そしりはしりの英語
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英訳・英語 abuse、revilement、vilification、insult、contumely
「そしりはしり」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5件
半導体装置200は、シリコン基板110上に受光素子領域120と、回路素子領域130と、受光素子領域120を除くシリコン基板110上に形成された多層配線領域210とを有する。例文帳に追加
This semiconductor device 200 includes: a photoreceptive element region 120 on a silicon substrate 110; the circuit element region 130; and a multilayered wiring region 210 formed on the silicon substrate 10 excluding the photoreceptive element region 120. - 特許庁
好ましくは、シリコン層3は、能動素子領域となる主領域を含み、ゲッタリング領域は、シリコン層3のうち、主領域以外の部分に含まれる。例文帳に追加
Preferably, the silicon layer 3 includes a main region that becomes an active element region, and the gettering region is included in a part other than the main region within the silicon layer 3. - 特許庁
トレンチ4の上方には、シリコン酸化膜5bが形成され、このシリコン酸化膜5bの上に、素子領域に形成された半導体素子の電極メタル6から延引されたフィールドプレート6aが形成されている。例文帳に追加
A silicon oxide film 5b is formed above the trench 4, and a field plate 6a extending from an electrode metal 6 of a semiconductor element formed in an element region is formed on this silicon oxide film 5b. - 特許庁
この半導体装置は、シリコン基板1と、そのシリコン基板1上に形成されたシリサイド層2と、そのシリサイド層2に間隔を隔てて複数配置されたフィールド酸化膜3からなり、素子領域の外部に形成されたモニターパターン部7と、シリサイド層2及びフィールド酸化膜3上に形成された層間絶縁膜4と、を有する。例文帳に追加
This device is composed of a silicon substrate 1, a silicide layer 2 formed on the silicon substrate 1, and field oxide films 3 formed on the silicide layer 2 separated from each other by a certain space and equipped with a monitoring pattern 7, formed outside an element region and an interlayer insulating film 4 which is formed on the silicide layer 2 and the field oxide films 3. - 特許庁
誘電体層2は、シリコン基板1の表面に形成された第1の埋込酸化膜10と、素子領域に対向して第1の埋込酸化膜10の下に形成されたシールド層11と、シールド層11の周りに形成された第2の埋込酸化膜12と、シールド層11および第2の埋込酸化膜12の下に形成された第3の埋込酸化膜13とを含む。例文帳に追加
Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12. - 特許庁
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