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    MOSFET

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    Eligio Leiva
    1. Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales cuyo flujo de cargas se controla mediante un campo eléctrico. 2. Los MOSFET son los FET más importantes y comunes, los cuales tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente. 3. Los MOSFET son más sencillos de fabricar y ocupan menos espacio que los transistores bipolares, exhibiendo una alta resistencia de entrada y siendo menos ruidosos.

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    MOSFET

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    1. Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales cuyo flujo de cargas se controla mediante un campo eléctrico. 2. Los MOSFET son los FET más importantes y comunes, los cuales tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente. 3. Los MOSFET son más sencillos de fabricar y ocupan menos espacio que los transistores bipolares, exhibiendo una alta resistencia de entrada y siendo menos ruidosos.

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    1. Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales cuyo flujo de cargas se controla mediante un campo eléctrico. 2. Los MOSFET son los FET más importantes y comunes, los cuales tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente. 3. Los MOSFET son más sencillos de fabricar y ocupan menos espacio que los transistores bipolares, exhibiendo una alta resistencia de entrada y siendo menos ruidosos.

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    MOSFET

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    Eligio Leiva
    1. Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de estado sólido con tres o cuatro terminales cuyo flujo de cargas se controla mediante un campo eléctrico. 2. Los MOSFET son los FET más importantes y comunes, los cuales tienen tres terminales llamadas drenador, puerta y fuente. 3. Los MOSFET son más sencillos de fabricar y ocupan menos espacio que los transistores bipolares, exhibiendo una alta resistencia de entrada y siendo menos ruidosos.

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    de 20

    TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO

    (Field effect transistor, FET)


    INTRODUCCIÓN:
    qSon dispositivos de estado sólido
    qTienen tres o cuatro terminales
    qEs el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas
    qEl flujo de portadores es de un único tipo ( o electrones ó huecos)
    qPueden funcionar en diferentes regiones de polarización
    qSegún en que región de polarización se encuentren, funcionan como:
    qResistencias controladas por tensión
    qAmplificadores de corriente ó tensión
    qFuentes de corriente
    qInterruptores lógicos y de potencia

    1
    qHay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los:
    MOSFET (Metal-óxido semiconductor)
    qNormalmente tienen tres terminales denominados:
    qDrenador
    qPuerta
    qFuente ó surtidor
    qSon dispositivos gobernados por tensión
    q La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal)
    qUtilizan un solo tipo de portadores de carga,
    (Por eso se llaman también unipolares):
    qElectrones si son de canal N
    qHuecos si son de canal P
    COMPARACIÓN ENTRE FETs y BJTs

    ØLos FETs necesitan menos área del chip, y menos


    pasos de fabr.
    ØLos BJts pueden generar corrientes de salida mas
    elevadas
    para conmutación rápida con cargas capacitivas.
    ØLos FETs tiene una impedancia de entrada muy alta
    Ø En los Fets el parámetro de transconductancia (gm)
    es menor
    que en los BJts, y por lo tanto tienen menor
    ganancia.
    Características
    1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
    solamente.
    2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en
    forma integrada.
    3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
    muchos megaOhms.
    4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
    5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
    tanto lo hace un excelente recortador de señales.
    Construcción
    El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media
    dos regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente
    (Sourse) y la opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están
    conectadas. La terminar de las regiones p se llama Compuerta (Gate).

    Drenaje (D)

    Contactos óhmicos

    Canal-n

    p n p
    Compuerta (G)

    Región de
    agotamiento

    Fuente (S)
    VGS = 0 y VDS > 0
    D +
    Región de
    ID
    agotamiento
    VDS

    G
    VDD
    p n p

    S IS -
    Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
    Semiconductor

    • El nombre hace mención a la estructura interna: Metal Oxide


    Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

    • Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo


    de portador
    • Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”

    D D
    EL MOSFET DE POTENCIA

    G G
    S S
    Canal N Canal P
    Conducción debida Conducción
    a electrones debida a huecos

    • Los más usados son los MOSFET de canal N


    • La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
    movilidad Þ menores resistencias de canal en conducción
    Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

    • Curvas características del MOSFET

    - Curvas de salida
    ID
    D ID [mA]
    +
    VGS = 4,5V
    G VDS 4
    + S -
    VGS = 4V
    EL MOSFET DE POTENCIA

    VGS
    - 2 VGS = 3,5V
    Referencias normalizadas VGS = 3V
    VGS = 2,5V VDS [V]
    0 2 4 6
    VGS < VTH = 2V

    - Curvas de entrada:
    No tienen interés (puerta aislada del canal)
    Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación

    • Zonas de trabajo
    ID [mA]
    ID
    VGS = 4,5V
    2,5KW 4
    VGS = 4V
    D
    +
    VDS 2 VGS = 3,5V
    G
    S - 10V VGS = 3V
    +
    EL MOSFET DE POTENCIA

    VGS VGS = 2,5V


    - 0 4 8 12 VDS [V]
    VGS < VTH = 2V
    VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
    Comportamiento resistivo
    Comportamiento como fuente de corriente
    (sin interés en electrónica de potencia)

    Comportamiento como circuito abierto


    Ideas generales sobre los MOSFETs

    • Precauciones en el uso de transistores MOSFET


    - El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
    - El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de
    los dedos. A veces se integran diodos zener de protección
    - Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET
    de enriquecimiento
    EL MOSFET DE POTENCIA

    S G D D

    N+ N+
    G
    P-
    S
    +

    Substrato
    Características fundamentales de los MOSFETs de potencia

    1ª -Máxima tensión drenador-fuente


    2ª -Máxima corriente de drenador
    3ª -Resistencia en conducción
    4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta
    5ª -Velocidad de conmutación

    1ª Máxima tensión drenador-fuente


    • Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
    EL MOSFET DE POTENCIA

    la fuente) y el drenador.
    • Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
    circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
    1ª Máxima tensión drenador-fuente

    • La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS


    o como V(BR)DSS
    • Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

    Baja tensión Media tensión Alta tensión


    15 V 100 V 500 V
    EL MOSFET DE POTENCIA

    30 V 150 V 600 V
    Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
    clasificación 55 V 400 V 1000 V
    60 V
    80 V
    2ª Máxima corriente de drenador

    • El fabricante suministra dos valores (al menos):


    - Corriente continua máxima ID
    - Corriente máxima pulsada IDM
    EL MOSFET DE POTENCIA

    • La corriente continua máxima ID depende de la


    temperatura de la cápsula (mounting base aquí)

    A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
    4ª Tensiones umbral y máximas de puerta

    • La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es


    típicamente de ± 20V
    EL MOSFET DE POTENCIA
    Pérdidas en un MOSFET de potencia

    • Pérdidas por convivencia tensión corriente entre drenador y fuente

    vGS

    vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

    Pconm = fS(won + woff)


    EL MOSFET DE POTENCIA

    iDT

    PVI Won Pérdidas en conmutación

    Pérdidas en
    conducción Woff

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