Transistores

TRANSISTORES
¡¡¡ IMPORTANTE !!!

No es un dispositivo simétrico ni lineal
Descubiertos por
Shockley, Brattain y
Barden en 1947
(Laboratorios Bell)
TRANSISTORES
NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO
DE CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTO
R CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor

TRANSISTOR En principio un transistor bipolar está formado
BIPOLAR por dos uniones PN.
Base Para que sea un transistor y no dos diodos

(B) deben de cumplirse dos condiciones.
Emisor
Colector (E) 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(C) N P N (Fundamental para que sea transistor).
2.- El emisor debe de estar muy dopado.

C
SÍMBOLO B Normalmente, el colector está muy poco
dopado y es mucho mayor.
E
Dispositivos que regulan un flujo de

corriente mediante una cantidad
pequeña de energía.
(varía la conductividad entre dos
terminales actuando sobre un tercer
E terminal de control)
B
SÍMBOLO C
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
P N P
El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula

entre los otros dos terminales (emisor y colector)
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Base
Emisor Colector
Transistor PNP
P N P
El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción

de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector.
El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
TRANSISTOR BIPOLARES
Características eléctricas del transistor bipolar
Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3
tensiones y 3 corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada
I C, I B , I E
IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
En la práctica basta con conocer solo
IB - VCE 2 corrientes y 2 tensiones.
+
VBE Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE
IE y VBE.
-
-
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fácilmente:
IE = I C + I B
IC = f(VCE, IB) Característica de salida
VCB = VCE – VBE (de poca utilidad)
Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada  VCE
IC IB
+
IB VCE
+
VBE VBE
-
-
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.
La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.

CARACTERÍSTICA DE SALIDA IDEAL DE UN
TRANSISTOR NPN
C
IC [mA]
B
IB [mA] =
E 30
3000
ZONA DE  = 100 ZONA ACTIVA:
SATURACIÓN: 2000 20 Comportamiento
Comportamiento como Fuente de
como interruptor 1000 10 Corriente.
cerrado.
0
VCE
ZONA DE CORTE:
Funcionamiento asimilable al de una Comportamiento
fuente de corriente controlada por como interruptor
corriente abierto.
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

base IB.
CARACTERÍSTICAS REALES DE LOS TRANSISTORES
Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
CMax
VCE = 0 VCE1 VCE2
IB5
Saturación IB4 PMax = VCEIC
IB3
Avalancha
IB2 Primaria
IB1
VBE IB= 0
1V VCEMax VCE
Característica
Corte
de Entrada
Característica
de Salida
Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC
+
IC Zona IB
+ activa + ·IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturación + IC<·IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
TRANSISTOR BIPOLAR:
PARÁMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
Limitaciones
IC
C
IC-MAX Corriente máxima de colector
ICMAX B
VCE-MAX Tensión máxima CE E
PMAX Potencia máxima PMAX
SOAR
VCE-MAX
VCE
Área de operación segura
(Safety Operation Area)
POLARIZACION DE UN TRANSISTOR
Polarización fija
Vcc = Vce + Ic . Rc
EL TRANSISTOR COMO LLAVE
USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I  = 100
40 mA
Sustituimos el interruptor
principal por un transistor.
La corriente de base debe ser

suficiente para asegurar la zona Condic de saturación IB>Ic/β
de saturación.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas,
rapidez, permite control desde
sistema lógico.
USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor
12 V  = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un
transistor. ON
PF (ON) 3 A
La corriente de base (ahora OFF
circula al revés) debe ser
suficiente para asegurar la zona
de saturación. 12 V VEC
PF (OFF)
Circuito autopolarizado
Estudio del transistor como amplificador
Modelo hibrido simplificado

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* FET : Field Effect Transistor

Base Para que sea un transistor y no dos diodos

2.- El emisor debe de estar muy dopado.

Dispositivos que regulan un flujo de

El terminal central (base) maneja una fracción de la corriente que circula

El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción

IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada  VCE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

Saturación IB4 PMax = VCEIC

PMAX Potencia máxima PMAX

La corriente de base debe ser

Modelo hibrido simplificado

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