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UD11.
COMPONENTES
ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
Centro CFP/ES
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Introducción
1
Introducción
Introducción
2
Introducción
Bloques de un corvertidor
3
Bloques de un convertidor
Dispositivo de potencia ideal
La electrónica de potencia engloba tanto los componentes electrónicos dedicados a tal fin
como los diferentes circuitos típicos que se utilizan con ellos.
Una de las características más importantes en electrónica de potencia es que todos estos
dispositivos trabajan en régimen de conmutación comportándose como un interruptor en
modo abierto (no circula corriente) y en modo cerrado (circula toda la corriente del
circuito)
4
El problema de la conmutación
El dispositivo de potencia entrará en conmutación pasando del estado abierto al estado

cerrado de manera cíclica (más adelante estudiaremos el por qué).
Como cualquier magnitud física no podemos pasar de un valor a otro de una manera
instantánea (con tiempo 0) sino que se requiere de un determinado tiempo que por
pequeño que este sea será motivo de que aparezca una disipación de potencia.
Durante el proceso de conmutación (tr)

existirá disipación de potencia ya que
tenemos tanto tensión como corriente en el
dispositivo de conmutación. Alcanzará la
máxima potencia en su punto medio.
Necesidad de la conmutación
Los factores que incrementarán la disipación de potencia será:
• El tiempo de conmutación (tr). A mayor tiempo, mayor potencia disipada

• La frecuencia de conmutación. A mayor frecuencia, mayor cantidad de
conmutaciones por unidad de tiempo.
VEAMOS UN EJEMPLO PRÁCTICO DEL PORQUÉ DE LA CONMUTACIÓN:
Con este circuito somos capaces de pasar de una tensión 12V a 5V mediante un
zener de 5,7V y una resistencia.
5
Este circuito presenta el inconveniente de disipación de potencia en el transistor. En

este ejemplo supongamos que la lámpara tiene una resistencia de 240 .
La potencia disipada en el transistor podemos calcularla como:
La potencia entregada a la carga (la lámpara) podemos calcularla como
Con este ejemplo se puede comprobar fácilmente la baja eficiencia de este circuito.
Se suministra 1W a la carga y se disipa en forma de calor 1,4W despreciando los
consumos de la resistencia R1 y del diodo zener se calcula fácilmente el
rendimiento.
Para pequeñas potencias el circuito puede ser válido pese a su baja eficiencia por la
sencillez que presenta, pero para grandes potencias es inaceptable trabajar con
unos rendimientos tan bajos.
6
VEAMOS OTRA OPCIÓN:
Este método resuelve el problema anterior de

convertir una tensión 12V DC a otra de 5V DC
utilizando un transistor trabando en modo
corte – saturación (circuito abierto – circuito
cerrado)
Al medir con un osciloscopio la tensión que
tenemos en la carga (lámpara) tenemos lo
siguiente:
Para la mayoría de las aplicaciones el

comportamiento de una carga es el mismo
cuando se alimenta desde una fuente de una
determinada tensión o cuando se alimenta con
una señal de onda cuadrada con el mismo
valor medio.
En este ejemplo la carga (lámpara) se

comportará de la misma manera cuando se
alimente desde una fuente de 5V o cuando se
alimente desde una señal cuadrada cuyo valor
medio sean 5V
7
Conclusión
Por comparar con el caso anterior, con este método casi toda la potencia entregada
corresponde con la potencia consumida. Solo una pequeña cantidad de potencia
será disipada en el transistor en comparación con la potencia entregada. Esto hace
que la eficiencia de este circuito sea muy alta y próximo a la unidad.
La solución más extendida para reducir las pérdidas de potencia en los

semiconductores es la estrategia de conmutación. Esto es hacer funcionar en
modo interruptor al dispositivo.
Clasificación Semiconductores Potencia
En función del tipo de conmutación podemos clasificar a los semiconductores como:

• No controlados
• Semi-controlados
• Controlados
Los semiconductores no controlados como por ejemplos los diodos son los
dispositivos sobre los que no podemos realizar ningún tipo de gestión o control
sobre ellos. Su paso a conducción y a bloqueo dependerá de la corriente que circule
por él.
Los semiconductores semicontrolados como por ejemplo los tiristores permiten

gestionar el paso a conducción pero no el paso a bloqueo. El paso a bloqueo
coincidirá con el cese de corriente.
8
Clasificación Semiconductores Potencia
Los semiconductores controlados como por ejemplo los transistores permiten

gestionar el paso a conducción y a bloqueo. Esta característica hace que sean
funcionalmente de los dispositivos más versátiles. Por el contrario tienen otro tipo de
limitaciones relacionadas con las tensiones y corrientes máximas de trabajo.
El Tiristor
Con una señal aplicada a su electrodo de gobierno pasa del estado de bloqueo al de
conducción, y puede volver al primero en ciertas condiciones, por consiguiente,
puede emplearse en un circuito como interruptor.
Una de las aplicaciones principales del tiristor es la de funcionar como interruptor

eléctrico, abriéndose y cerrándose permitiendo el paso o no de corriente, en
respuesta a pequeños impulsos o niveles de tensión muy bajos en su terminal de
gobierno.
Los tiristores constan de cuatro capas alternadas de cristales P y N, que en este

caso representa un elemento tipo P (puerta tipo P). La combinación de estas cuatro
capas produce tres uniones, mostradas como rectificadores, que se denominan J1,
J2, J3.
Características físicas de las cuatro capas:
• La capa anódica (P1) no está muy impurificada y tiene un espesor mediano.
• La de bloqueo (N1) está algo más impurificada y es la más gruesa de las cuatro.
• La de control (P2) es fina y su grado de impurificación es similar al de la anódica.
• La capa catódica (N2) es muy fina y con gran impurificación.
9
El Tiristor
Es equivalente a dos transistores. A continuación observamos una figura con una

estructura cristalina más complicada, equivalente a transistores, símbolo y
apariencia externa.
El Tiristor
Equivalencia de dos transistores:
10
El Tiristor
Funcionamiento del Tiristor
Cuando existe polarización inversa, tanto en el diodo como en el tiristor no existe

conducción, la diferencia está cuando nos encontramos en polarización directa, el
diodo conduce y el tiristor está preparado para conducir.
El tiristor empezará a conducir en el momento que reciba un pulso por puerta “Gate”.
VAMOS A VERLO MÁS DETENIDAMENTE CON UN EJEMPLO
11
La forma de onda que podríamos obtener será la

misma que la que obtendría con un diodo,
rectificación en media onda. Dependiendo del
momento en que se produzca la excitación o
disparo por puerta será el momento que
comenzará la conducción.
Podemos producir el disparo a los 90º, momento

que la señal senoidal es máxima y obtendríamos
la siguiente forma de onda
La primera señal es el generador, la segunda la
señal que tenemos en la resistencia y la tercera
la señal de disparo del tiristor.
Si disparamos a 45º la señal será:
Y si disparamos a 135º la señal será:
12
Disparo del Tiristor:

• Por tensión ánodo-cátodo (IG=0). No recomendable. Suele ser un efecto no
deseado.
• Por impulso de puerta. Es el método habitual.
• Por variación brusca de tensión. No recomendable. Suele ser un efecto no
deseado.
• Por temperatura. No recomendable. Suele ser un efecto no deseado.
• Por radiación luminosa. Aplicaciones especiales en optoacoladores.
Descebado del Tiristor:

Hay dos métodos de descebado. Debemos tener en cuenta que una vez cebado, la
puerta ya no tiene control sobre él, y para volver al estado de interruptor abierto
habremos de:
• Bajar la tensión y/o corriente ánodo-cátodo por debajo de la de

mantenimiento.
• Otro sistema es aplicar una tensión inversa entre ánodo y cátodo. Éste último
es el utilizado en algunos sistemas industriales de control de potencia.
Curvas del Tiristor
13
Algunos ejemplos
Algunos ejemplos
14
Caracteristicas en bloqueo
Caracteristicas en bloqueo
15
Caracteristicas en conducción
Caracteristicas en conducción
16
Disparo no deseado
Conclusiones finales
RESUMEN DE LAS CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR
• Estructura de cuatro capas p-n alternadas.
• Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado.

Inversamente polarizado estará bloqueado.
• Dispositivo capaz de soportar las potencias más elevadas.

Único dispositivo capaz de soportar I>4000Amp. y V>7000Volt.
Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo

desde la puerta
El circuito de potencia debe
bajar la corriente anódica por debajo de la de mantenimiento.
• Frecuencia máxima de funcionamiento baja, su funcionamiento se centra en

aplicaciones a frecuencia de red.
17
DIAC
El DIAC es un Diodo de AC (corriente alterna). Son en realidad dos didodos

Shockley en antiparalelo. Con lo cual el efecto de estos diodos se produce en
ambas polarizaciones, siendo así apto para ser usado en circuito de corriente
alterna. Su función principal es el disparo de TRIACs.
DIAC
18
TRIAC
TRIAC
Un triac, o tiristor triodo bidireccional, es un dispositivo que se puede usar para dejar
pasar o bloquear la corriente en ambos sentidos. Se puede considerar como dos
tiristores conectados juntos en montaje antiparalelo pero con un electrodo de puerta
común.
A2
En general, el triac se puede utilizar en aplicaciones
en que debería usarse un par de tiristores montados
en antiparalelo; es decir, como un circuito regulador
de c.a con control total.
Sin embargo, su aplicación está limitada a los

circuitos de control de c.a con control total, y no se
puede emplear para salidas de c.c ni en circuitos de A1
control de c.a en que se necesiten conexiones
comunes de ánodo o cátodo.
G
19
Características
Ejemplo
El siguiente ejemplo muestra la utilización de un DIAC y TRIAC para regular la

velocidad de un motor conectado a 220V.
20
Consideraciones con Tiristor y Triac
Teniendo en cuenta todo lo visto en el punto anterior podemos elaborar ocho reglas
para el buen diseño con tiristores y triacs:
1. Para poner en conducción un tiristor o un triac, una corriente de puerta mayor

que la de umbral (IGT) debe aplicarse hasta que la corriente del componente sea
mayor que la de enganche (IL).
2. Para bloquear o conmutar un tiristor (o triac), la corriente de la carga debe ser
inferior a la de mantenimiento (IH) el tiempo suficiente para permitir que este
retorne al estado de bloqueo.
3. Para minimizar los efectos negativos que el ruido electromagnético pueda tener
sobre la puerta, provocando disparos indeseados, las conexiones (terminales,
pistas, cables,...) han de ser lo más cortas posibles. Además es conveniente
colocar una resistencia de 1 kW, o menos, entre los terminales de puerta y
cátodo.
FET
La impedancia de entrada del JFET estará en valores en torno a los cientos de

megaohmios. De aquí se deduce que sean unos componentes muy adecuados
cuando se buscan impedancias de entrada muy elevadas.
21
FET y BJT
La gran diferencia con el JFET es que en el MOSFET la puerta está aislada

eléctricamente del canal. Esto supone un aumento de la impedancia de entrada en
el MOSFET respecto al JFET.
FET Funcionamiento
• Sin polarización de puerta la corriente de electrones no encuentra más dificultad

entre fuente y drenador, que la del propio semiconductor, que por dopado será
de valor pequeño.
• Sin embargo, al polarizar inversamente G-S se crean, entre las dos puertas P y
el cristal N, sendas zonas de deplexión, en las cuales la ausencia de portadores
imposibilita la conducción. De este modo la zona por la que los electrones
pueden circular desde la fuente al drenador se estrecha. Como ya sabemos, la
zona de deplexión, en una unión PN polarizada inversamente, crece con el
potencial de tensión inversa aplicado. De este modo tenemos que controlamos el
canal con la tensión G-S, pudiendo llegar incluso al estrangulamiento
(conducción nula) si la tensión inversa crece lo suficiente.
• En la polarización observamos ya la primera diferencia con un transistor bipolar.

La polarización del diodo base-emisor de un BJT es en directa, la polarización
del diodo puerta-fuente en un JFET es en inversa. Esto a su vez nos lleva a
destacar otra gran diferencia, la corriente de control del dispositivo. En el BJT
era IB, cuyo valor variaba en función de las características del circuito y del
transistor. Aquí la IG es igual a cero.
22
MOSFET
EL FET DE PUERTA AISLADA o FET METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR (IGFET o

MOSFET). Insulated Gate FET o Metal Oxide Semiconductor FET
La gran diferencia con el JFET es que en el MOSFET la puerta está aislada

eléctricamente del canal. Esto supone un aumento de la impedancia de entrada en el
MOSFET respecto al JFET.
MOSFET
23
MOSFET en conmutación
MOSFET Aplicaciones
Inversor con carga pasiva: El hecho de tener una tensión de umbral convierten al
MOSFET de en un elemento ideal en aplicaciones de conmutación. Un primer ejemplo es
el inversor con carga pasiva. Éste es muy similar al BJT en conmutación, con la ventaja
de que su funcionamiento se puede controlar fácilmente mediante dos tensiones, una
que sea superior a la tensión de umbral para el accionamiento, y otra inferior a ese
umbral para el corte. En el circuito la condición necesaria es que la carga sea mucho
mayor que RDS para que el MOSFET pueda ser considerado en conducción un interruptor
cerrado.
24
MOSFET Aplicaciones
Inversor CMOS: El inversor CMOS está formado por un montaje de MOSFET

complementarios (CMOS = Complementary MOS). Como al hablar de los BJT, llamamos
transistores MOS complementarios a dos MOSFET, uno de canal N y otro de canal P,
con iguales características. Su funcionamiento es similar al de dos BJT complementarios
en clase B.
MOSFET Ejemplo
25
IGBT
IGBT Características
26
IGBT Características
IGBT y MOSFET
27
IGBT Ejemplo
IGBT Ejemplo
28
IGBT Ejemplo
Comparación dispositivos de potencia
29
Conclusiones
Conclusiones
30
Conclusiones
31

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UD11.

El dispositivo de potencia entrará en conmutación pasando del estado abierto al estado

Durante el proceso de conmutación (tr)

Los factores que incrementarán la disipación de potencia será:

• El tiempo de conmutación (tr). A mayor tiempo, mayor potencia disipada

VEAMOS UN EJEMPLO PRÁCTICO DEL PORQUÉ DE LA CONMUTACIÓN:

Este circuito presenta el inconveniente de disipación de potencia en el transistor. En

La potencia disipada en el transistor podemos calcularla como:

La potencia entregada a la carga (la lámpara) podemos calcularla como

VEAMOS OTRA OPCIÓN:

Este método resuelve el problema anterior de

Para la mayoría de las aplicaciones el

En este ejemplo la carga (lámpara) se

La solución más extendida para reducir las pérdidas de potencia en los

En función del tipo de conmutación podemos clasificar a los semiconductores como:

Los semiconductores semicontrolados como por ejemplo los tiristores permiten

Los semiconductores controlados como por ejemplo los transistores permiten

Una de las aplicaciones principales del tiristor es la de funcionar como interruptor

Los tiristores constan de cuatro capas alternadas de cristales P y N, que en este

Es equivalente a dos transistores. A continuación observamos una figura con una

Equivalencia de dos transistores:

Cuando existe polarización inversa, tanto en el diodo como en el tiristor no existe

VAMOS A VERLO MÁS DETENIDAMENTE CON UN EJEMPLO

La forma de onda que podríamos obtener será la

Podemos producir el disparo a los 90º, momento

Si disparamos a 45º la señal será:

Y si disparamos a 135º la señal será:

Disparo del Tiristor:

Descebado del Tiristor:

• Bajar la tensión y/o corriente ánodo-cátodo por debajo de la de

RESUMEN DE LAS CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR

• Estructura de cuatro capas p-n alternadas.

• Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado.

• Dispositivo capaz de soportar las potencias más elevadas.

Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo

• Frecuencia máxima de funcionamiento baja, su funcionamiento se centra en

El DIAC es un Diodo de AC (corriente alterna). Son en realidad dos didodos

Sin embargo, su aplicación está limitada a los

El siguiente ejemplo muestra la utilización de un DIAC y TRIAC para regular la

1. Para poner en conducción un tiristor o un triac, una corriente de puerta mayor

La impedancia de entrada del JFET estará en valores en torno a los cientos de

La gran diferencia con el JFET es que en el MOSFET la puerta está aislada

• Sin polarización de puerta la corriente de electrones no encuentra más dificultad

• En la polarización observamos ya la primera diferencia con un transistor bipolar.

EL FET DE PUERTA AISLADA o FET METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR (IGFET o

La gran diferencia con el JFET es que en el MOSFET la puerta está aislada

Inversor CMOS: El inversor CMOS está formado por un montaje de MOSFET

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