UNIVERSITE PARIS VI - PIERRE ET MARIE CURIE

ECOLE DOCTORALE PHYSIQUE ET CHIMIE DES MATERIAUX

LABORATOIRE DE PHOTONIQUE ET DE NANOSTRUCTURES
THESE

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

prsente pour obtenir le grade de Docteur en Science de lUniversit Paris VI

SPECIALITE: SCIENCES DES MATERIAUX

par

Melania LIJADI
TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION :
DEVELOPPEMENT DUNE FILIERE InP/GaAsSb POUR
APPLICATIONS ULTRA-RAPIDES
Thse dirige par M. Jean-Luc PELOUARD
Soutenance le 23 Septembre 2005

Jury:
M. Y. GULDNER

Prsident

M. A. MARTY

Rapporteur

M. S. DELAGE

Rapporteur

M. P. BOVE
M. J. L. PELOUARD

Rsum
Cette thse est un des premiers travaux sur les transistors bipolaires htrojonction (TBH)

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de la lire InP ayant une base en GaAsSb. Une mthode de mesure prcise des offsets des
htrojonctions de type II par lectroluminescence, associe aux mesures lectriques a permis de clarier les conditions du transport lectronique dans le systme InP/GaAsSb et
dinitier lutilisation dun metteur en InGaAlAs. Deux briques technologiques spciques
ont t dveloppes : la gravure chimique slective de InGaAlAs par rapport GaAsSb et
la ralisation de contacts ohmiques trs faiblement rsistifs sur p-GaAsSb. Ceci a permis
lassemblage dun procd de fabrication de TBH ultra-rapides dans cette lire. La faisabilit de ce procd a t dmontre par la ralisation de TBH submicroniques ayant des
frquences ( fT ; fmax ) de (155 ; 162) GHz. Son optimisation, protge par deux brevets,
montre des perspectives pour atteindre des frquences ( fT ; fmax ) de (380 ; 420) GHz.

ii

Abstract
This thesis is one of the rst works on heterojunction bipolar transistors (HBTs) on InP

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substrate having a base in GaAsSb. It presents a precise measurement method by electroluminescence for determination of conduction band offset for the type II heterojunction such
as the InP/GaAsSb system. Along with the analysis of HBT electrical characteristics, we
were able to clarify the electronic transport conditions and initiate the use of InGaAlAs as
emitter in this system. Two specic technological developments were studied : selective
chemical etching of InGaAlAs/GaAsSb and low-resistivity ohmic contacts on p-GaAsSb.
The implementation of these keys elements allowed the denition of a fabrication process
for high-speed HBTs. The feasibility of this process was demonstrated by the realization of
sub-micrometer transistors having frequencies ( fT ; fmax ) of (155 ; 162) GHz. Its optimization, protected by two patents, shows prospects to reach frequencies ( fT ; fmax ) of (380 ;
420) GHz.

iii

Remerciements
Ce mmoire dcrit laccomplissement de 4 annes de travaux au sein du Laboratoire de
Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS) qui ont dbutes par un stage de DEA au

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printemps 2001 Bagneux. Cette thse a t nance par la socit Picogiga International et
le LPN-CNRS. Je remercie Monsieur Linh Nguyen, ancien directeur de Picogiga, et Monsieur Jean-Yves Marzin, directeur du LPN-CNRS pour mavoir accorde leur conance.
Je tiens exprimer ma profonde gratitude mon directeur de thse Jean-Luc Pelouard.
Son engagement, sa disponibilit et son enthousiasme ainsi que la conance quil ma tmoigne au cours de ces annes mont aid surmonter les difcults qui se sont prsentes
lors de ce travail.
Ma reconnaissance va galement Philippe Bove de la socit Picogiga International.
Sa disponibilit pour transformer des nouvelles ides lintrieur de plusieurs structures
pitaxiales a permis laboutissement de ce travail. Jespre que notre collaboration continuera et donnera naissance des transistors terra Hertz...
Je remercie Monsieur Yves Guldner de lENS Paris davoir accept de prsider le Jury
de cette thse.
Je tiens galement remercier vivement les rapporteurs, Monsieur Antoine Marty du
LAAS-CNRS de Toulouse et Monsieur Sylvain Delage de la socit Thals, pour lintrt
quils ont port mon travail. Leurs commentaires ont permis damliorer la qualit de ce
manuscrit.
Je remercie particulirement Fabrice Pardo pour les nombreuses et fructueuses discussions que nous avons eues.
Tout ce travail naurait pu tre achev sans le soutien de Christophe Dupuis. Je tiens
le remercier pour sa participation la construction du procd de fabrication des TBH
iv

metteur-up.
Toute ma gratitude va Nathalie Bardou pour son aide dans ltape de lithographie
lectronique aussi bien que pour tant dautres choses.
Je remercie galement Elchuri Rao, dont les clarications (et les corrections anglaises)
ont rendu possible la publication rapide de certains rsultats.
Quil me soit permis ici de remercier lensemble des membres du groupe Physique des
dispositifs pour votre accueil chaleureux et votre soutien sans faille pendant la thse ; je
vous souhaite une bonne continuation dans vos travaux et projets.
Parmi les membres de salle blanche et de caractrisation, je remercie particulirement

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Christophe David pour la trs grande qualit de ses observations en AFM. Elles ont facilit
lanalyse des rsultats. Ma gratitude va galement Laurent Couraud et Laetitia Leroy pour
les nombreuses mtallisations, et leurs efforts poursuivre lutilisation du tungstne. Merci
galement Olivier Boulle et Eric Minoux (Thales R & T) pour leur aide lors du dpt de
tungstne.
Je remercie galement Hacne Lahreche (Picogiga International) pour son aide au dbut
des travaux.
Je tiens remercier particulirement Jean-Christophe Harmand qui ma donn certaines
de ses prcieuses couches GaAs dopes avec lesquelles jai pu conrmer des rsultats exprimentaux inattendus...
Ma reconnaissance va galement Gilbert Chanconie et Laurent Merzeau, pour leur
aide lors de la mise en place Marcoussis de la manip dlectroluminescence.
Je remercie galement Nayla El Dahdah, Laurence Ferlazzo, Stphane Collin et Yannick Dumeige pour leurs encouragements.
Mes derniers remerciements vont ma mre, Laurent et Adrien.

Avant-propos
Lide mme dintroduire une htrojonction dans un transistor bipolaire date de 1948 ;
on peut lire dans le brevet US Patent 2 569 347 dpos par W. Shockley :

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Un dispositif tel que dcrit en 1) avec une zone spare fait dun matriau semiconducteur ayant une plus grande bande interdite que celle du matriau utilis dans le
reste du dispositif
Nanmoins, les technologies permettant de dvelopper les transistors bipolaires htrojonction (TBH) ne devinrent accessibles quaprs lexpiration du brevet. En effet, il a
fallu attendre les annes 70 pour que se gnralisent les technologies de croissance (EJM,
MOCVD) offrant aux quipes de recherche les moyens dexplorer cette piste.
Lingnierie de bande interdite est toutefois loin dtre termine. Ainsi, lutilisation
du systme InP/GaAsSb qui possde une htrojonction de type II pour construire un transistor bipolaire double htrojonction (TBDH) a fait lobjet rcemment de nombreux
travaux de recherche. En effet, le systme double htrojonction InP/InGaAs se rvle
difcile matriser cause de la prsence de lhtrojonction de type I dans la jonction
base-collecteur, qui bloque le transport des lectrons en sortie de base.
Cest dans le contexte du dveloppement de cette nouvelle lire de TBH pour des
applications ultra-rapides que se situe le thme de cette thse. Elle fait partie du programme
RNRT MELBA 1 qui a pour but de dmontrer la faisabilit dune lire microlectronique
pour les TBH InP ayant une base en GaAsSb pour construire des circuits lectroniques
fonctionnant 40 Gbit/s.
Les travaux raliss dans cette thse se divisent en deux axes principaux. Tout dabord,
il sagit de concevoir les procds technologiques an de raliser des TBH ultra-rapides
1 dont

les partenaires sont PICOGIGA International, Opto+, LPN-CNRS, IXL-Bordeaux et le LPM-Lyon

vi

avec une base en GaAsSb. Pour ce faire, il a t ncessaire dtudier lensemble des solutions technologiques spciques lemploi de GaAsSb (gravure chimique slective, contact
ohmique sur la base). De plus, nous avons dvelopp une technologie permettant de raliser
des TBH de petites dimensions pour des structures pitaxies metteur en haut.
Le deuxime axe des travaux de recherche a consist explorer la physique associe
lhtrojonction de type II observe dans le systme InP/GaAsSb. A partir de lanalyse
des caractristiques lectriques de nos transistors, nous avons clari plusieurs proprits
du transport dans lhtrojonction de type II, qui ont t rlativement peu tudies. De plus
nous avons mis en en oeuvre une mthode exprimentale pour caractriser loffset de bande

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de conduction pour ce type dhtrojonction.

Le mmoire est organis de la manire suivante.
An dillustrer le contexte des travaux raliss dans cette thse, nous dbutons le chapitre I par une introduction historique qui prsente les dveloppements des TBDH pour les
systmes InP/GaAsSb. Ensuite, nous prsentons une partie thorique commenant par les
proprits physiques et la caractristique courant-tension dun jonction de pn tablie par
Shockley. Nous verrons comment la thorie a t largie dans le cas du transistor bipolaire
homojonction. Cest ce modle de diffusion que nous utiliserons pour analyser les caractristiques lectriques des TBH InP/GaAsSb qui possdent une htrojonction de type
II.
Nous dbutons le chapitre II par la description historique du dveloppement du matriau GaAsSb ainsi que la ralisation des premiers TBH InP/GaAsSb lUniversit Simon
Fraser au Canada. Ceux-ci ont dmontr la pertinence de cette lire pour les applications
ultrarapides. Par la suite, nous prsentons une analyse des proprits spciques caractrises sur des premiers TBH raliss dans cette tude : lanalyse de la jonction metteur-base,
la mesure de loffset de bande de conduction, lanalyse de linjection et du transport lectronique dans la base et enn leffet Kirk. A partir des rsultats prliminaires issu des TBH
de premire gnration, un ensemble de choix de conception a t tabli pour les structures
optimises.
Le chapitre III regroupe les dveloppements technologiques pour les TBH ultra rapides. Nous y dtaillons les approches technologiques spciques aux TBH ayant une base
en GaAsSb (gravure slective et contact ohmique) ainsi que lassemblage dun procd
vii

technologique entirement auto align pour raliser des TBH metteur en haut ddis aux
applications ultra-rapides.
Le chapitre IV montre les rsultats des caractrisations statiques et dynamiques des
TBH issus des optimisations des matriaux et raliss en utilisant les procds dvelopps
dans le chapitre III. Ces rsultats ont permis de valider les approches technologiques utilises et de quantier leur potentiel pour la ralisation de TBH ultra-rapides. Ce chapitre
est suivi par le chapitre V o les conclusions et les perspectives de lensemble de ltude

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seront exposes.

viii

Table des matires

ii

Abstract

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Rsum

iii

Remerciements

iv

Avant-propos

vi

Introduction aux TBH

1.1

Evolution historique du transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.1.1

Des tubes vide triodes au transistor bipolaire . . . . . . . . . . .

1.1.2

La venue du silicium et du FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.1.3

Lapport de lhtrojonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.1.4

Les TBH double htrojonction (TBDH) . . . . . . . . . . . . . 10

1.2

Proprits physiques des semi-conducteurs tudis . . . . . . . . . . . . . 13

1.2.1
1.2.2

Conduction lectrique par lectrons et par trous . . . . . . . . . . . 14

1.2.3
1.3

Structure cristalline de matriaux tudis . . . . . . . . . . . . . . 13

Quelques donnes de la littrature sur les semi-conducteurs tudis.

17

La jonction pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.1
1.3.2

La capacit de zone de charge despace . . . . . . . . . . . . . . . 25

1.3.3
1.4

La potentiel de diffusion et la zone charge despace . . . . . . . . . 21

Le caractristique courant-tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Le transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.4.1

Gain en courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
ix

1.5

Htrojonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.5.1
1.5.2

Avantage de lhtrojonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

1.5.3
1.6

Facteur didalit de lhtrojonction abrupte . . . . . . . . . . . . 38

Caractristique courant-tension dans lhtrojonction de type II . . 39

Caractristiques frquentielles du TBH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Frquence de transition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

1.6.2

Frquence maximale doscillation . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

1.6.3

Temps de charge du systme RC du collecteur . . . . . . . . . . . 41

1.6.4

Temps de transit dans la base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

1.6.5

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1.6.1

Temps de transit dans la zone de transition base-collecteur . . . . . 43

Bibliographie

44

50

Physique des TBH dont la base est en GaAsSb

2.1

Les premires couches de GaAsSb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

2.1.1

Rcapitulatif des proprits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

2.2

GaAsSb pour les TBH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

2.3

TBH avec une base en GaAsSb sur substrat InP . . . . . . . . . . . . . . . 56

2.4

TBH InP/GaAsSb dvelopp au LPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

2.4.1

Epitaxie de structure TBH InP/GaAsSb . . . . . . . . . . . . . . . 65

2.4.2

Caractrisation lectrique des TBH de premire gnration . . . . . 72

2.4.3

Dtermination du dcalage de bande de conduction par lectroluminescence pour lhtrojonction de type II . . . . . . . . . . . . . 80

2.4.4

Analyse des thories de transport dans le TBH avec une base en

GaAsSb. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89

2.4.5

Amliorations structurales pour les TBH de deuxime gnration . 107

Bibliographie

109

116

Vers les TBH ultra-rapides

3.1

Gravure chimique slective entre InGaAlAs/GaAsSb . . . . . . . . . . . . 120

3.1.1

Procd exprimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121

x

3.1.2
3.2

Rsultats et discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122

Contact ohmique sur GaAsSb p+ , mthode FCTLM . . . . . . . . . . . . . 128

3.2.1
3.2.2

Ralisation du dispositif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

3.2.3

Rsultats de mesure des contacts ohmiques sur GaAsSb p+ . . . . . 137

3.2.4
3.3

Mthode FCTLM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132

Conclusions sur la mesure de contact ohmique . . . . . . . . . . . 143

Procd de fabrication pour TBH de petites dimensions. . . . . . . . . . . . 143

Adaptation du procd C-up pour une structure E-up . . . . . . . . 145

3.3.3

Technologie metteur-up entirement auto-aligne . . . . . . . . . 154

3.3.4
3.4

Procd C-up auto-align . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144

3.3.2

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3.3.1

Les difcults rencontres dans le procd E-up auto-align . . . . 158

Comparaison avec les autres technologies de TBH ultra rapides . . . . . . . 165

3.4.1

Technologie auto-aligne vs. double mesa . . . . . . . . . . . . . . 165

3.4.2

Technologies permettant daccrotre la frquence fMAX . . . . . . . 168

3.4.3

Auto-alignement entre les contacts dmetteur et de base . . . . . . 171

Bibliographie

178

183

Caractrisations lectriques de TBH de petites dimensions

4.1

Dimensions des transistors H7466.3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184

4.1.1
4.1.2

Variations des dimensions de la jonction metteur-base . . . . . . . 188

4.1.3

Mthode pour la mesure des dimensions de chaque transistor . . . . 189

4.1.4

Distance entre le contact de base et la zone active . . . . . . . . . . 190

4.1.5
4.2

Dimensions de la jonction metteur-base . . . . . . . . . . . . . . 185

Sous-gravure InP du doigt collecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . 191

Caractristiques statiques des TBH de petites dimensions . . . . . . . . . . 192

4.2.1

Caractristiques moyennes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193

4.2.2

Gain moyen en courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194

4.2.3

Composantes du courant de base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194

4.2.4

Composantes du courant de collecteur . . . . . . . . . . . . . . . . 195

4.2.5

Densits de courant de priphrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197

xi

4.2.6
4.2.7

Gain en courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199

4.2.8
4.3

Densits de courant de surface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197

Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199

Comportement dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200

4.3.1
4.3.2

Mcanisme de leffet Kirk dans lhtrojonction de type II . . . . . 204

4.3.3
4.4

Effet de la polarisation base-collecteur sur les frquences fT et fMAX 201

Analyse du temps de charges RbCbc . . . . . . . . . . . . . . . . . 206

Modlisation des frquences fT et fMAX en fonction de la gomtrie . . . . 211

Rsistance dynamique dmetteur re . . . . . . . . . . . . . . . . . 212

4.4.2

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4.4.1

Rsistance dmetteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212

4.4.3

Rsistance de base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214

4.4.4

Rsistance de collecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 216

4.4.5

Capacit base-collecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217

4.4.6

Capacit metteur-base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217

4.4.7

Conceptions des TBH rapides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218

4.4.8

La frquence de coupure fT et la frquence maximale doscillation

fMAX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219

4.5

Conclusions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221

Bibliographie

223

224

Conclusions et perspectives

xii

Chapitre 1

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Introduction aux TBH

Dans cette section, une introduction historique et thorique aux transistors bipolaires
lhtrojonction est prsente. La section est organise de la manire suivante. Dabord,
lvolution du transistor bipolaire entre son invention et ses formes rcentes employant une
ou deux htrojonctions est montre. Cette volution historique a t prvue pour illustrer
le contexte de ce travail. Puis une partie thorique commenant par les proprits physiques
et la caractristique courant-tension dune jonction pn, tablie par Shockley. Nous verrons
comment la thorie a t largie dans le cas du transistor bipolaire homojonction. La
thorie ntant pas tablie pour lhtrojonction de type II, cest ce modle de transport d
la diffusion que nous avons utilis pour caractriser le cas de lhtrojonction de type
II du systme InP/GaAsSb tudi dans ce travail. Enn nous considrons les TBH sous
fonctionnement dynamique.

1.1
1.1.1

Evolution historique du transistor bipolaire

Des tubes vide triodes au transistor bipolaire

Quand nous considrons le concept du transistor bipolaire, on note sa proximit avec

celui des tubes vide triodes. Les triodes, inventes en 1906 par Lee De Forest taient
le composant clef des systmes lectroniques jusquen 1960. Elles furent utilises comme
amplicateur de signaux dans des appareils tels que les radios ou les premiers ordinateurs.
1

Le terme triode vient du fait que le dispositif a trois lments actifs : lanode, la cathode
et la grille (Fig. 1.1). Physiquement, cest un tube de verre qui contient un lament chauffant, une plaque mettant les lectrons par chauffage (la cathode), une plaque collectant les
lectrons acclrs (lanode) et une grille en mtal dans lintervalle.
Pour comprendre le fonctionnement dune triode, considrons le cas o il ny a aucune
grille entre la cathode et lanode. On observe quil y a un coulement de courant quand une
tension positive est applique lanode par rapport la cathode. Une petite variation de la
3

tension cause une grande variation du courant (I V 2 ). Remarquons que quand une tension
ngative est applique, il ny a aucun coulement de courant : cest leffet redresseur de la

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diode.
Maintenant considrons le cas o on ajoute une grille entre la cathode et lanode, et
observons de quelle manire ce troisime lment change le dispositif. Du fait que la grille
est trs mince et trs ajoure, quand une tension positive est applique la grille par rapport
la cathode, la plupart des lectrons injects de la cathode traverseront la grille et seront
acclrs en direction de lanode sans tre collects par la grille. Seulement une petite partie des lectrons sera collecte dans la grille et cre le courant de grille. Ainsi le dispositif
devient un amplicateur de courant : au prix dun petit courant de grille, un courant beaucoup plus important est rcupr dans lanode. Par ailleurs, lanode peut tre porte une
tension positive leve. Cette tension produit un champ lectrique qui acclre les lectrons
une fois quils ont travers la grille. Si une rsistance est insre dans le circuit danode, le
dispositif peut maintenant fonctionner galement comme amplicateur de tension.
Les triodes taient nanmoins encombrantes, fragiles, et consommaient beaucoup de
puissance. Cest pourquoi lun des principaux thmes de recherche de lquipe dirige par
Shockley aux Bell Labs en 1945 a t de raliser une version semi-conducteur des tubes
vide triodes. Le premier amplicateur semi-conducteur a t le transistor pointes,
ralis en 1947 par Brattain et Bardeen [Bar48]. Ce dispositif tait cependant loin du dispositif idal, il tait fragile et sa performance dpendait de ltat de surface de germanium.
En 1948, Shockley dveloppa le premier modle thorique du transistor bipolaire, qui sert
encore aujourdhui de base la comprhension de ce composant [Sho49].
Le fonctionnement du transistor bipolaire est bas sur la diode metteur-base qui est
une jonction pn. La jonction pn, ralise par la mise en contact dun semi-conducteur
2

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 1.1: Les premirs transistors (a) tube vide (b) transistor bipolaire de Shockley.

dop p avec le mme semi-conducteur dop n, est la version semi-conducteur de la diode

cathode-grille dans les tubes vide triodes. Macroscopiquement elle fonctionne de la mme
faon ; quand une tension positive est applique du ct p de la jonction, on observe un
coulement de courant. Microscopiquement, cependant, il y a une diffrence essentielle
entre la conduction lectrique dans un semi-conducteur et celle dans une triode. Dans le
semi-conducteur il y a deux types de porteurs1 qui participent la conduction, llectron
et le trou. Quand une tension positive est applique une jonction pn, le courant qui en
rsulte est la somme du courant trous dont le sens dcoulement est p n et du courant
dlectrons dont le sens dcoulement est n p .
Le principe dun transistor bipolaire est de favoriser le transport dun seul type de porteur, les trous (dans les transistors pnp) ou les lectrons (dans les transistors npn). Le
transistor npn signie que lmetteur est dop n, la base est dope p et le collecteur est
dop n. Cest le type de transistor que nous allons expliquer en dtail par la suite, bien que
historiquement les premiers transistors furent du type pnp. Le principe de fonctionnement
1 Dans

les semi-conducteurs III-V il y a mme 3 types de porteurs, car les trous ont deux types de masses
(les trous lourds et les trous lgers)

dun transistor pnp est nanmoins identique celui de type npn.

Pour favoriser le transport des lectrons dans le transistor homojonction npn, lmetteur est beaucoup plus dop que la base. De cette faon, lcoulement des lectrons de
lmetteur vers la base est beaucoup plus grand que lcoulement de trous de la base vers
lmetteur. Comme la grille dans un tube vide triode, la base dans un transistor bipolaire
est trs ne de sorte que la majeure partie des lectrons puisse traverser la base sans y
tre ni collect par le contact ni recombin avec les trous. A lautre extrmit de la base,
le semi-conducteur dop inversement de la base (n pour le transistor npn) est ajout : le
collecteur. Sans polarisation externe, la jonction est dj le sige dun champ lectrique

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lev qui acclre les lectrons sortant de la base vers le collecteur. Ce champ lectrique
peut tre renforc en appliquant une tension positive sur le collecteur. Cette polarisation
agit galement comme barrire de potentiel pour les lectrons dans le collecteur par rapport la base. Ainsi nous avons un dispositif analogue aux tubes vide triodes, dans lequel
une petite variation de la tension applique la jonction metteur base cause une grande
variation du courant dans le collecteur, mais ici la loi est exponentielle (I exp(V )).
Dans ce schma simpli du transistor bipolaire nous navons pas insist sur le courant
de base. Le courant de base est en fait la somme du courant de trous injects de la base vers
lmetteur et du courant dlectrons qui se recombinent avec les trous dans le volume de
la base. Ces deux courants sont grosso-modo proportionnels au courant dmetteur ce qui
permet dintroduire le paramtre de gain en courant statique :
=

Ic
Ib

(1.1)

Le premier transistor bipolaire fut ralis en germanium en 1950 (Fig. 1.1b). Brattain,
Bardeen et Shockley ont partag le prix Nobel en 1957 pour leur dcouverte.

1.1.2

La venue du silicium et du FET

Les transistors bipolaires en germanium souffrent de disfonctionnements temprature

leve. Cest Gordon Teal que nous devons le remplacement du germanium par le silicium
dans le transistor bipolaire, grce ses travaux sur la croissance de cristaux de silicium
[Tea52]. A la n des annes 50, les transistors bipolaires taient manufacturs en utilisant
4

le silicium en raison de sa plus large bande interdite qui facilite son fonctionnement
temprature leve, qui rsulte du moindre courant de saturation sous polarisation inverse.
De plus, loxyde de silicium (SiO2 ), loppos de loxyde de germanium, nest pas soluble
dans leau et est plus stable thermiquement.
Une volution importante du transistor bipolaire fut le dveloppement du procd de fabrication planaire en utilisant la lithographie optique. Le procd de fabrication original du
transistor bipolaire tait bas sur le procd mesa, dans lequel lmetteur et la base taient
forms par la gravure chimique des deux premires couches dopes. En 1959, le physicien
Jean Hoerni en Suisse a invent le procd de fabrication planaire. Dans ce procd de fa-

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brication, sur la surface de silicium dop n ou p on diffuse des impurets pour crer la base
du transistor seulement aux endroits slectionns par la lithographie. Lmetteur du transistor est construit de la mme manire. La connexion du transistor est alors ralise travers
la couche disolation en dioxyde de silicium (SiO2 ). Un peu plus tard, Robert Noyce a propos de raliser plusieurs transistors par la mthode planaire et de les interconnecter avec
des ouvertures dans SiO2 . Son ide a rejoint celle de Jack Kilby Texas Instruments en
1958 : raliser un circuit lectronique o transistors, rsistances et condensateurs sont tous
raliss sur une seule plaquette2 . Les procds planaires dvelopps par Hoerni et Noyce
ont men directement aux circuits intgrs modernes. Lautre rvolution incontournable du
monde du semi-conducteur fut larrive en 1962 dune nouvelle famille de dispositifs appele les transistors effet de champ Metal Oxyde Semi-conducteur (MOSFET) invente
par Steven Hofstein et Fredric Heiman au laboratoire RCA Princeton, New Jersey.
Bien que ces transistors aient t plus lents que les transistors bipolaires, ils taient
meilleur march, plus petits et consommaient moins de puissance. En effet par rapport au
transistor bipolaire, o le courant de base est ncessaire pour son fonctionnement, une fois
que la grille dun MOSFET est charge, aucun courant nest plus ncessaire pour maintenir le transistor en fonctionnement. La puissance consomme et la chaleur dissipe des
circuits intgrs utilisant des MOSFETS sont moins importantes que celles des transistors bipolaires. Cet avantage du MOSFET en fait le composant de choix dans les circuits
intgrs utilisant de nombreux transistors. De nos jours, les circuits intgrs contiennent
2 Jack

Kilby a partag le prix Nobel de physique en 2000 avec Kroemer et Alferov pour son invention du
circuit intgr

couramment des dizaines de millions de MOSFET.

1.1.3

Lapport de lhtrojonction

Le transistor bipolaire possde une limitation intrinsque dans son mode de fonctionnement. Dun ct un dopage de base NA lev est ncessaire pour la rapidit du transistor
car la frquence maximale doscillation fMAX du transistor est inversement proportionnelle
la rsistance de base Rb (dautant plus faible que NA est lev), de lautre le dopage de
base doit tre plus faible que celui de lmetteur pour accrotre lefcacit dinjection.

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An de dcoupler les deux caractristiques, il a t propos dutiliser lhtrojonction :

lutilisation, pour lmetteur, dun matriau possdant une plus grande bande interdite relativement la base a t imagine par Shockley ds le premier transistor bipolaire. La
thorie du transport travers lhtrojonction a t dveloppe par la suite par Anderson
[And62] et Kroemer [Kro57]. Kroemer a dmontr lintrt dutiliser un matriau ayant
une plus large bande interdite pour metteur. Comme il y a une barrire de potentiel associe la diffrence de bande interdite (Eg ), celle-ci devrait permettre de minimiser le
courant de trous de la base vers lmetteur dans le transistor et ainsi daugmenter lefcacit dinjection dans la jonction metteur base. En effet la densit de courant de trous
varie exponentiellement avec la barrire de potentiel. Lefcacit dinjection pour le transistor npn, dni comme le rapport entre le courant de trous de la base vers lmetteur (J p )
et le courant dlectrons de lmetteur vers la base (Jn ) est donc rduit dans le cas dune
htrojonction [Kro57] :
(J p /Jn )hetero = (J p /Jn )homo exp(Eg /kT )

(1.2)

Pour Eg 8kT , et en supposant que les masses des porteurs soient identiques, le dcit
dinjection est rduit par un facteur 3000. Avec une htrojonction, une efcacit dinjection, (dnie comme =

Jn
Jn +J p )

proche de 100 % peut tre rapidement obtenue, et ceci

quelque soit le niveau de dopage dans la base. Kroemer a galement introduit les concepts
de quasi-champ lectrique dans lhtrojonction graduelle[Kro82]. Kroemer a obtenu le
prix Nobel en 2000 pour lensemble de ses travaux sur les htrostructures semiconduc6

trices.
Nanmoins, ce nest quavec lessor des technologies de fabrication des htrostructures par les techniques dpitaxie (pitaxie en phase liquide (LPE), pitaxie par jet molculaire (MBE) ou pitaxie en phase vapeur aux organomtalliques (MOVPE)) que les
TBH purent tre raliss. Parmi les premiers transistors bipolaires htrojonction (TBH)
tudis, des systmes GaAs/Ge, ZnSe/GaAs, ZnSe/Ge et AlGaAs/GaAs, cest le systme
AlGaAs/GaAs qui a t le plus prometteur. Ceci est d laccord de maille entre AlGaAs
et GaAs qui a permis de raliser une interface sans dfaut cristallin. En 1974, des TBH
AlGaAs/GaAs raliss par LPE ayant des gains en courant suprieurs 350 ont t obtenus

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pour une paisseur de base infrieure 1m [Kon75]. Deux ans plus tard, un phototransistor AlGaAs/GaAs avec un gain en courant suprieur 1600 a t report [Kon77] . Ces
rsultats ont suscit de nombreux travaux sur le systme AlGaAs/GaAs [Kro82][Kro83].
Ce premier systme a dmontr la pertinence des prdictions de Shockley et de Kroemer. La prsence dune discontinuit dans la bande de valence dans lhtrojonction AlGaAs/GaAs ralis par LPE a en effet amlior considrablement lefcacit dinjection
du transistor et a permis daugmenter fortement le dopage de la base. Ceci a permis damliorer la rapidit de transistor.
Toutefois la comprhension du transport lectronique dans le TBH AlGaAs/GaAs possdant une htrojonction de type I (cest dire que la base est en mme temps un puits
de potentiel pour les lectrons et pour les trous (Fig. 1.2) ne faisait que commencer. Les
premiers TBH AlGaAs/GaAs raliss par MBE ont montr que dans une htrojonction
AlGaAs/GaAs abrupte le dcit dinjection est beaucoup plus faible que celui prdit dans
lquation 1.2. Kroemer explique ceci avec le diagramme de bande de la jonction metteur
base AlGaAs/GaAs montr dans Fig. 1.2b [Kro82]. Lalignement de bandes entre deux
htrostructures doit respecter lafnit lectronique de chaque matriau faisant des dcalages de bandes lhtrojonction, correspondant loffset de bande de conduction (Ec )
et celle de bande de valence (Ev ). Lgalit des niveaux de Fermi des deux cts de lhtrojonction impose une courbure des bandes de conduction et de valence. Une zone de
charge despace apparat de part et dautre de lhtrojonction crant ainsi un champ lectrique. Ce champ vient sopposer la diffusion des porteurs entre les deux matriaux. On
observe alors un puit de potentiel (notch) de cot base et une barrire de potentiel (spike)
7

qVn

Ec

Eb
En

Ec
qVbe
Ev

Ev

qVp

Emetteur (AlGaAs)

Base (GaAs)

F IG . 1.2: (a) Alignement de bande de lhtrojonction de type I. (b) Diagramme de bande

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de la jonction metteur base de TBH AlGaAs/GaAs [Kro82]

de ct metteur. Comme le dopage de lmetteur est moins important que celui de la base,
la chute de potentiel cot metteur (Eb ) est plus importante que celle ct base (En ). La
barrire de potentiel (Eb Ec ) sajoute donc dans lefcacit dinjection (quation 1.2)
ce qui donne ainsi :

(J p /Jn )hetero = (J p /Jn )homo exp (Eg + Eb )/kT (J p /Jn )homo exp(Ev /kT ) (1.3)
Le dcit dinjection dans lhtrojonction abrupte savre proportionnel seulement
exp(Ev /kT ).
Mais Kroemer a galement montr lintrt de la prsence de spike dans le systme
AlGaAs/GaAs abrupt. En effet le spike peut tre utilis pour injecter dans la base les lectrons avec un excs dnergie cintique (des lectrons chauds). Ceci doit permettre un
transport lectronique trs rapide dans la base [Kro82]. Cet ide est reprise par la suite
par Ankri [Ank82] qui a galement montr que la hauteur de spike ne doit pas dpasser
la diffrence dnergie intervalle L pour viter que les lectrons ne transfrent de la
valle vers la valle L et y perdent ainsi leur vitesse cause dune masse dlectrons plus
importante. Cette tude montre la limite intrinsque du systme abrupt Alx Ga1x As/GaAs
car pour maintenir la hauteur de spike en dessous de 0.3 eV (la distance intervalle L),
loffset de la bande de valence qui en rsulte est assez faible (xAl = 0.28, Ev = 0.053 eV).
8

An de surmonter cette limitation, il a t propos dutiliser un metteur avec une concentration graduelle dAluminium [Kro83] [Gri84], ainsi que dutiliser GaInP pour lmetteur car loffset de bande de valence entre GaInP/GaAs est plus important que celui de
AlGaAs/GaAs [Kro83]. Ces solutions ont t entreprises dans diffrents laboratoires et
utilises dans les TBH GaAs jusqu aujourdhui.
De nombreux travaux ont galement t entrepris pour raliser les TBH en utilisant
dautres systmes de matriaux. En particulier, lidentication de la longueur donde 1.21.3 m minimisant la dispersion [Pay75] et la perte en transmission [Hor76a] [Hor76b]
de signal dans les bres optiques base de silice ont acclr les tudes de systmes sur

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substrat InP. En effet il a t dmontr que les alliages In1x Gax Asy P1y en accord de maille
avec InP permettent dobtenir un matriau dont la bande interdite varie entre 1.2-1.3 m
[Pea77]. Ceci a suscit des travaux sur les phototransistors dans le systme InP/InGaAsP
pitaxi par LPE qui montre un gain en courant suprieur 2000 [Tob80][Fri81] et de
phototransistors InP/InGaAs [Cam80].
La difcult dpitaxier directement InP sur la couche de InGaAs par LPE et par MBE
source solide a longtemps frein le dveloppement de TBH InP/InGaAs. Il a fallu attendre le dveloppement de lpitaxie par jets molculaires source gazeuse (GS-MBE)
pour voir les premires structures TBH InP avec une base en In0.53 Ga0.47 As ralises par
Nottenburg en 1986 [Not86]. En 1988 Hayes rapporte galement la croissance de structures TBH InP/InGaAs par MOCVD avec un gain en courant suprieur 5000 [Hay87].
Rapidement le systme InP/InGaAs montre sa supriorit face aux TBH AlGaAs/GaAs.
En 1989, Nottenburg a rapport la ralisation de TBH InP/InGaAs de petites dimensions
(surface metteur 3.2 3.2 m2 ) ayant une frquence de coupure fT de 110 GHz. Cette
performance a surpass la meilleure performance de TBH AlGaAs/GaAs de lpoque ( fT
105 GHz) [Not89]. La mme anne, cette quipe a rapport le premier TBH ayant un temps
transit sous la pico seconde ( fT = 165 GHz ce qui correspond au temps transit metteur
collecteur ec = 0.97 ps)[YKC89]. Cette performance exceptionnelle est attribue dun part
la plus grande vitesse dlectrons chauds dans InGaAs que dans GaAs due la distance
intervalles plus importante entre L et X, et dautre part la moindre vitesse de
recombinaison de surface sur InGaAs [Not88][Not89].
Les systmes InP/InGaAs et InAlAs/InGaAs sont ainsi devenus les systmes privilgis
9

pour la ralisation de transistors rapides. Leur performance samliore avec une meilleure
matrise de la technique dpitaxie qui permet de raliser des htrojunctions abruptes
lchelle nanomtrique. Il devient ainsi possible de rduire considrablement les paisseurs
de la base et du collecteur de transistor. Cette rduction des paisseurs se rpercute directement sur le temps de transit des lectrons, car la distance parcourue par les lectrons de
lmetteur au collecteur est ainsi rduite. La matrise des techniques dpitaxie a galement
permis dintroduire un quasi champ lectrique par une gradualit de concentration et/ou
de dopage, qui permet dacclrer les lectrons dans la base. Dautre part la technologie
de fabrication de transistor de petites dimensions sest aussi amliore. Lemploi des tech-

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niques de lithographie lectronique a permis de rduire la dimension du doigt dmetteur

jusqu 0.2 m. Les travaux rcents de Feng [Fen05] ont dmontr quune frquence de
coupure fT 600 GHz pour un TBH InP/InGaAs ayant une paisseur de base de 20 nm et
de collecteur de 62.5 nm. Ces performances font du TBH InP/InGaAs le plus rapide des
transistors bipolaires jamais raliss.

1.1.4

Les TBH double htrojonction (TBDH)

La diversication des applications des circuits lectroniques a cr galement diffrentes spcications pour le transistor bipolaire. Ainsi pour certains circuits numriques, la
jonction base collecteur peut tre au cours du fonctionnement polarise en direct [Kro82].
Cette polarisation baisse la barrire de potentiel pour les trous et cause une injection de
courant trous vers le collecteur. Comme dans la jonction metteur-base, la solution dutiliser un matriau plus grande bande interdite que la base pour le collecteur pour supprimer
les injections de courant trous doit tre employe. Cette solution en effet permet de rduire
linjection de courant de trous tout en maintenant un niveau de dopage lev dans la base.
Un autre exemple est le TBH utilis pour les applications de fortes puissances. Elles
ncessitent galement un collecteur grande bande interdite an de pouvoir appliquer une
grande tension de polarisation inverse.
Ces diffrents besoins font appel lutilisation dune deuxime htrojonction dans
la jonction base-collecteur. Cette solution a t propose par Kroemer ds 1982 [Kro82].
Elle permet doptimiser sparment la base et le collecteur du transistor car, lexception
10

dun mme besoin dune grande vitesse de drive et dune grand mobilit dlectrons, les
proprits recherches pour les semi-conducteurs utiliss sont diffrentes.
Dans les transistors sur substrat InP avec une base en InGaAs, il nest pas possible
dutiliser une htrojonction abrupte dans la jonction base-collecteur ayant pour collecteur
le mme matriau que lmetteur. En effet le spike utilis dans la jonction metteur base
pour lancer des lectrons chauds empche la collection des lectrons en sortie de la base.
Les tudes exprimentales conrment le phnomne de blocage du courant de collecteur
faible polarisation base-collecteur. Pour contourner leffet de la barrire de potentiel, plusieurs solutions ont t proposes. On note lutilisation de collecteur composite [Rit92],

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lutilisation des espaceurs en InGaAs avec dopage contrl[Kur93] et/ou lutilisation de

matriaux de transition ayant une bande interdite graduelle tels que lInGaAsP [Ohk91]
[Kur94] ou lInGaAlAs [Yam94]. La solution de matriaux de transition en InGaAsP sest
rvele tre la meilleure (les performances rcentes rapportes pour TBDH InP/InGaAs/InP
est fT , fMAX > 300 GHz [Ida02]) mme si elle induit une condition dpitaxie particulirement difcile. Nanmoins ltude thorique de Tiwari a montr que malgr lutilisation
dune bande interdite graduelle, il existe toujours une barrire de potentiel pour les lectrons haute densit de courant [Tiw88a].
En 1998 lquipe du Professeur Bolognesi de lUniversit Simon Fraser au Canada
a propos une approche alternative consistant utiliser une base en GaAsSb [Mat98].
Lintrt principal de cette structure est que lalignement de bande de lhtrojonction
InP/GaAsSb0.49 (en accord de maille avec InP) est de type II. Loffset de bande de conduction de lhtrojonction InP/GaAsSb est estim entre -0.11 -0.18 eV [Hu98][Pet99]. Dans
le type htrojonction de II (reprsente sur la gure 1.3) alors que le matriau petite
bande interdite est comme pour lhtrojonction de type I, un puit de potentiel pour les
trous, il est une barrire de potentiel pour les lectrons. Cet alignement de bande convient
parfaitement une jonction base-collecteur car les lectrons sortant de la base gagneront
une nergie supplmentaire correspondant loffset de la bande de conduction (Ec ) entre
InP/GaAsSb. Par ailleurs le grand offset de bande de valence supprimera toute injection de
trous de la base vers le collecteur. En utilisant la base en GaAsSb, il est donc possible dutiliser le collecteur en InP tout en assurant une collection complte des lectrons en sortie de
base.
11

-Ec
-Ec

EF
Ev

Ev

Base (GaAsSb)

Collecteur (InP)

F IG . 1.3: (a) Alignement de bande de lhtrojonction de type II. (b) Diagramme de bande

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

de la jonction base collecteur InP/GaAsSb

Lautre intrt de la base en GaAsSb est la possibilit dutiliser le carbone comme dopant de la base. La dcouverte que le carbone ne diffuse pas a considrablement amlior la
abilit des TBH GaAs [Keu88] [Ren91]. Ceci a entran de nombreuses recherches pour
remplacer par le carbone les dopants de type p dans la base des TBH la place des lments
de la colonne II (bryllium), ou des lments de transition (zinc, magnesium) qui tous, prsentent des coefcients de diffusion levs. Il savre que le carbone est un dopant efcace
dans le GaAsSb et montre trs peu deffet de passivation par lhydrogne [Der96] [Bha96]
[Wat00]. La proprit non diffusive du carbone permet un trs fort niveau de dopage dans
la base [Wat00]. Cette possibilit daugmenter le dopage dans la base permet galement
de rduire lpaisseur de la base tout en maintenant une rsistance de base peu leve.
Ainsi, il a t mesur sur les premiers dispositifs submicroniques utilisant ce systme des
frquences de coupure ltat de lart en 2000 avec fT = 270 GHz et fmax > 300GHz
[Dvo00b]. Ces performances exceptionnelles font des TBH InP/GaAsSb un candidat pour
laccs au domaine THz.
12

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 1.4: (a) La structure cristalline de la blende de zinc pour le cas du GaAs. Chaque
atome occupe le centre dun ttradre form par les 4 plus proches voisins. (b) La premire
zone de Brillouin du rseau rciproque [Sze81].

1.2
1.2.1

Proprits physiques des semi-conducteurs tudis

Structure cristalline de matriaux tudis

Comme la majorit des III-V, lInP se cristallise dans la structure de la blende de zinc.
La structure de la blende de zinc peut tre considre comme linterpntration de deux
rseaux cubique faces centres (c.f.c) dcals lun par rapport lautre du quart de diagonale principale. Cette structure est identique la structure diamant que possdent les
semi-conducteurs lmentaires (Si,Ge), sauf que lun de sous rseaux de c.f.c est occup
dun atome de colonne III et lautre sous rseaux de colonne V. Ceci est illustr (pour le
cas du GaAs) dans la gure 1.4a.
La premire zone de Brillouin du rseau rciproque correspondant est un octadre tronqu (g 1.4b) dont les points de haute symtrie appels jouer un rle important, sont nots
(centre de zone), X bord de zone dans les directions (1,0,0) et quivalentes, et L bords
de zone dans les directions (1,1,1) et quivalentes. Dans ces structures cristallines, chaque
atome occupe le centre dun ttradre form par les 4 plus proches voisins. Les cations et
les anions possdent respectivement 3 et 5 lectrons dans leur couche lectronique externe.
Lhybridation des orbitales s et p externes de chaque atome avec ses quatre plus proches
13

voisins va former des liaisons ttradriques.

1.2.2

Conduction lectrique par lectrons et par trous

Une des proprits spciques aux semi-conducteurs est que la conduction lectrique
dans les matriaux est faite en mme temps par les lectrons et les trous. Ce fait est troitement li la structure lectronique des lectrons extrieurs, et sexplique en considrant la
structure de bandes du semi-conducteur.
La structure de bandes dcrit les tats des nergies permises pour chaque lectron de

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valence dans le cristal en fonction du vecteur donde. Ces tats des nergies permises sont
spars par une bande dnergie. Tous les tats dnergie en dessous de la bande interdite
forment la bande de valence et sont presque tous remplis dlectrons. Tous les tats dnergie au dessus de la bande interdite forment la bande de conduction qui est presque vide
dlectrons. La gure 1.5 illustre la structure de bande de lInP. Lorigine de lnergie (axe
y) est prise gale 0 aux sommets des premires bandes de valence au point . La bande
de valence se compose de quatre bandes diffrentes dont 3 de symtrie p et 1 de symtrie
s. Les deux premires qui se rejoignent au point (not 8 ), sont la bande de trous lourds
(BV hh) et la bande de trous lgers (BV lh). La troisime bande (not 7 ) situe une nergie plus basse est la bande de spin orbite. La dernire bande (not 6 ) ne participe pas la
conduction. La bande de conduction se compose galement de quatre bandes diffrentes,
mais on ne considre habituellement que la bande de symtrie s (not 6 ) qui est la plus
proche de la bande de valence.
En effet, dans un semi-conducteur parfait, et quand la temprature approche le zro absolu, tous les tats dans les bandes de valence sont compltement occups et tous les tats
dans les bandes de conduction sont compltement vides. Dans ce cas il ny a pas de conduction lectrique quand un champ lectrique est appliqu car il ny a pas de mouvement possible pour les lectrons. La conduction se produit sil y a des lectrons qui occupent des
tats permis dans la bande de conduction (dus aux dfauts cristallins, grce absorption
dun photon etc.). En plus doccuper des tats permis dans la bande de conduction, ces
lectrons crent en mme temps des tats vacants dans la bande de valence. Ces tats vacants dans une bande presque pleine, permettent aux lectrons dans la bande de valence de
14

bouger lorsquon applique un champ lectrique. Cest le deuxime type de porteurs trouv
dans le semi-conducteur, appel les trous.
Les lectrons dans la structure de bande sont caractriss par leur masse effective, qui
est dnie par linverse de la courbure de la rlation de dispersion E(k).
m =
e

2 E/ K 2

(1.4)

La masse effective est dautant plus importante que la courbure de bande est grande (do
la dnomination de trous lourds et de trous lgers). On trouve galement que la courbure et
les masses effectives dlectrons aux sommets de la bande de valence sont ngatives. Ces

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quantits sont associes aux trous. Comme la masse est toujours prise comme une quantit
positive, on caractrise les trous comme sil tait porteur dune charge +e.

F IG . 1.5: Diagramme de bande dInP calcul par pseudo potentiel [Che76]. Lorigine de
lnergie (axe y) est prise aux sommets des premires bandes de valence au point .
Dans InP, le bas de la bande de conduction est situ en centre de zone de Brillouin
15

(point ), comme le maximum de bande de valence ; il sagit dun semi-conducteur bande

interdite directe. Il existe aussi des minima secondaires dans la bande de conduction aux
points X et L. Les autres matriaux tudis dans cette thse, ternaires GaAsSb, InAlAs,
InGaAs et quaternaire InGaAlAs sont galement des semi-conducteurs bande interdite
directe.

Le caractre direct ou indirect est essentiel en ce qui concerne les proprits optiques.
Comme les transitions optiques sont permises seulement dans le cas de la conservation du
vecteur donde k, elles ne sont observables que pour les semi-conducteurs bande interdite

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directe. En effet, dans le cas dun semi-conducteur bande interdite indirecte, les transitions
optiques travers le gap ne peuvent avoir lieu que grce une interaction supplmentaire,
par exemple celle dun phonon.

Pour les TBH, lun des points importants dans la structure de bande est la distance
en nergie entre le minimum au point et les autres minima (point L, X) dans la bande de
conduction. Plus la distance en nergie est grande, moins le transfert dlectrons de la valle
vers les valles L et X sera possible. Cette caractristique est exploite dans le transport
haute vitesse comme le transport balistique dans la base et dans le transport par drive
sous fort champ lectrique dans le collecteur. En effet, la masse effective de llectron
dans la valle tant la plus petite, sa vitesse dans cette valle est la plus importante.
Sous fort champ lectrique ou par une grande discontinuit de la bande de conduction,
les lectrons peuvent acqurir une nergie leve et tre transfrs dans les autres valles,
o ils gagneront en masse et perdront en vitesse. Pour le TBH rapide, on recherche donc
des matriaux ayant une grande distance intervalle L et X dans leur bande de
conduction.

Dans la suite de cette thse, le diagramme de bandes est trac en prenant les valeurs
au point . Les bandes sont approches par des bandes paraboliques avec leurs masses
effectives associes, et on ne considre que les nergies proches du minimum de la bande.
16

1.2.3

Quelques donnes de la littrature sur les semi-conducteurs tudis.

1.2.3.1

Paramtre de maille

Le paramtre de maille dun matriau ternaire est dtermin en premire approximation

par interpolation linaire des paramtres de maille des matriaux binaires (loi de Vegard) :

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

a0 (Ax B1xC) = xa0 (AB) + (1 x)a0 (BC)

Semi-conducteur

a0 []

InP

5.8687

AlAs

5.660

GaAs

5.6532

InAs

6.0583

GaSb

(1.5)

6.0959

TAB . 1.1: Paramtres de maille des semi-conducteurs binaires de la lire InP et GaAs.

La table 1.1 donne le paramtre de maille du substrat InP et de quatre binaires bases des
ternaires In0.53 Ga0.47 As, In0.52 Al0.48 As et GaAs0.51 Sb0.49 en accord de maille avec InP.
Dans la suite de la thse on crira simplement InGaAs, InAlAs et GaAsSb. Le paramtre de
maille dun matriau quaternaire est dtermin en premire approximation par interpolation
linaire des paramtres de maille des matriaux ternaires.
a0 (ABCD) = za0 (ABC) + (1 z)a0 (BCD)

(1.6)

Il y a donc une srie de matriaux quaternaires InGaAlAs en accord de maille avec InP que
lon peut obtenir en alliant InAlAs et InGaAs.
17

1.2.3.2

Lnergie de bande interdite des matriaux

Le tableau suivant montre les nergies de bande interdite des semi-conducteurs binaires
temprature ambiante. La mesure de lnergie de bande interdite emploie les mthodes
dadsorption (photo luminescence, photo courant, etc). On note une corrlation entre la
valeur de la bande interdite et le paramtre de maille prsent dans le tableau 1.1.

Eg [eV]

Eg
T

InAs

0.356

-3.5

InP

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Semi-conducteur

1.35

-2.9

GaAs

1.424

-3.9

AlAs

3.14

-5.2

[ 104 eV/K]

TAB . 1.2: Lnergie de bande interdite des matriaux binaires et le coefcient de variation
linaire avec la temprature.
La mesure de lnergie de bande interdite des matriaux ternaires Ax B1x C en fonction de
x a permis de montrer la qualit de lapproximation quadratique de la bande interdite entre
les valeurs dalliages binaires AC et BC :
Eg(x) = xEg (AC) + (1 x)Eg (BC) x(1 x)c

(1.7)

o c est le paramtre de courbure (bowing parameter) qui corrige linterpolation linaire

entre matriaux binaires. La valeur de c pour des alliages III-V est typiquement positive (la
bande interdite dalliage ternaire est plus petite que le rsultat de linterpolation linaire),
et peut en principe dpendre de la temprature [Vur01].

Alliage

Energie de bande interdite

Rfrence

In1x Gax As

0.356 + 0.7x + 0.4x2

[Nah78]

GaAs1x Sbx

1.43 1.9x + 1.2x2

[Nah77]

TAB . 1.3: Expression de la bande interdite en fonction de composition dalliage 300K

18

La variation de bande dinterdite en fonction de la temprature emploie lexpression tablie

par Varshni :
Eg(T ) = Eg(0)

T 2
T +

(1.8)

Alliage

Energie de bande interdite

Rfrence

InP

1.421 3.63 104 T 2 /(T + 162)

[Cas87]

InGaAs

0.822 4.5 104 T 2 /(T + 324)

[Yu84]

GaAsSb

0.816 8.4 104 T 2 /(T + 867)

[Bru03]

TAB . 1.4: La variation de la bande interdite en fonction de la temprature pour des alliages

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

en accord de maille avec InP

Aux alentours de la temprature ambiante, la variation de lnergie de bande interdite avec
la temprature devient linaire et on peut crire en premire approximation :
Eg (T ) = Eg (0) + T
Avec =

Eg
T

(1.9)

(tableau 1.2).

La mesure de bande interdite de lInGaAs par Zielinski a montr qu basse temprature (<150 K), la bande interdite de lInGaAs est bien dcrite par lexpression de Varshni
(equ 1.8) [Zei86], mais que pour T >200 K lapproximation 1.8 surestime lgrement la
valeur de la bande interdite et que lapproximation linaire reprsente mieux les rsultats
exprimentaux.
1.2.3.3

Masse effective

La masse deffective dun porteur dans un cristal peut tre dtermine soit thoriquement (thorie K.P) soit exprimentalement par la mesure des proprits de magnto transport des porteurs en rgime balistique (rsonance cyclotron, oscillations Shubnikov-deHaas).
Le tableau 1.5 montre la masse des lectrons et des trous pour quelques matriaux
semi-conducteurs. On observe que lInGaAs possde les masses effectives dlectron et
de trou les plus faibles parmi les semi-conducteurs cits dans le tableau. La faible masse
19

dlectrons de lInGaAs en fait le matriau de choix pour le contact ohmique de type n des
TBH sur substrat InP.

Electrons

m /m0
hh

Rfrence

0.08

0.12 0.01 (100)

0.56 0.02 (100)

[Leo74]

0.12 0.01 (111)

InP

m /m0
lh

0.60 0.02 (111)

[Leo74]

0.067

0.087

0.62

[Ada85]

InGaAs

0.041

0.050 (001)

0.47 (001)

[Ala80]

GaAsSb

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

GaAs

0.046

N.A.

N.A.

[Dev81]

TAB . 1.5: La masse effective de porteurs pour quelques matriaux semi conducteur.
1.2.3.4

Distances en nergie inter valles

La distance minimale en nergie entre les valles , L et X dans les matriaux semiconducteurs est mesure par la mthode de photomission.

Matriau

L (eV)

X (eV)

InGaAs

0.55 [Che82]

0.62 [Por83]

GaAs

0.3 0.02 [Dro85]

0.46 0.02 [Dro85]

InP

0.61 [Jam70]

0.76 [Jam70]

TAB . 1.6: La distance nergtique inter-valles des matriaux semi-conducteurs.

LInP possde la distance en nergie inter valles la plus importante, suivi par lInGaAs et
GaAs. Lvolution de la vitesse de drive lectronique (vd ) en fonction en champ lectrique
est trace dans la gure 1.6 pour lInP, lInGaAs et GaAs. On note que pour des faibles
valeurs de champ lectrique, vd InGaAs > vd GaAs> vd InP en accord avec la masse de
llectron me InGaAs < me GaAs < me InP. Pour de fortes valeurs du champ lectrique
la vitesse de drive dcrot cause du transfert des lectrons dans les valles latrales.
La diminution de la vitesse de drive est situe pour InP des valeurs de champ lectrique
plus importantes que dans les autres semi-conducteurs, en accord avec la grande distance en
20

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 1.6: Vitesse de drive lectronique stationnaire dans InP, InGaAs et GaAs nondops
en fonction du champs lectrique appliqu [Cas89]
nergie inter valles de InP. Il en rsulte une vitesse de saturation dans lInP plus importante
que dans GaAs et InGaAs.

1.3

La jonction pn

La jonction pn est llment fondamental du transistor bipolaire. La thorie de ses

modes de fonctionnement a t tablie par Shockley et ses collaborateurs puis tendue
par Moll.

1.3.1

La potentiel de diffusion et la zone charge despace

La jonction pn est forme par la mise en contact dun semi-conducteur dop p avec
un semi-conducteur dop n. Ceci est obtenu soit par diffusion ou implantation dimpurets soit directement par lpitaxie. Dans le TBH la jonction pn utilise est gnralement
abrupte, cest dire que la concentration en impurets change brusquement linterface.
La distribution spatiale des impurets ionises, du champ lectrique, du potentiel de diffusion et le diagramme de bande dune jonction p+ n lquilibre sont dcrits dans la gure
1.7 [Sze81].
21

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 1.7: La jonction pn lquilibre. (a) Distribution des charges dues aux impurets
ionises. (b) Prol du champ lectrique. (c) Prol du potentiel. (d) La diagramme de bande
[Sze81].

22

Le courant dlectrons, somme du courant de drive qn nE et du courant de diffusion

qDn n est nul lquilibre thermodynamique. Dans lapproximation monodimensionnelle
x
il scrit :
Jn = 0 = qn nE +

kT n
q x

= n n

EF
x

(1.10)

De mme pour le courant de trous on trouve :

Jp = 0 = p p

EF
x

La condition dquilibre impose que le niveau de Fermi soit constant partout dans la jonc-

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

tion, cest dire :

EF
=0
x

(1.11)

En notant que les concentrations dlectrons et de trous ct n (resp. p) lquilibre sont

nn0 , pn0 (n p0 , p p0 ), le potentiel de diffusion (Vbi dans la gure 1.7) est :
Nc Nv
Nc
Nv
) [kT ln( ) + kT ln(
)]
2
nn0
p p0
ni
nno p p0
NA ND
= kT ln( 2 ) kT ln( 2 )
ni
ni

qVbi = Eg (qVn + qVp ) = kT ln(

(1.12)

Comme lquilibre nn0 pn0 = n p0 p p0 = n2 , alors :

i
qVbi =

p p0
kT
kT
nn0
ln(
)=
ln(
)
q
pn0
q
n p0

(1.13)

Les concentrations de porteurs minoritaires au bord de la zone de charge despace (ZCE)

scrivent :
qVbi
)
kT
qVbi
n p0 = nn0 exp (
)
kT
pn0 = p p0 exp (

(1.14)
(1.15)

A lquilibre la neutralit lectrique exige que la somme des charges en dehors de la zone
de charge despace soit nulle. La charge totale ct n est donc gale la charge totale ct

23

p:
NA x p = ND xn

(1.16)

Le prol de potentiel, le champ lectrique et le potentiel de diffusion sont obtenus en rsolvant les quations de Poisson :

2V
E (x)
+

=
[p(x) n(x) + ND (x) NA (x)]
x2
x
s

(1.17)

dont les solutions ne peuvent tre obtenues analytiquement sauf pour approximation dun

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

dopage abrupt linterface. Dans ce cas, lquation 1.17 se simplie :

2V
q
ND
2
x
s
2V

q
2
NA
x
s

0 < x xn

(1.18)

xp x < 0

Le champ lectrique (Fig 1.7b) est obtenu en intgrant les quations 1.18,
qNA (x + x p )
s
qND (x xn )
E(x) =
s

E(x) =

xp x < 0

(1.19)

0 < x xn

On trouve le champ lectrique maximum x = 0 :

|Em | =

qND xn qNA x p
=
s
s

(1.20)

Le prol de potentiel est obtenu par lintgration de lquation 1.20 :

V (x) = Em (x

x2
)
2W

1
1
Vbi = EmW Em (xn + x p )
2
2

(1.21)
(1.22)

avec W la largeur de la zone de charge despace. Substituant Em de quation 1.20 1.22 on

24

trouve :
W=

2s NA + ND
Vbi
q
NA ND

(1.23)

La largeur de zone de charge despace sexprime plus simplement quand un cot de la

jonction est beaucoup plus dop que lautre (pour NA

W=

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

1.3.2

+N
ND , NAA NDD
N

2sVbi
qND

1
ND

(1.24)

La capacit de zone de charge despace

La capacit de dpltion associe la zone de charge despace est dni comme C

Qc
V ,

o Qc est laugmentation de la concentration de charge cause par la variation de

potentiel. De lquation 1.24 on trouve :

C=

1.3.3

qs ND
2Vbi

(1.25)

Le caractristique courant-tension

La caractristique idale de courant tension est base sur les quatre approximations
suivantes :
Le prol de dopage est abrupt linterface.
Le semi-conducteur est non dgnr
La polarisation de la jonction correspond aux conditions de faible injection (la densit de porteurs minoritaires injects est petite devant la concentration de porteurs
majoritaires).
Il ny a pas de courant de gnration dans la zone de charge despace (les concentrations dlectrons et de trous sont constantes).
Quand on applique une tension, la concentration de porteurs minoritaires de part et
dautre de la jonction change (np = n2 ).
i
En dnissant les potentiels et correspondant respectivement lnergie intrinsque Ei et lnergie Fermi ( Ei /q, EF /q), les concentrations des porteurs mi25

noritaires scrivent :
q( n )
]
kT
q( p )
p ni exp[
]
kT

n ni exp[

(1.26)

o n et p sont les quasi niveaux de Fermi ct n et ct p. Il vient :

kT
n
ln( )
q
ni
kT
p
p + ln( )
q
ni

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

(1.27)

et le produit pn devient :
pn = n2 exp [
i

q( p n )
]
kT

(1.28)

Pour une tension applique positive ( p n )>0 et pn > n2 ; dans le cas inverse pour une
i
tension applique ngative ( p n )<0 et pn < n2 . En se rappelant que E = , on
i
obtient :
Jn = qn nE +

kT
kT
n = qn n() + qn [ n ]
q
q

(1.29)

= qn nn
De mme on obtient :
J p = q p p p

(1.30)

Les courants dlectrons et de trous sont alors proportionnels au gradient de leur quasi
niveau de Fermi respectif. Si le quasi niveau de Fermi est constant ( lquilibre) le courant
est nul. La diffrence de potentiel sur lensemble de la jonction scrit :
V = p n

(1.31)

Les quations 1.28 et 1.31 peuvent tre utilises pour dterminer les conditions aux limites
des porteurs minoritaires en bordure de zone de charge despace. Pour les lectrons x =

26

x p , on obtient :
np =

n2
qV
qV
i
exp ( ) = n p0 exp ( )
pp
kT
kT

(1.32)

De mme pour les trous x = xn on obtient :

pn = pn0 exp (

qV
)
kT

(1.33)

La caractristique de courant tension dans une jonction pn est obtenue par la rsolution de

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

lquation de continuit :
n p n p0
np
np
2n p
E
= Gn
+ n p n
+ n E
+ Dn 2
t
n
x
x
x
E
2 pn
pn
pn pn0
pn
= Gp
pn p
pE
+ Dp 2
t
p
x
x
x

(1.34)

Sous faible injection, en supposant quil ny a pas de courant de gnration (G = 0) et en

ngligeant le terme pn p E , lquation de continuit 1.34 scrit dans le cas des trous :
x

pn pn0
2 pn
pn
+ Dp 2 = 0
pE
p
x
x

(1.35)

Dans la zone quasi neutre o il ny a pas de champ dlectrique, cette quation se rduit :

2 pn
pn pn0
Dp 2 = 0
p
x

(1.36)

Utilisant la condition aux limites (1.32) pour les trous x = xn et loin de la jonction
(pn (x = ) = pn0 ), lquation 1.36 a pour solution :
pn pn0 = pn0 (exp (
avec L p =

qV
(x xn )
) 1) exp(
)
kT
Lp

(1.37)

D p p . On utilise maintenant cette solution pour dterminer la densit de cou-

rant de porteurs minoritaires en bordure de zone de charge despace. Le champ lectrique

y est nul et le courant des minoritaires se rduit un courant de diffusion. En x = xn le
27

courant de trous scrit :

J p = qD p

qD p pn0
pn
qV
|xn =
(exp
1)
x
Lp
kT

(1.38)

De mme pour la densit de courant dlectrons :

Jn = qDn

qDn n p0
np
qV
|x p =
(exp
1)
x
Ln
kT

(1.39)

La densit de courant total est donne par la somme des densits de courant dlectrons

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

1.38 et de trous 1.39 :

qV
) 1)
kT
qD p pn0 qDn n p0
Js =
+
Lp
Ln

J = J p + Jn = Js(exp(

(1.40)
(1.41)

Cest lquation dune diode idale, appel galement lquation de Shockley.

1.3.3.1

La dviation du cas idal

Les caractristiques courant tension des jonctions pn sont souvent diffrentes du cas
idal. Plusieurs effets participent cette dviation :
leffet de surface
la gnration et la recombinaison de porteurs dans la zone de charge despace
lapproximation de faible injection nest plus valide mme relativement basse tension de polarisation
leffet de rsistance de srie.
leffet de claquage de la jonction sous une polarisation inverse importante.
Sous polarisation directe, les processus de gnration-recombinaison principaux sont
lis aux processus de captures des porteurs. Nous observons donc en plus du courant de
diffusion, un courant de recombinaison, qui peut tre localis la surface ou dans le volume
du dispositif.
28

1.3.3.1.1

Courant de recombinaison en surface

Les surfaces libres aux alentours des

jonctions pn comportent gnralement des densits de piges et de centres recombinants,

beaucoup plus leves quen volume, du fait de la rupture du rseau et de ladsorption
dimpurets en surface. Les porteurs minoritaires injects la priphrie dune jonction pn
sont conns prs de la surface et diffusent superciellement jusqu se recombiner avec
lun des centres qui y sont prsents.
Lexpression du courant de recombinaison supercielle dtermin par Henry [Hen78] :
IRS = qvRS LS ni exp(

qV
)P
2kT

(1.42)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

o LS la longueur diffusion des porteurs minoritatires en surface, vRS la vitesse de recomqV

binaison en surface, P le primtre de la jonction pn. La dpendance de IRS avec exp( 2kT )

nest valable que pour les faibles vitesses de recombinaison en surface pour lesquelles la
recombinaison est essentiellement limite par la vitesse de recombinaison. Pour les grandes
vitesse de recombinaison, lhypothse du niveau de Fermi plat nest plus valide. Dans ce
cas le courant de recombinaison en surface varie en exp( nqV ) o ns est de lordre de 1
s kT
[Tiw88b].

1.3.3.1.2

Courant de recombinaison en volume La vitesse de gnration recombi-

naison par des centres profonds a t tablie par Shockley, Read et Hall (modle SRH)
[Sah57], il scrit :
U=
=

vth Nt n2 (eqV /kT 1)

i
n + p + 2ni
vth Nt n2 (eqV /kT 1)
i
ni (exp[ q(n ) ] + exp[
kT

(1.43)

q( p )
]+2
kT

o est la section du capture du piege, vth est la vitesse thermique et Nt la densit de

pige. La valeur de U est maximale dans la zone de dpltion quand = ( p + n )/2 ; le
qV
dnominateur de lquation 1.43 devient 2ni[exp( 2kT ) + 1]. On obtient pour V > kT /q :

29

1
qV
U vth Nt ni exp
2
2kT

(1.44)

Le courant de recombinaison est alors

W

Jrec =

qUdx
0

qW
qV
vth Nt ni exp(
)
2
2kT

(1.45)

On trouve que le courant de recombinaison sous polarisation directe est galement proportionnel au ni . Le courant total est alors la somme de courant de diffusion exp qV
kT

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

qV
(equation 1.40) et de courant de recombinaison exp 2kT (equation 1.45). Il devra donc

tre caractris comme la somme de deux exponentielles.

1.4

Le transistor bipolaire

Dans cette section nous considrerons la caractristique statique des transistors npn
en fonctionnement normal : c.--d., la jonction metteur base est polarise en direct et
la jonction de base collecteur est polarise en inverse. La gure 1.8a montre le schma
lectrique dun transistor bipolaire npn mont dans la conguration base commune. La
gure 1.8b montre le prol de dopage abrupt des trois zones metteur, base et collecteur, et
la gure 1.8c montre le diagramme de bande correspondant sous fonctionnement normal.
Dans la suite les notations seront celles de cette gure.
Les caractristiques statiques dun transistor bipolaire peuvent tre aisment drives
de la thorie de la jonction pn discute dans la section prcdente. An dillustrer les
proprits principales dun transistor, nous supposons que les relations courant tension de
la jonction metteur base et de la jonction base collecteur sont donnes par lquation de
la diode idale, et que la condition de faible injection est valide. Nous ne tenons compte ni
des effets de surface, ni de la gnration et recombinaison, ni des rsistances sries.
Comme dans le cas de la g. 1.8c toutes les chutes de potentiel se produisent dans les
zones de dsertion. Lquation de continuit et lquation de courant rgissent les caractristiques courant tension.
30

31
en fonctionnement normal.
prol de dopage des jonctions abruptes (c) Le diagramme de bande dun transistor bipolaire
F IG . 1.8: (a) Transistor bipolaire npn connect dans la conguration base commune (b) Le

(c)

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Vbc
Vbe

(b)
xe

+
ND N A

xc

We

Wb

Wc

(a)
Vbc

Vbe
Ib

Jne
N
Jpe

Ie

Jpc

N
Jnc

Ic

Pour la rgion quasi neutre dans la base, ces quations sont donnes par :

nb n0b
2n
+ Dnb 2 = 0
nb
x
n
Jn = qDnb
x
n
J p = Jtot qDnb
x

(1.46)
(1.47)
(1.48)

Ici :

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nb est la concentration des lectrons minoritaires dans la base

n0b est la concentration des lectrons minoritaires dans la base lquilibre thermodynamique
nb est la dure de vie des lectrons minoritaires dans la base
Dnb est le coefcient de diffusion des lectrons dans la base
Jtot est la densit de courant total

Lexcs de porteurs minoritaires aux bords de la zone de charge despace metteur base
(x = 0) et (x = xe ) dtermine les conditions aux limites :
qVbe
) 1]
kT
qVbe
) 1]
p (xe ) p(xe ) p0e = p0e [exp(
kT
n (0) n(0) n0b = n0b [exp(

(1.49)
(1.50)

De mme les conditions aux limites aux bords de la zone de charge despace base collecteur
sont :
qVcb
) 1]
kT
qVcb
p (xc ) p(xc ) p0c = p0c [exp(
) 1]
kT

n (W ) n(W ) n0b = n0b [exp(

(1.51)
(1.52)

La concentration de porteurs minoritaires (les lectrons dans la base ainsi que les trous dans
32

lmetteur et le collecteur) est alors donne par :

nb (x) = n0b n (0)

sinh( xW )
Lnb

sinh( Lx )
nb

+ n (W )
Wb
Wb
sinh( Lnb )
sinh( Lnb )
x + xe
pe (x) = p0e + p (xe ) exp[
]
x < xe
L pe
x xc
pc (x) = p0c + p (xc ) exp[
]
x > xc
L pc

(1.53)
(1.54)
(1.55)

Lquation 1.53 est importante car elle relie la longueur de la zone quasi neutre dans la
base W la distribution des porteurs minoritaires. Quand W /Lnb

1 lquation 1.53 se

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

simplie
Lx

n(x) = n0b + n (0)e

nb

(1.56)

qui est identique au cas dune jonction pn. Dans ce cas, il ny a pas de lien entre les courants
dmetteur et de collecteur, qui taient dtermins par la gradient de densit respectivement
x = 0 et x = W . Leffet de transistor est perdu. De lquation 1.47 et 1.48 on obtient
directement la densit de courant dmetteur en fonction de tension applique :
Je = Jn (x = 0) + J p (x = xe )
p
n
|x=0 ) + (qD pe |x=xe )
x
x
Dnb n0b
W
1
coth(
)[(eqVbe /kT 1)
=q
(eqVcb /kT 1)]
W
Lnb
Lnb
cosh( Lnb )
D pe p0e qVbe /kT
(e
1)
+q
L pe
= (qDnb

33

(1.57)

Et pour la densit de courant collecteur :

Jc = Jn (x = W ) + J p (x = xc )
n
p
|x=W ) + (qD pe |x=xc )
x
x
Dnb n0b
W
1
=q
[(eqVbe /kT 1) coth(
)(eqVcb /kT 1)]
W
Lnb sinh( L )
Lnb
nb
D pc p0c qVcb /kT
q
(e
1)
L pc
= (qDnb

(1.58)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

La densit de courant de base est donne par lcart entre ces deux courants :
Jb = Je Jc

1.4.1

(1.59)

Gain en courant

Le gain en courant dans un montage en base commune 0 est dni comme :

0 =
Le premier terme

Ine
Ie

Ine Inc Ic
Ie Ine Inc

(1.60)

est dni comme lefcacit dmetteur (), le deuxime terme est le

facteur de transport dans la base (T ), et le troisime terme est le facteur de multiplication

de collecteur (M). Sous fonctionnement normal, la polarisation de la jonction base collecteur Vbc est plus petite que la tension de claquage et M 1. Lquation 1.60 se simplie
donc :
0 = T

(1.61)

Le gain en courant dans un montage metteur commun 0 est dni comme :

0 =
34

Ic
Ib

(1.62)

De lquation 1.59, on se rend compte que 0 et 0 sont relis par

0 =

0
1 0

(1.63)

Pour une transistor bipolaire bien conu 0 est proche de lunit et 0 est beaucoup plus
grand que lunit. Par exemple quand 0 = 0.99, 0 = 99, et quand 0 = 0.998, 0 = 499.
Sous fonctionnement normal, Vbe > 0 et Vbc < 0. Les termes en Vbc dans les quations
1.57 et 1.58 sont ngligeables. Lexpression du gain en courant gain dans un montage base
commune scrit donc comme T avec

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D pe p0eLnb
W
AJn (x = 0)
= [1 +
tanh(
)]
Ie
Dnb n0b L pe
Lnb

(1.64)

Jn (x = W )
1
W2
=
1 2
Jn (x = 0)
cosh(W /Lnb )
2Lnb

(1.65)

et
T =

Pour un transistor bipolaire ayant une base plus ne quun dixime de la longueur de diffusion, T 1 et le gain en courant est dtermin entirement par lefcacit dinjection.
En mettant que p0e =

n2
i
ND

et n0b =

0 =

n2
i
NA ,

Dnb n0b L pe

W
ND 1
=
coth(
)
( )
1
D pe p0e Lnb
Lnb
NA W

(1.66)

Pour augmenter le gain dun transistor bipolaire, il faut augmenter le rapport de dopage
entre lmetteur et la base ainsi que diminuer lpaisseur de la base. Ces deux solutions
conduisent des rsistances de base importantes, qui empchent le fonctionnement rapide
du transistor. Cest pour surmonter cette limitation intrinsque, quune htrojonction a t
introduite dans la jonction metteur-base.

1.5

Htrojonction

Une htrojonction est une jonction constitue par deux semi-conducteurs diffrents.
Elle peut tre graduelle en composition ou en dopage ou bien abrupte. Il faut noter ce35

Evide
Vb1

Vbi

1
Ec1
EF 1

-Ec

Evide

Vb2

Ec2

-Ec

Ec1
EF 1

EF 2
Ev2
Ev

2
Ec2

EF 2
Ev2
Ev

Ev1
Ev1

F IG . 1.9: (a) Alignement de bande de lhtrojonction de type II. (b) Diagramme de bande

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de la jonction base collecteur InP/GaAsSb

pendant que le caractre abrupt ne peut tre totalement obtenu en pratique. Suivant les
mthodes dpitaxie, linterface peut se faire sur des chelles de quelques monocouches en
MBE ou staler sur une dizaine de nm pour une pitaxie en phase liquide.
Pour dcrire lhtrojonction abrupte, nous allons considrer en premire approche le
modle dAnderson. Ce modle est bas sur lhypothse de la continuit du niveau de
libration et du niveau de Fermi des lectrons dans les deux semi-conducteurs au niveau
de lhtrojonction. Figure 1.9 montre le diagramme de bande de deux semi-conducteurs.
On a suppos que la bande interdite (Eg ), la constante dilectrique (), le potentiel m et
lafnit dlectronique sont diffrents dans les deux semi-conducteurs. Le potentiel m
(resp. lafnit dlectronique ) est dni comme lnergie ncessaire pour faire passer un
lectron du niveau de Fermi EF (resp. du fond de la bande de conduction Ec ) au niveau du
vide. La diffrence en nergie dans la bande de conduction entre les deux semi-conducteurs
est reprsente par Ec et celle dans la bande de valence par Ev . La continuit du niveau
du vide linterface impose alors que :
Ec = 2 1

(1.67)

La discontinuit dans la bande de valence est donne par :

Ev = Eg Ec
36

(1.68)

Avec
Eg = Eg1 Eg2

(1.69)

Puisque le niveau de Fermi doit concider sur les deux cots de la jonction lquilibre,
un potentiel de diffusion Vbi se cre dans la jonction. Ce potentiel est gal la somme des
potentiels de diffusion contenus dans lmetteur et dans la base Vbi = Vb1 +Vb2 . Il est gal
la diffrence des potentiels dextraction m :

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Vbi = 2 1

(1.70)

Dans le cas dune jonction pn il scrit :

Vbi = Eg Ec n + p

(1.71)

o n et p sont les potentiels chimiques dans les zones n et p. Les largeurs et les capacits de la zone de charge despace peuvent tre obtenues en rsolvant lquation de
Poisson comme dans le cas dune homojonction pn. Dans lapproximation dune complte
dsertion, et en utilisant la continuit du vecteur de dplacement lectrique 1 E1 = 2 E2
linterface on trouve :
2NA2 1 2 (Vbi V ) 1/2
]
qND1 (1 ND1 + 2 NA2 )
2ND1 1 2 (Vbi V ) 1/2
x2 = [
]
qNA2 (1 ND1 + 2 NA2 )

x1 = [

(1.72)
(1.73)

La capacit est :
C=[

qND1 NA2 1 2
]1/2
2(Vbi V )(1 ND1 + 2 NA2 )

(1.74)

La rpartition du potentiel de deux cts de la jonction est donne par :

Vb1 V1
NA2 2
=
Vb2 V2 ND1 1

37

(1.75)

o V = V1 +V2 est le potentiel appliqu. Cette quation reste vraie quelque soit la polarisation applique la jonction. Lapproximation de complte dsertion que nous avons considre pour dterminer le prol de potentiel nest plus valable quand le rapport de dopage
entre la zone p (2) et la zone n (1) est trs grand, comme le cas dun TBH o la base est trs
fortement dope. Si le dopage dmetteur ND1 est de lordre 5.1017 cm3 et le dopage de la
base NA2 de lordre 5.1019 cm3 , la zone de charge despace stend donc essentiellement
dans lmetteur et les bandes dnergies sont quasi plates dans la rgion de base. Comme la
constantes dilectriques des matriaux sont trs proches, Vb1 100Vb2 . Si Vb1 +Vb2 = 0.7
eV, alors Vb2 7 meV

kT. On atteint ici la limite du modle compltement dsert, car

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le potentiel contenu dans la base nest pas grand devant kT et la charge locale est diffrente
de NA2 . Dans ce cas le calcul doit tenir compte du prol de la concentration de porteurs
libres en bordure de la zone de charge despace.

1.5.1

Facteur didalit de lhtrojonction abrupte

Les htrojonctions pn de type I prsentent un facteur didalit thorique suprieur

1. En effet le courant de nature thermoonique tant control par la barrire de potentiel V1
contenue dans lmetteur, il scrit :
J = J0 exp(

V
V1
) = J0 exp(
)
kT
nkT

(1.76)

o n est le coefcient didalit thorique. Il est gal :

n = 1+

1 ND1
2 NA2

(1.77)

Dans les TBH la base est fortement dope (typiquement NA = 51019 cm3 ) devant lmetteur (typiquement ND = 5 1017 cm3 ). Le coefcient didalit est voisin de 1.03 1.
Dans les htrojunction de type II, le courant est de nature diffusive (quilibre thermodynamique dans toute la zone de charge despace) cest donc le potentiel V = V1 + V2 qui
contrle le courant et le coefcient didalit est gal 1.
38

1.5.2

Avantage de lhtrojonction

Le dcalage de la bande de valence dans lhtrojonction prsente une barrire de potentiel pour les trous qui vont de la base vers lmetteur. Compar au cas dune homo jonction,
lexcs de trous aux bords de la zone de charge despace est alors diminu par une facteur
hetero = J homo exp Ev . Si on
exp Ev , ce qui amne une rduction de courant trous J pe
pe
kT
kT

suppose le transport diffusif dans la jonction metteur base, lefcacit dinjection dans un
TBH est donc :

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Pour

Ev
kT

1
J

pe
1 + Jnb

1
Ev

NA
1 +C ND e kT

(1.78)

1, lefcacit dinjection est proche de 1. Cest linjection slective qui permet

dans un TBH de surdoper la base sans limiter le gain en courant par un efcacit dinjection
trop faible. En pratique lefcacit dinjection relle devra tenir compte de recombinaison
dans la ZCE.

1.5.3

Caractristique courant-tension dans lhtrojonction de type II

Le prol de potentiel que nous avons discut ci-dessus a t tabli dans la littrature,
il reste valide dans le cas des htrojonctions de type II. Il nen est pas de mme pour
la caractristique courant tension. En effet, il nexiste pas dans la littrature de modle
analytique spcique de la description des courants dans une htrojonction de type II.
Dans la suite de la thse nous avons modlis les donnes exprimentales en utilisant le
modle de Shockley bas sur la diffusion des porteurs lquilibre thermodynamique. La
validit de cette approche sera discute dans la section II-4.

1.6

Caractristiques frquentielles du TBH

Le gain en puissance dun TBH est gnralement limit frquence leve par la prsence dlments qui forment un ltre du premier ordre. Il peut donc scrire en fonction
39

de la frquence sous la forme gnrale suivante :

G( f ) =

G0
1

[1 + G2 ( ffc )4 ] 2
0

(1.79)

o G0 est le gain en continu du TBH et fc la frquence de coupure. Deux paramtres sont

les gures de mrite des transistors : la frquence de coupure fT et la frquence maximale
doscillation fMAX .

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1.6.1

Frquence de transition

La frquence de coupure fT est la frquence pour laquelle le gain en courant en montage

metteur commun du transistor est gal 1.
fT =

1
2ec

(1.80)

Cette frquence rend compte du dlai total ec des porteurs travers la structure du TBH.
Ce dlai est donn par :
ec = ( tb + tc + e + c )

(1.81)

technologique

structurale

avec e : temps de charge de la capacit de jonction base metteur c : temps de charge du

systme RC du collecteur tb : temps de transit dans la base tc : temps de transit travers la
zone de transition base collecteur

1.6.2

Frquence maximale doscillation

La frquence maximale doscillation est la frquence pour laquelle le gain en puissance

est gal lunit. Elle est donne par lapproximation suivante [Lin62] :

fMAX =

fT
8RbCbc
40

(1.82)

cette frquence dpend fortement de la rsistance de base Rb , de la capacit base collecteur

Cbc et du dlai total metteur collecteur travers la frquence de transition fT .

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1.6.3

Temps de charge du systme RC du collecteur

La capacit de la ZCE base collecteur Cbc se charge travers les rsistances sries des
rgions de collecteur Rc et dmetteur Re et la rsistance dynamique dmetteur re . Dans
ces conditions son temps de charge est donn par :
c = (Rc + Re + re )Cbc

(1.83)

Dans un TBH le dopage collecteur tant trs faible devant celui de la base, la capacit de la
ZCE base collecteur est donne par :

Cbc = Sc

qs ND
2(Vbi Vbc )

(1.84)

Sc tant la surface de la jonction base collecteur et c la permittivit relative du matriau

de la zone de transition base collecteur. Les rsistances Rc et Re contiennent les rsistances
de contacts, les rsistances de zones daccs et les rsistances des ZQN de collecteur et
respectivement dmetteur. Pour rduire ce temps de charge, il faut rduire les valeurs des
diffrentes rsistances et la capacit collecteur. Pour rduire cette dernire, il faut rduire la
surface parasite du collecteur. Les autres solutions, telles que laugmentation de lpaisseur
de la zone de transition et la rduction du dopage collecteur, sont sujet un compromis,
comme nous allons le voir plus loin, avec le temps de transit tc et les hautes densits de
courant ncessaires pour diminuer e .
41

1.6.4

Temps de transit dans la base

Le temps de transit dans la base est li au gain maximum du transistor haute efcacit

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dinjection par lexpression [Gro67] :

max =

nb
tb (Wb )

(1.85)

Si le transport des lectrons travers la jonction metteur base est de nature diffusive, max
est donn par :
max = (
comme Lnb =

2
2Lnb
)
2
Wb

(1.86)

Dnb b le temps de transit dans la base tb sexprime sous la forme :

tb =

w2
b
2Dnb

(1.87)

Si le transport dans la base est une transport balistique comme dans lhtrojonction de
type I associe une base trs courte, le transport est caractris avec une vitesse balistique
vbal
tb =

Wb
vbal

(1.88)

Dans le cas gnral le temps de transit scrit comme la somme dun composante balistique
et dun composante diffusive [Liu04] :
w2
Wb
tb = b +
2Dnb vbal
42

(1.89)

1.6.5

Temps de transit dans la zone de transition base-collecteur

Le transport dans la zone de transistion base-collecteur dans le cas dune homojonction

est donn par :
tc =

Wc
2vs

(1.90)

o vs est la vitesse de saturation des lectrons (Cf. section I.2). Le dcalage des bandes
de conduction dans lhtrojonction de type II agit comme un lanceur dlectrons chauds
dans le collecteur. Des rsultats exprimentaux rcents ont montr que la vitesse de drive

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moyenne dans le collecteur des TBDH InP/GaAsSb/InP est autour de 4 107 cm/s [Liu04].
Cette valeur est nettement plus leve que la vitesse moyenne de saturation dans InP (ainsi
que celle mesure dans le TBDH InP/InGaAs/InP [Kah03]). Elle montre lefcacit du
transport balistique sur la rduction du temps de transit.

43

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49

Chapitre 2
Physique des TBH dont la base est en
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GaAsSb
2.1

Les premires couches de GaAsSb

Lintrt de GaAsSb pour la ralisation des dispositifs optolectroniques a t identi

ds le dbut des annes 1970. En effet, la bande interdite de GaSb 0.73 eV (1.7 m) tant
plus petite que celle de GaAs 1.43 eV (0.87 m), on peut esprer raliser des alliages
ayant une bande interdite comprise entre 0.73 et 1.43 eV. Ce spectre dnergie couvre les
longueurs donde intressantes pour les tlcommunications optiques infrarouge par bres
optiques.
Cependant, les premires gnrations dchantillons de GaAsSb qui taient ralis par
Epitaxie en Phase Liquide (LPE) furent limites aux alliages proches des matriaux binaires. En effet, la gamme de composition GaAs1x Sbx pour laquelle x est compris entre
0.2 et 0.8 ne correspond pas une miscibilit de phase pour des conditions de croissance
proches de lquilibre thermodynamique (ici 600 C) [Nah77] [Str83].
Il a fallu attendre 1977 pour que soit employe la technologie de croissance par pitaxie par jet molculaire (MBE), qui grce des conditions de croissance plus loignes de
lquilibre thermodynamique, a permis de voir les premires couches de GaAsSb dveloppes sur toute une tendue de concentrations [Sak77] [Cha77] [Esa81]. Ce rsultat fut obtenu par Esaki et ses collaborateurs au centre de recherches dIBM Yorktown. A lpoque,
50

leur intrt pour GaAsSb tait motiv par le fait que les htrostructures InAs/GaSb ne prsentent pas de chevauchement des bandes interdites (la bande de conduction dInAs se
trouve au-dessous de la bande de valence de la GaSb). Ce systme est donc particulirement intressant pour ltude du transport lectronique.
Esaki et al ont ralis galement les premires mesures exprimentales de la bande
interdite et du paramtre de maille en fonction de la concentration dantimoine [Sak77].
Sur la gure 2.1(a), on observe une dpendance linaire du paramtre de maille de GaAsSb
avec la concentration (loi de Vegard). La bande interdite montre au contraire la prsence
dune courbure prononce, qui conrme lapproximation donne par Nahory, (obtenue sur

Eg(x) = 1.43 1.9x + 1.2x2 [Nah77].

(2.1)

Les diagrammes de bande de GaAsSb sont reprsents sur la gure 2.1(b) [Esa81]. Les
afnits lectroniques de GaAs et de GaSb tant trs proches, linterpolation linaire de
la bande de conduction de GaAs et GaSb est une bonne approximation. La variation de la
bande interdite dplace alors principalement la bande de valence de lalliage.

5.9

0.8

5.8

0.6

5.7
Eg (GaAsSbx ) = 1.43 1.9x + 1.2x2
a (GaAsSbx ) = 5.66 + 0.42x

0.4

5.6

-4
6
-4.4
5.9
-4.8

5.8
Ev (GaAsSbx )

5.7

-5.2

Ec
Ev

5.6
0

0.2

0.4

0.6

0.8

-5.6
0

xSb

Anit lectronique (eV)

ee

1.2

Param`tre de maille (A)

e

6.1

Param`tre de maille (A)

e

6.1
1.4
Bande interdite (eV)

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les couches de GaAsSb pitaxies par LPE pour xSb <0.3) :

0.2

0.4

0.6

0.8

xsb

F IG . 2.1: Bande interdite et paramtre de maille (a) et diagramme de bande (b) de

GaAs1x Sbx en fonction de concentration en antimoine [Sak77] [Esa81].
Les rsultats dEsaki ont encourag la recherche sur la croissance de matriaux qui ne
pouvaient pas tre raliss par LPE. En vue dapplications pour les tlcommunications sur
bre optique ; les recherches se focalisrent sur GaAs0.5 Sb0.5 qui est en accord de maille
avec InP.
51

En 1984, Cherng et al dbutrent la croissance de GaAs0.5 Sb0.5 sur InP par lpitaxie
en phase vapeur aux organomtalliques (MOVPE) [Che84]. Ils ont aussi mesur la mobilit des trous dans GaAsSb en fonction de la temprature de croissance et du dsaccord de maille (0.47 < xSb < 0.59), a/a0 7 103 . Ils constatrent que la mobilit
de trous pour les concentrations dantimoine correspondant la gamme de non miscibilit de phase est beaucoup plus petite que celles des matriaux binaires. La mobilit des
trous dans GaAs1x Sbx (0.2<xSb <0.8) non dop temprature ambiante est denviron 60100 cm2 V1 s1 , beaucoup plus faible que celle de GaAs (280 cm2 V1 s1 ) et de celle de
GaSb (800 cm2 V1 s1 ) (Figure 2.2). Ils ont attribu cette faible mobilit la prsence

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dun alliage qui, gnrant des uctuations du potentiel cristallin, introduit un mcanisme
supplmentaire de diffusion des porteurs dont la probabilit est proportionnelle x(1 x)
donc maximale laccord de maille avec InP (x = 0.5). Cette interprtation a t conrme
par des mesures de la mobilit en fonction de la temprature [Che86].

F IG . 2.2: Mobilit des trous des couches GaAs0.5 Sb0.5 pitaxies sur InP en fonction du
dsaccord de maille (a/a0 7 103 ). On trace galement la mobilit des couches
GaAs1x Sbx en fonction de la concentration dantimoine [Che86].
La question de la stabilit des couches de GaAsSb pour les concentrations correspon52

dant la gamme de non miscibilit de phase a pouss les tudes sur ses proprits structurelles. En 1984, Chiu a employ la microscopie lectronique en transmission (TEM) pour
observer des couches de GaAs0.5 Sb0.5 pitaxies sur InP par MBE. Ils ont mis en vidence
lexistence dune modulation spatiale de composition comme dans les couches dInGaAs
et dInGaAsP [Chi84]. En 1987, Ihm tudia les diagrammes de diffraction de couche de
GaAsSb obtenues par TEM. Il observa une anisotropie entre les orientations cristallographiques [011] et [011]. Ceci met en vidence un regroupement ordonn dantimoine et
darsenic selon lorientation cristallographique. Cet arrangement ordonn est loppos
dune distribution alatoire des lments V gnralement observe dans des alliages semi-

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conducteurs [Ihm87]. Plus tard en 2001, lquipe de Bolognesi lUniversit Simon Fraser
au Canada a mis en evidence une corrlation entre lanisotropie darrangement des lements V et celle observe sur la rsistivit des couches de GaAsSb [Fin01].
Ltude des proprits optiques de GaAs0.5 Sb0.5 par mesures de photoluminescence
(PL) a t entreprise pour la premire fois par Cherng [Che86]. Il a observ un pic
1.56 m (0.79 eV) temprature ambiante avec une largeur mi hauteur comprise entre
49 et 60 meV pour des chantillons pitaxis par MOVPE. Pour les couches pitaxies
par MBE, le pic de GaAsSb est observ autour de 1.76 m (0.722 eV), soit une nergie
environ 68 meV plus faible que dans les chantillons MOVPE [Chi84], [Kle87], [Nak88].
Klem explique ce dcalage par une diffrence dans le regroupement et lordonnancement
des lments V dans la couche due la diffrence de temprature de croissance utilise
(500-560 C en MBE compar 570-640 C en MOVPE). En effet, une temprature de
croissance plus leve amne une mobilit dlments V plus leve la surface et ainsi
des degrs dordonnancement plus faibles courte distance. Ceci a t vri plus tard
par lquipe de Bolognesi ; ils ont observ une anisotropie de rsistivit plus faible pour
des couches de GaAsSb pitaxis 600 C, compare celles pitaxi 560 C [Fin01].
Klem tudia plus tard les super-rseaux GaAsSb/InGaAs en accord de maille avec InP
[Kle91]. A partir des mesures et des calculs de lnergie de la premire transition dans ces
super rseaux (n = 1) pour diffrentes priodes, il a conclu que le dcalage de bande de
conduction (EC ) entre GaAsSb et InGaAs est de type II et vaut 0.37 eV. Cette valeur doit
tre compare aux valeurs de (0.47 0.02) eV rapporte par Sugiyama partir de mesures
I(V) dune diode GaAsSb/InGaAs[Sug89] et de 0.54 eV rapporte par Sai-Halasz [Sai78]
53

de mesure dabsorption de super reseaux In0.45 Ga0.55 As/GaSb0.55 As0.45 . Klem a fait lhypothse que la diffrence de loffset de bande mesur pourrait tre due la gradualit de
composition aux interfaces du super rseaux.

2.1.1

Rcapitulatif des proprits

Eg(x) 300K (eV)

1.43-1.9x+1.2x2 [Nah77]

a(x) (nm)

0.566 + 0.042 [Sak77]

x=0.5

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Eg 300K (eV)

0.72 [Chi84], [Kle87], [Nak88]

0.79 eV [Che86]

Ec GaAsSb/InGaAs (eV)
p nid 300K

(cm2 V1 s1 )

n nid 300k (cm2 V1 s1 )

-0.37 [Kle91] -0.54 [Sai78]

60 100 [Che86]
3800 [Nak88]

TAB . 2.1: Les proprits physiques de GaAsSb.

2.2

GaAsSb pour les TBH

Lintrt demployer GaAsSb comme matriau pour la base dun TBH a commenc
apparatre en 1990. Esaki en 1980 avait montr que lincorporation de Sb dans GaAs
rduisait la bande interdite par le dcalage ascendant de la bande de valence. Comme il a
t expliqu au chapitre 1, une discontinuit relativement grande de la bande de valence
est particulirement recherche pour des structures de TBH npn parce quelle fournit un
meilleur connement des trous dans la base donc augmente lefcacit de linjection de la
jonction metteur-base.
Le premier TBH avec une base en GaAsSb a t propos par Khamsehpour et al en 1990
[Kha90]. La motivation de leur recherche tait de trouver une combinaison large bande
interdite-petite bande interdite alternative AlGaAs/GaAs pour la jonction metteur-base
54

dun TBH. Khamsehpour a tudi lhtrojonction GaAs/GaAsSb0.07 . Anastasiou en 1993

a poursuivi cette tude pour le systme AlGaAs/GaAsSb0.15 [Ana93].
Les avantages potentiels demployer GaAsSb pour la base dun TBH de la lire GaAs
ont t mis en vidence par Khamsehpour et Anastasiou :
1. Un offset de la bande de valence (Ev ) qui augmente avec la concentration Sb dans
GaAsSb.
2. Une plus petite bande interdite de GaAsSb par rapport GaAs qui se traduit par une
plus faible hauteur de barrire dans la jonction metteur-base. A un courant donn,
la tension de polarisation des diodes sera donc plus faible, ce qui permet de rduire

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la puissance consomme.
3. GaAsSb peut tre pitaxi par MBE une temprature plus basse que celle exige
pour le systme AlGaAs/GaAs. Ceci permet de rduire la diffusion du dopant (bryllium) dans la couche de base en GaAsSb.
4. La masse des porteurs dans la valle de GaAsSb est plus petite que celle dans GaAs.
GaSb : m =0.042m0 , mhh =0.35m0 , mlh =0.045m0 compar GaAs : m =0.067m0 ,
e
e
mhh =0.62m0 , mlh =0.087m0 . Les variations de la masse de llectron dans GaAsSb
pour xSb 0.6 peuvent tre approximes par m = 0.0634 0.0483x + 0.0252x2
e
[Lan87].
5. En raison de la diffrence de paramtre de maille entre GaAs et GaSb, le matriau de
GaAsSb pitaxi sur GaAs est contraint en tension. Cette contrainte biaxiale entrane
une augmentation de la densit de trous lgers ce qui permet de rduire la rsistance
de base.
6. Un transistor ayant une base en GaAsSb pour une concentration en antimoine (xSb )
suprieure 0.1 peut servir de phototransistor fonctionnant dans la gamme de longueur donde de 1.1 1.6 m donc pour les applications optolectroniques (1.31.5 m).
7. Des faibles rsistances de contacts ohmiques de type p peuvent tre ralises sur
GaAsSb. En effet, le niveau de Fermi en surface est pig plus prs de la bande de
valence dans GaSb (b =0.15-0.20 eV) que dans GaAs 0.5-0.6eV ou dans GaInAs
0.45eV [Rho88].
55

8. La vitesse de recombinaison en surface de GaSb est considrablement infrieure

celle de GaAs. Un des inconvnients principaux des TBH ayant une base en GaAs
est que la vitesse leve de recombinaison en surface limite le gain en courant pour
les dispositifs de petites dimensions.
Cependant, les premires caractristiques lectriques des transistors avec une base en
GaAsSb furent dcevantes en raison de la difcult dpitaxier une couche de GaAsSb
contraint sans dislocation. Un dsaccord de maille de plus de 1.5 % pour x > 0.2 rend
impossible lpitaxie de couche de GaAsSb ayant lpaisseur de base exige (qui tait alors
denviron 100 nm).

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Nanmoins, Khamsehpour a obtenu un gain en courant de 25 pour un TBH dont la base

possdait une concentration en antimoine xSb = 0.07. Anastasiou a mesur une excellente
rsistivit de contact (8.8 107 cm2 pour le contact Au/Zn/Au sur la base en GaAsSb0.15
dope bryllium 2 1019 cm3 .
Depuis quelques annes, lexploitation de GaAsSb comme base dans les TBH sur un
substrat en GaAs redevient populaire. Cela est certainement d aux avancs rcentes dans
les techniques de croissance des cristaux et dans les technologies de ralisation des transistors. Dsormais, grce lamlioration du dopage de base, lpaisseur de la base des TBH
peut tre rduite jusqu 20 nm ce qui permet demployer des couches contraintes. On
constate de nombreuses publications et dpts de brevet pour ce systme [Pan03][Pan04].

2.3

TBH avec une base en GaAsSb sur substrat InP

Les recherches pour utiliser une base en GaAsSb dans les TBH sur substrat InP ont t
inities par les travaux de Dermott [Der96] au Rockwell Science Center et de Bhat [Bha96]
au laboratoire de Bellcore vers 1996.
Leur motivation premire pour explorer un autre matriau que GaIn0.47 As0.53 pour la
base vient dune part du succs de lutilisation du carbone comme dopant p dans GaAs
en remplacement du bryllium, zinc ou magnsium qui tous prsentent des coefcient de
diffusion levs [Keu88] [Ren91]. En effet, la dcouverte que le carbone ne diffuse pas, a
permis damliorer considrablement la abilit des TBH GaAs. Ceci a entran de nom56

breuses recherches pour remplacer par le carbone les dopants de type p dans la base des
autres types de TBH.
Toutefois, le dopage par le carbone de GaInAs, particulirement celui obtenu par la
croissance utilisant MOVPE, montre une passivation signicative par lhydrogne (jusqu 80% du carbone incorpor), limitant la concentration de trous p 1.1 1019 cm3
[Ito96].
La deuxime motivation pour employer GaAsSb, comme rapport par Bhat [Bha96],
est dliminer la barrire de potentiel de la bande de conduction rencontre dans la jonction
base-collecteur des transistors double htrojonction (TBDH) dont la base est en InGaAs

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(InAlAs/InGaAs/InAlAs ou InP/InGaAs/InP).
De ltude thorique, il a t valu que le dcalage de bande de conduction entre
GaAsSb/InP devait varier entre -0.145 et 0.045 eV. Cette valeur est cohrente avec la valeur
du dcalage de la bande de conduction (EcGaAsSb -EcInP = 120 meV) qui peut tre dduite en
employant la rgle de transitivit pour la mesure de Klem entre InGaAs et GaAsSb [Kle91]
et la valeur bien adopte entre InP et InGaAs.
La troisime raison est que le dcalage de la bande de valence dInP/GaAsSb, qui est
de (0.62 0.095) eV, est beaucoup plus grand que celui dInP/InGaAs (Ev = 0.378eV).
Comme discut prcdemment, laugmentation de cette discontinuit entranant celle de la
hauteur de barrire vue par les trous de la base, augmente la limite maximale du niveau de
dopage de base au del de laquelle le courant de trous injects dans lmetteur rduit de
facon signicative le gain en courant de transistor.
Enn, la quatrime raison est que InP et GaAsSb peuvent tre chimiquement gravs de
faon slective ce qui est indispensable pour la technologie de fabrication des TBH base
ne.
Les premiers TBH ayant une structure InP/GaAsSb :C ont t dvelopps par MOVPE.
La source de carbone utilise fut CCl4 . Dermott [Der96] et Bhat [Bha96] ont rapport un
niveau de dopage lev, NA = 1.3 1020 cm3 , et tous deux ont constat que le recuit
450 C pendant 30 minutes dans un environnement dazote navait pas chang les valeurs
de la concentration de trous mesures par effet Hall contrairement ce qui avait t observ
dans InGaAs :C.
Dermott a tudi les mobilits des trous et des lectrons dans GaAs0.5 Sb0.5 en fonction
57

du niveau de dopage. Il a constat que la mobilit des trous est comprise entre 20 et 60
cm2 V1 s1 , similaire celle rapporte par Bhat : 50 cm2 V1 s1 pour un dopage de NA =
7 1019 cm3. En comparant avec la mobilit des trous de GaInAs dop au carbone, il a
tabli (gure 2.3) que la mobilit des trous dans GaAsSb est comprise entre 55% 60% de
la mobilit dans InGaAs.
90
InGaAs:C
GaAsSb:C

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Mobilit (cm2 /Vs)

e

80
70
60
50
40
30
20
1e+18

1e+19

1e+20

NA (cm3 )

F IG . 2.3: Mobilit de trous en fonction du niveau de dopage pour InGaAs et GaAsSb dops
carbone. La mobilit de trous de GaAsSb est entre 55% et 60% de celle de GaInAs [Der96].
Quant la mobilit des lectrons de n-GaAsSb (dop par Te), il a mesur une valeur
de 750 cm2 V1 s1 pour un niveau de dopage ND 1019 cm3 . Nakata avait [Nak88]
prcdemment trouv que la mobilit des lectrons de la couche GaAsSb intrinsque avec
une concentration dlectrons de 8.3 1015 cm3 est de 3800 cm2 V1 s1 .
Cependant les premires caractristiques lectriques de TBH InP/GaAsSb furent tout
fait mdiocres. Dermott [Der96] a obtenu un gain du transistor compris entre 5 et 45
selon le niveau de dopage. Bhat [Bha96] a constat quavec des niveaux de dopage de base
identiques (NA = 7 1019 cm3) le gain en courant pouvait varier entre 14 et 22. Les
facteurs didalit de diode metteur base n varient entre 1.26 et 2.4 selon les conditions de
croissance. La premire caractristique dynamique dun transistor avec un metteur ayant
une supercie de 2x20 m2 donne une frquence fT = 30 GHz et une frquence fMAX
de 45 GHz. Bhat a attribu ce rsultat insatisfaisant la prsence des niveaux accepteur
profonds dans GaAsSb [Bha96].
Bhat[Bha96] et Dermott [Der96] ont prouv, nanmoins, la possibilit dune tension
58

de fonctionnement (VCE,o f f set ) aussi faible que 0.1 V due la petite bande interdite de
GaAsSb, et une tension de claquage (BVCE0 ) suprieure 11 V due au collecteur en InP
(dpaisseur 300 nm). Ils ont ainsi dmontr lintrt du systme InP/GaAsSb pour les
applications de faible consommation et de forte puissance.
Cest seulement depuis 1998, date laquelle lquipe du professeur Bolognesi de luniversit Simon Fraser (Canada) a repris les recherches sur le transistor en InP/GaAsSb, que
nous observons un progrs continu des TBH dans ce systme. Comme nous le verrons plus
loin, les raisons principales de ce progrs sont la complte matrise de la croissance linterface de htrojonction InP/GaAsSb et lexpertise, apporte par la collaboration avec N.

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Matine, de la technologie de fabrication des transistors de petites dimensions.

Ils commencrent leur recherche par la mesure du dcalage de bande de conduction
entre InGaAs/GaAsSb et InP/GaAsSb. Ils ont rapport une valeur Ec de -0.36 eV pour
InGaAs/GaAsSb et -0.18 eV pour InP/GaAsSb 4.2 K [Hu98]. Le dcalage de bande de
conduction entre InGaAs/GaAsSb est en accord avec la valeur mesure par Klem [Kle91],
tandis que le dcalage entre InP/GaAsSb est la premire valeur exprimentale reporte. Ils
ont alors conrm lestimation de Bhat que la nature de linterface InP/GaAsSb est de type
II. De mme ils ont conrm lavantage dutiliser GaAsSb la place dInGaAs dans la
base des TBH pour liminer la barrire de potentiel de la bande de conduction rencontre
dans la jonction base-collecteur des transistors double htrojonction InP/InGaAs/InP ou
InAlAs/InGaAs/InAlAs.
Ils ont galement repris les travaux de Cherng [Che86] sur la mesure de la mobilit
de trous dans GaAsSb en fonction de la concentration dantimoine. Les couches tudies
sont toutes dopes p = quelques1019 cm3 [Wat00]. Ils ont observ une baisse importante
de la mobilit dans le ternaire GaAsSb compar aux matriaux binaires pour un niveau de
dopage quivalent qui est d aux uctuations du potentiel cristallin, propre aux alliages (Cf.
Fig. 2.2). Ils ont galement constat que la mobilit dpend faiblement du niveau de dopage
dans la couche, comme observ par Dermott [Der96]. Ds lors, pour la couche de la base
du TBH, ils proposrent de doper fortement GaAsSb an de rduire sa resistivit. Leurs
mesures de conductivit de GaAsSb en fonction du niveau de dopage (gure 2.4) montrent
une augmentation linaire de la conductivit avec le niveau dopage jusqu NA =2.5 1020 ,
correspondant mobilit p =28 cm2 V1 s1 [Wat00].
59

Conductivit (S/cm)
e

1000

xSb =0.30.39
xSb =0.40.47
xSb =0.480.51
xSb =0.530.55
xSb =0.580.60

100

1e+19

1e+20
NA (cm3 )

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F IG . 2.4: Conductivit de la couche GaAsSb en fonction du niveau de dopage. Les diffrents symboles correspondent aux concentration dantimoine (xSb ) dans la couche [Wat00].
Les structures de TBH sont pitaxies par MOVPE, CCl4 tant utilis pour le dopage carbone [Xu99]. La temprature du porte-chantillon a t maintenue 560 C pendant la croissance de GaAsSb. La vitesse de croissance tait voisine de 1.0 m/h pour
InP et GaAsSb. Le rapport dlements V/III tait de 2. Les mesures de PL de couches
GaAs0.5 Sb0.5 intrinsques ont montr un pic centr 0.790 eV (FWHM 7.7 meV) 4 K,
en accord avec les couches GaAsSb pitaxies par MBE [Chi84], [Kle87], [Nak88].
Leur premier transistor avait une base dpaisseur 40 nm et dope 4 1019 cm3
[Mat98] [Bol99]. La mobilit de trous est denviron 2530 cm2 V1 s1 ce qui correspond
une rsistance spcique de la couche de base de 1400 /sq. Le collecteur, dpaisseur
300 nm en InP, avait un niveau de dopage de 2 1016 cm3 . Le gain en courant observ est
de 3040 pour une densit de courant Jc = 20 kA/cm2 .
La mobilit de trous est infrieure celle tablie par Dermott et Bhat. Toutefois, les
facteurs didalit communiqus sont excellents (nb =1.05 et nc =1.00) ce qui indique une
qualit cristalline de lhtrojonction InP/GaAsSb nettement suprieure celle rapporte
par Bhat.
La matrise de la transition abrupte de lhtrojonction InP/GaAsSb/InP est illustre
dans la gure 2.5. La gure 2.5(a) prsente le prol SIMS obtenu en haute rsolution autour de la couche de base dans un TBDH InP/GaAsSb/InP. Sur laxe y de gauche est trac
le niveau de dopage en carbone de la base et sur laxe y de droite est trac dautres comptes
60

dion. Le nombre dion Sb dcrot par un ordre de grandeur lors dun balayage de profondeur de 1.2 1.6 nm autour des interfaces [Bol01]. Nous discuterons plus en dtail la

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qualit des interfaces GaAsSb/InP dans la section 2.4.1.

(a)

(b)

F IG . 2.5: (a) Prol SIMS autour de la rgion de la base dans le TBDH InP/GaAsSb/InP de
lquipe Bolognesi [Bol01]. (b) Courbe de Gummel de transistor de grandes dimensions et
de petites dimensions, avec excellent coefcient didalit (nb =1.05 et nc =1.00) [Bol99].
Dans la gure 2.5(b) sont traces les caractristiques Gummel des transistors de grandes
(8080m2 ) et de petites (412m2 ) dimensions. On observe que tous les deux possdent
dexcellents coefcients didalit (nb =1.05 et nc =1.00). Sont galement tracs pour le transistor 8080m2 le courant collecteur en fonctionnement normal ICF (lectrons injects
de lmetteur vers le collecteur) et le courant dmetteur dans le mode inverse IER (les
lectrons injects du collecteur vers lmetteur). Selon la relation de Moll-Ross, ICF et IER
devraient se superposer si les jonctions metteur-base et collecteur-base sont identiques(i.e.
surface et hauteur de barrire) et si le transport dans la base domine le comportement du
transistor comme cest le cas dun transistor bipolaire homojonction (c.--d. quand le
transport travers les jonctions metteur-base et collecteur-base ne domine pas le comportement du dispositif.) Cest en effet le cas du transistor du groupe Bolognesi comme le
montre la gure 2.5(b) [Bol01].
De mme, il a t tabli que la vitesse de recombinaison en surface ne joue pas un
rle dominant dans le transistor TBDH InP/GaAsSb. En effet, les gains en courant et les
facteurs didalit sont identiques pour les transistors de grandes dimensions (taille dmet61

teur 8080m2 ) et de petites dimensions (taille dmetteur 412 m2 ) (Cf. Fig. 2.5(b)).
Comme expliqu au chapitre 1, quand la vitesse de recombinaison en surface est importante, le gain en courant diminue avec la taille de lmetteur car le rapport Primtre/Surface
du transistor est augment. Cette observation dune vitesse de recombinaison faible la
surface de GaAsSb est en accord avec la prvision dAnastasiou [Ana93].
Les mesures des caractristiques dynamiques du transistor ayant une surface dmetteur
de 412m2 donnent une frquence fT 77 GHz et une frquence fMAX 25 GHz. La faible
frquence fMAX est due la capacit de la jonction collecteur-base (Cbc ) et la rsistance
leve de la base (Rb ). La forte valeur de Cbc est due la gradualit involontaire du dopage

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dans le collecteur. Rb est lie la rsistance carre leve et la grande largeur du doigt
dmetteur. Pour amliorer les performances du transistor il a t propos :
de supprimer le dopage graduel dans le collecteur
de rduire la rsistance spcique de la couche de base en augmentant le dopage dans
la base et la mobilit de trou
de rduire la largeur du doigt dmetteur.

F IG . 2.6: Transistor de lquipe de Prof. Bolognesi Universit de Simon Fraser avec le

doigt dmetteur 1 m [Dvo00b].
Cest ce qui a t ralis. En 2000, il a t prsent une technique de fabrication de transistor ayant un doigt dmetteur de 1 m. Le dopage abrupt dans le collecteur a gale62

ment t maitris. Conservant la mme structure nominale, ils obtiennent fT = fMAX = 80

GHz[Mat98][Bol99]. La frquence fT na pas t amliore car les paisseurs de la base et
du collecteur sont conserves. Cependant, il a t observ une nette amlioration de fMAX
grce la rduction de la largeur du doigt dmetteur et lutilisation dun dopage abrupt
dans le collecteur. Le niveau de dopage dans la base et la mobilit de trou sont conservs
41019 cm3 et 25-30 cm2 V1 s1 donnant une rsistance carre de la couche de base de
1400/sq.
Ils sont parvenus augmenter la frquence fT de 80 106 GHz seulement en rduisant
lpaisseur du collecteur 200 nm au lieu de 300 nm[Dvo00a]. Il a t alors observ que la

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frquence fT est limite par laugmentation du temps de transit pour les densits de courant
leves. Toutefois, Bolognesi a expliqu que cette augmentation ne peut pas tre provoque
par un largissement de la base d linjection de trou quand le champ lectrique est invers
dans la jonction base-collecteur comme dans leffet de Kirk classique. En effet, il existe un
dcalage important dans la bande de valence Ev = 0.78 eV lhtrojonction InP/GaAsSb
[Bol01]. Un explication possible est lexistence dune barrire de potentiel la jonction
base-collecteur aux fortes densits de courant comme dans le cas des TBH SiGe [Cot90].
Cet effet sera tudi en dtail au section 2.4.3.
Ils ont estim la somme du temps de transit dans la base, dans le collecteur et dans le
circuit RC du collecteur (tb + tc + c ) 1 picoseconde pour la structure ayant une paisseur de collecteur de 200 nm par extrapolation de Jc linni. Les valeurs des tc et c
sont estimes environ 0.2 ps et tandis que tb est estim 0.6 ps. Ils ont alors propos
plusieurs mthodes pour amliorer les performances du dispositif InP/GaAsSb. Les quatre
voies damlioration sont rsumes ci-dessous [Dvo00a][Bol01].
La premire voie damlioration consiste dans la modication de la condition dinjection des lectrons dans le systme InP/GaAsSb. Ceci pourrait tre ralis en incorporant
un metteur permettant linjection dlectrons chauds dans la base. En effet les conditions
dinjection des lectrons dans la base sont moins favorables dans lhtrojonction metteurbase de type II InP/GaAsSb que dans InP/InGaAs (type I). Dans une htrojonction de type
II les lectrons sont injects thermiquement. Ils ne bncient pas pour rduire leur temps
de transit dune forte vitesse initiale comme dans le cas InP/InGaAs. An dinverser cette
situation, lmetteur peut tre ralis avec un matriau autre quInP. Celui-ci doit possder
63

un Ec positif par rapport la base en GaAsSb (htrojonction de type I). Cest le cas de
In0.52 Al0.48 As qui est en accord de maille avec InP. Par rapport GaAsSb son Ec est estim 0.1eV en applicant la rgle de transitivit du dcalage de bande de conduction. Un
autre matriau candidat est GaInP contraint avec une forte concentration en Ga.
Une deuxime option est de modier le transport des lectrons dans la base. On obtient
un transport par drive-diffusion en gnrant un quasi champ lectrique dans la base par
lintroduction dun gradient de la bande interdite dans la base. Il a t propos dintroduire
une base graduelle en AlGaAsSb dont la composition en aluminium dcrit de 10 % prs
de lmetteur 0 prs du collecteur. La variation de gap est alors de Egb =0.1 eV ce qui

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correspond un quasi champ lectrique de 25 kV/cm pour une base de 40 nm. Ceci doit
diminuer le temps transit dans la base tb de 0.3 ps, si on conserve lpaisseur de base
40 nm et quon suppose que la mobilit des lectrons minoritaires dans la base (n ) dope
4 1019 cm3 est denviron 650 cm2 V1 s1 [Bol01].
Le troisime axe damlioration est de rduire lpaisseur de lmetteur an de diminuer
ses rsistances sries (e ).
Enn, loptimisation de lpaisseur du collecteur doit tre entreprise an dy maintenir
le transport balistique.
Les modications nalement apportes la structure sont un peu diffrentes [Dvo00b].
1. InP a t conserv comme matriau pour lmetteur
2. La couche de base a t rduite 20 nm pour diminuer le temps de transit dans
la base. Le niveau de dopage de la base a t augment jusqu 8 1019 cm3
pour maintenir une rsistance spcique de la couche de base 1400/sq. Cela
a t possible en introduisant un gradient de concentration dantimoine (xSb ) dans la
base (xSb =0.45 cot collecteur et xSb =0.49 cot metteur). La rduction globale du
taux dantimoine permet une meilleure incorporation du carbone comme la rapport
Dermott [Der96]. De plus lintroduction du quasi champ lectrique gnr par le
gradient dantimoine permet de rduire le temps de transit des lectrons dans la base.
Il est alors possible daugmenter le niveau de dopage dans la base sans rduire le gain
en courant du transistor.
3. Lpaisseur de lmetteur a t rduite de 150 nm 75 nm pour y diminuer les rsis64

tances sries.
4. Le niveau de dopage dans le collecteur a t augment pour permettre lutilisation
des densits de courant plus leves.
Pour cette structure, le transistor avec une surface metteur-base de 0.411 m2 , et une
surface base-collecteur 213 m2 donne une fT = 305GHz, fMAX = 230GHz ltat de
lart en 2000. Avec une structure identique mais une paisseur de base 25 nm, les frquences fT > 270GHz et fMAX > 300GHz ont t mesures [Dvo00b]. Ces frquences de
coupures mesures ont surpass les records de TBDH InP/InGaAs obtenus par lquipe de
NTT en 1996 [Mat96c] et TBSH InP/InGaAs obtenu par lquipe de luniversit de Cali-

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fornia Santa Barbara en 1999 [Men99]. Elles ont suscit des nombreuses recherches sur
les TBH dont la base est en GaAsSb [Chu04]. Le prsent travail, qui sest droul dans le
cadre du programme RNRT MELBA, fait partie de cet effort de recherche.

2.4

TBH InP/GaAsSb dvelopp au LPN

Dans cette section nous prsenterons les proprits physiques des TBH InP/GaAsSb
dvelopps pendant la thse, revles par les mesures lectriques et optiques de TBH de
grandes dimensions. Tout dabord, un paragraphe sera consacr lpitaxie de la structure TBH Picogiga. Par la suite nous prsenterons ltude de la jonction metteur-base
des transistors de premire gnration. Le comportement lectrique diffrent du TBH avec
metteur en InP et InGaAlAs a pouss la mesure du dcalage de bande de conduction
par lectroluminescence. Les derniers paragraphes sont consacrs aux interprtations des
caractristiques lectriques sur la condition dinjection, le transport dans la base et leffet
Kirk dans la jonction base-collecteur. Enn, de lensemble de ces rsultats, nous avons dtermin laxe de la recherche pour raliser des TBH ultra rapides en utilisant lInGaAlAs
comme metteur.

2.4.1

Epitaxie de structure TBH InP/GaAsSb

Lpitaxie des structures de TBH en InP/GaAsSb tudies au laboratoire a commenc

en novembre 2001 chez Picogiga. Les structures ont t ralises par pitaxie par jets mo65

lculaire (MBE) sur le bati dpitaxie V100 (construit par VG Semicon). Il sagit dun bti
multi-plaques, cest dire quil offre la possibilit de produire plusieurs plaques pitaxies
lors dune mme manipulation, jusqu 5 plaques 3 pouces, ou 3 plaques 4 pouces, ou enn
1 plaque 6 pouces.
Les sources utilises sont des sources solides In, Ga, Al pour les lements III et As4 ,
P4 et Sb4 pour les lements V. La majorit de ces lments se prsente ltat massif
sous forme dun petit lingot de qualit trs proche de la puret absolue (7N). La vitesse
de dpt des lments III est contrle par la temprature des diffrentes cellules. Le ux
darsenic est contrl grce une vis douverture rglable et une jauge de mesure de ux.

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Le gaz CBr4 dcompos (contrle par une fuite xe) est employ pour fournir un dopage
en carbone de type p tandis quune source solide de silicium est employe comme dopant
de type n.
Il a t rapport que le ux darsenic joue un rle trs important sur le niveau dopage,
car le carbone se place sur les sites des atomes darsenic. Plus le ux darsenic pendant le
dpt du GaAsSb est lev, plus la probabilit pour un atome de carbone de trouver un site
darsenic libre est faible. Il convient donc de contrler prcisment le rapport entre le ux
des lements V (As+Sb) et le ux de carbone provenant du CBr4 pour pouvoir obtenir les
niveaux de dopage dsirs [Bov01]. Ceci est obtenu en faisant des tests de croissance de
couches GaAsSb dune paisseur pouvant varier de 25 nm 150 nm et dont le dopage varie
de 4 1019 cm3 4 1020 cm3 sur substrat InP non dop. Ce test permet de calibrer les
diffrents ux des cellules darsenic et dantimoine dans leurs expces dimres utilises.
Le comportement de la drive de la temprature de croissance observe a conduit imposer
une rampe en temprature de substrat de facon prserver le niveau et le gradient de dopage
dsirs.
Ltat structural de la surface pendant la croissance est observ in situ par RHEED
(diffraction dlectron en incidence rasante). La vitesse de croissance de GaAsSb est typiquement de 0.2 0.5 m/h et celui de InP est typiquement de 1 m/h. La temprature du
substrat est maintenue autour de 450 550 C pour la croissance des structures de TBH. La
concentration en antimoine dans la couche de GaAsSb ainsi que lpaisseur de la couche
ont t dtermines par la diffraction de rayons X en haute rsolution (HRXRD).
La croissance par MBE des alliages GaAs1x Sbx dops carbone constituant la base
66

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 2.7: La diagramme de diffraction obtenu par HRXRD du substrat en InP dune couche
de 100nm de GaAsSb0.48 dope carbone en accord de maille avec InP (plaquette H6692).
En plus des rexions fondamentales de Bragg autour de pic 004 de la couche (L) et du
substrat (S), un certain nombre de franges (F) dinterfrence sont observes.

de la structure TBH a t ralise pour la premire fois dans ces travaux. Il a t obtenu
rapidement des couches cristallines de haute qualit. Le diagramme de diffraction (gure
2.7) a t obtenu par HRXRD sur une couche de 100 nm de GaAsSb0.48 dope carbone en
accord de maille avec InP. En plus des rexions fondamentales de Bragg autour de pic 004
de la couche (L) et du substrat (S), un certain nombre de franges (F) sont observes. Ces
franges sont dues la diffraction multiple dans la couche pitaxie, et atteste dune bonne
qualit cristalline ainsi que dune faible relaxation de contrainte dans la couche [Cha91].
La rsistance carre de la couche en GaAsSb dope 3.6 1019 cm3 varie de 260780 /

quand lpaisseur de la couche varie de 150 50 nm. Ceci correspond une

67

45
Picogiga
S.P.Watkins
McDermott

Mobilit (cm2 .V1 .s1 )

e

40
35
30
25
20
15
1e+19

1e+20
Concentration (cm3 )

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F IG . 2.8: Mobilit de trous dans les couches GaAsSb pitaxies Picogiga en fonction du
dopage. On trace galement les valeurs de mobilit report par Dermott [Der96] et lquipe
de Bolognesi [Wat00].
mobilit de trou denviron 35 cm2 V1 s1 . Lvolution de la mobilit de trou en fonction
du niveau de dopage de la couche en GaAsSb est trace dans la gure 2.8. Nous y avons
ajout celles rapportes par Dermott et Bolognesi obtenues sur des pitaxies par MOVPE.
Nous observons que dans la gamme de 1 1019 2 1020 cm3 , la mobilit change
de 40 25 cm2 V1 s1 et dpend faiblement du niveau de dopage. Ce constat est cohrent
avec les observations de [Wat00] et de [Der96].
Des premires tudes des conditions de croissance pour des structures InP/GaAsSb/InP
il a t rapport la difcult dpitaxier une couche en InP sur GaAsSb. Ceci est illustr par
lobservation du diagramme de diffraction obtenu par RHEED pendant la croissance de la
structure du TBH. Lors du dbut de la croissance de la couche en InP (collecteur du transistor) le diagramme de RHEED montre des lignes verticales qui indiquent dune part une
reconstruction de surface et dautre part une croissance bidimensionnelle lisse. Ce schma
en ligne continue pendant la croissance de la couche en GaAsSb (base du transistor). Toutefois, au dbut de la croissance de la couche dInP (metteur du transistor) sur la couche
en GaAsSb, le schma en ligne devient "tachet" ce qui met en vidence une croissance
tridimensionnelle. Aprs le dpt dun certain nombre de monocouches en InP, la surface
pitaxie redevient lisse comme latteste les diagrammes de RHEED.
68

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 2.9: RHEED image de surface InP(001) (a) pendant la croissance dInP dans la di
rection [110], (b) pendant la croissance de GaAsSb (direction inconnue), mais du fait de
lobservation de lignes, on conclut une surface lisse, (c) lors du dpt dInP sur GaAsSb
o la surface devient rugueuse.

69

Deux raisons peuvent causer la difcult dposer une couche dInP sur la couche en
GaAsSb.
Premirement si on raisonne sur le modle dnergie libre, il a t tablie que le mode
de croissance pendant lpitaxie est dtermin par le bilan des nergie libres de surface
du substrat (s ), de linterface (i ) et de surface de la couche dpose ( f ) [Cop89]. La
condition :
s > f + i

(2.2)

dtermine le mode de croissance bidimensionnelle (couche par couche, galement appel

Frank Van der Merwe=FVDM) au dbut de croissance. Le mode de croissance peut tre

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modi pendant la croissance une croissance par lots (tridimensionnelle) si la contrainte

dans la couche nest pas favorable. Dans ce cas on appelle le mode de croissance StranskiKrastanov (SK). Dans le cas inverse, o lnergie libre de surface de la couche dpose
est plus importante que celle du substrat (s < f + i ), des petits amas sont nucls directement la surface du substrat, et se transforment en lots. La croissance dbutera par
la croissance en lots (Volmer-Weber=VW). Ainsi pour deux lments A et B, comme lun
dentre eux doit possder une nergie libre plus importante que lautre, si A peut tre cr
sur B avec le mode FVDM ou SK, par consquence la mode de croissance de B sur A sera
VM. Ce modle a t vri pour le cas de croissance entre Si et Ge [Asa85] [Mar87] et il
semble sappliquer galement dans ce cas.
Deuximement, il est connu que lantimoine tend sgrger au dessus du front de croissance cause de son grand rayon atomique (effet surfactant). Ce phnomne a t dmontr
aussi bien pour les htrostructures base de GaAs [Pit01] [Pit03], que pour celles base
dInP [Wan03]. Dans [Pit01], Pitts a observ la prsence dune couche ottante riche en Sb
pendant la croissance de GaAs sur une couche en GaSb. Wang a signal [Wan03] la prsence dantimoine la surface de lchantillon aprs une croissance de 60 monocouches de
InP sur une seule monocouche dInSb la temprature 560 C.
Ltude rcente de Brunner[Bru04] sur la croissance par MOVPE dInP sur une couche
en GaAsSb dope en carbone indique que la sgrgation de Sb est fortement augmente lorsque la croissance est ralise des tempratures suprieures ou gales 550 C. Ce
constat sexplique par lexistence dune couche quasi liquide dInSb fortement mobile pour
70

des tempratures suprieures son point de fusion (525 C). Pour rduire la longueur de sgrgation de Sb, une croissance plus basse temprature, par exemple 475 C, et une longue
exposition de la couche en GaAsSb dans une atmosphre darsenic sont ncessaires. Lexposition directe dune couche de GaAsSb un ux de phosphore se rvle moins efcace
pour la rduction de la concentration en Sb la surface. Ceci est d lnergie dactivation
plus leve dans le procd dchange de Sb-P que dans lchange Sb-As [Bru04].
Brunner a cependant mis en vidence lexistence dune couche graduelle en InPSb denviron 8 nm linterface GaAsSb:C/InP pour une croissance des tempratures de 510 C.
Ce constat a t ralis partir des mesures de HRXRD sur un chantillon contenant de

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nombreux puits quantiques InP/GaAsSb:C. Il a galement t dmontr que la concentration en antimoine dans InP linterface InP/GaAsSb peut tre rduite de xSb = 0.08 0.04
en assurant un plus long temps dexposition de la couche de GaAsSb sous atmosphre
darsenic avant la croissance dInP [Bru04].
An de rduire la sgrgation de Sb la surface, lanalyse de sensibilit aux diffrents
paramtres rgulant la croissance a t ralise (temprature de substrat, procdures de
commutation des lments V, interruptions de croissance...). Il a t observ que larrt du
ux en Sb avant celui dAs la n de la croissance de la couche en GaAsSb, augmente le
gain en courant des TBH [Bov01].
Cependant, comme nous le verrons dans la section suivante, toutes les premires gnrations de TBH avec un metteur constitu dune couche en InP prsentent un excs
de courant de base pour des faibles tensions de polarisation et un facteur didalit (nb )
trop lev. Il na jamais pu tre observ un gain en courant indpendant de la densit du
courant ou un excellent facteur didalit comme rapport par Bolognesi. Cette diffrence
est probablement due lutilisation dune couche dinterfaciale en InGaAs par lquipe de
Bolognesi.
Depuis leur tude prliminaire ils ont rapport lutilisation dune couche dinterface
en InGaAs de moins de 10 nm entre la base en GaAsSb et lmetteur en InP [Xu99]. La
couche dinterface en InGaAs a t employe pour faciliter le procd de commutation de
gaz ; en effet, les lments des groupes III et V changent tous linterface GaAsSb/InP. De
plus, la caractristique lectrique dun TBH en InP/GaAsSb avec une couche dinterface en
InGaAs prsente un gain en courant constant et un excellent facteur didalit, loppos
71

des TBH utilisant dautres types de couche dinterface telles quInAs, GaP, GaSb [Wan03].
De faon similaire, an dviter la croissance directe de la couche dInP sur GaAsSb,
dans ce travail nous avons propos demployer lalliage In0.52 (Ga(1x) Alx )0.48 As comme
couche dmetteur, qui est en accord de maille avec InP. Les avantages apports par cet
alliage sont les suivants.
Premirement il assure un large dcalage de bande de valence (Ev ) avec GaAsSb,
ce qui permet de supprimer linjection de trous dans lmetteur. Le dcalage de bande
de valence rapport pour InGaAs/GaAsSb (pour x=0) est entre 0.38 et 0.51 eV [Kle91]
[Sug89] et celui pour InAlAs/GaAsSb (x=1) est entre 0.52 [Kle91] et 0.69 eV [Sug86]

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[Sug89].
Deuximement il permet de passer dune htrojonction de type II une htrojunction
de type I en modiant le taux daluminium dans InGaAlAs. En utilisant les donnes de
la littrature [Sug86] [Kle91] [Sug89] et le rgle de transitivit, le dcalage de bande entre
InGaAlAs/GaAsSb est de type II pour x < 0.7 (correspondant taux daluminium xAl =0.34)
et de type I pour x > 0.7.
Lutilisation de lalliage InGaAlAs introduit donc une libert supplmentaire dans la
conception du transistor. La premire structure tudie dans ce travail et utilisant InGaAlAs avec x = 0.5, qui correspond la composition en aluminium 0.24, prsente dexcellentes
proprits lectriques (gain en courant constant et excellent coefcient didalit pour les
courants de base et de collecteur). Comme nous le verrons plus loin partir des caractrisations lectriques et optiques, cet excellent rsultat est d une meilleure qualit cristalline
de linterface InGaAlAs/GaAsSb par rapport InP/GaAsSb.

2.4.2

Caractrisation lectrique des TBH de premire gnration

Les structures des premiers TBH que nous avons tudis ont t conues pour tre
semblables celles employes par lquipe de Bolognesi dans leur tude prliminaire. La
structure de couches est dtaille dans la table 2.2. La largeur de la base et son niveau de
dopage sont maintenus respectivement 50 nm et 3.6 1019 cm3 , alors que la largeur
du collecteur et son niveau de dopage sont maintenus 300 nm et 1 1016 cm3 . Dans
ce chapitre nous allons caractriser les TBH de grandes dimensions (JUMBO) dont les
72

surfaces de jonction metteur-base sont 50 50m2 , 75 75m2 et 100 100m2 .

Les caractristiques lectriques de nos premiers TBH sont radicalement diffrentes de
celles rapportes par Bolognesi. La caractristique de Gummel dun TBH de grande dimension (surface dmetteur 100x100m2 ) est prsente sur la gure 2.10a. Bien que le
courant collecteur se comporte idalement (il varie exponentiellement avec la tension de
polarisation et son coefcient didalit nc est de 1.00), le courant base ne varie pas exponentiellement avec la tension de polarisation. Un coefcient didalit moyen peut cependant tre dtermin par linterpolation locale dune exponentielle. On trouve nb = 1.42
pour les tensions VBE infrieures 0.3V et nb = 1.7 pour les tensions VBE suprieures. Le

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gain en courant ( ) du transistor dpend fortement de la tension de polarisation de la jonction metteur-base. Il est infrieur 1 quand la densit de courant dans la jonction metteur
base est infrieure 10 mA/cm2 (correspondant aux tensions de polarisation infrieures
0.3V), et atteint une valeur de 50 pour une densit de courant suprieure 10 A/cm2 .

Couche

Composition

Dopage

Epaisseur

(cm3 )

(nm)

Contact Ohmique

InGaAs:Si

21019

100

Sub-metteur

InP:Si

11019

100

Emetteur

InP:Si

51017

70

Base

GaAsSb:C

3.61019

50

Collecteur

InP:Si

11016

300

Sub-collecteur

InP:Si

11019

50

Contact Ohmique

InGaAs:Si

51018

50

Buffer

InP

nid

500

Substrat

InP:Fe

TAB . 2.2: Lempilement des couches des TBH de premire gnration (H6594).
A partir de lanalyse de la densit de courant en fonction du rapport primtre/surface
de la jonction metteur base, nous avons identi les parties intrinsque et extrinsque du
courant collecteur (Ic ) et du courant base (Ib ). La partie intrinsque du courant est la partie
73

0.1
H6594.1

0.01
0.001
Courants (A)

Ib
Ic

n1 =1.42
b
n2 =1.7
b
nc =1.00

0.0001
1e-05
1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Tension metteur-base (V)

e

0.001
H6594.1
Ic surface

Courants de base (A)

Courants de collecteur (A)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

(a)
0.1
0.01
0.001
0.0001
1e-05
1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11

Ic priphrie
e
e

0.0001

H6594.1

Ib surface
Ib priphrie
e
e

1e-05
1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
1e-10

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.2

Tension metteur-base (V)

e

0.3

0.4

0.5

0.6

Tension metteur-base (V)

e

(b)

(c)

F IG . 2.10: Courbe Gummel TBH H6594 (a) courant collecteur intrinsque et extrinsque
(b) courant base intrinsque et extrinsque (c).
qui varie avec la surface dinjection du dispositif (cest--dire la surface de la jonction
metteur base) tandis que la partie extrinsque du courant est celle proportionnelle la
priphrie de la surface dinjection (cest--dire la priphrie de la jonction metteur-base).
Ces comportements sont tracs sur la gure 2.10b pour le courant Ic et sur la gure 2.10c
pour le courant Ib .
Pour le courant collecteur et le courant base, la partie extrinsque est 100 fois plus petite que la partie intrinsque pour les tensions de polarisation infrieures 0.55V. Ensuite,
cest la partie extrinsque qui domine. Ici comme nous caractrisons seulement les transistors JUMBO, leffet extrinsque dauto-polarisation latrale peut devenir dominant haut
densit de courant. Cest pourquoi nous ne discutons que les comportements lectriques
VBE <0.5 V. La partie intrinsque du courant collecteur varie exponentiellement avec la
tension de polarisation. Ceci signie que le courant collecteur est uniquement rgi par la
tension de polarisation (VBE ). Nous verrons dans la section 2.4.3 que ceci permet de vrier
74

la dpendance de la densit de courant collecteur avec lpaisseur de la base. Pour les deux
parties du courant base, la relation courant / tension est loin dtre exponentielle (faible
coefcient didalit).
Nous avons attribu lexcs de courant base pour les faibles tensions de polarisation
la recombinaison croise entre les lectrons dans lmetteur et les trous dans la base
linterface InP/GaAsSb. En effet, le dcalage de bande de conduction type II linterface
InP/GaAsSb agit comme une barrire de potentiel slectionnant les lectrons injects linterface. Seuls les lectrons ayant la composante orthogonale du vecteur donde sufsante
(k > k0 ) peuvent traverser linterface. Si cette condition nest pas satisfaite, les lectrons

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

sont rchis par linterface. Ces lectrons rchis augmentent la probabilit de recombinaison avec les trous. De plus sil y a un puits de potentiel linterface comme rapport par
Brunner [Bru04] (lalliage InPSb doit possder une bande interdite plus petite que lInP),
les lectrons saccumulent dans ce puits et se recombinent avec les trous de la base ce qui
augmente aussi le courant base. Par consquent, an de diminuer le courant base, il est
ncessaire de rduire le Ec de lhtrojonction InP/GaAsSb. Comme Ec diminue quand
la concentration en Sb dans GaAsSb diminue [Pet99], lutilisation dune couche contrainte
avec une faible concentration (xSb =0.44) a t essaye. Dautre part, cette rduction de
concentration de Sb devrait rduire les concentrations dantimoine surfactant linterface,
donc dans lInP linterface, et rduire la profondeur du puits de potentiel linterface.
Dans la gure 2.11, nous avons compar les caractristiques lectriques des transistors ayant une surface metteur de 100x100m2 issus de la plaquette H6378 (xSb =0.49) et
H6594 (xSb =0.44). Les courants collecteur se superposent exactement malgr la rduction
de Ec due la rduction du taux dantimoine. Ceci est en accord avec la thorie de Shockley adapte aux htrojonctions de type II (Chapitre 1). En effet la hauteur de barrire de
la jonction pn est xe par les niveaux de dopage dans les ZQN de lmetteur et la base.
En revanche, nous observons une rduction du courant de base pour toutes les tensions de
polarisation du TBH H6594. Ceci permet dobtenir un gain en courant gal un pour une
densit de courant 10 fois infrieure (10 mA/cm2 pour H6594 au lieu de 100 mA/cm2 pour
H6378). La rduction de Ec dans lhtrojonction de type II augmente faible polarisation
la distance moyenne entre les lectrons de lmetteur et les trous de la base, diminuant ainsi
la probabilit de recombinaison croise. Cette observation conforte lorigine de lexcdent
75

1
Ib
Ic
Ib
Ic

Courant Ic, Ib (A)

0.01
0.0001

(xSb = 0.49)
(xSb = 0.49)
(xSb = 0.44)
(xSb = 0.44)

1e-06
1e-08
1e-10
1e-12
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Tension metteur base Vbe (V)

e

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 2.11: Courbe Gummel illustrant leffet du taux dantimoine dans les TBH InP/GaAsSb
(plaquette H6378 (xSb =0.49) et H6594 (xSb =0.44)) .
de courant base observ dans la jonction metteur base InP/GaAsSb.
La premire structure utilisant InGaAlAs avec une concentration daluminium xAl =
0.24 a montr dexcellentes proprits lectriques. Lempilement de couche est identique
celui dcrit dans le tableau 2.2 sauf la couche dmetteur qui est ici en InGaAlAs. Nous
nobservons pas un excs de courant de base faible tension de polarisation comme dans
le cas de lmetteur en InP. Ceci est prsent sur la gure 2.12a o nous montrons la caractristique Gummel du dispositif issue de la plaquette H6548 avec une supercie dmetteur
de 100x100 m2 . Les courants collecteur et base ont un excellent facteur didalit, respectivement nc =1.05 et nb =1.18. De plus, le transistor possde un gain en courant lev ds
les trs faibles densits de courant (0.01 mA/cm2 ), qui augmente 80 pour une densit de
courant Jc = 10 kA/cm2 .
En employant une base contrainte (xSb =0.42 au lieu de 0.49), il a t dmontr quun
gain en courant aussi lev que 120 Jc = 10 kA/cm2 pouvait tre observ avec un metteur
en InGaAlAs (plaquette H6584). Ce gain statique excellent est le plus lev rapport pour
les structures ayant une base en GaAsSb [Bov02].
Leffet de la contrainte dans la base pour lmetteur en InGaAlAs est prsent sur la
gure 2.12b, o nous avons compar les densits des courants intrinsques (i.e. courant
S
S
proportionnel la surface) Jc et Jb issus des plaquettes H6548 (xSb = 0.49) et H6584 (xSb

76

Ib
Ic
nb = 1.18
nc = 1.00

H6548.1

0.001
0.0001
Courants (A)

Densit de courant de surface (A.m2 )

e

0.1
0.01

1e-05
1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

1e-06
Ic(H6548)
Ic(H6584)

1e-07
1e-08

Ib(H6548)
Ib(H6584)

1e-09
1e-10
1e-11
1e-12
1e-13
1e-14
0.1

0.15

0.2

Tension metteur-base (V)

e

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

0.55

0.6

Tension metteur-base (V)

e

F IG . 2.12: Courbe Gummel de TBH avec metteur en InGaAl0.24 As et base en accord

de maille (xSb =0.49) (a). On observe un meilleur comportement du gain en courant et du

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coefcient didalit du courant base (nb =1.18). Effet de la composition en antimoine dans
la base pour metteur en InGaAl0.24 As (plaquette H6548 (xSb =0.49) et H6584 (xSb =0.42)).
=0.42). Les donnes extraites de ces caractristiques de Gummel sont regroupes dans le
tableau 2.3.

Epitaxie

Jb1

nb1

A.m2

Jb2

nb2

A.m2

Jc0

nc

A.m2

H6548

2.34 1015

1.56

4.94 1017

1.05

9.36 1016

0.97

H6584

6.82 1018

0.98

8.62 1016

0.98

TAB . 2.3: Les donnes extraites des caractristiques de Gummel intrinsques des TBH issu
des plaquettes H6548 et H6584.
Comparaison par rapport aux TBH avec la base en accord de maille (H6548), des TBH
issus de la plaquette avec la base contrainte (H6584) :
Le courant collecteur est lgrement rduit (environ 35%) sur toute la gamme de
polarisation.
Le coefcient didalit du courant collecteur est conserv une valeur trs proche
de lunit.
Le courant de base mesur forte polarisation directe est fortement rduit (environ
par un facteur 3)
77

 Le coefcient didalit du courant de base mesur forte polarisation directe devient

gal celui du courant collecteur.
La composante de courant de base faible polarisation directe nest plus mesurable
car masque par un courant de fuite.
La faible rduction du courant collecteur nest sans doute pas signicative dun effet
li la discontinuit de la bande de conduction. En effet la hauteur de barrire dans la
jonction metteur-base est xe par les niveaux de dopage des zones de quasi-neutralit
de lmetteur et de la base. Lcart des dopages dune pitaxie lautre est sans doute
comparable lcart constat ici ( 7 meV).

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Le courant de base est fortement rduit (facteur 3) et acquiert le mme coefcient

didalit que le courant collecteur. Ceci indique que le gain est maintenant limit par la
recombinaison dans le volume de la base ou par linjection de trous dans lmetteur. La trs
forte discontinuit de la bande de valence (Ev = 540 meV) rendant cette dernire ngligeable, cest la dure de vie des lectrons minoritaires dans la base en GaAsSb qui xe le
gain en courant dans les TBH H6584.
La diminution du dcalage de bande de conduction linterface metteur-base due
la rduction du taux dantimoine dans la base a conduit une augmentation de la distance
moyenne entre les lectrons de lmetteur et les trous de la base, donc une rduction de la
recombinaison croise travers cette interface. La contribution correspondante du courant
de base (excdent de courant donnant une idalit suprieure 1) devient alors ngligeable
devant celle due la recombinaison dans le volume de la base. Nous observons une nette
rduction de courant de base dans le transistor ayant une base contrainte, ce qui a comme
consquence laugmentation du gain en courant pour toutes les tensions de polarisation.
A partir de la mesure de la courbe de Gummel, nous avons identi que lhtrojonction
InGaAlAs/GaAsSb reste de type II. Ceci est dmontr dans la gure 2.13 o nous avons
trac la densit du courant collecteur (partie intrinsque) des dispositifs H6594 (metteur en
InP) et H6596 (metteur en InGaAlAs). Le courant collecteur du dispositif avec lmetteur
en InGaAlAs se superpose exactement avec celui du dispositif avec lmetteur en InP. Les
deux courants ont le mme prfacteur de courant collecteur (Jc0 ) et un coefcient didalit
identique nc =1. Ceci indique que dans les deux cas la hauteur de la barrire de potentiel
est la mme (elle est dtermine par les niveaux de dopage dans le ZQN dmetteur et de
78

Densit de courant collecteur de surface (A.m2 )

e

1e-06
Jcs (H6594)
Jcs (H6596)

1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
1e-12
1e-13
1e-14
1e-15
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Tension metteur-base (V)

e

F IG . 2.13: Densit du courant collecteur des dispositifs H6594 (metteur en InP) et H6596
(metteur en InGaAlAs). Le courant collecteur du dispositif avec lmetteur en InGaAlAs
se superpose exactement avec celui du dispositif avec lmetteur en InP.
base). Ainsi lhtrojonction InGaAlAs/GaAsSb est encore de type II.

2.4.2.1

Conclusions

Nous concluons des observations prcdentes que le meilleur comportement Gummel

des TBH avec metteur en InGaAlAs doit rsulter dune meilleure qualit dinterface entre
InGaAlAs/GaAsSb compar celle dInP/GaAsSb. Cette meilleure qualit dinterface se
traduit par labsence de puits potentiel ct metteur. Ceci rduit considrablement la recombinaison croise linterface et par consquence lexcs de courant base faible tension de polarisation pour lmetteur en InGaAlAs. Pour les deux systmes la rduction
de la concentration dantimoine dans la base (xsb <0.49) diminue le dcalage de bande de
conduction (Ec ) la jonction metteur base. Ceci permet daugmenter faible polarisation
la distance moyenne entre les lectrons de lmetteur et les trous de la base, diminuant ainsi
la probabilit de recombinaison croise, ce qui se traduit par une caractristique lectrique
plus proche de lidal.
An dafner les comparaisons des dcalages de bande de conduction entre les dispositifs avec metteur en InP et en InGaAlAs, la caractrisation optique des dispositifs
79

a t mene par les techniques de photoluminescence et dlectroluminescence que nous

prsentons dans la prochaine section.

2.4.3

Dtermination du dcalage de bande de conduction par lectroluminescence pour lhtrojonction de type II

Les techniques de luminescence consistent crer des paires lectron-trou dans un semiconducteur et observer la lumire mise issue des processus de recombinaison radiatifs.
Dans le cas de la photoluminescence (PL), les porteurs sont crs par absorption de pho-

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tons dnergie suprieure celle de la bande interdite, alors que pour llectroluminescence
(EL) ils sont injects depuis la zone o ils sont majoritaires. Ainsi lchantillon pour la mesure par lectroluminescence doit tre dop an de permettre le prise de contact ohmique
ncessaire la polarisation lectrique.
Puisque lchantillon est dop, les processus de recombinaison radiative peuvent se
faire soit avec les trous pigs sur les centres accepteurs, soit avec les trous libres de la
bande de valence. Dans le premier cas les trous sont tous la mme nergie et les processus
de recombinaison ne conservent pas le vecteur donde (tats lis de trous). La distribution
spectrale de la recombinaison est alors celle des lectrons dans la bande de conduction.
Dans le deuxime cas, les recombinaisons des paires lectrons trous se font parmi les porteurs libres des bandes de conduction et de valence en conservant nergie et vecteur donde.
La distribution spectrale de la rponse est alors une convolution des distributions en nergie des lectrons et des trous libres. En pratique lorsque le niveau de dopage est assez
lev (gnralement le cas dans les TBH) les deux rponses se superposent pour donner
un spectre dEL nettement plus large quen PL faible dopage. Ces deux techniques sont
donc complmentaires pour la dtermination de la bande interdite et du dcalage de bande
de matriaux.
Le dcalage de bande de conduction des systmes InP/GaAsSb et InGaAlAs/GaAsSb a
t mesur par photoluminescence lINSA de Lyon par le groupe de Catherine Bru Chevalier et par lectroluminescence au LPN. De la mesure de photoluminescence lINSA
Lyon, il a t identi un dcalage de bande de conduction de -90meV pour le systme
InP/GaAsSb0.46 [Bru04]. Cette valeur, mesure sur la plaquette H6372, est en accord avec
80

[Pet99]. Le dcalage de bande de conduction du systme InGaAl0.23 As/GaAsSb0.42 a t

mesur -110 meV. La mesure a t ralise sur la plaquette H6584. Cette valeur est la
premire mesure exprimentale du dcalage de bande de conduction pour le systme InGaAlAs/GaAsSb. Il est en accord avec les valeurs de la littrature si nous employons la
rgle de transitivit.
Dans cette section nous prsentons les rsultats de mesures par lectroluminescence de
la jonction dInP/GaAsSb. Ces mesures ont t ralises pour les TBH issus de la plaquette
H6594.
La technique dlectroluminescence a t employe notamment pour observer des lec-

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tron chauds dans les htrojonctions de type I. Ce travail a t dbut par Peterson [Pet89]
dans le systme AlGaAs/GaAs. En effet d au dcalage de bande de conduction Ec positif,
les lectrons sont injects chauds, cest dire avec un excs dnergie cintique correspondant Ec entre lmetteur en AlGaAs la base en GaAs. Lnergie de recombinaison des
lectrons chauds se situe alors une nergie Ec plus haute que la bande interdite de GaAs.
Cest lobservation de cette recombinaison qui a pu mettre en vidence lexistence des lectrons chauds. De plus, il a t mesur une srie de pics plus basse nergie correspondant
aux lectrons qui ont mis un ou plusieurs phonons [Pet89][Tei95]. Le terme lectron balistique est ainsi utilis pour caractriser les lectrons qui nont subi aucune interaction.
Linjection dlectrons balistiques par une htrojonction abrupte InP/InGaAs ainsi que la
relaxation de ce type de transport dans InGaAs dop p ont t tudies dans notre groupe
au cours de la thse de D. Sicault [Sic01].
Pour les htrojonctions de type II, par exemple le systme InP/GaAsSb, Ec tant ngatif, les lectrons sont injects thermiquement dans la base. Il est donc ncessaire dadapter la technique dlectroluminescence pour mesurer le dcalage de bande. Pour cela nous
employons la recombinaison croise entre les lectrons de lmetteur et les trous de la base
travers linterface. En effet, lnergie de ces derniers est troitement lie lalignement
de bande qui varie avec la tension de polarisation, comme dcrit gure 2.14.
Nous prsentons lalignement de bande simpli de la jonction metteur base qui est
constitue des couches de contact metteur (n+ ) en InP, de couche dmetteur (n) en InP et
de la base (p+ ) en GaAsSb sous polarisation Va . La tension de polarisation Va est choisie
plus grande que la tension de la bande plate () qui correspond la tension de polarisation
81

400

Ec,Ev (meV)

200 Ef(e)
BC
0
-200

E1

E3

E2

-400
Ef(h)

-600
-800
-1000
-1200

BV
-1400
-1000 -800

-600

-400

-200

200

400

600

z (Angstroms)

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F IG . 2.14: Alignement de bande de lhtrojonction InP/GaAsSb sous polarisation Va >

. Les luminescences venaient des recombinaisons dans la volume de InP (E1) et de
GaAsSb (E2), et de la recombinaison lectrons-trous linterface (E3).
o le champ lectrique sannule linterface. Nous comptons observer la luminescence aux
nergies correspondant aux recombinaisons dans la volume de InP (E1) et de GaAsSb (E2),
et lnergie correspondant la recombinaison croise linterface (E3). Lnergie de la
recombinaison croise linterface tant lies lalignement de bande, nous permettra de
dterminer la tension de polarisation correspondant la tension de bande plate (). De la
tension de bande plate, nous dterminons le dcalage de bande de conduction Ec , car ils
sont relis par la relation :
q = Egb + Ec + qVn + qVp

(2.3)

Ici, qVn = EF (n) Ec et qVp = Ev EF (p), o EF (n) et EF (p) sont respectivement les
niveaux de Fermi dans lmetteur et dans la base qui sont calculs avec le programme
dvelopp pendant la thse de D. Sicault. Dans le programme on suppose une densit dtat
volumique pour les lectrons et les trous. Pour les trous, le niveau de Fermi est calcul en
ne considrant que la bande de trous lourds. Comme nous navons pas de donnes sur la
masse des trous lourds dans GaAsSb, la masse de trous lourds dInGaAs a t utilise.
Le plan du dispositif exprimental pour la mesure dlectroluminescence est prsent
dans la gure 2.15. Lchantillon est plac sur un porte-chantillon, dont les plots sont re82

lis aux contacts de dispositifs par de minces ls dor (25 m de diamtre) souds par
thermo-compression. Le porte-chantillon est ensuite introduit dans un cryostat temprature variable. On utilise un cryostat hlium liquide avec une garde thermique dazote
liquide, le tout tant isol par une enceinte sous vide. La circulation dhlium est contrle
laide dune vanne pointeau. De plus, une rsistance chauffante est incorpore dans le

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

porte-chantillon ce qui permet de rguler la temprature entre 1.8 et 300K.

F IG . 2.15: Le plan du dispositif exprimental pour la mesure dlectroluminescence.

Dans les expriences rapportes dans ce travail, nous avons rcupr la lumire mise
par la face arrire des chantillons. En effet le substrat InP ayant une largeur de bande
interdite plus grande que celle de GaAsSb, il est transparent dans la gamme de longueur
donde qui nous intresse ici. Ceci prsente lavantage de pouvoir mtalliser toute la surface
de mesa metteur base, assurant ainsi une meilleure homognit du courant dans la diode
tudie. Dans ce cas, il faut polir le dos de lchantillon an que le signal lumineux ne soit
altr par la diffusion.
Dans la mesure des spectres dlectroluminescence, les photons mis par le dispositif
sont collects et focaliss sur la fente dentre dun double spectrographe rseaux dont la
principale caractristique est son fort contraste. A la sortie du spectrographe, la lumire est
83

dtecte par un dtecteur multicanal compos de 256 photodiodes en germanium (refroidies 77K), chacune associe individuellement un amplicateur intgrateur en silicium
galement refroidi 77K. Le signal est accumul pendant un temps de pose allant de une
plusieurs centaines de secondes. Laugmentation du temps de pose permet daugmenter le
rapport signal sur bruit dans la limite de la saturation du dtecteur. La sensibilit du montage nous permet de dtecter des signaux de quelques dizaines de photons par seconde. Le
comptage de photons est interfac par un micro-ordinateur qui enregistre toutes les donnes
mesures.
La gure 2.4.3 montre la caractristique I-V de la jonction metteur base dun TBH
est reprsent par lapproximation I = I0 exp (qVa RI) , o Va est la tension appliqu et R =
nkT
16. Dans la suite de lexploitation de la caractristique optique nous avons remplac la
tension de polarisation applique par la tension relle dans la jonction V = Va RI.
1
Mesure
V(I)

0.95
Tension metteur-base (V)
e

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

avec une supercie dmetteur de 100x100m2 2K. On observe que le courant I mesur

0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
1e-08

1e-07

1e-06

1e-05

0.0001

0.001

0.01

0.1

Courant (A)

F IG . 2.16: I-V caractristique de la jonction E-B de H6594 at 2K

Le spectre dlectroluminescence 2K mesur sur le mme chantillon est prsent
dans la gure 2.17a. Nous y observons 3 pics ;
Le pic 1 correspond la recombinaison des trous injects dans lmetteur en InP
dop de type n (transition E1 dans g. 2.14). Une partie, ct haute nergie de ce pic
est tronque par labsorption dans le substrat en InP (observation par la face arrire).
Cest le fort niveau dopage de lmetteur qui, par diminution de la largeur de bande
interdite, permet lobservation dune partie de cette mission travers le substrat
semi-isolant.
Le pic 2 correspond la recombinaison des lectrons injects dans la base en GaAsSb
84

(transition E3 dans 2.14). Il permet une mesure de la largeur de bande interdite effective de GaAsSb:C.
Le pic 3 correspond la recombinaison travers linterface metteur-base des lectrons de lmetteur avec les trous de la base (transition E2 g. 2.14). Parce quil sagit
dune recombinaison croise, son nergie est plus faible que celle du pic 2 (gap de
GaAsSb) et les deux pics 2 et 3 sont distincts.
La gure 2.17b regroupe les pics de recombinaison croise (pic 3) obtenus pour diffrentes polarisations de la jonction metteur base. On constate que ce pic se dcale vers les
hautes nergies quand la polarisation de la jonction augmente, alors que les autres pics (1

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

et 2) restent la mme nergie. Comme nous le verrons plus loin, cest ce dcalage qui
montre le caractre crois de cette recombinaison.
Lvolution de lnergie du pic 1 en fonction de la tension de polarisation est trace
dans la gure 2.17c. A faible polarisation (Va =0.7 0.78V), la recombinaison a lieu
une nergie gale la tension applique (E = Va ) ; trac avec Pente = 1. A plus forte
polarisation (Va >0.78), lnergie de la recombinaison croise augmente moins vite que la
tension applique.
Le comportement faible polarisation (pente=1) est expliqu laide dune deuxime
raie de recombinaison dont lintensit devient ngligeable lorsque la raie de recombinaison
croise apparat. Ce changement de pente autour 0.78 V va tre expliqu en observant les
diagrammes de bande, illustrs dans la gure 2.18.
Quand la tension de polarisation est plus petite que la tension de bande plate, il ny
a pas de puits de potentiel dans la bande de conduction ct metteur. La recombinaison
majoritaire se produit alors entre les lectrons de lmetteur ayant une nergie proche du
niveau de Fermi avec les trous dans la base dont lnergie correspond E3* (Fig.2.18a).
Lnergie E3* est gale la tension de polarisation (Pente=1).
Pour les tensions de polarisation plus grandes que la tension de bande plate (Fig. 2.18b),
il y a un puits de potentiel dans la bande de conduction ct metteur. Les recombinaisons
se produisent alors majoritairement entre les lectrons du puits de potentiel et les trous dans
la base, une nergie E3, moins importante que la tension de polarisation. La variation de
lnergie de recombinaison avec la tension applique suit alors une pente < 1.
Quand la tension de polarisation est trs grande devant la tension de bande plate, le
85

Intensit dlectroluminescence (CPS)

e e

1000
V=1.00V
3
100
1
10

1
0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

1.3

1.4

Energie de photon (eV)

(a)

Intensit (CPS)
e

V=1.00V
V=0.90V
100 V=0.85V
V=0.82V
V=0.80V
10 V=0.79V

0.1
0.73

0.74

0.75

0.76

0.77

0.78

0.79

0.8

Energie de photon (eV)

(b)
0.8
Maxima du Pic 1 (eV)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

1000

0.78

Mesure EB
Pente =1

0.76
0.74
0.72

0.7
0.7

0.72

0.74

0.76

0.78

0.8

Tension applique (V)

e

(c)
F IG . 2.17: Spectre dlectroluminescence dchantillon H6594 2K (a). Lvolution de
lnergie de pic de recombinaison croise pour plusieurs tension de polarisation (b) Le
dcalage de lnergie de pic de recombinaison croise vs. la tension de polarisation (c).
86

V = 0.8 Volt

Ec,Ev (meV)

Ec,Ev (meV)

V = 0.7 Volt
400
200 Ef(e)
BC
0
-200
-400
-600
-800
-1000
-1200
BV
-1400
-1000 -800

E3*
Ef(h)

-600

-400

-200

200

400

600

z (Angstroms)

400
200 Ef(e)
BC
0
-200
-400
-600
-800
-1000
-1200
BV
-1400
-1000 -800

E3* E3
Ef(h)

-600

-400

-200

200

400

600

z (Angstroms)

F IG . 2.18: Les structures de bande pour deux tensions de polarisation : (a) plus petite (Va <
), (b) plus grande (Va > ) que la tension de bande plate. Lnergie E3* correspond
la recombinaison croise entre les lectrons et les trous proches des niveaux de Fermi

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(Pente=1). Lnergie E3 correspond la recombinaison croise entre les lectrons du puits

de potentiel avec les trous dans la base.
niveau de Fermi ct metteur est plus haut que la bande de conduction cot base. Les
recombinaisons se produisent alors majoritairement entre les lectrons injects dans la base
et les trous dans la base. Lnergie de recombinaison correspond alors la largeur de bande
interdite dans la base. Nous navons pas pu atteindre cette situation car elle correspond
un courant trop important.
En conclusion, la courbe 2.17c permet de dterminer la tension de bandes plates =
0, 782V . En utilisant la largeur de bande interdite de GaAsSb (pic 2) de (0.83 0.01) eV
2K et en utilisant qVn =0.029 eV et qVp =0.072 eV, on trouve le dcalage de bande conduction Ec = (-0.15 0.01) eV.
2.4.3.1

Conclusion sur les mesures du dcalage de bande de conduction et du courant

de base

Comme rsum dans le tableau 2.4, le dcalage de bande de conduction des systmes
InGaAlAs/GaAsSb et InP/GaAsSb sont tous deux ngatifs. Ceci est en accord avec les
rsultats lectriques des TBH JUMBO des deux systmes que nous avons voqus dans la
section 2.4.2.
Nous avons mesur une valeur plus importante que celle rapporte par INSA Lyon.
Cette diffrence sexplique dune part par la diffrence de gap de GaAsSb que nous avons
87

mesur par rapport INSA Lyon (0.83 eV compar 0.81 eV [Bru04]) et aux approximations que nous avons utilises pour calculer le niveau de Fermi des trous (nous avons
utilis la masse effective des trous lourds dInGaAs). La diffrence de gap peut venir de
la diffrence de la concentration dantimoine entre notre chantillon (xSb = 0.44) et celui
de lINSA Lyon (xSb = 0.47). Nous estimons que lcart d leffet de la masse effective est faible. Dautre part, lchantillon de lquipe de lINSA Lyon tait constitu dune
couche de GaAsSb pitaxie sur InP (jonction GaAsSb/InP : plaquette H6372), loppos
de notre chantillon, o nous avons mesur la jonction InP pitaxie sur GaAsSb (jonction InP/GaAsSb plaquette H6594). Comme expliqu dans la section 2.4.1 cest particu-

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lirement dans cette interface InP/GaAsSb quil a t observ des puits InPSb linterface
[Bru04]. Cest trs probablement cause de lexistence de ce puits de potentiel linterface
que nous avons observ une valeur de Ec plus importante que [Bru04] [Pet99]. Notant que
notre valeur mesure est proche de celle rapporte par lquipe de Bolognesi (-180 meV)
[Hu98], galement mesure sur la jonction InP/GaAsSb. Ceci dmontre que des mesures
exprimentales supplmentaires sont ncessaires pour caractriser le dcalage de bande de
conduction dans ces systmes.

Ec InP/GaAsSb (meV)

Ec

InGaAl0.2 As/GaAsSb

Mthode de mesure

(meV)
-150 10
-90[Bru04], -110[Pet99]

EL
-110[Bru04]

PL type II

-180[Hu98]

PL
-110 20 [Sug86] [Kle91]

Transitivit

TAB . 2.4: Le dcalage de bande de conduction pour InP/GaAsSb et InGaAlAs/GaAsSb

pour concentration dAntimoine proche de 0.5.

Dans la section suivante nous montrerons les analyses des thories de transport pour le
TBH avec une base en GaAsSb.
88

2.4.4

Analyse des thories de transport dans le TBH avec une base en

GaAsSb.

Lhtrojonction de type II aux interfaces metteur-base et base-collecteur nous incite

reconsidrer la validit de la thorie employe pour dcrire le mode de transport dans
les TBH. Les thories analytiques du transport ont t tablies dans le cas dune homojonction (par exemple la thorie du transport diffusif, et leffet de Kirk dans la jonction
base-collecteur). Leur validit dans le cas dune htrojonction de type II est inconnue.
Cest pourquoi dans la prochaine sous-section, nous effectuerons les analyses des thories

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de transport partir de la caractrisation lectrique dun TBH avec une base en GaAsSb.

2.4.4.1

La dpendance du prfacteur de courant collecteur avec lpaisseur de base

La dpendance purement exponentielle de la partie intrinsque du courant collecteur

Jc avec la tension base-metteur VBE nous permet dcrire le prfacteur de la densit de
courant collecteur sous la forme Jc0 . Dans un mode de transport diffusif, Jc0 est li avec
lpaisseur de la base (Wb ) par la relation (voir le chapitre 1) :

qVbe
) 1]
nkT
qDn n2
i
Jc0 =
NA Ln sinh(Wb /Ln )
Jc = Jc0 [exp(

(2.4)
(2.5)

quation dans laquelle Dn et Ln sont respectivement le coefcient de diffusion et la longueur

de diffusion des lectrons dans la base, ni la concentration intrinsque dlectron dans la
base et NA le niveau de dopage de la base. En supposant que Ln

Wb (on vriera la

vracit de cette hypothse dans la prochaine section), la relation devient :

Jc0 =
Dans ces conditions (Ln

qDn n2
i
NAWb

(2.6)

Wb ) Jc0 est donc inversement proportionnel lpaisseur de

la base. Il a t montr que cette relation est en accord avec les donnes exprimentales
pour le cas de transistor homojonction (BJT) [Sze81].
89

Ic (Wb ) = 0.092
WB
Ic (Wb ) = WB0.131
+0.0350

Jc0 [fA. m2 ]

1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

0.14

0.16

Epaisseur de base [m]

F IG . 2.19: La dpendance du prfacteur de courant collecteur avec lpaisseur de base.

Lexpression de la forme Jc0 =

A
(Wb +dWb )

permet de corrler les rsultats exprimentaux.

Ceci montre que si on utilise le modle diffusif, le transport dans lhtrojunction de type

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II montre un prolongement de lpaisseur effective de la base.

Au cours des premires tudes sur lhtrojonction de type I, lexistence dun transport
balistique dlectrons dans la base navait pas t encore prouve exprimentalement. Cependant, les rsultats exprimentaux avaient montr une anomalie dans lvolution de Jc0
et du gain statique avec lpaisseur de la base [Lev92] [Hsi96]. Il fut prouv que ceci
est d lexistence dans la base dlectrons balistiques, dont la vitesse est beaucoup plus
importante que la vitesse de diffusion [Tei98] [Tei99].
An de vrier la validit de la relation entre Jc0 et lpaisseur de la base dans le cas
dhtrojonction de type II, nous avons dtermin Jc0 pour les TBH avec metteur en InP
issus de six pitaxies diffrentes rparties sur trois paisseurs de base. La partie intrinsque
de la densit de courant collecteur Jc est dduite de la mesure des caractristiques de Gummel de lensemble des transistors JUMBO. La valeur et lincertitude associe du prfacteur
Jc0 sont ensuite dtermines par une adquation de lexpression 2.5 la caractristique
intrinsque Jc (Vbe ) ainsi dtermine.
Le rsultat est trac dans la gure 2.19. Nous pouvons observer quune interpolation
de la forme Jc0 =
Jc0 =

A
(Wb +dWb )

A
Wb

ne convient pas. Par contre, lemploi dune expression de la forme

permet de dcrire les rsultats exprimentaux. Ce rsultat suggre que le

mode de transport dans lhtrojonction de type II nest pas un transport purement diffusif.
En effet, la longueur des zones o le mode de transport est diffusif (c.--d. lpaisseur
effective de la base) est prolonge. Notre interprtation est la suivante.
90

n(x)
Injection type II

dWb

ntypeII
p0
np0

ZCE EB

Diffusion (Shockley)

Jn = qDn dn
dx

ZQN dans la Base

ZCE BC

F IG . 2.20: Schma simpli de la concentration dlectrons en fonction de lpaisseur de

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la base dans le cas de lhtrojonction de type II.

La barrire de potentiel la jonction metteur-base agit comme un outil de slection

pour les lectrons injects dans la base. Seuls ceux qui possdent une nergie perpendiculaire au plan dhtrojonction suprieure la barrire de potentiel peuvent franchir lhtrojonction. Il en rsulte que la population des lectrons injects forme une population
hors dquilibre thermodynamique. Ainsi la concentration dlectrons au dbut de la base
(ntypeII ) est plus importante que la concentration dlectrons dans le cas dune homojoncp0
tion (n p0 ).
Dans la ZQN de la base le transport lectronique est de nature diffusive. La densit de
courant porte par les lectrons minoritaires scrit :
J(x) = qDn

dn(x)
dx

(2.7)

A ltat stationnaire la densit de courant est constante dans tout le dispositif. Dans le
cas des bases courtes o les courants de recombinaison sont ngligeables, la concentration
dlectrons minoritaires varie donc linairement dans la base (g. 2.20). Prs de lhtrojonction metteur-base de type II, les lectrons injects dans la base forment une population
hors dquilibre thermodynamique qui prsente un coefcient de diffusion infrieur celui
observ dans la population relaxe. La conservation de la densit de courant dans tout le
dispositif impose alors un excs de porteur minoritaires dans cette rgion (trac bleu g.
2.20).
91

Lutilisation dans le cas des htrojonctions metteur-base de type II dun modle diffusif se traduit par un allongement apparent de lpaisseur de base pour pouvoir tablir le
gradient de concentration dlectrons minoritaires (impos par le courant) entre les concentrations dlectrons minoritaires xes la jonction metteur-base (injection depuis lmetteur) et la jonction base-collecteur (condition de collection). Lallongement apparent de la
base (dWb ) est illustr g. 2.20 par lintersection du prol linaire dlectrons minoritaires
avec la concentration dlectron minoritaires impose en dbut de base (n p0 ) par la jonction
metteur-base.
Cette illustration est trs simplie et doit tre afne. Lemploi de la technique de

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simulation Monte Carlo permet de sortir de lapproximation diffusive et dinclure leffet

de la barrire de potentiel dans la vitesse des lectrons injects. Elle est donc trs adapte
pour dcrire le transport dans lhtrojonction de type II. Ce thme de recherche est tudi
dans le groupe par L. Bernardi. Les rsultats ne sont cependant pas encore disponibles.

2.4.4.2

Mesure de la longueur diffusion des lectrons Ln dans la base.

Dans cette section nous dtaillerons lextraction de la longueur de diffusion des lectrons dans la base partir des caractristiques lectriques des transistors issus de la plaquette H6548 (metteur en InGaAlAs). La longueur de diffusion des porteurs minoritaires
est un paramtre important car, relie la dure de vie des porteurs minoritaires (n ) par

Ln = Dn n (avec Dn = n kT ), elle dtermine le gain en courant du transistor :

q
=

n
b (Wb )

(2.8)

qui scrit comme le rapport de la dure de vie des porteurs minoritaires (n ) au temps de
transit dans la base b . La dpendance de b avec Wb est gouverne par le type de transport
dans la base (Cf. Chapitre I). Dans le cas du transport diffusif, b =
=

2
2Ln
2
Wb

2
Wb
2Dn .

Il en rsulte :
(2.9)

Le gain ne dpend alors que de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires et

de lpaisseur de la base. Cest donc un facteur intrinsque la structure. Une faon de
92

Gain@Vbe=0.4V

40
35
30
25
20

Gain calcul
e
10x80
10x40
10x20
10x105x40
5x20
5x10

15

5x5

10
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

1.1

Rapport P/S dispositif(m )

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F IG . 2.21: Le gain statique des TBH H6548 en fonction de rapport primtre sur surface
de la jonction metteur-base. Le gain calcul en utilisant lquation 2.19 [Nak85], permet
de dduire la longueur de diffusion des lectrons dans la base (Ln ).

mesurer Ln est donc de comparer la partie intrinsque du gain en courant (i.e. associe
la recombinaison dans le volume de la base) issue de TBH ayant des paisseurs de base
diffrentes. Cette mthode a t employe par Ritter et al [Rit91] Bell Labs sur le systme InP/InGaAs. Ils ont rapport une valeur Ln =300 nm pour une base en InGaAs dope
Beryllium 7 1019 cm3 . La dure de vie des lectrons a t value 17 ps.
Dans cette tude, nous avons utilis une autre mthode pour dterminer la longueur de
diffusion des lectrons dans la base. Elle est base sur la dpendance du gain la gomtrie
du transistor [Nak85]. Ceci est illustr dans la gure 2.21, o nous avons trac le gain en
courant mesur VBE =0.4 V sur la plaquette H6548 pour les huit gomtries diffrentes
de la jonction metteur base en fonction du rapport primtre/surface de cette jonction. On
observe que le gain diminue quand le rapport primtre/surface augmente.
Cette dpendance du gain avec le primtre est due aux effets parasites (localiss
la priphrie du TBH). La modlisation doit donc tenir compte des parties intrinsque et
extrinsque du courant base. En supposant la jonction base-collecteur non polarise (Vbc =
0) et le courant de trous injects dans lmetteur ngligeable, les courants intrinsques du
TBH scrivent daprs le modle de Shockley :
93

Emetteur

P
Ib

int
Ie = Ie

SRH
Ib
int
Ib

Base

int
SRH
P
Ie = Ie Ie
Ie

int
Ic = Ic

Vbc

Collecteur

F IG . 2.22: Composantes intrinsque et parasite des courants prsents dans la jonction

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metteur-base tudies.

qVbe
W
)[exp(
) 1]
Ln
kT
1
qVbe
= SJ0
[exp(
) 1]
W
kT
sinh( L )

int
Ie = SJ0 cot(

(2.10)

int
Ic

(2.11)

int
int
int
Ib = Ie Ic

1
qVbe
W
)[exp(
) 1]
= SJ0 (cot( )
W
Ln
kT
sinh( L )

(2.12)

qDn n2
i
J0 =
Ln NA

(2.13)

Les courants parasites sont de deux types :

1. Courant de recombinaison dans la ZCE metteur base (recombinaison sur des centres
dans la bande interdite dcrits dans le modle SRH, Cf. Section 1.3.3) Ce courant est
proportionnel la surface S de la jonction metteur base et prsente une idalit (n)
gale 2.
2. Courant extrinsque inject dans la base la priphrie de la jonction metteur-base.
Il est proportionnel au primtre P de la jonction et son idalit (n) gale 1.
Le bilan des courants scrit alors (gure 2.2) :
SRH
P
int
Ie = Ie + Ie + Ie

(2.14)

int
Ic = Ic

(2.15)

int
SRH
P
Ib = Ib + Ib + Ib

(2.16)

94

0.1
Ib priphrie
e
e
Ib surface
Courants de collecteur (A)

0.001
Courants de base (A)

90
Ic priphrie
e
e
Ic surface
Gain

0.01

0.0001

1e-05

1e-06

80

0.001

70

0.0001
60
1e-05
50

1e-06

40

1e-07
1e-07
0.45

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

1e-08
0.45

0.75

Gain

0.01

0.5

Tension metteur-base (V)

e

0.55

0.6

0.65

0.7

30
0.75

Tension metteur-base (V)

e

F IG . 2.23: Parties intrinsques ( surface) et extrinsques ( priphrie) des courants de

base (a) et de collecteur de TBH H6548. On trace le cas du dispositif 10x80. On observe
une augmentation brusque de la partie extrinsque du courant collecteur avant la chute de

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gain statique (Cf. Section Effet Kirk 2.4.4.3).

Avec :
SRH
SRH
Ib = Ie = SJ SRH [exp(
P
P
Ib = Ie = PJ P [exp(

En supposant que Vbe

kT alors exp( qVbe )

kT

qVbe
) 1]
kT

(2.17)

qVbe
) 1]
kT

1, le gain en courant =

(2.18)
Ic
Ib

scrit alors :

qVbe
1
Wb [exp( kT )]
sinh( Ln )
qVbe
1
SRH [exp( qVbe )] + PJ P [exp( qVbe )]
W )[exp( kT )] + SJ
2kB T
kT
sinh( b )

SJ0

b
SJ0 (coth( Wn )
L

Ln

(2.19)

1
b
J P sinh( Wn ) P
J SRH
Wb
Wb
qVbe
L
cosh( ) 1 +
sinh( ) exp (
)+

Ln
J0
Ln
2kB T
J0
S

On trouve alors la dpendance du gain avec la gomtrie du transistor. Dans le dnominateur de lquation 2.19, le premier terme est le gain intrinsque des dispositifs, le deuxime
terme est la partie qui dpend du courant gnration-recombination et le troisime terme est
la partie qui dpend de la gomtrie du transistor. De ladquation de lexpression 2.19 avec
b
les valeurs de gain en courant mesures sur H6548, nous pouvons dterminer Wn . Lanalyse
L

des rsultats exprimentaux se fait en deux tapes.

95

1. Chaque point de polarisation (Vbe ) de la caractristique de Gummel est exploit de

faon extraire pour le courant collecteur et le courant de base les composantes de
surface et de primtre (Fig.2.23)
S
P
Ic (Vbe ) = SJc (Vbe ) + PJc (Vbe )

(2.20)

P
S
Ic (Vbe ) = SJb (Vbe ) + PJb (Vbe )

(2.21)

2. Connaissant la densit de courant de la composante de priphrie (J P ) ladquation

de la variation du gain avec le rapport

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rapport

P
S

lexpression 2.19 permet de dterminer le

Wb
Ln

Le rsultat de ladquation est montr dans la gure 2.21. On trouve

Wb
Ln

= 0.145 0.005.

En utilisant lpaisseur de base pitaxie Wb = 50 nm on obtient Ln = (344 13) nm. Par

contre si on considre que la longueur de base utilise dans ce modle est la longueur de
0
base effective (Wb = Wb + 35 nm) dtermine prcdemment (Section 2.4.4.1) on obtient

Ln = (584 22) nm.

Nos valeurs de la longueur de diffusion sont comparables la valeur rapporte pour la
base en InGaAs [Rit91]. De la valeur de Ln mesure et en utilisant la mobilit des lectrons
minoritaires n nous pouvons dterminer la dure de vie n . Toutefois, la valeur de mobilit
des lectrons minoritaires dans p+ GaAsSb nest pas disponible dans la littrature.
Il a t montr par ltude thorique de Lowney [Low91] sur la mobilit des porteurs
majoritaires et minoritaires dans GaAs dop que la mobilit des porteurs minoritaires dans
un matriau fortement dop augmente. Cette augmentation est due la rduction des plasmons et des collisions entre les porteurs majoritaires et minoritaires. Ceci a t exprimentalement dmontr par [Har93a] [Har93b] [Kim93] sur p+ InGaAs et GaAs. Dans
[Har93b], il a t rapport les valeurs de mobilit dlectrons dans p+ InGaAs entre 2900
3300 cm2 V1 s1 pour un niveau de dopage de 0.9 3.1 1019 cm3 . Ces valeurs de
mobilit sont plus importantes que celle rapporte pour les lectrons dans n+ InGaAs de
mme niveau de dopage (autour 1200 cm2 /V1 s1 )[Lan87].
Si on utilise la valeur de mobilit des lectrons dans GaAsSb reporte par Dermott de
750 cm2 V1 s1 pour n+ GaAsSb dop Te qq 1019 cm3 [Der96] la dure de vie dans la
base serait de 60 ps (pour Ln = 344 nm) et de 175 ps (pour Ln =584 nm). Prenant le mme
96

rapport

n
n
n

2.5 que pour InGaAs, nous estimons que la dure de vie des lectrons dans

GaAsSb dop 3.6 1019 cm3 est de 25 70 ps. Certes, cette estimation doit tre compare
aux valeurs exprimentales mais elle semble plus leve que celles rapportes pour la base
en InGaAs pour un niveau de dopage similaire : 17 ps pour NA = 7 1019 cm3 [Rit91] et
16.8 ps pour NA = 2.4 1019 cm3 [Cui02].
2.4.4.3

Effet Kirk dans lhtrojonction de type II.

Leffet Kirk sobserve dans tous les transistors bipolaires par une forte dcroissance
des gains en courant statique ( ) et dynamique (hFE ). Au-del dun seuil de densit de

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

courant collecteur, introduisant ainsi une borne maximale la densit de courant collecteur,
cet effet impose une borne minimale la rsistance dynamique dmetteur. Leffet Kirk
apparat donc comme une limitation majeure lobtention de frquences leves. Dans ce
paragraphe nous tablirons les bases physiques de cet effet, en particulier dans le cas de
lhtrojonction de type II, et nous prsenterons une caractrisation de leffet dans les TBH
de notre tude.
Dans le cas dune homo-jonction, il a t dmontr que leffet se manifeste lorsque la
densit du courant collecteur dpasse la valeur critique [Whi69] :
Jck = qvs ND +

2VCB r 0
qW 2

(2.22)

Ici, vs est la vitesse de saturation des lectrons dans le collecteur, ND le niveau de dopage
dans le collecteur, VCB la chute de potentiel dans la jonction base-collecteur et W lpaisseur
de la zone de charge despace de la jonction base-collecteur ct collecteur. Un bref rappel
de la dtermination de ce seuil est prsent dans ce qui suit.
Considrons la jonction base-collecteur de notre transistor n+ p++ n. En tout point de x,
la densit de charges scrit :
= q ND (x) NA (x) + p(x) n(x) q ND NA

(2.23)

Aux faibles densits de courant collecteur (Jc ), les densits de trous (p(x)) et dlectrons
(n(x)) sont, dans la zone de charge despace base-collecteur, ngligeables devant celles dues
97

aux accepteurs (NA (x)) et aux donneurs (ND (x)). La densit de charges est donc approxime
par
= q ND (x) NA (x)

(2.24)

Dautre part la densit du courant collecteur scrit en tout point :

JC = qv(x)n(x)

(2.25)

O v(x) est la vitesse moyenne des lectrons. Dans la jonction base-collecteur, le champ
lectrique tant intense, le transport lectronique est domin par la composante de drive.

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La vitesse moyenne est alors xe par le champ lectrique. Dans ces conditions laugmentation du courant collecteur se traduit par une augmentation de la densit dlectrons dans
la jonction. Il existe donc une densit de courant collecteur au-del de laquelle la densit
dlectrons dans la zone de charge despace base-collecteur nest plus ngligeable devant
celle des donneurs ND (x). Dans la partie collecteur de la ZCE lquation 2.23 est approxime par
= q ND n(x)

(2.26)

En utilisant lquation 2.24 il est possible dcrire lquation de Poisson sous la forme :
q
dE
JC
=
ND
dx
r 0
qv(x)

(2.27)

Lintgration de cette quation, avec la condition limite E = E(0) linterface base

collecteur (x = 0) est assez complique sauf si on suppose que v(x) est constante. Pour un
champ lectrique intense (E

105 V/cm), la vitesse de drive des lectrons est proche de

leur vitesse de saturation(v(x) vs = 107 cm/s). On trouve ainsi :

E(x) = E(0) +

q
JC
ND
x
r 0
qvs

(2.28)

Ici E(0) = 2VCB est le champ lectrique x = 0, et VCB et W sont respectivement la

W
chute de potentiel totale dans la jonction base collecteur (VCB = Vbi +VCB,App ) et lpaisseur
du collecteur. On voit dans lquation 2.28 que la distribution du champ dans la zone de
charge despace est linaire. Le champ est maximum la jonction base collecteur (x = 0)
98

Champ Electrique (V/cm)

10000
0
-10000

-20000
-30000

Jc = 0.0
Jc = qvs ND
Jc = Jck

-40000

-50000
-60000
0

5e-06

1e-05

1.5e-05

2e-05

xC (cm)

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F IG . 2.24: Prol du champ lectrique dans la ZCE cot collecteur calculs pour VCB,App = 0
pour 3 valeurs diffrentes JC

et le gradient dpend maintenant de la valeur de la densit du courant collecteur. La gure

2.24 montre les prols du champ lectrique calculs avec les donnes exprimentales de
H6548 pour VCB,App = 0 pour trois valeurs diffrentes de JC . La courbe a montre le prol du
champ quand JC = 0. On constate que le champ est maximum la jonction base collecteur
x = 0 (E(0) = 2VCB ). La valeur ngative du champ lectrique correspond une force
W
acclratrice pour les lectrons dont la vitesse est en direction de +x (ux majoritaire).
Quand JC qvs ND (courbe b), la densit de charge dans la ZCE est nulle (lquation
2.26), et le champ lectrique devient uniforme. En augmentant davantage JC , la densit
dlectrons (n(x)) dans la ZCE augmente. Daprs lquation 2.28, le champ lectrique est
alors dcroissant et prsente un maximum en x = W . Ceci diminue le champ lectrique
x = 0, jusqu ce que celui-ci devienne nul (courbe c).
Pour des densits de courant encore suprieures le champ lectrique en sortie de base
deviendrait positif. La jonction base-collecteur ne serait plus un bon collecteur. Cette situation (courbe c) correspond donc au cas limite, cest--dire la densit de courant collecteur
maximale possible dans cette structure. On remarque que cette limite a t obtenue dans
une approximation unidimensionnelle.
En prenant les conditions aux limites E(0) = 0, E(W ) =
courant Kirk Jck donne lquation 2.22.
99

2VCB
W ,

on obtient la densit du

Que se passe-t-il aprs ? Pourquoi voit-on une chute du gain et de la frquence de coupure ?
Lexplication de Kirk pour le cas dune homojonction est la suivante [Kir62].
Lorsque la densit de courant est plus grande que Jck , lintgration numrique de lquation de Poisson dans la jonction base collecteur, donne la solution o le champ lectrique
est nul dans une partie du collecteur. Kirk interprte ce rsultat par un dplacement vers
le collecteur du prol de la concentration de trous (abaissement de la barrire de potentiel
vu par les trous) qui neutralisent localement les charges dues aux lectrons transportant
le courant collecteur. Une augmentation de la densit de courant collecteur entrane une

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

augmentation du nombre dlectrons et de trous dans le collecteur.

Nayant plus lacclration ncessaire pour traverser cette zone par drive, les lectrons
continuent de diffuser. Cela se passe comme si la base tait allonge, do la dnomination de cette partie de ZCE du collecteur comme "base induite par le courant". Comme la
vitesse de diffusion est beaucoup plus petite que la vitesse de saturation, on observe une
augmentation du temps de transit dans la base effective qui se traduit par une augmentation du courant de base. Dautre part, le champ lectrique tant faible en sortie de base les
conditions de collection ne sont plus idales. Le gradient de concentration des lectrons
dans la base est rduit ce qui se traduit par une rduction du courant collecteur. Notons que
cet effet nexiste pas quand lhtrojonction metteur-base est de type I.
Plus tard, Cottrell et Yu ont tendu lanalyse ralise par Kirk au cas dune htrojonction dans laquelle le dcalage de bande de valence (Ev ) rduit le transfert de trous dans
le collecteur [Cot90]. Ils ont tudi le systme Si/SiGe o le dcalage de bande de valence
est valu entre 0.05 et 0.20 eV, et celui de la bande de conduction peut tre nglig. Ainsi,
comme il ny a pas de trous pour compenser les accumulations dlectrons dans le collecteur lorsque la densit de courant sapproche de la densit critique, une barrire de potentiel
se cre. Cette barrire de potentiel situ en sortie de base (Ec = 0) soppose au courant
dlectrons. On observe ainsi une saturation du courant collecteur et une augmentation du
courant base. Cottrell a propos galement une formalisation de la barrire de potentiel
ainsi cre. On note galement ltude de Mazhari [Maz91] et celle de Yee [Yee05] sur la
formalisation de cette barrire de potentiel.
Une autre explication tout fait diffrente du mcanisme de chute de gain et de la
100

frquence de coupure est donne par van der Ziel [Zie66]. Celle-ci est base sur lhypothse
que la densit de courant collecteur ne peut excder Jck , et que les trous ne peuvent pas tre
stocks dans le collecteur. Il propose un schma dinjection latrale des lectrons (transport
2D) lorsque la densit de courant collecteur excde Jck . La surface de collection (A) est alors
agrandie proportionnellement la densit de courant collecteur.
A = AE

Ic
Ick

(2.29)

o AE est la surface de la jonction metteur base. Cet agrandissement de la surface de

collection a pour consquence la diminution de la densit du courant collecteur et laug-

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mentation du courant base. La consquence est une rduction du gain et de la frquence de

coupure.
Comme les deux modles proposs sont bass sur des approximations, on peut penser
que la situation relle est une combinaison des deux cas prsents.
Dans les TBH de type II comme ceux tudis ici, les mcanismes dallongement de la
base ne peuvent pas tre appliqus pour expliquer la chute de gain en courant. En effet, le
grand dcalage de bande de valence entre InP/GaAsSb la jonction de base collecteur (Ev
=0.7eV) supprime toute injection de trous dans le collecteur.
Or, il a t observ une rduction du gain en courant semblable celui d leffet Kirk
pour des densits de courant leves dans la caractristique lectrique de transistors issus de
la plaquette H6548. Ceci est illustr dans la gure 2.25 o est reprsent le gain en courant
en fonction de la densit de courant collecteur pour diffrentes tensions de polarisation base
collecteur VBC . Nous avons observ un dcalage de la densit de courant critique vers les
densits plus leves lorsque VBC augmente : ce constat est cohrent avec lquation 2.22.
Nous avons cependant observ que la densit de courant critique dpend de la taille
du dispositif. Ceci est illustr dans la gure 2.26 o nous montrons une caractristique
de Gummel pour deux dispositifs ayant une surface metteur de 1080 et de 55 m2
(Figure 2.26a). Dans les deux cas on observe une saturation du courant collecteur et une
augmentation du courant base forte densit de courant. Ce qui entrane une chute du
gain en courant (Figure 2.26b) au-del dune densit de courant seuil qui est beaucoup
plus importante pour le petit dispositif (32 kA/cm2 ) que pour le plus grand (1 kA/cm2 ). Ce
101

45
Vbc=0V
Vbc=0.8V
Vbc=1.6V
Vbc=2.4V
Vbc=3V

40
35

Gain

30
25
20
15
10
5
0.001

0.01

0.1

Courant collecteur (A)

F IG . 2.25: Le gain en courant en fonction de la densit de courant collecteur pour diffrentes tensions de polarisation base collecteur Vbc .

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constat est en contradiction avec lquation 2.22 dans laquelle la densit de courant critique
(dbut de leffet Kirk) est intrinsque lhtrojonction base-collecteur et ne dpend pas
de la gomtrie du transistor.
Ce phnomne peut tre expliqu si la chute de potentiel VCB dans la partie intrinsque
de la jonction base-collecteur tient compte de la chute de potentiel dans la rsistance daccs cette jonction :
VCB = Vbi VCB,App RC IC = Vbi VCB,App RC JC S

(2.30)

Introduisant lquation 2.30 dans 2.22 il vient :

Jck =

qvs NDW 2 + 2vs 0 r (Vbi VCB,App )

W 2 + 20 r vs RC S

(2.31)

Ladquation de lexpression 2.31 aux valeurs exprimentales issues de H6548 a t faite

en ne gardant quun seul paramtre ajustable : RC , la rsistance daccs au collecteur. Les
autres paramtres utiliss dans lquation 2.31 sont issus de la littrature et regroups dans
le tableau 2.5. Les points exprimentaux sont issus de la statistique (valeur moyenne et
cart type) portant sur lensemble des transistors de lchantillon, de la densit de courant
correspondant au maximum du gain en courant.

102

70

Jc1080
Jb1080
Jc55
Jb55

10000
1000
100
10
1
0.1
0.45

1080
55

60
Gain statique

Densit des courants (A/cm2 )

e

100000

50
40
30
20
10
0

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

0.75

Tension metteur base (V)

e

10

100

1000

10000

100000

Densit du courant collecteur (A/cm2 )

e

(a)

(b)

F IG . 2.26: Caractristiques de Gummel moyennes pour deux gomtries (1080 et 55

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m2 ) de TBH issus de lpitaxie H6548 (a). On observe un effet Kirk (saturation du courant
de collecteur et excs du courant de base) plus ou moins marqu et plus ou moins forte
tension metteur-base suivant la gomtrie du dispositif. Le gain en courant prsente un
maximum la densit de courant Kirk (b), qui en dsaccord avec lquation 2.22 varie
avec la gomtrie du TBH.

Paramtres

Valeur utilise

vs

1.6 107 cm/s

InP
r

9.6

ND

1 1016 cm3

0.3 m

Vbi

0.56 V

VCB,App

0V

TAB . 2.5: Paramtres utiliss dans ladquation de lquation 2.31 aux donnes exprimentales issues de H6548.
Le rsultat est trac dans la gure 2.27 pour les deux sries de transistors prsents sur
lchantillon. Les rsistances sries RC ainsi dtermines (107 et 273 ) sont dans le mme
rapport que les distances sparant le contact collecteur de la zone active du transistor.
Lexcellence des ts tracs gure 2.27 conrme la prsence dun effet Kirk dans les
TBH de la plaquette H6548. En supposant la rsistance srie du collecteur nulle (RC = 0)
on trouve par extrapolation la densit de courant seuil intrinsque cette pitaxie JKirk
103

40

5x5

30
Jkirk (kA/cm2 )

JkirkI (S)
R= 116 8
JkirkII (S)
R= 303 8

5x10

20

10x10
10
5x20

10x20
5x40

10x40

0
0

1e-06

2e-06

3e-06

10x80

4e-06

5e-06

6e-06

7e-06

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Surface de dispo (cm )

F IG . 2.27: Variation du courant Kirk avec la surface du dispositif : Deux domaines correspondant aux positions du msa dmetteur du dispositif par rapport au contact collecteur
45.6 kA/cm2 pour VBC = 0.
En utilisant la variation du seuil du courant Kirk avec la tension base-collecteur (Cf.
Section 4.3.1), nous pouvons galement dterminer la vitesse de saturation des lectrons :
vs = 1.9 107 cm/s (Fig. 2.28). On constate le bon accord entre cette valeur et celle rapporte dans tableau 2.5
Nous nous intressons maintenant au mcanisme de leffet Kirk observ.
De lanalyse des parties intrinsque et extrinsque des courants, nous avons observ
une diminution brusque de la partie intrinsque ( surface) avant la chute de gain statique
(qui marque le dbut de leffet Kirk). Cette partie intrinsque devient mme ngative, pour
des tensions dmetteur-base (Vbe >0.63V). En mme temps la partie extrinsque du courant
collecteur ( priphrie) augmente brusquement et devient dominante.
Evidemment une partie intrinsque ngative du courant collecteur na pas de sens. Pourquoi observe-t-on ce phnomne ?
Pour sparer la partie intrinsque et extrinsque du courant nous avons utilis lexpression suivante :
I = JS S + JP P
104

(2.32)

0.7
H6548.2

JKirk (mA.m2 )

0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
-0.5

5x10
v = 1.92e7 cm/s, Vbi = 0.56 V
0

0.5

1.5

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Vbc interne (V)

F IG . 2.28: Dtermination de la vitesse de saturation des lectrons dans le collecteur par la

variation de Jkirk avec Vbc . On retrouve la mme vitesse de saturation des lectrons vs =
1.9 107 cm/s
o S et P sont respectivement la surface et le primtre de la jonction metteur base. Divisons les deux cts par la surface, lquation devient :
P
I
= JS + JP
S
S

(2.33)

Connaissant la valeur de courant mesur (I) pour une tension VBE donne ainsi que les
gomtries de dispositifs (nous disposons de huit gomtries dont la surface varie entre
55 m2 et 1080 m2 ), les parties intrinsque et extrinsque du courant (JS ) et (JP ) sont
dtermines par rgression linaire en fonction de P . Ceci est illustr dans la gure 2.29,
S
o nous montrons la dtermination de JS et JP pour Vbe = 0.58 V (avant leffet Kirk) et
pour Vbe = 0.63 V (aprs leffet Kirk) en utilisant quatre gomtries possdant la mme
rsistance srie de collecteur.
On observe que pour Vbe = 0.58V (avant leffet Kirk), la partie intrinsque de courant
(JS = lordonne lorigine) domine, tandis que la partie extrinsque (JP = la pente) est
faible. La situation est inverse pour Vbe = 0.63 V (aprs leffet Kirk). La pente de rgression linaire augmente, et lordonne lorigine diminue jusqu une valeur lgrement
105

6e-05
Mesure Vbe=0.58V
Mesure Vbe=0.63V

5e-05

I/S (A cm2 )

4e-05
3e-05
2e-05
1e-05
0
-1e-05
0

2000

4000

6000

8000

10000

Rapport P/S (cm1 )

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F IG . 2.29: Dtermination de partie intrinsque et extrinsque du courant collecteur

Vbe=0.58 V et Vbe=0.63 V. On trouve une valeur lgrement ngative de (JS ) pour
Vbe=0.63 V.
ngative.
Comme une valeur ngative de la densit de courant na pas de sens, on peut penser
que :
1. Soit les gomtries de transistor ne sont pas conserves. En effet, une faon de rf it

f it

duire JP et daugmenter JS est de dcaler les points de mesure vers la gauche,

cest dire de diminuer le rapport

P
S

des dispositifs. Comme la variation de surface

est beaucoup plus rapide que la variation de priphrie, la rduction de

P
S

ncessite

une largissement de S, cest dire un largissement de la surface dinjection dans

le collecteur. Ce schma est donc en accord avec le mcanisme dinjection latrale
(transport 2D) lorsque la densit de courant dpasse la densit de courant Kirk.
2. Soit la densit de courant pour une VBE donne nest plus identique dune gomtrie
de dispositif lautre cause dautres effets comme la rsistance srie dans le circuit
metteur base. Cette hypothse ncessite toutefois de modliser en mme temps leffet Kirk et la rsistance srie pour toutes les gomtries, en supposant quil ny a pas
dinjection latrale de courant.
On peut penser que la situation relle est une combinaison des deux cas prsents. La
zone de charge despace cre par laccumulation des lectrons dans le collecteur pour des
106

densits de courant approchant Jck gnre une barrire de potentiel. Cette barrire de potentiel est plus grande dans la zone active du dispositif (zone sous la surface de lmetteur).
Elle est infrieure dans les parties extrinsques de la jonction de base-collecteur, parce que
la densit de courant y est infrieure. Cette barrire de potentiel infrieure dans la partie
extrinsque favorise linjection de courant. Ainsi, mme pour des courants infrieurs au
courant critique, une injection latrale doit exister [Whi69]. Nos rsultats ont montr que
linjection latrale pourrait tre le mcanisme prpondrant dans leffet Kirk pour lhtrojonction de type II.

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2.4.5

Amliorations structurales pour les TBH de deuxime gnration

Les premires performances dynamiques du transistor InP/GaAsSb/InP ont t mesures par Opto+ en janvier 2002 sur le transistor ralis partir de la plaquette H6378.
Un gain en courant maximum de 65 a t mesur pour des dispositifs ayant une surface
metteur de 1.5x6 m2 .
Une frquence de coupure fT =100 GHz et une frquence doscillation fMAX =140 GHz
ont t mesures pour une densit de courant gale 109kA/cm2 .
Dautre part, les performances dynamiques dun transistor avec metteur en InGaAlAs
ont t mesures Universit de Michigan [Zhu03]. Pour des dispositifs ayant une surface
metteur de 1x20 m2 , une frquence de coupure de 57 GHz et une frquence maximale
doscillation de 66 GHz ont t rapportes.
Lensemble de ces rsultats sont comparables ceux rapports par lquipe de Bolognesi pour les transistors en InP/GaAsSb de premire gnration. En cohrence avec les
rsultats de Bolognesi, il a t galement observ une rduction du gain en courant pour
des densits de courant suprieures 109kA/cm2 . Cette rduction est similaire celle occasionne par lapparition dun effet Kirk.
A partir de ces premiers rsultats, des propositions damlioration pour les TBH de
2me gnration ont t proposes.
Tout dabord, nous avons rduit lpaisseur de la base jusqu 25 nm tout en y augmentant le dopage an de maintenir constante la rsistance carre de la base (vise 800
107

/ ).
Ensuite, nous avons exploit une base contrainte (en rduisant la concentration en Antimoine en dessous de 0.5), puisque la mise en contrainte de la base permet daugmenter le
gain statique.
Un autre axe damlioration est de diminuer lpaisseur du collecteur et dy augmenter
le dopage an de repousser le seuil de la densit de courant critique Jck . En effet, les frquences de coupure et doscillation maximale sont obtenues pour des densits de courant
leves.
An de rduire la rsistance de collecteur, nous avons augment lpaisseur de couche

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de contact collecteur constitue de couches en InP et en InGaAs fortement dopes.

Enn, nous avons choisi pour lmetteur le matriau InGaAlAs an daugmenter le
gain statique en travaillant sur les performances de la jonction metteur base. InGaAlAs assure une meilleure qualit de linterface metteur base grce une meilleure compatibilit
avec lantimoine. Elle permet galement de modier la condition dinjection dlectrons en
modiant la concentration daluminium dans InGaAlAs. Ainsi, il est possible davoir un
dcalage de bande de conduction positif qui permet dinjecter les lectrons balistiques dans
la base, donc de rduire le temps de transit dans la base.
Cette dcision a ncessit toutefois le dveloppement dune nouvelle solution chimique
pour la gravure slective, ncessaire pour la ralisation de TBH rapides, entre InGaAlAs et
GaAsSb. En effet, les solutions chimiques utilises pour graver les couches darsniures (
base de H3 PO4 :H2 O2 :H2 O) ne permettent pas de diffrencier sufsamment les attaques de
InGaAlAs et de GaAsSb.
Une alternative lemploi dune solution chimique slective est demployer une couche
dite de etch stop (une couche semi-conductrice qui nest pas grave par la solution chimique utilise). Cest le cas de InP qui nest pas soluble dans les solutions base de
H3 PO4 :H2 O2 :H2 O. Toutefois, comme nous avons vu plus haut, lutilisation de couche de
etch stop en InP rduit lintrt de lemploi de InGaAlAs.
La situation conomique de Picogiga na pas permis la ralisation de structures TBH
entre juin 2002 et juillet 2004. De nouvelles structures ont t disponibles partir de janvier
2005. Les rsultats de loptimisation ralise sur deux plaquettes sont prsents dans le
chapitre 4.
108

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115

Chapitre 3

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Vers les TBH ultra-rapides

Nous avons vu dans le chapitre I que laccroissement de la frquence de transition ( fT )
du TBH passe par la rduction du temps de transit ec entre lmetteur et le collecteur.
A mesure que les performances frquentielles des transistors samliorent, laugmentation des frquences de fonctionnement apparat comme tant de plus en plus difcile
obtenir, bien que la rduction ncessaire du temps de transit ec soit de plus en plus faible.
En effet une rduction de 200 fs du temps de transit correspond une augmentation de
130 GHz 160 GHz galement de 220 GHz 300 GHz ainsi que de 300 GHz 500 GHz.
Ce paradoxe nest pas quapparent. Certes les transistors fonctionnant dj 300 GHz
sont difciles amliorer car ils sont le rsultat dune optimisation minutieuse. Mais les
rductions de ec deviennent si faibles que des effets physiques jusquici du second ordre
tels que le transport lectronique non stationnaire, la gomtrie des zones extrinsques
deviennent comme nous le verrons laxe principal dvolution.
Rappelons que lexpression de ec est donne par :
ec = tb + tc + e + c

avec

e + c = re (C je +Cbc ) + (Re + Rc )Cbc

(3.1)
(3.2)

Le temps de transit se dcompose en termes qui sont intrinsques lhtrojonction (tb +tc )
et en termes qui dpendent de la gomtrie du transistor (temps de charge des jonctions
metteur-base et base-collecteur e + c ).
116

18%
43%
39%

tb
tc

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F IG . 3.1: Rpartition du temps de transit ec denviron 0.57 ps du TBH InP/InGaAs avec

paisseur de base 40 nm et paisseur de collecteur de 180nm, ralis avec procd C-up
pendant la thse de S. Demichel [Dem01]. Ici = e + c < 20 % du temps de transit.

La contribution des diffrents termes au temps de transit total ec dun TBH InP/InGaAs
ltat de lart en 2001 est donne dans la gure 3.1. Ce temps transit a t mesur
0.57 ps sur un TBH ayant une paisseur de base de 40 nm et une paisseur de collecteur de
180 nm, ralis avec un procd collecteur en haut (C-up) pendant la thse de S. Demichel
[Dem01]. Ce transistor, qui possde une surface metteur-base de 3.3 m2 et une surface
base-collecteur de 11.9 m2 , a montr les frquences fT =250 GHz et fMAX =275 GHz. On
observe que les temps de charge de la jonction metteur-base et base-collecteur ( = e +c )
reprsentent moins de 20 % du temps transit total.
La recherche de laccroissement des performances des transistors se droule durant les
deux phases principales de la construction du transistor.
Tout dabord, durant la phase de conception ; nous y dnissons lempilement des
couches pitaxies visant rduire les termes intrinsques (tb + tc ) du temps de transit
total (ec ). Nous avons vu dans la section 2.5 les diffrentes voies damlioration pour les
transistors ayant une base en GaAsSb.
Ensuite, durant la phase de ralisation ; nous y proposons des pistes damlioration des
termes qui dpendent de la gomtrie du transistor (e et c ). Lobjectif est de rduire lensemble des rsistances et capacits parasites tout en assurant un accs peu rsistif aux trois
117

terminaux (Emetteur, Base, Collecteur). Nous regarderons dans ce chapitre les dveloppements technologiques permettant de raliser un dispositif ultrarapide avec une structure
pitaxie metteur en haut (E-up).
La recherche de laccroissement des performances des transistors nest pas un problme parfaitement diagonalisable. Linterdpendance entre les deux phases principales de
la construction du transistor ncessite donc de progresser paralllement sur ces deux aspects.
Lun des objectifs de cette thse est de dvelopper les briques technologiques ncessaires la ralisation de TBH de dimensions submicroniques ayant une base en GaAsSb et

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une conguration E-up.

En effet, les procds prcdemment dvelopps lors de la thse de N. Matine en 1996
[Mat96a] et optimiss lors de la thse de S. Demichel en 2001 [Dem01] ont t conus
pour raliser des TBH InP/InGaAs dans une conguration C-up exploitant les proprits
du collecteur mtallique.
Ces procds qui sont bass sur une technologie entirement auto-aligne avec des
sorties de contact par pont air ont permis des ralisations ltat de lart de lpoque tant
dans la thse de N. Matine fT = fMAX = 160 GHz en 1995 que dans celle de S. Demichel
fT =250 GHz fMAX 275 GHz en 2001.
Ces performances remarquables ont t obtenues notamment grce la rduction des
temps de charge induits par les rsistances et capacits parasites. Ces derniers reprsentent
alors moins de 20 % du temps de transit total (gure 3.1).
Dans ce contexte, nous avons voulu conserver les principales caractristiques de cette
dmarche (auto-alignement, gravure chimique slective, sorties de contact par pont air,
rapport Seb /Sbc proche de 1) tout en les adaptant aux spcicits du dveloppement dun
transistor en conguration E-up comportant une base en GaAsSb.
Lorganisation de ce sous-chapitre est la suivante.
Nous verrons tout dabord les briques technologiques dveloppes pour les TBH ayant
une base en GaAsSb. Deux principaux thmes seront abords : la gravure chimique slective entre InGaAlAs et GaAsSb (section 3.1) et le contact ohmique sur GaAsSb (section
3.2).
Nous avons vu dans la chapitre II que les caractristiques statiques des TBH avec met118

teur en InGaAlAs sont remarquables, et quils possdent un grand potentiel en terme de

fonctionnement ultra rapide. Nanmoins, un obstacle pour raliser un dispositif rapide avec
metteur en InGaAlAs est que la gravure slective du quaternaire InGaAlAs par rapport
GaAsSb ntait pas connue avant ce travail. La slectivit de la gravure est, comme nous le
verrons, indispensable la ralisation de TBH base ne (par exemple Wb = 20 nm).
La matrise des caractristiques du contact ohmique est essentielle lamlioration des
performances frquentielles du transistor. En effet, un trs bon contact ohmique permet
dune part de rduire la rsistance daccs la base du transistor (donc daugmenter fMAX
Cf. Section 1.4) et dautre part de rduire le dbordement de la casquette de base (donc de

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

faciliter la ralisation du rapport Seb /Sbc proche de 1).

Dans la section 3.2 nous avons tudi en dtail le contact ohmique sur GaAsSb dop
p+ . Il sagit, notre connaissance de la premire tude quantitative de ce contact. Pour ce
faire, il a t ncessaire de dvelopper une mthode de mesure des paramtres du contact
ohmique avec une longueur de transfert de courant LT submicronique. En effet, la mthode conventionnelle de caractrisation Transmission Line Model (TLM) se rvle insufsante. Nous montrerons dans la section 3.3 quen utilisant la mthode par contact ottant
(FCTLM) initie par Fabrice Pardo [Mat96a], on parvient dterminer prcisment les paramtres du contact ohmique sur GaAsSb dop p+ mme pour des longueurs de transfert
de courant LT aussi faible que 0.3 m.
Dans la section 3.3, nous verrons le dveloppement du procd technologique pour raliser des transistors de petites dimensions dans la conguration E-up. Nous commencerons
par un bref rappel du procd C-up. Par la suite, nous prsenterons ladaptation de ce procd C-up aux structures E-up. Une amlioration apporte est la matrise du prol rentrant
du contact metteur en tungstne par gravure et sous-gravure chimique. Ce prol rentrant
est crucial pour un procd auto-align, car il vite le court-circuit entre lmetteur et la
base (distance d, gure 3.2). La matrise de cette distance d entre la zone active et la mtallisation de base est essentielle car elle forme une rsistance supplmentaire dans le circuit
de base.
Enn, dans la section 3.4, nous comparerons la technologie dveloppe avec celles
employes dans la littrature pour raliser des TBH performants. Nous verrons que les
approches conserves des thses prcdentes (auto-alignement, galisation de surface din119

Metallisation contact ohmique

Tungstene
Emetteur

d
Le

Base
Collecteur

Lc

Lb

F IG . 3.2: Schma du transistor E-up entirement auto-align avec le contact metteur en

tungstne. Le prol rentrant du tungstne est crucial pour un procd compltement auto-

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

align car il permet dviter le court-circuit entre lmetteur et la base.

jection et de collection, utilisation de gravure chimique...) combines avec la matrise du
prol du tungstne permet de raliser un transistor possdant moins deffets parasites.

3.1

Gravure chimique slective entre InGaAlAs/GaAsSb

La gravure slective du matriau de lmetteur relativement celui de la base est cruciale an de permettre un positionnement optimum du contact ohmique sur la ne couche
de la base. Ceci est indispensable la ralisation de TBH. En effet, la gravure par solution non slective (juste en contrlant le temps de gravure) induit, dans le meilleur des cas,
une incertitude de 10 nm sur la profondeur grave. Ceci entrane une augmentation jusqu 100% de la rsistance carre pour une paisseur de base de 20 nm, ce qui pnalise le
comportement hautes frquences du TBH. La gravure slective est galement un point
cl pour assurer luniformit des dispositifs de la plaquette et matriser la dispersion entre
process. Cependant, la gravure slective du quaternaire InGaAlAs relativement GaAsSb
na pas t jusquici tudie, en dpit des caractristiques statiques remarquables pour les
TBH avec metteur en InGaAlAs.
De plus, au-del de la slectivit de la gravure, ltat de la surface ainsi grave est
important pour la matrise des dispersions du dispositif et les performances de ces caractristiques lectriques. Il est en effet connu que les alliages III-V possdent une grande
120

densit dtats leur surface ce qui y ge le niveau de Fermi et a un impact sur leurs proprits lectriques [Spi79]. Rcemment, Witte[Wit00] a mis en vidence une corrlation
entre dune part la tension de claquage du contact Schottky de Pt/n-GaN et dautre part la
rugosit de la surface mesure par AFM.
Dans cette section, nous tudierons la gravure chimique du quaternaire InGaAlAs par
une solution dacide citrique et de peroxyde hydrogne pour diffrentes concentrations.
La gravure par des solutions dacide citrique et de peroxyde dhydrogne (C6 H8 O7 :H2 O2 )
pour les matriaux sur substrat en GaAs et en InP a dj t tudie dans [Jua90] [DeS92]
[DeS94]. Dans [DeS94] il a t montr quune gravure slective et uniforme peut tre ob-

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

tenue pour les systmes InAlAs/GaAsSb et InGaAs/GaAsSb en fonction du rapport entre

les volumes dacide citrique et de peroxyde dhydrogne de la solution. Nous nous intresserons quant nous particulirement la slectivit de la gravure par rapport GaAsSb et
la rugosit des surfaces graves.

3.1.1

Procd exprimental

Les tudes ont t ralises partir des plaquettes H6692 et H6745, H6748. Lpaisseur
de InGaAlAs dop au silicium (n = 1 1019 cm3 ) est de 200 nm. Celle de GaAsSb dop
au carbone (p = 4 1019 cm3 ) est 100 nm.
Toutes les expriences de gravure ont t excutes temprature ambiante. La solution
dacide citrique a t obtenue par la dissolution de monohydrate dacide citrique dans de
leau dsionise dans un rapport de 1.207g de C6 H8 O7 H2 O pour 1 ml deau dsionise
(EDI).
Comme la dissolution de lacide citrique dans leau est endothermique et lente, la solution est prpare au moins un jour lavance. Le peroxyde dhydrogne (30%) est ajout
15 minutes avant la gravure. La gravure a t excute dans un becher en verre dune
contenance de 50 ml ; un agitateur magntique tournant approximativement 400 tr/mn a
t employ. Nous avons utilis la rsine photosensible AZ-5214 comme masque. Aprs
chaque tape de gravure (en gnral 30 s pour InGaAlAs et 5 minutes pour GaAsSb) la
rsine photosensible a t enleve et lpaisseur grave a t mesure en employant un
prolomtre (DEKTAK) sur 5 points de lchantillon.
121

La vitesse de gravure moyenne a t dtermine en utilisant une rgression linaire des

paisseurs graves en fonction du temps de gravure.
Les images AFM des surfaces graves ont t acquises laide du Nanoscope III de
Digital Instrument en utilisant une tte en silicium avec un rayon de 10 nm et possdant un
champ de balayage de 16 m. Les images ont t acquises en mode tapping. Nous balayons
3 points diffrents sur chaque chantillon avec un balayage 33 m2 . Les images ont t
alors traites pour dterminer la distribution de hauteur et la rugosit moyenne (Rrms ).
Le Rrms est dni par

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Rrms =

N (Zi Zave )2
i=1
N 1

(3.3)

quation dans laquelle Zi est la mesure de la hauteur du pixel i (sur un nombre total de N
pixels) et Zave est la moyenne arithmtique de la hauteur. Pour chaque solution chimique
tudie, au moins deux expriences diffrentes ont t excutes pour assurer la reproductibilit et luniformit du rsultat.

3.1.2

Rsultats et discussion
Vitesse de gravure en (/min)
pour diffrents rapport acide citrique : peroxyde dhydrogne
C6 H8 O7
H2 O2

rapport de vo-

InGaAl0.2 As

GaAsSb0.5

1:1

535 14

35 1

2:1

946 12

29 3

20:7

1286 50

40 5

5:1

1198 21

34 3

20:3

1157 22

29 2

10:1

476 5

34 2

lume

TAB . 3.1: Vitesse de gravure moyenne dInGaAl0.24 As et de GaAsSb0.5 pour des solutions
dacide citrique et de peroxyde dhydrogne dont le rapport en volume varie de 1 :1 10 :1.
Le tableau 3.1 prsente les vitesses de gravure mesures dInGaAlAs et de GaAsSb
122

70
InGaAlAs/GaAsSb
InGaAs/GaAsSb [DeS94]
InAlAs/GaAsSb [DeS94]

60

Selectivit

50
40
30
20
10
0
0

8 10 12

Rapport de volume de Citric acid/H2 O2

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F IG . 3.3: Slectivit de la gravure par une solution dacide citrique et de peroxyde dhydrogne du systme InGaAl0.24 2As/GaAsSb0.5 en fonction du rapport en volume. Sont aussi
traes les donnes pour InGaAs/GaAsSb0.5 et InAlAs/GaAsSb0.5 [DeS94].
pour des solutions dacide citrique et de peroxyde dhydrogne dont le rapport en volume
varie de 1:1 10:1.
Les vitesses de gravure dInGaAl0.2 As montrent de fortes variations pour les rapports
de volume tudis, alors que ceux de GaAsSb sont presque constants.
La slectivit, dnie comme le rapport des taux de gravure des deux matriaux, est
trace dans la gure 3.3 pour InGaAlAs/GaAsSb. Nous avons ajout les donnes extraites
de [DeS94] pour la slectivit dans les systmes InGaAs/GaAsSb et InAlAs/GaAsSb.
Comme prvu, la slectivit pour InGaAlAs/GaAsSb se trouve entre les donnes de
rfrence du taux de gravure par la solution dacide citrique et de peroxyde dhydrogne.
Cependant ces valeurs ne suivent pas une interpolation linaire des valeurs dInGaAs et
dInAlAs.
Nous observons une bonne slectivit (> 30) pour des rapports de volume acide citrique / peroxyde dhydrogne dans la gamme de rapport 2:1 7:1. On note une slectivit
suprieure 40 pour le rapport 20:3.
Dans la gure 3.4, nous avons trac la rugosit mesure (Rrms ) de la surface grave
dInGaAlAs en fonction du rapport de volume acide citrique / peroxyde dhydrogne. Cest
un rsultat des observations par AFM laide dun balayage de 33 m2 sur 3 points de
123

Rrms as measured by AFM (nm)

12

day=0
day=9

10
8
6
4
2
0
0

10

12

Citric acid/H2 O2 volume ratio

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F IG . 3.4: La rugosit (Rrms) de la surface grave dInGaAlAs en fonction du rapport de

volume acide citrique / peroxyde dhydrogne mesure 30 minutes et 9 jours aprs gravure.

lchantillon. Les rugosits prsentes ont t mesures 30 minutes et puis 9 jours aprs la
gravure. Nous observons clairement deux domaines. On constate que pour un faible rapport
de volume (infrieur 2:1) les surfaces graves sont lisses tandis que pour un rapport de
volume lev (suprieur 5:1) les surfaces graves sont beaucoup plus rugueuses (Rrms 20
30 fois plus grand). De plus, nous avons observ une diminution signicative de la rugosit
aprs une exposition de 9 jours lair libre uniquement pour les chantillons gravs avec
un rapport de volume lev. Ceci dmontre la stabilit de la surface pour des chantillons
gravs avec un faible rapport de volume.
Pour une meilleure analyse des phnomnes, des images par AFM et des prols de
distribution des hauteurs des chantillons lisses et rugueux raliss 30 minutes et 9 jours
aprs la gravure sont prsents dans la gure 3.5. Comme la rugosit des chantillons est
trs diffrente, le contraste maximum des images est calibr 5 nm pour les chantillons
lisses et 100 nm pour les chantillons rugueux.
Pour les prols de distribution de hauteur, nous traons lhistogramme (le pourcentage
de points de la surface dont la hauteur est Z en Z). Pour clarier la prsentation, les valeurs
de Z sont dcales an de placer le plus haut pourcentage Z = 0.
Lchantillon (a), grav avec un rapport de volume 2:1, prsente une surface lisse avec
une rugosit de la surface de 0.3 nm, gale la valeur mesure avant gravure. Le prol de
124

distribution de la hauteur montre un pic pointu (largeur mi hauteur : FWHM = 0.6 nm).
Limage par AFM prise 9 jours aprs la gravure ne montre aucun changement apparent
de la morphologie de la surface. La rugosit augmente lgrement de 0.3 0.5 nm. Ceci
correspond une diminution par un facteur 2 du maximum du pic et dun largissement de
FWHM du pic de 0.6 1.1 nm.
Limage par AFM de lchantillon (c), grav avec un rapport de volume 10:1, montre
une surface rugueuse (Rrms = 10.4 nm), qui se compose dun fond rugueux sur lequel beaucoup dobjets levs sont rests. La partie infrieure de limage correspond au grand pic
(FWHM = 5.8 nm) du prol de distribution de la hauteur, alors que les objets levs corres-

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

pondent la queue de la distribution. Limage prise aprs exposition de 9 jours lair libre
prsente une volution signicative dans la morphologie de la surface. Les objets levs
sont plus espacs et diminus en hauteur.
La rugosit dans la partie infrieure diminue aussi, comme de montre la diminution
du pic FWHM de 5.8 3.7 nm sur le prol de distribution de hauteur. Le Rrms rsultant
diminue de 10.4 5.4 nm. Lchantillon (b), grav dans une solution dun rapport de volume intermdiaire (5:1), prsente une surface sur laquelle on trouve aussi bien des zones
rugueuses que des zones lisses. Nous avons cependant observ, une grande disparit du
rapport Surfaces rugueuses / Surfaces lisses entre les diffrents balayages sur le mme
chantillon ainsi quentre chantillons diffrents.
Limage prise 9 jours aprs la gravure prsente la mme morphologie de surface. A
partir des mesures de rugosit sur la partie lisse de lchantillon, nous observons la mme
volution que celle de lchantillon (a). De mme, la partie rugueuse de lchantillon subit
la mme volution que lchantillon (c), avec une diminution de Rrms de 9.4 6.7 nm.
Linuence de la concentration en peroxyde dhydrogne sur la rugosit de la surface a t tudie dans les procds de nettoyage du silicium avec les solutions dites SC1
(NH4 OH:H2 O2 :H2 O) par Meuris et autres [Meu92]. Comme dans nos travaux, ils ont observ quune surface plus lisse est obtenue pour la solution ayant une concentration plus
leve en H2 O2 .
Pour tudier le rle du H2 O2 dans la solution SC1, Adachi et al. [Ada93] ont mesur
par ellipsomtrie spectroscopique la pseudo fonction dilectrique de la surface de silicium
aprs immersion dans cette solution.
125

day = 9
2:1 day=0
2:1 day=9

4
3
2
1
0
-20

-10

10

20

30

Z [nm]

40

12

5:1 day=0
5:1 day=9

Frequency ( 103 )

Frequency ( 103 )

Frequency ( 103 )

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day = 0

8
4
0
-20

-10

10
Z [nm]

(a)

(b)

20

30

40

10:1 day=0
10:1 day=9

12
8
4
0
-10

10

20

30

40

50

Z [nm]

(c)

F IG . 3.5: Images par AFM de surfaces 33 m et prols de distribution de hauteur dune

surface dInGaAlAs grave par une solution acide citrique/H2 02 avec un rapport de volume
de 2 :1 (a), 5 :1 (b) et 10 :1 (c). Les mesures ont t ralises 30 minutes (en haut) et 9 jours
(en bas) aprs la gravure. Le contraste maximum pour les images AFM est de 5nm pour (a)
et de 100 nm pour (b) et (c).

126

Ils ont constat que la surface est oxyde immdiatement pendant limmersion dchantillon, et que lpaisseur de loxyde chimique montre une saturation 1.2 nm ; cette valeur
est indpendante de la concentration en H2 O2 .
De Salvo [DeS92] a prouv que le mcanisme de gravure des alliages ternaires InGaAs
et InAlAs par des solutions dacide citrique et de peroxyde dhydrogne commence tout
dabord par une oxydation de la surface du semi-conducteur par le peroxyde dhydrogne,
et est ensuite suivi par la dissolution du matriau oxyd par lacide citrique.
Il a vri que la prsence du peroxyde dhydrogne (oxydant) et de lacide citrique
(agent de dissolution) sont ncessaires pour la gravure. Aucune gravure na t observe

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lors de limmersion dans une solution ne contenant que lun des composants.
Daprs ces observations et en supposant que lpaisseur du lm doxyde form sur
la surface dInGaAlAs est indpendante de la concentration en H2 O2 , nous avons propos
lexplication suivante pour nos rsultats.
Il existe un rapport de volume optimal, V R0 , de lacide citrique et du H2 O2 de sorte que
le taux doxydation soit gal au taux de dissolution. Pour un rapport V R trs infrieur V R0
(solution riche en H2 O2 ), la surface du semi-conducteur est couverte en permanence par
un mince lm doxyde dpaisseur constante gale lpaisseur maximum. Dans ce cas, la
vitesse de gravure est limite par la dissolution du matriau oxyd par lacide citrique, donc,
elle augmente quand la concentration en acide citrique augmente (cf. vitesse de gravure
pour V R < 20:7 dans le tableau 3.1).
Comme le mince lm doxyde est form immdiatement sur la surface ; la surface grave est lisse.
Dans le cas oppos, pour un rapport V R trs suprieur V R0 (solution riche en acide
citrique), la surface de semi-conducteur est constamment dsoxyde. La vitesse de gravure
est limite par la formation dun mince lm doxyde sur la surface, donc il augmente avec
la concentration en H2 O2 (cf. vitesse de gravure pour V R > 20 :7 dans le tableau 3.1).
Comme il ny a pas assez doxydant pour oxyder uniformment lensemble de la surface,
la surface grave est rugueuse.
Cette explication est galement en accord avec des observations AFM ralises 9 jours
aprs la gravure. En raison de la stabilit du mince lm doxyde form sur lchantillon
grav avec le faible rapport de volume, la surface nest pas ractive ; pour les chantillons
127

gravs avec un rapport de volume lev, la surface est ractive loxydation par lair.

3.2

Contact ohmique sur GaAsSb p+, mthode FCTLM

Des contacts ohmiques planaires faible rsistance sont couramment employs dans
les dispositifs semi-conducteurs. Ils sont souvent la clef pour accrotre leurs performances.
Dans le TBH, ils jouent un rle essentiel pour rduire la rsistance de contact des trois
lectrodes (E,B,C). Le contact ohmique est habituellement caractris par sa rsistance
spcique de contact, dnote c , qui est la rsistance que rencontre lcoulement du ux

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de courant uniforme travers linterface (plane) de supercie unitaire entre le mtal et la

couche de semi-conducteur. De bons contacts ohmiques sont typiquement attribus aux
systmes mtal/semi-conducteur possdant un c infrieur 106 /cm2 [Shu90].
La modlisation des contacts ohmiques est base sur le modle de ligne de transmission
(TLM=Transmission Line Modelling) [Ber72a]. Ce modle tient compte de RS0 , la rsistance du semi-conducteur en dehors du contact, de RS , la rsistance du semi-conducteur
sous le contact, de RM , la rsistance de la couche mtallique, et de c , la rsistivit spcique de contact. Dans le modle TLM, la dtermination de c utilise la longueur de
transfert du courant LT . Celle-ci est dnie par
LT =

c
RS + RM

(3.4)

LT est la distance caractristique de transfert du courant du semi-conducteur vers le mtal.

Les contacts planaires dont la dimension est nettement plus importante que la longueur LT
se comportent comme des contacts semi innis. Lorsque la longueur de contact diminue audessous de la longueur LT , la rsistance globale de contact augmente fortement [Mur69].
La dtermination prcise de la longueur LT est cruciale pour loptimisation des dispositifs
tels que les TBH (an de rduire la rsistance de base, et ainsi accrotre fMAX )[Saw99] et
les HEMT[Hen89].
La dtermination de la longueur LT partir des mesures conventionnelles de TLM emploie la rsistance de contact Rc et la rsistance de n de contact Rend . Ces deux rsistances
sont mesures en utilisant une srie de deux contacts (de longueur L et de largeur W ) spa128

i0

Thick Metal

i0 B

RS dx
W

d1

P1

P2

c
W dx

P3

RS0dx
W

d2

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 3.6: Schma du dispositif utilis pour mesurer la rsistance de contact (Rc ) et la rsistance du n de contact (Rend ) par la mthode TLM classique [Ber72a].

rs par une distance variable d. En supposant que la rsistance du mtal est ngligeable, Rc
et Rend sont donnes par [Ber72a] :

R S LT
coth(L/LT )
W
RS LT
1
Rend =
W sinh(L/LT )
Rc =

(3.5)

La gure 3.6 prsente le dispositif exprimental pour la mesure de rsistance Rc =

VBA /i0 et Rend = VDC /i0 par la mthode TLM classique. La rsistance mesure entre deux
plots spars par la distance d est donne par
R(d) =

RS0
d + 2Rc
W

(3.6)

La rgression linaire de (3.6) un ensemble de mesures de la rsistance R(d) donne

RS 0 partir de la pente et la rsistance Rc par extrapolation une distance d nulle. Plusieurs
prcautions exprimentales doivent tre prises an dobtenir des mesures prcises de RS0
et de Rc . Comme prcis par Berger [Ber72b], lerreur principale est due la dtermination
imprcise de lespacement d entre deux contacts. De plus, comme le montre lquation
129

(3.5), pour lestimation prcise de la longueur LT , les longueurs de contact L doivent tre du
mme ordre de grandeur que LT . De ce fait, lorsque la longueur LT devient submicronique,
limplantation des sondes de courant et de tension spares doit tre employe car la mesure
directe par pointes devient impossible.
La rsistance Rend est dtermine en mesurant la chute de tension au bord du contact
(VDC dans la gure 3.6), quand le courant passe des plots P1 P2. Dans lutilisation pratique
de TLM, la tension VDC est en fait mesure sur le prochain plot P3.
Reeves [Ree82] a propos une technique alternative mais quivalente pour la mesure
de la rsistance Rend . Cependant il a observ une grande dispersion sur les valeurs de la

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rsistance de n de contact due dune part sa petite valeur compare la rsistance RS0 et
dautre part en raison de lutilisation de la grande longueur L de contact compare LT .
Floyd [Flo94] a plus tard mesur la rsistance Rend en utilisant une longueur de contact
L autour de 3LT . Nanmoins, il a conclu que, lorsque la rsistance du mtal nest pas
ngligeable, la mthode de mesure de la rsistance Rend nest pas able pour estimer les
valeurs de RS et de LT .
La ncessit dinclure la rsistance du mtal dans la dtermination de c a t prcise par Marlow [Mar82]. Celui-ci a propos une mthode de correction dans laquelle une
rsistance de mtal non nulle est considre. Toutefois comme discut dans [Por92], en
pratique la correction dpend de la capacit positionner une pointe exactement au bord
du plot de mtallisation. La correction pour la rsistance du mtal peut tre vite si lon
emploie une mtallisation paisse pour assurer les contacts quipotentiels [Kat86]. Nanmoins, ceci nest pas toujours compatible avec le processus de fabrication.
Mme dans le cas idal dun mtal quipotentiel, la dtermination de c par lintermdiaire des paramtres de RS et de LT laide des mesures de rsistance de n de contact
soulve des difcults exprimentales. Une approximation courante est de supposer que la
rsistance de la couche semi-conductrice sous le contact est identique celle extrieure au
contact (RS = RS0 ).
Les travaux prliminaires de Berger [Ber72a] ont pourtant suggr limportance de les
diffrencier, et la simplication a montr ses limites, en particulier dans le cas des contacts
diffusifs, o on avait observ de grandes diffrences entre RS et RS0 [Hen89] [Ree82]
[Kat86].
130

Il a t propos plusieurs mthodes pour amliorer lexactitude des mesures de RS et de

LT . Comme prcis prcdemment, an de mesurer correctement RS et LT , il est ncessaire
de rduire la longueur de contact jusquau mme ordre de grandeur que la longueur LT .
Ds lors, la mesure directe de la tension sur le contact est extrmement difcile. Henry
[Hen89] a employ un schma test avec des capteurs supplmentaires de courant et de
tension relis par un pont droit.
Floyd [Flo94] a propos des structures de ligne de transmission avec les ailes mtalliques additionnelles aux bords du mesa pour mesurer la tension, alors que le courant est
appliqu le long du mesa en utilisant deux contacts externes. Les longueurs des contacts

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de ces structures ont t rduites 3 m. Les inconvnients de cette mthode sont la complexit du dispositif de mesure et le besoin de considrer la rsistance daile mtallique.
Sawdai [Saw99] a propos demployer un contact ottant entre deux plots ohmiques de
contact. La longueur du contact ottant est conue pour tre variable, la plus petite tant de
1 m. Cependant dans sa mthode la rsistance de mtal est nglige et la rsistance RS0
nest pas correctement estime.
Une mthode plus gnrale, mettant en jeu des contacts ottants TLM (FCTLM) a t
mise au point au sein de lquipe. Cette mthode prend en compte les 4 paramtres importants dans le contact planaire (cest--dire RS0 , RS , LT et RM ). Cette mthode mettait en jeu
un masque optique, qui ne permettait pas de raliser les contacts plus courts que 1.5 m
[Mat96a]. Nous avons pour notre part ralis des structures FCTLM par lithographie lectronique, avec des contacts aussi courts que 0.25 m [Lij05].
La mthode consiste en la mesure de la rsistance des structures formes dune srie de
contacts ottants entre deux grands plots de mesure. Comme le passage du courant entre les
plots est modi par les contacts ottants, (cest--dire que le courant traverse les contacts
ottants au lieu du semi-conducteur pour des longueurs de contact L suprieures LT ), la
rsistance mesure est trs sensible la valeur de LT .
De plus, comme la longueur du contact ottant peut tre trs faible (elle est seulement
limite par rsolution de lithographie), il est possible de dterminer avec une excellente
prcision les paramtres de contact, mme dans le cas dune longueur de transfert trs
rduite.
Enn, parce que les contacts ottants ne sont pas supposs tre quipotentiels, la m131

thode est applicable un plus grand nombre de situations ralistes, pour lesquelles la rsistance de la couche de mtal ne pourrait pas tre nglige.
Dans cette partie, aprs une description de la mthode de FCTLM, nous donnerons les
rsultats de la mesure des 4 paramtres du contact non diffusif de Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb
p+ .
Des contacts ottants de diffrentes longueurs (la plus petite est de 0.25 m) ont t
raliss pour permettre des mesures prcises des paramtres de contact mme lorsque la
longueur LT est de taille submicronique ce qui est le cas pour les trs bons contacts ohmiques.

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Tandis que plusieurs tudes ont montr une grande variation de la rsistance de la
couche semi-conductrice sous le contact RS pour les contacts diffusifs [Hen89] [Ree82]
[Kat86], les contacts non diffusifs nont pas t tudis jusquici malgr leur large utilisation dans des dispositifs tels que les TBH et les HEMT.
Les paramtres estims seront compars ceux obtenus aprs un recuit avec une temprature variant de 250 C 450 C. Cest durant cette phase de recuit que la diffusion du
mtal a ventuellement lieu. Pour conclure, nous discuterons de lexactitude des paramtres
ainsi dtermins.

3.2.1

Mthode FCTLM

La gure 3.7 montre la structure de rsistance de FCTLM avec un contact ottant entre
2 plots de mesure. Le courant i0 , dans le cas o la rsistance de la couche de mtal est non
nulle, est la somme du courant qui traverse le mtal, IM (x), et du courant qui traverse le
semi-conducteur, IS (x). Ils obissent aux quations suivantes :

2 IM (x)
RM IM (x) + RS IS (x) = 0
x2
IM (x) + IS (x) = i0
132

(3.7)
(3.8)

i0

Thick metal

RM dx
W

i0

c
W dx

RS dx
W

x= L
2

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

RS0dx
W

x= L
2

F IG . 3.7: Le dispositif FCTLM constitu dun contact ottant entre deux plots de mesure.

Cette quation a pour solution :

x

IS (x) = A exp LT + B exp LT +C

(3.9)

IM (x) = A exp LT B exp LT +C

(3.10)

o = RM /RS . Les valeurs de A et de B sont dnies par les conditions aux limites
lentre et la sortie du contact ottant (gure 3.7) :
L
IM ( ) = 0
2

L
IM ( ) = 0
2
Nous obtenons A = B =

L
i0 sinh 2LT
L
1+ sinh
L

,C=

i0
1+ .

(3.11)

La rsistance RFC (L) du contact ot-

tant de largeur W et de longueur L est dtermine partir de (VS ( L ) VS ( L ))/i0 . Nous

2
2
trouvons :
RFC (L) =

RS
L
L + 2LT tanh(
)
(1 + )W
2LT

(3.12)

Pratiquement, nous multiplions le nombre de contacts ottants an daugmenter la prcision des estimations. Si N est le nombre de contacts ottants de longueur L entre deux
133

plots de mesure qui sont spars par la distance d, la rsistance totale est
R(N, L) = NRFC (L) + (d NL)

RS0
+ 2RP
W

(3.13)

o RP est la rsistance de contact entre les plots de mesure paissis lor et le bord du
contact sur la couche semi-conductrice (point E ou E dans la gure 3.7). La nature du
contact sous les plots de mesure paissis lor est affecte par la prsence de la surcouche.
Son expression est analogue celle que Rc prsente en (3.5). Cependant la rsistance RS
doit tre remplace par RS = RS et LT par LT . Comme nous ne recherchons pas estimer
les valeurs de RS et LT , nous conservons la rsistance RP comme variable indpendante.

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Notons que la rsistance totale de la structure sans contacts ottants (N = 0 et L = 0)

devient :
R(0, 0) =

RS0
d + 2RP
W

(3.14)

semblable celle obtenue par la mthode TLM conventionnelle (quation (3.6)).

La rsistance RM de la couche de mtal apparat dans (3.12) = RM /RS . An de la
mesurer plus prcisment, nous avons conu un motif de court-circuit (gure 3.8b).
Connaissant la largeur de la ligne mtallique uM , la largeur de mesa uS , et la longueur
de la ligne dL , la rsistance mesure du schma de court-circuit (RSC ) est :
dL
RSC =
uM

1
1
uS
1
+
+(
1)
RM RS
uM
RS0

(3.15)

La dtermination des paramtres RS0 , RS , RM , RP et LT implique une rgression non

linaire des quations (3.13) et (3.15) partir des donnes exprimentales (R(N, L), RSC ).
Le paramtre c est alors directement obtenu partir de lquation (3.4).
Nous prcison ici pourquoi la rgression non linaire permet de dterminer avec une
trs grande prcision les paramtres.
Si la rsistivit RM du mtal est beaucoup plus petite que la rsistivit de la couche
semi-conductrice, le premier terme de lquation (3.15) donne une valeur approximative.
Comme RP

RS0 d/W , R(0, 0) de lquation (3.14) permet destimer la valeur de

RS0 d/W . Pour de grandes valeurs de la longueur du contact ottant (L W ), RFC est proche
134

RM . Pour de petites valeurs de la longueur du contact ottant (L

LT ), LT disparat encore

dans lquation (3.12) et la valeur de RFC (L) est proche de RS L/W .

Enn pour (LT < L < 6LT ), le comportement fortement non linaire de tanh(L/2LT )
dans lquation (3.12) permet dextraire la valeur de LT .
Notons que la diffrence entre la rsistance totale R(N, L) pour de petites valeurs de L
et pour une structure sans contact ottant est simplement
R(N, L) = (RS RS0 )

NL
W

indpendant de LT et de RM . Lexplication physique est que dans le cas de L

(3.16)
LT , le

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courant reste principalement dans la couche semi-conductrice (dont la rsistance est RS ) et

ne remonte pas dans les contacts ottants.
Comme pour toutes les mesures de TLM, la dtermination prcise des longueurs de
structure est cruciale [Hen89] [Ber72b]. Les mesures simultanes des longueurs L des
contacts ottants et de leurs espacements permet un calibrage, parce que la priode (L +
s) du contact ottant, dnie par le masque, est connue prcisment. Les longueurs de
contacts ottants et leurs espacements sur les 24 types de dispositif FCTLM sont ainsi mesurs par MEB et nous avons observ quils sont constants travers lchantillon avec une
incertitude infrieure 20 nm.
La surface dune rsistance standard de FCTLM est de 200200 m2 . La surface totale
dun bloc de FCTLM contenant 24 rsistances R(N, L) et un motif de RSC est environ 2
mm2 . Plusieurs blocs peuvent tre construits, jusqu 50 par cm2 , donnant 1200 mesures R
par cm2 .
Lextraction des paramtres implique 2 tapes. Tout dabord, une analyse statistique est
mene sur chacune des 24 + 1 familles des mesures de R, donnant une moyenne de RM ,
R(0, 0) et 23 R(N, L) avec leur cart type associ RM , R(0,0) et 23 R(N,L) .
Puis, la mthode non linaire de Levenberg-Marquardt est utilise pour assurer lad2
quation des quations (3.13) et (3.15) avec toutes les valeurs de R pondres par 1/R .

Lalgorithme dbute avec comme valeurs RP = 0.001, RS = RS0 , RS0 indique par
lquation (3.14) et RM donne par lquation (3.15). On considre que la rgression a
converge quand la somme des carrs des rsidus change entre deux itrations dun facteur
135

(a)

(b)

F IG . 3.8: Images MEB (a) dun motif FCTLM (54, 0.6) cest dire 54 contacts ottants de
largeur nominale 0.6 m rgulierement espacs entre les plots de mesure (b) Vue du motif

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

de court circuit.
infrieur 105 .
Dans la section suivante nous prsentons une application de la mthode FCTLM pour
dterminer les paramtres du contact non diffusif de Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb p+ .

3.2.2

Ralisation du dispositif

La fabrication du dispositif suit une technologie en 3 tapes. Tout dabord les contacts
ottants et les courts-circuits sont obtenus par lithographie lectronique sur une couche
GaAsSb0.5 dope au carbone (p = 3.6 1019 cm3 ) (plaquette H6692).
La concentration en antimoine aussi bien que lpaisseur de couche (100 nm) ont t
dtermines par diffraction de rayons X. Il y a 24 types de rsistance de FCTLM ; 1 rsistance sans contact ottant et 23 rsistances avec une longueur de contact ottant variant de
0.2 192 m, et leur espacement nominal variant de 1 4 m.
Lempilement mtallique Pt/Ti/Pt/Au (15/20/30/50) nm est alors dpos sur la surface
par la technique du lift-off. Avant le dpt du contact, lchantillon est dsoxyd avec une
solution HCl/H2 O (20:80) pendant 1 minute suivi dun rinage de 3 minutes EDI.
La deuxime tape du processus consiste en la ralisation dun mesa disolation (en
gnral 200 m de large) par lithographie optique et gravure humide de la couche dope
de GaAsSb et dune partie du substrat de InP.
136

Current (mA)

(1, 192)

(16, 8)

(28, 3)

1.5

(35, 1.5)
(0, 0)
(160, 0.2)

0.5

0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

Bias (V)

F IG . 3.9: Tracs de I(V) pour le contact Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb p+ avant recuit, pour les
dispositifs FCTLM (N, L) : (0, 0), (120, 0.2), (35, 1.5), (28, 3), (16, 8), (1, 192). On observe

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

que la rsistance de dispositif avec L = 0.2 m est plus importante que la rsistance de
dispositif sans contact ottant.
Enn la troisime tape consiste dans la photolithographie et le dpt de Ti/Au (20/400)
nm sur les plots de mesure paissir qui ont pour dimensions 200 m de large et 50 m
long et sont spars par la distance d = 200 m.
La gure 3.8 montre des images MEB de dispositif FCTLM (54,0.6) (cest--dire quil
y a 54 contacts ottants quidistants entre les plots de mesure avec des longueurs nominales
pour les contacts ottants L = 0.6 m) et le motif de court-circuit. An de mesurer avec
prcision la rsistance entre deux plots de mesure, chaque plot est mis en contact avec 2
sondes (mthode source/sense de Kelvin). Pour simplier lautomatisation de la mesure, la
gomtrie des 4 sondes est maintenue constante, mme pour le motif court circuit.
Pour les expriences de recuit, les chantillons ont t placs dans le creuset en graphite
dun four lectrique, sous une atmosphre dhydrogne et dargon. La temprature a t
augmente pente constante (15 C/s) jusqu la temprature maximale Ta (250 450 C)
pendant 1s, et lchantillon y est ensuite laiss refroidir.

3.2.3

Rsultats de mesure des contacts ohmiques sur GaAsSb p+

Nous prsentons dans la gure 3.9 les tracs I(V) du contact Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb
p+ pour les dispositifs FCTLM (N,L) : (0,0), (160,0.2), (35,1.5), (28,3), (16,8), (1,192).
Les contacts montrent le comportement ohmique sans traitement de recuit. Les rsis137

tances mesures, lexception de (160, 0.2), diminuent lorsque la longueur L augmente.

Cette observation est conforme aux rsultats issus de lexploitation de lquation (3.13).
On observe que la rsistance de FCTLM motif avec une longueur nominale L = 0.2 m
(longueur mesure de 0.25 m) est plus importante que la rsistance de FCTLM motif sans
contact ottant. Cest une illustration directe de ce que RS > RS0 (cf. quation (3.16).
Les gures 3.10a et 3.10b montrent la rsistance de contact ottant mesure (RFC (L))
en fonction de la longueur de contact (L). Nous traons galement la rsistance calcule
partir de lquation (3.12) avec les paramtres issus du t. Pour dmontrer la sensibilit
du procd didentication, nous avons trac dans les gures 3.10a et 3.10b deux courbes

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

additionnelles pour lesquelles nous avons modi un des paramtres (LT pour la gure
3.10a et RS pour gure 3.10b). Ceux-ci ont t modis de plus ou moins 20 % par rapport
leur valeur initiale.
Comme nous pouvons lobserver sur les gures 3.10a et 3.10b, les rsultats trouvs
sont en excellent accord avec les donnes exprimentales composes des 340 rsistances
de FCTLM.
Les paramtres identis du contact sans recuit et aprs recuit 450 C pendant 1 s sont
prsents dans le tableau 3.2

sans recuit

aprs recuit 450 C

RS0 (/ )

676 2

705 2

RS (/ )

771 15

667 19

LT (m)

0.32 0.01

0.27 0.01

RM (/ )

0.890 0.002

(cm2 )

RP ()

(8.1 0.3)

107

1.9 0.1

1.45 0.09
(5.0 0.3) 107
1.8 0.1

TAB . 3.2: Paramtres des contacts Pt/Ti/Pt/Au dposs sur GaAsSb0.5 p+ extraits par la
mthode FCTLM.
Lanalyse des gures 3.10a et 3.10b apporte plus dinformation sur lorigine de la prcision obtenue. Pour de petites valeurs de L (c.--d. longueur de contact ottant L infrieure
ou gale LT ), les trois courbes de la gure 3.10a (la valeur nominale de LT et ses variations
138

de plus ou moins 20 %) sont identiques. Dans la gure 3.10b, la courbe correspondant RS

nominale est facilement discernable de ses deux variantes (RS plus ou moins 20 %). Ceci
dmontre que la rsistance RS est dtermine indpendamment de la longueur LT comme
prvu par lquation 3.12 pour le cas de L infrieure ou gale LT . Lidentication du paramtre LT est obtenue pour une longueur de contact ottant L comprise entre LT et 6LT .
Ceci est d la nature non linaire du terme en tanh(L/2LT ) de lquation (3.12).
Nous traons les rsistances carres dtermines (RS , RS0 ), la longueur de transfert
(LT ), et les valeurs calcules de la rsistance specique de contact (c ) en fonction de
la temprature de recuit dans les gures 3.11a, 3.11b et 3.11c.

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Nous observons dans gure 3.11a que RS0 change trs peu avec la temprature de recuit,
alors que RS change de manire signicative avec la temprature de recuit. Nous notons
que pour des tempratures de recuit Ta infrieure 450 C, RS est suprieure RS0 . Pour
des tempratures suprieures, RS devient infrieure RS0 .
Il y a une baisse signicative de la rsistance carre RS aprs un recuit une temprature
suprieure 400 C. Notre analyse est que la diffusion du mtal commence tre importante
autour de 400 C.
La longueur de transfert LT dtermine diminue pour une temprature de recuit Ta infrieure 400 C et augmente pour les tempratures plus leves. Cela signie que le courant
est transfr sur une plus grande distance quand la rsistance carre du semi-conducteur
diminue. En consquence, la rsistance c calcule montre un minimum une temprature
de recuit proche de 400 C.
A notre connaissance, aucune tude na t mene prcdemment pour extraire avec
prcision les paramtres de contact, notamment le paramtre RS (donc LT et c ) dans le cas
de contacts non diffusifs.
Laugmentation de la rsistance carre sous le contact par rapport celle extrieure au
contact (RS > RS0 ) pour le contact non recuit est montre pour la premire fois dans cette
tude.
Il est trs peu probable que son origine soit le changement de la taille de la barrire
(b ) entre lair/GaAsSb et Pt/GaAsSb. En effet, il a t montr que le niveau de Fermi la
surface des composs III-V est g approximativement la mme position quil soit sous
un oxyde mince ou un mtal [Spi79].
139

10

Calculated (best t)
LT -20%
LT +20%
Experimental data

0.1
0.1

10

100

1000

Floating contact length (m)

(a)
100

RF C (L) ()

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

RF C (L) ()

100

10

Calculated (best t)
RS -20%
RS +20%
Experimental data

0.1
0.1

(b)

10

100

1000

Floating contact length (m)

F IG . 3.10: Rsistance de contact ottant mesure en fonction de la longueur de contact

ottant (donnes exprimentales) ; Analyse de la sensibilit une variation de 20 % sur
LT pour (a) et RS pour (b).

140

850
RS
RS0

RS , RS0 (/sq)

800
750
700
650
600
550
0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

Annealing temperature (C)

(a)
0.4

LT (m)

0.35

0.3

0.25

0.2
0

50

100 150 200 250 300 350 400 450

Annealing temperature (C)

(b)
1e-06

9e-07
c (cm2 )

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

LT

8e-07
7e-07
6e-07
5e-07
4e-07
0

(c)

50

100 150 200 250 300 350 400 450

Annealing temperature (C)

F IG . 3.11: Lvolution des rsistance carr de couches (RS , RS0 ), de la longueur de transfert
(LT ), et de la rsistance de conctact spcique c ) avec les tempratures de rcuit dtermines par la mthode FCTLM pour le contact Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb p+ .

141

De plus, si nous supposons une rsistivit du matriau massif constante et si nous employons un niveau de Fermi de la surface libre de GaAsSb de 0.22eV au dessus de la bande
de valence [Bru04], la largeur de la barrire b rsultante linterface entre le mtal et le
semi-conducteur serait draisonnablement grande (b = 9.7eV). Par consquent lorigine
de laugmentation de la rsistance carre sous le contact est ailleurs.
Il a t discut par Pimbley [Pim86] que lapproximation mono dimensionnelle du passage de courant utilis dans le TLM (c.--d. une ligne verticale de transmission de mtalsemi-conducteur caractrise par c et une ligne horizontale de transmission lintrieur
du semi-conducteur caractris par RS ) ne tient pas compte de leffet dencombrement du

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

courant. Cet effet, qui devient important lintrieur du semi-conducteur aux bords du
contact, rsulte de la nature bidimensionnelle de lcoulement du courant. Il a prsent
dans [Pim86] un modle alternatif au modle TLM dans lequel la nature bidimensionnelle
de lcoulement de courant est considre. Il est observ quavec RS = RS0 , les valeurs de
Rc et de Rend calcules sont plus importantes avec ce modle quavec celles calcules par
TLM.
Comme lapproximation par TLM a t employe dans cette tude an de modliser
la rsistance du contact ottant RFC , les valeurs RS dtermines ou des valeurs de c sont
probablement surestimes.
Cependant, il est important de noter que la mesure physique de la rsistance de dispositif avec petite longueur de contact dmontre que RS doit tre plus grand que RS0 indpendamment de lapproximation employe (R(160, 0.2) compar R(0, 0) dans la gure
3.9).
Nous ne pouvons pas carter lexplication suivant laquelle la valeur de RS suprieure
RS0 aurait t cause par le processus de fabrication du dispositif.
En fait, quand nous supposons une rsistivit du matriau massif, la diffrence entre
les valeurs dtermines de RS et de RS0 pour le contact dpos correspond une rduction
denviron 17 nm de lpaisseur du semi-conducteur dop sous le mtal.
Cette gravure involontaire pourrait avoir eu lieu par exemple pendant la dsoxydation
de lchantillon par la solution de HCl/H2 O (20:80) avant mtallisation.
Cependant, les essais dimmersion de GaAsSb dans la solution de HCl/H2 O pendant
un temps deux fois plus long nont donn aucune gravure mesurable (c.--d. profondeur
142

ngligeable compare 17 nm).

3.2.4

Conclusions sur la mesure de contact ohmique

La mthode FCTLM (Floating contact transmission line modelling) pour la mesure des
contacts ohmiques a t rappele. La mthode est base sur un mesure de la rsistance des
contacts ottants de longueur variable entre deux plots de mesure. Lutilisation de la mthode FCTLM est aussi simple que celle de la mthode TLM classique. Comme les contacts
ottants ne sont pas supposs tre quipotentiels, la mthode est applicable un plus grand
nombre de situations relles. En conclusion, comme les contacts ottants peuvent tre ren-

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

dus trs courts, il est possible didentier avec une excellente prcision les paramtres du
contact, mme dans le cas o la longueur de transfert (LT ) est trs petite.
Des contacts ottants de diffrentes longueurs (la plus faible tant de 0.25 m) ont t
raliss pour caractriser le contact non diffusif de Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb p+ . Nous avons
obtenu des mesures prcises et pertinentes de la longueur de transfert et de la rsistance
carre du semi-conducteur sous le contact avant et aprs le processus de diffusion qui a eu
lieu.
La prcision de la mthode nous a permis de dtecter pour la premire fois une augmentation de rsistance carre du semi-conducteur sous le contact avant que la diffusion
du mtal devienne importante. Deux explications possibles ont t examines, cependant,
dautres investigations sont ncessaires an de comprendre lorigine de ce phnomne.

3.3

Procd de fabrication pour TBH de petites dimensions.

Nous prsentons dans cette section le dveloppement du procd technologique pour

raliser des transistors de petites dimensions dans la conguration E-up. Aprs un bref
rappel du procd C-up, nous prsenterons ladaptation de ce procd aux structures Eup. Une amlioration importante a t la matrise du prol rentrant du contact metteur en
tungstne. Ce prol rentrant est crucial pour un procd auto-align, car il vite tout court143

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 3.12: Schma du transistor C-up entierement auto-align avec le collecteur en tungstne [Mat96a] [Dem01].
circuit entre lmetteur et la base. De plus, la matrise dune distance courte (ici 200 nm)
entre la zone active et la mtallisation de base est essentielle car elle forme une rsistance
supplmentaire dans le circuit de base. Aprs une prsentation gnrale du procd de
fabrication thorique, nous dtaillerons les difcults rencontres, ainsi que les solutions
que nous y avons apportes.

3.3.1

Procd C-up auto-align

Une coupe schmatique du transistor C-up avec collecteur en tungstne est prsente
dans la gure 3.12. Les concepts principaux du procd C-up sont les suivants.
Tout dabord, cest un TBH collecteur Schottky faible temps de transit base collecteur. Le collecteur mtallique est dpos sur lempilement des couches pitaxies et forme
ainsi un TBH dans la conguration C-up.
An de rduire les capacits et rsistances parasites, un procd compltement autoalign a t dvelopp ; les dimensions latrales de la zone active du transistor (cest dire
metteur, base et collecteur) sont dnies avec une seule lithographie (celle de niveau 1
avec la dimension de la base). On dnit ensuite les dimensions dmetteur et de collecteur
144

 laide de gravures (et de sous-gravures) chimiques slectives.

La sous-gravure profonde de la couche dmetteur est indispensable pour obtenir un
gain en courant. Dans cette structure la capacit parasite de la jonction base-collecteur est
extremement rduite.
Les contacts ohmiques des trois lectrodes (metteur, base, paississement du collecteur
Schottky) sont dposs simultanment. On utilise le contact non diffusant Pt/Ti/Pt/Au qui
donne des valeurs de rsistance spcique satisfaisantes sur InGaAs dop n+ et p+ .
Le tungstne qui est utilis comme collecteur permet aussi de crer une hauteur verticale importante qui a deux emplois. Premirement, elle cre une discontinuit verticale

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

entre le contact de base et celui du collecteur pendant le dpt du contact ohmique assurant
ainsi leur isolation lectrique. Deuximement, elle permet la construction darche de pont
air pour les sorties de contact.
Les sorties de contact par des ponts air collecteur et base ncessitent de grandes arches
de ponts (Fig. 3.12). Celles-ci sont ralises avec la technique de uage de rsine. Les
sorties de contact sont galement dposes simultanment sur les trois lectrodes.
Le transistor est orient selon les axes [100] et [010], cest--dire 45 par rapport au
mplat principal. Ceci permet de crer un prol droit de anc dmetteur en InP lors de la
gravure chimique par les solutions base de HCl ainsi que dobtenir une bonne isotropie
de la surface active du transistor [Mat96a] [Mat99].

3.3.2

Adaptation du procd C-up pour une structure E-up

Lexamen du procd C-up (Cf. 3.3.1) montre quil peut tre adapt la fabrication de
TBH E-up. Dans cette section, les deux modications principales sont :
La gomtrie des sorties de contact
Lutilisation du tungstne comme contact ohmique dmetteur est dcrite et discute
avant de dcrire lensemble du procd dans la section suivante (3.3.3)
3.3.2.1

Sorties de contact

Deux congurations de mesure lectrique sont couramment employes : montage en

metteur commun ou en base commune. An de mesurer les TBH dans un montage de
145

Ponts a air

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Tungstene

F IG . 3.13: Schma du transistor E-up vis avec quatre ponts air dont deux ponts de base,
un pont dmetteur et un pont de collecteur.

lignes coplanaires, llectrode de rfrence doit avoir deux sorties de contact distinctes.
La gure 3.14 montre le schma du transistor superpos avec le niveau de sortie de
contact pour la conguration metteur commun (a) et base commune (b). Une contrainte
de notre jeu de masques existant (conu pour C-up) est que les lectrodes communes sont
de part et dautre de la longueur des dispositifs. De la gure 3.14, nous observons que la
conguration base commune possde des avantages par rapport celle en metteur commun :
Dans la conguration metteur commun, la rsine de mtallisation doit tre aligne
prcisment dans la largeur du doigt dmetteur dont la taille est infrieure 1 m.
Comme nous utilisons la lithographie optique conventionnelle pour lalignement de
ce masque, cette contrainte rend lalignement trs difcile raliser.
Dans la conguration base commune lmetteur est contact par sa longueur, ce qui
dune part rduit la contrainte dalignement, et dautre part permet une plus grande
surface de contact. Une grande surface de contact permet daugmenter la densit de
courant par une meilleure thermalisation.
Pour ces raisons, nous avons choisi la conguration base commune.
146

147
vit. De la mesure de TLM, nous avons constat une rsistance de contact entre W/InGaAs
De plus, le contact ohmique entre tungstne et InGaAs prsente une trs faible rsistidu contact de base sur la mesa dmetteur.
sible dobtenir des prols rentrant permettant de matriser un procd dauto-alignement
chimique soit par voie sche (RIE). Nous verrons par la suite quil est galement postne doit tre dpos par pulvrisation cathodique puis slectivement grav soit par voie
Ainsi, compar aux mtallisations base dor qui sont dposes par lift-off, le tungspar Lahav [Lah89] au Laboratoire Bell AT & T en 1989.
utilisation pour le contact ohmique dmetteur dans un procd auto-align a t dmontr
C-up dans lesquels il constitue un collecteur Schottky [Pel93]. Toutefois lintrt de son
Motivation dutilisation contact metteur en tungstne
(b)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Le tungstne est employ au LPN depuis 1993 dans la fabrication de TBH auto-aligns
3.3.2.2

tre positionne dans la longueur de dispositifs.

Une contrainte notre jeux de masque existant est que llectrode qui est commune doit
F IG . 3.14: Sorties de contact pour conguration (a) metteur commun (b) base commune.
(a)

dop n+ cohrente avec les valeurs de la littrature.

Dautre part le tungstne possde un caractre rfractaire. Il est ainsi possible, si ncessaire, de raliser un recuit haute temprature (jusqu 700 C [Lah89]). De mme, ce
contact supporte un chauffement pendant un fonctionnement trs forte densit de courant
[Mat96a].
Enn, la vitesse de gravure du tungstne est trs infrieure (

20) celle dInGaAs

et dInP dans les solutions chimiques utilises pour graver les semi-conducteurs [Dem01]
[Mat96a]. Cette slectivit facilite grandement le procd puisque pendant la gravure du
semi-conducteur, le tungstne peut tre expos, voire servir de masque. En rsum le

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

contact dmetteur en tungstne assure plusieurs rles dans la fabrication des TBH autoaligns :
Bon contact ohmique.
Masque de gravure
Auto-alignement du contact de base
Aide la constitution des ponts air servant de sortie de contact.

3.3.2.3

Contact metteur en tungstne pour procd auto-align

Nous avons toutefois constat une incompatibilit de lutilisation du chapeau en tungstne tel quil est dvelopp dans le procd C-up. En effet, la dnition du contact de
tungstne en utilisant une RIE chlore (Cf. Section 3.3.3 tape 1c-d) suivie par la sousgravure chimique avec la solution base de KOH entrane un prol du tungstne avec un
anc sortant (Cf. Figure 3.15). Ce anc sortant pourrait amener des courts-circuits entre
lmetteur et la base lors du dpt du contact ohmique (tapes 5d et 6d dcrits en 3.3.3).
Nous avons donc dvelopp un nouveau procd pour obtenir un contact de tungstne
prsentant des ancs inverss. Il sagit principalement dinsrer une tape de gravure et de
sous-gravure profonde (de lordre de 0.6 m) de la couche semi-conductrice (InGaAs du
contact metteur) en dessous du tungstne, pendant ltape de la sous-gravure chimique du
tungstne. Celle-ci permet de dgager un espace sufsamment grand pour que la solution
chimique puisse graver le tungstne selon plusieurs angles dattaque (Cf. Fig. 3.16). En
effet pour un temps de gravure correctement choisi un prol anc rentrant est obtenu (g.
148

F IG . 3.15: Prol du tungstne ralis avec enchanement de la RIE chlore suivie par la
sous-gravure chimique. On constate un anc sortant qui nest pas compatible avec le procd E-up car il pourrait amener des courts-circuits entre lmetteur et la base lors du

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

dpt du contact ohmique.

3.16).

3.3.2.4

Optimisation du prol du contact en tungstne

Nous allons nous attacher valuer linuence de la dure de la sous-gravure additionnelle du tungstne sur le prol obtenu. Nous souhaitons matriser le prol du surplomb
de tungstne pour deux raisons. Premirement, la distance d entre le contact de base et la
zone active (Cf. Fig. 3.2) doit tre minimise car elle contribue de faon prpondrante la
rsistance de base et par l aux performances du transistor ( fMAX ).
Deuximement, on souhaite avoir une hauteur h du surplomb qui soit maximale an de
pouvoir dposer des mtallisations (contact ohmique et ponts air) paisses. Ceci est ncessaire pour permettre la rduction des rsistances lectriques (contribution aux rsistances
daccs Re , Rb , Rc ) et thermiques (thermalisation de la partie suprieure du transistor).
Les gures 3.17 montrent lvolution du prol du tungstne en fonction du temps de
sous-gravure additionnelle du tungstne ralise aprs la sous-gravure denviron 0.6 m de
la couche en InGaAs.
Sur un mme chantillon des contacts en tungstne sont raliss jusqu ltape prcdant la gravure nale du tungstne permettant dobtenir les ancs rentrants. Lchantillon
est ensuite cliv de faon raliser sur chacun des morceaux ltape de gravure nale pendant un temps variant de 0 40 s. Aprs retrait de la rsine une ne couche dor est dpose
par vaporation sous vide (procd anisotrope) an de projeter le bord du contact de tungs149

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

(a)

(b)

(c)
F IG . 3.16: Enchanement du procd permettant dinverser le anc de tungstne. Dans
toutes les gures on garde le masque en rsine. (a) Flanc sortant aprs ltape de la gravure sche suivie par la sous-gravure chimique. (b) Etape de gravure et de sous-gravure
profonde de la couche en InGaAs (c) Flanc rentrant obtenu aprs la sous-gravure chimique
additionnelle du tungstne.

150

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

t= 0s

t= 10s

t= 20s

t= 30s

t= 40s
F IG . 3.17: Evolution du anc de contact en tungstne en fonction de la dure de sousgravure additionnelle.

151

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

dlar

InGaAs
Extungstene

dlong

Region externe (Mesa de base)

F IG . 3.18: Mesure des dimensions latrales d (entre bord externe du chapeau de tungstne
et bord du mesa en InGaAs). Aprs la sous-gravure additionnelle du tungstne (ici t = 20 s)
une ne couche dor a t dpose (marque par projection des bords du tungstne) puis la
couche de tungstne a t entirement dcap pour faire apparatre le mesa en InGaAs.

tne sur la surface du semi-conducteur. Aprs dcapage complet du tungstne, la surface

de lchantillon au voisinage dun dispostif prsente trois rgions (g. 3.18), qui sont :
Mesa de la couche dInGaAs
Rgion intermdiaire (projection du bord du tungstne)
Rgion mtallise externe (dont la dimension est dnie avec la lithographie niveau
1 mesa de base).
La distance d cherche est alors mesure au MEB sur chaque dispositif entre le bord interne
du dpt dor et le bord externe du mesa en InGaAs (Figure 3.18).
Sur la gure 3.19 sont prsentes les distances latrales et verticales (extraites des me152

Distance entre W et InGaAs (m)

1.2
Distance laterale (en largeur)
Distance laterale (en longueur)
Distance vertical

1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
0

10

15

20

25

30

35

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Temps de sousgravure additionelle du W (s)

F IG . 3.19: Distances latrales et verticales entre les couches dInGaAs et de tungstne en
fonction de la dure de la sous-gravure additionelle.

sures sur 8 transistors de dimensions diffrentes) en fonction du temps de sous-gravure

additionnelle de la couche de tungstne. Deux distances latrales sont prsentes ; celle
mesure dans le sens de la largeur et celle mesure dans le sens de la longueur du transistor. On note que les barres derreur associes ces deux mesures se superposent, mme si
les valeurs moyennes montre une distance latrale plus petite en largeur quen longueur.
Ceci peut tre d aux effets de bords plus importants perpendiculairement la longueur
de dispositif. Nous concluons que les deux distances latrales sont gales la prcision de
notre exprience.
Nous constatons que la distance latrale d tend sannuler pour des dures suprieures
trente secondes de sous-gravure. Comme une distance verticale suprieure 0.4 m est
sufsante pour notre procd, car elle permet un dpt de ponts air avec une paisseur de
0.3 m, nous avons x le temps de sous-gravure additionnelle du tungstne vingt deux
secondes. Les distances attendues sont d = (0.2 0.1) m en largeur et d = (0.3 0.1) m
en longueur.
153

3.3.3

Technologie metteur-up entirement auto-aligne

Dans cette section, nous prsentons le procd de fabrication dun transistor de petites
dimensions avec une structure E-up. Il est prsent ici pour un transistor ayant un metteur
en InGaAlAs. Chacune de ces tapes est brivement dcrite ci aprs et illustre dans la
gure 3.20.

Couche

Matriau

Dopage

Epaisseur

(cm3 )

(nm)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Contact Ohmique

InGaAs:Si

21019

100

Sub-metteur

InP:Si

11019

50

Emetteur

InGa0.20 AlAs:Si

51017

60

Base

GaAsSb:C

3.61019

40

Collecteur

InP:Si

51016

160

Sub-collecteur

InP:Si

11019

200

Couche darrt

InGaAs:Si

11019

30

Couche darrt

InP:Si

11019

30

Contact Ohmique

InGaAs:Si

11019

100

Contact Ohmique

InP:Si

11019

250

Buffer

InP

nid

50

Substrat

InP:Fe

TAB . 3.3: Lempilement de couche de H7466, TBH avec metteur en quaternaire

Aluminium.
Le procd contient 6 tapes principales.
1. Dnition des dimensions de la base
(a) Dpt de tungstne par pulvrisation ( Thales R&T, Orsay) sur lensemble de
la plaque.
(b) Plots de rsine dnis par lithographie positive (masque de niveau 1 mesa de
base)
154

(c) Gravure sche de la couche de tungstne par RIE utilisant le gaz SF6 . Les paramtres utiliss sont dbit de SF6 10 sccm, pression 30 mTorr, tension de polarisation 55-60 V, puissance 10 W. Ces paramtres sont optimiss pour obtenir un
anc de Tungstne le plus vertical possible (gravure anisotrope) [Dem01].
(d) Gravure chimique des couches semi-conductrices jusquau collecteur utilisant
des solutions chimiques slectives H3 PO4 :H2 O2 :H2 O (3:1:40) pour les couches
darsniures et HCl :H3 PO4 (1:100) 60 C pour lInP [Mat96a] [Dem01].
2. Dnition du doigt dmetteur
(a) Sous-gravure chimique de la couche de tungstne. Solution utilise est prpare

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

dans les proportions suivantes : 33 g KOH ; 13.4 g KH2 PO4 ; 34 g K3 Fe(CN)6 ;

11 cm3 H2 0 [Mat96a]. On vise une sous-gravure de 1.5 m.
(b) Gravure et sous-gravure de la couche en InGaAs (0.5 m) par une solution
dacide citrique:hydrogne peroxyde dont la concentration est de (1:1).
(c) Sous-gravure additionnelle de la couche de tungstne avec solution tungstne
dcrite en tape 2(a) ; le temps de gravure est de 22 s.
(d) Gravure de la couche du contact metteur en InP.
(e) Dissolution du masque de rsine.
Ltape de construction du doigt dmetteur est nie. A ce stade du procd la couche
en InGaAlAs de lmetteur est maintenue intacte pour conserver lensemble des
deux couches (InGaAlAs et GaAsSb) une paisseur sufsante (i.e.>100 nm) pour
maintenir la casquette de base lors de la sous-gravure profonde (2 m) du collecteur
de ltape suivante.
3. Constitution du doigt de collecteur
(a) Encapsulation de la couche contact metteur en InP par de la rsine an de la
protger lors de la sous-gravure du collecteur en InP.
(b) Gravure et sous-gravure profonde du collecteur en InP ; on cherche laligner
avec le haut de surplomb en tungstne.
(c) Encapsulation du doigt de collecteur avec de la rsine.
155

(d) Polymrisation de la rsine dencapsulation par un recuit 190 C pendant 40

minutes.
4. Gravure de couche dmetteur
(a) On grave simultanment la couche en InGaAlAs de lmetteur ainsi que la premire couche darrt en InGaAs avec la solution dacide citrique:hydrogne
peroxyde dont la concentration est de (2:1).
(b) Puis, on grave la deuxime couche darrt en InP pour atteindre la couche du
contact collecteur en InGaAs.
La dnition des zones actives du transistor est termine. Le transistor est prt

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recevoir un dpt de contact ohmique sur les trois lectrodes.

5. Mesa disolation & contact ohmique
(a) Photolithographie positive (masqueniveau 2 mesa disolation du transistor).
(b) Gravure des couches de contact collecteur jusquau substrat en InP avec une
solution non slective de HBr:H2 O2 :HCl:H2 0 (15:1:5:150).
(c) Photolithographie ngative (masque niveau 3 mtallisation du contact ohmique).
(d) Dpt des contacts ohmiques constitus de lempilement Pt/Ti/Pt/Au dpaisseur 15/20/30/50 nm.
Le transistor est ralis ; il reste laborer les contacts vers lextrieur avec des ponts
air.
6. Sorties de contact par ponts air
(a) Photolithographie positive (masque niveau 4 arches de pont air en rsine).
(b) Recuit de rsine 140 C pendant 8 minutes pour adoucir les ancs de la rsine.
On obtient alors des arches de ponts arrondies vitant ainsi les risques de rupture
des ponts.
(c) Photolithographie ngative (masque niveau 5 dpt de pont air).
(d) Dpot des ponts air constitus de lempilement de mtaux Ti/Au 20/300 nm.

156

cription du procd (Section 3.3.3)

6(a-b)

157















3(c-d)



Tungsten





5(a-b)




2(c-e)

2(a)



1(a-b)

Emetteur
Base



Tungsten

Tungsten

Emetteur
Base

Collecteur

Collecteur

Emetteur
Base

Emetteur
Base

Emetteur
Base

Collecteur

1.5 um

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Tungsten

Emetteur
Base
Emetteur
Base

Tungsten

Collecteur
Collecteur

1(c-d)

Tungsten
0.5um
Tungsten

Collecteur

Emetteur
Base

Collecteur

2(b)
Tungsten

Collecteur
Emetteur
Base

Collecteur

3(a-b)
Tungsten

Emetteur
Base

Collecteur

Tungsten
Tungsten

Emetteur
Base

Collecteur

5(c)

Tungsten

Emetteur
Base

Collecteur

6(c)

F IG . 3.20: Enchanement des tapes du procd de fabrication des transistors E-up. Lmet-

teur en quaternaire aluminium. La numrotation des gures correspond celle de la des

3.3.4

Les difcults rencontres dans le procd E-up auto-align

La faisabilit de lenchanement du procd a t dmontre sur la plaquette H6697.

Dans cette section, on prsente les difcults observes ainsi que les amliorations proposes lors de la ralisation du transistor.

3.3.4.1

Rduction de la dimension de la base

Lors de la dnition des dimensions de la base par la gravure chimique (tape 1(d)),
les couches graves sont aussi sous graves. De plus, pour les couches darsniure sajoute

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la sous-gravure rsultant de limmersion dans lacide citrique ncessaire pour crer le surplomb de tungstne (tape 2(b)). En consquence, les dimensions externes de la base sont
nettement rduites par rapport la dimension nominale inscrite par la rsine (gure 3.21(a))
ce qui rend les lithographies des niveaux IV et V trs difciles.

(a)

(b)

F IG . 3.21: (a) Forte rduction de la dimension de base cause par les gravure et sousgravure chimiques des couches darsniures. (b) Amlioration du procd par inversion de
lordre des gravures chimiques.

Pour rsoudre cette difcult, nous avons scind en deux la premire tape de dnition
des dimensions de la base. Tout dabord, la gravure est stoppe au niveau de la couche du
sub-metteur en InP. Ensuite, on enchane par la construction du chapeau de tungstne 2(a)(c). Enn, on termine la gravure jusqu la base en utilisant la couche du contact metteur
en InP comme masque. Le procd ainsi modi nous permet de maintenir les dimensions
externes de la casquette de base des valeurs trs proches des dimensions nominales (gure
3.21(b)).
158

3.3.4.2

Affaissement de la casquette de base aprs la gravure dmetteur.

Les photographies suivantes (gure 3.22) montrent un transistor aprs la n de la constitution du collecteur (tape 3d). Aprs la sous-gravure profonde de la couche dInP du

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(a)

(b)

F IG . 3.22: (a) Transistor issu de la plaquette H6697 (metteur InAlAs), la n de ltape

3(d) (la n de constitution du collecteur). Le doigt du collecteur est encapsul par la rsine
polymrise avec un retrait de la rsine dencapsulation de 0.4 m. (b) Affaissement de la
casquette de base aprs la gravure de couche metteur (tape 4).
collecteur (tape 3b) la tenue mcanique du surplomb est assure par lpaisseur totale
(100 nm) des deux couches InGaAlAs (metteur) et GaAsSb (base). Avant de retirer la
couche dInGaAlAs pour dposer le contact de base, lensemble est consolid en remplissant le volume sous le surplomb de base par de la rsine photosensible. Celle-ci est ensuite
insole, dveloppe, puis polymrise, laissant ainsi dans lespace dsir un matriaux rigide propre soutenir le surplomb de la base. Cest le procd dencapsulation (tape 3c).
Lors du dveloppement on observe un retrait denviron 0.4 m par rapport aux bords
extrieurs de la casquette de base. Celui-ci est d au temps de dveloppement prolong
rendu ncessaire pour enlever la rsine sous le surplomb en tungstne.
Une fois effectue la gravure de la couche dInAlAs (metteur), la partie de la base qui
nest pas soutenue par la rsine se courbe profondment. Cette courbure engendre invitablement un court-circuit entre la base et le collecteur.
Nous avons contourn ce problme en rduisant le temps de dveloppement de la rsine
du collecteur, diminuant ainsi la profondeur du retrait de rsine sous la base. En consquence nous gardons la rsine dencapsulation dmetteur sous le chapeau en tungstne.
159

3.3.4.3

Tenue mcanique de la casquette de base (Structure avec la base contrainte).

Ce problme a t mis en vidence lors de ltape 3(b) de la construction du collecteur

pour la structure H7466 ayant une base contrainte. En effet, la concentration dantimoine
de la couche de base en GaAsSb est de 0.36 au lieu de 0.49 pour une structure en accord
de maille avec InP.
Les photographies suivantes (g. 3.23) montrent la situation du transistor au dbut de
la sous-gravure du collecteur (sous-gravure estime 1 m). On constate un affaissement
de la casquette de la base constitue des couches metteur et base dont lpaisseur totale
est de 100 nm.

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Cet affaissement est occasionn par le dsaccord de maille de la couche de base. En effet
la base est en tension (xSb = 0.36) par rapport la couche dmetteur en InGaAlAs qui est
laccord de maille avec InP. Aprs la sous-gravure de la couche dInP collecteur (tape
3b), la diffrence de paramtre cristallin entre les deux matriaux constituant la casquette
de base, courbe celle-ci de faon mettre le matriau de plus faible paramtre cristallin
(dans notre cas, la base) cot concave. Ceci engendre un court-circuit entre la base et le
collecteur.

(a)

(b)

F IG . 3.23: Affaissement de la casquette de base lors de ltape de sous-gravure du collecteur (ech. 7466) (a). An de permettre une sous-gravure complte du collecteur on insre
une couche tampon en InGaAlAs qui soutiendra la base lors de la sous-gravure du collecteur (ech. H7515) (b).

Nous avons rsolu ce problme par deux approches diffrentes.

1. Tout dabord en ralisant des transistors sur H7466 sans sous-graver la couche en InP
du collecteur.
160

2. En modiant la structure du transistor pour rendre symtriques les contraintes prsentes dans la casquette de base cette tape (chantillon H7515).
Notons quune base non contrainte (xSb = 0.49) pourrait galement tre une solution ce
problme. Cependant, les tudes pralables faites sur des transistors de grandes dimensions
ont montr un comportement statique plus favorable lorsque la base est pauvre en antimoine
(xSb < 0.49) (Cf. Section 2.4.2). Nous navons donc pas retenu cette solution qui aurait
ncessit un dveloppement spcique des conditions dpitaxie.
La modication apporte dans la structure H7515 consiste introduire une seconde
couche de quaternaire InGaAlAs entre la couche de base et celle de collecteur en InP. La

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sous-gravure chimique slective de lInP laissera cette couche intacte, elle fera donc partie,
dun point de vue mcanique de la casquette de base. Dun point de vue lectrique, elle est
faiblement dope n, elle fait partie du collecteur.
Lors de la constitution du doigt de collecteur (tape 3) la casquette de base est forme
dun empilement symtrique QAl /GaAsSb/ QAl par rapport au plan mdian (QAl dsigne
lalliage InGaAlAs). Les forces tendant courber la casquette vers le bas (couple QAl /
GaAsSb) squilibrent avec celles qui tendent la courber vers le haut (couple GaAsSb
/QAl ). Ainsi, la casquette est plane (gure 3.23b).
3.3.4.4

Lalignement de masque niveau IV

Les dimensions de lmetteur du transistor ralis tant submicroniques, lutilisation de

trois grands ponts air ncessite un alignement trs prcis lors de la ralisation du niveau
de sortie de contact. Ainsi, les rsines qui serviront comme arches de ponts air doivent
tre positionnes avec une prcision de 1 m.
Celle-ci est trs difcile effectuer avec laligneur existant au laboratoire (Karl Suss :
MJB3) car il est quip de lentilles relativement faible grossissement (300) et son usure
ne permettent plus de garantir le maintient des positions (x, y) lors des oprations de mise
en contact et de plaquage.
Les photographies ci-dessous (g. 3.24) illustrent la difcult obtenir un bon alignement du niveau IV. Dans la photographie (a), on prsente les rsines ralises avec le
masque de niveau IV. Les deux plots de rsine lextrmit serviront pour larche de pont
161

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

(a)

(b)

(c)

F IG . 3.24: (a) Les trois plots de rsine de arche de ponts air (masque niveau IV). (b) La
superposition de rsine de niveau IV sur le transistor avec un alignement dcal en abscisse.
(c) Alignement de 3 plots de rsine sans dcalage dalignement.

de base, tandis que celui du milieu servira pour larche de pont dmetteur. La photographie (b) montre la superposition de rsine de niveau IV sur le transistor. Ici lalignement
est dcal vers la droite de 0.5 m. Le plot de rsine pour larche de pont de base gauche
occupe toute la surface de la base, au lieu de laisser une place pour laccrochage du pont
air comme sur la partie droite. Malgr ces difcults, nous avons pu raliser grce au
savoir faire de C. Dupuis des alignements satisfaisants (photo 3.24c). Le manque de reproductibilit de cet tape-cl sest malheureusement traduit par un important taux dchec du
process, ralentissant notablement notre tude.
Limplantation dun nouvel aligneur possdant un meilleur systme de contrle permettra de rduire le dsalignement du masque. Lutilisation de lithographie lectronique pour
162

cette tape pourrait galement tre envisage.

3.3.4.5

Superposition des rsines de niveau IV et V

Lutilisation des ponts air pour les sorties de contact ncessite demployer simultanment deux rsines. La premire est la rsine du niveau IV sur laquelle seront dposes les
arches de ponts air. Cette rsine ralise par lithographie positive est recuite an dadoucir son anc. La seconde est la rsine du niveau V qui permettra le dpt des ponts air.
Elle est ralise par lithographie ngative. Les deux rsines doivent satisfaire les conditions
suivantes an que les ponts air puissent tre dposs :

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1. Lpaisseur de la rsine de niveau V une fois dpose doit tre plus importante que
celle de niveau IV. Cette condition rsulte du fait que, lors du dpt mtallique des
ponts air, il est ncessaire davoir une diffrence de hauteur importante entre la zone
mtalliser (dnie par la rsine de niveau V) et le haut de larche de pont (dnie
par la rsine de niveau IV). Cette diffrence de hauteur doit tre de lordre de 3 4
fois lpaisseur totale de mtal dposer.
2. Comme la rsine de niveau V est dpose aprs celle de niveau IV, le dveloppeur de
la rsine de niveau V ne doit pas interagir avec la rsine niveau IV.
On utilise la rsine Shipley S-1828 pour raliser le plot de rsine du niveau IV. Son paisseur sur une surface plane lors dun dpt avec une vitesse denduction de 4000 Tr/min est
de 2.8 m. Toutefois, nous avons observ une augmentation de lpaisseur de cette rsine
allant jusqu 3.4 m. Ceci est d au relief du dispositif qui est de lordre de 2.2 m.
Cette augmentation dpaisseur de la rsine du niveau IV sur le transistor rend impossible lutilisation de la rsine Shipley 310i habituellement utilise comme rsine de niveau
V. En effet lpaisseur de celle-ci (mesure sur une surface plane et avec vitesse dinduction
de 4000 Tr/min) est 1.7 m. Lpaisseur de la rsine peut tre augmente par un accroissement du nombre de dpts ou par la diminution de la vitesse denduction. Toutefois, nous
avons constat limpossibilit de raliser plus de 2 dpts successifs avec cette rsine. Ds
lors, lpaisseur totale obtenue varie entre 2.8 et 3 m.
Nous nous sommes donc orients pour le niveau V vers des rsines ayant des paisseurs importantes. Parmi les rsines existantes, nous avons retenu la rsine NLOF 2070
163

HOECHST qui mesure 5.5 m 4000 Tr/min et dont le dveloppeur AZ 400K pur est
compatible avec la rsine S-1828.
Les photographies ci-dessous (g. 3.25) montrent la superposition des deux rsines des
niveaux IV et V. Dans (a), la rsine du niveau V est la Shipley 310i ralise en deux dpts.
Dans (b), on utilise NLOF 2070 HOECHST comme rsine de niveau V. On observe que
lpaisseur de la rsine Shipley 310i nest pas sufsante pour permettre un dpt continu
de la mtallisation. Dans (b) on constate que la diffrence de hauteur obtenue avec la rsine

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NLOF 2070 permet un dpt mtallique pais (i.e. 300 nm).

(a)

(b)

F IG . 3.25: La superposition des rsines des niveaux IV et V. (a) avec la rsine du niveau
V Shipley 310i ralise en deux dpts. On observe que lpaisseur de la rsine nest pas
sufsante pour permettre le dpt mtallique. (b) avec la rsine de niveau V NLOF 2070
HOECHST, on obtient une diffrence de hauteur permettant un dpt mtallique pais.

La ralisation de transistors sur la plaquette H6697 dmontre la pertinence de lensemble des solutions identies pour rsoudre les difcults lies la ralisation de transistors InP/GaAsSb. La photographie suivante (g. 3.26) montre le transistor achev avec
ses sorties de contact par ponts air.
164

F IG . 3.26: Le transistor nalis avec les sorties de contact par ponts air.

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3.4

Comparaison avec les autres technologies de TBH ultra rapides

Pour conclure ce chapitre consacr la technologie et an de confronter la performance

de notre approche ltat de lart, nous nous proposons ici de comparer le procd E-up
dvelopp avec diffrentes technologies recenses dans la littrature.
Nous aborderons trois thmes. Tout dabord, nous allons comparer lapproche entirement auto-aligne utilise ici avec celle plus conventionnelle utilisant un double mesa.
Ensuite, nous analyserons la problmatique de rduction de capacit base-collecteur lie
la rduction de surface de collecteur. Enn nous comparerons les diffrentes techniques
dauto-alignement entre les contacts dmetteur et de base utilises pour rduire la rsistance de base. Nous verrons que la technologie dveloppe dans cette thse permet de
rduire la fois la capacit base collecteur et la rsistance de base, ainsi de raliser un
transistor sapprochant au mieux du transistor idal.

3.4.1

Technologie auto-aligne vs. double mesa

Nous avons vu dans le chapitre I que la gomtrie du transistor joue un rle important
dans la rduction du temps transit et ainsi sur ses performances frquentielles. La gomtrie
idale dun transistor du point de vue de sa rapidit consiste :
1. Egaliser les surfaces dinjection avec celles de collection (Seb = Sbc )
2. Obtenir un rapport maximal de Primtre sur Surface (P/S) (Cf. Section 4.4.7)
165

3. Diminuer la surface dinjection pour augmenter la densit du courant collecteur (S

petit)
Le calcul de limpact de la gomtrie spcique des transistors de petites dimensions dvelopps dans cette thse est dcrit dans la section 4.4.
Nous avons dmontr quen utilisant un procd entirement auto-align, on arrive
obtenir une surface de jonction metteur-base gale celle de la jonction base-collecteur.
Ce qui nest pas le cas de lapproche de la technologie conventionnelle double mesa qui
reste largement utilise dans les ralisations des TBH InP rapides [Kah04].
Les premiers TBH GaAs ont t raliss grce une technologie dite double mesa.

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Cette technologie consiste graver par voie humide ou par voie sche la couche de lmetteur jusqu atteindre celle de la base, puis la couche de la base jusqu atteindre celle du
contact de collecteur. Les mtallisations de contact metteur, de base et de collecteur sont
ensuite dposes par lift-off. Lisolation des transistors individuels sobtient par implantation ionique de bore ou de protons. Cette technique souvent utilise pour les TBH GaAs,
pour lesquels de hautes rsistivits peuvent tre obtenues par implantation, est peu employe pour les TBH InP. Pour ces derniers un mesa supplmentaire est grav pour isoler
les transistors individuels ; cest donc une technologie triple-mesa.
La gure 3.27 illustre la difcult dgaliser les surfaces des jonctions par la technique
double mesa. Le petit rectangle reprsente la mesa dmetteur et le grand rectangle celui
de base. Dans un procd auto-align, les dimensions de lmetteur et du collecteur sont
dtermines par la sous-gravure de la base. Pour une largeur et une longueur de base Lb
et lb et une profondeur de sous-gravure dmetteur sge et du collecteur sgc , la largeur de
lmetteur Le est Lb 2sge et sa longueur le est lb 2sge . Respectivement la largeur du
collecteur Lc est Lb 2sgc et sa longueur lc est lb 2sgc . En appliquant sge = sgc , on
obtient une surface gale dinjection et de collection.
Cette explication vaut pour le cas idal. Dans la pratique on observe quelques diffrences :
La profondeur de sous-gravure peut tre contrle seulement dans le prcision de la
vitesse de sous-gravure chimique (de lordre de 0.2 m/min pour une sous-gravure
InP avec HCl :H3 PO4 ).
166

Lb

Lb
Lc > Le + 2
Le

Le = L c

sg AA

sg DM

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Auto aligne
e

Double mesa

F IG . 3.27: Schma de superposition des mesas metteur et base dans les procds autoalign (gauche) et double mesa (droite)
Il est ncessaire de laisser une marge dans la sous-gravure, pour que sgc sge . Dans
le cas inverse, la surface de collection sera plus petite que la surface dinjection et on
rduit considrablement le gain en courant de transistor.
Il en rsulte que dans la pratique, on laisse toujours une marge dans la profondeur de sousgravure de collecteur (sgAA sge + 0.2 m).
c
Dans le procd double mesa (g. 3.27b), on commence par dnir la dimension de
lmetteur par une premire photolithographie suivie par la gravure des couches dmetteur.
Par la suite, on dnit la mesa de base par la deuxime photolithographie suivie par la
gravure de la base. Les dimensions du collecteur sont ensuite dnies par la sous-gravure
de cette couche partir des dimensions de la base.
Si le masque de la base est dcal par rapport celui de lmetteur lors de la deuxime
photolithographie dune distance (g. 3.27b), la sous-gravure du collecteur quon peut
appliquer sen trouve diminue et lon a sgDM = sgAA . Ici sgDM et sgAA sont respectic
c
c
c
vement la sous-gravure du collecteur pour les procds double mesa et entirement autoalign. Ceci se traduit par une augmentation de la surface de la jonction base collecteur
167

SDM > SAA + 2 (Lb + lb ) qui est dautant plus importante que les alignements sont effectus avec une photolithographie conventionnelle, ( 0.3 m [Kot04]) et que la surface
de la jonction metteur base est faible. Cette augmentation de surface augmente la capacit
de la jonction base collecteur ce qui a pour consquence de diminuer la frquence fMAX du
transistor.
Ds lors, lapproche entirement auto-aligne est plus favorable lgalisation de la
surface des jonctions. Lcart entre les deux procds se rduit avec la diminution de la
contrainte de dsalignement ( ) qui peut tre obtenue par une lithographie plus prcise.
Cest le cas de la lithographie lectronique qui possde une rsolution de lordre de la

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dizaine de nanomtres.
Cest cette approche, difcilement induistrialisable qui est employe dsormais dans
les laboratoires ralisant des transistors rapides. On note la ralisation de TBH InP/InGaAs
avec lutilisation dun masqueur lectronique pour les deux niveaux lUniversit dIllinois Urbana-Champaign aux Etats-Unis. Cette approche permet une forte rduction des
dimensions de lmetteur jusqu 0.354 m2 tout en maintenant un alignement convenable entre les deux niveaux. Une densit de courant 1300kA/cm2 et des performances
frquentielles ltat de lart en 2003 fT = 509 GHz[Haf03], et en 2005 fT > 600 GHz ont
pu tre atteintes [Fen05].
Toutefois on note que la frquence fMAX est infrieure fT dans le transistor de lquipe
de lUniversit dIllinois. Ceci est d la capacit de la jonction base-collecteur associe
la surface du collecteur (g. 3.28). En effet, dans le TBSH InP/InGaAs, comme les matriaux de base et de collecteur sont identiques, le collecteur ne peut pas tre sous grav
slectivement par rapport la base par voie chimique sauf en y insrant des etch stop. Ceci
na pas t entrepris dans leurs travaux.

3.4.2

Technologies permettant daccrotre la frquence fMAX

Une condition ncessaire pour accrotre la frquence fMAX est de rduire la surface de
la jonction base collecteur. En effet, les tudes exprimentales menes dans notre quipe
[Mat96a] [Mat96b] [Dem01] ainsi qu lUniversit de Californie Santa Barbara aux
Etats Unis [Rod95] [Rod98] ont montres que la seule rduction de la surface de collection
168

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 3.28: Coupe et photo MEB de transistor ralis avec un procd double mesa lUniversit dIllinois[Haf032]. Les niveaux de lmetteur et de base de transistor ont t raliss
avec lithographie lectronique an de diminuer la dimension de lmetteur et le dsalignement entre deux niveaux. Une densit de courant 1300kA/cm2 et des performances frquentielles ltat de lart en 2003 fT = 509GHz [Haf03] en 2005 fT > 600 GHz [Fen05]
ont t mesures. Toutefois le fMAX du transistor est toujours infrieur fT cause de la
capacit de la jonction base collecteur associe la surface du collecteur.

169

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 3.29: Schma du TBH collecteur mtallique report de lUniversit de Californie

[Rod98]. Lutilisation du collecteur mtallique avec une surface de collection gale celle
dinjection a permis de diminuer CBC et daccroitre fMAX > 3 fT 400 GHz en 1998.
(la partie n+ du collecteur en semi conducteur ou la surface de mtal dans le collecteur
Schottky) permet de rduire considrablement (facteur 2) la capacit base-collecteur du
transistor, et ainsi daugmenter la frquence fMAX du transistor.
Le schma de la gure 3.29 montre le transistor de lUniversit de Californie ralis
dans le systme InAlAs/InGaAs avec collecteur mtallique report [Rod98]. Lutilisation
du collecteur mtallique avec une surface de collection gale celle dinjection a permis
de diminuer considrablement la capacit base collecteur CBC et daccrotre la frquence
fMAX > 3 fT 400 GHz en 1998 [Rod98].
Pour un TBH metteur-up dont le collecteur est en semi-conducteur, lutilisation dune
sous-gravure qui enlve physiquement le matriau du collecteur sous la base, le remplaant
ainsi par de lair, sest rvle trs efcace pour rduire la capacit base collecteur CBC .
Ceci est d la moindre constante dilectrique relatif de lair (air =1 compar aux InP =
9.6 ou GaAs = 10.9).
Aprs ces premires dmonstrations, la rduction de la capacit base-collecteur a t
utilise pour un TBH InGaP/GaAs [Che97]. La sous-gravure de la partie n du collecteur
a pu tre ralise en insrant deux couches de stop etch en AlGaAs, lune entre la couche
170

de base et la couche n du collecteur, lautre entre la couche n du collecteur et la couche

n+ du contact collecteur. Ceci leur a permis de diminuer par un facteur 2 la capacit CBC et
ainsi daugmenter la frquence fMAX par un facteur 1.38 par rapport aux transistors ayant
un collecteur non sous grav. Ce transistor a atteint une frquence fMAX de 171 GHz, ltat
de lart en 1997 pour les TBH InGaP/GaAs.

3.4.3

Auto-alignement entre les contacts dmetteur et de base

Un des points communs aux procds de fabrication de TBH rapides double mesa
ou compltement auto-align est lutilisation de la technique dauto-alignement entre les

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

contacts dmetteur et de base.

F IG . 3.30: Schma des lments dauto-alignement type T(gauche) et trapze(droite).

Lauto-alignement est rendu possible par la fabrication sur lmetteur dhyperstructures

en forme de T ou de trapze (g. 3.30). La discontinuit verticale (hauteur h) prsente
dans les deux types de structure, permet de raliser en un seul dpt mtallique (i.e. sans
procdure dalignement) les contacts dmetteur et de base.
Lintrt principal de la technique dauto-alignement est quelle permet de rduire la
distance d entre le contact de base et la zone active du transistor dnie par la jonction
metteur-base. En particulier de raliser des TBH dont la distance d est notablement plus
faible (typiquement 0.15 m) que la limite de 0.3 m due la lithographie UV [Kot04]. La
distance d doit tre minimise an de rduire la rsistance de la base et ainsi daugmenter
le fMAX du TBH.
171

Le deuxime intrt est quil est possible daugmenter lpaisseur de la mtallisation

tout en vitant le court-circuit entre lmetteur (respectivement collecteur) et la base. Cela
est obtenu grce la diffrence de hauteur cre (h dans g. 3.30) par lhyperstructure utilise. Ces mtallisations paisses seront mises prot pour rduire les rsistances daccs
tant dun point vu lectrique que thermique.
Plusieurs techniques ont t proposes pour crer des structures dauto-alignement
adaptes aux transistors. On identie trois grandes catgories :

3.4.3.1

Structure dauto-alignement en mtal et semi-conducteur.

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Son principe est quune couche de mtal base dor, qui sert galement comme contact
ohmique dmetteur, est dpose sur la couche du semi-conducteur fortement dope (la
couche de contact). Dans le TBH npn sur substrat InP ou GaAs, cette couche de contact est
gnralement en InGaAs car celui-ci dispose dexcellentes proprits de conduction lectrique (faible masse deffective) et forme linterface mtal/semi-conducteur une barrire
Schottky de faible hauteur (faible bande interdite). On obtient alors une structure dite en T
par la gravure et la sous-gravure chimique du semi-conducteur.
Lintrt de cette technique est quelle permet la matrise de la distance d par la sousgravure chimique du semi-conducteur qui est trs bien contrle sur InGaAs.
On recense nanmoins deux inconvnients majeurs.
Tout dabord, la forme de la mesa ralise avec la gravure chimique dpend de son
orientation cristallographique. En effet la vitesse de gravure chimique dpend de lorientation cristalline de la surface graver. Cette anisotropie peut tre trs importante. Elle varie
trs fortement avec la nature du semi-conducteur (lanisotropie est plus prononce pour
InP que pour InGaAs) et celle de la solution chimique. Cette proprit a bien entendu une
consquence sur la vitesse de gravure (plan [100]). Elle est surtout visible sur la forme des
ancs de mesa (sous-gravure) qui correspondent aux plans cristallins prsentant les vitesses
de gravure les plus faibles.
Un exemple typique est sur les ancs dune mesa en InP obtenue aprs une gravure
par solution base de HCl [Ada93] [Col82]. Cette anisotropie de la gravure impose des
contraintes sur la technologie de fabrication des composants comportant des couches en
172

InP pour lmetteur. Ceci a t mis en vidence autour de 1993 [Pel93][Mas95].

La gure 3.31 montre trois types de anc de mesa dmetteur dans les trois principales
orientations cristallographiques ; [011] perpendiculaire au mplat principal, [011] parallle
au mplat principal et [001] 45 au mplat principal. Les couches dmetteur sont composes dune couche de contact en InGaAs et dune couche metteur en InP. La mesa
dmetteur est obtenue par une mtallisation de Ti/Au et par gravure chimique slective
de lInGaAs (solution H3 PO4 :H2 O2 :H2 O)puis de lInP (solution HCl:H3 PO4 ). On observe
lexistence dun anc rentrant dans les orientations [011] et dun anc droit dans la direction [001]. Ils sont tous deux favorables pour un dpt mtallique simultan des contacts

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

dmetteur et de base, grce la discontinuit cre par la sous-gravure. Par contre dans la
direction [011] la mesa prsente un anc sortant qui nest pas compatible avec une mtallisation auto-aligne car il engendrait des courts-circuits entre metteur-base.
Pour contourner le anc sortant dans la direction [011] il existe deux solutions :
1. Dutiliser une gomtrie rectangulaire orient 45 par rapport au mplat principal.
Les ancs de mesa sont alors dans les directions [001] et quivalentes (Fig 3.31).
2. Dutiliser une gomtrie hexagonale en alignant la mesa perpendiculairement au mplat principale [Mat96c]. Les ancs de mesa sont alors dans les directions [011] et
[001] (gure 3.32).
Lavantage cit de la forme hexagonale par rapport la forme rectangulaire oriente 45 est que la sous-gravure dans la direction [011] est plus faible que celle dans
la direction [001]. En effet les vitesses de gravure selon les directions sordonnent selon
v[001] > v[011] > v[011] . En alignant la longueur de transistor selon [011], on diminue donc
la sous-gravure (la distance d) dans cette direction [Mat96c]. Cette solution propose par
lquipe NTT en 1996 a t adopte par de nombreuses quipes qui travaillent sur le TBH
utilisant lapproche double mesa [Kur98][Haf03][Kah04].
Le deuxime inconvnient de cette technique dauto-alignement est que laugmentation
de la hauteur h est obtenue par laugmentation de lpaisseur des couches de contact. Or,
on souhaite rduire lpaisseur de celles-ci pour rduire la rsistance daccs.
173

[011]

[001]
[011]

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F IG . 3.31: Le trois types de anc de mesa dmetteur dans les trois principales orientations
cristallographiques. La mesa dmetteur sous la mtallisation Ti/Au 220nm compose de
couches InGaAs et InP. On observe un anc sortant dans la direction [011] parallle au
mplat principal qui peut engendrer un court circuit lors du dpt simultan des contacts
ohmiques.

F IG . 3.32: Emetteur de forme hexagonale propos par Matsuoka et. al (NTT, Japon) en
1996 [Mat96c]. On vite le anc sortant dans la direction [011]
174

3.4.3.2

Structure dauto-alignement en semi-conducteur.

Son principe est quen utilisant la proprit anisotrope de la gravure chimique du semiconducteur (InGaAs) on peut obtenir une structure en forme de trapze avec la sous-gravure
(Cf. Fig. 3.30).
Lintrt de cette technique est quon peut contrler la distance d jusqu une valeur
aussi faible que 0.15 m [Kot04]. En plus des inconvnients cits ci-dessus, cette technique
en prsente un autre. En effet la distance d et la hauteur h sont relies par langle que forme
le plan cristallin du anc mesa avec le plan [100]. Dans lexemple ci-dessus la distance d
de 0.15 m est obtenue pour une paisseur de la couche en InGaAs de 0.25 m. Il y a donc

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

une contrainte supplmentaire dans la conception de la structure du transistor.

3.4.3.3

Structure dauto-alignement en mtal.

Son principe est dutiliser le mtal (ou lempilement de plusieurs mtaux) an de crer
la structure dauto-alignement.
La principale diffrence avec la premire technique (Section 3.4.3.1) est que les mtaux
doivent pouvoir tre gravs de faon contrle aprs avoir t dposs. Le tungstne ou
le siliciure de tungstne apparaissent comme de trs bons candidats pour une structure
entirement mtallique.
Cette technique tire avantage des meilleures proprits de conduction lectrique et thermique du mtal par rapport celles des semi-conducteurs.
La technique dauto-alignement que nous proposons dans la section 3.3.2 est incluse
dans ce cadre. Dans cette technique, la rduction de la distance d et augmentation de la
hauteur h sont ralises en contrlant le temps de sous-gravure additionnelle du tungstne
(g. 3.17).
Une autre technique galement dans ce cadre a t propose par lquipe de Hitachi.
Elle consiste crer une structure en T utilisant un empilement de deux mtaux : tungstne et siliciure de tungstne (WSi). Comme le siliciure de tungstne se grave plus de 10
fois plus vite que le tungstne lors dune gravure sche (RIE uore NF3), la sous-gravure
de lempilement W sur WSi prsente naturellement un prol en surplomb. Ainsi des structures avec une paisseur de siliciure de tungstne de 0.35 m et de tungstne de 0.15 m
175

ont t utilises dans les TBH rapides. Elle a permis dobtenir le premier circuit numrique
fonctionnant 40Gb/s [Mas99].
Il est intressant de noter que dans le procd de lquipe de Hitachi, le anc sortant
de la couche dInP parallle au mplat principal (dans la direction [011]) ne constitue pas
un obstacle car il suft de sous-graver sufsamment le mtal infrieur (WSi) pour placer
le pied du anc sortant sous le mtal suprieur (W). De plus il a t report que le anc
sortant dans la direction [011] rduit la distance entre le contact de base et la zone active

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(distance d) [Mas99], comme montr sur les photographies suivantes (g. 3.33).

F IG . 3.33: Transistor de groupe Hitachi avec lment dauto-alignement de forme T compos dempilement de tungstne et de siliciure de tungstne (WSi) [Mas95]. La longueur de
la mesa dmetteur est oriente paralllement au mplat principal (dans la direction [110])
an de proter du anc sortant de couche en InP pour rduire la distance entre le contact
dmetteur et le contact de base.

On note toutefois que cette technique, en ralisant le surplomb par sous-gravure simul176

tane des deux mtaux W et WSi, lie la dnition de la distance d (cart entre les sousgravures) au temps de sous-gravure. Cette contrainte est incompatible avec notre approche
compltement auto-aligne. En effet partir des dimensions externes du transistor (bord de
la casquette de base) dnies par photolithographie (tape 1) les dimensions internes (par
exemple bord du contact dmetteur en W) sont dnies par des sous-gravures profondes
(1.5 m). La technique du groupe Hitachi conduirait dans ce cas une distance d beaucoup

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

trop grande (typiquement 1.35 m).

177

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182

Chapitre 4

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Caractrisations lectriques de TBH de

petites dimensions
Dans ce chapitre nous prsentons les caractrisations lectriques statique et dynamique
des TBH petites dimensions issus de la plaquette H74661 . Les TBH ont t raliss en utilisant le procd technologique dcrit dans le chapitre III, mais sans la sous gravure complte
du collecteur (Cf. Section 3.3.4.3). Tout dabord nous valuons les gomtries des TBH
ainsi que la dispersion de ces gomtries lchelle de lchantillon. La connaissance de
ces dimensions nous permet danalyser les caractristiques statiques et dynamiques intrinsques des TBH et dvaluer les effets parasites lis la gomtrie (rsistances et capacits).
Nous montrons que les performances des TBH sont limites par leffet Kirk. De lanalyse
de leffet Kirk avec la tension de polarisation base-collecteur, nous avons dduit la vitesse
de saturation des lectrons dans la zone de charge despace du collecteur. Une analyse des
mcanismes de leffet Kirk dans lhtrojonction InP/GaAsSb est galement prsente. Enn, partir des valuations des rsistances, des capacits et des temps de transit prsents
dans les TBH raliss, un modle simple de calcul de fT et fMAX est confront aux rsultats exprimentaux. Sa validation nous permet dextrapoler ces rsultats pour des structures
optimises.

1 Lempilement

des couches de H7466 est dcrit dans la section 3.3.3, tableau 3.3.

183

Largeur du contact metteur (W)

Largeur de lmetteur (InGaAs)

Largeur du collecteur (InP)

Largeur de la base

F IG . 4.1: Mesures au MEB des dimensions caractristiques du transistor (ici H7466.3).

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Langle de tilt est proche de 90 degrs

4.1

Dimensions des transistors H7466.3

La dtermination prcise des dimensions des transistors est un point essentiel dans leur
caractrisation, que ce soit pour la mise en vidence dventuels effets lis la gomtrie ou pour la dtermination des densits de courant intrinsques. Dans ce contexte, les
dimensions des transistors ont t mesures au MEB sous un angle de tilt proche de 90
degrs (gure 4.1). Pour chaque transistor un ensemble de huit mesures a t ralis pour
dterminer les longueurs et largeurs :
de la partie suprieure du contact de tungstne
du doigt dmetteur au niveau de la couche dInGaAs
de la casquette de base
du doigt de collecteur au niveau de la couche dInP
Dans la matrice centrale (44), ces huit mesures ont t ralises sur tous les transistors :
24 dispositifs. Nous allons, dans la suite de cette section, voir comment en associant ces
mesures faites au MEB aux caractrisations lectriques, il est possible dobtenir une description prcise des dimensions de chacun des transistors rputs valides de lchantillon.
184

4.1.1

Dimensions de la jonction metteur-base

En ne considrant, dans un premier temps, que les mesures faites dans la matrice 44,
les valeurs moyennes et dviations standard des largeurs et longueurs du doigt dmetteur
(au niveau de la couche dInGaAs) et de la casquette de base ont t calcules. Elles sont
rapportes dans le tableau 4.1 pour les diffrentes gomtries de TBH du process H7466.3 :

Gomtrie

Base

metteur
Largeur

Longueur

Largeur

(m)

(m)

(m)

(m)

5x7

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Longueur
6.80 0.02

4.85 0.06

2.86 0.04

1.16 0.03

5x10

9.73 0.01

4.90 0.02

5.75 0.03

1.18 0.01

5x17

16.55 0.03 4.96 0.03

12.63 0.06

1.32 0.06

5x40

38.81 0.04 5.39 0.03

34.91 0.02

1.82 0.01

5x54

52.26 0.05 5.00 0.03

48.58 0.03

1.41 0.03

6x20

19.59 0.06 5.98 0.01

15.80 0.09

2.43 0.01

7x45

43.64 0.05 7.11 0.06

39.69 0.07

3.40 0.07

8x27

26.31 0.04 8.01 0.02

22.47 0.03

4.35 0.05

TAB . 4.1: Valeurs moyennes et dviations standard des longueurs et largeurs mesures
sur le doigt dmetteur et la casquette de base des transistors de la matrice 44 du process
H7466.3
Les transistors tant raliss par sous-gravures successives (de profondeur totale ssg)
partir des dimensions de la casquette de base. Les longueurs et largeurs du doigt dmetteur
sont relies celles de la base par :
LongEmetteur = LongBase 2 ssg

(4.1)

Les longueurs (resp. largeurs) mesures sur les metteurs sont traces gures 4.2 (resp.
Fig. 4.3) en fonction des longueurs (resp. largeurs) de base. Le comportement linaire de
lquation (4.4) est caractris par un t donnant dans chaque cas la valeur de la sousgravure. On trouve :
185

Longueur mesure dmetteur (m)

e
e

50
Long-E = 1.001 * Long-B - 3.946

45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

F IG . 4.2: Longueur des doigts dmetteur (couche dInGaAs) en fonction des longueurs
mesures de la casquette de base

5.5
Largeur mesure dmetteur (m)
e
e

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Longueur mesure de base (m)

e

Larg-E = 0.994 * Larg-B - 3.606

5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4

Largeur mesure de base (m)

e

F IG . 4.3: Largeur des doigts dmetteur (couche dInGaAs) en fonction des largeurs mesures de la casquette de base

186

Distances mesures sur lmetteur (m)

e
e

12

Long-E = 1.001 * Larg-B - 3.946

Larg-E = 0.994 * Larg-B - 3.606

10
8
6
4
2
6

10

12

14

16

Distances mesures sur la base (m)

e

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

F IG . 4.4: Comparaison des mesures de longueurs avec celles des largeurs dans la partie de
recouvrement

Sous-gravure dans le sens de la largeur : ssg = (1.80 0.06)m

Sous-gravure dans le sens de la longueur : ssg = (1.98 0.03)m
La diffrence observe entre ces deux dterminations est signicative (i.e. en dehors de la
marge derreur) comme on peut le constater gure 4.4 o sont tracs les deux comportements dans la gamme des longueurs communes. Cette diffrence est principalement due
la formation par sous-gravure chimique du contact dmetteur en tungstne. En effet celleci tant limite par la diffusion des espces chimiques dans la solution, elle prsente une
vitesse de gravure plus leve lorsque lenvironnement immdiat prsente moins de matire graver. Dans le cas dun mesa rectangulaire fort rapport daspect, les ancs de
mesa aux extrmits se sous-gravent donc plus vite que ceux situs vers le centre. Ce qui se
traduit par une sous-gravure mesure dans le sens de la longueur plus importante que celle
mesure dans le sens de la largeur.
Bien entendu la vitesse de gravure plus leve observe en bout du mesa ne se limite
pas la gravure dans le sens de la longueur. Cest en fait lensemble de lextrmit du
mesa qui est plus grave, conduisant une forme arrondie de cette extrmit. Pour limiter linuence de cet effet sur la gomtrie du doigt dmetteur, nous avons introduit entre
le contact de tungstne et la couche dmetteur en InGaAlAs une couche dInP. Comme
montr section 3.4.3.1, les ancs de la mesa dInP dans les orientation cristallines [100]
187

et [010] ( 45 au mplat principal) sont plans et orthogonaux la surface [100]. Aprs

gravure de la couche dInP, la forme rectangulaire des mesas dmetteur est donc restaure [Mat96a]. Dautre part lpaisseur de la couche dmetteur en InGaAlAs a t choisie
sufsamment faible pour quelle soit entirement dplte lorsquelle sa partie suprieure
est une surface libre. Dans ces conditions la surface active de la jonction metteur-base est
dtermine par celle de la couche dInP.
Lexploitation des caractristiques lectriques des transistors sera donc faite en considrant des jonctions metteur-base de forme rectangulaire dont les dimensions seront dduites
de celles mesures sur la couche dInGaAs diminue dune sous-gravure isotrope corres-

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pondant celle de la couche dInP. La valeur de cette sous-gravure sera utilise comme
variable dajustement au cours de lexploitation des caractristiques lectriques.

4.1.2

Variations des dimensions de la jonction metteur-base

Les effets de bord (vitesse de sous-gravure plus leve lextrmit des mesas) observs lchelle dun mesa existent galement lchelle de lchantillon, conduisant des
vitesses de gravure et sous-gravure plus rapides au bord de lchantillon quen son centre.
Bien que cet effet soit observable sur les mesures faites au MEB, il est difcile de le caractriser daprs ces mesures. Pour ce faire il faudrait disposer dun nombre de mesures qui
est irraliste obtenir par des observations au MEB.
Pour contourner cette difcult nous avons suppos que laire de la jonction metteurbase est proportionnelle au courant collecteur de la caractristique de Gummel une polarisation o la relation I(V) est une exponentielle (i.e. courant de fuite et effets de rsistance
srie ngligeables). On vriera a posteriori (Cf. 4.2.4) que ce courant est bien proportionnel laire de la jonction. En xant la polarisation Vbe = 0.5 V, nous avons cherch la
surface quadratique dexpression :
f (x, y) = a x2 + b x + c y2 + d y + e x y + f

(4.2)

qui prsente la meilleure adquation au rapport des courants collecteur mesurs au point de
coordonnes (x, y) celui mesur dans la matrice 44. Le rsultat est trac gure 4.5 pour
188

Ic(x,y)/Ic(44)

1.05
1
0.95
0.9
0.85

1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
-18 -16

-14 -12
Y (mm)-10 -8 -6
-4 -2

6 4
10 8 X (mm)
12
16 14

F IG . 4.5: Rapport du courant collecteur mesur dans le dispositif de coordonnes (x, y) au

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courant collecteur moyen mesur au centre de lchantillon. Tous les courants sont mesurs
Vbe = 0.5 V. Les points reprsentent les valeurs exprimentales issues de H7466.3 et la
surface bleue, la surface quadratique f (x, y) prsentant la meilleure adquation avec ces
points.
les transistors 8x27. Conformment ce quon attendait, on constate un gradient assez fort
au voisinage des bords de lchantillon qui introduit une dispersion supplmentaire des valeurs mesures. En effet la distribution des carts relatifs des courants mesurs par rapport
leur valeur moyenne (gure 4.6) prsente plusieurs pics, correspondant des populations
de transistors plus ou moins loignes des bords de lchantillon. La mme distribution
des carts relatifs calcule par rapport la moyenne des courants collecteur mesurs dans
la matrice 44 et corrigs par la fonction f (x, y) prcdemment dnie, montre un seul pic
centr en zro et ayant une largeur totale mi-hauteur denviron 3%. Lexploitation des
caractristiques lectriques des transistors doit donc tenir compte des effets de bords modliss par la fonction f (x, y).

4.1.3

Mthode pour la mesure des dimensions de chaque transistor

En rsum la description des aires de jonction metteur-base sera faite selon le protocole
suivant. Dans la matrice 44 (au centre de lchantillon) les dimensions des doigts dmetteur seront dduites, pour chaque gomtrie de transistor, des mesures faites au MEB pour
189

25
Ic sans correction
Ic avec correction
Distribution (u.a)

20

15

10

0
-0.3

-0.2

-0.1

0.1

0.2

0.3

Ecart relatif a la valeur moyenne

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F IG . 4.6: Distribution des carts relatifs la valeur moyenne des courants collecteurs mesurs dans H7466.3. Sans correction la valeur de rfrence est la valeur moyenne sur tous
les transistors. Avec correction la valeur de rfrence est celle mesure dans la matrice 44
corrige par la fonction f (x, y)

lensemble des transistors de cette matrice sur la couche dInGaAs de lmetteur. Un paramtre ajustable (ssg) sera introduit pour tenir compte de la sous-gravure de la couche dInP
par rapport celle dInGaAs. Dans les autres matrices, les effets lis au bord de lchantillon seront pris en compte par un facteur multiplicatif issu de f (x, y) qui normalisera
lensemble des courants aux aires de jonction metteur-base de la matrice 44.

4.1.4

Distance entre le contact de base et la zone active

La distance entre le contact de base et la zone active (i.e. le doigt dmetteur) joue un
rle important dans le fonctionnement du transistor puisquelle correspond une rsistance
supplmentaire daccs la base. partir des mesures MEB dcrites plus haut, elles ont
t calcules comme la demi diffrence entre les longueurs (resp. largeurs) du doigt de
tungstne et du doigt dmetteur. Les valeurs trouves sont indpendantes de la gomtrie
des transistors et du sens dobservation (longueur ou largeur du mesa). La valeur moyenne
de cette distance est : (0.40 0.01)m.
190

Longueur du doigt de collecteur (m)

55
Long-C = 1.0043*Long-B - 1.45

50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

Longueur de la casquette de base (m)

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F IG . 4.7: Profondeur de la sous-gravure de la couche dInP du collecteur (mesure dans le

sens de la longueur et de la largeur des mesas) en fonction de la longueur de la casquette
base dans le process H7466.3

4.1.5

Sous-gravure InP du doigt collecteur

Les valeurs de la sous-gravure de la couche InP (ssg) ont t values partir des dimensions mesures de la casquette de base et du doigt de collecteur. Le trac des sous-gravures
ainsi obtenues (gure 4.7) montre une assez forte dispersion des rsultats. A lintrieur
de cette dispersion il est difcile de dterminer un comportement diffrent selon que les
mesures sont faites dans le sens de la longueur ou de la largeur. Les valeurs moyennes
sont :
Dans le sens de la longueur : ssg = (0.64 0.02) m
Dans le sens de la largeur : ssg = (0.60 0.02) m
On considrera par la suite une sous gravure isotrope de la couche InP du collecteur :
ssg = (0.62 0.02) m
191

4.2

Caractristiques statiques des TBH de petites dimensions

Un tri grossier bas sur les mesures des caractristiques I(V) des jonctions metteurbase et base-collecteur a permis didentier 398 transistors pour lesquels les caractristiques de Gummel ont t mesures. Pour chacune des populations de transistors mesurs une surface quadratique (quation 4.5) a t mise en adquation avec lvolution des
courants collecteur mesurs Vbe = 0.5V. Le point le plus loign de la surface est alors
invalid et une nouvelle surface est calcule. Ce processus itratif sarrte lorsque tous les

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points prsentent un cart relatif infrieur 4 %. Les rsultats de ce tri sont regroups dans
le tableau 4.2. Le taux assez lev de la population invalide (environ 30 %) est li au seuil
de 4 %. Il a t conserv car il est proche du compromis donnant la meilleure prcision sur
la valeur moyenne ( /N).

Gomtrie

TBH mesurs TBH invalids

TBH valides

5x7

5x10

25

16

5x17

54

23

31

5x40

63

22

41

5x54

51

21

30

6x20

70

22

48

7x45

65

10

55

8x27

70

29

41

total

398

136

262

TAB . 4.2: Nombre de transistors mesurs, invalids et valides pour chaque gomtrie du
process H7466.3.
192

4.2.1

Caractristiques moyennes

Les caractristiques de Gummel des transistors valids ont t exploites laide du

programme GEOM. Les caractristiques moyennes sont traces (gure 4.8) pour les transistors de la gomtrie 8x27. Elles ont t exploites laide dune interpolation non linaire de la forme :
I = I0 exp

qVeb Rs I
nkB T

(4.3)

Les paramtres ajustables des courants Ib (Ib0 , nb , Rb) et Ic (Ic0 , nc , Rc ) obtenus pour le

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meilleur t sont reports dans le tableau suivant :

Courant de base
108 < Ib < 105 A

3 105 < Ib < 103 A

Ib0 (A)

nb

Ib0 (A)

nb

Rb ()

1.098e-10

1.8524

6.750e-16

0.994

33.1

Courant collecteur
3 109 < Ic < 3 102 A
Ic0 (A)

nc

Rc ()

3.952e-14

1.013

1.11

TAB . 4.3: Les paramtres ajustables des courants Ib et Ic obtenus pour le meilleur t de
lquation 4.3
On constate sur les courants Ib et Ic lexistence de composante de fuite, modlise par
des rsistances en parallle de 90 M sur le courant de base et de 640 M sur le courant
de collecteur. La premire est en assez bon accord avec les valeurs des courants de fuite
habituellement observs travers le substrat en InP dans les lignes adaptes damene du
courant. La seconde correspond une fuite plus proche du transistor (montage en base
commune) quil reste identier.
Le courant collecteur prsente un comportement exponentiel pur sur lensemble de la
caractristique. Lidalit est trs proche de lunit et la rsistance srie est trs faible.
Le courant de base prsente deux composantes de courant. Lune, dominante faible
polarisation, prsente une idalit proche de 2 qui laisse penser la prdominance de cou193

0.1
0.01

Ic

H7466.3

0.001

Ib

Courants (A)

0.0001
1e-05
1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Tension metteur-base (V)

e

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F IG . 4.8: Caractristique moyenne de Gummel des TBH 8x27

rants de recombinaison sur des centres profonds dans la zone de charge despace metteurbase (modle SRH). Lautre, dominante trs forte polarisation, prsente une idalit
proche de lunit. On notera que la dtermination de la pente est ici entache dune erreur
importante du fait que cette composante nest dominante que sur une faible dynamique de
courant.

4.2.2

Gain moyen en courant

Le gain moyen en courant est trac (gure 4.9) en fonction du courant collecteur pour
les transistors de la gomtrie 8x27. En accord avec les idalits observes sur Ib et Ic , on
constate une croissance rgulire du gain en courant (pente proche de 0.5) dans la gamme de
polarisation o la composante n = 1.85 domine le courant de base. plus forte polarisation
le gain tend saturer. On attend, plus forte polarisation, un comportement asymptotique
donn par le rapport des courants dominants (environ 58).

4.2.3

Composantes du courant de base

Les composantes de surface et de priphrie du courant de base sont traces gure 4.10
pour les transistors de la gomtrie 8x27. On constate que la composante de priphrie est,
pour les polarisations infrieures Vbe < 0.4 V, trs proche de la composante de surface.
194

100
H7466.3

Gain en courant

10

0.1

0.01
1e-11 1e-10 1e-09 1e-08 1e-07 1e-06 1e-05 0.0001 0.001 0.01

0.1

Courant collecteur (A)

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F IG . 4.9: Gain moyen en courant en fonction du courant collecteur pour les TBH de la
gomtrie 8x27
Dans cette gamme ces deux composantes montrent une idalit voisine qui sera dtermine
plus loin. A forte polarisation (Vbe < 0.45 V), la composante de surface devient de plus
en plus dominante grce lmergence pour ce courant dune composante faible coefcient didalit. A contrario la composante de priphrie garde la mme idalit qu faible
polarisation.

4.2.4

Composantes du courant de collecteur

Les composantes de surface et de priphrie du courant de collecteur sont traces gure

4.11 pour la gomtrie 8x27. La composante de surface est trs fortement dominante pour
les polarisations sufsantes pour rendre la composante exponentielle suprieure au courant
de fuite. Le courant de priphrie est dominant lorsque le courant de fuite est dominant,
lassant penser que la fuite est lie la priphrie du transistor. Pour les polarisations suprieures Vbe = 0.42 V, la composante de priphrie devient ngative. Cette valeur nest pas
signicative car elle est trs faible devant le courant total (environ 3% Vbe = 0.5 V) donc
entache dune erreur importante (larges barres derreur).
En rsum, dans sa partie exponentielle, le courant collecteur est, plus de 95%, proportionnel la surface de la jonction metteur-base. La composante de fuite pourrait tre
lie la priphrie du dispositif.
195

0.001
0.0001

H7466.3

Courants de base (A)

Ib surface
1e-05
Ib priphrie
e
e

1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

F IG . 4.10: Composantes du courant de base en fonction de la tension metteur-base pour

les transistors de la gomtrie 8x27

0.1
0.01
Courants de collecteur (A)

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Tension metteur-base (V)

e

H7466.3

Ic surface

0.001
0.0001
Ic priphrie
e
e

1e-05
1e-06
Changement de signe

1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Tension metteur-base (V)

e

F IG . 4.11: Composantes du courant de collecteur en fonction de la tension metteur-base

pour les transistors de la gomtrie 8x27

196

Densit de courant de priphrie (A.m1 )

e
e
e

0.0001
1e-05

Jc

H7466.3

1e-06

Jb

1e-07
Changement de signe

1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
1e-12
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

Tension metteur-base (V)

e

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F IG . 4.12: Densits de courant de priphrie de la caractristique de Gummel

4.2.5

Densits de courant de priphrie

Les densits de courant lies la priphrie ont t calcules par GEOM pour les
courants de base et de collecteur. Elles reprsentent les courants parasites lis la priphrie du dispositif, elles sont traces gure 4.12. Comme nous lavons dj mentionn
plus haut la composante de priphrie du courant collecteur nest pas signicative. Celle
du courant de base prsente un comportement unique sur toute la gamme de polarisation. Ladquation de lquation 4.3 a permis de dterminer les paramtres ajustables :
Jb0 = 1.03 1012 A.m1 et n = 1.938. Lidalit mesure trs proche de 2, indique pour
cette composante, un mcanisme de recombinaison par lintermdiaire de centres profonds
dans la zone de charge despace metteur-base.

4.2.6

Densits de courant de surface

Les densits de courant lies la surface ont t calcules par GEOM pour les courants
de base et de collecteur. Elles reprsentent les densits de courants intrinsques au composant, elles sont traces gure 4.13. Ladquation de lquation 4.3 a permis de dterminer
les paramtres ajustables :

197

Courant de base
1 1010 < Jb < 107 A/m2

3 107 < Jb < 105 A/m2

Jb0 (A/m2 )

nb

Jb0 (A/m2 )

nb

6.57e-13

1.826

1.11e-17

1.014

Courant collecteur
1 1011 < Jc < 5 104 A/m2
Jc0 (A/m2 )

nc

3.7439e-16

1.008

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

La densit de courant collecteur prsente le comportement dune exponentielle pure sur

lensemble de la gamme de courant mesure. Son coefcient didalit est trs proche de
lunit. Ce comportement est trs proche du cas idal.
La densit de courant base prsente deux comportements. A faible polarisation (Vbe <
0.55 V) le courant est domin par des processus de recombinaisons via des centres recombinants situs dans la zone de charge despace metteur-base (modle SRH). Il sagit
ici dun courant parasite li la qualit des matriaux, en particulier la densit de piges
dans la bande interdite au voisinnage de linterface InGaAlAs/GaAsSb. forte polarisation
(Vbe > 0.55 V) la densit de courant base est domine par une composante exponentielle
dont le coefcient didalit est trs proche de lunit. Cette composante peut donc tre due
soit linjection de trous dans lmetteur soit la recombinaison des lectrons minoritaires
dans la base. La trs forte valeur de la discontinuit de la bande de valence linterface
InGaAlAs/GaAsSb laisse penser quil sagit plutt de la recombinaison dans le volume de
la base. Base sur cette hypothse, la dtermination de la longueur de diffusion partir du
gain maximum (i.e. limit par les recombinaisons dans le volume de la base) :
Ln = Wb

max
2

(4.4)

donne : Ln = 215 nm pour un gain maximum estim 58. Cette valeur obtenue pour un
niveau de dopage mesur par effet Hall NA = 4.6 1019 cm3 est voisine de celle mesure
sur la plaque H6548 (Cf. Section 2.4.4.2), ce qui conforte notre hypothse.
198

Densit de courant de surface (A.m2 )

e

0.001
0.0001

Jc

H7466.3

1e-05

Jb

1e-06
1e-07
1e-08
1e-09
1e-10
1e-11
1e-12
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Tension metteur-base (V)

e

F IG . 4.13: Densits de courant de surface de la caractristique de Gummel

4.2.7

Gain en courant

Le gain intrinsque en courant (rapport des densits surfaciques des courants de collecteur et base) est trac gure 4.14.

4.2.8

Conclusions

Les caractristiques statiques des TBH de petites dimensions mesurs sur lchantillon
H7466.3 se caractrisent par :
Une densit de courant intrinsque (i.e. proportionnelle la surface de la jonction
metteur-base) de collecteur trs proche du cas idal (n = 1.008 et J0 = 3.74
1016 A.m2 ).
Une densit de courant intrinsque de base domine, (i) forte polarisation (Vbe >
0.55 V) par les recombinaisons dans le volume de la base (Ln = 215 nm), (ii)
faible polarisation par les recombinaisons sur les centres profonds au voisinage de
linterface metteur-base.
Une densit de courant de primtre ngligeable (i.e. dans le bruit de la caractrisation) sur le courant collecteur.
Une densit de courant de base proportionnelle au primtre de la jonction metteur199

100
H7466.3

Gain en courant

10

0.1

0.01

0.001
1e-13 1e-12 1e-11 1e-10 1e-09 1e-08 1e-07 1e-06 1e-05 0.0001 0.001

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Densit de courant collecteur (A.m2 )

e

F IG . 4.14: Gain intrinsque en courant en fonction de la densit de courant collecteur

base, relativement importante (environ 35% du courant total Vbe = 0.3 V) faible
polarisation (Vbe < 0.45 V). Cette composante de primtre a la mme origine que
la composante intrinsque correspondante (recombinaisons sur les centres profonds
au voisinage de linterface metteur-base) mais elle est localise la priphrie de
la jonction. Il sagit donc dun excs de courant de recombinaison propre cette
rgion dont lorigine peut tre lie la technologie de fabrication des transistors
(p.ex. traitements de surface) ou la relaxation locale de la contrainte gnre par le
dsaccord de maille de la couche de base (GaAsSb avec [Sb]=0.38).

4.3

Comportement dynamique

Le comportement dynamique des transistors a t dtermin par mesure des paramtres

S sur lanalyseur de rseau du laboratoire (Anritsu 37377C) dans la gamme de frquences
allant de 0.1 50 GHz. Les dispositifs mesurs sont ceux qui prsentent les meilleures caractristiques statiques (fort gain statique, faibles rsistances daccs). Les gains en courant
(h21 ) et en puissance (U) donnent, par extrapolation au gain unit, respectivement accs aux
valeurs des frquences de coupure ( fT ) et maximale doscillation ( fMAX ) comme illustr 200

40
H7466.3 (27A5x10)
Jc = 2.3 mA.m2
Vbc = 0.5 V

35

Gain (dB)

30
25
20
fT = 155 GHz
fmax = 162 GHz

15
10
5

h21
U

0
0.1

10

100

1000

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

Frquence (GHz)
e

F IG . 4.15: Gain en courant (h21 ) et en puissance (U) en fonction de la frquence. Les frquences de coupure ( fT ) et maximale doscillation ( fMAX ) sont obtenues par extrapolation
au gain unit (0 dB).

gure 4.15.

4.3.1

Effet de la polarisation base-collecteur sur les frquences fT et

fMAX

Les frquences de coupure ( fT ) et maximale doscillation ( fMAX ) sont traces gures

4.16 en fonction de la densit de courant collecteur (Jc ) pour diffrentes tensions basecollecteur (VBC ). On constate sur chaque courbe la prsence dun maximum se dcalant
vers les fortes densits de courant collecteur (Jc ) lorsque la tension inverse applique
la jonction base-collecteur augmente. Ce comportement est typique dune limitation des
performances dynamiques du transistor par leffet Kirk.
Pour conrmer cette hypothse, les densits de courants mesures au maximum de gain
en courant statique (Cf. caractrisation de leffet Kirk), au maximum de la frquence de
coupure ( fT ) et au maximum de la frquence maximale doscillations ( fMAX ) sont traces
(gure 4.17) en fonction de la tension base-collecteur (VBC ). Nous avons trac galement le
201

180
H7466.3 (27A5x10)

160
140

100
80
60

Vbc=0.50V
Vbc=0.25V
Vbc=0.10V
Vbc=0.00V
Vbc=-0.10V

40
20
0
0

0.5

1.5

2.5

3.5

Jc (mA.m2 )
180
Vbc=0.50V
Vbc=0.25V
Vbc=0.10V
Vbc=0.00V
Vbc=-0.10V

H7466.3 (27A5x10)

160
140
fmax (GHz)

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fT (GHz)

120

120
100
80
60
40
20
0
0

0.5

1.5

2.5

3.5

Jc (mA.m2 )

F IG . 4.16: (a) Frquence de coupure ( fT ) et (b) frquence maximale doscillation ( fMAX )

en fonction de la densit de courant collecteur (JC ) pour diffrentes tensions base-collecteur
(VBC ) mesures sur le TBH 27A5x10 de lchantillon H7466.3

202

2.8

Jkirk (mA.m2 )

2.6
2.4

Maxi Gain statique

Maxi fT
Maxi fmax
Thorie
e

2.2
2
1.8
1.6
H7466.3 (27A5x10)

1.4
-0.2

-0.1

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Vbc (V)

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F IG . 4.17: Densit de courant collecteur au maximum du gain en courant (losange), de la

frquence de coupure (carrs) et de la frquence maximale doscillation (croix) en fonction
de la tension base-collecteur (VBC ). Le seuil thorique de leffet Kirk (ligne continue) est
calcul pour une vitesse moyenne v = 3 107 cm/s et une densit de donneurs ioniss
ND = 2.3 1016 cm3 .

seuil thorique de leffet Kirk (ligne continue) que nous avons calcul utilisant une vitesse
moyenne v = 3 107 cm/s et une densit de donneurs ioniss ND = 2.3 1016 cm3 .
Les trois sries de points exprimentaux montrent les mmes pentes au voisinage de
VBC = 0. Cette pente dtermine des rsultats exprimentaux est la vitesse moyenne des
lectrons dans la zone de charge despace base collecteur :
v=

2
dJc WC
dVBC 20

(4.5)

Ici WC est la largeur de la zone de charge despace base-collecteur (au seuil de leffet Kirk
elle est gale lpaisseur de la couche faiblement dope, ici 0.16 m). Cette pente est
en excellent accord avec celle de la courbe thorique de la densit de courant Kirk calcul
avec une vitesse moyenne des lectrons v = 3 107 cm/s et une densit de donneurs ioniss
ND = 2.3 1016 cm3 . Labsence de paramtre ajustable dans lexpression 4.5 rend cette
mesure trs directe donc trs able. Lensemble de ces rsultats montre sans ambigut une
limitation laugmentation de la densit de courant par effet Kirk.
203

Notons que les points exprimentaux issus des comportements dynamique ( fT et fMAX )
montrent un dcalage vers les faibles densits de courant par rapport aux points issus du
comportement statique. Ceci est li au mcanisme de leffet Kirk dans lhtrojonction de
type II que nous prsentons dans la prochaine section.

4.3.2

Mcanisme de leffet Kirk dans lhtrojonction de type II

La vitesse moyenne des lectrons dans la zone de charge despace base-collecteur est
trouve gale v = 3 107 cm/s. Bien quil sagisse de la valeur moyenne de la vitesse des lectrons dans la zone o leur accumulation dynamique est maximale, on peut

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tre surpris par la faiblesse de cette valeur. En effet la prsence de lhtrojonction de

type II gnre un transport balistique des lectrons en sortie de base avec une vitesse
moyenne initiale proche 1 108 cm/s. Dautre part le mme type de dtermination ralis
dans un TBDH InGaAs/GaInAsP/InP [Kah04] a montr une vitesse nettement plus leve
(v = 5.3 107 cm/s) alors que dans ce systme les discontinuits de bande de conduction
sopposent au passage du courant, rduisant leur vitesse moyenne.
La forte rduction de la vitesse moyenne entre linterface de type II et la zone daccumulation dynamique des lectrons sexplique par la prsence dune barrire de potentiel
pouvant avoir une hauteur comparable la discontinuit de la bande de conduction [Yee05].
Cette barrire est particulirement leve, typiquement 150 meV, pour deux raisons complmentaires.
Dune part la trs forte discontinuit de la bande de valence (EV = 0.67 eV) conne
les trous dans la base. Dans ces conditions la compensation partielle de la charge dynamique des lectrons par un dplacement de la jonction lectrique vers le collecteur
ne peut avoir lieu comme observ dans les homojonctions base-collecteur (ou dans
les htrojonctions ayant une faible discontinuit de bande de valence).
Dautre part la discontinuit de la bande de conduction masque leffet de la prsence
de la barrire de potentiel due leffet Kirk tant que cette dernire a une hauteur plus
faible que celle de la discontinuit. En effet, malgr la prsence de cette barrire,
cest dire dun changement de signe du champ lectrique dans le collecteur, les
conditions vues par les lectrons en sortie de base sont de bonnes conditions de
204

collection. Dans ces conditions le gradient de concentration dlectrons minoritaires

dans la base nest pas perturb et les caractristiques de courants ne prsentent aucun
signe de la prsence dune barrire de potentiel due leffet Kirk.
Il faut que la barrire de potentiel de leffet Kirk atteigne une hauteur comparable la
discontinuit de la bande de conduction pour quelle puisse rtroagir sur le contrle du courant en modiant les conditions de collection en sortie de base, ce qui conduit un temps
de transit plus long dans la base. Le courant collecteur prsente alors une saturation dans la
partie intrinsque accompagne dune injection latrale, le courant de base une augmentation et la frquence de coupure une diminution. Leffet Kirk dans les TBH GaAsSb/InP se

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manifeste donc des densits de courant collecteur plus leves que dans les transistors o
lhtrojonction base-collecteur ne prsente pas de discontinuit acclratrice pour les lectrons dans la bande de conduction. Dans les TBH GaAsSb/InP lapparition de leffet Kirk
sur les caractristiques statiques et dynamiques correspond un effet Kirk dj fortement
tabli, le seuil rel de cet effet (peu visible sur ces caractristiques) tant des densits de
courant nettement plus faibles.
On notera que dans les htrojonctions base-collecteur de type II (p.ex. GaAsSb/InP)
la manifestation de leffet Kirk prsente un caractre plus abrupt que dans les autres structures. En effet lapparition de la barrire de potentiel due leffet Kirk en dbut de zone de
charge despace base-collecteur se traduit par une rduction de la vitesse des porteurs initialement injects une vitesse trs leve 1 108 cm/s. Le ux de porteurs tant conserv
dans toute la structure, cette diminution locale de la vitesse moyenne des lectrons se traduit
par un accroissement supplmentaire de la densit dlectrons dans cette zone, renforant
ainsi la formation de la barrire de potentiel. Cette rtro-action positive se traduit par un
emballement du phnomne, conduisant un seuil trs marqu de la manifestation de leffet Kirk (voir par exmple gure 4.16).
En conclusion la vitesse moyenne des lectrons mesure au seuil de leffet Kirk est
une mesure directe donc trs able. Cette valeur ne peut cependant pas tre utilise pour le
calcul du temps de transit des lectrons dans la zone de charge despace base-collecteur en
dehors de leffet Kirk puisquelle est fortement rduite par la barrire de potentiel de leffet
Kirk.
Utilisant ce mcanisme de leffet Kirk dans lhtrojonction de type II, le dcalage des
205

seuils du courant Kirk entre les caractristiques statiques et dynamiques observes dans la
gure 4.17 peut tre expliqu de la manire suivante.
La manifestation de leffet Kirk plus grande densit de courant sur les caractristiques
statiques (ici le gain en courant) du transistor devrait tre lie lhtrojonction type II
InP/GaAsSb. Comme explique plus haut, il faut que la barrire de potentiel de leffet Kirk
atteigne une hauteur comparable la discontinuit de la bande de conduction pour quelle
puisse modier les conditions de collection des lectrons en sortie de base. A des densits
de courant sensiblement plus faibles, les caractristiques statiques ne sont pas perturbes
bien quil existe dans la jonction base-collecteur une accumulation dynamique de porteurs

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sufsante pour y inverser le champ lectrique.

Il nen est pas de mme pour les caractristiques dynamiques du transistor. En effet laccumulation de charge correspond une augmentation de la capacit base-collecteur qui se
traduit par une diminution de la frquence de coupure fT et par une diminution encore plus
marque de la frquence maximale doscillation pour laquelle leffet de laugmentation de
la capacit base-collecteur est renforce fMAX =

fT /(8RbCbc ).

Leffet Kirk se manifeste donc sur le comportement statique des densits de courant
plus fortes que sur la frquence de coupure. Cet cart est encore plus marqu pour la frquence maximale doscillation ( fMAX ).
Dans la section suivante nous analysons le temps de charge RbCbc que nous avons dtermin des mesures de fT et fMAX de plusieurs gomtries des TBH.

4.3.3

Analyse du temps de charges RbCbc

Le produit RbCbc a t dtermin partir des mesures de fT et fMAX en utilisant lexpression :

RbCbc =

fT
2
8 fMAX

(4.6)

pour quelques transistors de lchantillon choisis parmi les gomtries ayant la plus faible
largeur de doigt (typiquement 1 m). La variation de ce produit avec la tension basecollecteur devrait nous permettre de sparer les composantes Rb (indpendante de VBC )
206

0.42
27A5x10
RB CBC = 0.2418/( (0.56 + x))

0.4

RB CBC (ps)

0.38
0.36
0.34
0.32
0.3
0.28
0.26
0.24
-0.2

-0.1

0.1

0.2

0.3

0.4

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VBC (V)

F IG . 4.18: Produit RbCbc en fonction de la tension base-collecteur sur le transistor 27A5x10

de lchantillon H7466.3

et Cbc (variant avec VBC ). Dans lapproximation de complte dpltion il vient :

Cbc = Sbc

qND 0
2(Vbi +VBC )

(4.7)

o Sbc est laire de la jonction base-collecteur dtermine au paragraphe 4.1, ND le niveau

de dopage de la rgion n du collecteur et Vbi le potentiel de diffusion de la jonction basecollecteur. Dans la gamme des tensions base-collecteur pour lesquelles la rgion n du
collecteur nest pas compltement dplte (i.e VBC > 0.6 V), le produit RbCbc est trac
(gure 4.18) en fonction de VBC . On constate un bon accord entre les points exprimentaux et la courbe thorique issue de lquation 4.7 ainsi quentre la valeur du potentiel de
diffusion Vbi issu de cette adquation et la valeur thorique (Vbi =0.56V). Le bon accord
constat permet donc de dterminer sparment Rb et Cbc . La rsistance de base ainsi dtermine est trace (gure 4.19) en fonction du primtre de la jonction metteur-base. Sur
le mme graphe ce comportement est compar ceux des deux composantes principales
de la rsistance daccs la base : la rsistance de contact (Rcont,b ) et la rsistance de la
base extrinsque (Rext ) calcul avec le modle de rsistances de la section 4.4.3 (utilisant
207

Rsistance de base ()
e

20
Rb mesure
e
Rext,b (d = 0.4m)
Rcont,b (LT = 0.24m)
Rb ajust
e

15
5x10
10

6x20
5x17

5x40

5x54

0
0

20

40

60

80

100

120

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Primetre Emetteur-Base (m)

e

F IG . 4.19: Rsistance daccs la base issue de la mesure du temps de charge RbCbc en

fonction du primtre metteur-base pour les transistors de lchantillon H7466.3. Valeurs
issues des caractrisations pralables des rsistances de contact et de base extrinsque. La
courbe Rb ajuste est obtenue pour LT = 0.1m et d = 0.1m

quation 4.18).
On constate gure 4.19 un accord qualitatif entre les points exprimentaux et les comportements thoriques. Les transistors les plus troits qui nous intressent dans cette caractrisation, reprsentent la population o cette approximation est la mieux justie. Dans
tous les cas cette simplication revient sous-estimer la rsistance daccs la base. Laccord quantitatif na pu tre obtenu avec les valeurs caractrises au pralable des paramtres LT = 0.24m et d = 0.4m (Cf Section 4.1). La valeur de LT est issue de ltude
des contacts ohmiques montr dans la section 3.2, et ajuste pour les TBH H7466 dont la
rsistance carr de base est de 1200 / . Le dsaccord quantitatif observ gure 4.19 est
important puisque chacune des composantes de la rsistance daccs la base (rsistance
de contact et de base extrinsque) est suprieure aux valeurs mesures. Le comportement
voisin de ces deux composantes avec le primtre de la jonction metteur-base na pas permis une dtermination spare de ces paramtres ajustables LT et d. Un exemple daccord
est trac pour LT = 0.1m et d = 0.1m.
208

4.3.3.1

Discussion sur la distance d

La distance d (ou largeur de la base extrinsque) est gale celle sparant le doigt
dmetteur du contact de base. Elle a t dtermine comme la demi diffrence entre deux
mesures faites au MEB de largeur du doigt dmetteur, dune part au niveau de la couche
dInGaAs et dautre part au niveau du sommet du contact de tungstne (Cf. paragraphe
4.1). Dans ces conditions plusieurs incertitudes peuvent stre cumules pour conduire
une surestimation de la distance d :
Les mesures au MEB sont faites sous un trs fort angle de tilt (proche de 90 degrs).
Elles correspondent donc la mesure hors tout de la largeur du doigt dmetteur. Le

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anc du mesa en InGaAs est particulirement lisse et sa mesure est sans doute able.
Il nest nest pas de mme avec le plot de tungstne qui dveloppe une forte rugosit
sur les ancs de mesa, lie sa structure colonnaire. La surestimation induite (demi
cart entre la largeur moyenne et la largeur hors tout) peut tre de lordre de 0.2 m.
Le contact de base est auto-align sur le doigt dmetteur. Le bord interne de ce
contact est donc dni par projection du primtre du contact dmetteur en tungstne
sur la couche de base. Cette projection est accompagne dun effet dombrage d la
dimension nie du creuset dvaporation. On estime la profondeur de cette ombrage
0.1 m.
La mesure de d faite la section 4.1 est sans doute surestime denviron 0.3 m. Une
valeur proche de 0.1 m semble plus raliste.
4.3.3.2

Discussion sur la longueur de transfert LT

Les contacts ohmiques Pt/Ti/Pt/Au a t caractriss avec une grande prcision laide
de motif FCTLM sur une couche simple de GaAs0.51 Sb0.49 dope NA = 3.6 1019 cm3
(Cf. Section 3.2). La longueur de transfert a t mesure LT = (0.33 0.01) m avant
recuit et LT = (0.27 0.01)m aprs un recuit 450 Celsius pendant 1 s. Rapporte
la couche de base de H7466, la longueur de transfert est LT = 0.24m sans recuit et LT =
0.20m aprs recuit. La mesure sur un process transistor de contacts ohmiques prsentant
une longueur de transfert au moins 2 fois plus faible est trs surprenante. En effet on observe
gnralement une dtrioration de la rsistivit des contacts lors des process complexes par
209

rapport aux mesures faites sur des motifs FCTLM. Deux conditions particulires pourraient
tendrent rduire la rsistivit du contact de base par rapport celui mesur au pralable :
Dans notre process les contacts des TBH ne sont pas intentionnellement recuits. En
revanche lchantillon a subi au cours du process plusieurs recuits, en particulier
celui de polymrisation de la rsine du niveau 5 180 Celsius pendant 180 minutes.
Bien que ltude pralable ait montr que les effets des recuits rapides aient peu
deffet sur la rsistivit de contact, en particulier 180 Celsius (Section 3.2), il est
possible quun recuit long faible temprature puisse amliorer de faon notable
le contact ohmique. Ces conditions de recuit nont, notre connaissance jamais t

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caractrises sur ce type de contact. Une exprience de conrmation sera bientt

entreprise.
La mesure de leffet Hall sur la couche de base des TBH H7466 a montr un niveau de
dopage de type p 4.6 1019 cm3 trs proche de celui de la couche ayant servi lors
de ltude pralable du contact. En revanche les mesures de diffraction X ont montr
une composition dantimoine de la couche de base nettement plus faible ([Sb]=0.38)
que dans celle de la couche ayant servi pour ltude pralable ([Sb]=0.49). Bien quil
semble difcile dexpliquer la rduction de la rsistivit du contact de base par une
rduction du taux dantimoine dans la couche de GaAsSb, une tude de conrmation
de cet effet sera prochainement mise en oeuvre.
En conclusion les mesures de la rsistance daccs la base RB issues des mesures dynamiques prsentent un bon accord qualitatif avec les modles. Le dsaccord quantitatif
observ a, pour partie, son origine dans une survaluation des mesures de la distance d
faites par observations au MEB. Il reste cependant au moins une autre source de dsaccord
qui na pu tre identie. Son origine pourrait tre dans une amlioration des rsistivits
de contact sur les couches de base du TBH 7466 grce un faible taux dantimoine dans la
couche de GaAsSb et/ou un recuit long relativement faible temprature. Ces deux hypothses seront prochainement confrontes lexprience. Une autre source de dsaccord
pourrait venir de la mthode de dtermination elle-mme. Base sur les mesures de fT et
fMAX elle repose sur une expression trs couramment utilise de la frquence maximale
doscillation qui devra tre valide dans le cas des transistors tudis.
210

Dans la section suivante nous montrerons une calcul simple pour valuer les dpendance des frquences fT et fMAX des TBH H7466 en fonction de la gomtrie du transistor.

4.4

Modlisation des frquences fT et fMAX en fonction de

la gomtrie

Dans cette section laide des dimensions des transistors mesures ci-dessus et compltes par quelques expressions thoriques de rsistances ou capacits, nous avons tabli
dispositifs.
d Le
Re
Emetteur

Rb

Base
Collecteur

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un modle du comportement des frquences fT et fMAX en fonction de la gomtrie des

Cbe
Cbc

Lb
Rc

Lc

F IG . 4.20: Schma lectrique des TBH petites dimensions raliss. On note galement les
dimensions de zones actives.

La gure 4.20 schmatise la structure du transistor sur laquelle est reprsent le schma
lectrique quivalent en fonctionnement statique. Les dimensions caractristiques sont dnies comme :
Le , le sont respectivement la largeur et la longueur du doigt dmetteur
Lb , lb sont respectivement la largeur et la longueur de la base
Lc , lc sont respectivement la largeur et la longueur du doigt de collecteur
d est la distance entre la zone active de la base et le contact base.
211

4.4.1

Rsistance dynamique dmetteur re

Polarise en direct la jonction metteur-base prsente une rsistance dynamique re telle

que
re =

nkT
nkT
=
qIe
qSJe

(4.8)

o S est la surface de la jonction metteur-base (S = Le le ), et Je est la densit de courant

dmetteur. Pour une gomtrie donne, la rduction de la rsistance dynamique dmetteur
(re ) passe donc par laugmentation de la densit de courant (Je ). On connat deux limites
cette augmentation : leffet Kirk et lchauffement du transistor. Le premier, li au niveau
de dopage du collecteur a t discut dans la section 4.3. Le second est repouss vers les

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plus fortes densits de courant lorsque la surface S est rduite. Cette approche, qui semble
paradoxale puisque daprs quation 4.8 une rduction de S conduit une augmentation de
re , sexplique par laugmentation sur linaire de la valeur maximale de J avec 1/S. Cest
ce dernier point qui explique la rduction drastique des dimensions des TBH rapides de la
littrature (par exemple Le = 0.3 m, fT > 500 GHz [Haf03])

4.4.2

Rsistance dmetteur

La rsistance daccs lmetteur est dnie comme la somme de trois rsistances :

la rsistance du contact dmetteur (Rcont,e ) (entre le tungstne et la couche de contact
dmetteur en InGaAs), la rsistance en tungstne (RW ) et la rsistance des couches de
contact metteur et dmetteur (Rse ).
Re = Rcont,e + RW + Rse

(4.9)

La rsistance du contact dmetteur sexprime :

Rcont,e =

c
Le l e

(4.10)

o c est la rsistance spcique de contact entre le tungstne et la couche du contact

metteur en InGaAs. Des mesures TLM sur le contact W/InGaAs (n = 1 1019 cm3 ) nous
ont permis de montrer lohmicit de ce contact et sa faible rsistivit (c 1 107 cm2 )
212

en accord avec ceux de la littrature c 6 106 cm2 [Lah89]. Ces valeurs de rsistivit
sont trs probablement survalues car elles ont t mesures par TLM utilisant des motifs
de grande taille (50 m de largeur (Cf. Section 3.2)).
Les rsistances de la couche de tungstne RW ainsi que celles des couches de contact
metteur et dmetteur Rse sexpriment par :
R=

W
Le l e

(4.11)

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o est la rsistivit du matriau et W est lpaisseur de la couche.

Pour les couches semi-conductrices dopes n, la rsistivit du matriau est donne par :
=

1
qn ND

(4.12)

Le tableau 4.5 regroupe les valeurs de rsistivit des matriaux utiliss pour lmetteur
[Lan87]

Matriau

mobilit

paisseur

( cm)

(nm)

4.8

106

600

1200

5.2

104

100

1000

6.3104

100

2000

6.25103

60

InGaAs
InP

rsistivit ()

(cm2 V1 s1 )
(n = 1 1019

(n = 1 1019

cm3 )

cm3 )

InGaAlAs (n = 5 1017 cm3 )

TAB . 4.5: Rsistivit et paisseur des matriaux constituant lmetteur de la structure

H7466 [Lan87].
Nous constatons que la rsistance dmetteur est inversement proportionnelle la surface de la jonction metteur base, et que le matriau le plus rsistif est la couche dmetteur
qui est la moins dope. Pour une structure TBH avec les paisseurs typiques montres dans
le tableau 4.5, la rsistance dmetteur est environ (Re = 14.9/S) , o S est la surface de
la jonction metteur-base en m2 .
213

214
somme des rsistances des quatre cots du doigt dmetteur monts en parallle :
de base. Dans ces conditions, la contribution de la zone extrinsque est dnie comme la
tielle et nous ne tiendrons pas compte des carrs A, B, C, D aux quatre coins de la casquette
Nous supposerons, pour simplier les calculs, que la mtallisation de la base est quipotenRb = Rext + Rcont,b

(4.13)

de la rsistance de contact Rcont,b sous le mtal.

base est la somme de la rsistance de la zone extrinsque de la base non mtallise Rext et
est dtermine par les deux parties prcdentes distantes de d. La rsistance daccs la

Rsistance de base

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couverte par le contact de base. Enn la partie intermdiaire, la zone extrinsque de base,
la jonction metteur-base. La partie extrieure (hachure sur la gure 4.21) est la zone
prsentes dans la gure 4.21. La partie centrale est la zone active du TBH dnie par
composant, nous considrons le plan de la couche de base compose des trois rgions
Pour estimer la rsistance daccs la base en fonction des dimensions latrales du

4.4.3

F IG . 4.21: Vu de dessus de la couche de base des TBH

Le
D

le

lb

Lb

1
2Le
2le

+
Rext
RS0 d RS0 d
RS0 d
Rext
2(Le + le )

(4.14)
(4.15)

o RS0 est la rsistance par carr de la zone extrinsque de base. La contribution de la

rsistance de contact est galement dnie comme la somme des quatre rsistances de
contact montes en parallle :

2(Le + 2d)
2(le + 2d)
+
Rcont,b RS LT coth( /LT ) RS LT coth( /LT )
R S LT
Rcont,b
coth( /LT )
2(Le + le + 4d)

tel-00010627, version 1 - 14 Oct 2005

(4.16)
(4.17)

o RS est la rsistance par carr du semi-conducteur en dessous du contact (= RS0 ), LT est

la longueur de transfert de courant entre la semi-conducteur et le mtal et est la largeur
de la mtallisation dnie dans la gure 4.21.
La rsistance de base est alors :
Rb

1
(RS0 d + RS LT coth( /LT ))
2(Le + le )

(4.18)

An de minimiser la rsistance de base deux dimensions doivent tre considres. Premirement d doit tre minimise. Ceci est obtenu par des techniques dauto-alignement
(voir section 3.4.3). Deuximement, doit tre choisi grand devant LT an dviter leffet
de current crowding, cest--dire laugmentation de la rsistance de contact due leffet
de lencombrement du courant prs du bord de contact. Cet effet rsulte de la nature bidimensionnelle du courant [Mur69] [Pim86]. Elle devient importante quand la longueur du
contact est infrieure LT .
Dans la conception des TBH nous choisissons > 2LT (coth(2) = 1.04) an dexclure
linuence de la largeur du contact sur la rsistance de base. On a vu dans la section 3.2
que la longueur de transfert du contact Pt/Ti/Pt/Au sur GaAsSb (NA = 3.6 1019 cm3 )
215

est LT = 0.3 m. Il est donc possible, dun point de vue lectrique de raliser des TBH
rapides avec une dbordement de la casquette de base de seulement 0.6 m. Cependant
les transistors prsents dans cette thse ont tous un dbordement de la casquette de base
beaucoup plus prononc (typiquement 1.9 m) an de pouvoir positionner correctement
par lithographie UV (insolation en contact 380 nm) les ponts air de sorties de contact.
Les valeurs suivantes ont t utilises pour calculer la contribution de la rsistance de
base RS = 1200 /sq (mesur par TLM), LT = 0.1m et d = 0.1m.

4.4.4

Rsistance de collecteur

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La rsistance de collecteur est dnie comme la somme de trois rsistances : la rsistance de la couche de collecteur (Rc0 ), celle de la couche de contact collecteur (Rcc ) et celle
du contact collecteur (Rcont,c ).
Rc = Rc0 + Rcc + Rcont,c

(4.19)

Elles sont donnes par (Cf. sections prcdentes)

W
Lc lc
RS0 (Lb Lc )/2
Rcc =
2(Lc + lc )
R S LT
Rcont,c =
coth(c /LT )
2(Lc + lc )
Rc =

(4.20)
(4.21)
(4.22)
(4.23)

Le tableau 4.6 regroupe les valeurs de rsistivit des matriaux utiliss pour le collecteur.
Matriaux

mobilit

rsistivit ()

paisseur

(cm2 V1 s1 )

( cm)

(nm)

InP (n = 5 1016 cm3 )

3300

3.8102

160

InP (n = 1 1019 cm3 )

1000

6.3104

200

216

InGaAs (n = 1 1019 cm3 )

1200

5.2 104

100

InP (n = 1 1019 cm3 )

1000

6.3104

250

TAB . 4.6: Rsistivit et paisseur des matriaux constituant le collecteur du H7466.

Compte tenu des matriaux utiliss dans les TBH H7466.3 ces diffrentes composantes
(Lb L
scrivent : Rcont,c = 27.2/(Lc + lc ), Rcc = 17 2(Lc +lcc) et RC = 62.1/(Lc lc ) o toutes les
)

dimensions sexpriment en micron.

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4.4.5

Capacit base-collecteur

La capacit base-collecteur est calcule dans lapproximation de la complte dpltion :

Cbc = Lc lc

qND 0
2(Vbi +VBC )

(4.24)

o 0 est la permittivit de vide et c la permittivit relative du matriau dmetteur, ND =

5 1016 cm3 est le niveau de dopage dans la rgion n du collecteur et Vbi = 0.56 V est
le potentiel de diffusion de la jonction base-collecteur.

4.4.6

Capacit metteur-base

La capacit metteur-base a t dtermine exprimentalement partir de la mesure de

fT . Linverse du produit 2 fT est trac en fonction de 1./Jc (gure 4.22). Le comportement
linaire observ faible densit de courant collecteur correspond lexpression :
1
nkT
1
=
(Cbe +Cbc ) + tb + tc + (Rc + Re )Cbc
2 fT
q(Le le )
JC

(4.25)

La pente a est proportionnelle la somme des capacits metteur-base et base-collecteur.

La jonction metteur-base tant polarise en directe la capacit base-collecteur peut tre
nglige dans cette expression. La pente scrit alors :

a=

nkT
nkT
Cbe =
C
q(Le le )
q be
217

(4.26)

3.5
Vbc= 0.50V
0.541/Jc + 0.791

1/(2 fT ) (ps)

3
2.5
2
1.5
1
0.5
0

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1/Jc (m /mA)

F IG . 4.22: Inverse du produit 2 fT en fonction de linverse de la densit de courant collecteur pour le transistor 27A5x10 de lchantillon H7466.3

o Cbe est la densit surfacique de capacit metteur-base qui est une constante pour tous les

dispositifs de lchantillon. Une moyenne sur lensemble des transistors mesurs a permis
dvaluer cette capacit qui scrit : Cbe = 16.7Seb o Seb est laire de la jonction metteurbase exprime en m2 et Cbe est exprim en fF.

4.4.7

Conceptions des TBH rapides

Des considrations de dimensions latrales on trouve les relations entre la gomtrie du

TBH avec le temps transit dans la base. Rsumant les rsistances et les capacits tudies
on se rend compte que les temps de charge intervenant dans fT sont proportionnels :
e + c = re (

1
1
1
)[C je (Seb ) +Cbc (Sbc )] + [Re ( ) + Rc ( )] Cbc (Sbc )
Seb
Seb
Pbc
e + c = A + BSbc /Seb +CSbc /Pbc
218

(4.27)
(4.28)

de mme de fMAX il vient :

RbCbc = Rb (1/Peb )Cbc (Sbc )

(4.29)

RbCbc = DSbc /Peb

(4.30)

Les dimensions qui interviennent sont nalement le rapport entre les surfaces de jonction (Sbc /Seb ) et le rapport entre la surface de jonction et le primtre (Sbc /Pbc et Sbc /Peb ).
Pour optimiser les performances du transistor le rapport entre les surfaces de jonction doit
tre minimis. Considerant lefcacit de collection des lectrons en sortie, la limite opti-

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male est Sbc = Seb . Ceci a pour consquence que pour optimiser les performances frquentielles du composant le collecteur doit tre sousgrav autant que lmetteur.
Enn, an de minimiser le rapport (S/P) du composant, on doit avoir un grand rapport
entre la largeur dmetteur (Le ) et sa longueur (le ) (Le << le ) i.e. un doigt dmetteur.
Les expressions 4.28 et 4.30 expliquent galement pourquoi ce ne sont pas le plus petits
dispositifs qui possdent les meilleurs performances, mais ceux avec un rapport de forme
(S/P) minimum.
A partir de cet ensemble de donnes, nous tablirons la variation des frquences de
coupure fT et maximale doscillation fMAX avec la gomtrie des TBH.

4.4.8

La frquence de coupure fT et la frquence maximale doscillation fMAX

Les frquences de coupure fT et maximale doscillation fMAX sont donnes par les
expressions :
fT =

1
2ec
fT
8RbCbc

fmax =
219

(4.31)

o le temps total ec est la somme des temps de charge et des temps de transit
ec = tb + tc + (Rc + Re )Cbc + re (Cbe +Cbc )

(4.32)

Le tableau 4.7 regroupe les valeurs issues du modle prcdent pour les diffrentes gomtries de dispositifs disponibles sur le jeu de masques. Les temps de transit dans la base
tb et dans la jonction base-collecteur tc ont t calculs partir des rfrences [Bol01]. La
densit de courant collecteur utilise est celle limite par leffet Kirk Jck = 2mA.m2 .

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La tension base-collecteur est maintenue gale zro.

Gomtrie

Re

Rb

Rc

Cbe

Cbc

tb

tc

fT

fMAX

()

()

()

(pF)

(pF)

(ps)

(ps)

5x7

1.48

17.6

7.1

0.06

0.02

0.35

0.2

151

140

5x10

0.72

10.3

5.0

0.11

0.03

0.35

0.2

147

145

5x17

0.29

5.2

3.0

0.28

0.05

0.35

0.2

135

147

5x40

0.08

2.0

1.3

1.06

0.14

0.35

0.2

100

119

5x54

0.07

1.4

1.0

1.14

0.17

0.35

0.2

95

115

6x20

0.13

4.0

2.3

0.64

0.08

0.35

0.2

120

130

7x45

0.04

1.7

1.0

2.25

0.22

0.35

0.2

83

95

8x27

0.05

2.7

1.5

1.63

0.15

0.35

0.2

97

98

(GHz) (GHz)

TAB . 4.7: Rsultats du modle utilis pour calculer les frquences de coupure fT et maximale doscillation fMAX pour les diffrentes gomtries disponibles sur le jeu de masques.

On constate pour lensemble des gomtries un bon accord avec les valeurs exprimentales. Cependant cet accord na pu tre obtenu quen ajoutant une rsistance constante
(R = 4) dans la somme Re + Rc . Sans cette rsistance fT et fMAX montraient une dpendance avec la gomtrie beaucoup plus faible que celle observe exprimentalement.
Le caractre constant de cette rsistance montre quelle est extrieure au dispositif. Elle
pourrait tre localise dans les sorties de contacts par ponts air.
220

4.5

Conclusions

Les performances en frquence sont principalement limites par le temps de charge

de la capacit base-collecteur (Re + Rc )Cbc qui reprsente 33 % du temps de transit total
EC pour les transistors 5x17. La premire amlioration apporter ces dispositifs est de
pouvoir sous-graver profondment le collecteur de faon obtenir un rapport des surfaces
metteur-base sur base-collecteur proche de lunit. En introduisant dans le modle prsent plus haut une sous-gravure de 1.7 m (ce qui laisse une marge de 0.2 m par rapport
la jonction metteur-base) le couple fT , fmax passe de (147 ; 145) GHz (170 ; 285) GHz.
Comme attendu leffet est principalement marqu sur fMAX .

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Une fois le collecteur sous-grav, les performances en frquence sont limites par deux
effets de mme importance : dune part leffet Kirk qui limite la densit de courant et
dautre part le temps de transit dans la base. Le seuil de leffet Kirk peut tre repouss
vers les plus fortes densits de courant collecteur par une augmentation du dopage et une
diminution de lpaisseur de la rgion n du collecteur. En considrant un niveau de dopage
ND = 1 1017 cm3 et une paisseur de 0.1 m la densit de courant seuil de leffet Kirk
vaut JKirk = 7mA.m2 pour VBC = 0.
Le temps de transit dans la base (ici tb =0.35 ps pour une paisseur de base de 40 nm)
reprsente pour un transistor ayant une jonction base-collecteur sous-grave environ 37 %
du temps de transit total. Il peut tre trs fortement rduit en remplaant lhtrojonction
de type II de la jonction metteur-base par une htrojonction de type I, par exemple en
remplaant lInP de lmetteur par un alliage quaternaire InGaAlAs ou ternaire InAlAs.
Avec une htrojonction de type I prsentant une discontinuit de bande de conduction au
moins gale 0.1 eV le temps de transit dans la base devient infrieur 0.15 ps pour une
base de 40 nm.
Compte tenu de lensemble de ces amliorations (sous-gravure du collecteur, augmentation du seuil de leffet Kirk et injection balistique dans la base) notre modle prvoit un
couple fT , fmax de (380 ; 420) GHz pour les transistors 5x10. Cest cette perspective qui
a motiv les dveloppements technologiques raliss dans ce travail et abouti au dpt de
deux brevets. En effet ils permettent de raliser des transistors comprenant :
Une sous-gravure profonde du collecteur pour rduire la capacit base-collecteur
221

 Un metteur en InAlAs ou InGaAlAs pour linjection dlectrons balistique dans la

base
Une structuration latrale entirement auto-aligne pour la rduction des effets parasites latraux
Des sorties de contacts pais pour rduire les rsistances lectriques et thermiques
Lensemble du procd est maintenant entirement oprationnel. Il a t valid avec
succs sur la couche H7466 et a permis dobtenir des rsultats dynamiques ltat de
lart pour les structures InGaAlAs/GaAsSb. Des process sont actuellement en cours sur des

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structures mieux adaptes.

222

Bibliographie
[Haf03] Hafez W, Lai JW, Feng M. InP/InGaAs SHBTs with 75nm collector and fT > 500
GHz. Electron. Lett. 2003 ;39 :951-2.

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[Kah04] Kahn M. Transistor bipolaire htrojonction GaInAs/InP pour circuits ultrarapides : structure, fabrication et caractrisation. Thse doctorat Paris XI (2004),
258p.
[Lah89] Lahav A, Ren F, Kopf RF. Thermal stability of tungsten ohmic contacts to the
graded gap InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure. Appl. Phys. Lett. 1989 ;54 :16935.
[Lan87] Madelung O, Schulz M. Landolt-Brnstein New series III/22a, Semiconductors :
Intrinsic properties of Group IV elements and III-V, II-VI and I-VII compounds. Heidelberg : Springer Verlag, 1987.
[Mat96a] Matine N. Ralisation et caractrisation de transistors bipolaires htrojonction
InP/InGaAs/Mtal (Structure MHBT). Thse doctorat Paris XI (1996) 213p.
[Yee05] Yee M, Houston PA. High current effects in double heterojunction bipolar transistors. Semicond. Sci. Technol. 2005 ;20 :412-7.

223

Chapitre 5

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Conclusions et perspectives
Cette thse se situe au dbut du dveloppement des Transistors Bipolaires Htrojonction ayant une base en GaAsSb. Si quelques rsultats sont rapports dans la littrature (en
particulier ceux de C.Bolognesi) il reste encore beaucoup faire pour tirer pleinement partie du potentiel offert par ce matriau aux applications demandant un comportement ultrarapide. Dautre part cette thse est notre connaissance la premire en France et en Europe
sur ce thme. Dans ce contexte laxe principal de ce travail sest naturellement port sur les
dveloppements technologiques ncessaires la ralisation de transistors ultra-rapides.
Deux briques technologiques spciques ont t dveloppes : dune part la gravure
chimique slective des alliages quaternaires InGaAlAs et ternaires InAlAs par rapport
GaAsSb et dautre part ltude et la ralisation de contacts ohmiques trs faiblement rsistifs sur GaAsSb de type p.
Aprs avoir montr que lmetteur en InGaAlAs permettait de lever les limitations en
courant imposes par lmetteur en InP, la ralisation de TBH ayant un metteur en InGaAlAs passait par la mise au point dune mthode de gravure de ce matriau. Son utilisation
comme metteur impose deux critres la gravure (i) une forte slectivit par rapport
GaAsSb qui, utilis dans une base ne (typ. 40 nm) doit garder son paisseur initiale (ii)
une rugosit aussi faible que possible de faon viter les recombinaisons parasites en
priphrie de la jonction metteur-base. Les rsultats obtenus ont montr une rugosit extrmement faible (comparable celles des surfaces pitaxies) et une slectivit suprieure
30. Cette solution est compatible avec les contraintes technologiques industrielles et libre
224

le verrou technologique limitant actuellement le dploiement des TBH InGaAlAs/GaAsSb.

La rsistivit des contacts ohmiques sur GaAsSb de type p est intrinsquement faible
grce la faible hauteur de barrire Schottky et aux trs forts niveaux de dopage ralisable
sur GaAsSb:C. Malgr cette faible valeur, la rsistance de base, en particulier la partie lie
au contact, reste une limitation au comportement frquentiel des TBH (Cf. Chapitre 4).
Dans ces conditions il a fallu poursuivre le dveloppement entrepris dans le groupe, de
la mthode FCTLM pour la caractrisation prcise des contacts trs faiblement rsistifs.
La ralisation de motifs spciques (jusqu 200 nm) au masqueur lectronique a permis
de montrer une longueur de transfert du courant aussi petite que 300 nm sur une couche

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de GaAsSb dope au carbonne NA = 3.6 1019 cm3 . En plus de la mesure prcise

des paramtres du contact, nos analyses ont permis de montrer pour la premire fois une
augmentation de la rsistivit du semiconducteur sous le contact par rapport celle mesure
entre les contacts.
Lassemblage du procd technologique pour la ralisation de TBH sub-microniques a
t bas sur une adaptation du procd MHBT dvelopp dans les thses prcdentes pour
des TBH collecteur mtallique. Cette adaptation ainsi que lintgration des briques dcrites ci-dessus a pu se faire tout en conservant les avantages-cls de ce procd : transistors
entirement auto-aligns, gravures chimiques humides, galisation des surfaces metteurbase et base-collecteur ainsi que sorties de contact par ponts air. Ce travail a abouti au
dpt de deux brevets. Le premier est sur le procd de ralisation dun prol rentrant
du contact dmetteur en tungstne permettant une amlioration du contrle de lautoalignement du contact de base. Le deuxime porte sur la conception de lhtrostructure
metteur-base-collecteur et du procd de fabrication associ. Il permet la ralisation de
TBH ayant la fois une base en GaAsSb ne (p.ex. 10 nm) et fortement contrainte (p.ex.
[Sb]<0.25%) et une sous-gravure profonde du collecteur (p.ex. 1.8 m) pour lgalit des
surfaces metteur-base et base-collecteur.
Par manque de temps les rsultats dynamiques prsents dans cette thse ont t obtenus sur un empilement pitaxial antrieur au concept dvelopp dans le second brevet. La
contrainte stocke dans la base, interdit toute sous-gravure du collecteur. Malgr une forte
capacit base-collecteur, ils ont montr une frquence de coupure de 155 GHz et une frquence maximale doscillation de 162 GHz qui dnit un nouvel tat de lart pour les TBH
225

InGaAlAs/GaAsSb. Lanalyse des comportements dynamiques de ces transistors a montr quils sont principalement limits par le temps de charge de la capacit base-collecteur
(33 % du delai total metteur-collecteur), validant ainsi les approches faites dans le dveloppement du procd de fabrication.
Une analyse plus pousse a montr que les autres limitations du comportement frquentiel sont dues la prsence dun effet Kirk dans la jonction base-collecteur qui limite la densit de courant J < 2mA.m 2 et dun temps de transit dans la base excessivement long
(environ 0.35 ps) d la nature diffusive du transport lectronique dans la base. Une structure amliore (celle du second brevet) a t conue pour repousser ces diffrentes limites.

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Comportant une htrojonction InAlAs/GaAsSb de type I la jonction metteur-base, une

htrostructure symtrique metteur-base-collecteur permettant une sous-gravure profonde
du collecteur et une nouvelle conception du collecteur repoussant le seuil de leffet Kirk au
del de 7 mA/m2 , la simulation prdit une couple ( fT ; fmax ) de (380 ; 420) GHz pour
les transistors 5x10. Ces transitors sont actuellement en cours de process.
Le deuxime axe des travaux raliss dans cette thse est centr sur la caractrisation
des proprits physiques associes lhtrojonction de type II InP/GaAsSb.
Nous avons mis en uvre une mthode exprimentale pour caractriser loffset de la
bande de conduction dans une htrojonction de type II par lectroluminescence. Nous
avons ainsi identi loffset de bande de conduction (Ec ) dans la jonction metteur base
dInP/GaAsSb (150 10) meV. Cette valeur est cohrente avec les rsultats publis
dans la littrature, ces derniers tant compris entre -90 et -180 meV. Cette dispersion prouve
que de nombreux travaux exprimentaux sont encore ncessaires pour laborer et caractriser correctement ce systme.
A partir de lanalyse des caractristiques lectriques de nos transistors, nous avons clari plusieurs proprits du transport lectronique dans lhtrojonction de type II. En particulier, nous avons caractris les conditions dinjection des lectrons dans la base, mesur
la longueur de diffusion des lectrons dans la base ainsi que la vitesse des lectrons dans la
jonction base-collecteur dans les conditions de leffet de Kirk. Lensemble de ces mesures
constitue une base de donnes pour le systme InP/GaAsSb.
La comprhension physique des TBH employant une htrojonction de type II est cependant loin dtre nalise.
226

Dans ce travail, nous avons modlis le comportement de la jonction metteur-base

laide du modle de Shockley considrant un transport diffusif proche de lquilibre thermodynamique. La pertinence de cette hypothse doit tre vrie : loffset de bande de
conduction sajoutant au potentiel de diffusion dans lhtrojonction de type II, doit de ce
fait y modier les mcanismes du transport.
Les mmes remarques sappliquent pour expliquer leffet Kirk dans la jonction basecollecteur. Ce mcanisme, expliqu par llongation de la largeur efcace de la base dans
le cas de lhomojonction ne peut pas tre appliqu lhtrojonction InP/GaAsSb. En effet,
loffset de bande de valence constitue une importante barrire de potentiel pour les trous.

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Le mcanisme rcemment propos pour les htrojonctions de type II qui rsulte de lexistence dune barrire de potentiel dans la jonction base-collecteur permet une explication
des effets observs sur nos TBH. Dautre part, nous avons prouv que linjection latrale
des lectrons en prsence de leffet Kirk peut tre un mcanisme dominant dans lhtrojonction base-collecteur GaAsSb/InP. Une dtermination exprimentale dtaille ainsi
quune description synthtique regroupant ces deux effets sont ncessaires la comprhension globale de cet effet.

227