ElectrnicaIndustrial

Tema3.FundamentosdeElectrnicaAnalgica
3.1.Introduccin
3.2.Componenteselectrnico.
3.3.Componentespasivos
3.4.Dispositivossemiconductores:
Materialessemiconductores:tipos.UninPN:polarizacin.
NivelesderesistenciaDC,ac dinmicayac promedio.
Capacidadesdedifusinytransicin.Tiempoderecuperacininversa(t
rr
).
Una seal analgica es aquella que puede tomar
un nmero infinito de valores en un intervalo de
tiempo, a diferencia de la seal digital, que como
sabemos slo puede tomar dos valores de tensin
definidos por los niveles lgicos (1, 0).
Puede ser:
Continua: la corriente no cambia de sentido con
el tiempo.
Alterna: la corriente cambia de sentido con el tiempo.
Seal alterna peridica: la ms utilizada es la sinusoidal, aunque tambin podemos
encontrarnos con seales con forma de onda cuadrada, triangular y diente de
sierra.
Parmetros que definen una seal alterna peridica:
Forma de onda
Amplitud.
Frecuencia
Desfase.
Para la seal sinusoidal: Vi = Vmax sen ( t + )
Vi = valor de tensin en cada instante t. (voltios)
Vmax. = valor mximo o de pico. (voltios)
= pulsacin de la seal (2 f ) = (2 / T ) (radianes/segundo)
= desfase con respecto al origen (radianes, grados o segundos)
* REPASO DE CONCEPTOS Y DEFINICIONES DADAS EN FISICA II Y
TEORA DE CIRCUITOS, sobre tensin elctrica; intensidad elctrica; valor
instantneo, mximo, medio, eficaz; potencia; energa; resistencia e impedancia.
Un componente electrnico puede definirse como un elemento indivisible
que realiza una funcin fsica simple por s solo, si es utilizado de
manera adecuada.
Se suele encapsular, generalmente en un material cermico, metlico o
plstico, y terminar en dos o ms terminales o patillas metlicas.
De acuerdo con el criterio que se elija podemos obtener distintas
clasificaciones.
1. Segn su estructura fsica:
Discretos: son aquellos que estn encapsulados uno a uno, como es el
caso de los resistores, condensadores, diodos, transistores, etc.
Integrados: forman conjuntos ms complejos, como por ejemplo un
amplificador operacional o una puerta lgica, que pueden contener
desde unos pocos componentes discretos hasta millones de ellos. Son
los denominados circuitos integrados.
2. Segn el tipo de encapsulado:
Montaje convencional (THD): disponen de terminales dispuestos axial
o radialmente sobre el cuerpo del componente.
Para el montaje del componente en una placa de
circuito impreso se precisa del taladrado de la
misma. La insercin de los terminales del
componente en los agujeros proporciona,
adems de la conexin elctrica una
vez soldados, una sujecin mecnica del
componente a la placa.
Montaje superficial (SMD) el tamao de los terminales suele ser
mucho ms pequeo y se montan (sueldan) sobre la superficie de la
placa de circuito impreso sin necesidad del taladrado. Para conseguir la
sujecin mecnica se utiliza un pegamento especial.
2. Segn el material base de fabricacin:
Semiconductores
No semiconductores.
3. Segn su funcionamiento
Activos: proporcionan excitacin elctrica, ganancia o control.
Pasivos: son los encargados de la conexin entre los diferentes
componentes activos, asegurando la transmisin de las seales
elctricas o modificando su nivel.
Los componentes pasivos ideales son:
* La resistencia elctrica, que se opone
al paso de la corriente elctrica y que
produce una disipacin de energa en
forma de calor. Se mide en Ohmios.
* El Condensador o Capacitor, que es capaz de almacenar energa en
forma de campo elctrico. No disipa calor y de mide en Faradios.
Est formado por un par de superficies
conductoras, generalmente en forma de
lminas o placas, en situacin de influencia
total (esto es, que todas las lneas de
campo elctrico que parten de una van a
parar a la otra) separadas por un material
dielctrico o por el vaco.
Las placas, sometidas a una diferencia de
potencial, adquieren una determinada carga elctrica, positiva en una
de ellas y negativa en la otra, siendo nula la variacin de carga total.
* La Bobina o Inductor, que es capaz de almacenar energa en forma de
campo magntico. No disipa calor y de mide en Henrios.
Un inductor est constituido usualmente por una
cabeza hueca de una bobina de conductor,
tpicamente alambre o hilo de cobre esmaltado.
Existen inductores con ncleo de aire o con ncleo
hecho de material ferroso (por ejemplo,
acero magntico), para incrementar su capacidad
de magnetismo.
Debido al fenmeno de la autoinduccin, almacena
energa en forma de campo magntico.
Existen diferencias entre el comportamiento ideal y el real de
cualquier componente electrnico.
Todos los componentes reales se comportan elctricamente como una
combinacin de dispositivos o componentes ideales.
Esta combinacin da lugar al modelo o circuito equivalente:
Resistor Capacitor(AC) Inductor(AC)
Las condiciones de temperatura y de frecuencia de la seal influyen sobre el
valor de los componentes ideales del modelo o circuito equivalente.
Cada componente tiene unas propiedades fsicas (elctricas,
mecnicas) que permiten definir su comportamiento con precisin
siempre que se cumpla con determinadas condiciones: sus
especificaciones tcnicas (Datasheet).
Los fabricantes y distribuidores de componentes electrnicos facilitan
estos Datasheet a travs de sus webs y publicaciones:
www.vishay.com
http://es.farnell.com/
Un componente semiconductor es aquel que puede comportarse
elctricamente como un conductor o como un aislante, dependiendo de
las condiciones a las que se someta: campo elctrico, magntico,
temperatura, radiacin incidente, .
Valores tpicos de resistividad:
Conductor (cobre): 10
-6
ohm-cm
Semiconductor (silicio): 50 x 10
3
ohm-cm
Aislante (mica): 10
12
ohm-cm
Criterios para eleccin de materiales semiconductores:
Se pueden obtener niveles muy altos de pureza.
Pueden modificarse sus caractersticas conductoras mediante la
introduccin en su estructura cristalina de elementos extraos
(dopado).
* Enlaces covalentes en su estructura.
Un semiconductor intrnseco es aquel en el que no existen
prcticamente impurezas en su estructura.
A temperatura ambiente algunos enlaces pueden
romperse, dejando huecos (+p) en los enlaces y
electrones libres (-e).
Portadores intrnsecos ; n
p
= n
e
Un incremento de temperatura aumenta la energa
disponible para que ms electrones rompan el enlace
covalente.
Aumento de portadores de corriente reduccin de resistencia
El movimiento de los electrones sin un campo elctrico aplicado es
errtico recombinacin (corriente de difusin).
Un semiconductor extrnseco es aquel semiconductor intrnseco que ha
sido sometido a un proceso de dopado: introduccin de tomos de
otros elementos en la estructura cristalina del semiconductor.
Intrnseco tipo N (As, P, Sb) tipo P (B, Ga, I)
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama
tomos donores o impurezas donadoras.
Un semiconductor extrnseco tipo N la
concentracin de electrones, a temperatura
ambiente, es superior a la de huecos:
n
e
> n
p
Portadores mayoritarios: e
Portadores minoritarios: p
Elctricamente es neutro (protones = electrones)
Un incremento de temperatura aumenta el nmero de enlaces
covalentes rotos y se puede llegar a que n
e
n
p
(125 C Si)
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les llama
tomos aceptores o impurezas aceptadoras.
Un semiconductor extrnseco tipo P la
concentracin de huecos, a temperatura
ambiente, es superior a la de electrones:
n
p
> n
e
Portadores mayoritarios: p
Portadores minoritarios: e
Elctricamente es neutro (protones = electrones)
Un incremento de temperatura aumenta el nmero de enlaces
covalentes rotos y se puede llegar a que n
p
n
e
(125 C Si)
Si se aplica un campo elctrico (E; V/cm)) en los extremos de un
material semiconductor, los electrones y los huecos son acelerados y
adquieren la velocidad de desplazamiento (cm/s):
V
desplazamiento p
=
p
E

p:
movilidad de los huecos
(Si 480 cm
2
/V s)
V
desplazamiento e
=
e
E

e:
movilidad de los electrones
(Si 1350 cm
2
/V s)
Al unir un semiconductor tipo P con otro tipo N obtenemos el diodo
semiconductor.
Lado P: nodo (A)
Lado N: ctodo (K)
La flecha del smbolo del diodo indica el sentido (convencional) de la
corriente mayoritaria.
Una vez unidos los dos semiconductores, se produce una corriente de
portadores de carga mayoritarios de cada tipo de semiconductor
(huecos en tipo P y electrones en tipo N) recombinndose en las
proximidades de la unin: Regin de agotamiento o zona de carga
espacial, libre de portadores de carga.
Aparecen en el lado del semiconductor P unos iones cargados
negativamente y en el lado N otros iones cargados positivamente.
Las cargas de ambos lados hacen que se forme una campo elctrico que
produce corrientes de desplazamiento que compensan las de difusin.
El campo elctrico va aumentando con el paso de portadores
mayoritarios del lado P al N y viceversa, hasta que se establece un
equilibrio y la corriente de difusin se anula prcticamente.
En esta situacin de equilibrio el potencial
en la unin (barrera de potencial) es:
0,7 V para el Silicio (tpico a 25 C), y de
0,3 V para el Germanio (tpico a 25 C)
> TENSIN UMBRAL <
Polarizacin del diodo:
Sin polarizacin aplicada (V
D
= 0 V)
El flujo neto de la carga en cualquier direccin para un diodo
semiconductor es cero.
Con polarizacin inversa (V
D
< 0 V):
Aumenta el nmero de iones en la regin de agotamiento aumenta la regin de
agotamiento y la barrera de potencial que impide la circulacin de portadores
mayoritarios.
S hay corriente de portadores minoritarios: Corriente de saturacin inversa
(Is).
Mxima tensin inversa: zona de ruptura.
Con polarizacin directa (V
D
> 0 V):
Disminuye el nmero de iones en la regin de agotamiento disminuye
la regin de agotamiento y el valor de la barrera de potencial,
permitiendo que los portadores mayoritarios puedan atravesarla
atrados por el potencial exterior.
Sigue existiendo corriente de saturacin Is
I
D
= I
mayoritario
Is
Potencia disipada:
P
Dmax
= I
Dmax
V
Dmax
Ecuacin de la corriente que circula por el diodo en cualquier tipo de
polarizacin (Modelo del diodo de Shockley):
Se puede simplificar a:
Donde V
T
= tensin trmica (26 mV para Silicio, a 25 C)
I
D
= Is e
V
D
/V
T
1
( )
= Is e
V
D
/V
T
Is
Polarizacin directa:
cuadrante superior derecha
Intensidad en miliamperios, tensin en voltios
MXIMA CORRIENTE EN DIRECTA (I
F
)
Polarizacin inversa:
cuadrante inferior izquierda
Intensidad en microamperios, tensin en
decenas de voltios.
TENSIN DE RUPTURA (V
R
)
Efectos de la temperatura sobre la corriente y
la tensin en el diodo:
Is aumenta al doble por cada incremento de 10 C
Supongamos el siguiente circuito:
La ecuacin de la malla es:
Recta de carga: se dibuja sobre la grfica de salida
del dispositivo (curva I
D
-V
D
).
Para obtener los puntos de interseccin de la
recta de carga sobre los ejes de la grfica, se toma
la ecuacin de la malla y se aplican las condiciones
del corte:
Para V
D
= 0 I
D
= V/R
Para I
D
= 0 V
D
= V
V = iRV
D
;
donde
i = I
D
El punto de operacin del diodo (Q) viene condicionado por el valor de
la carga aplicada (R
L
)
Al aplicarse una tensin continua, los valores del
punto de operacin no varan en el tiempo, si se
mantienen las condiciones en la carga.
La resistencia DC o esttica del diodo es:
El valor de la R
D
:
Aumenta en la zona de la curva (izquierda de V
DQ
)
Pequeo incremento de I
DQ
produce gran incremento
de V
DQ

Disminuye en la zona lineal (derecha de V

R
D
=
V
DQ
I
DQ
Si, en lugar de una tensin continua, se aplica una seal con una
componente DC (continua) que tiene sumada una componente AC
(alterna), debido a la variacin de esta seal, tambin variar el punto
de operacin del diodo, en torno a (I
DQ
, V
DQ
).
La resistencia ac o dinmica del diodo es:
Para valores de I
D
altos (zona
perpendicular de la curva del diodo),
el valor de r
d
es pequeo.
Para valores de I
D
pequeos, el valor de r
d
es grande.
r
d
=
AV
D
AI
D
Cuando la amplitud de la seal AC es del orden de 10 - 30 mV (pequea
seal), aplicando la ecuacin de Shockley al circuito de la figura:
Podemos obtener la expresin aproximada
de la corriente que atraviesa el diodo:
D
T
d
T
D
d
d
T
D
d
d D D d
T
D
D D
I
nV
r
nV
I
r
v
nV
I
i
i I i v
nV
I
I i
= = =
+ = + ~

1
; : donde
;
Por ltimo, si la seal aplicada es lo suficientemente grande como para
provocar una gran variacin (excursin) en el punto de operacin del
diodo, la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se
llama resistencia en ac promedio.
r
av
=
AV
D
AI
D
Existen diodos que no pueden trabajar en la
zona de ruptura porque se producira el
fenmeno de avalancha, provocando su
destruccin por generacin de calor.
Pero los diodos denominados ZNER, estn
fabricados con tcnicas que permiten el
trabajo en esta zona sin causar dao al
mismo.
Se fabrican para distintos valores de ruptura
(p.ej. 4,7 V; 10 V; 13 V, ).
En este caso tendramos niveles de
resistencia en directa R
f
, y en inversa R
r
.
En el diodo de unin p-n existen dos efectos de capacitancia que deben
tenerse en cuenta:
Con polarizacin inversa se tiene la capacitancia de la regin de transicin o
de agotamiento (C
T
).
Con polarizacin directa se tiene la capacitancia de difusin o de
almacenamiento (C
D
).
C(pF)
Polarizacindirecta(C
D
)
Polarizacininversa(C
T
)
V
D
+ V
D
Cuando la seal que se aplica al diodo es de tipo cuadrada (frecuente
en electrnica de potencia), el cambio del estado de conduccin a corte
en el diodo presentar una respuesta en el tiempo mayor a la deseada,
debido a:
El tiempo de recuperacin inversa (t
rr
) es la suma de los dos
anteriores: t
rr
= t
s
+ t
t
El tiempo de almacenamiento (t
s
)
necesario para que los portadores de
carga minoritarios vuelvan a su estado
de portadores mayoritarios en el
material opuesto.
El intervalo de transicin (t
t
) para que
la corriente reduzca su valor hasta el
asociado a su nuevo estado de no
conduccin.