ELECTRONICA INDUSTRIAL

Clase 04.- El Tiristor (SCR)

Es un dispositivo semiconductor de 3 terminales cuyo nombre proviene de las

palabras SILICON CONTROLED RECTIFIER. La Fig. 1 muestra la composición al
detalle del SCR, el símbolo utilizado para su representación y las características V – I

A A I I

VAK VT VAK
G
--

K
G K
Fig. 1

Para entender el funcionamiento del SCR se puede analizar el comportamiento de

un dispositivo formado por cuatro capas de semiconductor P N P N alternativamente. Entre
las cuatro capas forman 3 junturas interiores J1, J2 y J3

Polarización Directa.-

Si al dispositivo se le aplica un voltaje positivo entre Anodo y Cátodo ( V AK + ), las

junturas J1 y J3 se polarizan en directo al contacto con la fuente externa; mientras que la
juntura J2 se polariza en inversa. Esto se representa como un área sombreada. Por lo tanto
no puede existir corriente I en el dispositivo en condiciones normales.

P+
J1
N-
J2
Región sin cargas
J3 P+

N-

Para cambiar de estado a conducción, será necesario:

a) Inundar con cargas + la región P intermedia a fin de permitir corriente de huecos y
electrones entre ánodo y cátodo.
b) Elevar el voltaje y provocar un efecto de avalancha que circulará por el dispositivo

El segundo método se logra con el voltaje V AK = VT pero los efectos pueden ser de
naturaleza destructiva y no son recomendables sino como elemento de protección.

Para explicar el primer caso se puede dividir el dispositivo para considerarlo como una
estructura de dos transistores, uno PNP y otro NPN

A IA A

Q1

G IC1 IC2 G

Q2
IG K

IK K

Con VGK = 0 no hay corriente de base en Q2, no hay IC2 y tampoco en Q1 con lo que
el SCR está en estado de no conducción, aún cuando VAK sea positivo.

Si aplicamos un VGK positivo que permita una corriente IG = IB1, se generará IC2 =
IB1 que conforma la corriente de base de Q1 haciéndolo conducir.

Una vez que conduce Q1 el dispositivo entra en estado de conducción mientras que
VAK sea positivo. En este estado no necesita que VGK se mantenga, pues se auto
alimenta, permitiendo el paso de grandes cantidades de corriente entre A y K.

IC1 = 1 IK IK = IG + IA

IC2 = 2 IA IA = IC1 + IC2

IA = 1 IK + 2 IA
IA = 1 IG + 1 IA + 2 IA

IA = 1 IG / {1 – (1 + 2)}

Lo anterior permite entender que cuando (1 + 2) = 1, la corriente IA tiende a un

valor muy grande.
 La siguiente gráfica de la ganancia  = /(1 + ) nos muestra que existe una corriente
mínima para excitar el dispositivo.


1

0.5

0
10-4 10-3 10-2 10-1 1 IE(mA)

Es posible que en ciertos casos las capacidades parásitas o la inestabilidad térmica

puedan crear una trayectoria para la compuerta. En estos casos el SCR pasaría al estado de
conducción aunque no exista una camino físico de compuerta. Esto es un efecto indeseado
y por lo tanto se recomienda tomar las precauciones necesarias.

CJ1 C=Q/V
Q1
I = dQ / dt = d(C V)/dt
CJ2
G I = V dC/dt + C dV/dt

CJ3 Q2 IJ2 = VJ2 .d(CJ2)/dt + CJ2 .d(VJ2)/dt

Cuando dV/dt en la juntura J2 tome valores elevados considerables, puede aparecer una
corriente de tipo capacitivo y establecer una conducción no deseada en el dispositivo.

Polarización Inversa
 Cuando VAK es negativo se polarizan en inversa las junturas J1 y J3, no permitiendo
la conducción del dispositivo aún cuando se aplique VGK y corriente IG

-- P+
J1
N-
J2
Región sin cargas
+ P+
J3
N-

En el modelo de dos transistores, no hay polarización adecuada entre base y emisor

para ninguno de ellos, tal que pueda hacer conducir al dispositivo

CARACTERÍSTICAS G-K

Las características COMPUERTA-CATODO del SCR se muestran en la gráfica

VGK

Máxima tensión
Permisible Potencia max. de disipación

Mínima corriente
Para conducción Máxima corriente
permisible
IGK

Estas características comprenden a las curvas V-I del diodo P-N que forma parte del
transistor Q2. la figura muestra tres líneas que limitan la operación de la compuerta a zonas
permisibles.

Estas curvas son las curvas de Máxima tensión, Máxima Corriente y Potencia
Máxima de Disipación y se especifican por lo general para operaciones con corrientes DC.
Se puede ver además la mínima corriente que se necesita para pasar al SCR al estado de
conducción. ( Se denomina disparar, al hecho de pasar al SCR al estado de conducción).
Midiendo las características G-K en un grupo de SCRs de una misma familia, y que se
tendrá que por efectos de dispersión en la fabricación de semiconductores, aparecen varias
curvas como se muestra:
 VGK

IGK

En la figura se ve que los puntos cuyo significado corresponde al de la curva del

diodo, varían y se distribuyen en una superficie limitada por dos curvas sin A y B.
Los fabricantes de SCR proporcionan estas curvas en donde es posible distinguir
tres regiones definidas como se ve:

VGK
Max V permisible
A
Potencia Max
Min V que dispara 3

2
Max V sin disparo B
1

Min I que dispara IGK

1. Región donde existe la seguridad de no producir disparo a ningún SCR de una

misma familia y serie.

2. Región donde es probable que ocurra el disparo pero no existe la seguridad

absoluta.

3. Región donde de todas maneras se va a producir el disparo. Esta región se denomina

región de disparo seguro. Algunos fabricantes proporcionan simplemente los valores
típicos de la corriente y tensión que producen el disparo en la región de disparo
seguro, bajo ciertas condiciones de temperatura (25º C si no se indica otra cosa) y
recta de carga en la compuerta. A continuación se muestra un ejemplo de recta de
carga que polariza la compuerta en un SCR.

La ecuación de la recta de carga es:

VGK
Vd
 P

IGK

Ig

Vd = Ig . Rgk + Vgk

El punto P corresponde a la intersección de la recta de carga con las curvas

características de un SCR en particular (Se ha elegido una curva de la superficie de curvas
para los SCRs de una misma familia y serie). La recta de carga no debe ingresar más allá de
la curva máxima potencia permisible y se requiere la certeza del disparo, deberá estar por
encima de la región 2.

Rgk
+
Vd +Vgk
_ -

Es importante notar que las curvas que limitan las regiones 1, 2 y 3, se desplazan
con la temperatura. El efecto más importante se presenta en la corriente de la línea vertical
que corresponde a la MINIMA CORRIENTE NECESARIA PARA DISPARAR TODOS
LOS SCRs hacia la izquierda, conforme aumenta la temperatura.

CARACTERÍSTICAS A-K

Las características ANODO-CATODO o I – V del SCR son

IA

VAK

Estas características se aproximan a las características v-i de un diodo rectificador en la

región de CONDUCCION, por lo que la tensión VAK, es del orden de 1 a 3 voltios cuando
conduce. En operación normal, las tensiones de polarización de ANODO-CATODO no
deben superar las tensiones de ruptura tanto directa como inversa, ya que casi siempre los
SCR son disparados por CORRIENTE en la compuerta y no por TENSION entre ANODO
y CATODO. El funcionamiento del SCR queda limitado por la potencia que pueda disipar
en conducción y por la temperatura a la que puedan trabajar las junturas. Estos dos
parámetros son muy importantes y generalmente son proporcionados en forma gráfica por
el fabricante.

POTENCIA DE DISIPACION

Los SCR disipan potencia en estado de conducción o en cambio de estado. La

contribución a la potencia total de disipación durante los cambios es menor y en muchos
casos se puede ignorar.
Si se considera un modelo lineal, para las curvas características mostradas, se tiene
la siguiente donde la pendiente es la inversa de la resistencia Rf y Vo la tensión de codo.

IA

m = 1/Rf

VAK
Vo

La gráfica se puede expresar como: VAK = Vo +Rf . IA

La potencia de disipación P se puede expresar como

 T  T  T
P = (1/T) VAK(t) . IA(t) dt = Vo (1/T) IA dt + Rf (1/T) IA2 dt
o o o

Donde se tiene

P = Vo . (IA dc) + Rf . [(IA rms)]2

Según esta expresión, tanto la corriente DC como la corriente RMS, intervienen en

el cálculo de la potencia. Los fabricantes proporcionan las curvas de la POTENCIA
DISIPADA en función de la CORRIENTE DC, para diferentes tipos de ondas de corriente.
El caso más usual corresponde a las corrientes sinusoidales teniendo como parámetro el
ANGULO DE CONDUCCIÓN.
La figura siguiente muestra las curvas típicas para un SCR de mediana potencia. Se
puede notar que para una misma corriente DC la potencia disipada aumenta conforme
disminuye el ángulo de conducción.

P disipada
(watts) 60
DC
180 o 50
90 o
30 o
 40
30
 =Angulode 30
conducción
20

10 

4 8 12 16 20 24 26 30 34 36 40 Idc(amp)

TEMPERATURA MÁXIMA DE OPERACIÓN

La temperatura de las junturas no se puede medir directamente, ya que no son

accesibles desde fuera. Esto obliga a utilizar la temperatura de la cápsula (CASE) que
contiene el SCR en el punto más cercano a las junturas.
El fabricante proporciona sin embargo, la temperatura máxima a la que pueden
operar las junturas (TJ). Esta temperatura generalmente llega hasta 125º C. Para calcular la
temperatura a la que operan las junturas a partir de la temperatura de la cápsula (TC) se
requiere de la RESISTENCIA TERMICA DE LAS JUNTURAS A LA CAPSULA (RJC).
Esta resistencia térmica se da en º C/W y para SCRs de mediana potencia está dentro del
rango de 1º C/W  2.5 º C/W.

La relación de temperaturas será:

TJ – TC = P . R JC

Donde P es la potencia disipada en watts.

TJ = Temperatura de la juntura. ~ 125 oC
TC = Temperatura de la cápsula.

La ecuación permite calcular la potencia máxima permisible cuando se conoce la

temperatura máxima de las junturas.

CORRIENTE DC MÁXIMA

Conociendo la máxima temperatura de la cápsula se podrá determinar la máxima

corriente DC a partir de las curvas proporcionadas por el fabricante. Estas curvas se
muestran en la gráfica siguiente y dan la MÁXIMA TEMPERATURA DE CAPSULA en
función de la CORRIENTE Idc MÁXIMA, para el caso sinusoidal teniendo como
parámetro el ángulo de conducción.

Máxima T de cápsula oC
140

120

100
30
80

60

40 
30
20 90
180
4 8 12 16 20 24 26 30 34 36 40 Idc(amp) DC

La secuencia del cálculo para operar los SCR puede en muchos casos lo siguiente:

1. Fijar la temperatura máxima de cápsula.

2. Seleccionar el ángulo de conducción al que va a operar el SCR.
3. Con los valores 1 y 2, a partir de las curvas de la gráfica, calcular la corriente Idc
máxima que puede proporcionar el SCR.
4. Asegurarse que la corriente DC real que va a soportar el SCR no sobrepase el valor
máximo de 3.
5. Conociendo el valor de la corriente DC real, calcular la potencia que va a disipar el
SCR a partir de las curvas de la gráfica anterior
6. A partir de la potencia disipada, calcular los disipadores térmicos hacia el medio
ambiente.

Circuitos de Disparo de SCR:

Para hacer conducir a los tiristores es necesario aplicar una tensión Vgk que proporcione
Igk en forma controlada para que dispare el dispositivo en el ángulo adecuado, regulando la
potencia sobre la carga.

Se ha simulado en MICRO CAP III con un generador de ondas cuadradas de 5 v de

amplitud y frecuencia 60 Hertz, duración 1mseg y la carga con un voltaje sinusoidal.
Los resultados se muestran en las figuras:
 Señal de disparo

Otra forma de generar ondas de disparo de SCR es con redes R-C que forman un
defasaje en VC, de tal forma que retrasa el valor de Vgk para el disparo del SCR. Es de
notar que el primer pulso se debe al transitorio inicial de conexión.

La primera curva en azul es la tensión de entrada

La curva en rojo es la tensión en la carga RL. Nótese que solo hay corriente cuando
VC puede hacer conducir al SCR
La onda inferior el la tensión VC y que cuando el SCR conduce, se reduce a un
valor mínimo. En nuestro caso alrededor de 1.3 v que es la tensión directa VfAK del SCR
 Ing. Oscar Morales Gonzaga

U J T : Transistor de Juntura Unica

INTRODUCCIÓN

El UJT es un dispositivo constituido con semiconductores, de tres terminales cuyo

nombre proviene de las palabras Uni Junction Transistor. La figura siguiente muestra la
composición en detalle del UJT y el símbolo utilizado para su representación. Las
características V- I del UJT, se muestran a continuación, donde el eje horizontal está con la
escala distorsionada.

N RB2 Base 2 B2

P
E Emisor
 E
RB1

Base 1 B1

VEB1

Tensión de pico Vp

Región de
Resistencia Región de
Negativa Saturación

Tensión de Valle Vv

IE
Región de corte Corriente Corriente
De pico Ip de Valle Iv

El UJT es un dispositivo formado por 2 capas de semiconductor N y P. La capa P no

está ubicada al centro del canal N, sino que está desplazada en dirección hacia la base 2.
Esto hace que el dispositivo no sea simétrico. Las dos capas originan una sola juntura J,
hecho del que proviene el nombre de UJT. Entre los terminales B2 y B1 se tendrá una
resistencia de semiconductor tipo N, esta resistencia se denomina RESISTENCIA
INTERBASES (RBB) y medida con IE = 0, su valor varía dentro del rango de 4k  10k.
Dado que la capa P no está ubicada en el centro, las resistencias que se miden desde
la juntura hasta B2 y B1 serán diferentes, siendo generalmente menor la resistencia hacia
B2. La relación obtenida en base a divisor resistivo se denomina RELACION
INTRINSECA () y su valor varía dentro del rango de 0.4  0.8, siendo su valor típico 0.7,
según esto: B2

RB2
 = RB1 = RB1 E
RB1 + RB2 RBB

RB1
La figura muestra la relación de resistencias.

B1

Para entender el funcionamiento del UJT, se puede recurrir al modelo mostrado en

el circuito siguiente donde D, representa al diodo PN de la juntura. Este diodo alcanza una
tensión de arranque cuyo valor varía de 0.5  0.6V.
 Normalmente el UJT trabaja con polarización positiva en B2, respecto a B1, pero la
característica realmente importante del dispositivo se presenta entre E y B1.
Cuando B2 está abierto, la relación V-I corresponde a las características de un diodo
y se muestran en las gráfica anterior con líneas punteadas. Es posible observar 3 regiones
definidas: la REGION DE CORTE, donde el diodo E-B1 está polarizado inversamente y
solamente circula una corriente muy pequeña de CATODO y ANODO, denominada
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN.
Conforme se aumente la tensión de emisor, en un momento dado D pasará a
conducir. Entonces la tensión VEB1 ha alcanzado su valor máximo llamado TENSIÓN DE
PICO Vp cuyo valor depende de la polarización aplicada entre B2 y B1. La corriente (que
ya es directa en ese momento) se denomina CORRIENTE DE PICO (IP) y su valor varía
dentro del rango de 0.5  50 uA. A partir de este momento el dispositivo ingresa a la
REGION DE RESISTENCIA NEGATIVA. La corriente de emisor inyecta cargas positivas
a la capa N aumentando la conductividad lo cual disminuye el valor de RB1. Esto hace que
la corriente de emisor aumente y así sucesivamente hasta que RB1 se reduzca hasta un
valor muy pequeño llamado RESISTENCIA DE SATURACIÓN (R SAT) cuyo valor varia
dentro del rango de 5   25 . En este momento se ha alcanzado la tensión más baja entre
E y B1, denominada TENSIÓN DE VALLE (Vv), cuyo valor varía dentro del rango de 1 
3V. La corriente en este momento se denomina CORRIENTE DE VALLE (IV) y su valor
varía dentro del rango de 1 mA  10 mA. A partir de este momento se recupera
nuevamente la característica de resistencia positiva y se ingresa a la REGION DE
SATURACIÓN, donde ya no hay incrementos apreciables de tensión para aumentos de
corriente. A lo más la tensión VEB1 alcanzara el valor de saturación denominado
TENSIÓN VEB1 DE SATURACIÓN (VEB1SAT), cuyo valor varía dentro del rango de 2 
5v. LA corriente si puede alcanzar valores altos en esta región.
Las relaciones entre los valores de tensiones y corrientes que expresan los puntos de
transición entre las regiones son:
Las tensión de pico VP será la tensión necesaria para lograr la conducción en D.
Esto es:

VP = VD + RB1 VB2B1 = VD + VB2B1 (2.7)

RB2 + RB1

Donde VB2B1 es la tensión de polarización entre las bases B2 y B1.

OSCILADOR DE RELAJACIÓN

Se denomina oscilador de relajación a aquel que no genera tensiones sinusoidales

puras, sino ondas cuya forma depende de las características de los elementos que
intervienen. Generalmente trabajan en base a características de resistencia negativa.
La gráfica siguiente muestra la configuración simple de un oscilador de relajación
con UTJ.

RE
 B2

E VB
B1
CE
RB

En t = 0 se cierra el interruptor y CE, comienza a cargarse a través de RE hacia la

tensión de la fuente VB. En el inicio la tensión VEB1 es pequeña y no circula corriente
hacia el emisor de UJT ( solamente una pequeña corriente inversa de saturación). La carga
es exponencial con una constante de tiempo RECE como se muestra en la figura adjunta,
sin embargo al alcanzar CE una tensión suficientemente alta como para que el emisor del
UJT pase a conducir, se descargará violentamente a través de RB1 que ha quedado reducida
a su valor de saturación al entrar al UJT a la zona de resistencia negativa, y RB cuyo valor
siempre se fija pequeño para no afectar las características de emisor del UJT. Este instante
corresponde a t = T1. Al descargarse CE, la tensión en sus bornes cae hasta un valor bajo,
aproximadamente igual a la tensión de valle del UJT, si despreciamos la caída de tensión en
RB, conforme CE trate de seguir descargándose, el UJT tendrá que regresar al estado de
corte y necesariamente quedará aislado eléctricamente el condensador CE en serie con RE.
Este instante corresponde a T2. Nuevamente se cargará CE, pero esta vez, a partir de un
valor mayor que cero, con la misma constante de tiempo RECE. La máxima tensión que
puede alcanzar CE se aproxima al de la tensión de pico del UJT, si despreciamos la caída de
tensión en RB.
El valor de RE, deberá ser lo suficientemente bajo, como para que CE pueda
alcanzar la tensión de pico, y al mismo tiempo lo suficientemente alto, como para que una
vez conduciendo el emisor del UJT, no quede permanentemente en conducción.
El segundo periodo de carga de CE será menor que el primero, debido a la carga
residual del CE.

V CE

V1

V2

0 t1 t2 t3 t (seg)

a) Cálculo del T1.

La expresión de carga de CE es:
 VCE = VB (1 – e -t/RECE)

Donde para t = t1, VCE = V1, con esto

V1 = VB ( 1 – e –t1/RECE), de donde

T1 = RECE ln VB
VB – V1

b) Cálculo de T3 –T2
La expresión de carga de CE es:

VCE = (VB –V2) ( 1 – e -t/RECE) + V2

Para t contado a partir de T2, donde:

t = T3 – T2, VCE = V1, con esto,

V1 = (VB –V2) ( 1 – e –(T3 – T2)/RECE) + V2, de donde :

T3 – T2 = RECE ln VB – V2
VB – V1

Para muchos fines, se podrá despreciar el valor V2 si V1 es significativamente alto,

con esto se consigue igualar las expresiones y T1 se denomina entonces TC.

TC = RECE ln VB
VB – V1

V1 puede aproximarse a VP, cuya expresión conocemos y más aun, se puede

considerar VD despreciable, con lo que se tendrá:
V1 =  VB2B1, continuando las aproximaciones, se puede hacer VB2B1 = VB
despreciando la tensión en RB, con esto se tendrá:

TC  RECE ln VB _ = RECE ln 1
VB – VB 1–

finalmente se puede tomar un valor típico de  = 0.65, con lo que se tendrá:

TC  RECE ln 1 = RECE
1 – 0.67

Las expresiones son aproximaciones cuyo uso dependerá de cumplir las condiciones
que se han indicado.
 RE RT

B2

E VB
B1
CE
RB

El circuito muestra una variante donde se ha adicionado una resistencia RT para

mejorar las características de estabilidad térmica del oscilador, su valor se puede calcular
sobre la base de la forma empírica.

RT  0.015 VB (RBB) () y debe tener coeficiente térmico positivo (PTC).

Para VB = 15v; RBB = 9.1 K y  = 0.67; RT = 0.015 * 9.1k * 0.67 = 1371

RT alterará ligeramente el valor de la tensión de pico del UJT, pero para muchos
fines no será necesario incluirla en los cálculos dado su valor bajo.
Cuando el UJT está en la región de corte; para el circuito sin RT; si se toma RBB =
9.1k; la corriente por RB será, con VB = 15v,

IB1 = 15 = 1.65mA
9.1k ; para el circuito con RT y los mismos valores, RT =
1371 ; la corriente por RB será

IB1 = 15 = 1.43mA
9.1k + 1371

En ambos casos no se ha considerado en el cálculo RB, por que su valor varía

generalmente entre 10 y 100 y no tendrá sentido incluirlo en el cálculo. La tensión en RB
con los valores utilizados, estará entre 0.017 y 0.17v, por lo que su contribución a VP, es
despreciable y las aproximaciones hechas para las expresiones de TC se justifican.

2.4. PUT

INTRODUCCIÓN
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las
palabras Programable Uni Junction Transistor. La figura muestra la composición en
detalle de PUT y el símbolo usado para su representación. Las características V-I del PUT
se muestran con el eje horizontal con la escala distorsionada.

Anodo A

P G
 N
Compuerta
P
N

Cátodo K

El PUT es un dispositivo cuya constitución es similar al SCR, ya que presenta

cuatro capas de semiconductor P y N, alternativamente, pero la conexión de la compuerta
ha sido tomada de la capa N intermedia, en lugar de la capa P intermedia.
VAK

Tensión de pico Vp

Región de
Resistencia Región de
Negativa Saturación

Tensión de Valle Vv

IA
Región de corte Corriente Corriente
De pico Ip de Valle Iv

Las características V-I del PUT son completamente similares a las del UJT, ya que
presentan las tres regiones: la REGION DE CORTE, la REGION DE RESISTENCIA
NEGATIVA y la REGION DE SATURACIÓN.
El PUT presenta muchas ventajas respecto al UJT; trabaja con niveles más bajos de
corriente, puede generar pulsos mayores de corriente, tiene bajo costo y se pueden ajustar
los valores de IP, Iv y .
Para analizar como pasa a conducción el PUT, se puede descomponer el dispositivo
de cuatro capas en dos dispositivos de tres capas unidas entre sí, como se muestra en la
figura.

A IA A

Q1 G
G

IC1 IC2

Q2
K
 IK K

Normalmente se polariza la compuerta G con una tensión positiva Vs y una

resistencia Rs.
La tensión del ANODO se incrementa desde cero, hasta que al llegar a una
condición tal que supera la tensión de la compuerta en un valor que polariza directamente al
diodo EB de Q1; esta tensión deberá estar dentro del rango comprendido entre 0.5 y 0.7v.
Mientras no se alcance este valor, circulará una pequeña corriente inversa de saturación por
el ánodo.

A
RS
G
RA

VA K VS

Al conducir Q1, pone Q2 en conducción y ambos transistores se encargarán de alcanzar la

saturación. En saturación la tensión de compuerta alcanzará una tensión equivalente a la
tensión de saturación CE de Q2, cuyo valor está dentro del rango de 0.2  0.5v, la gráfica
muestra un circuito básico de polarización para el PUT.
El valor de RS va a determinar la magnitud de la corriente de pico, reduciéndose
esta corriente cuando aumenta RS.
RS también influye en el valor de la corriente de valle, aumentando esta corriente
cuando disminuye RS.
Variando el valor de VS se puede modificar el valor de la tensión de pico, la que
será la tensión necesaria para que Q1 posea conducción, esta tensión es:

VP = Vt + Vs ,

Donde Vt es la tensión necesaria para polarizar directamente la tensión EB de Q1.

Al llegar a saturación, la tensión de ANODO, será la suma de la tensión de

saturación de EB de Q1 y la tensión de saturación de CE de Q2.
El circuito siguiente es una variante del anterior, donde se ha remplazado Rs por dos
resistencias R1 y R2; cuyos valores se pueden variar según las necesidades.

A
 R1
G
RA

VA K R2 VS

Por analogía con el UJT, podemos definir

= R2
R1 + R2
Y las relaciones de RS con R1 y R2 son:

RS = R1R2
R1 + R2

VS = R2 VB = V1
R1 + R2
 será la RELACIÓN INTRÍNSECA PROGRAMABLE.

OSCILADOR DE RELAJACIÓN
La gráfica a continuación muestra la configuración de un oscilador de relajación con PUT.

R1

RA
A V1
G

CA R2 VB

La figura siguiente muestra la forma de onda de la tensión ANODO-CATODO,

para el oscilador del circuito. Se puede ver que corresponde a la forma de onda del
oscilador con UJT. Por lo que las expresiones calculadas son válidas. Si se toma la
expresión análoga, se tendrá

TC = RA CA ln _ VB___
VB - V1
V1 se puede aproximar a VP y se puede despreciar VT obteniéndose:

V1 = Vs = R2 __ VB; con esto se tendrá

R1 + R2

TC = RA CA ln _R1 + R2
R1
VAK
Descarga Carga
V1

V2

0 t1 t2 t3 t (seg) .
Ing. Oscar Morales Gonzaga