Transistores Bipolares

Electrónica I
 Contenido
• Principios físicos
• Modelos de Ebers-Moll
• Estado activo directo
• Estados de corte y saturación
• La recta de carga
• Transistor pnp
• Análisis del punto Q
 Contenido (continuación)
• Modelo estático SPICE del transistor
bipolar
• Efectos de segundo orden
• Modelo dinámico del transistor
• La conmutación del transistor
• Modelo dinámico SPICE del transistor
bipolar
• Fabricación de CI
 Introducción
Los transistores de unión bipolares o bipolares tienen
aplicaciones en electrónica analógica y digital.
En electrónica analógica sus funciones son: amplificar
señales, generar tensiones de referencia, proporcionar energía,
proteger de sobrecalentamiento, etc.
En electrónica digital sus funciones son: interruptores
controlados por corriente, memorias digitales, etc.
 Construcción
El transistor bipolar se construye como un emparedado de tres
regiones, tipo n, p, y n (o p, n, p). La base tipo p(n) se
empareda por el emisor y el colector tipo n(p).

Transistor npn Transistor pnp

Emisor Base Colector Emisor Base Colector

E n p n E
C p n p C

B B

E C E C

B B
 Polarización en zona activa
La unión de emisor y base se polariza directamente y la
unión base colector se polariza inversamente.

Emisor Base Colector

E C
E n p n C
B

Potencial de los electrones

Corrientes en el transistor
 continuación
iE – corriente total de emisor
iB – corriente total de base
iC – corriente total de colector
g iE– corriente de electrones inyectados a la base
at(g iE) = aF iE – fraccíón de corriente de electrones
inyectados que llegan al colector.
at – factor de transporte
 Modelo de Ebers-Moll
aRiDC aFiDE

iE La corriente en el
iC
colector es:

iDE iB iDC iC  a F iDE  iDC

Sustituyendo


iC  a F I ES e vBE VT
 
 1  I CS e vBC VT

1

Similarmente para el emisor

  
iE  I ES e vBE VT  1  a R I CS evBC VT  1 
 Continuación
La ley de reciprocidad establece que: a F I ES  a R I CS  I S

Donde aF es la alfa directa y aR es la

alfa inversa.
Sustituyendo en las ecs. anteriores


iC  I S e v BE VT
1   IS
aR
e v BC VT

1

iE 
IS
aF
e v BE VT
 
 1  I S e vBC VT
1
 Estados del transistor
Los estados del transistor se pueden resumir en la
siguiente tabla:

Polarización de las uniones

Estado Base emisor Base colector
Activo directo Directa (vBE > Vg) Inversa (vBC < Vg)
Transistor inversoInversa (vBE < Vg) Directa (vBC > Vg)
Cortado Inversa (vBE < Vg) Inversa (vBC < Vg)
Saturado Directa (vBE > Vg) Directa (vBC > Vg)
 continuación
vBC

Saturación
Activo inverso

0.5

0
vBE
0 0.5

Corte Activo directo

 Estado activo directo
En el amplificador de emisor común la fuente en el circuito de base
polariza directamente a la unión base-emisor y una fuente de mayor
tensión polariza inversamente la unión base-colector. El voltaje vBE
deberá ser mayor que la tensión de codo y los términos que llevan vBE
son mucho mayores que 1. La tensión vBC es mucho menor que la
tensión de codo, las exponenciales que incluyen vBC son mucho menores
que 1. Las ecuaciones de Ebers-Moll quedan como:

IS IS
iC  I S e v BE VT
 iE  e vBE VT
 IS
aR aF
El segundo término es mucho más pequeño que el primero, simplificando
llegamos a:
iC  a F iE
 Características de transferencia
aF
De la ley de Kirchhoff de corrientes se llega a: iC  iB
1aF
aF
Definimos la beta directa del transistor como: F 
1aF

Entonces: iC  β F iB y iE  β F  1iB

Es fácil mostrar que la ecuación de entrada en emisor común

es:
IS
iB  e vBE VT

a F  F  1
 Configuración de base común
En la configuración de base común la terminal de la base del transistor es
común al circuito de entrada (izquierda) y al de salida (derecha).
Las fuentes se etiquetan repitiendo el nombre de la terminal a la cual están
conectadas.

IE IC
n p n C
E
B
IB
 +  +

VEE VCC
 Características de entrada en Base
común
Las características de entrada en
base común relacionan la corriente
de emisor IE, con el voltaje en la
unión de emisor-base VBE para
diferentes valores del voltaje de
salida VCB.
Para considerar que un transistor
está encendido supondremos VBE =
0.7V
 Características de salida
Las características de salida en base común relacionan la corriente de colector
IC, con el voltaje en la unión de colector-base VCB para diferentes valores de la
corriente de entrada IE.
Aquí se distinguen las diferentes regiones de operación.
 Corriente de saturación inversa ICBO
Esta es la corriente que circula en la unión base-colector cuando la
corriente de emisor es igual a cero.
 a del transistor
La alfa en corriente directa se define como
IC
a dc 
IE
Los valores típicos son de 0.9 a 0.998.

Si el punto de operación se desplaza sobre la curva

característica, se define la alfa de corriente alterna
I C
a ac 
I E VCB  constante

Los valores típicos de aac son prácticamente iguales adc.

 El transistor como amplificador
Considere la siguiente red donde se ha omitido la polarización.
Ii IL
p n p C +
E
Ri R VL
Vi = 200 mV B 5k Ohm
20 Ohm 

Ii = 200mV/20 = 10 mA
IL = Ii = 10 mA
VL = IL RL = (10mA)(5k Ohm) = 50 V
Ganancia de voltaje = VL/Vi = 50V/200mV = 250
 Configuración de emisor común
Configuración de emisor común para transistores npn y pnp.
 Características de entrada en Emisor
común
Las características de entrada en
emisor común relacionan la corriente
de emisor IE, con el voltaje en la
unión de emisor-base VBE para
diferentes valores del voltaje de
salida VCE.
 Características de salida
Las características de salida en emisor común relacionan la corriente de colector
IC, con el voltaje en la unión de colector-base VCB para diferentes valores de la
corriente de entrada Ib.
Aquí se distinguen las diferentes regiones de operación.
 Corrientes en emisor común
De las corrientes del transistor tenemos:
IC = aIE + ICBO
Pero IE = IC + IB, sustituyendo,
IC = aIC + aIB + ICBO
Reordenando
aI B I CBO
IC  
1a 1a

Definimos ICEO = ICBO/(1 – a)

con IB = 0
Ejemplo
  del transistor
Definimos la b de corriente continua como
IC
 dc 
IB
Suele tener un valor de entre 50 a 400. En las hojas de datos
se especifica como hFE.
La  de ac se define como

I C
 ac 
I B VCE  constante

En las hojas de datos se especifica como hfe.

 Ejemplo

I C I C2  I C1
 ac  
I B VCE  constante
I B2  I B1
3.2mA  2.2mA 1mA
   100
30A  20A 10A
I 2.7mA
 dc  C   108
IB 25A
 Relación entre a y 
Dado que a = IC /IE y = IC /IB y además IE = IC + IB, es fácil
mostrar que
a 
 a
1a 1 
Además se puede mostrar que

ICEO = ICBO

IC = IB

IE = (  1IC
 Configuración de colector común
La impedancia de entrada de esta configuración es alta y la de
salida es baja.
Las características de salida son las mismas que las de emisor
común reemplazando IC por IE. Las características de entrada son
las mismas que para emisor común.
E E
IE IE
p n
IB IB
n p
B B
p VEE VEE
n
VBB C VBB C
IC IC
 Límites de operación
En las hojas de datos de los
transistores se especifica la
corriente máxima del
colector y el voltaje máximo
entre emisor y colector VCEO
o V(CEO).
La potencia de disipación
máxima se defino por:
PCmax = VCEIC
Se debe cumplir:
ICEO < IC < ICmax
VCEsat < VCE < VCEmax
ICEIO < PCmax
Hojas de datos

2N4123
 Encapsulados

TO-92 TO-18 TO-39 TO-126 TO-220 TO-3

Construcción
Modelo de emisor común
Modelo de gran señal para el transistor en emisor común

B C

iB
FiB
vBE

E
 Almacenamiento de cargas
minoritarias
La concentración de electrones
en la unión base-emisor es: Sustituyendo el factor exponencial

n0 ni2
ni2 vBE pendiente   iC
n0  e VT
W WN a I s
Na
La pendiente de esta curva es n(x)
proporcional a la corriente de
colector
n(0)
n0 ni2 vBE
pendiente   e VT

W WN a

x
Emisor Base Colector
 Estados de corte, saturación y
activo inverso
Zonas de funcionamiento para los cuatro estados del transistor sobre las
curvas características de salida.
iC

IB1
Activo
Saturación IB2
directo
IB3
Corte IB4
IB=0
IB4 VCE,sat= 0.2 vCE
Activo IB3 Corte
inverso IB2
IB1 Saturación
 Corte y saturación
En la región de corte las corrientes del C
transistor son cero. Si se considera los ICB0 C
efectos de la temperatura, habrá que
incluir la corriente inversa de saturación B B
entre colector y base.
E E

En saturación el transistor no funciona como B C

fuente de corriente controlada por corriente.
Cuando está saturado iB  iC. iB iC
0.7 V 0.2 V

E
 Funcionamiento activo inverso
En este caso la corriente de emisor es -RiB, donde aR
R 
1aR
Por la ley de Kirchhoff
iC  iE  iB   R  1iB

Dado que R + 1 << F, las curvas en el tercer cuadrante están menos
separadas que en las del primer cuadrante.
C
iC

VBC=
0.7 V RiB
iB
B E
 La recta de carga
La recta de carga es una ayuda para obtener las corrientes y tensiones de un
dispositivo cuando está descrito pos sus curvas características. Las variables de
entrada deben cumplir dos restricciones simultáneamente.
La característica de entrada iB y vBE debe estar en algún punto de la curva no
lineal. La otra condición es la impuesta por el circuito externo.
La recta de carga pasa por los puntos (vBE, iB)=(VBB, 0) y (vBE, iB)=(0, VBB/RB).

iB μA
+
RC iC 50 Punto Q
 VCC 40 Recta de carga
iB + 30 de entrada
+  vCE 20
+ -1
VBB RB vBE   10
0 vBE
0.7 RB VBB
 Recta de carga (continuación)
iC(mA)
iB=60A
6
iB μA iB=50A
5
50 VCC/RC 4 iB=40A
40
iB=30A
30 3
Q
20 iB=20A
2
10
1 iB=10A
0 vBE
0.5 0.7 VCE
VBB 0 (voltios)
1 2 3 4 5 6 7 8VCC
Caida de Caida de
tensión en el tensión en la
transistor resistencia
 Recta de carga de saturación

+ Para el circuito de la figura:

2kW iC
  VBB  0.7
iB vBC +
8V iB 
 + 120k
+ vCE
+
VBB 120kW vBE  
iB

1 2 3

Cuando la base alcanza 39A, el

transistor alcanza la saturación.

VBB,EOS  0.7 vBE

iB,EOS  39A  Vg 0.7
120k
VBB
 Una medida cuantitativa de saturación es la beta forzada, definida para el
transistor saturado por
i
 forzada  C
iB transistorsaturado
iC(mA) iC
iB=60A iB=IB
6
iB=50A
5
iB=40A
4
3
iB=30A IB
iB=20A
2
1 Incremento iB=10A
de VBB IC
0 vCE
1 2 3 4 5 6 7 8 vCE

VCE,sat= 0.2
 Almacenamiento de cargas en un
transistor saturado
n
Límite del La concentración de carga de minoritarios es
valor de la superposición de concentraciones
saturación individuales creadas por los incrementos
idénticos de vBE y vBC.

QT = QFA + QS
Emisor Base Colector
n n
Inyección
del emisor

Inyección del colector QFA

QS
Emisor Base Colector Emisor Base Colector
 Transistor pnp
iE iC
E p n p C iE iC
C
E

iB
iB
B
B
aRiDC aFiDE

iE iC

iDE iB iDC
 Configuración de emisor común
Características de entrada y salida: iB
iC

iB vBE
-0.7
vCE
+ iC(mA)
vBE
iE
iB
- -
Entrada Salida
-0.2 vCE
 Análisis del punto Q
B C

iB C B C
FiB iB iC
vBE
B 0.7 V 0.2 V
E

E
E Zona de corte

Zona activa Zona de saturación

 Análisis del estado activo

Si el transistor trabaja en el modo activo directo, se puede sustituir

el transistor por su modelo activo de gran señal.

El análisis de beta infinita hace las siguientes suposiciones:

1. VBE = 0.7 para npn y –0.7 para pnp.
2. IB = 0
3. IC = IE
Para niveles de corriente bajos es conveniente utilizar el SPICE.
 Análisis cuando el estado es
desconocido
Análisis de circuitos con transistores de tres estados:
1. Hacer una suposición razonada acerca del estado del transistor
2. Hacer un diagrama del circuito, sustituir cada transistor por el modelo para
su supuesto estado.
3. Analizar el circuito resultante para obtener valores de prueba asociadas con
cada modelo.
4. Examinar las variables de prueba, buscando contradicciones al estado
supuesto.
5. Si hay una contradicción, hacer una nueva suposición basada en la
información calculada y volver al paso 2.
6. Cuando no haya contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas a
partir del circuito equivalente se aproximan a las del circuito real.
Prueba de validez para los estados del transistor supuestos. Como el estado
activo inverso ocurre raramente, las pautas suponen primero funcionamiento en
el primer cuadrante donde el funcionamiento activo inverso no puede ocurrir.
Suponiendo funcionamiento activo directo:
1. Sustituir por el modelo activo directo
2. Si iB  0, suponemos corte.
3. Si VCE  0.2, suponemos saturación.
Suponiendo corte
1. Sustituir el modelo de corte
2. Si VBE  0.5, suponer transistor activo
Suponiendo saturación
1. Sustituimos por el modelo de saturación
2. Si iB < 0, suponemos corte
3. Si iC > FiB, suponemos funcionamiento activo directo
 Modelo estático SPICE del
transistor bipolar
3 9 14
Notación
2 4 17
Texto SPICE valores por defecto
5 7 12
F BF 100

Q1 3 2 5 SAM R BR 1
Q2 9 4 7 SAM IS IS 1.0E-16
QOUT 12 17 14 JANE
.MODEL SAM NPN
.MODEL JANE PNP
 5V

Ejemplo 4.9
1 Q1 4 2 3 SUE
Q0 5 4 0 SUE
2 kW 2 kW VCC 1 0 DC 5
RC 1 5 2K
2 5 RB 4 0 5K
RS 1 2 2K
3 4
Q0 .MODEL SUE NPN BF=20
Q1 + BR=5 IS=2.0E-14
VS 3 0 DC 0
VS 5 kW *.DC VS 0.2 3.6 0.17
.DC VS 0.5 0.7 0.01
*.OP
.PLOT DC V(5)
.END
 Efectos de segundo orden
La vida de los portadores minoritarios aumenta con la temperatura, por lo
tanto el valor de  aumenta alrededor de 7,000 ppm. La siguiente expresión
cuantifica esta variación XTB
T 
 T    TR  
 R
T

XTB es el exponente de temperatura.

iC T= T2 > T1
T2 > T1 iC
iB T=T1 iB3
iB3
T1 iB2
iB2
iB1
iB1 ICE0
ICE0
vBE vCE
0.7 vCE
 Tensiones de ruptura

iC iC

iE iB

vCB vCE
BVCB0 BVCE0
Modulación del ancho de base

C C

VCE1 VCE2> VCE1

B B
w1 w2

E E
 Efecto Early
Una consecuencia de la variación en el ancho de la base es el cambio en
las características de salida de emisor común. VA es llamada tensión Early.
La corriente de colector pasa a ser

 vCE  
iC  f vCE , iB   1     iB
 VA  
iC
1
r0

iB

vCE
-VA
El efecto Early aumenta la resistencia de salida del transistor r0 definida por:

1 i
 C
r0 vCE punto Q

Evaluando: 1 1
 βI B
r0 V A

 V 
Cuando VCE << VA : I C  1  CE  βI B  βI B
 VA 

De aquí: VA
r
IC
 Realimentación interna
Una consecuencia de la modulación del ancho de base es la realimentación interna. Parte de
la tensión de salida se realimenta a través del transistor al circuito de entrada. Si
mantenemos la polarización base-emisor mientras aumentamos vCE de VCE1 a VCE2. La
corriente de base se hace más pequeña porque la recombinación en la base se reduce y es
necesario sustituir menos huecos en la base, como se muestra en la figura.

Circuito equivalente, gF es el parámetro de

ganancia de tensión inversa. El efecto de
realimentación inversa de minimiza al dopar la
iB iB región de colector más pobremente que la de base.

vCE gF vCE
B C
Incremento de
vCE iB

vCE
0.7
F iB
vBE vBE
0.7 0.7 E
 Resistencia de base y colector
Existen tres resistencias parásitas en el transistor:
rb – resistencia de difusión de base. De unos 100 Ohms.
rc – resistencia óhmica del colector. De 10 a 100 Ohms.
re - resistencia óhmica del emisor. De 1 Ohms.

C B E
re n p n p
rb

rc
Sustrato

S
 Modelo estático SPICE con efectos
secundarios
iC
Notación Valores
rc
Texto SPICE por defecto
aF iDC IS IS 1E-16 A
iDC roc F BF 100
R BR 1
rb
rc RC 0
iB
rb RB 0
iDE roe
aR iDC re RE 0
VA VAF 
re - VAR 
iE XTB XTB 0
 Ejemplo de SPICE con efectos
secundarios
3V
EJEMPLO 4.11
VCC 2 0 DC 3
2
RB 2 3 690K
1.5kW
690kW RC 2 1 1.5K
Q1 1 3 0 NTRAN
1 .MODEL NTRAN NPN BF=300 VA=90 XTB=1.7
.TEMP -40 -20 0 27 50 70 100 125
3
.OP
.END
 VALORES OBTENIDOS CON SPICE

TEMPERATURA IC VBE VCE BETADC

-40.000 6.15E-04 8.54E-01 2.08E+00 1.98E+02
-20.000 7.15E-04 8.30E-01 1.93E+00 2.27E+02
0.000 8.21E-04 8.06E-01 1.77E+00 2.58E+02
27.000 9.76E-04 7.73E-01 1.54E+00 3.03E+02
50.000 1.12E-03 7.45E-01 1.32E+00 3.42E+02
70.000 1.25E-03 7.21E-01 1.13E+00 3.78E+02
100.000 1.46E-03 6.84E-01 8.10E-01 4.35E+02
125.000 1.65E-03 6.53E-01 5.29E-01 4.84E+02
 Capacitancias parásitas
Las capacidades de deplexión y difusión están asociadas a la unión y limitan el funcionamiento a
alta frecuencia. En transistores en estado activo directo, la capacidad de deplexión es dominante
en la unión colector-base inversamente polarizada. En la unión base-emisor directamente
polarizada, son importantes tanto la capacidad de difusión como la de deplexión.
La capacidad de difusución de un transistor difiere de la de un diodo aislado debido a la estrecha
base. La distribución de minoritarios en la base es triangular. La carga almacenada es

nAW ni2 vBE

QFA  qA n0W 
1 VT
e
2 2 Na

Los electrones tardan un tiempo tT en atravezar la base (tiempo de tránsito  1ns para npn y
 30ns para pnp). Como este flujo constituye la corriente de colector

QFA
IC  culombios / s
τT
Modelo dinámico del transistor
iC
rc
Cdif,S

aF iDC
iDC
Cdif,C Cdep,C

rb
iB
iDE
aR iDC Cdif,E Cdep,E

re
iE
 Interruptor estático

isw RL iC
RL VCC
RB +
vCE VCC
+
vsw iB 
vC


isw iC
iB = IB
Interruptor cerrado =
cortocircuito VCC Cerrado
VCC
RL RL
Interruptor abierto =
circuito abierto Abierto
iB=0
vsw vCE
VCE,sat VCC
VCC
 Simulación del interruptor con
EJEMPLO 4.12
SPICE
VCC 4 0 DC 9
RL 4 1 800
RB 2 3 1K
QSW 1 3 0 SWITCH
.MODEL SWITCH NPN
+ BF=25
VC 2 0 PULSE(0 5 0.5E-6
+0 0 0.5E-6 2E-6)
.TRAN 0.02E-6 2E-6
.PLOT TRAN V(1)
.PROBE
.END
 Conmutación dinámica
vC(t)

+9

t
VCC=9 V -5 T

vo(t) tf tr
2 kW iC
+9
8.3 kW vo
+0.2
iB t
vC tD tS

iB(t)

1mA

t
-iR
 Estado inicial Estado de corte Estado transitorio
transitorio activo
VCC=9 V VCC=9 V
VCC=9 V

2 kW 2 kW
2 kW
vo vo
vo
+ +
14V +
8.3 kW  8.3 kW 
8.3 kW  iB
 iB 
5V 9V 1mA +
5V
+ 9V
+
 0.7
 Estado de saturación Transistor cortado con
Estado de saturación en antes de que el condensadores
equilibrio transistorse corte preparados para
alcanzar el equilibrio
VCC=9 V VCC=9 V
de corte.

VCC=9 V

vo vo
 +
0.5 V
+ vo
0.2 
0.2 +
+ + 
9V 5V
 0.7  0.7
+
5V 0.5V

 Parámetros SPICE para el
modelo dinámico del transistor
Parámetros SPICE
Estáticos Dinámicos
Valor Valor
por defecto por defecto
IS 1E-16 A CJE 0
BF 100 VJE 0.785 V
BR 1 MJE 0.33
RC 0 CJC 0
RB 0 VJC 0.75 V
RE 0 MJC 0.33
VAF  CJS 0
VAR  VJS 0.75
XTB 0 MJS 0
TF 0
TR 0
Valores típicos en integrados

IS 1E-16 A CJE 1.0 pF

BF 200 VJE 0.7 V
BR 2 MJE 0.33
RC 200 W CJC 0.3 pF
RB 200 W VJC 0.55 V
RE 2W MJC 0.5
VAF 130 V CJS 3 pF
VAR 50 V VJS 0.52
XTB 1.7 MJS 0.5 V
TF 0.35 ns
TR 10 ns
Ejemplo de compuerta lógica
VCC=+4V

4 kW

2 kW
vo
2
1 5 6

4 7
vI VM=
0V
4 kW

8
VBB