ELECTRÓNICA DE POTENCIA: DIODOS DE POTENCIA,

TRANSISTORES BJT, MOSFET Y IGBT, TIRISTORES TRIACS Y

TRANSISTORES UJT

Zambrano cantos Luis Andrés

Universidad “Laica Eloy Alfaro de Manabí”

FACULTAD DE INGENIERÍA: CARRERA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
Asignatura: Electrónica De Potencia
Manta, Ecuador
2017

*Ing. Enrique Figueroa

 Contenido
Diodos de potencia ................................................................................................................ 3
El diodo de potencia ........................................................................................................... 3
Características estáticas ..................................................................................................... 4
Parámetros en bloqueo .................................................................................................. 4
Parámetros en conducción ............................................................................................. 4
Características dinámicas ................................................................................................... 5
Tiempo de recuperación inverso .................................................................................... 5
Tiempo de recuperación directo .................................................................................... 7
Disipación de potencia ....................................................................................................... 7
Potencia máxima disipable (Pmáx)................................................................................. 7
Potencia media disipada (PAV)....................................................................................... 7
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM .................................................................... 7
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM) ............................................................ 7
Características térmicas...................................................................................................... 7
Temperatura de la unión (Tjmáx) ................................................................................... 7
Temperatura de almacenamiento (Tstg)........................................................................ 8
Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) .................................................................. 8
Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd) ........................................................... 8
Transistores de potencia ....................................................................................................... 9
Principios básicos de funcionamiento .............................................................................. 10
Tiristores............................................................................................................................... 11
Tiristores TRIAC................................................................................................................. 11
Características generales .................................................................................................. 11
Curva característica .......................................................................................................... 12
Métodos de encendido..................................................................................................... 12
Disparo cuadrante I (+) ................................................................................................. 12
Disparo cuadrante I (-) .................................................................................................. 13
Disparo del cuadrante III (+). ........................................................................................ 13
Transistor UJT ....................................................................................................................... 14
Transistor monounion UJT ............................................................................................... 14
Bibliografía ........................................................................................................................... 15
 Diodos de potencia
El diodo de potencia
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no
pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento
de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. (Universidad de Valencia, 2015)
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña
intensidad de fugas

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

 VRRM: tensión inversa máxima
 VD: tensión de codo.
Características estáticas

Parámetros en bloqueo
 Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos
de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.

 Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada
una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.

 Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el
diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.

 Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en

estado de bloqueo.
Parámetros en conducción
 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de
impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20
ms, con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula
(normalmente 25º).

 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad

aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
  Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra
en el estado de conducción.
Modelos estáticos del diodo
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en
la figura inferiror. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. (Universidad de
Valencia, 2015)

Características dinámicas
Tiempo de recuperación inverso
La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo t a
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb
(llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. (Universidad de
Valencia, 2015)
 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero
de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad

hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión
polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo
de la intensidad hasta el 10 % de éste.

 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

  Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la
característica de recuperación inversa del diodo.

 di/dt: es el pico negativo de la intensidad

.
 Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo:

De donde:

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:
 Para ta = tb trr = 2ta

 Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:
Tiempo de recuperación directo
tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que
la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en
el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas
de potencia apreciables. (Universidad de Valencia, 2015)

Disipación de potencia
Potencia máxima disipable (Pmáx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con
la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.
(Universidad de Valencia, 2015)
Potencia media disipada (PAV)
Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de
conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.

Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx)
Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. (Universidad de Valencia, 2015)
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. (Universidad
de Valencia, 2015)
Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso
de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:
Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx
Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.
Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc). (Universidad de Valencia, 2015)
 Transistores de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. (Molina,
2015)
Existen tres tipos de transistores de potencia:
 Bipolar o BJT.

 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).

 IGBT.
Parámetros MOSFET BJT
Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Coste Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en
corriente de los transistores bipolares:
 Trabaja con tensión.

 Tiempos de conmutación bajos.

 Disipación mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:
 Pequeñas fugas.

 Alta potencia.

 Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.

 Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.

 Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima elevada).

  Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace
instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor
y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores. (Molina, 2015)

Principios básicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de
actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una
corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se
hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia viene
determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente
distintas. (Molina, 2015)
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en
los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
 En un transistor bipolar o BJT controla la magnitud de IC.

 En un MOSFET, la tensión VGS controla la corriente ID.

 En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.
 Tiristores
Tiristores TRIAC
El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el
flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos
sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de
la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
(Lima, Mendez, & Rojas, 2013)

Características generales
 La corriente puede pasar en ambas direcciones.

 Adecuados para convertidores de conmutación forzada en aplicaciones de potencia

intermedia y alta.

 Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo desde
la puerta.
 Pueden apagarse con un pulso de señal negativo.
Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia
de una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje
externo aplicado. Cuando el voltaje es más positivo en MT2 (ver Figura 1), la corriente fluye
de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el TRIAC se comporta
como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja de conducir no puede fluir corriente
entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por
tanto actúa como un interruptor abierto. (Lima, Mendez, & Rojas, 2013)
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al TRIAC (dv/dt)
aún sin conducción previa, el TRIAC puede entrar en conducción directa.
  Dispositivo capaz de soportar las potencias más elevadas. Único dispositivo capaz
de soportar 4000 Amp y 7000 Volt.

 Frecuencia máxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida

media de los portadores larga) para conseguir una caída en conducción lo menor
posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red.

Curva característica
Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1 el TRIAC puede encenderse
aplicando una señal positiva entre la compuerta gate y la terminal MT1. (Ve+). Si la terminal
MT2 es negativa con respecto a MT1 se enciende aplicando una señal negativa entre gate y
MT1. (Lima, Mendez, & Rojas, 2013)

Métodos de encendido
Debido a que el TRIAC posee dos ánodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G, la
polaridad de la compuerta y la polaridad del ánodo 2, se mide con respecto al ánodo 1.
Puede dispararse desde el cuadrante I o III. A los tipos de disparos se les denominan, I (+), I
(-), III (+), III (-). (Lima, Mendez, & Rojas, 2013)
Disparo cuadrante I (+)
En este tipo de disparo la polaridad del ánodo MT2 y la de la compuerta son positivas, con
respecto al ánodo MT1. Este método es el más común. La corriente de compuerta circula
internamente hasta MT1, en parte por la unión P2N2 y en parte por la zona P2. Se observa
como la corriente pasa por la ruta desde MT2 de: P1N1 y P2N2 para llegar a MT1. Disparo
cuadrante III (-)
En este tipo de disparo es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la
compuerta son negativos con respecto a MT1.Esto hace que el TRIAC conduzca desde MT1
ésta MT2 pasando por la rutaP2N1P1N4.
Disparo cuadrante I (-)
En este tipo de disparo la polaridad del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1,
mientras que la compuerta. Tiene una polaridad negativa con respecto al ánodo MT1. El
TRIAC conduce del ánodo MT2 al MT1 pasando inicialmente por la ruta P1N1P2N3, y
después por la ruta principal P1N1P2N2 (Lima, Mendez, & Rojas, 2013)
Disparo del cuadrante III (+).
En este modo la tensión del ánodo MT2 es negativa con respecto a la del ánodo MT1 y la
tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1. Este método
conduce por la ruta P2N1P1N4 de MT1 hacia MT2. (Lima, Mendez, & Rojas, 2013)

Aplicaciones
 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas

sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.

 Funciona como interruptor electrónico y también a pila.

 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de

luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada
semiciclo de la onda de corriente alterna. (Lima, Mendez, & Rojas, 2013)
 Transistor UJT
Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN,
Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus
dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna
parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región
tipo P en la barra, formando así una unión PN. Ver el siguiente gráfico
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la
Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo =
Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
– n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
– VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

Transistor monounion UJT

Se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR. Un UJT tiene tres
terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounión
tiene las características de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo
valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en DC, se
carga el capacitor C a través de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT está en
estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del
emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y
el capacitor se descarga a través de RB1 a una velocidad determinada por la constante de
tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al
punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de
carga.
El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para activar el
SCR. El periodo de oscilación, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentación
Vs y está dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n
 Bibliografía

Lima, G. E., Mendez, R. D., & Rojas, A. R. (2013). https://www.dirind.com/. Recuperado el

30 de octubre de 2017, de https://www.dirind.com/dae/monografia.php?cla_id=7
Molina, P. (15 de julio de 2015). http://www.profesormolina.com.ar/. Recuperado el 30 de
octubre de 2017, de
http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/transist/pot.htm
Universidad de Valencia. (20 de octubre de 2015). https://www.uv.es/. Recuperado el 30
de octubre de 2017, de https://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html