Universidad Nacional Experimental Politécnica

“Antonio José de Sucre”

Vicerrectorado Puerto Ordaz
Especialidad: Ingeniería Electrónica
Cátedra: Electrónica de Potencia
Prof.: Andis Rodríguez

Diodos de Potencia

Estudiante:
Gybson Astudillo
C.I 13.336.856

Pto Ordaz-Edo Bolívar 04 de Marzo 2024

 INTRODUCCION

* Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel

significativo en los circuitos electrónicos de potencia.

* Los diodos de potencia son similares a los diodos de señal

de unión pn.

•Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores

capacidades en el manejo de la energía, el voltaje y la
corriente, que los diodos de señal ordinarios. La respuesta a la
frecuencia (o velocidad de conmutación) es baja en
comparación con los diodos de señal.

En las siguiente infografía observaremos sus tipos y

comportamiento de los diodos de potencia estudiados en esta
asignatura, también veremos algunos ejemplo de sus
aplicaciones en la actualidad.

La cual nos servirá para analizar el punto a tratar referente a

que si es posible sustituir los diodos de potencia de los
automóviles por los estudiados en esta asignatura.
 Diodos de potencia

1. Construcción y encapsulado
2. Características estáticas
1. Curvas características
2. Estados de bloqueo y conducción
3. Cálculo de pérdidas

3. Características dinámicas
1. Salida de conducción: Recuperación
inversa
2. Entrada en conducción: Recuperación
directa
3. Cálculo de pérdidas

4. Tipos de diodos de potencia

1. Diodos rectificadores para baja
frecuencia
2. Diodos rápidos y ultrarrápidos
3. Diodos Schotkky
4. Diodos para aplicaciones especiales
5. Uso de los datos de catálogo de fabricantes
 CARACTERÍSTICAS DESEABLES:

- Corriente elevada con baja caída de

tensión
- Tensión inversa elevada con mínimas
fugas

COMPARACIÓN DE LOS DIODOS

DE POTENCIA:
Caída de Temp. Tensió Intensida Densidad
Corrient
Tipo tensión interna n d directa de
e de
directa máx. invers máx. (A) corriente
fugas
(V) (ºC) a máx. (A/cm2)
(V)
Mercurio 15 a 19 baja 400 20.000 5.000 4.000
Selenio 1 alta 150 50 50 1
Germani 0,5 baja 120 800 200 100
o
Silicio 1 muy baja 200 3.500 1.000 100
Oxido
0,6 alta 70 30 10 1
de
cobre

Construcción y encapsulado

ENCAPSULADOS - Aislamiento
- Conexión Eléctrica
- Disipación térmica
DO - 5

Terminal de cobre
(ánodo)

Soldaduras Cierre aislante

Au-Si

Cierre metálico
Base de cobre
(cátodo) P
Pastilla
N semiconductora
 Construcción y encapsulado

DO – 200AC

Grandes corrientes
(3500 – 5000 A)

Base de cobre
(ánodo)
Pastilla
semiconductora Cierre metálico

Cierre cerámico

Soldaduras

Base de cobre P
(cátodo)

N
Cierre metálico

Características estáticas

Curvas características: Vd
VF
rd

id

tg


IR Vd =
1/ V AK
rd
VR
VRRM Diodo real
 Características estáticas

Curvas características:

id

Vd = 0
rd = 0

V AK

Diodo ideal

Características estáticas
Estado de conducción:

DIODO IDEAL
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

DIODO REAL
Vd rd
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

V-Vd-rd·id
 Características estáticas

Estado de conducción. Parámetros:

Intensidad media nominal (IFAV):

Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la
cápsula mantenida a determinada temperatura (110 ºC
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM):

Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (IFSM):

Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Características estáticas

Estado de bloqueo:

Ve RL VS Ve RL VS

Ve

V
VS
 Características estáticas

Estado de bloqueo. Parámetros:

Tensión inversa de trabajo (VRWM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el diodo
de forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión inversa de pico único (VRSM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada por una
sola vez cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura (VR):

Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.

Características estáticas

Cálculo de pérdidas:

id
T
Pdis  1  v F (t)  i d (t) 
T 0
dt VF

id
PPdis = V ·I dm+r
dis = Vdd·Idm +rdd·(I
·(Idef )22
def )

Vd rd
VVd:: Tensión
Tensiónumbral.
umbral.
d
Corriente media.
Idm: Corriente media.
Idm : Resistencia dinámica.
rd : Resistencia dinámica.
rd: Corriente eficaz.
Idef: Corriente eficaz.
Idef:
 Características dinámicas

Entrada de conducción: Recuperación directa

Diodo Ideal: Diodo Real: id

did/dt
Id
Cierre
t

VF
Id

VFP

t
Vd -VR

trd

ttrdrd::tiempo
tiempode
derecuperación
recuperacióndirecta
directa

Características dinámicas

Salida de conducción: Recuperación inversa

Pico de corriente de recuperación Inversa: id Id

did
Irr  Qrr=Irr·trr /2
t
a
dt

Tiempo de recuperación inversa: t

Irr

t rr  t a  t b
ta tb
ta = tiempo de almacenamiento.
tb = tiempo de caída. VF
trr

Carga de Almacenamiento:

1
Q rr  t rr Irr t
2 VR
Vrr
2Q r r
t rr did
di d Irr  2 Q rr
 dt
dt
 Características dinámicas

Cálculo de pérdidas: id Id

Las pérdidas de entrada Qrr=I rr·trr/2

en conducción son muy
pequeñas ( trd << trr) y
t
suelen despreciarse! Irr

1 T
trr
VF
Pdis  0 
v F (t)  i d (t)  dt T
PPdis = Q ·V ·f
dis = Qrrrr·VRR·fSS
t
ffSS::Frec.
Frec.de
deconmutación.
conmutación. VR

Observar la dependencia de (aproximación de la salida

las pérdidas con la frecuencia de conducción)
de conmutación.

Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV
IFAV::1A
1A––6000
6000AA

VVRRM : 400 – 3600 V

RRM: 400 – 3600 V

VVFmax : 1,2V (a IIFAVmax))

Fmax: 1,2V (a FAVmax

10s
ttrrrr::10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
RectificadoresdedeRed.
Red.
-- Baja
Baja frecuencia
frecuencia (50Hz).
(50Hz).
 Tipos de diodos de potencia

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast):

IFAV
I : :30A
30A––200
200AA
FAV

VVRRM : 400 – 1500 V

RRM: 400 – 1500 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

t : 0,1 - 10 s
trrrr: 0,1 - 10 s

Aplicaciones: - Conmutación a alta

Aplicaciones: - Conmutación a alta
frecuencia (>20kHz).
frecuencia (>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamiento de
de
motores CA.
motores CA.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos Schotkky:

IFAV
I : :1A
1A––120
120AA
FAV

VVRRM : 15 – 150 V
RRM: 15 – 150 V

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

t : 5 ns
trrrr: 5 ns

Aplicaciones: - Fuentes conmutadas.

Aplicaciones: - Fuentes conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodos de libre
de libre
circulación.
circulación.
- Cargadores de
- Cargadores de
baterías.
baterías.
 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión):

IFAV: 0,45A – 2 A
IFAV: 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns
trr: 150 ns
Aplicaciones: - Aplicaciones de alta
Aplicaciones: - Aplicaciones de alta tensión.
tensión.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):

IFAV: 50A – 7000 A
IFAV: 50A – 7000 A
VRRM: 400V – 2500V
VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
VF: 2V
trr:10 s
trr:10 s
Aplicaciones: - Aplicaciones de alta
corriente.
Aplicaciones: - Aplicaciones
de alta corriente.
 Tipos de diodos de potencia

Ánodo Rectificado
r 1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V

Cátodo
Encapsulad (roscado)
o cerámico Schottky
600V/6000A 120A – 150V

Alta Tensión Fast

40.000V 1500V
0.45A 168A
32V (VF) 1.8V
32

Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Uso de los datos de catálogo de fabricantes
 Conclusión

De acuerdo a todo lo observado en la infografía anterior sobre su

funcionamiento , aplicaciones , métodos de selección de acuerdo al
fabricante , queda muy claro que es posible sustituir los diodos de
potencia usados en los automóviles como cargador de batería, por los
estudiados en esta asignatura.

Teniendo siempre en cuenta su características de aplicación y costos ,

es posible realizar sus modificaciones