Etapa de Potencia Dea PDF

INSTITUTO TECNOLÓGICO Y DE ESTUDIOS, SUPERIORES DE
MONTERREY.
CAMPUS CIUDAD DE MÉXICO

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TECNOLÓGICO
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Etap,a de potencia die un

Desfibrilador Exterr10
Autc,mático.
Pedro Roberto de la Torre Olazábal A.00971488
Miguel Fonseca Salazar A01109242
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Etapa de potencia de un Desfíbrilador Externo Automático.
Tabla de contenido
Índice de ilustraciones .......................................................................................................................... 3
l. Introducción .................................................................................................................. 4
1.1. Objetivos y Metas ............ ................................................. .... ............................. ........ .......... 4
1.2. Estado del arte ..................................................................................................................... 4
1.3. Fundamento teórico ............................................................................................................ 5
1.3.1. Conceptos básicos de medicina (Webster & Clark, 1998) .................................... .......... 5
1.3.2 Conceptos en ingeniería aplicados en el proyecto ........................................................ 12
2. Problemática ................................................................................................................ 17
3. Propuesta de solución ............................................ ........ ....................... .... ...... ............ 18
4. Diseño de los sistemas del proyecto ........................................................................... 19
4.1 Elevación de voltaje y circuito RC. ............................... ...................................................... 19
4.2 Control de polaridad .......................................................................................................... 26
5. Evaluación del sistema desarrollado ............................................................................ 35
6. Conclusiones ........................................................................ ..... ........ ...... ...... ................ 39
7. Perspectivas a futuro ...... .. ....................... ........... .. .. .. ....... .. ............... ............................ 40
8. Bibliografía ................................... , ................................................................................ 41
9. Anexos .......................................................................................................................... 42
9.1 A.nexo 1- Hojas de especificaciones ........................................................................................ 42
9.1.l. 2N3771 ............................................................................................................................ 42
9.1.2. LMC555 ............................................................................................................................ 44
9.1.3. 4N36 ................................................................................................................................ 46
9.1.4. IRGPH40F ......................................................................................................................... 48
9.1.5 MC33153-D ...................................................................................................................... 50
9.1.6 PVl-1050N ......................................................................................................................... 52
9.2. Anexo 2 - Tablas estadísticas de mortalidad en México ......................................................... 54
10. Póster (Noviembre 2008) ............................................................................................. 55
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Etapa de potencia de un Desfibrilador Externo Automático.
ÍNDICE DE ILUSTRACIONES
ILUSTRACIÓN l. RUTAS ELÉCTRICAS EN EL CORAZÓN (WEBSTER & CLARK, 1998) ••••..•....................•.........•••....•••.•• •..•..•....... 6
ILUSTRACIÓN 2. TAQUICARDIA VENTRICULAR (MFI, 2008) •...••.•...•••••....••....•••.••................. •... •. •. . ....... . ••... .•.•...•.............. 7
ILUSTRACIÓN 3. FIBHILACIÓN VENTRICULAR (MFI, 2008) .....•.......•..••..........•..•..••.•..•...•••.•••.•.•.•..••...•.............................. 7
ILUSTRACIÓN 4 CIRCUITO PARA GENERACIÓN DE ONDA MONOPOLAR SENOIDAL AMORTIGUADA (WEBSTER & (LARK, 1998) •...•.• 9
ILUSTRACIÓN 5. FORMA DE ONDA MONOPOLAR SENOIDALAMORTIGUADA (MDS) .••....••..................•..•.•.•....••.•.•..•••.........•.. 9
ILUSTRACIÓN 6. FOHMA DE ONDA MONOPOLAR EXPONENCIAL TRUNCADA (MTE) ..••.......................................••..•..........•.. 10

ILUSTRACIÓN 7. AL~ IZQUIERDA, FORMA DE ONDA BIPOLAR CON DECAIMIENTO EXPONENCIAL TRUNCADA (BTE). A LA DERECHA,
FORMA DE ONDA BIPOLAR RECTILÍNEA (RLB) ...•...•...................•..•.••••..••...••.....•............•.............•........•............... 11
ILUSTRACIÓN 8. EN LA PRIMERA ETAPA (IZQUIERDA) EL INDUCTOR SE CARGA Y CUANDO EL VOLTAJE ES SUFICIENTEMENTE ALTO PARA
ACTIVAR AL DIODO, EL VOLTAJE ALTO PUEDE PASAR HACIA LA CARGA ....................•....••••..........•...........................•..•• 12
ILUSTRACIÓN 9. CIRCUITO RC BÁSICO .....•.............•.••••.....•••..•....••••....•.....••.•.......•.................................•....•............... 14
ILUSTRACIÓN 10. [;QUEMA DEL PRINCIPIO DE UN CIRCUITO QUE GENERA UNA FORMA DE ONDA CON DECAIMIENTO EXPONENCIAL
(EN DONDE INTl ES EL TRANSISTOR DE CONMUTACIÓN) •...••..••......•••••...•••..........•...................•......•••.................... 22
ILUSTRACIÓN 11. GRÁFICA DE COMPORTAMIENTO DEL TRANSFORMADOR DE ALTO VOL ..AJE COMO RESPUESTA A FRECUENCIA .•.. 24
ILUSTRACIÓN 12. CIRCUITO DE CONTROL PARA ELEVACIÓN A AL TO VOLTAJE. •••...••. •.................. . ... •... . . •... •... . ..........•.•......•.. 25
ILUSTRACIÓN 13. CIRCUITO EN CONFIGURACIÓN BÁSICA PARA UN PUENTE H ................••......•.......••.................................. 26
ILUSTRACIÓN 14. DESCOMPOSICIÓN DEL PUENTE H PARA ANÁLISIS NODAL DE VOLTAJE! ..•.....••••......••......•........................... 26
ILUSTRACIÓN 15. CONFIGURACIÓN BÁSICA DEL CIRCUITO MC33153 PARA ACTIVACIÓrl DE IGBTs •...•.......•.•......•..•........•...•• 27
ILUSTRACIÓN 16. CIRCUITO DE ACTIVACIÓN PARA LOS IGBTS INFERIORES DEL PUENTE H..................................................... 28
ILUSTRACIÓN 17. CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA DEL PVI 1050N PARA DIFERENTES RESISTENCIAS (PARA UN SOLO CANAL).30
ILUSTRACIÓN 18. GRÁFICA DE CAPACIDAD DE CORRIENTE CON RESPECTO AL VOLTAJE (JMPUERTA-EMISOR (HOJA DE
ESPECIFICACIJNES DE IRGPH40F P. 38) .•...•..•••..•...•.........•........•.........................•.....•. •... •... .... •... •.........•..••••.... 30
ILUSTRACIÓN 19. CIRCUITO DE ACTIVACIÓN PARA IGBTS SUPERIORES DEL PUENTE H .............................••.. •. •.........•............ 31
ILUSTRACIÓN 20. CIRCUITO DE CONTROL DE DESCARGA DEL CAPACITOR PARA DESFIBRI .ACIÓN .•.... •........... •... •...................... 31
ILUSTRACIÓN 21. DIAGRAMA A BLOQUES DEL DESFIBRILADOR EXTERNO AUTOMÁTICO .•.••......•.......•...•......•.....•..............•.... 32
ILUSTRACIÓN 22. ESQUEMA DEL CIRCUITO DE LA ETAPA DE POTENCIA DE UN DESFIBRIL\DOR EXTERNO AUTOMÁTICO .....•••..•..... 34
ILUSTRACIÓN 23. SEÑAL DE ENTRADA A LOS OPTO-ACOPLADORES 4N36 •...••.•.....••••...•.•••....••.....•...............•...................•. 36
ILUSTRACIÓN 24. SEÑAL DE SALIDA PROVENIENTE DE UN PVl1050N .........••••....•.•........•...•.••.........•...•.••.••••.••.......••.•....•. 37
ILUSTRACIÓN 25. SEÑAL DE SALIDA PROVENIENTE DE UN MC33153 .•..••..•..•........•.......•.....•.........•...•.....•........................ 37
ILUSTRACIÓN 26. CARGA DE CAPACITOR DE ALTO VOLTAJE. ••.......•.•.•...••.•....•..••...•..•...•.•.........••....••...........••........•......••.• 38
ILUSTRACIÓN 27. DESCARGA DE ENERGÍA PROVENIENTE DE UN CAPACITOR DE ALTO VOLTAJE. .............................................. 38
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Etapa de potencia de un Desftbrilador Externo Automático.
l. Introducción
1.1. Objetivos y Metas
Desarrollar un equipo de alta potencia capaz de generar una forma de onda bipolar exponencial
truncada (BTE por sus siglas en inglés), la cual será utilizada para tratar a pacientes que padezcan arritmias
en el corazón tales como la taquicardia ventricular o la fibrilación ventricular. El sistema será capaz de
interactuar con dos sistemas más con el objetivo de integrar un desfibrilador externo automático
competente, diseñado y construido en México. Estos proyectos incluyen: un electrocardiógrafo, que
adquiere señales cardiacas; y procesamiento de señales cardiacas para indicar si la condición de un paciente
es tal que requiera un shock de desfibrilación.
Realizado en dos partes, la primer parte recopiló información acerca de las especificaciones del
circuito y de la señal bipolar, tanto de fuentes bibliográficas (para datos específicos como voltajes,
corrientes, impedancias, duración y formas de onda) como fuentes electrónicas (para averiguar el estado del
arte y hacer comparaciones con otros productos ya existentes), con el objetivo de establecer un punto de
partida y metas claras; el segundo objetivo de este primer semestre fue crear un circuito capaz de
almacenar 200 J de energía y descargarlo en un tiempo de alrededor de 10-12 ms en una resistencia similar
a la del cuerpo humano, de alrededor de 75 O, con un valor pico de voltaje de 2250 V y 30 A
aproximadamente.
Para la segunda etapa de trabajo, se complementó el proyecto con un inversor de polaridad capaz
de manejar alto voltaje para la forma de onda obtenida anteriormente. Además se adecua la forma de onda
bipolar de alto voltaje para ser medible y demostrar resultados. De esta manera se establece un parámetro
físico para comparar el sistema con aquellos sistemas comerciales.
1.2. Estado del arte
Existen desfibriladores utilizados en cirugías a corazón abierto que se activan o desactivan según sea
necesario. En estos, los electrodos hacen contacto directo con el músculo cardiaco y suministran entre 80 V
y 300 V y de 4 A a 6 A (Webster & Clark, 1998). También existen desfibriladores externos manuales,
utilizados en salas de emergencia en cuyo caso dos electrodos se aplican en el pecho y un médico
capacitado decide la cantidad de energía a suministrar y es responsable de activar el shock.
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Actualmente existe una gran variedad de desfibriladores externos automáticos disponibles en el
mercado. La Food and Drugs Administration (FDA) se encarga de regular a estos equipos bajo los mismos
estándares. Marcas como Philips y Zoll sirvieron como modelo para el establecer metas y parámetros
mínimos de satisfacción. En la actualidad todos los desfibriladores usan un principio de almacenamiento de
energía capacitiva (Bronzino, 2006). De acuerdo con Webster & Clark, e~;tos capacitares radican entre 10 µF
y SO µF y aplican un voltaje de 2 kV a 9 kV. La forma de la señal en los desfibriladores externos automáticos
comerciales es sinusoidal monofásica amortiguada, monofásica truncada exponencial o bifásica truncada
exponencial, que fue la primera en ser aprobada por la FDA, además de una nueva que está siendo probada
que es la RBT (Bifásica Rectilinea Truncada). Cualquiera que sea la señéd suministrada por el sistema, tarda
entre 2 y 5 segundos para cargar lél energía posterior a que el meca ni ;mo haya sido activado (Minczak &
Krim, 2004). Los desfibriladores externos automáticos pueden operar sin necesidad de estar conectados a
alguna fuente AC:, y obtienen la energía a partir de baterías.
También algunos desfibriladores externos automáticos, como el Zoll serie M son capaces de medir la
impedancia transtorácica (ITT) y modificar la energía de la onda para que sea apropiada al paciente en la
situación. El desfibrilador externo automático guía al usuario mediant =instrucciones visuales, habladas o
ambas. Solo se requiere aplicar lo:; electrodos auto adheribles y pre! ionar el botón de shock si este es
recomendado por el desfibrilador externo automático (Minczak & Krim. 2004). El mismo aparato puede ser
utilizado para desfibrilar al corazón, en cuyo caso opera en modo asíncrono o para hacer una cardioversión,
para lo cual opera en modo síncrono. Los electrodos se hacen de acero inoxidable, por su durabilidad o
también de aleaciones de cobre para disminuir la impedancia de contacto.
1.3. Fundamento teórico.
1.3.1. Conceptos básicos de medicina (Webster & Clark, 1998).
Mostrado en el anexo 2, una de las principales causas de muerte en México son causadas por
problemas al co-azón. El corazón está formado por paredes musculares que al contraerse expulsan la sangre
hacia todo el cJerpo, latiendo aproximadamente 72 veces por minu·:o en promedio. La insuficiencia de
sangre bombeada por el corazón, por ejemplo al cerebro, causa de debilidad, pérdida del conocimiento e
inclusive la muerte. El corazón está dividido en dos tipos de células esp2cializadas, la mayoría siendo células
contráctiles. El segundo tipo son lai, células auto-rítmicas, su función es iniciar y conducir los potenciales que
ocasionan las contracciones de las células contráctiles; se comportan como marca pasos naturales, ya que
sus membranas se despolarizan lentamente y al llegar al límite, sufren despolarización activa; estos cambios
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Etapa de potencia de un Desfibrilador Externo Auto mático.
en el potencial se esparcen por todas las células para crear un latido rítmico sin necesidad de seña les
nerviosas.
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hodc Atr io-ven h1cwlar .
Ilustración l. Rutas eléct ricas en el corazón (Webster & Clark, 1998).
La señal eléctrica que in icia el proceso de latidos empieza en el nodo sino-atrial (marcado en la
ilustración 1) que es el marca pasos del corazón y co ntin úa con el nodo atrio-ventricular. El corazón debe
mantener un ritmo continuo para bombear de manera efectiva. Un ritmo lento no ten drá el sufici ente
bombeo de sangre y puede presentar los síntoma s ante riormente mencion ados, y un latido muy rápido no
dejará que el corazón se llene con suficiente sangre para bombear. Los latidos lentos (bra di cardia) pueden
deberse a un bloqu eo de la señal eléct rica, lo cu al no dejará que una porción del corazón tenga
contracciones. Latidos rápidos (taquicardia ) ocasionalmente son causado s por un corto circuito en el
corazón, teniendo rutas ano rm ales de la seña l cardiaca o qu e qu ed e circulando en alg ún ca mino.
1.3.1.1 Taquicardia ventricular (Berger, Medline Enciclopedia Médica., 2008) .
Se origina en los tej id os ventricu lares, debido a daños causados por algunas de las sigu ientes
razones : Consumo de med icamentos anti-arrítmicos, ca mb ios en la química sang uínea (ej. Bajo nivel de
potasio), in suficien cia de oxígeno, estos problemas causa n daños en las conexiones eléctric as que caus an
estímulos ráp idos en los ventrícul os (más de 100 latidos por minuto) con al menos tres latidos irregula res en
un periodo. La taquicardia ventricular con frecuencia causa una caída en la presión sanguínea, pérdida del
conoc imi ento, pulso rápido o ausente. En casos extremos, puede se r fatal. Puede desarrollar una
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complicación temprana o tardía de un ataque cardiaco y suele suc,=der en pacientes que sufran de
miocardiopatía, insuficiencia cardiaca, cirugía de corazón, miocarditis, válvulopatía cardiaca .
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Ilustración 2. Taquicardia ventricular (MFI, 2008) .
1.3.1.2. Fibrilación ventricular (Berger, Medline Enciclopedia Médica., 2008).
En esta arritmia anormal, los ventrículos se despolarizan repetidamente en forma descoordinada y
errática . Es causa da por algunas de las siguientes razones: cardiopatía congénita, accidentes por
electrocución o lesión al corazón, ataque cardiaco, enfermedades al músculo cardiaco, cirugía de corazón ,
isquemia, muerte cardíaca súbita (presente en atletas después de un traum atismo sobre la superficie del
corazón) . En poco tiempo este padecimiento es invariablemente fatal clebido a la falta de sangre irrigada al
cuerpo, principalmente al cerebro .
Ilustración 3. Fibrilación Ventricular (MFI , 2008) .
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Quien comienza a padecer fibrilación sufre dolor torácico, mareo, nauseas, latidos cardiacos
rápidos, dificultad para respirar. Ambas arritmias deben ser tratadas rápidamente para que el paciente viva,
y esto es logrado administrando un shock eléctrico que pase a través del cuerpo . Al administrar un shock
eléctrico, lo suficientemente fuerte, todas las células del corazón se despolarizan al mismo tiempo, lo que
permite entrar en sincronía de forma natural, reiniciando el nodo sino-atrial su función de marcapasos y
todas las demás células contráctiles siendo controladas por las células auto-rítmicas.
1.3.1.3. Desfibrilación.
Actualmente, la mayoría de los desfibriladores comerciales utilizan capacitores para almacenar
energía . La forma de onda depende del tiempo de descarga del capacitor (con su constante de tiempo RC) y
en ocasiones por un modificador de onda inductivo (forma de onda senoidal amortiguada) o circuitos de
conmutación para truncar la caída exponencial del capacitor (forma de onda exponencial truncada). Las
formas de onda se pueden caracterizar por las polaridades presentes en la forma de onda, la pendiente de la
corriente de desfibrilación y la duración de la forma de onda que de acuerdo a los diferentes autores
citados, varía entre 8 y 40ms según el tipo de la forma de onda y la amplitud. En términos médicos, existen
dos tipos de formas de onda que son presentados a continuación:
1.3.1.3.1 Seiiales monopolarcs de desfibrilación.
Como su nombre lo indica, la forma de onda sólo tiene una polaridad durante toda la duración. Se
utilizaron dos formas de onda en los primeros desfibriladores comerciales las cuales se mencionan a
continuación :
a) Monofásica sinusoidal amortiguada (MDS por sus siglas en inglés): El circuito que genera este tipo
de onda se muestra en la ilustración en donde se puede observar que se concentra energía en un
capacitor de alto voltaje, y al descargarlo en el paciente adquiere una forma amortiguada senoidal
debido al efecto del inductor.
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Ilustración 4 Circuito para generación de onda monopolar senoidal amortiguada (Webster & Clark, 1998).
Para el mismo circuito se pueden tener dos tipos de formas de onda, dependiendo
f undamentalmente de la impedancia del paciente a desfibrilar, siendo :; uh-amortiguada para pacientes con
baja impedancia transtorácica (menos de 560) y teniendo un comportamiento cuasi -bipolar; referida en la
literatura especializada como forma de onda Gurvich. Para pacientes con impedancia transtorácica mayor a
560, la forma de onda se hace monopolar (por el efecto sobre-amortiguado de la onda) y tiene el nombre
de forma de onda de Edmark.
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Tiempo (ms)
Ilustración 5. Forma de onda monopolar senoidal amortiguada (MDS).
b) Monofosica exponencial truncada (MTE por sus siglas en inglés) : Modificando un poco el circuito
anterior, quitando el inductor, se obtiene un decaimiento exponencial por parte de la descarga del
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Etapa de potencia de un Desfibrilador Exte rno Automático.
capacitar a través de la re sistencia del cuerpo humano. Se tiene poca fiabilidad en esta forma de
onda ya que aplicar corrientes bajas por un periodo largo de tiempo, mayor a 40ms, puede resultar
en una nueva fibrilación del corazó n. Para mejorar la forma de onda, se puede truncar mediante
conmutadores que "desconecten" al paciente del capacitar al cabo de cierto tiempo. Con una
forma de onda con decaimiento exponencial truncado se mejora la eficacia de la desfibrilación. '
Las ventajas de este tipo de formas de onda es que se permite el uso de elementos con mayor
capacitancia, que se traduce en un menor voltaje requerido para carga el mismo capacitar. Entre sus
características como se puede observar en las ilustraciones, se puede mencionar su duración de entre 10 y
30 ms y una amplitud pico de corriente de entre 20 y 50 A, lo cual nos puede generar niveles de energía
entre 200 y 400J por shock de desfibrilación.
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Ilustración 6. Forma de onda monopolar exponencial truncada {MTE).
1.3.1.3.2 Señales bipolares de desfibrilación
Son caracterizadas por tener un cambio de polaridad en los electrodos en la duración del pulso.
Utilizadas comúnmente en desfibriladores implantables modernos, tienen la ventaja de que se requiere de
menos energía en el shock y las con secuencias post-desfibrilación presentan resultados inmediatamente. La
menor necesidad de energía puede deberse a que el shock inicial no necesita despolarizar tantas células
como en las formas de onda monopolares. Esto es debido a que la etapa de polaridad negativa remueve las
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Eta pa de pote nci a de un Desfibrilador Externo Automático.
cargas residuales dejadas por la polaridad positiva reduciendo el riesgo de que se entre en fibrilación de
nuevo.
Para aumentar la probabilidad de éxito en la desfibrilación, la polaridad negativa debe ser lo más
corto posible, ya que entre más tiempo tome, necesitarán mayores voltajes de desfibrilación y además, la
probabilidad de éxito disminuye. En las ilustraciones se pueden observar dos tipos de forma de onda
bipolares, la primera siendo la bipolar con decaimiento exponencial truncada (BTE por sus siglas en inglés) la
cual fue la primera forma de onda en ser aprobada por la FDA. La segunda siendo una forma de onda más
reciente, utilizada en equipos Zoll, llamada forma de onda bipolar rectilínea (RLB por sus sigla s en inglés).
Para el 2007, no había evidencia de que cualquiera de las dos formas de onda bipolares tuviera mayor éxito,
ya que la BTE presentaba una probabilidad de éxito de 86-98% para un i:hock inicial de lSOJ, mientras que la
RLB obtenía una probabilidad de éxito de 85% para un shock inicial de VOJ.
1 Tiempo (msl
Ilustración 7. A la izquierda, forma de onda bipolar con decaimiento exponencial truncada (BTE). A la derecha, forma de
onda bipolar rectilínea (RLB).
Una medida utilizada frecuentemente en los desfibriladores es tener dos botones en los electrodos
de aplicación de desfibrilación; el objetivo es para que la desfibrilación no ocurra debido a un accidente, sino
por el contrario só lo pueda realizarse cuando el que aplica el tratamiento esté en total control del aparato y
oprima los dos botones. Teniendo como ventaja que el sistema a desarrollar es tota lmente automático, el
procesador decidirá si la desfibrilación se lleva a cabo o no, por lo que no se necesitarán botones en los
electrodos de aplicación.
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Tabla l. Comparativa entre formas de onda aplicadas en desfibrilación.
~
Porcentaje
Corriente Duración Energía por
de éxito
Pico {A) {ms) shock {J)
a {%)
Monopolar Sinusoidal Amortiguado. 45 12 200-360 77-91
Monopolar Exponencial Truncado. 22 30 200-360 54-63
Bipolar Exponencial Truncado. 30 15 150-200 86-98
Bipolar Rectilínea. 20 10 120 85
1.3.2 Conceptos en ingeniería aplicados en el proyecto.
1.3.2.1 Elevación de voltaje.
Se consideraron diversas posibilidades para elevar el voltaje requerido para la desfibrilación. Entre
éstas se tomó en cuenta el circuito booster, duplicadores de voltaje con capacitares y el transformador de
alto voltaje. Para el proyecto se utilizó el circuito básico de un fly-back (transformador de alto voltaje), que
es el utilizado en televisores de tubos de rayos catódicos para generar voltajes en el orden de los kilovolts.
Ya que se requiere de un voltaje de aproximadamente 3000V para una desfibrilación exitosa, la salida del
transformador deberá obtener este valor de voltaje para cargar un capacitar. Este circuito se ilustra a
continuación:
~I------'--4..c.-1_T_R~A~O;:r~º-~-1-
.. ---._;_;'2=---------1---¡
W---I
Go~II~ CAP~ ~CARGA
INT1
Ilustración 8. En la primera etapa (izquierda) el inductor se carga y cuando el voltaje es suficientemente alto para activar
al diodo, el voltaje alto puede pasar hacia la carga.
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Etapa de potencié, de un Desfibrilador Externo Automático.
Para este circuito se tienen dos fases de operación: en la primera, el interruptor 1 (INTl en la
ilustración 9) se mantiene activo durante el tiempo O< t < DcT, en donde De es el ciclo de trabajo y Tes el
periodo. El devanado de bajo voltaje se carga de manera lineal de la forrna siguiente:
La corriente máxima se alcanza cuando el primer conmutador (INTl) se apaga y el devanado para
de cargarse mientras almacena energía en forma de campo electro ,1agnético, en t = kT. La corriente
secundaria 12 está dada por la expresión:
N,,I,,
fsE = - -
N.,
La segunda etapa comienza cuando el interruptor se apaga, se carga el capacitar y llega voltaje a la
impedancia de carga de manera indistinta al convertidor booster. lse c3rga el capacitar y da corriente a la
carga.
El transformador de alto voltaje se puede operar de dos diferentes maneras. El modo de operación
continua se caracteriza porque el conmutador conduce antes de que la corriente secundaria caiga a cero. En
este modo de operación se logra una capacidad más alta de potencia para la misma corriente pico. Esto trae
como consecuencia que en modo discontinuo, los picos de corriente son más altos. En este segundo, la
corriente cae a cero, es decir, el capacitar se descarga por completo antes de volver a operar.
Este circuito se controla por frecuencia. Transforma un volta_ e DC a uno más alto. Sin embargo
antes de entrar a la bobina, el voltaje DC se convierte a AC mediante el uso de un transistor FET.
1.3.2.2. Circuitos con decaimiento exponencial.
Se consideraron dos opciones para generar la señal tomandJ en cuenta que la forma de onda
deseada es bipolar con decaimiento exponencial y truncado para desfibrilar. Estas son un circuito RL, para
obtener una caída de corriente exponencial, o un circuito RC para obtener una caída de voltaje exponencial.
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Etapa de potencia de un Dcsfibribdor Externo Automático.
Debido a que ambos componentes, tanto a que los valores de inductor como capacitar son sencillos de
calcular y utilizar, se optó por utilizar un circuito RC por su relativa disponibilidad en el mercado; además de
que los desfibriladores comerciales tanto automáticos como el diseñado en este proyecto como los
implanta bles utilizan capacitares para guardar energía.
Existen aun más motivos para utilizar capacitares entre los que se reconocen los siguientes: se
presentan menos pérdidas de energía en los capacitares, menor precio, tamaño y peso (características
deseables para el proyecto).
Volta~ /
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Ilustración 9. Circuito RC básico.
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El comportamiento exponencial de los circuitos RC se explica a continuación. Considerando una
carga inicial en el capacitar:
v(O) = Vi1
Con 12 cerrado la corriente de la malla está descrita por la ecuación:
dv JJ
C-+-=0
dt R
Dividiendo la función entre C y obteniendo la integral se obtiene lo siguiente:
J = -J _2_
dv
V RC
dt
t
lnv = --
RC
Página 14
Evaluando desde V0 a V y de O a t, y aplicando leyes de logaritm,Js se obtiene como resultado:
v(t) = Voe-r111c
De la ecuación anteriSor se puede notar el comportamiento exponencial de los circuitos RC.
1.3.2.3. Cambio de polaridad - Puente H y dispositivos de conmutación.
La última etapa del diseño consiste en darle polaridad a la señal antes mencionada y truncarla. Para
ello, se requiere hacer cambios en la dirección de la corriente que pasa a través de la impedancia de carga.
Según (Prutchi ~~ Norris, 2005), en los desfibriladores externos automáticos actuales se usa un puente H
controlado con transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT por :;us siglas en inglés). Un IGBT puede
funcionar como un conmutador que es controlado por voltaje. Los pasos a seguir en el diseño del equipo de
potencia son los siguientes (Rashid, 2004):
• Diseño de circuitos de potencia.
• Protección de dispositivos de potencia.
• Determinación de la estrategia de control.
• Diseño de lógica y circuitos de encendido.
Para seleccionar apropiadamente a los componentes del circuito, éstos deben cumplir con algunas
condiciones de voltaje y de corriente principalmente, pero también de tiempos de activación y
desactivación. P3ra el caso de los transistores, en estado de saturación, la capacidad de corriente conducida
debe ser muy alta, cuando menos 30A (/ 0N); la caída de voltaje del co ector hasta el emisor sea mínima o
despreciable respecto del voltaje aplicado, que tienda a cero WcEl- Por último, debe presentar resistencia al
flujo de corriente muy baja, tendiendo a cero, para tener pocas pérdidas (RoNl- En cambio, cuando no
conduzca deberá tener capacidad de soportar voltajes con polarización inversa y directa del orden de 3 a
4kV, así como una corriente de fuga tendiendo a cero y para ello una resistencia muy alta, desfibrilador
externo automáticamente que tienda a infinito. Como conmutador SE· deberá utilizar uno con tiempo de
encendido bajo, tendiendo a cero. Existen transistores que realizan ese cambio en microsegundos. Los
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estados de encendido y apagado deben controlarse por medio de señales en alto o bajo y el dispositivo debe
ser capaz de soportar cambios en voltaje (dv/dt) y corriente (di/dt) (Rashid, 2004).
Es de importancia tomar una buena decisión en cuanto a los dispositivos de conmutación para el
cambio de polaridad, se irá analizando uno por uno para ver sus características. Los diodos son dispositivos
que sirven como válvulas de corriente en un sólo sentido, es decir que sólo conducen polarizados
directamente. No cuentan con ninguna terminal de control con la que se regule su estado de conducción.
Los tiristores son diodos que pueden controlar cuando conducir. Constan de tres terminales, ánodo, cátodo
y una compuerta. El tiristor comienza a conducir con una corriente en la compuerta, junto con un potencial
más alto en el ánodo comparado con el cátodo; la dificultad de usar tiristores es que para apagarlos, se
necesita que el voltaje tanto en el ánodo como en el cátodo sea igual para que deje de conducir o que su
corriente de haga menor que la de sostenimiento.
Los transistores de potencia pueden ser clasificados en cuatro grupos:
• Transistores de junta bipolar (BJTs por sus siglas en inglés): Se utilizan en frecuencias de hasta
lOKhz. Son dispositivos cuyo disparo se controla mediante voltaje y corriente en la base. Su
desventaja es que requiere de una corriente de base suficiente para saturar al transistor y son altos
consumidores de energía en comparación con otros tipos de transistores.
• Transistores de efecto de campo (FETs por sus siglas en inglés): Sus aplicaciones son de alta
velocidad y baja potencia. Son utilizados con frecuencia en convertidores de potencia. Estos
dispositivos son activados con voltaje en la terminal de base.
• IGBTs. Combinan la capacidad de manejo de corriente como los BJT, pero son transistores de
potencia controlados por voltaje, característica heredada de su circuito de control de tipo FET.
Tienen mayor velocidad de conmutación que los BJT, aunque menor que los MOSFET. Tienen
ventajas sobre los MOSFET ya que son utilizados en electrónica de potencia especialmente para
voltajes y corrientes altos, y sobre los BJT debido a que los IGBT no necesitan de corriente para
saturarse y entrar en conducción.
Por las características antes mencionadas, el IGBT resulta ser el tipo de transistor más apropiado
para la aplicación en cuestión.
Página 16
2. Problemática
Actualmente todos los desfibriladores utilizados en hospitales en México son de origen extranjero.
Además, por cultura alimenticia y de poco ejercicio, gran parte de la población mexicana es propensa a sufrir
ataques cardiacos los cuales pueden derivar en la muerte si no son tratados a tiempo.
Para aplicar un shock apro,Jiado de desfibrilación, primero se debe revisar si el problema cardiaco
es tratable con desfibrilación, es decir, que sea fibrilación ventricular (FV) o taquicardia ventricular (TV). De
acuerdo con el electrocardiograma, se debe decidir si las condiciones son apropiadas para dar el shock. La
energía aplicada al tejido puede ser dañina si no es apropiadamente trar smitida. Ello involucra una adhesión
homogénea a la piel y un área apropiada del electrodo. La Asociación para el Avance de la Instrumentación
2
Médica sugiere el uso de electrodos de 50 cm .
Entonces, Se mide la impedancia transtorácica (ITT) para determinar el tamaño de la persona que,
de acuerdo con (Minczak & Krim, 2004) varía entre 49 O y 111 O, ccnsiderando el uso de adhesivos de
electrodos adecuados (pastas salinas o Redux) en el ámbito médico, y que para un humano adulto promedio
varía entre 70 y 80 O. Con este valor medido, se procede a dar el primer shock, que (Minczak & Krim, 2004)
sugiere que sea de 200 J e inmediatamente volver a analizar el estado del corazón. Si se requiere un
segundo choque, los mismos autores sugieren que sea de 300J y un tercer y último de hasta 360J, mientras
que los doctores Marco Castrejón y Ángel Orta, del Instituto de Cardiología concuerdan en que todos, hasta
el tercero sean de la misma energía: 200J. (Castrejón, Orta, & Guagnelli, 2008). Luego se procede con
resucitación carclio-pulmonar (CPR). (Minczak & Krim, 2004).
Página 17
Etapa de potencia de un DesfibrilJctor Externo Automático.
3. Propuesta de solución
Se propone elaborar un circuito que eleve el voltaje desde una batería de 6 ó 12V hasta el voltaje
en el rango de los 2250 a los 4000V requeridos para cargar energía suficiente que se descargará al corazón.
La segunda etapa del circuito es para almacenar esa energía en el capacitor. Un circuito RC de alta potencia
requerirá de estar separado de elementos de baja potencia. Este funcionará como almacenador de energía
Luego, para darle forna a la señal, se controlará la descarga suministrada desde capacitor mediante un
puente H que permite cambiar la polaridad de la señal cuando sea necesario, para que la señal sea bipolar.
Primero se hará análisis teórico de cada etapa. Ello implica investigar sobre el funcionamiento de
elementos de alta potencia, conmutadores, elementos pasivos de alta energía. Después se harán las
simulaciones necesarias para comprobar que el marco teórico funciona como se espera.
Se representará al cuerpo humano como una resistencia pura de 750. Se propone elaborar un
circuito impreso que pueda brindar un aislamiento seguro para el manejo de altos voltajes, y que las pistas
estén diseñadas de tal manera que no haya salto de voltaje de un lugar a otro no deseado.
Página 18
4. Diseño de los sistemas del proyecto

4.1 Elevación de voltaje y circuito RC.
El diseño del circuito se llevó a cabo en etapas que están relacionadas entre sí. Se utilizó un
transformador de alto voltaje, el cual era utilizado en televisores anti¡~uos. Se requiere de un circuito de
conmutación para transformar una señal DC (proveniente de una batería de 12 V con muy alta capacidad de
corriente) a una señal AC, hacerla pasar por el transformador y rectificarla a su salida. El circuito de
conmutación utilizado es un BJT, y para obtener las características de diseño se considera el principio de
conservación de potencia en transformadores desfibrilador externo autcrnáticos.
El voltaje se calcula a partir de la energía que se quiere disipar ,~n el capacitar. El primer parámetro
establecido es la impedancia sobre la que se pretende dar el shock. Dada una impedancia de 75 O y una
energía de 200 J. como segundo parámetro, se utilizaron las ecuaciones de energía y potencia para obtener
los siguientes valores:
V= IX z
Donde V es el voltaje necesario para aplicar una corriente I a una impedancia Z. En este caso Z es
puramente resistiva (75 O). Se fija una corriente máxima de 30 A, que se eligió como parámetro de diseño
de acuerdo a las normas de desfibriladores de la AHA de 2005 y se obtiene el voltaje:
V = 30A x 7Sohms = 2250V
Es decir, la relación entre las bobinas del transformador si se utiliza una batería de 12 V es de:
2250V
12V = 18 7.5
El tiempo se obtiene a partir de la potencia consumida (P}. Se sabe que:
P = V X/
Página 19
Donde V es el voltaje aplicado entre las terminales de un elemento pasivo e/ la corriente que pasa a
través de este. También se puede calcular la energía:
E= P X t
Donde Pes la potencia instantánea, y V e I son el voltaje y la corriente pasando por el elemento en
cuestión, que en este caso es la resistencia de carga. El tiempo se obtiene de la siguiente manera:
200/ = 2250V X 30A X t;
t=2.9ms
Sin embargo, estas consideraciones implican que el voltaje y corrientes aplicados sean constantes a
través del tiempo. Esta consideración es incorrecta porque la corriente y voltajes antes mencionados son los
valores máximos, a pa1tir de donde comienza el decaimiento exponencial. Entonces se considera un circuito
RC. En este circuito, el voltaje del capacitor decae exponencialmente de acuerdo a la siguiente ecuación:
Donde Ve es el voltaje del capacitor en el instante t, V0 es el voltaje inicial en le capacitor y R y C son
la resistencia y capacitancia del circuito RC. Si queremos que el shock transmita el 90% de la energía en Sms,
como un parámetro de diseño se tiene lo siguiente:
V,e -t)
- = e ( 1/C = .1
-
Vo
De la ecuación anterior t = 8 ms, R = 75 O. Se obtiene el valor del capacitor:
t 8 * 10- 3
C = --c-c----- = - - - - - - = 46.32µF
ln(V,)xRx-l ln(.l)x75x-1
Vo
El capacitor al que se pudo tener acceso en el Instituto de Cardiología tiene un valor de 35 µF y se
puede cargar hasta 4000 V. La energía almacenada en un capacitor es:
1 .,
E - -Cv'
J 2
-
Página 20
Etapa de potencia de un Desfíbrilador Externo Automático.
En esta ecuación, Ces la capacitancia del elemento y ves el ve Ita je al que se carga. Despejando el
voltaje y sustituyendo el valor calculado anteriormente, así como el valer de capacitar disponible se obtiene
lo siguiente:
v=~=
zxzoo = 2939 V
46.32*10- 6
v= hE= 2 X 200}
35 * 10-6 = 3380 1/
El primer cálculo es para el capacitar teórico y el segundo es pc,ra el capacitor que se adquirió. Esto
implica que la relación del transformador total sea de 281.67. Ahora bien, con los valores calculados, se
pueden obtener las demás variables en la bobina, como corriente, que es determinante en la selección del
transistor. Una vez que el voltaje se ha podido elevar, la siguiente eta~,a del circuito consiste en generar la
forma de la seña l. La señal es bipolar con decaimiento exponencial truncado. Sin embargo, se comienza por
un circuito que genere una onda con decaimiento exponencial. Para ello se establecen algunos parámetros
de diseño.
De acuerdo a Minczak & Krim el desfibrilador externo automático se carga entre 2 y 5 s después de
encendido o de dar alguna descarga. Una vez más se elige como parám,~tro de diseño la carga del capacitor
en un tiempo de 4 s. De esta manera, se requiere una constante de tiempo r =R*C =800 ms (se recomienda
que lar sea 5 veces menor que el tiempo de estabilización (Webster & Clark, 1998):
800 * 10- 3
R =- - - = 22.85kil
35 * 10- 6
Con los valores antes calculados, el circuito que dará una se1ial con decaimiento exponencial se
puede armar como se muestra a continuación:
Página 21
Etapil de potencia de un Desfibrilador Externo Automático.
22k0 12 /
11 / . lsalida
~.---1-12_V_ _ __,711 ~.----'\/Vv,----35-µF_____,ft-----'I~ T 2 º'-----'-c..=.;~ 750
~/º__J-
INT1
~ I ,
Ilustración 10. Esquema del principio de un circuito que genera una forma de onda con decaimiento exponencial (en
donde INTl es el transistor de conmutación).
También es posible calcular valores máximos de operación en el circuito en las diferentes etapas del
sistema. La resistencia regula la corriente que fluye en el lado de voltaje alto del transformador y con ello la
velocidad de carga del capacitar. La corriente máxima en esta etapa se calcula en el instante después de que
el conmutador 1 se cierra. En este momento, el capacitar funciona como un corto circuito, y hasta después
comienza a cargarse. En la etapa de carga, la corriente es:
3380V
/2 = 22.85 k ohms = 147.92mA
Entonces se puede obtener la corriente máxima del lado de bajo voltaje:
/ 2 V2 147.2mA x 3380V
/1 = - = - - - - - - = 83.33A
V1 6V
O bien 41 A si la batería es de 12 V. Para sacar la corriente promedio analizamos la forma de onda
generada por un RC:
Sr= 4s
T = .8S
Ecuación que describe la carga del capacitar:
Í¡; 83.33e-o.Bt dt = 99.91As

Página 22
99.91As = 4s X l¡,rom
lprom = 24.98A
Con base en este valor podemos seleccionar el transistor apro~•iado y disponible en el mercado. En
este caso, se hace uso de un transistor conmutador cuya frecuencia máxima de operación es SO KHz : un NPN
2N3771 y con capacidad de corriente de 30 A en el colector.
El circuito que manipula la ganancia en el transformador reqLiere de un elemento oscilador. Con
este es posible transformar una señal de DC a AC. En el circuito diseñado se tienen dos opciones,
controladas por un conmutador, la primera haciendo la integración con el equipo de procesamiento de
señales cardiacas, se programó una línea de puerto para que esta diera el pulso que es necesario, y la
segunda opción, es generar la señal cuadrada con un oscilador 555.
Teniendo ya seleccionado el transistor de conmutación, se caracterizó el transformador de alto
voltaje para diferentes frecuencias, además, alimentado desde una fuente DC de 12 V. Se muestran los
valores máximos obtenidos y el rango de frecuencias para el voltaje requerido para el proyecto.
Tabla 2. Caracterización del comportamiento del transformador de alto voltaje.
Voltaje de
Frecuencia de conmutación Ve Itaje de salida
entrada
(KHz) (V)
(V)
12 23.S 3010
12 24 3070
12 24.5 3142
12 25 3290
12 25.S 3415
12 26 3530
12 30 4260
12 30.5 4100
12 31 4620
12 31.5 4800
12 32 5100
12 32 .5 5400
12 33 5700
12 33.5 5810
12 34 6130
Página 23
Relacion Frecuencia-Voltaje en flyback

7000
6000
2'..
ro 5000
"O
ro
V, 4000
a.,
"O
a., 3000
·¡¡,
..,
o 2000
>
1000
o
23.5 24 24.5 25 25.5 26 30 30.5 31 31.5 32 32.5 33 33.5 34
Frecuencia (KHz)
Ilustración 11. Gráfica de comportamiento del transformador de alto voltaje como respuesta a frecuencia.
El voltaje máximo obtenido fue de 6130 V a una frecuencia de 34 KHz Analizando la tabla de
valores, la frecuencia programada para el pulso de control en el conmutador debe ser de 25.5 KHz.
Reorganizando los valores obtenidos hasta el paso anterior, se tiene la siguiente tabla de datos:
Tabla 3. Datos obtenidos hasta el paso anterior de diseño.
Valor Unidades
Voltaje de carga (salida en el
3380 V
transformador de alto voltaje)
Periodo de la señal de desfibrilación
8 ms
(forma de onda bipolar).
Frecuencia de conmutación (conmutación
25.5 KHz
de entrada al transformador de alto voltaje)
Voltaje inductor primario 12-VCE(BJT) V
Corriente promedio en inductor primario. 24.98 A
Voltaje inductor secundario 3380 V
Corriente en inductor secundario 147.92 mA
Resistencia de carga 75 o
Página 24
V+
Batería de 12V FLYE-ACKVM Capacilor AV
C.>---------+--------------1
22k0
1k0
Key=A
VCC 2N3711
l·C:T ,,u¡
[•IS
TIJP
o o
m,crocontrolador
2000 TPI
,:,·,u
Gtlí•
ICM555
10nF
Ilustración 12. Circuito de control para elevación a alto voltaje.
Con los datos anteriores se puede obtener la forma de onda que se genera a partir del circuito RC
diseñado de la siguiente manera:
El voltaje pico (al cual está cargado el capacitar) es de 3380V. O,~ la teoría de circuitos RC, se tiene la
ecuación de descarga de capacitar, la cual nos sirve para ver la curva de descarga:
en donde el valor inicial del voltaje es V0 = 3380V, la constante de tiempo T= RC = 750 x 35µF = 2.625ms.
Entonces la ecuación de la forma de onda es:
V(t) = 3380e-3Bo 952t
Hasta este paso, se obtuvo una forma de onda con decaimiento exponencial truncado, con la
ecuación mencionada y con gráfica:
Esta forma de onda es monopolar (MTE - Monophasic Truncated Exponential). El último paso del
diseño es invertir la polaridad a la mitad de la señal (en 4ms) para lograr la forma de onda bipolar (BTE -
Biphasic Expone1tial Truncated).
Página 25
4.2 Control de polaridad.
Al haber obtenido ya la señal con decaimiento exponencial, se procede al diseño del inversor de
polaridad para la señal. Para esto se requiere hacer un análisis del puente H, tanto de corrientes como
voltajes y también aplicar los conocimientos de IGBTs. Ya que el puente H es un mismo circuito repetido dos
veces (dos medios puentes) se puede hacer el análisis de dos IGBT para el estado encendido (una polaridad
pasando por la resistencia) y para el medio puente restante se espera que el comportamiento sea el mismo.
El puente H formado por IGBTs se puede observar en la ilustración 13:
o
'D
ro
e
E QJ
.E
Vl
e
-
·rn
o
>
ALTO VlTAJE A
CARGA
nodo3
-
l>'A'Jl·,
~ .8
QJ ro
'D QJ
ro o
'D
ro
V) ~D
Ref 1
Ilustración 13. Circuito en configuración básica para un puente H.
/:-.\1
i
AL TO VQL TAJE
Ilustración 14. Descomposición del puente H para análisis nodal de voltajes.
Página 26
Considerando solo una mitad del puente, como la marcada en la figura de la izquierda de la
ilustración 14, basta con activar los IGBTs A y D como se muestra en la figura derecha. De esta forma se
pueden analizar los voltajes en algunos nodos que son necesarios para seleccionar los componentes. En el
nodo 1, se tiene alto voltaje respecto de la referencia; en el nodo 2 se ti =ne el alto voltaje menos la caída de
potencial entre el colector y emisor del IGBT. En el nodo 3 se puede analizar en el sentido contrario, es decir,
si en la referencia se tienen O V (tierra), en el nodo 3 habrá O V más la eaída de voltaje colector a emisor en
el IGBT inferior. Se eligió un IGBT cuyo VCE=2.43 V. Los IGBTs deben soportar la corriente que pasará por la
carga, es decir alrededor de 30 A. Para entrar en conducción, los IGBTs deben tener una diferencia de
potencial de 15 V entre el la terminal de activación y el emisor (V6 E en las hojas de especificaciones), lo cual
en principio puede no parecer complicado de lograr. Teniendo estos datos en cuenta, el siguiente paso es
diseñar la etapa de activación de los IGBT.
La diferencia de potencial entre la terminal A y el nodo2 debe ser alrededor de 15 V. Al relacionar
los voltajes anteriores, el voltaje en el nodo 2 es casi igual al alto voltaje, por lo que el voltaje de activación
para el IGBT superior, en la compuerta de activación, debe ser el alto voltaje más VGE=15 V (alrededor de
3015 V). Para el IGBT inferior se tienen O V conectados directamente al emisor, por lo que el voltaje en la
compuerta de control debe ser 15 V.
Para el control del IGBT inferior, se optó por utilizar controlado1·es de IGBT diseñados para proteger
y activar a este tipo de transistores en diferentes aplicaciones. En específico el circuito integrado MC33153
es utilizado en el diseño, presenta en su nota de aplicación un circuito básico de controlador de IGBTs con
opto-acoplamiento.
A
18 V
alto v ltaje
Ilustración 15. Configuración básica del circuito MC33153 para activación de IGBTs.
De acuerdo a la hoja de datos técnicos del controlador del IGBT (Onsemi, 1994-2008) las
resistencias en la salida del circuito integrado son para optimizar las car,Kterísticas de encendido y apagado
Página 27
del IGBT. Las resistencias de encendido controlan la velocidad de cambio al inicio, mientras que el diodo y la
resistencia de apagado controlan la velocidad de apagado. Normalmente la resistencia de apagado es una
fracción de 0.1 de la resistencia de encendido. Se utiliza un opto-acoplador a la entrada del MC33153 para
proteger a los circuitos de altos voltajes manejados en el puente H. Al utilizar un opto-acoplador se
necesita de una resistencia de activación para controlar la corriente y polarizar el transistor. El capacitar es
colocado para disminuir el ruido de la fuente de voltaje. El circuito de activación para los IGBTs cuyo emisor
se conecta directo a la referencia se conecta como lo mostrado en la ilustración 16:
MEDIOPUENTEI
1
~~ l
t:j 'f---=-+-J-~Wl,----~v IGBTJ t D3
, ~:~: .º "7:l&~:~~T~0-3--~~~-~-.. .l-;__-_

1
______ ~--~I
Ilustración 16. Circuito de activación para los IGBTs inferiores del puente H.
Para los IGBT superiores el circuito de activación requirió de adaptaciones. Como se mencionó
antes se requiere de un alto voltaje para hacer conducir estos conmutadores (alrededor de 3015 V). Una
propuesta consistió en añadir al diseño, una fuente extra de alto voltaje; sin embargo esta opción fue
descartada por los cambios de voltaje en el circuito de elevación con respecto a los cambios en la frecuencia
de excitación no son lineales y requieren de un circuito de control más complejo. Debido a esto se utilizaron
generadores de voltaje desacoplados, en específico el circuito integrado PVllOS0N, el cual posee la
característica de que al hacer pasar una corriente entre las terminales de entrada, se produce una diferencia
de potencial entre las terminales de salida. En la hoja de especificaciones se menciona que se obtiene a la
salida un máximo de 5 V 0 c por cada terminal, y 10 V0 c si se conectan en serie, con una corriente de 10 µA. En
las pruebas no se obtuvieron estos resultados, ya que el máximo obtenible para el circuito integrado
conectado en serie fue de 6 V0 c, a continuación se muestran tablas de caracterización de los circuitos PVI
haciendo pruebas de corriente y voltaje, variando la resistencia de entrada.
Página 28
Tabla 4. Caracterización de los circuitos integrados PVll0S0N
R=lOohms R=lOOohms R=lkohm
~ . a Corriente Salida Corriente Salida Corriente Salida
Voltaje (A) (V) (A) (V) (A) (V)
0.5 o 0.04 o O.Hi o 0.16

1 o 0.04 o O.Hi o 0.16
1.5 0.014 2.72 0.002 1.6!: 0.001 0.64
2 0.048 3.2 0.008 2.SEi 0.001 0.88
2.5 0.087 3.36 0.013 2.8 0.002 1.28
3 0.127 3.36 0.017 2.% 0.002 1.68
3.5 0.168 3.36 0.022 3.04 0.003 2
4 0.211 3.36 0.027 3.1:! 0.003 2.08
4.5 0.256 3.36 0.032 3.1:! 0.004 2.24
5 0.037 3.2 0.004 2.32
5.5 0.042 3.2 O.DOS 2.4
6 0.046 3.2 0.005 2.4
6.5 0.006 2.48
7 0.006 2.56
7.5 0.007 2.56
8 0.008 2.56
8.5 0.008 2.56
Página 29
Etapa de potencia de un Dcsfibrilador Externo Automático.
Característica de transferencia del PVI

1050N para diferentes resistencias(para
un solo canal}.
4
> 3.5
···············:.::.::.::.:-------
3
2.5
--
...... .... ~·-·- ---"-''"'
2
: ,
---~-----~·e_·------------------------
1.5
--
o
> ;/
1
0.5 :,
o
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5
Voltaje entrada (V)
R=lOohms - - - - R=lO0ohms - - R=lkohm
Ilustración 17. Característica de transferencia del PVI 1050N para diferentes resistencias (para un solo canal).
Con esos resultados, se necesita observar las características de conducción de los IGBT a activar y
revisar que el punto de operación concuerde con las especificaciones del diseño.
f,
Vc.;.E G,i!t·-tc,-Emitter V::.d1ac;t:- 1Vi
Ilustración 18. Gráfica de capacidad de corriente con respecto al voltaje Compuerta-Emisor (Hoja de especificaciones de
IRGPH40F p. 38)
Página 30
Observando la gráfica de voltaje GE contra corriente que pesa por el colector, se aprecia que
aproximadamente a 8 VGE se obtiene una capacidad de corriente de casi 40 A, por lo que se conectaron dos
PVllOS0N en serie para generar 10 V y así obtener una capacidad de co ·riente adecuada. El circuito para la
activación de los IGBTs superiores queda de la siguiente manera:
IN
RPVI2 LI
Micro2
RMICR02
tierra.micro
O P T O1t t 2
\.\.
1
v12 ,
OPT02
PVl21
PVl22
~~··
u------~ /\,----------~ ~HEDIOPUENTED
Ilustración 19. Circuito de activación para IGBTs supedores del puente H.
Con los IGBTs activados es posible realizar el cambio de polaridad, y el control se realiza desde el
microcontrolador que decide si es apropiado o no desfibrilar al paciente.
Lo último a diseñar el es control de descarga, es decir un interruptor que indique cuándo se debe
descargar la energía en el capacitor hacia el cuerpo del paciente. Este fue armado con un circuito igual al
circuito de activación para los IGBTs superiores, logrando así controlar con un IGBT cuándo se carga y
cuándo se descarga.
CAPACITOR
1
RPVIDISC
RMICRODISC
Micif-:~~:~~r~r~a~m:i_:_r_o___,_O__,P:~Q:~+---v_12-ul
Ilustración 20. Circuito de control de descarga del capacitor para desfibrilación.
Terminando, el diagrama a bloques de la etapa de potencia del desfibrilador externo automático se
muestra a continuación:
Página 31
¡-r¡
¡;r
'O
o.,
o.
ro
'O
g
ro
:,
n
¡;;·
o.
ELEVAVOLTAJE DESCARGA ro
e
::,
Cl..fA:ITüR PU E.jm'fi-i- - - ,
V18 - --- -
o
ro
V,
=,
- - ! MlCP-04 O"
t i~rram.i cro :;.
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f-tT=D l
~ 1
TCPOT o.,
¡-r¡
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o., ro
()'Q -= .,
..... ::,
o., o
3o., 1 >
o.,
;=,
o
cr 3
O., ,
o
.o cr.
e n
ro ~ 11icro2 - --t- ~
V>
.--+-- Micro! ~
Q.
~ . . tlerramic:ro ¡--+-
t1erram1cro
R220 - 1 R 1- 1
Q.
ro '!--- 18
V>
:::!) v\~EDIOPU ENTEI - n__!\/\/v-ft__!\/\/v-K !1EDIOFUEIITE~ _ _,
cr
..... Xl R220_2 R1 _2 X2
o., __!\/\/\r- __!\/\/v-
Q.
X3 X4
~
ro MEC•:OPUENTEI - R220_ 3 R1_3 ~ MEDIOPTJENTED 1
~ Y-+- mi<.:102 __!\/\/v- __!\/\/\r-
~ V18 1 - --
:, tierrami cro
o
o.,
e V18 1 tierr~~~.~~¿ 1
..... J
o
3
O.,,
.....
n
~
11
-O
O.,,
o:s.
:,
o.,
w
N
Etapa de potencia de un Desfibril;idor Externo Automático.
Haciendo referencia a los circuitos mostrados en el presente escrito, el bloque de ELEVAVOLTAJE en
la ilustración 25, hace referencia a la ilustración 16. El bloque DESCARGA se refiere al circuito en la
ilustración 24. Y por último los bloques Xl y X2 hacen referencia al circuito en la ilustración 18, mientras que
los bloques X3 y X4 hacen referencia a los circuitos en la ilustración 23.
Como se puede observar en el diagrama a bloques del desfibri ador, hay un bloque de resistencias
que se explicará a continuación:
Existen tres resistencias en paralelo de 220 O, lo cual resulta en 73.33 O que es similar a la del
cuerpo humano y es aquí en donde se disipará la mayor parte de la potencia de la descarga. Posteriormente
se tienen tres resistencias en paralelo de 1 O, esto se hace con el fin de hacer un divisor de voltaje y poder
observar la señal en el osciloscopio. La división de voltaje da como resultado que haya una caída de 3364 V
en las resistencias de 220 O y una caída de 16 V en las resistencias de 1 O, lo cual es perfectamente
observable en un osciloscopio de la universidad.
El esquema del circuito diseñado queda como el mostrado en la ilustración 22.
Página 33
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3
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5. Evaluación del sistema desarrollado

Durante las pruebas realizadas en el proyecto, se presentaron problemas de adquisición de
componentes para la activación de IGBTs, fue el caso de los foto-generadores de voltaje PVl1050N los cuales
se tuvieron que importar de Estados Unidos. Surgió una falla en las pru-=bas finales en la obtención de la
señal bipolar y alg,Jnos de losPVl1050N dejaron de funcionar, lamentablemente por tiempo no se pudieron
adquirir más componentes y continuar las pruebas, además de que los componentes que quedaron en
reserva para problemas no son suficientes para el sistema completo (se -equiere de 6 PVllOS0N para el
sistema completo, de los cuales ninguro continuaba en funcionamiento y solo se tienen 4 componentes del
mismo en reserva, lo cual no es suficiente para reemplazarlos).
No hay motivo para pensar que el sistema no funcione ya que el error fue en la conexión de la
alimentación del dispositivo. Se realizaron las pruebas suficientes para comprobar que el diseño es
funcional. Las pruebas que lo comprueban son las siguientes:
• La activación de los IGBT se logró controlar de dos formas. La primera siendo desde el
identificador de arritmias en el corazón, de la manera mostrada en el documento. La
segunda manera fue a través de una interfaz en Labview que mandaba señales de
activación a una tarjeta de adquisición de datos (DAQ). Debico a las especificaciones de la
DAQ y a las pruebas realizadas, se aumentó una etapa de potencia que consistía solamente
en el uso de transistores 2N2222 para aumentar la capacidad de corriente. La salida de la
DAQ se conectaba a la base del transistor, el colector conectado a una fuente de voltaje
(12 V en conveniencia de la fuente de alimentación de todos los demás circuitos), y el
emisor se conectó a la entrada de las activaciones de los IGBT (siendo los 4N36). Las
pruebas realizadas arrojaron los resultados en este documento, con las señales de
activación funcionando correctamente y haciendo conmutar a los IGBT a alto voltaje (hasta
1 kV).
• Para com.orobar que la capacidad de velocidad de conmutación d,=I sistema es la adecuada,
se hicieron pruebas de conmutación con un generador de funciones. El resultado fue el
correcto funcionamiento de todos los componentes a una frecuencia entre 10 Hz y 500 Hz.
Para el proyecto se requiere una velocidad de conmutación apro.<imadamente de 200 Hz
(el cambió de polaridad se da en 5 ms, y se termina 5 ms de-spués), por lo cual los
componentes son adecuados para la aplicación. Después de 500 Hz, los Pvi pierden su
Página 35
Etapa de potencia de 1111 Desfíbrilador Externo Automático.
comportamiento, y las señales de salida se distorsionan de manera que ya no pueden
activar de manera correcta los IGBT.
• La carga y descarga del capacitar es controlada por medio de un IGBT de alto voltaje, se
muestran las figuras de descarga en la ilustración 27.
A continuación se rr.ostrarán imágenes obtenidas en un osciloscopio Tektronix 3032:
Stop
Ch 1 Freq
1 1 .
[
,,,
~
; :
126.lHZ
Ch 1 Pk-Pk
2.64 V
CiilJ 2.00V M2.00ms A Chl f 1.44V

3 Nov 2008
Ü-+T -80.QQQQµS 18:09:37
Ilustración 23. Señal de entrada a los opto-acopladores 4n36.
Página 36
Stop
······:······y·~·--·r"·:····:· .. · !····:····:····: .. ··:--~---! .... ,....•... ,.... ,................... ,. ---···-,-·~,.....
ij
Chl Freq
....-.....
/ 126.2 Hz
+' Low signal
amplitude
; , , .... ; Chl Pk-Pk
7.60 V
l!il] S.OOV M2.00ms A Chl J 2.60 V

3 Nov 2008
ü ........ -80.0000µs 18: 18:05
Ilustración 24. Señal de salida proveniente de un PVIWSON.
Stop
Chl Freq
126.3H2
Chl Pk-Pk
10.7 V
C!il] 5.00 V M2.00ms A Chl J 1.40 V

3 Nov 2008
Ü-+T -80.0000µS 18:12:23
Ilustración 2!i. Señal de salida proveniente de un MC3315 3.
Página 37
Etapa de potencia de un Desfibrilactor Externo Autonütico.
Deten. ....,..,., , , , , ,..

...... ... .... ... ..
Chl Frecuencia
----.Hz
No se halla
período
. _ _ . ,.i .... ;......... ;.... ;.... ···!····; .... ¡.... ¡. ··C··-~····'···-1---·i····[-· i··":···• .. ··:·--·,· . . ,. .:. .·.=.·.=. . .:..· ; ;.··; .;·.;.;. . . .
¡...,.....,._""'""". Ch 1 Pico-Pico
208 V
100 V P 10.0 s A Chl f 0.00 V

6 Nov 2008
20: 18:05
Ilustración 26. Carga de capacitar de alto voltaje.
Deten. .., ............ .

o
Ch 1 Frecuencia
1 O.OOkHz
Resolución
baja
.;;_;;.;.,,;....,;;.;,;.;,,;,,.,;.;;,.:,.;.;....:.;;;;..;;..;..:;,.;...;..;..;.¡;,;;;,;W;.;;¡,;;,.:.:.;;;.;;.;.;.;;..,;;;;.;;;_,;;;;;;. Ch 1 Pico-Pico
8.00 V
~ lOOV P4.00ms A c1,1 f-6.00V

6 Nov 2008
ü~..- 5.6ooooms 20:34:52
Ilustración 27. Descarga de energía proveniente de un capacitar de alto voltaje.
Página 38
6. Conclusiones
Las aplicaciones de la electrónica encuentran lugares de des3rrollo amplios que si bien podrían
alejarse totalmente de la ingeniería, dejan un espacio para aplicar los principios con el fin de resolver un
problema. Así, un circuito que de otra manera funcionaría para filtrar señales, es el mismo que se utiliza
para desfibrilar a un paciente con padecimientos cardiacos. Es destacable que un proyecto de ingeniería
debe utilizar el ingenio del diseñador. Esto es especialmente importante cuando se requiere realizar una
tarea para la cual los principios aue haya sean escasos o nulos, o bien, no se haya referenciado una
aplicación. En esta situación, es importante buscar fuera del contexto una solución al problema y de esta
manera, el ingeniero, por ejemplo, podrá aplicar un transformador de alto voltaje que haría que la imagen
de un televisor sea nítida en el mismo desfibrilador.
Las consideraciones que se hacen al momento de seleccionar elementos de baja potencia aplican
también para seleccionar elementos de alta potencia; sin embargo, es necesario tomar precauciones
necesarias y agregar detalles que mantengan a los circuitos de alta potencia, así como a sus operarios fuera
de peligro. Para poder hacer un diseño seguro, es importante conocer las corrientes y los voltajes presentes
en cada nodo del circuito. Así se pueden hacer diseños más eficientes en cuanto a que por ejemplo, no se
utilizan elementos que sean más caros por su desempeño en lugares dende no se requiera hacer uso de sus
límites máximos.
El desarrollo de un proyecto de cualquier tipo requiere de planeación en una variedad de temas
que se involucran directa o indirectamente con este. Esta planeación incluye la administración de recursos
que son fundamentales para el éxito del mismo, como los son el tiempo y el dinero, así como la distribución
de tareas y administración de la energía de los desarrolladores.
Página 39
7. Perspectivas a futuro
Para futuras generaciones que siguieran con el proyecto, queda solamente reemplazar los circuitos
PVll0S0N y realizar las pruebas de conmutación en un tiempo de 5 ms, para mostrar la señal bipolar en un
osciloscopio de la universidad.
Por último quedaría hacer las pruebas requeridas por organismos regulatorios como la FDA para
poder comercializar el proyecto, después de unir las tres etapas del desfibrilador externo automático: la
adquisición y procesamiento de un electrocardiograma y la etapa de potencia; estas etapas deberán estar
juntas en un mismo empaque para su fácil transporte y colocación en el mercado, que es uno de los
objetivos de la realización del proyecto.
Página 40
8. Bibliografía
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Webster, J. G., & Clark, J. W. (1998). Medica/ lnstrumentation: Application and design. New York:
Wiley.
Página 41
Etapa de potenci a de un Desfib ril ador Externo Automático.
9. Anexos.
9.1 Anexo 1 - Hojas de especificaciones
9.1.1. 2N3771
2N3771
2N3772
HIG H POWER NPN SILICON TRANSISTOR
• SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
DESCRIPTION
The 2N3771 , 2N3772 are sil icon epitaxial-base
NPN transistors mounted in Jedec Jedec T0-3
metal case. They are intended for linear
ampl if1ers and inductive switching applications
T0-3
V:=.,saii~ Co llector-Errntter for 2N3771

S<1turnt1011 Vo lwge le = 15 A Is= 1.5 /l. 2 1/
le= 30 A Is= i3 A 4 \/
for 2N3772
le = 10 A Is= 1 A 14 V
le= 20 A IB = 4 A 4 \/
11=;::· DC Current Cáoin fo r 2N3771

le = 15 A VcE = 4 V 15 60
le = 30 ,A. VcE = 4 V 5
fo r 2N3772
le = 1O ,A, VeE = 4V 15 60
le: = 20 A Vc E = 4 \/ 5
hFE Small S rgna l Curren! le: = 1 /1. Ve:: = 4 V f = 1 KHz 40
G<1m
h Trnns1t1 011 freq uency 1'-~ -- 1 A Ve.=.= 4 V f = 50 KHz 0. 2 f,1Hz
1,..-11 Se co nli Greakdown Ve. E = 25 \! t = 'I s ¡non repetit1ve ) (:i A
Pági na 42
mm inch
DIM.
MIN. TYP. MAX . MIN. TYP . MAX.
A HOO 13.1 0 0.433 0.516
B 0.97 ·1.15 0.038 0.045
e 1.50 '165 0 .059 0 .065
[) 8.32 8.92 0 .327 0.351
E '19.00 20.00 0.74 8 0 787
G '10.70 'l l. 10 0.421 0.43 7
N 113.50 17 .20 o.e,49 0.677
p 25.00 26.00 0JJ84 1.023
R 4 .00 4 .0SI 0. 157 O 16 '1
u 38.50 39.30 l.:, lf.', 1.547
V 30.00 30.30 1.1 87 'J.1 ~13
p A D
ú e
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-~ e=:: ::::~
> i• (1) 1
~- - · - ~ w
zl O
~ -- L - - - -- --
Pági n a 43
9.1.2. LMCSSS
r
A..'1 Natio 11 a l May 2006 s:
(')
[,,... Semiconductor (Jl
(J1
(J1
LMC555 (')
s:
CMOS Timer o
(/)
General Description Features
Th<é LMC,8:, is a Cl-:10S v,;,rsion of th"c inclustry stanc:la,d • L"'ss th<'in t mV1 typi ca.l powe r c!iss1pation al 5V supply ::1
555 S'?llf$ g,;n>ct,11 purp,:,s;;, 11rn,ers In a<:ld111on te, th;-, .s tan- • :;; hlHz ast,,bl-i- frequfn cy c.,pabtlny 3
(l)
dmd paGkage (SOIC . 1·.4 SOP. i'!nd f,ID IP , th,; LIJC555 is also • 1.5V supply opemhng voltag>? g,.1~rnnteF.d -e
a-,ail c1rA,;, in a d1ip stz"cd padiage ($ B,nnp micro S!c1D) usmg • (Mput fu Hy c.:rnpatibli? ,,,-ith TTL ,3r,.:J CI-JOS logic at 5V
t--Jatic,rrnl's micro SMD pockc13e technology. Th¡_, LMC555 supply
.:.-ffi:% the same cap,,l:1l11y of 9.;,n¿rat1r,g a-:;,:ur,,t.- trnE' d,elay$ • T;,stecl to -1 C· mA. +50 rnA outpu1 , un>?nl l,;v¿,ls
ancl frequ€-r.:1e-s as th,; LM:,$5 L'\Jt w1th mu,;h i,;,wer pow¡_,r • Reduc¿,d supply curren! spik.;.s dtmng output tr «ns,ti ons
dis.sipation and supply cu nent spikes When operated as a
• Ext rF.'mely low res.;, t, triggH. ,,nd threshold currents
one-shot the tune d<?la)' is p1ec1sely controll¡;,d by a single
f<ternal r"<s1s t,) r and c<1 pamor. In the stable mc,d>" th" osd- • E,c;,11,,.nt t&mperatUIE- $li'lbihty
lation lrequ.,.r,cy and dur,.- ,;ydo, ª'"'
a,:cura1,,.1,, S-"I by t\AIG • P1n-for-¡:,m -:ompatibl'? v,i th 555 S>=riEes of t1rners
o,xt;;rr,¿¡ I í-"?,1s1ors an j one capac1tc, 1. Th.; us"' c,f National • Availabl>? in 8-pm MSO P Pa,:k;i9e and 8-Bump mic ro
Se miconclu..;t,;1 ·s LMCMOS~-, prc,cess <é>-1E'ncls t.oth th.; fr,o. SMD package
que-n-:y ré11191:- ancl il)w supply l::apabihtv
Absolute Maxirnum Ratings n~,-t>?, 2. 31 Th>?rrnal R¿sistanc,; ¡;.JAl (No t,; 21

lf MilitaryiAerospace specified devices are required . SO. 8-Pin Srnall
please con tact the Nat ional Semiconduct or Sales Otficel Outl ine 169 CiV,'
D1stributors fo r avail bílity and specifications. MSOP 3-Pin
Supply \lol tage. v· 15V Mini $ rnall
Input Vdtages, \\At,:;; · VAE:: · V,:-rR L, OuthrlE' 225 C,'VV
VTHRE'::H -0 .3\I to Vs + 0.3V MDIP. e--Pin
Output Voltr1oe$. V,:_, , VDIG 1$\J Molded Dip 111 c. .v.,·
Outp<.11 Current le,, 10 ,c 10.;) mA t'·-Burnp m1..;h )
.Storflg..? Te-mperatur ~ Range -65 e to +1 50 e SMD 220 C:'V.J

S<:-lderir.;1 lnf,)rmation t.;1a .... imum
l·,IDIP Solcl<c- ,ing (10 secc,nds ) Allowable Powe r
Di s·sip(1tton <,,, ;.:~. C
SOIC. MSO P Vapor Phas"' (60 s&c) 21s e
MDIP-8
SOIC. MSO P lnlrw-.-J 115 s,;-,:;; 220 e
SCH - 740 mV,J
Not9: $;':' ,AN-450:• ..Durtn,;"=" lv1(,untin·J t·,1tti i:d~ o.ri<l T h'='H Efff-,:1 m Pr-:.duct
R¡;.hot,1 lrr( f.:i¡ 1Jth.;i1 m.:.th,:'.r\1!. 0f ~)l.j¡;.nng surtJW m.-:,unt rJ¡:,vk~!. .
MSOP-8 555 mv,·
e. Bump micF>
Operating RatingS(ffotes 2. 3r SMD 568 m\•V
Termp.?rature
Rar-.,ie -40 e 10 +85 e
Te st Círcuit (Note 5) Maxímum Frequency Tes1 Circu it (Note 5)
y, ¡__ _ _ _ _ _ _ _ __,.,
V
'70 ~ 0 . lµf _1-'
2ú0
Oli TPU l
.I_ 200 pf
LMC555
I ooo1;s.r
Página 44-
Eta pa de potencia de un Desfibrilador Exte rno Automático.
Application lnformation (Continued)
ASTABLE OPERATION
11 the ci rcuit is connocted as shown in Figure J (T, igg1?1 f)nd
Thri?shold term,nals conn~cted together¡ it wíll ttiggi?r 1t%1f
ar,d free run ,,s a rnu1,¡,.~brat,x The l?XtHnal capacitor
charg¿s through RA + R6 and d,scha,g,?s through R8 . Thus
th,;, duty cycl€ may be pro?cisel¡- set by the ratio of these two
,2sístors.
V,:¡;= 5V Top Traa, Output 5 ViOiv.
TIME • 20 µsll)iv, Booom Traco: Cap•c•or Voltago 1 VirY,v.
A,.•3.9k0
R. . Hn
e.o.o, µF
.:::r: o 1 ,, r
i(f,
FIGURE 5. Astable Waveforms
The charge t1mE• (output high) is given by

t, = 0.693 (R,. + R,,)C
And the díscharqe time (output low) by:
t2 = 0 .693 (R,,)C
Thus the total p.,riod is: L11,C555
T = t, -. t, = 0.693 (R,. + R 0 JC R[5[1
e,:,)
Toe frequency el oscibabon is:
1 1.44
f r- - ~ - -- - -
T (RA + 2 Re)C FIGURE 4. Asta ble (Vuiab le Duty Cycle Oscillator)
Figure 6 may be used for quick delermina1ion of these RC In thls mode of opemtio11, the cñpacilor char9es <1nd dis-
Values. The duty cycle, as a fraction of total period that the charg,:s between 1/3 1/0 and 2i3 Ve. As in tlB trigg>?red
oo1pul is low, is: mod e. th.,. cha,ge and drschMge times. ancl th<?r.,.for,;, t1·12
frequency are independe11t ol th e supply voltag,,.
D = - --
As
Figure 5 sho;vs th<é wavP.fonn generated 111 this mod'? of
RA ·! 2A9
operatic,n,
Physical Dimensions inch-s-s (millrnet&rS) unl,>$$ other..fae not.;;d (Conun;'?<l)
om - 0.<00
,..,. . (9 •H• -1 0 16) .
-+, o
t .2SG 005
{&.lótO 121¡
_t
OMl!iff2
Página 45
Eta pa de potencia de un Desfibril ador Externo Automático.
9.1.3. 4N36
GENERAL PURPOSE 6-PIN

FAl~CHILO
PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
SEMICO N DUCTOR <!'
4N 25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36

4N 37 H11A1 H11A2 H11A3 H11A4 H11A5
WHITE PACKAGE (-M SUFFIX) SCHEMATIC
l.
'<>-;,~'
=01 ~-~: ::~
\V-i 11· 4
...,1 ... 11'.vt
~ ('.... tt,,,"(.(
:, 1¡;.,;,-'.,t~~·:Tl<.°:f'I
1!r,.TTH1
• ' .' \.lt'1 -:..i
"> M..C
DESCRIPTION
The genf!ral purpose optocouplers consist of a ga llium arsenide infrared emi1ting diode driving a silicon pho101ransistor in a 6-pin
dt1al in-line package .
FEATURES
Also available in white package by specifying -M suffix. eg . 4N25-M
UL recogni zed (Fil<' :, E90700)
VDE recognirnd \File # 94766)
- Ad d option V for white package (e.g., 4N25V-M)
- Add op1ion 300 for black package (e.g .. 4N25 .300)
APPLICATIONS
Puwer supply re-gulators
Digi1al logic inpU1s
Microprc><:essor inputs
ISOLATION CHARACTERIST ICS

Characteri s tic Test Condition s Symbol Min Typ· Max Unit s
(Non ·-r·,,f. Black Package) (f = 60 Hz. t = 1 min¡ 5'.;00 Vac(rrns)

lriput-Output lsolation Voltage V1c,o
("-lvf". White Package) (f = 60 Hz, t = 1 sec) 7500 Vac(pk)
lsolation Resi,,tance (V 1_0 = 500 VDC) Riso 101 1 !l
(V 1_0 ; &. f = 1 MHz) 0.5 pF
lsolation Capaci1ance C 1so
í'-M· White Package) 0.2 2 pF
Note
· T,,pica l values at TA= 25'·C
Página 46
Eta pa de potencia de un Desfibril ador Externo Automático.
4N 25
4N2E
(le= 2 rnA. IF = 50 rnA) 0.5
4N 27
4N2E
4N3~
Coilecto r-Ernítter 4N3E 0.3
Vc E (SAT) V
Sa turation Voltage 4N37
Pe =0.5 rnA. IF = 10 mA) H11A1

H11A2
H11A 3 0.4
H11Al
H11A3
AC Cha racteri stic 4N 2::
4N2E
4N 27
4N2E
Non-Saturated (IF = 10 mA. Vcc = 10 V, RL = 100!1)
Trn, H11A1 2 ps
Turn-on Time (Fig .20)
H11A2
H11A 3
H11M
H11A3
4N3E
Non Saturated (le= 2 mA. Vcc = 10 V. RL = 100!1)
Tor. 4N 3E 2 10 ps
Tu rn-on Time {Fig.20)
4N 37
A C Characteri st ic Test Condit io ns Symh o l Devic e Min Ty p· Max Unit

4N2,;
4N2E;
4N2,'
4NW
(IF = 10 mA. Vcc = 10 v. RL = 100U) H11A1 2
(Fi g.20)
H 11A2
Turn-of!Time To FF H 11A3 µs
H11A4
H11A5
4N3!i
(le = 2 mA. Vce = 1O v. RL = 1OO! l )
4N&; 2 10
(Fig .20)
4N 3i'
.
· Typica l values atTA = 25' C
imensions (Th ugh Hole) ~ .- imensions (Surface Mount)
Página 47
9.1.4. IRGPH40F
PO - 9.764
lnternational
1r~1R IRectifier IRGPH40F
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
Features
• Switcl1ing-loss n:1t1ng inclucles iill ··tail" Josses
• Opllm1zed for mechurn operallng frequency ( 1 to
V c ES = 1200V
IOkHz) See F1g I for Current vs Frequency curve
Vc E(xltJ :S:: 3.3V
G
@VG:: = 15\/, le= 17A

E
n-channel
Description
lnsulol8d Gate B1polrn Transistors (IGBTs ) frorn lntern at1om1J Rectifier hélve
h1gl1er ustll;IE- current de11·3ities than com rJc:rüble bipc:,lor transistors. wl11le ot
t11e sorne lime llaving sm1pler gat&-clrive requ1rements of tl,e fnmilior power
LlOSFET. Tl"iey prov1 cle substant1al benetits to a l1ost of ll1gh -vol tüge lligh-
current npphct1t1ons
T0-247AC
Absolute Maximum Ratin gs
Parameter Max. Units
VcES Collector-to-Emrtter Voltage 1200 V
lc@Tc =25ºC Continuous Collecior Current 29
le @ Te= 100ºC Conunuous Collecior Current 17 A
lcM Pulsed Collector Cunen! <D 58
ILM Clamped lnductrve Load Curren! ~ 58
VGE Gate-to-Em1tter Voltage ±20 V
Switching Chara cteristics @ TJ = 25ºC (unless otherwise specified)

Par.:imete r Min . Typ . M.:ix. Units Conditions
To::a! Gate Ch;:irge (n.;m-0·1) 45 E;? l.;- = ¡7,;
ºº
º º"
Gate - En, itter C hJrge (tum-011) 11 lG nC \'~ ::: = 400V See Fig. e.
0 9c Gnte - Collector Cha rge (turn-on) 17 26 VGE = 15\/
l~1 ;:m, Turn -On Deia,i Ti me :n T, = 25 'C
Ir R1se Ti~·,e 17 ns 1:: = 17 f... V e,: = 960\i
t~,:. ...·• Tum-Off Deiay Tw1e 250 480 V.:.; E = 15\/. Re.= "lüí!
tr Fati Time 210 390 Energy losses include ··w1l'
E~r Turn-(ln Switching Loss 1.0
Eot' T Jm -Off Switching Loss 3,J mJ See Fig. ~i . ·10, 11. ·14
E,, Total Sw1tching Loss 4 ,J 7.f.,
Pági na 48
-
·e: 1J )O
;
.,. -
1
1 /
T, = 25 ' (. / '~
1
1~ / í J = 15C' C T,1 = 15 il' C
//
E
w
;f E
o
o
• 11
; I
- t.y
.e
ü ,r; f
i5'
(l) / ü
a, I
o / I o
ü I
u
/ / <..)
_u
:i ·
// 1 1
Ve E= 15 \'
2C u~ P J LS E 'f.'IL. - ,;
1J
j )'
H-------+---+---v ce = •CO\'
I 5~, " l LSE v-:1:,n-
VCE . Co ! ector-to-Em1tter Voltage í\/J V:..E• Gate -to- Em 1t\i;r\/o !tags ['f ;
Fíg . 2 · Typi ca l Output Characteristics Fíg. 3 • Typical Transfe r Characte ri stics
;. G = 1C ü
Te = 1 :,C' C ,
': e.e =B&OV J
V GE = 15\'
/
J ~ 1
~/ j
rn
/
/ 1
I
I
1
// 1 1
V
~,I
1 1
V
1 C1 _.......,_,1........_.................._....................._.............._
1j 20 :e 4J 1=J 1JJ 10(~ · ~) JC
l e . Co llecto r-to-Ern1tle r Curren! (A) VCE . Co llector-to- Emltter Vo tage (V )
Fig. 11 • Typical Switching Losses vs. Fig. 12 - Turn-Off SOA

Collector-to-Emitter Current
Página 49
Etapa de pote ncia de un Desfib ril ador Externo Autom ático.
9.1.5 MC33153-D
MC33153
Single IGBT Gate Driver

Tl,e )1( 3., l '3 i~ ,p_,-:if1c nlly ,k, i::!11t,I :i, a11 TC,BT d.11\·er fN 111;:h
pov:cr applic:iti0ns tlnr inclnde ac induct10n mo ror co11rrnl. bru,hle,,
de motor cc,nt10l Bild nninrdrnprnble powcr ,npplles. Alrl1ou2h
ck ,i~1ecl for dri,·in.~ cli, crek and module IGBTs. thi, de\·,ce ofier, .,
ON Semiconductor~)
co~1 effecl!H ,o!ution for dm·ing po1,·e1 )JOSFET> nnd Bipolar http: //onsemi.com
Tr:i n,i, ror, . De\·ict pwtec1 i011 fc atn1e> i11cluck the choice of
de~:nuraril•n 01 o\·er(un'2'ni ~t:thing a1kl 11nd~1Tolra;g¿ dct-=i:tion Thc~e MARKING
de,·ic,:,, are m·:iilal,Je in dunl- in-line :incl , urface moun1 pncl;n~e,. DIAGRAMS
Featu re s
• Higll Cu1wnt Ompw Sl~_~e · 1.0 A Somce ~ .(1 A Sink SOIC- 8
• Protection Circuw, for Borh C on\·ernional m1d Sen,e IGBT; D SUFFIX
CASE 751
• Prn~1 arnm:i hk f aulr Blankill.é? Time
• Protection nznimt 0Ye1c11I-rem wd Shon Circnit
• 1.lnden·olmge Lockour Oprnnized fo1 IGBT\
• :\'t)Z,lli\·~ Gme Drn·¡, Cnpilbi!Jry
PDIP-8
• Co;.1 EffecnYely Dri\·ts Pow.;r. IOSFETs afül Bipolar Trall>Í ',tor~
• Pb-frce Pacbges me A\·ailnble •11~ P SUFFI X
CASE 626
1
A :: t.5$1:-Tb,y l(><:,)l lú!":

L N L = \'ia ff ' Lc t
Y '(Y = Ye¿,r
\//. '</'AV = \'Vork '. . Vt:e ·
• o~ G = P~-Frei2 F·;Jck.J~IB
(No:.e · !',i ;(rodot may t)e m E-1tl"1E- .. !ocJli(";
PIN CONNECTION S
Cunent Scnsc Fault Slan,inQI

lnpul l))saiuration inpu1
',,
,-, Kelvin GND Fault Oulput
Fa1,;i 0,afü-mg. -::- 6 5 V
019-9.turatcn
tcmoa1at;:i1 Vcc
Dnvr Output
(Top V,:,w)
ORDERING INFORMATION
$<€-e, det,11 W oréerng ,:md sn,pping r,foml3l oo in the package
dunenS1ons sec t1 ()1'\ O"• º"9'= 3 t/ th1s. cata she~t
Figure 1. Representative Block Diag ram
Página 50
= =
ELEC TRICAL C HARACTERISTICS {Vcc 15 V Vee O V. K,; 'v1n GND connect~ d to VEE For ;·ypica: va: ues T,. = 25 .. C.
for mtniinax VJ!~;e:; T,4 lS t11e operatm~ 3ni:btem !e•nperntur¿ rangi: that .:tp::-·h-es (N::i:e 2·1, u ... l?~,-!- othe:rN¡se noti:>c:' .)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit

LOGIC INPUT
lnpt1t Tnrs:sho 1d Volwge
H1gh S;at-, l l og,c ·1) 2 70
Low Stme (l<XJIC O) i.2 2 3C
Ir-pu: Currem
H1gh S:ate (V 11_ = 3 O './! 130 500
Lor, State íV1L = l .2 \-') 50 100
ORIVE OUTPUT
,) u:pJt Ve;tQ ge V
Low :3ta:e fümk = 1.0 AJ 20 :'.5
H1gh State {ls:, ...rce.:: fiJO :nA1 12 13 S
•) u:p_: F\ .1' -Dowr, Re;s:or IOQ 2C•O
FAULT OUTPUT
Ou:pu: Vo'tage \!
Lov, .Sta:e {ls 1n~ = E,. O rnA; ü '.' ¡:)
H1gh S:ate tls:i.;rcE ~ ::.!C 1vA) l2 13.?
SWITCHING CH ARACTER ISTICS
Prc::,~19~:ion DelJ·, ~:-o~c lrp u: :o E.o~~ O,,_,tp J1 CL = LO !· F)
Log1c lnou: ~o Orrve- O"".tpU Rise lpu-: n,·o:,ut • 80
Logic lnpu: :o Dri •,e 0-.,tp;.:t F.:-,11 ~P "1L {ll1!CU1 ¡ 120
t, ·¡7
Orive Outp ut F3 11 r ;,11e (~!'.IS. to l O°é.) CL = ·1 ü nF tr 17

Cu rrent Serse lnpu :; to Dm:,¿, ú ulpu: -=·DC: O2 ;o pS
f¿¡u lt 5 ,ankhg-'Des.aturat::in hi:,u~ to Dnve O ..itpL~ tc: :=LT}
2 LO'ú' d:..:y cycle p;.dse :E-chn 1ques are useo durng test Iü mrn nta;n the iunct1or, :t111rem.tur,: cis clos.e :o ..i :-nbient JS pos:,1ble
T1c,w = -4{.FC tor t~lC.33 153 lnig~1 = + ! L5 'C for h:1C33153
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP-8
P SUFFIX
PLASTIC PACKAGE
CASE 626-05
ISSUE L
NOTES:
1. OlMENSION l TO CEI/TEíl Of LEAll WHEN
fOR.IED PAAAW'l
2 PJI.Cl(/\QE COllffilJl OPTOWJ. {l10UtiD 00
SOJAAf CO/lNEliSj.
3. DlMENSIONING ANO Tot.ERANONG PER ANSI
Yl4.SM . l-962
Página 51
Eta pa de potencia de un Des fibrilador Ext e rno Automático.
9.1.6 PVl-lOSON
Data Sheet No. PD1 00 54·B

lnternational
Series PVI-N
Ii,R Rectif ier Photovoltaic lsolator
Single and Du al Channel
5-1 O Volt Output
Genera l Description Features

Tt·,e PVI S&nes Pl,útovc,11rnc lsolc,tor genE;rc,tes c111
lsolated Voltage Source
eleclnca lly 1solated DC volt.., ge upon 1ece1¡)t of z, OC
1npu1 s1g11¿,I. lt 1s cr,pi:11,le o f cln8ctly dnv,ng g¿¡tes oí Monolithic Construction
pov,er 11.l )SFETs 01 IGB Ts lt ut1l1zes a monol1th1c • Up to 8p A Output
1ntegrnted c1rcu1i pl·,otov ol taíc hl'?nerator of novel • Single or Dual Output
co11struct1on ns 1ts output Tt·,e outpui 1:; controllecl by • Solid-State Re li abil ity
rac!iation írom f1 G,,AIAs light emnt1ng d1ode { LEO)
1:.:h1c1·1 1s o;:it1cnlly 1sol0 ted írorn the piw tovol to1 c
generntor.
H1& PV I SE<nes is 1rJe81iy su1ted for oppl!cnuons

requ1rn1g 111gl1-curre11 and "or 111911-voltage sw1tch1ng
1N1th opt1col 1,,ola,1on 1,etween th 8 low-level d riv 111g
',···
c1rcunry 8nd h1gh-energy or h1gh-volw9e tood circwts
lt ec,n bs used f c,r ,j1rectly dnv111g gat.,.s of ¡)OWt:H
10SFETs. The dual-channel device allows 1ts outputs
to drive mdependent d1screte power MOSFETs, orbe
connected 1n parallel or 1n series to provide higher
curren! dnve for power MOS FETs or h1gt1er voltag e
dnve for IGBTs. The PVI Senes Photovoltaic 1solators
employ fas! turn-off ci rcuitry.
These PVI Series Photovoltaíc lsolalors are packa ged

1n 8-pi n, molded DIP packa ges and available with
e1t her thru-ho le or surface-mount ("gull-wmg") leads ,

m plasltc st11pping tubes.
Applications Part ldentification
Load Distributíon PVl1050N

• Industrial Controls PVl5050N thru-hole
• Current-to-Voltage Conversion PVl5080N
• Custom Solid-State Re lay
PVl1050NS suriace-mount
PVl5050N S {gull-wi ng )
PVl5080N S
Página 52
Etapa de potencia de un Desfibrilador Extern o Au t omático.
Electrical Specifications (-40°C s TAs +85ºC unless otherwise ~;pecified)

INPUT CHARACTERISTlr.~ PVI Serii>~ Units
Input Current Range (see figure 4) 2.0 to 50 mA(DC)
Maximum Forward Voltage Drop@ 10mA, 25ºC (see figure 5) 1.4 V(DC )
Maximum Reverse Voltage 7.0 V(DC)
Maximum Reverse Curren!@ -7 .0V (OC), 25ºC 100 µA{DC)
Maximum Pulsed Input Curren! @ 25ºC (see figure 6) 1.0 A{peak)
OUTPUT CHARJ\CTERISTICS PVI Series Units

Maximum Forward Voltage @ 1OµA 8.0 per channel Vmc1
Maxiumum Reverse Curren!@ -10VDC 10 µA(DC )
1
l --- ---------------- ..l( ·--··"· .!{
ü - - ,,.-----.----
º •+--.C.----------=~- ---+
S!
.l:
<
2:
e oo
+ - - - - - - - - - - - -º-¡,,_·-º "='=
,,,.,.,..---~-.-----#
+----r~--------,-===----~
/ ",- 1:vo _ _ _ _ _ _ l(.
' '="' -:.1:;_, _ _ -=+- j~ "::?
3
e
?_ / ~
- R.•'Cl,O---
/--
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~
~
c.a,
,,,,----
+ - - - . L - - - - - - - - - - - - - - - - - + =~ 8
-
(.)
·-~ / ::~-·----- -- - --
:t
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!l
J
ü ~ / 'l,-2"-t• - -- --- - - -- - : ; - : - : ~
" t:
o :5 í /.,,/ ,=;,. .. •.14. __. - - - - - - - - ~ - - · · -- -
.e o. _,.,,
" (/)
:5
:í
o í/
o.
:5 I
o
16 I! lt>
: 1
.,
Input Current (mA) Input Current (mA)
Figure 1. PVl505CIN, PVl1050N Typlcal Output Characteristics Figure 2. PVl15080N Typical Output Characteristics
Wiring Diagram
C7 Anode
(• ) ,
Anode
(+)2
::E
1
1
1
(·)8
(-)2
,t \
J\
Cathode
% 1 DC
1 Anode
(·) 3 1 ( +) 3 (· ) 6
"f
Cathode
P\1 15050
1
(-) 4
,t \
PV lf.080N Cathode
PVl1050N
Appl ication Note:

The outputs of the PVI 1050N (pins 5-6 and 7 -8) may be placed 111 senes connection to produce a 10 -volt output
w1th a 5µA mínimum short CJrcuit curre t Alternatively, the two ouptut of the PV11050 may be connected 111 paral -
lel to produce a 5 .0-volt ouput wilh a 10µA mínimum short circu1t current.
The two outputs of the PVl1050N may be apphed separately w1th a maximum ·12oovoc between the outputs.
lnput-to-output isc<lation to either output 1s 2500V (RMS).
Página 53
9.2. Anexo 2 - Tablas estadísticas de mortalidad en México.
Defunciones - causas - 30 a 64 años - género - 1990-2006 -

nacion al
Causa 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006
Defunciones genera les
136,933 138,95 1 143,271 147,650 148,375 154,323 155,979
de 30 a 64 a ños
Dia betes melli tus 13.5 14.1 15 15.5 16.3 16.8 16.9
Tumores ma li gnos 16 16 16.3 16 16.2 16. 1 16.1
Enfen neclades de l
12.3 12.3 12.5 12.5 12.2 12.2 12.2
corazón
Enfermedades de l
13 12.8 12.6 12.4 12.3 12.1 11.5
hígado a/
Acc identes 10.2 10 9.6 9.5 9.4 9.4 9.5
cnfe rme da des
4.2 4.2 4.1 4 4.1 3.8 3.8
cerebrova scula res b/
Ag resiones
3.9 3.6 3.5 3.5 3.3 3.3 3.6
{homic idios) e/
Enfermedad por virus
de la
2.2 2.2 2.2 2.2 2.3 2.2 2.3
inmunodefi ci e ncia
huma na el/
Insuficie ncia r ena l 2 2.1 1.9 2 2 2.1 2.1
Defunciones - causas - 65 y más años - género - 1990-2006 -

nacional
Sexo Causa 2000 2001 2002 2003 2üp4 2005 2006
Defunc iones genera les
217 ,084 224,068 235,316 247,215 249,560 264,674 264,740
de 65 y más años
Enfe rmedades de l
23.1 23.1 23.3 23.3 23.1 22.9 22.8
corazón
Diabetes me lli tus 12.7 13.3 13.9 14.4 15 15.3 15.7
Tumores ma lignos 13.4 13.4 13.3 13.2 13.3 12.9 13.1
Enferm edades
8.8 8.6 8. 5 8.2 8.1 7.9 7.9
cer ebrovascuta res a/
Eníermeda des
pulmona res
4.4 4.3 4.5 4.7 4.9 5.2 5
obstrnctivas crónicas
b/
Enfermedades del
3.9 4 3.9 4 4 4 4
hígado e/
Infl ue nza i' neu monía
3. 1 2.9 2.8 2.9 2.9 3 3.1
d/
Acc identes 2.8 2.9 2.8 2.7 2.7 2.7 2.7
Insufi cie ncia rena l A A NA NA 2.3 2.3 2.3
Página 54
10. Póster (Noviembre 2008)
Ja...
w TECNOLÓGICO
DE MONTERREY ,
Camp ,.. . ~ad e MéJoco ores :
O' ió de I ie aía y Ar i!ecrura. Pedro R. De la To rreOlazábal 00971 488 Profe;;or d e proyecios:
r.. iguel Fonseca Sala.zar 01109242 M. en C. E ge gu ds t
-==== M ·~ : 2005
DesCIÍpción del problema : u •

uqUGar<l)a
tlart~
¿; t3 0: ..
,Ya / ~ <1
.!e. - O:!! o:i-azM.
Obj etivo.
Desarrollo de soluciórn:t
• ~ ~YJ -:i'! y ~~ 3 00 v para~a caga ,3: , :ap3 ,:J" a 200 . a :I! na
tali!f ia Te:atg a!li! O: 1.V
• ~ O< '3'93 O: ~ 1' ~ 3 11! -i!tl:!9 - ll3C13 ~....
{ICJe , ró.a1ov:,t .p,ing: i!!ari!lc~: 3!0:. 3d:
__. ______
<J':13 t ~
,
-·
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iz a
~ ~~~ --------,,..
. ---------
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::--:.:
; :e:: - - - - - - - - -
. . / _ / _ / ;-~
-
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!'it:~~~~~l"':: =:!~~=~!
.!'ol'!>tr'I' ~1..,
.-
Condus1ones
~
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• Q.H.: : ,
f1;!
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Página SS

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INSTITUTO TECNOLÓGICO Y DE ESTUDIOS, SUPERIORES DE

CAMPUS CIUDAD DE MÉXICO

Etap,a de potencia die un

Miguel Fonseca Salazar A01109242

1.1. Objetivos y Metas ............ ................................................. .... ............................. ........ .......... 4

1.2. Estado del arte ..................................................................................................................... 4

1.3. Fundamento teórico ............................................................................................................ 5

1.3.2 Conceptos en ingeniería aplicados en el proyecto ........................................................ 12

3. Propuesta de solución ............................................ ........ ....................... .... ...... ............ 18

4. Diseño de los sistemas del proyecto ........................................................................... 19

4.1 Elevación de voltaje y circuito RC. ............................... ...................................................... 19

4.2 Control de polaridad .......................................................................................................... 26

5. Evaluación del sistema desarrollado ............................................................................ 35

6. Conclusiones ........................................................................ ..... ........ ...... ...... ................ 39

7. Perspectivas a futuro ...... .. ....................... ........... .. .. .. ....... .. ............... ............................ 40

8. Bibliografía ................................... , ................................................................................ 41

9.1 A.nexo 1- Hojas de especificaciones ........................................................................................ 42

9.1.l. 2N3771 ............................................................................................................................ 42

9.1.2. LMC555 ............................................................................................................................ 44

9.1.3. 4N36 ................................................................................................................................ 46

9.1.4. IRGPH40F ......................................................................................................................... 48

9.1.5 MC33153-D ...................................................................................................................... 50

9.1.6 PVl-1050N ......................................................................................................................... 52

9.2. Anexo 2 - Tablas estadísticas de mortalidad en México ......................................................... 54

10. Póster (Noviembre 2008) ............................................................................................. 55

ILUSTRACIÓN 3. FIBHILACIÓN VENTRICULAR (MFI, 2008) .....•.......•..••..........•..•..••.•..•...•••.•••.•.•.•..••...•.............................. 7

ILUSTRACIÓN 5. FORMA DE ONDA MONOPOLAR SENOIDALAMORTIGUADA (MDS) .••....••..................•..•.•.•....••.•.•..•••.........•.. 9

ILUSTRACIÓN 6. FOHMA DE ONDA MONOPOLAR EXPONENCIAL TRUNCADA (MTE) ..••.......................................••..•..........•.. 10

FORMA DE ONDA BIPOLAR RECTILÍNEA (RLB) ...•...•...................•..•.••••..••...••.....•............•.............•........•............... 11

ACTIVAR AL DIODO, EL VOLTAJE ALTO PUEDE PASAR HACIA LA CARGA ....................•....••••..........•...........................•..•• 12

ILUSTRACIÓN 9. CIRCUITO RC BÁSICO .....•.............•.••••.....•••..•....••••....•.....••.•.......•.................................•....•............... 14

(EN DONDE INTl ES EL TRANSISTOR DE CONMUTACIÓN) •...••..••......•••••...•••..........•...................•......•••.................... 22

ILUSTRACIÓN 13. CIRCUITO EN CONFIGURACIÓN BÁSICA PARA UN PUENTE H ................••......•.......••.................................. 26

ESPECIFICACIJNES DE IRGPH40F P. 38) .•...•..•••..•...•.........•........•.........................•.....•. •... •... .... •... •.........•..••••.... 30

ILUSTRACIÓN 21. DIAGRAMA A BLOQUES DEL DESFIBRILADOR EXTERNO AUTOMÁTICO .•.••......•.......•...•......•.....•..............•.... 32

ILUSTRACIÓN 23. SEÑAL DE ENTRADA A LOS OPTO-ACOPLADORES 4N36 •...••.•.....••••...•.•••....••.....•...............•...................•. 36

ILUSTRACIÓN 24. SEÑAL DE SALIDA PROVENIENTE DE UN PVl1050N .........••••....•.•........•...•.••.........•...•.••.••••.••.......••.•....•. 37

ILUSTRACIÓN 25. SEÑAL DE SALIDA PROVENIENTE DE UN MC33153 .•..••..•..•........•.......•.....•.........•...•.....•........................ 37

ILUSTRACIÓN 26. CARGA DE CAPACITOR DE ALTO VOLTAJE. ••.......•.•.•...••.•....•..••...•..•...•.•.........••....••...........••........•......••.• 38

ILUSTRACIÓN 27. DESCARGA DE ENERGÍA PROVENIENTE DE UN CAPACITOR DE ALTO VOLTAJE. .............................................. 38

1.1. Objetivos y Metas

competente, diseñado y construido en México. Estos proyectos incluyen: un electrocardiógrafo, que

es tal que requiera un shock de desfibrilación.

a la del cuerpo humano, de alrededor de 75 O, con un valor pico de voltaje de 2250 V y 30 A

físico para comparar el sistema con aquellos sistemas comerciales.

1.2. Estado del arte

capacitado decide la cantidad de energía a suministrar y es responsable de activar el shock.

Actualmente existe una gran variedad de desfibriladores externos automáticos disponibles en el

mínimos de satisfacción. En la actualidad todos los desfibriladores usan un principio de almacenamiento de

y SO µF y aplican un voltaje de 2 kV a 9 kV. La forma de la señal en los desfibriladores externos automáticos

comerciales es sinusoidal monofásica amortiguada, monofásica truncada exponencial o bifásica truncada

alguna fuente AC:, y obtienen la energía a partir de baterías.

también de aleaciones de cobre para disminuir la impedancia de contacto.

1.3. Fundamento teórico.

1.3.1. Conceptos básicos de medicina (Webster & Clark, 1998).

"Jodo Smo -atriol

hodc Atr io-ven h1cwlar .

Ilustración l. Rutas eléct ricas en el corazón (Webster & Clark, 1998).

1.3.1.1 Taquicardia ventricular (Berger, Medline Enciclopedia Médica., 2008) .