino dolma amsah deyi-
lir: 7-t,/7. Bu, <ilgiisiiz, vahid-
dan kigik amsaldrr.
Dolma emsaltnln oks qiy-
motina borabor olan kemiyyete
impulsun srxhgl deyilir:
g:1/7-Th'
Impulsun enerjisinin pe-
rioda nisbetine impulsun orta b).
giicii deyilir: P*=WT. $okil 1.7. impulslar ardrcrlL[r (a)
ve impulslar yt[rmr ardrcrl[gr (6/
Impulsun gi.icii ile oru gu-
cti miiqayise etsek gtirerik ki,
onlar bir-birinden q defe ferqlenirler:
P/- P.,7, P7 p",T/t;p,,,q va p,,:p;tfi= p/q
Buradan bele netice grxrr ki, generatorun impulsda
temin etdiyi gric generatorun orta giici,inden 4 defe gox ola
biler.
Praktikada gox vaxt impulslar ardrcrihqlan ilzerinde mijx_
telif gevirmeler apanlr. impulslar ardrcilh[r (gekil l.7a)
.
tezlik, period, srxhq (dolma) emsah ve s. xarakterize olunur.
Olave olaraq gerginliyin (cereyanrn) period erzinde orta ve
tesiredici qiymeti U,, miiqayise iigiin istifade olunur:

u,,-|'!,rtxt; (r,"= 1,r.

I
-
u'(t)dt
- Tr,

Impulslar ardrcrlhgr ngnn U.,:t)^,1q, a,, =a^*/ q,

J
daha dogrusu gorginliyin tesiredici qiymeti orta qiymetden
fi qederboyiikdiir.
Reqem texnikasrnda impulslar yr[rmr ardrcrlhfr da ge-
nig istifade olunur (qokil. 1.7b). Yr[rmlann her biri bir nege
impulsdan ibaret olur. Burada bir yrfrmrn daxilinde impuls-
Lar arasrndakr fasile bezon deyigen olur. Bu parametr ytlrm-
lardan teqkil olunmug impuls siqnahnrn miihiim parametri-
dir.
impulslar ve impulslar ardrcrlhpl zaman xaraktenstika-
larrndan baqqa spektral xarakteristikalarla da xarakterize
olunur.
Meselen diizbucaqlr impuls orta toplanan (U",=
=U.,,t/T) ve harmonik toplananlarin cemi kimi tesvir olu-
na bilor (/<-harmonikanrn nomresidir).

u,^* =
Uia
sin( o,s K o"t t )
4^
impuls siqnahnrn spektrin ayn-ayn toplananlan bir-
birinden tekarolunma lezliyi f. qader ferqlenir. Baqqa
sozle, spektrde yalnrz f., 2f, 3f. ve s. tezlikleri olur. Harmo-
nikalann amplitudlan impulslann amplitudlanna miitenasib-
dir. Ancaq sinusun arqum entinin mtya beraber (m-tam
ededdir) oldugu tezliklerde f.=l/to 2/ti, 3/ti va s. onlar srfira
gevrilir.
Spektrin ayrt-ayrl toplananlan diizbucaqh impulsun
ayn-ayrl sahelerinin formalagmastm mieyyen edir. Mese-
len, spektrin yiiksektezlikli hissesi esasen on cebhenin, al-
gaqtezlikli hissesi ise tepenin formala$maslna serf olunur.

1.4. Elektrik diivrelerinin esas xarakteristikalart

Elektrik d6vreleri, elektron qurfulann ayrrlmaz hisse-

leridir. Onlar qurlulann strukturlanndan ve teyinarndan as-
h olaraq miixtelif funksiyalan yerine yetirir: qurlulann kas-
kadlarr arastnda elaqe yaradtr, aktiv elementlerin i9 rejimini
temin edir, elektrik siqnallan iizerinde davamiyyete, am-
plituda ve fazaya (deyigen siqnallar i'iqiin) gcire ciirbeciir
qevrilmelar apanr.
 Bu drivraleri elektron qurlulanndan ferqlendiren odur
ki, onlar girige daxil olan siqnallan giiclendirmirlor. Onlar
passiv xetti elementlerden tertib olunur ve onlann volt-am-
per xarakteristikalan (cereyanla gergintiyin asrhL!r) Om qa-
nununa uylun golir. Ona goro de bu dovreleri elektrik siq-
nallannr qeviren va formalaqdrran xatti qurfiular adlan-
drnrlar.
Praktikada bele xetti qurlularrn terkibinde qeyri-xatti
elementlor de m<ivcud olur, ancaq onlann xiisusiyyetleri
quriulann iginin esasrnr tegkil etmediyindan ve bir n<iv esas
prosesi tahrif eden amiller kimi ciziinii gdstordiyindon onla-
rrn roluna miihiim ehemiyyet verilmir.
Yerine yetirdiyi vezifelere g<ire xetti qurlulan agagr-
dakt novlero bolmok olar:
l. Siqnallarrn davamiyyetini geniglandiren inteqralla-
yrcr diivralar.
2. impulslann davamiyyetini qrsaldan ve siqnallan di-
ferensiallayan diferensiallayrcr diivralar.
3. Siqnallann amplitudunu deyigan rezistorlu ve
rezistorlu-tutumlu biiliiciiler.
4. impulslann polyarh[rnr ve amplitudunu deyigdiren,
impuls drivrelerinin bir-birindon aylran, impuls generator-
lannda ve formalagdrncrlannda miisbot eks elaqe yaradan,
dtivreleri yiike gcire uzlagdrran, bir nega grxr$dan impulslar
ahnan impuls transformatorlan.
5. Formaca miirekkeb elektrik siqnallarrndan verilmig
tezlik oblastrnda yerlegen toplananlan segib ayrran ve diger
tezlik oblastrnda yerlegen toplananlarin qabafrnr kesen
elektrik siizgoclori.
6. Formasr diizbucaqhya oxgar, davamiyyeti gox sabit
olan impulslar yaradan xatti formalagdrncl diivraler.
Xetti qurgular hansr elementlerdo to$kil olunmaqlann-
dan asrh olaraq RC, RL ve RLC dovrelerine bdliiniir.
 Elektrik dovrelennin girige verilen siqnallar iizerinde
gewilmeler apardrlrnr nezere alaraq iimumi halda onlann
riyazi modelini giriqe verilen siqnahn (tesirin) gtxtgda altnan
siqnala /reaksiyaya/ eldaqesi kimi tesvir etmek olar:
Ut,'A)=T'Ut;,(t)
burada ?-d<ivrenln operatorudur.
Operatorun esas xiisusiyyetlerini nezare alaraq onun
vacib xiisusiyyetleri haqqrnda aga!rdakr miilahizeleri etmek
olar:
1. Oger T[Uri"t ft)+Usi,z O)+...+Usi,N O)J=Tuiil ft)+...+
+Turr* G) nisbeti eynidirse, onda dovreye xatti diivre de-
yitir. Goriindiiyii kimi, dovrenin xettiliyi gtxrga verilen ayn-
ayrr siqnallarrn tesinniin bir-birinden astlt olmast ile ifade
olunur.
2. Oger girig siqnahnrn siirtigmesi grxrg siqnahnrn da
bele siirtigmesina gotirib grxararsa (Ur*A t Q:Tusi,O t taD,
onda ddvre stasionar diivre adlanrr. Goriindiiyii kimi stasi-
onar dcivre girig siqnahnrn gelme miiddetine g6re deyigmez
(invariant) olur. Terkibinde parametrleri zamandan astlt
elementler (induktiv sarfiac, kondensator ve s.) olan dcivre-
ler stasionarltq xi.isusiyyetlerine malik olmur.
Tutaq ki, xetti stasionar dovrenin girigine t/r; (4 sig-
nah verilmigdir. Drivrenin bu siqnala gostordiyi reaksiyanr
oyrenmek ilgiin delta-funksiya anlayrgr daxil edek. Delta
funksiya vahid saheli sonsuz kigik davamiyyetli impulsun
yazrlrgrdrr. Bu funksiya (Xt)) tfl qiymetinde sfra, t=0
qiymetinde ise sonsuzluga gevrilir, ona gore

)drt W = t.
Buna misal ampliniau davamiyyetile ters miitenasib
(Ilt)olan diizbucaqh impuls ola biler. l,--+ 0 olanda impul-
sun amplitudu sonsuz art1r. Ancaq sahesi sabit qahb vahide
beraber olur.
 Delta funksiyasrnrn siqnah siizmo xiisusiyyeti bele ifa_
_
de olunur:
?

lu(t ) 6( t t" )dt

_
= u( t,, )

, Bagqa. s6zle, ixtiyln funtsiya ntn flt-t)-a hasiiinin inteq-

rah bu funksiyanrn r-ro ndqtosindaki qiymetine beraberdir.
Buna_uygun olaraq xetti stasionar d6vrenin girigine ve_
..
rilen siqnal iigiin yaza bilerik:

uG):ju7)6(t -t)dt
inteqral cemin hridud [iymetini gostordiyindon giri$
siqnalna bir-birinden r qeder siirtigdiirtilmiig ve amplitud_
lan hemin e anlannda siqnahn uylun qiymetlerine beraber
olan delta-impulslann sonsuz ardrcrlhgr kimi baxmaq olar.
Oger ddvrenin.delta impulsun tesirine gosterdiyi reakiiyanr
miieyyen etmok mtimiiktindtrse onda dtivrenin xetti ve sta-
sionar. olmasr. esasrnda ayn-ayrl reaksiyalan toplamaq yolu
ile girige verilen her hansr tesiredici siqnahn grirEda cavabr_
nr almaq olar.
Driwenin girige verilen delta impulsun tesirine grxrg-
dakr cavabrna onun impuls (ve ya tegid) xarakteristikasr
h(t) deyilir.
, Girige tasir gdstoron ixtiyari siqnala gcisterilen grxrg
reaksiyasr agagrdakr inteqralla ifade olunur:

u(0= lust, ft)h(t-rNr

vo ya

u$( t ) = lu r,,( t - t )h( t )dc.

Girig siqnatrnr Furye inteqrahna ayrraq:

 l*c
ls r,,{ a )r''
u,,,(o = da-
;
Ftt-tileevaz etsak ve-gtnxi atsaq alanq:

ur,(t -t)=fiI1 )s,,, {.)"''"-"d,

Bunu zr-(4-nin u*r.,rr"t ifld",inde yerine yazrb inteq-
rallama qaydasrm deYigsek
t,
,n, = I:-(; Is (@ )eia(t-'i)d@ )h(r ) dt =

= 2Ll,
tt
r r,i*,, u i,, d r ) e'* r,)
-t^
ahnar.
M<iterizedeki inteqral tezliyin kompleks funksiyasr ol-
+:
dugundan !4c 1e-i" at = r(1jar7 igare edak.

Goruniir kr, R(ia)) ddvrenin impuls funksiyasr iigitur

diiziine Furye gevirmesinden ibaretdir. impuls funksiyasrmn
diiziine Furye gevirmesine diivrenin tezlik iitiirma emsah
tezlik xarakteristikasr deyilir.
- kompleksifadeni
ve ya
Axtrrnct ondan evvelkinde nezere alsaq
I'e
u O=+
,n .lS(
at) R( iot )
"i'
aa

alanq.
Ahnan ifade grxrg siqnah iigiirn eks Furye gevrilmesrne
uygun gelir. Ona gore de
S(at)R( ja)= S( al,
bagqa sdzle, tezlik 6ttirme emsah girig vo glxr$ siqnallanrun
spektral srxhqlan arastnda miitonasiblik emsahdrr.
Teztik dtiirme emsah adeten iistlii formada yaztltr:
k1ia1= k( olsio'r't
 Burada K(a)=l f6 otl l -aOrr.nin amplitud-tezlik xa-
rakteristikasr, go fu)-faza-tezlik xarakteristikasrdrr.

Siqnallann elektrik diivraleri vasitesila

1.5.
gevrilmesi ve iitiiriilmesi prosesleri

Deyildiyi kimi, melumatrn elektnk siqnallarr vasitesile

otliriilmesi (verilmesi) siqnallann elektrik parametrlerinin,
formalannrn deyigiimesi ve ya bu siqnailann elementlerinin
qargrhqh qerti yerlegdirilmosi yolu ile heyata kegirilir.
Melumatr siqnallann fi ziki parametrlerini deyiqmekle
titiirerken melumatdagryrcl parametr kimi harmonik siqnahn
amplitudu, tezliyi ve ya fazast, impulsun fasilenin amplitu-
du, polyarhgr ve davamiyyet, tezlik ve polyarlagma miiste-
visi ola biler. Buna uylun olaraq, agalrdakr melumatdagryrcr
elametler mrivcuddur: amplitud, polyarhq, zaman, tezlik
ve faza alametleri.
Ottirtilen melumata uyfun olaraq elektrik siqnahnrn bir
ve ya bir nege fiziki parametrlerinin deyigilmesi prosesine
modulyasiya deyilir.
Modulyasiya neticesinde siqnal bir nrivden digerine
gewilir. Bu zaman modulyasiya eden siqnal melumatr dagr-
yan siqnahn bu ve ya diger parametrino tesir edib onu ele
deyigdirir ki, o, modulyasiya eden siqnahn melumatrnrn
megzini tjziinde eks etdirsin.
Modulyasiya modulyasiyaedici (melumath) X(r.) siqna-
lrn (pek. 1.8a) melumatr dagryan (daqryrcr) tl(t) siqnala
(gekil 1.8.0) tesiri neticesinde elde olunur ve gcirtindiiyii
kimi neticevi Z(t) siqrrah (gekil 1.8.c) oznnd,e X(t) siqnahnrn
megzini eks etdirir.
Harmonik siqnal x(t)=A"cos(a"t -g) qeklinde tesvir
edllir. A. a, g. harmonlk reqsin amplitudu, bucaq tezliyi
ve baglan[rc fazasrdrr.

3I
 impuls siqnah ise bele tesvir olunur:

x(t) = 'a'ix'(t-'o- iTo)

A", t, ve I, -x(l) impulslarrnrn amplitudu,baqlanfrc

fazasr (baglan!rc ndqtoyo g6re siiriigme) ve periodudur.
x(+)

x*,
0
,fW#
7ft)
z(*) tY&)

44

$akil 1.8. Harmonik siqnallann modulyasiyast

Proseslarin zaman diaqramlart

Melumat dagrytctsrnt hem daqryrcr reqslar, hem de

impulslarln dagtyrcr tezliyi adlandrnrlar. Buna gore de mo-
dulyasiya harmonik ve impuls modulyasiyasrna boliiniir.
Harmonik modulyasiyada modulyasiya eden harmo-
nik reqslerdir ve modulyasiya edilen (modulyasiya netice-
sinde diyigilen) parametrlerden asrh olaraq amplitud, tezlik

32
vo faza modulyasiyasr (Sokil 1.8) m<ivcuddur. Bunlann
kombinasiyalarr da praktikada istifade oluna biler.
Impuls modulyasiyaslnda dagryrcr rolunu impulslar ar-
drcrlh!r oynayrr. Modulyasiya eden paramekden asrh olaraq
amplitud-impuls (AiM), enina-impuls (EiM), zaman-im-
puls (ZIM) ve faza-impuls (FiM) modulyasiyalarr mov-
cuddur.
Amplitud impuls modulyasiyasrnda modulyasiya
edon X(t) funksiyasrna uylun olaraq impulslann amptitudu
deyigir. Bu modulyasiyanrn bir halrnda (AiM l) impulslarrn
formasr diizbucaqh qalrr yalnrz onlann amplitudu (htindiirlii-
yii) deyiqir (9eki1 1.9), digerinde isa (AiM 2) her impulsun
tepesi modulyasiya eden funksiyanr tasvir eden eyrinin mti-
vafiq sahesini tesvir edir. Tezlik-impuls modulyasiyasrnda
impulslann tekrarolunma tezliyi deyigir. Burada adeten ya
impulslann davamiyye-
ti, ya da onlann srxhgr x(t)l
sabit qalrr.
Enin+impuls mo-
dulyasiyasmda ise l<i
halda modulyasiya eden "ivrh n I nn- !
fiurJ<siyadan asrh olaraq
yalnlz impulsun arxa ^vrLn||n--
.t
I
cebhesinin, diger halda rrMrhnnn nnnn I
ise simmetrik olaraq hem
on, hem de arxa ceb-
hesinin veziyyeti deyigir.
Impulslann tekarolunma
periodu her impulsun or- I

tasma g6re teyin edilir. tl

Faza - impuls mo- 1.9. impuls siqnallannrn mo-
$akil
dulyasiyasrnda modul- dulyasiyasr proseslarinin zaman
yasiya eden funksiya diaqramlan

33
impulsun formastnt ve parametrlorini deyigmir, yalmz za-
man oxu iizre impulslann veziyyetini stiLriigdiiriir.
Bezen impuls modulyasiyasrnrn bir n6wii kimi kod-im-
puls modulyasiyasr da istifade edilir. Burada impuls qrupu-
nun kcimeyi ile diskret xeberlerin kodlagdrnlmasr (koda
gevritmesi) ve <itiirtilmesi prosesi ba; verir. Lakin yuxanda
adlarr qekilen modulyasiya novlerinden ferqli olaraq kod-
impuls modulyasiyast arastkesilmez xeberlerin otiiriilmesi
iigtn istifade edile bilmir. Ona gore bu iisula modulyasiya-
nrn bir ntivti kimi yox, kodun komeyile diskret xeberlerin
6tiiriilmesi iisulu kimi baxmaq iaztmdtr.
Melumahn miixtelif simvollann ve ya onlara uyfun
siqnallann kombinasiyasrna gevrilmesi prosesine kodlaqdtr-
ma deyilir. Her konkret xeberin miixtelif simvollann (ve ya
uyfiun siqnallann) kombinasiyasr ile miiqayise qaydasrna
(alqoritme) kod deyilir.
Kodlagdrrma prosesinde dtiirtilen xeberlerin her bir
qoxluluna verilen simvollar ardrcrlhlrna kod siizii deyilir.
Otiiriilen xaberler bir srra simvollann komeyi ile yazrlrr ki,
bunlara da l-ci elilba deyilir. Xeberlerin koda gevrildiyi
simvollara ise 2-ci elilba deyilir.
Her hanst koda gore xeberin mozmununun berpa olun-
masr prosesine kodsuzlaqdlrma deyilir. Kodsuzlaqdrrmanr
heyati kegirmek iigiin esas gert 2-ci elifbadakr kod sozlerini
1-ii elifbanrn kodlagdrntan simvollanna birmenah gekilde
-
qargrhqh uygun gelmesidir.
Kodlagdrrma iigiin bir qayda olaraq reqemli siqnallar-
dan istifade olunur, bagqa sozle reqemli kodlaqdrrma apa-
n1r.
Kodlagdrrma zamanr otiiri.ilen melumat impulslann
tezliyinden, amplitudundan ve davamiyyetinden astlt olmur'
Kodlagdrrma prosesi aynlmaz suretde arastkesilmez
kemiyryetlerin diskret kemilyetlero gevrilmesi ila baghdtr'
Bele gevrilmenin esasrnr diskretlegdirme (zamana giire
kvantlama) ve bunlann toplusu-kombine edilmig kvant-
lama teqkil edir.
Zamana giire diskretlagdirma aramsrz X(t) siqnahnrn
bu siqnahn adeten biri-birinden beraber (gekil 1.10 b) ferq-
lenen ve ya deyigen (gekil 1.10c) T zaman pargasrna uylun
gelen ani Xa ft?) qiymetlerinin ardrcrlhgrna gevrilmasine
deyilir.
lki qongu disketleqdirme anr arasrndakr zaman arah-
lrna diskretlaqdirme addrmr (zamana gtire kvantlama)
va ya saviyyaya giira kvantlama addlmr deyilir.

$ekil I . I0. Zamana gdro diskretlasdirmo prosesi

Kvantlama addrmr 7 ele segilir ki, diskret funksiya

miimkiin qeder aramsrz funksiyanr deqiq tesvir etsin, yeni
kvantlamada aramslz funksiyada olan melumat miimkiin qe-
der az itsin. Kotelnikov teoremina giiral tezliyinden ytik-
sek tezlikli toplanalara malik olmayan X(r,) zaman funksiyasr
tamamilo riztiniin bir-birinden I/2f. intervah qeder farqla-
nen anlardakr qiymetleri ile teyin edilir. Belalikle, eger
faydah X(t) siqnah I tezliyinden yiiksek tezliklere malik
d,eyllse T=1/2f" addrmr ile kvantlagdrrma apararaq diskret.
funksiyanrn aramsz funksiyanr deqiq tesvir etmesine zemin

35
yaratmaq olar. Ba$qa sozle, bu halda kvantlamada melumat
itkisi olmur:
,r,,
=,1 !=1; k = t,2,...n
L2T")
Onu qeyd etmek lazrmdrr ki, teorem siqnahn diskret
qiymetlerinin segilmesi arastndakr intervallan miieyyen
edir. intervalrn 1 /2f"-qiymatine nisbeten qtsaldrlmasr miim-
kiindiir, lakin menasrzdtr, l/2f.-den yuxan arttnlmast ise
miimkiin deyildir.
Kotelnikov teoremi aramsrz funksiyamn srraya (Kotel-
nikov srrasrna) aynlmastna esaslantr:

'{tt=it*rt!9!*
r=a a"(t-kT)
Burada al" aramslz
funksiyanrn spektrinin
mahdudlagdrrrcr tezli-
yidir.
X(ftIl qiymetleri-
nin ardrcrlhgr qefese
gekilli funksiya tegkil
y(r,y(t)) edir. go(t)=[sin a, (t-kT)]
I t r+(t-kT)l ise qiymetle-
rin funksiyasrdrr. Bele-
llkle, X(t) tunksiyasr
esas (baza) go(t/ funksi-
yalan sistemi iizre Ko-
telnikov srastna aynhr,
X(kT)-nin diskret anlar-
dakr qiymetleri ise ayrr-
ma emsallanna beraber
gakill.l l- Aramsrz funksiyanm olur.
Kotelnikov srrasma awlmasr

36
 g kO) qiy matlor fu nksiyasrnrn agalrdakr xi.isusiyyetleri
vardr:
1) r-lr? anrnda funksiya vahide beraber olan en bcivtik
qiymeti alrr;
2) FnT (n/<)anrnda funksiya srfia beraber olur:
3) funksiyalar sonsuz briyiik zaman intervahnda orto_
qonal olurlar.
Aramsrz fu nksiyanrn Kotelnikov srrasrna briliinmesinin
praktiki mahiyyeti ondadrr ki, rabite kanah vasitosila gdrii_
11119!_t_etum
otan qiymetler funksiyasr yox, yakv qefeieqe_
\lliX(kq tunksiyasrnrn qiymetleri otUrrittir Gokil l.l1).
Qiymet f.rnksiyalannr gekilerile toplamaq yolu ile ilkin
aramsrz funksiyanr olde edirik.
...
X{t) siqnahnr berpa etmok iigiin 0-dan f-ye qeder
tezlik_ buraxma zolagr olan algaq tezlik stizgecinin girigine
siqnalrn tTkT anlannd,akr diskret qiymetlerine uygu-n ensiz
impulslar ardrcrlhfir vermek lazrmdrr. Tebiidir ki, ieal algaq
tezlik siizgecinin xarakteristikalanmn idealdan ferqlenmesi
neticesinde aramsrz funksiyanrn berpasrnda xetalai emele
golir.
. Aramsrz deyigen kemiyyetin pille-pille deyigen ke_
miyyete gevrilmesine saviyyaya giira kvantlama devilir.
!u h,alda pillelerin <ilgiileri sabit ve ya deyigan ola tiler
$ekil 1.12a,b). icaze verilen kvantlami sevi-yyelerinin sayr
ra siqnahn maksimal seviyyesi X^^ va siviyyaye grire
kvantlamanrn addrmr /XJa mtioyyon edilir: m=X,,JA)(.
Kombine edilmig kvantlamada aramsrz X(t) iiqnatr za_
r-nar]a. vo seviyyeye 9610 kvantlantr. Burada aramsri siqnal
funksiyasr biri-birinden zamana gcire kvantlama addmi (I)
qeder aralanan diskret qiymetlerle avez edilir ve onlann
amplitr:dlan on yaxrn kvantlama seviyyeleri ile mileyyen
edilir.

37
 $ekil 1.12. Seviyyeye g<ire diskretleqdirme prosesi

Deyildiyi kimi, kvantlanml$ aramslz siqnal xeta ile

berpa olunur vo xota kvantlanmlq diskret impulslarrn qiy-
moalori ile <ilgme nciqtelerinde aramstz siqnahn qiymotlori
arasrndakt ferqle miieyyen edilir. Kvantlanma xatasl (ve
ya kvantlama kiiyii) kvantlama kiiyiiniin giicii ile (texmi-
nen) tayin edilir:
on'=fn2
Diskret kodlagdrrma delta modulyasiyada ve impuls
kod modulyasiyasrnda bilavasite istifade olunur.
Delta modulyasiyada aramstz ilkin siqnal izleyici pil-
levari siqnalla approksimasiya ediiir. Bunlann bir-birine uy-
lunlufu zamana g<ire kvantlama addtmt I ve seviyyeye
go-
re /)(
ila teyin edilir (gekil I . 13).
Pitlevari G(t) siqnalnrn funksiyasrna uy[un olaraq
onun pille-pille deyigdiyi anlarda modulyasiya edilmig X7,"
siqnati alanrr. Bu siqnal G(t) funksiyamn deyigme istiqame-
tinden asrh olaraq miisbet ve ya menfi polyarhga, sabit am-
plituda ve davamiyyete malik tek impulslar geklinda olur'
^Bu
impulstar cari segilme ile onun qarqrda gdzlenilen qiy-
 motleri araslndakr ferqin igaresini tesvir edir. earErda goz-
lanilen qiymet kimi bundan evvelki segilmonin kvantlanmrg
qiymeti goti.iriiliir.

x(t),ek)

b) itl"tul.ililtil.Jll.ll.ll
0l 0 tlt l0 Ul t& tO l0
"r
$okil1.13. Diskrer mo- gokil L l4. impuls-kod mo-
dulyasiya prosesi dulyasiyasr prosesi

Belelikle disket modulyasiya edilmig xeber her noq_

teda birmertebeli ikilik kodla kodlanrr.
impuls-kod modulyasiyasrnda aramsrz siqnal evvel-
ca zamana ve seviyyaye gore kvantlanrr, sonra ise siqnahn
seviyyesinin her diskret qiymetine miivafiq kod kombinasi_
yasr agrlanrr. Belelikle, ilkin xeber diskret qiymetlere uylun
kod kombinasiyalan ile <itiir[liir. Bu kombinasiyalar aramsrz
X(r,) siqnahnr tesvir eden diskret qiymetlere uylun gelir.
Kod kombinasiyasrnrn vahid elementlerinin sayr kodun
osasl n ve kvantlama seviyyelerinin sayr nr ile teyin edilir.
Impuls-kod modulyasiyasrnda adeten ikilik kod istifade
olundufiundan: n=logrm (va ya m=2)
Kvantlama addrmr 7 Kotelnikov teoremino grire teyin
edilir. Kvantlama seviyyelerinin sayr m isa z-nin miitieq
_
tam eded olmasrm nezare almaqla siqnahn lazrmi deqiqlikle

39
ifada olunmasr ile toyin edilir. Mesolen, tig mertebeli ikilik
koddan istifade edildikde n:3-dir. Burada impulsun olmast
l-o, olmamasr iso 0-a uylun golir ($okil l.i4a). Modul-
yasiya edilden siqnal X(t) 2":2t=8 seviyyeye boliiniir. Her
seviyyoye <iz ikilik kodu uygun gelir. Zaman oxunda bu kod
3 impulsdan ibaret kombinasiya ile tesvir olunur. Bu im-
pulslardan her biri bir kvantlama addrmr intervahnda h:t-
dufu movqeye uyfun olan "gekiye (20, 2I ve ya 22) mallk
olur. Verilmig kvantlama addrmrnda bu ve ya diger gekili
impulsun olmast kvantlama seviyyesini miieyyen edir. Ma-
seten 3 impulsun hamrstrun olrnasr (ikilik I 1 1 kodu) kvantlama
seviyryesinin 7-ye beraber oldufunu gosterir (gekil 1. 14 6).

1.6. Elektron qurfulartntn elektrik diivralarinin

esas xiisusiYYatlari

Yuxanda qeyd etdik ki, xetti dcivrelerde volt-amper

xarakteristikalan xetti xarakter dagryrr ve bu onu nezerda
tutur ki, dovrelerin parametrleri (miiqavimeti, tutumu, in-
duktivliyi) sabitdir ve tetbiq olunan gerginlik vo axan caro-
yandan asrlt olmur. Bununla elaqedar qeyd etmek laztmdrr
ki, konstruktiv iglenmesinden, siqnallann amplitudu ve ya
giiciinden asrh olaraq eyni dovreler hem xeui hem de qeyri-
xefti ola biler.
Xetti qurgular hem elektron qurfulannda, hem de
mikrosxemotexnikada genig istifade edildiyine gore onlann
bir gox xiisusiyyetlerinin oyrenilmesi vacibdir.
inteqrallayrcr diivre. Qrxrg siqnah girig siqnahnrn in-
teqrahna berabar olan d<irdqiitbliiye inteqrallayrcr diivra
deyilir. Girig vo grxrg siqnallan eyni vahidle dlgiilarse bele
d<ivrenin yerine yetirdiyi emeliyyat bu ciir ifade edile biler:
u,o(t)= K [ur,,(t)dt

Burada t( miitenasiblik erlsahdrr (saz-').

 On sado inteqrallayrcr dcivra rolunu kondensator vo ya
induktiv sarlac oynaya biler. Kondensatorlu ddvrede (gekil
1.15a) girig coroyanr i, grxrg gerginliyi ise z. qebul edilerse
vo ilkin rr., = 0 $ertile

u"(t)= !-f'i1t1at
LJo
Burada girig vo glxlg siqnallannrn vahidleri miixte-
lifdir. R
Girig siqnah kimi ur,ft) .---c....,-
grittirlilarse kondensatoru dol-
duran i(t) coroyanr rt miiqavi-
\;T_
motindon axrr. Bele mtiqavi-
LP,",,, fu",!,,'fu''"
met rolunu siqnal menbayi
olan gerginlik generatorunun
grxrg miiqavimeti rolunu oyna- 4
ya biler. (gekil l.l5b). rR mii-
qavimetinin olmast dovreni
tam inteqrallayrcr yox, kvazi c)

inteqrallayrcr d<ivreye gevirir

("kvazi" sriziinii demek olar ki,
kimi qebul etmek olar):
O:u'*(t) o
i - i,=in =ut"
$ekil l. I 5. inteqrallayrcr d<ivra
(c,b) va impuls siqnallannrn
4 ft
= r, - ) =
J-R
c, !
f *, t,0) - u e -( t)l d t inteqrallanmasr (c A, d)

Oger ur,,(t) <<t si,ft) gerti temin edilerse

u*(t) x
.
1 ',
0: RC
,luetqdt.
Demeli, inteqrallamanrn iimumi gerti ue*0) <<tsi,O _
nin ridenilmesidir.

4t
 Harmonik giriq siqnahm (u ri,ft) =u^cosa) inteqral-
layarken 900 faza siiriigmesi ahnrr, giinki kosinusoidal funk-
siyanrn inteqrah sinusa uypun gelir. Bele faza siiriigmesi o
vaxt tomin edile biler ki, i(t) corayam fazaca usi,o) Eor-
ginliyi ile iist-iisto diiqsiin. Onda kondensatordakr gerginlik
Iereyandan ve uylun olaraq girig gerginliyinden 900 geri
qalacaqdrr. u,i,ft) va i(t)-nin eyni fazada olmast aktiv R ve
tutum & miiqavimetlerinden ibaret d6vrenin miiqavimeti-
nin aktiv olmasrnt, yeni -R>>X. olmastnr teleb edir.
X ;l/a{hTl2 il oldufurdan bu berabersizliye HC >)T
$orti ekvivalent olacaqdtr. Demeli, RC dovresinin zaman
sabiti harmonik reqsin periodundan gox-gox boyiik olmalt-
drr.
impuls siqnahnr inteqrallayarken inteqrallama gerti
O>>rkimi ifade olunacaqdtr. Burada nezare almaq laztmdrr
ki, impulsun spektrinde hemige a;--0 n<iqtesinin etrafinda
yerlegen ele kigik tezlikler ola biler ki, onlar iiqiin d>>7
gertini 4mn son qiymatinde odemek miimkiin olmasrn.
Neticede spektrin algaq tezliklerinin qeyri-kafi inteqrallan-
masrndan spektral xeta emele gelir. Bu ise zaman xataslnl
yaradrr. Spektrin algaq tezlikleri esasen impulsun tepesinin
iormalagmastna tesir g<isterdiyinden zaman xetast impulsun
tepesini inteqrallayarken nozoro qarpacaq hedde, impulsun
rin cebhesine yaxrn saheleri inteqrallayarken isa gox kigik
olur.
Tutaq ki, inteqrallayrcr ddvrenin girigine analitik
olaraq agalrdakr kimi ifade edilen tek impuls verilir (9ekil
1 . 15c):
--@< t <0 olanda u(t)=0;
|St <t olanda u(t)=U ^:
xt <o olanda u(t)=o;
6z;tt de U^=E-dir.
 Qrxrg gerginliyi zrr(4 funksiyasrrun inteqrahna bera-
ber olacaqdrr:
t<0 olanda uehQ) +
0<t <r olanda
u*(0=xtrat=n*7
t>r olanda ur*(t)=Ek rconst.
Ideal inteqrallayrcrnrn grxlg gerginliyinin qrafiki gakit
1.159-da gristerilmigdir. Real ddvrede grxrg gerginliyi .E am-
plitudlu impuls yaradan menbeden R rezistoru vasitesile
kondensatorun dolmasrndan ahnan gerginliye beraber olur:
tcO olanda uc*0)=0;
0St Sr olanda ur,,(t)=E(t-eto);
!>r olanda U rJt)= E11-e''e1s'(o'e.
Real d<ivrenin grxrq gerginliyinin qrafiki gekil 1.15d-
de gosterilmigdir.
Dtizgiin inteqrallama gertine (0>>z) esasen girige
impuls tesir eden mliddetde grxrgdakr gerginlik bele ifade
olunur:

'eE!,
u,.,.{t): Ett -e-/e 1-
Goriindiiyii kimi, evvelce u r,,(t) demok olar ki xetti
olaraq deyigir, bu halda 7d miitenasiblik amsah (,1! rolunu
oynaylr. r-nin qiymetleri artdlqca inteqrallama sehvi artrr ve
eksponensial gerginlik getdikco gerginliyin deyigmesinin
ilkin sahesine uylun diiz xetdan ferqlenir.
Real ddvreni ideal d<ivreden ferqlendiren odur ki: a)
inteqrallama yalnrz girig impulsunun on cebhesi etrafinda
,<<d hahnda diizgiindiir, , artlqca inteqrallama xotasl artlr:
b) real dcivre sonsuz "yaddaga" malik olmur, eger ideal
driwede r>rqiymetlerinde ur*(t)=const olursa, real dovrede

43
impulsun tesiri kesilendon sonra kondensator bogahr ve
gerginlik eksponensial qanunla azalrr.
Dovrenin zaman sabiti na qodor btiyiik olarsa 0< r<r
intervahnda grxrg siqnahntn xattilikden ferqlenmesi bir o
qeder kiqik olar. Qrxrg siqnahnrn amplitudu d<ivrenin zaman
sabitina ters miitenasib olur'. U**$dA Qrxrg gerginliyinin
amplitudunu kigiltmekle inteqrallama deqiqliyi artrnhr.
inteqrallayrcr dtivrelar analoq hesablama magtnlannda
inteqrallama emeliyyatrm yerine yetirmek, qida ddvrelerin-
de impuls engelleri olarken doytinmeleri hamarlamaq, diiz-
bucaqh impulslan i.igbucaqh impulslara gevirmek ve
impulslann davamiyryetini geniglendirmek iigiin istifade olu-
nurlar.
Diferensiallayrcr diivre. Qrxtg siqnal her bir anda gi-
ng siqnahmn tdromo-
sine beraber qiymetler
"r,Tr?'-21
*--') t ue"(t) u.,.(t) olan dovreye diferen-
siallaylcr diivre deyi-
lir. Meselen, eger girig
vo glxrg siqnallan ger-
ginlik olarsa, onda

urr,(t)=KduPi'.
. dt
olmahdrr.
(emsaltmn va-
hidi miitleq saniye o1-
d) mahdrr, bagqa halda
sa! ve sol hissede va-
hidler eyni olmayacaq-
drr.
ideal diferensial-
$ekil 1.16. Diferensiallayrcr d6vra (a,b)
ve impuls siqnaltntn diferensiallanmast
layrcr rolunu konden-
sator vo ya indukiiv sarlac oynaYa biler. Kondensatorun gi-
 rig siqnahnr uti,O) gtxt$ siqnahm i(r/ qobul etsak, bunlann
alaqesi bele ifade olunar (gekil 1. 16a):

irtl =c!L::-,
yeni cereyan d6vredeki gerginliyin triremesine miitena_
sibdir. Ancaq bele ddvrani praktiki meqsedler iigiin istifade
etmek miimktin olmur, giinki bu drivrede cereyanrn qiyme-
tini bu ve ya diger qaydada 6lge bilen elemeni yoxdur.- Ona
gore de. grxrg siqnah mtigahide oluna bilmir.
erirg siqnahnr
miigahide ve qeyd etmek iigiin rahat olan gekiide almaq
meqsedile d<iweye R miiqavimeti qogulur (9ekil 1.16b). Onun
gerginliyi coroyana miitanasibdir: U*=lfi .
Gerginliyin zamana grire deyigmelerini her hansr bir
cihazrn (meselen osilloqrafin)krimeyila izlemek olar. Bura_
da da qeyd etmek lazrmdrr ki, .R miiqavimetinin elave edil_
mesi d<iweni diferensiallayrcrdan kvazidiferensiallayrcr dtlv_
reye gevirir. Do$rudan da bele dcivre iigiin

i
du d I u r"ft) - u'-(ol
-- i-c
'dt-dt" = c
u*(t)]
u,-(t) = iR = *rd[ur"0):
dt

Qrxrg. siqnahnrngerginliyi usnQ)_uc..G) forqinin t6ro_

mesine miitanasibdir. yalnrz ur*G)'.. ur,,i1 ha\ida
d" t'-t
(r)
u,- (t) x e
dt
ahnrr. Belelikle, girig siqnahnrn dtizgi.in diferensiallanmasr
yalnrz bu gert <idendikde mi.imki.indiir.

^ Girige harmonik u n,ft)=U ^cos

t-erensiallama siqnahn fazasrnrn
(E siqnah verilende di_
900 siirtigdiiriltmesine uy_

45
gun gelir (kosinusun t<iremesi sinusa miitenasib oldugun-
Ian).-Gcistenlen RC dcivrosinde 9rxr9 gerginliyinin 900-ye
yaxrn siiriigmesini yalmz coroyamn dovrede tutum xarak-
ierli olmasr hahnda elde etmok olar (cereyan verilen gergin-
liyi 900. qabaqtamahdr). uo*G)=iR gerginliyi cereyana mii-
tenasib ve onunla bir fazadadr- sinfazdtr. Coroyanln tutum
xarakterli olmasr iigiin dijvrenin miiqavimetinin osasen tu-
tumla miieyyen edilmesi vacibdir: XS>4, X;l/ot=T/2 ttC
oldugundan X2R gerti T/2 r>>RC gertile ekvivalent olur
ve ya 0<1I ahntr. Bu axtnnct ifade diferensiallayrcl ddvro-
nin harmonik reqslerin diferensiallanmasr iigiin zaman sabi-
tini tapmaga imkan verir.
impuls siqnallarrm diferensiallayarken bu axrnnct gert
spektrin impulsun enerjisinin eses hissesini tiz{inde daqryan
biitiin harmonik toplananlar i.igi.in yerine yetirilmelidir. Oger
enerjinin esas hissesinin toplananlardan 1-cisinin payma
diigdtiytinti nezere alsaq, onda spektrin en yuxan tezliyi ki-
mi periodu Tr=rolan 9=2 d r tezliyini gdtiirmok olar' Onda
diferensiallagma gortine g610 0<1I, ve ya 0<<t yzmaq
olar.
Bu berabersizlik <idenerse spektrin nisbeten algaq
tezlikleri iigiin diferensiallama gertleri evvelcaden yerine
yetiriiecekdir. Lakin spektrde a1-den de yiiksek tezlikler
m6vcuddur. Qi.inki bu tezlik $arti olaraq "y.rxan" kimi qebul
edilmigdir. Spektrin 2-ci,3-cii vo s. toplananlannrn tezliyi
2dr-den yi.iksekdir. Lakin impulsun bu toplananlann payt-
na diigen enerjisi o qeder de boyiik deyildir. d*C-nin son
qiymetinde hemiqe impulsun spektrinde ele harmonika
taprlacaqdrr ki, 0<<I gerti ondan baglayaraq daha odenme-
yecekdir. Bu hatda yiiksek tezliklerin qeyri-kafi diferensial-
iunma., neticesinde spektral xeta emele gelir. Spektral xota
zaman xotasrna gevrilir. Spektrin yiiksek tezlikleri impulsun
on cebhesini formalagdrrdrgrndan vo onun tepesinin xarak-
terine az tesir g<istardiyindan bu zaman xotast esasen im-
pulsun <in ve arxa cabheleri etrafinda ciziinti gosterir. Mese-
lon, ui,(t):E-l(t) pillevari gerginlik tigiin (gekil 1.16c) t=0
ndqtesinde dUri,()/dt ------- o (gekil 1.i69), qalan n6qtelerde
ise t<ireme srfra baraberdir.
Real RC dovresinin grxrgrnda gerginlik u$O)=aR eks-
ponensial asrlhqla ifade olunur (gekil I . 16d)
r<0 olanda ur*(t)=0;
f20 olanda u r-(t)=E e-/e.
Ideal diferensiallayrcr ve real RC drivresinin siqnal-
lannrn maksimal ferqlenmesi l=0 n<iqtesinde miigahide olu-
nur: ideal driwe i.igr.in grxrg siqnaL sonsuzdur, real ddvrede
ise ,E gerginlik pillesinden artrq ola bilmez. 3RC intervah
erzinde diferensiallama xetasr (sehvi) getdkce azafu; t>jRC
olanda real vo ideal dcivrelerin grxrg siqnallarr eyni ve srfra
beraber olurlar.
Diferensiallayrcr d<ivreler analoq hesablama magrnla-
nnda riyazi diferensiallama emeliyyatrnr aparmaq, harmonik
siqnallann fazasrnr miieyyen 900-ye yaxrn bucaq qeder
dondermek iigiin ve qrsaldrcr dovreler kimi istifade olunur.
Impuls transformatoru. Ferromaqnit niiveye malik
olan ve impuls siqnallannrn ritiiriilmesi iigiin igledilen trans-
formatora impuls transformatoru deyilir. Bele transforma-
torlarda ferritler va ya permalloy esasrnda iglenmig ifrat
maqnitlegmeye itkilen az olan ntivelerdan istifade olunur.
D<ivreleri ayrrma fu nksiyalanndan elave bele transformator
hem de impuls siqnallannrn polyarhgrnr ve amplitudunu
deyigir, miiqavimetleri uzlagdrrrr ve siqnallan bir-birinden
asrh olmayan bir nege ddvrenin giriqine vermek iigiin ayrnr.
Axrnncr halda transformator bir nega ikinci dolala malik
olur. impuls transformatorunun $orti tesviri gekil 1 .ll o-d,a

4',7
g6sterilmigdir. 1-ci dolala qoqulan impulslar menboyinin
gerginliyi maqnit selindan asthdrr:
dd
et=wr7'
2-ci dolagrn grxrgrnda gorginlik
dd
er=w27.
Buradan

e' =be
llt I "
vo ya e2=ner w,, wr, -dolaqlar sayr, n:wr/w,-gerginliyin
transformasiya omsahdtr.

$ekil L 17. impuls transformatorunun gorti tesviri (a);

siqnalt titiirma sxemt (b) ekvivalent sxemi (c) va
impulsun tapesini dtiirmo hah iigiin ekvivalent
sxemi (c)

Diizbucaqh impulsun impuls transformatorundan keg-

mosini ara$draq. Yiik elementlerinin 1-ci dolala getirilme-
sini dinamik Cr,. kimi va parazit rutumlan C, vo digor
olamarlari nezere almaq $ortilo siqnalr 6tiirnie sxemini
(qekil I. 176) gekil 1.17c-daki kimi tesvir etmek olar. Burada
-R, impuls generatorunun (iG) 9rxr9 miiqavimetidir. Genera-
tor amplitudu U^=E ve davamilyeti r olan impulslar ya-
radrr. I. -transformatorun sepelenme induktivliyi, L
n itlagme induk tivl iyi dir, C
^-maq-
r=C'r+ C 6,; R r= R n/nz ; C,r= n, Cy
Bele sxem iiq bir-birindan asrh olmayan realitiv enerji
toplayanrna (Co L. va L) malik olduluna g<ire 3-cii tertibli
diferensial tenlikle ifada olunur. Tenliyin ytiksek tertibi
transformatorda geden kegid proseslenni vahid analitik diis_
turlarla yazmala imkan verir. Ona grire proses iki hissoye
brili.iniir: "iti" geden prosesler oblastr impulsun rin ve ya ar-
xa cebhesinin citiiriilrnesine, yavag geden prosesler oblash
impulsun tepesinin ritiiriilmesine uygun geiir. Bu iisulla ki-
fayet eden deqiqlik saxlamaqla prosesleri ifade edan tenlik-
lerin tertibini azaltmaq miimkiin olur. Z_-de impulsun cin
cebhesi formala$an zaman caroyan dayigilmediyinden iti
proseslerin analizi zaman I--i ekvivalent sxemden grxanr-
lar ($akil I . t 79). impulsun rin cabhasinin formaLsmasr
merhelesinde grxrg gerginliyi R', qiymetini
almaga gall$rr. r,o = R'" + R,
,"
*,=#, '=*(t.+), ,=f+
Z emsahnrn qiymetinden asrh olaraq gerginliyin deyigmesi
reqsi (Zcl) , kritik (Z=1) ve aperiodik (Z>I) ota biler.
Prakikada 0.5<24 saxlamaqla kritik ve ya zeif reqsi
rejim elde edirler. Z=I hah tigtin impulsun cin cebhesinin
davamiyyeti Kr, Z, ve Qo den asrhdrr:

tt o 2 K tL,C
e

49
 impulsun tepesinin transformatordan kegmesini arag-
drraq.
0 4<tintewahnda generatorun e.h.q. sabitdir e(t):E=
=const. Gerginliyin ve coroyanln yavag deyigmelerinde
d i/dt '--> 0. Ona g<ire kigik qiymete malik ,L,-deki gerginlik

!-=0. Bundan
u = t-'dt elave ""--'' -ro ve ona gtire de
dt
kiqik parazit tutumun coroyanl
dL, tl
i""=c,"" -'' =o
dt
Bunlara esasen I, qlsa qapanml$ sahe, Q, ise aynlmrq
d6vre kimi qebul edilerek sxemden grxanltr. Sxemde yalnrz
bir reaktiv enerji yrlrcrsr L- qahr ve o, birtertibli diferensial
tenlikle ifade edilir. Bele sxem ardtctl qogulmug f,rR ddvra-
sinden ibaret olur ve ddvrenin impuls gerginliyinin amplitu-
du E", grxrg miiqavimeti R,; olur: E,n = ER', /( R, + Nr);
R,, = RrR, 4 Rt + R, ) ; FLJR,*
F0 arunda l--in
maqnitleqmo caroyanl, daha do[rusu
ft"1 I- dovresinde iimumi coroyan srfra beraberdir (gekil
1.18b).
tX) olatda Z.-in cereyanr artmala baglayrr ve hiidud
E ekponensial qanunla yaxtnlaqr:
"y'R";E/R;qiymatine
,rrt=lr,
Rt
-e-,,e )

Buna uylun Z,, -de gerginlik deyigir: U,,-,, (t)=E,'p''/0.

Fr anrnda bu gerginlik Ur,-r, ( t)=E.P'aq qiymetine
qeder azaltr ve maqnitlegme coroyanl
E
i(t)=a(l-e''e )
4
qiymetini ahr.
Impulsun tepesinin .E * se-
viyyesine gore azalmasr A:E"7
Il r-2Q)=E.fi -e-'d,l olacaqdrr. im-
pulsun toposi dti.iriilenden sonra
Fr anrnda E"o sfra qader aza-
lacaqdrr. Bu zaman maqnitlegme
corayanl I qiymetini ve istiqa-
metini iti deyige bilmediyinden
impuls qurtaran ilk anda i=i(t)
olacaqdrr. Sonra cereyan ekspo-
nensial qanunla azalaraq R.o-L^-
menbe d6vresinde qapanrr. Bu
zaman R.1 mtiqavimetinde qur-
funun govdesine gore menfi
igareli gerginlik diigkiisii yaranrr.
Gerginliyin menfi "quyru-
funun" amplinrdu bele teyin olu-
nur:

$ekil 1.18. impuls siqnalmrn

{J. -i(r)\o - \{ I -e-/o ).
transformatordan kegmasinin
diaqramlan
"Quyru[un" davamiyyeti maq-
nitlegdirme cereyanrmn srinme-
sinin kegid prosesinin davamiyyetine berabardir:
t,:3F3L./R.1
Qrxrg gerginliyinin tam qrafiki qekil 1.1Sc-de gristeril-
migdir.
Siizgecler. Elektrik siqnallannrn siizgecleri faydah ve
qeyri-lazrmi siqnallann qangrfirndan teleb olunan siqnahn
segilib 6ti.iriilmesi iigiin istifada olunur. Siizgeclerin siqnah
az zeifletdryi tezlik oblastrna buraxma zolafr, siqnah qox
zeifletdiyi tezlik oblastrna ise saxlama zola[r deyilir. Siq-
nahn giiclenmesi ve zeiflenmesi arasrnda ferq ne qeder bo-

5l
yiik olarsa siizme xiisusiyyetleri bir o qeder gox 6ziini.i
gOsterir.
Buraxma vo saxlama zolaqlannrn qargrhqh yerlegme-
sinden asrh olaraq siizgecler bir nege qrupa boliintirler:
1) Aqafir tezlik siizgecleri 0-dan her hansr a2 tezliyine
qeder buraxma zolafina ve her hanst bir ar., tezliyinden
sonsuzlula qeder saxlama zola[rna malikdirler.
2) Yuxan tezlik siizgecleri her hansr @, tezliyindon
sonsuzlula kimi buraxma zola{na ve 0-dan @d<q tezliyi-
ne qeder saxlama zola[rna malikdir.
3) Zolaqh siizgacler her hansr bir ar7 tezliyinden diger
oh<ar tezliyiro qader buraxma zola|na ve 0-dan @"11a7 vo
a,r<t4 -dan sonsuzlu!a kimi saxlama zola{na malikdirler.
4) Rejektorlu (qabaqkasen) siizgec 0-dan a, tezliyina
qeder ve ch<q tezliyirlden sonsuzlula qeder buraxma zola-
lma ve al.r-den a"z<a"ra kimi saxlama zolafrna malikdir.
Bu esas n<ivlerden
bagqa, her hansr bir bu-
uil:]Ti.,,, raxma zolafirnda siqnah
hem gticlendire, hem de
o zeiflede bilen korreksi-
'201qt ftf., yaedici siizgecler vo
b) otiirme emsah tezlikden
';lll asrh olmayan, faza sii-
riigmesi isa tezliye miite-
nasib olan faza korrek-
$ekil 1.19. Alagr tezliklor si.izgocinin
torlan da igledilir.
sxemi (a) amplirud-tezlik (6) vo Praktikada igladi-
faza-tezlik (c) xaraktedstikalan
len, miixtelif xarakteristi-
kalara malik miirekkeb siiegecler tipik si.izgeclerin yt!tmtn-
dan ibaret olur.

52
 Agafr tezlik siizgecleri agalr tezlikli siqnallan deyig-
meden 6ti.irtir vo ).uxan tezliklerde ise siqna! zeifledir ve
glxr$da giri$ siqnahna nisboton faza geciknesi yaradr ($akil
I . 19a). Si2gecin amplih,rd ve faza-tezllk xarakteristikalan bele
ifade olunur:
K(a)=
"lI+a'R'c'
ila)--arctg c,fr.C
Bu xarakteristikalar diaqramda gdsterilmigdir (gekil
1.t9b,c).
Burada .,[,-sarhad tezliyidir, bu tezlikde K(a)=I/yZ,
yeni 3db heddinde deyiqir.
K(al=ItJl -tt
yazaruq serhod tezliyinin qiymetini tapmaq olar:
f,,=(t/2D7,1,,=17249
Bu tezlikde faza siiriigmesi -450 tegkil edir.
gakilden gririiniir ki, am-
plitr.rd tezlik xarakteristikasrnr
iki asimptoh:n ktimeyile tesvir u,,-(t)
etmok olar:
I ) K( ar= I - bl f<{,, aqagr 0
tezlikliklerde siqnahn sonme- 'p
'u
mesine uy[un galir, (K(a)=
:0u)
2)Yuxan tezliklerde t!
f<{", olanda K(a)s1(rtiRC),
yeni giiclenme amsah tezlikle 0 0 bo ftf",
ters miitenasibdir ve tezlik l0
defe artarken K(a) I0 defe aza- $akil 1.20. Yuxarr tezlikler siizgeci
lrr, yeni dekadada 20 db ve ya nin sxemi (a) amplitud-tezlik (6) vo
faza-tezlik (c) xarakrerisrikalan
oktavada 6 db-e qeder azahr.

--53
 3) K(o):l/J, -buJ=f.,tezliyinde 3db sonmeye uylun
gelir.
Yuxarl tezlik siizgaci yiiksek tezlikti siqnallan deyiq-
meden iitiiriir, kigik tezliklerde ise siqnaltn sonmesini ve
girig siqnahna gdre fazastmn qabala diigmasini temin edir
(gekil I.20c).
Amplitud-tezlik ve faza tezllk xarakteristikalan (gekil
I .20b ve c) bele ifade olunur:
1
K(a)=
,!i;t /,'R'c' '
I
O(a) = arctg- -oRC
--

Serhed tezliyi 1,71/2tRC faza siiriigmesi (f", tezliyrn-

de) +450 teqkil edir.
Amplitud-tezlik xarakteristikasr iki asimptotdan ibaret-
dir:
l. Yuxan tezllklarde f>>f,, K(ar:I (stinme yoxdur).
2. Agagr teztklerde f<{.,- K(a)zalP'.C, yeni - giiclen-
me emsalt tezliye mi.itenasibdir, hem de asimptotun mailliyi
dekadada +20 db ve ya oktavada 6 db tegkil edir'
3. f-f", olanda K(a)= 1/ Jl, yeni amplitudun sonmesi -
3db tegkil edir.
Zolafh siizgec iki ardrcrl qoqulmuq yuxan ve aga[t
tezlik siizgeclerinden ibaretdir (9ekil 1.2 I a).

K(a)=
(' I -aRC)'z +9
aRC
p(a)=arctgl-aRC
j;*,
54
 Maksimal giiclenmo emsah arRC =1 qiymetinde eldo
edilir, demeli rezonans tezliyi f,=U2 dlC. Bu tezlikde faza
siirtigmesi srfra, gtiLclenme emsah Ko=1/3-e beraberdir.
Vin krirpi.isil RC tipli zolaqh silzgecdir ve miieyyen
tezlik oblastrnda siqnallan zeifledib saxlamaq iigiin istifada
olunur. RC siizgecine elave rezistorlu boliicii qogulmugdur
ve bu, 1/3Uri, -e beraber tezlikden asrh olmayan gorginlik
temin edir(gekil 1.22a). Burada rezonans tezliyinde grxrq
gerginliyi srfra barabar, amplitudtezlik xarakteristikasr isa
minimum qiymet alrr (qekil 1.226).

u,,.(t)
U"i,o
rU,,"(t)

45
0
-45
o
'90 -t5
-90

$akil 1.21. Zolaqh siizgacin sxemi (a) $ekil 1.22. Vin kdrpiisiiDiin sxemr
amplinrd-tezlik (D) vo faza-rezlik (c) (a) amplitud-rezlik (6) ve faza-
xarakteristikalan
tezlik (c) xarakteristikalan

aR.C *1 olanda
K(a)= 1- (aRC )'z
3t I - (@RC )' l'z + (3aRC )'z '
3aRC
g(at) = arctg
(aRCf-I

55
 Birmanqah siizgeclerin xarakteristikalanndan daha
yaxgr xarakteristikalar elde etmek iigiin, meselen siizgecin
citi.inme emsahnr daha siiretle azaltmaq iigiin goxmanqah
siizgeclarden istifade olunur. Bunun iigiin n agafr tezlikli
siizgec ardrcrl qogulur. Bela sistemin otiirme funksiyasr bu
ciir ifade olunur:
w(s)=
(1+a,S )(1+arS ),..(I +a"S )
Burada a,, dt..,dn - heqiqi miisbet emsallar, S=S/@.,-
normallagdrnlmrg kompleks deyigendir.
Ottirme emsahnrn k6kleri menfi ve heqiqi kemiyyet-
lerdir ki, bu da z tertibli ,RC siizgecin xarakteristikasrna uy-
[un gelir.

56
 2. ELEKTRON CiHAZLARTNTN i$iNiN
FiZiKi oSASLARI
2.l.EIektron cihazlan haqqrnda iimumi malumat

Elektron cihazlarl ele qurgulardrr ki, bunlann igi berk

cisimde, mayede, vakuumda, qazda ve plazmada elektrik,
istilik, optika ve akustika hadiselerinin istifade olunmasrna
asaslanrr.
Bu cihazlann yerine yetirdiyi funksiyalar iimumi gekil-
de ya melumabn, ya da enerjinin gevrilmesinden ibaretdir.
"Elektron cihazlan" mofhumu onunla elaqedardrr ki,
siqnallann ve enerjinin gevrilmesi prosesleri ya elektronla-
nn herekati hesabrna, ya da bilavasite onlann igtirakr ile bag
verir. Qurlular molumat siqnallannr gevirerek giiclendir-
me, generasiya, molumatl otiirme, saxlama, yrgma va melu-
matr kiiylerden ayrrma emeliyyatlannr heyata kegirirler.
Elektron qurlulan teyinatlanna, fi ziki xiisusiyyetleri-
no, osas elektrik parametrlerine, konstmktiv-texnoloji ela-
metlere, iggi miihitin ndvtina vo s. grire tesnifatlagdrnhr.
Siqnallann novtinden ve melumatrn emal iisulundan
asrlr olaraq m<ivcu d cihazlar elektrik-gevirici, elektrik-iqrq,
fotoelektrik, termoelektrik, akustoelektrik va mexano-
elektrik qurgulara briliiniir.
Elektrik gevirici cihazlarda yalnrz elektrik siqnallarr
gewilir, elektrik-igrq cihazlannda elektrik siqnah optik
(iprq) siqnahna, foto ve termoelektrik cihazlannda uy[un
olaraq optik ve istilik siqnallan elektrik siqna anna, akusto-
elektrik cihazlannda akustik siqnallar elektrik siqnallanna
(ve eksine) ve mexanoelektrik cihazlannda mexanikr siqnal
elektrik siqnatrna qevrilir. Elektron cihazlannrn en boyi.ik
qrupunu elektrikgevirici cihazlar tagkit edir. Bu qrupa miix-
telif tipli yanmkegirici diodlar, bipolyar ve sahe tesirli tran-
zistorlar, tiristorlar, elektrovakuum lampalan, qazbogalmalt
cthazlar daxildir. ElektroiErq cihazlanndan igrq diodlannr,
liiminessent kondensatorlan, lazerleri, elektron-giiLa boru-
lannr gtistermek olar. Fotoelektrik cihazlar qrupuna yanm-
kegirici fotodiodlar, fototranzistorlar, fotorezistorlar aid edi-
le biler. Akustoelektrik cihazlardan akustoelektrik giiclen-
diricilerde, generatorlarda, siizgeclerde, sethi akustik dalga-
tarda gecikdirme xetlerinde ve s. istifade olunur.
i99i miihitin ntiviine g<ire elekhon cihazlan yartm-
kegirici, elektrovakuum, qazboqalmah cihazlara bijltnarler.
Teyinatrna ve yerine yetirdiyi funksiyaya gore cihazlar
diizlendirici, generator, qoiucu' gevirici va indikasiya
eden qurlulari b6tiini.irler. i99i tezlikler diapazonuna giire
algaq, yiiksek vo ifrat yiiksok tezlikli cihazlar olurlar.
Giice gcire cihazlar algaq, orta giiclii ve giiclii crhazlata
bolitriiLrler. Vuxandakr melumatlardan goriiniir ki, elektron ci-
hazlan bir-birinden keskin ferqlenen ciirbeciir qruplara
bdliiniirler. Buna baxmayaraq onlann qurulugunda, iginde ve s'
oxgar cehetler de goxdur. Ona gore de bu cihazlann .iginin
esasrm tegkil eden fizikr proseslerin dyrenilmesi gox vacibdir'

2.2. Elektronlarrn elektrik va maqnit saholarinde herekati

Elektron etektriki cehetden menfi yiiklii elementar yiik-

tenmig hissecikdir. Atomdakr elektronlann sayr maddanin
nriviinden astlt olur ve maddenin elementlerin diivri siste-
mindeki atom slraslna beraber olur' Atomlarda elektronlar
niive ile ve bir-biri ile qa4rhqh hereketde olurlar' Xarici
orbitlerde yerleqen elektronlar qon$u atomlann tesirinden
ve ya bagqa sebeblerden (meselen, qrzdtrma neticosindo)
<tz orbitlerini terk ede bilirler. Bunun neticesinde onlar ser-
best elektron olaraq atomlar arastnda miixtelif siiretlerle ve
miixtelif istiqametlerde hereket ede bilirler.

58
 Elektrik va maqnit sahesinin kcimeyilo ve elektronlann
hereket yoluna maddi sedd qoymaqla onlann hereketine
tesir etmak vo noticodo onlann axrnrnr idare etmek
miimkiindiir.
Elektrik sahesinde yerlogen elektrona F e=-eE qiivvesi
tesir edir. Burada q=1,6.1tleKl-elektronun yiikii; E-
elektrik sahe gerginliyinin vektorudur. Manfi igaresi onu
gosterir ki, F, qiivvesi elektrik saha gerginliyi vektorunun
(,8) istiqametinin aksine yrinelmigdir.
Elektnk sahesinin tesirinden elektron hareketini siiret-
lendire, yavagrda ve istiqametini deyige biler.
Maqnit sahesinde hereket eden elektrona onun hera-
ket istiqametine perpendikulyar olan F;-q(oB) qiivvesi te-
sir edir. Burada o-elektronun harekat siirati vektoru, B-
maqnit sahasinin induksiyasrdrr.
Maqnit sahesinin tesirinden yalnrz elektronun hereket
siiretinin istiqametini deyi gmek miimkiindiir.
Oger elektron elektrik ve maqnit sahesi tesir eden fe-
zada hereket ederse, ona neticovi F=F u+Fn.--q[E+oBJ
qiivvesi tesir edir.
Bu qiivvanin tesirindan elektron hem enerjisini (stireti-
ni), hem de herekot tayektoriyasrnr dayige biler.

2.3. Elektron emissiyasrnrn niivlari

Vakuumda va ya qazda elektrik ve maqnit sahesinde

hereket eden serbest elektron axlnlnl yaratmaq iigiin elek-
tronun berk cisimden kenara grxmasrnr temin etmek laztm-
drr. Bunu berk cisime kenar menbaden enerji vermek yolu
ile heyata kegirmek olar.
Kenardan verilen enerjinin (istilik, foto, elektrik ve s.)
tesirinden elektronlann berk cisimdon kenara grxmasr hadi-
sesine elektron emissiyasr deyilir.
 Elektronun berk cisimden bele kenara gtxmast iigiin o
kristallik qefesenin ionlanntn cazibe qiirvelerini def etmeli,
bagqa sozla miieyyen ig grirmolidir. Buna igo elektronun
qrxrq iqi deyilir ve bu ig voltlarla olgiiliir.
Berk cisme tetbiq edilen enerjinin nijviinden asth ola-
raq elekffon emisiyasrntn dord novii olur: termoelektron,
fotoelektron, elektrostatik ve ikinci elektron emissiyasr.
Termoelektron emissiyasl maddenin qtzdtnlmast
neticesinde bag verir. Temperaturun miieyyen qiymetlerin-
de elektronlarrn aldrgr istilik enerjisi onlarrn 9rxl9 igini
yerine yetirmesi iigiin kifayet edir.
Termoelektron emissiyasrnda coroyan stxhlrntn cismin
temperaturundan asrhllr bele ifade olunur: J=AoPy'h'
Bwada An:10 .100,1/(cm'zll) berk cismin materiahn-
dan asrh sabit kemiyyet; I(- Bolsman sabiti, l-elektronun 9r-
xr9 igidir.
Emissiyanrn bu n'6vti elektrovakuum cihazlannda ve
elektron-giia borulannda istifade olunur.
Fotoelektron emissiyasr maddenin sethine tasir eden
kenar elektromaqnit gualanmasr ile elaqedardtr. Bele emis-
siyamn bag verdiyi cisme (katoda) fotoelektron katodu ve
ya fotokatod deyilir.
Fotoelektron emisiyastmn esasrnr A.Q.Stoleto\T rn vo
A.Eyngteynin tapdrlr qanunlar teqkil edir. Stoletov qanunu-
na gcire fotocereyan cismi giialandrran igrq seline miitena-
slbdir: tTkA (burada /<-miitenasiblik emsaLdrr). Emissiya
otunmug elektronlarrn kinetik enerjisi optik reqslerin tezliyi
(v) ile mtieyyen edilir ve E)m$teyn qanununa esasen bele
taprla biler: md/z=hwA.
Burada, lr-Plank sabiti, l-grxrg i;i, u-emissiya edilmig
elektronlartn siiretidir.

60
 Kinetik enerjinin srfra beraber oldugu (h v1,:A) igrq
giiasrnrn tezliyine fotoelektron emissiyasrnrn hedd tezliyi ve
ya fotoeffektin qrrmvr dalfiah serheddi deyilir.
Maddelerin grxrg igleri miixtelif oldulundan ayn-ayn
maddelerden fotoelektron emissiyasr miieyyen bir 4, tezlik-
lerde bag venr. Fotokatodlann hessashgr emissiyaedilmig
elektronlann cismin iisti.ine dtigen fotonlann sayrna nisbeti
ile qiymetlendirilir.
Emissiyanrn bu ncivti fotoelektron cihazlarrnda istifa_
de edilir.
Elektrostatik (avtoelektron) emissiyasr katodun set_
hine tesir eden qiivvetli elektrik sahesi ile elaqedardrr. Ka-
todun yaxrnhlrnda ona nisbeten bciyiik miisbat potensiala
malik elektrod yerlagdirilerse elektrik sahesinin iesirinden
katodun sethinde energetik seddin qahnhgr gox azalrr. Elek-
trik sahe gerginliyinin miieyyen bir qiymetinde elektron-
lann bir goxu katodun sethinden kenar fezaya glxa bilar vo
bdyiik emissiya coroyanr yarana biler. Bu hadiseye elektro-
statik ve ya avtoelektron emissiyasr deyilir. Emissiyanrn
bu ncivi.inii elde etmek tigiin elektrik sahe gerginliyi
I 06V/sm-den yiiksek olmahdrr.
Ikinci elektron emissiyasr berk cismin sethini siiretii
yiiklenmig hisseciklarle (maselen elektrodlarla) bombard-
man etdikde bag verir. Oger bombardman iigiin elektron seli
istifade olunarsa sathdon wrulub grxanlan ikinci elektronla-
nn saylnln sethe dilgen ilkin elektronlann saylna nisbetine
ikinci elektron emissiyasr emsah deyilir: en/n,.
Metallar ve yanmkegiriciler tigiin 6zlolur, glxr$ i$i
kigik olan elementlerden ibarat miirekkeb birlegmalerde
o>1 olur.
.bogalma,
.
ikinci elektron emissiyasr hadisesi elektrovakum, qaz-
fotoelektrik va bagqa cihazlarda bag verir.

6l
 2.4. Qazlarda elektrik coroyanl

Ovvelce qazlarda elektrik bogalmastntn har bir novii

iigiin xarakterik olan iimumi fiziki prosesleri tiyrenek. Qaz
mihitinde ilkin serbest elektronlar ve ionlar termoelektron,
fotoelektron emissiyasr neticesinde, miixtelif tebietli qiia-
lanmalar ve kenar igrq sellerinin tesirinden yarana bilerler.
Oger qazbogalmalt cihazrn elektrodlanna anoda miisbet ol-
maqla gerginlik verilerse elektronlar anoda, ionlar iso ka-
toda teref herekete baglayacaqlar.
Elektronlara elektrodlararasr fezada neytral qaz atom-
lanm heyecanlandrra (ionlaqdrra) bilecek qeder enerji ve-
ren anod va katod arastndakt potensiallar ferqine heyecan-
lanma (ionlaqma) gerginliyi deyilir. Katoddan grxan ilkin
elektronlar etektrik sahesinde siiretlenerek qaz molekullarr-
nr ve atomlarmr ionlagdrrrr. Bunun neticesinde elave ser-
best elektronlar yaranrr ki, bunlar da anoda terafhereket za-
mam ionlagdrrma prosesinde igtirak edecekdir. Ionlagma ne-
ticesinde emele gelen ionlar da katoda teref hereket ederek
onun sethinden yeni (ikinci) elektronlar qopanrlar ki, bunlar
da ionlagdrrmada igtirak edirler. Belelikle, elektronlann sayr
selvari gekilde artaraq dayanrqh bir veziyyete golib glxtr ki,
bu veziyyet de etektrik sahe gerginiiyi, qazrn tezyiqi, boqal-
ma kanaltntn diametri, qaztn ntivii, kenar ionlaqdrncl mon-
beyin olmasr, katodun temperaturu ve materiah, xarici
dovrenin miiqavimeti ile miieyyen edilir. Qox vaxt qazbo-
galmasr zamam elektrodlararasr fezantn her bir vahid hec-
minde elektronlann ve ionlann hecmi yiikleri bir-birine be-
raber olur. ionlagmrg qazrn bele veziyyetine qazboqalma
plazmasr deyilir.
Miisbet ionlar elektronlann ytklerini kompensasiya et-
mekle elektrodlar arastndakt caroyanl artrrtrlar. Umumi ce-
rayann 99,7 5Yo-i elektronlann , 0,25%-i ise ionlann paytna

62
diigiir. Buna baxmayaraq miisbot ionlann mcivcudlufu bo-
galma arahlrnrn kegiriciliyine gox bdyiik tesir gosterir.
Serbest elektronlar ve ionlarla dolu fezada onlar biri-
biri ile toqqugurlar ve bunun neticesinde neytral atomlar ya-
ranrr. Bu prosese rekombinasiya deyilir. Rekombinasiya
adoten spektrin gdriinon hissesinde fezaya ene{i giialanmasr
ile mtiqaiyet edilir. Bu zaman qaz igrq saqrr. Teze ionlagma-
nrn bag vermediyi rekombinasiya prosesine deionlagdrrma
(ionsuzlaEdrrma) deyilir.
Elektrik bogalmasrnrn yaranmasl ve saxlanmasr iiEiin
elektrodlar arasrnda ela elektrik sahesi yaradrlmahdrr ki, o
elektronlarr qaz atomlannr ionlagdrra bilecek derecede sii-
retlendire bilsin. Bu gorginliyin qiymeti qazrn noviinden,
tezyiqinden ve elektrodlar arasrndakr mesafeden asrhdrr.
Diger terefden bogalma arahlrnda serbest elektronlann la-
zrmi konsentrasiyasrnr temin eden emissiya menbeyinin
olmasr vacibdir.
Bununla elaqedar olaraq serbast ve qeyri-sarbest bo-
lalma mdvcud olur. Sarbast boqalmanrn emele gelmesi ve
davam etmosi iigiln kenar emissiya menbeyi teleb olunmur.
Qeyri-sarbest bogalmada ise bunun iigiin kenar emissiya
menbeyinin (termokatod, fotokatod ve ionlagdrncr gtialan-
ma) olmasr teleb olunur.
Qeyd etmek lazrmdrr ki, elektrodlararasr fazada qazrn
tezyiqi 1,133-I-l3Pa heddinda olur. Osasen, tesirsiz qazlar
(neon, arqon) hidrogen ve hem de cive buxarr igledilir. Qa-
zrn ndvii igrqlanmanrn rengini miieyyon edir. ionlagma ve
rekombinasiya hadiseleri cihazlarrn on aktiv hissasi olan
katod etrafi sahede bag verdiyinden igrqlanma katod etrafin-
da miigahide edilir.
Qazbogalma fezasrnda coroyan axarken bag veren bii-
ttin bu prosesler yrlrmrna elektrik bogalmasr deyilir. Cihaz

63
daxilinde yaranan geraitden astlt olaraq, bogalmantn miixte-
lif novleri olur.
2.5. Berk cismin zona nazeriyyesinin esaslarr.
Enerji zonalarr

Zona nezeiyy asi yanmkeg iricilerin kemi yyetce tehlili-

nin esasrnr tegkil edir. Her hansr tedric olunmug atom elek-
tronlar iigiin icaze verilmig diskret enerji spektri ile xarakte-
rize olunur (qekil 2.1). Enerjinin qiymeti artdrqca ardrcrl
yerlagmig enerji seviyyeleri arastnda mesafeler azalrr.
Enerji spektrinin "tavant" ionlagma seviyyesidir ki, bu
seviyyede elektron serbest olur vo atomu terk ede bilir.
Dolu seviyyeler atomun elektron ortiiyiinii tegkil edir ve
onlan | ,2,3... reqemleri ile igare edirler. Ikinciden
baglayaraq rirtiikler alt tirtiiklere (2,,2e,3,,3 p,4 e) boliiniir.
",4
Elektronla dolu ortiiklerin vo alt ortiiklorin sayt elementin
srra nrimresinden asth olur. Heyacanlanmamrg atomda xarici
seviyyeler hemiqe bog olur. Berk cisimde atomlararasr me-
safeler gox kigik oldugundan cismin atomlafl biri-birile
qiivvetli qargrhqh tesirde olur. Berk cismin her hansr bir
hissesinde biiti.in atomlar toplusunu bir vahid iri molekul
kimi tesvir etmek olar.
Bu molekul da atom kimi biitdv cisim iigiin vahid olan
her hansr bir enerji spektri ile xarakterize olunur. Bu spek-
trin xtisusiyyeti ondadtr ki, o diskret icaze verilmiq zor,alar-
dan ibaret olur. Her bir zonantn menqeyi uygun atom seviy-
yesidir ki, bu seviyyede atomlar bir-birina yaxlnla$anda elo
bil ki, pargalanrr (9ekil 2.2).
Belelikle, atomlararast mesafesi ro olan kristal iiqiin
miieyyen zona diaqramt elde edilir. Bu diaqramda icaze ve-
rilmig zonalann ardrnca qadalan olunmug zonalar gelir (qe-
krl 2.3). Bu zonalann eni bir nege elektronvolt (e Ii) haddin-
 de olur ve berk cisimde atomlann sayrndan (cismin olgiile-
rinden) asrh olmur.
ionla;ma
:r ene;i<i
5

!
- ,r13
-3J ".*^
i
-
,c o)
-ls
) drtiiyii
I drtiik vo ni.ivanin l(n-l
seviyyesr gox --- -sJ
a5aIrdadrr
Tecrid edilmig
atom

$akil 2.1. Tecrid olunmug $ekil2 2 Aynca atomun icaze verilmig

atomun enerji saviyyeleri enerji soviyyelerinin bork cismin icaza-
verilmi$ enerji seviyyasine gevrilmasi

icaze verilmig zonalar diskret stmkhrra malik olurlar

vo onlann soviyyalorinin sayl cisimdoki atomlann saytna
beraberdir. Her hansr bir kiqik hecmde atomlann savl o
qeder boyiikdiir ki, real geraitde zonalann seviyyeleri ara-
srndakr energetik seviyyeler IttzeV-dan yiiksek olmur. Ona
gdro da icaze verilmig zonalann biitriv oldugunu qobul et-
mok olar.
Atomun algaq enerji saviyyeleri adaten zona tegkil et-
mir, gi.inki daxili elektron rirti.iklerinin berk cisimde qargr-
hqh tesiri gox zoifdir (onlar xarici rirtiikler torofindan ,,ek-
ranlanmt$lar"- aralanmlf lar). Buna grire algaq seviyyeler zo-
na diaqramlnda qrnq xotlo gcisterilir vo hor qrnq xot bir
atoma uygun gelir (gekil 2.2 ).
Bir gox hallarda icaze verilmiq zonalar bir-birinin
iizerine di.igiir ve bu halda onlann arasrnda qadagan olunmug
zona mcivcud olmur. Bu yalnrz spektrin yuxan hissesinde
bag verir, giinki aynca atomda yuxan seviyyeler bir-birine
gox yaxln yerle$ir. Bunun neticesinde berk cismin enerji
spektri vahid yuxan zonaya ve her hanst bir son sayh (se-
viyyelerin sayrndan ferqli olaraq) zonaya malik olur.
Berk cisimde kegiricilik o vaxt yararur ki, elektron
qongu daha yiiksek enerji seviyyesine kege bilsin. Demeli,
kegiricilikde yaltz azad saviyyeleri olan zonalann elek-
tronlarr iqtirak eda biler. Bele azad zonalar yuxan icaze
verilmig zonalarda hemige mcivcud olur, giinki izole edilmig
atomda yiiksek seviyryeler heq vaxt dolu olmur.
Ona gore berk cismin miitleq srfir temperaturda elek-
tronlarla tutulmayan (ve ya tam tutulmayan) zonastna ke-
giricilik zonasl deyilir. Bu zonaya on yaxtn yerlegen zonaya
valent zonasl deyilir. Miitleq stfir tempraturda valent zonast
tamamile elektronlarla dolu olur ve bu zonantn elekffonlan
kegicirilikda igtirak etmir.
Agafrda goreceyik ki, srfrrdan ferqli tempraturda va-
lent zonasrnda azad seviyyeler yarana biler ve bu ise
kegiriciliyin deyigmesine sebeb ola biler. Belelikle, kista-
hn kegiriciliyini iki qongu zona (valent ve kegiricilik) miiey-
yen edir.
Srfir tempraturda berk
Metal Yanmkegirici Dielektrik cismin zona strukturu me-
l-KJrlJi.*."";dlil*l
tallann, yanmkegiricilenn
I addlsaD I
va dielektriklerin tesnifatr-
nrn osasrm tegkil edir (gakil
E val€nr f 2.3). Metallarda kegiricilik
ve valent zonalan iist-iisto
diigiir ve ona gtire stfir tem-
,) b) praturda kegiricilik zona-
4 srnda miieyyen sayda elek-
Sakil 2.3. yanmkeqirici
N4elal (a). tron olur ki, bu da kegirici-
1b) va dielektrikin tc) T = ooK-do lik emele getirir. Yanmke-
zona skuknrru giricilerde ve dielektrikler-

66
do hemin temperaturda kegiricilik zonasl bog olur ve kegiri-
cilik yaranmrr. Dielektriklerle yanmkegiricilerin ferqi onda-
drr ki, dielektriklerde qadagan olunmug zonanln eni daha
bciyiikdiir. Kegiricilik zonasr demek olar ki, biitdv qebul
edildiyinden burada elektronlarrn enerjisi vakuumda izole
olunmug elektronunku kimi aramsrz deyige biler. Ona gdre
kegiricilik zonasrndakr elektronlara sorbast elektronlar de-
yilir. Serbestlik bu halda yalnrz cismin daxilinde yerde-
yigme imkanrnr nazordo tutur.

6',7
 3. yARrMKEeinicir,on urxrnoNixaslNrN
OSASLARI

3.1. Yarrmkegirici materiallar haqqrnda malumat

Yanmkegiriciler xtisusi elektrik miiqavimatinin qiy-

metine gore (F104-10t0Om szr) kegiriciler (Flt6-1t4
Omsm) ve dielektrikler (V|010-1|tsOm.snr) arasrnda yer
tutur. Onu da qeyd etmek lazrmdrr ki, bu serhedler gerti
xarakter dagryrr, konkret geraitden asrh olaraq meselen,
yiiksek temperaturda, dielektrik yarrmkegirici kimi <iziini.i
apara biler ve s.
Yanmkegiricilerde cereyanrn axmasr mexanizmi di-
elektriklerdekine yaxrndrr ve keyfiyyetce kegiricilerdekin-
den ferqlenir. Yarrmkegiricilere xas olan xiisusiyyatlerden
biri odur ki, onlann xiisusi kegiriciliyi elektrik sahesinin,
igrq giiasrmn, istiliyin ve agqarlann elave edilmesinin tesiri
altrnda deyiqir.
On genig yayrlmrg yanm-
kegirici materiallar d<iwi siste-
min IV qrupuna aid olan germa-
nium (Ge) ve silisiumdur (,Si).
Bunlardan bagqa selen (Se), qal-
lium arsenid (Ga,4s), qallium
fosfid (GaP), silisium karbid
(SiQ ve baqqalan da genig isti-
fade olunur. Yarrmkegiricinin,
meselen germaniumun, kistal
qefesesi elementar tetraedrler-
$akil 3.1. Germaniumun tetraedrik
kristal qofaseslnin atomlann dan tegkil olunur. Tetraedrlerin
valent olaqalorini giistoren tepelerinde ve merkezinde yer-
"miistavi" ekvivalenti legen atomlar bir-biri ile iki
elektronla kovalent elaqede
olur. Bu elaqeni yaradan elektronlann heresi bir nriv iki
 atoma aid olur (9ekil 3.1). Ni.ivelerin miisbot yiikii elektron-
lann ytikii ile kompensasiya edilir ve kristal iimumiyyetle
neytral olur.
Miitleq srfir temperaturunda elektronlann hamrsr atom-
larla elaqede olur, yiik dagrmasrnda igtirak etmir ve kristal
6ztini.i dielektrik kimi apanr. Miiqayise iigiin qeyd edek ki,
bu temperah:rda metallann mi.iqavimeti srlia diigiir.

3.2 Yarrmkegiricinin maxsusi kegiriciliyi

va onun temperaturdan asrhhfr

Yanmkeqiricilerde elektrik kegiriciliyi mexanizmi berk

-
cismin zona nazariyyesine esasen izah edile bilar. Deyildiyi
kimi miitleq srfir temperaturda ve heg bir agqar olmayanda
biiti.in elektronlar atomlararast elaqelerde igtirak edir. Bu o
demekdir ki, valent zonastndakr biitiin enerji seviyyeleri
elektronlarla doludur, kegiricilik zonasr ise bogdur. iki zona
arasrndakr qadagan olunmug zonanln eni germanium iiqiin
AW=0,7eV, silisium ilgtin ise All=I,I2eV tegkil edir. Elek-
tronun atomla elaqesini qlrrnaq vo onun sorbost ytikdagt-
yrclsma gevrilmesi iigiin o kegiricilik zonasrna di.igmalidir.
Bunun iigiin elektrona AII/-ye baraber ve ya ondan gox
elave eneq'i verilmelidir.
Temperahrr miitleq srfirdan yuxan qalxdrqca elektron-
lann bir hissesi elave eneti alaraq kovalent elaqeleri qrnr,
valent zonasrndakr enerji seviyyesini terk ederek kegiricilik
zonasrna kegir (gekil 3.2). Neticede kegiricilik zonasrnda
sorbost elektronlar yaranrr ki, bunlara da kegiricilik elek-
tronlan deyilir. Valent zonasrnda emele galmig bog yerlere
deqik (kegiricilik degiyi) deyilir. Degikler elektrik va maq-
nit sahelerinde cizlerini ytikti elektronun ytikiine berabar
miisbet yiiklii hissecik kimi apanrlar.
Kristalda bu ciir elektron-degik ciitiintn yaranmasr pro-
sesine yiik dagryrc arrnrn generasiyasr deyilir.
 istitik enerjisinin tosirindon elektronlann keqiricilik
zonasrnda, degikler ise valent zonastnda xaotik hereket edir-
ler (heqiqetde ise degiklorin horoketi elektronlann bir bog
saviyyeden digerine kegmesi ile elaqedardrr, degikler <izleri
hereket etmirler). Bu hereketin neticesinde elektronlann bir
hissesi izafi enerjisini itirerek, kegiricilik zonastndan valent
zonaslna qayrdaraq oradakr bog seviyyeleri tutur.
Bu, elektron-deqik ciitiiniin yox olmastna getirib grxa-
nr ve bu prosese yiikdagtyrcrlann rekombinasiyasl deyilir.
Oger kristala xarici elektrik sahesi tesir etso onun tesirindan
elektronlartn ve deqiklerin hereketleri istiqametlenir: elek-
tronlar sahe qiivve xetlerine qargr, degikler ise qonqu atom-
lann valent elektronlan ile nrnrlduqlanndan srgraytglarla sa-
he qiivva xetleri istiqametinde hereket edirler.
Temperaturun sabit qiy-
metinde kristahn 1sm3 hec-
minde elektronlann ve deqik-
lerin saytna yiikdagrytctlarrn
miivazinat konsentrasiyast
deyilir. Bu konsentrasiya ter-
mogenerasiya ve rekombina-
siya prosesleri arastndakr ter-
modinamiki tarazhqla mtiey-
yen edilir. Elektronlann mii-
vazinet konsentrasiyasl nr,
$ekil 3.2. Mexsusi yanmkegi- degiklerinki ise pr-la igare
ricinin zona dtaqramt
edilir.
Kristaln kegiriciliyi her
iki nciv ytik daqtytcrlanntn herekati ile miieyryen olunur ve
elektron-degik generasiyasl prosesinin intensivliyinden asrh
olur. Tam coroyan srxhlr elektron ve degik keqiriciliyi ile
mrieyyen olunan cereyanlann stxlt!rntn cemine beraberdir:
J=JP+ J,,.
 Bele agqan olmayan yanmkegirici maxsusi ve ya i
tipli yanmkegirici, onun kegiriciliyi ise mexsusi kegiricilik
adlanrr.
Miivafiq olaraq elektron ve degik kegiriciliyi bele te-
yin olunur:
o"= q.h.rr; os=q.hp
Burada 7.4,-elektronlann yiirtikiriyti (hendesi diiz ger-
manium iiqr.in 25'C-do 3 500sm2/Vsan); 74-degiklerin yiiriik-
Itiytidiir (germanium iigiin 1 7 0 0 s n2 /V s a n )i. Y ii rii klii k I V/sm
sahe gerginliyinde yiiklii hisseciklerin istiqametlenmig siire-
tine deyilir. Bu siiret onlann serbest qagrg miiddetino miito-
nasibdir: F = tu,t = l"r/q,; 1", = 1/T yolun orta uzunlufiu, u,.-
orta istilik sriretidir u* o 14; z-kegiricilik zonasrnda elek-
tronlann konsentrasiyasr; p-valent zonasrnda degiklerin kon-
sentrasiyasr; q-elektronun yi.ikiidtr.
Temperaturun her bir qiymeti iigiin mexsusi yanmke-
giricide serbast elektronlann ve degiklerin konsentrasiyasr
beraber ohx: n,: p,-
Iki kegiriciliyin cemi mexsusi kegiriciliye beraberdir:
Gq(hn + .hp)=q.p.*ni
p"o-yi.ikdagr yrc rlarrn ekvivalent yiirtikltiytidiir.
Bes yanmkegiricinin miiqavimeti (keginciliyi) tempe-
raturun tesirindon neco dayigir?
Temperatur artdrqca atomlann istilikden heyecanlan-
masr artrr vo omalo golon hor iki tipli yi.ikdagtylctlann sayr
goxahr. Bununla elaqedar olaraq rekombinasiya ehtimah da
yiikselir va bu iki prosesin qar$rhqh tesirinden dinamik ta-
razhq yaranrr. Tarazhq hahnda
! _aw
fli= Pi = AT2e 2*r

olur. Burada A-frzlki sabitleri ifade eden emsal, t_Bolsman

sabitidir.
'71
 Yiik dagryrcrlann ekvivalent ytriikliiyu temperaturdan
asrl olur ve bu asrhhq texminen bele ifade olunur:
( T \,
P,r= P,l+l

/,r-otaq temperaturunda (T) ytirtikli.ikdiir.

Bunu nezere aimaqla keqiriciliyi teyin edek:
! aw /r\, -aw
6 = qAr 2 e 'n' rolf ) o," 'u
o6T:a olduqda yeni biiti.in kovalent elaqelerin qrni-
drgr halda yanmkegiricinin kegiriciliyidir. Buradan asanlqla
AW1
Ino = lno^"
2kT
ala bilerik.
Giiriindiiyii kimi, tem-
peratur artlqca yanmkegiri-
cinin kegiriciliyi artrr (metal-
larda azalrr). Kegiriciliyin
temperaturdan asrhhgr gekil
3.3-de g<isterilmigdir.
$ekil 3.3. Mexsusi kegiriciliYtn
Dtiz xottin mailliyi
temperahrrdan aslllllEr AW2k bucaq emsah ila mti-
ayyan edilir. Bu bucagt tilg-
makle qadagan olunmu$ zonarun enini hesablamaq olar.

3.3. Yanmkegiricinin agqar keqiriciliyi

va onun temPeraturdan asrl rfr

Yanmkeqirici cihazlann iqi bir qayda olaraq agqar ke-

-
giriciliyi hadisesine esaslantr.
iiger yanmkegirici materiahn terkibinde azactq da olsa
olutri yanmkegiricinin kegiriciliyi keskin deyige bilar'
"9qu.
 Meselen, germanium kristahna 10-5 0% arsen eiave edilorso,
onun mtiqavimeti 200 defo azalar (keginciliyi artar).
Germanium ve silisium iiLgiln aqqar rolunu 3 valentli
aliiminium, qallium, indium va 5 valentli fosfor, arsen ve
siirme oynaya biler.
Agqar elave edilerken bu elementlerin atomlan germa-
nium va silisium atomlannr kristal qefesesinde evez edir.
Onlann valent elektronlan esas kristahn icaze verilmig ener-
ji zonalannrn serhedinden yuxan enerji saviyyelerine malik
olur. Ona goro do qadagan olunmu$ zonada elave ene{i
zonalan emele gelir. Agqarlar yarrmkegiricinin elektrik xii-
susiyyetlerini miixtelif ciir deyigir.
Oger germaniuma a$qar kimi 5 valentli arsen elava
edilarse, o, germaniumun qonguluqda yerlegen dord atomu
ile kovalent elaqe yaradar, onun 5-ci elektronu artrq (ser-
best) qalar (gekil 3.4 a) ve o, kegiriciliyin yaranmasrnda igti-
rak ede biler. Bu halda kegiricilik zonaslnln agapr hissesinin
yaxrnh!rnda elave enerji seviyyesi-donor saviyyesi I/, ya-
ranrr (qekil 3.4 6).
Arhq elektron

.HotA
C,J --- 1r)
:\ (
$ W,
t1 lWa
l-n
(
I
;_Y d.l
\LY
^r Ila

IW

------!.}
( ) ffi

tt)
a) b)
$ekil 3.4. 5-valentli agqar atomunun kristal qofasosinda germanium
atomunu ovoz etmasi Ia, vo qadagan olunmug zonada
donor seviyyesrnin yaranmast @)
'73
 Arsen iiqiin qadalan olunmug zonanln eni LW;W"-
llt7|,IeV olur. Ona gore normal otaq temperaturunda ekser
ag(ar atomlan ionlaqa bilir. ionlaqma zamant elektron kris-
tah tork etmediyinden yanmkegirici neytral qahr. Belelikle,
elave edilen agqar kristahn kegiricilik zonastnda elektron
artrqhlr yaradrr. Bele agqara donor agqarl deyilir ve bu ciir
agqan olan kristal ise z tipli yanmkegirici adlanrr ("negati-
ve" soziindendir).
Bele yarrmkegiricide kristal qefesesinin a$qar atomu
terefinden tutulmug uclannda horokotsiz miisbet ionlar yer-
legir, kristahn igerisinde ise keqiricilik zonaslnrn enerjisi qe-
der enerjiye malik olan serbest elektronlar hereket edirler.
Oger azad olmug elektronlar ionlann yaxrnltgtnda qalrrsa,
onda mikrohecm elektrik cohotca neytral olur. Elektron
mikrohecmi terk ederse orada mtisbet feza yiikii yarantr.
Oger kristala agqar kimi 5 valentli element elave edi-
lerse, elektronlann sayr degiklerden gox olur, giinki deqik-
lerin sayt agqar elave edilenden qabaq oldulu kimi mexsusi
kegiricilikle miieyyen edilir. z tipli yanmkeqiricide elek-
tronlar asas, deqikler isa qeyri-asas yiik dagryrcrlarr he-
sab olunurlar.
Oger germaniuma aqqar kimi 3 valentli indium alava
edilarse indiumun atomlan kristal qefesesinin uclannda
germanium atomlannl evez ederler. Bu halda 3 valentli
indium atomuna biitiin drird qongu germanium atomlan ile
kovalent elaqelari yaratmaq iigtin bir elektron gah$mlr. Bu
o demekdir ki, atomlararast elaqede ve ya valent zonastnda
bog yer-degik vardrr (9eki1 3.5 a). Ona gore de valent zona-
srnda bu halda artrq degikler emele gelir. Hemin deqikler
asanhqla qongu Ge atomlanmn elektronlan ile tutuldugun-
dan indiumun atomlan menfi ionlara gevrilir. Qadagan edil-
mig zonada valent zonastntn yrxan serhedinin yaxtnLlrnda
enerji seviyyelari-akseptor seviyyaleri }/, yaranrr (9akil
3.5 b). indium iigtin qadalan olunmuq zonanln eni AW,:W,'
74
-ll/,:0,l6eV oldu[undan otaq temperaturunda bu azad enerji
seviyyeleri asanhqla elektronlarla futulur, valent zonasrnda
ise bog seviyyeler-degikler emele gelir.
Ugvalentli agqar elave edilende kristalda degiklerin
sayr elektronlardan gox olur. Bu halda yanmkegiricide degik
kegiriciliyi iistiinliik tegkil edir, giinki elektronlann sayr
evvelki kimi mexsusi keqiricilikle miieyyen edilir. Bele ya-
nmkegiricide deqiklar esas, elektronlar isa qeyri-esas
yiikdagryrcrlarr hesab edilir. Artrq degikler emele getiren
aqqara akseptor, bu ciir yanmkeqiciriye ise p tipli (,,po-
sitive" strzijnden) yarrmkegirici deyilir. Agqarh yarrmkegi-
ricilerde esas ytikdagryrcrlann bir hissesi qeyri-esas yiikda-
gryrcrlan ile rekombinasiya edir. Osas ytikdagryrcrlann kon-
sentrasiyasr artdlqca bele rekombinasiya hadiselerinin eh-
timah da artrr. Ona gore da qeyri-esas yiikdagryrcrlann
konsentrasi yasr hemige agafir olur.

6e) .' ffi-t

II )'1^
-oesik l,
I
C,T
-,.{-(
o\/ rl
)G ----t r--
^ tua 16..
tm
a)

Sokil 3.5. 3-valertli afqar atomunun kristal qofososindo

germanium atomunu ovez etmesi fa) va qadagan olunmu!
zonada aksepror soviyyosinin yaranmasl f6,,1

indi ise yanmkegirici kristala ne qeder agqar elave

edildiyini bir misalla aragdrraq.
Germaniumun ism3 hecminda 1022 atom olur ve 20oC-
de l0r3 serbest elektron ve o qeder de degik emele gelir.
Goriinilr ki, yiikdagryrcrlann sayl atomlann saytnrn milyon
ve milyardda bir faizini tegkil edir. (Qeyd edek ki, metal-
larda serbest elektronlann sayl atomlann saytna yaxtndtr).
Yanmkegiricide agqar kegiriciliyinin i.isttinliik tegkil etmesi
iigiin I smr hecmdeki agqar atomlanntn sayl mexsusi yi-ik
dagryrcrlarrntn sayrndan gox olmahdrr. Meselen, germanium
iigii 200c-do agqar atomlanntn sayt 1sm3 hecmde 10rr-den
gox olmahdrr. Bu o demekdir ki, germanium atomunun mil-
yardrna qargt bir agqar atomu elave olmaltdrr. Buna baxma-
yaraq yanmkegiricinin kegiriciliyinin xarakteri ve qiymati
kaskin deyigir.
Aqqarlr yanmke gricide n'p=nl gerti odenir. Rekombi-
nasiya neticasinde qeyri-esas yiik dagryrcllanhm Sollltn r;
den az olmastna baxmayaraq, agqarh yanmkeqiricide yiik-
daqrytctlanntn iimumi sayr mexsusi yanmkegiricidekinden
(2n;) gox olur. Bu ise agqarh yanmkegiricinin mtqavime-
tinin azalmasrna gotirib gIxarlr.
Agqarrn olave olunmasr kegiriciliyin temperaturdan
asrhhlrnrn da deyigmesine getirib grxanr (gekil 3 6).
OYdde I saho algaq
.C 4\J
temperaturlar i.iqiin xa-
rakterikdir. Burada kristal
qefesesinin raqslarinin
1n{ipliyanmkegiriciiiqiin
r enerjisi AlY7den gox.
AW-den azdrr. Bu tempe-
rahrlarda ancaq tek-tek
(ytiksek enerjisi olan)
elekffonlar valent zona-
srndan keqiricilik zonast-
'!' | : '/'r na kege biler' Buna gore
$ekil 3.6. Agqarh yanmkegiricinin kegui- I sahede mexsuSi ke-
ciliytnintemperaturdanasrhLlr ^:--j^:r:r-l^ ^l^^^l^-
giricilikle elaqedar ^l--
olan
kegiricilik nezere ahnmr ve kristahn elektrik keqiriciliyi
donor seviyyesinden kegiricitik zonaslna keqen elektronlarla
76
miioyyon edilir. "A" noqtesi o temperatura aiddir ki, onda
bilti.in agqar elektronlan kegiricilik zonasrna kegmigdir, an-
caq kristal qefesesinin uclannrn reqs eneqisi hele de elek-
tronlan valent zonastna kegirmek iigiin kifayet deyil. Ona
gore temperaturun miieyyen diapazonunda (lI sahe) elek-
tronlarrn konsentrasiyasr (kegincilik) sabit olur, "B" noq-
tesinde qefasenin uclannrn reqs enerjisi All-den gox olur
ve III sahede moxsusi kegiricilik mexanizmi iisttinltik tegkil
etmeye baglayrr. Baxrlan asrhhq z tipli yanmkegirici iiqtin
gekilmigdir.

3.4. Elektronlann yarrmkegiricilarde paylanmasr

ve harekat etmesi qanunlarr

Berk cisimde icaze verilmig zonalann hi.indiirliiyti bo-

yunca enerji seviyyeleri beraber paylanmrr: onlann srxlrlr
qadalan olunmut zonanln serhedinden kegiricilik ve valent
zonalannrn igarisine dolru deyigir. Bela ki, I/ enerjisi otan
her bir seviyyeye miieyyen P(lf) uygtn galir. P(tl) berk
cismin vahid hecmine ve vahid enerjiye uylun gelen se-
viyyelerin sayrdrr.
Elektronun bu ve ya diger enerj i seviyyesini tutmasr
ehtimah Fermi-Dirak paylanma funksiyasr ile ifade olunur:

f.(il=-J-
Y-!L
e e' +l
Elektronun bu ve ya diger enerji seviyyesini tutmama-
sr ehtimah bu seviyyenin degikle tutulma ehtimahna bera-
berdir:

f,(q)= I - fo(p)=-:,
eT +1

77
 Burada gr- Fermi saviyyasi adlanan seviyyeya uygun
potensialdrr (Fermi potensiah). Fermi enerjisi ele seviyyeye
uy[undur ki, onun elektronla tutulma ehtimal 1/2 olsun.
KT
q, = !!- - temperatur potensiahdrr. p - cari enerjini xa-
q
rakterize eden potensialdtr.
Mexsusi yanmkegiricide Fermi seviyyasi temperatu-
run istenilen qiymetinde qadalan olunmug zonanm ortasln-
da yerlegir:

9,,=p,+9!=e,++
2"2
Burada p,-valent zonaslnln tavanlnln enerjisine uylun
potensial; p.-keqiricilik zonaslnrn dibinin enerjisine uygun
potens ial ; po.,- qadapan olunmu g zonant n eni dir.
z tipli'yanmkegiricide Fermi seviyyesi qadalan olun-
mu$ zonanln yuxan yanstnda, p tipli yanmkegiricide ise
agagr yansrnda yerlegir:

gr, = er-niPi
+ gr lnL; erp = gr - g, U!;

a-=Q'+9"
7'L - qadaEan olunmug zonanln ortaslna uyEun
'
2
potensialdrr ve ona yanmkeqiricinin elektrostatik poten-
siah deyilir.
Deyildiyi kimi, yiikdagryrctlanntn istiqametlenmig he-
reketi yanmkegiricide cereyan yaradrr.
Yiikdagryrcrlann elektrik sahesinin tesirinden istiqa-
metlenmig hereketi yanmkegiricide dreyf cerayant yaradr.
Konsentrasiyalann qradienti (ferqi) tesiri alhnda yiik-
dagryrcrlann istiqametli hereketi yarrmkegiricide diffuziya
coroyanl emale getirir.
Umumi halda yanmkegiricide ceroyanrn srxhfr dreyf
ve difiirziya toplananlartntn cemine beraber olur:
'78
 I= ina,+ i naitt jpar +lpaif
j"a,=4 il'tr,.E -elektron carayan srxhErnrn dreyf toplananr;
j"",,=q.4* - elektron coroyan srxlrgrnrn diffuziya toplana-
"dx
nu
ied,=q m.pr.E - degik careyan srxhfrnrn dreyf toplananr;
j*,,=-q.4*-
' 'dx degik cereyan sxhfrmn diffuziya toplana-
nldrr.
Bunu nezere alsaq:
.l: q' n.1qE + qp.prE +q. o,!! -c.D,* ahnar.

Burada E-elektrik sahe gerginliyi, D, ve D,-elektron-

lann ve degiklerin yiiri.ikliiyiinden asrh olan diffuziya emsal-
Iarrdrr:

o= p{q
Diffuziya emsah yanmkegiricinin 1sm2 en kesiyinden
1 saniye arzinde vahid konsentrasiya qradiyenti tesirinden
diffu ziya eden yiikdagryrcllarln sayrna deyilir.
4-cii toplananrn qargrsrndakr menfi igarasi diffuziyanrn
konsentrasiyanrn azalmasr istiqametinde bag verdiyini gos-
terir. Degikler miisbet yiiklti oldulundan diffirziya degik ce-
reyanr yalnrz dpldx<0 qiymetlerinde miisbet olmahdrr.
Yanmkegiricide yiikdagryrcrlann konsentrasiyasr za-
mandan ve X koordinahndan asrh olur. Bu asrhhq (z tipli
yanmkegiricide) degiklenn axrnr iigtin arasrkesilmezlik
tenliyi ile ifade olunur:
dp _p_p, _t oru.
dxtqtP
_ Axrnrn srxhq vektorunun divergensiyast (divro) yanm-
kegiricinin her hansr elementar hecmine gelen v'e oradan
geden yiikdagrylctsr axlntn qeyri-baraberliyi ile alaqedar
olan ytkdagryrcrlann bu hecme yr[rlma ve oradan sorulma
si.iretini xarakterize edir. r- yiikdaqryrcrlarrn iimiir miidda-
tidir. Bu o miiddetdir ki, onun erzinde qeyri-esas ytikdagtyt-
crlann ifrat konsentrasiyasr e (natural loqarifmin esasr) defe
azahr. Dagryrcrlann bu mijddot orzinde def etdiyi orta
mesafeye yiik dagryrcrlann diffuziya uzunlu[u (Z) deyilir.
Elektronlar ve degikler ilgiin bu kemiyyetlerin asrhhlr bele
ifade olunur:
l, = rfifl; L,=,fifi,
1/r kemiyyeti rekombinasiyantn siiretini ve yaxud ya-
nmkegiricinin ig siiretini xarakterize edir.
Elektrik sahesi olmayan halda (E:0) arasrkesilmezlik
qanununun ifadesi sadelegir:
dp--P-pr*od'P
dx r o dx'

Buna diffuziya tanliyi deyilir. n tipli yanmkegiricide elek-

tronlar iigiin ifade de buna oxgar yazrltr.
Bele tenliklerin komeyi ile bir gox yanmkegiricilerin
i gini araqdrrmaq miimktindiir.

3.5. Elektron-deqik kegidinin xiisusiyyetlari.

Kegidin volt-amper xarakteristikasl

Bir terefi n tipli, diger terefi p tipli keqiriciLye malik

olan iki qongu yanmkegirici sahesinin temas (kontakt) ser-
hedine elektron - degik kegidi vo ya p-n keqid deyilir.
Bele kegidi iki yanmkegirici idvheni bilavasite bir-biri
ile temasa (kontakta) getirmakle elde etmek miimkiin deyil-
dir. Qiinki bu halda lovheler arastnda nazik hava qatl vo ya
sethi tebeqeler emele gelir. Osl kegid vahid yanmkegirici
lovhade bu ve ya bagqa iisulla p ve n tebeqeleri arasrnda
kifayet qeder keskin serhed yaratmaqla elde edilir.
 n vo p teboqolorindo osas yiikdagryrcrlarrn konsentra-
siyasrna gore kegidler simmetrik (pran,) ve qeyri-sim-
metrik (z,>>prve ya pr>>n,) olur. Qeyri-simmetrik kegid-
ler gox geni$ yayrlmr$lar. Bele kegide malik yanmke-
giricilerde yiikdagryrcrlarrn konsentrasiyalarr bir-birinden
100-1000 defe ferqlenir. Miieyyenlik iigiin bele qebul edilir
ki, p tebeqesi z tabeqesine nisbeten hemige daha kigik mii-
qavimoto malik olur (pr>>n,).
Temasdan qabaq her iki tebeqade serbest ytikda-
$lyrcrlann ve a$qarlann konsentrasiyalan gekil 3.7a-da
gristerilmigdir. Yaxgr tesewiir etmek iigiin konsentrasiya-
lann ferqi heqiqetde oldugundan xeyli az gottirtilmiigdiir.
Her iki tebeqeni temasa gatirib kegid yaradandan
sontz p p>>pn oldugundan konsentrasiya qradiyentinin tesiri
altrnda degiklerin b'ir hissesi p qatrndan n qattna diffirziya
edecekdir. n qahnda serhed yaxrnhfrnda artrq degikler ema-
p qatl

ooG- ooo o o
ooGro oo
oo
ooo o@
;"€9-9 +
oooo oo o oo o.1o

OAkseptor O Donor
'+Detik
=Elektron
t) b)

$akil 3.7.p-n kegidin srrukturu: a) tomasdan qabaqkr hal;

D) temasdan sonrakr hal

8l
te gelecek ve onlar np: n2i gerti cidenene qeder elektron-
Iarla rekombinasiya edecekler. Neticede bu sahede serbest
elektronlann konsentrasiyast azalacaq ve donor atomlanntn
kompensasiya edilmamig miisbet yiiki.i oziiniiL 96sterecekdir
(qekil 3.7b).
Buna uylun olaraq, konsentrasiya qradiyentinin tesi-
rindan (n,>>po) n qatlnrn elektronlanntn bir hissesi p qatrna
diffuziya edocek va serhed yaxrnhfirnda degiklarle rekombi-
nasiyaya girerek burada degiklerin konsentrasiyasrm azal'
dacaqdrr.
Neticede serhedin sol terefinde akseptor atomlanntn
kompensasiya edilmemig menfi yiikii iisttinliik tegkil ede-
cekdir. Qeyri-simmetrik kegidde elektronlann p qattna dif-
fuziyasr bir o qedar de gox deyildir, g;jnki pn-p,>>n,-no.
Kompensasiya edilmemig feza yi.iklerinin yarandrlr
bele saheye kegid sahasi deyilir ve onun eni onda bir mik-
ronla cilgiili.ir. Miitaharrik yiikdaqryrcrlann her iki hissede
konsentrasiyast keskin azaldrlrndan bu saheni hem de ka-
srblagmrE ve ya tiikenmiq sahe adlandtnrlar.
Miivazinet iigiin, daha dofrusu, kegidin neytral olmasr
iigrin iimumi yiik srfra - sol terefdeki menfi yiik - sag teref-
deki miisbet ytike beraber olmahdrr. $ekilden goriintir ki,
bu yiikler tekce agqar ionlan ile yox, hem de qongu qatdan
gelmiq dagryrcrlann sayt ile elaqedardrr. Ancaq bu ytikdaqt-
yrcrlann rolu bir o qodor ehemiyyet dagtmtr ve praktiki
olaraq feza ytiklerinin agqar ionlan ile elaqedar oldugunu
qebuI edirler.
Kegidde akseptorlann konsentrasiyast donorlann kon-
sentrasiyasrndan 9ox (N,>Nr), sagdakr ve soldakr ytikler
ise beraber oldufundan faza yiiklerinin tesir uzunlulu
miixtelif olur: z qattndan miisbet ytik sahesi p qatrndakr
monfi yiik sahesinden daha enli olur. Baqqa sdzle desek
qeyri simmetrik kegid esasen yiiksekmiiqavimetli z qatrnda
(bu halda) cem olur. Bu veziyyet miiteherrik dagryrcrlann
ytik[.inii nezere alanda da deyigmir.
Kegidin igini zona nazeriyyesi baxrmrndan aragdrraq. p
ve z qatlan tomasda olmayanda onlann zona diaqramlan ge-
kil 3.8 a-da tesvir olunur. Qatlar birlegenden sonra da Fermi
seviyryesinin her iki qat iigiin eyni olmasr zeruretinden zo-
nalar miitleq eyilir, qatlann elektrostatik potensiallan ferq-
lenir ve bu da potensial seddinin yaranmaslna getirib grxanr
(gekil3.8 D). p qaL n qatt _.
Elektronlarr kegiricilik zo- -....j.-:--J
:
nasrnrn dibi ile hereket eden i

kiireciklere benzetmek yolu ($, r (y,)n

ile axrnncr diaqramdan poten-

!a
sial ferqini izah etmek olar.
G<iriindiiyii kimi n qatrndakr
elektronlara gox kigik ilkin
ene{i lazrmdrr ki, a-D sahe- VEp
_____p_
,E
sindeki dikliyi defedib sol te-
rofo kegsinlar. p qatrndakr
elektronlara ise ilkin enerji ==4rS .
lazrm olmur, onlardan her biri ::
saddin serhedine gatarsa, b)
asanltqla stirii$i.ib sag terofo $akil 3 E.p va rr qatlannrn tomasda

kege biler. olmadrBr ('4 vo tomasdan sonm

valent zonasrnr maye lo "'ffi:"j::""ltfl,fl,f'*'

doldurulmug, degikleri ise bu
zonanm tavanlna yapl$ml$ stzgec kimi tasvir etsok, gororik
ki, p qahnrn degikleri kifayot qodor ilkin ene{iye malik
olmahdrrlar ki, "mayenin" srxlb-guarma qiivvesini def edib
c-9 sahesinde potensial seddin seviyesina dilge bilsinler. z
qahnrn de$iklori ise serhede gatarlarsa "iizerek" asanhqla
sol terefe kege bilerler.
,t qatlnm az enefili elektronlan va p qahnln az enedili
degiklari soddi kego bilmirler ve ele bil ki, ona deyib geri
qayldrrlar. Bu dagryrcrlann serhede girme mesafesi onlarrn
enerjisine mtitenasibdir. $ekil 3.8 D-de serhed sahasinde
solda ionlagmrq akseptor atomlan, salda ise ionlagmrg donor
atomlan gdstorilmi$dir. Melumdur ki, onlarrn seviyyeleri
uy[un qatrn derinliyi boyunca yerlegmigler. Onlan yalnrz
serhed yaxrnhlrnda gdstermekle bu sahede ionlarrn yiikti-
niin kompensasiya olunmadrlr qeyd olunur. Dogrudan da
"a" nciqtesinden solda Fermi seviyyesi ile kegiricilik zona-
srnrn dibi arasrndakr mesafe getdikco artlr. Bu o demekdir
ki, a-D sahesindo bu zonanrn elektronlarla tutulma ehtimah
azalt. Ona g<ire de eger "a" n<iqtesinden safda elektronlar
donor ionlarm miisbet yiiki.inii konpensasiya ede biler ve z
qatl neytral olursa, "a" nciqtesinden solda elektronlann kon-
sentrasiyasr keskin azalrr ve bele kompensasiya bag vermir.
Eyni sozleri 't" noqtesinden sagdakr akseptor ionlannrn yii-
kii haqqrnda da demek olar.
Kegidi tehlil edorkon kegidin igerisinde sarbest yiikda-
gryrcrlann konsentrasiyasrnrn srfra beraber, kegidden kenar-
da ise miivazinetde oldugu qebul edilir. Daha dogn:su hesab
edilir ki, elektrik sahesi yalnrz kegid sahesile mehdudlagrr.
Bela ideallagdrnlmrg pillevari kegid tigiin miivaz'inet
hahnda potensial seddinin hiindiirliiyii bele teyin edilir:
arP: eq- ee,

eq, vo pun - qatlann derinliyinde uylun elektrostatik

potensiallardlr. Bu potensiallarr qatlardakr serbest elek-
tronlann konsentrasiyasr ile ifade etsek

o', = -o' hfr+ P" -T;

9r, = -9, tnli
N"+ q, -9!-
.r
;

alanq.
 Neticede potensial farqi Ago = p, h? kimi toyin
t1

olunur. Burada N. kegiricilik zonaslnrn I sm3 hecminde

effektiv veziyyetler srxhlrdrr. Fiziki menasrna gcire N,.
yanmkegiricide go-->9. halnda elektronlann maksimal kon-
sentrasiyasrdrr. n p: n,2 v asitasile elektron lann konsentrasi-
yasrnr degiklerin konsentrasiyasr ila evez etsak potensial
seddin htindiirliiyii iigiin diger ifadeni alanq:
lgo = q, tnL
pP

Ap, bezan diffuziya potensiah da adlanrr. Qiinki bu

potensial ferqi bir terefden yiikdagryrcrlannrn kegidden dif-
fuziyasr neticesinde yaranrr, diger terefden ise bu potensial
dagryrcrlann diffuziya selinin p gatt
eksine tesir gosterir. /96r a)
bazen tamas potensial ferqi Na
de adlandrnrlar.
Yuxandakr miilahizeler b)
tamamila kegidin miivazinet
hahna aiddir. Bu hal iigiin a9-
qarlann konsentrasiyastnrn,
yi.iklarin srxhgrnrn, saho gor- c..-i:NzJ
ginliyinin ve potensiahn pay-
lanmasr gekil 3.9-da gostaril-
migdir.
ll I

Tekrar edek ki, kegidin lv-

serheddindan uzaqlarda her iki
tarefde elekfrik sahesi olmur.
Ona g<ire de bu sahalerde enerji $ekil 3.9. Pillevarip-, kegidda miiva-
zonalan iifqi xotlerlo tosvir zinot halmda agqarlann konsentrasi-
edilir. Daxili elektrik sahesi ger- yasrnrn (a), yiiklerin srxhlrnrn (6),
sahe garginliyinin (c) paylanmasr
gmliyi kegidde ,2 qahndan p qa-

85
hna terof yoneldiyinden diaqramda z sahesine uy[un enelji zo-
nalarr hemige p qatna uyEun zonalam nisbeten agalrda
olmahdrr.
gekil 3.10-de kegidin tarazhq (a) ve qeyri-tarazhq (b,
c) hah iigiin enerji diaqramlan gristerilmiqdir. Qeyri-tarazhq
hah kegide xarici gerginlik menbeyi qogulanda bag verir. Bu
zaman kegidde xarici elektrik sahesi yarantr.
Ogar xarici sahe -8,,. daxili sahaya .8o,, eks olarsa
(gekil 3. l0 b) onda kegiddaki neticevi gerginlik ve potensial
seddinin hiindiirl iiyii azalar.
Ed. . E,". 8,",
b) c)
-F. -.
Eef.q%El
l" Or Olo I .l
E6l "i"l&.q
;-f-F-fi-
lll
%)ts
1',%t
w$ekil3.l0. Tarazltq va qeyri-tarazlq hallnda kegidde
yiiklorin paylanmasr ve eneqi saviyyesinin deyismasi
Neticede esas yiikda$ryrcrlann bciyiik enerjiye malik
olan hissesi bu seddi def ederek p qatrndan ,t qahna (de$ik-
lar) ve n qatrndanp qatrna (elektronlar) kege biler. Bu halda
n qatrnda serhed yaxrndrgrnda degiklerin ve p qahnda ser-
hed yaxrnhlrnda elektronlann konsentrasiyalan bele ifade
olunur:
1,.,/ u,- t
/e' f,r= f,roe /e'
P,= Pnoe
Burada p", vo ,rpr- miivazinet hahna uyEun konsentra-
siyalar, U,,. ise kegide tetbiq edilen xarici gerginlikdir.
 Goriindnyii kimi bu halda serhed yaxrnhgrnda har iki
qatda yiikda$lyrcrlann konsentrasiyasr miivazinet hahna
nisbaten artlr. Bagqa s6zle, qatlarrn her birinde ifiat (artlq
sayh) qeyri-esas ytikdagryrcrlan emele gelir. eeyri-esas
yiikdaqryrcrlarrn bu yolla yanmkeginci qata niifuz etmasi
prosesine injeksiya deyitir.
Serhedde ifrat konsentrasiyalann qiymetini bu konsen-
trasiyalann cari qiymotleri ile tarazhq hahna uyfun kon-
sentrasiyalann ferqinden (p,-p,o) ua (n r-nrn) tapmaq olar:
l'u,.,/
/n \
tl"u,..,/ -tl
zp,=p,,1
f /" -tl\
Ano=n,ol"
\/
Bu iki ifadeni bir-birine btiltib, sa! torcfdokj p"0 va
konsentrasiyalannl p/, vo n,-le (np:1,')-n gdro) ovoz etsok
\0

!" = lL alanq. Bele qeyri-simmehik kegidde esas yiikdagr-

Anp nn
yrcrlann konsentrasiyalan xeyli ferqlandiyindan yiiksek miiqa-
vimatli (bu halda n tipli) qata injeksiya edilen qeyri-esas
yiikdagryrcrlann konsentrasiyasr alqaq miiqavimetli p qatrna
injeksiya edilen qeyri-esas yiikdagryrcrlann konsentrasiyasrn-
dan qarqat gox olacaqdrr. Belelikle. real qeyri-simmetrik ke-
qidlerde injeksiya demek olar ki, birterefli xarakter
dagryrr: qeyri-esas ytikdagryrcrlan osason atgaq miiqavimetli
qatdan ytiksok miiqavimetli qata teref hereket edir.
Kigik xiisusi mi.iqavimeta malik inteksiya eden qata
emitter, nisboton boytik mtiqavimetli, neticasine qeyri-esas
ytikdagryrcrlann inteksiya edildiyi qata ise baza deyilir.
Injeksiya naticesinde kegidden boytik cereyan axrr.
Kegidin bele qogulmasrna diiz istiqametde qogulma deyi-
lir. Xarici gorginliyin qiymeti artdrqca kegiddeki neticevi
gerginlik azal:r, ve bu elektrik sahesinin yarrmkegiricinrn
serhodo yaxrn derinliyina tesiri azaltr. Ona gore do kegidin
(vo ya hocmi yiik sahesinin) eni azalrr (/uu).
Ogar xarici elektrik sahasi daxili saha istiqametin-
de olarsa, esas ytikdagryrcrlan iigiin potensial seddinin hiin-
diirliiyii artar (qekil 3.10c). Bu halda qeyri-esas yiikdagtyr-
crlan iigiin sedd olmadrlrndan onlar kegidden bu ve diger
terefe kegir ve kegidden onlann konsentrasiyasrna uygun
coroyan axrr. Serhed yaxrnhlrnda her iki qatda mi.ivazinet
hahna nisbeten p, ve n, konsentrasiyalan azaltr. Qeyri-osas
dagryrcrlarrn z ve p qatlanndan bu ciir "sorulmast" prosesine
ekstraksiya deyilir. Ekstraksiya neticesinde kegidden axan
kigik cereyana eks cereyan deyilir. Tetbiq edilmig xarici
(eks) gerginliyin qiymeti artrqca keqidin (ve ya feza yiik
sahesinin) eni goxalrr (/"u.).
Kegidin bele qoqulmasrna aks istiqamatde qogulma
deyilir. Kegidden axan coroyamn analitik ifadesi beledir:
t = t'( l"l' - r\
\/
Burada - kegidden axan eks cereyandtr. Ona istilik
"/o
corayanr da deyilir. Onun qiymeti temperaturun sabit qiy-
metinda yanmkegiricinin fiziki xiisusiyyetlari ile miieyyen
edilir.
Bu ifadeye uyfiun gelen qrafike elektron-degik kegidi-
nin volt-amper xarakteristikasr (kegidden axan ceroyanln
tetbiq edilen gerginliyin qiymetinden ve igaresinden asrh-
hgr) deyilir.
Kegidin vollamper xarakreristikasr gekil 3.1l-de gds-
terilmigdir. Gori.indiiy[ kimi gerginliyin miisbet qiymetle-
-, /'
u

rinde (diiz qogulma) J oe /e' haslli arttr, menfi qiymetlerin-

de ise srfra qeder azahr vo csroyan ,Io-a beraber olur. Oks
corayanln qiymeti diiz cereyandan gox-gox kigik oldu[un-
dan hesab olunur ki, kegid carayanr birterafli kegirmek
(ventil) xiisusiyyatina ma-
likdir.
Oks gerginliyin ynk-
sek qiymotlerinde eks care-
yanrn qiymeti artlr vo ogor
o mehdudlagdrnlmasa kegid U.*, Oks qo$ulma DIz qo$ulma
"degilir" ve cerayan birte-
refli kegirme xi.isusiyyetini
itinr. Bu gerginliye deqil-
ma garginliyi deyilir. d"
Yanmkegincinin xii-
susi miiqavimetindan, ke- $ekil 3.1 1. p-rr kegidinin volt-
gidin n6viinden, tetbiq edi- amper xarakteristikasl.
len gerginliyin forma ve
qiymatinden, etraf miihitin temperahrrundan, istitik otiirme
geraitinden, kristahn sothinin veziyyetinden ve diger amil-
lerden asrh olaraq degilmenin agafrdakr novleri olur: tunel
deqilmasi, selvari deqilma, istilik degilmesi ve sethi degil-
ma.
Tunel ve selvari degilme elektnk sahesinin movcudlu_
!u ile elaqedardrr. istilik deqilmasi kegidde sepelenen gii-
ciin artmasr ve bu zaman sepelenen istilikle kegidda eks ce_
reyan axanda aynlan giic arasrnda tarazhlrn pozulmasr ile
elaqedardrr. Sathi degilme kristahn iizerinde sothi yiikiin
m<ivcud olmasr ile elaqedardrr.
Degilmenin ntivleri haqqrnda qrsa melumat verek.
Tunel degilmesi. Yriksek elektrik sahesinin tesirinden
yanmkegiricide enerji zonalan eyilir ve ele bil ki, qadafan
olunmug zona ensizlegir. Bunun neticesinde elektronlann
kegid sahesinde valent zonasrndan kegiricilik zonaslna tu_
nelvari kegmesi (sivigmesi) ehtimah yaranrr. Bele degitme
germaniumda EF2.lts Z/szr silisiumda ise E4.If V/sm
gerginlikli sahede baq verir. Degilmemn baglanlrcr J*"=10J6
qiymotina uygun gelir. Degilme gerginliyi bazantn xiisust
miiqavimetine miitenasibdir ve kegiriciliyin n<ivijnden asrh-
drr. Boyiik eks gerginliye dcize bilen keqidlerin yiiksek
miiqavimatli n-tipli bazalan olur.
Bu degilmonin mexanizmi belo de izah edile biler.
Elektrik sahesinin gerginliyi artdrqca atomlarla elaqade olan
elektronlann enerjisi artrr, onlar atomlardan ayrrlmala hazrr-
lagrrlar. Elektrik sahesi olmayan hala nisbeten bele aynl-
malar daha az enerjili fononlarla (daha kigik temperaturda)
bag vere bilar. Ona goro de temperahrrun fononlann orta
enerjisini miieyyen eden her hansr qiymetinde bela ayrrlma-
lann sayr artr. Zona nezeriyyesi baxtmtndan bu hemin tem-
peraturda valent zonastndan kegiricilik zonaslna kegen elek-
tronlann saytnln artmasl demekdir ki, bu da qadafan olun-
mug zonanln eninin azalmastna ekvivalentdir.
Selvari deqilma sahe gerginliyinin kigik qiymetinde
nel4ral atomlann siiretli yiik dagryrcrlar vasitesile zerbe ion-
Iagmasr neticesinde bag verir. Kegid sahesinde qeyri-esas
ytikdagryrcrlan (elektron ve deqikler) elektrik sahesi ile
siiretlenerek ionlagdrrma iigtin kifayet eden enerji elde edir-
ler ve kegid sahesinde yarrmkegirici atomlanndan valent
elaqelerini qrnrlar. Neticede yeni yiikdaqrytcr ciitler yarantr
vo proses bunlann tesiri altrnda daha da inkigaf edir. Bu hal-
da kegidden axan iimumi coroyan ionlaqma olmadrfr haldan
gox olur, saha gerginliyinin bdyiik qiymetlerinde ionlaqma
selvari xarakter dagryrr (qazlarda elektrik bogalmasrna ben-
zer) ve cereyan bu halda xarici miiqavimetle mehdudlagrr.
Qeyri-esas yiikdaqryrcrlannrn kegid sahesinde herekat
vaxtr kifayet qeder enerji almasr iigiin onlann dreyf miiddeti
miimktn qedar boytk olmahdrr. Ona gore de selvari degil-
me enli kegidlerde (yiiksek miqavimetli materialda) bag ve-
rir. Ensiz kegidlerde (kigik miiqavimetli materialda) yiikda-
qryrcrlan dreyf vaxtr hetta yiiksek sahe gerginliyi olanda da
kifayot qodor enedi olde ede bilmirler ve bele kegidlerde
tunel deqilmasi bag verir.
Istilik deqilmasi sahe gerginliyinin gox kigik qiymet-
lerinde keqiddan vahid zamanda konara venlen istiliyin eks
careyanrn tesirinden kegidde ayrrrlan istilikden az olmasr
hahnda ba9 verir. istiliyin tesirinden (heyecanlanmadan) va-
lent elektronlarr kegiricilik zonastna keqir ve kegidde cero-
yanr daha da artrnrlar. Bu elaqe coroyanln selvari artmasr vo
kegidin degilmesine getirib qrxanr. Otraf miihitin tempera-
turu artrqca istilik mexanizmli degilme gorginliyi azalrr. Ki-
qik eks caroyana malik kegidlarda degilme gerginliyi az
olur. Silisium kegidlerinde "/r gox kigikdir ve onlarda istilik
degilmasi bag vermir.
Sathi deqilme. Sahe gerginliyinin kegidde paylanmasr
yarrmkegiricinin sethinde yrgrlan yiikleri keskin deyiga
bitir. Sethi yiikler kegidin qahnhgrnr artnb azalda biler. Ne-
ticede sethde sahe gerginliyinin hecmi degilme tigiin lazrm
olandan az miieyyen qiymetlerinde sethi degilme bag vere
biler. Bele degilmenin bag vermesinde yanmkegiricinin sat-
hi ile hemserhed olan miihitin dietektrik xiisusiyyetleri (cir-
ti.iyii, girkliliyi ve s.) miihiim rol oynayrr. Bele deqilmenin
bag verme ehtimahnr azaltmaq iiqiin yiiksak dielektrik sabitli
rirti.iklerdan istifada olunur.
Kegidin xiisusiyyetlon temperaturdan gox asrhdrr. Tem-
peratur artdlqca elektron-degik ci.itlerinin yaranmasl siiretle-
nir, qeyri-osas yiikdagryrcrlann konsentrasiyasr ve kistahn
mexsusi kegiriciliyi artrr. Ona gdro da temperatur goxaldrq-
ca hom diiz, hem de eks coroyantn qiymeti artrr. Ancaq bu
artma eyni olmur, giinki dtiz cerayanrn qiymoti osason a$-
qarlann konsentrasiyasrndan asrhdrr.
Kegidin xiisusiyyetleri hem de totbiq olunan gorginli-
yin tezliyindon asrhdrr. Bunun sebebi n ve p tebeqolan ara-
srnda xiisusi tuhrmun mrivcud olmasrndadrr.

9l
 Oks gerginlik tetbiq edilerken her iki igareli yiikdagt-
yrcrlan kegidin her iki terefinde yrfrlrrlar ve kegidin oziinde
onlann sayl az olur. Bu halda keqidi tutum kimi tesvir etmek
olar. Bu tutumun qiymeti kegidin hecmi feza yi.ikiinden,
bagqa sozla, kegidin sahesinden, eninden ve yanmkegirici-
nin dielektrik niifuzlulundan asrhdrr. Bu tutuma sodd tutu-
mu deyitir. Oks gerginliyin kigik qiymetlerinde miixtelif
igareli yiikdagryrcrlar bir-birinden gox da uzaqda olmur. Ona
g6re sedd tutumu gox boyiik olur (kegid ensiz olur). Oks
gergintik artrqca kegidin eni boyiiyiir ve sedd tutumu azaltr.
Bu xiisusiyyet kegidi eks gerginliyi deyigmekle idara
olunan tutum kimi istifade etmeye imkan verir.
Sedd tutumunun movcudlulu kegidin xiisusiyyetlerine
tesir gosterir. Yiiksek tezliklerde igleyerken kegidin tutum
miiqavimeti X"s71/o{",a7 azafu ve eks qoqulmuq kegidin
boyiik miiqavimetini guntlayrr. Bu zaman keqid bir terefli
coroyan kegirme xiisusiyyetini itirir.
Sedd tutumundan elave keqid diffuziya tutumuna da
malik olur. Bu tutum diiz qogulma rejiminde yiik daqryr-
crlarrn injeksiyast neticesinda yaranrr. Diffuziya tutumu
kegidin igine gox tesir etmir, giinki o hemige keqidin kigik
diiz miiqavimeti ile guntlanmtg olur.

3.6. Yarrmkegiricilarde kegidlerin digar niivlari

Yuxanda aragdtnlan pillevari p-n kegidden baqqa,

praktikada diger kegidlerden de istifade olunur. Bunlara ya-
rrmkegirici-metal, yanmkegirici-dielektrik kegidleri' hete-
rokegid ve s. aiddir. ihdi de onlann xiisusiyetlerini <iyrenek.

3.6'1. Yarrmkegici - metal kegidi

ilk yanmkegirici cihazlar (noqtevi temash diodlar) ya-

nmkegiricinin metalla tomast esastnda qurulmuqdur. Tecrii-
92
bi yolla taprlmrgdrr ki, metal iyneni tobii yanmkegirici mine-
ral kristallannrn bezilerile toxundurmaq noticosinda zeif
deyiqen siqnallarr diizlendirmek olar. Bele crhazlar gox sade
vo etibarsrz iglemelerine baxmayaraq miiasir tranzistor
elektronikasrnrn inkigafrna ve daha miikemmel noqteli diod-
lar yaradrlmasrna tekan vermigdir. inteqral sxemlerde meta-
hn yarrmkeqirici ile (silisiumla) tamasr iki ciir istifade olu-
nur: 1) inteqral sxemin elementlerinde cereyan ve gerginlik-
leri tetbiq eden qeyri-diizlandirici omik temaslar; 2) xiisusi
diizlendirici tomaslar (gottki diodlan).
Metal-yanmkegirici temasrmn strukturu her geyden
evvel her iki qatda Fermi seviyyelerinin qargrhqh yerlegme-
si ile miieyyen edilir.
$ekil 3.12-de metal va yanmkecirici qatlarl tomasda
olmazdan qabaqkr (a,c) ve temasdan sonrakr (b,E) hallar
iigiin zona diaqramlan gosterilmigdir.
Metal p tipti Metal nyanmkecinci
dpti

F I
lqtllal
'l-l I r---
r
-''.lq* -

b)

9so

t,

$eki I 3. I 2. Dnzlendirici meral-yanmkegirici

tamaslntn zona diaqramlan

$ekil 3.12 (a-c)-de gristerilen diaqramlar pp^>qu, hah

tigiin gekilmigdir (qr^-metalda Fermi seviyyesidir). Bu o
93
demekdir ki, yanmkegiricinin kegiricilik zonasrnda yerlegen
her hansr p seviyyosinin elektronla tutulma ehtimah metalda
yerlegen eyni seviyyenin tutulma ehtimahndan azdrr. Bagqa
sozle yanmkeqiricinin kegiricilik zonasr metalln ona uyEun
sahesine nisbeten elektronlarla pis dolur. Ona g<ire temas
yaranan kimi elektronlarrn bir hissesi metaldan p tipli yanm-
keqiriciye kegir. Yanmkegiricinin sathe yaxtn qattnda elave
elektronlarrn yaranmasl rekombinasiyanr siiretlendirir. Bu-
nun neticesinde esas yiikdaqrytctlarrn-degiklerin sayt azaltr
ve metalla serhedin yaxrnhfirnda akseptor ionlanntn kom-
pensasiya edilmamig yiik0 ozi.inii biiruze verir. Elektrik
sahesi emele gelir, bu da elektronlann sonrakt axtntna mane
olur ve temas sahesinde mi.ivazinet yaranrr. Enerj i zonalart
a9a!rya istiqametde eyilir.
$ekil 3.12 b-da zorra diaqramlan qr,,<Qr, hah iigiin
qurulmugdur. Bu zaman temasdan sonra elekffonlar n tipli
yarrmkegiriciden metaia kegir ve rekombinasiya neticesinde
metalla serhedin yaxrnhlrnda donor ionlanntn kompen-
sasiya edilmemig miisbet yiikleri iiziinii gosterir. Bu halda
enerji zonalan yuxart istiqametde eyilir.
Zonalann eyilme oblastr hecmi yiiklerin oblasfina uy-
lun gelir, onlann uzunlulu
I=.1D"*l-l
" ""
\/qN
diisnrru ile teyin edilir ve her iki halda 0,1-0,2 mkm hed-
dinde olur. Burada N - ionlagmrg agqarlarrn konsentrasiyast,
p"- seth potensiahdrr (sethle hecm arastndakt potensial far-
qi), a, - vakuumun miitleq dielektrik niifuzlufu, e - dielektrik
niifuzlugudur.
Bele temaslan real geraitde vakuumda metalt yartmke-
giricinin iizerine toz kimi sepolemek yolu ile elde edirler.
Adeten metalla yanmkegirici arastndakt elektron mii-
badilesini ilkin Fermi seviyyelerinin ferqi ile yox, grxrg igle-
rinin ferqi ila xarakterize edirler. Zona diaqramlannda grxrg
ipi Fermi seviyyesi ile serbest elektronun bork cisimden ke-
nardakr soviyyosi arasrndakr enerji "mesafe"sidir. $ekil 3.12-
de metaldan ve yanmkegiriciden grxrg islen q^ ve p. -le iga-
re edilmigdir. e.-9,= 9." ferqine (voltlarla olqiiliir) tamas
potensial ferqi deyilir.
gm vo qs grxlg iglerinin nisbetinden asrh olaraq elektronlar
bir qatdan digorine kegir. Ogor g^<p"-dirse (g^,<0) (qektl
3.12a) elektronlann metaldan yanmkegiriciye, e_> e, olarsa
isa (p^,> 0,gekil 3.12 b) yanmkegiriciden metala keqir.
Enerji zonalanun sothin yaxrnhgrnda eyiime derecasi
tarazhq sath potensiah p", ile xarakterize edilir. Oger seth
vaziyyetlerinin rolu nezere ahnmazsa pso= e,,, o|ur.
$ekil 3.12-de gosterilen her iki temas yanmkegiricinin
tamasyant qatrnda kasrblagmrg qatlann emele gelmesi ile
farqlenir. Burada asas ytik dagryrcrlannrn konsentrasiyasr te-
masdan arahqda m6vcud olan tarazhq konsentrasiyasrna nis-
beten kigikdir. Ona grire tomasyanr qatrn xiisusi miiqavimeti
briytikdiir ve bu (p-z kegidde oldugu kimi) biittin sistemin
miiqavimetini miieyyen edir.
Temasyanr qatdakr potensial seddine $ottki seddi de-
yilir ve onun hiindiirliiyti g* p-n kegidd,aki /p
potensiahna
uyfundur. Tetbiq olunan xarici gerginliyin igaresindan asrh
olaraq p. potensiah ve uylun olaraq temasyanr qahn mtiqa-
vimeti dayigecekdir.
Oger miisbat qiitb metala, monfi qiitb ise yarrmkegiri-
ciyo qo$ularsa tomasda potensial seddi (gekil 3.13 a) arta-
caq, tomasyanl qat osas yiikdagryrcrlanna-degiklera g<ire da-
ha da kasrblagacaq ve mi.ivazinat haltna nisbatpn daha bo-
yiik xiisusi miiqavimete malik olacaqdrr. Demsli bele igareli
gerginlik bu temas iigiin eks gerginlikdir. Hemin igareli gor-
ginlik ikinci temasa tetbiq edilerse potensial seddi azalar,
tomasyanl qat osas yi.ik dagryrcrlan ile - elektronlarla zen_
ginlo$er vo onun miiqavimoti tarazhq haltna nisbeten azalar.
Demeli bele igareli gerginlik bu temas iigiin diiz gerginlik-
dir.
Belelikle, baxrlan temaslar diizlendirme xiisusiyyetle-
rine malikdir va bunlardan $ottki diodu adlanan clhazlar
qurulur.
Tutaq ki, metahn z tipli yanmkegirici ile temastnda
p."<0 (9eki1 3.13 b,). Aydrndrr ki, birinci halda elektronlar
yanmkegiriciden metala kegecek va zonalar yuxan istiqa-
metde eyilecek, ikinci halda ise elektronlar metaldan yanm-
kegiriciye kegecek ve zonalar agalr istiqametde eyilecek.
Bele temaslarda yanmkegiricida serhad yaxrnhlrnda esas
yiik daqryrcrlarr yr!rlrr ve zenginlegmig qatlar altnrr. Onlann
uzunlu[u
, - E!,"g,
'=tr ,,
diisturu ile teyin olunur ve mikrometrin yiizde biri qedar
olur. $ekil 3. 13-da temas potensial ferqi gox g6ti.irtildiiyi.in-
den zonalann eyilmesi gox azdrr. Oger g-,:0,1-0,2V goru-
riilse zonalann eyilmesi btiyiik olar ve serhed yaxtnhlrnda
Fermi seviyyesi uyfun icaze verilmig zonadan keger. Bu
sahede yanmkegirici gox kigik xiisusi miiqavimete malik
yanmmetala gevirilir.
Zenginlegmig qatrn movcudlugu o demekdir ki, biitov
sistemin miiqavimeti neytral yanmkeqirici qah ile miieyyen
edilir ve ona g6re tetbiq olunan gerginliyin ne qiymetinden,
ne de iqaresinden asrlt olmur. Metahn yanmkegirici ile bele
qeyri-diizlendirici kombinasiyastna omik temas deyilir.
Omik temaslar yanmkegirici qatlara gxtg meftillerini
qoqanda heyata kegirilir. Iki terefli keqiricilik xiisusiye-
tinden elave omik temas hem de zenginleEmig qatda ifrat
yiik dagryrcrlarrnrn heddinden artrq kigik 6miir mtiddetine
malik olur. Ona g6re yanmkegirici cihazlan tehlil ederken
 omik tomaslarda ifrat yiikdagryrcrlarrn konsentrasiyasrnrn
stfra beraber oldulunu qebul edirler.
Mikroelektronikada hal-hanrda omik temaslar iiqiin on
gox iglenen metal aliiminiumdur. Onu sotho toz goklinde sa-
pelayib sonra yiiksak temperaturda kigik derintiye yandrrrb
salrrlar. Oger silisium n tiplidirse onda ahiminium akseptor
olaraq sethyanr qata qangaraq omik temasrn kegiriciliyini
artlnr.
Meral P tipli Metal n tipli

Sokil 3.13. Qeyri-diizlendirici metal-yanmkegirici

temasmrn zona diaqramlan

.Oger
silisium p tiplidirse, onda aliiiminium akseptor
atomlan esas donor atomlannrn arttqlamasl ile kompensa_
siya edecek ve silisiumun sethyanr sahesi degik xiisuiiyyeti
elde edecek. Bunun neticesinde omik temas evezine parazit
p-z kegid ahnacaqdrr. Hem de donorlann konsentrasiyasr ne
qeder kigik olarsa, (silisiumun xtisusi miiqavimeti yiiksek
olanda) bele hahn yaranma ehtimah bir o qeder boyrikdiir.
Bunun qargrsrm almaq tigiin z tipli silisiumun sothini tomas
sahesinde donorlarla elave 6rtiirlar va onu z+ qata gevirirler.
Bu halda aliiiminium atomlart ile izafi kompensasiya ba9
vermir.
3.6.2. Yarrmkegirici-dielektrik kegidi

Yanmkegiricinin hemserhed oldugu miihitin xasseleri

sethyanr qafin xiisusiyyetino tesir edir. Bunu yuxanda arag-
drrdrlrmrz tomasda miigahide etdik: yarrmkegiricinin sethin-
de metahn olmast yanmkeqiricide kasrblagmrg ve zanginleg-
mig qatlarr emele getirir. Bu ciir prosesler yanmkegiricinin
sethinda de bag verir. Adeten silisiumun silisium oksidi
(SiOr) ile serhedi xtsusi maraq doiurur, giinki biittin miiasir
yarrmkegirici inteqral sxemlerin sethini oksid qatr ile <irtiir-
ler.
Silisium oksidinden olan qatlann esas xiisusiyyetleri
ondadrr ki, onlarda hemige donor tipli agqarlar olur. Bunlar-
dan en genig yayrlanlan natrium, kalium ve hidrogendir.
Onlann hamtst hem silisiumun, hem de mikroelektronika
texnoloj i proseslerinin apanldrgr qablann hazrrlandr[r ;i.ige-
nin ve kvarstn terkibinde m<ivcuddur.
SiO. tebeqesine xas olan donor agqarlan adeten sili-
siumla serheddin yaxrnhlrnda yrlrgrr. Ona g6rc SiO2 tobo-
qesinde silisiumla serhedde miisbet yiiklenmig donor atom-
lanndan ibaret nazik qat emele gelir, bu atomiann verdiyi
elektronlar ise silisiumun sethyant qatma keqirlor. Bu kegi-
din neticesinde bag veren hadiseler hem yanmkegiricinin
novtinden, ham de dielektrikde donor agqarlanntn konsen-
trasiyasrndan astlt olur. Donor atomlan dielektrikin gox na-
zik qatrnda yrgrldrqlarrna g6ra hecmi konsentrasiya (sm'3)
sethi lonsentrasiyadan (sm'2) istifade olunur. Oger
"u"rir"
silisium z tiplidirse oksidden ona kegmig elektronlar onun
sethyanr qatrnl osas yiik dagryrcrlarla zenginlegdirirler ve n
tipli kanal emele gelir (gekil 3.14 a).
Silisium p tipti olanda ise onda oksidden kegen elek-
tronlar ya yanmkegiricinin sathyanr qatlnl kasrbla$dlraraq
monfi akseptor ionlannr agkar edirler (qekil 3 14b), ya da
kasrblagdrnlmrg qatla beraber nazik inversion qat yaradlrlar
(gekil 3.14 c).
d 3.Oz b) SLOz
"./ Si0z

n tipli kanal 6 Akseptor ionu n tipli kanal

O Donor ionu
- Elektron
gokil 3.14. Silisium oksidle hemserhod olan sethyanr qau:
a) zengmloqmig qat;6) kasrblatmr$ qat;
c) inversion kanalll kasrblagmrl qat

Silisiumda zonginlo$mi$, kasrblagmrg vo inversion qat-

lann yaranmasr yanmkegirici cihazlann ve inteqral sxemlo-
rinin igina briyiik tesir gostarir.
Si - SiO, serhodinin xarici sahalorinin bu serhedde
birlegen plar,ar p-n kegidine tosirini ara$drraq.
gekil 3.15-de oksid toboqosi olmayan halda p-z kegi-
din gaquli (yan) sahesi gcisterilmigdir. Oksid tebeqesi olanda
p tipli silisiumda yaranan sethyanr kasrblaSmrg qat ($okil
3.14 6) ilkin qaquli qatla qan$rr ($okil 3.15b). Kasrblagmrg

$okil l.l 5. Sarhin yaxrnlrErnda planar p-a keqidinin srrukluru: (r) ok-
siddo donor atqan olmayanda: 6) oksidda donor agqarr olanda;
c, q, inversion kanalr kasrblagmrg qat olanda
99
qatln noticevi sahesi vo hecmi artrr ve onunla birlikde ter-
mogenerasiya ceroyanl (silisium kegidlerinde eks cereyanrn
osas toplananl) da artrr. Oks cereyanrn artmasrna hem de
sethyam sahodo da$lyrcrlarrn kigik <imiir miiddeti de tesir
g6starir.
Ogerp tipli silisium kasrblagmrg qatla beraber inversi-
on z tipli kanal yaradrrsa (9eki1 3.14c), onda kanal keqidin z
qah ile birlegir va ele bil ki, bu qah sethde uzadrr (9ekil
3. l5c). Neticeda bundan eweleki kimi kasrblagmr$ qatrn
neticevi sahesi artrr. Lakin bu halda kasrblagmrg qat sethden
ceroyan buraxan z tipli kanalla aynlmrgdtr. Kasrblagmrg qa-
trn sethyanl sahesi termogenerasiya cereyanrna gox tosir et-
mir ve cereyan bundan ewelki hala nisbeten kigik olur. Bu-
na baxmayaraq n tipli kanahn olmast menfi rol oynaytr.
Dogrudan da p qatrnda yerlegen n tipli kanal n vo p
qatlarmrn omik temaslan arasrnda p-n kegidi qlsa qapayan
maftil yaradrr (gekil 3.159).

3.6.3. Heterokegid

Qadalan olunmug zonalannrn eni miixtelif olan iki ya-

nmkegiricinin temasrndan yaranan p-z kegide heterokegid
deyilir. Bele keqidlere misal germanium-silisium vo gerrna-
nium-qallium arsenid ola biler.
Heterokegid hem miixtelif, hem de eyni kegiriciliye
malik yanmkegiriciler arastrnda yarar,a biler. $ekil 3.16a-da
heterokegidin zona diaqramr gosterilmigdir. Kegidin xtisu-
siyyeti ondadrr ki, valent zonastnda enerji seviyyelai AEr
ve /E, qrnlmrq olur.
Kegiricilik zonasrnda seviyyelerin qrrrlmasr p ve z tip-
li yanmkegiricilerde grxrg iqlerinin farqi ile valent zonastnda
ise ondan bagqa Eo, ve ,8, enerjilerinin beraber olmamast
ile elaqederdrr. Ona gore elektronlar va degikler iigiin
potensial seddler bagqa-bagqa olur: elektronlar iigiin kegiri-
100
cilik zonasrnda potensial ferqi degikler fgiin valent zonasrn-
dakrndan azdrr. Kegide diiz gerginlik verilende elektronlar
tigiin potensial saddi azalrr ve onlar ,t tipli yanmkeginciden
p tipliye injeksiya edilir.
Degiklar iigiin de poten-
sial ferqi azahr, lakin ki-
fayet qeder olur ki, de-
giklerin p qatrndan ,, qa-
trna injeksiyasr olmasrn.
Bu ona getirib grxanr ki,
ytik dagryrcrlan yalmz [51
kegidin bir qahna in-
jeksiya olunur. Bu ise I
bir gox yarrmkegirici ci- i

hazlann iginin keyfiyye- Sokil 3. I6. Heterokegidin

tine miisbet tesir gos- zona diaqramr

terir.
n-n tipli heterokegidlerdan istifade olunarken dtiztine
kegiricilikde esas yiik dagryrcrlarr - elektronlar igtirak edir-
ler. Bu o demekdir ki, cihazr diiziine veziyyetden eksine
qogulma veziyyetine kegirerken onda qeyri-esas daqryrcrla-
nn adi p-n kegiddeki kimi yavag sorulmasr hadisesi bi; ver_
mir. Bu ise qogma vaxtrnr 0,1-1 nanosaniyeye qeder azall
mala imkan verir.

3.T.Yanmkegiricilerda seth hadisaleri

Qeyri-mehdud rilgiilere malik kristalda icaze verilmig

seviyyelerin hamrsr mehdud rilgiilii kristalda da mrivcud olur.
Qefesenin qrnlmasr yalmz ona getirib grxanr ki, kristahn set_
hinin_ yaxrnhlrnda qeyri-mehdud kristal iiqiin qadalan olun_
mug hedlerde icaze verilmig diskret seviyyeleri ve yi zonalar
ygay. Bu seviyyeleri tutmu$ elektronlar kristahn igina
(daxiline) kega bilmir vo onun sothi yaxrnhgnda yrgrgrilar.

l0r
Bu seviyyelere soth soviyyalori ve ya Tamm seviyyaleri
deyilir. Seth seviyyelari donor, akseptor vo yaprsma mor-
kezleri ola bilerler. Akseptor seviyyelerinin tutulmasr elek-
tronlarln lokal yrgrlmasr, elektronlann donor saviyyelerin-
don uzaqlaqmasr ise bu seviyyelerde degiklerin lokal yrgrl-
masr demekdir. Bunun neticesinde sethin menfi ve ya
mtisbat yiikterle yiiklenmesi baq verir. Neltralhq ;ortinin
odenmesi vacibliyine gore bele yiiklenme sothyanr qatda
sethi yiikii neytrallagdrran hecmi yiikii emele getirmelidir.
Bu, setha onun iizerindoki yiiklorin eksine yiiklenmig dagt-
yrcrlann gekilib getirilmesi ve onlarla eyni igareli yiiklen-
mig dagryrcrlann oradan itelenib uzaqlaqdtnlmast i1e heyata
kegirilir. Neticede yanmkegiricinin sethyant qah sethdeki
yiikle eyni igareli daqryrcrlara gdre kasrblagrr ve onlara eks
iqareli dagryrcrlarla zenginlegir.
Tamamile bunun kimi metal-dielektrik-yanmkegirici
strukhrrunda da elektrik sahesinin tesirinden yanmkegirici-
nin sethyanr qatr yiik dagryrcrlarla zenginlegir ve kasrblagrr.
Bu hadiseye sahe effekti deyilir (gekil 3.17). Metala mtisbet
ve ya menfi potensial verilir. Metal lovhedeki yiike beraber
ve ona eks iqareli ytik yarrmkeqiricide seth iizerinde yox,
onun sethyanr qatlnda yerlo$ir. Oger yi.ikdaqrytctlann kon-
sentrasiyair gor bdytik olan (-1028m-3) metallarda soth yii-
ktiniin neltralla$masl qofasonin bir nege parametrine baraber
mesafede bag verirse, yanmkegiricilerde hecmi yiik gox
derine (10-6m-den gox) sirayet edir. Adaten bu derinlik
ekanlamamn debay uzunlugu (Ir) adlanan mesafeye beraber
gtittiriiliir. Bu ele mesafedir ki, bu mesafede serbest yiik
da.gryrcrlan olan maddede sahe potensiah e defe aza\r e-na-
turai loqanfrnin e sasrdt (e= 2,72). Mexsusi yanmkeqirici iigiin

-" ("",*r\i
r
("",r,\!
LD-l -
2 =r- 2qn, |
^
l2q-n, ) \ )
Aqqarlr yanmkegirici iiqiin
102
 , -(
"'-l "',*,\'
qN )
Burada N ionlagmrg agqarlann konsentrasiyasrdrr.
N>>n, oldulundan agqar
yanmkegiricilerinde I, mex- Metal
susi yanmkegiricilerde oldu-
gundan azdrr.
Yanmkegiricinin sathi-
nin yiiklenmesi onun sethi ile u)
hecmi arasrnda potensial ferqi I

yaradrr. Seth menfi yiiklenen- -x I

de enerji zonalan yuxan isti-

qamotdo eyilir, giinki elektron
hecmden sethe dogru hereket
edende onun enerjisi goxalrr.
Soth miisbet yiiklenende zo- $akil 3 17. Meral-dielektrik-ya-
nalar agagr istiqametde eyilir. rtmkegirici strukturda saho el-
fekti (a) ve potensial
Oyilme yanmkegiricinin de- paylannrasr (D)
rinliyinde Lo qader mesafede
oziinii gristerir.
Yanmkegiricinin sethyam qahnda elektronlann ve de-
giklerin konsentrasiyasr bele teyin olunur
E, _E, Er_E,
n=n,e kr ; P=nie kr

d-qadalan olunmu$ zonanln ortaslna, Eo-Fermi seviy-

yesine uyfundur.
Bu ifadalerden gdriintir ki, ager ESE. olarsa n>n>p
olur. Demeli, yarrmkegiricinin sethyanr qatrnda n tipli kegi-
ricilik iistiinliik tegkil edir. E=E sahesinde n=p=zi olur ve
yanmkegirici riziinii mexsusi yanmkegirici kimi apanr.
Eo<E, olanda p>nin va yanmkegirici p tipli kegiriciliya
malik olur.

103
 Belolikle, yanmkegiricinin sethyant sahesinde tiiken-
mo, zonginlo$me ve inversiya proseslori miigahide olunur.
Kasrblagmrg saho yanmkegiricinin sethindo osas yiik-
dagryrcrlan ile eyni igareli yiik emele gelende yarantr.
invers saha esas yi.ikdagryrcrlan ila eyni igareye malik
olan yiiksek srxhqh sethi ytk olanda emele gelir.
Oger sethi yiikiin igaresi yarrmkegiricideki esas yiikda-
gryrcrlann igaresinin eksine olarsa onda zenginlegmig saha
yaranrr.

3.8. Yanmkegiricilerda elektromaqnit giialanmast.

Daxili fotoeffekt hadisesi

Fotoelektron cihazlanntn igi gi.ia enerjisinin tesiri altrn-

da elektrik rejiminin deyigmesi ile elaqedardir. Bu cihazlar-
da daxili fotoeffekt hadisesinden istifade olunur. Bu effek-
tin megzi ondadrr ki, yanmkegirici giia enerjisi ile igrqlandr-
rrlrsa onun elektronlan atomlararasr elaqeleri qtrmaq iigiin
kifayet eden elava enerji elde edir. Neticede kristalda ser-
best yiik dagtytctlanntn sayr artlr, maddenin keqiriciliyi 9o-
xalrr ve daxili e.h.q. yarantr.
Eyngteln nezeriyyesine gore fotoeffekt o vaxt yarana
biler ki, optik giialanma kvantlanntn enerjisi elektronlart va-
lent zonasrnrn yerli seviyyelarinden kegiricilik zonastna ke-
gire bilsin. Kvanttn enerjisi ftv, elekffonun grxrg i;i 4p ve
onun baglanfirc siireti u arastnda asrhhq Eyn$teyn terefinden
bele ifade olunur:
hrqpo+ mi/2
burada rz-elektronun kiitlesidir.
Belelikle, kegiricilik zonaslna kegmek iigiin elektron
yanmkegiricinin qadagan olunmug zonaslnln eninden b6yiik
enerji artrmr elde etmelidir. Ses reqslerinin hv;qgo gertinin
odenmesini temin eden uo tezliyine fotoeffektin serhed tez-
t04
liyi deyilir. Buna uygun olan dalga uzunluEu }*:c/uo (c igrq
siiretidir) hiidud dalfa uzunlufu adlamr. v<u, tezlikli reqs-
ler fotoeffekt yarada bilmir.
Yanmkegiricinin sothino diigen igrq kvantlannrn hamr-
srnr elektronlar udmur. Onlann bir hissasi sethden eks olu-
nur vo ya elektronlann glxl$lntn miimkiin olmadrgr derinlik-
lerde udulur. Ona g<ire de effektiv tesir eden kvantlann
sayrnrn sathe diigen kvantlann timumi sayrna nisbeti (buna
kvant grxrlr deyilir) bir neqe faiz teqkil edir.
Daxili fotoeffekt qadagan olunmu$ zonantn enindan
kigik enerjiye malik kvantlann tosirindan de bag vere biler.
Bele veziyyet elektron eyni vaxtda giia selinin kvant enerji-
sini ve istilik fononun enerjisini udanda yaranlr. Bu hadise
fotoeffektin temperaturdan asrhh!rnr xarakterize edir.
Fotoeffekt zamanr kegiricilik zonasrnda serbest ytik-
dagryrcrlann saylnln artmasl bele teyin olunur.
An= fl< t (I -R) @; lp=fl< t ( I -R) O
Bwada B - kvant grxrgr, @ - giia seli, /<-monoxromatik
giialanmanrn udulma emsahdrr.
ionlagdrncr giialanmantn tesirinden yanmkegirici ma-
tenallann kegiriciliyinin artmasl fotoelektron cihazlann im-
kanlanm daha da artrnr.
$iialanmanrn tabietinin bu proses iigi.in ehemiyyeti
yoxdur. Osas gert odur ki, giialanma yarrmkegiricide elek-
tron-degik ci.itii yaratsrn. $iialanma menbayi kimi hem foton
menbeleri (giineg ene{isi, agiialanma, rentgen $iialanmasl),
hem de ytiksek ene{ili hissecikler menbeyi (elekhon topu,
pgiialanma, a-hissecikler, protonlar ve s.) istifade oluna
biler.
Miixtalif uzunlula malik dalgalann giialandrrmasr ciir-
beciir tisullarla heyata kegirilir, lakin hayecanlanma prose-
sinin tebieti biitiin hallarda eyni olur.
Hal-hazrrda elektronikada daxili fotoeffekt esaslanan
bir gox fotoelektron cihazlan (fotorezistorlar, fotodiodlar,
05
igrq diodlan, fototiristorlar, fototutumlar, fotovaristorlar ve
s.) genig istifade olunur.

3.9. Yanmkegirici elementlerin hazlrlanma

texnologiyast

Yanmkegirici cihazlartn osaslnl p-r, kegidler tegkil

edir. Elektron-degik kegidleri esasen eritme ve difhrziya
iisullan ile haztrlantr. Miivafiq olaraq onlara eridilmig va
diffuziya kegidleri deyilir.
Oritme iisulunda esas olaraq qahnhgr 0, I -0,2 mkm
olan z tipli germanium tebeqesi gotiiri.iliir. Onun iizerina
akseptor materiahndan (adeten indiumdan) ibaret denecik
qoyulur (gekil 3.18a). Sonra tebeqe ve daneciyi vakuum ve
ya hidrogen sobasrna yertegdirib 450-5500C temperatura
qeder qrzdrnrlar ki, bu temperaturda denecik ve tebeqenin
ona yaxln olan qatr eriyir ve miieyyen terkibli erinti emele
gelir (gekil 3.186 ve c). Bir nege deqiqe bu temperaturda
saxladrqdan sonra erinti soyudulur.

indium deneciyi
Kecia !. ,,
\ltP-Ee

M
Germanium
M;,
{-1;
tebeqasi
u) c)

$ekil 3.18. Oritmo iisulu ile kegidin hazrrlanmast:a) ilkin

veziyyet; b) eritme prosesi;c) son netice

Bu zaman erimig damlanrn dibinde nazik rekristallag-

mrg p tipli germanium qatr yanrr, berkimig damlanrn qalan
hissesi ise temiz indiumdan ibaret olub p qah ile omik te-
r06
mas emelo getirir. Bu tomasa xanci nikel naqil qalaylantr.
L<ivhenin alt hissesine qurguqun qah gekilir, bu qat n tipli
germanium ile omik tamas yaradrr ve ona da xarici naqil qa-
laylanrr.
indium-germanium qarrgrlr ve ilkin tebeqe arasrndakr
selis serhed soyul.ub berkimeden sonra deyigilmemig qalrr.
Ona grire eritme iisulu pillevari p-z kegidlenn ahnmasrnda
istifade olunur. Rekristallaqmrq qatrn xiisusi miiqavimeti gox
kigik olur (0,001-0,1 Om.sm) ve o, daha yiiksek miiqavime-
te malik ilkin toboqoyo (bazaya) nisbeten emitter rolunu oy-
naylr.
Ogerp tipli emitter almaq teleb olunursa, asas olaraq
p gcitiirtili.ir ve donor materialdan, esasen siirme deneciyin-
den istifade olunur.
Diffiziya iisulu agqar maddesinin ilkin yanmkeginci
tebeqeye difhrziya edilmesine esaslantr.
Meselen, p tipli germanium emitterli p-z kegid almaq
iigiin n tipli nazik germanium tebeqasi gotiirtiliir. Bu tebeqe
akseptor maddesinin buxan ile dolu sobaya yerlegdirilir. Te-
beqe germaniumun erime temperaturuna qeder (9000C) qrz-
drnlrr. Bu zaman akseptor atomlan intensiv siiretde buxar
fazasrndan tebeqenin derinliklerina girir va tabaqede p tipli
nazik sethi qat yaradrr (9eki1 3.19). Sonra kimyevi iisul ile
bu qatr tebeqenin bagqa tereflerinden gdtiirtir ve yalnrz bir
terefinde saxlayrrlar. Bu iisul germanium kegidleri iigiin
xarakterikdir, o meza-struktur adlanan konusgakilli struktur
emele getirir (qekil 3.19c).
Silisium kegidleri tigi.in ise kristahn bagqa hisselerini
maska (iizliik) ile ortmekle maskanrn yalnrz bir hissesinde
olan deqikden qaz ve ya maye fazadan diffuziya heyata ke-
girilir. Maska kimi silisium oksidinden istifade olunur. Bu
oksid hem de p-z kegidi etraf mtihitin tesirinden qoru).ur.
Bele stmktura planar struktur deyilir (gekil 3.19E).

10?
 Agqann kristala diffuziya etme derinliyi temperaturdan
ve diffi.rziya mi.iddetinden (adeten l0-20 deq) asrh olur.
indium buxarr
P6cKegid !' ,-n, Emitter
/ I lE.iu..

Germanium
toboqosi
w@, ! 4I
/z-gc rn 'n'6e
(Baza)

u) b) c)
")
$ekil 3.19. Kegidin diffi.ziya risulu ile haarlanmasr: a) diffuziya prosesi;
b) arallq stmkrur; c) neticevi meza-strukrur; q) planar stmktur

Diffuziya iisulunun bir gox variantlan mdvcuddur. Bu

ci.ir hazrrlanan p-n kegidlor rirtiiklere sahnamq diod geklini
ahr.

I08
 4. yARrMKEginigi rauuornix ELEMENTLoR
Bii ciir elementlerin igi xarici tesirden yanmkeqiricinin
oz xasselennin deyigmesine esaslanrr. Onlarda istifade olu-
nan osas hadise xarici amillerin tesirinden elektron-degik
ciitrintin generasiya edilmesidir.
Yanmkeginci parametrik cihazlarda p-z kegidler ol-
mur, onlan hefta kegidsiz elementler adlandrnrlar. Bunlarrn
en genig yazrlmrg ncivii yanmkegirici rezistorlardrr.
Yanmkegirici rezistorlann ig prinsipi temperaturun,
elektromaqnit gi.ialanmasrnrn, tetbiq edilen gerginiiyin ve s.
tesirinden yarrmkegiricinin oz miiqavimetinin deyigmesine
esaslanrr.
_
Termorezistor (termistor) hecmi ve ya tebeqeti ya-
nmkegirici miiqavimetden ibaretdir ve bu mtiqavimeiin qiy_
moti temperaturdan asrh olaraq deyigir. Onlari kegid metat-
lann (titandan sinke qader) oksidlerinden ibaret polikristal
yanmkegirici materiallar esasrnda hazrrlayrrlar.
Termistorlar riz mi.iqavimetlerini xaricden ve termis_
tordan axan cerayanla qzdrrma neticesinde deyigirler. Bi_
rinci qrup termistorlar etraf miihitin temperaturunu rilgmek
i.igiin temperatur vericisi kimi isrifade edilir. ikinci qrup
elementler ise elektrik driwelerinde geden prosesleri tenzim
etmek tigiin istifade olunur.
On genig yayrlmrg termistorlar menfi temperatur emsa-
hna malikdir: temperatur artdrqca onlann miiqavimeti azalrr.
Bu, temperaturun tesirinden termorezistorun daxilinde sor-
best yi.ik dagryrcrlannrn konsentrasiyasrnrn ve onlann ytiriik_
tglninyl artmasr ile elaqedardrr. Termorezistorun mtiqa-
vimetinin temperaturdan asrhhfr beledir:
R.r_Adn.
Burada l-termistorun iggi grivdesinin rilgiilerinden ve
yanmkegiricinin xiisusi miiqavimetinden asth emsal, B-ya-

t09
rrmkegiricinin xiisusiyyetleri ile miieyyen edilen tempera-
tura hessashq emsaltdtr.
RrfQ) asrlth[r va termistorun $orti i$arosi gekil 4.la-
da gdsterilmigdir. Bu asrhhla termorezistorun temperatur
xarakteristikasr deyilir. Termorezistordakr gerginliyin ci-
hazdan axan cereyandan asrhhlrna isa statik volt-amper
xarakteristikasr deyilir (gekil a. 1 b). Burada biri-birinden
formasr, olgiileri ve soyutma geraiti ile ferqlenen iig termo-
rezistorun xarakteristikalan gtisterilmigdir.
pr

K-,
$ekil4.t. Termistorun remperanrr (a) ve
volt-amper (6) xarakteristikalart

G6riindiiyii kimi xarakteristikalann baglangrc hisseleri

(OA) xetti xarakter dagryrr. Qiinki cereyanrn kigik qiymetle-
rinde termistorda aynlan giic kigikdir vo onun temperaturu-
na tosir gdstormir. Cereyan artdlqca termistorun temperatu-
ru artrr, mtiqavimeti azalrr ve BC sahesindo gorginlik a$agl
diiqi.ir. Burada miiqavimetin azalmast ceroyanln artmaslnl
qabaqlayrr ve bu gerginliyin azalmastna getirib grxanr (3
-
eyrisi).
iermorezistorlar yuxanda saytlanlanndan baqqa 200C-
de nominal mtqavimet R..or.; iggi temperaturlar diapazonu
AT; buraxia bilen sepelenme giicii R-", ve diger parametr-
lerle xarakterize olunur.

110
 Termistorlar temperaturun olgiilmesi ve tonzim edil-
mosi, elektrik sxemlerinde geni$ temperatur diapazonunda
igleyan miixtelif elementlerde temperatur deyigilmelennin
kompensasiya edilmesi, sabit ve deyigen coroyan drivrele-
rinde gerginliyin stabillegdirilmesi tigi-in ve avtomatika dov-
relerinde tenzim edilen tomassrz mtiqavimetler kimi genig
istifade olunur .
Bezi xiisusi qurfularda iki termistordan ibaret ve ya-
nmkegirici bolometr adlanan cihazlar istifade olunur. Bura-
da termistorlardan biri (aktiv termistor) nezaret edilen ami-
lin (temperaturun, gtialanmanm) tesirine meruz qalrr, digeri
ise (kompensasiyaedici termistor) atraf mi.ihitin tempera-
turun tesirini kompensasiya edir.
Miisbet temperatur amsahna malik olan yanmkegirici
termistorlara pozistor deyilir. Bunlar iigiin yanmkegirici ki-
mi xisusi agqarlarr olan barium-titan gotiiriiliir. Temperatur
artdrqca pozistorun miiqavimeti de artrr. Pozistorun tempe-
ratur xarakteristikalan qekil 4.2-
de gcisterilmiqdir. Pozistoru adi
xefti rezistorla ardrcrl ve paralel
qogmaqla onun xarakteristikasr-
nrn formasrnr deyigmek olar.
$ekilde biitdv xotla pozistorun
<iziintin xarakteristikasr gosteril-
migdir. I vo 2 ayrilori miivafiq
olaraq pozistorun l0 kOm ve
100 kOm miiqavimetli rezistor-
la ardrcrl, 3 ve 4 eyrilari ise
hemin rezistorla paralel qogul-
dugu hala uygun gelir.
tT
Pozistorlarrn xarakterize $okil 4.2. Pozistorun tempera-
olundulu esas pararnetrler ter- tur xarakteristikalan

mistorlara uyEundur.

rlt
 Pozistorlar 100 hs tezliye qodor i$loyon deyigen ve
sabit cereyan d<ivrolerinde temperaturun ve giiclendirmenin
avtomatik tenzim edilmesi, temperaturun kompensasiya
edilmesi, qurlulan ve cihazlan artrq qrzdrnlmadan miiha-
fize tigiin, ceroyanr mehdudlagdrncr ve stabillegdirici sxem-
lerde ve tomasslz agrb-baflaycr elementler kimi istifade
olunur.
Bu nov cihazlardan biri de silisium karbidden hazrrla-
nan varistordur. Varistorun miiqavimeti tetbiq olunan ger-
ginlikden asrh olur. Onun volt-amper xarakteristikasr qeyri-
xetti xarakter dagryr (qekil 4.3). Xarakteristika simmetrik
oldufiundan varistor hem deyiqen, hem de sabit cereyan
drivrelerinde igledile bilir.
Cihazrn esas parametrl eri
agalrdakrlardrr: ceroyanln ve
gerginliyin sabit qiymetlerinde
statik mi.iqavimet (R"fU/0,
deyigen coroyana gore dinamik
miiqavimet (R 7 AU/AI). qeyn-
xettilik emsaL-xarakteristika-
nrn verilmig ndqtesinde R,,-nin
R6ya nisbeti (ftR"fi), qeyn-
gakil4.3. varistorun volF xettilik gostericisi (el/h
amper xarakteristikas t =Rr/R"), impuls gerginliyinin
en boytik amplitudu, buraxrla
bilen sepelenme giici.i.
Varistorun iggi garginliyini son iki parametre gore te-
yin edirler.
Varistorlar elektrik kemiyyatlerinin tenzim edilmasi,
coroyanln ve gerginliyin stabillegdirilmesi, cihazlann ve
sxemlerin artrq gerginlikden miihafize edilmesi iigiin istifa-
de olunur.

tt2
 s. YARrMKECinici oioolan
Bir p-n kegide malik olan ve iki elektrik grxrgr olan
cihaza yarrmkegrici diod deyilir. Yanmkeqirici diodlar
teyinatlarrna, konstruktiv texnoloci xiisusiyyetlerine ve
materiahnrn nriviine grire tesnifatlagdrnlrr.
Teyinatlanna gdre diodlar agagrdakr ncivlere b<jliiniir:
diizlandirici diodlar, impuls diodlan, stabilitronlar (dayaq
diodlan), varikaplar, tunel diodlan, gottki diodlan ve s.
Konstnrktiv-texnoloji xilsusiyyetlerine grire miistavi
ve nOqtevi diodlar olur.
Diodlar germaniumdan, silisiumdan, selendan, silisium
karbidden, qallium arsenidden hazrrlanrr.
Okseriyyet diodlann i9 prinsipi kegidde bag veren ha-
diselere esaslanrr. On gox elektron-degik kegidi, metal-
yanmkegirici tomasl vo heterokegidler istifade olunur.
Yanmkegirici dioda elektrik d<ivrasinde qeyri-xetti
volt-amper xarakteristikasrna malik ikiqiitblii kimi baxmaq
olar.
Diodlar elektrik siqnallarr iizerinde miixtelif gevrilme-
ler (diizlendirme, detekte etme, tezliyin goxaldrlmasr, igrq
enerjisinin elektrik enerjisine gevrilmasi ve s.) aparrr.

5.1. Diizlendirici diodlar

Bu diodlar mehdud tezlik diapazonunda (50hs-l00khs)

deyigen caroyanl sabit cereyana gevirmek iigiin istifada olu-
nur.
Diodlar diiziine coroyantn orta qiymetine gore algaq
gliclii (Jor,,,<0,3A), ofta (0,3<J,ti,",<I0A) ve biiyiik giiclii
(J di,.? I 0A) diodlara briltintir.
Hal-hazrda silisiumdan ve germaniumdan hazrrlanan
miistevi diodlar genig istifade olunur. Silisium diodlan qa-

ll3
dalan olunmug zonanrn eni boyiik olduluna gcire kigik eks
doyma cereyamna malik olur ve germanium diodianna nis-
beten daha yiiksek eks gerginliya doziir. Silisium diodla-
nnda baza qatlnln miiqavimeti btiyiik oldulundan yiik ce-
royanlnln eyni qiymetinde germanium dioduna nisbeten diiz
qogulma reciminde gerginlik diiggi.isii daha boytik oiur.
Diizlendirici diodlann baza (adeten r tipli) qahnrn mti-
qavimeti (r) onlarla Om heddinde olur. Diiztine ceroyanln
tesirinden bu miiqavimetdo J41"'r6 gerginlik diiggiisii yara-
nrr vo bu da p-n kegidine tetbiq edilen diiziine gerginliyi
azaldrr. Ona gore volt-amper xarakteristikasrmn diiz qolu
(9eki1 5. 1, I kvadrant) bu gekilde ifade olunur:

t*_rl f
ro,ro I
Joo":Jole - t
u 0",-J

L-r I

Real diizlendirici diodun xarakteristikast p-n kegidin

Ioo,
nezeri xarakteristikastna nis-
beten kigik cereyanlar sahe-
f sine teref siiriigmiiq olur.

t", Oks gorginlik sahe-

sinde de (III kvadrant) real
t'2 xarakteristika p-z kegidinin
nezeri xarakteristikasrndan
U*, Uo* ferqlenir. Real diodda eks
I ceroyan kegidin eks doyma
I
coroyanl,Ir, yanmkegiricinin
hecminde termogenerasiya
coroyanl ,I, ve kegidin set-
$ekil 5.1. Diizlandirici diodun
hindaki srzma cereyantntn ,I"
volramper xarakteristikasr
cemine beraber olur:
J,6= Jo* J" lr*
Diodun volt-amper xarakteristikasrnrn iggi hissesi dtiz
qogulma hahna uyfun gelen xetti (omik) hissedir (gekil 5.1,

t14
1-3 hissesi). Bu hissede xarakteristikanrn diiz qolunu srnrq
xetle (0-1 vo 1-3 hisseleri) approksimasiya edirler:
uoo'- E'o'
(Jrr,) Eor, olanda Jorr:
t"
LJoo,< Ero, olanda I*,=g
Burada r5: l/tga, Eoo, z (0,5-0,7)Agn
Diizlandirici sxemlerde diodlann igi agafrdakr para-
metrlerle xarakterize olunur:
Jor.o, - orta diiz cerayan (diodun heddinden gox
qlzmamasr gertile uzun miiddot axan diizlendirilmig careya-
nrn orta qiymati);
U,o--,,, - orta diiz gerginlik (f ar"o,-nn verilmig qiyme-
tinde volt-amper xarakteristikasrndan birqiymetli teyin
edilen diiziine gerginlik diiggiisiiniin orta qiymeti);
./,6 - diodun sabit eks coroya ;
U,6 - diodun eks gerginliyi;
l/ - diodun coroyanln verilen hedden agafr dtigme-
mesini temin eden iggi tezlik diapazonu;
Cr,. - eks istiqametde qogulmada diodun tutumu.
Diodlar hem de agafrdakr hiidud elektrik rejimi para-
metrlerile da xarakterize olunur:
U,*, - cihaztn normal igini pozmayan maksimal bu-
^n
raxrla bilen eks gerginlik (degilma gerginliyinden 20oh az
goti.iri.iliir);
Jro" - diodun maksimal buraxrla bilen diiz cereyanr;
^o,
Ts.^* - cihaztn govdesinin buraxtla bilen hi.idud tem-
peraturu;
P,*, - maksimal buraxrla bilen sepelenme giicii;
f^^ - iggi tezliyin maksimal qiymeti.
Boyiik giiclii diizlendirici diodlara giic ventilleri deyi-
lir. Buraxrla bilen eks gerginliyi arhrmaq iigtin bir nege dio-
du ardrcrl qogurlar (bunlara yi.iksakvoltlu si.itunlar deyilir),

115
Jro,,,, -m artrrmaq iigiin ise bir nege diizlendirici diodu para-
lel qogurlar.
Yiiksektezlikli diodlar 600 Mhs tezliye qeder diapa-
zonda diizlendirmo, detekto etme vo siqnallarrn qeyri-xotti
gevrilmeleri iigtn istifade olunur. Onlar esasan germanium-
dan ve silisiumdan hazrrlanrr va noqtavi struktura malik
olur. Bele strukturp-n kegidin tutumunun gox kiqik olmasrnr
(1 pF-a qeder) temin edir ve bu ise ytiksek tezliklerde igle-
meye imkan verir. Kegidin ,, va p qatlanntn tomas sahosi
gox kigik oldulundan kegid sahesinde boyiik giic sepalen-
mesi miimkiin olmur ve bu sebebden bele diodlar bdytik
gorginlikli ve cereyanh sxemlerde igledile bilmir. Onlar al-
gaq gerginlikli ve zoif cereyanh diizlendiricilerde ve olgme
qurlulannda istifade olunur. Bunlann miisbet xiisusiyyeti
ondadrr ki, miistevi diodlara nisbeten eks cerayan tem-
peraturdan az asrhdrr, onlann osas parametrleri adi diodlara
uyfiundur. Olave olaraq, bu cihazlar aga[rdakr parametrlerlo
xarakterize olunur:
C, - iimumi tutum (siiriigme gerginliyinin vo tezliyin
verilmig qiymetinda srxaclarda dlgiilen tutum);
rrn - diferensiaI miiqavimot (dioddakr gerginlik artrmr-
nrn bu artrmr yaradan coroyan artlmlna nisbeti);
Af - tezllk diapazonu.
Yiiksektezlikli diodlar detektor, mehdudlagdrncr, agar
sxemlerinde, qeyri-xofti miiqavimet sxemlerinde istifade
olunur.

5.2. impuls diodlarr

Bu diodlar qogulma mtiddeti bir mikrosaniyeden kigik

olan itistiretli impuls sxemlerinde istifade olunur. Bele i9
rejimini temin etmek iigiin diodlar bezi konstn-rktiv-texno-
Ioji xi.isusiyyetlere malik olmahdrr. Diodlann etaletliyi sedd

1r6
 hrhrmu ve yi.ik dagryrcrlann kegid yaxrnhgrnda yrlrlan yiikii
ile miiayyen editir. impuls diodlannr ferqlendiren cehet
ondadrr ki, onlarda elektrik kegidinin sahesi ve bazada qey_
i-taraziq yiikdagryrcrlannrn cimrti azdrr.
_ Diodun qogulma sxemi, cereyan ve gerginlik diaqram_
lan gekil 5.2-de grisrerilmigdir. Diod agrq olanda (diiziine
qogulmada_) Jrr, = Ur;,/R, olur. Oks gerginlik pillevari deyi_
qende diod ani baglana bilmir. ilk anda eks ceroyan,I, kes_
kin artrr vo sonra dayanrqh vaziyyete J,o, gelib gixrr. Iiu ha-
dise agrqp-z kegidin toptama effektine malik olmasr ile ela-
qedardtr.
Bu effekt bele izah oluna bllar. p-n kegidden diiziine
ceroyan axanda ytik dagryrcr-
larrn injeksiyasr bag verir ve u,,"
kegid yaxrnhgrnda qeyri-esas
qeyri-tarazhqh dagryrcrlarrn Uri,
konsentrasiyasr kegid sahe-
sinde qeyri-esas tarazlanmrg
ytikdagryrcrlannrn konsentra- o
siyasrpdan xeyli artrq olur.
Diiztine coroyan ne qeder I
boyiik olsa qeyri-esas ytik da-
gryrcrlann konsentrasiyasr ve
gerginlik eks istiqametde de-
yigilen anda eks cereyan bir
o qadar gox olur. Qeyri-taraz- c)
hqh dagrytcrlann cimrti meh-
dud oldugundan rekombinasi- $ekil 5.2. impuls diodunun qoful-
ma sxemi, coreyan ve gerginlik
ya neticesinde ve kegidden diaqrarnlarr
getmek hesabrna onlann kon-
sentrasiyasr tedricen azahr. Ona
9610 de miieyyen to miid-
detinden sonra qeyri-tarazhqh qeyri-esas yiik dagryrcrlarr

7
tamamila yox olur ve eks cereyan normal qiymetini alrr
(berpa olunur).
Diod asason keqid xarakteristikast, berpa miiddeti 4,
iimumi tutum C7, d]flz impuls gerginliyi Uao,u diiz impuls
coroyanl lro-, ve yiikle diiz cereyantn istiqameti ekse deyi-
qilende xarici dovreye axan ifrat yiikle 0a xarakterize
olunur.

5'3. Stabilitronlar

Stabititronlar elektrik sxemlerinde gerginliyi stabilleg-

dirmek iirgiin istifade olunur. Onlann volt-amper xarakteris-
tikasrnrn degilme hissesinde gergintiyin qiymeti cereyandan
zeif astL olur. Bu cihazlann xarakteristikalarrnrn i99i hissasi
eks qogulma rejimine uylun gelen eks qoldur (gekii 5'3)'
Burada xarakteristika de-
mek olar ki, cereyan oxu-
na paralel olur ve igqi ger-
ginlik ise degilme gergin-
liyi hesap olunur. Oger ci-
hazdan dxan cereyan meh-
aQ@laa,,zS dudlaqdrn larsa degilme ve-
/ 2 U,V ziyyeti stabilitronlarda 10
minlerle saat erzinde sax-

_'r-'
-Frr7-;'
Ianrla ve berpa oluna bi-
1er.
Bu cihazlar eweller
hem de dayaq diodlan ad-
I lanmrqlar. Stabilitronun i$
prinsipi p-z keqidde elek-
$okil 5. 3. Stabilitronun volt-amper
xarakteristikasl trik degilmesi hadisesine
esaslanrr. Yuxanda deYil-
diyi kimi baza qatrnda aqqarlann nisbetan kiqik konsentra-

118
 siyasrnda kegiddo selvari degilme, agqarlann yiiksek kon-
sentrasiyasrnda ise hrnel degilmesi bag verir. Birinci hal yiik-
sek gerginlikli (U"?6,3V), ikinci ise algaq gerginlikli
( U",<6, 3V) stablitronlarda istifade olunur.
Silisium diodlannrn xarakteristikasrnrn dtiz qolunda da
garginlik sabit qaldr[rndan (qrnq xett) bu effekt stabistorla-
rln iginde istifade olunur.
Stabilitronlar bir gox parametrlerle xarakterize olunur.
Buradan nominal stabillegdirme gerginliyini (J,,,"^, minimal,
maksimal ve nominal careyanlar .,I.r,,,.- Ju_.o Jn,o^4Ju^or
-Ju^)/2; maksimal gric P; diferensial miiqavimeti
rTdUo/d.I," stabillegdirme gerginliyinin temperatur emsahnr
o., ("I.,:const olanda) gristermek olar.
Tunel degilmesinde atr miisbet, selvan deqilrnede menfi
olur. a,,-ni azaltmaq iigiin stabilitrona paralel olaraq eks i;a-
reli emsala malik diod qogulur.
Yanmkegirici stablitronlar osason parametrik ve kom-
pensasiya tipli stablizator sxemlerinde istifade olunur. Sepe-
lenma gi.iciintin buraxrla bilen qiymetine gore kigik giiclii
(P;*<0,3Vt), oru (0,i<P.*<5Zr) ve boyiik gtcln (P*75Vt)
stablitronlar m<ivcuddur.

5.4. Tunel diodlarr

Tunel diodlannrn i9 prinsipi elektron-degik kegidinde

bag veren tuneleffektine esaslanrr. Tunel effekti cihazrn volt-
amper xarakteristikasrnda diiziine qogulma hahnda eks mii_
qavimetli hissenin yaranmasrna gatinb gtxanr (gekil 5.4q I -
2 hissesi).
$ekil 5.4a-da tunel diodunun p-n kegidin xarici gergin-
lik olmadrlr hal iigiin
eneg'i diaqramr gcisterilmigdir. Tunel
effekti esasrnda qon$u qata kege bilen elektronlar oxlarla
igare olunmugdur.

u9
 Girriiniir ki, p qatrnrn valent zonasr ve z qatrntn ke-
giricilik zonasr i.ist-tisto diigdiiyiinden bu zonalartn elektron-
lan eyni enerji seviyyelerinde olurlar. Fermi seviyyesi mi.i-
vahq icaza verilmig zonalar heddinde olur. Bu seviyyeden
yiiksek ene{iye malik olan elektronlann sayr gox olmur.
Xarici gerginlik olmayanda qarqrhqh "sivigen" elektron
axrnlan baraber, dioddan kegen cereyan ise srfra beraber
olur.
Oger dioda kigik diiz gerginlik verilerse potensial sed-
dinin hiindtirliiyti azalrr ve zonalann az hissesi iist-iista
diigiir. Bu zaman n qatrndan p qatrna "sivigen" elektronlann
axrnr deyigmir, eks istiqametdeki axrn ise kifayet qeder aza-
lrr (9eki1 5.4b). Neticede p qahndan ,, qatrna ytinelmig ce-
royan yaranrr ve onun qiymeti gerginlik artdrqca maksimal
qiymete "/. gatrr (0- I hissesi). U, gerginliyindo n qatrmn
Fermi seviyyesip qattnrn valent zonasrntn en yuxarr serhed-
dine uylun gelir. Diiz gerginliyin daha da arhnlmast netice-
sinde diodun coreyanl minimal ,I, qiymet alrr (l-2 sahesi).
b) ,)

fr;+
"fu" *,tk

FH"
$ekil 5.4. Tunel diodunun enerji diaqramlan (a-9)
va volt-amper xarakteristikasr (4

120
Bu "sivigen" elektronlann saylnln azalmasr ile elaqedardrr.
Bunun sebebi ise ondadrr ki, zonalann tist-iisto diiqme dere-
cesi azaldrqca ,, qattnln kegiricilik zonasrnda p qatlnln va-
lent zonasrmn yuxan serhedinin enerjisinden az enerjisi olan
elektronlann sayr azalrr. U, gerginliyindo p qatlnln valent
zonastntn yuxan sarheddi n qatrnrn kegiricilik zonaslnln
agalr serheddi ile tist-iiste diigr.ir (gekil 5.4c). Gerginliyin
sonrakr artrmr diiztine careyanr artrrrr (gekil 5.4q). Bu adi
diodda oldu[u kimi kegidin potensial seddinin azalmasr ile
elaqedardrr.
Ogor tunel dioduna eks gerginlik tatbiq edilerse n qa-
tlndan p qatrna "sivigan" elektron axrnr demek olar ki, de-
yigmir, qargr istiqametdeki axrn isa zonahnn i.ist-iiste diiLgme
derecesi goxaldrgrndan artrr (gekil 5.4{. Neticede eks gor-
ginliyin kigik artrmrndan eks cereyan artmaga baglayrr.
Tunel diodlan zirve cereyanr
"I,, minimal coroyan ,/M,
zirve gerginliyi U,, J, -e uylun gerginlik II,, J"lJ, nisbati,
tuhrm C, ve diger parametrlerle xarakterize olunur.
Bu diodlar giiclendiricilarde, generatorlarda ve agar
qurlulannda istifade olunur.

5.5. Varikaplar

Xiisusi konstruksiyaya malik olan ve deyigen tutumlu

kondensatorlar kimi istifade edilen yanmkegirici diodlara
varikap deyilir. Varikaprn ig prinsipi elektrik kegidinin rutu-
munun totbiq edilen gerginlikden asrhh!rna osaslanlr.
Varikaprn tutumu p-n kegidinin tutumu ile xarakterize
olunur. Melumdur ki, kegidin hecmi ytkii gerginlikden asrh
olaraq deyigir. Ona gcire mtistevi p-z kegidini ytikleri sayca
beraber, igarece eks olan iki kegirici sethden ibaret sistem
kimi, bagqa sozle, miistevi kondensator kimi tesevviir etmek
olar.

t2t
 Kegidin hecmi ytikiiniin deyiqmosinin bu deyqmeni
amolo gotiron gerginliyin deyigmasine nisboton kegidin
sedd (yiik) tutumu deyilir:
c. =4
^Au
Miistevi kondensator iigiin C=eerS/l -dir.
Kegidin eni ise bele teyin edilir:

lo =

Bunu nezere alsaq:

'r='ff4*-u1^'un''
Burada S - kegidin sahesi, U - tetbiq edilen gerginlik-
dir.
Gortindiiyti kimi, tutumun qiymeti gerginlikden asrh-
Bu asrhhfa volt-farad xarak-
c drr.
teristikasr deyilir (gekil 5.5).
->r F Sedd tutumu hem de xiisust
mtqavimatden. dagrytctlann yii-
riikliiyiin den, kegidin eninden, sa-
_/ hesinden de astlrdrr. X[isusi miiqa-
u vimot vo yiiriikliik gox olduqca tu-
tum azalrr. Dtiz gerginlikde keqi-
$ekil 5.5. Varikaprn volt- din eni azalrr vo tutum artrr. Oks
farad xarakteristikast gerginlik artanda hocmi ytik sahesi
artrr ve sedd tutumu azahr.
Dtiz gerginlikde diiz cereyan arttr ve bazada deqiklerin
qeyri-tarazhq konsentrasiyasr goxalrr. Bu kondensatorun
ldvhelerinde gorginliyin tesirinden yiiklerin miitenasib at-
maslna bonzoyir.

t22
 Bazaya injeksiya edilmig yiikiin deyigmesinin gergin-
liyin deyigmesina nisbatine kegidin diffuziya tutumu deyi-
lir:
aQ"i
c'=
"AU
Bu tuhrm diiz cereyadan astltdtr:
C, =
gr( J +
)t p, Jo

Diiz gerginlikde sedd tutumu diffuziya tutumundan

azdrr. Oks garginlikde (0,1V-a qader) Ca= 0 olur ve yalntz
C1 nezere altntr.
Varikaplarda kegidin eks istiqametde qogulmast zama-
nr onun sadd tutumunun de-
yigmesinden istifade olunur.
Oks gerginliyi deyigmekle de-
mak olar ki, etaletsiz olaraq
uzaq mesafeden sedd tutumu-
nu deyigmek olar (9eki1 5.6).
Bele idare olunan tutum reqs
konfurlannrn rezonans tezlik-
lerinin deyigmesi, yiiksek tez-
likli siqnallann giiclendirilme-
si ve generasiya edilmesi, am- gekil 5 6. Cerginliyin deyitmesi
plitud va tezlik modulyasiyasr ile varikapda sedd tutumunun
iigiin istifade edilir. idara olunmasl diaqraml
Varikaprn parametrleri:
C",-- verilmig siiriiqme gerginliyinde kegidin tutumu, C-^,
C-,, (maksimal ve minimal siiri.igmeye uy!un), tutuma gdro
diapazon emsah K,=C^^/C^-, tutumun temperatur omsah
T.f.O=+.+ 1I,C temperaturdan rurumun nisbi deyiq-
C,"- lT
mosini gdstorir) , P^*, U^* va s.

123
 5.6. $ottki diodlarr

$ottki diodlannr ferqlendiren cehet odur ki, onlann

kegidlerinde qeyri-esas yiikdaqryrcrlann injeksiyasr olmur
ve bu diodlar esas yiikdagryrcrlan ile igleyirler. Bele kegid
metahn n tipli yanmkegirici ile temastndan yarana biler.
$oftki kegidinde yiik dagryrcrlarrnrn yrlrlmasr ve sorulmasr
ile elaqedar olan diffuziya tutumu olmur, bu ise diodun diiz
istiqametden eksa qoqulma siiretini azaldrr. Bele qogulma-
nrn miiddeti yalnrz sadd tutumu ile miieyyen edilir ve kigik
saheli diodlar iigiin nano saniyenin onda biri-yiizde bin hed-
dinde olur. Uygun olaraq diodlann iggi tezliyi 3-15 Qhs ser-
heddinde olur. Agrq $ottki kegidinde gerginlik diiggiisiiLp-z
kegidine nisbeten kigik olur. Bunun sebebi odur ki, bdytik
miiqavimetli temasdan hetta kigik ilkin cereyan axanda da
aynlan istilik enerjisinin tesirinden elave termoelektron
emissiyasr bag verir ve diiziine cereyanda igtirak eden yiik-
dagryrcrlann sayl artlr.
gekil 5.7a-da vakuumda yerlegdirilmiq ve bir-birinden
izole edilrnig metal ve z tipli yanmkegiricinin zona diaq-
ramlan gosterilmigdir. Elektrona metaldan vakuuma grxmaq
ijgijn qp" qeder, yanmkegiriciden vakuuma grxmaq iigiin ise
Qey eeder enerci vermek lazrmdrr. Oger metahn grxrq igi ya-
rrmkegiricininkinden gox olarsa, temas yarananda elektron-
larrn yanmkegiriciden metala axrnr iistiinliik tegkil edecek-
dir. Neticede metal menfi, yanmkegirici miisbet yiiklene-
cek ve temas serhedinde onlann arasrnda tomas potensial
ferqi yaranacaqdrr.
Elektronlann istiqametlenmiq hereketi (axrnr) Fermi
seviyyeleri beraberlegene kimi davam edecakdir (gekil
5.7b). Elektronlann tomasyant sahodon getmesi neticesinde
yanmkeqiricinin bu sahesinde tiikenme bag venir va onun
mi.iqavimeti goxalrr. Yanmkegiricide feza yiikii sahesinin

t24
eni bir nego mikrometr, metalda isa 10amkm-den az oldu-
guna gore tomasyanl sahodo yanmkegiricinin enerji zonalan
yuxanya eyilir. Elektron omolo golmi$ seddi def etmok vo
bir maddeden digerine kegmek iigiin Fermi seviyyesinin
enerjisinden alava q(e*-g) enedisino malik olmahdrr. ya-
nmkegiricinin kasrblagmrg temasyanl qatr temasdan coroyan
axrnaslna mane olur ve serheddi baglayrcr rol oynayrr. Bu
halda xarici gerginlik daxili sahe ile eyni istiqametde olarsa,
hecmi ytik sahesinin eni goxalrr. Xarici gerginlik aks istiqa-
metde olanda ise bu sahenin eni azalr. Belelikle, tiikenmig
qat yarananda metahn yanmkegirici ile temasr di.izlendirici
xiisusiyyoto malik olur ve bele temasln xarakteristikasr adi
p-n kegidin xarakteristikasrna uyfiun olur.

..=ss-<-<s
\\\\\\\\\
a)

$ekil 5.7. Metal va n-tipli yanmkegirici kegidin zona diaqramlan

Oger metahn grxrg igi yanmkegiricidan az olarsa elek-

tronlar esasen metaldan yanmkegiriciye axacaqlar yo zona-
lann eyilmesi eks istiqametde olacaqdrr (Sekil 5.Zc). Te-
masyanl qat da$ryrcllarla zenginlo$ir, yanmkegiricide elek-
tronlann konsentrasiyasr goxalrr ve onun miiqavime ti azah.
Bu miiqavimet gorginliyin igaresinden asrh olmayaraq he_
mige kigik olur. Ona grire bele temaslar diizlendirme iiisu_
siyyetlerine malik olmur ve onlar omik kegidler ve mikro
sxemlerin elementlerini xarici drivreye birlegdirmek iigiin
istifade edilir. gottki diodlarrnrn xiisusiyyetlerinden biri de
odur ki, onlann volt-amper xarakteristikiir eksponensial xa_

t2s
 ( (u \\
t- 't
rakter dasryrr I t =r^"1 ;-y ll. nu diodtan
))
presizion (daqiq)

loqarifmleyici elementler kimi (U: 9/n I/J o olduiuna g<ire)

istifade etmeye imkan verir.
$ottki sedleri silisium ile molibden, nixrom, qrzrl, alii-
minium ve bagqa metallarda tamas yaradtlanda ahnrr. Agrq
kegidde gerginlik diiggiisiiniin kigik olmasr ve iti siiretli qo-
gulmanrn miimkiinliiyii bele kegidde qurulmug cihazlan re-
qom sxem texnikastnda, mentiq elementlerinde istifade et-
moyo imkan verir.

r26
 6. BIPOLYAR TRANZISTORIAR

il<t p-n kegide malik olan ve iiq qath yanmkeginci

strukturdan ibaret cihaza bipolyar tranzistor deyilir. Qatla-
nn bir-birinin ardrnca yerlegmesi ardrcrlh!rndan asrh olaraq
onlann iki novi: p-n-p (gekil 6.1a) vo n-p-n (gekil 6.1b)
olur. Bu ciir tranzistorlar aritme ve ya diffuziya iisulu ile
yuxanda izah edilen texnologiya esasrnda esasen silisium-
dan ve germaniumdan hazrrlanrr.
"Bipolyar" srizii cihazda coreyanrn her iki igareli
ytikdagryrcrlann (elektron vo degik) hereketi naticesinda
yaranmasl ile elaqedardrr.
Yanmkegirici strukturda osas (baza) rolunu orta qat
oynaylr. Kenar qatlar donor ve ya akseptor agqarlannrn dif-
firziyasr (ve ya eridilmesi) yolu ile yaradrlrr. Bu qatlarrn
biri emitter, digeri ise kollektor adlanrr. Mi.ivafiq kegidler
de hemin adlan dagryrr. Emitter kegidi y{ik dagryrcrlan ba-
zaya injeksiya edir, kollektor kegidi ise bazadan kegib ge-
firt

ou - l,rott.ltor
\Baz2

$akil 6.1. Mixtolif strukh{lu rraDzistorlarda qarlann yerlapme ardrcrlh[r,

onlann $arti igareleri (a,b), emitter va kollektor kegidlerinin qargrhqh
yerle5mesi (c) ve tranzistorun iimumi giiriinusn (c)

127
den ytikdagrycrlan yrfrr (ekstraksiya edir). Emitterin injek-
siya etdiyi bazadan kegen dagryrcrlann hamrsrnr yrlmaq
iigiin kollektor kegidinin sahesi emitter kegidinin sahesin-
den qox olur (Sekil 6.lc).

6.l.Tranzistorun iq prinsipi

Tranzistorun ig prinsipini p-n-p trpli cihazrn misahnda

oyrenek. Xarici gerginlik menbeyt olmayanda yiikdagryrcr-
Iarrnrn konsentrasiyasrrun ve hecmi yiiklerin yaratdrlr po-
tensial ferqinin paylanmasr gekil 6.2-de gosterilmigdir.
Gririindiiyti kimi p*>> n,,,
yeni baza daha ytiksek poten-
siala malikdir. Bildiyimiz kimi
xarici menbe olmayanda qatla-
nn serhedlerinde daxili elek-
trik sahesi yaranrr ve qatlar
b) arasrnda potensial ferqi tasir
gosterir. Bu sedd her iki ke-
gidde ele qiymat alrr ki, diftu-
ziya va dreyf selleri tarazhqda
olur ve kegidden kegen cere-
$akil 6.2. Xarici garginlik manbeyi yan srfra beraber olur. Bazarun
olmayan halda tranzistorun qatlann-
potensiah $erti olaraq srfra be-
da yiik da'ryrcrlamrn konsentrasiya-
srmn (6) ve kegidlerdo potensial raber gotiiriildiiyiinden poten-
farqinin (c) paylanmast siahn paylanmasr mehz gekil-
de gosterilen kimi olacaqdrr, giinki kenar qatlarda ytk dagr-
yrcrlann konsentrasiyast beraberdir (p po= p w)
Xarici gerginlik monbolori (t/"0 vs Uro) mi.ivafiq ola-
raq emitter kegidine diiz, kollektor kegidine isa aks istiqa-

r28
motda qo$ulur (gekil 6.3a). U"o gerginliyin tosirindan de-
gikler tigiin emitter kegidinde potensial seddi azak (Aq -
U.n) ve onlann biiyiik bir hissesi diffuziya tesirinden emil
terden bazaya injeksiya edilir. Eyni zamanda elektronlarrn
da bazadan emittere diffuziya seli goxahr. Diiz qogulmug
kegidin dreyf coroyanrnrn gox kigik oldugunu nezere alsaq
emitter cereyanr bele te-
yin edile biler: J"="I"r+"f"".
"/"0-degiklerin, ,I", ise elek-
tronlarrn hereketi lle ya- z
ranan cereyandr. ,/"" girig
ddvresinde qapanrr va gr-
xrg dovresinde kollektor "/
coroyanlnr yaratmaq iigiin lu,"
iglenmir. Emitter kegidinin
iq i yiikdagryrcrl ar,n bazay a
injeksiya edilmesinden
6)
ibaretdir. Kegidin igi in-
jeksiya amsah ile qiymer
lendirilir: H.Jf. Ke-
gidin keyfiyyetinin yaxgr
olmasr iigiin ,I"0.</", o1-
malrdrr ki, btnu da p*>>noo ,) ^%
$ortini ddomokle temin
edirler. Adaten y0,97-
$akil 6.3. Xarici garginlik menbeleri qo-
4995 heddinde olur. lulanda tranzistorun qatlannda yiik da5r-
Bazaya daxll olan de- yrcllannrn konsentrasiyasrnrn (6) ve
gikler orada serhedyanr kegidlerda potensial ferqinin (c)
paylanmasl
sahede degiklerin konsen-
trasiyasrnr ilkin pn"-a nisbeten artrnr. Bazada emitter kegidi

t29
sorhoddindo degiklerin konsentrasiyastntn qiymeti (p"(0))
tetbiq edilen [/"6 gerginliyinden astltdrr:
u,t
p,(o ) = p,oee'
p,(0) konsefirasiyasrntn tesirinden degikler az kon-
sentrasiya istiqametinde kollektora teref hareket edirler.
Bazada kollektor serheddi yaxrnlt[rnda deqiklerin konsen-
trasiyasr srfra dii$iir, giinki serhede gatan her bir degik eks
qoqulmug kollektor kegidinin monfi elektrik sahesile siirat-
lendirilerek kollektor qatrna keqirilir.
Bazamn eni /, degiklerin bazadakr diffrrziya uzunlu-
gundan xeyli az g<itiiriildi.iyiinden deqiklerin konsentrasiya-
srnrn bazada paylanmast p"(x) xetti asrhhla yaxtn olur
(eekil 6.3b).
Qeyd etmek lazrmdrr ki, deqiklerin bele hereketi yal-
mz bazanrn neytral oldugu halda: baza hecminde deqiklerin
ve elektronlann konsentrasiyasr beraber, konsentrasiya pay-
lanmasr eyni olanda ve degiklerin hecmi yiikiintin elektron-
lann hecmi yiikiinii kompensasiya edende mtimkiindiir. De-
giklerin hecmi yiiktinti kompensasiya etmek iigiin teleb olu-
nan elektronlar U"r ve Ur.r menbeleri qogularken iimumi
meftille bazaya gelirler. Taraz\q hahnda elektronlann (n)
ve degiklerin (p) paylanma eyrileri bir-birine yaxrn olur
(9eki16.36).
Degiklerin bir hissesi bazada rekombinasiyaya meruz
qaldrgrndan kollektora gatan degiklerin sayr emitterden ba-
zaya kegen degiklerden az olacaq ve kollektor coroyanlnln
degik toplanam /r emitter coroyanln degik toplanamndan J",
az olacaqdrr (Jkp4"p) Bazada bag veren rekombinasiya ne-
ticesinde degiklerin saytmn azalmast onlann konsentrasiya

t30
qradiyentinin azalmaslna vo pne) oyrisinin xotti qanundan
ferqlenmesine gotirib glxanr.
Rekombinasiya prosesi bazaya emitterden daimi gelen
degikleri kompensasiya etmek iigiin elektron gatrgmazhlr
yaradrr ki, bunlar da baza dowesi ile daxil olaraq -/so cere-
yanrnr yaradrr. Bu, o demekdir ki, emitter ve kollektor cere-
yanlannrn degik toplananlannrn ferqi rekombinasiya ile ela-
qedar olan baza cereyanrna beraberdir: I5r=I"n-lq
Tranzistor coroyanlnrn degik toplananr J.;Ioo+lbo
kimi taprlrr.
Degiklerin emitterden kollektora kegen hissesini teyin
etmek iigiin degiklarin bazadan kegma emsahndan istifa-
de olunur Flkfl.p Bu emsal vahidden gox farqlenma-
melidir. Bunun iigiin rekombinasiyada itirilen degiklerin
sayrnr azaltmaq lazrmdrr. Bunu degiklerin bazada yaSama
miiddetini uzaltmaq ve onlann bazada olma miiddetini azalf
maq (/u-ni azaltmaq ve bazadan kegme siiretini artrrmaq)
yolu ile temin edirlar. F0,96-0,996 heddinde olur.
Degiklerin hereketi ile elaqedar olan kollektor cero-
yar,:. J1 emitter cereyam ,/" ile carayana giire iitiirme
emsalr ile baghdrr: eJor/I.
Bu ifadanin surat vo mexrecini "I"r-yo vursaq:

* J,. J".
* . __:t=yg
J, J. alao9.

a-nr vahide yaxrnlagdrrmaq iigiin 7ve Enr biiyiitmek

lazrmdrr. Bunun iigiin emitterde ye bazada esas yiik dagryr-
crlann konsentrasiya ferqini b6ytitmek, degiklerin bazada
yagama mtiddetini uzatmaq, bazanrn enini azaltmaq ve ba-
zada suretlendirici sahe yaratmaq lazrmdrr.

131
 Oks istiqametde qogulmug kollektor kegidinde kollek-
tor coroyanlnln idare olunmayan toplananr da yaranrr. Bu
coreyan kollektor kegidinin eks cerayanrdrr ("I*") ve qeyri-
esas yiikdagryrcrlann dreyfi ile elaqedardrr. Bizim misalda
bu cereyan pno vo nno konsentrasiyah dagryrcrlann kegide
yaxrn qatlardan qon$u qata dreyfinden yaranr. Qeyri-esas
yiik dagryrcrlanmn dreyfi temperaturdan asrh oldulundan
Iun da temperaturdan asrhdrr, o, emitter cereyanrndan asrlr
olmur ve ona hem de istilik carayanr deyilir. Buna esasen
lo=Joo+ +J*" alnq.
Baza cereyanr emitter cereyantntn elektron toplananr,
rekombinasiyaya serf olunan degik toplananr ve istilik cere-
yanlarrnrn cebri cemine beraberdir : Jo= J",* Joo- Jo".
Tranzistorun idareetme xiisusiyyeti ondan ibaret olur
ki, grxrgda kollektor coroyanr ,[ girig ./" cereyantmn (ve ya
garginliyinin) tesirile deyigilir. Bu ise "I"o coroyanr hesabrna
,Ir.r-nin deyigmesi ile elaqedardrr. Belelikle, bipolyar tran-
zistorun ig prinsipi yiik dagryrcrlannrn emitterden baglapb
bazadan (tranzit) kegmasila kollektora teraf axrnrn yarad -
masrndan ve kollektor caroyanrnm emitter careyamnr da-
yiqmekla idara olunmaslndan ibaratdir. Ona gore de deyir-
ler ki, bipolyar tranzistor cereyanla idara olunur.
Kirhofun I qanunundan istifade etsek tranzistorun co-
reyanlan iigiin bele ifadeler alar,q: I,= f *+ Jr,
,/*n nezere ahnsa "Io ve Jo l" vasitesile ifade edilse:
f ; a J"* Joo ve J5= (1- a )J; J1,6 altntr.
Buradan giiriiniir ki, agar emitter diivresinin ger-
ginliyini zamana giira lier hansr menbanin siqnaltna
uyfun deyigsek, onda kollektor corayanr da hamin
qanunla dayigecekdir.

132
Tranzistor elektrik siqnallarrnrn giiciinii artrrmaq iigiin
igladilir. Giiclenme kanar qida monbayi ndan giitiiriilan
enerji hesabrna elda edilir.
Girig diivresinin careyanrnr har hansr bir qanunla
dayigmakla grxrgda hemin formada giiclendirilmiE siqnal
almaq miimkiindiir.

6.2. Bipolyar tranzistorlarrn qogulma sxemlari va

statik xarakteristikalarr

Elektrik diivrasinda tranzistor adetan ela qo$ulur

ki, onun elektrodlanndan biri giriE, ikincisi grxrq
elektrodu, iigiinctisii ise girig vo grxrg diivrelari iigiin
iimumi elektrod olur. Girig elektrodunun diivrasina
dayigen siqnal manbai, glxl$ elektrodunun diivresina ise
yiik miiqavimati qogulur. Hansr elektrodun girig vo grxrt
diivreleri iigiin iimumi olmasrndan as l olaraq tranzis-
torun iig qogulma sxemi miivcuddur: iimumi baza ile
qofulma, iimumi emitterle qogulma, iimumi kollektorla
qosulma (;akil 6.4). Har bir qogulma sxemi iki statik
xarakteristikalar ailesi ile xarakteriza olunur. Bu
xarakteristikalar elektrodlann diivrasindan axan coro-
yanlarrn elektrodlara tatbiq edilan garginliklarden asrLr-
hlmr ifada edir. Xarakteristikalardan biri giriq
(Js,=f(UA. Ur*:const olanda). digeri ise Cu$
(J*.:t(4), Uri,.:const olanda) statik xarakteristikalarr
adlamr. Statik xarakteristikalar ham analitik ifade oluna
biler, hem de qrafikler qeklinda verila bilsrlar.

t33
 Xarakteristikalar garginliklarin ve cereyanlann
kigik deyiqmelarinde (sabit coroyan iigiin)
grxarrldrlrndan onlara statik xarakteristikalar deyilir.
Qogulma sxemlari hem da giiclandirma
amsallanna, grxrg miiqavimatlarino, temperatur vo
tezlik xiisusiyyetlerine giire da bir- birinden ferqlanir.

ie J* ?*,

$ekil 6.4. Bipolyar tranzistorun imumi baza ((.),

iimumi emitter (b) ve iimumi kollektor (c) ila
qoqulma sxemleri

Umumi baza ile qogulma sxemi (;ekil 6.5). Oger

emitter diivresina 7r,; deyigen gerginlik menbeyi, kol-
lektor diivresina ise yiik miiqavimati R, Qo$ularsa onda
diiz istiqametde qogulmug emitter kegidinda emitter
coroyanrnrn deyigen toplananl yaranar. a emsah vahide
yaxrn oldufundan demok olar ki, bu cerayanrn hamtsr
kollektor diivrasindan axacaqdrr ve yiik miiqavimetinda
garginliyin dayiqen toplananr emale gelacekdir.

114
 Ogar Rrbir nege kOm haddinda olarsa bu halda
ondakr dayigan garginliyin amplitudu [/ri,-den gox ola-
caqdrr. Daha dofrusu, sxem gerginliye gtira giiclandir-
me verecekdir. Bu sxemde emitter diivresinin iglatdiyi
giic R";,=1/2 Ur;,-.I"-. olur. Qrxrg giicii ise Rr,,:1/2 [-tr,, .Ir-
kimi teyin olunur. Burada 4,,* 4** J.* Jr_girigde ve
grxrgda gerginlik ve cereyanlann deyigen toplananlannrn
amplitud qiymetleridir. Io_*1". ve [fgi,.<<f/r,,_ oldufunu
nezare alsaq Pe,?>Pgi, oldufiunu giirerik. Demeli sxem
giico giira da giiclandirmo tamin edir. a <l oldufiundan
bu sxemda coroyana giira giiclandirme olmur.
Sxemin glxrg statik xarakteristikalarr emitter care-
yanrnrn sabit qiymatlerinda kollektor corayanrmn
kollektor-baza garginliyinden as rhfrnr ifada edir:
Jo=f(Uil J,:const (9akil 6.6a). Qeyri-xetti I hissede ,/*.
nrn Uosden asthh[r qiiwatli, xetti II hissede bu asrl rq
zeifdir, III hisse ise kollektor kegidinin degilmasi hahna
uyfiun gelir. Xa-
rakteristikalann baglan-
[rc hisselarinin corayan
oxundan solda yerleg-
masi onunla izah edilir
ki, bu sxemda kollektor
B
kegidindeki gerginlik te-
Sakil 6.5. Bipolyar rranzistorun
mas potensial ferqi ( lgo iimumi baza ilo qo$ulma sxemi
) ve Uro - nin cemi ila
miieyyen edilir. Uoo4
olanda ve .I"-nin venlmig qiymetinde degikler bazadan kol_
lektora Ago-n tesirinden kegirler ve ona grire J^fl. Ju _nt

135
azaltmaq ;jgid.n Uoo -nin igaresini deyigmekle kollektor
kegidini injeksiya rejimine kegirmek laztmdtr.
Giiriindiiyii l<tmi, 0,1-0,5 7 heddinde miisbat 7*,
garginliyi verilanda kollektor kegidinda degiklarin seli
bir-birini kompensasiya edecak ve Jo:0 olacaqdr.
Tabiidir ki, "/" carayanrnrn qiymeti artdrqca Ukb
corayanrnrn miisbet qiymetini artrrmaq lazrm gelecek-
dir. Xarakteristikanrn II hissesinde .I* garginlikdan asrlt
olaraq bir qadar arhr. Bu, tranzistorun careyana giira
iitiirma emsah a-ntn baza qatrntn qahnh[rnrn modul-
yasiyasr effekti naticasinde biiyiimesi ve Jo.:f (Uo) cete'
yanrn arhrmasr sayasinda baq verir.
Bazanrn modulyasiyasr effekti (buna Erli effekti de
deyilir) U*6nin artmasrndan kollektor keqidinda hacmi
yiikiin goxalmasr neticasinda kegidin geniglenmesi ila
elaqadardrr (qekil 6.6 D).

0
0,1-0,5v

u""/
c)

Sekil 6 6. Umumi bazalt qogulma sxeminin qtxrq

(d), giri5 (c) xarakteristikalan va bazantn
modulyasiyasr effektinin sxemi (b)

136
 KeqiC.esasan b^za q.rtr hesabrna geniglandiyinden Zor-
nin artrrasr bazanrn qahnllfrnr azaldtr ve neticade bazada
rekombinasiyalann say azahr, miivafiq olaraq a va Ju
artrr. Kegida Urorva Uoo, garginlikleri tatbiq edilen
hallar (UooSUor) iigiin bazanrn modulyasiya effekti bele
izah olunur.
Qrxrg xarakteristikalarrnr glxararkan J.:const
olmasr emitter-baza kegidinde degiklerin konsen-
trasiyasrnrn qradiyentinin dP/dX sabit emsahnr temin
edir. Ona gtiro da her iki halda bazad.a
konsentrasiyalarrn paylanma ayrilari et,2(X) ve (p",(X)
paralel olurlar. $ekilden giiriiniir ki, emitter - baza
serheddinde deqiklerin konsentrasiyalarrnrn itkin
qiymatleri eyni deyildir (p,,(0)>(pd0). Bu et,(0)--p,o
e'uq -ya giira ) yalnz emitter keqidinde gerginlik
azalanda miimkiindiir. Belelikla, [.t,:const halnda []16-
nin deyiqmesindan Ux-nrn (bazanrn modulyasiyasr
effekti naticesinda a-nrn dayiEmesindan) deyigmesi hem
da emitter kegidinda garginliyin dayigmesi ila miiqaiyat
edilir. Bagqa siizla, bazanrn modulyasiyasr tranzistorda
gerginliya giire daxili eks alaqe yaradrr.
Oger tranzistorda ,I,-nin lox, [I* garginliyinin
verildiyini nazarda tutsaq (Qo:consd onda Uo,,?[Joo,
garginliyi verilerkan degiklerin bazada konsentrasiyasr
dayigmeyecekdir Qt"r(0) : (p",(0) ve p,r(X) eyrisi qrtq
xatla giistarilmig vaziyyat alacaqdtr. Bu xattin
mailliyinin btiyiik olmasr ./., carayanrnrn (hem da ,Iu -nrn
) ,i'",-la miiqayiseda artmasrnr giisterir. Burada bazanrn
modulyasiyasr neticasinda
"Iu-nrn deyigmesi takce a_nrn
deyigmasi ile deyil, ham de emitter coroyantna tasir

t3'7
giisteran eks alaqanin hesabrna ba; verir. ,/*-ntn bele
artmasr kollektor kegidinin diferensial miiqavimati ila
xarakterize olunur. Bu miiqavimat kollektor (gutq)
xarakteristikalarrndan garginliyin ve corovanln
artmasrmn nisbeti kimi taprla biler.

,,,0,=94J,="onrt
dJ o,o,l '

Algaq giiclii tranzistorlar iJ'gid.n rrrr:0,5 ' 1,0

MOzr haddinda olur.
J":0hal iigiin ahnmrg 9xr9 xarakteristikasr (gakil
6.6 a) p-n kegidin volt-amper xarakteristikastnrn eks
qoluna tasir edir. Kollektor kegidinin oks coroyanl
tranzistorun kollektor corayanrnrn .I*, toplananrnr tegkil
edir.
Xarakteristikalann II hissesindo onlarl xetti, ro,6, mii-
qavimetini ise sabit hesab etmek olar. Onda bu hissade
[4(U) asnit$ bela ifade olunar:
I* =a [.+ akb/ rN,+ Iko
Bu ifade bazanrn modulyasiyasr effektinin tesirini
de nazere altr. Burada ,[uo-tn olmast tranzistorun gtxl$
(koltektor) xarakteristikalarrnrn temperaturdan asrlr
olmasrna tesir giisterir. Temperaturun tasirinden ,/*o
dayigir ve xarakteristikalar yuxan (temperatur arhqca)
(gekil 6.6a) va agafr (temperatur azaldrqca) siiriigiir. a
amsahnrn temperaturdan asrhhfr da xarakteristikalara
bu ciir tesir giistarir, giinki iqqi temperatur diapazo-
nunda temperatur artdlqca a-nrn qiymeti arhr.

138
 a amsah ham de ./. cereyanlndan asrhdrr. Algaq
giiclii tranzistorlar ilgiin a-nrn maksimal qiymeti J":0,8-
3,0 mA qiymetlerinde alde edilir.
Kollektor gtirginliyinin qiymeti mehdudlaqdrrrlma-
hdrr, giinki garginliyin heddinden gox arhr masr
elektrik degilmasina va bunun ardrncs isa istilik
degilmesina gatirib grxarar (III hissa).
iimumi baza ila qogulma sxeminin giriq statik xarak-
teristikalan Uo, garginliyinin sabit qiymetinda emitter
corayanrnrn emitter-baza gerginliyinden ssrhhfrnr ifade
edir: J"={(U), U*o:const Bu xarakteristikalar p-z kegidin
volt-amper xarakteristikalanmn diiz qoluna banzeyir. {/*,
artdrqca xarakteristikalar sola siiriigiir (gekil 6.6c). Buna
sobab bazanm modulyasiyasrnrn degiklerin bazada kon-
sentrasiyasrnrn qradiyentini ve ./.coroyanrm arhrmasrdrr.
Sxemin miisbat xiisusiyyetlerindan biri onun genig
tezlik diapazonunda sabit giiclendirma tamin etmesidir.
Cerayana giira giiclandirmanin miimkiin olmamasr ve
kigik girig miiqavimati (50 Om-dan az) sxemin tetbiq
sahasini mehdudlagdrrrr (Rr,: U"o*/ J,).
Cereyana giire statik giiclanmo amsah R --l
hahnda bela tayin edilir:

,=44
Ai.lU p6=cot131

Deyildiyi kimi, hamipa d<l ohr. a vahide ne qeder

yaxrn olarsa, tranzistorun igi bir o qedar semereli olar.
Deyigen siqnal rejiminda ise (girigde Uri, glxrgda ise R,
olanda) caroyana giira giiclenme amsah

139
 x.,=!o t
olur, giinki Jr-4,- r(;<o. olur giinki R, qogulanda ,/o
azalt.
Gerginliye gtira giiclendirme emsah (I(,:U*or/U"o)
onlarla ve yiizlerle iilgiiliir.
Giice giira giiclendirme emsab Kr= I{t . I{,
Sxemin grxrg miqavimeti 100 kOm-a qeder ola biler.
Ur,* ve U"i, arasrnda faza ferqi olmur. Sxem en geniq yayrl-
mrg i.imumi emitterli qogulma sxemino nisbeten siqnala da-
ha az tehrif edir.
timumi emitter ile qoqulma sxemi (9ekil 6.7).
Bu sxemde emitter grxrqr girig ve qrxrg drivreleri iigiin
iimumi olur. E* ve Eo. menbeleri miivafiq olaraq baza -
emitter ve kollektor - emitter arahlrna, girig siqnal menbeyi
Uri, rse baza dtivresine qogulur. R, bundan ewelki kimi
kollektor dovresine qoguiur. Baza qatrndakr gerginlik diig-
kiisti nezere ahnmasa emitter kegidindeki gerginlik emitter
menbesinin gerginliyine beraber gdtiiriile biler. Kollektor
kegidindeki gerginlik ise (Up-U6) ferqine beraberdir.

E* e t/G
$akil 6.7. Bipolyar tranzistorun i.imumi emitterla
qoqulma sxemi.

140
 Yuxanda gdsterilmi gdi ki, J; o.I J6; J o=Q - a) I y' n".
"+
Buradan koiektor coroyanml baza cereyanrndan asrh funk-
siya kimi ifade ede bileril<:

J,=_!_Jo*1\Jro*J,,
t-tz
Burada ,
a = p iimumi emitterle qogulma sxeminin giic-
l-a
lendirme (careyana grire oti.irme) amsahdrr. u0,92-0r99
olduiu nezere altnsa p s10-100 heddinde olar.
Belelikle, I n =( I + p1J ro+BI, alnr.
Buradan gciriiniir kt,baza coroyanmrn azacrq deyigmasi
kollektor corayanrn bciyiik deyigmelarine getirib qrxanr. Bu
ise kollektor gareyanrm semereli idare etmeye imkan verir.
Umumi emitterli sxemde Ur.-in deyigmesi baza cere-
yanrnr, o ise kollektor cereyanrm deyigdirir. Axrnncr ifadeyo
esasan kollektor caroyanlmn deyigen toplanam baza cere-
yanrmn deyigen toplananrndan gox-9ox briytik olur. _R -iin

5v
10v

U*V

$ekil 6.8. Umumi emitter ile qoqulma sxeminin 9rx4 (a)

va girig (6) xarakteristikalan

l4l
kifayet qeder briyiik qiymetlerinde ondakr gerginlik girig
gerginliyinden b<iyiik olur, yoni sxemdo gerginliye gore
giiclendirmenin movcudluiu gi.ico g610 de giiclendirmenin
olmasrnr gostorir. Bu sxem iigiin grxrg (kollektor) statik xa-
rakteristikalan Jo=consl olanda ./o-ntn kollektor--emitter ger-
ginliyinden asrlrlrlrnr gostartr (J*=f(a)' "I6:const) (;ekil
6.8a). Bu xarakteristikalarda da ilkin (I) .I*-run Uo-den zerf
asrhhlr (II) ve kollektor kegidnin degilmesi (III) hisselerini
qeyd etmek olar. Bu xarakteristikalar koordinat ba;lanfircrn-
dan baglayrr ve I kvadrantda yerlegirler. U*,=0 olanda kollek-
tor kegidindeki gerginlik U6.-e beraber olur, kegid agtlr ve
degikleri bazaya injeksiya edir. Kollektor keqidinde emitter-
den kollektora ve kollektordan bazaya axar, degik selleri ta-
razlrla gelir ve 11 4 olur. I hissede Up aidrqca kollektor
kegidinde diieiine gerginlik azalrr. Kollektordan bazaya in'
jeksiya azalr ve .I1 artrr. II hisse ila serhede kollektor kegi-
dinden diiziine gerginlik tamamile giitiiriiltir, II hissede isa
kegidda yalmz eks gerginlik tesir gdstorir. I hissede II hissa-
ye kegid noqtasi U*"4,5-l,5Vheddinde olur'
Oger rso, mi.iqavimetinin tesiri nezere ahnarsa

tr =
fit, *
ffi
alanq. Burada p =Jt/ J
*
fiy,
f d( I - a).
= flr, +
ffi + 0 + I tt,

Kollektor coroyanlnln yuxanlakr ifadesini bagqa ciir

de yazmaq olar:
J;BJ6+Up/r4,f Ja"1
Burada
ftrt
rr,,t=ffi; J6n,=(I+p l,
Bu sxemin grxrq xarakteristikalan da gerginlik oxuna
nisbeten mi.ioyyen mailliye malikdir ki, bunun da sebabi

t42
bazanrn modulyasiyasr effektidir. Mailliyin derecesi bu
halda daha goxdur, giinki kollektor kegidindeki gorginliyin
tesirinden a-nrn kigik deyigmeleri ffa/(l-a)-ya osasen 4
nrn b<iytik deyigmelerina gotirib grxanr. Bt hadise U p/ra.1
toplananr ile nezere ahnlr. Bu sxemde kollektor kegidinin
diferensial mtiqavimeti r*r"/ iimumi bazah sxemin r451miea-
vimetinden (l+O dofo az o\x.
Tranzistorun ig prinsipinden molumdur ki, baza xetti
ile qargr-qargrya iki ytinelmig toplanan axrr ($okil 6.7): kol-
lektor kegidinin oks corayanl Jo, ve emitter cereyamnrn bir
hissasi ((1-@,2,I.). Buna gdre de Jo=6 hal bu cereyanlann
biri-birine beraberliyini miioyyon edir: (1-a) J"=J6. Giig
(baza) ddvresinin cereyanrnrn slfir olmasl hahnda emitter
ve kollektor cereyanlan bele ifade olunur:
J,= JorrQ-a)=Q+flJ*
J ; a J J J 6= aI p/( 1 - a) +I o;-Q + p) l,
Demeli, Jt 4 olanda i.imumi emitterli sxemde tranzis-
tordan ilkin vo ya ancaq Jr,"r=(1+flJ*" coroyanr axrr. Bu
corayan kollektor cerayammn ifadalarindo iigiincil toplanan
kimi nezere ahmr. Belelikle, giri$ coroyanlnrn srfra baraber
hahnda iimumi emitterli sxemin kollektor cereyam iimumi
bazah sxemdekindan (1+p1 defe goxdur.
Oger emitter kegidine miisbet gerginlik Eo20 verib
onu bagh veziyyete kegirsek, onda kollektor cereyanr,Io,
qiymetine qeder azalacaq (gekil 6.8a) ve kollektor kegidi-
nin baza-kollektor istiqamatine axan eks coroyanl miiayyen
edilacekdir. Jr=0 halna uyfiun xarakteristikadan agagrda
yerlegen xarakteristikalar sahesine kasilme sahasi deyilir.

t43
 Bu sxemin de gtxrg xarakteristikalan temperaturun to-
sirinden siiriigiir (qrnq xetler). Lakin burada temperaturun
tesiri daha da qiiwetlidir. Bu, bir terefden J.-tn (I+p1-ya
urrulmasr ile, diger terefdon iso o amsahnrn temperaturdan
kigik deyigmelat',nde B emsahnrn temperaturdan keskin
deyigmeleri ile elaqedardrr.
Bu sxemde kollektor kegidinin degilmesi iimumi
bazah sxema nisbeten 1,5-2 defe kigik gerginlikde ba9
verir.
Sxemin girig xarakteristikalan Up=const hahnda baza
caroyamn baza-emitter gerginliyinden asrhhlrnr gdstorir
(qekil 6.8b): Jo-f(Ur), U6=const.
U*"=0 olanda giriq xarakteristikasr paralel qogulmug
iki p-z kegidin (kollektor ve emitter keqidlerinin) volr
amper xarakteristikasma uylun gelir. Bu halda baza cereyanr
emitter rejiminde igleyen kollektorun ve emitterin coroyan-
lannrn cemine beraberdir.
[["<0 olanda baza cereyam emitter cereyanrnrn az bir
hissesini tegkil edir. Bu halda Uo"-nin miieyyen qiymetinde
Uo,<O gerginliyi Jo-m azaldr ve xarakteristikalar U*"=0 ha-
Lnda oldugundan aqalr terefe siiriigiirler. U1,-nin qiymeti-
nin arhnlmasr da bazamn modulyasiyasr tesirinden ./o-nin
azalmasr neticesinde xarakleristikalan agalr terefe siiriig-
dtrtir.
Baza cereyanrnrn terkibinde .,I*, da vardrr. Ona grire
U*4) halna uyfiun girig xarakteristikalan baza cereyanrnrn
qiymetce Jp"-a beraber, igarece menfi olan ntiqtesinden
baglayrr (qekil 6.86).
Cereyana gore giiclenme emsah K;I oJJ ri,^=J*,,il o^
onlarla dlgiiliir. Statik rejimde (.R =0.)
 I

'B =4'l
lt"l
-o ke=ronsr
lu
K,<B,gnnki R, -iin qogulmasr ,t(, -nr azaldrr.
K,=U r*. / a si,*:Up- / U o.^
rK, emsah R,-in E* menbeyinin kifayet qiymetlorindo on-
larla va yi.izlerle <ilgiiltr. Bu o demekdir ki, Kr=KiK,=l00-
1000 haddinde ola biler.

Sxemin girig miiqavimeti

y'-
' =lLsL
Rr,,
J^s,, =
Jr^
R n Birig miiqavimeti iimumi bazah sxema g<ire gox
b<iyiikdiir ve 100 Omdan bir nege kilooma qeder qiymet ala
biler. Sxemin grxrg miiqavimeti lOkOm heddinde olur.
Umumi emitterle qogulma sxemi grxrgda gerginliyi gi-
rige nisbeten 1800 gevirir (Ur* ve Ur; arasrnda faza ferqi
1800olur). Oger Uri, monfi olarsa, o E b"'la toplanar, netice-
da Ur., Jove onun neticesinda J* artar. Uri,=0 olanda Rr-da-
ki gerginlik diighisii miisbet olur. "[-nrn artmasr ise /!r-de
elave mlisbet gorginlik diigkiisii yaradrr, yeni grxrgda girige
gdro oks igareli gerginlik ahnrr.
Sxemin miisbet ceheti kollektor ve baza drivrelerinin
bir manbadan qida almasrdrr, gtinki har iki driweye eyni
igareli gerginlik verilir.
Menfi cehetler ondadrr ki, tezliyin yiiksek qiymetle-
rinde timumi bazah sxeme nisbeten giiclendirme daha az
ve sxemin igi temperaturdan gox asrl olur.
Umumi emitterli sxem en genig yayrlmrg qogulma sxe-
midir.

I45
 iJmumi kollektor ile qogulma sxemi timumi emitterli
qogulma sxemile bir gox eyni xiisusiyyetlere malikdir. Bu-
rada girig coreyam .Ir, grxrg ceroyanl ise ,I,-dir (o ise,
demek olar Y,t, Jyya beraberdir). Burada da girig siqnal
menbeyi emitter-baza arahlrna qogulur. Umumi emitterli
sxemden ferqlendiren cehet yiik mi.iqavimetinin emitter
d6vresine qogulmastdrr.
Qrxrg statik xarakteristikalan iirnumi emitterli sxemo uy-
fundur, yalnz kollektor coloyanlnl emitter cereyaru ile evez
etnek lazrmdrr. Girig xarakteristikalan da iirnumi emitterli
sxemdekile eynidirlar, lakin onlar girig gerginliyi rolunu oy-
nayan kollektor kegidindaki gerginliyin qiymeti qadar sa!
terefe siiriigdiiriiliirlar. Sxemin kegid ve tezlik xiisusiyyer
leri iimumi emitterli sxeme uyfundur.
Sxem cerayana va giice gore gticlendirme verir, ger-
ginliye grire ise giiclendrme vermir, giinki grxrg gergin-
Iiyinin dayigen toplananr girig gerginliyinin deyigen topla-
nanrndan hemige az olur. Sxemin coroyana g<ire dtiirma
amsah J,/J6-dr. Bu sxeme bezen emitter tekrarlayrcrsr da
deyilir ve onun xiisusiyyetleri gelecek b<ilmelerin birinde
tefsilatile verilecakdir.
n-p-n tipli tranzistorlann uy[un qogulma sxemlerinda
gerginlik menbelerinin igareleri her yerde eksine deyigdi-
rilmelidir.

6.3. Bipolyar tranzistorun dinamikrejimi

va dinamik xarakteristikalan

Bundan ewel qeyd edilmigdi ki, qogulma sxemlerinin

igerisinde en genig yayrlanr iimumi emitterli sxemdir' Bi-

t46
polyar tranzistorun dinamik rejimini bele sxem esasrnda
aragdrraq. Dinamik rejimde girig siqnal manbeyi U. baza
dovrasine, .R* ise kollektor ddvrasine qogulur (gekil 6.9).
Nezerde tutmaq lazrmdlr ki, yalnrz grxrg d<iwesinde
ytik mi.iqavimetinin olmasr gerginliye ve giice g<ire giiclen-
dirme elde etmeye imkan verir. Sxemden gdriiniir ki, baza
coroyanlnln deyigmesi nainki kollektor cereyamnr, hem de
kollektordakr gerginliyi deyigdirir. Qi.inki kollektordakr ger-
ginlik ve coroyan bir-birile agagrdakr ifade ile baghdrrlar:
U;Eplfi.p
Tranzistorun bele rejimi dinamik rejim, bu rejimde
cereyanlarla gerginlikler arasrndakr asrhhqlan gdstoron
xarakteristikalara ise dinamik xarakteristikalar deyilir.
Dinamik xarakteristikalar,E* menbeyinin gerginliyi-
nin ve ,R* miiqavimetinin verilmig qiymatlerinde statik xa-
rakteristikalar ailesi (sor[u kitablannda her bir tranzistor
iigiin verilir) iizerinda qurulur. Qurq (kollektor) dinamik
xarakteristikasrnr qur-
maq iigiin yuxandakr diiz
xett tenliyinden istifade
edilir.
N., Bu dtiz xettin ce-
f, I
royan vo gerginlik oxla-
_) I

nndan ayrrdrlr pargalan

tapmaq iigiin tenlikdo
$akil 6.9. Bipolyar tranzisrora siqnal miivafiq olaraq J* =0 vo
manbeyinin va yiik mtiqavimotinin U;E1 yazuaq U*=Er
qogulmasr ve J;E,/Rntapir.
Miivafiq oxlarda .81 ve Ey'Rl pargalannr ayrraraq ahnan
ntiqtelerden AG xetti gekilir. Bu di.iz xette yiik xetti ve

t47
onun statik xarakteristikalarla kesigmo nriqtelarinin hendasi
yerine dinamik grxrg xarakteristikasr deyilir (gekil 6.10a).
Bu xarakteristikanrn kcimeyi ile kollektor coroyanlnrn ista-
nilen qiymetina uylun koilektor gerginliyinin ve onunla
elaqedar olan baza coroyanrnln qiymetini tapmaq olar. Yiik
xettini hem de fargtg .R; bucalr altrnda G noqtesinden
qekmek olar.
Bazadakr Ur. (giril gerginliyini tapmaq iigiin giriq di-
namik xarakteristikasr qurulur.

$akil 6.10. Tranzistorun dinamik xarakteristikalanntn qurulmasr

Bunun iigiin grxrg dinamik xarakteristikasr iizerindeki

n6qtelere uygun "fb vo [/r"-nin qiymetlerini girig statik xa-
rakteristikalan ailesi iizerine kdgiirmek laztmdrr (gekil 6.10b).
Bu noqtelerin absisleri miivafiq baza gerginliklerini verir.
C'D' xetti girig dinamik xarakteristikasrntn bir hissesidir.
Yiik xettinin Jor=l"o cerayantna uyfun statik xarakte-
ristika ile kesigdiyi noqtoya (gekil 6.104) i99i niiqte ve bu
noqtonin girigde siqnal olmayanda ilkin haldakr veziyyetine
ise sakitlik niiqtasi (p) deyilir. Bu ndqtenin veziyyeti sii-
riiqme menbeyinin (,Er) gerginliyi ile miieyyen edilir. Sa-
kitlik nriqtesine 96re kollektor (9rxrg) driwesinin "I,o sakitlik
coroyanr vo U,* sakitlik gerginliyi teyin edilir. Bu halda
dinamik rejim tenliyi U.o: Eo- J"n Ro olur.
Sakitlik noqtesinin veziyeti sxemin teyinatr ito, girig
siqnahmn qiymeti ve formasr ile miieyyen edilir.
Oger girig siqnah simmetrikdirse (mesalen gekil 6.10b-
da sinusoidal [./r-), onda sakitlik niiqtesini yiik xattinin texmi-
nen ortasrnda segirler. Bu zaman kollektor drivresinden,[.
coroyanr axrr ve kollektordakr gerginliyin amplitudu U- olur.
Oger trarzistorun gxrg Corrasine xarici yiik R, qo$ulsa
(gekil 6.9-da qrnq xetle gcistrilib) kollektor driwesinin deyigen
caroyana gdro iimumi miiqavimetr R;R1R/(R.+R) olacaqdrr.
Bu halda dinamik xaraktenstikan sakitlik ndqtesinden
farctgRrbrrcalr kegirmek lazrmdrr (gekil 6. 10a qrnq xett).
Oger tranzisto-
run ig rejiminde iqgi
ndqto yiik xettinin
BF sahesinden kena-
ra glxmrrsa, bele reji-
ma xotti ve ya giic-
lendirma rejimi de-
yilir. Bu rejimde ba-
za (girig) coroyanrnr
deyigmesinden kol-
lektor (grxrg) cereya-
nr miitenasiib deyigir
(gekil 6.1 l, I hisse). $akil 6.I l. Bipolyar tmnzisrorun ip rejimi

149
 Oger girig csroyanl Ju^ (B ntiqtesi) qiymetini alarsa,
onun sonrakl artrmr kollektor ceroyanlnl artlrmlr, kollektor
caroyanr doyma .Is qiymetini alrr.
Bu halda kollektordakr gerginlik Upy-0i - 0,jB hed-
dinde olur ve ona gore ak d<4k altmr. Bu, tranzistorun doy-
ma rejimine uyflun gelir, bu halda tranzistorun her iki
keqidi diiz qoqulmug olur ve tranzistoru qapah agar kimi
tesvir etmek olar.
Tranzistorun doymasr ijgij'n J52Is7 olmahdtr. Doyma
rejiminde kollektor coroyanl yalnrz xarici dtivrenin para-
metrleri ile teyin edilir:
Jp7B16;( Ep Up)/ RpEy' Rp
Doyma sahesi (II) statik kollektor xarakteristikalannrn
idare olunmayan hissesinden solda yerlegir. Normal istilik
rejimini temin etmek tigiin doyma coroyanl J, kollektorun
maksimal buraxrla bilen cereyantndan gox olmamahdrr.
Ogor tranzistorun her iki kegidi eks istiqametde stiriig-
diirtilerse (qogularsa) onlardan yalnz ek idare olunmayan ce-
royanlar ixacaqdr. Bu halda kollektor dtivresinden "[=.I1,
baza d<ivrasinden isa J5:J6 cereyanlan axrr. Kollektordakt
gerginlik {/r* demek olar ki, .Eo.ya beraber olur. Bu rejimi
kasilme rejimi deyilir ve bu halda tranzistoru aqrq aqar
kimi tesvir etmek olar (III hisse).
Gerginlik U1"1r, qiymetini aganda kollektor kegidinde
yiikdagryrcrlanntn goxalmast selvari xarakter ahr (IV hisse).
Bu rejimde yalnrz xtisusi tranzistorlar igleye biler.

t50
 6.4. I9 rejiminin vo temperaturun bipolyar
tranzistorun parametrlerine tasiri

Tranzistorun esas parametrlerine onun ig rejimini xa-

rakterize eden kamiyyetler (kollektor ceroyanl ve gerginli-
yi, siqnahn tezliyi) ve etraf miihitin temperatunr m[ioyyon
tesir 96starir.
Emitter cereyamnrn emitter gerginliyinin goxalmasrn-
dan artmasr neticesinde emitter kegidinin injeksiya emsah
y-nrn qiymati artrr. Bunun sebebi emitter kegidine potensial
seddin azalmasr ve orada rekombinasiya eden ytik dagryrcr-
lanmn sayrnrn azalmasrdrr. a omsah 7 ile elaqedar oldu-
lundan bu zaman o. her hansr bir maksimal qiymet alrr. .I"-
nin sonrakr artrmr bazada qeyri-asas ytk dagryrcrlanmn
konsentrasiyastm artrnr va bu da ,.mn azalmasrna sebeb
olur. Neticeda a da azah vo tranzistorun giiclendirme xii-
susiyyetleri pislegir. a-nn J,-den asrhhlr (Uo=cozsr) $okil
6. l2a- da g6sterilmi gdir.

l5t
 ,Ro r, o,

OM

z6
-7 I
7r 'ze
7
Zr

c)

$ekil 6.12. Tranzistorun parametrlarinin ig rejiminden ve

temperahndan aslhllEl

Kolleklor gorginliyini (Jo=const) artrrarkon (mtitleq

qiymetino gore) kollektor kegidi geniglenir ve bazantn eni
azahr (Erli effekti). Bu halda baza qatrnda yiikdagryrcrlarrn
rekombinasiya ehtimall azahr vo uyEun olaraq yiik dagryrct-
larrn dagrma (iitiirme) omsah , artr. Uk artdrqca eyni za-
manda kollektor kegidine yiikdaqryrcrlann selvari goxalma
emsah ve bunun neticesinde aemsah da artr (qekil 6.12b).
Miisbot temperahrrda a artlr, monfi temperaturda isa
azahr (fokil 6.12c). Bt onunla izah olunur ki, temperatur
artdlqca dagrytcrlann enedisi artlr, rekombinasiya ehtimah
azahr vo onlann timrti uzanrr. Siqnahn tezliyinin a emsalt-
na tesiri ro miiddeti erzinde -/.-nin deyigmesinden ,[-ntn
dayigmesinin gecikmesi ile izah olunur. zo miiddeti erzinde

152
injeksiya edilmig dagryrnlar baza qatrnda herekat ederek
kollektor kegidine gatrrlar:
r,*tltzD
a-nrn tezlikden as:J'irfr a=q./(l+ jor' 4 ohr. Bwada ao-f0
tezliyinde emitter cereyanrnr <jttirme emsah; at;I/ro=
=2t{; f.- o-nrr. qo/.f2 qiymetine qeder azaldrlr emitterin
corayanrnrn iitiirma amsahnrn hiidud tezliyidir.
a-nrn ifadasinden iimumi bazah qogulma sxemi iigiin
amplitud-tezlik ve faza-tezlk xarakteristikalan (9ekil 6.12 9)
teyin edilir:
o = oo t,[i1i7ij :
p. = -arctg( a/ @.)
Burada go Jo-mn "/"-ye gcire gecikmesini gdsteren faza sii-
riigmesi bucagrdrr.
Bazann corcyana gcire otiirme emsahnrn tezlikden
asrlr lrgr beladir : p--pnt( I +j ol atp),
Burada p, - 7=g olanda baza coroyanlnln cittirme em-
saJl: aV2t{p;fp- lQ/-"rn pn/J2 qiymetino qodor azaldrlt
baza careyanrnrn iitiirma amsahnrn hiidud tezliyidir.
f" ue bir-birindan asfidt: fp: fa/(l+ p).
fi
Buradan grirtiniir ki, iiLmumi bazah sxem iimumi emit-
terli sxeme nisbeten daha geniq buraxma zolagrna malikdir.
Emitter kegidinin miiqavimeti "I,-dan qeyri-xetti asrh-
dt r"=pr/J" (gekil 6.12a) ve demek olar ki, kollektor ger-
ginliyinden asrh deyil (gekil 6.12b). Temperaturun
tesirinden r. xetti olaraq texminen 0,33o/o loC deyigir
(gekil 6.12c).

1s3
 Kollektor kegidinin miiqavimeti r.-ye analoji olaraq
,I.-ye grire miitenasib deyigir (gekil 6.l2Q,l U/ artanda ise
.F I tumtitenasib olaraq (Erli effekti) artrr (gekil 6. 12b).
Lakin sethi srzmalann ve zerbe ionlagdtrmantn tesi-
rinden ro=f(UoD eyrisinde maksimum miigahide olunur ve
I U/ -n,n sonrakr artmast ro-m azaldr. Tempraturun rt-ya ta-
siri (r,-den ferqli olaraq) elave amillerle, esasen gar-
ginlikle xarakterize olunur. Ona gora rn=f(T) qeyri xefti
olur ve maksimuma malik olur (gekil 6. 12 c).
"I"-nin artmasr ile baza
milqavimai ro azallr (gekil 6.124).
Bunun sebebi diiz cereyan axarken bazada qeyri-esas yiik-
dagryrcrlann konsentrasiyastntn artmastdtr (baza miiqavi-
metinin modulyasiyasr). Bazanrn miiqavimeti bazantn enine
ters mtitenasibdir, ona gore de I U) artanda Erli effekti ne-
ticesinde miiqavimet de artrr (9akil 6.12b).
rr-nin temperaturdan asrhhlr (gekil 6.12c) yanmkegi-
ricinin xiisusi elektrik kegiriciliyinin temperaturdan deyig-
mesi ile elaqedardrr va bu deyigmeler de baza qahnda ag-
qarlann konsentrasiyastndan asthdtr.
-Io, cereyantntn deyigmelerinin sebebleri yanmkeqiri-
ci diodun eks cereyantntn deyigmelerinin sebebleri ile ey-
nidir.
i9 rejiminin vo temperaturun tesirinden emitter kegidi-
nin eks coroyanl ,/,r, kollektor ve emitter kegidlerinin
tuhrmlan (C* ve C"), elektrodlann maksimal buraxrla bilen
gerginlikleri (Uu.n n Uor^uo U,0.",), kollektorun maksimal
buraxrla bilen sepelenmo giicii vo diger parametrler de de-
yi9ir.
Sayrlanlarla beraber cihazlarm ig rejimine kiiyler mii-
o)ryen tosir giisterir. Ki.iylerin iiz esas n6vii olur: istilik
154
kiiylari, qrrma kiiyleri ve algaq tezlikli kiiylar (Flikekiiy-
ler). Istilik kiiylari biiti.in keziricilerde, yanmkeziricilerde
vo dielektriklorde miigahide olunur ve yiikdagryrcrlarm xao-
tik hereketi ila elaqedar olur. Istilik ki.iyiini.in orta kvadratik
gerginliyi bele teyin o''n"'o,

= prTRAf
burada R - yanmkeziricinin ve ya dielektrikin miiqavimeti;
Af zonasmm enidir.
-buraxma kiiyleri yanmkezirici
Qrrma cihazlann ekseriyyo-
tinde olur. Onlann esas menbeyi p-z kegiddir. Yiikdagryrcr-
lar kegidin potensial seddini def ederken potensial seddinin
hnndiirliiytiniin deyigmesi ve dagryrcrlarm istilik hereketi-
nin xaotikliyi neticesinde cereyanlann dreyf ve diffirziya
toplananlannrn fluktuasiyasr bag verir. Bu hadise elektron-
lann emissiya corayanmm fluktuasiyasrna benzerdir ve ona
giire de bu qrrma effekti adlanrr. Kegidin qrrma ki.iyiintin
orta kvadratik gerginliyi bele teyin olunur:

A' - 2qJRi_^af
Algaq tezlikli kiiyler Uf"-a miitenasib olan xarakterik
spektral paylanmalan ile ferqlenirler (z vahide yaxrn gris-
tericidir). Yanmkegirici cihazlarda algaq tezlikli ki.iylerin
mengeyi oksid-yanmkeginci serhedinde bag veren proses-
lerdir. Bele kiiylerin orta kvadratik gerginliyi bele teyin
olunur:
Vz oURf

6.5. Bipolyar tranzistorun ekvivalent sxemlari

ve parametrlar sistemi

t55
 Tranzistorun xaraktenstikalarrndan esasen i9 rejimini
teyin etmek ve sxemlerin igini boyiik siqnallar hahnda qra-
fiki tehlil etmek tigiin istifade edihr. Sxemlerin iqini kemiy-
yetce qiymetlendirmak tigiin tranzistor sxemlerinin analitik
hesabat iisullannda ekvivalent sxemlerden istifade olunur.
Bu sxemler deyigen coroyan rejiminde tranzistorun kigik
siqnall parametrlerinin struktur elaqelerini tesvir edirler.
Tranzistorun kigik siqnalh ekvivalent sxemlen xetti
dovralerden ibaret olub iki boyiik qrupa bdliiniir:
1) tranzistorun fiziki xiisusiylretlerini, strukturunu va
hendesi modelini nezere almaqla qurulan ekvivalent sxem-
ler;
2) tranzistorun xiisusiyyetlerini aktrv d<irdqiitblii kimi
tesvir eden ekvivalent sxemler (formal ekvivalent sxemler).
Birinci qrup sxemler tranzistorun daxili (fiziki) para-
metrleri, ikinci qrup sxemler ise ddrdqiitbliiniin xarakteris-
tik parametrlari ile xarakterize olunur. Her iki qrup sxem
aktiv rejimde igleyen tranzistor sxemlerinin tehlilinde isti-
fade olunurlar.
Tranzistorun daxili parametrlerine esaslanan ekviva-
lent sxemler tranzistorun parametrlerinin tranzistorlu sxe-
min igine tesirini gox aydtn ve eyani gekilde oyrenmeya
imkan verir.
Umumi bazah ve iimumi emitterli qogulma sxemleri
iigiin gtictendirme rejiminde igleyen tranzistorlu sxemlerin
coroyan vo gorginliklorinin dayigen toplananlan iigiin ekvi-
valent sxemi aragdtraq. Bele sxemler tranzistorun girig ve
grxrg xarakteristikalannrn xetti hisseleri ilgiin tertib olunur.
Bu halda ffanzistorun parametrlennin deyigmediyi hesab
olunur ve tranzistorun gerginlik ve coreyanln kigik artrmla-
nna aid olan diferensial parametrlerinden istifade edilir.

r56
Bele halda tranzistorun strukturunu en deqiq tesvir eden T-
gekilli ekvivalent sxemdir.
Umumi bazah qo$ulma sxeminin T-gekilli ekvivalent
sxemi (;ekil 6. l3a) iki konturdan ibaretdir: girig (emitter-
baza) d6vresine aid sol ve grxrg (kollektor-baza) dtivresina
aid sag kontur. r, mi.iqavimetli baza d6vresi her iki kontur
iigiin timiimi olur.

i.l .tt't i

l-l
' I hr/r

$ekil 6.13. Bipolyar tranzistorun limumi baza (/) ve iimumi

eminer ve (b/ qogulma sxemlorirlin ekvivalent sxemlari

Ekvivalent sxema daxil olan parametrler bele xarakte-

rize olunur. Diiz istiqametde qogulmug emitter kegidinin
diferensial miiqavimati:
du-
' dJ.
rd emitter kegidindeki gorginliklo kegidden axan cere-
yan araslnda elaqeni nezere almala imkan verir. Emitter
qatrnrn hecmi miiqavimeti ve emitterin grxrg maftilinin mii-
qavimeti kigik oldulundan ekvivalent sxemde nezere
ahnmrr. r,-nin qiymeti "I"-in sabit toplananlanndan asrhdrr:

151
r"=e/I 5/J". Bu miiqavimet bir nege Omdan onlarla
"=0,02
Oma qeder ola biler.
Bazanrn hacmi mtiqavimoti r5baza cereyantntn baza
qatrnda emitterden baglayaraq hereket etdiyi istiqametde
teyin edilir. Adoton 16 >r, tranzistorun tipinden astlt olaraq
100-400 Om heddinde olur.
ekvivalent coroyan menbeyi baza qatrndan kollek-
az',
tora axan emitter cerayammn tranzit toplananmt (care-
yanm emitterdan kollektora iitiiriilmesini) nezere ahr. Oks
istiqametde qoqulmug kollektor kegidinin differensial mii-
qavimeti:
- :du* J.=const.
rkft):
d;/
Yuxanda qeyd edildiyi kimi bu miiqavimet baza mo-
dulyasiyasr neticesinde Uor-nin deyigmesinden kollektor
coroyanlnrn deyiqmesini nezere altr ve 0,5- I MOm heddin-
de olur.
Girig dovresinin a{/6 gerginlik menbeyi tranzistorda-
kr daxili miisbet eks alaqeni ifade edir ve kollektor gergin-
liyinin deyigmesinin tesirinden girigde gerginliyin deyig-
mesini tesvir edir. Fltl-ltr oldufundan gox vaxt bu men-
beyi ekvivalent sxeme daxil etmirler.
Emitter ve kollektor kegidlerinin C"61"te C451 tntrum-
larr uyfun kegidlarin sodd vo diffuziya tutumlarlnrn ca-
mine barabardir.
Sadd tutumu keqide verilen gerginliyin igaresinden
asrh oldulundan (meselen diiz qogulmada emifter keqidin-
de sedd tutumu oks qogulma halndan goxdur) emitter kegi-
dinin sedd tutumu kollektor keqidinin sedd tutumundan
goxdur.

r 58
 Diffuziya tutumu ise kegidda gerginliyin dayiqme-
sinden bazada yiiklerin deyigmesi ile xarakterize olunur.
Bazada yiiklerin emitter kegidindeki gerginliyin tesirinden
deyigmasi ytik dagryrcrlarrnrn bazaya injeksiyasr ile, kollek-
tor kegidindeki gerginliyin tesirinden deyigmesi ise Erli
effekti ile elaqedardrr. Bazada yiikiin eyni bir qiymetde de-
yigmesi iigiin kollektor kegidindeki gerginliyin deyigmesi
emitter kegidindeki gerginliyin deyigmesinden gox asrhdrr.
Bu o demekdir ki, emitter kegidinin diffuziya tutumu kol-
lektor kegidinin diffirziya tutumundan goxdur.
C"161 va C 461 tutumlannrn qiymetleri tranzistorun ntj-
v[inden asrhdr: ytikek tezlikli tranzistorlann her iki tutu-
mu algaq tezlikli tranzistorlardan kigikdir. Diffuziya (esa-
sen) tutumunu ifade eden C.ra tuhrmu bir nege yiiz pikofa-
rad, sedd tutumu ile miieyyen edilen C 146, tutumu ise bir ne-
ge on pikofarad heddinde olur.
Bele ferqlenmelerine baxmayaraq Cr, tutumu yiik-
sek tezliklerde tranzistorun igine daha qtiwetli tesir gos-
terir. Bu onunla elaqedardr ki, C.61 kigik r" miiqavimeti
lla, Coru, ise boyi.ik ft757 miiqavimeti ile guntlanmrglar. Ona
gore de C*rar tutumunu ekvivalent sxemlerde l0-larla KHs
tezliklerde, C.,rsni ise lO-larla MHs tezliklerde nezere
almaq lazrm gelir. Orta tezliklerde (bir nege on Hs-den bir
nege KHs-e qeder) kegidlerin tutumu nezere ahnmrr ve
ekvivalent sxeme daxil edilmir.
Emitter caroyanrntn differensial iitiirma emsah bu
cereyanrn kigik artrmlannda o-m daha deqiq xarakterize edir:
dJ,l
d= -----Ll
dJ"lu,="oort

159
 Orta tezliklerdo Econst oldugu qebul edilir. Yiiksek
tezliklerde degiklerin bazadan kegib getme vaxh dziinii gos-
teir, baza coroyanl fazaya gora emitter cereyanrndan ferq-
lenir ve a azahr. Yiiksek tezliklerde bu smsal kompleks
kemiyyet olur ( a = a, + ja( a)) , onun modulu vo arqumen-
ti miivafiq tezliye g6re hesablanrr. Tranzistorun tezlik xii-
susiyyetine hiidud /" tezliyine gtire qiymet verilir. Bu ele
tezlikdir ki, bu tezlikde lalJ z a.fe azafu. fo tranzistorun
esas parametrlerinden biridir. /"-nrn qiymetinden astlt ola-
raq alqaq tezllkli (f"S 3MHs), orta tezlikli (3MHs<f" S 30
MIIs), yiiksektezllkJi (30MHs< f"<300 MIls) ve ifrat
yiiksektezlikli (f 3 00 M Hs) ftanzistorlar mdvcuddur.
">
Umumi emitterli qogulma sxeminin T-gekilli ekviva-
lent sxemindo (gekil 6.13b) r" va ro mtqavimetleri hem fi-
ziki menalan, hem de qiymetlerine gore i.imumi bazah sxe-
me uyfundur. Oks elaqe emsalt gox kigik oldugundan eks
elaqeni nezere alan gerginlik menbeyi sxeme qoqulmur.
Umumi emitterli sxemde girig cereyanr rolunu baza careya-
nr oynadrlrndan ekvivalent sxemin gtxtg dtivresine pi,
coroyan menbeyi qogulur. Cereyanlann istiqameti iimumi
bazalr sxemde oldufu kimidir ve J":Ju+l, gerti temin
edrlir. r0,",=ro,oy'(1+ p1 Erli effekti neticesinde Uo"-nin deyig-
mesinden .I1-nrn deyigmesini nezere alrr. Umumi emitterli
sxemde ilkin coroyan baza cereyar:n oldufundan ve bu ce-
royan emitter cereyantndan (1+p1 defe az oldulundan iimu-
mi bazah sxemden timumi emifterli sxeme kegende kollek-
tor keEidinin hem aktiv, hem de tutum mtiqavimsti (1+O
defe azalrr. Bu o demakdir ki, iimumi emitterli sxemde

t60
Cno=(l+OCw qiymetinin artmasr yi.iksek tezlik-
C 1,16-nin
lerde C.p;C"61tutumuna nisbeten onun tesinni daha da go-
xaldrr. Ona gore C",", tutumunu sxeme daxil etmirler.
Umumi emitterli sxemde de diferensial caroyanr
titiirme amash tezlikden asrLdrr:
o=fr\u,,=".^,,
Oger bu sxemda de hiidud tezliyinil/l-nirJTa"fe
azalmasrna g<ire teyin etsek f6f"t(1+p), iimumi emitterli
sxemin tezlik xiisusiyyetlerinin i.imumi bazal sxeme nisbe-
ten daha pis oldulunu bir daha g6rerik.
Tranzistorun T-gekilli ekvivalent sxemlerine daxil
olan parametrler yanmkegirici qatlann hendesi cilqiileri ve
materiahna gora hesablana biler. Lakin onlan bilavasite
rilgmak mi.imkiin deyildir, giinki qatlann serheddine ve ke-
gide cihaz qo$maq olmur. Ona grire de hanzistorun rilgiile
bilen parametrleri kimi onun xiisusiyyetlerini ddrdqiitblii
(daha deqiq iigqiitblii) kimi ifade eden parametrler goti.irii-
li.ir.
Kigik siqnal hahnda (cereyan ve gerginliklerin artrm-
lan kigik olanda) tranzistorun dordqiitblii kimi parametrleri
hem riz aralannda, ham de T-gekilli evez sxemindeki fiziki
parametrlerle elaqedardrr.
Dordqiitbltniin (9eki1 6.14) girig ( Ur, "Ir) ve grxrq (U,
.Ir) cereyan ve gerginlikleri arasrnda elaqe iki tenlikle ifade
olunur. Bu kemiyyetlenn ikisini asrh olmayan deyiqen kimi
qebul ederek o biri ikisini taprnq.

61
Adaten asrh olmayan (ser-
bast) deyigen kimi giriq cere-
yanlnrn vo grxrg gerginliyinin
arfimlan (N, va AU) qabul v1
edilir. Giriq gerginlilnin /U1
vo glxr$ corayann N, artrm-
lanm ise tranzistorun h- $okil 6.14. Tmnzistorun diird -
parametrlari ile ifade edirler: qiitblii kimi tosviri

AUFhtt LIr+ hnAU2

N2:h2rNt+ h22AU2
Burada h,,= AU,/A,I 1 - grxrq gerginliyinin sabit qiymetinde
(AU r=0) tranzistorun girig miiqavimeti;
hr,:AI/N1 - grxrg gerginliyinin sabit qiymetinde
(AUz=0) caraYanl iitiirme amsah;
hrr=AU,//U, - girig cereyantntn sabit qiymetinde
(N,:0) garginliye giira eks alaqa emsah;
h r:N r//U Tgirig cereyantn sabit qiymetinde (N,=0)

tranzistorun grxrq kegiriciliyidir.

ft -parametrlerin konkret qiymetleri tranzistorun qogul-

ma sxeminden (hansr gerginlik ve careyanlann girig ve gr-

xrg dovresine aidliyindan) asrhdrr. Sorlu kitablannda ade-
ton orta tezliklerde iimumi bazah sxem iigtin coroyan vo
gerginliyin sabit toplananlarrnrn tipik qiymetlerinde o1-
giilmi.iq ft -parametrler verilir.
Tranzistorun h-parametrleri ile fiziki parametrleri ara-
srnda asrhhpt tapmaq iigiin ekvivalent sxemden (gekil 6.13)
istifade edek. ellu=0 got:u -b deyigen toplananlan arttmiar-
la evez edek: u"u=A(J; i"=N,; ue6=/U2 i6 cereyanrnr girig
coroyanr ila ifade edak: io=(I-a)N,.
t62
 Tranzistorun girig d6vresi iig;j,n AUr=0 hahnda yaza
bfink: AU;N,[rJQ-a)rJ
Buradan h,,: r"+(l-a)ro
alanq.
AUr=0 Surrnlu grxrg drivresinin coroyanlnr taparaq:
AIr= a/.1, buradan hr,:a alanq.
AI -0 halnda glxl$ d6wosinin coroyanl

''=#i"*
olacaqdrr. Bur adan h rr= 1 /r o, 0,.
Bu hal iigiin girig ve grxrg gerginlikleri bele teyin
olurur: lU;AI2r; AU, a Nrroro,
Buradan h,, * ru/rr,r,.
Ahnan nisbetlerin kdmeyi ila tranzistorun fiziki para-
metrlerini onun fr-parametrleri ile ifade edek:
r"=h,7(1-hr)h,/hni ro=hry'hzi ro,r,=I/hr; eh*

63
 7. UNiPOLYAR TRANZISTORLAR

ig pnnsipi yalnrz birigareli yiikdaqryrcrlann (elektronla-

nn vo ya degiklerin) istifade olunmastna esaslanan tranzis-
torlara unipolyar tranzistorlar deyilir. Bu tranzistorlarda
coreyan hemin cereyanrn axdr!r kanahn kegiriciliyinin elek-
trik sahasi vasitesi ile doyigdirilmesi yolu ile idare olunur.
Mehz buna gore bu tranzistorlan hem de saha tasirli tran-
zistorlar adlandrrrrlar.
Bipolyar tranzistorlara nisbeten bu cihazlarrn hazrrlan-
ma texnologiyasr daha mtikemmoldir, ayn-ayrr ntisxelerinin
parametrleri biri-birine daha yaxtn olur ve deyeri de kigik-
dir. Bu tranzistorlar ytiksek girig miiqavimetine malik olur-
lar.
Cereyan kegiren kanahn yaradrlmasr iisuluna grire bu
tranzistorlar 3 qrupa b6liini.ir: 1)p-z kegidli; 2) qurama ka-
nalh; 3) induksiya edilmig kanalh tranzistorlar.
2-ci ve 3-cii qrup tranzistorlara MDY-tranzistorlar
(metal, dielektrik ve yanmkegirici sozlerinin ilk herflerin-
den) deyilir.

7.1. p-r kegidli unipolyar tranzistorlar

Bu tranzistorun modelindon gdriini.ir ki, (gekil 7. I a)
igerisinden coroyan axan kanal iki p-z kegidi arasrnda yer-
legmig rz tipli yanmkegirici qatdan ibaretdir. Kanal cihazrn
xarici elektrodlan ile meftille birlegdirilir. Yiikdagryrcrlann
(bu halda elektronlann) herekete bagladrfir elektroda menbe
(Mn), yiikdagryrcrlarrn gelib gatdrgr elektroda ise mansab
(Ms) deyilir. p tipli yanmkegirici qatlar n qatrna nisbeten
daha yiiksek aqqar konsentrasiyastna malikdir. Her iki p qah
biri-bin ile birleqib bir xarici elektroda malik olur ve buna
idareedici elektrod (IE) deyilir.

164
 Tranzistorun idareedici xiisusiyyeti ondan ibaretdir ki,
[.i,r" deyigdikce yiikdagryrcrlan tiikenmig yanmkegirici qat-
dan ibaret her iki p-z kegidin eni deyigir. p qatlannda agqa-
nn konsentrasiyasr daha yiiksek oldugun dan p-n kegidlerin
eninin deyigmesi osason daha b<iyiik miiqavimetli qat hesa-
brna bag venr (Erli effekti). Bunun neticesinde cereyan
kegiren kanahn en kesiyi, onun kegiriciliyi ve tranzistorun
grxrg cereyanr
"/,," deyigir.

''Gil"b)

,.-@il:
c)

Ur,*" a)

$ekil 7.1 p-n keqidli unipolyar tranzistorun konstrukliv qurulusu (a)

vo sorti isarolori: r-kanalh (D) va p- kanalh /c/

Kanahn kegiriciliyine hem U,r,, hem de Ur"rn tasir

gdstorir. Oger U;r,=O, U,*,<0 olarsa (9ek1l 7 .2a) U;r,-nin
deyiqmesi kanahn enini onun biitlin uzunlufu boyu deyigir.
Kanahn keginciliyi de deyiqir, lakin bu rejimde grxr$ coro-
yanr srfra beraber olur ("L,"=r), ginki Ur"*,:0. Oger U,r,=O
ve U,r,>O olarsa, kanaldan "Ir" cereyanr axrr. Bunun netice-
sinde kanalda qiymeti menseb istiqamatinde artan gorginlik
diiggiisii yaramr.
Menbe-menseb sahesinde iimumi gerginlik diiggiisii
Ux"u"-ye beraber olur. Buna gtire kanahn nriqtelerinin
potensiah onun uzunlulu boyunca eyni olmur ve menbeda

16s
srfirdan baglaylb mensebde U v"w,-ya gatlr. Monboyo nisbo-
ten p qatlannrn noqtelerinin potensialt ise idareedici elekt-
rodun potensiah ilo miieyyan edilir ve bu halda stfra be-
raber olur (U,y, =0).
Bu sebebden p-n kegidlere tetbiq edilen eks gerginli-
yin qiymeti menbeden mensebe torof artlr ve p-z kegidler
menseb istiqamatinde geniglenir (9ekil 7.2b). Ona gore de
kanalrn eni manbeden mensebe qeder azaltr. U*"r, gergin'
liyinin artmasr kanaldakr gorginlik di.iggiisiinti vo onun
kegiriciliyini azaldr. Ur.r,-nin her hansr bir qiymetinde
menseb yaxrnhfirnda her iki p-n kegidler tamamile biri-
birine yaxrnlaqrr ve kanaltn miiqavimeti gox boytik olur.
Kanala her iki gerginliyin tasii (U r,*,>0 va U,r, <0)
gekil 7.2c-de g6sterilmigdir.

b) U""",

$ekil 7 2. Konar garginlik menbelarinin tesirinden p-a

kegidli tranzistorun kanahnrn kegiriciliyinin deyigmesi

Bu tranzistorlann esas iki ndv volt-amper xarakteristi-

kalan maraq dogurur.
Menseb (grxrg) xarakteristikalan [./,-,=0 olanda men-
sob coroyanlrun monsob gorginliyindon aslhhgmr gdstarir
(Jri-f(U n il/u*,=crrrs, ($okrl 7.3a). I hisse careyamn gergin-
tikdan qiiwetli asrhhfrm, II hisso zeif astltltlrru gosterir, III
hisse ise p-n kegidin degilmesi hahna uylun gelir.

166
 U,r,:0 halnda va U."r^-nin kigik qiymotlorindo gor-
ginlik kanalrn kegiriciliyine az tosir edir va Jr.-nin U*"*,-
den asrlrlrlr xetti xarakter dagryr. Uy"y^ artdrqca kanahn
ensizlagmasinin kegiriciliye tesin artrr vo coreyanln artma
dikliyi azalrr. II hissenin serhedine qatanda kanaln eni
minimuma gahr, giinki her iki p-z kegidler tamamile bin-
birine yaxrnlagrr.
U *"*,-nin bundan sonrakr artmasl coroyanr bir o qeder
de artrrmrr, ginkt U*,y,, artdlqca kanahn mi.iqavimeti de
artlr. Bu halda ,/r"-nin bir qeder artmasr miixtelif srzmalarrn
ve p-z kegidlerindeki qiivvetli elektrik sahesinin tesiri ile
izah edilir. III hissede "In,,-nin keskin artmasr menseb
yaxrnhgmda p-r, kegidin menseb-idareedici elektrod dovresi
ile selvari degilmesi hahna uyfundur. Degilme gorginliyi
"b" nriqtasina uygun gelir.

v -d,,,
a) b)
$akil 7.3. pn kegidli vo,
kanallr untpotyar ranzistorun gl{tg (man-
sab) (l,) ve menseb-idaraedici elekrod (6) xarakteristikalan

idareedici elektroda monfi oks gerginlik verdikde

(U,r".0) kanal ensizlegir ve onun kegiriciliyi azalrr. Ona go-
re da U M"M,<0 hallannda ahnmrg eyrilerdo corayanln artma
dikliyi az olur. U,r, de tesir gcisterdiyinden p-z kegidlerinin
hecmi yiiLkleri ile kanahn ensizleqmesi daha kigik gergin-
t67
likde ba9 verir ve I vo II hisselerin serhedine daha kigik
menseb-idareedici elektrod gerginliyi uylun gelir. Kanahn
temiz ballanma garginliklerine menseb xarakteristikalan-
nrn qlnq xetle kesigme noqtelarinin absisleri uylun gelir.
Tranzistorun menseb-idareedici elektrod dcivresile degilme-
si de daha kigik gerginliklerde baq verir.
Tranzistorun esas parametrlarinden biri Ir"4) halna
uygun idareedici elektrod gerginliyinin qiymetidir. Bu, ciha-
zrn idareedici elektrod d<ivresi ile temiz baflanma gerginli-
yine uyfundur, ona baflama ve ya kasilma gerginliyi (t/,..,,)
deyilir. Qiymetce bu garginlik U,r,:O halnda ahnmtg xarak-
teristikanrn "b" n<iqtesine uylun gelen Ur"r,, garginliyina
beraberdir. Mansab-idareedici (giriq) xarakteristikalarr
U rr"r,:const hahnda "/r"-nin U;*,-den asrhh!rm ifade edir:
Jy"=f(U, *) /U r" *"=c o n st
(gekil 7.36). Bu xarakteristikant menseb xarakteristikast
esasrnda da qurmaq olar.
Tranzistorun esas parametrleri aqa!rdakrlardrr:
I*, .^ - menseb xaraktenstikastnda (U,r":0 olanda)
"b" n<iqtesine uygun cereyan;
Ur"*,*-U*,=0 - halnda menseb-idareedici elektrod
sahesinin degilme gerginliyinden 1,2-1,5 defe kigik gcitiiriiliir;
U,,,, - menseb coroyanlnrn stfra yaxtn oldugu haldakr
idaraedici elektrod garginliyr;

du - daxili miiqavimet (grxrg xarakteris-

, dJ,,
",*"
u ,u,=cttnst

tikasrnda II hissenin mailliyini gtisterir);

I

dJ,, | - mensab-idareedici elektrod xarak-

s =dU
u'"lU '"="nn't

168
teristikasrnrn dikliyidir ve U,*n-rin Jr,-ye tesirini gdstorir;
rri,=dUiu, a" - girig miiqavimetidir ve eks istiqamot-
de qogulmug p-n kegidlerin miiqavimetleri ile miieyyen
edilir.
C,*, ve C,*" - elektrodlararasr tutumlardrr va bunlar
miivafiq olaraq menbe ve mensebe yaxffi p-n kegidlerin
mrivcudlulu ile elaqedardrr.
Saha tranzistorunun ekvivalent sxemi (gekil 7 .4a) cera-
yan va gerginliklerin deyigen toplananlan iiqiin gxrg xarakte-
ristikasrmn II hissesinde tranzistorun igini xarakterize edir.
Bu tranzistorda temas potensial farqi (Ag) ve yiikdagr-
yrcrlann yuriikliiyu temperaturdan asrh oldu[undan cihazrn
parametrlerine ve xarakterisgtikalanna temperatur tesir gos-
teir. Apo potensiah eks qogulmug p-z kegidlerin gerginlik-
lerinin bir hissesini tegkil edir.
j*"r,
iEd-_l___li

It'" su",
tt
| |

A i"u,.".
tlI t"
Mn
b)
$akil7.4. p-n kegidli saha rosirli fianzistorun yi.iksak (a)
va alcao rezliklere uvfun ekvivalent sxemleri r.D)

Temperaturun tesirinden kegidlerdeki gerginlikler ve

kegidlerin eni deyigir, bu ise kanahn enini ve kegiriciliyini
deyiqdirir. Temperatur artdrqca A96 azafu, kanalm eni ve
kegiriciliyi artrr. Yiikdagryrcrlann yi.iriikliiytiniin azalmasrn-
dan kanahn keqiriciliyi azalrr.
Temperaturun tranzistorun parametr ve xarakteristika-
lanna tesiri gox miirekkebdir ve her ndv cihazda oziinii bir

t69
ciir gdstorir. Adetan sorlu kitablannda onlann temperatur-
dan asrhh[r gosterilir.
Sahe tranzistorunun ekvivalent sxemi ($okil 7 .4) care'
yan vo gerginliklerin deyigen toplananlan iiLgiin grxrq xarak-
teristikasrnrn II hissesinde tranzistorun iqini xarakterize edir.
Bu hissede cihazdakr coroyan idareedici elektrodun
gerginliyi ve xarakteristikanrn dikliyi ila miieyyen edilir.
Ona gore de grxrq d6vrasine S.Ugr corolan menbeyi daxil
edilir. Bu menbeye paralel menseb gerginliyinin corayana
tesirini nezere alan r, miiqavimeti qogulur. C6. C,u" ve
Cr"r, tutumlan yiiksek tezliklerdo elektrodlararasr tutum-
lann tranzistorun igine tesirini nezere altr.
Kigik tezlikler iigiin sahe tesirli tranzistorun ekvivalent
sxemi gekil '1 .4 b-de g<isterilmigdir.

7 .2. MDY - tranzistorlar

p-z kegidli tranzistorlarda idareedici elektrod ceroyan

kegiran kanahn kegide yaxrn yerlegen qatr ile bilavasite
temasda olur.
Onlardan ferqli olaraq MDY-tranzistoriarda idaraedici
elektrod hemin qatdan dielektrik qatr vasitesi ile izole edilir.
Ona gore MDY-tranzistorlan izole olunmug idareedici
elektrodlu tranzistorlar strastna aid edirler.
MDY tranzistorlar silisiumdan haztrlantr, dielektrik ki-
mi ise silisium oksidinden istifade edilir. Bununla elaqadar
bu cihazlann iigiincii adr yaranmrgdtr: MOY-tranzistorlar
(metal, oksid, yarrmkegirici s<izlerinden). Dielektrikin struk-
tura daxil edilmesi tranzistorun girig miiqavimetini daha da
artrnr ( l o'2- l0r4 om).
MDY-tranzistorlann iq prinsipi enine yonelmiq elek-
trik sahesinin tesiri altrnda yanmkegiricinin dielektrikle ser-
hedde sethyanr qatrntn kegiriciliyinin deyigmesine esasla-

170
nrr. Yanmkegiricinin sothyanr qatr MDY tranzistorlarda ce-
reyan kegiran kanal rolunu oynaylr.
MDY-tranzistorlar iimumi halda ddrdelektrodlu cihaz-
lardr. Dordi.incii elek-
,.+::,.-g*.-4EI: trod rolunu osas ya-
nmkegirici l6vheye
birleqdiren althq oy-
nayrr. MDY-tranzis-
,.--GI",-9I:,#; torlar p ve z kanalh
olurlar. Onlann mi.ix-
$ekil 7.5. MDY-tranzistorlann larti i5arelo :
telif tiplerinin garti iga-
qurama kanalh (n-tipli (a), p-ttpli (6), altltqdan
grxrgr olan (c)); induksiya edilmig kanallt (z- raleri gakil 7.5-da gos-
tipli (f), p-tipli (d) althqdan grxrgt olan (e)) terilrnigdir.
z tipii qurama ka-
nalh MDY-tranzistorun qurulugu gekil 7.6 a-da g<isterilmig-
dir. Osas p tipli silisium ldvhesinde difiirziya texnologiyasr
ile menbe, menseb saheleri ve z tipli kanal yaradrlmrqdrr.
Oksid qatr (SiOr) menbe ve mensebe yaxrn sethleri miihafiza
ve idareedici elektrodu kanaldan izole etmek iigiindiir. Qox vaxt
althgrn grxrgr menbeye qogulur.
Cihazrn igleme prinsipini quruluquna ve xarakteristikala-
nna osason aragdrraq. Mensab (grxrq) xarakteristikalan (gekil
7.6b) p-n kegidli tranzistorun xarakteristikalanna benzeyir.
U 6,4 ha\ burada mensebin idareedici elektodla birlegmesine
uyftm gelir.
Bu halda xarici gerginlik menbe-menseb sahesine
miisbeti mansebe vermekle qoqulur. U7r,=0 oldufundan
axan coroyan kanahn ilkin kegiriciliyi ile mtieyyen edilir. 0-
a sahesinde kanalda gerginlik diiggtisii ki91k, Jr"=f(U*"*)
asrhh[r ise xettidir. "b" n6qtesino yaxrnlagdrqca kanaldakr
gerginlik di.iggiisii onun enine ve kegiriciliyine daha gox
tasir gristarir (qrnq xett) ve a-b sahasinde eyrinin dikliyi
azahr. "b" ndqtesinden sonra kanahn eni minimuma gahr,

t71
bu, cereyanrn artmasml mehdudlagdrnr ve xarakteristikada
az mailliye malik II hissa amele gelir.

.a
,C L5
Urr"""=t0V
E 20
,E
,C

uM,. tp E
3
&
N

4 Qtt'Q2 O qZ u*,'Y

$ekil 7.6. Mexsusi kanalh MDY-tranzistorun konstniktiy qurulu$u (a),

grxrq (menseb) (D) ve menseb-idaraedici elektrod (c) xarakteristikalan

Up,<0 olanda onun sahosi kanaldakr ytikdagryrcrlarr

(elektronlan) iteleyib kanaldan grxanr, kanalda onlann kon-
sentrasiyasr a$agl di.i$iir vo kanalln kegiriciliyi azalrr. Belo
gerginliklera uyEun monsab xarakteristikalan U,r":0 halna
uyEun xarakteristikalardan aga!rda yerlegirler. Tranzistorun
U6"<0 rejiminde kanalda yiikdagryrcrlann konsentrasiyasr
azaldrgrndan bu rejimo kasrbla;ma rejimi deyilir.
Uir^>0 oldtqda onun sahesi yanmkeqiricinin p qahn-
dan elektronlan kanala gokib gotirir, onlarrn kanaldakr
konsentrasiyasr ve kanahn kegiriciliyi artlr. Bu rejim zan-
ginla$ma rejimi adlanlr. Buna uyfun mensob xarakteris-
tikalan ilkin (U,r,:0-a uygun) eyriden yuxanda yerlegir. Bu
tranzistor iigiin menseb-idareedici elektrod gerginliyinin
miieyyen heddi vardrr ki, ondan sonra mensaba yaxrn olan
menseb-idareedici elektrod sahesi degilir. Degilme hahna
xarakteristikanrn III sahesi ve U1,., gerginliyi uylun
golir. UiM,<0 olanda U,*" gerginliyi artrr vo bu hatda deEil-
me daha kiglk a*"*, gerginliyinde bag verir.
Girig xarakteristikasr gekil 7.6c-de gristerilmigdir.
Gdriindiiyii kimi bu tranzistorlar ham kasrblagma (UiM,,<0),
hem da zenginlegme (I/,*,>0) rejimlerinde igleye bilii.
Induksiya edilmig kanalh MDy-tranzistorlarda ce-
reyan kegiren kanal
ewelceden hazrrlan-
mrr. Burada kanal ida-
reedici elektroda men-
beye nisbeten miisbet
gerginlik verilende
elektronlann yanm-
kegirici lovheden
axrb gelmesi hesabr-
na yaradrhr, daha
do!rusu siini
$ekil7.7. induksiya edilmiS kanalh MDY-
tranzistorun konstruktiv qurulugu (a),
induksiya edilir (gekil 9rxr9 (6) ve girig (c) xarakteristikalan
7.7a). Elekkonlann
bele axrm sayesinde sethyanl sahodo yanmkegiricinin
elektrik kegiriciliyi artrr vo ba$qa sdzle menbe ile mensebi
birlegdiren z tipli cereyan kegiren kanal yaramr. idaroedici
elektroda verilen miisbet gerginlik artdrqca kanalm kegiriciliyi
arur. Belelikle, bu tranzistor yalnrz zenginle$mo rejiminda
iqleyir. Manseb xarakteristikalarr (;ekil 7'.7b) firma ve
xarakterleri ile ewelkilere benzeyir. Ferq ondadrr ki, tran_
zistor polyarhlr U*"u^ rla eyni olan idareedici elekrod gergin_
liyi ile idare olunur. Burada lJ*^4 olanda.Ir,=O olur, f,albuki
qurma kanalh MDY-tranzistorda bunun iigiin idaraedici
elekrodun garginlilnin igaresini deyigmek teleb olunur.
Girig xarakteristikasr gekil j .7 c-de gristerilmigdir.
MDY-tranzistorlann ekvivalent sxemi p-z kJgidli saha te_
sirli tranzistorun evez sxemi ile eynidir. MDy-tranzistor-

173
lann da i.ig qogulma sxemleri mdvcuddur: iimumi menseb,
iimumi idareedici ve iimumi menba ile qogulma sxemleri.

R1s

9e-

$ekil 7.8. Unipolyar fianzistorlann dtivroye qogulma sxemleri: 4)

iimumi idarsedici elektrodla; b), c) iimumi
menbe ile; 9) iimumi menseb ile

Umumi idareedici elektrodlu sxem kigik girig mt-

qavimetine matik oldufiundan praktikada gox az i$lodilir. P-
z kegidli ve MDY tipli tranzistorlann dtivreye qoqulma
sxemleri gekil 7.8-de giisterilmigdir.

t'l4
 8. TiRiSTORLAR

iki dayanrqh veziyyete - atgaq kegiricilikli ve yiik-

sek kegiricilikli veziyyetlere malik olan drirdqath yanmke-
girici cihaza tiristor deyilir. Tiristorun bir veziyyatinden
digerine kegirilmesi xarici tesir (gerginlik, caroyan vo ya
iqrq seli) neticesinde heyata kegirilir. Onlar diod tiristorlan-
na (gekil 8.la) ve triod tiristorlarrna (gekil 8.1 6-9) bolii-
ni.ir. Diod tiristorlanna dinistor deyilir ve onlar bagh veziy-
yatden agrq veziyyete anodla (A) katod (K) arasrndakr ger-
ginliyin miieyyen bir qiymetinda kegir. Triod tiristorlanna
tirinistor deyilir ve onlann veziyyeti. ilgiincti - idareedici
elektrodun (IE) krimeyi ila deyiqilir. Idareedici elektrodun
k<imeyi ile cihazrn veziyyetini deyigmekde bir ve ya iki
emeliyyat yerine yetirile biler. Bir emeliyyath tiristorda
(gekil 8.1b) idareedici elektrodun d<ivresi ile tiristoru yalnrz
agmaq olar, onu ballamaq iigiin ise anod-katod arasrndakr
gerginliyin igaresini deyigmek lazrmdrr. iki ameliyyath ti-
ristorlarda (gakil 8. lc) idareedici elektrodun dcivresi ile tiris-
toru hem agmaq, hem de baglamaq mtmkiindiir. igrq gi.iasr
ile idare olunan tiristorlara fototiristor deyilir (gekil 8. 19).

")b)c)dd)
$ekil 8.1. Tiristorlann $orti itaralari: a) dinistor; 6) bir omaliyyatlr
tirisror; c) ikiemaliyyath tiristor; 9) fototiristor; d) simisror

Biitiin adlan gekilen cihazlar tomassz agrr rolunu oy-

nayr vo coroyanl bir istiqametde kegirirler. Her iki istiqa-
175
motdo ceroyan kegiren tiristorlara simmetrik tiristor-simis-
tor deyilir (gekil 8.16). Teyinahna grire simistor iki qargr-
hqh paralel qoqulmug adi tiristorun vezifesini yerine yetirir.
Diiz cereyanrn nominal qiymetine gdre tiristorlar
algaq giiclii (J",.4,3A), orta giiclii (0,34.^A0A) ve
biiyiik giiclii (J >I 0A) tiristorlara bohintir.
Tiristorun ",.tipik dordqath skukturundan grirtiniir ki, o
iki tranzistor strukturundan (p rn rpz va nyp7n,) ibaretdir
(gekil 8.2a). pr-qatr anod, zr-qatr katod rolunu oynayr. p,
qatr idaroedici elektrod (IE) adlanan metal temasa malikdir
vo bu elektroda idareedici gerginlik menbeyi ,8,, qogulur.
n,ve p, qatlan baza qatlandrr, K, ve Kt kegidleri emifter ke-
gidleri, I(, kegidi ise her iki tranzistor iigiin kollektor kegidi-
dir.

J.pJ,?J*j
J,., J,.,

U,*
b)
$ekil 8.2. Tiristorun qumluqu (a) ve volt-amper xarakte stikasr (6)
Cihazrn igini volt-amper xarakteristikasrna (gekil 8.26)
grire aragdrraq.
Oger idareedici elektrodun coroyanl srfra beraber olur-
sa (J bu rej ime dinistor rejimi deyilir. Bu halda anoda
"=0)

176
katoda nisbeten miisbet ve agma gerginliyindan (U,r) az olan
kigik gerginlik verilir, neticede (, ve ff, kegidlari diiz
istiqametde, K, ise eks istiqametde qogulmuq olur. Xarici
gerginliyin demek olar ki, hamrsr balh .I(, kegidine diigiir.
Xarici garginlik artdrqca r(, ve i(, kegidlerindeki potensi-
al saddlar azalrr ve cihazdan axan,I, cereyanr artmala bagla-
yr. Qeyd etrnok lazlmdtr ki, tiristor hazrrlanarkenp, vo ,r2 qat-
lannda agqarlann konsentrasiyasr p, va n / qatlannda olandan
gox gcitiiriiliir ve neticede I{, kegidi daha ensiz olur. Ona g<ire
de bu kegidde potensial seddi daha tez azalr ve z, emitterden
p, bazaya elektronlann emissiyasl baglanrr. Onlann rekombi-
nasiyaya u$amayan hissesi aks qogulmug r(, kegidine gatrr ve
onun sahesi ila n, bazasrna ritiiriiliir. n, bazasrnda elektronlann
konsentrasiyasr arhr va bunun neticesinde I(, kegidinda poten-
sial sedd daha da azahr ya degiklerin p, emitterindan z,
bazasrna injeksiyasr goxalrr. Bu degikler diffuziya noticasindo
z, kegidine gataraq onun sahesi ile p, bazasrna ritiiriiliir. p,
bazasrnda degiklarin konsentrasiyasr artrr, bu r(, kegidinde
potensial seddini daha da azaldr, n, emitterinden p, bazasrna
elekhonlann injeksiyasr artlr va s. Belelikle, strukturda cere-
yana g<ire miisbat eks olaqonin olmasrna banzer cereyamn
selvari goxalmast (xarakteristikada o-a hissesi) bag verir.
U,:U,, garginliyinde daxili eks elaqe asas ytikdagryrcrla-
nn emitter qatlanndan baza qatlanna selvari injeksiyasrm
yaradrr. n, bazasrnda elektronlann ve p, bazasrnda degilCerin
konsentrasiyaslmn iti stiretle arfinasr eks qogulmug K, kegidin-
deki U, gerginliyinin ve bunun naticesinde tiristordakr timumi
gerginliyin azalmasrna getirib grxanr, ginki II.:U,+IJ.+(I,.
Daha dofrusu coroyarun artmasr ile gerginlik azalr ve bu o
demekdir ki, drirdqath strukturun volt-amper xarakteristikasr
manfi miiqavimet sahosina malikdir (a-6 sahesi).
Selvari proses inkigaf etdikce tiristor agrlrr (ige qogulur)
ve onun xarici dtivresindan axan cereyan ,(, miiqavimeti ve .8,
menbeyinin gerginliyi ile miiayyen edilen qiymere qeder ar-
trr. Xarakteristikamn iggi hissesi c-d sahesidir. Burada anod ve

t1'1
katod arastndakr gerginlik gox kigikdir, giinki her ii9 kegid di.iz
istiqametde qoqulmuqdur.
Tiristoru baflamaq iigiin diiziine caroyam ("/.) c noqtesi-
ne uy[un saxlama ("I"*) cereyamna qeder azaltmaq va ya gor-
ginliyin igaresini deyigmek lazrmdtr. Gerginliyin igaresi
deyigende K, ve K, kegidleri eks istiqametde siiriigdiiriili.ir, .K,
isa dilz istiqametde siiriigdtiriilmiig qahr. Bu hal iigiin volr
amper xarakteristikasr eksine qogulmug diodun xarakteris-
tikasrna benzayir (a-e sahesi).
Oger bazalann birinin (adeten p, bazastntn) ddvresina
xarici garginlik menbeyi qoqularsa tiristorun aqrlma garginliyi-
nin (U,r) qiymetini azzltmaq miimkiin olar. Bu rejime
trinistor rejimi deyilir. Bu halda -8, menbeyinin hesabma J,,
caroyanl vasitesile p, bazastna elava yiik dagryrcrlan (bu halda
degikler) getirilir. Bunlann tasirinden,(, kegidinde potensial
seddi azalrr ve yuxanda izah edilen gekilde selvari proses bag-
layrr. idareetme dovresinin coroyanlnl tenzim etmakle selvari
prosesi idare edib tiristoru daha kigik garginliklerde ige qog-
maq (agmaq) olar.
Tiristorlar aga$rdakr parametrlerle xarakterize edilirler:
-I,,-nominal diiz cereyan; AU ",'nominal cereyanda tiristordakr
gerginlik diiggiisii; U,o,-nominal buraxrla bilen eks gerginlik;
U,r-idareedici d6vre agrq olan halda tiristoru baflt
veziyyetden agrq voziyyata kegiren an kigik diiz gerginlik;
,Ir,a-idareedici impuls kesilendon vo tiristor agrlandan sonra
onii agrq vaziyyetde saxlaya bilen minimal diiz cereyan; "I"--
idareedici d<lvre agrq olanda tiristoru ba[lanmafa qoymayan
minimal diiz cereyan.
Dinamik parametrler: 1.. - idareedici impulsun baqlanft-
crndan dtiz gerginliyin ilkin qiymetinin l0% -ne qeder azal-
masrna qeder kegen vaxt; to"rldiiz cereyamn srfirdan kegdiyi
anla tiristorun tozodon agtlmasrm tamin etmeyen takrar
verilen gerginliyin baglanfrcr arasrndakr minimal vaxt. Bu iki
kemiyyet tiristorun tezlik xiisusiyyetlerini xarakterize edir'
t";1-30 mk saniya; to"t75-250 mk saniye heddinda olur.
178
9. yARTMKECiRiCi FOTOELEKTRON CiHAZLARI

igrq giiasrmn enerjisini elektrik enerjisina ve tersina ge-

viren elektron cihazlanna fotoelektron (fotoelektrik) cihazlan
deyilir.
i9 prinsipine g<ire yanmkegirici fotoelektron cihazlannr
iig qrupa brilmek olar: fotoelektron giialandrrrc arl, foto-
elektron giiaqebuledicilari, optoelektron cttlari.

9.1. Fotoelektron giialandrrrcr cihazlar

$iialandrncl cihazlar elektrik enerjisini mtieyyen uzun-

luqlu dallalann optik $ijalanma enerjisine gevirirler. Enerjinin
bela gewilme mexanizmi yiik dagryrcrlannrn yanmkeqirici-
lerde giialandrncr rekombinasiyasr ile elaqedardrr. $iialandr-
ncr cihazlann igi liiminessensiya hadisesine istinad edir.
Liiminessensiya deyende xarici tesirden maddonin atomla-
nrun heyecanlanmasr neticesinda yaranan optik giialanma
nezerda tutulur. Xarici tesir menbeyi elektrik sahesi olanda
bu hadise elektroliiminessensiya adlanrr.
iqrq sagmanrn davamiyyetine gdra liiminessensiya iki
ntiv olur: l) fliioressensiya (igrq seli, elektron seli, rentgen
gtirast, elektrik sahasi ve coroyanrnln tesirinden maddenin
igrq gtialanmasr); 2) fosforessensiya (millisaniyeden bir ne-
ge saata kimi davam edan uzun miiddetli igrqsagma).
$iialanma prosesleri ile elaqedar olan enerjinin tam
heyecanlanma enerjisine nisbetine liiminessensiyanrn ef-
fektivliyi deyilir. Temperatur artdrqca effektivlik azalrr.
Li.iminessensiya xasselerine malik olan maddelere liimi-
nofor deyilir. Heyecanlaffna menbeyinden asrh olaraq fotolii-
minoforlar, katodliiminoforlsr! rentgen liiminoforlar4 elek-
trik liiminoforlan mdvcuddur. Elektronikada esasen elektrik

179
liiminoforlan istifade edilir. Bunlar elektroliirninessent gevirici-
lerde ve igrq diodlannda istifade edilir.
Elektroliiminessent gevirici ltivhalerinden birinin ya-
xrnh!rnda liiminofor yerleqdirilmig kondensatordan ibaret-
dir. Onun igrq sagma parlaqhgr bele teyin edrlir: B = kae-%n .
Burada U-qida menbeyinin gerginliyi; /< ve b-gerginliyin
tezliyindan asth parametrlerdir.
Elektroliiminessent geviricinin xarakteristikalan liimi-
noforun materiahndan vo konstruksiyadan asrhdrr. Material
rolunu ya dielektrikdo asrh Eekilde olan fosforun kigikdis-
persli tozu (tozgakilli fosforlar), ya da vakuumda buxarlan-
ma iisulu ile ahnmrg bircins polikristal nazik qat (fosfor
sublimatr) oynayrr. Birinci n6v elementler yalnz 50-300 V
deyigen gerginlikde iglayir. Fosfor sublimat qatr gox nazik
oldugundan ikinci nov crhazlar 2-2,5 V amplitudlu sabit ve
deyigen gerginlikde igleyir. igrqsagma fosforun ve agqarla-
nn ndvtinden asth olaraq spektrin dalla uzunlugunun g<irii-
nen hissesinde 0,45 mkm-den (mavi igtq) 0,6 mkm-e (sarv
nanncl igrq) bag verir.
Elektroliiminessent geviricilerin i9 mi.iddeti az olur, on-
lar stabil iqlemirler - bir miiddetden sonra igtqlanmanrn par-
laqhfr azahr, onlar hem do otalotli olurlar (yanma ve stinme
vaxlr 1t3-104 saniya heddinde olur). Bele geviriciler bdyi.ik
gi.iclendirme emsdltna malik gi.ialanma geviricilerinde ve
gi.iclendiricilerinde, kigik tilgiilii ekranlarda ve tablolarda,
mentiq elementlerinde ve diger algaqtezlikli dtivrelerde i9-
ledilir.
igrq diodu p-n kegide malik olan ve elektrik enerjisini
spektrin g<iriinen hissesinde optik giialanmaya geviren ya-
nmkeqirici giialandrnct cihazdrr.
Cihazrn iginin esastnr elektron-degik kegidinden injek-
siya eden yiikdagryrcrlann 6z-<jztine gtialandtncr rekombina-
siyasr ile elaqedar olan elektroliiminessensiya hadisesi teg-

180
kil edir. $iialanma bilavasite ifrat yiikdagryrcrlann rekombi-
nasiyasrndan yaranrr, kegidde ve kegide yaxrn yanmkegirici
qatlarda bag verir.
informasiya tesvir eden igrq diodlanna gdstorilon to-
leblerden en baghcasr giialanmanm spektrin gdrtinen sahe-
sinde bag vermesidir. Burada esas rolu zonalararasr gi.ialan-
drncr rekombinasiya oynadrprndan yanmkeqiricinin qadagan
olunmug zonaslnln eni miieyyen qiymoto malik olmahdrr.
Igrq diodlannr hazllamaq iigiin qallium fosfid (gciri.jL-
nen igrq) vo qallium arsenidden (infiaqrrmrzr) istifade olu-
nur. I$rq diodu diie qoqulmug p-n kegiddan ibaret olur (gekil
9.la). Drz istiqametde verilmig gerginliyin tesirinden ke-
gidde potensial seddinin hiindiirltiyii azalr va yiikdagryrcr-
lann injeksiyasr baglayrr: elektronlar n qatrndan p qatrna, de-
gikler ise eks istiqametde injeksiya edir. Ahnan cereyanda
elektron toplanam daha b6ytik olur.

$ekit 9.1. igrq diodunun ene{i diaqramlan: a) xarici gerginlik

olmayanda; b) xarici gerginlik diiz qogulanda;
c) diodun dovraya qoqulma sxemi

Elektronlar n qatrndan p qatrna hereket etdikce kegiri-

cilik zonasrndakr ytiksek enerji seviyyesinden valent zona-
slndakr algaq enerji seviyyesino kegir. Kegidde vo ona yaxln
sahede yi.ikdagryrcrlann dz-riziine rekombinasiyasr bag verir.
Rekombinasiya noticasindo enerji kvantr - foton aynlir.
ea_
I8l
dalan olunmug zonanln eninin miieyyen qiymetinde bu
ene{i g<iriinen igrq seli geklinde aynlrr. Bagqa s6zle, rekom-
binasiyada aynlan enerji ilkin yanmkegiricinin qadalan
olunmu$ zonaslnln enindon asrhdlr.
Dallanrn uzunluEu vo $iialanmanrn rangi yanmkegiri-
cinin materiahndan ve hazrlanma texnologiyastndan astlt-
drr. Germanium ve silisiumun qadalan olunmug zonalanntn
eni nisbeten gox bdyiik olmur ve aynlan enerji osasen ya-
rrmkegiricinin kristallik qefesesine verilib onun qlzmasrna
serf olunur. igrq diodunun hazrrlandrlr materiallar iigtin qa-
dalan olunmug zonanln eni bdyiik oldufundan rekombina-
siya neticesinde aynlan ene{inin bir hissesi yanmkegi-
ricinin daxilinde udulur, bir hissesi ise etraf miihite giialantr.
Ona g<ire goze gdriinen (xarici) kvant glxl$l daxili kvant gt-
xrgrndan az olur.
$iialanmanrn parlaqh[r ve gi.icii diodun konstruksiya-
srndan da asrhdrr. Dioddan ne qeder gox ceroyan buraxtla
bilerse (artrq qrzmafa yol verilmeden), parlaqltq ve giialan-
ma giicii bir o qeder yiiksek olar. Cereyantn artrnasrndan
onlann goxalmasr bele izah olunur. Rekombinasiya natice-
sinde qeyri-esas yiikdagrycrlann ifrat konsentrasiyasrmn
azalmasrnrn intensivliyi onlann ilkin konsentrasiyastna mii-
tenasibdir. Ona grire diiz cereyan artdlqca injeksiya prosesi
daha aktiv gedir ve dagtytctlann ilkin konsentrasiyasr daha
yiiksek olur.
On genig tetbiq olunan qlrrnlzr, yagrl ve san igrq sagan
diodlardrr.
igrq diodunun d<iweye qogulma sxemi $ekil g.lc-do
gdsterilmigdir. Miiqavimet diodun ddvresindeki cereyant
mehdudlagdrnr. Diodun coroyanr ve onda diigen gerginlik
diiggiisii bele teyin edilir
,.= u* , ur=JrR,
' R"+ R'
(R,Tdiodun miiqavimetidir. )
182
 igrq diodlanmn esas xarakteristikalan agalrdakrlardrr (9e-
lctl9.2 a-): 1) volt-amper xarakteristikast frTf(Ur);2) Sna-
lanma giiciiniin diiz cerayandan asrhhb P;-l(J*); 3) Siia-
lanmanrn parlaqlrfrnrn diiz cerayandan asilrS Bo:fQ*); 4)
spektral xaraliiteristika - nisbi giictin dalga uzunlugundan
ast/ilJtpr P/P^*=f(l).
Igrq diodlan giialan-
manrn dalla uzunlugu ,1r,.,,

V-
o,
spektrin eninin yansr /,1,
$iialanma gticii P' ige qo-
gulma loou ve agrlma /",
b) miiddetleri ve bunlarla ela-
qedar hiidud tezliyifi",,is-
tiqametlenrne

VW
diaqramr
(P,(O) vo diger parametr-
lerle xarakterize olunurlar.
oLo Kegidin eni az oldu-
dc) !'undan diodlann oks qo-
Sulmada degilme gorginliyi
$ekil 9.2. iprq diodunun
xarakteristikalan nisboton kigik olur.
Igrq diodlannrn hazrr-
lanmasr iigiin en perspektivli heterokegidli strukturlardr.
Igrq diodlan mikoelektronika qur[ulannda molumatl
tesvir etmek ilgiin panel indikatorlannda, displeylerde, opto-
elektron ciitlerinda (qiialandrncr element kimi), fotooxuyu-
cularda, igrq ritiiren xotlerde molumatr optik dtiirmo sistem-
lerinde, girig ve grxrg dcivrelerini qalvanik ayrran ddvreler-
de ve s. igledilir. idareolunan (igrqlanan sahesinin serhedi
deyigen) igrq diodlan radioqebuledicilerinin sazlama tesvir-
edicilerinds aqrebli cihazlann evezine istifade olunur. Bir
nege igrqlanan sahesi olan igrq diodlan kdzeren bogalmah
reqem indikatorlannrn evezine igledilir.

183
 Tek iqrq diodlarrndan bagqa, igrq diodu matrisalan da
buraxrlrr ki, bunlar da diger fotoelektron qurfulan ile birlik-
de optik agrb-ballayrcrlarda ve yaddag xanalannda istifade
edilir.
igrq diodlarr yiiksek etibarhfa, boyiik ig mtiddetine, ki-
gik i99i gerginiiye ve serf olunan giico, az gekiye, kigik 6l-
giilere malik oldufundan onlar miixtelif elektron qurlulann-
da genig tetbiqat tapmrglar.
Lazerlor monoxromatik $iialanma generatorlandrr (in-
gilisce Light Amplification by Stimulated Emission of Ra-
diation - igrfirn induksiya $iialanmasr ile giiclendirilmesi
soziindendir).
Lazerlerin ig prinsipi kvant sistemlerinin heyecanlan-
mrg veziyyetlarinin istifadesino osaslanlr. Xarici enedinin
tesirinden heyecanlanmrq elektronlar daha ytiksek enerji se-
viyryelerine kegirler ve bu zaman ya igrq enerjisi fotonlarr,
ya da istilik enerjisi fotonlan giialandrnlrr. Kvant sisteminin
enerjisinin giialanmasr oz-tiziine (spontan olaraq) ve mecbu-
ri (induksiya edilerek) bag vere biler. induksiya yolu ile ve-
ziyyatin dayigmasi ise yalnrz xarici tesir neticesinde
miimktin olur.
Fezada paylanml$ kvant sistemlorinin 6z-oztine giia-
lanmasr qeyri-koherent (tegkil olunmaml$) olur. Bele giia-
lanmada enedi geni$ tezlik spektrindo paylanrr. induksiya
edilmig giialanmada iqrq dal[alan eyni tezliye ve eyni yayrl-
ma istiqamotino malik olurlar. Bele giialanmaya monoxro-
matik ve ya koherent (tegkil olunmug) giialanma deyilir. in-
duksiya edilmig giialanmanln osaslnl kvant sisteminin hisse-
ciklerinin yuxan enerji seviyyelerinden agafr enerji seviy-
yelerina kegmesi zamanr artlq enerji aynlmasr prosesi tegkil
edir. induksiya edilmiq giialanma alde etmek iigtin hecmde
miieyyen qaydada paylanmrq bdyiik miqdarda heyecanlan-
mrg atomlara malik olan mi.ihit laztmdrr. Heyecanlanmrg
atomlan miieyyon tezlikli iqrq kvantlan ile igrqlandrrrb ele
veziyyet yaratmaq olar ki, igrgrn giialanmasr onun udul-
masrndan qat-qat intensiv olsun. Kvant optik cihazlann iqi
bu hadiseye esaslanrr. Generasiya edilen reqslerin tezliyin-
den asrh olaraq kvant optik cihazlan iki qrupa b<iliiniirlor:
santimetrli ve millimetrli dalgalar giialandrran cihazlar-ma-
zerlor va optik diapazonda igleyen cihazlar-lazerler.
Lazer generasiyasrnr iig iisulla hayata kegirmek olar:
1) atomlann elektron orti.ikleri arasrndakt kegidler arasrnda;
2) molekullann firlanma - reqsetme spektrindon istifade
esasrnda; 3) yanmkegiricinin kegiricilik zonasr ile valent zo-
nasr arasrndakr kegidler esasrnda. Bu iig prinsip biitiin mad-
daleri ehate edir ve ona gore lazerler tigiin istonilon maten-
aldan istifade oluna biler.
Hal-hazrrda berk grivdeli qaz ve yanmkegirici lazerler
genig yayrlmrgdrr.
Yanmkegiricilerin lazerlerde aktiv madde kimi istifa-
de olunmasr f.i.e. artrrmaga, giialanmanrn modulyasiya zola-
!rnr geniglendirmeye ve lazerlerin olgi.ilerini azaltmafia im-
kan verir. Igrq 6tiiren sistemli rabite ve melumat <itiiren qur-
fiularda, altomatikanrn vo idareetmonin bir gox sistemlerin-
de mehz bu lazerlerden istifade olunur. Yanmkegirici lazer-
ler yanlan seyle cilalanmrg kub vo ya paralelopiped geklin-
de haztrlanrr. Yan sethlerinin iigii gtianr eks etdiren qatla
cirttiliir ve rezonator rolunu oynayrr. D<irdiinci.i yan seth ya-
rrmgeffaf olur ve bu sethde $iialanma bag verir. Lazer diod-
larrnda ilkin material kimi z qatrna selen vo ya tellur, p qatr-
na ise kadmium elave olunmug qallium arsenid istifade edi-
lir.
Yanmkeqirici lazerleri ferqlendiren xiisusiyyetler aga-
!rdakrlardrr:
. 1) giialanma prosesleri eneryi zonalan arasrnda bag ve-
nr;

185
 2) lazer diodlannrn 6lqiileri kigik, aktiv hissenin qahn-
hlr az olur ve buna gcire giialanma selinin aynlmasr nis-
beten boyiik olur;
3) seviyyelerin doldurulmasr dioddan cereyan kegiril-
mesi ile elde edilir, bu cereyan seviyyelerin lazrmi qeder
doldurulmasrnr temin edir. Bu halda gox yi.iksek tezliklere
qeder (bir nege qiqahers)
modulyasiya heyata kegir-
mek olur, giinki giialan- Gak p ripli
manrn tiz tezliyi gox yiik- Gafls oTipn
sekdir.
p-n ve p-p* kegidh
qallium, aliminium Ya ar Metatqat Akhq
sen birlagmasi esastnda 6afrsn
yaranmlg ve koherent gila-
$ekil 9.3. Lazer diodunun strukhrru
lanmanr lifli igrq tittiren
xotto vero bilen struktur gekil 9.3-de gristerilmigdir.
Bu strukturda p tipli aktiv qallium-arsenid zonast giiant
srndrrma xassesi aktiv qatdan pis olan iki aliiminium-qalli-
um-arsen qah arasrnda yerlegir. Buna g<ire aktiv hisse gene-
rasiya edilen giialanmamn miieyyen hissesine g<ire pillevari
igrq 6tiiriici.isii xisusiyyetine malik olur. Dagryrcrlann yiik-
sek konsentrasiyaya malik oldugu aktiv zonada ensiz kanal
yaratmaq iigiin lazer diodunun hecminin bir hissesini (bu
hisseler gtrixlenmigler) protonlarla bombardman edirler.
$i.ialanma qallium-arsenid qatrnda yaranan geffaf giizgiiden
gtittiriililr.
Cereyarun miieyyen qiymetine qeder giialanma kohe-
rent olur ve clhaz igrq giialandrran diod kimi igleyir. Cere-
yan serhed qiymetine gatanda diod lazer giialanmasl genera-
siya edir: grxan igrq fazaya gorc sinxronlagdrnlmtg ve koher-
ent olur. Bundan sonra coroyan artdlqca glxrg giicii miitena-
sib artrr. Hessashq texminen 20LmkVt/mA heddinde olur.

t86
Diodun aktiv sahesinde temperaturun deyigmesi grxrg giici.i-
nii ve dalla uzunlufunu deyigdirir. Lazer diodundan grxan
igrq konus gekilli olur, onun en kesiyi giialanma bagladrgr
yerden aktiv qat boyunca darhlmrg olur ve menbeden ara-
hqda en kesiyi ellips geklinda 900 deyiqir.
Igrq diodlarrndan ferqli olaraq, lazer diodlarr elektron-
degik kegidine paralel yrinelmig polyarizasiya mi..istevisinde
hissece polyarize edilmig igrq giialandrnr.
Yanmkegirici lazerler iigiin heyacanlanmanrn miixtelif
nrivlari: p-n kegidinden injeksiya, optik heyacanlanma, elekt-
ron seli ile heyacanlanma, selvari degilrne istifade olunur. in-
jeksiya tipli lazerler elektrik enerjisini bilavasite koherent
giialanmaya gevirir. Onlann f.i.e. biiyiik, serf etdiyi gi.ic az ve
ig miiddeti gox olur. Menfi cehetleri coroyanln serhed sx-
hfrnrn qiymetinin boyiik olmasr ve cihazrn iginin tempera-
turdan gox asrh olmasrdrr.
Optik-kvant generatorlan optik lokatorlarda, indikasiya
qurfulannda, televiziyada ve miixtelif hesablayrcr qurlu-
larda istifade edilir.

9.2. Fotoelektron giiaqabuledici cihazlar

$iia ene{isi ile idare edilen cihazlara optik giiaqabul-

edici cihazlar deyilir. Onlar ultraben6vgeyi, giirtinen ve in-
fraqrrmrzr giialanmanr elektrik ve optik siqnallara gevirirler.
Optik giialanmanrn maddelerle qargrhqh tesirinin xarakteri-
ne gore giiaqebuledicileri iki sinfe bciliiniir: istilik giiaqe-
buledicileri ve foton giiaqabuledicilari.
Istilik qiiaqebuledicilerinde giialanma selinin fotonlan
hessas elementin maddesinin kristal qefesesinin reqsi ener-
jisini goxaldrr ve bu ise hessas elementin temperaturunu ar-
trnr. Neticede hessas elementin termo e.h.q, termomiiqavi-
meti, hecmi va polyarizasiyasr deyigir. $i.ialanmanrn madde

t87
ile qargrhqh tesirinden istilik giiaqebuledicisinin ddvresinde
elektrik ve optik siqnallar yaranrr. Belo qebuledicilere piro-
elektrik qobuledicilor, bolometrler, radiasiyah termoele-
mentler aiddir.
Piroelektrik qobuledicilorin igi qrzdrnlma ve ya gtia-
landrrma neticesinde coroyan hasil edilmesine esaslanrr.
Onlar termoelektrik cereyan generatorlandr. Qrxrg siqnah
temperaturun dayigme siiretinden asrh oldugundan bu cihaz-
Iar sabit xarakterii istilik sahelenne hessashq gostormir ve
yiiksek i9 si.iretine malik olur. Oniar qrzdrnlmrg cisimlarin
qeyri-koherent giialanmasrnrn orta gtciinii dlgmek tigiin, in-
fraqrrmizr $iialanmanrn orta sahesinde kosmik tedqiqatlar
iigi.in, lazer gilalanmasrnrn orta, pik giiciinii, enerjisini ve
bagqa parametrlerini o19mek tiqiin istifade edilir.
Radiasiyah termoelementler istilikden ve ya giialan-
madan termo e.h.q. yaradan iki qeyri-hemcins keqincinin
birlegmesinden ibaretdir. Onlar istiiik garginlik generatorla-
ndrriar. Bunlara altomatikada temperatur, infraqrrmrzr ve
bagqa giialanma giiciiniin vericisi kimi istifade olunan termo-
ciirtler aiddir.
Bolometrler istiliye hessas rezistorlardrr. Onlann igi
iqrq selinin udulmasr neticosinde miiqavimetin deyigmesine
esaslanrr. Onlarr elektrik drivresine qogmaqla udulan gtianrn
parametrlorini deyiqib gerginliyi (cereyanr) modulyasiya
edirler.
Foton giiaqebuledicisinde igrq selinin fotonlan bilava-
sita qebuledicinin hessas elementinin elektronlanna tesir
ederek onlan heyecanlandrnr. igrq selinin giicii voziyyotlo-
rini deyigen elektronlarrn sayrna gdre mi,ieyyen edilir.
Yarrmkegirici foton qabuledicilerinin igi daxili fotoef-
fekt hadisesine esaslarur. Daxili fotoeffekt neticesinde ko-
valent elaqelerdan azad olan elektronlar maddenin igerisin-

r88
 do qahb onun elektrik kegiriciliyini artlnrlar ve neticede ya-
nmkegiricide daxili e.h.q. yaranrr.
I9i daxili fotoeffekt hadisesine esaslanan yanmkegirici
elementlerden fotorezistorlan, fotodiodlarl, fototranzis-
torlarl, fototutumlarr, fotovaristorlan gdstermek olar. Bu
cihazlann hamrsrnrn osas xaraktenstikalan aga!rdakrlardrr:
1) iqrq xarakteristikasr - elektrodlar arasrnda gerginliyin
vo $iianln spektral terkibinin sabit qiymetlerinda fotocere-
yanrn gtia selinin intensivliyindan aslhhgr;
2) volt-amper xarakteristikasr - giia selinin sabit qiyme-
tinde fotocereyanrn elektrodlardakr gerginlikdan asrhh!r;
3) spektral xarakteristika elektrodlar arasrndakr gar-
-
ginliyin ve igrq selinin sabit qiymatlerinda nisbi hessashlrn
(faizle) igrq $iiaslnrn dalfa uzunlufundan asrhh!r;
4) tezlik xarakteriktikasr gerginliyin ve igrq selinin
-
sabit qiymetlerinda nisbi hessashlrn (faizle) igrq selinin in-
tensivliyinin deyigme tezliyinden asrhhgl;
5) temperatur xarakteristikasr - fotoqebuledici xarak-
teristikalannrn ve parametrlerinin temperaturdan asrhh!r;
6) yorulma xarakteristikasr - fotoqebuledicinin hessas-
hIrnrn ig miiddetinden asrh deyigmesi;
7) kegid xarakteristikasr igrq selinin vahid srgrayrgla
-
deyigmesine fotoqebuledicinin gristerdiyi reaksiya (cihazrn
ig stiretini xarakterize edir).
Fotoqebuledicileri xarakterize eden esas paramekler
a$aErdakllardrr:
1) inteqral hessashq - igrq selinin vahid deyigmesinden
fotocerayanrn nece deyigmesini 96starir;
2) spektral hessashq - her hansr dalga uzunluluna malik
igrq selinin deyigmesinden fotocereyanrn deyigmesini gcis-
terir;
K;d"tr/dFi
3) deyigen corayana gtira daxili miiqavimet: RTdIJ/dJ1;

189
 4) sabit carayana giira miiqavimet: R'=U/J1
5) qaranhq carayanr -/r- tam qaranhq olan halda cihaz-
dan axan caroyan;
6) buraxrla bilen sapelenme giicii P,,,,;
7) qaranhqda olan fotoqebuledicide maksimal buraxtla
bilen garginlik U,,,,
Fotorezistor giia enerjisi- Yonmkecirici
nin tesirinden tiz miiqavimetrnt
deyigen cihaza deyilir. O, giige
kivhenin tizerine gekilmig iki
coroyan kegiren temasa malik
olan yanmkegirici qatdan iba-
retdir (gekil 9.44). Riltubetden
qorumaq iigiin yanmkegiricinin
sethine gaffaf lak gekilir. Ldv-
heni iqrln diigmesi iigiin pence-
resi olan plastik maddeden ve ya
metaldan dtizeldilmig g<ivdeYa
salrrlar. Fotorezistorlarda vis-
mutun, ll.alulllruurulr,
IlluLull! qur!u5u-
kadmiumun, qurEuru-
nun kiikiirdlii ve selenli birleg- $okil9 4 Foto-rezistorun quru-
Iulu fa, vo ddvraya qolulma
meleri istifade olunur. sxemi (6,)
Fotorezistorun ddvreYe qo- -
gulma sxemi gekil 9.4b-de gdsterilmigdir. igrqlanma ol-
mayanda fotorezistorun miiqavimeti maksimal olur (Rr) ve
ona qaranlrq miiqavimoti deyilir (10"-1O'an). Bu halda ci
hazdan gox kigik qaranltq coroyanl axrr:
Jo=E,/(Rr+R)-
Fotorezistoru igrqlandrrarken onun elektrik mtiqavime-
ti igrqlanma mi.iqavimetine rti, qeder azalr ve dtivredan
axan csroyan arff: Ja=E,/(R;JR).
igrqlanma corayanl ile qaranhq ceroyanlnln ferqine il-
kin kegiricilik fotocoroyanr dey llir : J7J 4-J,

190
 igrq selini arttrarken kegiricilik elektronlanntn bir his-
sesi atomlarla toqqugub onlan ionlagdrnr ve elave elektron
seli yaradrr. Bunun neticesinde emele gelen cereyana
ikinci kegiricilik cerayanr deyilir.
Xarici d<ivreden axan corayanrn tesirinden ytik miiqa-
vimetinde gerginlik di.iggiisii dey igir : AU r-=Jfr ,
Cihazrn inteqral hassashfir K7U;I)/F kimi tayin
edilir.
Mtiqavimetin igrqlanmadan nega defe deyigdiyi bele
teyin edilir: AR/R
"=(Rr-R)/R,
Fotorezistorun hassashfl tetbiq olunmug gerginlik-
den asrhdrr. Ona g6re miixtelif n6v fotorezistorlan qiymet-
lendirorken menbe garginliyinin tasirini aradan grittirmek
iigiin xiisusi hessashqdan istifade edirler. Bu inteqral hes-
saslrlrn vahid gerginliye nisbetidir: K7J/FU".

''"ffi''; A I
Fotorezistorun xara-
kteristikalan gakil 9.5-

o) tu 40t, n
I
I de gristerilmigdir. igrq
xarakteristikalarl qey-
ri-xatti olur, volt-am-
per xarakteristikalarl
\ \ sepelenme giiciiniin
buraxrla bilen qiymet-
o8 o2 I A,trt lerinde xettidirler.
") Ona grira cihaza ve-
4Jp
rilan maksimal ger-
ginlik mehdudlagdrn-
cl Ir, giinki boyiik gerg-
inlikde artrq qlzma na-
d @flwf ticesinde igrla hessas
qat dalrla biler.
$eki[ 9.5. Fotorczistorun igrq (a), volt-amper Bezi fotorezis-
(r), spektral (c), tezlik (9/ ve kegid (d) xa- torlann spektral xarak-
rakteristikalan
l9t
teristikalarr infraqtrmrzr sahedo maksimum hessashla ma-
likdirler. Bele fotorezistorlar esasen pirometriyada zoif Ez-
drnlmrg cisimlerin temperaturunu <ilgmek, infraqrrmrzr tex-
nikada - gece griren crhazlarda, istilik pelenqatorlannda (ob-
yekti tapan) ve s. igledilir. Diger fotorezistorlar spektrin 96-
riinen hissesinde maksimal hessashfia malik olur. Bunlar
goriinen igrfa reaksiya veren qurlularda (siqnalizasiya qur-
gulan, fotorele ve s.) igledilir.
Fotorezistorlar kigik dlgnlere, boyiik hessashla ve
demek olar ki, mehdudiyyetsiz ig miiddetine malikdirler.
Onlann menfi cehetleri qaranltq coroyanlnln nisboton
briyiik, igrq xarakteristikalanntn qeyri-xetti olmast, cihazrn
iginin temperaturdan asrhllr, etaletliyidir (maddenin daxi-
linde hereket ederken ytikdagryrcrlann diffuziya stiretinin
kigik olmasr). Otaletlik onlan tez deyigen igrq sellerinde ig-
leyen qurlularda istifade etmeye imkan vermir.
Temperatur 100 C deyigende fotorezistorun miiqavi-
meti | -3o/o deyigir. 98% riitubetlikde cihaz srradan qtxr.
Yiiksek rtitubet $oraitinde ve maye mtihitde hermetik hazrr-
lanmrg fotorezistorlar istifade olunur.
Fotodiod eks cereyanm qiymeti igrqlanmadan astlt
olan yanmkegirici dioda deyilir. Fotodiodda geden fiziki
prosesler igrq diodlannda bag veren proseslere gdre eks xa-
rakter dagryrr. Burada kifayet qeder ytiksek ene{ili foton-
lann tesirinden maddenin elektronlan valent zonastndan gr-
xanhb kegiricilik zonasrna aparrlrr. Neticede serbest yiikda-
gryrcr ciitleri emele gelir ve onlar fotoqebuledicinin qiitblo-
rine teref qargrhqh hareket ederek cereyan yaradtrlar.
Cihazrn iginin kvant effektivliyi ( 4) bir fotonun tesirin-
den emale gelen elektron-degik ciitlerinin sayr ile xarakteri-
ze olunur. Fotocoreyan ,ffq 4F6 ifadesi ile teyin olunur. Bu-
rada Fo -vahid zamanda sethe diigen fotonlarln sayr, q -
elektronun yiikiidiir.

t92
 Kvant effektivliyi kristahn sethindan eksolma netice-
sindeki itkilerden, dagryrcrlar ciitiiniin yaranma yerindon,
dalga uzunlulundan ve fotodiodun materiahndan asrhdrr.
Kvant effektivliyi ytiksok olduqca cihazrn hessashlr da
boyiiyiir. Fotodiodun qurulu$u adi miistevi yanmkegiricinin
quruluguna benzeyir. Ferq ondadrr ki, fotodiodun p-n ke-
gidinin bir terefi igrq diigen pencereye yrinelir, diger terefi
ise iqrqdan qorunur. Fotodiodlann iki i9 rejimi mrivcuddur: fo-
todiod (fotogevirici) rejimi, ventil (fotogenerator) rejimi.
Fotodiod rejimindo cihaza eks istiqametde kenar ger-
ginlik menbeyi qogulur (gekil 9.6). Diodun rizerine igrq seli
diiqmedikde onun dovresindan kigik (germanium rigiin l0-
20 mkA, silisium iigiin 1-2 mkA) qaranhq coroyanr axrr.
A(ar

b)
")
Sokil 9.6. Fotodiodun fotoqevirici (a) va
fotosenerator (6) reiiminds qosulmasr

igrqlanma olanda diodda elava elektron degik ciitleri

yaranlr vo qeyri-esas yiikdagryrcrlarrn kegidden axlnl goxa-
lrr: elektronlar p qatrndan n qattna, degikler ise eks terefe
kegir. Neticede dcivreden axan coroyan goxalrr. Yiik mii-
qavimetinin va menbe gerginliyimn diizgiin segilmig qiy-
metlerinde caroyan igrqlanmadan asrh olacaqdrr. Yiik mtqa-
vimetindeki gorginlik di.igkiisii cihazrn grxrg siqnah olur.

t93
 Fotodiod rej imi yiiksek hessashq, optik giialanmam ge-
nig dinamik diapazonda gevirmek imkam ve p-n kegidin tu-
tumunun azalmast hesabrna yiiksek i9 si.ireti temin edir.
Fotogevirici rejiminin menfi ceheti temperaturun to-
sirinden eksponensial deyigen qaranhq cereyantnm bdyiik
olmasrdr. Ona gore avtomatikamn olgme ddvrelarinde fo-
togenerator rejiminden istifade olunur (gekil 9.6b).
- Tutaq ki, agar agrq veziyyetde, igrq seli ise srfira (F=0)
baraberdir. Bu haldap ve z qatlanmn serhedinde temas po-
tensial ferqi Ago yaranr. Keqidden qarsr-qar$rya diffuziya
ve dreyf cereyanlan axaraq bir-birini tarazhla getirirlar.
Kegidi igrqlandrranda (F>/) daxili fotoeffekt neticesin-
de kegidde elave elektron-de$ik ciitlari emele gelir. Kegidin
elektrik sahesi bu ciitleri ayrnr: degiklerp qahna, elektronlar
ise z qahna (dreyf hareketi) kegirler. Neticede dreyf cereya-
m elave arttm altr ve buna fotocereyan ,!deyilir.
p qatrnda artrq degiklar, z qatrnda isa artrq elektronlar
yrlrlrr ve xarici elektrodlar arasrnda temas potensial ferqi
(foto e.h.q.) -Ey emele gelir. Bu e.h.q. potensial seddin hiin-
dtirliiyiini.i azaldr ve diffitziya coreyanlna bir qodor artlm
verir. Agar agrq oldulundan strukturda cereyanlann termo-
dinamiki tarazhft yaranr:
J;J1JJ7 Jay-N1;0.
Foto e.h.q.-nin qiymoti yanmkegiricinin xtsusiyyetle-
rinden (qadafan olunmug zonanrn eninden, dagryrcrlann tim-
riinden ve yiirtikliiyiinden), dalla uzunlu$urdan, igrq selinin
intensivliyinden vo bir gox diger parametrlerden asthdrr.
Foto e.h.q.-nin qiymeti ilkin yanmkeqiricinin qadafan olun-
mu$ zonasrnln eninden gox olmur.
Agan ba!layrb yi.ik mtiqavimetini dioda qoganda xarici
d6vreden coroyan axtr ve diodun stxaclanndakr gerginlik
her hansr bir (Ig< \qi]urrLetine qeder azaltr. Qrsa qapanma
rejiminda (Rr=0; Urr0) J=4otur.

194
 Fotodiodun esas xarakteristikalarr gekil 9.7-de gdsta-
rilmigdir. Volt-amper xarakteristikastna gore diferensial
daxili miiqavimet tayin edilir:
Rr@U,/d.I)*-""
Igrq xarakteristika-
srna g<ire hessashq hed-
dini tapmaq olar. O, fo-
todiodun mexsusi kiiy-
lerinin fonunda xarici
ddvrede cereyanrn hiss
O F 0 4 l?;,^*a edile bilecek deyiqme-
sini temin eden en kigik
b)4 igrq siqnahna deyilir.
Sokil 9.7. Fotodiodun volt-amper (a); igrq (6)
Cihaztn asas para-
va spekral (c) xarakterisrikalan metrleri hassasltq, qa-
ranhq cereyanr (ger-
ginlik fotodiod rejimindeki iggi gerginliye beraber ve F=0
olanda), qrxr$ gorginliyi, Qrxri carayanrdrr. Fotodiodlar ki-
9ik kiitleye, olgiilere, qida menbeyine, ytiksek semereliliye,
hessashla ve uzun ig miiddatine malikdirler.
Menfi cahetlari eyni tipli niimunelerin parametrleri-
nin ferqlenmesi, parametrlerinin temperaturdan gox astlt ol-
masr, kiiylerin seviyyesinin yiiksekliyi (asasen algaq tezlik-
lerde) va onun qida menbeyinin gorginliyine miitenasib art-
masrdrr.
Fotodiodlar giineg batareyalannda, fotometriya ve fo-
tokolorimetriya olgii qurfulannda, temperaturu artomatik
nezarot va tenzim eden qur$ularda, tozdlgenlerde, reqemli
hesablayrcr magrnlarda, niive hisseciklerini qeyd eden va sa-
yan qurlularda istifade olunur.
Fototranzistor igrq selinin kdmeyi ile careyanla idare
olunan bipolyar tranzistora deyilir. O iki p-z kegide malik
olan yanmkegirici cihazdrr. Fototranzistoru fotodiodla adi

195
tranzistorun birlegmesi kimi tesewiir etmok olar. Ona gore
bu cihazlar igrq enerjisini elektrik enerjisine gevirmekle be-
raber hem de fotocareyanr giiclendire bilir. Fototranzistorlar
p-n-p va n-p-n tipli olurlar ve bunlann xarakteristikalan ey-
ni olur.
Fototranzistorun girigine hem optik, hem da elektrik
siqnah vermek olar. Oger girige elektrik siqnah verilirse, ci-
haz adi tranzistor kimi igleyir. Oger girigde elekhik siqnah
olmursa, cihaz briyiik inteqral hessashga malik olan fotodiod
kimi igleyir. Qida menbeyi bu cihaza adi tranzistora qogulan
kimi qogulur, ancaq fototranzistor sarbast (qogulmamrg)
bazah, serbast kollektorlu ve serbast emitterli sxemlerle
qogula biler. Birinci ve ikinci sxemler fototranzistorun foto-
diod rejiminde qogulmasrna uygun gelir. Fototranzistorun
qogulma sxemleri gekil 9.8-de gosterilmigdir.

d) e) *"
$okil 9.8. Fototranzistorun qofulma sxemleri (a/ sorbest kollektorlu, (6)
serbest bazalr, (c) sarbast emitterli, (C) bazaya miisbet siirqmo vermok-
le), serbest bazah sxemin kollektor xarakteristikalan (4) va fototran-
zistorun parametrlennin baza corayanrndan asrllllq qrafiklori (e)

196
 Igrqlanma olmayanda fototranzistorun dcivresinden qa-
ranhq cereyanr (kollektorun bagdan-baga axan careyanr)
Jr:lo/(l-a) axrr. Fototranzistor sorbost bazah sxem ilzre
qo$ularsa (gekil 9.8b) igrq selinin tesirinden baza qatrnda
serbest yiikdagryrcrlar yarantr.
Qeyri-esas yiikdagryrcriar (bu halda degikler) her iki
kegidde tesir g<isteren elektrik sahesinin tesirinden emitter
ve kollektor qatlanna solurulurlar. Bazada qalan esas yiik
daqryrcrlan-elektronlar orada menfi hacmi yiik yaradrr. Bu
hecmi yiik emitter kegidindo potensiaI seddinin hiindiirliiyii-
nii azaldrr ve neticede bazamn potensiah emittero nisbeten
deyigir. Bunun neticesinde ise emitter qahndan bazaya in-
jeksiya edilen degiklerin sayl artrr. Bunlann bir hissesi ba-
zada rekombinasiyaya meruz qahr, gox hissesi ise kollektor
keqidine gataraq kollektor coroyanml artlnr. Bu halda foto-
tranzistor iimumi emitterli sxem iizre qogularsa, kollektor
coreyanrnrn aldtir arlm pl5qeder olur.
Belelikle, baza qatrnr igrqlandrrmaq ve ya elektrik siq-
nah vermekle baza cereyanrnrn artrnlmasr kollektor dciv-
iesinin cereyanrna istenilen artlml verrnoyo imkan yaradrr.
Ona grire fototranzitorlarda elektrik ve optik siqnallan cem-
lemek olar. Adoton elektrik girigi xetti xarakteristika almaq
ve xarici tesirleri (istilik, engellar) kompensasiya etmok
moqsodi ile siinigme yaratmaq iigiin istifade olunur.
Fototranzistorlu dovrelerin hesablanmasrnda onlarr gi-
riqine optik siqnala ekvivalent elektrik siqnah verilen adi
tranzistor kimi qobul etmok olar. Bu halda
J5,*= Jo+ J' ,; J' h: KF/B
Fototranzistorun volt-amper xarakteristikasr adi foto-
dioda nisbeten daha boyiik mailliye malik olur (gekil 9.8{.
Qaranhq caroyant fotodioddan gox olmasrna baxmayaraq
hessashq fotodiodda oldulundan qox olur. Eyni dlgiilii ke-
qidlera malik fotodioda nisbeten fototranzistorun daxili mii-

197
qavimoti az, kegidinin tutumu iso gox olur. Ona g<ire foto-
tranzistorun hiidud tezliyi fotodiodun hiidud tezliyinden az-
drr. Bu sebebden fototranzistorlann lifli optik sistemlerde
istifadesi mehdudlagrr. Fototranzistorlafl n kiiylerinin seviy-
yesi yiikek, qaranhq coroyanrnln temperaturdan asthhlr ise
qiiwetli olur.
Fototranzistorlann tatbiq saheleri fotodiodlarla eyni-
dir. Onlar esasen igrq siqnallannr qeyd etmek iigiin istifada
olunmasr meqsedeuyfundur. Bu halda sonrakt gi.iclendirici
kaskadlarla uzlagdrrmaq iigiin fototranzistor cereyantn mini-
mal.qiymetinde yi.iksek grxrg miiqavimetine malik olmahdrr.
Bunun iigiin bazaya miisbet siiriigme vermek lazrm gelir
(gekil 9.89). $ekil 9.Se-de cihaztn parametrlerinin baza ca-
reyanrndan asrhhfir g6sterilmigdir. Goriindi.iyti kimi miiey-
yen bir optimal baza cereyantnda zeif siqnallan qeyd eden
sxemlerin osas paramefflori de optimal qiymetler altr. Baza
caroyanrnln optimal qiymetinde qaranhq coroyanl toxminan
l0 defo azalrr, gtxtg mtiqavimeti ise 10 defe artrr.
Son vaxtlar sahe fototranzistorlan buraxrltr ve bunlar-
da fotodiod rolunu p-z idareedici elektrodu oynayrr. Bu ci-
hazlann mexsusi kiiylerinin seviyyesi nisbetan az olur.
Konstruksiya cehetden fototranzistorlan giige pencere-
si olan g<ivdelerde yerlegdirirler.
Fototiristor igrq seli vasitesi ile agrlan goxqath ya-
nmkegirici struktura malik olan cihaza deyilir. Adi tiristor-
dan bu cihazrn ferqi ondadrr ki, onun gcivdesinde igrq ver-
mek iigiin poncoro olur. Bele cihazr agmaq iiqtin hem igrq
selinden, hem de idareedici elektroda verilen elektrik siqna-
hndan istifade etmek mtimkiindiir. Fototiristorlar triod tipli
vo tetrod tipli olur. Onlann iq prinsipi adi tiristora uyfundur,
lakin burada K, ve K, keqidlerinin coroyant titi.irme em-
sallannrn arttnlmast onlann igrqlandlnlmasr hesabma bag
verir.

19E
 Triod tipli tiristorun qurulugu ve garti igaresi gekil
9.9a-da gosterilmigdir. Igrqlanma olmayanda (F=0) clhaz
adi tiristor kimi iglayir va onun qaranhq careyanr bele teyin
olunur:
, _ J,,
(I-a,-ar)
Btrada a1- n, bazadan degik cereyanrnl.l:,, d2 iso p2 bazadan
elektron coroyanlnrn riti.irme emsallandrr.
Cihaza igrq seli tesir etdikdo onun igrqlanan qatlannda
fotonlann udulmasr neticesinde elektron-degik ciitleri yara-
nrr. Bu zaman qeyri-esas yiikdagryrcrlar p rnr-p2 va nrpz-n t
ekvivalent tranzistorlann emitter kegidlerine dogru herekat
ederek onlarda potensial sedlerin hiindi.irliiyiinii azaldrlar.
Bununla emitterlerden esas ytikdagryrcrlannrn elave injeksi-
yasr bag verir va igrq seline miitenasib dayigen fotocereyan
yaranrr. Fototiristorun coreyanl bu halda bele teyin olunur:
, Jn.+J,
"" I I -ao-a,1
ap vs q - ekvivalent tranzistorlann cereyanr iittirme
emsallandrr.
igrq seli artdrqca bu emsallar artrr ve igrq selinin mii-
eyyen qiymetinde onlann cemi vahide beraber olur ve foto-
tiristor agrlrr (ige qogulur). Fototiristoru qogmaq tigiin lazrm
olan iqrq selinin giicti yiikdagryrcrlarrn rekombinasiya siireti,
p-z kegidlerin yerlegme derinliyi ve giialanmanrn spektral
terkibi ile miieyyen edilir.
Kollektor kegidlerinin yerlegme derinliyi fototristorun
spektr hessash[rna gox tesir gtisterir.
Konstuktiv ve texnoloji iisullarla bazada qeyri-esas
yiikdaSryrcrlann yagama mtiddetini deyigmekle spektral xa-
rakteristikada maksimal veziyyet temin etmek olar (gekil
9.9c).

199
 K7

K2

Ks

.)

E
Dalga uzunluEu
$akil9.9. Inod trph lototrnstorun yanmkeqirici
strukturu (a), $orti iqaresi (6) ve spektral
xarakteristikasr (c)

Sethe diigen igrq enerjisi ile xarakterize edilen igrqlan-

ma belo teyin edilir: E=KIHtUiL Burada ,El,1-verilen da-
lla uzunluqlu giia selinin srxhfr, U,1-bu dalga uzunlulu
iigtin fototiristorun nisbi spektral hessashgrm xarakterizo
eden kemiyyetdir.
Triod tipli fototiristorun osas xarakteristikalan gekil
9. I 0-da gosterilmigdir. Igrq xarakteristikasrndan gdriiniir ki,
(l;-f(F), U;const) fototiristor agrlandan sonra onun coro-
yarr, t;EalRrqeder arttr ve igrq selinin sonrakl artlml coro-
yanr deyigmir. Demeli, bagqa fotoelektron cihaz lardan ferqli
olaraq fototiristor iki stabil veziyyate malik olur ve ondan
yaddaq qurlusu kimi istifade etmok olar. Vollamper xarak-
teristikasrndan (J,=f@), F=const vo Ji.:0) gdriiniir ki, igtq
seli artdlqca aQrlma gorginliyi azafu. Bu xarakteristikalardan
fototiristorun esas parametrlerini tayin etmek olar.

F, lm

$akil 9.10. Triod tipli fototirisrorun ilrq (a), volramper (6)

xarakteristikalan vo i$a qogulma vaxhnm i$rq
selinden asrhhfr (c)

ige qogma seli dp+ an=l $ortini nazero almaqla .I.-nrn

ifadesinden taprlrr:
a,4)2 /[KJ d(a )/ d t J
F b=Q -
"+a
Burada an, ap vo d(a"+a)/dJ. - corayanln a^*ap=l
$ortini ddoyon qiymetinde tapir. KTorta p-z kegidinin'in-
teqral hessashIrdrr.
J;,:0 olan halda agrlma gerginliyinin igrq selinden asr-
hhgrna fototiristorun idareetme xarakteristikasr deyilir:
IJo = Utoo"l-at r-r'tt r'l
Burada U6a - F=0 olanda agma gerginliyi; F r-cihazr
aga bilan hiidud igrq seli; F6U,-nrn minimal qiymetinde ci-
hazr agan dtielendirici igrq seli (fototiristorun volt-amper xa-
rakteristikasrnrn dtiz qoluna uyiun gelan igrq seli); B - sa-
bit emsaldrr.
igrq selinin intensivliyi artdrqca fototiristorun qapalr
veziyyetden agrq veziyyete kegme miiddeti (z) azalrr (gekil
9.10c). Ige qogulma miiddeti adi tiristorunkuna yaxrndrr.

20r
 Orta p-n kegidinin kvant hessashfr fototiristorun igr[a
hessas sethine giinderilen bir igrq kvantrna diigen fotocero-
yanla teyin olunur:
x,r=s(t-R)nfi.
Burada R, - igrlrn eks olma emsah; 4 - kvant grxrgr; B1- or-
ta kegidde yiikdagryrcrlann sethi rekombinasiyaya aid it-
kilerle elaqedar olan yr[rlma emsaltdtr.
Fototiristorlar energetika elektronikasrnda istifade olu-
nan d6rdqath giiclii agrb-ballayrcr qurfulann tetbiq sahesini
geniglandirirler. Fototiristorlann burada istifade olunmasr
idareedici d<iweleri giic dtivrelerinden potensialca ayrrmala
imkan verir. Fototiristorlar avtomatikantn ve hesablama tex-
nikasrmn evvel yalnrz tranzistorlar istifade olunan qurfula-
nnrn sxemlerini sadelegdirmeye imkan verir. Igrqla idare
edilen giiclii agrb-baflayan qur[u kimi onlar mdvcud yanm-
kegirici cihazlann ig diapazonunu geniglendirir. Meselen,
fotodioda ve fototranzistora nisbeten fototiristorun inteqral
hessashfr yiiksekdir. Ondan bagqa, fototiristorlar kigik ida-
reetmo giiciinda yiiksek yiiklenme qabiliyyetine, yiiksek i9
siiretine, genig iqEi gorginlikler diapazonuna malikdirler,
onlarda idareedici impulslar kesilenden sonra cihaztn agtq
veziyyeti saxlanarken girigde giic olmur ve s.
Fototiristorlan fotorele, hesablayrcr texnikada yaddag
qurfusu, optoelektron mentiq sxemlerinin elementi, impuls
texnikasrnda impuls generatoru, igrqla heyecanlanan tekvib-
rator, seviyye qeyd eden qurlularda mehdudlTdrncr kimi
igletmek miimki.indiir. iqrq diodlan ile birlikde fototiristorlar
perfolentlerden ve perfokartlardan melumatt oxuyan miixto-
iif hesablayrcr-helledici texnikada da istifade edilirdi' Ener-
getika elektronikasrnda fototiristorlar giiclt invertorlann,
tezlik geviricilerinin, gerginlik geviricilerinin ve s. idare
sxemlerinde istifade olunur.
 Ventil fotoelementlerinin igi yarrmkegiricinin p-n ke-
gidi igrqlanarken balh qatda bag veren fotoeffekt hadisesine
esaslanrr. Bu zaman emele gelen elektron-degik ciitleri p-n
kegidi zonasrnda eks istiqametde diffuziya edirler. Elektron-
lar z qatrna, degikler ise p-qatrna kegirler, noticoda ,, qatl
elava menfi, p-qatr ise elave mtisbet yiik elde edir. Bele-
likle, kegidin her iki terefinde miixtelif igareli feza yiikleri
yaranrr ve bunun neticesinde xarici dtivreden coroyan axlr.
Bu halda ventil fotoelementi ddvrede e.h.q. yaradrr ve igtq
enerjisini elektrik enerjisine geviren fotogeneratora ddntir.
Foto e.h.q.-nin qiymati igrqlanmaya mi.itenasib olur. Lakin
ahnan e.h.q. kegidi diiz istiqametde siiriigdiiriir ki, bu da
ventil fotoelementinin daxili miiqavimetini azaldrr. Bu halda
elemento yiik qogularken fotocereyan iki d<ivra ile (yiik
mtqavimetinden ve fotoelementin daxili miiqavimetinden)
axrr (gekil 9.1 1a). Yiik coroyam lr=l,iJro, Burada .[r- igrq
selinin tesirinden emele gelen yiikler hesabtna axan coro-
yan, "Irr.-igrqlanma neticesinde potensial seddi azalan p-z

I, mM, E, nV

q25 45 q75 / F, tn
b)

$okil 9.1l. Ventil fotoelemeotinin evez sxemi (a)

va yiik xarakre stikasr (6)

203
kegidden esas yiikdagryrcrlann kegmesi ile elaqedar axan
coroyandlr. Yiik miiqavimeti artdrqca ytik cereyanr azalrr
(eekil 9. I 16).
Ventil fotoelementlerini selenden, germaniumdan ve
silisiumdan diizeldirler. Selen fotoelementinin spektr xarak-
teristikasr insanrn g<iziiniin hessashq eyrisine yaxrn oldu-
lundan onlardan igrqlanmanr toyin etmok iigtn fotoekspo-
nometrlerde istifade edirler.
Silisium fotoelementlari giineg ve niive batareyalann-
da istifade olunur. Bele batareya lm2 sethden 8-10% f.i.e.
olmaqla l00Vt giic almafa imkan verir ve qeyri-mehdud ig-
leme vaxtrna malik olur. Giineg batareyalan ayn-ayn giineg
geviricilerinin yr!rmrndan ibaret olur. Onlar yeriistii ve kos-
mik qurlularda radioelektron aparatlan enedi ila tomin et-
mek iigiin ve hom de miixtelif sahelerde kigik giiclii enerji
qurfulannda istifade olunur. Fotoelementlerin diger tetbiq
sahesi istilik enerjisinin termofotoelektrik iisulu ile gevril-
mesidir. Burada qrzdrrrlmrg cismin istilik gtialanmasr foto-
elementin iizerine yrineldilir ve fotoelement onu elektrik ce-
reyanrna gevirir.
Ventil fotoelementlerinin elektrodlarla yanmkegirici
arasrnda yaranan xiisusi tutumu btiyiik oldulundan onlann
etaletliyi de bdyiik olur. Yiik miiqavimeti ne qeder briytik
olarsa, bu tutumun $untlaylcl tesiri bir o qeder qiiwetli olur
ve yiiksek tezliklere uygun tezlik xarakteristikasrnda bir o
qeder gox azalma bag verir.
Fototutum effektiv tutumu igrq selinin intensivliyin-
den deyigen yanmkegirici cihaza deyilir. Fototutum kimi
argentium sulfidden (Ag2S) hazrrlanmrg, qurfu;un sulfid
(PbS), kadmium sulfid (CdS) asasrnda ahnan strukturlar isti-
fade olunur. Fototutumlar kigik keyfiyyetliliye malik oldu-
lundan onlan yalnrz algaq ve orta tezliklerde igledirler.

204
 9.3. Optoelektron ciitleri
Optoelektron ciitii (ve ya optron) optik miiLhit vasitesile
bir-biri ile konstruktiv elaqede olan, lakin qalvanik (etek-
trik) cehetce ayn olan qiialandrncrdan ve fotoqebulediciden
ibaret cihaza deyilir.
Optoelektron ciiti.iniin qurulu;u gekil 9. 1 2a-da gristeril-
migdir. lg-i9rq giialandrncrsl r'0-fotoqobule dici, O"M - optik
miihit, ME-metal elektrodlar, gE-geffaf elektrodlardrr. igrq
giialandrncrsr yerina igrq diodlan, lazerler ve bagqa giialan-
drncrlar, fotoqebuledici kimi ise fotodiodlar, fototranzis-
torlar igledilir. istifade edilen fotoqebuledicinin ntiviine go-
re bu cihazlar diodlu, tranzistorlu, tiristorlu, ve rezistorlu op-
tociitlere boliiniir.
Optociitiin i9 prinsipini ipmuls rejimine gcire aragdrraq
(gakil 9.12b). Optoelektron ciiti.ini.in girigine,I*; cereyan im-
pulsu daxil olur ve igrq giialandrncrsr onu igrq seli impulsuna
9evtnr.
igrq impulsu i99i dalga uzunlu$unda fotoqebulediciye
teref yonelir, az s<inme gertile optik miihiti kegir vo fotoqo-
bulediciye daxil olub orada elektrik siqnahna qevrilir. erxrg
impuls cereyanrnrn formasr nisbi vahidlerde (gekil 9.12c-
de) g<isterilmigdir. Elektrik siqnahnrn igrq siqnahna gevril-
mesi optik dagryrcr siqnahn giialandrncr modulyasiyasr ile
heyata kegirilir. Fotoqebuledici bu optik siqnah demodul-
yasiya edib ilkin elektrik siqnahnr berpa edir. Bu zaman if-
OM-FQ kanahnda siqnala miieyyan tehrifler verila biler.
$tialandrncrnrn qebuledici ile elaqesi elektrik cahetden ney-
tral olan fotonlar vasitesile, dz.d de yalnrz bir istiqametde-
fotoqebulediciye teref olur ve fotoqebuledicide giialanma
enerjisi demek olar ki, tamamile udulur. Girig ve grxrg d6v-
releri bir-birinden qalvanik (elektriki) cehetden fotoqebul-

205
edici ile giialandrncr arastnda yerlegen optik cehetden geffaf
olan dielektrik miihitle aynlmrg olur.

$akil 9.l2. Optoelektron ciitiiniin qumlugu (a), girig (b)

ve cxts (c) cerevan impulslartntn diaqramlan

Girig ve grxlg siqnallannln elaqosinin ndviine gdre bu

clhazlar d<ird ntiv olur:
1) diizi-ine daxili optik elaqeli cihazlar;
2) dnziine elektriki ve eksine menfi optik elaqeli cihaz-
lar;
3) diieiine elektriki vo oksino miisbet optik elaqeli cihaz-
lar;
4) di.iziine xarici optik ve diizi.ine daxili elektriki elaqeli
cihazlar.
Fotoqebuledicinin her hansr bir glxrg parametrinin igrq
giialandtncrsrntn coroyan ve ya gerginliyinden asrhhfrna
optronun iitiirmo xarakteristikasr deyilir.
$ekil 9.13-de biitiin d6rd n6v optronun sxemleri g<iste-
rilmigdir.
Diiziine daxili optik elaqeli cihazlar (gekil 9.13a) gi-
ri$ ve grxrg elektrik ddvrelerine malikdir ve bu dtivrelerin
206
elaqesi optik xarakter daqryrr. Optronu tegkil edan elemen-
tlerin noviinden asrh olaraq ciitiin irti.irme xarakteristikasr
(l;-f(U* .E ) xetti astldrga yaxrn (mesalen, kiizerme lam-
pasr - fototranzistor) ve ya agara benzer (eger fotoqebuledici
kimi S+ipli volt-amper xarakteristikasr olan cihaz gcitiiriilse)
ola biler.
Uri. siqnah lg-den axan,Is;. corolanlnl yaradrr ve bu
onun g[ialandrncr igrq selini miieyyen edir. Fotoqabuledici
igrq selini "/r* ceroyanlna gevirir. Tanzim edilmeyen -E men-
beyi fotoqebuledicinin elektrik rejimini mtieyyen edir. Idare
edilen siiriigme gerginliyinin (dr,) qiymetini deyiqmekle
optronun volt-amper xarakteristikasrnda iggi ntiqtesinin yeri-
ni deyigmek ve cihazr idara etmek miirnkiindiir. Bu n6v op-
tronlar elektrik siqnallannrn gevrilmesi ve giiclendirilmesin-
de, algaqgerginlikli ve yiiksekgerginlikli elektrik dovresinin
uzlagdrnlmasrnda ve temassrz elektrik miiqavimetleri kimi
istifade olunur.

.$=ffire

1r,,,
$okil 9.13. Opronlann miixtolif alaqeli sxemleri
20'7
 Diiziine daxili optik elaqe analoq ve agar optronlannrn
ekseriyyotinde rezistorlu, diodlu, tranzistorlu ve tiristorlu
optronlarda istifade edilir.
Diiziine elektriki ve aksine miisbat optik alaqeli
sxemdo giialandrncr ve fotoqebuledici ardrcrl birlegdirilir ve
bir gerginlik monboyino qo$ulur ($okil 9. l3b). ilk halda fo-
toqebuledicinin miiqavimoti b<iytik olur ve giialandrncrdan
yalmz qaranhq coroyanl axtr. idareedici tesir olan halda (fo-
toqabuledici elave giialandrnlanda, .E gerginliyi artrnlanda
ve ya giialandrncrdan kegon coroyan impuls Eeklinde ar-
tanda) dovrede coroyan artr, $iialandrncrnrn i$rq seli goxalrr
ve fotoqebuledicinin miiqavimeti azalr. Careyan selvari ge-
kilde agrq ophonun miiqavimeti ile mehdudlaqdrnlan qiy-
mete qeder artrr. Kenar tesir cereyanr qaranhq coroyanlnln
seviyyesine azaldana qodar bu veziyyet deyigrnir. Bele qo-
gulmada (her bir miisbot eks elaqeli qurguda oldulu kimi)
optronun volt-amper xarakteristikasr histerezis xarakterli
olur.
Yuxanda adlan gekilmig optronlann hamrsr bu sxemle
qogula biler ve bu halda 91xrg vo girig d<ivreleri ardrcrl qogu-
lur.
Diiziine elektriki va aksino manfi optik elaqeli
sxemda (9ekil 9.13c) giialandrncr ve fotoqabuledici elektriki
cehetden paralel qogulur ve bu menfi optik oks olaqo tomin
edir. Dofrudan da garginlik (hem de caroyan) artdrqca $iia-
landrncrnrn igrq seli goxahr, bu fotoqebuledicinin mi.iqavi-
metini azaldrr, bu miiqavimetin guntlayrcr tesiri artrr ve neti-
codo $iialandrncrdan axan coroyan azahr.
Bele optronun ottirme xarakteristikasr qeyri-xetti olur,
xarakteristikanln bir hissesindo $iialandmclmn coroyanlnln
genig diapazonunda onun qrxrgrndakr igrq seli demek olar ki,
sabit qalrr. Bu hadise optoelektron qurpulannda igrq selinin
sabitlegdirilmesinde istifade olunur.
 Xarici diiziine optik ve diiziina daxili elektriki ela-
qeli sxemda (gekil 9.139) girig ve grxrg siqnallan igrq seli
olur, giialandrncr ve qebuledici ise elektriki elaqede olur.
Girigde igrq seli deyigende fotoqebuledicinin mtiqavimeti,
giialandrncrnrn coroyanl vo onun grxrgrnda igrq seli deyigir.
Bele optronlan garginlik geviricilari kimi istifade edirler.
Optoelektron ciitlarinin parametrlari dord qrupa bo-
liiniir:
1) girig parametrlari qrupu girig d<iwesinin elektrik
parametrlerinin toplusudur ve onlar giialandmcrnrn nci-
viinden asrhdrr;
2) grxrg parametrleri qrupu glxrg ddvrosinin paramet-
rlerinin yrgrmrdrr vo fotoqabuledicinin nriviinden asrhdrr;
3) iigiincii qrupa dtiirmo emsah, girig siqnahnrn
hiidud tezliyi, siqnahn maksimal citiiriilme siireti, grxrg siq-
nah impulsunun artma ve azalma mtddetleri, qogulma
miiddeti, agrlma miiddeti daxildir;
4) diirdiincii qrupa qalvanik ayrrma parametrlari, gi-
rig ve grxrg arasrnda gerginliyin rnaksimal ve pik buraxrla
bilen qiymetleri, kegid tutumu, qalvanik ayrma miiqavimeti
vo ba$qalan daxildir.
Optociitlerin $arti i$arolori gekil 9.14-de gdsterilmig-
dir. On universal cihazlar rezistorlu optronlardlr. Onlar hem
analoq, hem de agar rejiminde igleya bilir, miiqavimetin ge-
nig deyigme diapazonuna (qaranhqda 100 MOm-dan igrq-
lanmada 100 Om-a qeder) malikdir. Onlann tezlik diapa-
zonu kiloherslerle mehdudlagrr.
Diod optronlan agar kimi istifada olunur ve 106 ve
l07Hs tezlikle drivreleri agrb ballaya bilir, Onlann qaranhq
miiqavimati 108-1010 Om, igrqlanma hahndakr miiqavimet
leri ise 100 Om-a qader olur. Girig va grxr$ dcivreleri ara-
srndakr miiqavimet 10r3-lOrs Om heddinde olur.

209
 Tranzistorlu ophonlar .diodlu cihazlara nisbeten daha
briyiik hessashga malikdir. Ikieminerli tranzistorlardan isti-
fade etdikde (volt-amper xarakteristikast koordinat baglanlr-
crna grire simmetrik olur) onlardan deyigan cereyan ddvre-
sinde istifade etmek miimkiin olur. Onlann i9 siireti bir qe-
der kigikdir ve 105 Hs-den yiiksek olmur.

$ekil 9.14. Rezistorlu (a), tranzistorlu (6), tiristorlu (c)

vo diodlu (c) oPtociitlor

Tiristorlu optronlar en gox lO-larla amper haddinda

btiytik cereyanh ve 1000 volta qodor bdyiik gerginlikli ddv-
releri agrb baglamaq iigiin istifade edilir. Onlann igqi tez-
likleri bir nege kilohers heddinde olur.

210
 10. MiKROELEKTRONIKA

Mikroelektronika bark cisim fizikasrnrn, texnologi-

yanrn, mikrosxem texnikasrmn ve sistemotexnikanrn na-
iliyyatlerine asaslanan, siiratla inkigaf eden elm va
texnika sahesidir.
Miiasir hesablama texnikasrnrn, robot texnikasrnrn,
idareetme va informatika sistemlarinin element bazasrnr
mehz mikroelektronika tegkil edir. Mikroelektronika
fiziki, kimyavi, texnoloji, sxemotexniki va kibernetik
tadqiqatlarla yanagr, yiiksek etibarhhfa, kigik qabarit-
lare va yiiksek samareliliya malik qurfulann konstruk-
siyasrnln iglenmesini vo istehsallnl tiziinda cem edir.
Mikroelektronikanrn inkigafinda elda edilan an bii-
yiik nailiyyatlar inteqral mikrosxemlarin iqlenib hazlr-
lanmasr va sanaye miqyasrnda istehsal edilmasidir.
inteqral mikrosxemlar konstruktiv cehatdan vahid bir
qoy$aq va blok qaklinde iglenmig funksional (miieyyan
bir funksiyanr yerine yetiran) qurfulardrr. Inteqral
mikrosxemlar mikroelektronikanrn esas memulatlarr
kimi miixtelif elektron aparatlannrn qurulmasrnda geniq
istifada edilir va getdikce diskret cihazlarda (tranzistor-
larda, diodlarda ve s.) yrfrlmrg blok ve qovgaqlarr istifa-
daden su4drnb quarrr.
Son illar mikroelektronikada biiyiik ve ifrat biiyiik
inteqral mikrosxemler asasrnda qurulmug mikroproses-
sorlu sistemler ve mikro EHMJoT da genig tetbiq edilir.
Mehz bu baxrmdan bu va ya digar hacmde elektro-
nikanrn asaslannl iiyrenenler iigiin mikroelektronikanrn
esas nailiyyatlari haqqrnda biliklerin elde edilmesi
vacibdir.

2tr
 Bu bolmede gox yrfcam bir qakilde mikroelektroni-
kanrn esas inkigaf istiqameti-inteqral mikrosxemlerin
iglenib hazrrlanmasr haqqrnda malumat verilir.
Mikroelektronikanrn esaslarr haqqrnda biliklerin
alde olunmasr elektron aparatlarln yaradllmasr zamanl
element bazasrnrn segilib istifada edilmasine kiimak
giistere biler.

10.1 Mikroelektronika elementleri

Mikroelektronika elektronikanrn yeni tipli cihazla-

rrn - inteqral mikrosxemlarin tadqiqi, iglenib haztrlan-
masl vo tetbiqini ahato edon bir biilmasidir.
Mikroelektronika elektron qur!ulannrn etibarltfr-
nrn artrnlmasl, kiitlesinin, tilgiilerinin va maya dayerinin
azaldrlmasr problemlerini hall edir.
Mikroelektronikanrn asaslnr elektron komponent-
lerin inteqral prinsiple hazrrlanmasr va tetbiq edilmesi
tegkil edir. Burada her bir komponent ayrtca giitiiriil-
miig tranzistor, diod, rezistor, vo s. deyil, onlarrn bir-
birinden aynlmaz birlagmasidir. Bele birlagme elektron
aparahnrn har hansr qovlaEL bloku va ya qurfusu ola
biler. Ona giire de mikroelektronikantn komponentle-
rino inteqral mikrosxem ve ya sadece olaraq mikrosxem
deyrli5.
Inteqral mikrosxem miieyyen molumet gevrilmesi
funksiyasrnr yerine yetiran vahid dagrytcr konstruksiya-
althq iizarinde vahid texnoloji diivrde (eyni vaxtda) ha-
zrrlanan bir nega qargrhqh birlegmig komponentlar
(diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar) top-
lusuna deyilir.

2t2
 Oger inteqral mikrosxemin torkibina yalnz eyni tipli
komponentlar (yalnz diodlar, yalnlz tranzistorlar va s.)
daxil olarsq onu hamin komponentlerin yrfrmr adlandr-
nrlar.
inteqral sxem termini ayn-ayrr komponentlerin
birlagmasini (inteqrasiyasrnr) ve ham de ayrr-ayrr
komponentlaro nisbaten qur[unun yerina yetirdiyi
funksiyalarrn miirekkeblagmasini aks etdirir.
Inteqral sxemin terkibino daxil olan ve buna gtira
de ondan miisteqil mamulat kimi ayrrla bilmayan kom-
ponentlerina inteqral elementler ve ya inteqral sxemin
elementlari deyilir. Onlarr adi tranzistorlardan,
rezistorlardan va s. farqlendiren cehat odur ki, adi
elementler ayrr-ayrr konstruktiv vahidler kimi
hazrrlanrr va bundan sonra qalaylamaq yolu ile sxeme
birlagdirilir. Bu elementlara diskret komponentler,
onlann asasrnda qurulan elektron sxemlerine isa diskret
sxemler deyilir.
Elektronikanrn inkigafr prosesinde elektron apara-
hnrn yerine yetirdiyi funksiyalarrn aramsz miirekkeb-
lagmasi, sxemlerin etibarhhfrnrn arhnlmasq kiitlesinin,
iilgiilarinin, giiciiniin vo maya deyarinin azaldrlmasr
zerureti yeni element bazasr yaratmaq mesalasini
qarirya grxarmr$ va inteqral sxemlerin yaranmasrna
takan vermigdir.
Inteqral sxemlerin hazrrlanmasrnrn esasrnr 50-ci
illerin axlnnda diskret tranzistorlarrn hazrrlanmasrnda
istifade edilen qrup iisulu va planar texnologiya teqkil
edir.
Komponentlerin bir althq iizarinde texnoloji inteq_
rasiyasr ideyasr mehz tranzistorlarrn qrup iisulu ila
hazrrlanmaslndan ireli galmigdir. erup iisulunda 25_40

213
mm diametrli silisium vo ya germanium liivhesinin
iizerinde baraber paylanmrg goxlu tranzistor eyni vaxtda
hazrrlanrr (gekil 10.1a). Sonra ltivhe iifiiqi ve gaquli
suretda yiizlerle ayn-ayn, haresi bir tranzistordan
ibaret kristallara btiliiniir (gekil 10.1D). Daha sonra
kristallar xarici grxtglart olan giivdaye yerlegdirilir va
istifade iigiin sifariggiya gtindarilir (9ekil 10.1c).
Sifariggi ayrr-ayn komponentlari biri-biri ila qalay-
lamaqla birlagdirir ve funksional qovgaq (giiclendirici,
yaddaq qur[usunun yuvasrnr vo s.) olda edir.

E_o
trt{
@
E()
EI

b)
ffi c)

$akil 10.1. Tranzistorlan[ qrup iisulu ila haarlanmast:

a) daxilinde tranzistorlar olan silisium l6vhesi;
6,) ayn-ayn fianzistorlu kdstallar; c,, haar trsn-
zistor (gdvdoya yerlo$dirilmb kdstal)

inteqrasiya ideyasr ondan iberetdir ki, ilkin ayn-

ayrr tranzistorlar evazine eyni zamanda bir gox
"komplektler" hazrrlantr. Bu "komplektlerin" her biri
funksional qov$a[r qurmaq iigiin teleb olunan
komponentlerden - diodlardan, tranzistorlardan,
rezistorlardan va s. ibaret olur (gakil 10.2a). Bu kom-
ponentlar bir-birila meftillerle vo qalayla yox' liivhanin
sathine "iifiiriilmiig" nazik qrsa metal zolaqlarla birle;-
dirilir. Belelikle, har "komplekt" haztr inteqral sxemden
ibaret olur (qakil 10.20). Liivhenin sethinde berabar
214
paylanml$ inteqral sxemler ayn-ayrl kristallara b6liiniir
va giivdelere yerlagdirilir (lekil 10.2c). Bu halda konst-
ruktiv cahetdan vahid elektron cihazr Eaklinde haztr
funksional qovgaq ahnmtg olur.
Elementleri bir-biri ila nazik metal zolaqlarla birl-
agdirmek iigiin elektrodlartn hamrsrntn grxtgt bir miiste-
vida - liivhenin sathinda yerlegmelidir. Bele imkant
xiisusi planar texnologiya yaradrr. Tebiidir ki, qrup
iisulu ile birlikde mikroelektronika planar texnologiyanr
da inteqral sxemlarin hazrrlanmasmda istifada etmigdir.
Giiriindiiyii kimi inteqral sxemler osastnda elektron
aparatlan iglenib hazrrlanarkan cihaztn etibarhhflnr
azaldan goxlu qalaylanan birlo$malor aradan grxrr, har
elementin giivdesi va grxrgl olmadrfrndan cihazrn kiitlesi,
tilgiilari ve goxlu yrfma ve montaj emaliyyatlanna
liizum qalmadlSndan qurfunun deyeri azaltr.

a;ei-E
ttLll
at:friy
$akil 10.2. inteqml sxemlorin qrupu risulu ila hazulaunasr: a,) iki tranzi-
stor, diod vo rezistordan ibarct silisium ldvhosi; 6) komplektin tsrki-
binde elementlerin birlagmesi; c) g<ivdenin igerisinde
yerlolmi$ haa r inteqral sxem

215
 Miiasir qrup texnologiyasr esasrnda herasinin 200
mine qeder elementi olan bir nege min inteqral sxemi,
yeni bir nega milyon elementi eyni vaxtda hazrrlamaq
miimkiindiir. Ozii de bu elementlerin hamrsr adi
tranzistorun hazrrlanmasrnda oldufu kimi sada p-n ke-
gidlerin formalagdrnlmasr yolu ila hazlrlanrr. Bunun
neticesinde inteqral sxemlarin parametrlarinin oxgarhq
derecasi artrr, diskret elementlarde yrlllmrg sxemlere
nisbaten etibarlhq gox-gox yiiksalir, element bazasrnrn
miirekkeblegmesi hesabrna konstruksiyanrn miirakkeb-
liyi, xarici birlagmelerin sayr va elektron aparahn hacmi
kaskin azalrr.
Mikroelektronikanrn sonrakr inkigafi gaquli inteq-
rasiya yolu ila gedir. Bu ise bir kristahnda 107-ye qedar
element olan biiyiik inteqral sxemlarin hazrrlanmasrnr
nazarda tutur.
10.2. inteqral mikrosxemlerin tasnifatr

Hazrlanma texnologiyasrna giira inteqral mikrosxem-

ler 3 yere - yanmkegirici, tebeqeli inteqral mikrosxemlere
ve mikroy$mlara biiliiniir. Tebaqeli inteqral milaosxemlar
nazik tebeqeli (1-2 mkm) ve qahn tebeqali (10-20 mkm)
olurlar va bunlarrn terkibinde hem elemenflar, hem de
komponentler oldu[undan onlara hibrid inteqral
mikrosxemler deyilir.
Yarrmkegirici inteqral mikrosxemlerde biitiin aktiv
(tranzistor, diod ve s.) va passiv (rezistor, kondensator)
elementler vo onlann birlagmeleri vahid ilkin
yanmkegirici kristalda biri-birinden ayr masr miimkiin
olmadan elaqelendirilmig p-a kegidlarin birlil kimi
hazrrlanrr. Burada hecminda vo sethinde planar
texnologiya ile mikrosxemlerin elementlari ve temas

2t6
saholon yerlasdirilmi$ yanmkegirici kristal aktiv rol
oynayrr (gakil f 03).
Hibrid mikro-
sxemlerda biitiin
passiv elementlar
dielektrik asasrn (al-
thfirn) sethinda bir-
qath ve ya goxqath
strukturlar gaklinde
hazrrlanrr vo bir-
birile nazik toboqo
gakilli maftillarle bir-
$skil 10.3. Yanmkegirici inteqral
legdirilir (gakil 10.4), sxemda elementlarin strukhrru
yanmkegirici cihadar
vo ba$qa komponent-
ler (miniatiir gini kondensatorlar, induktivlikler) isa alth-
firn iizarinda diskret detallar kimi yerlaqdirilir (gekil
10.5). Kristahn sathina toz hahnda sapalenen tebaqolor
heg ciir tranzistor tipli aktiv element yaratmafa imkan
vermadiyindan bela inteqral mikrosxemlerda inteqral
texnologiya ila yalnrz passiv elementler ahnrr. Bu
texnologiya hem da tabaqeli texnologiya adlanrr. Srrf
tebeqeli inteqral sxemlarin yerina yetirdiyi funksiyalar
mehdud oldufundan onlarrn imkanlan diskret kom-
ponentlarin elava althq iizarinde yerlegdirilmesi ile arh-
rrlrr. Diskret komponentlerin tebeqeleri elementlerle bir-
laqmesinden qanqrq tebeqeli diskret (hibrid) inteqral
mikrosxem emale galir.

217
 $ekil 10.4. Toboqoli inteqral sxemin $ekil 10.5. Hibrid inteqral sxe-
elementlorinin stnrkturu: 1-ist litv- min struktum: l-rezistor: 2-me-
ho; 2-alt ldvha; 3-dielektrik; 4-bir- talla$drrma zolaEr; 3-ktivdosiz
legdirici asllm$ hanzistor

Praktikada hem yanmkegirici, ham de hibrid

inteqral mikrosxemlor geni$ istifado edilir. Her iki
texnologiya tiziine mexsus iistiin cahatlora malik
oldufundan onlar bir-birini tamamlayrr: mikrosxemler
hibrid inteqral mikrosxemlerda komponent kimi istifade
olunur (mikroyrfirmlar iigiin xarakterikdir).
Qangrq inteqral mikrosxemin bir niivti de uy[unla9-
drnlmrg inteqral mikrosxemlerdir. Bunlarda aktiv
elementlar yarrmkegirici inteqral mikrosxemlerde oldufu
kimi yanmkegirici Mstahn sath qahnda, passiv
elementler isa tebeqeli inteqral sxemlerdeki kimi hemin
kristahn evvelceden izole olunmuq sathinde plyonka
hahnda hazrrlanrr. Uy[unlagdrrrlmq mikrosxemlarin
istifadasinde miiqavimetlerin ve tutumlarrn yiiksak
nominallart va stabilliyi telab olunur, bunu ise
yarrmkegiricilara nisbaten tebeqeli elementlerin
vasitesile asan heyata kegirmek olar.
inteqral mikrosxemlarin hamrsrnda elementlararasr
birlagmeler althfirn sathine gakilan (va ya toz hahnda
sopolonon) ve lazlmi yerlerde elementlerle tamasda olan

218
nazik metal zolaqlann kiimeyi ile alde edilir. Bu birinci
zolaqlarrn gekilmesina (sapelenmesine) metallaqdtrma,
ara birleqmalarinin resmine isa metallagdlrllmtg ayrllma
deyilir.
Yarrmkegirici ve hibrid mikrosxemlerdan ferqli
olaraq mikroyrfrmlar daha miirekkab funksiyalart
yerine yetirirler va bunun iigiin talab olunan elementlar,
komponentlar va inteqral mikrosxemlar birliyinden
tagkil olunur.
Yerina yetirdiyi funksiyalann xarakterina giira
inteqral mikrosxemlar analoq va reqemli inteqral
mikrosxemlara biiliiniir.
Analoq inteqral mikrosxemlar ararirsrz funksiya
qanunu ile dayigan elektrik siqnallannrn gevrilmesi ve
emah funksiyalartnr yerine yetirir. Bele inteqral
mikrosxemlar giiclendirici, harmonik siqnal generatoru,
siizgec, detektor kimi istifada olunur. Analoq inteqral
sxeminin ferdi hah kimi xatti xarakteristikaya malik
olan xatti mikrosxemi gtistermek olar.
Reqemli inteqral mikrosxemler diskret funksiya
qanunu ile dayi$an (masalan, ikilik kod) elektrik
siqnallarlnr gevirir ve emal edirlor. Bunlara hem da
mentiq inteqral mikrosxemleri deyilir.
Bir qayda olaraq analoq vo roqom mikrosxemleri
seriyalarla hazrrlanrr. Seriya - radioelektronika aparat-
larrnda birge iqlanilmek iigiin yaradrlan, miixtalif
funksiyalarr yerine yetiran, lakin eyni konstruktiv-
texnoloji iglanmaye malik olan inteqral mikrosxemlerin
toplusuna deyilir.
Inteqral texnikasrnrn inkigafr inteqrallagma
seviyyasina giira qiymetlendirilir. Inteqrallagma
seviyyasi inteqral mikrosxeme daxil olan element va

219
komponentlerin iimumi sayrna (A) deyilir. inteqrallagma
seviyyasinin an yaxrn biiyiik raqamo qodor
yuvarlaqlagdrnlmrq onluq loqarifmina (K=lgl\t
inteqrallaEma derecasi deyilir ki, bu da inteqral mik-
rosxemin miirekkeblik daracasini xarakterize edir. Bu-
na uyfun olaraq 10-a qodar elemente va komponenta
malik inteqral mikrosxem l-ci darecali, 10-den 100-a
qadar 2-ci derecali ve s. inteqrallagmrq inteqral
mikrosxem olur. Terkibinde on minlarla element olan
yiiksek derecede inteqrallagmrg biiy0k inteqral sxemler
xiisusi qrup tegkil edir.
Mantiq emeliyyatlarrnt yerine yetirmek iigiin
istifada olunan komponentlerin niiviina giiro tranzistor
mantiqli va bilavasita alaqali, tranzistor mentiqli ve
rezistiv-tutum elaqeli, diod-tranzistor mantiqli,
tranzistor-tranzistor mantiqli, tranzistor mentiqli va
emitter alaqeli inteqral sxemlari miivcuddur.
Ig siiretine giira inteqral sxemlor ifrat yiiksak ig
siiretli (5-l0ns), orta ig siiratli (10-50 ns) va yavaq tasirli-
lere (50 ns-dan qox) biiliiniir.
Raqemli inteqral sxemlari xarakterize edan para-
metrlor agaIrdakrlardrr:
- girigina giira birlegme emsah-inteqral sxemin ele-
mentlorinin giriglarinin saylnr giistorir;
- glxlga giiro ayrllma amsah-hor hansl elementin
qrxrfrna qogula bilen mentiq elementlerinin giriglerinin
sayrnr gtistarir;
- siqnahn yayrlmasrnrn gecikmasi;
- angallare dayanrqhq-inqeqral sxemin xarici ongol
siqnallannrn tesirinden elementlarinin vaziyyetlarini
saxlamaq xiisusiyyatini xarakterize edir;
- qida manbeyinin gerginliyi;
 - inteqral sxemin elementlerinin sepelanme giicii;
- mantiq vahidine vo montiq srfinna uyfun grxrg
gerginliyi;
- sxemin bir vaziyyatdan digerina qogulma
miiddeti;
- iqgi temperaturlar diapazonu;
- grxlg siqnahnrn iin cebhesinin artma va azalma
miiddati.
Mentiq inteqral sxemlerinin parametrleri onlarrn
statik va kegid xarakteristikalan ila tayin edilir,
Xetti inteqral sxemlar bir gox parametrlarla xarak-
teriza olunur, giinki miixtalif tipli giiclendiricilar,
multivibratorlar, siizgecler miixtelif parametrlerle
qiymetlendirilir.

10.3, Yarlmkegirici inteqral sxemlarinda elementle-

rin hazrrlanmasr

Yanmkegirici inteqral mikosxemler iki sinfe: bi-

polyar ve MDY (metal-dielektrik-yarrmkegirici) inteqral
mikrosxemlere b<iliiniir. Her iki sinfe maxsus inteqral sxem-
lerin texnologiyasr silisium kivhesine n<ivbe ile donor vo
akseptor agqarlan elave etmekle kristahn sethi altrnda miix-
telif kegiriciliye malik nazik qatlar ve qatlann serhedlerinde
p-z kegidler yaradrlmasrna osaslantr. Ayrr-ayrr qatlar
rezistor strukturlarq p-a kegidler ise diod va tran;istor
strukturlarr kimi istifada olunur.
Liivheya donor va akseptor agqarlarrnrn elave
edilmasi bir-birinden kifayet qadar arah (10-100 mkm)
yerlegan ayrr-ayrr lokal sahelerda bag verir. Bunun iigiin
degikleri olan xiisusi maskalardan - iizliiklerden
(fotogablonlardan) istifada edirlar. Uzliiyiin

221
degiklerinden lazrmi sahalarda a$qar atomlan
yarlmkegirici liivhanin daxiline kegir. Adeten, iizliik ro-
lunu silisium liivhesinin iistiinii iirten oksid (^9?z)
tebeqesi oynayrr. Bu tebeqede xiisusi iisullarla toleb
olunan degikler toplusu ve ya bagqa siizlo, tolob olunan
rasm hakk edilir (9ekill0.Q. Uzliikdeki (oksid tebeqesin-
deki) degiklere pencare deyilir.
Bipolyar inteqral sxemlorin esas elementi n-p-n tipli
tranzistordur. Biitiin texnoloji d6vr tranzistorun haztrlanma-
srna yonelmigdir. Biitiin ba$qa elementler miimkiin ol-
duqca elava texnoloji omoliyyatlar olmadan tranzistorla
eyni zamanda haztrlanmahdrr. Mesalen, rezistotla'r n-p'
z tranzistorun baza qah ile
eyni zamanda hazrrlanrr va
baza qah qedar darinlikda
(kristalda) yerlegir.
Kondensator kimi eks qo-
gulmuq p-z kegidlerdan is-
tifade olunur.
Bunlann n q tlafl n-
p-n tranzistoru n kollektor
trna,, p qatlan iso baza
q
qahna uyfun gelir.
$ekil 10.6. Atqar qatmaq iigiin
poncarosi olan oksid
iiztiiyti (maskast)
MDY inteqral sxemin
esaslnr induksiya edilmig
kanalh MDY tranzistor
tagkil edir. Rezistor rolunu
ikiqiitblii sxemi ile qoqulmuq tranzistor . oynayrr.
Kondensator kimi tranzistorun idaraedici elektrodunun
altr ile eyni vaxtda hazrrlanan dielektrik qah, monbo va
menseble eyni vaxtda hazrrlanan yanmkegirici liivheler
istifade olunur.

222
 Bipotyar inteqral sxemin elementlerinin kristal va-
sitasila alaqesinin olmamasr iigiin onlan bir-birindan
izola etmak lazrmdrr. QonEu MDY tranzistorlarrn qar-
grhqh elaqesi olmur ve onlarr bir-birina gox yaxrn yerleg-
dirmak miimkiin olur. Bu, MDY inteqral sxemlarinin
miisbet cehatlarinden biridir.
Yanmkegirici inteqral mikrosxemlerde transfor-
matorlar ve induktiv sarfaclar olmur. Qiinki bark cisim-
da elektromaqnit induksiyasrna ekvivalent olan her han-
sr bir hadiseni alde etmek miimkiin olmur. Ogar sxemde
transformator va induktiv sarfac talab olunarsa ondan
"asrlmrg" komponent kimi istifade etmek lazrmdrr.
Yanmkegirici inteq-
ral sxemler qahnhft 30-
50 mkm va diametri 50-
100 mm olan silisium alt-
hqlarda planar texnologi-
ya esasrnda hazrrlanrr.
Planar texnologiyaya gii-
ra hazrrlanan elementlar
yash struktura malik
olur. p-a kegidler ve uy-
$ekil 10.7. Planar texnologiya ila
fiun temas sahelari alth- hazrrlanmrg yanmkeqirici inteqral
frn bir (yuxan) sethine elementin struktum
grxrr (gakil 10.7). Silisium
oksidden olan tebeqe p-z
kegidlari xarici tasirden
qoruyur. Texnoloji diivr qurtarandan sonra althqlarr
almaz kesicilarla ve ya lazer giiasr ile ayrr-ayn kristalla-
ra biiliirler ve bunlarrn her biri aynca inteqral mikro-
sxem tegkil edir. Bundan awal yarrmkegirici inteqral
mikrosxemlerin elektrik parametrlarini iilgiir ve zay
mikrosxemlari aylrrrlar.
 Tranzistorlann hazrrlanmasl. Tranzistorlarr hazlr-
lamaq iigiin esasan planar-diffuziyah va planar-epitak-
sial texnologiyalardan istifade edirlor.
Bipolyar tranzistoru hazrrlamaq iigiin planar-diffu-
ziyah texnologiyada awalce p tipli althfirn sathinda ter-
miki oksidleqme iisulu ile silisium oksidden nazik miida-
fie qatr yarad rr (gekil 10.8). Sonra fotolitoqrafiya iisulu
ila l-ci oksid iizliiyii emele getirmek iigiin oksid tebeqesi-
nin iiziine igr[a hessas olan emulsiya-fotorezist gekilir. Fo-
torezistin iizarina iizliiyiin telab olunan resminin qekli
sahnrr, ahnan tesvir agkarlanrr, fotorezistin igrq diigan
hisseleri xiisusi mahlulla temizlenerak oksid tebeqesinin
iistii agrhr. Sonra yene mahlulla iistii agilmrg sahade oksid
tebeqesi hell etdirilib giitiiriiliir. Naticada, inteqral mikro-
sxemde tranzistorlann verilen sayrna uyfiun ve taleb olunan
gakilda degiklar (panceraler) toplusu yaranr (;akil f0.80).

I, - tipli atqrr

sio2

gekrl 10.8. Planar-diffiuiya texnologiyasr ile bipolyar

tranzistorun haarlanmast merhaleleri

224
 Bu penceralerden althfrn darinliklarine z tipli
agqarlar diffuziya edilir ve qongu sahelardan va althqdan
bafih p-n kegidlarla izola olunmug z tipli qatlar-adacrq-
Iar amela gelir (gekil 10.8c). Bu adacrqlar digar element-
larin yaranmasr flgiin esas tagkil edir va onlarrn iizerin-
da planar tranzistorlar yaradrhr. Bunun iigiin ikinci
oksid iizliiyii vasitesila z tipli kollektor rolunu oynayan
adacrqlarrn derinliyine p tipli agqann diffuziyasr hayata
kegirilarek p tipli baza qatr amala gatirilir. Sonra
, tipli a$qar diffuziya edilerak
iigiincfl iizliikdan adalara
z tipli emitter yaradrlrr. Nehaya! diirdiincii oksid
iizliiyiindan qatlarl vo lazlmi elementlari birlagdiran
yollann iizarine metalla$dtrllmrg temaslarl toz gaklinde
sepaleyirler (9akil 10.89).
Planar-diffuziya texnologiyaslnln monli cahati odur
ki, diffuziya alth$n sathindon hayata kegirildiyinden p-z
kegidlarinin sarhedlarinin deqiqliyi kigik olur. Ona
giira do aqqarlar althfln qahnhfir boyu berabar pay-
lanmrr: sathde agqarlartn konsentrasiyasr darinliklera
nisbaten daha gox olur.
Bu gatrgmazhq planar-epitaksial texnologiyada ara-
dan qaldrnlrr.
Istenilen kegiriciliye malik olan yanmkegirici althgrn
iizerine qaz fazasrndan 10-15 mkm qahnhqh nazik yarrmke-
girici qatrnrn artrnlmasr prosesine epitaksiya deyilir. Epitak-
siya neticesinde artrnlan (yetigdirilen) qatrn kristal qefesi
althgrn kristal qefosinin tam davamr olur. Epitaksial qatla
althq izoleedici rol oynayr p-z kegidle bir-birinden ayrr-
Irr.
Planar-epitaksial texnologiya ila bipolyar tranzisto-
ru hazrrlamaq iigiin p tipli yiiksak miiqavimetli althq ve
oksid tebeqesi ila iirtiilmiiq a tipli epitaksial qatdan
istifada edilir (gekil 10.9a), Sonra oksid qahndan iizliik
diizeldilir (gekil 10.9D) vo onun pencarelerinden p tipli
a$qarrn diffuziyasr tegkil edilir. Neticade, epitaksial
qatda planar-diffuziyah texnologiyada ahnanlara benzar
ba!\ p-n kegidlerle izola olunmug adaclqlar yaranrr
(qekil 10.9c).
Bundan sonra pla-
nar -diffuziyah texnologi-
yada oldufu kimi adacrq-
lar asasrnda tranzistor
strukfu rlarr formalagdrrr-
hr. Planar-epitaksial tex-
nologiyada agqarlar epi-
taksial qat boyunca ba-
raber paylanrr ve p-a ke-
gidlerin sarhadlari daha
daqiq olur.
MDY tranzistorlar
da bu qayda ile haztr-
lanrr, lakin texnoloji
p-tipli atqar emeliyyatlann sayr 3-3,4
defe, tranzistorun tutdu-
[u saha ise 20-25 defe az
olur.
Diodlarln hazrrlan-
masr. Planar texnologiya
") ile diodlar da yuxandala
$ekil 10.9. Planlar-epitaksial tex- qaydada haarlana biler,
nologiya ilo bipolyar tranzis-
tomn hazrrlanmast Lakin konstruktiv-texnoloji
marhelelari baxrmdan serfeli oldufuna
giiro diod kimi adatan in-
teqral tranzistorlann emit-
ter va kollektor kegidlari istifade olunur.

226
 Diod kimi istifada olunan inteqral tranzistorlar 5
miixtalif sxem iizra qogulur (gekil f0.10). Kollektor ke-
gidi asasrnda ahnan diodlar (gakil 10.10 ab,d) en bdyiik
buraxrla bilon eks gerginliye (50V) malikdir.
Emitter kegidinda ahnan diodlartn ig silreti biiyiik,
aks cereyanrnrn qiymeti isa en kigik olur. Kollektor
kegidi qrsa qapanmaqla emitter kegidi esasrnda ahnan
diod (gakil 10. 10c) stabilitron kimi igladilir.
Diodun tutumu (anod ve katod arastnda) istifade
olunan kegidin sahasi ile miioyyan edilir. Ona giira de
tutumun qiymati bu kegidler paralel qotulanda (gakil
l0.lOE) maksimal olur. Althqla element arasrnda yara-
nan parazit tutum anodu ve ya katodu "yera" guntlaya
bilar, qiinki althq "yera" birlegmiq (torpaqlanmrg) olur.
Emitter kegidinde ahnan diodlarda bu tutum daha
kiqik olur.

#, {+ B-K
)41
B-K BI-K
b) c) d)

$ekil 10.10. Diod kimi istifada olunan inteqral

tranzistorufl miixtolif qogulma sxemleri

Diodun agrq vaziyyetden baflr vaziyyeta kegirilme-

si miiddeti (eks-cereyanrn berpa miiddati) kollektor ke-
gidi qrsa qapanmaqla emitter kegidinde ahnan diodlar-
da minimal olur, giinki burada yiiklar yalnz baza qahn-
da yr[ilrr (kollektor kegidi qrsa qapanmrgdrr gekil
10.10c). Digar variantlarda yiikler hem bazada, hem de
kollektorda yrfrhr ve onlann sorulub aparllmasr iigiin
daha gox vaxt teleb olunur.
Giisterilan variantlardan emitter diivresinde ahnan
diodlar (gakil 10.10 c,9) optimal hesab olunur. On gox
istifada olunan kollektor kegidi q$a qapanmaqla emitter
kegidinda ahnan dioddur.
Rezistorlarrn hazrrlanmasl. inteqral rezistorlar 3
mkm-e qader nazik yarrmkegirici qat kimi olur. Onlan
althfrn diger adacrqlarlnda yaradrlan tranzistor struk-
turlarl ila eyni zamanda formalaqdrrmaq lazrmdrr. Bele
rezistor diffuziya rezistoru adlanrr. Rezistorlar da bagqa
elementlerle ba[h p-n kegidlari vasitesi ile izole edilir.
Praktikada en gox yay an iisul tranzistor struktu-
runun baza ve ya emitter qahntn diffuziya rezistoru kimi
istifade edilmasidir. Baza qatt iizarinde biiyiik miiqavi-
metli, emitter qatr iizarinda isa kigik miiqavimetli rezis-
torlar alrnrr. Baza qafi asasrnda ahnan diffuziya rezisto-
runun strukturundan giiriiniir ki, o, digar elementlerdan
en azr iki eks qoqulmug p-n kegidla izola olunmugdur
(gekil 10.11a). Tetbiq edilen gerginliyin igaresindan asrh
olmayaraq qargr-qargrya qogulmuq p-z kegidler sistemi
hemige baflr olur.
Diirdbucaqh formaya malik olan diffuziya rezisto-
runun miiqavimeti bele teyin olunur:
R = p. t /(bh) = p,(t / b) = p". N"

Burada 4 l, b, h - uyinn olaraq materiahn xiisusi miiqavimeti,

diffuziya qahnm uzunlufu, eni ve qahnh$; p7y'h-xn*si
sethi miiqavimot, N"=l/b- tebeqenin / uzunlu$.rnda yerlegen
ve terefleri D olan kvadratlann saydr.
Xiisusi sathi miiqavimet tebeqeli rezistorlarrn cara-
yan kegirma xiisusiyyetlerini xarakterize edan miihiim
kemiyyetdir va o, kvadratrn dlgiilerindan as l olmur.
Onun iilgii vahidi Om/kvadratdrr (Om/o).
Bipolyar tranzistorun emitter qah asasrnda ahnan
diffuziya rezistorunun da (gekil 10.11b) miiqavimeti
yuxarrdalo qayda ile tayin edilir.
Baza qatr asasrnda ahnan diffuziya rezistorlannrn
xiisusi sethi miiqavimeti 100-300 Om,/kvadrat, emitter qatr
esasrnda ahnan rezistorunki ise 0,5 Om/kvadrat heddinde
olur. Adeten, bele rezistorlann miiqavimetlerinin qiymeti
l0 Om-dan 50 kOm-a qodor, sahasi ise 0,125 mm2 olur ki,
bu da inteqral tranzistorun
tutdugu sahodan 40-50 defe
goxdur. p-n kegidlerle izole
olunmu$ diffuziya rezistorlan
20 Mhs-e qeder tezlikda iq-
leye bilir.
Metal-oksid-yarrm-ke-
girici strukturlarda rezis-
tor kimi MOY tranzistor-
larr istifada olunur (gakil
l0.l lc). Burada kanal rezis-
tiv carayan axrdan crflr ki-
mi tasvir edilir va en kasiyi
yuxarrdan z tipli agqarlt
diffuziya heyata kegirmekle
kigildilir. Bu rezistorlar
qeyri-xetti xarakteristikaya
malik olurlar va onlara c)
PiNQ-rezistorlardeyilir. $akil10'll'Bipolvartranzistorun
Kondensatorrairn ha-,ffij"';:fiXi:ll],::: ;:#,"9,I'
zrrlanmasr. Yarrmkegirici mll lnteqral rezistorlar
inteqral mikrosxemlerde
kondensator kimi bipolyar tranzistorlann aks qogulmug
p-, kegidlarinin sadd tutumu ve ya MOY-tranzistorun
tutumu istifade olunur.
inteqral kondensatorlar asason bipolyar tranzistor-
lann emitter ve kollektor kegidlari esasrnda elde edilir
(gakil 10.12).
Emitter kegidli kondensatorun (a) xiisusi tutumu
(vahid saheye diigan) en biiyiik (0,2mkF/sm2), deqilme
gerginliyi ise en kigik (bir neqa volt) olur. Kollektor
kegidli kondensatorun (b) xiisusi tutumu texminen 5
defe kigikdir, degilme gerginliyi isa on voltlarla iilgiiliir.
p-z kegidler esasrnda allnan kondensatorlann men-
fi cehatlari xiisusi tutumun kigikliyi, tranzistora nisbe-
tan gox saha tutmasr, tutumun gerginlikden aslh olmasr
ve izolaedici p-z kegidlarinin hesabtna parazit tutum-
Iarrn miivcud olmasrdrr' Ona giire bele kondensatorlar
mikrosxemlarde nisbeten az istifada olunur.

t6-$a2

$ekil 10.12. Bipolyar tranzistorun emitter (a) va kollektor

D) kegidleri asasrnda qurulmul inteqral Kondelsatorlar

Elementlerarasr birlegmalerin va tomas sahelerinin

hazrrlanmasr. inteqral mikrosxemin biitiin aktiv va
passiv elementleri hazrrlanandan sonra onlarl bir-birine
ilaqalendiren ve miiayyen teyinath prinsipial sxeme
uyfiun olan elementlararasr birlegmaleri ve mikrosxemin
giivdasinin xarici grxl$larlnl sxema qolmaq iigiin temas
saheleri diizeldilmelidir. Bunun iigiin silisium liivhasinin
ewelcaden oksidlagdirilmig sothi vakuumda iifiirma
iisulu ile giikdiiriilmiig aliiminium qah (0,5-2 mkm) ile
tirtiiliir. Onun iizerine yenidan fotorezist gakilir ve yene
de fotolitoqrafiya iisulu ile lazrm olmayan yerlarda alii-
minium qah xiisusi mahlulla aridilib giitiiriiliir. Netica-
da yarrmkegiricinin sethinda eni 10 mkm olan aliimini-
um kegiricilarinin rasmi va tomas saheleri qahr. Bundan
sonra 20-25 mkm diametrli qrzrl maftilciklarla temas
saheleri ultrasas va ya termokompressiya qayna[l esasrn-
da gdvdenin grxl$larlna birlaqdirilir.

10.4.Hibrid inteqral mikrosxemlerde

elementlerin hazrrlanmasr

Hibrid inteqral mikrosxemlarin hazrrlanmaslnda

istifade olunan tebaqeli texnologiya yalnrz passiv ele-
mentlor (rezistorlar, kondensatorlar va induktivliklar)
iigiin stabil parametrlar elda etmaya imkan verir. Ona
giire de bele inteqral mikrosxemler rezistorlarrn va kon-
densatorlann yrfrmr va ya rezistiv-tutum diivralerinden
ibaret olur.
Texnoloji cahatden hibrid inteqral sxemler de qrup
iisulu ile dielektrik althq iizarine tebeqeli passiv element-
lari gakmakle heyata kegirilir.
Sonradan althgrn iizerine "as mrg" komponentler bu
elementlare birlegdirilir. Hibrid inteqral mikrosxemlar-
de genig gegidli asrlmrg komponentlerin istifade olunmast
yanmkegirici inteqral mikrosxemlera nisbeten bir 9ox
hallarda xiisusi sxemotexniki meselalerin hellini asanlag-
drrrr. Bununla bela qeyd etmek lazrmdrr ki, hibrid mik-
rosxemlerin etibarhfr, maya dayari va kristahn vahid

23t
sathino dii$on elementlarin sayr vo bir srra digar giistari-
cilari inteqral sxemlerden pisdir. Hibrid inteqral mikro-
sxemlerin istehsahnda yararh mehsulun grxrgr 60-8070,
yarrmkegiricilerda isa 5-307o olur.
Deyildiyi kimi, hibrid inteqral sxemlerin esas kom-
ponentleri althq, passiv elementlar sistemi, onlarrn
birlaqmelari va aktiv ("asrlmrE") komponentlardir.
Althq iigiin an gox iglenen materiallar qiiqa-gini ma-
teriallar-sitallardrr. Onlar yiiksek elektrik izola xtsusiy-
yotina, temperatura, kimyevi va abraziv yeyilmeye, rii-
tubet ve qaz niifuzlulufuna qar$r dayanrqhfia, mexaniki
barkliye vo asan emal edilma xiisusiyyetine malikdirlar.
Bunlardan alava, giiEe ve gini materiallar da istifade olu-
nur. Althqlar 6x15-dan 48x60 mm-e kimi iilgiileri ve
0,5-2 mkm qahnhfir olan diizbucaqhlar gaklinde istifade
edilir.
Nazik tebeqeli ve qahn tebeqeli hibrid inteqral
sxemlarin hazrrlanma texnologiyasrbir-birinden miiey-
yen qedar ferqlenir.
Pancere Qahn tebeqali in-
teqral elementlerin ha-
zrrlanmasr. Qahn tobo-
qeli inteqral sxemlerin
elementlerini hazrrlamaq
tigiinbir nege kvadrat
santimetr saheli dielektrik
althlrn iizerine miixtelif
terkibli pastalar gekilir ve
tebeqe bir defeden lazrmi
$ekil 10.13. Pastanr gokmak
iigiin kristahn [zorino qoyu- qahnhlr alrr. Cereyan ke-
lan iizli.ik (tmfaret) giren pastalar element-
lerarasr birlegmelerin,
kondensatorlann lcivhele-

232
 rinin ve govdenin gubuqlanna grxrqlann, rezistiv pastalar re-
zistorlann ahnmasrnr, dielektrik pastalar kondensatorlann
lovheleri arasmdakr izole qatrnrn vo hazlr inteqral sxemin
sothinin miihafizesini tomin edirler. Her qat rizijnemexsus
resme malik olmahdrr. Ona gore her qatr hazrrlayarken bu
qatrn lazrmi yerlerine pastant ayn iizlilyiin (trafaretin) penc-
elerinden gokirlar (gekil 10. 13).
Hibrid inteqral sxemintebaqeli hissesi hazrrlanandan
sonra awelce mteyyan edilmig bog yerlere ve miihafize-
edici dielektrik qahn iizenne <asrlmrg> komponenleri yaprg-
drrrrlar ve onlann grxrglannr kegirici qatlann uyfun temas
saheleri ile birlegdirirler.
Mexaniki pasta qokilmo iisulu tabeqenin qahnhgr l0-
20 mkm-den az etmoye imkan vermir ve ona grire de buna
qahn taboqoli texnologiya deyilir. Bu iisul hem de rezistor-
dann ve kondensatorlann nominallannrn yiiksek deqiqliyini
temin edir. Bununla bele texnologiyanln nisboton sadeliyi
memulatlann deyerini azaldrr.
Nazik tabeqeli inteqral elementlerin hazrrlanmasl.
Burada daha miirekkeb texnologi-
yadan ve daha baha avadanhqdan
istifade edilir, ona gore memulatlar
da baha baga gelir.
Tebeqalar altlrgrn sethine qaz
fazasrndan grikdiiriihir. Bu zaman
tebeqe riziiniin verilen qahnh!rnr
bir defeye yox, tedricen alrr: bir

ffi
Tabeqa
monomolekulyar qar o birisinin
iistiine yrlrlrr ve s. (9eki1 10.14).
Maska Nrivbeti tebeqe yetigdirildikden son-
ra qazln kimyevi terkibi ve bununla
$okil 10.14. Nazik taba- da sonrakr tebeqenin elektrofiziki
qonrn qat-qat arltnlmasl xiisusiyyetleri deyiqdirilir. Belelik-

233
le, ndvbe ile kegirici, rezistiv ve dielektrik qatlan altntr. Her
qatrn resmi ya osason yerlegdirilen trafaretle (qahn tebeqeli
haldakr kimi), ya da sethdo yerlegdirilen iizliik (yanmkegiri-
ci inteqral sxemlerdaki iizliiye benzer) vasitesi ile miioyyan
edilir (gekil 10.6).
Bunlann atom vo molekullannrn menbeden althla ma-
neesiz kegmesini temin etmok iigiin kifayet qeder atmosfer
seyrakliyi temin edilmelidir, yeni tebeqenin g6kdiiriilmesi
qapah fezada miieyyen vakuum olan $araitdo ba9 vermelidir.
Asrlmrg komponentleri bundan evvel oldugu kimi
sxemin haztr olan tebeqeli hissesinin sethine yaprgdrnb ele-
mentlerin uy[un temas saheleri ile birleqdirirler.
Tabeqeler kigik si.iretle artdrgrndan 1 mkm qahnh[r olan
tebeqenin ahnmasma gox vaxt serf olunur. l-2 mkm qahn-
hqh tebeqaler althqdan asanhqla qopa biler, ona g<ire esa-
sen onlann qaLnhlr 0,5-l mkm-den gox olmur. Mehz buna
g6re de bu texnologiya nazikqath texnologiya adlanrr. Diger
terefden tebeqelerin artma siireti kigik oldu[undan onlann
qahnhlrmn tenzim edilmesi asanlagrr ve bu da miiqavimet
ve tuhrmlann nominalla-
nnrn deqiqliyini imkan
verir.
Rezistorlarln ha-
zrrlanmasr. Bunun iigiin
miixtelif xiisusi sethi mii-
qavimete malik olan te-
miz metallardan, onlann
erintilerinden ve mikro-
kompozisiyalardan istifa-
de olunur. Metallardan b)
xromu vo yiiksek xiisusi
sethi miiqavimetli tantalt $ekil 10.15. Ploynkalt rezistor-
gristermek olar. Onu te- lann konstruktiv qumlusu

214
miz gekilde passiv elementleri diizeltrnek iigiin, oksid tebe-
qesi geklinde ise yaxgr dielektrik xiisusiyyetine malik mate-
rial kimi igledirler. Metal erintilerinden nixrom ve silisi-
umlu erintilerini gdstermek olar. Adeten erintilerin xiisusi
sethi miiqavimetleri erintini emele getiren metallardakrn-
dan briyiik, miiqavimetlerinin temperatur emsah ise kigik
olur. Mikrokompozisiyalar elektrik xiisusiyyetlerine g6re
metal erintilerine yaxrndrr. On gox istifade olunan demir,
nikel ve aliiminium elave etmekle xrom vo silisium esasrn-
da ahnan mikrokompozisiyalardrr.
Nazik qatlan althgrn tizerine vakuumlu iifurme, katod
ve ion-plazmah sapelenme iisulunun fotolitoqrafiya ile bi-
rga tetbiqi sayesinde gekirler. Nazik tebeqeli rezistorlann
mi.iqavimetleri giiciin nominal qiymetinin 0,2 Vt hah iiqiin
100 Om-dan 50 kOm-a qedor olur. Adeten, onlar diizbucaq-
h geklinde olurlar (gekil 10.15 a).
Kvadratlann saylnl vo mtqavimetin qiymetini yanm-
kegirici rezistorlarda oldugu kimi hesablayrrlar. B6ytik mii-
qavimat nominallan elde etmek vo althErn sahesinden se-
mereli istifade etmek iigiin re-
zistorlara f ve [I gekilli parga-
lardan ibaret miirekkeb forma-
lar verirler (gekil I 0- l5b). Mii-
qavimeti hesablamaq tigiin mti-
rekkeb formanr elementar dt2-
bucaqhqlara brjliirler.
Kondensatorlann hazrr-
Ianmasr. On sada gekilde tebe-
qeli kondensator aralannda di-
elektrik olan iki metal qatdan
ibaret (gekil 10.16), miirekkeb
hallarda ise goxqatl olur. Onlann $akil 10.16. Tebaqa ge-
g6stericilerinin goxu dielektrik killi kondensaror

235
qatrnln materiahndan, qahnh[rndan ve ahnma iisulundan
asrhdrr. Dielektrik qatrn terkibine gdre kondensatorun l<iv-
helerinin materiah segilir.
Tebeqeli kondensatorlann en vacib parametrlarinden
biri xiisusi tutumudur: C 0:C/S:t€d/h:0,0885€/h, burada e-
Itivhalararasr qatrn dielektrik niifuzlu[u; e/+lektrik
sabiti (pF/sm), Skondensator liivhalerinin sahesi; lrdi-
elektrik qahnrn hiindiirliiyiidiir.
Dielektrik kimi silisiumun monooksidini gittii-
rondo xiisusi tutum 5000- 10000pF /snf heddinda olur.
Biiyiik qiymetli tutumlar almaq iigiin dielektrik tobo-
qo kimi titan oksidi (e:84 ve barium-titanat (e:1000)
giitiiriiliir. Dielektrik materiallar ham da elektrik
miihkemliyi ile xarakteriza olunur (E:ao"/ h: U6;
degilma garginliyidir). Nazikqath materiallar iigiin
84,1.1 f -1 0.1 O V/sttrdir. Dielektrik tebeqelerinin goxu
iigiin degilme garginliyinin qiymeti tebeqenin materiahnrn
qiisurlan ve kondensatorun Itivhalerinin materiah ile
miioyyen edilir. Liivhaler iigiin esasen aliiminium istifade
edilir, giinki onun atomlannrn miqrasiya yiirtikliiyti onun
sethinda oksidlagme bag ver-
diyindan gox kigik (dielektrik
nazik olanda atomlarrn di-
elektrik qatrna miqrasiya et-
masi ltivhaleri qrsa qapaya bi-
lar) olur.
Altl{rn sethina kegirici
ve dielektrik tebeqelerin ge-
kilmesi iisullarr tebeqeli
$akil 10.17. Hibrrd inteqral rezistorlarrn texnologiyasrna
mikrosxemlerin doyirmi (a) ve
diizbucaqh (6) spiral gekilli in-
banzerdir. Allnan tabeqelarin
duktiv sarIaclan i99i gerginliyi 15 V-a l<imi,,
 tutumlarrn nominal qiymetleri ise 10-10000 pF hed-
dinde olur. Hibrid inteqral sxemda daha biiyiik tutum
talab olunanda diskret kondensatorlardan istifada edilir.
Nazik tebeqeli induktiv sar[aclann hazrrlanmasr.
Bele sarlaclar dairevi ve ya diizbucaqh spiral geklinde
hazrrlanrr (9ekil 10.17). Bele sar[aclarrn induktivliyinin
maksimal qiymati 5 mkHn-dan artrq olmur ki, bu da
sar[acrn omik miiqavimatindoki itkilarle elaqedardrr.
Buna giire gox yaxt hibrid inteqral sxemlerdi mikro-
miniatiir induktiv sarfaclardan istifade edirlar.
Miiqavimati azaltmaq iigiin sarfaclan qtz dan
diizaldirler. Metal zola[rn eni 30-50 mkm, dolaqlar
arasrndakr llnos fa 50-100 mkm ol,rur. Sarfaclarrn keyhy_
yetliliyi tezliya miitenasib arhfrndan 3-5 sargrya malik
olan induktivlikJar 3-5Qhs tezliklerda igleye bilirlar.
Aktiv komponentlerin, meftillarin va temas sahela_
rinin hazrrlanmasr. Hibrid inteqral sxemlardo aktiv
komponentler kimi diskret yanmkegirici diodlar,
tranzistorlar, tiristorlar, yarlmkegirici inteqral mikro_
sxem va giivdesiz hibrid inteqral mikrosxemlar igleditir.
Bu komponentlerin kiimeyile miixtalif qeyri-tipik
funksional qovgaqlann yarad masrnda qarglya gixan bir
gox miirekkeb masaleleri hell etmek olar. Optimal
elektrik parametrlarini oldo etmok iigiin bir -hibrid
inteqral-sxemin althgl iizerinda bagqa-bagqa texnologi_
yalarla hazrlanmrq miixtalif (bipolyar, MOy) kompo_
nentlari yrgmaq miimkiindiir.
Tebeqeli passiv elementlar ve asrlmrg komponenfler
tebeqeli kegiriciler (meftillar) vo tamas sahelen vasitasi
ila.birlagdirilir. Bu birlegdirici elementlerin kegiriciliyi
yiiksek olmah, onlar iitiiriilan siqnallara tehrif verma_

237
mali, parazit aks-alaqalar yaratmamah va etibarh,
qeyri-diizlandirici vo az kiiylii tamas yaratmahdrr.
Tebeqeli maftilleri va tomas sahelerini sapolomak
iigiin en yax$r materiallar qrzrl, giimiig, mis ve aliimini-
umdur. Qrzrl ham baha, ham de kigik adgeziya (altltfa
yaprgma) xiisusiyyetina malikdir, giimiigiin ve misin
miqrasiyaetme yliriikltiyii gox biiyiikdiir. Ona gtire
giisterilen materiallar nikelden, xromdan va nixromdan
olan althqlar ile birlikde igledilir.
Sert grxrgh astlmrg komponentlor temas sahelerine
qalaylama, ultrasas qaynafr, termokompressiya ve lazer
giiasr ila barkidilir. Yumgaq grxrglan olan komponentleri
ise qalaylayrr va yaxud epoksid yap6qan ila yaprydrnrlar.

238
 11. VAKKUUMLU VO PLAZIr,{ALI
ELEKTRON CiHAZLARI

Qaz buraxmayan ortiikle @alonla) izole olunmug iggi

fezasr yiiksek seyrekliye malik ve ya xiisusi mtihitle (buxar-
Ia ve ya qazlarla) doldurulmug, i9 prinsipi ise yiiklenmig his-
seciklerin vakuumda ve qazda hereketi ile elaqedar hadise-
lare esaslanan c rhazlara elektrovakuum cihazlan deyilir.
i99i miihitin xiisusiyyetlerine gore bu cihazlar elek-
trovakuum ve ion (qazbogalrnah) cihazlanna boliintrler.
Elektrovakuum cihazlannda elektrik cereyam serbest
elektronlann vakuumda hereketi ile yarantr. Bunlara elek-
tron lampalart, elektron-$iia borulart va elektrovakuum-
lu fotoelektron cihazlar daxildir. ion (qazbogalmah) elek-
trovakuum cihazlanmn ig prinsipi qazlarda ve metallann bu-
xarlannda bag veran elektrik bogalmastntn xiisusiyyetlerina
esaslanrr. Onlarda elekrik corcyaru hem elekhonlann, hem da
qaz miihitinin ionlanntn hereketi ile elaqedardrr. Bele
cihazlara qtivsi, kiizaren ve yiiksektezlikli bogalmah
cihazlar daxildir.
Her bir elektrovakuum ve qazbogalrna cihazr elekfrod-
lar sisteminden ibaret olur. Bu elektrodlar etraf mi.ihiti cihazrn
daxili fezasrndan ayrran balonun igerisinda ba9 veran pro-
sesleri idare efinek iigi.indiir. Her nriv elektrovakuum ve qaz-
bogabna cihazlan i.igiin xilsusi elektrodlar sistemi yaradrlrr.
Ancaq elektrodlardan bir qismi elektrovakuum cihazlannm
hamrsrnda ve qazbogalma cihazlanmn goxunda m<ivcud olur.
Bu elektrodlara elektronlan emissiya eden katodlar ve onla-
n yrlrgdrran anodlar aiddir. Ytiklenmig hissociklsr selini ida-
re etmek i.igiin bir gox cihazlarda idaraedici elektrodlar
mdvcud olur. Onlar tor vo ya profilli ldvheler ve xiisusi
elektromaqnit sargrlar geklinde hazrrlanr. Melumah mtigahi-
da etmek tigtin tesvir eden cihazlarda (elektron-gtia borulan,
indikasiya qurfulan ve s.) ekran adlanan xiisusi konstruktiv
elementlerden istifade edilir. Ekanm komeyi ile elektron
selinin ve ya elektrik sahesinin enerjisi cismin optik $iialan-
masrna gevrilir. Elektrodlann konstruksiyalan miixtelif olub
cihazrn teyinatrndan ve iq geraitinden asrh olur.
Elektrovakuum ve qazbogalma cihazlannrn balonla-
n on miixtolif formada $i.i$odan, metaldan, ginidan ve bunla-
nn kombinasiyalanndan haztlanr. Elektrodlann grxrgr ba-
Ionlann agalrsrndan ve yan sothlorindon grxanlrr.

11.1. Elektrovakuum cihazlarl

Elektrovakuum cihazlannrn igi termoelektron emis-

siya hadisesine osaslanrr. Bu cihazlar termoelektron katoda,
idare edilen corayana malik olur ve elektrik siqnallannrn
miixtelif gewilmalorindo istifade edilir.
Teyinatrna gdre elektron lampalan giiclendirici, gene-
rator, diizlandirici ve iilgii lampalanna, ig rejiminin xiisu-
siyyetine gcire impuls rejimli ve aramsrz iglayan lampala-
ra btrliiniir. Siqnallann i99i tezlik diapazonuna gdre lam-
palar algaq, yiiksak ve ifrat yiiksek tezlikli olur.
Konstruktiv tertibatlanna 9610 lampalar giige, iri tilqii-
lii, miniatiir (barmaq tipli) ve ifrat miniatiir lampalara b<ilii-
niirler. Elektrovakuum lampalan giiga va ya metal balonun
igerisinde yerlo$dirilmi$ termoelektron katoddan, anoddan
ve miixtelif teyinath torlardan ibaretdir. Balonlar hermetik
haznlanr ve onlann igerisinde yiiksek vakuum (1t4-1ts Pa)
yaradll1I.
Termoelektron katod qrzdrnldrqda elektronlarr emis-
siya edir. Anoda katoda nisbeten miisbet potensial verildi-
yinden onun sahesi katoddan grxan elektronlan yrlrr ve bu-
nun neticesinde anod dovresinde (bu ham de lampanrn grxrg
ddvresi olur) coroyan ahnrr. Torlarrn kiimeyi ile katoddan
anoda geden elektron seli ve bunun neticesinde grxrgdakr
coroyan ve ya gerginlik idara olunur.

240
 Elektrovakuumlu diod. Bu, hermetik balonun igerisinde
yerlegmig anoddan ve katoddan ibaret cihazdrr (gekil 11.1 a).
Katod kcimekgi gerginlik (krizerme) menbeyi Eo vasitesile
qzdrnlr ve yiiksek temperaturun tesirindan elektronlan emis-
siya edir. Anod gerginlik menbeyi E -mn hesabrna anoda katoda
nisbeten miisbet potensial verilir ve onun elektrik sahesinin tesiri
alhnda anod vakuumlu fezadan ona taref hereket eden elek-
tronlarr qebul edir. Balonda seyrek qazrn srxhsr o qodordir
ki, elektronlar katoddan anoda herekat yolunda demek olar
ki, qaz molekullan ile toqqugmurlar.

u,,t/

$ekil I l.l.Elektrovakuumlu diodun qogulma sxemi ve

volFamper xamkteristikasr

Qrxrg igini icra etmek iigiin teleb olunan enerjiya malik

elektronlar katoddan vakuuma ugarken hem qiymetce, hem
de istiqametce mtixtelif siiretlere malik olurlar. Katodla
anod arasrndakr fezada paylanmrg menfi hacmi elektrik
yiikii yaranrr. Anodun potensiah (U"=E.-J"R r) bu ytikii ne-
zere almaqla anod-katod arasrnda elektrik sahesini miiLayyen
edir.
Katod soyuq olanda (emissiya olrnayanda) katodla anod
arasurdakr potensial xetti deyigir ve elektrik sahe gerginliyi har

241
yerdo eyni olur. Qrzdrnlmrg katoddan grxan elektronlann ya-
ratdrgr monfi hecmi yiik katod-anod arahltnrn her n<iqtesin-
de potensiah agagr salrr.
Elektron emissiyastntn kigik qiymetlerinde hecmi
elekrik ytikti potensiahn paylanmasrna az tesir g<isterir. Ona
g<ire de katoddan grxan biittin elektronlar elektrik sahesinin
tesiri altrnda anoda gatrlar. Bu halda anod cerayant katodun
emissiya coroyanlna beraber (.I"="I) olur. Bele rejime
doyma rejimi deyilir (gekil 11.1b).
Krizerme arfinlanda katoddan gtxan elektronlann sayt
artrr, menfi hecmi yiik goxalrr ve katod etrafinda yaranan
sahe tormozlayrcr tesire malik olur. Bele tormozlayrct saha-
nin tasirini yalnrz kifayet qeder ilk enerjisi olan elektronlar
def ede bilirler. Az ene{iye (stirete) malik elektronlar geri-
ye - katoda qayrdrrlar, noticoda J,<1" ofur. Bu rejime faza
hecmi yiik rejimi deyilir. Oger anod katoda nisbeten menfi
potensiala malik olarsa, anodun elektrik sahesi elektronlann
hereketine tormozlayrct tesir g<isterir ve buna gdre de onlar
katoddan grxandan sonra yeno geriyo qayldlrlar ve cihazdan
coroyan axmr (J.=0). Demeli, diod cereyanr yalnz bir isti-
qametde (anodun potensialt katoda niseten miisbet olanda)
kegirmek xiisusiyyetine malikdir. Ogar diod deyigen cere-
yan d<ivresine qogularsa, onun dtivresinden yalnlz mlisbot
yanmperiod erzinde cereyan axacaqdtr. Diodun bir istiqa-
metde cerayan kegirme xiiLsusiyyetine 9610 ondan deyigen
corayanr di.izlendirmek va yiiksek tezlikli reqsleri gevirmek
iiqiin istifade edirler.
Dioddan axan caroyanln qiymeti bir saniye erzinda ka-
todun emissiya etdiyi ve anodun miisbet elektrik sahesinin
gekib apardrgr elekhonlann sayr ile miieyyon edilir. Kato-
dun bir saniye erzinde emissiya etdiyi elektronlann sayr
emissiya carayanrnr ,/" mtiayyan edir. Onun qiymeti kato-
dun materiahntn fiziki xiisusiyyetlerinden (grxrg iginden),

242
onun qlzdmlma temperaturundan ve katodun i99i sethinden
asrhdrr.
Diizlendirici sxemlerde istifade edilen elektrovakuum
diodlanna kenotron deyilir, onlar bir ve ya iki anodlu olur-
lar.
Diodun esas xarakteristikasr anod xarakteristikasrdrr,
o k<izerme gerginliyinin sabit qiymetlerinde anod coroyanr-
nrn anod gerginliyinden asrhhlrm miieyyen edir (J.=f (U);
U; const) (gekil 11.16).
Nezeri olaraq bu asrhhq (doyma rejimina aid saheden
bagqa) feza yi.ikiinii nezere almaqla vo dioddan cereyan keg-
mesini ideallagdrrmaqla "ikide iig> qanunu ile ifade edilir:
J,= GLI,',,
bvada G =2,33.1tds,/r.2 - her bir lampa iigiin sabit olan ko-
miyyet; .S, - anodun elektronlar diigen sahesi; r,-anodla ka-
tod arasrndakr mesafedir.
Diod hem de ktizerme gerginliyine g610 emissiya xa-
rakteristikasr (J"=f(U); U"=const) vo kiizerme xarakte-
ristikasr (J;-f(U); U; 0) rle de xarakterize olunur.
Ikielektrodlu lampalann ekseriyyeti agagrdakr osas pa-
rametrlerle xaraklerize olunurlar:
S=dJ,/dU.; U;const - anod xarakteristikasrnrn
dikliyi - anod gerginliyinin lV artmasrndan anod coroyanr-
nrn ne qeder artmasrm gristerir (adeten 1-10mA/V);
R7l/S=dU/dJ; U*=const'diferensial miiqavimat-
diodun deyigen ceroyana g<isterdiyi miiqavimeti gdstorir
Q0-1d om);
R,=U,u, -statik miiqavimet (lampamn sabit cereyana
giistardiyi miiqavimet)-anod xarakteristikasrnrn verilen n<iq-
tesina uyfun gerginliyin caroyana nisbatidir; ideallaqdrnl-
mrg diod ngnn R.=U,/(GI/.t')=3Ry'2, real diod iigiin -R,.R, -
den hem gox, hem de az ola biler;
 C,1 - elektrodlararasr tutum cihazrn elektrodlannrn
vakuumla aynlmrg ekvivalent kondensator kimi tesviri ile
miieyyen edilir: onun qiymeti katod qrzdrnlanda (elektrodlar
arasrnda yiik olanda) daha gox olur;
U,.^^- an btiyiik aks gerginlik - dioda tetbiq edilen
deyigen gerginliyin amplitudunun hiidud qiymetini mtiey-
yen edir. U,*,>U"*, -^ olanda elektrodlar arasrnda degilme
bag verir;
{,,^ - anodun sepelediyi maksimal gticdiir. Anod
elektronlarla bombardman edilerken o yi.iksek temperatura
qeder qrza biler. Bu prosesde anodun aldrlr iimumi giic
P,=UJ, olur. Oger P,=P, olarsa J.=P, alnr. Clha-
^,, ^*tU,
ztn icaze verilen ig rejimleri J,=(P"^;const)/U" hiperbola-
srndan agagrda yerlegen sahe ile mehdudlagrr.
Vakuumlu diodlar temperaturun geni$ diapazonunda
igleye bilirler. Onlarrn menfi xiisusiyyetlari ft,-nin b6yiik-
Itiyti, kdzerdilen katodun olmasr, etibarltltltn kigikliyi ve
yanmkegirici diodlara nisbeten iq miiddetinin az olmastdrr.
Elektrovakuumlu triod. Bu lampalar anoddan ve ka-
toddan elave iigiincii, idareedici elektroda-tora malik olur-
lar (gekil 11.2). Tor katodu ohato eden metal spiral ve ya
qefes gekiinde olur ve onun movcudlugu elektron selini
idare etmeye imkan verir. Burada .8, menbeyi vasitesile ka-
toda nisbeten anoda briytik mtisbet potensial verilir. Anodun
miisbet elektrik sahesi tordan kegmekle tor-katod arahlrna
tesir gristerir. Tora E, menbesinden katoda nisbeten hem
kigik mi.isbet, hem de menfi potensial verile biler. U, < 0
olanda torun sahesi elektronlart tormozlayrr ve tordan kegib
anoda gatan elektronlann sayr (ve ya J.careyant) azalr. Tor
gerginliyinin katod-tor arahlrndakr feza yiikiine tesiri anod
gerginliyinin tesirinden b<iyiik olur (tor katoda daha yaxrn
yerlegdiyinden), ona g<ire tora kigik gerginlik vermekle
anod cereyamm effektiv idare etmek miimkiin olur.

244
 Tor-katod arah$nda tosir gdstoron elektrik sahesi mtisbet
anod vo menfi tor sahelerinin cobri comina beraberdir. To-
run biittin giiclendirme rejimlennde katoda nisbeten menfi
potensiala malik olmasrnr temin etmek iigiin onun drivresine
menfi siiriigme gerginliyi menbeyi E, qogulur.
Triodun katod ce-
reyanr anod vo tor co-
-Ja reyanlannrn cemine bo-
raber olur (l;J,+J) va
bu cereyanrn qiymeti
U, va U, gerginlikleri-
nin yaratdrfr timumi sa-
henin elektron seline
tesiri ile miieyyen edi-
lir. Rea[ sxemlerda menfi
$ekil 1l .2.Elektrovakuumlu trio- potensialm tora verihne-
dun ddvroyo qogulma sxemi
sini tomtn etrnek iigiin
torla katod arasrnda bti-
ytik tor miiqavimei (R;4,5-I MOm) qogulur ve onun vasitesile
torun hetta menfi gerginliklerde de tutdugu elektronlar katoda
qaytanlrr. Bununla da torda giiclendirilecak siqnal menbe-
yinden (d) asth olmayan potensiallann yaranmaslnln qar$rsl
ahnrr.
U70olarsa torun dcivresindon coroyan axrr ve anod
coroyanl azalrr. Briy0k anod cereyanr elde etmek igiin anod
gerginliyini yiiz voltlara qedor artlrmaq lazrmdrr.
Triodda coroyanln idare olunmasr hetta yiiksek tezlik-
larde de etaletsiz bag verir. Bunun sebebi odur ki, elektron-
lar katod-anod arahlrm gox kigik vaxtda kegirler vo anod
coroyam demek olar ki, tor gerginliyinin deyigdiyi terzde
deyigir. Tor d6vresinde anod cereyanrn idare olunmasrna
serf olunan gi.ic anod drlvresindeki giiciin deyiqen toplana-
nrndan az oldulu iigiin (R" >I,) triod girig (tor) dcivresine
verilen elektrik siqnahnr giiclendirmeye imkan verir.
245
 Crhazda tosir gdstoran iimumi elektrik sahesinin ve
anod cerayanrnrn qiymeti tor ve anod gerginliyinin qiyme-
tinden asrhdrr. Bu asrhhq triod iigiin "ikide iig" qanunu ile
ifade olunur:
J.*(UtDA)n,
burada G=2,3 j.1tr65,/rh2 - mtistavi konstruksiya ilgiin em-
sal; rp- katoddan tora qeder olan mesafedir.

Ja

.72=.e

xarakeristikalan

$ehl I I .3 . Elektovakuumlu Eiodun statik xardkt€ristikalan

Triodun asas xarakteristikalan anod Q;-f(U); Uf
=cons), anod-tor (J,=f(U); U,= const), tor (I7f@); U;
const) ve anod-tor (Jd@); UTconst) xarakteristikalandr (9e-
kil.l1.3).
Anodtor xarakteristikalannda J;0
hahna uyfiun tor
gerginliyine anod corayanrnm kasilma ve lampanm baflan-
ma garginliyi (Urn) deyilir. Onun qiymeti U;mn qiymetindan
ve lampamn konitu.ksiyasrndan asrhdrr. Qrnq xetlerle tor
xarakteristikalan ailesi g<isterilmigdir. Giiriindiiyu kimi, tor
cereyanl yalruz miisbet tor gorghliklorinde yaranr ve anod
gerginliyinin qiymati artdrqca tor cereyant azal-r.
Anod xarakteristtkalan U"=0 q'iymetinde koordinat ba$-
lanlrcrndan baglayrr, lalon U,4) hahnda U, artdrqca sa[a si.i-
246
riigiir. Bunun sebebi odur ki, menfi potensialh anod-tor
gerginliyi miiayyen qeder artmayana qeder elektronlan ano-
da buraxmrr. Yalntz anod gerginliyi tor gerginliyinin tor-
mozlayrcr tesirini kompensasiya etdikden sonra anod cere-
yanr artmala baglayrr. Tor gerginliyinin menfi qiymeti ne
qeder gox olarsa, anod xarakteristikasr bir o qeder sala sii-
riiLgmiig olur.
Triodun esas parametrlari aga!rdakrlardrr:
S--dJ rtdU U o:const - anod-tor xarakteristikasrmn
;
dikliyi-torun idaraetmo xi.isusiyyetini ifade edir, anodun set-
hi ile diiz, elektrodlararasr mesafeya eks mtitenasib olur
(S=1-s0 nA/v);
RfdU,tdJ; {/,=azsf-diferensial miiqavimet (1-
100kom) - elektrodlann 6lgiilerindan, lampanur i9 rejiminden
r
as olur ve anod gerginliyinin anod cereyamna tesirini
xarakterize edir;
p-du ; J.=constfrodun statik giiclandirma em-
"/dU
sah - tor gerginliyinin anod gerginliyine nisbeten anod cereya-
nrmn qiymetina ne qeder gox tesir etdilni xarakterize edir.
Menfi igaresi onu g<isterir ki, anod coroyamru sabit saxlamaq
iigiin U, ve U, mi.itleq eks iqareli artrmlar alnabdn (p4-100);
D
-dU /dU "; J 1,=const-lampanrn niifuzlulu[u-anod
gerginliyinin katod etrafindakr hecmi yiike elektrostatik te-
sirinin zeifleme derecesini g<isterir. Menfi igaresi onunla
elaqedardrr ki, "/o-nr sabit saxlamaq igiin U" va U,-nin deyig-
meleri bir-birine eks igareli olmahdrr.
Axrnncr iki ifadeni mtiqayise etsek grirarik ki, J,=0,
U,4) halnda J70 ve J;I. olsa pl/D olar. Triodun diferen-
sial parametrleri biri-birile lampanrn daxili tanliyi adlanan
a;afirdakr ifade ile baflrdrr:
PdR; ve YaSRP=/.
Triod katod, tor va anod dovrelerinin gerginlik, cere-
yan, miiqavimet ve giiclerinden bagqa elektrodlar arasrndakr

247
tutumlarla da xarakterize edirler. Bunlar triodun tezlik ve
kiiy xtisusiyyetlerini miieyyen eden iig tuh-rmdur:
C,n - tor-katod arasrndakr tutum (girig tutumu);
C,*- anod-katod araslndakr tutum (gxrg tutumu);
C,,- anod-tor araslndakr tutum (kegid tutumu).
Bu tutumlar elektrodlararasr fezada elektronlann olma-
sr, konstruksiyanrn elementlerinin temperaturun tesirinden
geniglenmesi ve izoleedicilerin dielektrik niifuzlulupunun
deyigmesi neticesinde deyige biler. Ozii de en gox dayigen
(30-50%-kimi) C,1 tutumudur.
Trioddan deyigen corayan dijvrelerinde istifade eder-
ken h-rtumlar uygun elektrodlar arahqlanm guntlayrrlar. Ki-
gik tezliklerde tuhrm miiqavimeti boyiik oldugundan bele
guntlayrcr tesir az olur. Tezliyin briyiik qiymetlerinde tutum-
lann guntlayrcr tesiri arfir ve cihazrn igina menfi tssir gds-
terir. Qrxrg tutumu yiik miiqavimetini guntlayaraq giiclendir-
me emsalrnt azaldt. C,o ve C,, tutumlan "dinamik glxl$ tutu-
mu" yaradr ki, bu da evvelki kaskadrn yiikiinii guntlayrr.
Bundan alava C, tutumu vasitasile giiclendirici sxeminde
rizii-6ziine heyecanlandrran parazit elaqe (grxrgla girig ara-
srnda) yararur. Elektrodlararasr tutumlar triodun iggi tezlik
diapazonunu ensizle gdirir.
Triodun deyigen coroyana gdsterdiyi miiqavimet kigik
olur ve bu da giiclendirme omsallnr Quve K,) azaldtr.
Triod da tranzistor kimi dtivreye iig sxem: iimumi katod-
lu, iimumi torlu ve iimumi anodlu sxemlerle qogula biler.
Elektovakuum riodlan giiclendirici ve generator sxem-
lerinde istifade olunur.
Diirdelektrodlu lampa-tetrod. Bu cihazda anodla tor
arasrndakr tutumun tosiri elektrostatik ekranlama iisulu ile
azald:Itt ve lelv edilir. Bunun iigi.in anodla idareedici tor ara-
srnda diirdiincii-ekranlayrcr tor yerlegdirilir (gekil 1.14).
Ekranlayrcr tor elektrostatik ekran rolunu oynaylr ve ona go-
ro tutumun qiymeti keskin azafu. Eynt zamanda anod sahe-
248
sinin katod yaxlnhglndakr potensial soddino tesiri azalrr ve
bunun naticesinde lampamn giiclendirme emsah ru,,) qoxalrr.
Tetrodun girigine deyigen siqnal verilende ekran torunun
caroyanrmn anod cereyanr kimi deyigmasi iigiin (giinki Ur-
deyiEir) ekranlayrcr toru bo-
yiik tutumlu C. kondensatoru
ile katoda birlegdirirlar. Kifa-
yet qeder siiratlendirici sahe
yarafinaq iigiin ekanlayrcr
tora R, miiqavimeti vasitesila
anod gerginliyinin 30-90%-i
qeder gerginlik verilir. Ekran-
layrcr lor-tetrodun statik xa- E.
rakteristikalannm formasrm
ve parametrlerini deyigdirir.
Tefodun esas xarakteris- $akil I L4. Tetrodun dtivraye
qogulma sxemi
tikalanmn gekil 1 1.5-de gds-
terilmigdir. Gdrtindiiyii kimi, anodun ve ekranlayrcr tonrn co-
reyanlan her iki tonrn ve anodun gerginliyinden asrhdr. Yalruz
U,S0 ve USO olanda anod ve ekranlayrcr tor drivresinde
corayan yamnlr. Anod gerginliyinin J, ve J,2 -yo tosiri
nisbeten zeifdir.

U.? U,
UPUo

Un -U,,
b)
")
Sekil I 1.5. Tekodun anod-tor vo tor xarakteristikalan

249
 Katod cereyanr anod va ekranlayrcr tor coroyanlmn ce-
mine beraberdir: J;-J"+J1. Cereyantn bu iki elektrod ara-
srnda paylanmasl U,-dan, U,2-don ve ikinci elektron emissi-
yasrndan asirdtr (I{=J,/J,2=f@/a). Uf,const ve U,;const
hahnda U,r-in artmasr (gektl 11.5b) tesir eden gerginliyin ve
J*=J.+Jo (U,;0 olanda J,,= 0) katod coroyanlnln artmaslna
getirib grxanr. Bu halda ,/, yalruz J;-nrn hesabtna arttr.
Anod xarakteristikasrndan gorihiir ki, (gekil ll.6), U.=0
olanda J,rX) olur, giinki U,2>0. U.-nn stfirdan baglayaraq art-
masl ovvelco anod cerayantnl artlnr, ekranlayrcr torun coro-
yanr ise ona miitenasib azahr (0-A hissesi). A n<iqtesinden
baglayaraq U,-rrn U,=U,2 qiymetine qeder artmast zamam
J, azalmapa,,/,, ise ona mtitenasib artmaga baSlayr. U,>U,,
qiymetinden baglayaraq (B noqtesi) "/, yeniden artaraq doy-
ma hahna gelib gatrr, "/,, ise ona miitenasib keskin azalrr.
G6riindiiyii kimi anod xarakteristikasr menfi miiqavi-
met (AB) sahesine malikdir. Bu tetroda xas olan esas menfi
cehetdir ve bunun sebebi lampada bag veren dinatron
effektidir.
Ja Dinatron effektinin
mahiyyeti ondadr ki, [/,-
nrn miieyyen qiymetlerin-
de elektronlarrn enerj isi o
qeder artrr ki, onlar anodun
sethine deyerken oradan
ikinci elektron emissiyasr
yaradrrlar. U, < U,2 olanda
u"=uo Ua (B n6qtesinden solda) ikin-
$akil I1.6. Tetrodun anod ci elektronlar ekranlaytct
xarakteristikasl tora gedir, J" azalt, J,2 ise
arlr. U,4J,, olanda (B noq-
te-sinden safida) ikinci elektronlar anoda qaytdtr ve J, yent-
den artma[a baglayrr. Xarakteristikantn menfi daxili miiqa-
vimetli hissesi yalmz generator rejiminde igledilir.
 Tetrodun diferensial parametrlonnin fiziki menasr tnod-
da oldulu kimidir.
Tetrodun deyigen cereyana gdsterdiyi miiqavimeti (,R,,)

triodunkinden gox olur.

Tetrod hem de keyfiyyetlilik
gristericisi ile xarakterize edilir:
G=ttt.
Begelektrodlu lampa-pentod.
Pentodda dinatron effektini legv er
mek iigiin anodla ekranlaycr tor ara-
srnda antidinatron (miidafie) toru
yerlegdirilir ve ona katoda nisbeten
azacrq menfi potensial verilir (gekil
l r.7).
Buna gdre anoddan gxan gekil 1t.7. pentodun ddv-
ikinci elektronlar bu tontn sahesini reye qopulma sxemi
def ede bilmir ve yeniden anoda
qaydrrlar. Miidafie toru kegid tutumunu C4 daha da
azaltmapa imkan verir. Yiiksek tezlikli pentodlarda ,R, (200
kOm - lMOm) ue F (1000-3500) artrr. Anod coroyanr
esasen f/,, -nin hesabtna artrr ve U,-dan az asrh olur (gekil
11.8).

u-iu-D>u",?u")
U",,
ui,

U.
Sekil I l.8.Pentodun statik xarakteristikalan
Bagqa-bagqa xarakeristikalara malik olan mi.ixtelif
goxelektrodlu lampalann movcud olmasr her defe konkret
251
teleblere (tezlik diapazonu, giiclendirme emsah ve s.) tam
cavab veren cihazlan segib istifade etmeye imkan verir.
Qeyd etmek lazrmdrr ki, yanmkegirici ve inteqral ele-
mentlerin yaranmasr elektrovakuum cihazlanntn tetbiq sahe-
sini gox keskin azaltmtgdrr.

I 1.2 Elektron-giia cihazlarr

Katoddan qrxan elektron selini elektrik ve maqnit sahe-

sinin vasitesile nazik elekfon giiasma qeviren cihazlara elek-
tron-giia cihazlarr deyilir. $iiamn formasr ve onun istifade
edilmesi cihazrn teyinattndan astltdrr. Bu cihazlar esasan
osilloqrafiyada, televiziyada, elektron mikroskoplannda ve
rentgen texnikasrnda iglenilir. Onlann xiisusi n<ivleri elek-
tron hesablayrcr magrnlann yaddag qurfulannda goxkanalh
qogucular kimi va yi.iklii hissecikleri siiretlendiren qur[u-
larda istifade olunur. Bele clhazlara elektron-giia borulart
deyilir.
Elektron-gtia borulan iig esas hisseden ibarot olur:
l) elektron topu (projektoru) - nazik elektron giiasr yaradrr
ve giianr borunun oxu istiqametinde yoneldir: 2) borunun
igerisinde giianrn istiqametini dayigdiran sistem: 3) liimi-
nessent ekran (onun her hanst bir ntiqtesine elektron dii-
gende o ndqte igrqlanrr).
$iianrn fokusla$drnlmasr ve istiqametinin deyigdiril-
mesi iisuluna gcire elekfion-qiia borulan iki esas hisseye b6-
liintir:
1) $iianr elektrostatik i.isulla fokuslagdlran vo istiqamo-
tini y<inelden borular;
2) $iianr elektrostatik sahe ile fokuslagdrran ve maqnit
sahesi ile y<inelden borular.
Elektrostatik idare sistemile igleyen borularda katod
iizerine oksid qatr gekilmig silindr formasrnda olur ve onu
siliudr qeklinde olan idareedici elektrod-modulyator ehate
edir (gekil I l.9a). Modulyatorun yan sethinde olan kigik de-
gikden (diafraqmadan) elektron giiasr kegir.
Akvadaq

giia borusunun qurulugu (a), onun fokusla{dlrlcr elektrik sahosi (b) vo

ekranda igrqlanan lekanin parlaqh[rnrn (B) vo II anodun caroyanlnln
modulyarorun gorginliyinden asrhhfr (c)

.E menbeyinden R, vasitesile modulyatora srfirdan -

50J00 V gerginlik vermekla Stianm coroyam (elektronlann
sayr) ve ekranda lekenin parlaqhIr tenzim edilir.
Modulyatordan sonra elektron giiasrnrn yolunda diaf-
raqmalan olan silindrgekilli I ve II anodlar yerlegdirilir.
Anodlara uy[un olaraq 300-1000 V ve 1000-5000 V gergin-
lik verilir. $iiamn fokuslagdrnlmasr modulyatorla I anod ara-
srndakr ve I anodla II anod arasrndakr elektrik sahelerinin
k6meyile heyata kegirilir. Bu elektrostatik saheler iki elek_
tron linzasr emele getirir (gekil ll.9D). Birinci linza giianr
birinci fokusa (Ir) yrlrr vs burada katodun yammn tesvin
ahmr. ikinci tinza birinci fokusdan sonra elektronlann arala-
gan trayektoriyalanm yeniden srndtnr ve onlan ekana daha
yaxrn olan ikinci fokusda (F r) y$r. R2 vasitesile I anoda ve-
rilen gerginlik deyigilerken elektron giiaslna tosir eden elek-
trik sahesinin ekvipotensial xetlerinin konfiqurasiyasr deyi-
gir ve bu ise optik linzanrn igrq giiasrna tesirinde oldulu kimi
elektron seline fokuslagdtnct tesir gdsterir. II anoda verilen
yiiksek gerginlik ham de elektron selinin ekrana teref here-
ketini siiretlendirir. Katod, modulyator ve anodlar birlikde
emisiya-fokuslama sisteminin elektron projektorunu tegkil
edir.
Ekranm igrqlanmasr onun iizerine igeriden gekilen lii-
minoforun (sink-sulfi d, sink kadmium, sink-silikat birlegme-
leri) kimyevi xasselerinden asrhdrr. igrq sagma siiretlenmig
elektronlann zerbesinden heyecanlanmtg liiminofor atomla-
nnrn normal veziyyete qayitmasr ile elaqedardtr.
Yuxanda izah edilen qayda ile fokuslaqdlnlan elektron
seli ekranrn ortastnda kigik parlaq hereketsiz leke emele
getirir.
Bu lekenin ekranda heraket etmesi iigiin elektron giia-
srmn boruda hereketi elektrik sahesi ile idare olunur. Bunun
iigiin qiia bir-birine perpendikulyar yerlegen iki ciit XX ve
YY ltivheleri arastndan kegirilir. Lrivhe ciitiine gerginlik
verende gtiLa miisbet ytiklenmig kivheye teref y<inelecek ve
ekranda igrqlanan leke <iz yerini dsyilocokdir. Har iki ciit
lovhelere eyni zamanda gerginlik verilande leke ekranda
miieyyen bir rayektoriya ile hereket edir (neticevi oyn 90-
kir). Ekranda lekenin hsreketinden altnan eyrinin gtirkemi
Itivhelere verilen gerginliyini amplitudu, fazast ve tezliyi ile
miieyyen edilir.
Siiretlenmig elektronlar ekanrn sethini bombardman
ederken ekrandan ikinci elektronlar glxlr ve onlar ekant
yiiksek menfi gerginlikle ytikleye bilerler. Onlann ekranda
va borunun divarlannda ylflhb qalmamasr iiqiin borunun si-
lindrik ve konusvan hisselerine igeriden nazik qrafit lay-
akvadaq gekilir ve onunla ikinci elektronlar II anoda axrdr-
lrr.
Elektron giiasrndakr coroyanln (II anodun cereyanmrn)
ve igrqlanan lekenin parlaqhfrnrn modulyatorun gerginliyin-
den asrhhgr gekil 11.9c-de g<isterilmigdir. Bu asrhhq elek-
trovakuumlu triodun anod-tor xarakteristikasrna yaxrndrr.
Borunun vacib parametrlerinden biri onun hassash[r-
drr. Hessashq lekenin ekranda xatti yerdeyigmasinin ve bu
deyigmeni emale getiren gerginliye nisbetine deyilir (IV
gerginlikden lekenin yerini nego sm deyigdiyini gosterir).
Hessashq borunun elementlerinin hendesi rilgiilerinden ve
siiretlendirici gerginlikden asrhdrr:
S=l,l/2dUa, ,
burada l, - ldvhelerin uzunlufu; /r- ldvhelerin ortasrndan ek-
rana qeder mesafe; d - l<ivheler arasrndakr mesafe; Ua, - II
anodun gerginliyidir (S=0,1 -1 mzr,/Zheddinde olur).
Hessashfir bdyiitmek iigiin y<ineldici l<ivhelerin <ilgtle-
rini b<iyiidiir ve onlara srnrq forma verilir.
Diger vacib parametr Iekenin igrqlanmasrnrn parlaq-
h[rdrr:
B=An(U-U)'1_,
burada,4-sabit kemiyyet; n-f saniya erzinde ekranrn sethina
dtigen elektronlann sayl; U- katodla ekran arasrndakl poten-
sial ferqi; U,-ltiminoforun igrqlanmasr iigiin kifayet eden mi-
nimal.gerginlikdir.
Ugi.incii parametr igrqlanmadan sonrakr vaxtrn dava-
miyyetidir. O, sabit intensivlikle bombardmanlama natica-
sinde yaranan igrqlanmamn ilkin parlaqhqdan I %-e kimi
azaldrpna qeder kegen mtiddetle xarakterize olunur. Bu
g<istericiye grire borular igrqlanmadan sonrakr mtiddeti qrsa
(0,01 saniyeye qeder), orta (0,01-0,1 san.) ve uzun (0,1-20
san.) olan borulara b<jlilniirler.
 Liiminoforun igrqlanmasr etaletli prosesdir: igrqlanma
liiminofor atomlannln elektronlan heyecanlanmasrndan 10'8
saniye sonra baglayrr.
Drirdiincti parametr ekramn igrqlanmasrnrn rengidir.
Bilavasite miigahide etmek tigiin istifade edilen borularda
yagrl reng veren liiminoforlar (sink-sulfid) istifade olunur,
gi.inki insanrn giizii yagrl rongo maksimal hessashq gdsterir.
Fotoqrafik qeyd tigiin istifade olunan borularda ise mavi igrq
sagan liiLrninoforlar i gledilir.
Ekanrn 1sm2 sethine diigen ayn-ayn ayrrd edilen niiq-
telerin ve ya xetlerin (setirlerin) sayrna borunun ayrrdet-
me qabiliyyeti deyilir. Bu parametri boytitmek tigiin qiianrn
diametrini kigiltmek lazrmdrr. $iia careyant ne qeder az ve
siiretlendirici gerginlik ne qeder gox olarsa, ayrrdetme qabi-
liyyeti bir o qeder gox olar. O, hem de li.iminoforun keyfiy-
yetinden asrhdrr.
Elektrostatik idare sistemli elektron-gi.ia borulanntn
menfi ceheti onlann hessasltlrnrn kigik olmasrdrr.
Bu borulann yiiksek i9 siireti onlan senaye elektroni-
kasrnda, radiolokasiyada, 6l9ii texnikasrnda ve s. iti si.iretle
geden proseslerin tedqiqinde istifade etmeye imkan verir.
Onlann komeyile 2Ohs-den 50 Mhs-e kimi tezliklerde bag
veren d<jvri prosesleri miigahide etmek olar.
B<iytik olgtilii ekranlara malik olan elektron-9tia bo-
rulannrn hazrrlanmasr zaruroti giianr maqnit sistemi ile idare
eden borulann yaradrlmastna getirib grxartdr.
Maqnitofokuslayrcr borularda l-ci elektron linzasr
elektrostatik saheli borularda oldugu kimidir. ikinci tinzanr
ise qrsa (diametri uzunluEuna yaxrn olan) fokuslaqdrncr in-
duktiv sarfac yaradrr (qekil I 1.10).
Bu sar[ac sabit coroyanla igleyir ve onun sarlac bo-
yunca qeyri-hemcins aksial-simmetrik maqnit sahesi topla-
yrcr liu:za rolunu oynayrr. Bele saheni fenomaqnit drtiikli.i
dairevi sarlaclar yaradtr.
 Oger elektronun siireti v bircins sahenin maqnit qiilve
xetlerine perpendikulyar olarsa, miieyyen siiretle bu saheya
di.igen elektron qiiwe xetlerine perpendikulyar olan mtiste-
vide dairavi heraket edecakdir.

c)

@ Ufqi ydneltme
@
|] 5aquti
I Ydnaltma

@
a)
$akil I I .10 $tianr maqnit sisremi ile idara eden elektron-tiia borusu-
nun qunrlugu (a), elekkonun siirot veklorunun maqnit induksiyasr
ile qargrhqh tasirinin elektronun harakotine tesiri @), elektronun
iig qarqrhqtr perpendikulyar miistavide harakat fiayekroriyasr fc/

Umumi halda elektron induktiv sargacrn oxuna nisboton mii-

oyyon bucaq alhnda harokot edir. Bu zaman elektron vint$o-
killi spiral iizre hereket edecekdir (gekil t 1.10 6,c). Maqnit
sahe induksiyasrmn radial toplananl B, ve elektronun siiret vek-
torunun y qaqdrqh tasirinden bunlara perpendikulyar olan F,
Lorens qiiwesi yaramr. Bu qilwenin tasirinden elektron yan
tecili alrr vo onun trayektoriyasr borunr.rn oxu boyunca fulanrr.
Elektronun siiret vektorunun maqnit induksiyasmrn borunun
oxu boyunca yerlegen iifqi toplanaru ,8, ile tasirinden ise radial
istiqametde tesir eden ve elektronu bonrnun oxuna teref
istiqametlendiren ,F, Lorens qiiwesi yaramr. Elektronun
strotinin vo maqnit induksiyasrnrn miieyyen nisbetlerinde
elektronlann trayektoriyalan ekran yaxrnhlrnda kesigir ve
gi.iLa fokusa getirilir.

Elektronun iig qargrhqlt perpendikulyar miistevide

hereket trayektoriyasr gekil l1.l0c-de gcisterilmiqdir. Bele
elektron-giia borulannda ydneltme sistemi oxlan qargtltqh
perpendikulyar yerlegmig iki ciit sarlaclardan ibaret olur.
Onlar borudan kegen ve onun oxuna perpendikulyar olan iki
maqnit sahasi yaradtrlar. $aquli oxlu sarlaclann maqnit
sahesi elektron giiasrm iifliqi istiqametde, iifuqi oxlu sar-
laclann maqnit sahesi ise giianr gaquli istiqametde y<ineldir
(gekil I1.109). Burada boru boyunca beraber hessashq elde
etmek iigiin sarfaclara x{isusi forma verilir, ekan ise sferik
hazrrlamr. Tebiidir ki, elektron giiasr sarlaclardan axan coro-
yanrn tesirinden heraket istiqametini deyigir. Borunun hes-
sashfr eloanda parlaq lekenin yerdeyigmesinin bu yerdeyig-
meni emele getiren cereyana (amper sarfaclarla) nisbeti
ile miieyyen edilir.
Bele borulann menfi ceheti onlann b<iyi.ik etaletliye
malik olmasrdrr. Ona gore onlan l0-20 khs-den yiiksek tez-
liklerde istifade etmek mi.imkiin olmur. Bundan elave maq-
nit ydneltme sistemi gox iri olur ve biiyiik gi.ic serf edir.
Maqnit idare sistemi qiiasrnrn ydnelme bucalt briyiik
(1000-ye qeder) olan, uzunlufu kigik borularda (kineskop)
ve polyar koordinatlarda tesvir almaq lazrm gelenda (radio-
naviqasiya ve radiolokasiya qur[ulan) igledilir.
Adi birgtialr borulardan bagqa goxqiiah borular da
mrivcuddur. Bunlann bir nege ydnoltmo sistemi ve bir ekra-
nr olur. Bele borular iki vo daha gox tedqiq olunan prosesle-
rin tesvirini ekanda eyni zamanda alma[a ve onlann arasrn-
dakr vaxt siiri.igmesini (ferqini) tehlil etmeye imkan verirler'
Elektronika qur[ulannda elektron-giia borulan esasen
altomatik sistemlerin igine nazaret zamant melumatt tesvir
etmek iigiin istifade edilir. Bu meqsed iigiin xiisusi herf gap
eden borular buraxrlrr. Bunlarda giia iistiinde igareler (sim-
vollar, herf, roqom vo s.) geklinde degiklar agrlmrg lovhe-
den-matrisadan kegirilir. Miivafiq roqom ve ya herfi segen
ydneltme sistemi qiianr uyfun degikden kegirir ve ekranda
hemin herfin, roqomin ve ya bagqa simvolun tesviri ahnrr.
Ekranda simvolun igrqlandrfir yer isa tinvan sistemi adlanan
ikinci ydneltme sisteminin komeyile miieyyen edilir.

11.3 Qazbogalmah (ion) cihazlar

Bu cihazlann igi qazlarda elektrik bogalmasr hadisesine

osaslanlr. Cereyanrn yaranmasl hem elektronlann, hem de
qaz mi.ihitinin ionlannrn hesabrna ba5 verir.
Qurulug cohetca bu cihazlar elektrovakuum cihazlanna
yaxrndrr, onlann tesirsiz qazlatla doldurulmug hermetik
balonun igerisinde yerlegdirilmig elektrodlardan ibaret olur.
Bogalmanrn n<ivtine grire bu cihazlar iki yere boltini.ir:
I )miistaqil bogalmah (soyuq katodlu) clhazlar; 2)
qeyri-miisteqil bogalmah (kozerdilen katodlu) cihazlar.
Miisteqil bogalmanr elde etmek ve saxlamaq tigi.in ke-
nar emissiya menbeyi teleb olunmur.
Qeyri-mtsteqil bogalmanrn (bogalmanrn mexanizmine
2-ci fesilde baxrlrr) elde edilmesi va saxlamlmasr iigiin la-
zrmi gerginlikli elektrik sahesinden bagqa emissiya menbayi
(termokatod, fotokatod, ionlagdrncr giialanma ve s.) teleb
olunur.
ion cihazlannda bogalmam elde etmek iigiin cihazrn
elektrodlanna miitleq miieyyen gerginlik de vermak lazrm-
drr. Bu gerginlik kcizermeni emele getiren yandrrma ger-
ginliyi adlamr ve onun qiymeti qazrn nriviinden, tezyiqinden
ve elektrodlar arasrndakt mesafeden asrh olur. Bogalmanr
uzun miiddet saxlamaq iigiin ise yanma gerginliyi teleb
olunur. Yanma gerginliyinin qiymeti yandrrma gerginliyi-
nin qiymetinden kigik olur.
ion cihazlannda coroyamn ion toplananr gox kigikdir
ve bu da ionlann elektronlara nisbeten kigik yiiriikliiye ma-
Iik olmasrdrr. Buna baxmayaraq miisbet ionlann m<ivcud ol-
masr elektrodlar arasrndakr potensialtn paylanmasrnrn xarak-
terini vakuumlu cihazlara nisbeten keskin deyigir (gekil
11.lla,b). Burada elektronlann yaratdrfr menfi hecmi yi.ik
miisbet ionlann ytikii ile kompensasiya olunur ve bu da ci-
hazdan kegen cereyanrn keskin artmaslna getirib grxanr.
Qazbogalma arahlrnda bogalmanrn agagrdakr bir nege
nrivfi bag vere biler:
Rr

$okil I l.l l.Qazbogalma arahlrnda (a) potensiahn paylanmasr

(b) ve bogalmanrn volt-amper xarakte stikasl (c)

l)qaranhq (sakit) boqalma - qeyri mtsteqil bogalma-

drr: Hecmi ytiki.in srxhfr az, coroyan srxhlr ise bir neqe
mA/sm2 heddinde olur. Tetbiq edilen gerginliyin sahesi
hecmi yiikden asrh olmur ve igrqlanma bag vermir. Bu bo-
galma elektron cihazlannda istifade olunmur, o, biittin bagqa
bogalma nrivlerinden ewel m<ivcud olur;

260
 2) kiSzeren boqalma-miisteqil bogalmadrr, burada qaz
komiir kdzeren kimi igrq sagrr. Cereyan s.xhlr 10A/sm2-e
qeder olur. Hecmi yiik elektrodlar arasrndakr gerginliyin
qiymetine tesir gosterir, bogalma gerginliyi 10-100 V hed-
dinde olur, bogalma ionlann zerbesinden katoddan ahnan
emissiya hesabrna saxlanrlrr. Bele bogalma stabilitronda, ti-
ratronda, indikasiya lampalannda ve dekatronlarda istifade
olunur;
3) qiivsi bogalma qeyri-miistaqil va miisteqil ola
biler. Cereyan srxhlr kozeren bogalmadan goxdur (100
A/sm2-e qeder). Bogalma krizeran katodun termoelektron
emissiyasr ve ya civali katodun elektrostatik emissiyasr
hesabrna saxlamlrr. Gerginlik (10-20n esasen katod yaxrn-
hlrnda olur. Bogalma coroyanrn boyi.ik qiymetinde kigik
gerginlik diiqgiisii vo qazrn intensiv igrqlanmasr ile xarak-
terize olunur. Qeyri-miisteqil bogalmah cihazlarda - cive
ventillerinde ve kino projektorlannda istifade olunur;
4) qrfilcrmh bogalma qdvsii boqalmaya benzeyir.
Qazrn yiiksek tezyiqinde (bir atmosfere qeder) qrsa miiddet-
li - impuls xarakterli bopalmadrr. Qrgrlcrmda biri-birinin ar-
drnca gelan bir nege impuls bogalmasr olur. Bele bogalma
ddvreleri qrsa miiddete ballamaq iigiin istifade edilen bo-
galdrcrlarda istifade olunur;
5) yiiksak tezlikli bogalma qazda hetta cereyan kegi-
ren elektrodlar olmayan halda da deyigen elektromaqnit sa-
hesinin tesirinden bag verir;
6) tacvari bo$alma-miisteqil bogalmadrr ve qazda,
yiiksek tezyiq geraitinde elektronlann heg olmasa birinin
ucunun iti (kigik ayrilik radiusuna malik) oldufu halda mii-
gahide olunur. Bu halda sahe qeyri-hamcins olur ve itilen-
mig elektrodun - anodun yanrnda saha gerginliyi keskin ar-
hr. Bogalma 100-1000 V gerginlikde bag verir vo coroyanrn
kigik qiymetleri ile xarakterize edilir. Bu bogalma gerginliyi

261
stabillogdiron cihazlarda, mosolon tacvan bogalmah stabili-
tronda istifade olunur.
Qazbogalmasr arahhlrntn volt-amper xarakteristika-
srndan (9ekil 1l.l lc) g6rtiniir ki, U,-nrn kigik (bir nege volt)
qiymetlerinde cihazdan kigik cereyan (1t17 A/m2 ) axr (a-b
hissesi). Bu cereyan qaz atomlannrn kosmik giialarla, igrq
seli ile ve bagqa amillerle ionlagmasr neticesinde yaranrr. U,
gerginliyinde bir n<iv doyma bag verir vo onun U, qiymetine
qeder arhrrlmasl coroyanl gox az arttnr (D-c hissesi),giinki
biitiin elektron ve ion ehtiyatlan tiikenmig olur. Gerginliyin
sonrakr artmasr caroyanl emele getiren elektronlann stiretini
o qodor artrnr ki, onlar toqqugmalar neticesinde qaz atomla-
rrnr ionlagdrra bilir. Bu halda ikinci ionlagma hadisesi bag
verir ve yaranml$ milsbet ionlarla katodun bombardman
edilmesi hesabma katodda ikinci emissiya yaranrr. Bu iki
amil cihazrn coroyanlnr bir qeder de artrnr (c-g hissesi). a-9
hissesindeki bogalma qeyri-mi.isteqil xarakter dagryrr, qi.inki
xarici tesirden bag veren ionlagma ile elaqedardrr. Xarici te-
sir kesilerse bu bogalma yox olar.
Gerginlik daha da artlnlarsa ikinci ionlagma va ikinci
emissiya siiretlenir ve gerginlik yandrrma (Ur) gerginliyina
gatanda ele veziyyet yaranrr ki, qazbogalma arahlrnda elek-
tronlann vo mi.isbot ionlann selvan artrmt baq venr. Qazda
bogalmaya katoddan ionlann zerbeleri neticesinda rurub
grxanlan elektronlann da komeyi olur. Bu halda mi.isteqil
bogalma bag verir ve cihaz yanma rejimine kegir. Yanma ve-
ziyyeti cereyantn sonrakt artmastnda da saxlamhr. Miisteqil
bogalmantn xarakteri konkret geraitden: elektrodlarrn forma-
srndan, qazrn terkibinden ve tezyiqinden, bogalmamn xarici
ddvresinin parametrlerinden (E,R) asrhdrr. Miistaqil bogal-
mada cereyan selvan arttr vo onun qiymeti xarici d6vranin
parametrleri ile mehdudlagrr (E A) -dan biiytik ola bilmez).
E, ve R-nin qiymetlerinden asth olaraq cereyamn sel-
van artmasl prosesi xarakteristikantn miixtelif ndqtalorindo
baga gatrr. Bununla elaqedar olaraq bir nege bogalma ha-
disesi bag verir: l) miisteqil qaranhq bogalma (i99i noqte c-d
sahesinde olur); 2) kegid veziyyeti (d-fl;3) normal ktizeren
bogalma (d-e); $ anomal k<izeren bogalma (e-a).
Kdzeren bogalma adi katod sahesinin parlaq igrqlanma-
sl ile elaqedardrr. igrqlanma katod sahesinde intensiv geden
ionlagma ve rekombinasiya proseslerinin neticesinde bag
verir. igrqlanmanrn rengi qazrn ntiviinden astltdtr. Ktizeren
bogalma R-in kigik qiymetlerinde ba5 verir. Cereyan l0r-10-r
ampere qeder arta biler, onun selvan artmasl miiqavimotda
garginlik di.iggtisiiniln artmasrna ve cihaza tetbiq edilen
gerginliyin azalmasrna getirib grxanr. K<izeren bogalmada
gerginlik diiggiisii 10 voltlarla miieyyen edilir ve o, yandtr-
ma gerginliyinin qiymetinden gox az olur. Bunun sebebi
odur ki, elektrodlar arasrndakr sahenin gox hissesi ytiksek
derecede ionlagmrg qazla doludur ve bu sahede miisbet ion-
lann ve elektronlann konsentrasiyasr beraber olan elektriki
cahetden neytral qazbogalma plazmast (cihazlann plazmah
adlandrnlmasr mehz bununla elaqedardrr) yaranrr ki, plaz-
mada da garginlik diiggiisii gox az olur. Katod yaxrnhfirnda
miisbet ionlann hecmi yiikii elektronlann yiikiinden qox
oldulundan burada b6yiik gerginlik diiggiisii ahnrr. Elektrik
sahe gerginliyi de artrr ve bu da ionlagmamn intensiviliyine
tasir g<istarir.
Normal ktjzeren bogalmada demek olar ki, biitiin cr-
hazda gerginlik diiggiisii sabit olur. Cihazdan axan coroyan
(R-in azalmasr ve E -nrn artmasr hesabrna) bogalmamn eha-
te etdiyi hecmin geniglenmesi (goxalmasr) naticesinde bag
verir. Bunu katodun igrqlanmasrnr miigahide etmekle 96r-
mek olar. Owelce igrqlanma yalnrz katodun kigik bir hisse-
sinde bag verir. Cereyan artdrqca igrqlanma biitiin katodu
ehate edir. Cereyamn "I,, qiymatinde bogalma bag veren sa-
henin geniglenmesi hesabrna coroyanl artrrmaq mtimki.in de-
yildir ve bu halda anomal k<izeren bogalma (e-a) baglayrr.
 Anomal kcizeren bogalmada coroyanm artmasl ancaq
katod sahesindo coroyan sxhlrntn artrnlmast hesabrna ola
biler ki, bu da cihazdakr gerginlik diiggtisiintin artmasr ile
elaqedardrr. Katod gerginlik diiggiisii sahesinde aynlan giic
ve katodun temperaturu arttr ve bunun neticesinde termo-
elektron emissiyasr bag verir. Bu yene de intensiv ionlagma-
ya getirib grxanr vo coroyan yena de selvari artrr (a). Bu
halda elektrodlar arasrnda qovs yaramr (qovsi bogalma bag
verir).
Cihazrn balonunda elektrodlar arastnakr fezada bag ve-
ren prosesler neden ibaretdir?
Katoddan grxan ve elektrik sahesi ile stiretlendirilen
elektronlar qazrn neytral atomlannt ionlagdrnrlar: neticado
miisbet ionlar ve ikinci elektronlar yarantr (gekil I 1. I la). Bu
proses elektrodlararasr sahenin vahid hecminde elektronlann
ve ionlann sayr biri-birine beraber olana kimi davam edir.
Bu halda elektronlann ve ionlann yiikleri tarazlagtr (plazma
yaramr) ve bogalma qovsiiLnde kegiricilerde oldulu kimi ce-
royamn axmasr iigiin $orait yarantr. Plazmada elektronlann
hereketi xaotik olur, lakrn onlann siireti elektrik sahesi bo-
yunca yonelmig toplanana da malik olur. Bu sahede gergin-
lik diiqgiisii de kigik olur. Katod yaxrnhlrnda elektrik sahasi
neinki elektronlan, hem de eks istiqametde hereket eden
ionlan siiretlendirir. Onlar katoda deyib ikinci emissiya
yaradrrlar ve onlann enerj isinin bdyiik qiymetlerinde katod
eriye biler.
Anod sahesinde geden proseslar elektron coroyanlntn
anod sathindeki srxhlrndan asrhdrr.
Oger anod coroyam elektronlann perakondo ceroyanl-
nrn srxhlrnrn anodun sethine hasiline beraber olarsa, onda
anodda gerginlik diiqgiisi,i yaranmrr (gekil I 1.1 10, 2 eyrisi).
Oger anodun sahesi kigik olarsa, onda anod plazmaya
nisbeten miisbet ytiklenir, elektronlar plazmadan anoda axrr
ve elektron seli xarici ytikiin (R) qiymeti ile mehdudlagana
qodor artrr. Bu halda miisbet gerginlik diiggiisii yaranrr
(gekil I 1.1 \b, 1 eyrisi).
Oger anodun sahesi b6yiik olarsa ve plazmadan gelen
elektronlann sayr yiikiin teleb etdiyinden gox olarsa, anod
plannaya grira menfi yiiklenir (gekil I I.116, 3 eynsi). Anodla
plazma arasrnda mi)sbet yiiklenmig ion orttiyii yaranrr ve bu
anodda gerginlik diiggiisiiniin igaresini deyigir. Anodla orttik
arasrndakr sahe elektronlann plazmadan anoda hereketine
oks tasir gristerir.
Bu halda yalmz kinetik ene{isi gox briyiik olan elek-
tronlar rirtiiyti kegib anoda gatrrlar ve az enerjili elektronlar
keriye-plazmaya qayrdrr.
Beie cihaza dayigen corayan verarken mtisbet yarrm-
dalfamn sonunda qovs s<intr, elektronlar ve ionlar cihazrn
divarlanna ve elektrodlara diffuziya edirler ve orada rekom-
binasiyalar bag verir. Bu proses ani - 0,001 saniye erzinde
bag verir. Polyarhq deyigende elektrodlar arahlrndan eks
ceroyan axrr. Bu coroyan qrivsiin s<inmesinin sonunda elek-
trodlar arasrnda qalan mi.isbet ionlann hereketi ile ala-
qedardrr. Oks gerginliyin biiytik qiymetlerinde onlann ener-
jisi artrr ve bunun neticesinde anod elektronlar emissiya ede
biler. Bu halda cihaz birterefli coroyan kegirme xrisusiyye-
tini itirir ve bu hadisaye eksine yandrrma deyilir.

11.3.1. Miistaqil bogalmah ion cihazlarr

Bele cihazlardan en genig yayrlanlanndan biri neon

lampalandrr. Neon lampalan iki elektroda malik olur, on-
lann balonlan neon iistiinltk tegkil etmek gertile 100-2000
Pa tezyiqle qaz qangrlr ile doldun:lur. Lampanrn elektrodla-
nna yandrrma gerginliyinden (t/r) artrq gerginlik verilende
qazrn ionlagmasr ba$laylr, balonda normal k<izeren bogalma
bag verir, cihazdakr gerginlik yanma (Ur) gerginliyine qeder
azalr va qaztn igtqlanmasr miigahide olunur (9ekil 1l.l2a).

Normrl giiza-

$ekil I 1.12. Neon lampasmtn volt-amper xarak-

teristikasr (a) va diivreye qogulma sxemi (b)

Parlaq qrrmrzt-nanncl i$tqlanma xiisusiyyeti bu lampalan

molumatl tosvir etmok iigiin genig istifade etmeye imkan ve-
rir.
Cihazrn uzun miiddetli iglemesini temin etmek iigiin
onun ddvrosino ardrcrl olaraq qiymeti aqalrdakr ifade ile te-
yin olunan R, miiqavimeti qogulur:
R; (Uo-U) /\.
burada U, - gebake gerginliyi; U, - yandrrma gerginliyi; ,/r-
yanma cereyantdtr.
Cereyantn en kigik qiymeti rgrqlandrrmada kifayet qe-
der parlaqhq elde etmek gerti ile, en boytik qiymeti ise uzun
mi.iddetli igi temin etmak gerti ile miieyyan olunur. Bu lam-
palar hem deyigen, hem de sabit cereyanda iqleye bilir.
Diger ikielektrodlu cihaz sabit cereyan drivrelerinde
gerginliyin sabit saxlanmasr iigiin istifade edilen stabilit-
rondur. Stabilitronlar k<izoron va tacvan bogalmah olur.
Stabilitron koaksial silindrik konstruksiyadan ibaretdir,
daxili nikel gubuq anod, onu ehate eden silindrik elektrod
ise katod rolunu oynaylr. Cihazrn balont 2,5-10 kPa tezyiqe
kimi tesirsiz qazlarla doldurulur.
 a)

$ekil I 1.13. Qazbolalmah stabilitronun voltamper

xaraktensnkasr (a) ve drivreye qopulma sxemi (6)

Cihazrn stabilleqdirme xiisusilyoti k<izerme rejiminde

katod gerginlik diiqgiisiiniin sabit qalmasrna osaslanrr.
Cihaza verilen yandrrma gorginliyi hemige stabilleg-
dirilen gerginlikden gox olur ( [/, > Ur). K<izaren bogalmah
stabilitronda dayanrqh kcizerme boqalmasrnda katodun yal-
nrz bir hissesi igrqlanrr vs cihazdan "I,r-; cereyant axrr (qekil
I l.l3a). Elektrodlararasr gerginliyin azacrq arttnlmasr kato-
dun igrqlanan sethinin ve bogalma coroyanlrun artmaslna so-
beb olur. Cereyanrn ,/,,-^ qiymetinde katodun biitiin sethi
igrq sagrr. Xarakteristikanrn iggi sahesi Io-; - Jn^o, arasrnda
olur.
YijLk cihaza paralel qogulur, limumi dovreye ise meh-
dudlagdrncr miiqavimet qogulur (qekil I 1.13b). Gerginlik
monbeyinin gerginliyi bele teyin edilir:
E = U"+ R^,r(Jn+J).
R,,,, ele segilir ki, menbe gerginliyinin ve yiik cere-
yamnrn (miiqavimetinin) verilmig qiymetlerinin deyigmele-
rinde stabilitrondan axan ceroyan J",^,,-dan 9ox olmastn.
Oger stabilitrondan axan coroyan xarakteristikanrn iggi sahe-
si heddinde olarsa, .E deyiqende mehdudlaqdrncr miiqavi-
metdaki gerginlik diiggi.isii de deyigir, lakin stabilitrondakr
ve yiikdeki gargintik dayiqmir. i99i noqte adeten xarakteris-
26',7
tikanrn ortasrnda segilir. Stabilitronun stabillegdirme gergin-
liyinden yiiksek gerginlikleri sabit saxlamaq iigi.in bir nege
stabilitron ardrcrl qogulur.
Cihazrn asas parametrleri yanma gorginliyi, U"o J,^no
J",-,,- dur.
Tacvan bogalmah stabilitronlar coroyanrn kigik qiy-
metlerinde ytksek gerginliklen (0,4-30 kI stabillegdirmek
iigtin istifade edilir. Onlan hidrogenle bir nege kPa tezyiqde
doldururlar. Tacvan bogalma qaan yiiksek tezyiqinde ve
keskin qeyri-hemcins elektrik sahesinde bag verir.
Xiisusi igare malumatrnr tesvir etmek iigiin normal ko-
zoron bo$alma rejimindo igleyen siqnal va indikasiya lam-
palarrndan istifade olunur. Onlann balonlan seyrek tesirsiz
qazla doldurulur. Katod roqom vo ya igare geklinde nixrom
meftilden diizeldirilir. Anod ve ya iki anod nazik torgekilli
olur (gekil ll.l4a).

odE
o
t2
lllllltr o

") b)
$akil 11.14. Siqnal lampasrnm qurulugu (a) ve
qopulma sxemi (6)

Elektrodlara gerginlik verende anodla katodlann birinin

arasrnda bogalma bag verir ve igrqlanan katodun formasr
reqem, herf ve ya igarani aydrn oxumala imkan verir.
 Belo lampalar gox davamh olur, az enerji serf edir ve
etibarh igleyir. Reqem indikasiya eden lampalar l0 katodlu
(0-9-a qeder ereb reqemleri) olur. Reqem-herf lampalarrnda
katodlar latrn ve yunan alifbalannrn herfleri ve bir gox riya-
zi simvollar (W, F, H,, V, S, O, A, H, +, -, Q, M, m, p, Yo)
qeklinde olur.
Reqem indikatorunun d6vreye qogulma sxemi gekil
I I . l4.b-de gosterilmigdir. Kommutasiya qurlusundan gelen
siqnallann her biri miiva-
fiq tranzistoru agr vo uy- Siise lovhe

lun katoda menfi poten-

sial verilir. Naticede bo-
galma iimumi anodla he-
min katod arasrna kegiri-
lir.
Melumatr tasvir et-
mok iigiin istifade edilen
cihazlardan biri de qazbo-
qalmah (plazmal) pa-
nellardir. Onlar krizeren
bogalmanm optik giialan-
masrru istifade edon gox- $ekil 11 .15. Qazbogalmah (plaz-
mah) panelin qurulugu
elekrodlu cihazlardrr. Bu
cihaz lara xas olan iimumi
konstruktiv olamat ondan ibaretdir ki, miixtelif cihazlarda
iki elektrod (anod ve katod) sistemi miivcud olur (9eki1
11.15). Bu elektrodlar yastr vo ya qofr gekilli giige kivhele-
rin iizerinde yerlegdirilir. $iige l6vhaler biri-biri ile iizerinde
matrisa sistemli degikleri olan dielektrik kivhe ile aralanrr.
Degiklerin oxu elektrodlarrn oxlannrn kesigme nriqtelerin-
den kegir. Bogalmanrn gdriinon giialanmasrnrn kenara grx-
masrna mane olmamaq iigiin zolaq gekilli elektrodlar geffaf
olurlar. Elektrodlar arasrnda feza bir nege yiiz paskal tezyiq
altrnda ya tomiz tosirsiz qazlarla, ya da qaz qangrgr ile
doldurulur. igrqlanma heyecanlanmtg qaz atomlannrn kigik
enerjili veziyyetlere kegmesi elo elaqedardtr. Qaz qan-
qr[rnrn terkibi elo segilir ki, ionlagma, hoyocanlanma ve
rekombinasiya hadiselerinin intensivliyi yiiksek olsun. Kci-
zeren bogalmanrn giialanma spektri infraqtrmvr, qtrmflr vo
ultrabeniivgeyi sahede yerlegir. Rengli panellerde liiminofo-
ru heyacanlandrrmaq iigiin gortinmeyen giialanmadan istifa-
de olunur.
Bogalmanr "yandrrmaq" iigiin panele kifayet eden ger-
ginhk (100-200 Iz) verilenda her hanst bir katodla anod ara-
srndakr yuvada (elektrodlarrn kesigdiyi yerde) krizeren bo-
galma bag verir. Gerginlik mtieyyen bir qaydada bir nege ka-
toda ve anoda verilerse, ayn-ayn niiqtelerin k<imeyile
istenilen gekli almaq olar. Matrisa tipli panellarde girig
indikasiya siqnallan vasitesile goxlu qazbogalma yuvalannrn
etibarlr ve sehvsiz qogulmastnt temin etmek gox getindir. i$
siiretini ve stabilliyini temin etmek iigiin har yuvada
ktimekgi bogalmadan istifade olunur.
Sabit cerayanla igleyen paneller hem de gox rengli
tesvir vere bilir. Bu halda yuvalann yan sethlerine miieyyen
rengli igrqlanma veren liiminoforlar gekilir. Osas (g<iy, yaStl
ve qrrmrzr) rengleri veren liiminoforlan olan yuvalan yanagt
yerlegdirmekle rongli tosvirlor ahnlr.
Deyigen cereyanla igleyen panellerin ayrrdetme qabi-
liyyeti 25-30 element/sm heddinde olur, bu n6qtalor arasln-
da 0,4-0,3 mm mesafeye uygun gelir. Sabit cereyanda igle-
yen panellerin aytrdetme qabilliyeti l2 element/sm-dir.
Dekatron gox katodlu ktizeren boqalmah cihazdrr. O,
disk gekilli anoddan vo onun etrafinda diiziilmiig iyneqekilli
katodlardan ibaretdir. Katodlann sayr 10, 20, 30 ve s. olur'
K<izeren bogalma anodla katodlardan birinin arasrnda bag
vererek o biri katoda kegir (bunun iigiin her katodun yantnda
1.2 altkatodlar yerlegdirilir). On impulsdan sonra bogalma
anodu ehato eden katodlara kegir. Bogalmanr bir katoddan
digerine otiirme sxemi elo qurulmugdur ki, 10 esas katodlar-
da bogalma altkatodlardan daha gox dayanrr. Osas katodun
son ntimresine gdre dekatrona daxil olan say impulslannrn
miqdan teyin edilir. 10 katodu kegenden sonra dekatronun
grxrgrnda impuls emele gelir ve bu impuls daha yiiksek mer-
tebeye aid olan dekatron iigiin girig impulsu olur.
Dekatronlar sayrcr qurlularda istifade olunur.

11.4 Vakuumlu liiminessent indikasiya elementleri

Bu cihazlar iizerine oksid qah gekilmig bilavasite

kozerdilen katoddan, tordan ve bir miistevide yerlagen bir
nege anoddan ibaret olur.
Cihazrn esasrnr giige ve ya gini tebeqe tegkil edir (ge-
kil- I 1. l6a). Bu tabeqenin seqmentli derinliklerinda (yuva-
lannda) ayn-ayn grxrqlan olan cereyan kegiren qatlar (anod-
lar) yerlegir. Bu qatlann iizarine liiminofor gekilir. Tebeqe-
nin iistiinde degikleri olan metal ekranlayrcr elektrod yerla-
fir.

/ tor

Itiminofor

Kegirici
H
qat b)
Qini esas Qrxrq

$ekil I l.l6 vakuumlu liiminessent indikasiya elementinin quru-

Iuiu (a), xarici goriinii$ii @) va seqmentlerin yerlegdirilmast (c)

Onun deqikleri mrivafiq seqmentlorin qargtstnda olur. Ek-

ranlayrcr elektroddan bir qeder arah tor ve daha yuxanda
oksidli katod yerlegdirilir.
2'1t
 $iige balon igoridon coroyan kegiren qatla ortiiliir. Tora
katoda nisboton menfi gerginlik vermekle elektron selini
tam kesmek ve liiminoforun igrqlanmasrnrn qargrsrm almaq
miimkiin olur. Anodlar igare sintez edon metal seqmentlor
qeklinde olur ve onlann iizerine liiminofor gekilir. Her bir
seqmentin aynca glxlil olur ve ona katoda nisbeten miisbet
gorginlik verilir. Katodla anod arasrnda yerlegen tor cihazrn
coroyanrnr idare etmek iigiindiir. Ona anod potensiahna ya-
xrn gerginlik verende onun sahosi elektronlan siiretlandirir
vo onlar tordan kegerek gorginlik verilmi$ olan anodlara
diiqtirler. Anodun sethine deyerken elektronlar ltminoforun
yagrl rengde igrqlanmasrnr emele getirir. Miieyyen igrqlanan
seqmentler toplusu lazrmi igareni tesvir edir. Bu tesvir katod
terefden giige balonun sethinden miigahide edilir. Torun
potensiah srfra yaxrn olanda ondan kegen elektron seli kigik
olur ve anod igrqlanmrr.
Reqem sintez edon vakuum-liiminessent indikasiya
elementinin xarici grirtiniigti, seqmentlorin yerlegme qaydasr
ve onlann formalan qekilde (D) g<isterilmigdir.
Bu cihazlar aramslz ve impuls rejimlerinde igleyir.
Reqem vakuumlu liiminessent clhazlar seyyar nozarat-
rilgii ve say-hesablama qur[ulannda molumatl onluq sistem-
de saymaq iigiin istifade edilir. indikasiya elementlerinin
sayr tesvir edilen 10-luq ededin mertebelerinin sayr ile mti-
olyan edilir.
Bu cihazlar hem miistevi, hem de silindrik balonlar
geklinde buraxrlrr. Silindrik gekilliler bir ve goxmertebeli,
miistavi gekilliler goxmortobali olur. Cihazlann ekseriyyeti
ciz idare sxemi vo qida menbeyi ile buraxrlrr.
Matrisa geklinde hazrrlanan crhazlar televiziya tesviri
almaq imkanr verir.

272
 11.5. Vakuumlu kiizerdilen indikasiya elementleri

Bu cihazlar igerisinde volfiam spiral geklindo hazrlan-

mrg tesvir elementleri yerlegmig vakuumlu balondan ibaret
olur (9ekil 11.17a). Kcizerdilon meftilin spiral gekilli olmasr
ve onlann birlegdirildiyi dayaqlann arasrndakr mosafonin
kigik olmasr qrzdrrrlarken moftillorin asrlmasrnrn qargrsrnr
alrr. Me{tiller 12500c-yo qeder qrzdrnldrlrndan onlar uzun
miiddat igleye bilirlar. Tesvirin yaxgr ahnmasr iigiin cihazrn
althgr. qara renglenir.
Indikasiya elementlerine her bir seqmentin grxrgr ile
iimumi grxrg arasrnda deyigen, sabit vo impuls xarakterli
gorginlik verilir. Elementin qrzmasr ani bag vermir, 0,2-0,25
saniye heddinde gecikme (gerginlik tetbiq edilenden parlaq-
h[rn dayamqh veziyyetindekinden 80%-e qodor olmasrna
sorf edilon vaxt) mtivcud olur.
Volt-amper xarakteristikasrndan gririiniir ki, cereyan
(demeli, hem de parlaqhq) gerginliye miitenasib keskin artrr
(gekil I 1. 176).
Dayaq
gubu[u

ra 23 4 5U.,v
b)
$ekil I 1.17 Vakuumlu k<izordilen indikasiya elemenrinin
qurulugu (a) ve volt-amper xarakteristikasr (6)

Bu elementler nisbeten bdytik cereyanlarda (onlarla

milliamper heddinde) igleyirler. Cihazrn f.i.e. kigik olur,
giinki totbiq edilen giiciin gox hissesi istilik kegiriciliyi ve
konveksiya hesabrna itirilir. Nezere almaq lazrmdrr ki, so-
yuq meftilin miiqavimeti kigik oldulundan heyacanlanma
siqnah verilende ilk anda coroyan iki defeya qeder keskin
arta biler.
impuls siqnah ile heyecanlanma zamanl meftilin ani
vo orta temperaturu keskin ferqlene biler ve bu elementin iq
miiddetine menfi tesir gristenr. Ona gore impulslann srxh-
lrnrn l2-den gox olmamasr meqsedeuylun hesab edilir.
Bu elementler parlaqllrna gore diger aktiv indikator-
lardan iistiindtiLr. Bunlann miisbet ceheti hem de ondadrr ki,
miixtelif igrq siizgeclerinin krimeyile ctirbeciir rengli tasvir-
ler almaq miimki.in olur.
Impuls gekillli ve deyigen gerginlikle heyecanlanma
zamant rezonans olmamasr iigiin 0-150 hs diapazonunda ve
500 hs-den yuxan tezliklerde iglemek meqsedeuylundur.

11.6. Vakuumlu ve qazboqalmall fotoelektron

cihazlarr

Vakuumlu ve qazbogalmah (ion) fotoelektron cihazla-

nnrn igi xarici fotoeffekt hadisesine esaslamr. Bu cihazlar
elektromaqnit qiialanmasrmn ene{isini elektrik siqnahna ge-
virirler.
Bu cihazlar senaye elektronikasr sxemlerinde insanrn
g<irme funksiyasrnr yerine yetiren elementler kimi, televizi-
yada, fototeleqrafda, siqnalizasiya qur[ulannda, rabitede,
elektron avtomatika sxemlerinde istifade olunur.
Bu cihazlara gox vaxt fotoelementlar de deyilir. Bu
cihazlann esas niimayendeleri vakuumlu ve qazbogalmah
fotoelementler va fotogoxaldlc ardrr. Konstmktiv cehetce
fotoelementler'iki elektroda-fotokatoda ve anoda malik olur-
lar (;ekil 11.18a). Elektrodlar giige balonda yerlagdirilir.
Vakuumlu fotoelementlerin balonunda 104-1ts Pa heddin-
2',74
de vakuum yaradir, qaz-
bogalmah foto-elementlerin
balonu ise 10-100 Pa lezyi-
qinde arqonla doldurulur.
Her iki tip cihazlarda is-
tifade olunan fotokatodlar
eyni oldulundan onlann db)
spektral xaraktenstikalan
eyni olur (gakil 11.19). Sokil I 1.18. Fotoelementin quru-
lupu (a) ve diivreye qoqulma
Fotokatod balonun da- sxemi &)
xili sathine gekilmig nazik
igrga hessas olan qatdan ibaretdir. Adeten giimtig-oksigen-
sezium, siirme-sezium ve goxqelevili fotokatodlar istifade
olunur. Spektrin ultrabenrivqeyi hissesinde igleyen cihazlar-
da siirme-kalium fotokatodlan igledilir. Anod nikelden mef-
til helqe, ilgek ve ya razik tor $aklindo diizeldilir ve igrq
selinin fotokatodun iizerina diigmesine mane olmur.

\-t
ut>ah>4
-/01

a,
u3
/b)

$okil 11.I9 Elektrovakuumlu (a,9,c) va qazboqalmah

(b,d,c) fotoelementlarin igrq (a,b), volt-amper (c,d)
ve spektral (9) xarakteristikalan

Fotoelemente xarici gerginlik verilende ve fotokatodun

i.izerine igrq seli diigende fotokatod elektronlan emissiya
edir ve cihazrn d6vresinden fotocereyan axrr (gekil 11.190).
2'15
Bu cereyan qiymoti iqrq seline miitonasib orx: Jr= 11p 1y-
fotoelementin inteqral hessashfirdrr). Bu cereyanrn netice-
sindo grxr$ gorginliyi de deyigir: Ur;JoRVKFRy.
Bu ifadeden gdrtiniir ki, igrq selini deyiqmekle grxrg
gerginliyini idare etmek olar.
Qazbogalmah fotoelementlerde tesirsiz qazrn balona
doldurulmasr hessashgt vakuumlu cihaza nisbeten bir nege
defe artrnr. Bu artrm cihazda qaranhq boqalmanrn yaranmasr
ile elaqedardrr. Bogalma noticosindo emele gelen ikinci
elektronlar coroyanl artlnr. Bu hadise qazla giiclondirmo
adlanrr ve qazla giiclendirmo omsah ile xarakterize edilir:
Kr=J, / J,. Burada Jr - qazbo$almah fotoelementin, f"- va-
kuumlu fotoelementin fotocereyanrdrr .
Elektravakuumlu fotoelementlerin giiclendirme emsah
6- l0 haddinde olur.
Elektrovakuumlu va qazbogalmah fotoelementlerin
esas xarakteristikalan gekil I 1.19-de gcisterilmigdir. Gortin-
diiyii kimi iqrq xarakteristikalan xetti xarakter dagrytrlar.
Volt-amper xarakteristikalanndan g6riiniir ki, vakuumlu ele-
mentlordo fotocaroyan gox tez doyma qiymetini alrr, giinki
katoddan grxan biiti.in elektronlar anoda gatmrg olur. ion
cihazlannda ise doyma hah miigahide olunmur, giinki anod
garginliyi artdrqca qaz ionlagrr. Gerginlik yandrrma gerginli-
yine gatanda miistoqil qaz bogalmasr bag verir vo foto-
element srradan gtxrr.
Vakuumlu fotoelementler iti siiretli cihazlardrr, onlarrn
tezlik xarakteristikalannrn iggi sahesi 1d-l0e Hs heddini
ehate edir. Bu cihazlar 50-900 C temperaturda igleye bilir.
Temperatur yiikseldikce termoelektron emissiyasr neticesin-
de elave coroyan emele gelir. Vakuumlu elementlerin ig
milddeti 1000 saata yaxrn olur.
QazbogalmaL clhazlar ionsuzlagma hadisesinin mov-
cudlulu ile elaqedar miieyyen etalate malik olur. igrq seli-
nin modulyasiya tezliyinin l0 kHs qiymetlerinde bunlann
216
hessashlr keskin azalrr. Bu cihazlann diger menfi ceheti
fotokatodun tez " yorulmasr " ve i9 mi.iddetinin az (700 saat)
olmasrdrr. Bu katodun miisbet ionlarla bombardman edilme-
si ile elaqedardrr.
Vakuumlu ve qazbogalmah fotoelementlerin esas para-
metrlori agagdakrlardrr:
1) inteqral hessashq -I lm igrq selinin yaratdrlr cere-
yan (vakuumlu cihazlarda 20-90 mkA/lm: qazboqalmah ci-
hazlarda ( 150-200 mkA/lm);
2) spektral hassashq - fotoelementin miieyyen dalfa
uzunluqlu (monoxromatik) igrq seline hessashlr ;
3) qaranhq carayanr - iErq seli olmayan halda drivre-
den axan coroyan (bu cereyan iki hissede ibaretdir: Kato-
dun termoelektron emissiyasrndan ahnan termocoroyan vo
balonun giigesinin ve alhnrn hecmi ve sethi kegiriliciyi hesa-
brna emele gelen srzma cereyanr).
Cihazlar fotorele ve fotodlgmo rejiminde igleyirier. Fotorele
reJiminde cihaz iki dayamqh veziyyete: qogulrnug (igrq olanda)
ve agrlm4 (igrq olrnayanda) malik olur. Fotoolgme rejiminde
cihazm coroyanr igrq selinin deyigmesi neticesinde deyigir.
I9 rejimini xarakteristikalar asasrnda se9irlar.
Fotoelektron goxaldrcllarl elektrovakuumlu cihazlara
aiddir ve onlarda fotoelekhon emissiyasrnrn cereyanr ikinci
elektron emissiyasr coroyanl hesabrna artrnlrr.
Birkaskadh cihazlar i.ig elektroda - fotokatoda, yiik-
sek ikinci elektron emissiyasr emsahna malik olan dinoda
ve elektronlar iigiin "geffaf' olan anoda malikdirlar (gekit
ll .20a) ). Dinoda anoda nisbeten daha az mtisbet potensial
verilir. Fotokatodlardan grxan ilkin elektronlann bir hissesi
anoda gahb onun drivresinde ilkin cereyan yaradrr. Onlann
diger hissesi anoddan kegib dinoda deyir ve onun sethinden
ikinci elektronlan lurub grxanr. Bunun neticesinde cereya-
nrn qiymeti qoxalrr. Dinod dovresindeki coroyan katodun
caroyandan gox ola bilor: Ja=xI* (r-lkinci elektron emissr-
yasr emsahdrr).
Qoxkaskadh goxaldrcrlarrn 10 -15 dinodu olur. On-
larda l-ci dinoddan 91xan ikinci elektronlar daha ytiksek po-
tensiala malik olan 2-ci dinodu, 2-ci dinoddan grxan ikinci
elektronlar 3-nii ve s. bombardman edirler (gekil ll.20b).
Dinodlann sayr n olarsa yiik cereyant Jr=o'I1 o\tr.
Nezeri cehetden bele cihazlarda fotoelementin hessash[rm
milyonlarla artrrmaq olar. Lakin praktiki olaraq ikinci elek-
tron selinin hamrstnt sonrakr dinoda istiqametlendirmek
miimktin olmadr!,rndan 100 minlerle 10 milyon arastnda
giiclendirme elde edilir. Qoxkaskadh fotogoxaldrcrrun d6v-
reye qogulma sxemi gekil 11.20c-de gtisterilmigdir.
Bele cihazlann giimeyile lOi -lm heddinde igrq selle-
rini tilgmek miimkiindiir. Bundan kigik igtq sellerinin <ilgiil-

Sakil I t.20. Birkaskadtr (a) va goxkaskadh (6) fotoelektron

goxaldtctsrntn qurulugu ve goxkaskadh cihazm
d<iwaye qosulma sxemi (c)
mesi katodun termoelektron emissiyast vo dinodun avtoelek-
tron emissiyasrndan yaranan qaranhq ceroyanlrun fluktuasi-
yasr (deyigmasi) sebebinden miimktin olmur.
 Bu cihazlann volt-amper ve spektral xarakteristikalan
vakuumlu fotoelementlerin xarakteristikalanna uyfundur. Tezlik
xarakteristikasr vakuumlu fotoelementa nisbeten daha pisdir,
giinki 1000 Mhs-den yiiksok tezliklorde elektronlann katod-
dan anoda ugma vaxtr oziinii g<isterir.
Fotogoxaldrcrlann miisbet ceheti yiiksek hassashq,
menfi cahetleri ise konstruksiyantn miirekkebliyi, yiiksek
deyeri ve yiiksek gerginlik menbeyinin olmasrdtr.
Cihazlann esas parametrleri: anod gerginliyi (200-
2300V), dinodlar arasrndalu garginlik (50-150V), inteq-
ral hessashq ( l - 100 A/lm) ve hiidud (hiss oluna bilan mini-
mal iqrq seli) hessashlrdrr.

279
 ODOBiYYAT
(rus dilinde)

l. Aeaes H.A., Hayvoa IO.E., @polrcr.rx B.T. OcHoerr rvrr.rrpo-

3neKTpoHr,rKH: Yqe6Hoe noco6ue An, By3oB. - M.: Pa4uo ll csrsr,,
199 I .-288c.
2. Esrcrpoe I0.A., Mnponeuxo I4.f. 3rexropHHr,re qenH u
ycrpo crBa: Vqe6Hoe noco6r.re An, 3neK'rporexH. H 3Hepr.
ayson.-M.: Bscruag uro.rra, 1989-287c.
3. Eepe:un A.C., Moqa,rrcHra O.P. Texgororns a KoHcrpy[poBa-
Hr{e r.rHTerpaJrr,Hbrx MHKpocxeM: Y,{e6. noco6He Arc ey:os. [Ioa
peg. I4.fl.Crenaueuro - M.: Paguo u caass, 1983-232c.
4. Br.rHorpa.qon IO.B. Ocnosrr 3nexrpoHHo nonynpoBoAHrlKo-
Bo rexHHKH. - M.: 3ueprur, 1972. - 534 c.
5. f op6aves f .H., E. E.9an-nuruu flpousrtrl.neHHaf, 3;reKrpoHrlxa
Mocrsa.: 3Heproaroura.qar, I 988r. 320c.
6. fcpruyncrrafi E.C. Ocnossr sneK,poHHKrl H Ml.{Kpo3neKTpo-
Hlrrn: Y.re6Hprx. K.: BHcIrraq rxKona,l989.- 423c.
-
7. fycee B.f., fycee IO.M. 3,rer<rponxxa. Yqe6soe noco6ue 4rr
ay:oe. - M.:Bsrcura, uJKoJra., 1991.-622c-
8. Epo$eeo [O.H. Huny.nrcHa, rexHHKa: Yue6.noco6ue g.ru pa-
a[orexH. cnerI.By3oB.-M. :Bbrcua, uKojra., I 984.-39 lc.
9. Erprauoe H.E., Ko:srps I4.H., fop6yHor IO.H. Murposrexrpo-
sura. @u:nqecxne u rexHojroruqecxr4e ocHoB6l, HaaexHocrr,:
Yqe6. noco6ue g,rr npN6opocrpour.cneq.By3oB. - M.: Bsrcruas
urxo.ra, 1986.-464c.
10. Xepe6uoa l4.fl. Ocuoeur sreKrpoHlrxlr. JI.: 3Hepruu, 1985
I L 3a6pognH IO.C. flpolrsrur,reHHafl 3,'IeK'IpoHHxa: Vqe6HHx arq
aysos.-M. :Bsrcurafl urKoJra, 1982.-49 6c.
12. 3axapoa B.K. 3:rexrpoxuue 3reMeHTLI aBroMarHKLI. Yqe6nrx
An, By3oB. Llzg.Z-e, nepepa6. k Aon.Jl.,"3Heprus", 1975.-351c.
13. 3axapoe B.K., Jlsrnaps IO.H. 3nexrponHbre ycrpo crBa
aBTOMarHKr.r r.r reJreMexaHHKH: vqe6sur 4rr ay:oe.-Jl.:3nep-
roaroM143Aar. JIeur,rHrpag. ort.-|984-432c.
280
14. Kpaoronpournua A.A., Crapxena B.A., Kpaeeq fl.H. 3,rer-
TpoHr{Ka Lr MuKpocxeMorexuuxa, 9acrr 2, 3:rerrpoHuue yc-
rpoficrna npoMHuneHHofi aBToMarHKn. Yqe6nux.-K.: Butqa
uxora, 1989.-303c.
l5-KpNuraQoaru A.K., TpuQourox B.B. OcHosu npouuut.neu-
nofi slexrponuxu: Y.re6Hr.rr An, 3nercrpopaAHorexH. H sneK'rpo-
npu6opoc'rporr. cneu. rexHHKyMoB -M.: Bbrcrxa, urrona 1985.-
287 c.
16. Murpoo,nexrposxxa: Yqe6. noco6ue an, By3oB. B 9 xunurax
/[Ioa pe,q. JI.A.Kore4oea. KH. <D]rsll.{ecxue ocHoau QyurquoHN-
poBaHrur rz,3Ae:nuit MHKpo3JreKTpoHr.rKH /O.B.MurpoQanoo,
B.M.Cuuonoa, JI.A.KoreAos.-M.: BHcura.{ uKona, I987-I68c.
17. Ocnosn npoMhr[ueHHofi 3JreKTpoHHKH: Y,ie6. Arc 3neKrpo-
rexH.cneu.B)aoB /B.f.fepacnuoe, O.M.KHr:uroa, A.E.Kpano-
norrcKnf, B.B.Cyxopyrou; floa pel. B.f .lepacNuora.-M:
BHcurac uxola, 1986-336c.
18. Ocaosu nponuurlenuofi 3aeKrpoHr.rKr.r. Hcaxoa IO.A., flna-
roHon A.fl., PyAeuro 8.C., CeHrxo 8.H., Tpr.r$oHrox 8.B.,
IOAITH E.E. - K.:- Texunra, 1976, -544c.
19. flporrluurenHar sneKrpoHuKa. Yqe6. AJu By3oB /A.l4.Kor-
nrpcKr,rfi, C.fI.Mr.xraurescxxfi, JI.f.HayuxNua, B.B.flaareuro-
M.: He4pa 1984:, -248c.
20. flpouuur,renHafl 3neKrpoHuKa- M.: He4pa, 1984r.
21. Py4eurco 8.C., CeHxo B.H., TpxQonrorc B.B. flpu6opsr n
ycrpoficrra npourrur.nenxofi srercrpoHuxx.-K.: TgxHHra, 1990.-
368c.
22. C'renasenxo H.fl. Ocnossr reopHn rpaH3ucropoB h rpaH3Hc-
ropHsrx cxeM. Vsgaaue BTopoe, nepepa6. u 4on.-M.: 3uepru.a,
1967-615c.
23. C'renauenxo H.fl. Ocnogu Mr,rKposneK'rpoHr,rxu. Yqe6Hoe
noco6ne .qnr aysos, -M.: Coa.pagr.lo, 1980-424c.
24. Tytos H.M., fre6oe 8.A., 9apurou H.A.- florynpoaogHlr-
xosue npu6opsr. ,ftr cry4enroa eyson. -M.: 3neproa.rour:gar
1990r .-57 6c .

28r
25. 3lexrpoHnsre npn6opu: Y,re6HHr An, By3oB /B.H.[ynun,
H.A.Asaeg, B.fl..{errauH H .qp.: floa pe.q. f .[.llluuxnHa.-M.:
3Heproarouu:4ar. I 989 .-496c.
26. Yuraxog B.H., AorxeHxo O.B. 3rexrpoHuKa: or rpaH3uc-
ropa ao ycrpofcrsa -M.: Paa oucgssr. 1983.-320c.

(Azarbaycan dilinde)

27. Abdullayev H.B., iskanderzade Z.O. Yanmkegirici

geviricilar, Bakr.: Elm, 1974.
28. Vakuumlu vo plazmah elektronika. Metodik vesait,
Bakr.: Azerb.DNA-nm no;ri, 1999,44 s.
29. Davudov B.B., Dagdemirov K.M. Radioelektronikanrn
esaslan, ders vesaiti. Bakr.: BDU-mn negri 1992.
30. Eyvazov E.O. Yanmkegiricilar fizikasrndan xiisusi kurs.
Bakr.: APi-nin negri. I hisse, 1980,
31. ioffe A.F. Yanmkegiriciler ve onlann tetbiqi, Z.Kazrm-
zadenin redaksiyasr ila Bakr.: Azernegr, 1958.
32. Kaqanov i.L. Senaye elektronikasr, Bakr.: 1966.
33. Mikroelektronika (metodik vasait), Bakr.: Azerb.DNA-
run negri, 1999, 32 sah.
34. Talibi M.O., Qeribov M.A., Hacryev M.C. Mikroelek-
tronika. Bakr.: Elm, 1976.
35. Tahirov V.i. Milaokegiricilar fizikasrnrn osaslan, Dors
vesaiti, Bakr.: <Maari6>, 1984.
36. Ferecov V.C. Mikrosxemlerin ve mikroprosessorlanntn
texnologiyasr vo konstruksiya edilmesi (Hibrid inteqral
mikosxemler), ders vesaiti, Bak.: 1991.
37. Ferecov V.C. Yanmkegirici inteqral sxemler, Ders vesa-
iti, Bakr.: AzTU-nun negri 1996.

282
 MUNDoRiCAT

On sdz. 3
GitiS. .. 4
l. Elektrik siqnallan ve onlann elektrik diivrala-
rindan kegmasi 9
1.1. Siqnallarrn tesnifah va asas parametrlari. . . . . 9
1.2. Deyigen siqnallarrn esas xarakteristikalarl . . . 19
1.3. Impuls gakilli siqnallann asas xarakteristika-
larr.... 22
1.4. Elektrik dtiwalarinin asas xarakteristikalan . . 26
1.5. Siqnallarln elektrik diivraleri vasitesile gevril-
mosi vo iitiiriilmasi proseslari 3l
1.6. Elektron qurfulannrn elektrik diivralsrinin
esas xiisusiyyetlari . . . 40
2. Elektron cihazlannm isinin fiziki asaslart...... 57
2.1. Elektron cihazlarr haqqrnda iimumi molumat . . 57
2.2. Elektronlann elektrik va maqnit sahalerinde
harakati 58
2.3. Elektron emissiyasrnrn niivlari . 59
2.4. Qazlarda elektrik coroyanr 62
2.5. Berk cismin zona nazeriyyasinin asaslan.
Enerji zonalarl .,.... 64
3. Yanmkegiricilar elektronikasmu asaslan ..,.. 68
3.1. Yanmkegirici materiallar haqqrnda iimumi
malumat 68
3.2. Yarrmkegiricinin maxsusi kegiriciliyi vo onun
temperaturdan asdrh$.......... 69
3.3. Yanmkegiricinin agqar kegiriciliyi vo onun
temperaturdan gsrhh[r.
3,4. Elektronlann yanmkegiricilerda paylanmasr
ve hareket etmasi qanunlarr 77
3.5. Elektronde$k kegidinin xiisusiyyatlari. Kegidin
volt-amper xarakteristikasr . . . . . . . . .
3.6. Yarrmkegiricilarde kegidlerin diger niivlari . . 92
3,6.1. Yarrmkegirici - metal kegidi 92
3.6.2. Yanmkegirici - dielektrik kegidi . . . . . . . . . . 98
3.6.3. Heterokegid... 100
3.7. Yanmkegiricilerde seth hadiselari 101
3.8 Yarrmkegiricilarde elektromaqnit giialanmasr.
Daxili fotoeffekt hadisesi. 104
3.9.Yarrmkegirici elementlarin hazrrlanma
texnologiyasr 106
4. Yanmkegirici parametrik elemen ar 109
5. Yanmkegirici diodlar . 113
5.1. Diizlendirici diodlar 113
5.2. impuls diodlarr 116
5.3. Stabilitronlar .... 118
5.4. Tunel diodlarr 119
5.5. Varikaplar t2t
5.6. $ottki diodlarr 124
6. Bipolyar tranzistorlar . t27
6.1. Bipolyar tranzistorun i9 prinsipi 128
6.2. Bipolyar tranzistorun qogulma sxemleri va
statik xarakterisikalan 133
6.3. Bipolyar tranzistorun dinamik rejimi ve
dinamik xarakteristikalan 146
6.4. i9 rejiminin vo temperaturun bipolyar tranzis-
torun parametrlerine tesiri 151
6.5. Bipolyar tranzistorun ekvivalent sxemlori vo
parametrler sistemi .. f 55
7. Unipolyar tranzistorlar . 164
7.1. p-n kegidli unipolyar tranzistor 164
7.2.MDY- tranzistoilar 170
8. Tiristorlar 175
9. Yanmkegirici lotoelektron cihazlar 179
9.1. Fotoelektron giialandrncr cihazlar 179
9.2. Fotoelektron qiiaqebuledici cihazlar ......... f87
9.3. Optoelektron ciitlari 205
10. Mikroelektronika 2tt
10.1. Mikroelektronika elementleri 212
10.2. Inteqral mikrosxemlerin tasnifah 216
10.3. Yarrmkegirici inteqral mikrosxemlerde ele-
mentlorin hazrrlanmasr 221
10.4. Hibrid inteqral mikrosxemlerda elementlarin
hazrrlanmasr 231
11. Vakuumlu va plazmah elekton cihazlan . . . 239
1 1.1. Elektrovakuum cihazlarr 240
I 1.2. Elektron-giia cihazlarr 252
11.3. Qazbogalmah (ion) cihazlar 259
11.3.1. Miistaqil bogalmah ion cihazlarr 265
11.4. Vakuumlu liiminessent indikasiva
elementlari 271
11.5. Vakuumlu kiizardilen indikasiya
elementleri 273
11.6. Vakuumlu va qazbogalmah fotoelektron
cihazlarl 274

Odabiyyat 280
Qeydlar