ELECTRÓNICA I EC5E01

Clase Nº 14.

El Transistor de Unión........................................................................................................ 1
El Transistor en circuito abierto. ........................................................................................ 2
Polarización del transistor en la región activa. ................................................................... 2
Componentes de la corriente del Transistor. ...................................................................... 3
Ganancia de corriente α con grandes señales. ................................................................... 4
Ecuación generalizada del transistor. ................................................................................. 5

El Transistor bipolar.
El transistor bipolar es el primer componente activo de estado sólido de la historia. Su
invención fue realizada por W.H. Brattain, W. Shockley y J. Bardeen (en los laboratorios
Bell, USA) en 1948. Al igual que su antiguo predecesor, el triodo, este transistor posee 3
electrodos y puede desempeñar un rol analógico (amplificador lineal) o lógico
(conmutación).
Un transistor puede estar constituído de dos capas de silicio tipo "p" que encierran un
tipo "n". Ó por dos capas de material tipo "n" que encierran una capa de semiconductor
tipo "p".
En el primer caso es un transistor p-n-p.
En el segundo caso es un transistor n-p-n.
El conjunto semiconductor es extremadamente pequeño, y está herméticamente protegido
contra la humedad por una caja de plástico o de metal.
Las tres partes del transistor se conocen con los nombres de emisor, base y colector. La
flecha del emisor indica la dirección de la corriente cuando la unión emisor-base está
polarizada en sentido directo. En todos los casos, por convención las corrientes IE, IB, IC, se
considerarán positivas cuando vayan hacia el interior del Transistor.

Emisor Base Colector Emisor Base Colector

E C
E p n p n p n
C

B
B
Emisor Colector Emisor Colector
IE IC IE IC
VEB VCB VEB V CB
IB IB Base
Base
Tipo p -n -p Tip o n -p -n
Figura 1. (a) Un Transistor p-n-p y uno n-p-n. La unión del emisor (colector) es JE (JC). (b)
Circuito de los dos tipos de transistores.

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 Si colocamos dos junturas PN en serie y en oposición, las propiedades físicas resultantes
del componente resultante no sirven. Sin embargo, si estas dos junturas comparten la misma
región P, y si esta región es suficientemente estrecha aparece el efecto del transistor.

El Transistor en circuito abierto.

Si no se aplica ninguna tensión de polarización, no hay corriente en el transistor. Las
barreras de potencial de las uniones se ajustan a la diferencia de potencial de contacto Vo.
(Unas pocas décimas de Volts). requerida para que ningún portador libre atraviese la unión.
Si suponemos una unión completamente simétrica (las regiones del emisor y del colector
con idénticas dimensiones físicas y concentración de impurezas), las alturas de las barreras
de potencial son idénticas para la unión de emisor JE y para la unión de colector JC, tal
como indica la figura 2.
Concentración de Portadores
minoritarios.

Emisor
P no
Cole c t o r n po n po
tipo p Base tipo p
Vo
tipo n
(tipo p) JE (tipo n) JC (tipo p)
JE JC
Figura 2. (a) Potencial y (b) densidad de portadores minoritarios en cada sección de un transistor
p-n-p simétrico con circuito abierto.

En circuito abierto la concentración de minoritarios es constante dentro de cada sección y

es igual al valor de equilibrio térmico npo en las regiones de emisor y colector de tipo "p".
Y pno en en la base tipo "n", como aparece en la Figura 2.

Polarización del transistor en la región activa.

En la Figura 3, podemos apreciar un transistor polarizado en la región activa: la unión
emisor-base polarizada en sentido directo y la unión colector-base en sentido inverso.

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 Emisor Colector

IE IC
V EB V CB RL Concentración de Portadores
IB minoritarios.
Base
Emisor Base Colector
Tipo p -n -p + - tipo p tipo n
V CC tipo p

pn
Vo np
/V EB / Barrera
Barrera p no np
de unión
d e l e m i s o r d e u n ión
n po n po
Vo-/V EB / d e l colector (tipo p)
(tipo p) (tipo n)
Vo-/V CB /
/V CB / WB
JE JC
JE Base Colector
Emisor JC
tipo p tipo n tipo p

Figura 3. (a) Transistor p-n-p polarizado en la región activa (el emisor está polarizado en sentido
directo y el colector en el inverso). (b) Variación de potencial a través del transistor. Las zonas de
transición en las uniones son muy pequeñas y se desprecian. (c) Concentración de portadores
minoritarios en cada sección del transistor. Se ha supuesto que el emisor está mucho más dopado
que la base.

Componentes de la corriente del Transistor.

La figura 4, muestra un transistor bipolar p-n-p, al cual se le han aplicado dos fuentes de
voltaje VEB y VCB con la finalidad de polarizar la juntura emisor-base en directo y la juntura
colector-base en inverso. Así, la corriente del emisor en un transistor bipolar p-n-p esta
constituída por huecos IpE (que se mueven desde el emisor a la base) y por electrones InE
(que se mueven de la base al emisor) Como el emisor está fuertemente dopado con respecto
a la base, la corriente debida a los huecos en el emisor es más grande, así puede atravesar la
base, la cual es estrecha y esta poco dopada. La corriente debida a los huecos en el emisor al
pasar a la base se convierte en una inyección de portadores minoritarios, (ya que los
portadores mayoritarios en la base son los electrones "n") una pequeña parte de esta
corriente se recombina en la base mientras que la mayor parte pasa intacta al colector como
IpC1. En donde IpC1, representa la corriente de huecos vista en JC como resultado de los
huecos que atravesaron la base desde el emisor. Por lo tanto hay un cierto volumen de
corriente de recombinación de huecos IpE - IpC1 que dejan la base, como se indica en la
figura 4, (en realidad entran electrones a la región de la base, desde el circuito exterior, por
su terminal, compensando las cargas perdidas por la recombinación con los huecos
inyectados a la base a través de JE).

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 p n p

I pE I pC1 IC
IE (I p E - I pC1 )

q
I pCO C
E
I CO
I nE
I nCO

B
IB
+ - + -

V EB V CB
Figura 4. Componentes de corriente en un transistor en el caso de estar el emisor polarizado directo
y el colector inverso. Si la corriente tiene un subíndice p ó n indica que ésta consiste de huecos o
electrones que se mueven en el mismo sentido o en el opuesto al que indica la flecha.

I E = I p E + I nE (1)

Supongamos, ahora que la unión del emisor del transistor se encuentra en circuito
abierto, por lo tanto todas las corrientes son cero con excepción de las que se generan
térmicamente. La corriente inversa está constituída por dos componentes InCO formada por
electrones que se mueven de la parte "p" a la "n" atravesando JC y el término IpCO,
resultante de los huecos que pasan desde "n" a "p" por JC.

− ICO = I nCO + I pCO (2)

Volvamos a la situación indicada en la figura 4, en que el emisor está polarizado en

directo de modo que:
I C = I CO − I pC1 = I CO − αI E (3)

en que α se define como la fracción de la corriente total de emisor, que representa los
huecos que han atravesado del emisor, por la base, al colector. En un transistor p-n-p, IE es
positiva e IC e ICO son ambas negativas, lo cual significa que, en el terminal del colector la
corriente está en dirección opuesta a la que se indica por la flecha de IC en la figura 4. Para
un transistor n-p-n, estas corrientes circulan en sentido contrario.

Ganancia de corriente α con grandes señales.

"α" se define como la relación cambiada de signo entre el incremento de la corriente de
colector desde el corte ( IC = ICO ) y la variación de la corriente del emisor desde el corte.

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  I C − I CO 
α ≡− 
 I − 0 
 (4)
 E 

Alfa es llamada la ganancia de corriente para grandes señales de un transistor en base

común. Como IC e IE tienen signos opuestos (para ambos transistores p-n-p ó n-p-n), α
siempre será positiva. El valor típico de α está comprendido entre 0,90 y 0,995. Debe
puntualizarse que α no es constante, sino que varía con la corriente del emisor IE, la tensión
de colector VCB y la temperatura.

Ecuación generalizada del transistor.

La ecuación generalizada del transistor válida en la región activa, cuando la juntura
emisor-base se encuentra polarizada en sentido directo y la juntura colector-base se
encuentra polarizada en sentido inverso es la siguiente:

I C = − αI E + I CO  V 
VC

1 − e T  (5)
 

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