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    Reporte Practica 10

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    danny05ramirez
    Este documento describe tres prácticas realizadas con MOSFET. Se analizaron, diseñaron e implementaron circuitos amplificadores básicos como un inversor y compuertas lógicas NOR y NAND. Luego se midieron y caracterizaron los circuitos.

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    Reporte Practica 10

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    danny05ramirez
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    Este documento describe tres prácticas realizadas con MOSFET. Se analizaron, diseñaron e implementaron circuitos amplificadores básicos como un inversor y compuertas lógicas NOR y NAND. Luego se midieron y caracterizaron los circuitos.

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    Manual de Prácticas

    Dispositivos Electrónicos

    Práctica 10

    Transistor de efecto de campo MOS


    (MOSFET)
    Configuraciones básicas de
    amplificadores

    Nombre completo del alumno Firma


    Ramírez Medina Daniel RMD

    N° de brigada: 13 Fecha de elaboración: Mayo 18, 2023 Grupo: 6


    Objetivos de aprendizaje
    Analizar, diseñar e implementar configuraciones básicas de circuitos amplificadores con
    transistores MOSFET considerando modelos de señal pequeña y señal grande.

    Material y equipo
    Transistores MOSFET, Resistencias, Potenciómetro, Capacitores, Multímetro, Fuente de poder,
    Generador de funciones, Osciloscopio, Cables (banana-caimán, caimán-caimán, BNC-
    caimán), Tableta de prototipos (Protoboard).

    Trabajo Previo
    Para la realización de esta práctica el alumno debe conocer cuáles son los niveles de voltaje
    permitidos en las tecnologías TTL y cuales en la tecnología CMOS.

    Analizar, diseñar y simular el circuito básico para un inversor lógico NMOS, utilizando
    transistores de canal N como carga de enriquecimiento en lugar de resistencias pasivas y un
    voltaje VDD = 5V.

    Vi = VGS1 VGS1 = 0V
    Vo = VDD − VDS2 = VDS1
    5 = 5 − VDS2 VDS2 = 5 − 5 VDS2 = 0V
    VDS1 = 5 − 0 VDS1 = 5V
    VDS1 = 5 − 0

    Link: Inversor lógico NMOS


    Analizar, diseñar y simular el circuito básico para una compuerta lógica NOR de tres entradas
    con tecnología NMOS, utilizando transistores canal N como carga de enriquecimiento en lugar
    de resistencias pasivas y un voltaje de la fuente de CD de 5 volts. Llenar su tabla de verdad.

    A B C F
    0 0 0 5V
    0 0 1 471.57mV

    0 1 0 348.94mV

    0 1 1 111.35mV

    1 0 0 280.65mV

    1 0 1 98.048mV

    1 1 0 95.276mV

    1 1 1 49.017mV

    Link: NOR NMOS

    Analizar, diseñar y simular el circuito básico para una compuerta lógica NAND de tres entradas
    con tecnología NMOS, utilizando transistores canal N como carga de enriquecimiento en lugar
    de resistencias pasivas y un voltaje de la fuente de CD de 5 volts. Llenar su tabla de verdad.

    A B C F
    0 0 0 5V
    0 0 1 5V

    0 1 0 5V
    0 1 1 5V
    1 0 0 5V
    1 0 1 5V

    1 1 0 5V
    1 1 1 4.598V

    Link: NAND NMOS


    Desarrollo
    Medir y caracterizar cada uno de los circuitos implementados en el trabajo previo.

    Resultados
    Inversor

    Entrada Teórico Simulado Medido

    0V 1V 5V 0.96V

    1V 0V 0V 0.13V

    NOR

    A B C F (Simulado) F (Medido)

    0 0 0 5V 1V

    0 0 1 471.57mV 0V

    0 1 0 348.94mV 0V
    0 1 1 111.35mV 0.23V

    1 0 0 280.65mV 0.23V

    1 0 1 98.048mV 0V

    1 1 0 95.276mV 0V

    1 1 1 49.017mV 0.22V

    NAND

    A B C F (Simulado) F (Medido)

    0 0 0 5V 0.73V

    0 0 1 471.57mV 0.72V

    0 1 0 348.94mV 0.29V

    0 1 1 111.35mV 0.29V

    1 0 0 280.65mV 0.29V

    1 0 1 98.048mV 0.29V

    1 1 0 95.276mV 0.7V

    1 1 1 49.017mV 0V

    Conclusiones
    Se analizó, diseñó e implementó configuraciones básicas de circuitos amplificadores con
    transistores MOSFET, además de realizaron las tablas de verdad para saber cuando era el
    valor del voltaje en los distintos estados.

    Referencias
    Apuntes de clase
    NOR: https://tams-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/hades/webdemos/05-switched/40-
    cmos/nor3.html
    NAND: https://tams-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/hades/webdemos/05-switched/
    40-cmos/nand3.html
    Simulador: https://www.multisim.com/

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