Electrónica 1 Diodos (Ut1)

Electrónica 1
Diodos
Diodos
El diodo semiconductor, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p, la
unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un
portador mayoritario de huecos.
Unión pn: Separación o frontera

física entre un semiconductor tipo n
y uno tipo p.
La unión pn tiene propiedades que

han propiciado los diodos, los
transistores y los circuitos
integrados.
AGO v.2018 1
Diodo no Polarizado
Cada signo menos (-) encerrado en un circulo representa un átomo trivalente y
cada signo más (+) es un hueco en su orbital de valencia.
De manera similar, los átomos pentavalentes y los huecos en un semiconductor
tipo n se pueden representar como se aprecia en el lado derecho de la figura.
Cada signo más encerrado en un circulo representa un átomo pentavalente y
cada signo menos es el electrón libre con que contribuye al semiconductor.
Obsérvese que cada cristal de material semiconductor es eléctricamente neutro,

el número de signos menos y más es igual.
Diodo no Polarizado
Los electrones libres en el lado n mediante un proceso de difusión
tienden a dispersarse en cualquier dirección. Algunos electrones libres
atraviesan la unión convirtiéndose en portador minoritario (tiempo de
vida corto).
Cuando un electrón abandona el lado n, deja un átomo pentavalente al

que le falta una carga negativa, este átomo se convierte en ión positivo.
Una vez que el electrón cae en un hueco en el lado p, el átomo trivalente

que lo ha capturado se convierte en ión negativo.
AGO v.2018 2
Diodo no Polarizado
En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los
huecos en la región de la unión se combinan y provocan una carencia de
portadores libres en la región próxima a la unión.
Notar que las únicas partículas mostradas en esta región son los dipolos,
los iones positivos y negativos que quedan una vez que los portadores
libres han sido absorbidos.
Esta región de iones

positivos y negativos se
llama región de
empobrecimiento
(de agotamiento o
deplexión), debido a la
disminución de portadores
libres en la región.
Diodo no Polarizado
En resumen
Los iones se encuentran fijos en la estructura de cristal debido a los
enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a otro como los
electrones libres y los huecos.
Cada pareja de iones positivo y negativo en la unión se llama dipolo. La

creación de un dipolo hace que desaparezcan un electrón libre y un
hueco.
A medida que aumenta el número de dipolos, la región cercana a la

unión se vacía de portadores formando la región de empobrecimiento
(sin portadores) en la proximidad de la juntura.
AGO v.2018 3
Diodo no Polarizado
Barrera de potencial
Cada dipolo posee un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo
que lo forman.
Si después entran electrones libres adicionales en la zona de deplexión,

el campo eléctrico trata de devolver estos electrones hacia la zona p.
La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza
hasta que se alcanza el equilibrio.
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de

potencial llamada barrera de potencial.
Valores típicos:
Diodos de Germanio  0,3 V a 25 ºC
Diodos de Silicio  0,7 V a 25 ºC
Diodo Polarizado Directo

La condición de polarización directa o “encendido” se establece aplicando
el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n
como se muestra en la figura.
La batería empuja huecos y electrones

libres hacia la unión.
Tensión < barrera de potencial

Los electrones libres no tienen la
suficiente energía para cruzar la zona de
agotamiento (no circula corriente en el
diodo).
Tensión > barrera de potencial

Los electrones tienen suficiente energía
para pasar a través de la zona de
agotamiento. (corriente continua a través
del diodo).
AGO v.2018 4
La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los
electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se
recombinen con los iones próximos al límite y se reduce el ancho de la región de
empobrecimiento.
La reducción del ancho de la región de empobrecimiento produce un intenso flujo

de portadores mayoritarios a través de la unión. Un electrón del material tipo p
ahora “ve” una barrera reducida en la unión y a una fuerte atracción del potencial
positivo aplicado al material tipo p.
El flujo de portadores
minoritarios no
cambia de magnitud,
puesto que el nivel de
conducción es
controlado por el
número limitado de
impurezas en el
material.

En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la
región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial
de la corriente como se muestra en la región de polarización en directa de las
características de la figura.
Las características generales de un diodo

semiconductor se pueden definir mediante
la siguiente ecuación, conocida como
ecuación de Shockley, para las regiones
de polarización directa e inversa:
Donde:
IS es la corriente de saturación en inversa.
VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de
operación y construcción física; varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad
de factores (se supondrá n = 1).
AGO v.2018 5
Notar que la
escala vertical
está en mA y la
escala horizontal
en la región
de polarización en
directa tiene un
máximo de 1V
En general el
voltaje a través
de un diodo
polarizado en
directa será
menor de 1 V
El voltaje VT en la ecuación se llama voltaje

térmico y está determinado por:
Donde:
k es la constante de Boltzmann 1.38 x 10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en °C.
q es la carga del electrón 1.6 x 10-19 C.
AGO v.2018 6
Ejemplo
Determine el voltaje térmico VT a una temperatura de 27°C (temperatura común
para componentes en un sistema de operación cerrado).
Sustituyendo en la ec. anterior:
El voltaje térmico es un parámetro

importante en los análisis de
semiconductores.

Podemos replantear la ec. original como:
Con valores positivos de VD el primer término de la ecuación anterior crecerá

con rapidez y anulará por completo el efecto del segundo término. Podemos
eliminar el segundo término y obtenemos la forma aproximada, la cual sólo
tiene valores positivos y adopta la forma exponencial.
Con valores negativos de VD el término exponencial se reduce con rapidez por

debajo del nivel de I y la ecuación resultante para ID es
AGO v.2018 7
Con VD = 0V, la ecuación se vuelve :
Tal como indica la gráfica.
Teóricamente, las características de un diodo de

silicio deben ser como las muestra la línea
punteada de la figura.
Sin embargo, los diodos de silicio comerciales se

desvían de la condición ideal por varias razones,
entre ellas la resistencia de “cuerpo” interna y la
resistencia de “contacto” externa de un diodo.
Cada una contribuye a un voltaje adicional con el

mismo nivel de corriente, como lo determina la
ley de Ohm, lo que provoca el desplazamiento
hacia la derecha que se muestra en la gráfica
Diodo Polarizado Inverso

Si se invierte la polaridad de la fuente de continua,
entonces el diodo queda polarizado en inversa. En
este caso, el terminal negativo de la batería se
encuentra conectado al lado p y el terminal positivo
conectado al lado n.
El terminal negativo de la batería atrae los huecos y

el terminal positivo los electrones libres. Los huecos
y electrones libres se alejan de la unión, como
resultado, la zona de empobrecimiento se ensancha.
Esto crea una barrera demasiado grande para que

los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo
que el flujo de portadores mayoritarios se reduce
efectivamente a cero
A mayor ancho de dicha zona corresponde mayor diferencia de potencial.

La zona de empobrecimiento deja de aumentar en el momento en que su
diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada.
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Corriente de portadores minoritarios
Incluso con la polarización inversa hay una pequeña corriente. A ambos lados de
la unión existen pequeñas concentraciones de portadores minoritarios, la mayoría
se combinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hallan en la zona de
deplexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión.
Corriente inversa de saturación (Is):

Corriente inversa originada por los
portadores minoritarios producidos
térmicamente.
Cuando esto sucede, por el circuito externo
circula una pequeña corriente.
Ya que Is es producida por agitación térmica,

no depende de la tensión inversa aplicada y
permanece constante.
Corriente Superficial de Fugas (ISL): Pequeña corriente que circula sobre la

superficie del cristal, es causada por impurezas en la superficie del cristal e
imperfecciones en su superficie interna.

La corriente de saturación Is rara vez es de más de algunos microamperes, excepto
en el caso de dispositivos de alta potencia.
El término saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial
de polarización en inversa.
AGO v.2018 9
La corriente superficial de fugas ISL es directamente proporcional a la tensión
inversa. Por ejemplo, si se duplica la tensión inversa, la corriente superficial de
fugas ISL se duplica.
Podemos definir la resistencia superficial de fugas como:
Definiendo: RSL = VR / ISL
RSL: Resistencia superficial de fugas.

VR: Tensión inversa.
ISL: Corriente Superficial de fugas.
Ejemplo
Si la corriente superficial de fugas es 2 nA para una tensión inversa de 25 V

¿Qué valor toma la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de 35 V?
Hay dos formas de resolver este problema. Primero calcular la resistencia superficial de
fugas:
RSL = 25V / 2 nA = 12,5*109 Ω
Después calcular la corriente superficial de fugas a 35 V.
ISL = 35V / (12,5*109)Ω = 2,8 nA.
El segundo método sería el siguiente: Como la corriente superficial de fugas es

directamente proporcional a la tensión inversa:
ISL = 2nA * [ 35V / 25V ] = 2,8 nA
AGO v.2018 10
Corriente Transitoria
Cuando la tensión inversa aumenta, los electrones y los huecos se apartan de

la unión, por lo tanto la zona de empobrecimiento se va ensanchando.
Mientras la zona de empobrecimiento se ajusta a su nuevo ancho, en el

circuito externo circula una corriente. Esta corriente transitoria vuelve a ser
cero después que la zona de deplexión ha dejado de crecer.
Tiempo  depende de una constante de tiempo (RC) del circuito externo. Del
orden de nanosegundos (10-9).

Ruptura
Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican.
Si se aumenta continuamente la tensión inversa, llegará un momento que se

alcance la tensión de ruptura del diodo  ver hoja de características.
Efecto avalancha: Aparece con tensiones inversas elevadas.
Consideremos que inicialmente hay una pequeña corriente inversa de

portadores minoritarios.
Luego, al aumentar la tensión inversa, esto obliga a los portadores minoritarios a

moverse más rápido.
Los portadores minoritarios chocan con los átomos del cristal golpeando a los
electrones de valencia y liberándolos, produciendo nuevos electrones libres.
AGO v.2018 11
El efecto avalancha es un proceso geométrico, ya
que un electrón libre libera a un electrón de
valencia, obteniéndose dos electrones libres.
Estos dos electrones libres liberan, a su vez, a otros

dos de valencia, y así sucesivamente, de forma que
el proceso continúa hasta que la corriente inversa
es muy grande.
Una vez alcanzada la tensión de ruptura, una gran

cantidad de portadores minoritarios aparece
repentinamente en la zona de empobrecimiento y el
diodo conduce descontroladamente, quemándose.
La tensión de ruptura de un diodo depende

del dopaje del mismo.
Comparación de
características de diodos
de Ge, Si y GaAs
El germanio es el más
cercano al eje vertical y el
GaAs es el más distante.
Como se observa en
las curvas, el centro de la
curva está
aproximadamente en 0.3 V
para Ge, 0.7 V para Si y 1.2
V para GaAs
Para GaAs, la corriente de

saturación en inversa es
aprox. 1pA, comparada con
10 pA para Si y 1 uA para
Ge
AGO v.2018 12
Efectos de la Temperatura
Efectos en la Barrera de Potencial
Temperatura de la Unión: Temperatura dentro del diodo, exactamente en la

unión pn.
Temperatura ambiente: Temperatura del aire fuera del diodo, el aire

circundante al diodo.
Cuando el diodo está conduciendo, la temperatura de la unión es más alta que

la temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinación.
La barrera de potencial depende de la temperatura en la unión.

Un incremento en la temperatura de la unión crea más electrones libres y
huecos en las regiones dopadas.
Como estas cargas se difunden en la zona de deplexión, esta se estrecha, lo

que significa que hay menos barrera de potencial a temperaturas altas de la
juntura.
∆ (delta) = el cambio en
Por ej. ∆V  Cambio en la tensión.

∆T  Cambio en la temperatura.
∆V/∆T  Cambio en la tensión dividido por el cambio en la Tª.
Regla: La barrera de potencial de un diodo

de silicio decrece 2 mV por cada
incremento de 1 grado Celsius.
∆V/∆T = - 2mV/ºC
∆V = (-2mV/ºC)*∆T
AGO v.2018 13
Ejemplo:
Suponiendo una barrera de potencial de 0,7 V a una temperatura ambiente de 25 ºC:
¿Cuál es la barrera de potencial en un diodo de silicio cuando la temperatura es de 100
ºC? ¿ Y si es de 0 ºC?
Cuando la temperatura aumenta de 25 a 100 ºC, el cambio en la barrera de

potencial es:
∆V = (-2 mV/ºC)*∆T = (-2mV/ºC)*(100 ºC – 25 ºC) = -150 mV.
Esto nos dice que la barrera de potencial decrece 150 mV desde su valor a
temperatura inicial. Así queda igual a:
VB = 0,7 V – 0,15 V = 0,55 V
Cuando la temperatura de la unión es 0 ºC, el cambio en la barrera de

potencial es:
∆V = (-2 mV/ºC)*∆T = (-2 mV/ºC)*(0 ºC – 25ºC) = 50 mV.
Lo que quiere decir que la barrera de potencial crece 50 mV, desde su valor
inicial. Así queda igual a:
VB = 0,7 V + 0,05 V = 0,75 V
La temperatura puede
tener un marcado efecto
en las características de
un diodo semiconductor,
como lo demuestran las
características de un
diodo de silicio
mostradas en la figura
(Boylestad)
AGO v.2018 14
Modelos de Diodos
El Diodo Ideal
Gráfica corriente-tensión de un diodo ideal.
Resistencia cero con polarización directa y resistencia infinita con polarización

inversa.
Ejemplo
Calcular la corriente y la tensión en la carga, empleando la aproximación del diodo
ideal en el circuito de la figura.
Como el diodo está polarizado en directa, es

equivalente a un interruptor cerrado. Por tanto,
consideramos el diodo como un interruptor cerrado.
Después podemos ver que toda la tensión de la fuente
aparece en la resistencia de carga:
VL = 10 V
Con la ley de Ohm, la corriente por la carga es:
IL = 10 V / 1 kΩ = 10 mA
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Ejemplo
Calcular la tensión en la carga y la corriente por la carga en la figura usando un diodo
ideal.
Una forma de resolver este problema consiste en aplicar el teorema de Thévenin a

la izquierda del diodo. Mirando desde el diodo hacia la fuente, vemos un divisor de
tensión de 6 kΩ y 3kΩ. La tensión de Thévenin es de 12 V y la resistencia de
Thévenin es de 2 kΩ.
Ahora que tenemos un circuito serie, podemos ver que el diodo está polarizado en
directa. Por consiguiente, considerando el diodo como un interruptor cerrado.
Entonces, el resto de los cálculos son los siguientes:
IL = 12 V / 3 kΩ = 4 mA
VL = (4 mA)*(1 kΩ) = 4 V.
Teorema de Thévenin (recuerdo)
El teorema de Thévenin establece que un circuito lineal de dos terminales puede

remplazarse por un circuito equivalente que consta de una fuente de tensión VTh
en serie con un resistor RTh, donde VTh es la tensión de circuito abierto en las
terminales y RTh es la entrada o resistencia equivalente en las terminales
cuando las fuentes independientes se apagan.
Donde Vth = Vab : Tensión de circuito abierto entre los terminales.
AGO v.2018 16
Rth: Con la carga desconectada y las terminales a-b en circuito abierto, se

apagan todas las fuentes independientes. Cada fuente de tensión se reemplaza
por 0V (cortocircuito) y cada fuente de corriente por 0A (o circuito abierto).
La resistencia de entrada (o resistencia equivalente) del circuito apagado en la

terminales a-b debe ser igual a RTh.
Para aplicar esta idea en el cálculo de la resistencia de Thévenin RTh se deben

considerar dos casos:
• CASO1: Si la red no tiene fuentes dependientes, se apagan todas las

fuentes independientes. RTh es la resistencia de entrada que aparece entre
los terminales a y b.
• CASO2: Si la red tiene fuentes dependientes, se apagan todas las fuentes

independientes. Las fuentes dependientes no se desactivan, porque son
controladas por las variables del circuito. Se aplica una fuente de tensión v 0
en las terminales a y b y se determina la corriente resultante i 0. Así, RTh =
v0/i0
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Modelos de Diodos
La Segunda Aproximación
Para una aproximación más exacta podemos usar la segunda aprox. Usando una
fuente de tensión para modelar la barrera de potencial.
Diodo <-> Interruptor en serie con una barrera de potencial de 0,7 (silicio) V.
No hay corriente hasta que aparecen 0,7 V en el diodo (activación).
Si la Tensión de Thévenin de la fuente es, por lo menos 0,7 V, se cerrará el

interruptor.
Si la Tensión de Thévenin de la fuente es menor que 0,7 V, se abrirá el interruptor.
Ejemplo
Usar la segunda aproximación para calcular
la corriente por la carga, la tensión en la
carga y la potencia en el diodo de la figura.
Como el diodo está polarizado en directa, es

equivalente a una batería de 0,7 V, lo que
significa que la tensión en la carga igual a la
tensión de la fuente menos la caída de tensión
en el diodo.
VL = 10 V – 0,7 V = 9,3 V.
Con la ley de Ohm, la corriente por la carga es:
IL = 9,3 V / 1 kΩ = 9,3 mA.
La potencia del diodo vale:
PD = (0,7 V)*(9,3 mA) = 6,51 mW.
AGO v.2018 18
Ejemplo
Calcular la tensión en la carga, la corriente por la
carga y la potencia en el diodo en la figura
empleando la segunda aproximación
De nuevo utilizaremos el teorema de Thévenin para

el circuito de la izquierda del diodo. Como antes, la
tensión de Thévenin es 12 V y la resistencia de
Thévenin es de 2 kΩ. La figura muestra el circuito
simplificado.
Como la tensión en el diodo es 0,7 V, la corriente en

la carga vale:
IL = (12 V – 0,7 V) / 3 kΩ = 3,77 mA.
La tensión en la carga es:
VL = (3,77 mA)*(1 kΩ) = 3,77 V.
Y la potencia en el diodo es igual a:
PD = (0,7 V)*(3,77 mA) = 2,64 mW.
Modelos de Diodos
La Tercera Aproximación
 Se incluye la resistencia interna RB.
Después que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensión aumenta lineal o

proporcionalmente con los incrementos de la corriente.
Cuanto mayor sea la corriente, mayor es la tensión, al tener que incluirse la caída
de tensión en la resistencia interna a la tensión total del diodo.
AGO v.2018 19
Modelos de Diodos
Cuando la tensión aplicada es mayor que 0,7, el diodo conduce.

En tal caso la tensión total en el diodo es igual a:
VD = 0,7 + ID*RB
La resistencia interna frecuentemente es menor que 1Ω, y podríamos considerar

omitirla en el cálculo. Una regla útil para ignorar la resistencia interna es la
siguiente definición:
Ignore la resistencia si RB< 0,01*RTH
Ejemplo
El 1N4001 de la figura tiene una resistencia interna de
0,23Ω y una resistencia en la carga de 1kΩ ¿Cuál es la
tensión de carga, la corriente de carga y la potencia del
diodo?
La resistencia interna es suficientemente pequeña

como para ignorarla porque es menor que 1/100 de la
resistencia de carga. En este caso, podemos usar la
segunda aproximación para resolver el problema.
VL = 10 V – 0,7 V = 9,3 V. (Tensión de carga)
 Con la ley de Ohm, la corriente por la carga es:
IL = 9,3 V / 1 kΩ = 9,3 mA.
 La potencia del diodo vale:
PD = (0,7 V)*(9,3 mA) = 6,51 mW
AGO v.2018 20
Ejemplo
Repita el ejemplo anterior para una resistencia de carga de 10Ω.
En este caso no podemos descartar RB, la resistencia total vale:

RT = 0,23 Ω + 10 Ω = 10,23 Ω
 La tensión a través de RT es:

VT = 10 V – 0,7 V = 9,3 V.
 La corriente de carga vale:

IL = 9,3 V / 10,23 Ω = 0,909 A.
 La tensión de carga es:

VL = (0,909 A)*(10 Ω) = 9,09 V.
Para calcular la potencia del diodo necesitamos la tensión del

diodo, que se puede obtener de dos formas. Podemos restar la
tensión en la carga de la tensión en la fuente.
VD = 10 V – 9,09 V = 0,91 V
Alternativamente, podemos ocupar la ecuación (VD = 0,7 V + ID*RB);
VD = 0,7 V + (0,909 A)*(0,23 Ω) = 0,909 V.
Con esto, la potencia en el diodo es: PD = (0,909 V)*(0,909 A) = 0,826 W.
Recta de Carga
Herramienta empleada para hallar el valor exacto de la corriente y la tensión
del diodo en un punto específico de trabajo.
VS  VD
ID 
RS
Como los componentes están conectados en serie, la corriente es la

misma a través del diodo.
AGO v.2018 21
Ejemplo
Si la tensión de la fuente es de 2 V y la resistencia es de 100 Ω, como se
muestra en la figura, la ecuación
VS  VD
ID 
RS
se convierte en:
2  VD
Línea Recta  ID 
100
Si VD=0  ID = (2/100) = 20 mA
Si ID=0  VD = 2 V
Recta de Carga
Ejemplo (cont.)
 Saturación (ID = 20 mA,

Vd = 0 V): Corriente máx.
con 2V a través de
100 Ω.
 Corte (ID = 0 A,
VD = 2 V): Corriente
mínima.
Recta de Carga
AGO v.2018 22
Recta de Carga
El punto Q
Es el punto de intersección entre la recta de carga y la curva del diodo. Único

punto que relaciona curvas de operación a la vez para el diodo y para el circuito
(en el ejemplo:12,5mA y 0,75V).
Se tiene una recta de carga definida por la red y una curva característica definida
por el dispositivo. El punto de intersección entre los dos es el punto de operación
para este circuito.
El punto Q ("quiescent") se denomina punto de trabajo o punto de operación

estable debido a las cualidades de estabilidad y movilidad definido por una red
de cc.
Resistencia Estática y Dinámica
Niveles de Resistencia
A medida que el punto de operación de un diodo se desplaza de una región a

otra, la resistencia del diodo también cambiará debido a la forma no lineal de la
curva característica.
El tipo de voltaje o señal aplicada define el nivel de resistencia de interés, esta

puede ser estática (continua) o dinámica.
Lo vemos a continuación:
AGO v.2018 23
Resistencia Estática (DC)
Vimos que:
 La aplicación de un voltaje DC a un circuito que contiene un diodo
semiconductor tendrá por resultado un punto de operación sobre la curva
característica que no varía con el tiempo.
 La resistencia estática en el punto de inflexión de la curva y por debajo de

él, será mayor que los niveles de resistencia que se obtienen sobre la
sección de crecimiento vertical de las curvas características.
 A menor corriente en el diodo, mayor

será el nivel de resistencia de DC.
VD
RD 
ID
Resistencia Dinámica (AC)
La resistencia DC de un diodo es independiente de la forma que tenga la

característica para la región que rodea el punto de interés.
Si se aplica una entrada senoidal, la situación

cambiará por completo.
La variación de la entrada desplazará al punto

de operación instantáneo hacia arriba y hacia
abajo a una región de las características y de
esta forma definirá un cambio específico en la
corriente y el voltaje.
AGO v.2018 24
Si se dibuja una línea recta tangente a la curva sobre el punto Q, se definirá un
cambio particular en el voltaje y en la corriente que se puede utilizar para
determinar la resistencia de ac o dinámica para esta región de las
características del diodo.
El objetivo es mantener el cambio en el voltaje y en la

corriente lo más pequeño posible y equidistante de cada
lado del punto.
Vd
rd 
I d
Cuanto más inclinada sea la pendiente, menor será el valor de ΔVd con el
mismo cambio de ΔId y menor es la resistencia.
La resistencia de AC en la región de levantamiento vertical de la característica

es bastante pequeña, en tanto que es mucho más alta con niveles de corriente
bajos.
Ejemplo
Para las características de la figura
a. Determine la resistencia de AC con
ID = 2mA.
b. Determine la resistencia de AC con
ID = 25mA.
c. Compare con las resistencias de DC
a) la línea tangente en ID = 2mA se

trazó como se muestra en la figura y
se eligió una variación de
2 mA por encima y debajo de la
corriente de diodo especificada.
Con ID = 4mA, VD = 0.76V y con

ID = 0mA, VD = 0.65 V.
Los cambios resultantes de la corriente
y voltaje son:
AGO v.2018 25
Ejemplo, cont.
b) Con ID=25 mA, la línea tangente en

ID=25 mA se trazó como se muestra en
la figura y se eligió una variación de 5
mA por encima y debajo de la corriente
de diodo especificada.
Con ID = 30 mA, VD = 0.8 V y con ID =

20 mA, VD = 0.78 V.
Los cambios resultantes de la corriente
y voltaje son:
Ejemplo, cont.
c) Comparación de RD (estática) y rd (dinámica)

con ID = 2 mA, VD = 0.7 V
la que es mucho mayor que la rd de 27.5Ω

calculada en a).
Con ID = 25 mA, VD = 0.79 V
Que también es mayor que la rd de 2Ω calculada en b).
AGO v.2018 26
Se calculó la resistencia dinámica de forma gráfica, sin embargo, existe una

definición básica en cálculo diferencial que establece lo siguiente:
“La derivada de una función en un punto

específico es igual a la pendiente de la
línea tangente dibujada en ese punto”
Si se encuentra la derivada de la ecuación del diodo semiconductor con

respecto a la polarización directa aplicada y luego se invierte el resultado se
obtendrá una expresión para la resistencia de AC, o resistencia dinámica, en
esa región.
En general, ID>>IS en la sección

de pendiente vertical
Se invierte el resultado para definir una relación

de resistencia (R = V / I )
Sustituyendo n = 1 y VT = 26 mV
AGO v.2018 27
La ecuación anterior es exacta solamente para valores de I D que se encuentran

en la sección de crecimiento vertical de la curva.
Para valores menores de ID, cercanos al codo, η = 2 (silicio) por lo que el valor de
rd obtenido se debe multiplicar por un factor de 2.
Para valores pequeños de ID que se encuentran por debajo del "codo" de la

curva, la ecuación anterior resulta inapropiada.
Si se quiere ser más preciso debe considerarse además de los niveles de

resistencia definidos para la unión p-n debe incluirse la resistencia del material
semiconductor en sí (resistencia de cuerpo) y el conductor metálico externo
(resistencia de contacto).

En el ejemplo anterior, parte b), la resistencia de AC a 25 mA resultó ser de 2Ω.
Utilizando la ecuación
26mV
rd 
ID
La diferencia, aprox. 1Ω se atribuye a resistencia del material semiconductor y

resistencia de contactos.
En el mismo ejemplo, parte a), la resistencia de AC a 2 mA resultó ser de 27.5Ω .

Utilizando la ecuación pero multiplicando por un factor de 2 en esta región (en el
codo de la curva n = 2), se tiene:
La diferencia, 1.5Ω se debe al material semiconductor y resistencia de

contactos.
AGO v.2018 28
Capacitancias de Difusión y Transición
Es importante tener presente que:
Todo dispositivo electrónico o eléctrico es sensible a la frecuencia.
En el diodo los niveles de capacitancia parásita son los que tienen un mayor
efecto. A bajas frecuencias y a niveles relativamente bajos de capacitancia, la
reactancia de un capacitor puede ser despreciada.
A altas frecuencias, sin embargo, el nivel de XC puede afectar las características
del diodo.
En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser
considerados. Ambos tipos de capacitancia están presentes en las regiones de
polarización en directa y en inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada
región por lo que consideramos los efectos de sólo uno en cada región.
En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o

de región de empobrecimiento (CT) en tanto que en la región de polarización en
directa tenemos la capacitancia de difusión o almacenamiento (CD).
Capacitancias de Difusión y Transición

Como el ancho de la región de empobrecimiento aumenta con el potencial de
polarización en inversa incrementado, la capacitancia de transición resultante se
reduce, como se muestra en la figura:
Aun cuando este efecto también se

presenta en la región de polarización en
directa, es eclipsado por un efecto de
capacitancia que depende directamente de
la velocidad a la cual se inyecta la carga
en las regiones justo fuera de la región de
empobrecimiento.
El resultado es que los niveles incrementados de corriente

aumentan los niveles de capacitancia de difusión.
Los efectos de capacitancia antes descritos se representan por

medio de capacitores en paralelo con el diodo, relevantes
solamente en alta frecuencia.
AGO v.2018 29
Tiempo de Recuperación en Inversa
En el estado de polarización en directa hay una gran cantidad de portadores
minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado se invierte, para una
polarización en inversa, el cambio no es instantáneo.
La corriente en el diodo se invierte como se muestra en la figura y permanece en

este nivel durante el intervalo ts (tiempo de almacenamiento).
Con el tiempo, cuando esta

fase de almacenamiento ha
pasado, el nivel de la
corriente se reduce al nivel
asociado con el estado de
no conducción. Este
segundo lapso está
denotado por tt (intervalo de
transición).
El tiempo de recuperación en inversa es la suma de estos dos intervalos:

trr = ts + tt variando desde algunos nanosegundos a 1 ms.
Rectificador de media onda

Rectificadores: Convierten la corriente alterna en corriente continua.
Son la base de las fuentes de alimentación electrónicas y de los circuitos de
carga de baterías. También utilizados en el procesamiento de señales.
Fuente de corriente alterna  Tensión Sinusoidal.
Suposición (Diodo Ideal):
Mitad positiva del ciclo de la

tensión de la fuente polarizará
el diodo en directa. (Mitad + en
la Carga.)
Mitad + del Ciclo
Mitad negativa del ciclo de la
tensión de la fuente polarizará
el diodo en inversa (No hay
tensión en la carga.)
Rectificador ideal
de media onda
Mitad – del Ciclo
AGO v.2018 30
Formas de onda ideales
• Onda sinusoidal pura.
• Vin: Valor instantáneo.
• Vp(in): Valor peak.
• Valor medio = 0 en un ciclo  Cada tensión instantánea tiene una tensión

igual y opuesta medio ciclo después.
• Voltímetro de continua leerá 0
Entrada a un rectificador de media onda

• Diodo conduce durante las mitades positivas del los ciclos.
• Diodo no conduce durante las mitades negativas de los ciclos.
• El circuito recorta las mitades negativas de los ciclos.
• Se produce una corriente por la carga unidireccional.
AGO v.2018 31

• Tensión continua pulsante que se incrementa a un máximo, decrece a cero, y

después permanece en cero durante la mitad negativa del ciclo.
 En general no sirve para los equipos de tensión continua.
• Es necesaria una tensión constante (Batería)

 Se requiere filtrar la señal de media onda (por ej. agregar condensadores).
Media onda ideal: Vp(out) = Vp(in)
Salida de un rectificador de media onda

Circuito Señal de media onda
AGO v.2018 32
Valor de continua de la señal de media onda
El valor de continua de una señal es el mismo que el valor medio de la señal.
Para media onda:
Vp El valor de continua o medio es

Vdc   0,318V p igual a 31,8% del valor peak.

Frecuencia de Salida
Es la misma que la frecuencia de entrada.

Cada ciclo de la tensión de entrada f out  f in
produce un ciclo de la tensión de salida.
Media onda
Segunda Aproximación
No se obtiene una tensión de media onda perfecta a través de la resistencia

de carga. Esto porque el diodo no se activa hasta que la tensión de la fuente
es mayor que 0,7 V.
Vp(out) = Vp(in) – 0.7V
Cuando la tensión peak de la fuente es

mucho mayor que 0,7 V, la tensión peak en
la carga será semejante a una señal de
media onda, o sea, en tal caso se
desprecian los 0.7V.
Ejemplo:
Vp(in) = 100 V  Vp(out) ≈ 100 V.

Vp(in) = 5V  Vp(out) = 4,3 V.
AGO v.2018 33
La señal aplicada ahora debe ser por lo menos de 0.7 V antes de que
el diodo pueda “encenderse”.
Con niveles de vi menores que 0.7 V, el diodo aún permanece en el

estado de circuito abierto y vo = 0 V

Ejemplo
La figura muestra un rectificador de media onda. Se pone un osciloscopio
sobre 1 kΩ. También se pone un polímetro a través de 1 kΩ para leer la
tensión en la carga en continua.
Calcular los valores teóricos de la tensión peak en la carga y la tensión

continua en la carga.
AGO v.2018 34
En la figura anterior aparece una fuente alterna de 10 V y 60 Hz.
Las representaciones normalmente muestran las fuentes de tensión
alternas, con valores eficaces o rms.
El valor eficaz es el valor de una tensión continua que produce el mismo

efecto que una tensión alterna.
Como la tensión de la fuente es 10 Vrms, lo primero que hay que hacer es

Calcular el valor peak de la fuente alterna.
Vp
El valor rms de una sinusoide es igual a:
Vrms  0,707  V p 
2
Por tanto, la tensión peak de la fuente en la figura es:

Vrms 10V
Vp    14,1V
0,707 0,707
Con un diodo ideal, la tensión peak en la carga es:

V p (out)  V p (in )  14,1V
La tensión en la carga en continua es:
Vp 14,1V
Vdc    4,49V
 
Con la segunda aproximación, obtenemos una tensión peak en la carga de:
Vp (out)  Vp (in)  0,7V  14,1V  0,7V  13,4V
AGO v.2018 35
El Transformador
Es un aparato eléctrico diseñado sobre la

base de inductores magnéticamente
acoplados
Usa bobinas acopladas magnéticamente

para transferir energía desde un circuito a
otro
Es un elemento fundamental para subir y

bajar tensiones, hacer acoplamiento de
impedancias, aislar circuitos
galvánicamente, etc
El Transformador
• La tensión en el secundario es igual a la tensión del primario dividida por la
relación de espiras.
• La tensión en el secundario es igual a la inversa de la relación de espiras

multiplicado por la tensión en el primario.
• Se puede usar cualquiera de las dos fórmulas para rms, valores peak y
tensiones instantáneas.
• Transformador Elevador: Tensión en el secundario > Tensión en el primario.

• Transformador Reductor: Tensión en el secundario < Tensión en el primario.
V1 N2
V2  V2   V1
N1
N2 N1
AGO v.2018 36
Ejemplo
¿Cuáles son la tensión peak en la
carga y la tensión continua en la
carga en la figura?
El transformador tiene una relación de

espiras de 5:1. Esto significa que la
tensión rms del secundario es un
quinto de la tensión en el primario.
120V
V2   24V
5
24V
Y la tensión peak en el secundario es: Vp   34V
0,707
Con un diodo ideal, la tensión peak en la Vp (out)  34V

carga es:
Ejemplo, cont.
Solución: La tensión continua en la carga es:
Vp 34V
Vdc    10,8V
 
Con la segunda aproximación, la tensión peak en la carga es:
Vp (out)  34V  0,7V  33,3V

Y la tensión continua en la carga es:
Vp 33,3V
Vdc    10,6V
 
AGO v.2018 37
Rectificador de onda completa
• Conexión intermedia llevada a masa en el arrollamiento secundario (Dos
rectificadores de media onda superpuestos.)
• Cada rectificador tiene una tensión de entrada igual a la mitad de la tensión del
secundario.
• D1 conduce en el semiciclo positivo y D2 conduce en el semiciclo negativo. La

corriente rectificada circula durante ambos semiciclos.
Circuito equivalente para el

semiciclo positivo.
D1 está polarizado en directa.

Tensión positivo en la carga
(polaridad RL.)
Circuito equivalente para el

semiciclo negativo.
D2 está polarizado en
directa. Tensión positivo en
la carga (polaridad RL.)
AGO v.2018 38
Cambia la tensión alterna de entrada a una tensión de salida pulsante continua.
Valor de continua o valor medio
La señal de onda tiene el doble de ciclos 2 *V p

positivos que la señal de media onda, el Vdc 
valor de continua o valor medio es el doble: 
Onda Completa
El valor de continua o valor medio es igual

al 63,6% del valor peak.

Frecuencia de Salida
La tensión de una línea de alterna tiene una frecuencia de 60 Hz. Luego; el

período en la entrada es:
1 1
Tin    16,7ms
f 60 Hz
Debido a la rectificación de onda completa, el periodo de la señal de onda completa

es la mitad del periodo de entrada:
1 1
Tout  0,5 * (16,7ms)  8,33ms f out    120 Hz
Tout 8,33ms
En el rectif. Onda Completa: f out  2 f in
AGO v.2018 39
Ejemplo
La figura muestra un rectificador de onda completa. El canal A del osciloscopio
muestra la tensión del primario (onda sinusoidal) y el canal B muestra la tensión de
la carga (señal de onda completa). Calcule la tensión peak de entrada y en la
salida.
Ejemplo, cont.
Vrms 120V
La tensión peak en el primario es: V p (1)    170V
0,707 0,707
Debido al transformador reductor de V p (1) 170V

relación 10:1, la tensión peak en el V p ( 2)    17V
N1 10
secundario es: N2
La tensión de entrada a causa de la

conexión central en cada rectificador
Vp (in )  0,5 * (17V )  8,5V
de media onda es sólo la mitad de la
tensión en el secundario.
Idealmente la tensión de salida es: Vp (out)  8,5V
Usando la segunda aproximación: Vp (out)  8,5V  0,7V
AGO v.2018 40
Ejemplo
Si uno de los diodos del ejemplo anterior estuviera abierto, ¿qué sucedería con
las diferentes tensiones?
Si uno de los diodos estuviera abierto, el circuito se convierte en un

rectificador de Media onda.
En este caso la mitad de la tensión en el secundario es todavía 8,5 V, pero la

tensión en la carga será una señal de media onda en vez de una señal de
onda completa.
Esta tensión de media onda tendrá un peak de 8,5 V (idealmente) o 7,8 V

(segunda aproximación.)

El Puente Rectificador
• Similar a un rectificador de onda completa porque produce una tensión de

salida de onda completa.
• Diodos D1 y D2 conducen en la mitad positiva del ciclo.
• D3 y D4 conducen en la mitad negativa del ciclo.
• La corriente por la carga rectificada circula durante ambas mitades de los ciclos.
AGO v.2018 41
Circuito equivalente para la mitad

positiva del ciclo.
D1 y D2 están polarizados en directa.

Tensión positiva en la carga.
Circuito equivalente para la mitad

negativa del ciclo.
D3 y D4 están polarizados en directa.

Tensión positiva en la carga.

• Durante ambas mitades de los ciclos, la tensión en la carga tiene la misma

polaridad y la corriente por la carga circula en la misma dirección.
• El circuito ha cambiado la tensión de entrada alterna por una tensión de salida

continua pulsante.
Ventaja: Toda la tensión del secundario se usa como entrada al rectificador. Dado el
mismo transformador, obtenemos el doble de la tensión peak y el doble de la
tensión continua con un rectificador de puente respecto a un rectificador de onda
completa.
AGO v.2018 42
Valor medio y frecuencia de salida
Son iguales al rectificador de onda completa.
2 *V p
Vdc  f out  2 f in

Segunda aproximación y otras pérdidas
Como el puente rectificador tiene dos diodos en el camino de conducción, la

tensión peak viene dada por:
Vp (out)  Vp (in )  1,4V Puente rectificador
Se han extraído dos caídas de diodo al peak para obtener un valor de tensión
de peak en la carga un poco más preciso.
Ejemplo
Calcular la tensión peak de entrada y salida en la figura. Después comparar los
resultados teóricos con los medidos.
Con un puente rectificador se

usa toda la tensión del
secundario como entrada al
rectificador. Idealmente, la
tensión peak de salida es:
Vrms 120V
V p (1)    170V
0,707 0,707
V 170V
V p ( out)  p (1)   17V Tensión peak de salida
N1 10
N2
En segunda aproximación: Vp (out)  17V  1,4V  15,6V
AGO v.2018 43
Resumen
Media Onda Onda Completa Onda Completa

(con punto medio) (tipo Puente)
Número de diodos 1 2 4
Entrada del Vp(2) 0,5Vp(2) Vp(2)
rectificador
Salida peak (ideal) Vp(2) 0,5Vp(2) Vp(2)
Salida peak (2ª Vp(2) -0,7V 0,5Vp(2) – 0,7 V Vp(2) – 1,4 V
App.)
Salida en continua Vp(out)/π 2Vp(out)/π 2Vp(out)/π
Frecuencia de fin 2fin 2fin
rizado
Vp(2) = Tensión peak en el secundario; Vp(out) = Tensión peak en la salida.
Diodo Zener
En la curva característica del diodo, en la región negativa, hay un
punto donde la aplicación de un voltaje demasiado negativo
producirá un cambio abrupto de las características.
La corriente se incrementa muy rápido en una dirección opuesta

a la de la región de voltaje positivo. El potencial de polarización
en inversa que produce este cambio dramático de las
características se llama potencial Zener y su símbolo es VZ.
A medida que se incrementa el voltaje a

través del diodo en la región de
polarización en inversa, también se
incrementará la velocidad de los
portadores minoritarios responsables de
la corriente de saturación en inversa Is.
Como vimos, si se sobrepasa la tensión

de ruptura, el efecto avalancha
alcanzado destruye el dispositivo.
AGO v.2018 44
Diodo Zener
Se puede modificar la región de avalancha para que se
acerque al eje vertical incrementando los niveles de
dopado en los materiales p y n.
Cuando VZ se reduce a niveles bajos, por ejemplo –5V,

otro mecanismo, llamado efecto Zener contribuirá al
cambio abrupto de la curva.
Cuando un diodo está fuertemente dopado, la zona de deplexión se hace muy

estrecha. A causa de esto, el campo eléctrico a través de la zona de deplexión
(tensión dividida por distancia) es muy intenso.
Cuando la fuerza del campo alcanza aprox. 300 000 V/cm, el campo es lo
suficientemente intenso para romper los enlaces covalentes y empujar a los
electrones fuera de sus orbitales de valencia.
La creación de electrones libres por efecto zener es bastante diferente al efecto

avalancha, que depende de portadores minoritarios a gran velocidad desligando
a los electrones de valencia.
Diodo Zener
Este cambio de la característica a cualquier nivel
de tensión inversa se llama Región Zener y los
diodos que usan esta parte única de la
característica se llaman Diodos Zener.
IZM: Máxima corriente inversa.

Zona de seguridad (< IZM)
Destrucción (>IZM)
Para evitar daños se usa una

resistencia limitadora de corriente,
en serie.
AGO v.2018 45
Diodo Zener
El Diodo Zener, mantiene la tensión entre sus
terminales constante, incluso cuando la corriente sufre
cambios. Es un Regulador de tensión.
El D. zener se polariza al
revés de un diodo normal
Resistencia Zener: Es la pendiente en la región zener
(Cuanto más vertical es la región zener menor es la
resistencia zener).
En condiciones normales:
Polarización inversa.
Tensión de la Fuente (Vs) > Tensión zener (Vz).
Rs limita la corriente a un valor menor de su limitación

máxima de corriente
Diodo Zener
La tensión en la resistencia en serie, Rs, o resistencia limitadora de corriente
es igual a la diferencia entre la tensión de la fuente y la tensión zener.
VS VZ
IS 
RS
En tal caso, IS  IZ
Y para evitar daños I S  I ZM
Diodo Zener Ideal
Zona Zener ≈ Recta Vertical.  Tensión constante

incluso cuando la corriente cambie  Ignorar
resistencia zener.
Diodo se comporta similar a una batería (mantiene

un potencial fijo Vz, aunque Vs sea variable).
AGO v.2018 46
Ejemplo
Suponga que el diodo zener de la figura tiene una

tensión zener de 10 V. ¿Cuáles son las corrientes
zener máxima y mínima?
La tensión de salida es de 10 V para cualquier

tensión en la fuente entre 20 y 40 V.
La corriente mínima se produce cuando la tensión
de la fuente es mínima.
Vs  Vz 20  10V
I S (min)    12,2mA
Rs 820 40  10V
I S (max)   36,6mA
820
La tensión de salida se mantiene constante a 10V, independientemente del

cambio de 20 a 40V, en la tensión de la fuente.
Una tensión de fuente mayor produce más corriente zener, pero la tensión de
salida se mantiene en 10 V
Regulador Zener con carga

El diodo zener funciona en la zona zener y mantiene constante la tensión en la
carga, incluso cuando la tensión en la fuente cambie o la resistencia de carga
varíe.
Divisor de Tensión, la tensión

Thévenin que ve el diodo es:
RL
VTh   VS
RS  RL
Es la tensión que hay cuando el diodo zener se desconecta del circuito. La

tensión de Thévenin tiene que ser mayor que la tensión zener, sino el diodo
no llegaría a polarizarse en la zona de ruptura.
La corriente en Rs seguirá siendo igual a la

V  VZ tensión en la resistencia dividida por la
IS  S resistencia, haya o no una resistencia de carga.
RS
AGO v.2018 47
Regulador Zener con carga
Entonces,
VL  VZ VL
IL 
RL
Por LKC,
IS  IZ  IL  IZ  IS  IL Distinto a Iz sin carga
Ejemplo: ¿Está el diodo zener de la figura funcionando en la región zener?
RL
VTH   VS
RS  RL
1k
VTH   (18V )  14,2V
270  1k
Como esta tensión Thévenin es mayor que la tensión zener, el diodo zener
funciona en la región zener.
AGO v.2018 48
Ejemplo
¿Cuál es el valor de la corriente zener en
la figura?
Se conoce la diferencia de potencial en

ambos extremos de la resistencia en serie.
8V
18 - 10 = 8V, aplicando ley de Ohm: IS   29.6mA
270
Como la tensión en la carga es de 10V, la

10V
corriente por la carga es: IL   10mA
1k
La corriente zener es la diferencia

de las dos corrientes:
I Z  I S  I L  29,6mA  10mA  19,6mA
Ejemplo
¿Qué es lo que hace el circuito de
la figura?
En la mayor parte de las aplicaciones, los diodos zener se usan en reguladores de

tensión donde se mantienen en la zona zener.
Pero hay excepciones. A veces, dichos diodos se emplean en conformación de

ondas, como el de la figura. Obsérvese la conexión de dos diodos zener opuestos
(enfrentados).
Durante el semiciclo positivo, el diodo de arriba conduce y el de abajo está en zona

zener, por tanto, la salida queda recortada como se muestra. El nivel de recorte es
igual a la tensión zener (diodo en zona zener) más 0,7 V (diodo con pol. directa).
Durante el semiciclo negativo, la acción se invierte. El diodo de abajo conduce y el

diodo de arriba entra en zona zener.
De esta manera, la salida es casi una onda cuadrada. Cuanto mayor sea la onda
sinusoidal de entrada, más perfecta será la onda cuadrada de salida.
AGO v.2018 49
Zener, 2ª aproximación
Efecto en la tensión en la carga
Se modela con una resistencia zener en serie con una batería ideal.
Tensión total es igual a la tensión zener más la caída de tensión a

través de la resistencia zener.
Rz es relativamente pequeña en un diodo zener, sólo tiene un pequeño

efecto en la tensión total a través del diodo.
VL  VZ  I Z  RZ
El cambio en la tensión en la carga

respecto al caso ideal es: VL  I Z  RZ
Por ejemplo, si IZ = 10 mA y RZ = 10Ω, entonces ΔVL = 0.1V
Ejemplo: El diodo zener de la figura tiene una tensión zener de 10V y una
resistencia zener de 8,5Ω. Calcular la tensión en la carga cuando la corriente es
20mA, utilizando la segunda aproximación.
El cambio en la carga es igual a la corriente zener multiplicada por la

resistencia zener:
VL  I Z  Rz  (20mA)  (8,5)  0,17V
Entonces, en una segunda aproximación, la tensión en la carga es:
VL  10V  0,17V  10,17V
AGO v.2018 50
Zener, peor caso
Para que un regulador zener pueda mantener constante la tensión de salida, el
diodo zener debe permanecer operando en la región zener en todas las
condiciones de funcionamiento, lo que equivale a decir que debe haber
corriente por el zener para todas las tensiones de fuente y todas las corrientes
por la carga.
Para la figura:
VS  VZ 20V  10V IL 
VL 10V
  10mA
IS    50mA RL 1k
RS 200 
I Z  I S  I L  50  10  40mA
Zener, peor caso

Cuando la tensión de la fuente decrece desde 20 hasta 12V.
VS = 12V  IS = 10mA,
 IZ = 0A. (Diodo zener a punto de salirse de
la zona de ruptura).
Si la fuente baja más, la regulación se

perderá  Tensión en la carga se hará
menor que 10V.
Una tensión de fuente baja puede causar que

el circuito zener falle en la regulación.
Otra forma de perder la regulación: tener demasiada corriente por la carga.
Si RL = 200Ω (en lugar de 1k)  IL = 50mA (en lugar de 10 mA),

 IZ = 0. (Diodo zener a punto de salirse de la región zener).
Circuito zener dejará de regular si la resistencia de carga es demasiado baja.
AGO v.2018 51
Zener, peor caso
Si RS = 1kΩ  IS = 10mA  IL = 10mA,
IZ = 0A (Diodo zener a punto de salirse de la zona zener).
Una resistencia en serie alta puede hacer que el circuito deje de regular
correctamente.
Cuando la corriente zener está cerca de cero, la regulación zener se aproxima a la

condición de fallo.
 VS (min) 
RS (max)    1  RL (min)
 VZ 
Alternativamente,
Ejemplo
Un regulador zener tiene una tensión de entrada que puede variar de 22
a 30V. Si la tensión de salida regulada es de 12V y la resistencia de carga varía de
140Ω a 10kΩ ¿Cuál es la máxima resistencia en serie permitida?
 VS (min)   22V 
RS (max)    1  RL (min)    1 140  117
 ZV   12V 
Mientras la resistencia en serie sea menor que 117Ω, el regulador zener, funcionará
correctamente bajo todas las condiciones de operación.
AGO v.2018 52
Zener, características
Disipación de potencia
PZM  VZ  I ZM
Ejemplo: Si VZ = 12 V e IZ = 10mA, entonces: PZ  (12V )  (10mA)  120mW
Siempre que PZ sea menor que la limitación de potencia, el diodo zener podrá
funcionar en la zona zener sin que se destruya. Los diodos zener comerciales
tienen limitaciones de potencia desde ¼ hasta más de 50 W.
Corriente Máxima
PZM Corriente máxima que puede circular por

I ZM  un diodo sin exceder su límite de potencia.
VZ
PZ 400mW
Por ej. Para el 1N759: I ZM    33,3mA
VZ 12V
Zener, recta de carga
Rectas de carga
La corriente en el diodo zener de la figura viene dada por:
VS  VZ
IZ 
RS
20  VZ
Si, VS = 20V y RS = 1kΩ.  IZ 
1000
Punto de Saturación (intersección vertical)

VZ = 0  IZ = 20 mA,
Punto de Corte (intersección horizontal)

Iz = 0  VZ = 20V.
AGO v.2018 53
Zener, recta de carga
Rectas de carga
Suposición: Tensión zener de 12V.
VS = 20V y RS = 1 kΩ  Punto Q1: Tensión del diodo zener será ligeramente mayor
que la tensión de codo de ruptura, ya que la curva está ligeramente inclinada.
VS = 30V y RS = 1kΩ 
30  VZ
IZ 
1000
Extremos: 30 mA y 30 V
Dispositivos Optoelectrónicos
Optoelectrónica: Tecnología que combina la óptica con la electrónica.
Ejemplos: Diodos Emisores de Luz (LED), fotodiodos, optoacopladores, lasers, etc.
AGO v.2018 54
Vimos que el tamaño del gap definía las características de conducción o aislación
eléctrica de un material.
Además lo semiconductores tenían la estructura cristalina necesaria para permitir,

mediante la adición de impurezas, modificar sus propiedades de conducción.
Como el electrón es atraído por el núcleo, se requiere energía adicional para llevarlo a un
orbital mayor. Gana energía potencial. Ejemplo de agentes externos: Calor, Luz y la tensión
eléctrica.
En cualquier unión p–n polarizada en directa se da, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unión, una recombinación de huecos y electrones.
Esta recombinación requiere que la energía procesada por los electrones libres se
transforme en otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte
de esta energía se libera en forma de calor y otra en forma de fotones.
Los electrones pueden emitir luz

Al regresar a su nivel de energía inicial, el
electrón libera la energía sobrante en forma
de calor, luz u otro tipo de radiación.
LED (Light-Emitting Diode, Diodo Emisor

de Luz): La tensión aplicada eleva los
electrones a niveles superiores de energía.
Cuando estos electrones caen de nuevo a
los niveles inferiores de energía, emiten
fotones en distintas longitudes de onda.
AGO v.2018 55
En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energía convertida durante la
recombinación en la unión se disipa en forma de calor dentro de la estructura y
la luz emitida es insignificante. Los diodos construidos de GaAs emiten luz en la
zona infrarroja.
Mediante otras combinaciones de elementos se puede generar una luz visible
El gap debe ser del tamaño justo para poder ver la luz y que no sea infrarroja
(gap pequeño) o ultravioleta (gap grande). Al variar el gap se modifica el color.
En la figura se muestra la recombinación de los portadores inyectados producida
por la unión polarizada en directa produciendo luz emitida en el sitio
de la recombinación.
La superficie metálica conductora

externa conectada al material tipo
p es más pequeña para permitir la
salida del máximo de fotones de
energía luminosa cuando el
dispositivo está polarizado directo.
AGO v.2018 56
El espectro de frecuencia de la luz infrarroja se extiende
desde 100 THz (Tera = 1012) hasta 400 THz, con el
espectro de luz visible desde aprox. 400 hasta 750 THz.
En general, cuando hablamos de la respuesta de

dispositivos ópticos, nos referimos a sus longitudes de
onda y no a su frecuencia.
c

f
Por ejemplo:
Mover un electrón de un nivel de energía discreto a otro requiere una cantidad
específica de energía.
La cantidad de energía implicada está dada por:
hc Donde, h = 6.626 x10–34 [J·s] , constante de Planck

Eg 

Por ejemplo, sabemos que el arseniuro de galio, GaAs tiene Eg= 1.43eV
En tal caso:
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Polarización de un LED
VS  VD
IS 
RS
Donde:
Rs: Resistencia limitadora de corriente,
que evita que la corriente exceda la
corriente máxima del diodo.
Caída de tensión típica  1,5 a 2,5V para corrientes que varían entre 10 y 50 mA.
Valor exacto tensión depende de la corriente directa y en general del material,
color, etc.
Suposición VD = 2V para análisis de circuitos.
Luminosidad del LED
VS  VD
La luminosidad depende de la corriente.
IS 
RS
Si VS >> VD entonces corriente constante  Brillo constante.
Control de la luminosidad: Polarizar el LED con una fuente de corriente  Brillo es

constante porque la corriente es constante.
Tensión de ruptura.
Tienen tensiones de ruptura bajas, típicamente entre 3 y 5 V, por lo

que se destruyen fácilmente si se polarizan en inversa con demasiada tensión.
AGO v.2018 58
Indicador de siete segmentos.
Un indicador de siete segmentos tiene 7 LED rectangulares (marcados A a G), cada

uno recibe el nombre de segmento y forma parte del dígito a mostrar.
Se agregan resistencias externas en serie para limitar la corriente a niveles de

seguridad.
Llevando a tierra una o más resistencias, puede formarse cualquier dígito del 0 al 9.
Fotodiodo
Cuando la energía luminosa se proyecta sobre una unión pn, puede desligar
electrones de valencia.
Mayor intensidad de luz incida sobre la luz  Mayor será la corriente inversa del
diodo.
Fotodiodo: Diodo cuya sensibilidad a la luz es máxima. Cuánto mayor sea la luz,
mayor será el número de portadores minoritarios y mayor será la corriente inversa.
AGO v.2018 59
Optoacoplador
También llamado optoaislador o aislador
acoplado ópticamente.
Combina un LED y un fotodiodo en un solo

encapsulado. El dispositivo puede acoplar
una señal de entrada con el circuito de
salida.
La tensión en la fuente y la resistencia en serie (izquierda) producen una

corriente en el LED. La luz proveniente del LED incide sobre el fotodiodo, lo que
genera una corriente inversa en el circuito de salida, que produce una tensión
en la resistencia de salida.
La tensión de salida cambia de acuerdo con la tensión de entrada.
Ventaja principal: Aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y de salida.

Mediante el optoacoplador el único contacto que hay entre la entrada y salida
es un haz de luz.
Lasers
En un LED los electrones libres radian luz cuando caen de niveles de energía
superior a niveles inferiores y lo hacen de forma aleatoria y continuamente,
produciendo longitudes de onda con fases entre 0 y 360 grados. La luz que
tiene muchas fases diferentes se llama luz no coherente, por consiguiente, un
LED produce luz no coherente.
Un diodo láser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente, lo

que significa que todas las ondas luminosas están en fase entre si.
La idea básica de un diodo laser consiste en usar una cámara resonante con
espejos que refuerza la emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia y
fase.
A causa de esta resonancia, un diodo laser produce un haz de luz estrecho que
es muy intenso, enfocado y puro.
AGO v.2018 60
Bibliografía
Para temas de diodos:
 Robert Boylestad, Electrónica: Teoría de Circuitos y Disp. Electrónicos, capítulos 1 y 2.

 Albert Malvino, Principios de Electrónica, capítulos 3-5.
AGO v.2018 61

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Electrónica 1

Unión pn: Separación o frontera

La unión pn tiene propiedades que

Obsérvese que cada cristal de material semiconductor es eléctricamente neutro,

Cuando un electrón abandona el lado n, deja un átomo pentavalente al

Una vez que el electrón cae en un hueco en el lado p, el átomo trivalente

Esta región de iones

Cada pareja de iones positivo y negativo en la unión se llama dipolo. La

A medida que aumenta el número de dipolos, la región cercana a la

Si después entran electrones libres adicionales en la zona de deplexión,

El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de

Diodo Polarizado Directo

La batería empuja huecos y electrones

Tensión < barrera de potencial

Tensión > barrera de potencial

La reducción del ancho de la región de empobrecimiento produce un intenso flujo

Diodo Polarizado Directo

Las características generales de un diodo

Diodo Polarizado Directo

El voltaje VT en la ecuación se llama voltaje

Sustituyendo en la ec. anterior:

El voltaje térmico es un parámetro

Diodo Polarizado Directo

Con valores positivos de VD el primer término de la ecuación anterior crecerá

Con valores negativos de VD el término exponencial se reduce con rapidez por

Tal como indica la gráfica.

Teóricamente, las características de un diodo de

Sin embargo, los diodos de silicio comerciales se

Cada una contribuye a un voltaje adicional con el

Diodo Polarizado Inverso

El terminal negativo de la batería atrae los huecos y

Esto crea una barrera demasiado grande para que

A mayor ancho de dicha zona corresponde mayor diferencia de potencial.

Corriente inversa de saturación (Is):

Ya que Is es producida por agitación térmica,

Corriente Superficial de Fugas (ISL): Pequeña corriente que circula sobre la

Diodo Polarizado Inverso

Podemos definir la resistencia superficial de fugas como:

Definiendo: RSL = VR / ISL

RSL: Resistencia superficial de fugas.

Si la corriente superficial de fugas es 2 nA para una tensión inversa de 25 V

Después calcular la corriente superficial de fugas a 35 V.

ISL = 35V / (12,5*109)Ω = 2,8 nA.

El segundo método sería el siguiente: Como la corriente superficial de fugas es

ISL = 2nA * [ 35V / 25V ] = 2,8 nA

Cuando la tensión inversa aumenta, los electrones y los huecos se apartan de

Mientras la zona de empobrecimiento se ajusta a su nuevo ancho, en el

Diodo Polarizado Inverso

Si se aumenta continuamente la tensión inversa, llegará un momento que se

Efecto avalancha: Aparece con tensiones inversas elevadas.

Consideremos que inicialmente hay una pequeña corriente inversa de

Luego, al aumentar la tensión inversa, esto obliga a los portadores minoritarios a

Estos dos electrones libres liberan, a su vez, a otros

Una vez alcanzada la tensión de ruptura, una gran

La tensión de ruptura de un diodo depende

Para GaAs, la corriente de

Temperatura de la Unión: Temperatura dentro del diodo, exactamente en la

Temperatura ambiente: Temperatura del aire fuera del diodo, el aire