Elect Dev Cir Capitulo 3.en - Es

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com
CONTENIDOS BREVES
Prefacio v
CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1
CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55
CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129
CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160
CAPÍTULO 5: Análisis BJT AC 253
CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378
CAPÍTULO 7: Polarización FET 422
CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481
CAPÍTULO 9: Respuesta de frecuencia BJT y JFET 545
CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607
CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653
CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683
CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722
CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751
CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783
CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales 811
CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841
Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones

gráficas y ecuaciones de conversión (exactas y
aproximadas) 879
ix
X CONTENIDOS BREVES Apéndice B: Cálculos de voltaje y factor de ondulación 885
Apéndice C: Gráficos y tablas 891
Apéndice D: Soluciones a problemas

impares seleccionados 893
Índice 901
CONTENIDO
Prefacio v
CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1

1.1 Introducción 1
1.2 Materiales semiconductores: Ge, Si y GaAs 2
1.3 Enlace covalente y materiales intrínsecos 3
1.4 Niveles de energía 5
1.5 norte-Tipo ypags-Tipo Materiales 7
1.6 diodo semiconductor 10
1.7 Ideal frente a práctico 20
1.8 Niveles de resistencia 21
1.9 Circuitos equivalentes de diodos 27
1.10Capacitancia de transición y difusión 30
1.11Tiempo de recuperación inversa 31
1.12Hojas de especificaciones de diodos 32
1.13Notación de diodo semiconductor 35
1.14Pruebas de diodos 36
1.15diodos zener 38
1.16La luz emite diodos 41
1.17Resumen 48
1.18Análisis informático 49
CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55

2.1 Introducción 55
2.2 Análisis de línea de carga 56
2.3 Configuraciones de diodos en serie 61
2.4 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 67
2.5 Y/O Puertas 70
2.6 entradas sinusoidales; Rectificación de media onda 72
2.7 Rectificación de onda completa 75
2.8 Tijeras 78
2.9 abrazaderas 85
2.10Redes con una fuente de CC y CA 88
xi
xi CONTENIDO 2.11diodos zener 91
2.12Circuitos multiplicadores de voltaje 98
2.13Aplicaciones prácticas 101
2.14Resumen 111
CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129

3.2 Construcción de transistores 130
3.3 Operación de transistores 130
3.4 Configuración de base común 131
3.5 Configuración de emisor común 136
3.6 Configuración de colector común 143
3.7 Límites de operación 144
3.8 Hoja de especificaciones de transistores 145
3.9 Pruebas de transistores 149
3.10Identificación de terminales y carcasas de transistores 151
3.11Desarrollo de transistores 152
3.12Resumen 154
CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160

4.2 Punto de operación 161
4.3 Configuración de polarización fija 163
4.4 Configuración de polarización del emisor 169
4.5 Configuración de polarización del divisor de voltaje 175
4.6 Configuración de retroalimentación del recopilador 181
4.7 Configuración de emisor-seguidor 186
4.9 Configuraciones misceláneas de sesgo 189
4.10Tabla de resumen 192
4.11Operaciones de diseño 194
4.12Múltiples redes BJT 199
4.13Espejos actuales 205
4.14Circuitos de fuente de corriente 208
4.15pnptransistores 210
4.16Redes de conmutación de transistores 211
4.17Técnicas de solución de problemas 215
4.18Estabilización de polarización 217
4.20Resumen 233
CAPÍTULO 5: Análisis BJT AC 253 CONTENIDOXIII

5.2 Amplificación en el dominio AC 253
5.3 Modelado de transistores BJT 254
5.4 losrmiModelo de transistores 257
5.5 Configuración de polarización fija de emisor común 262
5.6 Sesgo del divisor de voltaje 265
5.7 Configuración de polarización de emisor CE 267
5.8 Configuración de emisor-seguidor 273
5.10Configuración de retroalimentación del recopilador 279
5.11Configuración de retroalimentación de CC del colector 284
5.12Efecto deRLyRs 286
5.13Determinación de la ganancia actual 291
5.14Tablas de resumen 292
5.15Enfoque de sistemas de dos puertos 292
5.16Sistemas en cascada 300
5.17Conexión Darlington 305
5.18Par de comentarios 314
5.19El modelo equivalente híbrido 319
5.20Circuito equivalente híbrido aproximado 324
5.21Modelo equivalente híbrido completo 330
5.22HíbridopagsModelo 337
5.23Variaciones de los parámetros del transistor 338
5.24Solución de problemas 340
5.26Resumen 349
CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378

6.2 Construcción y características de los JFET 379
6.3 Características de transferencia 386
6.4 Hojas de especificaciones (JFET) 390
6.5 Instrumentación 394
6.6 Relaciones importantes 395
6.7 MOSFET tipo empobrecimiento 396
6.8 MOSFET de tipo mejorado 402
6.9 Manejo de MOSFET 409
6.10VMOS y UMOS Potencia y MOSFET 410
6.11CMOS 411
6.12MESFET 412
xivCONTENIDO 6.14Resumen 414
CAPÍTULO 7: Polarización FET 422

7.3 Configuración de autopolarización 427
7.4 Polarización del divisor de voltaje 431
7.5 Configuración de puerta común 436
7.6 Caso especialVSGq-0 V 439
7.7 MOSFET de tipo empobrecimiento 439
7.9 Tabla de resumen 449
7.10Redes combinadas 449
7.11Diseño 452
7.13pags-FET de canal 455
7.14Curva de polarización JFET universal 458
7.16Resumen 470
CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481

8.2 Modelo de señal pequeña JFET 482
8.4 Configuración de autopolarización 492
8.5 Configuración del divisor de voltaje 497
8.6 Configuración de puerta común 498
8.7 Configuración de fuente-seguidor (drenaje común) 501
8.8 MOSFET de tipo empobrecimiento 505
8.10Configuración de retroalimentación de drenaje E-MOSFET 507
8.11Configuración del divisor de voltaje E-MOSFET 510
8.12Diseño de redes de amplificadores FET 511
8.14Efecto deRLyRfirma 516
8.15Configuración en cascada 518
8.18Resumen 530
CAPÍTULO 9: Respuesta de frecuencia BJT y JFET 545 CONTENIDO XV
9.2 logaritmos 545
9.3 decibelios 550
9.4 Consideraciones generales de frecuencia 554
9.5 Proceso de normalización 557
9.6 Análisis de baja frecuencia: diagrama de Bode 559
9.7 Respuesta de baja frecuencia—Amplificador BJT conRL 564
9.8 Impacto deRsen la respuesta de baja frecuencia BJT 568
9.9 Respuesta de baja frecuencia: amplificador FET 571
9.10Capacitancia del efecto Miller 574
9.11Respuesta de alta frecuencia: amplificador BJT 576
9.12Respuesta de alta frecuencia: amplificador FET 584
9.13Efectos de frecuencia multietapa 586
9.14Pruebas de onda cuadrada 588
9.15Resumen 591
CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607

10.2 Circuito amplificador diferencial 610
10.3 Circuitos amplificadores diferenciales BiFET, BiMOS y CMOS Conceptos básicos del 617
10.4 amplificador operacional 620
10.5 Circuitos prácticos de amplificadores operacionales 623
10.6 Especificaciones del amplificador operacional: parámetros de compensación de CC 628
10.7 Especificaciones del amplificador operacional: parámetros de frecuencia 631
10.8 Especificaciones de la unidad del amplificador operacional 634
10.9 Operación diferencial y de modo común 639
10.10Resumen 643
CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653

11.1Multiplicador de ganancia constante 653
11.2Suma de voltaje 657
11.3Búfer de voltaje 660
11.4Fuentes controladas 661
11.5Circuitos de Instrumentación 663
11.6Filtros Activos 667
11.7Resumen 670
CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683

12.1Introducción—Definiciones y tipos de amplificadores 683
12.2Amplificador Clase A alimentado en serie 685
xviCONTENIDO 12.3Amplificador de clase A acoplado por transformador 688
12.4Operación del amplificador de clase B 695
12.5Circuitos amplificadores de clase B 699
12.6Distorsión del amplificador 705
12.7Disipador de calor del transistor de potencia 709
12.8Amplificadores Clase C y Clase D 712
12.9Resumen 714
CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722

13.1Introducción 722
13.2Operación de la unidad de comparación 722
13.3Convertidores digital-analógico 729
13.4Operación de la unidad IC del temporizador 732
13.5Oscilador controlado por voltaje 736
13.6Bucle de bloqueo de fase 738
13.7Circuito de interfaz 742
13.8Resumen 745
CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751

14.1Conceptos de retroalimentación 751
14.2Tipos de conexión de retroalimentación 752
14.3Circuitos prácticos de retroalimentación 758
14.4Amplificador de retroalimentación—Consideraciones de fase y frecuencia 763
14.5Operación del oscilador 766
14.6Oscilador de cambio de fase 767
14.7Oscilador de puente de Wien 770
14.8Circuito oscilador sintonizado 771
14.9Oscilador de cristal 774
14.10Oscilador uniunión 777
14.11Resumen 778
CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783

15.2Consideraciones generales sobre filtros 784
15.3Filtro de condensador 786
15.4RCFiltrar 789
15.5Regulación de voltaje de transistores discretos 791
15.6Reguladores de voltaje IC 798
15.8Resumen 805
CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales 811 CONTENIDOxvii
16.2Diodos de barrera Schottky (portador caliente) 811
16.3Diodos Varactor (Varicap) 815
16.4Células solares 819
16.5Fotodiodos 824
16.6Células fotoconductoras 826
16.7Emisores de infrarrojos 828
16.8Pantallas de cristal líquido 829
16.9Termistores 831
16.10Diodos de túnel 833
16.11Resumen 837
CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841

17.2Rectificador controlado por silicio 841
17.3Operación básica del rectificador controlado por silicio 842
17.4Características y clasificaciones de SCR 843
17.5Aplicaciones SCR 845
17.6Interruptor controlado por silicio 849
17.7Interruptor de apagado de puerta 851
17.8SCR activado por luz 852
17.9diodo shockley 854
17.10diac 854
17.11Triac 856
17.12Transistor de unión única 857
17.13Fototransistores 865
17.14Opto-aisladores 867
17.15Transistor uniunión programable 869
17.16Resumen 874
Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones gráficas y

ecuaciones de conversión (exactas y aproximadas) 879
A.1 Determinación gráfica de lah-Parámetros 879
A.2 Ecuaciones de conversión exacta 883
A.3 Ecuaciones de conversión aproximadas 883
Apéndice B: Cálculos de voltaje y factor de ondulación 885

B.1 Factor de ondulación del rectificador Voltaje de ondulación del condensador 885
B.2 Relación de filtro deVcorriente continuayVmetropara ondularr Relación deVr(rms) yV 886
B.3 metropara ondularr Relación que conecta el ángulo de conducción, el porcentaje de 887
B.4 ondulación yIcima-Icorriente continuapara circuitos de filtro de condensador- 888
B.5 rectificador
889
xviiiCONTENIDO Apéndice C: Gráficos y tablas 891
Apéndice D: Soluciones a problemas

impares seleccionados 893
Índice 901
Transistores de unión bipolar
3
-
OBJETIVOS DEL CAPÍTULO
- Familiarícese con la construcción básica y el funcionamiento del transistor de

unión bipolar.
- Ser capaz de aplicar la polarización adecuada para asegurar el funcionamiento en la región activa.
- Reconocer y ser capaz de explicar las características de unnpnopnptransistor.

- Familiarícese con los parámetros importantes que definen la
respuesta de un transistor.
- Ser capaz de probar un transistor e identificar los tres terminales.
3.1 INTRODUCCIÓN
-
Durante el período de 1904 a 1947, el tubo de vacío fue el dispositivo electrónico de interés y
desarrollo. En 1904, JA Fleming introdujo el diodo de tubo de vacío. Poco después, en 1906, Lee De Dr. William Shockley (sentado); Dr.
Forest añadió un tercer elemento, llamado elrejilla de control, al diodo de vacío, dando como John Bardeen (izquierda); Dr. Walter
resultado el primer amplificador, eltriodo. En los años siguientes, la radio y la televisión dieron un gran H. Brattain. (Cortesía de AT&T
Archives and History Center).
impulso a la industria del tubo. La producción aumentó de aproximadamente 1 millón de tubos en
doctor shockley Nacimiento: Londres,
1922 a aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la década de 1930, el tetrodo de
Inglaterra, 1910
cuatro elementos y el pentodo de cinco elementos ganaron prominencia en la industria de los tubos
Doctorado Harvard,
electrónicos. En los años siguientes, la industria se convirtió en una de las más importantes y se 1936
lograron rápidos avances en el diseño, las técnicas de fabricación, las aplicaciones de alta potencia y Dra. Bardeen Nacimiento: Madison,
alta frecuencia y la miniaturización. Wisconsin, 1908
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria electrónica experimentaría el advenimiento de una doctorado princeton,
dirección de interés y desarrollo completamente nueva. Fue en la tarde de este día que el Dr. S. William 1936
Shockley, Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en los Dra. Brattain Nacimiento: Amoy,
Laboratorios Bell Telephone, como se muestra en la figura 3.1. El transistor original (un transistor de contacto china, 1902
Doctorado Universidad
puntual) se muestra en la figura 3.2. Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre
de Minnesota,
el tubo fueron inmediatamente obvias: era más pequeño y liviano; no tenía requerimiento de calentador o
1928
pérdida de calentador; tenía una construcción robusta; era más eficiente ya que el propio dispositivo absorbía
menos energía; estaba disponible para su uso al instante, sin necesidad de un período de calentamiento; y
Todos compartieron el Premio Nobel en 1956
eran posibles voltajes de operación más bajos. Tenga en cuenta que este capítulo es nuestra primera por este aporte.
discusión de dispositivos con tres o más terminales. Encontrará que todos los amplificadores (dispositivos que
HIGO. 3.1
aumentan el voltaje, la corriente o el nivel de potencia) tienen al menos tres terminales, uno de los cuales
Coinventores del primer transistor
controla el flujo o el potencial entre los otros dos.
en los Laboratorios Bell.
129
130 UNIÓN BIPOLAR 3.2 CONSTRUCCIÓN DE TRANSISTORES
TRANSISTORES -
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dosnorte- y uno pags-tipo capas de
material o dospags- y unonorte-tipo capas de material. El primero se llama untransistor npn, y este último se
llamatransistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.3 con la polarización adecuada de cd. Veremos en el
capítulo 4 que la polarización de cd es necesaria para establecer la región de operación adecuada para la
amplificación de ca. La capa emisora está muy dopada, mientras que la base y el colector están ligeramente
dopados. Las capas exteriores tienen anchos mucho mayores que las capas intercaladas.pags- onorte-tipo
material. Para los transistores que se muestran en la Fig. 3.2, la relación entre el ancho total y el de la capa
central es 0.150-0.001 - 150:1. El dopaje de la capa intercalada también es considerablemente menor que el
de las capas exteriores (típicamente, 1:10 o menos). Este nivel de dopaje más bajo disminuye la conductividad
HIGO. 3.2 (aumenta la resistencia) de este material al limitar el número de portadores "libres".
El primer transistor. (Cortesía de
AT&T Archives and History Center). Para la polarización que se muestra en la Fig. 3.3, los terminales se han indicado con letras
mayúsculas miporemisor,Cporcoleccionista, yBporbase. Se desarrollará una apreciación de esta
0,150 pulg.
elección de notación cuando analicemos la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de
Transistor de unión bipolar, se aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales. El terminobipolar
0,001 pulg.
refleja el hecho de que los agujerosylos electrones participan en el proceso de inyección en el material
de polarización opuesta. Si solo se emplea un portador (de electrones o de huecos), se considera un
mi pags norte
C
pags unipolardispositivo. El diodo Schottky del Capítulo 16 es un dispositivo de este tipo.
-
3.3 FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
+– +– Ahora se describirá la operación básica del transistor usando elpnptransistor de la figura 3.3a. El
funcionamiento de lanpntransistor es exactamente lo mismo si se intercambian los roles que desempeñan el
VEE.UU. VCC electrón y el hueco. En la figura 3.4a lapnpEl transistor se ha redibujado sin la polarización de base a colector.
Tenga en cuenta las similitudes entre esta situación y la delpolarizado hacia adelantediodo en el Capítulo 1. La
(a)
región de agotamiento se ha reducido en anchura debido a la polarización aplicada, lo que resulta en un gran
flujo de portadores mayoritarios desde elpags- alnorte-tipo material.
0,150 pulg.
Quitemos ahora el sesgo de base a emisor de lapnptransistor de la figura 3.3a como se muestra en la
0,001 pulg.
figura 3.4b. Considere las similitudes entre esta situación y la delpolarización inversa diodo de la Sección 1.6.
Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, lo que da como resultado solo un flujo de
mi norte pags norte
C portadores minoritarios, como se indica en la figura 3.4b. En resumen, por lo tanto:
Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene polarización directa.
B
–+ –+ + Operadores mayoritarios + Portadores minoritarios
VCC –+– + – +– +
VEE.UU.
+ – – + + – – +–
mi – +pags– – + +– C
+–+ +
pags
– + +– +
norte
–
norte
(B)
+–+–+ +––
+
–+ –––+
HIGO. 3.3
+– B B+ –
Tipos de transistores: (a) pnp; Region de agotamiento
Region de agotamiento
(b) npn.
+– +–
VEE.UU. VCC
(a) (B)
HIGO. 3.4
Polarización de un transistor: (a) polarización directa; (b) polarización inversa.
En la figura 3.5, ambos potenciales de polarización se han aplicado a unpnptransistor, con los flujos
resultantes de portadores mayoritarios y minoritarios indicados. Observe en la figura 3.5 los anchos de las
regiones de agotamiento, lo que indica claramente qué unión tiene polarización directa y cuál inversa. Como
se indica en la Fig. 3.5, un gran número de portadores mayoritarios se difundirán a través de la polarización
directa.p-nempalme en elnorte-tipo material. La pregunta entonces es si estos portadores contribuirán
directamente a la corriente base.IBo pasar directamente alpags-tipo material. Desde el intercaladonorteEl
material de tipo es muy delgado y tiene una baja conductividad, un número muy pequeño de
+ Operadores mayoritarios + Portadores minoritarios BASE COMÚN 131
pags norte pags CONFIGURACIÓN
Imi mi C IC
B
Regiones de agotamiento
IB
+– +–
VEE.UU. VCC
HIGO. 3.5
Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un pnp
transistor.
estos portadores tomarán este camino de alta resistencia al terminal base. La magnitud de la corriente de base es
típicamente del orden de microamperios, en comparación con los miliamperios de las corrientes de emisor y colector.
El mayor número de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa hacia el
Imi IC
pags-material tipo conectado al terminal del colector como se indica en la Fig. 3.5. La razón de la relativa facilidad con pags norte pags
mi C
la que los portadores mayoritarios pueden cruzar la unión polarizada inversamente se comprende fácilmente si
consideramos que para el diodo polarizado inversamente, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como B
portadores minoritarios en la unión.norte-tipo material. En otras palabras, ha habido uninyecciónde portadores
IB
minoritarios en elnorte-tipo de material de la región base. Si se combina esto con el hecho de que todos los +–+–
portadores minoritarios en la región de agotamiento cruzarán la unión polarizada inversamente de un diodo, se
obtiene el flujo indicado en la figura 3.5. VEE.UU. VCC
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un solo nodo,
obtenemos Imi IC
mi C
Imi=IC+IB (3.1)
IB
y encuentre que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y la base. Sin
embargo, la corriente del colector consta de dos componentes: los portadores mayoritarios y
B
minoritarios, como se indica en la figura 3.5. El componente de corriente minoritaria se llamacorriente
de fugay se le da el símboloICO(ICcorriente con terminal emisorObolígrafo). La corriente del colector, (a)
por lo tanto, está determinada en total por
IC=ICmayoria + ICOminoría (3.2)

Imi IC
Para transistores de propósito general,ICse mide en miliamperios yICOse mide en microamperios o norte pags norte
nanoamperios.ICO, me gustaIspara un diodo de polarización inversa, es sensible a la temperatura y debe

mi C
examinarse cuidadosamente cuando se consideran aplicaciones de amplios rangos de temperatura. Puede B
afectar severamente la estabilidad de un sistema a alta temperatura si no se considera adecuadamente. Las IB
mejoras en las técnicas de construcción han resultado en niveles significativamente más bajos deICO, hasta el –+–+
punto en que su efecto a menudo puede ser ignorado.
VEE.UU. VCC
3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN

- mi
Imi IC
C
La notación y los símbolos utilizados junto con el transistor en la mayoría de los textos y manuales
publicados en la actualidad se indican en la figura 3.6 para la configuración en base común conpnpy
npntransistores La terminología de base común se deriva del hecho de que la base es común a los
IB
lados de entrada y salida de la configuración. Además, la base suele ser el terminal más cercano o al
potencial de tierra. A lo largo de este texto, todas las direcciones de corriente se referirán al flujo
B
convencional (hueco) en lugar del flujo de electrones. El resultado es que las flechas en todos los
símbolos electrónicos tienen una dirección definida por esta convención. Recuerde que la flecha en el (B)
símbolo del diodo define la dirección de conducción de la corriente convencional. Para el transistor:
HIGO. 3.6
Notación y símbolos utilizados con la
La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo configuración de base común: (a) pnp
convencional) a través del dispositivo. transistor; (b) transistor npn.
132 UNIÓN BIPOLAR Todas las direcciones de corriente que aparecen en la Fig. 3.6 son las direcciones reales definidas
TRANSISTORES por la elección del flujo convencional. Nótese en cada caso queImi=IC+IB. Tenga en cuenta también que
la polarización aplicada (fuentes de voltaje) es tal que establece la corriente en la dirección indicada
para cada rama. Es decir, comparar la dirección deImia la polaridad deVEE.UU.para cada configuración y
la dirección deICa la polaridad deVCC.
Para describir completamente el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores
de base común de la figura 3.6, se requieren dos conjuntos de características: uno para elpunto de conducciónoaporte
parámetros y el otro para elproducciónlado. El conjunto de entrada para el amplificador de base común como se
muestra en la figura 3.7 relaciona una corriente de entrada (Imi) a un voltaje de entrada (VSER) para varios niveles de
voltaje de salida (VCB).
HIGO. 3.7
Características de entrada o punto de activación para un
amplificador de transistor de silicio de base común.
El conjunto de salida relaciona una corriente de salida (IC) a un voltaje de salida (VCB) para varios niveles de
corriente de entrada (Imi) como se muestra en la Fig. 3.8. La salida ocoleccionistaconjunto de características
tiene tres regiones básicas de interés, como se indica en la Fig. 3.8: elactivo,cortar, ysaturación
IC(mamá)
Región activa (área no sombreada)

7mA
7
6mA
6
5mA
5
región de saturación
4mA
4
3mA
3
2mA
2
Imi=1mA
1
ICO=ICBO
Imi=0mA
0
−1 0 10 20 30 40 VCB(V)
Región de corte BVCBO
HIGO. 3.8
Características de salida o colector para un amplificador de transistor de base común.
regiones. La región activa es la región normalmente empleada para amplificadores lineales (sin BASE COMÚN133
distorsión). En particular: CONFIGURACIÓN
En la región activa, la unión base-emisor tiene polarización directa, mientras que la unión base-
colector tiene polarización inversa.
La región activa está definida por los arreglos de polarización de la figura 3.6. En el extremo inferior de la
región activa, la corriente del emisor (Imi) es cero, y la corriente del colector es simplemente la debida a la
corriente de saturación inversaICO, como se indica en la Fig. 3.9. La corrienteICOes tan pequeño
(microamperios) en magnitud en comparación con la escala vertical deIC(miliamperios) que aparece
prácticamente en la misma línea horizontal queIC-0. Las condiciones del circuito que existen cuandoImi-0 para
la configuración de base común se muestran en la figura 3.9. La notación más utilizada paraICOen las hojas de HIGO. 3.9
datos y especificaciones es, como se indica en la Fig. 3.9,ICBO(la corriente del colector a la base con la pata del Corriente de saturación inversa.
emisor abierta). Debido a la mejora de las técnicas de construcción, el nivel deICBOpara transistores de uso
general en los rangos de potencia baja y media suele ser tan bajo que su efecto puede ignorarse. Sin
embargo, para unidades de mayor potenciaICBOseguirá apareciendo en el rango de microamperios. Además,
ten en cuenta queICBO, me gustaIs, porque el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) es sensible a la
temperatura. A temperaturas más altas el efecto deICBO
puede convertirse en un factor importante ya que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
Observe en la figura 3.8 que a medida que la corriente del emisor aumenta por encima de cero, la
corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente igual a la de la corriente del emisor según lo
determinado por las relaciones básicas entre transistor y corriente. Tenga en cuenta también el efecto casi
insignificante deVCBen la corriente del colector para la región activa. Las curvas indican claramente queuna
primera aproximación a la relación entre yomiy yoCen la región activa está dada por
IC-Imi (3.3)
Como se infiere de su nombre, la región de corte se define como aquella región donde la corriente del
colector es 0 A, como se muestra en la figura 3.8. Además:
En la región de corte, las uniones base-emisor y colector-base de un transistor tienen

polarización inversa.
La región de saturación se define como la región de las características a la izquierda de VCB-0 V. La
escala horizontal en esta región se expandió para mostrar claramente el cambio dramático en las
características de esta región. Tenga en cuenta el aumento exponencial en la corriente del colector
como el voltajeVCBaumenta hacia 0 V.
En la región de saturación, las uniones base-emisor y colector-base tienen polarización directa.
Las características de entrada de la figura 3.7 revelan que para valores fijos de tensión de colector (VCB), a
medida que aumenta el voltaje de la base al emisor, la corriente del emisor aumenta de una manera que se
parece mucho a las características del diodo. De hecho, el aumento de los niveles deVCBtienen un efecto tan
pequeño sobre las características que, como primera aproximación, el cambio debido a cambios enVCB
pueden ignorarse y las características dibujarse como se muestra en la figura 3.10a. Si luego aplicamos el
enfoque lineal por partes, resultan las características de la figura 3.10b. Dando un paso más e ignorando la
pendiente de la curva y, por lo tanto, la resistencia asociada con la unión con polarización directa, se obtienen
las características de la figura 3.10c. Para el análisis que sigue en este libro, se empleará el modelo
equivalente de la figura 3.10c para todos los análisis de cd de redes de transistores. Es decir, una vez que un
transistor está en el estado "encendido", se supondrá que el voltaje de base a emisor es el siguiente:
VSER-0,7 V (3.4)
En otras palabras, el efecto de las variaciones debidas aVCBy la pendiente de las características de entrada se
ignorará mientras nos esforzamos por analizar las redes de transistores de una manera que proporcione una
buena aproximación a la respuesta real sin involucrarnos demasiado con variaciones de parámetros de
menor importancia.
Es importante apreciar completamente la declaración hecha por las características de la figura
3.10c. Especifican que con el transistor en el estado "encendido" o activo, el voltaje de la base al
emisor será de 0.7 V enningunanivel de corriente del emisor controlado por la red externa. De hecho,
en el primer encuentro con cualquier configuración de transistor en el modo de CC, ahora se puede
especificar de inmediato que el voltaje de la base al emisor es de 0,7 V si el dispositivo está en la
región activa, una conclusión muy importante para el análisis de CC que sigue. .
Imi(mamá) Imi(mamá) Imi(mamá)
8 8 8
7 7 7
NingunaVCB
6 6 6
5 5 5
4 4 4
3 3 3
2 2 2
1 1 0,7 V 1 0,7 V
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VSER(V) 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VSER(V) 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VSER(V)
(a) (B) (C)
HIGO. 3.10
Desarrollo del modelo equivalente a emplear para la región de base a emisor de un amplificador en el modo de CC.
EJEMPLO 3.1
un. Utilizando las características de la figura 3.8, determine la corriente de colector resultante siImi-
3mA yVCB-10 voltios
B. Utilizando las características de la figura 3.8, determine la corriente de colector resultante siImi
permanece en 3 mA peroVCBse reduce a 2 V.
C. Utilizando las características de las Figs. 3.7 y 3.8, determineVSERsiIC-4mA yVCB-20 voltios
D. Repita la parte (c) usando las características de las Figs. 3.8 y 3.10c.
Solución:
un. Las características indican claramente queIC-Imi=3mA
B. El efecto de cambiarVCBes despreciable yICcontinúa siendo3mA.
C. De la figura 3.8,Imi-IC=4mA En la Fig. 3.7 el nivel resultante deVSERes sobre0,74 voltios.
D. Nuevamente de la Fig. 3.8,Imi-IC=4mA Sin embargo, en la figura 3.10c,VSERes0,7 Vpara cualquier nivel de
corriente de emisor.
Alfa (A)
Modo CCEn el modo dc los niveles deICyImidebido a que los portadores mayoritarios están
relacionados por una cantidad llamadaalfay definido por la siguiente ecuación:
IC
acorriente continua=
(3.5)
Imi
dondeICyImison los niveles de corriente en el punto de operación. Aunque las características de la Fig. 3.8
sugerirían quea -1, para dispositivos prácticos, alfa normalmente se extiende de 0,90 a 0,998, con la mayoría
de los valores acercándose al extremo superior del rango. Dado que alfa se define únicamente para los
portadores mayoritarios, la ecuación. (3.2) se convierte en
IC=aImi+ICBO (3.6)
Para las características de la Fig. 3.8 cuandoImi-0 ma,ICes por lo tanto igual aICBO, pero como se
mencionó anteriormente, el nivel deICBOsuele ser tan pequeño que es prácticamente indetectable en
la gráfica de la figura 3.8. En otras palabras, cuandoImi-0 mA en la Fig. 3.8,ICtambién parece ser 0 mA
para el rango deVCBvalores.
134
Modo CAPara situaciones de ca donde el punto de operación se mueve en la curva BASE COMÚN 135
característica, un alfa de ca se define por CONFIGURACIÓN
- IC`
aC.A= (3.7)
- Imi VCB=constante
El ac alpha se llama formalmente elBase común,cortocircuito,factor de amplificación, por razones que

serán más obvias cuando examinemos los circuitos equivalentes de transistores en el Capítulo 5. Por
el momento, reconozca que la Ec. (3.7) especifica que un cambio relativamente pequeño en la
corriente del colector se divide por el cambio correspondiente enImimanteniendo constante el voltaje
del colector a la base. Para la mayoría de las situaciones, las magnitudes deaC.Ayacorriente continuaestán
bastante cerca, lo que permite el uso de la magnitud de uno para el otro. El uso de una ecuación como
(3.7) se demostrará en la Sección 3.6.
sesgo
La polarización adecuada de la configuración de base común en la región activa se puede
determinar rápidamente usando la aproximaciónIC-Imiy suponiendo por el momento que IB-0
metroA. El resultado es la configuración de la figura 3.11 para elpnptransistor. La flecha del
símbolo define la dirección del flujo convencional paraImi-IC. Luego, los suministros de CC se
insertan con una polaridad que admitirá la dirección de corriente resultante. Para elnpn
transistor las polaridades se invertirán.
+– +–
VEE.UU. VCC
HIGO. 3.11
Establecimiento de la gestión de polarización
adecuada para un pnp de base común
transistor en la región activa.
Algunos estudiantes sienten que pueden recordar si la flecha del símbolo del dispositivo apunta hacia adentro o
hacia afuera haciendo coincidir las letras del tipo de transistor con las letras apropiadas de las frases "apunta hacia
adentro" o "no apunta hacia adentro". Por ejemplo, hay una coincidencia entre las letrasnpny las letras cursivas de
norteAntiguo Testamentopagsuntando yonortey las letraspnpconpagsuntando yonorte.
Región de desglose
Como el voltaje aplicadoVCBaumenta hay un punto en el que las curvas toman un aumento
espectacular en la figura 3.8. Esto se debe principalmente a un efecto de avalancha similar al descrito
para el diodo en el Capítulo 1 cuando el voltaje de polarización inversa alcanza la región de ruptura.
Como se indicó anteriormente, la unión de la base al colector tiene polarización inversa en la región
activa, pero hay un punto en el que un voltaje de polarización inversa demasiado grande conducirá al
efecto de avalancha. El resultado es un gran aumento en la corriente para pequeños aumentos en el
voltaje de la base al colector. El mayor voltaje permisible de base a colector está etiquetadoBVCBOcomo
se muestra en la figura 3.8. También se le conoce comoV(BR)CBOcomo se muestra en las características
de la Fig. 3.23 que se discutirán más adelante. Nótese en cada una de las notaciones anteriores el uso
de la letra mayúsculaOpara representar que la pata del emisor está en estado abierto (no conectado).
Es importante recordar al tomar nota de este punto de datos que esta limitación es solo para la
configuración de base común. Encontrará en la configuración de emisor común que este voltaje límite
es bastante menor.
136 UNIÓN BIPOLAR 3.5 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
TRANSISTORES -
La configuración de transistor que se encuentra con más frecuencia aparece en la figura 3.12 para el
pnp ynpntransistores se llama elconfiguración de emisor comúnporque el emisor es común a los
terminales de entrada y salida (en este caso, común a los terminales base y colector). Nuevamente, se
necesitan dos conjuntos de características para describir completamente el comportamiento de la
configuración en emisor común: uno para elaporteobase-emisorcircuito y uno para elproduccióno
colector-emisorcircuito. Ambos se muestran en la figura 3.13.
(a) (B)
HIGO. 3.12
Notación y símbolos utilizados con la configuración de emisor común: (a) transistor npn;
(b) transistor pnp.
IC(mamá)
90 μA
7 80 μA
70 μA IB(μA)
6 VCE=1 V
60 µA VCE=10 voltios
100
5 50 µA
(región de saturación) 90 VCE=20 voltios
40 mA 80
4 70
30 µA
60
3
( A laCI
hora re Io ) 50
20 mA
gramo norte
2 40
30
10 mA
1 20
I B = 0 µA 10
0 5 10 15 20V(V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

CE VSER(V)
VCEse sentó
(región de corte)
~
ICEO=β yoCBO
(a) (B)
HIGO. 3.13
Características de un transistor de silicio en la configuración de emisor común: (a) características del colector; (b) características básicas.
Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección de corriente convencional EMISOR COMÚN 137
real. Aunque la configuración del transistor ha cambiado, las relaciones actuales desarrolladas CONFIGURACIÓN
anteriormente para la configuración de base común siguen siendo aplicables. Es decir,Imi=IC+IB
yIC=aImi.
Para la configuración de emisor común, las características de salida son un gráfico de la corriente de
salida (IC) versus voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (IB). Las
características de entrada son un gráfico de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje de entrada (VSER) para
un rango de valores de voltaje de salida (VCE).
Tenga en cuenta que en las características de la Fig. 3.14 la magnitud deIBestá en microamperios,
en comparación con los miliamperios deIC. Considere también que las curvas deIBno son tan
horizontales como las obtenidas paraImien la configuración de base común, lo que indica que el voltaje
del colector al emisor influirá en la magnitud de la corriente del colector.
La región activa para la configuración de emisor común es la parte del cuadrante superior derecho
que tiene la mayor linealidad, es decir, la región en la que las curvas deIBson casi rectas e igualmente
espaciadas. En la figura 3.14a, esta región existe a la derecha de la línea discontinua vertical enVCEse
sentó
y por encima de la curva deIBequivalente igual a cero. La región a la izquierda de
VCE se llama región de saturación.
se sentó
En la región activa de un amplificador de emisor común, la unión base-emisor tiene

polarización directa, mientras que la unión colector-base tiene polarización inversa.
Recordará que estas eran las mismas condiciones que existían en la región activa de la
configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común se puede
emplear para la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte para la configuración de emisor común no está tan bien definida como para la
configuración de base común. Tenga en cuenta las características del colector de la Fig. 3.14 queICno
es igual a cero cuandoIBes cero Para la configuración de base común, cuando la corriente de entrada I
miera igual a cero, la corriente del colector era igual solo a la corriente de saturación inversa ICO, de
modo que la curvaImi-0 y el eje de tensión eran, para todos los efectos prácticos, uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector se puede derivar mediante la
manipulación adecuada de las Ecs. (3.3) y (3.6). Es decir,
ecuación (3.6): IC=aImi+ICBO

La sustitución da ecuación (3.3):IC=a(IC+IB) +ICBO
aIB ICBO
Reorganización de los rendimientos IC= + (3.8)
1 -a 1 -a
Si consideramos el caso discutido anteriormente, dondeIB-0 A, y sustituya un valor típico dea
como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:
a(0A) ICBO
IC= +
1 -a 1 - 0,996
I
=CBO =250ICBO
0.004
SiICBOeran 1metroA, la corriente de colector resultante conIB-0 A sería 250(1metroA) - 0,25 mA,
como se refleja en las características de la Fig. 3.14.
Para referencia futura, la corriente del colector definida por la condiciónIB-0metroA se le
asignará la notación indicada por la siguiente ecuación:
ICBO`
ICEO= (3.9)
1 -aIB=0metroA
En la figura 3.13 se muestran las condiciones que rodean a esta corriente recién definida con su
dirección de referencia asignada.
Para propósitos de amplificación lineal (menor distorsión), el corte para la configuración

de emisor común se definirá porIC-ICEO.
En otras palabras, la región de abajoIB-0metroDebe evitarse A si se requiere una señal de salida sin
distorsiones.
Cuando se emplea como un interruptor en el circuito lógico de una computadora, un transistor
tendrá dos puntos de operación de interés: uno en el corte y otro en la región de saturación. los
138 UNIÓN BIPOLAR IB(μA)
TRANSISTORES
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VSER(V)

0,7 V
HIGO. 3.14 HIGO. 3.15

Condiciones del circuito relacionadas con ICEO. Equivalente lineal por partes para las
características del diodo de la figura 3.13b.
idealmente, la condición de corte debería serIC-0 mA para el elegidoVCEVoltaje. Ya queICEOes típicamente baja
en magnitud para los materiales de silicio,el corte existirá para propósitos de cambio cuando yoB-0metroun o
yoC=ICEOsolo para transistores de silicio.Para transistores de germanio,sin embargo, corte para fines de
conmutación se definirá como aquellas condiciones que existen cuandoC=ICBO. Esta condición normalmente
se puede obtener para los transistores de germanio polarizando inversamente la unión base-emisor unas
pocas décimas de voltio.
Recuerde que para la configuración de base común, el conjunto de características de entrada se aproximó
mediante un equivalente en línea recta que dio como resultadoVSER-0,7 V para cualquier nivel deImi
mayor que 0 mA. Para la configuración de emisor común se puede tomar el mismo enfoque, lo que resulta en
el equivalente aproximado de la figura 3.15. El resultado respalda nuestra conclusión anterior de que, para un
transistor en la región activa o "encendido", el voltaje de base a emisor es de 0,7 V. En este caso, el voltaje es
fijo para cualquier nivel de corriente de base.
EJEMPLO 3.2
un. Utilizando las características de la figura 3.13, determineICenIB-30metroun yVCE-10 voltios
B. Utilizando las características de la figura 3.13, determineICenVSER-0,7 V yVCE-15 voltios
Solución:
un. En la intersección deIB-30metroun yVCE-10 voltios,IC-3,4mA.
B. Utilizando la figura 3.13b, obtenemosIB-20metroA en la intersección deVSER-0,7 V yVCE-
15 V (entreVCE-10 V y 20 V). De la figura 3.13a encontramos queIC-2,5 mAen la
intersección deIB-20metroun yVCE-15 voltios
Beta (B)
Modo CCEn el modo dc los niveles deICyIBestán relacionados por una cantidad llamadabetay
definido por la siguiente ecuación:
IC
Bcorriente continua= (3.10)
IB
dondeICyIBse determinan en un punto de operación particular en las características. Para

dispositivos prácticos el nivel deBnormalmente oscila entre 50 y más de 400, con la mayoría en
el rango medio. Como paraa,El parámetroBrevela la magnitud relativa de una corriente con
respecto a la otra. Para un dispositivo con unBde 200, la corriente del colector es 200 veces la
magnitud de la corriente base.
En hojas de especificacionesBcorriente continuageneralmente se incluye comohFEcon la letra cursivah EMISOR COMÚN 139
derivado de una achcircuito equivalente híbrido que se presentará en el Capítulo 5. El subíndiceFEse deriva de CONFIGURACIÓN
Famplificación de corriente directa y común-miconfiguración de inglete, respectivamente.
Modo CAPara situaciones de CA, una beta de CA se define de la siguiente manera:
- IC`
BC.A= (3.11)
- IB VCE=constante
El nombre oficial deBC.Aesemisor común,corriente directa,factor de amplificación. Dado que la corriente del
colector suele ser la corriente de salida para una configuración de emisor común y la corriente base es la
corriente de entrada, el términoamplificaciónestá incluido en la nomenclatura anterior.
La ecuación (3.11) tiene un formato similar a la ecuación paraaC.Aen la Sección 3.4. El
procedimiento para obteneraC.Ade las curvas características no se describió debido a la dificultad de
medir realmente los cambios deICyImisobre las caracteristicas. Sin embargo, la ecuación (3.11) se
puede describir con cierta claridad y, de hecho, el resultado se puede usar para encontraraC.A
utilizando una ecuación que se derivará en breve.
En hojas de especificacionesBC.Ase refiere normalmente comohfe. Tenga en cuenta que la única diferencia
entre la notación utilizada para dc beta, específicamente,Bcorriente continua=hFE, es el tipo de letra para cada
cantidad de subíndice.
El uso de la Ec. La ecuación (3.11) se describe mejor mediante un ejemplo numérico que utiliza un conjunto real de
características, como las que aparecen en la figura 3.13a y se repiten en la figura 3.17. Vamos a determinar BC.Apara
una región de las características definidas por un punto de operación deIB-25metroun yVCE
- 7,5 V como se indica en la Fig. 3.16. La restricción deVCE-constante requiere que se dibuje una línea
vertical a través del punto de operación enVCE-7,5 V. En cualquier lugar de esta línea vertical, el voltaje
VCEes 7,5 V, una constante. el cambio enIB(-IB) como aparece en la Ec. (3.11) se define entonces
eligiendo dos puntos a cada lado de laq-punto a lo largo del eje vertical de distancias
aproximadamente iguales a cualquier lado de laq-punto. Para esta situación laIB-20metroA y 30metro
Las curvas A cumplen con el requisito sin extenderse demasiado lejos delq-punto. Ellos también
IC(mamá)
8 90 μA
80μA
7
70 mA
6 60 mA
50 mA
5
40 mA
4
IC2 IB2 30 µA
3 25 mA
ΔIC
q - pags
t. 20 μA
IC1 2 IB1
10 μA
1
IB= 0 mA
0 5 10 15 20 25 VCE(V)
VCE=7,5 voltios
HIGO. 3.16
DeterminandoBC.AyBcorriente continuade las características del colector.
140 UNIÓN BIPOLAR definir niveles deIBque se definen fácilmente en lugar de requerir la interpolación del nivel deIB
TRANSISTORES entre las curvas. Cabe mencionar que la mejor determinación generalmente se hace manteniendo el
elegido -IBlo más pequeño posible. En las dos intersecciones deIBy el eje vertical, los dos niveles deICse
puede determinar dibujando una línea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes
deIC. La resultanteBC.Apara la región se puede determinar por
- IC IC2 - IC1
BC.A= ` =
- IB VCE = constante IB2 - IB1
3,2 mA - 2,2 mA 1mA
= =
30metroA-20metroA 10metroA
=100
La solución anterior revela que para una entrada de CA en la base, la corriente del colector será unas
100 veces la magnitud de la corriente de la base.
Si determinamos la beta de cd en elq-punto, obtenemos
I 2,7 mA
Bcorriente continua=C = =108
IB 25metroA
Aunque no exactamente iguales, los niveles deBC.AyBcorriente continuasuelen estar razonablemente

cerca y a menudo se usan indistintamente. es decir, siBC.Ase conoce, se supone que es
aproximadamente de la misma magnitud queBcorriente continua, y viceversa. Tenga en cuenta que en el
mismo lote (gran número de transistores fabricados al mismo tiempo), el valor deBC.Avariará un poco
de un transistor a otro aunque cada transistor tenga el mismo código numérico. La variación puede
no ser significativa, pero para la mayoría de las aplicaciones, ciertamente es suficiente para validar el
enfoque aproximado anterior. En general, cuanto menor sea el nivel deICEO, más cercanas son las
magnitudes de las dos betas. Dado que la tendencia es hacia niveles cada vez más bajos deICEO, la
validez de la aproximación anterior se fundamenta aún más.
Si las características de un transistor se aproximan a las que aparecen en la figura 3.17, el
nivel deBC.Asería el mismo en cada región de las características. Tenga en cuenta que el paso en
IBse fija en 10metroA y el espacio vertical entre las curvas es el mismo en todos los puntos de
las características, es decir, 2 mA. Calculando elBC.Aen elq-punto indicado resultados en
- IC` 9 mA - 7 mA 2mA
BC.A= = = =200
- IBVCE=constante 45metroA-35metroA 10metroA
HIGO. 3.17
Características en las queBC.Aes igual en todas partes yBC.A=Bcorriente continua.
Determinación de la beta de cd al mismoq-punto resulta en
IC 8mA
Bcorriente continua= = =200
IB 40metroA
revelando que si las características tienen la apariencia de la Fig. 3.17, las magnitudes deBC.Ay Bcorriente continua
será lo mismoen cada punto de las características. En particular, tenga en cuenta queICEO-0metroUN.
Aunque un verdadero conjunto de características del transistor nunca tendrá la apariencia exacta de la EMISOR COMÚN 141
figura 3.17, proporciona un conjunto de características para comparar con las obtenidas de un trazador de CONFIGURACIÓN
curvas (que se describirá en breve).
Para el análisis que sigue, el subíndice dc o ac no se incluirá conBpara evitar saturar las
expresiones con etiquetas innecesarias. Para situaciones de corriente continua, simplemente se
reconocerá comoBcorriente continuay para cualquier análisis de CA comoBC.A. Si un valor deBse especifica
para una configuración de transistor particular, normalmente se utilizará para los cálculos de CC y CA.
Se puede desarrollar una relación entreByautilizando las relaciones básicas
introducidas hasta ahora. Utilizandosegundo =IC>IB, tenemosIB=IC>b,y deun =IC>Imi
tenemos Imi=IC>a.Sustituyendo en
Imi=IC+IB
IC IC
tenemos =IC+
a B
y dividiendo ambos lados de la ecuación por ICda como resultado
1 1
=1 +
a B
o b = ab + a = (b +1)a
B
así que eso un = (3.12)
segundo +1
a
o segundo = (3.13)
1 -a
Además, recuerda que
ICBO
ICEO=
1 -a
pero usando una equivalencia de
1
=segundo +1
1 -a
derivado de lo anterior, encontramos que
ICEO= (segundo +1)ICBO
o ICEO-BICBO (3.14)
como se indica en la figura 3.13a. Beta es un parámetro particularmente importante porque proporciona un
vínculo directo entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y salida para una configuración de
emisor común. Es decir,
IC=BIB (3.15)
y desde Imi=IC+IB
=BIB+IB
tenemos Imi= (segundo +1)IB (3.16)
Las dos ecuaciones anteriores juegan un papel importante en el análisis del Capítulo 4.
sesgo
La polarización adecuada de un amplificador de emisor común se puede determinar de manera similar a la
introducida para la configuración de base común. Supongamos que se nos presenta unanpntransistor como
el que se muestra en la figura 3.18a y se le pide que aplique la polarización adecuada para colocar el
dispositivo en la región activa.
(a) (B) (C)
HIGO. 3.18
Determinación de la disposición de polarización adecuada para una configuración de transistor npn de emisor común.
El primer paso es indicar la dirección deImicomo lo establece la flecha en el símbolo del transistor
como se muestra en la figura 3.18b. A continuación, las otras corrientes se introducen como se
muestra, teniendo en cuenta la relación de la ley actual de Kirchhoff:IC+IB=Imi. Es decir,Imies la suma de
ICyIBy ambosICyIBdebe entrar en la estructura del transistor. Finalmente, los suministros se introducen
con polaridades que soportarán las direcciones resultantes deIByICcomo se muestra en la figura 3.18c
para completar el cuadro. El mismo enfoque se puede aplicar apnptransistores Si el transistor de la
figura 3.18 fuera unpnptransistor, todas las corrientes y polaridades de la figura 3.18c se invertirían.
Región de desglose
Al igual que con la configuración de base común, existe un voltaje máximo de colector-emisor que se puede
aplicar y permanecer en la región activa estable de operación. En la Fig. 3.19, las características de la Fig. 3.8
se han ampliado para demostrar el impacto sobre las características a altos niveles deVCE. A niveles altos de
corriente de base, las corrientes ascienden casi verticalmente, mientras que a niveles más bajos se desarrolla
una región que parece retroceder sobre sí misma. Esta región es particularmente notable porque un
aumento en la corriente resulta en una caída en el voltaje totalmente diferente a la de cualquier elemento
resistivo donde un aumento en la corriente resulta en un aumento en la caída de potencial a través de la
resistencia. Regiones de esta naturaleza se dice que tienen una
IC(mamá)
8
90 μA
7 80 μA
70 µA
6
60 µA
5 50 μA
40 μA
4
30 µA
N mi
dativo
3 resistencia
20 µA rmi
ión –R
gramo
2
10 µA
1
I B = 0 mA
0 5 10 15 20 25VCE
BVCEO
HIGO. 3.19
Examinando la región de ruptura de un transistor en el emisor común
configuración.
142
resistencia negativacaracterística. Aunque el concepto de una resistencia negativa puede parecer COLECTOR COMÚN 143
extraño en este punto, este texto presentará dispositivos y sistemas que se basan en este tipo de CONFIGURACIÓN
características para realizar la tarea deseada.
El valor máximo recomendado para un transistor en condiciones normales de funcionamiento está etiquetadoBV
CEOcomo se muestra en la Fig. 3.19 oV(BR)CEOcomo se muestra en la figura 3.23. es menos queBVCBO
y de hecho, es a menudo la mitad del valor deBVCBO. Para esta región de ruptura hay dos razones para
el cambio dramático en las curvas. uno es eldesglose de avalanchamencionado para la configuración
de base común, mientras que el otro, llamadoperforar, se debe a laEfecto temprano, que se
presentará en el Capítulo 5. En total, el efecto de avalancha es dominante porque cualquier aumento
en la corriente de base debido a los fenómenos de ruptura aumentará la corriente de colector
resultante en un factor beta. Este aumento en la corriente del colector contribuirá al proceso de
ionización (generación de portadores libres) durante la ruptura, lo que provocará un mayor aumento
en la corriente de base e incluso niveles más altos de corriente del colector.
3.6 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN

-
La tercera y última configuración de transistores es laconfiguración de colector común, que se muestra en la
figura 3.20 con las direcciones de corriente y la notación de voltaje adecuadas. La configuración de colector
común se usa principalmente para fines de igualación de impedancia, ya que tiene una impedancia de
entrada alta y una impedancia de salida baja, opuesta a la de las configuraciones de base común y emisor
común.
Imi
mi Imi mi
pags
IB + IB
norte
–
norte V pags V
B – B
EE.UU. EE.UU.
– pags + norte
+
Vcama y desayuno Vcama y desayuno
+ C IC – C
IC
Imi Imi
mi mi
IB IB
B B
IC
IC
C C
(a) (B)
HIGO. 3.20
Notación y símbolos utilizados con la configuración de colector común: (a) transistor pnp;
(b) transistor npn.
C
En la figura 3.21 se proporciona una configuración de circuito de colector común con la resistencia
de carga conectada del emisor a tierra. Tenga en cuenta que el colector está conectado a tierra
B
aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración de emisor común. Desde el
punto de vista del diseño, no se necesita un conjunto de características de colector común para elegir
mi
los parámetros del circuito de la figura 3.21. Puede diseñarse usando las características de emisor
común de la Sección 3.5. Para todos los propósitos prácticos, las características de salida de la R
configuración de colector común son las mismas que para la configuración de emisor común. Para la
configuración de colector común, las características de salida son un gráfico deImiversusVCE
para un rango de valores deIB.La corriente de entrada, por lo tanto, es la misma para las HIGO. 3.21
características de emisor común y colector común. El eje de voltaje horizontal para la Configuración de colector común
configuración de colector común se obtiene simplemente cambiando el signo del voltaje de utilizado para igualación de impedancia
colector a emisor de las características de emisor común. Finalmente, hay un casi imperceptible propósitos
144 UNIÓN BIPOLAR cambio en la escala vertical deICde las características en emisor común siICes reemplazado porI
TRANSISTORES mipara las características de colector común (ya quea -1). Para el circuito de entrada de la
configuración de colector común, las características de base de emisor común son suficientes
para obtener la información requerida.
3.7 LÍMITES DE OPERACIÓN

-
Para cada transistor hay una región de operación en las características que asegurarán que no se
excedan las clasificaciones máximas y que la señal de salida muestre una distorsión mínima. Tal
región se ha definido para las características del transistor de la figura 3.22. Todos los límites de
operación están definidos en una hoja de especificaciones de transistor típica descrita en la Sección
3.8.
Algunos de los límites de funcionamiento se explican por sí mismos, como la corriente máxima del
colector (normalmente denominada en la hoja de especificaciones comocontinuocorriente de colector)
y voltaje máximo de colector a emisor (a menudo abreviado comoBVCEOoV(BR)CEOen
la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22,IC se especificó como 50 mA y
máximo
BVCEOcomo 20 V. La línea vertical en las características definidas comoVCE especifica el se sentó
mínimoVCEque se puede aplicar sin caer en la región no lineal etiquetada como saturación
región. El nivel deVCEestá típicamente en la vecindad de los 0.3 V especificados para este
se sentó
transistor.
El nivel máximo de disipación se define mediante la siguiente ecuación:
PAGSCmáximo =VCEIC (3.17)
BVCEO
HIGO. 3.22
Definición de la región de operación lineal (sin distorsiones) para un transistor.
Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipación de potencia del colector se especificó como 300 mW.
Entonces surge la pregunta de cómo trazar la curva de disipación de potencia del colector especificada por el
hecho de que
PAGSCmáximo =VCEIC=300 mW
o VCEIC=300 mW
EnICmáximo En cualquier punto de las características el producto deVCEyICdebe ser igual a TRANSISTOR145
300 mW. si elegimosICsea el valor máximo de 50 mA y sustituya en la relación HOJA DE ESPECIFICACIONES
relación anterior, obtenemos
VCEIC=300 mW V
CE(50 mA) = 300 mW
300 mW
VCE= 50mA
=6 voltios
EnVCEmáximo Como resultado encontramos que siIC-50 mA, entoncesVCE-6 V en la disipación de potencia
curva de ción como se indica en la Fig. 3.22. Si ahora elegimosVCEsiendo su valor máximo de
20 V, el nivel deICes el siguiente:
(20 voltios)IC=300 mW
300 mW
IC= =15mA
20 voltios
definiendo un segundo punto en la curva de potencia.
EnIC-1 2ICmáximo
Si elegimos ahora un nivel deICen el rango medio como 25 mA y resuelva
para el nivel resultante deVCE, obtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW

300 mW
y VCE= =12 voltios
25mA
como también se indica en la figura 3.22.
Por lo general, se puede dibujar una estimación aproximada de la curva real utilizando los tres puntos definidos
anteriormente. Por supuesto, cuantos más puntos se tienen, más precisa es la curva, pero normalmente todo lo que
se requiere es una estimación aproximada.
loscortarregión se define como la región a continuaciónIC=ICEO. Esta región también debe evitarse
si la señal de salida debe tener una distorsión mínima. Solo en algunas hojas de especificacionesICBO
está provisto. Entonces se debe usar la ecuaciónICEO=BICBOpara establecer una idea del nivel de corte
si las curvas características no están disponibles. La operación en la región resultante de la Fig. 3.22
garantizará una distorsión mínima de la señal de salida y los niveles de corriente y voltaje que no
dañarán el dispositivo.
Si las curvas características no están disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones
(como suele ser el caso), simplemente hay que asegurarse de queIC,VCE, y su productoVCEICcaer en el
siguiente rango:
ICEOFICFICmáximo
VCE FVCE FVCEmáximo
se sentó
(3.18)
VCEICFPAGSCmáximo
Para las características de base común, la curva de potencia máxima se define mediante el siguiente producto
de las cantidades de salida:
PAGSCmáximo =VCBIC (3.19)
-
3.8 HOJA DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR
Dado que la hoja de especificaciones es el vínculo de comunicación entre el fabricante y el

usuario, es particularmente importante que la información proporcionada se reconozca y
comprenda correctamente. Aunque no se han introducido todos los parámetros, ahora le
resultará familiar un amplio número. Los parámetros restantes se introducirán en los capítulos
siguientes. Luego se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la forma en que
se presenta el parámetro.
La información proporcionada en la figura 3.23 es proporcionada por Fairchild Semiconductor
Corporation. El 2N4123 es un propósito generalnpntransistor con la carcasa y el terminal
146 UNIÓN BIPOLAR identificación que aparece en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. La mayoría de las hojas de
TRANSISTORES especificaciones se dividen enmáximos ratings,características térmicas, yCaracterísticas electricas. Las
características eléctricas se dividen en características de "encendido", "apagado" y señal pequeña. Las
características de "encendido" y "apagado" se refieren a los límites de CC, mientras que las características de
señal pequeña incluyen los parámetros de importancia para la operación de CA.
Tenga en cuenta en la lista de calificación máxima queVCEmáximo =VCEO=30 V conICmáximo =200mA
La máxima disipación del colectorPAGSCmáximo =PAGSD=625 mW. El factor de reducción bajo
la clasificación máxima especifica que la clasificación máxima debe disminuirse 5 mW por cada aumento de 1°
en la temperatura por encima de 25°C. En las características “off”ICBOse especifica como 50 nA
MÁXIMOS RATINGS
Clasificación Símbolo 2N4123 Unidad
Tensión colector-emisor VCEO 30 VCC FAIRCHILD

Voltaje de la base del colector VCBO 40 VCC SEMICONDUCTORTM
Voltaje base-emisor VEBO 5.0 VCC
Colector de Corriente - Continua IC 200 mcc 2N4123
Disipación total del dispositivo @ TA= 25˚C PAGSD 625 mW
Reducir por encima de 25˚C 5.0 mW˚C
Empalme operativo y de almacenamiento Tj,Tetapa – 55 a +150 C
Rango de temperatura
C TO-92
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS SER
Característica Símbolo máx. Unidad
Propósito general
Resistencia Térmica, Unión a Caja RθJC 83.3 ˚CW
Transistor
Resistencia Térmica, Unión al Ambiente RθJA 200 ˚CW
Silicio NPN
CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS(TA= 25˚C a menos que se indique lo contrario)
Característica Símbolo mínimo máx. Unidad
CARACTERÍSTICAS OFF
Tensión de ruptura colector-emisor (1) V(BR)CEO 30 VCC
(IC= 1,0 mA CC, yomi= 0)
Voltaje de ruptura de la base del colector V(BR) CBO 40 VCC
(IC= 10 µAdc, Imi= 0)
Voltaje de ruptura emisor-base V (BR) EBO 5.0 – VCC
(Imi= 10 µAdc, IC= 0)
Corriente de corte del colector ICBO – 50 nAdc
(VCB= 20 Vcc, yomi= 0)
Corriente de corte del emisor IEBO – 50 nAdc
(VSER= 3,0 V CC, yoC= 0)
SOBRE CARACTERÍSTICAS
Ganancia de corriente CC(1)
(IC= 2,0 mA CC, VCE= 1,0 V CC) (IC hFE 50 150 –

= 50 mA CC, VCE= 1,0 V CC) 25 –
Voltaje de saturación del colector-emisor(1) VCE (sábado) – 0.3 VCC
(IC= 50 mAcc, yoB= 5,0 mA CC)
Voltaje de saturación base-emisor(1) VSER (sábado) – 0,95 VCC
(IC= 50 mAcc, yoB= 5,0 mA CC)
CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA

Ganancia de corriente: producto de ancho de banda FT 250 megahercio
(IC= 10 mA CC, VCE= 20 V CC, f = 100 MHz)

Capacidad de salida Cobo – 4.0 pF
(VCB= 5,0 V CC, yomi= 0, f = 100 MHz)
Capacitancia de entrada Cibo – 8.0 pF
(VSER= 0,5 V CC, yoC= 0, f = 100kHz)
Capacitancia de la base del colector Ccb – 4.0 pF
(Imi= 0, VCB= 5,0 V, f = 100 kHz)
Ganancia de corriente de pequeña señal hfe 50 200 –
(IC= 2,0 mA CC, VCE= 10 V CC, f = 1,0 kHz)
Ganancia actual: alta frecuencia
(IC= 10 mA CC, VCE= 20 Vcc, f = 100 MHz) (I hfe 2.5 – –
C= 2,0 mA CC, VCE= 10 V, f = 1,0 kHz) 50 200
Figura de ruido NF – 6.0 dB
(IC= 100 μAdc, VCE= 5,0 V CC, RS= 1,0 k ohmios, f = 1,0 kHz)
(1) Prueba de pulso: ancho de pulso = 300 μs. Ciclo de trabajo = 2,0 %
(a)
HIGO. 3.23
Hoja de especificaciones de transistores.
hPARÁMETROS
VCE=10 voltios,F=1kHz,TA=25°C
Figura 1 - Ganancia actual Figura 3 - Capacitancia
10
300
7.0
200
5.0
CI bo
Capacitancia (pF)
hfeGanancia de corriente
100 3.0
70 Cobo
2.0
50
30 1.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.3 0.5 0.71.0 2,0 3,0 5,0 7,0 10 20 30 40
IC,Corriente de colector (mA) Voltaje de polarización inversa (V)
(B) (D)
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Figura 2 - Ganancia de corriente CC
2.0
Tj= + 125°C VCmi=1 V
hFEGanancia de corriente CC (normalizada)
1.0 + 25° C
0.7
0.5 – 55°C
0.3
0.2
0.1
0.1 0,2 0,3 0,5 0,7 1,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10 IC, 20 30 50 70 100 200
Corriente de colector (mA)
(C)
CARACTERÍSTICAS DE LA SEÑAL PEQUEÑA DE AUDIO
FIGURA DE RUIDO
(VCE=5 V CC,TA=25°C)
Ancho de banda = 1,0 Hz
Figura 5 – Variaciones de frecuencia

12
Figura 4 – Tiempos de conmutación
200 Urcmiresipostura = 200 Ω

10 Entonces
ts IC = 1 A metro
100 Soturce resistanc mi =

20
8
0 ohmios
NF, figura de ruido (dB)
70 IC= 0.5 A metro
50 Sfuente resis Cmi= 1k Ω

6
broncearse
Tiempo (ns)
tD IC = 50µA
30
tr
20 tF 4
VCC= 3 V
10.0 IC/IB=10 2
urce r mi t.c.
un mi= 500 Ω
7.0 VEB(de F) = 0. 5V Entonces hermana
IC = 100 µA
5.0 0
1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 0.1 0.2 0.4 1 2 4 10 20 40 100
IC, Corriente de colector (mA) F, Frecuencia (kHz)
(mi) (F)
HIGO. 3.23
Continuado.
Figura 6 – Resistencia de la fuente
14
F= 1 kHz
Figura 7 - Impedancia de entrada
12
20
10
IC = 1 A metro
10
NF, figura de ruido (dB)
hes decirImpedancia de entrada (kΩ)

IC=0. 5 A metro
8 5.0
IC= 50 μA
6 2.0
4 1.0
IC = 100 μA
2 0.5
0 0.2
0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40 100 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
RS,Resistencia de fuente (kΩ) IC,Corriente de colector (mA)
(gramo) (h)
Figura 8 – Relación de retroalimentación de voltaje Figura 9 – Admitancia de salida

10 100
hreRelación de retroalimentación de voltaje (×10−4)
7.0 50
hoeAdmitancia de salida (mmhos)

5.0
20
3.0
10
2.0
5.0
1.0
0.7 2.0
0.5 1.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
IC,Corriente de colector (mA) IC,Corriente de colector (mA)
(I) (j)
HIGO. 3.23
Continuado.
y en las características “on”VCE =0,3 V. El nivel dehFEtiene un rango de 50 a 150 en IC-

se sentó
2mA yVCE-1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente superior a 50 mA a la misma

tensión.
Los límites de operación ahora se han definido para el dispositivo y se repiten a continuación
en el formato de Eq. (3.18) usandohFE=150 (el límite superior) yICEO-BICBO= (150) (50 nA) = 7,5
metroR. Ciertamente, para muchas aplicaciones el 7.5metroA - 0,0075 mA se puede considerar
como 0 mA de forma aproximada.
Límites de operación
7.5metroAFICF200 mA
0,3 VFVCEF30 voltios
VCEICF650 mW
BVariación
En las características de pequeña señal, el nivel dehfe(BC.A) se proporciona junto con un gráfico de cómo varía
con la corriente del colector en la figura 3.23b. En la figura 3.23c, el efecto de la temperatura y la corriente del
colector en el nivel dehFE(Bcorriente continua) esta demostrado. A temperatura ambiente (25°C), tenga en cuenta
quehFE(Bcorriente continua) es un valor máximo de 1 en el entorno de unos 8 mA. ComoIC
aumenta más allá de este nivel,hFEcae a la mitad del valor conICigual a 50 mA. También cae
a este nivel siICdisminuye al nivel bajo de 0,15 mA. Dado que este es unnormalizado
148
curva, si tenemos un transistor conBcorriente continua=hFE=120 a temperatura ambiente (25°C), el valor PRUEBAS DE TRANSISTORES149
máximo a 8 mA es 120. AIC-50 mA se ha reducido a alrededor de 0,52 yhfe- (0,52) 120 - 62,4. En otras
palabras, la normalización revela que el nivel real dehFEen cualquier nivel deICse ha dividido por el
valor máximo dehFEa esa temperatura y IC-8mA Observe también que la escala horizontal de la figura
3.23(c) es una escala logarítmica. Las escalas logarítmicas se examinan en profundidad en el Capítulo
9. Es posible que desee volver a mirar las gráficas de esta sección cuando encuentre tiempo para
revisar las primeras secciones del Capítulo 9.
Variación de capacitanciala capacitanciaCiboyCobode la figura 3.23(d) son los niveles de capacitancia

de entrada y salida, respectivamente, para el transistor en la configuración de base común. Su nivel es
tal que su impacto puede ignorarse excepto en frecuencias relativamente altas. De lo contrario, se
pueden aproximar mediante circuitos abiertos en cualquier análisis de CC o CA.
Horarios de conmutaciónLa figura 3.23(e) incluye los parámetros importantes que definen la
respuesta de un transistor a una entrada que cambia del estado "apagado" al "encendido" o viceversa.
Cada parámetro se discutirá en detalle en la Sección 4.15.
Cifras de ruido frente a frecuencia y resistencia de la fuenteLa cifra de ruido es una medida de la
perturbación adicional que se agrega a la respuesta de señal deseada de un amplificador. En la figura 3.23(f)
se muestra el nivel de dB de la figura de ruido para una respuesta de frecuencia amplia en niveles
particulares de resistencia de la fuente. Los niveles más bajos ocurren en las frecuencias más altas para la
variedad de corrientes de colector y resistencia de fuente. A medida que la frecuencia cae, la figura de ruido
aumenta con una fuerte sensibilidad a la corriente del colector.
En la figura 3.23(g) se traza la figura de ruido para varios niveles de resistencia de fuente y corriente de
colector. Para cada nivel de corriente, cuanto mayor sea la resistencia de la fuente, mayor será la cifra de
ruido.
Parámetros híbridosLas figuras 3.23(b), (h), (i) y (j) proporcionan los componentes de un modelo equivalente
híbrido para el transistor que se discutirá en detalle en el Capítulo 5. En cada caso, observe que la variación se
grafica contra la corriente del colector: un nivel definitorio para la red equivalente. Para la mayoría de las
aplicaciones, los parámetros más importantes sonhfeyhes decir. Cuanto mayor sea la corriente del colector,
mayor será la magnitud dehfey cuanto menor sea el nivel dehes decir. Como se indicó anteriormente, todos los
parámetros se discutirán en detalle en las Secciones 5.19–5.21.
Antes de dejar esta descripción de las características, tenga en cuenta que no se proporcionan las características
reales del colector. De hecho, la mayoría de las hojas de especificaciones proporcionadas por los fabricantes no
brindan todas las características. Se espera que los datos proporcionados sean suficientes para usar el dispositivo de
manera efectiva en el proceso de diseño.
-
3.9 PRUEBAS DE TRANSISTORES
Al igual que con los diodos, hay tres rutas que se pueden tomar para verificar un transistor: el uso de un
trazador de curvas, amedidor digital, y unohmímetro
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.43 proporcionará la visualización de la figura 3.24 una vez que todos los
controles se hayan configurado correctamente. Las pantallas más pequeñas a la derecha revelan la escala
que se aplicará a las características. La sensibilidad vertical es de 2 mA/div, lo que da como resultado la escala
que se muestra a la izquierda de la pantalla del monitor. La sensibilidad horizontal es de 1 V/div, lo que da
como resultado la escala que se muestra debajo de las características. La función de paso revela que las
curvas están separadas por una diferencia de 10metroA, a partir de 0metroA para la curva inferior. El último
factor de escala proporcionado se puede utilizar para determinar rápidamente elBC.Apara cualquier región de
las características. Simplemente multiplique el factor mostrado por el número de divisiones entreIBcurvas en
la región de interés. Por ejemplo, determinemosBC.Aen unq-Punto deIC-7mA yVCE-5 V. En esta región
de la pantalla, la distancia entreIBcurvas es9 10de una división, como se indica en la figura 3.25.
Usando el factor especificado, encontramos que
9 200
BC.A= divisióna segundo =180
10 división
150 UNIÓN BIPOLAR 20mA
TRANSISTORES
18mA Vertical
80 µA por división
2mA
16mA
70 μA
14mA
Horizontal
60 μA
por división
12mA 1V
50 μA
10mA
40 µA
por paso
8mA
30 μA 10 μA
6mA
20 μA
4mA Bog
10 µA por división
2mA 200
0 μA
0mA
0V 1V 2 voltios 3 voltios 4 voltios 5 voltios 6 voltios 7 voltios 8 voltios 9V 10 voltios
HIGO. 3.24
Respuesta del trazador de curvas al transistor npn 2N3904.
IC=8mA IB=40 μA
2
IC 2 = 8,2 mA
ΔIC ≅9división q-punto

10
(IC=7mA,VCE=5 voltios)
IB=30
1
μA
IC 1 = 6,4 mA
Transistor IC=6mA VCE=5 voltios

prueba
HIGO. 3.25
DeterminandoBC.Apara las características del transistor de la figura 3.24 en IC-7mA
y VCE-5 voltios
(a)
Usando la Ec. (3.11) da
- IC IC1 - IC1 8,2 mA - 6,4 mA
BC.A= ` = =
- IB VCE=constante IB2 - IB1 40metroA-30metroA
Transistor 1,8 mA
= =180
JFET 10metroA
RCS verificando la determinación anterior.
Probadores de transistores
Hay una variedad de probadores de transistores disponibles. Algunos son simplemente parte de un medidor
digital, como se muestra en la figura 3.26a, que puede medir una variedad de niveles en una red. Otros, como
el de la figura 3.26, están dedicados a probar un número limitado de elementos. El medidor de la figura 3.26b
se puede usar para probar transistores, JFET (capítulo 6) y SCR (capítulo 17) dentro y fuera del circuito. En
todos los casos, primero se debe cortar la alimentación al circuito en el que aparece el elemento para
asegurar que la batería interna del probador no se dañe y para proporcionar una lectura correcta. Una vez
(B)
que se conecta un transistor, el interruptor se puede mover a través de todas las combinaciones posibles
HIGO. 3.26 hasta que se encienda la luz de prueba e identifique las terminales del transistor. El probador también
Probadores de transistores: (a) medidor digital; indicará OK si elnpnopnpel transistor funciona correctamente.
(b) probador dedicado. (Cortesía de Cualquier medidor con capacidad de verificación de diodos también se puede usar para verificar el estado
B+K Precision Corporation). de un transistor. Con el colector abierto, la unión de la base al emisor debería generar un voltaje bajo.
de aproximadamente 0,7 V con el cable rojo (positivo) conectado a la base y el cable negro (negativo) CARCASA DE TRANSISTORES151
conectado al emisor. Una inversión de los cables debe dar como resultado una indicación OL para Y TERMINAL
IDENTIFICACIÓN
representar la unión con polarización inversa. De manera similar, con el emisor abierto, se pueden verificar
los estados de polarización directa e inversa de la unión de la base al colector.
Bajo R
Abierto
Ohmímetro
Ω
B
Un ohmímetro o las escalas de resistencia de unDdigitalmetroúltimometroéter (DMM) se puede utilizar para + –
comprobar el estado de un transistor. Recuerde que para un transistor en la región activa, la unión base-
emisor tiene polarización directa y la unión base-colector tiene polarización inversa. Esencialmente, por lo mi
tanto, la unión con polarización directa debería registrar una resistencia relativamente baja, mientras que la
HIGO. 3.27
unión con polarización inversa muestra una resistencia mucho mayor. Por unnpntransistor, la unión con
Comprobación de la unión base-emisor con
polarización directa (polarizada por el suministro interno en el modo de resistencia) desde la base hasta el
polarización directa de un transistor npn.
emisor debe verificarse como se muestra en la figura 3.27 y dar como resultado una lectura que
generalmente estará en el rango de 100 a unos pocos kilohmios. La unión de la base al colector con
R alta
polarización inversa (nuevamente polarizada inversamente por el suministro interno) debe verificarse como
se muestra en la figura 3.28 con una lectura que generalmente excede los 100 k. Parapnptransistor los cables
Ω
están invertidos para cada unión. Obviamente, una resistencia grande o pequeña en ambas direcciones
+ – C
(invirtiendo los cables) para cualquier unión de unnpnopnptransistor indica un dispositivo defectuoso.
Si ambas uniones de un transistor dan como resultado las lecturas esperadas, el tipo de transistor
también se puede determinar simplemente observando la polaridad de los cables aplicados a la unión B
base-emisor. Si el cable positivo (+) está conectado a la base y el cable negativo (-) al emisor, una
lectura de baja resistencia indicaría unnpntransistor. Una lectura de alta resistencia indicaría unapnp mi
transistor. Aunque también se puede usar un ohmímetro para determinar los cables (base, colector y HIGO. 3.28
emisor) de un transistor, se supone que esta determinación se puede hacer simplemente observando Comprobación de la unión de base a
la orientación de los cables en la carcasa. colector con polarización inversa de un npn
transistor.
3.10 IDENTIFICACIÓN DE LA CAJA DEL
-
TRANSISTOR Y DE LA TERMINAL
Después de fabricar el transistor usando una de las técnicas descritas en el apéndice A, se unen
conductores de, por lo general, oro, aluminio o níquel y toda la estructura se encapsula en un
recipiente como el que se muestra en la figura 3.29. Los de construcción resistente son
dispositivos de alta potencia, mientras que los de lata pequeña (sombrero de copa) o cuerpo de
plástico son dispositivos de potencia baja a media.
(a) (B) (C)
HIGO. 3.29
Varios tipos de transistores de propósito general o de conmutación: (a) de baja potencia; (b) potencia media;
(c) potencia media a alta.
Siempre que sea posible, la carcasa del transistor tendrá alguna marca para indicar qué cables
están conectados al emisor, colector o base de un transistor. Algunos de los métodos comúnmente
utilizados se indican en la figura 3.30.
La construcción interna de un paquete TO-92 en la línea Fairchild aparece en la Fig. 3.31. Tenga en
cuenta el tamaño muy pequeño del dispositivo semiconductor real. Hay cables de enlace de oro, un
marco de cobre y una encapsulación de epoxi.
152UNIÓN BIPOLAR EBC
blanco
TRANSISTORES punto
C C(caso)C
mi C
B mi B
B
mi B mi C EB C mi
HIGO. 3.30
Identificación de terminales de transistores.
Moldeo axial
inyección compuesta
Matriz pasivada
paquete de epoxi
Marco de cobre
Pestañas de bloqueo
(a) (B) (C)
HIGO. 3.31
Construcción interna de un transistor Fairchild en un paquete TO-92.
Cuatro (cuádruples) individualespnplos transistores de silicio se pueden alojar en el paquete de plástico de doble
línea de 14 pines que aparece en la figura 3.32a. Las conexiones de clavijas internas aparecen en la figura 3.32b. Al
igual que con el paquete IC de diodo, la muesca en la superficie superior revela los pines número 1 y 14.
(Vista superior)
C B C mi
CAROLINA DEL NORTE B C
14 13 12 11 10 9 8
1 2 3 4 5 6 7
C B mi mi
CAROLINA DEL NORTE B C
NC – Sin conexión interna
(a) (B)
HIGO. 3.32
Transistor de silicio cuádruple pnp de Texas Instruments tipo Q2T2905:
(a) apariencia; (b) conexiones de clavijas.
3.11 DESARROLLO DE TRANSISTORES

-
Como se mencionó en la Sección 1.1, la ley de Moore predice que la cantidad de transistores de un circuito integrado
se duplicará cada 2 años. Presentada por primera vez en un artículo de Gordon E. Moore en 1965, la predicción ha
tenido un nivel de precisión sorprendente. El gráfico de la cuenta de transistores en función de los años que aparece
en la figura 3.33 es casi lineal a lo largo de los años. La asombrosa cantidad de dos mil millones de transistores en un
solo circuito integrado que usa líneas de 45 nm es realmente incomprensible. Una línea de 1 pulgada contiene más de
564 000 de las líneas de construcción de 45 nm que se utilizan actualmente en los circuitos integrados. Trate de
dibujar 100 líneas en un ancho de 1 pulgada con un lápiz, casi imposible. Las dimensiones relativas de dibujar líneas
de 45 nm en un ancho de 1 pulgada serían como dibujar una línea
Recuento de transistores TRANSISTOR 153
DESARROLLO
10,000,000,000
Xeon Nehalem-Ex Intel
nivel 2 mil millones Tukwila Intel
Itanium 2 de doble núcleo Poder 7
1,000,000,000 IBM poder 6 Opterón 2400 AMD
Intel Core i7
Itanio 2 Núcleo 2 Dúo Intel
nivel 100 millones
100,000,000
Pentium IV
10,000,000 Pentium III

pentium II
Intel 804861 pentium

1 millón de nivel
1,000,000
Intel 80386
Intel 80286
100,000
la predicción de moore
Escala logarítmica nivel 10,000
10,000
rca 1802
Intel 8085
Intel 8004
motorola 6800
Intel 4004
1000
nivel 100
100
10 El trabajo de Moore presentado
1
1960 1965 1970 1980 1990 2000 2010 Año
Escala lineal
HIGO. 3.33
Recuento de circuitos integrados de transistores en función del tiempo para el período de 1960 hasta el presente.
con un ancho de 1 pulgada a través de una carretera que tiene casi 9 millas de largo.* Aunque se
habla continuamente de que la ley de Moore eventualmente sufrirá de densidad, rendimiento,
confiabilidad y esquinas de presupuesto, el consenso general de la comunidad industrial es que la ley
de Moore la ley seguirá siendo aplicable durante la próxima década o dos. Aunque el silicio sigue
siendo el principal material de fabricación, existe una familia de semiconductores denominada III V
semiconductores compuestos(el tres y el cinco se refieren al número de electrones de valencia en
cada elemento) que están haciendo avances importantes en el desarrollo futuro. Uno en particular es
el arseniuro de indio y galio, oInGaAs, que ha mejorado las características de transporte. Otros
incluyenGaAlAs, AlGaN y AllnN, que se están desarrollando para aumentar la velocidad, la
confiabilidad, la estabilidad, el tamaño reducido y las técnicas de fabricación mejoradas.
Actualmente elIntel®CentroTMi7 de cuatro núcleosEl procesador tiene más de 730 millones de
transistores con una velocidad de reloj de 3,33 GHz en un paquete ligeramente más grande que un cuadrado
de 1,6. Los desarrollos recientes de Intel incluyen suTukwilaprocesador que albergará más de dos mil
millones de transistores. Curiosamente, Intel sigue empleando silicio en su investigación para el desarrollo de
transistores que serán un 30 % más pequeños y un 25 % más rápidos que los transistores más rápidos de la
actualidad que utilizan la tecnología de 20 nm. IBM, en colaboración con el Instituto de Tecnología de
Georgia, ha desarrollado un transistor de germanio y silicio que puede funcionar a frecuencias superiores a
500 GHz, un enorme aumento con respecto a los estándares actuales.
La innovación sigue siendo la columna vertebral de este campo en constante desarrollo, con un equipo
sueco presentando unsin unióntransistor principalmente para simplificar el proceso de fabricación. Otro ha
presentadonanotubos de carbon(una molécula de carbono en forma de cilindro hueco que tiene un
diámetro de aproximadamente 1-50 000 del ancho de un cabello humano) como un camino hacia transistores
más rápidos, más pequeños y más baratos. Hewlett Packard está desarrollando unPestillo de barra
transversal Transistor que emplea una rejilla de conductores paralelos y cables de señal para crear uniones
que actúan como interruptores.
La pregunta se hizo a menudo hace muchos años: ¿A dónde puede ir el campo desde aquí?
Obviamente, según lo que vemos hoy, parece no haber límite para el espíritu innovador de las
personas en el campo en su búsqueda de nuevas direcciones de investigación.
* En unidades métricas, sería como dibujar más de 220.000 líneas en una línea de 1 cm de largo o 1 cm de ancho a lo largo de una
carretera de más de 2,2 km de largo.
154 UNIÓN BIPOLAR 3.12 RESUMEN
TRANSISTORES -
Conclusiones y conceptos importantes
1. Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vacío: son
(1) detamaño más pequeño, (2 másligero, (3 másescabroso, y (4) máseficiente. Además, tienen
(1)sin período de calentamiento, (2)sin necesidad de calentador, y (3)voltajes de operación
más bajos.
2. Los transistores sondispositivos de tres terminalesde tres capas semiconductoras que tienen una base
o capa central en gran medidamás delgadaque las otras dos capas. Las dos capas exteriores son ambas
de cualquieranorte- opags-materiales de tipo, con la capa intercalada del tipo opuesto.
3. unopags–norteunión de un transistor espolarizado hacia adelante, mientras que el otro espolarización inversa.
4. La corriente del emisor de CC es siempre lamayor corrientede un transistor, mientras que la corriente
base es siempre lapequeñísimo. La corriente del emisor es siempre lasumade los otros dos.
5. La corriente del colector se compone dedos componentes: loscomponente mayoritarioy
elcorriente minoritaria(también llamado elfugaActual).
6. La flecha en el símbolo del transistor define la dirección deflujo de corriente convencional para
la corriente del emisory por lo tanto define la dirección de las otras corrientes del dispositivo.
7. Un dispositivo de tres terminales necesitados conjuntos de característicaspara definir completamente sus

características.
8. En la región activa de un transistor, la unión base-emisor espolarizado hacia adelante, mientras
que la unión colector-base espolarización inversa.
9. En la región de corte, las uniones base-emisor y colector-base de un transistor son ambos con
polarización inversa.
10. En la región de saturación, las uniones base-emisor y colector-base sonpolarizado hacia adelante
.
11. En promedio, como primera aproximación, se puede suponer que el voltaje de base a emisor de
un transistor en funcionamiento es0,7 V.
12. La cantidad alfa (a)relaciona las corrientes de colector y emisor y siempre está cerca de una.
13. La impedancia entre los terminales de una unión con polarización directa siempre es relativamente
pequeña, mientras que la impedancia entre los terminales de una unión con polarización inversa suele
serbastante grande.
14. La flecha en el símbolo de unnpntransistor apunta fuera del dispositivo (norteAntiguo Testamentopagsuntando
yonorte), mientras que la flecha apunta hacia el centro del símbolo de unpnptransistor (pagsuntando yonorte).
15. Para propósitos de amplificación lineal, el corte para la configuración de emisor común
estará definido porIC=ICEO.
16. La cantidad beta (B)proporciona una relación importante entre las corrientes de la
base y del colector, y suele ser entre50 y 400.
17. El dc beta se define por un simplerelación de corrientes de CC en un punto de funcionamiento,
mientras que la ac beta essensible a las característicasen la región de interés. Sin embargo, para la
mayoría de las aplicaciones, los dos se consideran equivalentes como primera aproximación.
18. Para asegurarse de que un transistor esté funcionando dentro de su nivel máximo de potencia,
simplemente encuentre elproducto de la tensión de colector a emisor y la corriente de colectory
compárelo con el valor nominal.
ecuaciones
Imi=IC+IB, IC=ICmayoria + ICOminoría , VSER - 0,7 V

I - IC ICBO
aDC=C, aC.A= ` , ICEO= `
Imi - Imi VCB=constante 1 -a I B=0metroA
IC, - IC B
Bcorriente continua= BC.A= ` , un =
IB - IB VCE=constante segundo +1
IC=BIB, Imi= (segundo +1)IB, PAGSCmáximo =VCE C I

ANÁLISIS INFORMÁTICO155
-
3.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
Cadencia OrCAD
Dado que las características del transistor se introdujeron en este capítulo, parece apropiado
que se examine un procedimiento para obtener esas características utilizando PSpice Windows.
Los transistores se enumeran en elEVALUARbiblioteca y empezar con la letraq. La biblioteca
incluye dosnpntransistores, dospnptransistores y dos configuraciones Darlington. El hecho de
que exista una serie de curvas definidas por los niveles deIBrequerirá que un barrido deIB
valores (unbarrido anidado) ocurren dentro de un barrido de voltajes de colector a emisor. Sin
embargo, esto no es necesario para el diodo, ya que solo resultaría una curva.
Primero, la red de la figura 3.34 se establece mediante el mismo procedimiento definido en el capítulo 2.
El voltajeVCCestablecerá nuestro barrido principal, mientras que el voltajeVcama y desayunodeterminará el barrido
anidado. Para referencia futura, observe el panel en la parte superior derecha de la barra de menú con el
control de desplazamiento al crear redes. Esta opción le permite recuperar elementos que se han utilizado en
el pasado. Por ejemplo, si colocó una resistencia hace algunos elementos, simplemente regrese a la barra de
desplazamiento y desplácese hasta que la resistenciaRaparece Haga clic en la ubicación una vez y la
resistencia aparecerá en la pantalla.
HIGO. 3.34
Red empleada para obtener las características
del colector del transistor Q2N2222.
Una vez establecida la red como se muestra en la Fig. 3.34, seleccione elNuevo perfil de
simulaciónllave e insertoOrCAD 3-1como elNombre. Luego seleccioneCrearpara obtener el
Configuración de simulacióncaja de diálogo. losTipo de análisisseraBarrido de CC, con elVariable
de barrido ser unFuente de voltaje. Inserte VCC como el nombre de la fuente de tensión de barrido y
seleccione Linealpara el barrido. losValor iniciales 0 V, elvalor final10 V, y elIncremento0,01 voltios
Es importante no seleccionarXen la esquina superior derecha del cuadro para salir del control de
configuración. Primero debemos ingresar la variable de barrido anidado seleccionandoBarrido secundarioe
insertar VBB como fuente de tensión a barrer. De nuevo, será unLinealbarrido, pero ahora el valor inicial será
de 2,7 V para corresponder con una corriente inicial de 20metroA determinado por
2,7 V - 0,7 V
IB=
Vcama y desayuno-VSER
= =20metroA
RB 100k
losvalor finales 10,7 V para corresponder con una corriente de 100metroR. ElIncrementose establece en 2 V, lo
que corresponde a un cambio en la corriente base de 20metroA. Ambos barridos ahora están configurados, pero
antes de salir del cuadro de diálogoasegúrese de que ambos barridos estén habilitados marcando la casilla junto
a cada barrido. A menudo, después de ingresar el segundo barrido, el usuario no puede establecer el segundo
barrido antes de salir del cuadro de diálogo. Una vez seleccionados ambos, salga del cuadro de diálogo y seleccione
Ejecutar PSpice. El resultado será un gráfico con un voltajeCCVvariando de 0 V
156 UNIÓN BIPOLAR
TRANSISTORES
CI IB = 100 -A
IB = 80 -A
IB = 60 -A
IB = 40 -A
IB = 20 -A
VCE
HIGO. 3.35
Características del colector para el transistor de la figura 3.34.
a 10 V. Para establecer los distintosIcurvas, aplique la secuenciaSeguimiento-Agregar seguimientopara

obtener elAgregar seguimientocaja de diálogo. SeleccioneCI(Q1), la corriente de colector del transistor para
el eje vertical. UnOK, y aparecerán las características. Desafortunadamente, sin embargo, se extienden desde
−10 mA hasta +20 mA en el eje vertical. Esto puede ser corregido por la secuencia Configuración del eje de
trazado, lo que nuevamente resultará en laConfiguración del ejecaja de diálogo. Seleccioneeje Y Y debajo
Rango de datosescogerUsuario definidoy establezca el rango entre 0 y 20 mA. UnOK, y aparecerá la gráfica
de la figura 3.35. Las etiquetas en el gráfico se pueden agregar utilizando la versión de producción de OrCAD.
La primera curva en la parte inferior de la figura 3.35 representaIB-20metroA. La curva de arriba esIB- 40
metroA, los próximos 60metroA, y así sucesivamente. Si elegimos un punto en medio de las características
definidas porVCE-4 V yIB-60metroA como se muestra en la figura 3.35Bse puede determinar a partir de
IC 11mA
segundo = = =183.3
IB 60metroA
Al igual que el diodo, los demás parámetros del dispositivo tendrán un efecto notable en las
condiciones de funcionamiento. Si volvemos a las especificaciones del transistor usandoEditar
modelo de PSpicepara obtener elDemostración del editor de modelos de PSpicecuadro de diálogo,
podemos eliminar todos los parámetros excepto el valor Bf. Asegúrese de dejar los paréntesis que
rodean el valor de Bf durante el proceso de eliminación. Al salir de la caja, elEditor de modelos/16.3
aparecerá un cuadro de diálogo pidiéndole que guarde los cambios. Se guardó comoOrCAD 3-1y el
circuito se simuló nuevamente para obtener las características de la figura 3.36 luego de otro ajuste
del rango del eje vertical.
Tenga en cuenta primero que las curvas son todas horizontales, lo que significa que el elemento no
tiene ninguna característica resistiva. Además, el espaciado uniforme de las curvas revela que beta es
el mismo en todas partes. En la intersección deVCE-4 V yIB-60metroA, el nuevo valor deBes
IC 14,6 mA
segundo = = =243.3
IB 60metroA
El valor real del análisis anterior es reconocer que aunque se proporcione la versión beta, el
rendimiento real del dispositivo dependerá en gran medida de sus otros parámetros. Suponga que un
dispositivo ideal es siempre un buen punto de partida, pero una red real proporciona un conjunto
diferente de resultados.
PROBLEMAS157
IB = 80 -A
CI
IB = 60 -A
IB = 40 -A
IB = 20 -A
VCE
HIGO. 3.36
Características ideales del colector para el transistor de la figura 3.34.
-
PROBLEMAS
*Nota:Los asteriscos indican problemas más difíciles.

3.2Construcción de transistores
1.¿Qué nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construcción básica de cada uno y etiquete
los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. Dibuje el símbolo gráfico al lado de cada uno.
¿Algo de esta información se altera al cambiar de una base de silicio a una de germanio?
2.¿Cuál es la principal diferencia entre un dispositivo bipolar y unipolar?
3.3Operación de transistores
3.¿Cómo deben polarizarse las dos uniones de transistores para que el amplificador de transistores funcione correctamente?
4.¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?
5.Trace una figura similar a la de la figura 3.4a para la unión con polarización directa de unnpntransistor. Describa
el movimiento del portador resultante.
6.Dibuje una figura similar a la figura 3.4b para la unión polarizada en inversa de unnpntransistor. Describa el movimiento
del portador resultante.
7.Dibuje una figura similar a la figura 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de unnpntransistor.
Describa el movimiento del portador resultante.
8.¿Cuál de las corrientes del transistor es siempre la más grande? ¿Cuál es siempre el más pequeño? ¿Qué dos
corrientes son relativamente cercanas en magnitud?
9.Si la corriente de emisor de un transistor es de 8 mA yIBes 1-100 deIC, determinar los niveles deICyIB.
3.4Configuración de base común
10De memoria, dibuje el símbolo del transistor para unpnpy unnpntransistor, y luego inserte la dirección de
flujo convencional para cada corriente.
11Utilizando las características de la figura 3.7, determineVSERenImi-5mA paraVCB-1, 10 y 20 V.

¿Es razonable suponer de manera aproximada queVCBsólo tiene un ligero efecto sobre la
relación entreVSERyImi?
158 UNIÓN BIPOLAR 12. un.Determine la resistencia de ca promedio para las características de la figura 3.10b.
TRANSISTORES B.Para redes en las que la magnitud de los elementos resistivos suele estar en kilohmios, ¿es válida la
aproximación de la figura 3.10ca [basada en los resultados de la parte (a)]?
13. un. Utilizando las características de la figura 3.8, determine la corriente de colector resultante siImi-3,5 mA yVCB
-10 voltios
B.Repita la parte (a) paraImi-3,5 mA yVCB-20 voltios
C.¿Cómo han sido los cambios enVCBafectado el nivel resultante deIC?
D.De forma aproximada, ¿cómo sonImiyICrelacionados en base a los resultados anteriores?
14. un.Utilizando las características de las Figs. 3.7 y 3.8, determineICsiVCB=5 V yVSER-0,7 voltios
B.DeterminarVSERsiIC-5mA yVCB-15 voltios
C.Repita la parte (b) usando las características de la figura 3.10b.
D.Repita la parte (b) utilizando las características de la figura 3.10c.
mi.Compara las soluciones para VSERpara las partes (b) a (d). ¿Se puede ignorar la diferencia si normalmente se
encuentran niveles de voltaje superiores a unos pocos voltios?
15. un. Dado unacorriente continuade 0.998, determineICsiImi-4mA

B.Determinaracorriente continuasiImi-2,8 mA,IC-2,75 mA yICBO-0.1metroUN.
dieciséis.Solo de memoria, dibuje la configuración del transistor BJT de base común (paranpnypnp) e indicar la
polaridad de la polarización aplicada y las direcciones de corriente resultantes.
3.5Configuración de emisor común
17DefinirICBOyICEO. ¿En qué se diferencian? ¿Como están relacionados? ¿Son típicamente similares en
magnitud?
18Usando las características de la Fig. 3.13:
un.Encuentre el valor deICcorrespondiente aVSER- -750 mV yVCE- -4 voltios
B.Encuentre el valor deVCEyVSERcorrespondiente aIC-3,5 mA yIB-30metroUN.
* 19. a. Para las características de emisor común de la figura 3.13, encuentre la beta de cd en un punto de
operación deVCE-6 V yIC-2mA
B.Encuentre el valor deacorrespondiente a este punto de operación.
C.EnVCE- -6 V, encuentre el valor correspondiente deICEO.
D.Calcular el valor aproximado deICBOutilizando el valor dc beta obtenido en la parte (a).
* 20. a.Utilizando las características de la figura 3.13a, determineICEOenVCE-10 voltios

B.DeterminarBcorriente continuaenIB-10metroun yVCE-10 voltios
C.Utilizando elBcorriente continuadeterminada en la parte (b), calculeICBO.
21. un.Utilizando las características de la figura 3.13a, determineBcorriente continuaenIB-60metroun yVCE-4 voltios
B.Repita la parte (a) enIB-30metroun yVCE-7 voltios
C.Repita la parte (a) enIB-10metroun yVCE-10 voltios
D.Revisando los resultados de las partes (a) a (c), ¿el valor deBcorriente continuacambio de un punto a otro en las
características? ¿Dónde se encontraron los valores más altos? ¿Puede desarrollar alguna conclusión general sobre el
valor deBcorriente continuaen un conjunto de características como las proporcionadas en la figura 3.13a?
* 22. a. Utilizando las características de la figura 3.13a, determineBC.AenIB-60metroun yVCE-4 voltios

B.Repita la parte (a) enIB-30metroun yVCE-7 voltios
C.Repita la parte (a) enIB-10metroun yVCE-10 voltios
D.Revisando los resultados de las partes (a) a (c), ¿el valor deBC.Acambio de un punto a otro en las
características? ¿Dónde se encuentran los valores altos? ¿Puede desarrollar alguna conclusión
general sobre el valor deBC.Aen un conjunto de características del colector?
mi.Los puntos elegidos en este ejercicio son los mismos que los empleados en el Problema 21. Si se
realizó el Problema 21, compare los niveles deBcorriente continuayBC.Apara cada punto y comente la
tendencia en magnitud para cada cantidad.
23Utilizando las características de la figura 3.13a, determineBcorriente continuaenIB-25metroun yVCE-10 V. Luego calcula
acorriente continuay el nivel resultante deImi. (Utilice el nivel deICdeterminado porIC=Bcorriente continuaIB.)
24. un.Dado queacorriente continua= 0.980, determine el valor correspondiente deBcorriente continua.
B.DadoBcorriente continua= 120, determine el valor correspondiente deun.
C.Dado queBcorriente continua= 120 yIC-2,0 mA, encuentreImiyIB.
25Sólo de memoria, dibuje la configuración en emisor común (pornpnypnp) e inserte la disposición de

polarización adecuada con las direcciones de corriente resultantes paraIB,IC, yImi.
3.6Configuración de colector común
26Se aplica un voltaje de entrada de 2 V rms (medido desde la base a tierra) al circuito de la figura 3.21.
Suponiendo que el voltaje del emisor sigue exactamente el voltaje base y queVser(rms) - 0.1 V, calcule la
amplificación de voltaje del circuito (Av=Vo>VI) y corriente de emisor paraRmi-1k
27Para un transistor que tenga las características de la figura 3.13, dibuje las características de entrada y PROBLEMAS159
salida de la configuración de colector común.
3.7Límites de operación
28Determine la región de operación de un transistor que tenga las características de la figura 3.13 si
ICmáximo =6mA,BVCEO-15 V, yPAGSCmáximo =35 mW.
29Determine la región de operación de un transistor que tenga las características de la figura 3.8 si
ICmáximo =7mA,BVCBO-20 V, yPAGSCmáximo =42 mW.
3.8Hoja de especificaciones de transistores
30Con referencia a la figura 3.23, determine el rango de temperatura para el dispositivo en grados Fahrenheit.
31Usando la información provista en la Fig. 3.23 con respecto aPAGSD,VCE,I máximo máximo Cmáximo
yVCE,esbozar el
se sentó
límites de operación para el dispositivo.
32.Con base en los datos de la figura 3.23, ¿cuál es el valor esperado deICEOutilizando el valor medio deBcorriente continua?
33.¿Cómo es el rango dehFE(Figura 3.23c, normalizada a partir dehFE=100) comparar con el rango deh
fe(Fig. 3.23b) para el rango deICde 0,1 a 10 mA?
34.Usando las características de la figura 3.23d, determine si la capacitancia de entrada en la configuración de base
común aumenta o disminuye con niveles crecientes de potencial de polarización inversa. ¿Puedes explicar
porque?
* 35.Usando las características de la figura 3.23b, determine cuánto el nivel dehfeha cambiado de su valor a 1 mA a su
valor a 10 mA. Tenga en cuenta que la escala vertical es una escala logarítmica que puede requerir una
referencia a la Sección 11.2. ¿Es el cambio uno que debería ser considerado en una situación de diseño?
* 36.Utilizando las características de la figura 3.23c, determine el nivel deBcorriente continuaenIC-10 mA en los
tres niveles de temperatura que aparecen en la figura. ¿El cambio es significativo para el rango de
temperatura especificado? ¿Es un elemento a tener en cuenta en el proceso de diseño?
3.9Pruebas de transistores
37. un.Utilizando las características de la figura 3.24, determineBC.AenIC-14mA yVCE-3 voltios

B.DeterminarBcorriente continuaenIC-1mA yVCE-8 voltios
C.DeterminarBC.AenIC-14mA yVCE-3 voltios
D.DeterminarBcorriente continuaenIC-1mA yVCE-8 voltios
mi.¿Cómo es el nivel deBC.AyBcorriente continuacomparar en cada región?
F.es la aproximaciónBcorriente continua-BC.Auna válida para este conjunto de características?

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CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1

CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55

CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129

CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160

CAPÍTULO 5: Análisis BJT AC 253

CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378

CAPÍTULO 7: Polarización FET 422

CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481

CAPÍTULO 9: Respuesta de frecuencia BJT y JFET 545

CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607

CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653

CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683

CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722

CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751

CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783

CAPÍTULO 16: Otros dispositivos de dos terminales 811

CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841

Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones

Apéndice C: Gráficos y tablas 891

Apéndice D: Soluciones a problemas

CAPÍTULO 1: Diodos Semiconductores 1

CAPÍTULO 2: Aplicaciones de diodos 55

CAPÍTULO 3: Transistores de unión bipolar 129

CAPÍTULO 4: Polarización de CC: BJT 160

5.1 Introducción 253

CAPÍTULO 6: Transistores de efecto de campo 378

CAPÍTULO 7: Polarización FET 422

CAPÍTULO 8: Amplificadores FET 481

CAPITULO 10: Amplificadores Operacionales 607

CAPÍTULO 11: Aplicaciones de amplificadores operacionales 653

CAPÍTULO 12: Amplificadores de potencia 683

CAPÍTULO 13: Circuitos integrados digitales lineales 722

CAPÍTULO 14: Circuitos de retroalimentación y osciladores 751

CAPÍTULO 15: Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje) 783

CAPITULO 17:pnpny otros dispositivos 841

Apéndice A: Parámetros híbridos: determinaciones gráficas y

Apéndice B: Cálculos de voltaje y factor de ondulación 885

Apéndice D: Soluciones a problemas

- Familiarícese con la construcción básica y el funcionamiento del transistor de

- Reconocer y ser capaz de explicar las características de unnpnopnptransistor.

–+ –+ + Operadores mayoritarios + Portadores minoritarios

IC=ICmayoria + ICOminoría (3.2)

nanoamperios.ICO, me gustaIspara un diodo de polarización inversa, es sensible a la temperatura y debe

3.4 CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN

Región activa (área no sombreada)

En la región de corte, las uniones base-emisor y colector-base de un transistor tienen

En la región de saturación, las uniones base-emisor y colector-base tienen polarización directa.

(a) (B) (C)

El ac alpha se llama formalmente elBase común,cortocircuito,factor de amplificación, por razones que

0 5 10 15 20V(V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

En la región activa de un amplificador de emisor común, la unión base-emisor tiene

ecuación (3.6): IC=aImi+ICBO

Para propósitos de amplificación lineal (menor distorsión), el corte para la configuración

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VSER(V)

HIGO. 3.14 HIGO. 3.15

dondeICyIBse determinan en un punto de operación particular en las características. Para

Modo CAPara situaciones de CA, una beta de CA se define de la siguiente manera:

Aunque no exactamente iguales, los niveles deBC.AyBcorriente continuasuelen estar razonablemente