Inversor trifásico de seis pulsos con

MOSFET
A. S OSA, G. RODRIGUEZ , R. FOMPEROZA, E. BARRAGÁN .
Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla
Puebla, México.

Abstract— Este trabajo presenta la construcción Los puentes inversores pueden ser clasificados
de un inversor PWM por pasos para el control de de acuerdo a la naturaleza de la fuente de
motores trifásicos. El diseño fue dividido en tres alimentación de DC. Desde este punto de vista, se
etapas: aislamiento (opto acopladores 4N25), drivers habla de inversores de fuente de tensión o VSI
(IR2111) y potencia (inversor trifásico utilizando (Voltaje Source Inverters) y de inversores de
MOSFET IRF740). Para el control se desarrolló en
fuente de corriente o CSI (Current Source
Arduino un programa para utilizar las
modulaciones PWM, para el control del disparo. Por Inverters) que son utilizados principalmente en
último se realizaron las pruebas de funcionamiento controladores de motores AC de alta potencia.
obteniendo resultados satisfactorios mediante una
secuencia de activación trifásica visualizada en una
carga resistiva mediante un osciloscopio. Los inversores se pueden clasificar ampliamente
Index Terms— Circuito de disparo, circuito en dos tipos: (1) inversores monofásicos y (2)
actuador, MOSFET, Inversor trifásico. inversores trifásicos. Cada tipo puede usar
dispositivos de encendido y apagado controlados
(por ejemplo BJT, MOSFET, IGBT, etc.) Por lo
I. Introducción general estos inversores utilizan señales de
control de PWM para producir voltajes de salida
Los convertidores de DC a AC mejor conocidos de CA.
como inversores son circuitos electrónicos de
potencia. Estos producen una tensión de salida de Inversores Trifásicos
AC, de frecuencia y amplitud determinadas a
partir de una tensión de entrada de DC. En este Los inversores trifásicos se utilizan en
tipo de dispositivos la frecuencia e incluso la aplicaciones de alta potencia. Se pueden conectar
amplitud de la tensión de salida pueden ser tres puentes inversores monofásicos en paralelo
variables. Una de las formas de conseguir esta como se muestra en la figura 1 para formar la
variación es utilizando una técnica PWM (Pulse configuración de un inversor trifásico.
With Modulation).

La función de un inversor es cambiar un voltaje de

entrada de CD a un voltaje simétrico de salida de
CA de magnitud y frecuencia deseadas. Las
formas de onda del voltaje de salida de los
inversores ideales debería ser senoidal. Pero las
formas de onda de los inversores prácticos no
son senoidales y contienen ciertos armónicos.
Para aplicaciones de baja y mediana frecuencia, se
pueden aceptar voltajes de onda cuadrada o de Fi
onda cuasi cuadrada. gura
1.- Fase de un inversor trifásico VSI de dos
Idealmente la salida debería ser de CA de onda niveles de puente completo.
senoidal pura, pero el voltaje de salida de un
inversor práctico contiene armónicos y rizos,
razón que no concierne del todo en esta práctica Es posible alimentar una carga trifásica por medio
pero que hay que tener en cuenta. de tres inversores monofásicos separados, donde
cada inversor produzca una salida desplazada por
120° (de la frecuencia fundamental) entre sí. II. Antecedentes
Aunque este arreglo puede ser preferible en ciertas
circunstancias, requiere ya sea un transformador A continuación se describe los elementos
de salida trifásico o accesos separados a cada una involucrados en la experimentación, los principios
de las tres fases de la carga. de operación y su funcionamiento.
1. IR2111
El IR2111 es un dispositivo de alta tensión y alta
El circuito de un inversor trifásico utilizado en velocidad utilizado como driver de MOSFET y de
esta práctica se muestra en la figura 2.
los IGBT, con canales de salida independientes y
complementarios, flanco alto y bajo. Las
tecnologías patentadas de HVIC y de inmunidad
CMOS permiten una construcción monolítica
robusta. Las entradas lógicas son compatibles con
la salida estándar de CMOS o LSTTL, hasta una
lógica de 3.3V. Los controladores de salida
cuentan con una etapa de amortiguación de
intensidad de impulsos elevada diseñada para una
conducción cruzada mínima del conductor. Los
Figura 2.- Inversor trifásico. retardos de propagación se combinan para
simplificar el uso en aplicaciones de alta
La importancia del modo six-step radica en que
con esta configuración es posible obtener la frecuencia. El canal flotante puede usarse para
máxima utilización del voltaje de DC, sin manejar un MOSFET de potencia de canal N o un
embargo, esta técnica solo permite un control IGBT en la configuración de lado alto que operan
sobre la frecuencia de la señal fundamental y no hasta 600 voltios.
sobre su amplitud. En el modo de operación six-
step de un inversor trifásico, la amplitud de
durante los primeros 180º de la
fundamental y durante los últimos 180º; las
otras dos fases operan de igual manera con la
excepción de un desplazamiento de -120° y -240°,
respectivamente como se ilustra en la figura 3. Figura 4.- Conexión Driver IR2111.

Figura 5.- Descripción de las terminales IR2111.

2. MOSFET IRF740

El transistor de efecto de campo metal-óxido

semiconductor o MOSFET, es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales
eléctricas. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad
de los microprocesadores comerciales están
Figura 3.- Formas de onda en la modulación six- basados en transistores MOSFET.
steps. El MOSFET es un dispositivo de tres
terminales llamados fuente (S, Source), drenador
(D, Drain), puerta (G, Gate). necesarios. El circuito de aislamiento
A continuación se muestran las características implementado se muestra a continuación.
del MOSFET a utilizar, el cuál es de canal N y
soporta una corriente de hasta 10A. El diseño con
la mejor combinación de conmutación rápida,
diseño fuerte del dispositivo, baja resistencia de
encendido y un buen costo-eficiencia.

Figura 8.- Etapa de aislamiento.

En la etapa de drivers, se activan o desactivan

los MOSFET y se debe garantizar la transición de
estados en el mínimo tiempo. Los tiempos de
conmutación son pequeños, en el orden de
microsegundos. Al mismo tiempo se debe
asegurar un pequeño desfasamiento en la
Figura 6.- Características del MOSFET IRF740. conmutación de los transistores. Estos requisitos
los cumple el driver IR2111, de la compañía
International Rectifier (IR). Estos circuitos
integrados pueden alimentar dos MOSFET al
mismo tiempo, a la vez que complementa sus
salidas, esto hace posible simplificar la conexión
y hacerlo en 3 ramas, una por cada fase.
Conectando los drivers como se muestra en la
imagen 9, se logra mandar los pulsos para
controlar la etapa de potencia.
Figura 7.- Gráfica de las regiones de
funcionamiento del MOSFET.

III. Desarrollo de la experimentación

Durante la etapa de aislamiento se protege a los

dispositivos de control de posibles fallos en la
etapa de potencia y de esta forma minimizar
daños. La gran mayoría de los aislamientos de
circuitos electrónicos modernos están basados en
dispositivos ópticos, debido a su bajo coste y fácil
implementación.

El dispositivo de control, en este caso el Arduino

Figura 9.- Circuito de la etapa de drivers
Nano, genera una onda PWM. La frecuencia de
conmutación es un parámetro fundamental a tener Finalmente, en la etapa de potencia, como se
en cuanta al elegir el dispositivo de acople. Se muestra en la figura 10, se controlan los
eligió el 4N25, utilizado en prácticas anteriores y MOSFET, los cuales se conectan en configuración
el cuál cumple con los requisitos de conmutación puente, formado por seis transistores (IRF740),
dos para cada fase.
 pinMode(8,OUTPUT);

pinMode(10,OUTPUT);

pinMode(12,OUTPUT);

pinMode(6,OUTPUT);

void loop() {
Figura 10.- Circuito de la etapa de potencia.
digitalWrite(8,HIGH);

digitalWrite(10,LOW);

digitalWrite(12,HIGH);

delay(t);

digitalWrite(8,HIGH);

digitalWrite(10,LOW);

digitalWrite(12,LOW);

delay(t);

Figura 11.- Circuito montado en protoboard. digitalWrite(8,HIGH);

Para controlar los pulsos se utilizó un Arduino digitalWrite(10,HIGH);

nano, para generar tres señales alternantes de
digitalWrite(12,LOW);
nivel, las cuales al generarlas a cierta frecuencia
(52Hz) generan un PWM que en realidad es una delay(t);
combinación de estados para activar los MOSFET
y de esta manera utilizar el modo six-steps para digitalWrite(8,LOW);
generar nuestra señales “senoidal”. digitalWrite(10,HIGH);

digitalWrite(12,LOW);

delay(t);

digitalWrite(8,LOW);

digitalWrite(10,HIGH);

digitalWrite(12,HIGH);

Figura 12.- Combinación de las ramas para delay(t);

generar la senoidal.
digitalWrite(8,LOW);
Utilizando las combinaciones de la figura 12, se
digitalWrite(10,LOW);
genera el código que se muestra a continuación:
digitalWrite(12,HIGH);
int t = 3;
delay(t); }
void setup() {
Resultados:

Para asegurarnos de que no hubiera fallos en la

etapa de potencia debido a la señal que generaba
el micro controlador que el driver debe retrasar,
visualizamos las señales de salida de cada uno de
los drivers.

Figura 15.- Señal de disparo errónea debido a los

capacitores bootstrap.

Una de las fallas que tuvimos durante la

realización y que nos quitó bastante tiempo, fue
que al utilizar en un principio una frecuencia
bajísima, los disparos que llegaban a los MOSFET
eran solo un pico de 15v que no duraba nada, y
Figura 13.- Señales retrasadas y complementarias revisando el circuito concluimos que además subir
de los drivers. la frecuencia por la aplicación que teníamos que
hacer, había que subir un poco más la capacitancia
del capacitor bootstrap utilizado por los drivers.
Antes de ajustar el valor, nuestra salida era como
se muestra en la figura 15.

Una vez corregido este desperfecto, la señal de

disparo de los MOSFET quedo de manera
aceptable como se muestra en la figura 16.

Figura 14.- Señales de salida complementarias, de

los drivers IR2111.

Ya que estamos seguros que no habrá ningún

corto por activación de los dos transistores en una
rama, se procede a disparar los MOSFET y hacer
la medición del voltaje en la carga.

Figura 16.- Señal de disparo ideal.

Con todo esto funcionando se midió el voltaje en

la carga y se pudo apreciar la configuración six-
steps en forma adecuada, pudiendo así cambiar la
carga a un motor.
 Referencias

N. Mohan, Electrónica de Potencia, 3ra ed.,

CDMX, México, Mc Graw Hill, 2009

M. H. Rashid, Electrónica de Potencia:

Circuitos, dispositivos y aplicaciones, 2da ed.,
Edo. De México, México, Prentince Hall Inc.,
1995

D. W. Hart, Electrónica de Potencia, 1ra ed.,

Madrid, España, Prentince Hall Inc., 2001
Figura 17.- Señal de salida en una fase.

Conclusiones:

Una vez más se comprobó que pese a los valores

teóricos arrojan una respuesta funcional son las
complicaciones reales las cuales dificultan el
proceso de alcanzar las curvas deseada.

Durante la realización se tuvieron varios errores

muchos de estos por error humano, para empezar
las mediciones de nuestras salidas altas de los
drivers eran erróneas, esto por tomar el común
del driver como tierra.

Uno de los problemas principales fue el error de

realizar la práctica con un frecuencia baja, la cual
la mayor parte del tiempo nos limitaba al querer
disparar los MOSFET.

Otra razón de peso fue que al migrar el circuito de

la placa perforada a la protoboard las resistencias
de cargas se quemaron al momento de desoldar y
causaba que la medición fuera errónea.

Sin embargo podemos concluir que el el

conocimiento teórico con las pruebas físicas fue
bueno y lo tanto cumplieron los objetivos
propuestos en la práctica .