Informe Previo 3

Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones

________________________________________________________________________________
INFORME PREVIO DE LABORATORIO DE

ELECTRONICA I – EE 428
UNIVERSIDAD N
TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR CORTE, SATURACION Y ZONA ACTIVA
SECCION: Q
GRUPO N°: 1
NOMBRE DEL ALUMNO: CONDORI LOPEZ LUIS ENRIQUE
DOCENTE: VIRGINIA GENOVEVA ROMERO FUENTES
FECHA DE ENTREGA: 14/11/2022
LIMA - PERU
2022 - 2ECTRICA Y ELECTRONICA
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ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI – FIEE

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I. OBJETIVO GENERAL
..........................................................................................................................................................
II. OBJETIVOS ESPECIFICOS

 Identificar las rectas de carga y punto de operacion
 Conocer las operaciones del transistor en las zonas activa, de corte y de saturacion
 Adquirir destrezas y habilidades en el manejo de equipos y circuitos determinar el
comportamiento de un circuito.
III. MARCO CONCEPTUAL
A. Transistor Bipolar…
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT
(siglas de su denominación inglesa Bipo-lar Junction
Transistor), es un dispositivo de tres terminales
denominados emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que
aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de
ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base. La
mayoría de funciones electrónicas se realizan con circuitos
que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de
campo, los cuales son los dispositivos básicos de la
electrónica moderna.
B. Polarizacion del transistor biporlar…
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las
corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo
queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es
posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o
en corte, cambiando las tensiones y componentes del
circuito en el que se engloba.
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Corte…
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula
corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de
cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte
cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última
condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido
contrario al que llevaría en funcionamiento normal). Para
polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en
directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con
que VBE=0.
Activa…
La región activa es la normal de funcionamiento del
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se
cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.
Saturación…
En la región de saturación se verifica que tanto la unión
base-emisor como la base-colector se encuentran en directa.
Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica
sólo lo siguiente:
Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2
voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se
encuentra en saturación circula también corriente por sus
tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β
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IV. CONOCIMIENTO PREVIO A LA PRACTICA
a. Determinar la resistencia R1 del circuito - fig 1, que facilite el corte y saturación de

manera más rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio.
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c. Realizar los cálculos teóricos de los circuitos dados para completar la tabla
V3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
VC 12 11.9 11. 11.1 10.8 10.5 10.3 10. 9.9 9.76 9.63 9.54 9.45 9.38 9.34 9.30 9.25
(V) 5 1
VB 0. 0.63 1.1 1.59 2.08 2.58 3.08 3.5 4.09 4.6 5.1 5.61 6.11 6.62 7.13 7.63 8.14
(V) 72 9
µV
IC 0. 0.22 0.9 1.61 2.25 2.86 3.42 3.9 4.45 4.92 5.37 5.81 6.13 6.33 6.49 6.61 6.72
(mA) 12 2 5
µA
IB 0 0.73 3.2 5.81 8.47 11.1 13.8 16. 19.2 21.9 24.6 27.4 30.1 32.8 35.5 38.1 40.8
(uA) 5
Beta 80 301. 287 277. 265. 257. 247. 239 231. 224. 218. 212. 203. 192. 182. 173. 164.
(β) 0 37 .5 11 64 66 83 .4 77 66 29 04 65 99 82 49 71
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V. EQUIPOS Y MATERIALES
 01 transistor
 01 protoboard
 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W
 02 Fuente DC; puntas de prueba
 01 protoboard y cables conectores
 01 multímetro
 Resistencias
 01 Potenciómetro lineal
 01 Generador de funciones
 02 transistores
 02 Diodos LED
 01 Osciloscopio, puntas de prueba
 01 amperímetro analógico
VI. BIBLIOGRAFÍA
[1] https://www.ecured.cu/Transistor_Bipolar
[2] El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed.Addison-Wesley Iberoamericana, 2ªedición, 1994
[3] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ªedición, 1992
[4] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1ªedición, 1992
[5] Diseño electrónico. Circuitos y sistemas C.J.Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.Addison-
Wesley Iberoamericana, 1ªedición, 1992
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TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR CORTE, SATURACION Y ZONA ACTIVA

NOMBRE DEL ALUMNO: CONDORI LOPEZ LUIS ENRIQUE

DOCENTE: VIRGINIA GENOVEVA ROMERO FUENTES

FECHA DE ENTREGA: 14/11/2022

ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI – FIEE

II. OBJETIVOS ESPECIFICOS

El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT

(siglas de su denominación inglesa Bipo-lar Junction

Transistor), es un dispositivo de tres terminales

denominados emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que

aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de

ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es

controlada por la corriente en el terminal de base. La

mayoría de funciones electrónicas se realizan con circuitos

que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de

campo, los cuales son los dispositivos básicos de la

B. Polarizacion del transistor biporlar…

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las

corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo

queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es

posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o

en corte, cambiando las tensiones y componentes del

circuito en el que se engloba.

ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI – FIEE

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula

corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de

cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte

cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última

condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido

contrario al que llevaría en funcionamiento normal). Para

polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en

directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con

La región activa es la normal de funcionamiento del

transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se

cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en

directa y la colector-base en inversa.

En la región de saturación se verifica que tanto la unión

base-emisor como la base-colector se encuentran en directa.

Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de

saturación suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se

encuentra en saturación circula también corriente por sus

tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β

ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI – FIEE

a. Determinar la resistencia R1 del circuito - fig 1, que facilite el corte y saturación de

ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI – FIEE

ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI – FIEE

 01 Resistencia de 100Ω; 2de 1KΩ de 1W

 02 Fuente DC; puntas de prueba

 01 protoboard y cables conectores

 01 Osciloscopio, puntas de prueba

[2] El transistor bipolar Gerold W. Neudeck Ed.Addison-Wesley Iberoamericana, 2ªedición, 1994

Addison-Wesley Iberoamericana, 1ªedición, 1992

Addison-Wesley Iberoamericana, 1ªedición, 1992