FISICA DE SEMICONDUCTORES

UNIDAD 2

“UNION P-N”

ALUMNO: RODRIGUEZ CASTILLO BRYAN

GIOVANNI

N°CONTROL:18070175
 Polarización de una unión PN
Es simplemente suministrar a la unión PN energía eléctrica continua a través de
unos terminales metálicos que se colocan en cada uno de los materiales.

Está claro que hay dos formas de polarización de una unión PN, a una se
denomina polarización directa a la otra polarización inversa.

En la polarización directa, el terminal positivo de la fuente se conecta, a través de

un contacto óhmico, al material P. Del mismo modo, el terminal negativo, se
conecta al material N. En polarización inversa, simplemente se invierte la conexión
de la fuente.
 EFECTO DE BARRERA DE POTENCIAL

En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente polaridad

que forman el diodo, se crea una “barrera de potencial”, cuya misión es impedir
que los electrones libres concentrados en la parte negativa salten a la parte
positiva para unirse con los huecos presentes en esa parte del semiconductor.
Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía necesario que le debe
suministrar una fuente de energía externa conectada a los dos extremos del diodo,
no podrán atravesar esa barrera.

Por otra parte, a ambos lados de la barrera de potencial se forma una “zona de
deplexión” (también llamada zona de agotamiento, de vaciado, de carga espacial o
de despoblación). Esa es una zona o región aislada, libre de portadores
energéticos, que se origina alrededor del punto de unión de los dos materiales
semiconductores dopados de diferente forma y que poseen también polaridades
diferentes. La función de la “zona de deplexión” es alejar a los portadores de carga
energética (electrones) del punto de unión p-n cuando el diodo no se encuentra
energizado con la tensión o voltaje suficiente, o cuando se energiza con una
tensión o voltaje inverso.

El efecto que se crea al unir simplemente un cristal semiconductor de silicio tipo-p

con otro de tipo-n, equivale a tener conectada una batería o fuente de suministro
de energía imaginaria en los extremos del diodo. Bajo esas circunstancias la “zona
de deplexión” que se crea a ambos lados de la unión p-n obliga a los huecos o
agujeros de la parte positiva (P) alejarse de ese punto de empalme o unión,
mientras que los electrones en exceso en la parte negativa (N) reaccionan de igual
forma alejándose también del propio punto, hasta tanto no adquieran la energía
suficiente que les permita atravesar la barrera de potencial.
Para que los electrones en exceso en el semiconductor con polaridad negativa (N)
puedan atravesar la barrera de potencial del diodo y saltar a la parte positiva y
“llenar” los huecos, es necesario energizarlos suministrándoles una corriente
eléctrica o diferencia de potencial en los extremos del diodo, por medio de una
batería o cualquier otra fuente de fuerza electromotriz. Cuando la tensión aplicada
al diodo de silicio alcanza 0,7 volt, el tamaño de la zona de deplexión se reduce
por completo y los electrones en la parte negativa adquieren la carga energética
necesaria que les permite atravesar la barrera de potencial. A diferencia de los
diodos de silicio (Si), los de germanio (Ge) sólo requieren 0,3 volt de polarización
directa para que la zona de deplexión se reduzca y los electrones adquieran la
carga energética que requieren para poder atravesar la barrera de potencial.
 POLARIZACION DIRECTA
Para que circulen los portadores mayoritarios de corriente de un lado a otro y
pueda establecerse un flujo de corriente a través de la unión PN, la barrera de
iones o barrera de potencial debe ser superada. La forma de conseguirlo es
aplicando un voltaje externo de polarización

Vf tiene distinta polaridad que Uo, la altura de la barrera de potencial disminuye y

se dice que la unión está polarizada directamente. El nuevo potencial de contacto
es por tanto:

𝑼′𝒐= 𝑼𝒐 - 𝑽𝒇

Cuando la alimentación externa Vf supera Uo, entonces la barrera de potencial

desaparece y se produce una gran corriente (de difusión), que asume valores
muchísimos más altos que la corriente de arrastre.

En el circuito externo sólo circulan electrones, en la corriente generada, mientras

que en la corriente generada internamente circulan tanto electrones como huecos.
 La corriente en el cristal está constituida por electrones y huecos.

 Por el polo negativo de la batería salen electrones que penetran al material N.

 Al polo positivo entran electrones del material P, eso significa que se están
rompiendo los enlaces covalentes y aparecen nuevos huecos.

 En el cristal hay huecos que pasan del material P a N y se recombinan.

 Hay electrones libres que pasan de N a P y se recombinan.

La corriente de difusión llamada corriente directa sólo existirá si la tensión Uo,

supera una tensión llamada de umbral.

Existe una tensión máxima directa que es a la que puede llegar la unión, luego se
destruye. En el silicio, el orden es de voltios y en el germanio, decenas de voltios.
 POLARIZACION INVERSA

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el

terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al  n, esta conexión
se denomina "Polarización Inversa".

En la siguiente figura se muestra una conexión en inversa:

El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a

los electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y
la z.c.e. se ensancha.

A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión

deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa
aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unión.

A mayor la tensión inversa aplicada mayor será la z.c.e.

Existe una pequeña corriente en polarización inversa, porque la energía térmica
crea continuamente pares electrón-hueco, lo que hace que halla pequeñas
concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se
recombina con los mayoritarios pero los que están en la z.c.e. pueden vivir lo
suficiente para cruzar la unión y tenemos así una pequeña corriente.

La zona de deplexión empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la

izquierda, se crea así una la "Corriente Inversa de Saturación"(I S) que depende de
la temperatura.

Además hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las
impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente
depende de la tensión de la pila (V ó VP).

Entonces la corriente en inversa (I ó IR) será la suma de esas dos corrientes:

 CARACTERISTICA DE CORRIENTE VOLTAJE

Una característica de corriente-voltaje o I-V curva (curva corriente-tensión) es una

relación, típicamente representado como un diagrama o gráfico, entre la corriente
eléctrica a través de un circuito, dispositivo o material y la
correspondiente tensión , o diferencia de potencial a través de eso.

En la electrónica , la relación entre el directo corriente ( DC ) a través de

un dispositivo electrónico y la DC de tensión entre sus terminales se denomina
una característica de corriente-tensión del dispositivo. Ingenieros
electrónicos utilizan estas tablas para determinar los parámetros básicos de un
dispositivo y de modelar su comportamiento en un circuito eléctrico . Estas
características también se conocen como curvas I-V, en referencia a los símbolos
estándar para corriente y tensión.

En los componentes electrónicos con más de dos terminales, tales como los tubos

de vacío y los transistores , la relación corriente-voltaje en un par de terminales
puede depender de la corriente o el voltaje en un tercer terminal. Esto por lo
general se muestra en un gráfico de corriente-tensión más compleja con múltiples
curvas, cada una representando la relación corriente-tensión a un valor diferente
de la corriente o de la tensión en el tercer terminal.

Por ejemplo, el diagrama de la derecha muestra una familia de curvas I-V para
un MOSFET como una función de la tensión de drenaje con sobretensión ( V  GS -
V  º ) como parámetro.
La curva I-V más simple es la de un resistor , que según la ley de Ohm exhibe
una lineal relación entre la tensión aplicada y la resultante corriente eléctrica ; la
corriente es proporcional a la tensión, por lo que la curva I-V es una línea recta a
través del origen con positivo pendiente . El recíproco de la pendiente es igual a
la resistencia .

La curva I-V de un componente eléctrico se puede medir con un instrumento

llamado un trazador de curvas .

La transconductancia y voltaje Early de un transistor son ejemplos de parámetros

tradicionalmente medidos a partir de la curva I-V del dispositivo.
 FENOMENOS DE RUPTURA

Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican,
existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un
diodo sin correr el riesgo de destruirlo.

A la tensión en la que la I R aumenta de repente, se le llama "Tensión de Ruptura"

(VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo
ha ocurrido el "Efecto Avalancha" o "Ruptura por Avalancha".

Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha = Multiplicación por Avalancha

 RUPTURA DE AVALANCHA

Aumenta la tensión inversa y con ella la z.c.e..

Ocurre lo siguiente dentro del diodo:

Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones.

Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes.
Choca el electrón y rebota, pero a V Ruptura la velocidad es muy grande y por ello la
EC es tan grande que al chocar cede energía al electrón ligado y lo convierte en
libre. El electrón incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea,
de un electrón libre obtenemos dos electrones libres.

Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrón de un
enlace covalente, ceden su energía... y se repite el proceso y se crea una
Multiplicación por Avalancha.

Y ahora IR ha aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy

grande (-100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está
preparado para trabajar a esa IR
 EFECTO ZENER

Este es otro efecto que puede estropear el diodo, y es muy parecido al anterior. Se
suele dar en diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas

Al tener la z.c.e. muy pequeña y seguimos teniendo la misma tensión (0.7 V),
tenemos muy juntos los átomos de impurezas teniendo así más carga en menos
espacio.

En esta situación se crea un campo eléctrico muy intenso. Y el efecto es como la

carga de un condensador.

Si se polariza en inversa se ensancha la z.c.e.

¿Qué ocurre en la z.c.e.?

A aumentado mucho E (Campo Eléctrico), por ejemplo para los 3 V llega a

300.000 V/cm y se da el "Efecto Zener": Ahora la F, fuerza debida al campo
eléctrico, es capaz de arrancar el electrón y lo hace libre. Este campo eléctrico
intenso arranca muchos electrones de esta forma dando lugar a una corriente
grande que destruye el Diodo.

Veamos en que diodos se dan estos  2 efectos:

 Efecto Avalancha (Ruptura por avalancha)

 Diodo Rectificador     VR = - 50 V (tensiones grandes).

 Diodo de Avalancha   VR = - 6 V, - 7 V, - 8 V... A veces le llama

Diodo Zener aunque no sea un Zener en si.

 Efecto Zener (Ruptura Zener)

 Diodo Zener    VR = - 4 V, - 3 V, - 2 V... A veces puede ocurrir este

efecto en otro tipo de diodos que no sean Zener, pero tienen que
estar muy impurificados. Los Diodos Zener están especialmente
preparados para no estropearse.

Entre - 4 V y - 6 V se pueden dar , 2 fenómenos a la vez (Avalancha y Zener)

 UNION METAL-SEMICONDUCTOR

En la física de estado sólido, una unión de metal-semiconductor (M-S) es un tipo

de unión en el que un metal de viene en contacto cercano con un semiconductor
material. Es la práctica más antigua dispositivo semiconductor. M-S uniones
pueden ser o bien rectificar o no de rectificación. Los rectificadores formas de
unión de metal-semiconductor una barrera Schottky, por lo que un dispositivo
conocido como un diodo Schottky , mientras que la unión no de rectificación se
llama un contacto óhmico . (En contraste, una unión semiconductora-
semiconductor rectificar, el dispositivo semiconductor más común hoy en día, se
conoce como una unión p-n .)

Uniones metal-semiconductor son cruciales para el funcionamiento de todos los

dispositivos semiconductores. Por lo general, un contacto óhmico se desea, de
modo que la carga eléctrica puede llevarse a cabo fácilmente entre la región activa
de un transistor y la circuitería externa. De vez en cuando sin embargo, una
barrera de Schottky es útil, como en diodos Schottky , transistores Schottky , y de
metal-semiconductor transistores de efecto de campo.

El parámetro crítico: altura de la barrera Schottky

 BARRERA SCHOKKY

A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el diodo
schottky o diodo de barrera tiene una unión Metal-N. Estos diodos se caracterizan
por su velocidad de conmutación y una baja caída de voltaje cuando están
polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).
El diodo Schottky está más cerca del diodo ideal que el diodo
semiconductor común, pero tiene algunas características que hacen imposible su
utilización en aplicaciones de potencia.

Características del diodo Schottky o diodo de Barrera

1 – Tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la

flecha). Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador.
Hay procesos de rectificación (por ejemplo, fuentes de alimentación) en que la
cantidad de corriente que tienen que conducir en sentido directo es bastante
grande y supera la capacidad de este diodo.

2 – No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR).

El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión

inversa que tiene que soportar el diodo sea grande.
Sin embargo, este diodo encuentra gran cantidad de aplicaciones en circuitos de
alta velocidad como en computadoras. En estas aplicaciones se necesitan
grandes velocidades de conmutación y su poca caída de voltaje en directo causa
poco gasto de energía.

Diagrama con las diferencias en las curvas del diodo Schottky y el diodo
común

El diodo PN común tiene la curva en color rojo y el diodo Schottky en color azul.
Se observa del diagrama que el diodo Schottky tiene una caída de voltaje cuando
está polarizado en directo menor que la que tiene el diodo PN. También se
observa que sucede lo mismo cuando los diodos se polarizan en inverso.

El diodo Schottky o diodo de barrera, se llama así en honor del físico alemán
Walter H. Schottky.
 CONTACTOS DE RECTIFICADORES Y OHMICOS

Los rectificadores son un tipo de circuito que consigue transformar corriente

alterna en corriente continua. Para poder realizar esta acción se utilizan los
diodos, un componente que permite realizar la conducción de corriente en una
sola dirección. A continuación veremos cómo funcionan exactamente los
rectificadores y los diferentes tipos que podemos encontrar.

Cuál es el funcionamiento de un rectificador

Los rectificadores se utilizan en una amplia variedad de dispositivos de electrónica

de consumo, pues la práctica totalidad de los aparatos que utilizamos necesitan de
corriente alterna para poder funcionar.

Ya hemos visto que la labor principal de los rectificadores, es la de transformar la

corriente variable en corriente continua. En este caso hablamos de «Rectificar la
ondulación». Para ello, primero se requiere de una etapa de rectificación en la que
se utilizan diodos, y una etapa de filtrado, que sirve para eliminar las altas
frecuencias.

Existen 3 tipos de rectificadores monofásicos con diodos:

El rectificador de media onda es aquel que únicamente se utiliza en semiciclos de

corriente, siendo el tipo de rectificador más básico. Está formado por un diodo
entre la fuente de alimentación alterna y la de carga. Se encarga de eliminar la
pare negativa o la parte positiva de una señal de corriente alterna.
Si la señal de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y es posible
remplazar por un corto circuito. Si por el contrario, la entrada es negativa, el diodo
se polariza en inverso se puede sustituir por un circuito abierto.

El rectificador de onda completa es un circuito que se utiliza para poder

aprovechar los dos semiciclos de corriente alterna u obtener una corriente directa.
Aunque la labor puede parecer similar a la del rectificador de onda media, en este
caso el nivel de intensidad es superior y la caída de tensión es menor.

La principal característica de este rectificador es que la parte negativa de la señal

se convierte en positiva y viceversa en función de que se necesite una u otra. Para
ello se utilizarán dos diodos o cuatro diodos.
El Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda está formado por cuatro
diodos que van convirtiendo una única señal con diferentes partes negativas y
positivas, en una única señal positiva. Los cuatro diodos actúan haciendo que la
electricidad vaya en un único sentido. El resto de los componentes se encargarán
de estabilizar la señal.

Contactos Óhmicos

Cuando un metal y un semiconductor son unidos, se forma una barrera de

potencial en la interfaz. La Figura 2 muestra el diagrama de bandas de un contacto
metal sobre un semiconductor. En la figura, ϵC y ϵV representan las bandas de
conducción y de valencia respectivamente, ϵF representa el nivel de energía de
Fermi, la altura de la barrera del potencial ∅B y la anchura de la región de carga es
W. Si ∅m>∅S, donde ∅S y ∅m son la función trabajo del semiconductor y del metal
respectivamente, se forma la barrera mostrada en la Figura 2ª (barrera Schottky).
Esta barrera impide el flujo de corriente, incluso para valores pequeños de
corriente, dando origen a grandes caídas de voltajes que aparecen a través de
esta interfaz resultando en grande resistencia de contacto. Si ∅m<∅S, ∅B puede
hacerse cero o incluso negativo. En tal caso, la corriente no vera esencialmente
ninguna resistencia, ya que no existe ninguna barrera (figura 2B). A tal contacto
ideal se le define como uno que tiene una resistencia de valor cero o también
como contacto óhmico.