El transistor bipolar de unión

El transistor bipolar de unión p-n

Estructura física
Un transistor bipolar de unión p-n es un dispositivo de tres terminales (emisor,
base y colector) formado por un cristal semiconductor con tres regiones de igual
nombre en las que se han introducido impurezas aceptadoras y donadoras
alternativamente, y por tanto con dos uniones p-n que se suponen abruptas. Según
esta definición tenemos dos posibilidades:

Transistor npn
E C
E zona n+ zona p zona n C
B

Transistor pnp
E zona p+ zona n zona p C E C

B
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Estructura física

El transistor bipolar no es un dispositivo simétrico. El emisor tiene mayor

concentración de impurezas que el colector.

Convenio de signos

Transistor npn Transistor pnp

VCE VEC
IE - + IC IE + - IC
- +
VBE + VEB -
IB IB

Con este convenio de signos las características I-V de los dos transistores son
idénticas.
La flecha del símbolo señala la situación del emisor y el sentido de la corriente.
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Modos de operación
Aunque está formado por dos uniones p-n enfrentadas (unión base-emisor y unión
base-colector), el transistor bipolar no funciona como dos diodos enfrentados. Las
uniones p-n del transistor se comportan igual que la de un diodo, pero existe
interacción entre ellas al estar próximas.
En función de la polarización de las dos uniones (directa o inversa) se distinguen
cuatro modos de funcionamiento:

Unión B-E Unión B-C Modo de operación

Directa Inversa Activa Directa

Directa Directa Saturación

Inversa Inversa Corte

Inversa Directa Activa Inversa

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Modos de operación
• Activa directa: la corriente que circula entre el emisor y el colector es
proporcional a la corriente de base e independiente de la diferencia de tensión
entre colector y emisor.
• Saturación: existe paso de corriente aun con diferencias de tensión entre
colector y emisor muy pequeñas.
• Corte: no circula corriente por ningún terminal.
• Activa inversa: modo similar al de activa directa. No se utiliza.
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Funcionamiento

Transistor npn sin polarizar

Los electrones en el emisor y el colector se encuentran con una barrera de potencial
introducida por la zona de carga espacial que les impide su difusión a la base, donde
serían portadores de carga minoritarios. Los huecos se encuentran confinados en la
base.

+ - - + EC
+ - - +
+ - - +
E + - - + C
n+ + - p - + n
+ - - +
+ - - +
EV
B E B C
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Funcionamiento

Transistor npn polarizado en activa directa

La altura de la barrera base-emisor disminuye. Los electrones del emisor pueden
llegar a la base donde algunos se recombinan. Los que llegan a la unión base-colector
cruzan al colector arrastrados por el campo interno.

InE InC

+- - +
+- - + IR
+- - + EC
E +- - + C
n+ +- p - + n
+- - +
+- - +
IpE
B E B EV
C

VBE VCB
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Funcionamiento

Corrientes en el transistor

E (n+) B (p) C (n)

InE InC
IE IC
IpE ICBO

IR

IB
InE: corriente de electrones que atraviesa la unión emisor-base en directa.
IR: corriente de electrones recombinados en la base al ser portadores minoritarios.
InC: corriente de electrones que alcanzan el colector.
IpE: corriente de huecos que atraviesa la unión base-emisor en directa.
ICBO: corriente inversa de saturación de la unión base-colector en inversa.
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Funcionamiento

Consideraciones de diseño del transistor

• La base se fabrica lo más estrecha posible para que la mayor parte de los
electrones procedentes del emisor lleguen al colector sin recombinarse.
• La concentración de impurezas del emisor es grande para minimizar la corriente
de huecos de base a emisor.

Si se cumplen las condiciones anteriores:

I C  I E con   1
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Modelo de Ebbers-Moll (BJT npn)

Un transistor npn puede ser modelizado por el siguiente circuito:


IF IR
 E  e
I 
I S VBE VT
 
 1  I S eVBC VT  1
IE IC  F

 I C  I S e BE T  1 
 V V

I S VBC VT
R
e 1
E C 

IB  B  R

 I  I S eVBE VT  1  I S eVBC VT  1 
αRIR αFIF F

B
F R
con  F  , R 
1  F 1  R
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Modelos simplificados del transistor npn

VBE βIB
Activa directa: B C
I C  I B
IB IC
IE
on
VBE  0,7V
E

VBE VCE
Saturación: B C
sat
VCE  0,2V
IB IC
IE
sat
VBE  0,6V
E

Corte: B C
IB IC IC  I E  I B  0
IE
E
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Modelos simplificados del transistor pnp

VEB βIB
Activa directa: B C
I C  I B
IB IC
IE
on
VBE  0,7V
E

VEB VEC
Saturación: B C
sat
VCE  0,2V
IB IC
IE
sat
VBE  0,6V
E

Corte: B C
IB IC IC  I E  I B  0
IE
E
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Aproximaciones habituales en activa directa

Según el modelo de activa directa:

I C  I B
Según las leyes de Kirchoff para las corrientes:
I E  IC  I B
Combinando las dos ecuaciones:
I E  I C  I B  I C  I C   I C (   1) 

1) Aproximación β “grande”:
  1  I E  I C , I C  I B
2) Aproximación β→∞:
    (   1)   1  I C  I E , I B  0
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Características de entrada

IB VCE creciente

VBE
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Características de salida

Activa directa
Saturación IC

IB creciente

VCE

Corte
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Efecto Early (modulación de la anchura de la base)

La aplicación de una tensión VCE grande

reduce la anchura efectiva de la base. La
IC
probabilidad de recombinación en la base
es menor y la corriente aumenta.

wb

+- - +
+- - +
+- - +
E +- - + C
n+ +- p - + n
+- - +
+- - +

B VCE

 V 
VBE VCB I C  I B 1  CE 
 VA 

VA: tensión Early

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Modelo de pequeña señal

rµ
B C
rπ ro
gmvbe