w/aを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 518件
(w) A monitoring equipment shall be provided. 例文帳に追加
ム 監視装置を設備すること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
The mode of the stream (one of the values "r", "r+", "w", "w+", "a", "a+") must be compatible with the mode of the file descriptor. 例文帳に追加
ストリームのmode("r", "r+", "w", "w+", "a", "a+" のいずれか) はファイル記述子のモードと互換のものでなければならない。 - JM
The cut length L1 is obtained by a relation: width of the recording paper W ×(A/B).例文帳に追加
この切断長L1は、記録紙幅W×(A/B)で求められる。 - 特許庁
On the outermost peripheral surface of a silicon wafer W, a protective coat Wa is formed.例文帳に追加
シリコンウェーハWの最外周面に保護膜Waを形成する。 - 特許庁
The film deposition apparatus 100 includes: a treatment container 1 for housing a wafer W; a substrate heater 11 for heating the wafer W; a holding member 21 for holding the wafer W; a stage 31 as a raw material supporting part; and a raw material heater 41 for heating a solid raw material.例文帳に追加
成膜装置100は、ウエハWを収容する処理容器1と、ウエハWを加熱する基板ヒーター11と、ウエハWを保持する保持部材21と、原料支持部としてのステージ31と、固体原料を加熱する原料ヒーター41と、を備えている。 - 特許庁
The CPU 200 calculates a weight W (a, i) set for each of the plurality of image data F(a).例文帳に追加
CPU200は、複数の画像データF(a)ごとに設定される重み付けW(a,i)を算出する。 - 特許庁
Surface roughness index φ=φ0×K2/D×Σ (K1×L×P/W)...(A).例文帳に追加
面荒れ指数φ=φ0・K2/D・Σ(K1・L・P/W)・・・・・(A) - 特許庁
The sipe has a width W, a depth Ds, and an effective length Le.例文帳に追加
サイプは、幅W、サイプ深さDs、および有効サイプ長Leを有している。 - 特許庁
When finishing the child window W, a prescribed animation is displayed on the display area S.例文帳に追加
子ウインドウWを終了する際に、所定のアニメーションを表示領域S上に表示する。 - 特許庁
Heating of a workpiece W, a pressurizing and a voltage application are carried out at the same location in a heating tank 2.例文帳に追加
ワークWの加熱、加圧及び電圧印加を、加熱槽2内の同一位置で行う。 - 特許庁
The correcting element 13 can suppress an aberration W_A including the arrow-shaped aberration generated in the optical path by imparting an aberration having the opposite polarity to the aberration W_A.例文帳に追加
補正素子13は、光路中で発生する矢形収差を含む収差W_Aに対して逆極性の収差を与えることによって、収差W_Aを抑制できる。 - 特許庁
A relation between a magnetic resistance WA in an actuating space formed by the armature 11, the core 6, and the yoke 1 and a magnetic resistance WR in a peripheral space between the core flange 8 and the yoke 1, WA<WR is established.例文帳に追加
アーマチャ11とコア6及びヨーク1間の作動空隙の磁気抵抗W_Aと、コアフランジ8及びヨーク1間の周辺間隙の磁気抵抗W_Rとの間には、W_A<W_Rの関係が成立する。 - 特許庁
This machine tool is provided with a workpiece support means 3 such as a spindle 8 for supporting a workpiece W; a slide 9 movable with respect to the workpiece support means 3 in order to machine the workpiece W; a machining means 4 such as a tool rest 10; and a control means 2.例文帳に追加
ワークWを支持する主軸8等のワーク支持手段3と、ワークWに加工を行うためにワーク支持手段3に対し移動自在な送り台9,刃物台10等の加工手段4と、制御手段2とを備える。 - 特許庁
In a susceptor 20 for mounting thereon a semiconductor wafer W, a susceptor supporting member 8 is provided for supporting the susceptor 20 by contacting it with the rear surface of the susceptor 20.例文帳に追加
半導体ウェーハWを搭載するサセプタ20には、裏面に当接してこれを支持するサセプタ支持部材8が設けられる。 - 特許庁
In a method for MOCVD processing for forming a copper thin film on a semiconductor wafer W, a Cu(hfac)tmvs is used as a copper material liquid.例文帳に追加
半導体ウエハW上に銅薄膜を形成するためのMOCVD処理方法において、Cu(hfac)tmvsが銅原料液として使用される。 - 特許庁
When performing rinsing on the semiconductor substrate (W), a rinse liquid made of an alkaline chemical or an organic solvent is used.例文帳に追加
半導体基板(W)に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 - 特許庁
On the surface of the wafer W, a gate insulating film composed of the high-permittivity material is formed together with a silicon oxide film, and a polysilicon film etc.例文帳に追加
ウエハWの表面には、高誘電率材料からなるゲート絶縁膜が、酸化シリコン膜やポリシリコン膜などとともに形成されている。 - 特許庁
After a porous low-k film 62 is formed on the surface of a wafer W, a resist film 64 having a prescribed circuit pattern is formed on the film 62.例文帳に追加
ウエハWの表面に多孔質low−k膜62を形成し、その上に所定の回路パターンを有するレジスト膜64を形成する。 - 特許庁
These HRF-binding peptides have an amino acid sequence of (A, L or W)-X-X-X-X-(A, L, S or W)-(A, P or M), respectively.例文帳に追加
(A,LまたはW)−X−X−X−X−(A,L,SまたはW)−(A,PまたはM)のアミノ酸配列を有するHRF結合ペプチド。 - 特許庁
A preferable welding condition is that an output is 50-300 W, a laser beam diameter is 0.3-1 mm, and moving velocity is 1 mm/sec. to 15 mm/sec.例文帳に追加
上記溶接条件は出力50W〜300W、レーザービーム径0.3mm〜1mm、移動速度1mm/秒〜15mm/秒が好ましい。 - 特許庁
When a rotary blade 60a cuts a web W, a rotary blade 61a retracts from the web W.例文帳に追加
回転刃60aがウェブWを切断しているときには、回転刃61aはウェブWから退避している。 - 特許庁
In formula I, R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6, R^7, W, a, b, and c are as specifically defined.例文帳に追加
ここで、R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6、R^7、W、a、bおよびcは、本明細書中で定義したとおりである。 - 特許庁
The CPU 200 synthesizes a plurality of corrected image data F(a) by using the weight W (a, i) to generate high resolution image data.例文帳に追加
CPU200は、補正された複数の画像データF(a)を、重み付けW(a,i)を用いて合成して、高解像度画像データを生成する。 - 特許庁
In formula I, R^1, R^2, R^3, R^4, R^5, R^6, R^7, W, a, b, and c are as defined in the specification.例文帳に追加
ここで、R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6、R^7、W、a、bおよびcは、本明細書中で定義したとおりである。 - 特許庁
As an example of the workpiece W, a cage of a constant velocity joint having six or eight apertures, namely, windows 2 can be cited.例文帳に追加
ワークWの一例として、6または8つの開口すなわち窓2をもった等速ジョイントのケージが挙げられる。 - 特許庁
In equation (2), w_a is a length in the x-axis direction of the projecting part, h_a is a number selected from a range of 0.56w_a≤h_a<0.58w_a, and k_a is a number selected from a range of -0.039≤k_a<-0.027.例文帳に追加
ただし、(w_aは凸状部のx軸方向の長さ、0.56w_a≦h_a<0.58w_a、−0.039≦k_a<−0.027) - 特許庁
In equation (2), w_a is a length in the x-axis direction of the projecting part, h_a is a number selected from a range of 0.53w_a≤h_a<0.56w_a, and k_a is a number selected from a range of -0.027≤k_a<-0.013.例文帳に追加
ただし、(w_aは凸状部のx軸方向の長さ、0.53w_a≦h_a<0.56w_a、−0.027≦k_a<−0.013) - 特許庁
This heat treating apparatus comprises a heat treating plate 71 for placing a base plate W, a heater 72, a heater controller, a cooling jacket 73 and a control unit.例文帳に追加
熱処理装置は、基板Wを載置する熱処理プレート71と、ヒータ72と、ヒータコントローラと、冷却ジャケット73と、制御部とを備える。 - 特許庁
In the operating liquid W, a bumping source 26 of 0.1-50 wt.% of the liquid W is mixed.例文帳に追加
作動液Wには、作動液Wの0.1〜50wt%の突沸発生源26が混入されていることを特徴とする。 - 特許庁
While the work holding mechanism 10 being rotated at a prescribed speed in the state that it holds the work W, a prescribed amount of an adhesive is discharged out a nozzle 31.例文帳に追加
ワークWを保持した状態でワーク保持機構10を所定速度で回転させながらノズル31から接着剤を定量吐出する。 - 特許庁
In this ultraviolet erasable semiconductor memory, the channel width W_A of a MOSFET of one side of the two MOSFETs constituting the memory cell is formed narrower than the channel width W_B of the MOSFET of another side.例文帳に追加
メモリセルを構成する2つのMOSFETの一方のチャネル幅W_Aを他方のチャネル幅W_Bより狭く形成する。 - 特許庁
When the supply position P is in the non-device region S2 of the water W, a relatively large output is imparted to the cleaning liquid.例文帳に追加
一方、供給位置PがウエハWの非デバイス領域S2にあるときは、洗浄液に比較的大きい出力が付与されている。 - 特許庁
When the electrode interval is set to an L and the electrode size in the direction intersecting orthogonally with the electric field is set to W, a W/L>2 is set.例文帳に追加
電極間隔をL、電界と直交する方向の電極寸法をWとすると、W/L>2に設定されている。 - 特許庁
A cleaning number 44 is provided with a cleaning part 441 for cleaning a substrate W, a holding part 422 for holding the part 441 and a support part 443.例文帳に追加
洗浄部材44は基板Wを洗浄する洗浄部441、洗浄部を保持する保持部442および支持部443を備える。 - 特許庁
Based on the dew condensation state of the test object W, a control section 42 of the regulator 4 controls a temperature/humidity generator 3.例文帳に追加
そして、被試験物Wの結露状態に基づいて、調節器4の制御部42が温湿度発生器3を制御する。 - 特許庁
1... a rubber elastic body, 2... the bottom part, 3... the side part, 4... the crown part, 5... the hollow part, 6... a stopper, 50a... the cavity part, W... a wheel and S... a segment.例文帳に追加
1‥ゴム弾性体、2‥ボトム部、3‥サイド部、4‥クラウン部、5‥中空部、6‥ストッパー、50a‥空洞部、W‥ホイール、S‥セグメント。 - 特許庁
A sandwiched unit includes: a card insertion/discharge hole; a card R/W; a storage portion for storing general cards; and a card transfer mechanism.例文帳に追加
台間ユニットは、カード挿入/排出口と、カードR/Wと、一般カードを収納するための収納部と、カード搬送機構とを備えている。 - 特許庁
After the end of chemical treatment process to a wafer W, a shielding board 3 is descended from an isolate position to a proximity position.例文帳に追加
ウエハWに対する薬液処理工程の終了後、遮断板3が離間位置から近接位置に下降される。 - 特許庁
Of the belt 13, at a central part and both ends in a width direction W, a clearance with an upper surface of the paper layer is different.例文帳に追加
ベルト13のうち、幅方向Wの中央部と両端部とは、用紙層の上面との間隔が異なっている。 - 特許庁
In advance of the application of the punch machining to the workpieces W, a through-hole Wa is punched through the stacked workpieces W by a punching mechanism 16.例文帳に追加
ワークWに対するパンチ加工に先立って、打ち抜き機構16により積層ワークWに貫通孔Waを打ち抜く。 - 特許庁
As the cylindrical molded product W, a rod-shaped or cylindrical product is used without being restricted to a hose or the like.例文帳に追加
長尺状円筒成形体Wとしては、ホース等に限定されず、竿状のものや筒状体のものであれば、特に限定されるものではない。 - 特許庁
On the surface of the wafer W, a copper wiring film and an insulating film composed of a low-K material are formed.例文帳に追加
ウエハWの表面には、銅配線膜および低誘電率材料からなる絶縁膜が形成されている。 - 特許庁
When a film is formed on a surface of a substrate W, a drive motor 16 is first driven to rotate a turn table 14 supporting the substrate W.例文帳に追加
基板W表面に成膜を行う場合、まず駆動モータ16を駆動して基板Wを支持するターンテーブル14を回転させる。 - 特許庁
As the reagent is supplied to a plurality of positions of the surface peripheral part TR of the substrate W, a time required for etching removal of a thin film is shortened.例文帳に追加
基板Wの表面周縁部TRの複数箇所に薬液が供給されるため、薄膜のエッチング除去に要する時間が短縮される。 - 特許庁
Since the position of the support surface 21a of the support member 21 is conformed to the supported surface position of the workpiece W, a clamp distortion can be suppressed.例文帳に追加
支持部材21の支持面21a位置とワークWの被支持面位置とが一致するのでクランプ歪みを押えることができる。 - 特許庁
On both sides of the bending part W, a center conductor connecting pattern 21 and a shield connecting pad 22 are arranged so as to be aligned in one line.例文帳に追加
折り曲げ部Wの両側には、中心導体接続用パターン21とシールド接続用パッド22とが一列に並ぶ様に配置される。 - 特許庁
The anisotropically shaped powder contains a second perovskite type compound containing at least Ca and Ti as a main phase, its developed surface is composed of the pseudo-cubic (100) plane, and also an aspect ratio (w_a/t_a) of the maximum length (w_a) of the developed surface to a thickness (t_a) is two or more.例文帳に追加
少なくともCa及びTiを含む第2のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方{100}面からなり、かつ、その厚さ(t_a)に対する前記発達面の最大長さ(w_a)のアスペクト比(W_a/t_a)が2以上である異方形状粉末。 - 特許庁
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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