República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada Nacional

Maracay-Edo- Aragua

Prof. Ing. Rasiel Pompa Bachilleres

Yecenia Oropeza

Maracay 28/06/18
 Introducción

Los transistores FET o transistores efecto de campo de unión fue uno de

los dispositivos más importante que condujo a la revolución de la electrónica de

estado sólido. Este dispositivo tiene una desventaja la cual es que posee una

impedancia muy alta de entrada debido a que en la base del transistor esta la

entrada de señal y el diodo base-emisor esta polarizado inversamente. Para un FET

de canal N, el dispositivo está construido a partir de una barra de material de tipo n,

con áreas sombreadas compuesta de materia tipo P. Entre la fuente y el drenador,

el material tipo N actúa como resistencia permitiendo que el flujo de corriente se

componga de portadadores mayoritarios

Los Amplificadores con FET se utilizan en lugar de los amplificadores con

BJT en el intervalo de frecuencias de 100MHz a 10GHz porque generan menos

ruido y tienen un mejor desempeño en altas frecuencia. Pueden ser JFET o

MOSFET

¿Qué es un FET?

Es un dispositivo cuyo funcionamiento puede ser asimilado al de una fuente

de corriente controlada por tensión y presenta las siguientes características: es un

dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores. Presenta alta impedancia de

entrada. La corriente de entrada es prácticamente nula (IG). Tiene un bajo producto

ganancia-ancho de banda. Es de fácil fabricación e integración. En principio son

dispositivos simétricos, o sea bidireccionales, no hay distinción entre los terminales

de drenaje y fuente, salvo por el sentido de circulación de corriente. Se toma como

convención que la corriente es positiva cuando circula de drenaje a fuente.

aparecer, más bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen

incorporadas, por ejemplo, en las cápsulas microfónicas, como un pequeño

amplificador de la señal débil que se produce en éstas. Un JFET reúne las

características más interesantes de las válvulas electrónicas, con las grandes

ventajas de los componentes semiconductores. Según su composición, existen dos

tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P.

Construcción de un fet

La construcción básica del JFET de canal-n la mayor parte de la estructura

es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material

tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a

la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior

del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada

la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y

al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por

tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos

del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de

cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo

condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada

unión, que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin

polarización. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región

carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conducción a

través de la región.

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de

material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas
a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan

drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén

inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador

debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de

canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para

que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las

curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos

controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos

controlados por corriente.

¿Para qué se utiliza?

Amplificador Búfer (drenaje común)

Amplificador en cascada

Limitador de corriente (JFET)

Amplificador de bajo ruido

Aplicaciones relacionadas con microondas

Características del Fet

El FET, por sus características especiales, (alta impedancia de entrada, mejor

respuesta de frecuencia que los transistores bipolares, bajo ruido) se utiliza con

frecuencia en amplificadores. Estos poseen las siguientes características

• Alta impedancia de entrada

• Mejor respuesta de frecuencia que los transistores bipolar

• Bajo ruido

• Se utiliza con frecuencia en amplificadores

• Presenta ganancia tanto de voltaje como de corriente

• Desfasa la salida con respecto a la entrada en 180°.

• Dispositivo controlado por voltaje.

• Mayor estabilidad térmica.

Ventajas del FET

➢ Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy

elevada (107 a 1012ohmios).

➢ Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

➢ Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos

y permiten integrar más dispositivos en un CI.

➢ Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores

pequeños de tensión drenaje-fuente.

➢ La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo

suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

➢ Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y

conmutar corrientes grandes.

Desventajas

➢ Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta

capacidad de entrada.

➢ Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos

lineales que los BJT.

➢ Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado

se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos

orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.

Como funciona un Amplificador de volumen de Voz

En muchas situaciones es deseable disponer de un amplificador que

proporcione una señal de salida de amplitud constante para un amplio rango de

niveles de señal de entrada y con un mínimo de distorsión. Una solución clásica a

este problema es utilizar un amplificador no lineal. Un operacional, por ejemplo,

operará como un amplificador no lineal si se incluyen dos diodos en anti paralelo en

el lazo de realimentación. Esta estrategia, sin embargo, aunque proporciona una

señal de salida de amplitud casi constante, tiene un inconveniente: genera una gran
distorsión. Una solución más elegante es utilizar un FET (Q1) y sus componentes

asociados. El cual aplica una señal pequeña al operacional (741), su salida es

pequeño. Consecuentemente, la compuerta del FET recibe una muy baja

polarización negativa y la resistencia entre drenador y fuente es alta. Por tanto, la

ganancia de voltaje es alta. Lo contrario sucede si la señal de entrada es grande.

Como resultado, el nivel medio de la señal de salida se auto-regula entre 1.5V y

2.85V sobre un rango de 50:1 de variación del nivel de la señal de entrada, sin

generar distorsión audible. El valor de R1 depende de la máxima amplitud de señal

de entrada esperada y se determina sobre una base de 200k por cada voltio RMS.

Por

ejem

plo,

para

acom

odar

señal

es

hasta

de

50Vr

ms R1 debe ser de 1OM.

Podría mejorar el circuito agregándole un Bjt en cascada con el Fet el cual me

amplificaría un poco más la señal dándole más sonido.

CONCLUSIONES

La realización de este informe nos permitió observar la importancia de los

transistores, para la creación de amplificadores, con direccionamiento a la creación

de un amplificador de audio, con dos canales de entrada, comentado con un

amplificador de clase A. Al mismo tiempo se pudo aprovechar la alta impedancia de

entrada que contienen dichos transistores, logrando el acoplamiento de todo el

logra una buena recepción de estas, sin percepción de ruido en el circuito. Como

por último, se puede decir que durante el desarrollo de este proyecto se presentaron

diferentes inconvenientes, como por ejemplo el obtener una ganancia en el circuito

muy baja dado a una mala polarización del JFET, sin embargo, los objetivos a este

informe se han cumplido en su cabalidad.