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Unidad 5-Inperfeciones en Los Solidos

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UNIVERSIDAD AUTONOMA DE COAHUILA

FACULTAD DE METALURGIA

MATERIA:
MICROESTRUCTURA Y PROPIEDADES MECANICAS

INPERFECCIONES EN LOS SOLIDOS


INTRODUCCION
• Se supone que los materiales cristalinos presentan, en todas partes,
un ordenamiento perfecto de sus átomos.

• Sin embargo un solido ideal No existe: Todos tienen un gran número


de defectos e imperfecciones de varios tipos. Por consiguiente muchas
de las propiedades de los materiales son muy sensibles al desvió de la
perfección cristalina.

• La influencia de los defectos NO siempre es negativa, sino que


algunas características especificas se consiguen introduciendo
cantidades controladas de defectos particulares.

• Un “Defecto Cristalino” es una irregularidad de red en la cual una o


mas de sus dimensiones son del orden de un diámetro atómico
No existen redes cristalinas perfectas pues contienen varios
tipos de defectos.

I. Las imperfecciones en la red cristalina se clasifican:

1 Defectos puntuales o de dimensión 0.


2Defectos de línea o de una dimensión (dislocaciones).
3 Defectos planares.
4 Defectos macroscópicas tridimensionales.
DEFECTOS DE PUNTO
Las vacantes se producen durante la solidificación como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de
cristales, o por las reordenaciones atómicas en un cristal ya
existente debido al movimiento de los átomos.
Las concentraciones de vacantes en el equilibrio,
raramente excede de aproximadamente 1 átomo en
10,000.

Las vacantes en los metales, son defectos en equilibrio


y su energía de formación es aproximadamente de 1 eV.

En los metales pueden introducirse vacantes adicionales


durante la deformación plástica.

Por enfriamiento rápido desde elevadas a bajas


temperaturas

Por bombardeo con partículas de alta energía, como son


los neutrones.
Las vacantes que no están en equilibrio tienden a formar
aglomerados, formando divacantes o trivacantes.

Las vacantes pueden moverse intercambiando su


posición con sus vecinos.

Se da la migración o difusión de átomos en estado


solido, a temperaturas elevadas donde la movilidad de
los átomos es mayor.

Cuando los átomos de un cristal pueden ocupar un


hueco intersticial entre los átomos de su entorno que
ocupan posiciones atómicas, se conoce como defecto
autointersticial o intersticialidad.
En cristales iónicos los defectos deben
mantener la neutralidad eléctrica.

Cuando dos iones de carga opuesta


faltan, se crea una divacante anionica-
cationica que se conoce como defecto
de Schottky.

Si un cation se mueve a un hueco


intersticial del cristal ionico, se crea
una vacante catiónica en la posición
inicial del catión. Este se conoce como
defecto de Frenkel.

La presencia de estos defectos


aumenta su conductividad eléctrica.
ion o ión como un átomo o molécula que perdió su neutralidad eléctrica por que ha
ganado o perdido electrones de su dotación, originalmente neutra, fenómeno que
se conoce como ionización. Cargados : Anión(-); Catión (+)
 Los átomos de impurezas de tipo sustitucionales o intersticial
son también defectos puntuales.

 Se pueden presentar en cristales con enlaces metálicos o


covalentes.

 Cantidades pequeñas de impurezas atómicas sustitucionales


en silicio puro, afecta en la conductividad eléctrica para su
uso en dispositivos electrónicos.
DEFECTOS DE LÍNEA O DE UNA DIMENSIÓN (DISLOCACIONES)

 Son defectos que provocan una distorsión de la red centrada en


torno a una línea.

 Se pueden formar en la deformación plástica o permanente de


los solidos cristalinos.

 Por condensación de vacantes.

 Y por desajuste atómico en las disoluciones solidas.

 Las dos principales dislocaciones son del tipo aristas y las de


 tipo helicoidal.

 La combinación de estas forma la dislocación mixta


DEFECTOS DE LÍNEA O DE UNA DIMENSIÓN (DISLOCACIONES)

La distancia del desplazamiento de los átomos alrededor de las


dislocación se llama vector de Burgers b y es perpendicular a
la línea de dislocación de arista.

 Estos son defectos de no equilibrio y almacenan energía en la


región distorsionada de la red cristalina alrededor de la
dislocación.

 La dislocación de la arista presenta una región de compresión


o tensión donde se encuentra el medio plano adicional y una
región de esfuerzo a la tensión debajo del medio plano adicional
de átomos.
DEFECTOS DE LÍNEA O DE UNA DIMENSIÓN (DISLOCACIONES)

 La dislocación helicoidal puede formarse en un cristal perfecto


aplicando esfuerzo cortante hacia arriba y hacia abajo en las
regiones del cristal perfecto que han sido separados por un
plano cortante.

 Estos esfuerzos forman una rampa de espiral de átomos


distorsionados o dislocación helicoidal.

 Se crea una región de esfuerzo cortante alrededor de la


dislocación helicoidal en la que almacena energía

 I El vector de Burgers es paralelo a la línea de dislocación.


La mayoría de las dislocaciones en los cristales son de tipo
mixto.
DEFECTOS DE SUPERFICIE

• Son límites de grano que tienen 2 direcciones y


normalmente separan regiones del material que tiene
diferente estructura cristalina u orientación cristalográfica.

Defectos • Superficies externas


Superficiales • Limites e grano
• Limites de macla
• Defectos de apilamiento
DEFECTOS PLANARES
LA SUPERFICIE EXTERNA de cualquier material es el tipo
mas
común de defecto Planar.

Las superficies externas se consideran defectos debido a que


los átomos de la superficie están enlazados a otros átomos
solo por un lado.

Los átomos de la superficie tienen un menor numero de


vecinos.
Estos átomos tienen mayor estado de energía en
comparación con los átomos situados en el centro.
Esta mayor energía asociada hace a la superficie susceptible
a la erosión y a reaccionar con elementos en el ambiente
DEFECTOS PLANARES
Los límites de grano son los defectos de superficie en los
materiales policristalinos que separan a los granos (cristales)
de diferentes orientaciones.

La forma de los límites de grano esta determinado por la


restricción impuesta por el crecimiento de los granos vecinos.
DEFECTOS PLANARES
• El ordenamiento atómico en los limites de grano es menor que en los
granos debido a esa falta del orden.

• Los limites de grano tienen también átomos en posiciones


presionadas.

• Lo que provoca un aumento de energía en la región del limite de


grano.

• Estas se convertirían en una región más favorable para la


nucleación y el crecimiento de precipitaciones.

• A temperatura ordinaria, los limites de grano disminuyen la


plasticidad dificultando el movimiento de dislocación en la región del
limite de grano.
DEFECTOS PLANARES
• Las maclas o bordes de maclas son otro
ejemplo de un defecto bidimensional.

• Una macla es una región en la que existe


una imagen de espejo de la estructura a
través de un plano o un borde.

• Los bordes gemelos se forman cuando un


material se deforma permanentemente o
de manera plástica (macla de
deformación).

• Pueden aparecer durante el proceso de


recristalización en el que los átomos se
vuelven a situar en un cristal deformado
(macla de templado), ocurre en algunas
estructuras FCC.

• Los bordes gemelos tienden a reforzar a


un material.
DEFECTOS PLANARES

Limite de inclinación en Angulo agudo.

Son regiones de alta energía debido a las distorsiones


locales de la red y tienden a endurecer a un metal.
DEFECTOS PLANARES
Defectos de Apilamiento
 Se tiene una secuencia de apilamiento ABACAB...

 Durante el crecimiento de un material cristalino, en el colapso


de un grupo de átomos vacante, o en un interacción de
dislocaciones, pueden faltar uno o mas planos de apilamiento.
Esto se conoce como falla de apilamiento.

 Las fallas de apilamiento se destacan as:


 ABCABAACBCBA...

 Estas fallas son típicas en los cristales FCC y HCP.

 Las fallas de apilamiento endurecen al material.


DEFECTOS VOLUMETRICOS

• Se forman cuando un grupo de


átomos o de defectos puntuales
se unen para formar un vacío
tridimensional o poro.

• De manera inversa, un grupo de


átomos de alguna impureza
puede unirse para formar un
precipitado tridimensional.

• Los defectos tienen un efecto o


influencia considerable en el
comportamiento y desempeño de
un material.

• El concepto de un defecto
tridimensional puede ampliarse a
una región amorfa dentro de un
material policristalinos.

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