INFORME Análisis Del Transistor
INFORME Análisis Del Transistor
INFORME Análisis Del Transistor
Practica No 2
Presentado por:
Presentado a:
Popayán/Cauca
4/12/2022
Tabla de contenido
INTRODUCCION...........................................................................................................................................1
DESARROLLO...............................................................................................................................................2
ANALISIS DC DEL CIRCUITO DE POLARIZACION POR MEDIO DE DIVISOR DE VOLTAJE................................2
ANÁLISIS TEÓRICO...................................................................................................................................2
SIMULACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR POR DIVISION DE TENSION......................................................4
VARIACION DE LA RED DE POLARIZACIÓN...............................................................................................5
CONCLUSIONES PARTICULARES DEL PRIMER PUNTO:.............................................................................9
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) ANÁLISIS DE AC.............................................................................................10
VARIACION DE LA GANACIA DEL CIRCUITO...........................................................................................14
CONCLUSIONES PARTICULARES DEL PUNTO 2.......................................................................................17
TRANSITOR EN CORTE Y SATURACION......................................................................................................18
ANALISIS PARA SATURACIÓN.................................................................................................................19
CONCLUSIONES PARTICULARES 3 PUNTO :...........................................................................................22
CONCLUCIONES GENERALES:....................................................................................................................23
WEBGRAFIA...............................................................................................................................................23
INTRODUCCION
1
DESARROLLO
ANÁLISIS TEÓRICO
Esta configuración es muy utilizada como fuente de corriente, también se conoce como circuito
amplificador, la idea principal de este circuito es proporcionar una corriente de colector (o
emisor) constante e independiente del ß y de la temperatura.
Imagen 1
2
Ahora se tiene la malla de base simplificada, y se
aplica ley de voltajes Kirchhoff con el fin de
encontrar la corriente de base nótese que se utiliza
los conceptos de relacion de las corrientes de base,
colector y emisor para poder plantear la ecuación y
se obtiene que la corriente de base , y concuerda
con la teoría ya que es muy pequeña con respecto a
la corriente del colector y emisor , para la malla de
salida también se plantea ley de voltajes de
Kirchhoff y se obtiene el voltaje colector emisor
(VCE), como ya se había obtenido una corriente
particular de base igual a 37.7uA, entonces quiere
decir que tanto la corriente de colector igual a 3.23
mA y el voltaje base emisor equivalente a 8.24
esta en el punto Q como se observa en la imagen 2.
Imagen 2
Imagen 3
3
SIMULACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR POR DIVISION DE TENSION
Para la simulación del circuito se utilizo el programa Proteus 8 para lo cual se monta el circuito
utilizando un transistor NPN y se configura el beta en 90 y el NF en 0.87 para que el voltaje base
emisor sea de 0.7 voltios y se aproxime más a el análisis que se ha hecho, como se muestra en
la imagen 4 se ha asignado nombres a la base , al colector , al emisor y a los puntos entre la
resistencia 2 para medir sus voltaje , también se ha puesto amperímetros de corriente directa en
las respectivas corrientes, al correr la simulación se observa cada uno de los valores obtenidos en
el anterior análisis con un mínimo porcentaje de error como por ejemplo el voltaje colector
emisor que en el análisis teórico equivale a 8.24 v y en la simulación a 8.27 volts , también
tenemos la Recta No 1 con la resistencia No 2 igual a 1.5kΩ
Imagen 4
La grafica No1 describe la recta de carga, si en la resistencia número 2 (R2) se le asigna un valor
de1.5kΩ como podemos observar en la recta con esta resistencia el punto Q se encuentra casi en
la mitad que corresponde a una corriente de colector de aproximadamente 3.43 mA y a un voltaje
colector emisor de 8.24 v.
4
Grafica No 1
8
7
6
5
IC (mA)
4 Q (3.43mA,8.24V)
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCE (V)
Se inicia variando la resistencia 2 (R2) a un valor de 3k para lo cual se obtiene una corriente de base igual
a 75.4 uA una corriente de colector de 6.79mA y un voltaje colector emisor equivalente a 1.59 volts
como lo muestra en la imagen 5
Imagen 5
5
En la gráfica No2 se puede observar que al aumentar la resistencia 2 (R2) a 3kΩ se aumenta la
corriente del colector y se disminuye el voltaje colector emisor.
GRAFICA No2
7.618 Q (1.59mA, 6,79V)
7
5
IC (mA)
0
0 2 4 6 8 10 12 14 15 16
VC (V)
Ahora se pretende encontrar el valor de resistencia R2 para que la corriente en el colector sea de 2 mili
Amperios (2mA), para lo cual se procede a plantear 2 ecuaciones para el voltaje de la base a tierra como
se indica en la imagen 6 , el voltaje de base (VB) es equivalente al voltaje de base emisor (VBE) que es
igual a 0.7 volts, mas el voltaje en la resistencia de emisor (RE) que por ley de ohm se plantea como la
corriente de emisor (IE) por la resistencia de emisor y tenemos la primera ecuación E1 , para el segundo
planteamiento se mira el voltaje de base como el voltaje en la resistencia dos, que equivale al voltaje
Thévenin utilizando divisor de voltaje se tiene que el voltaje de la fuente por la resistencia dos todo lo
anterior dividido entre la resistencia dos mas la resistencia 1 (que equivale a 8kΩ), y de esta manera se
tiene planteada la segunda ecuación . se tendrá en cuenta que la resistencia de colector es
aproximadamente la corriente de emisor para el desarrollo del sistema de ecuaciones que en
consecuencia de su análisis nos arroja el resultado de 0,98kΩ que se aproxima a 1kΩ, ahora se procede a
calcular el voltaje colector emisor (VCE) para completar nuestro punto de trabajo en la recta de carga
entonces se plantea que el voltaje colector emisor es igual al voltaje de la fuente menos la corriente del
colector por la suma de las resistencias de colector y emisor por lo que se obtiene un voltaje de 11.06
volts como se muestra en la imagen 6.
6
Imagen 6
En la imagen 7 se observa la simulación para del anterior análisis en el cual se coloca un amperímetro en
serie con en colector y nos muestra una corriente de 2 miliamperios, también se coloca amperímetros
DC en la base y en el emisor indicándonos corrientes de 22,2microamperios y 2,02 miliamperios
respectivamente, para monitorear el voltaje de colector emisor hemos colocado puntos de referencia
“C” y “E” y posteriormente hemos puesto dichos puntos en los terminales del voltímetro DC que se
muestra en la imagen 7 como “Voltaje colector emisor” , de la misma manera para el voltaje en la
resistencia 2 que es equivalente a un voltaje Thévenin se toma como puntos de referencia TH Y X.
7
Imagen 7
Ahora planteada la ecuacion lineal del voltaje de colector emisor al hacer cero la corriente del
colector el voltaje colector emisor es equivalente al de la fuente en DC que es igual a 15 volts, y
al hacer cero el voljaje colector emisor la corriente de colector es igual al voltaje de la fuente DC
sobre la suma de las resistencias de colectro y emisor igual a 15 volts entre 1,97kΩ , y por tanto
cuando el voljate colector emisor es cero la corriente de colector es 7,61miliamperios como se
indica en la grafica No 3 .
8
GRAFICA No 3
8
5
IC (mA)
3
(2mA, 11,06V)
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
VCE (V)
9
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) ANÁLISIS DE AC
Se inicia la simulación con un transistor 2n2222 el cual se polariza por divisor de voltaje con una fuente
en DC de 10 voltios , las resistencias 1 y 2 son de 100kΩ y 10kΩ respectivamente , también la resistencia
de colector y emisor con un valor de 10kΩ se procede a poner amperímetros en DC en cada una de las
terminales del transistor como son la base , colector y emisor esto con el fin de calcular sus corrientes,
nótese que se debe poner la medida de la corriente en el amperímetro como por ejemplo
microamperios (uA) en el amperímetro de la base ,también se colocan nodos de referencia en la base
(B), colector (C), emisor (E) y tierra (T), Esto con el fin de medir los voltajes que caen entre esos nodos
como se indica en la imagen 8.
Imagen 8
10
Para nuestro análisis teórico se plantea primero un análisis en DC para lo cual se aplica el mismo
procedimiento que en el anterior punto, se plantea un voltaje Thévenin igual a 0.9 volts, resistencia
Thévenin igual a 9.09 kΩ, corriente de base igual a 0.17uA, esta corriente se multiplica por el beta del
transistor 2n2222 que después de hacer pruebas de relación entre las corrientes de colector y emisor
con el concepto de que la corriente de colector es beta veces la corriente de base se obtiene un beta de
200, el cual utilizaremos en nuestro análisis teórico, por tanto la corriente de colector es
aproximadamente 0.033 miliamperios , voltaje colector emisor 9,4 volts , corriente de colector máxima
de 0.5 mili amperios y voltaje máximo de 10 votitos para completar la recta de carga estos
procedimientos se ilustran en la imagen 9 y en la gráfica No 4 a continuación.
Imagen 9
11
GRAFICA No4
0.6
0.5
0.4
IC (mA)
0.3
0.2
0.1
Q(0,03mA,9,4V)
0
0 2 4 6 8 10 12
VCE (V)
Para el análisis AC se plantea el modelo de Ebers-Moll en este modelo se tiene en cuenta la resistencia
re que es el remplazo de el diodo base emisor , de el se conoce su voltaje que es de 26 miliamperios y la
corriente que esta pasando por la resistencia re es la de emisor , por tanto al dividir 26milivoltios entre
0.033 miliamperios se obtiene la resistencia re , para conocer la impedancia de entrada se calcula las
resistencias 1, 2, y la resistencia reflejada en el modelo que es Beta por re, en paralelo la cual es igual a
787,87Ω , la impedancia vista desde la señal de salida es RC igual a 10kΩ ya que en el modelo se asume
ro muy grande y al hacer el paralelo con la resistencia de colector queda la misma resistencia RC, la
ganancia de corriente es beta igual a 200, y la ganancia de voltaje es equivalente a menos RC entre re
igual a -12.69 nótese que por cada voltio nos amplifica 12,69 veces el voltaje y el menos quiere decir que
la señal está desfasada π radianes este procedimiento se observa en la imagen 10.
12
Imagen 10
Para la simulación en AC debemos poner capacitores que a causa del voltaje alterno entraran en
continuidad, y en consecuencia la resistencia RE esta abierta, dichos capacitores se les asigna un valor
de 4.7microfaradios, en el la señal de entrada tenemos un voltaje de un milivoltio y una frecuencia de 1k
HZ, esta señal es llevada al osciloscopio en la entrada A de color amarillo , y la señal de salida al terminal
B de color azul, según el análisis que hicimos anteriormente la ganancia de voltaje del circuito fue de
-12.69 voltios y también desfasada π radianes por tanto la señal de entrada se amplifico como lo
muestra en a figura 11.
13
Imagen 11
Para la variación de la ganancia de voltaje tenemos que aumentar la resistencia RC ya que “re” se
mantiene constante porque independientemente de la variación de RC la malla de entrada se mantiene
igual y por lo tanto la corriente de base se mantiene y en consecuencia obliga a la corriente del colector
a permanecer igual , sin embargo hay cambios en el voltaje colector emisor para el punto de trabajo y la
corriente de colector máxima , para la ganancia de voltaje tenemos -15kΩ sobre re = 787,87Ω
equivalente a -19.0386 procedimiento ilustrado en la imagen 12, nótese que se aumento la ganancia
respecto al anterior circuito .
14
Imagen 12
Para la simulación se procede a colocar un transistor 2n2222 el cual tiene una ganancia de 200 en
corriente, los polarizamos con resistencias en configuración por divisor de voltaje con un condensador
de acople en la resistencia de emisor, también ponemos una señal alterna en la entrada de base del
transistor de un milivoltio a una frecuencia de 10kHZ, seguida de un condensador , la señal de salida
está en el colector precedida de otro condensador , en este caso hemos variado la resistencia RC a 15k
para variar la ganancia por lo cual la señal se nos debe amplificar aproximadamente 7 veces mas que
cuando tenia la resistencia de 10k este procedimiento se ilustra en la imagen 13.
15
Imagen 13
En la simulación de la imagen 14 se cambia la resistencia RC a un valor de 1kΩ que es mucho menor a los
anteriores y se observa que la amplificación es muy mínima.
Imagen 14
16
CONCLUSIONES PARTICULARES DEL PUNTO 2
Para encontrar el beta de un transistor, se procede a medir las corrientes de base y colector ya
que están relacionadas por el concepto de Ic = βIb.
Si queremos amplificar una señal de voltaje en AC se debe proceder a variar RC a valores mas
grandes que la resistencia re entre más grandes más va a ser la amplificación de voltaje
17
TRANSITOR EN CORTE Y SATURACION
Para utilizar un transistor en corte y saturación se utilizara la configuración por emisor común e la cual
se encontrara una fuente de base (VBB) y una fuente de colector (VCC) con sus respectivas resistencias
para el diseño del circuito se encuentra una fuente Arduino la cual no brinda la suficiente corriente para
activar el motor para lo cual se procede a amplificar la corriente de entrada por medio de un transistor
npn 2n2222 el cual tiene una ganancia de corriente β= 200, soportando un voltaje base emisor de 40
voltios y una corriente de 600 miliamperios, se necesita que la corriente que pasa por el motor debe ser
máxima de 50 miliamperios con un voltaje de fuente de colector de 12 voltios, para que el transistor se
comporte como un interruptor y deje pasar la corriente se debe garantizar que el voltaje colector emisor
sea aproximadamente cero (VCE=0.3) y se dice que el transistor esta en continuidad , y en corte el
transistor será un circuito abierto con el voltaje de la fuente VC, se ilustra en la imagen 15.
Imagen 15
18
ANALISIS PARA SATURACIÓN
Para la saturación del transistor se tiene que garantizar que el voltaje base emisor sea mayor que 0.7 y
que la corriente de base sea la corriente del colector en saturación entre el beta asumido, por tanto
tenemos que la corriente de base es equivalente a 50 miliamperios entre 200 que es igual a 250 micro
amperios , para garantizar esta corriente se debe colocar una resistencia en la base que se la encuentra
despejando la resistencia en la malla de entrada y se obtiene una resistencia máxima para saturación
que es de 10kΩ, para el montaje se utilizara un resistencia promedio para que no pase mucha corriente
al transistor y provoque su ruptura, para la resistencia RC de la malla de salida se utiliza el conecto de
que el voltaje colector emisor es mínimo y por ende la resistencia RC es el voltaje de entrada VCC entre
la corriente de colector y se obtiene RC = 240 para saturación y con los anteriores datos se construye la
recta de carga como se ilustra en la imagen 16.
Imagen 16
19
Para la simulación se utilizan los terminales de voltaje en la malla de entrada VBB= 3.3V y en la de salida
de VCC= 12V , utilizamos un transistor npn con una ganancia de corriente de 200 y las resistencias
asumidas en los cálculos anteriores, nótese que los amperímetros en la base y el colector están dando
corrientes muy cercanas a las calculadas anteriormente y que el voltaje colector emisor es muy pequeño
y el voltaje base emisor es mayor que 0.7v , por tanto el transistor está en saturación este
procedimiento se ilustra en la imagen 17 y 18.
Imagen 17
20
Imagen 18
Para el montaje del motor utilizamos baterías de 3,3 voltios en la malla de entrada y 12 voltios en la
malla de salida , utilizamos la resistencia de base promedio para no romper el transistor 2n2222 con una
ganancia de corriente de 200 la cual amplifica la corriente de base a 50 miliamperios , también se
utilizan puntos de referencia para medir el voltaje entre la base y emisor y entre el colector y la base ,
que nos dan valores de 0.8 motor que 0.7 y 0.14 menor que 0,3 para que el circuito este en saturación y
el transistor este en continuidad y permita el funcionamiento del motor que esta acoplado a un diodo
de protección procedimiento ilustrado en la imagen 19.
21
Imagen 19
Los transistores en saturación hacen pasar toda la corriente en la malla de salida y el voltaje
colector emisor es aproximadamente cero
Cuando la corriente del colector es cero el voltaje colector emisor es igual al voltaje de la fuente
de la malla de salida
22
CONCLUCIONES GENERALES:
El transistor es una herramienta muy útil en el área de la electrónica ya que permite una
ganancia de corriente y de voltaje para múltiples proyectos en que se necesite amplificación.
Para las simulaciones es muy didáctico poner puntos de referencia para evitar contaminación
visual con los cableados
WEBGRAFIA
https://sites.google.com/site/vapelectronica/home/diseno-de-hardware/transistores-
polarizacion-por-divisor-de-tension
https://www.youtube.com/watch?v=035rUtCPKWU&ab_channel=DateunVoltio
https://www.youtube.com/watch?v=yHs5dWM3AdA&ab_channel=Editronikx
https://www.youtube.com/watch?v=-Y1Nw6AmZnY&ab_channel=ElectroMagno
https://www.youtube.com/watch?v=fC8lFG-eQhI&ab_channel=solvetronica
Herramienta: Proteus 8
23