PRACTICA 4: AMPLIFICADORES BJT

Electrónica analógica y digital

Integrantes: Adela Rianel Baustista Reyes

Francisco Javier Manjarrez Domínguez
María Jose Romero Delgadillo
Jorge Saul Castañeda Miranda

Profesor: Moisés Alfredo Estrada García

Fecha de entrega: 22/10/2022

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 ÍNDICE

INTRODUCCIÓN TEÓRICA…………………………………….3

OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA………………………………..3

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA……………………………4

CONCLUSIONES………………………………………………..9

REFERENCIAS………………………………………………….11

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INTRODUCCÓN

Los amplificadores en configuración Emisor Común (Common Emited) son el tipo

de amplificador más comúnmente usado, ya que pueden tener una ganancia de
voltaje muy grande. Estos amplificadores están diseñados para producir una gran
oscilación de voltaje de salida desde un voltaje de señal de entrada relativamente
pequeño de solo unos pocos milivoltios y se usan principalmente como
"amplificadores de pequeña señal" como ya vimos en otras entradas.

Dado que estamos interesados en entregar la máxima potencia de c.a. a la carga,

mientras consumimos la mínima potencia de CC posible del suministro, nos
preocupa principalmente la "eficiencia de conversión" del amplificador. Sin
embargo, una de las principales desventajas de los amplificadores de potencia y
especialmente del amplificador de Clase A es que su eficiencia de conversión
general es muy baja, ya que las grandes corrientes significan que se pierde una
cantidad considerable de energía en forma de calor.

La función principal del amplificador de potencia, que también se conoce como

"amplificador de señal grande", es suministrar potencia, que es el producto del
voltaje y la corriente de la carga.

OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA
En esta práctica evaluando los transistores BJT en la aplicación más típica de los
mismos en el ámbito analógico: como parte principal de los circuitos amplificadores.
Para ello, debe recordarse que tanto las características de corriente directa (punto
de polarización) como las de corriente alterna (ganancia de voltaje, ganancia de
corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida) deben considerarse en el
análisis. En concreto, el trabajo será con la configuración en emisor común con
resistor de emisor desacoplado, es decir, cuando el resistor de emisor se encuentra
en paralelo con un capacitor.

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DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

MULTISIM

1. Construyan en Multisim el circuito mostrado en la siguiente figura (noten que

no debe haber conexión entre 𝑉𝐶𝐶 y el nodo que forman 𝑅gen y 𝐶1).

2. Simulen el circuito mostrando la salida del voltaje sobre 𝑅𝐿 con al menos cinco
ciclos completos de la señal de entrada.

3. A partir de los datos de la simulación

resuelvan lo que se pide a continuación:

a. ¿Cuál es el punto de trabajo del

transistor? Rellenen la siguiente tabla
con los valores requeridos (si no desean
realizar todos los cálculos a mano,
pueden pedirlos directamente al simulador con un análisis de punto de operación

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 [DC point operation analysis] eligiendo las variables adecuadas). ¿Qué función
realizan los capacitores 𝐶1-𝐶3? Para este caso, los capacitadores realizan una tarea
decondensadores de acoplo que bloquean la corriente continua, y C1 acopla la
tensión a amplificar, dejándole la función de acoplador de señal a C2 con el
propósito de que la carga que llegue sea únicamente de corriente alterna, que por
el contrario de estos dos, el ultimo capacitor funciona de desacoplo, elimina a la
resistencia RE provocando que la corriente circule sólo por el capacitor.

IBQ ICQ VCEQ VBEQ

6 3.40522321×10−6µ𝐴 4.755391741×10−3𝑚𝐴 4.581588884 𝑉 0.7 𝑉

 RTH= (18 K Ω) (8.2 k Ω)/18 KΩ+8.2 kΩ= 5633.5877 Ω

 VTH=(12 V) (8.2 k Ω)/ 18 KΩ+8.2 kΩ= 3.75572 V
 IBQ= 3.75572 V-.07 V/ 5633.5877Ω (+75+1) 560 Ω= 634052232 mA
 ICQ/IE= B * IB= (75) (634052232 mA)= 4.75539174 mA
 VCEQ=VCC-IC (RC+RE)= 12 V- 4.75539174 mA (1k Ω+560 Ω)
=4.581588884 V

b. Obtengan la ganancia de voltaje del amplificador. Para ello, coloquen la

visualización del osciloscopio de tal manera que se vean las señales de entrada y
salida y midan el valor pico de cada una de ellas. ¿Se requiere algún signo para
reportar el valor de este parámetro? Se hace uso del signo negativo (muestra que
será la opuesta a la entrada), el signo implica que el voltaje de retroalimentación se
opone al voltaje de entrada, por tal, siempre será negativa.

MULTISIM: Canal 1 (salida): 14.8mV Pk,PK Canal 2 (entrada): 3.601mV Pk,Pk

ESCRITO: -180.0986

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c. Ahora determinen la ganancia de corriente del amplificador: para ello midan con
el osciloscopio el voltaje de 𝑅gen (entrada) y 𝑅𝐿 (salida); obtengan las respectivas
corrientes mediante la ley de Ohm.

MULTISIM: 65.8654834

ESCRITO: 69.8158

d. Determinen la impedancia de entrada al amplificador como el cociente entre el

voltaje de entrada pico y la corriente de entrada pico.

MULTISIM: 300.16722408 Ω

ESCRITO: 380.9933 Ω

e. Por último, calculen la impedancia de salida. Para esto, eliminen 𝑅𝐿 del circuito y
midan el voltaje en la salida (la terminal del colector del transistor). A continuación,
reinserten 𝑅𝐿 y ajusten su valor hasta que el pico de voltaje sea la mitad del que
había sin 𝑅𝐿: el valor de resistencia que consigue eso es la impedancia de salida.

MULTISIM: 877 Ω

ESCRITO: 770.4415 Ω

PARAMETROS HIBRIDOS

 HFE:datasheet=75
 HIE: B*re = (75)(5.46210)=409.663854 Ω

 re: 26 mV/IE= 26 mV/4.76mA=5.462198

 Zi= R || hie = 5633.5877 || 529.53156
(5633.5877) (409.663854)/ 5633.5877+ 409.663854= 381.8933= 382 Ω
 Zo= Rc || RL= 1k Ω || 3.3 k Ω=767.44186

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 Av=- 75 (1k Ω)/ 409.663854 Ω= -183. 076923
 Ai= 75 (5633.5877 Ω) /5633.5877+409.663854 Ω = 69.915851= 70

FÍSICO

1. Construyan en físico el circuito mostrado en la siguiente figura (noten que no debe

haber conexión entre 𝑉𝐶𝐶 y el nodo que forman 𝑅gen y 𝐶1).

2. Simule el circuito mostrando la salida del voltaje sobre 𝑅𝐿 con al menos cinco
ciclos completos de la señal de entrada.

3. A partir de los datos de la simulación resuelvan lo que se pide a continuación: a.

¿Cuál es el punto de trabajo del transistor? Rellenen la siguiente tabla con los
valores requeridos (si no desean realizar todos los cálculos a mano, pueden pedirlos
directamente al simulador con un análisis de punto de operación [DC point operation
analysis] eligiendo las variables adecuadas). ¿Qué función realizan los capacitores
𝐶1-𝐶3?

IBQ ICQ VCEQ VBEQ

68.523×10−6µ𝐴 5.01𝑚𝐴 3.57 V 1.57 𝑉

7
b. Obtengan la ganancia de voltaje del amplificador. Para ello, coloque la
visualización del osciloscopio de tal manera que se vean las señales de entrada y
salida y midan el valor pico de cada una de ellas. ¿Se requiere algún signo para
reportar el valor de este parámetro?

c. Ahora determinen la ganancia de corriente del amplificador: para ello midan con
el osciloscopio el voltaje de 𝑅gen (entrada) y 𝑅𝐿 (salida); obtengan las respectivas
corrientes mediante la ley de Ohm.

d. Determinen la impedancia de entrada al amplificador

como el cociente entre el voltaje de entrada pico y la
corriente de entrada pico.

e. Por último, calcule la impedancia de salida. Para esto,

eliminen𝑅𝐿del circuito y mida el voltaje en la salida (la
terminal del colector del transistor). A continuación,
reinsertan 𝑅𝐿 y ajusten su valor hasta que el pico de
voltaje sea la mitad del que había sin 𝑅𝐿: el valor de
resistencia que consigue eso es la impedancia de salida.

VALORES RESULTADOS MULTISIM RESULTADOS

LABORATORIO

IBQ 63.40522321×10−6µ𝐴 68.523×10−6µ𝐴

ICQ 4.755391741×10−3𝑚𝐴 5.01𝑚𝐴
VCEQ 4.581588884 𝑉 3.57 V

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 VBEQ .07 V 1.57 𝑉
G.VOLATJE -180.0986 -192
G.CORRIENTE 69.8158 132 68
I.ENTRADA 380.993305 Ω 306.7 Ω
I.SALIDA 767.44186 Ω 524.5Ω

Observaciones:Con la comparación de valores y su posición de comparación mucho

más notoria para nuestra vista, es que podemos ver el margen de error que se
genera dentro de las vialidades que tomamos, esto muestra el espacio no
controlable por nosotros de los transistores, en donde los valores que manean los
fabricantes puede causar este tipo de aperturas dentro de las prácticas hechas a
mano con valores preestablecidos y a los que se recurren para la generar la mejor
situación posible

CONCLUSIONES

General

Con el desarrollo y finalización de la practica dentro de las más óptimas condiciones,

es que como equipo podemos concluir que el amplificador BJT 2N2222A , posee un
buen rendimiento tanto en bajas frecuencias, como en altas frecuencias, haciendo
que este sea lo suficientemente comercial, dando entonces que el amplificador
diseñado, se posee una impedancia de salida muy alta, con una corriente de base
pequeña, lo que hace que las ganancias de voltaje que se pueden obtener con el
amplificador sin que se sature el transistor son muy altas, lo cual genera el escenario
correcto y buscado desde los inicios del planteamiento de la práctica.

1. Adela Rianel Bautista Reyes

Durante el desarrollo de la practica huno bastantes conclusiones en los incisos y

mediante varios procesos en los que íbamos avanzando; durante diversos puntos
de la experimentación se nos presentaron diversos problemas y dudas sobre lo que

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íbamos obteniendo a la par con los aparatos de los cuales nos apoyábamos para
poder obtener un mejor análisis; los resultados fueron los obtenidos y obtuvimos un
análisis correcto y concreto acerca de los datos que buscábamos recopilar con los
amplificadores, además de poder observar estos mismos de una forma más gráfica
y “sencilla”.

2. Jorge Saúl Castañeda Miranda

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten
controlar el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales. En está
practica llegamos al resultado esperado obteniendo las mediciones correctas del
circuito elaborado fisicamente con los diversos componentes electronicos.

3. Francisco Manjarrez Domínguez

El realizar la práctica permitió de manera muy eficiente que todo lo que habíamos
estado analizando de manera teórica pudiera poner en práctica y así ver el
funcionamiento de circuitos eléctricos, mismos circuitos donde se podían denotar y
analizar las determinadas funciones del BJT. También de esta forma pudimos
obtener acciones amplificadoras que se pudieron analizar dentro del laboratorio,
permitiendo entonces tener más claros todos aquellos conocimientos que se nos
compartieron en la hora clase, permitiendo entonces tener una completa adquisición
de conocimientos, procedimientos y actitudes claves que complementan nuestra
formación académica, misma que el día de mañana podrá ser aplicada y
demostrada en un medio laboral, experimental o de cualquier índole en tiempo real.

4. María José Romero Delgadillo

En esta práctica pudimos apreciar lo que hemos estado viendo de forma teórica y
en problemas en la clase, pudimos poner a la práctica el análisis para utilizar las
funciones del BJT. En el laboratorio pudimos tener de forma más objetiva los
conocimientos de las acciones que tienen los amplificadores y la importancia de

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estos para poder llevarlos a cabo nuestra vida laboral. A su vez pudimos observar
que estos amplificadores son dispositivos que nos permiten controlar el paso de
corriente para aumentar el voltaje a través de sus terminales.

REFERENCIAS

 NASHELSKY, R. L. (2009). ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS . NAUCALPAN DE JUAREZ, ESTADO DE
MEXICO: PEARSON EDUCACION. Recuperado el 20 de octubre del 2022 en:
https://uelectronics.com/transistores-bjt/

 RAMIREZ, J. -J. (2016). SIMBOLOS Y COMPONENTES

ELECTRONICOS. CDMX: IMORI KIYS ELECTRONICA PARA LA
EDUCACION. Recuperado el 20 de octubre del 2022 en:
https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-5-teoria.pdf

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