UNIDAD 2

DEFECTOS CRISTALINOS
 Unidad 2: Defectos Cristalinos

objetivo general

Distinguir y explicar los diferentes defectos cristalinos existentes en la

materia.
 CRISTALOGRAFÍA

Orden de largo alcance (long range order): al

solidificar el material, los átomos se sitúan según
un patrón tridimensional repetitivo, en el cual
cada átomo está enlazado con su vecino más
próximo
Sólidos
Sin orden (short range order): carecen de un
ordenamiento atómico sistemático y regular a
distancias atómicas relativamente grandes.

En el año 1912, Von Laue comprobó, mediante rayos X, que los metales
están fundamentalmente compuestos de átomos dispuestos en redes
geométricas específicas.
Cristal Vidrio
Imagen de microscopía electrónica de alta resolución de una nanopartícula
de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz polimérica de poliestireno.
Red cristalina (crystalline lattice): disposición tridimensional de puntos
coincidentes con las posiciones de los átomos (o centro de las esferas). Los
átomos están ordenados en un patrón periódico, de tal modo que los
alrededores de cada punto de la red son idénticos

La Red Cristalina no considera los átomos

Celda unitaria (unit cell): unidad de repetición en la red (subdivisión de
una red que sigue conservando las características generales de toda la
red)

Al apilar celdas unitarias idénticas se puede construir toda la red.

Parámetros de red (lattice parameters):

longitudes a, b y c de las tres aristas de la celda
unitaria, y los tres ángulos a, b y g entre las
aristas
 Sistemas cristalinos

En 1850 Bravais demostró que solo

Cúbico existen 14 redes cristalina
a=b=c
α= b = g = 90º

1811-1863

Simple Centrado en el cuerpo (bcc) Centrado en las caras (fcc)

 Estructuras cristalinas de elementos metálicos a 25ºC y 1atm

Estructura cristalina Elemento

Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn

Cúbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt

Cúbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos

Cúbica-primitiva Po

Factor de empaquetamiento

Es la fracción de espacio ocupado por átomos, suponiendo que son esferas

duran que tocan a su vecino más cercano

Factor de empaquetamiento 
cantidad de átomos por celda volumen de átomos
volumen de la celda unitaria
Ejercicio: Determine el factor de empaquetamiento en una celda cubica
simple, fcc y bcc.

F.E = 0.52

F.E= 0.74

F.E= 0.68
Ejercicio: Determinar la densidad teórica de Fe α el cual tiene un parámetro de
red de 2,866 A y un masa atómica de 55,85 g/ mol.
Respuesta:
Átomos por celda= 2
Masa atómica= 55,85 g/g mol
Volumen de celda= (2,866 10-8)3= 25,55 10-24 cm3/celda
Número de Avogadro= 6,02 1023 átomos/g mol

Densidad 
cantidad de átomos por celda masa atómica
volumen de la celda unitaria N º Avogadro

( 2)(55.85)
  3

 
23.55x10 -24 6.02 x10 23
7

,879 g / cm
Ejercicio 3: Determine la contracción o expansión de volumen cuando 1 cm3 de Fe
bcc pasa a Fe FCC. a0 fcc 0,3591 nm , ao bcc 0,2863 nm

Respuesta:

VBCC   0,2863 nm   0,023467 nm3

3
por 2 átomos
VFCC   0,3591 nm   0,046307 nm3
3
por 4 átomos

(0,046307  0,046934)
Cambio de Volumen  *100  1,34%
0,046934

1,34
Contracción de 1 cm  1*
3
 0,0134 cm3  0,2375 cm
100
 Direcciones cristalográficas (Directions):

Ciertas direcciones en la celda unitaria son de particular importancia, ya que los

metales se deforman, por ejemplo, en las direcciones a lo largo de las cuales
los átomos están en contacto más estrecho.

Índices de Miller para direcciones (Miller indices of the directions):

1. Determinar dos puntos que se encuentren en la dirección a estudiar.

2. Restar las coordenadas del punto “cabeza” menos “cola”, (cabeza-cola)
3. Convertir el resultado por medio de multiplicación o división a los menores enteros
posibles.
4. Números negativos se denotan con una barra sobre el número.
5. Encerrar los números en [ ].
 Direcciones
1). cabeza = 0 1 0
z
2). cola = 0 1 1

3). Resta = [0-0 1-1 0-1]

[0 0 -1]
0,0,0 y
4). Convertir enteros [0 0 -1]

x 5). Dirección [0 0 1 ]
Direcciones sistema hexagonal.

Generalmente se utiliza a1, a2 y c

Dirección: (111)

(011)

(1-1; 0-0; 1-0)

(0 0 1)
 Direcciones
Familia de direcciones (directions of a form): dos o más direcciones son
estructuralmente equivalentes cuando los espaciados atómicos a lo largo de cada
dirección son iguales

< 111 >= [111], [1 11], [11 1], [111 ], [1 1 1 ], [11 1 ], [1 1 1], [1 11 ]

La dirección [a b c] es idéntica a la dirección [na nb nc]

Una dirección y su negativa no son idéntica , son direcciones opuestas.

 Planos

-y -1/2 0,0,0
1). Anotar intersecciones = ∞ -1/2 ∞

2). Recíprocos = 1/∞ -2 1/∞

x -z

3). Multiplicar MCM = 0 -2 0

4). Plano (0 2 0 )
-1/2
 Planos

El plano (h k l) es paralelo al plano (nh nk nl) y están separado por dhkl/n.

Familia de planos (planes of a form): son planos que geométricamente son

idénticos pero poseen diferentes índices de Miller.

{ 100 } = ( 100 ), ( 010 ), ( 001 ), ( 1 00 ), ( 01 0 ), ( 001 )

 Ejercicios en clases:

Determine los índices de las siguientes direcciones y planos

Dibuje las direcciones y los planos

 Ejercicios en clases:

Determine los índices de las siguientes direcciones y planos

A = [100] A = (111)
B= [111] B= (210)
C= C=(0-10)

Dibuje las direcciones y los planos

• 1895: descubrimiento de los rayos X
(W. C. Roentgen). 1º premio Nobel de
Física 1901.

• 1912: aplicación de los rayos X para

revelar la estructura interna de los
cristales (Max Von Laue). 1914 recibe
premio Nobel de Física.
• 1913: La ley de Bragg la cual permite predecir los ángulos en los
que los rayos X son difractados por un material con estructura
atómica periódica. por los físicos británicos William Henry Bragg y su
hijo William Lawrence Bragg. 1915 Padre e hijo recibieron el premio
Nobel de Física.
 Producción de Rayos X

1
E∝
λ

M5 M5
M4 M4
M M3 M M3
M2 M2
M1 M1

L3 L3
L L2 L L2
L1 L1
Kβ Kα
K K K K

NUCLEO NUCLEO
Ley de Bragg
La diferencia de recorrido
entre las dos ondas,
después de la reflexión es
la suma de los trazos MP
y NP

MP = NP = d sen
MP+NP=2dsen 

Para que exista

interferencia constructiva:

nλ = 2dsen 
λ = 2dhklsen  dhkl=d/n
Ejercicio: Determine en que ángulo 2θ difractará el plano (111) del Cu, cuando se
utiliza radiación de Cu (λ = 1,5406 A). Recuerde que el Cu presenta un parámetro
de red de 3,6151 A.

Respuesta:   
2  2sen   1

 2d 
1 h2  k 2  l 2
2
 5000

d a2 4500

4000

3500
Intensidad cps

3000

(111)=> d = 2,087 A = 43,31º 2500

2000

1500

1000

500

0
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105
2 Tetha
 DEFECTOS PUNTUALES
- Son interrupciones localizadas en los arreglos atómicos

- La alteración afecta una región donde intervienen uno varios átomos

Defectos puntuales:
• Defecto de vacancia (a)
• Defecto Insterticial (b)
• Defecto sustitucional (c, d)
Ejercicio en clase

Si la densidad real de un alambre de cobre, de 100 m de largo y

1 cm de diámetro, es 8,93 g/cm3, determine:

a) El porcentaje de vacancias por cada celda unitaria

b) La cantidad de vacancias contenidas en el alambre
c) La cantidad de átomos de cobre en el alambre

Estructura Masa Radio

atómica atómico
Cobre FCC 63,54 g/mol 0,1278 nm
 Respuesta:
(a)

(b)
 Respuesta:
(c)
A temperatura ambiente, la concentración de vacancias es pequeña,
pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.

El número de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura

en una red cristalina metálica puede expresarse por la siguiente
ecuación:
nv : cantidad de vacancias por cm3

n : cantidad de átomos por cm3

  Qv 
n v  n exp   Q : energía para producir un mol de vacancias
(cal/mol o joule/mol)
 RT 
R : constante de los gases (1,987 cal/mol K;
8,31 joule/mol K)

T : temperatura en grados Kelvin

 Ejercicio: Determine la Tº necesaria para aumentar la concentración
volumétrica de vacancias para el Cu 1000 veces desde la Tº ambiente (298K).
Considere que la energía necesaria para producir un mol de vacancias es de
20000 cal.
Respuesta:

Q
nv (T ) n exp-Q/RT - ( T298 -T
R
TT298 )
1000 = = - Q/RT = exp
nv (298K ) nexp 298

-Q
Ln(1000 ) = (T298 - T TT298 )
R

ln(1000 ) * 1,987 298 - T

= → (-0,205 )T = 298 - T
- 20000 (298)T

T = 298/0,795 = 375 K
Defectos Intersticiales
• Se produce cuando se inserta un átomo en una estructura cristalina en
una posición normalmente desocupada.

• Los átomos intersticiales son de mayor tamaño que los sitios

intersticiales, por lo cual la región cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.

•El aumento de sitios intersticiales ocupados produce un aumento de la

resistencia de los materiales metálicos

• La cantidad de átomos intersticiales en la estructura generalmente es

constante (aún cuando cambie la temperatura)
Defecto intersticial (interstitial defects): Un defecto intersticial se forma
cuando un átomo ingresa a la red cristalina en un lugar que regularmente no
esta ocupado por un átomo.

Sitios Nº Coordinación Radios atómicos posibles

Cúbicos 8 elementos intersticiales A
Octaédricos 6 H B C N O
Tetraédricos 4 0,46 0,97 0,77 0,71 0,60
Ejercicio Calcular el tamaño y número de los sitios octaédricos y tetraédricos
para el Fe bcc y fcc. El parámetro reticular de la celda bcc y fcc son 2,866 y 3,589
A, respectivamente. Mientras el radio atómico del Fe es 1,241 (bcc) y 1,269 (fcc) A

Estructura fcc:
Sitio octaédrico:

Arista - 2R Fe 3,589 - 2(1,269)

Rfcc o    0,526 A
2 2

1
Nº = (12 aristas ) + 1 centro = 4 sitios int ersticiales por celda
4

Sitio tetraédrico:
Diag cubo 3,589 3
R fcc t = - RFe = - 1,269 = 0,285 A
4 4

Nº = 8 sitios int ersticiales por celda

Estructura bcc:

Sitio octaédrico:
Arista - 2RFe 2,866 - 2(1,241)
Rbcc o = = = 0,192 A
2 2

1 1
Nº = (12 aristas ) + (6 caras ) = 6 sitios int ersticiales por celda
4 2

Sitio tetraédrico:
R fcc t = (1 2 a0 )2 + (1 4ao )2 = (r + R)2
Rbcc t = 2,567 - 1,214 = 0,361 A

1
Nº = 4(6 caras ) = 12 sitios int ersticiales por celda
2
Ejercicio en clases

Calcule la deformación lineal provocada en la retícula del Fe fcc cuando un

átomo de C se ubica en la posición octaédrica del centro de la red.

Parámetro de red (nm) Radio atómico (A)

Fe 0,3589 1,269
C ----------- 0,77

Respuesta:
Tarea

Una pieza de Fe bcc cilíndrica de 5 cm de diámetro y 0,5 cm de

largo es sometida a tratamiento térmico a 1200 °C, calcule el
cambio de volumen en %.
 Defecto Sustitucionales
•Se introduce un defecto sustitucional cuando un átomo es sustituido con un
tipo distinto de átomo.

• Un átomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.

• Estos átomos cuando son de mayor tamaño, causa una reducción de los
espacios interatómicos vecinos.

• Cuando son de menor tamaño, causando que los átomos vecinos tengan
distancia interatómicas mayores.

• Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de impurezas o

adicionar de manera deliberada en la aleación.

• Una vez introducidos, la cantidad de defectos generalmente no varia con la

temperatura.
Ejercicio en clase

Una aleación Cu Zn cristaliza fcc, los átomos de Zn se ubican en el centro de

cara de cada celda y los átomos de Cu se ubican en los vértices.
a) Calcule la densidad teórica.
b) Calcule la composición en masa y atómica de la aleación:

Masa atómica Radio atómico

g/mol nm
Cobre 63,54 0,1278
Zn 65,37 0,1332
 DEFECTOS LINEALES
Resistencia de un cristal perfecto:
Esfuerzo teórico de corte:

∆x

L
Comparación del esfuerzo de corte teórico para el deslizamiento con
valores medidos de Esfuerzo de corete crítico real (ECCR).

Metal Estructura Módulo de corte en la  ECCR

dirección de (lb/pulg2)
(lb/pulg2)
deslizamiento (x 106
lb/pulg2)
Al FCC 3,54 556.000 114
Ag FCC 3,63 577.000 54
Cu FCC 5,91 940.000 71
a - Fe BCC ~ 10 ~ 1.590.000 4000
Mg HCP 2,39 381.000 57
En 1934, G. I. Taylor, E. Orowan y M.
Polanyi postularon que puede existir una
imperfección dentro de la red de los
cristales y que el movimiento de la
imperfección a bajos niveles de
esfuerzos conduzca a la deformación.

El concepto de dislocación fue

introducido por Volterra y Timpe en la
teoría de la elasticidad del continuo, en
1900.

Las dislocaciones fueron vistas por

primera vez a comienzo de 1950, en los
cristales de haluros de plata por una
técnica de decolorado
Dislocación de borde
Una dislocación de borde se crea en un cristal por la intersección de un
semiplano extra de átomos
Dislocación de tornillo (helicoidal)

Una dislocación de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando

tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido
separadas por un plano cortante.

Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una región

de distorsión en forma de una rampa en espiral de átomos distorsionados.
Dislocación mixta

La línea de dislocación puede presentar partes de

carácter de borde y otras de carácter de tornillo. El
desorden atómico varia a lo largo de la curva AB
 Desplazamiento de una dislocación

Cambios en las posiciones atómicas que acompañan al movimiento

de una dislocación de borde (cuña) a medida que ésta se mueve en
respuesta a una tensión de cizalle aplicada.
 Representación de la analogía entre el movimiento de una oruga
y el de una dislocación.

Si se aplican esfuerzos de corte, los átomos rompen sus enlaces en el defecto

y la dislocación se mueve (deslizamiento), en la dirección de deslizamiento,
en el plano de deslizamiento.
Multiplicación de dislocaciones

Cuando existe deformación plástica, se produce un aumento de la densidad

de dislocaciones.

Fuente de dislocación Frank-Read:

 Energía involucrada en una dislocación

Como las dislocaciones son un defecto, su existencia incrementa la energía del

cristal. La deformación causada por una simple dislocación es significante a
una distancia de 100 ao del centro de la dislocación.
Energía involucrada en una dislocación de tornillo.

E/L=(Gb2/4p )ln (R/ro)

La energía por unidad de longitud de la dislocación de borde es:

E/L=(Gb2/4p1 ))ln (R/ro) Razón de Poisson: 0,2-0,4 metales
Ejercicio : (a) Determine la distancia entre los planos (111), (001), (110) y sus planos
inmediatamente paralelo para el Cu (a0 = 3,6151 A). (b) Determine la densidad
atómica de estos planos.

Resultado

3,6151 3 (3(1/ 2) + 3(1 6))( π)(1,278 2 )

d= = 2,09 A ρ= 2 = 0,91
3 ( 3 4)( 2) (3,6151)

3,6151 (1+ 1/ 4( 4))( π)(1,278 2 )

d= = 1,81 A ρ= 2 = 0,79
2 (3,6151)

3,6151 2 (2(1/ 2) + 1/ 4( 4))( π)(1,278 2 )

d= = 1,278 A ρ= = 0,56
4 (3,6151)(3,6151 2 )
Ejercicio ¿Por qué las dislocaciones se mueven por planos compactos?

Respuesta:

Las dislocaciones se mueven con mayor facilidad a lo largo de planos con

espaciamientos amplios donde la distorsión reticular debido al movimiento de la
dislocación es pequeño. La separación entre planos varía directamente con el
grado de compacticidad en los planos.

Ejercicio X: ¿Por qué las dislocaciones se mueven por direcciones compactas?

Respuesta:

Son direcciones con vector de Burgers más pequeño y por tanto son más
estables al presentar menos energía.

E/L=(Gb2/4p )ln (R/ro)

Sistema de deslizamiento observados en estructuras cristalinas

Factor fcc bcc hcp

Esfuerzo cortante 5000-
50-100 50-100
resultante crítico (psi) 10000
Número de sistemas de
12 48 3
deslizamiento
Deslizamiento cruszado Ocurre Ocurre No ocurre
Resumen de Relativamente
Dúctil Resistente
propiedades frágil
 Ejercicio: Dibuje los sistemas de deslizamiento para las tres estructuras
cristalinas

Respuesta:

fcc

hcp

bcc
 DEFECTOS DE SUPERFICIE
Borde de grano (grain boundary): es la superficie que separa los granos
individuales, siendo una zona estrecha donde los átomo no se encuentra
espaciados de manera apropiada a la red cristalina.

Grano (grain): por se un monocristal un grano es una porción de materia donde

dentro de la cual el ordenamiento de los átomos es idéntico.

Se puede controlar las propiedades de un material mediante el endurecimiento

por tamaño de grano debido a que los límites de grano actúan como barreras al
movimiento de dislocaciones.

Al Simulación
Al-4% masa Cu
 Una técnica mediante el cual se especifica el tamaño de grano es el
entregado por la American Society for Testing and Materials (ASTM).

N = 2n-1

N= número de granos por pulgada cuadrada en una fotografía del metal

tomada con una amplificación x 100.
n = índice de tamaño de grano ASTM

Ejemplo: Supóngase que se encuentran 16 granos por pulgada cuadrada en

una fotomicrografía con ampliación x 100 de un metal. Determine el índice
ASTM de tamaño de grano
Respuesta:
N=16=2n-1
log16=(n-1)log2
1,204=(n-1)(0,301)
n=5
Ejemplo: Supóngase que se encuentran 16 granos por pulgada cuadrada en
una fotomicrografía con ampliación x 250. Determine el índice ASTM de
tamaño de grano

100 => 1 plg

1 => x plg => 0,01 plg => 0,0001 plg2 0,000016 plg2 => 16
0,0001 plg2 => x

250 => 1 plg

1 => x plg => 0,004 plg => 0,000016 plg2 x = 100

N=100=2n-1
log100=(n-1)log2
2=(n-1)(0,301)
n=7,6 ≈ 8
Fallas de apilamiento: Ocurren en los metales fcc y hcp y representa un
error en la secuencia de apilamiento de los planos compactos.
Fallas de apilamiento

A-B-A-B-A-B → hcp
A-B-C-A-B-C → fcc

A-B-C-A-B-A-B-C-A-B-C

Falla de apilamiento
 MACLAS
El borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tienen
una pequeña diferencia en la orientación cristalográfica.

Microfotografía de maclas
de latón x 250