15/09/2014

Transistores

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Objetivos

• Entender la distribución y movimientos de carga en los

transistores
• Conocer las estructuras, funcionamiento y características
de los diferentes tipos de transistor
• Conocer algunas aplicaciones

Presentación por José Quiles Hoyo

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Transistores

• El transistor de unión
– Polarización
– El amplificador
– Modelos
• El transistor de efecto campo
– El JFET
– El MOSFET
– Circuitos lógicos, memorias, CCDs, TFTs

– CIRCUITOS ELECTRONICOS – Discretos e Integrados – Autor Schilling / Belove

Capitulo 3

Presentación por José Quiles Hoyo

Presentación por José Quiles Hoyo

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Introducción: tipos de transistores

NPN
BIPOLARES
PNP

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO

METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)

SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistores

Presentación por José Quiles Hoyo

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 15/09/2014

El transistor bipolar de unión (BJT)

Emisor Colector
Base

- -
- I
e --
Emisor Colector

Base

Base poco dopada

Emisor más dopado que colector
Presentación por José Quiles Hoyo

Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Conclusiones:
• Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN.
• Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos
condiciones.
1) La zona de Base debe ser muy estrecha.
2) El emisor debe de estar muy dopado.
• Normalmente, el colector está muy poco dopado y es mucho mayor.
C

N- Descubiertos por
Shockley, Brattain
P N+ y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)

B E

Presentación por José Quiles Hoyo

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Transistor polarizado en forma activa

p n p


 

E E

(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB
I C= β I B
IE IC
InB InC
IBB

IB

Presentación por José Quiles Hoyo

Transistor polarizado en forma activa

(P) Emisor (N) Base (P) Colector

IpB

IE IC
InB InC
IBB

IB

BC inversa puede conducir si BE directa

Los huecos que se difunden de E a B llegan a C

I C= β I B factor de ganancia
Presentación por José Quiles Hoyo

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 15/09/2014

Configuraciones del transistor

Hay 4 variables que dependen el tipo de conexión:

Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.

E C
B C B E

E C
B

Base común Emisor común Colector común

Variables: Variables: Variables:
VBE, VCB, IE, IC VBE, VCE, IB, IC VCB, VCE, IB, IE
Presentación por José Quiles Hoyo

Configuración en emisor común

IC = 99 mA
RC
C
RB C
B IC n
RC
IB VBE VCE
VBB VCC RB
E 99 %
B p
1% VCC
IB = 1 mA

VBB
n
100 % E
IE = 100 mA
I
β= c ≃99
IE

Presentación por José Quiles Hoyo

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Curva característica de entrada

IB

RC
C
RB
B IC

VCE
IB VCC
VBB VBE
E

0,7 V VBE
VBE = VBB - IB RB

VBE 0,7 V
Presentación por José Quiles Hoyo

Curva característica de salida

IC
RC (mA) IB = 60 µA
C
RB
B IC IB = 40 µA
VCE
IB VCC IB = 20 µA
VBB VBE
E

VCE (V)

VCE = VCC - IC RC

Presentación por José Quiles Hoyo

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Emisor común: variables

RC
Variables: VBE, VCE, IB, IC
RB
IC

VBE 0,7 V para silicio IB VBE VCE

VBB VCC

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC
IC = IB RC

RB
Vsalida
VCE = VCC - IC RC IB
Ventrada

Presentación por José Quiles Hoyo

Curvas características del transistor CE

IB = 80 µA
   Región de saturación
IC ( mA)


IB = 60 µA  Región activa
IB = 40 µA  Región de corte

IB = 20 µA
Ruptura
RC
RB
IB = 0 µA
 VBB VBE VCE
VCC

VCE (V)
• En región activa: unión EB con polarización directa, BC con
polarización inversa. Aplicación en amplificación.
• En región de corte: las dos uniones polarizadas inversamente:
circuito abierto.
• En región de saturación: las dos uniones polarizadas
directamente: cortocircuito.
Presentación por José Quiles Hoyo

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Línea de carga y punto de funcionamiento

= 100 VBE 0,7 V
RC =1 k

RB=16 k VBE = -IB RB+ VBB

IC
V BB− V BE 2− 0,7
VBB = 2 V I B= = = 81, 25 μA
IB VCE RB 16000
VBE VCC=10 V
Ic = IB = 8,125 mA

IC VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V

V CC Q IB4
RC VBB (V) VCE (V) I c (mA) I B ( A)

Q IB3
0,7
0,8
10
9,375 0,625
0 0
6,25
Corte

0,9 8,75 1,25 12,5

Región activa
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
1,4 5,625 4,375 43,75
IB2 1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
IB1 2,3 0 10 100 Saturación
Q
VCE
VCC = 10 por
Presentación V José Quiles Hoyo

Línea de carga y punto de funcionamiento

V BE 0,7 V V CE (V) I c (mA)

5,55 V 14
0 12,00 5,550 6,450
RC
Ic (mA)

12 0,00
RB C
12

150
V CC 10
B
VB
E
12 V 8
B
6,49 mA
5V
43,00 µA 6,45 mA 6

2
43,000 IB 43,00 µA 30,1 PEB 30,10 µW
6,450 Ic 6,45 mA 35,7975 PCE 35,80 mW
6,493 IE 6,49 mA PT 35,83 mW 0

5,550 V CE 5,55 V 0 2 4 6 8 10 12 14

4,850 V CB 4,85 V Vcc (V)

Presentación por José Quiles Hoyo

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Línea de carga y punto de funcionamiento

RC
RB
IC
VCC
VBB VBE VCE
V CC
RC IB4

IB3
VCE = -IC RC+ VCC
Q
IB2 V CC − V CE
I C=
RC
IB1

O VCC VCE

VCE IC RC

Presentación por José Quiles Hoyo

Punto de funcionamiento: IB

IC
V CC IB4
RC
RC
IB3
RB
IC

IB2 IB VBE VCE

VBB VCC

IB1

VCC VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

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Punto de funcionamiento: RC

IC
V CC IB4
RC 1
RC
IB3
V CC RB
RC 2 IC

V CC IB2 IB VBE VCE

VBB VCC
RC 3

IB1

VCC VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

Punto de funcionamiento: VCC

IC
V CC 3
IB4
RC
RC
V CC 2 IB3
RC RB
IC
V CC 1 VCE
IB2 IB VBE
RC VBB VCC

IB1

VCC1 VCC2 VCC3 VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

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El transistor como conmutador

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC
zona de saturación
C
cortocircuito CE VCE = 0 B
IC

B E

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC 0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC
VCC VCE

Presentación por José Quiles Hoyo

Circuito inversor simple

+VCC VBB (V) VCE (V) I c (mA) I B ( A)

0,7 10 0 0
RC 0,8 9,375 0,625 6,25
0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
RB 1,4 5,625 4,375 43,75
Vsalida 1,6 4,375 5,625 56,25
1,8 3,125 6,875 68,75

Ventrada 2 1,875 8,125 81,25

2,2 0,625 9,375 93,75
2,3 0 10 100

INVERSOR Y = not A

A Y

Ventrada Vsalida

Presentación por José Quiles Hoyo

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Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3
voltajes y 3 corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Característica de
I C, I B, I E
entrada IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
En la práctica basta con conocer solo

+ IB - VCE 2 corrientes y 2 voltajes.

Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE

VBE IE y VBE.
- -
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fácilmente:

IE = IC + IB
IC = f(VCE, IB) Característica VCB = VCE - VBE
de salida
Presentación por José Quiles Hoyo

Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor NPN

IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada

IC IB VCE
+

+ IB VCE
VBE VBE
- -

Entre base y emisor el transistor se comporta como un

diodo.
La característica de este diodo depende de VCE pero la
variación es pequeña.
Presentación por José Quiles Hoyo

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Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor NPN

IC = f(IB, VCE) Característica de salida

IC IC
+
IB
+ IB VCE
VBE
- - VCE

La corriente que circula por el colector se controla

mediante la corriente de base IB.

Presentación por José Quiles Hoyo

Características eléctricas del transistor bipolar

Equivalente hidráulico del transistor

h2 Caudal Apertura

h1 - h2

h1

Presentación por José Quiles Hoyo

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Características eléctricas del transistor bipolar: linealización

Transistor NPN: linealización de la característica de salida

Zona activa: IC= ·IB

IC IC (mA) IB (μA)
+ 40 400

IB 30 300
+ VCE 20 200
VBE
10 100
- - 0
1 2 VCE (V)
Zona de
saturación Zona de corte
El parámetro fundamental que describe la
característica de salida del transistor es la ganancia de
corriente .
Presentación por José Quiles Hoyo

Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: linealización de la característica de entrada

IC IB VCE
+
IB VCE Ideal
+
VBE
- - VBE

La característica de entrada corresponde a la de un

diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas
en el tema anterior.

Presentación por José Quiles Hoyo

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 15/09/2014

Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC
IC Zona +
IB VCE
+ activa + ·IB
IB VCE VBE
+ - -
VBE
- - IC
Zona de +
saturación IB
+ IC< ·IBVCE=0
IC VBE
IB - -
IC=0
Zona de +
corte
IB VCE
VCE +
VBE
- -
Presentación por José Quiles Hoyo

Funcionamiento en conmutación de un transistor NPN

12 V
12 V
3A 36 W
3A 36 W
12 V I
12 V
I = 100
40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un IC

transistor.

La corriente de base debe ser suficiente 4A IB = 40 mA

para asegurar la zona de saturación.
(ON) 3 A ON
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite OFF
control desde sistema lógico.

Electrónica de Potencia y Electrónica 12 V VCE

digital (OFF)

Presentación por José Quiles Hoyo

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Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Característica de entrada

IC IB VEC
-

IB VEC
-
VEB VEB
+ +

Los voltajes y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor

NPN.
Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la
base es saliente.
Presentación por José Quiles Hoyo

Características eléctricas del transistor bipolar

Transistor PNP

IC = f(IB, VCE) Característica de salida

IC IC
-
IB
IB VEC
-
VEB
+ + VEC

La corriente que circula por el colector es saliente y se

controla mediante la corriente de base IB.

Presentación por José Quiles Hoyo

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 15/09/2014

Funcionamiento en conmutación de un transistor PNP

12 V 40 mA = 100
3A 36 W I
12 V 3A
12 V
I 12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al (ON) 3 A ON
reves) debe ser suficiente para asegurar la
zona de saturación. OFF

12 V VEC
(OFF)
Presentación por José Quiles Hoyo

Características eléctricas del transistor bipolar

TOSHIBA
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20

Presentación por José Quiles Hoyo

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 15/09/2014

El fototransistor

La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir

en la zona de base desempeñan el papel de corriente de
base C El terminal de Base, puede estar
presente o no.
E
No confundir con un fotodiodo.

Presentación por José Quiles Hoyo

El fototransistor

Presentación por José Quiles Hoyo

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 15/09/2014

El fototransistor

DISTINTOS ENCAPSULADOS

Presentación por José Quiles Hoyo

El fototransistor

OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:

Proporcionar aislamiento galvánico

y protección eléctrica.

Detección de obstáculos.

Presentación por José Quiles Hoyo

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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se
profundiza en las areas de Electrónica de Potencia y en
Electrónica Digital.
Sobre el uso del transistor como amplificador se
profundiza en las areas de Electrónica Analógica.

Como se ha visto ambos transistores bipolares son

bastante intercambiables y constructivamente similares.

Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN

funciona básicamente con electrones mientras que el
PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada
caso).
Reacuérdese que la movilidad de los electrones es mayor
que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas
rápido que el PNP en igualdad
Presentación por José de condiciones.
Quiles Hoyo

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