Práctica 3
Práctica 3
Práctica 3
Introducción
Objetivo General
Objetivo Específico
Marco Teórico
Simulación
Modulación por ancho de pulso Utilizando una fuente de CD de 30V y con una
resistencia interna para efectos de simulación de
La modulación por ancho de pulso o PWM por sus
0.1Ω, este valor tiene un bloque para medir su valor
siglas en inglés (Pulse-width modulation) es la base
y se une al “Scope” final.
para el control en la electrónica de potencia. El
teórico tiempo cero de respuesta en subida y bajad a Se genera un pulso de 6800 Hz y se conecta al
de una señal PWM ideal representa la forma bloque IGBT/Diode, que es el Mosfet del circuito
preferida de impulsar dispositivos de real. Este se pone a un valor de 50% de duty cycle
semiconductores de potencia. La modulación por para 30V de entrada y de 60% para 25V también de
ancho de pulso es una técnica de modulación digital entrada.
Se agrega un diodo estándar en paralelo con un En la ventana de parámetros se puede apreciar la
capacitor de 12uF y una resistencia de 39Ω. Por configuración de la frecuencia de trabajo (6.8KHz) y
último se conecta un inductor con valor de 1.6mH el D = 50%.
entre el capacitor y la resistencia.
Conclusiones
Referencias