Marco Teórico

DIODOS SEMICONDUCTORES
En la figura Nº 1. se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados juntos para formar una
unión. Esto representa un modelo simplificado de construcción del Diodo. El modelo ignora los
cambios graduales en la concentración de impurezas en el material. Los diodos prácticos se
construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con
material de tipo p y el otro con material de tipo n.

También se muestra en La figura Nº 1 el símbolo esquemático del diodo. Nótese que, en este
símbolo, la “flecha” apunta del material de tipo p al material de tipo n.

Figura Nº 1, Modelo simplificado del diodo

Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres: germanio, silicio y
arseniuro de galio. En general, el silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor
barrera de energía que permite La operación a temperaturas más altas, y los costos de material son
mucho menores. El arseniuro de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y
microondas. Sin embargo, resulta más caro que el silicio, y la fabricación de diodos de arseniuro de
galio es difícil.

La distancia precisa en la que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal varia
con la técnica de fabricación. La característica esencial de la unión pn es que el cambio en la
concentración de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la
unión no se comportará como un diodo. Existen casos donde la unión pn no se puede tratar como un
cambio abrupto en el tipo de material, sobre todo cuando el diodo se forma por difusión. Esto
provoca que la contaminación cercana a la unión esté escalonada; esto es, las concentraciones de
donadores y receptores son una función de la distancia a través de la unión.

Habrá una región desértica en la vecindad de la unión, como se muestra en la figura Nº 2(a). Este
fenómeno se debe a la combinación de huecos y electrones donde se unen los materiales. La región
desértica tendrá muy pocos portadores. Los portadores minoritarios a cada lado de esta región
(electrones en la región p y huecos en la región n) se trasladarán hacia el otro lado y se combinaran
con iones en el material, de la misma forma, los portadores mayoritarios (electrones en la región n y
huecos en la región p) se moverán a través de la unión.
 (a) (b) (c)
Figura Nº 2, Regiones desérticas

Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y
electrones a través de la unión se suman para formar la corriente de difusión, ID. La dirección de esta
corriente es del lado p al lado n. Además de la corriente de difusión, existe otra corriente debido al
desplazamiento de portadores minoritarios a través de la unión, y se conoce como IS. Algunos de los
huecos generados térmicamente en el material n se difunden, a través de este material, hacia el borde
de la región desértica. Allí experimentan el campo eléctrico y se deslizan, a lo largo de dicha región,
hacia el lado p. Los electrones reaccionan de la misma forma. Los componentes de estas acciones se
combinan para formar la corriente de deriva, IS. En condiciones de circuito abierto, la corriente de
difusión es igual a la corriente de deriva (en equilibrio). Si ahora se aplica un potencial positivo al
material p en relación con el material n, como se muestra en la figura Nº 2c, se dice que el diodo está
polarizado en directo.

La región desértica disminuye de tamaño debido a la atracción de portadores mayoritarios al lado

opuesto. Esto es, el potencial negativo a la derecha atrae huecos a la región p, y viceversa. Con una
región desértica más pequeña, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando se polariza en
directo, ID - IS = I, después de alcanzar el equilibrio, donde I es la corriente a través de la unión.

Por otra parte, si la tensión se aplica como en la figura Nº 2b, el diodo se polariza en inverso. Los
electrones libres se llevan del material n hacia La derecha; y, del mismo modo, los huecos se llevan
hacia la izquierda. La región desértica se hace mas ancha y el diodo actúa como un aislante. Cuando
se polariza en inverso, IS – ID = I, luego de alcanzar el equilibrio, donde I es la corriente a través de la
unión.

La curva que relaciona al voltaje aplicado versus la corriente que pasa por el dispositivo es no lineal.
Conforme la tensión en directo aumenta más allá de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es
necesaria una tensión mínima (tensión de umbral para la conducción), denotada por V, para obtener
una corriente significativa. Conforme la tensión tiende a exceder V, la corriente aumenta con rapidez.
La pendiente de la curva característica es grande pero no infinita. La tensión mínima necesaria para
obtener una corriente significativa, V, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores de silicio (a
temperatura ambiente) y de 0.2 V para semiconductores de germanio. La diferencia de tensión para el
silicio y el germanio radica en la estructura atómica de los materiales. Para diodos de arseniuro de
galio, la tensión V es más o menos 1.2 V.
 Figura Nº 3, Curva característica del diodo en polarización directa e inversa.

Cuando el diodo está polarizado en inverso, existe una pequeña corriente de fuga. Esta corriente se
produce siempre que la tensión sea inferior a la requerida para romper la unión. La corriente de fuga
es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicios o arseniuro de galio. Si la
tensión negativa es lo suficientemente grande como para estar en la región de ruptura, podría
destruirse un diodo normal. Esta tensión de ruptura se define como tensión inversa pico (PIV, peak
inverse voltage) en las especificaciones del fabricante (el apéndice D contiene hojas de
especificaciones representativas. A menudo se hará referencia a ellas en el texto, por lo que seria
conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura Nº 3 no
está a escala en la región inversa, ya que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de
tensión elevados (generalmente 50 V o más), El daño al diodo normal en ruptura se debe a la
avalancha de electrones, que fluyen a través de la unión con poco incremento en La tensión. La
corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se
conoce como la tensión de ruptura del diodo (VBR).

Los diodos se pueden construir para utilizar la tensión de ruptura a fin de simular un dispositivo de
control de tensión. El resultado es un diodo Tener.

Relación entre la corriente y la tensión en un diodo

Existe una relación exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible
escribir una expresión única para la corriente que se aplique a condiciones de polarización tanto en
directo como en inverso. La expresión se aplica siempre que la tensión no exceda la tensión de
ruptura. La relación se describe por medio de la ecuación Nº 1
  q v D 
 n k T 
iD Io  e  1 (Ec. Nº 1)

Los términos de la ecuación Nº 1 se definen como sigue:

iD= corriente en el diodo
vD= diferencia de potencial a través del diodo
Io = corriente de fuga
q = carga del electrón: 1.6xl0-19 coulombs (C)
k = constante de Boltzmann: 1.38x10-23 J/°K
T= temperatura absoluta en grados Kelvin
n = constante empírica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponencial de idealidad

La ecuación Nº 1 Se puede simplificar definiendo

k T
VT
q
Esto da
 vD 
 n  VT 
iD Io  e  1(Ec. Nº 2)
Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y solo en la región de polarización en directo (vD > 0),
entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente está dada aproximadamente por
 vD 
 n VT 
iD Io  e  (Ec. Nº 3)

Estas ecuaciones se ilustran en la figura Nº 4.

La corriente de saturación inversa, Io, es función de la pureza del material, de la contaminación y de

la geometría del diodo. La constante empírica, n, es un número propiedad de la construcción del
diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensión y de corriente. Sin embargo, algunos
diodos operan sobre un intervalo considerable de tensión con una constante n aceptable. Si n = 1, el
valor de n·VT es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, n·VT tiene un valor de 52 mV. Para diodos de
germanio, por lo común se considera que n es 1. Para diodos de silicio, la teoría de Sah-Noyce-
Shockley (SNS) predice que n debería ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de
silicio operan con n en el intervalo n = 1.3 a 1.6. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una
producción particular debido a La tolerancia durante la fabricación, la pureza del material y los
niveles de contaminación.
 Figura Nº 4, Relación tensión-corriente en el diodo

Ya se tiene la información necesaria para evaluar la relación entre la corriente y la tensión en un

punto de operación Q. Aunque las curvas para la región en directo mostradas en la figura Nº 3
recuerdan una línea recta, se sabe que la línea no es recta, ya que sigue una relación exponencial. Esto
significa que la pendiente de la línea se modifica conforme cambia iD. Se puede diferenciar la
expresión de la ecuación Nº 3 para encontrar la pendiente en cualquier iD dada:
 vD 
 n VT 
diD
Io 
e 
dv D n V T (Ec. Nº 4)

Para eliminar la función exponencial, se resuelve La ecuación Nº 2 a fin de obtener

vD
n VT iD
e 1
Io
Entonces, al sustituir esta expresión en la ecuación Nº 4 se tiene
diD iD  io
dv D  n VT
La resistencia dinámica, rd, es el reciproco de esta expresión, o

rD
 n V T    n V T 
 iD  io  iD
Aunque se sabe que rd cambia cuando cambia iD, se puede suponer fija para un intervalo de
operación específico. Se utiliza el termino Rf para denotar la resistencia del diodo en directo, la cual
se compone de rd y la resistencia de contacto.
Modelos de circuito equivalentes del diodo

El circuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silicio bajo
condiciones de operación en cd tanto en directo como en inverso. Las relaciones para este modelo se
aproximan a las curvas de operación del diodo de la figura 1.12. El resistor Rr representa la
resistencia en polarización inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (M). El
resistor Rf representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que 50 .
Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocircuito, o resistencia cero. La
resistencia de circuito del diodo práctico modelado en la figura 1.13(a) es Rr || Rf ≈ Rf

(a) Modelo en cd (directo e inverso) (b) Modelo simple en ca (inverso) (c) Modelo en ca (directo)
Figura Nº 5, Modelos de diodo

Bajo condiciones de polarización en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (circuito abierto),
y la resistencia de circuito del modelo práctico es Rr. El diodo ideal que es parte del modelo de la
figura 1.13(a) está polarizado en directo cuando la tensión entre sus terminales excede de 0.7 V.

Los modelos de circuito en ca son más complejos debido a que la operación del diodo depende de la
frecuencia. En la figura 1.13 (b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en
inverso. El capacitor Cj, representa la capacitancia de unión. En la figura 1.13(c) se muestra el
circuito equivalente en ca para un diodo polarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el
capacitor de difusión Cd, y el capacitor de unión Cj. La capacitancia de difusión Cd, se aproxima a
cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dinámica es rd y está dada por la pendiente de
la característica tensión-corriente. A bajas frecuencias, los efectos capacitivos son pequeños y rd es el
único elemento significativo.

TIPOS ALTERNOS DE DIODOS

Esta sección presenta brevemente los siguientes tipos de diodos:

a. Schottky
b. Varactor
c. Túnel
d. Emisor de luz
e. Fotodiodo
f. PIN
a. Diodos Schottky

El diodo schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino. a silicio de tipo n. se utiliza
a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Su símbolo y
su construcción se muestran en la figura Nº 6. El diodo schottky tiene una característica de tensión
contra corriente similar a la del diodo de unión pn de silicio, excepto porque la tensión en directo, es
0.3 v en vez de 0.7 v. cuando el diodo schottky se opera en modo directo, se induce corriente por el
movimiento de electrones del silicio de tipo n a lo largo de la unión y a través del metal. Como los
electrones se mueven casi sin resistencia a través de los metales, el tiempo de recombinación es
pequeño del orden de 10 ps. Esto es más rápido que un diodo ordinario de unión pn, por tanto, el
diodo schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. La capacitancia
asociada con el diodo es pequeña.

El material metálico en el contacto i y la región n poco contaminada forman una unión rectificadora,
mientras que la región n muy contaminada y el contacto 2 forman un contacto óhmico. Los electrones
en dirección directa del silicio de tipo n cruzan la unión hacia el metal, donde existen muchos
electrones disponibles. Esto produce un dispositivo de portadores mayoritarios que contrasta con los
diodos estándar de unión pn, donde los portadores minoritarios determinan las características del
diodo.

El diodo schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forman una barrera a través de la
unión debido al movimiento de electrones del semiconductor a la interfaz metálica.

Los diodos schottky son útiles en la tecnología de CI porque resultan fáciles de fabricar y pueden
construirse al mismo tiempo que los otros componentes del circuito integrado (chip). la fabricación
de un diodo schottky en un circuito integrado requiere de un paso menos que la fabricación de un
diodo de unión pn, ya que éste necesita la difusión adicional del tipo p. las características de bajo
ruido del diodo schottky lo hacen ideal para aplicaciones en supervisión de potencias de
radiofrecuencia de bajo nivel, en detectores de alta frecuencia y en mezcladores de radar doppler.

Figura Nº 6, Diodo schottky Figura Nº 7, Característica del diodo túnel

b. Diodos varactor

Los diodos de unión pn normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo de polarización
inversa. El diodo varactor se fabrica específicamente para operar en este modo. La capacitancia es
una función de la inversa de tensión. Por tanto, el diodo actúa como capacitor variable, donde el valor
de la capacitancia es una función de la tensión de entrada.
Un uso común de este diodo es en el oscilador controlado por tensión (VCO, voltage controlled
oscillator). El VCO es un generador senoidal cuya frecuencia de salida depende de la tensión de
entrada.

c. Diodos túnel (diodo Esaki)

El diodo túnel está más contaminado que el diodo Zener, provocando que la zona desértica sea
pequeña. Esto aumenta La velocidad de operación, por lo que el diodo túnel es útil en aplicaciones de
alta velocidad. Conforme aumenta la polarización directa, la corriente aumenta con mucha rapidez
hasta que se produce la ruptura. Entonces la corriente cae rápidamente. Esta característica se muestra
en la figura Nº 7. La región de pendiente negativa de la característica se puede modelar como
resistencia negativa en serie con una fuente de cd. El diodo túnel es útil debido a esta región de
resistencia negativa. Como ejemplo, se puede utilizar en conjunción con un circuito sintonizado para
producir un oscilador de alta frecuencia y alta Q.

La región de resistencia negativa de un diodo túnel se desarrolla de manera característica en el

intervalo de 50 mV a 250 mV. Esta tensión relativamente baja limita sus aplicaciones.

d. Diodos emisores de Luz y fotodiodos

Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energía eléctrica en fuente de energía
lumínica. El diodo emisor de luz (LED, light emitting diode) transforma la corriente eléctrica en luz.
Es útil para diversas formas de despliegues, y a veces se puede utilizar como fuente de luz para
aplicaciones de comunicaciones por fibra óptica.

Un electrón puede caer de la banda de conducción a un hueco y liberar energía en la forma de un

foton de luz. La relación entre momento y energía en el silicio y el germanio es tal que el electrón
libera su energía como calor cuando regresa de la banda de conducción a la de valencia. Sin embargo,
en un cristal de arseniuro de galio el electrón produce un fotón cuando regresa de la banda de
conducción a la de valencia. Aunque no existen suficientes electrones en un cristal intrínseco para
producir luz visible, cuando se aplica polarización directa, se inyecta un gran número de electrones
del material n al p. Estos electrones se combinan con huecos en el material p en el nivel de energía de
la banda de valencia, y se liberan fotones. La intensidad de la luz es proporcional a la velocidad de
recombinación de electrones y, por tanto, proporcional a la corriente del diodo. El diodo de arseniuro
de galio emite ondas de luz en una longitud de onda cercana a la banda infrarroja. Para producir luz
en el intervalo visible, se debe mezclar fosfuro de galio con el arseniuro de galio.

Un fotodiodo realiza la función inversa al LED, esto es, transforma la fuente de energía lumínica en
corriente eléctrica. Se aplica polarización inversa al fotodiodo y la corriente de saturación inversa se
controla por la intensidad de luz que ilumina el diodo. La luz genera pares electrón-hueco, que
inducen corriente. El resultado es una “foto corriente” en el circuito extremo, que es proporcional a la
intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante
mientras la tensión no exceda la tensión de avalancha. Los tiempos de respuesta son inferiores a 1 s.
La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el área de la unión se hace mayor, ya que se pueden
colectar más fotones, pero esto también aumenta el tiempo de respuesta pues la capacitancia de unión
se vuelve mayor.

En la figura Nº 8 se muestra un fotodiodo. La corriente inversa, -Ip, aumenta conforme lo hace la

intensidad de luz, H. Se puede utilizar la ecuación Nº 1 para estimar la corriente del fotodiodo, Ip:

Ip =qH (Ec. Nº 5)
Donde:
= eficiencia cuántica
q = carga del electrón: 1.6 x 10-19
H = .A = intensidad de luz en fotones/s
= densidad de flujo de fotones en fotones/s-cm2
A = área de La unión en cm2

Muchos detectores de luz de silicio consisten en un fotodiodo de unión y un amplificador, casi

siempre en un circuito integrado.

Figura Nº 8, El fotodiodo

e. Diodos PIN

Un diodo que tiene una región poco contaminada y casi intrínseca entre las regiones p y n se llama
diodo PIN. El nombre se deriva del material intrínseco entre las capas p y n. Debido a su
construcción, el diodo PIN tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicación en frecuencias
altas. Cuando se polariza en directo, la inyección de portadores minoritarios aumenta la
conductividad de la región intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la región i se vacía totalmente
de portadores y la intensidad del campo a través de la región es constante. La estimación máxima de
tensión del diodo se determina por la intensidad del campo crítico para la avalancha y el espesor de la
región i.

Los diodos PIN se utilizan en conmutadores de radiofrecuencia, alternadores y desplazadores de fase

en radiofrecuencia. Con una corriente de control variable, los diodos PIN se utilizan en modulación
de amplitud.
Símbolos y encapsulados de diferentes tipos de de diodos.

Figura N° 9, Vista de varios encapsulados

Figura N° 10, Vista lateral e inferior de un diodo led.

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TÁCHIRA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
NÚCLEO DE ELECTRICIDAD
LABORATORIO DE MEDICIONES
CÓ D IGO : 21 3401 L
SEMESTRE: 4TO / 2 HORAS SEMANALES / 1 U.C.

Practica N° 0, Introducción al Laboratorio de Mediciones

OBJETIVOS

1. Verificar el estado operativo de un diodo de pequeña señal con un tester digital.

2. Verificar experimentalmente la tensión de umbral cuando el diodo empieza a conducir y la curva característica Vd vs
Id.
3. Conocer el manejo operativo de un voltímetro y de un amperímetro.
4. Implementar en protoboard un diagrama esquemático para conocer su funcionamiento.

PRE-INFORME.

1. Realizar la simulación del circuito de la figura Nº 1.

2. Realizar la simulación del circuito de la figura Nº 2
3. Considerando los valores de corriente y de voltaje obtenidos en la simulación determine los rangos de la escala a
utilizar para cada instrumento de medición.

EJECUCIÓN.

Actividad N° 1.
1. Monte el diagrama esquemático de la figura Nº 1.

Figura Nº 1, Diagrama esquemático para la actividad Nº 1.

2. Solicite la revisión del montaje al profesor o a la técnico, antes de energizar el circuito.

3. Incrementa el valor de la fuente en 0.5
4. Proceda a tomar las lecturas respectivas del amperímetro, voltímetro y del valor de la fuente para anótarlas en la
tabla de datos Nº 1.
 Tabla Nº 1, Datos experimentales para el circuito de la figura Nº 1.

Fuente [V] Id Vd Rd []

5. Repita los pasos 3 y 4 hasta llegar al valor de 17 V.

6. Llame al profesor para revisar algunos valores anotados en la tabla.
7. Des energize el mesón y desmonte el circuito en forma ordenada.
Actividad N° 2.
1. Monte el diagrama esquemático de la figura Nº 2.

Figura Nº 2, Diagrama esquemático para la actividad Nº 2.

2. Solicite la revisión del montaje al instructor antes de energizar el circuito.
3. Verifique el funcionamiento del circuito, anotando en la tabla Nº 2 los valores de estado de encendido de cada
uno de los led y los valores respectivos en cada entrada.

Tabla Nº 2, Datos experimentales para el circuito de la figura Nº 2.

Entrada Valor (5V / 0V) Salida Estado (ON/OFF)
1A1 1Y1
1A2 1Y2
1A3 1Y3
1A4 1Y4
2A1 2Y1
2A2 2Y2
2A3 2Y3
2A4 2Y4

4. Llame al profesor para revisar algunos valores anotados en la tabla.

EVALUACIÓN

1. Graficar la curva Id vs Vd del diodo con los datos obtenidos en el laboratorio.

2. Calcular para cada valor medido la resistencia dinámica (Rd). Anotar cada resultado en la tabla Nº 1.
3. Graficar la curva Rd vs Id.
CUESTIONARIO.

1. Como se reconoce visualmente el cátodo en un LED y en un diodo de pequeña señal.

2. Describir el procedimiento para verificar que un diodo no esta funcionando.
3. Proponer un diagrama esquemático para verificar visualmente la operación de un led.
4. Verificar la correspondencia entre la curva Id vs Vd experimental en polarización directa del diodo con la curva
real.
5. Como es la relación entre la resistencia dinámica y la corriente del diodo en la grafica Rd vs Id.
6. Según la grafica obtenida de Id vs Vd, el dispositivo es lineal o no lineal.
7. Comparar el voltaje de conducción [V] experimental con el teórico, calcule la diferencia.

LISTA DE INSTRUMENTOS

1. Miliamperímetro C.C.
2. Multímetro digital.
3. Cables.
4. Protoboard.
5. Fuente de alimentación de C.C. variable.

DISPOSITIVOS A TRAER POR PARTE DEL ESTUDIANTE

1. Diodo 1N4001, cantidad uno [1]

2. Resistencia de 200  cantidad ocho [8]
3. Resistencia de 1 Kcantidad uno [1]
4. diodo led rojo, cantidad ocho [8]
5. Integrado 74LS541, cantidad uno [1]
6. Cable telefónico de 4 a 8 pares [0.5 m]
7. Pinza para sostener y doblar cable.
8. Tenaza pequeña para cortar y pelar cable.
9. Regla o un escalimetro.

Nota: el cable telefónico es para que realizan los jumper. Pueden traerlos hechos, al menos 10 de longitud de 5 cm cada
uno. También para realizar cortos. Pueden hacer jumper con alambre desnudo de longitud de 20 mm. Esto con el fin de
ahorrar tiempo en el montaje del segundo circuito
Univ ers ida d N ac iona l Ex per i ment al de l Tá chir a
Dep ar ta men to d e I nge nie r ía E lec tr ón ica
NÚCLEO DE ELECTRICIDAD
ASIGNATURA: LABORATORIO DE MEDICIONES
CÓDIGO: 213401L
SECCIÓN __ / DÍA:________ HORA: _ – _ _._. FECHA: __ / __ / __

HOJA DE DATOS

Practica N° : 0 Grupo N° : ______ Integrantes: __________________________________

__________________________________
__________________________________

Tabla Nº 1, Datos experimentales para el circuito de la figura Nº 1.

Fuente [V] Id Vd Rd []
Univ ers ida d N ac iona l Ex per i ment al de l Tá chir a
Dep ar ta men to d e I nge nie r ía E lec tr ón ica
NÚCLEO DE ELECTRICIDAD
ASIGNATURA: LABORATORIO DE MEDICIONES
CÓDIGO: 213401L
SECCIÓN __ / DÍA:________ HORA: _ – _ _._. FECHA: __ / __ / __

HOJA DE DATOS

Practica N° : 00 Grupo N° : ______ Integrantes: __________________________________

__________________________________
__________________________________

Tabla Nº 2, Datos experimentales para el circuito de la figura Nº 2.

Entrada Valor (5V / 0V) Salida Estado (ON/OFF)

1A1 1Y1
1A2 1Y2
1A3 1Y3
1A4 1Y4
2A1 2Y1
2A2 2Y2
2A3 2Y3
2A4 2Y4