Cours Electro Bas s4

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Pr. A.SDAQ : Faculté sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 1 Généralités semi-conducteurs
Généralités sur les semi-conducteurs

Du point de vue conduction, les semi-conducteurs sont des corps qui présentent les propriétés suivantes:
• à très basses températures, ils se comportent comme des isolants parfaits;
• pour des températures assez élevées ( l'ambiante par exemple), les semi-conducteurs conduisent le
courant électrique. Ils présentent ainsi une résistivité intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des
isolants .
Les métaux Les semi-conducteurs Les isolants
10-5 1014 Résistivité ρ(Ω cm)
om
Valeurs de résistivité de quelques corps simples
ρ( Ω m) à T = 27°C
Conducteurs Semi-conducteurs Isolants
t.c
Cuivre 1,7 10-8 Germanium (Ge) 0,5 Diamant 1012
Argent 1,6 10-8 Silicium (Si) 2400 Mica 10 à 1015
10
Aluminium 2,8 10-8 Arsenure de gallium (GaAs) 109
po
1. Semi-conducteurs intrinsèques
étranger). gs
Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsque il est parfaitement pure (ne contenant aucun élément
Pour les semi-conducteurs intrinsèques usuels tels que le silicium ou le germanium, les structures cristallines
lo
sont identiques et chaque atome est entouré tétraédriquement par quatre autres atomes avec lesquelles il assure
des liaisons covalentes.
.b
Pour des températures assez élevées (de l'ordre de l'ambiante), certains électrons assurant les liaisons
covalentes sont arrachés du fait de l'agitation thermique devenant ainsi libres de se mouvoir sous l'action d'un
rs
champ électrique comme

dans métal. (a) ( b)
ou
1.1 Notion de trou Si Si Si Si Si Si Si Si

Lorsqu'une liaison
covalente entre deux atomes
t-c
se rompt sous l'effet de Si Si Si Si Si Si Si Si

l'agitation thermique,
l'électron libéré laisse à sa
.fs
Si Si Si Si Si Si Si Si
place un vide appelé trou qui
correspond à la charge
w
positive du noyau non Si Si

Si Si Si Si Si Si
compensée (figure 1-a).
w
Ainsi une paire électron-trou

est crée.
w
Un électron d'une Si Si Si Si Si
Si Si Si
liaison voisine peut venir
combler ce trou (figure 1-
b); il laisse à son tours un Si Si Si Si Si Si Si Si
trou derrière lui qui peut ( d)
aussi être comblé (figure Si Si
Si Si Si Si Si Si
1-c) etc…On assiste alors
à un déplacement des
électrons de valence de Si Si Si Si Si Si Si Si
trou en trou (figure 1-d).
: Mouvement de l'électron libre
( c)
: Mouvement du trou libre équivalent
Figure 1
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On peut assimiler les déplacements de ces électrons à un déplacement de trous de charges positives +e en
sens inverse (figure 1-d).
Ces électrons et ces trous sont appelés porteurs libres.
On désigne par :
• ni la concentration en porteurs négatifs (les électrons),
• pi la concentration en porteurs positifs (les trous).
Pour les semi-conducteurs intrinsèques, on a bien ni= pi
A 27 °C on a: • pour le silicium : ni= pi=1,5 1016 m-3

• pour le germanium : ni= pi=2,5 1019 m-3
Lorsqu'on applique un champ électrique à l'intérieur du semi-conducteur, les porteurs libres prennent un
om
mouvement d'ensemble:
• les trous dans le sens du champ
• les électrons en sens opposé du champ.
Ce double déplacement constitue le courant électrique.
t.c
La conductivité du semi-conducteur est : σ = σ n + σ P
po
Avec σ n = e ni µ n conductivité due aux électrons
σ p = e pi µ p conductivité due aux trous.
La résistivité a pour expression: ρ =

gs
µ n et µ p désignent les mobilités des électrons et des trous respectivement.
1
=
1
lo
e(ni µ n + pi µ p ) eni ( µ n + µ p )
.b
Exemple: Dans le cas du silicium à T=300K on a:

ni=1,5 1010 cm-3, µ n =1350 cm2V-1s-1, µ p =480 cm2V-1s-1
σ =4,4 10-6 ( Ω cm )-1 et ρ =2,3 105 Ω cm
rs
Remarque:
ou
1) On montre (statistique de Fermi-Dirac appliquées aux électrons et aux trous) que ni augmente très
rapidement avec la température.
2) Une paire électron-trou peut disparaître par un processus inverse dit recombinaison: l'électron retombe
t-c
sur la place vacante que constitue le trou qui disparaît ainsi.
2. Semi-conducteurs extrinsèques
.fs
L'introduction en quantité très faible de certaines impuretés (appelées aussi dopants) dans un semi-
conducteur intrinsèque peut augmenter considérablement le nombre de porteurs libres (électrons ou trous)
réduisant ainsi la résistivité du matériau du départ. Le cristal ainsi dopé est dit semi-conducteur extrinsèque. Les
w
impuretés utilisées sont de valence trois ou cinq et conduisent à deux types de semi-conducteurs:
- semi-conducteurs de type N (impuretés de la cinquième colonne),
w
- semi-conducteurs de type P (impuretés de la troisième colonne).

w
Les principaux dopant utilisés sont regroupés dans le tableau suivant:
Dopant trivalent Semi-conducteur Dopant pentavelent

Eléments de la colonne III Eléments de la colonne V
Bore (B) Carbone diamant (C) Azote (N)
Aluminium (Al) Silicium (Si) Phosphore (P)
Gallium (Ga) Germanium (Ge) Arsenic (As)
Indium (In) Antimoine (Sb)
2.1 Semi-conducteur extrinsèque de type N

Considérons par exemple le silicium intrinsèque. Chaque
Si Si Si Si
atome a une couche externe avec quatre électrons qu'il met en
commun avec quatre atomes voisins pour constituer une couche de
valence saturée. Introduisons dans le réseau cristallin du silicium Si Si Si Si
des impuretés d'arsenic dont les atomes ont une couche externe
comprenant cinq électrons. Les atomes d'impureté vont établir des
liaisons covalentes avec les atomes de silicium, mais le cinquième Si As
Si Si
électron non engagé dans une liaison covalente sera faiblement lié +
à l'atome d'arsenic (énergie de l'ordre de 10 meV). La seul
agitation thermique permettra la libération de cet électron qui va Si Si Si Si
devenir libre de se déplacer dans le réseau cristallin du silicium
om
(figure 2) Figure 2
L'électron ainsi libéré laissera derrière lui une charge positive fixe dans le réseau correspondant à l'atome
d'arsenic ionisé.
t.c
Dans la suite, le semi-conducteur sera représenté par le schéma suivant (figure 3)
Semi-conducteur type N
po
⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •
Figure 3
⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •⊕ • gs ⊕ : Ion positif fixe dans le réseau
• : électron libre majoritaire
⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •
lo
.b
On dit que l'on a introduit dans le silicium des centres donneurs et que le semi-conducteur est de type N.
La conduction est dite de type N car elle se fait grâce à un déplacement de charges négatives.
rs
Exemple:
Pour le silicium on a 5 1022 atomes/cm3. On le dope en introduisant 1015 atomes d'arsenic par cm3.
ou
La densité intrinsèque est de l'ordre de ni=1,5 1010 électron/cm3.

Le nombre d'électrons libres ne est égal au nombre d'atome d'arsenic noté ND plus (+) la densité
intrinsèque ni:
t-c
ne=ni+ND ≈ ND=1015cm-3
On obtient les résultats suivants:
Silicium intrinsèque Silicium extrinsèque dopé à l'arsenic
.fs
σ i = 4,4 10 −6 (Ω cm) −1 σ n = ene µ n ≈ eN D µ n = 0,22 (Ω cm) −1

ρ i = 2,3 10 5 Ω cm ρ n = 4,6 Ω cm
w
On notera que σ n (du Si extrinsèque) est plus de 105 fois supérieure à la conductivité σ i du Si pure
w
(intrinsèque).
w
La concentration des électrons libres provenant des atomes donneurs est très importante devant celle des
porteurs intrinsèques (dans ce cas les trous).
On dit que les électrons sont porteurs majoritaires, les trous porteurs minoritaires.
2.2. Semi-conducteurs de type P Si Si Si

Si Si Si Si Si
On ajoute cette fois une

impureté trivalente de la troisième Si Si Si Si Si Si Si Si
colonne du tableau périodique
(exemple: bore, aluminium,
gallium, indium). Ces éléments se In Si Si In- Si
Si Si Si
substituent à un atome de silicium
Si Si Si Si Si Si
Si Si
Figure 4
et n'assurent que trois liaisons covalentes avec les atomes du silicium voisins. On obtient ainsi dans l'ensemble du
cristal un trou (déficit en charge négative) par impureté. Une faible énergie sera suffisante ( de l'ordre de 10 meV)
pour qu'un électron d'une liaison voisine puisse compenser ce trou avec apparition d'un nouveau trou etc
…(figure 4)
Pour des températures avoisinant l'ambiante, l'agitation thermique (à T=300K, Eagit.therm.=3/2 kT=40 meV)
permettra la libération d'un trou par atome d'impureté, d'où une augmentation notable de la concentration en
porteurs positifs libres par rapport au semi-conducteur intrinsèque.
De ce fait, les impuretés introduites sont appelées atomes accepteurs pour avoir capter un électron. Ils
deviennent des ions négatifs qui restent fixes dans le réseau cristallin.
Les trous sont dit porteurs majoritaires et les électrons porteurs minoritaires.
Le semi-conducteur dopé ainsi que la conduction sont dits de type P car la conduction se fait grâce au
om
déplacement de charges positives.
Le semi-conducteur de type P est schématisé par la figure suivante.
t.c
Semi-conducteur type P
po
° ° ° °
Figure 5 : Ions négatifs fixes dans le réseau
° ° ° ° ° : trou libre majoritaire
° ° ° ° gs
lo
Désignons par NA la concentration en atomes accepteurs. Le nombre de trous libres pe est égal au nombre
d'atomes accepteurs NA plus (+) la densité intrinsèque ni (=pi):
Pe=NA+ni ≈ NA car NA>>ni .
.b
1 1
La résistivité du semi-conducteur de type P est ρ p = = .
rs
σp eµ p N A
Il faut noter comme remarque que les semi-conducteurs de type N et de type P sont globalement neutres.
ou
Illustration: cas du silicium de type P et N à T=300K

µn µp
t-c
-3
ne (cm ) -3
pe (cm ) (cm V s ) (cm2V-1s-1) σ (Ωcm) −1
2 -1 -1 ρ (Ωcm)
ntrinsèque 1,5 1010 1,5 1010 1350 480 4,4 10-6 2,3 105
.fs
4,6 1015 5 104

ype N ne>>pe "" "" "" "" 1 1
w
électrons majoritaires
1,7 104 1,3 1016
w
ype P "" "" "" "" 1 1

pe>>ne
w
trous majoritaires
Pr. A.SDAQ : Faculté sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 5 Jonction PN
Chapitre2
Contact entre semi-conducteurs
Jonction P-N (Diode)
On sait réaliser expérimentalement, dans un même monocristal d'un semi-conducteur deux régions de
type P et N en contact à l'échelle atomique. La surface de séparation entre ces deux régions s'appelle la jonction
P-N.
On rappelle les caractéristiques des deux régions:
Zone P:
• Les trous sont porteurs majoritaires,
• Les électrons sont porteurs minoritaires,
om
• Les atomes accepteurs forment un réseau d'ions négatifs fixes.
Zone N:
• Le électrons sont porteurs majoritaires
• Les trous sont porteurs minoritaires,
t.c
• Les atomes donneurs forment un réseau d'ions positifs fixes.
1. Jonction P-N non polarisée
po
En raison de la différence marquée en porteurs libres entre les différentes régions, les trous proches de la
jonction (majoritaires dans la région P) diffusent vers la région N (où ils sont minoritaires) et piègent des
électrons (phénomène de recombinaison).
gs
De même, les électrons diffusent de la région N vers la région P et y sont piégés par les trous.
En conséquence, de part et d'autre de la jonction, il se crée une mince zone de transition appelée aussi zone
de déplétion ou zone de charge d'espace (d'épaisseur ≈ 1 µ m ) pratiquement dépourvue de porteurs libres mais
lo
contenant toujours des ions fixes provenant des atomes dopeurs:
.b
• ions négatifs du côté P: ,

• ions positifs du côté N : ⊕ .
rs
L'excédent de charge négatives immobiles situées entre A et J ainsi que l'excédent de charges positives
ρ
immobiles situées entre K et J créent un champ électrique interne Ei orienté de la région N vers la région P. Il
ou
apparaît ainsi une différence de potentielle Vd=VK-VA qui constitue une barrière d'énergie potentielle.
Avant diffusion
t-c
° ° ° ° ⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •
⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •
.fs
Zone P Zone N
° ° ° °
° ° ° ° ⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •⊕ •
w
Figure 1
w
Ei
⊕ ⊕ ⊕ •⊕ •⊕ •
w
° ° °
Zone P ° ° ° ⊕ ⊕ ⊕ •⊕ •⊕ • Zone N
° ° ° ⊕ ⊕ ⊕ •⊕ •⊕ •
A J K
Après diffusion
1.1. Courant de diffusion dû aux porteurs majoritaires

Région N:
Les électrons majoritaires arrivent par agitation thermique en K:
ρ
• la plus part sont repoussés par le champ interne Ei vers la région N d'où ils proviennent.
• seuls quelque porteurs ayant acquit une énergie thermique suffisante peuvent franchir la barrière
ρ
d'énergie crée par Ei et passent vers la région P.
Le déplacement de ces quelques porteurs crée un courant compté positivement de P vers N.
Région P:
De façon similaire, les trous majoritaires arrivent par agitation thermique en A:
ρ
• la plus part sont repoussés par le champ interne Ei vers la région P d'où ils proviennent.
om
• quelques un ont acquit par agitation thermique une énergie suffisante pour passer dans la région N. Ils
contribuent à créer un courant compté positivement de P vers N.
Il existe donc au niveau de la jonction P-N un courant appelé courant de diffusion noté Id correspondant
au déplacement des charges majoritaires et qui est dirigé de la région P vers la région N.
t.c
Remarque: Id • augmente avec la température de la jonction.
• augmente si la d.d.p. de diffusion Vd diminue.
po
1.2. Courant de saturation dû aux porteurs minoritaires
Région N:
gs
Les trous minoritaires (très peu nombreux), dont une partie encore plus faible arrivant en K par effet
ρ
lo
d'agitation thermique, sont accélérés par Ei et de ce fait sont propulsés dans la région P.
Région P:
.b
Les électrons minoritaires qui arrivent en A, sous l'effet de l'agitation thermique, sont propulsés par le champ
ρ
interne Ei dans la région N.
rs
Il existe donc au niveau de la jonction P-N un courant appelé courant de saturation noté Is (opposé au sens
du courant de diffusion) et qui est:
ou
• lié au déplacement des porteurs de charges minoritaires,

• dirigé de la région N vers la région P.
t-c
Remarque:
1) La jonction P-N se trouve en circuit ouvert, le courant global dans la jonction est nul: I=Id + Is=0 et Id=Is.
2) Is dépend uniquement de la température. Id dépend de la température et de Vd. Si l'on modifie Vd au moyen
.fs
d'une d.d.p. extérieure, on pourrait faire varier fortement Id sans modifier Is.
2. La jonction P-N sous tension. Jonction P-N

w
polarisée Courant de diffusion Id

2.1. Polarisation en sens direct
w
w
Lorsque l'extrémité de la région P est portée à Ea

un potentiel supérieur à celui de l'extrémité de la I = Id + Is ≈ Id
région N, on dit que la jonction P-N est polarisée en Ei
directe. P Eri N
En polarisation directe, l'application de la
tension V aux bornes de la jonction (figure 2) A J B
revient au fait à superposer au champ électrique
ρ ρ Courant de saturation Is
interne Ei un champ E a de sens opposé.
V
Figure 2
ρ ρ ρ ρ
Le champ résultant E r = Ei + E a est inférieur en module à Ei Ceci revient à diminuer la d.d.p. entre les
zones P et N donc entre les points A et K. Il en résulte qu'il faut moins d'énergie aux porteurs majoritaires pour
traverser la zone de transition. Le courant de diffusion Id augmente considérablement.
ρ
Le passage des porteurs minoritaires est favorisé par E r et le courant de saturation Is reste inchangé et peut
même être négligé devant le courant de diffusion Id.
Le courant résultant, appelé courant direct de la jonction est pratiquement égal à Id (Id = Id+ Is ≈ Id )
2.2. Polarisation en sens inverse Courant de diffusion Id

Lorsque l'extrémité de la région N est portée
à un potentiel supérieur à celui de l'extrémité de la
om
Ea
région P, on dit que la jonction est en polarisation I = Id + Is ≈ Is
inverse. Ei
Dans ce cas , la tension V appliquée produit
ρ ρ P Eri N
t.c
un champ électrique E a de même sens que Ei . Il
faut cette fois beaucoup d'énergie aux porteurs A J B
majoritaire pour traverser la zone de transition. La Courant de saturation Is
po
zone de transition s'élargit et dans la pratique une
d.d.p. inverse de quelque volt suffit à rendre
négligeable le courant de diffusion Id.
Le courant de saturation
prépondérant mais reste faible à température gs
devient V
Figure 3
lo
ordinaire puisqu'il est dû au déplacement des
porteurs minoritaires peu nombreux ( I ≈ Is )
.b
Exemple:
Pour une jonction de silicium, Is est inférieur à 10-9 ampère lorsque la température de la jonction n'excède
rs
pas 25°C. On dit que la jonction est bloquée.

ou
Remarque:
Par analogie avec les propriétés de la diode à vide, une application directe des propriétés de la jonction P-N
est la diode à semi-conducteur.
t-c
3. Caractéristique courant-tension I=f(V) I

.fs
On montre que l'équation de la caractéristique

I=f(V) d'une diode solide est donnée par:
⎛ eV ⎞
w
I = I s ⎜ exp − 1⎟
⎝ kT ⎠
w
V est la tension de polarisation, T la température V

absolue et k la constante de Boltzmann. Is
w
Le graphe de la caractéristique I=f(V) est donnée

dans la figure suivante. Figure 4
• En polarisation directe V>0, le courant augmente exponentiellement avec V. Le terme constant Is devient
très vite négligeable. Le courant direct résulte essentiellement du courant de diffusion (dû aux porteurs
eV
majoritaires): I = I d = I s exp
kT
• En polarisation inverse V<0, le courant inverse tend vers le courant de saturation Is (dû aux porteurs
minoritaires): I = Is.
4. Claquage d'une jonction

ρ
Lorsque la d.d.p. inverse V (négative) devient importante ( le champ E r est important), les électrons
minoritaires en traversant la jonction acquièrent une énergie importante proportionnelle à la tension appliquée V.
Deux phénomènes se produisent à la suite:
i) Pour |V|>|VZ|, ils ionisent par choc les atomes de la zone de transition. Il y a alors augmentation
importante de la concentration en porteurs minoritaires: c'est l'effet Zener.
ii)Un électron obtenu par effet Zener va être accéléré et va à son tours ioniser un autre atome qui libérera
un autre électron. Les deux électrons ainsi libérés ionisent à leur tours d'autres atomes: il y a une véritable
réaction en chaîne. Le phénomène est appelé effet d'avalanche.
La diode se chauffe ce qui accroît le courant inverse.
I
om
La courbe I=f(V)devient sensiblement verticale (figue 5).
Des échauffements localisés se produisent au niveau de la
jonction qui mettent la diode hors d'usage. On dit qu'il y a
claquage irréversible. VZ V
t.c
Le seuil de tension VZ, pour lequel se produit le
claquage, dépend essentiellement du dopage en impuretés du
semi-conducteur.
po
On peut régler par dopage les seuils de claquage en
fonction de l'utilisation:
• diode de redressement (très bonne tenue en
gs
polarisation inverse) : elle est peu dopée et la tension de
claquage peu dépasser les 100 volts.
Figure 5
lo
• diode Zener : obtenue par dopage convenablement variable. Elle a la particularité de supporter sans
dommage un courant inverse relativement important dès que |V| ≥ |VZ| (VZ est appelée tension Zener). Le
.b
claquage est réversible et l'application de tensions |V| ≥ |VZ| peut être répéter sans inconvénient à condition qu'il
n'y ait pas de surchauffement du semi-conducteur.
rs
• diode Backward : très dopée et caractérisée par une très faible tenue en polarisation inverse.
• diode tunnel : excessivement dopée et ne tient pas en polarisation inverse. Elle est exploitée dans
ou
certains générateurs de fréquence.
5. Modélisation de la diode à semi-conducteur

t-c
La représentation symbolique d'une diode à jonction P-N est donnée par la figure suivante:
A K A K
.fs
Anode Cathode
(région P) (région N)
w
(a) (b)
w
Figure 6: (a) représentation symbolique de la diode. (b) représentation réelle du boîtier de la diode (le trait
est du coté de la cathode)
w
5.1. Interprétation de la caractéristique courant-tension

D'une façon générale, la caractéristique d'une diode est représentée par la figure 5 dans les deux cas :
polarisation directe et inverse.
a. Tension de coude (où tension seuil)

I
C'est la tension directe au voisinage de laquelle, la caractéristique
directe I=f(V) subit un changement notable (croissance exponentielle
du courant puis tendance vers un comportement linéaire).
V
Vd
Figure 7
Ce seuil généralement déterminé à partir de l'intersection Vd de l'axe des tensions avec la partie rectiligne de
la caractéristique (figure 7).
Vd correspond au fait à la tension en dessous de laquelle la diode ne conduit pas bien (I ≈ 0).
Vd est de l'ordre de :
• 0,7 volt pour une diode au silicium (Si);
• 0,4 à 0,5 volt pour une diode au germanium (Ge)
b. Résistance statique d'une diode Figure 8
C'est le rapport V/I en un point donné de la I R 1 =V 1 /I1
caractéristique. Elle varie avec la tension appliquée à la diode (elle R2=V2/I2

diminue au fur et à mesure que la tension appliquée à la diode I2
augmente).
om
I1 V
c. Résistance dynamique d'une diode V1 V2
La résistance dynamique rd en un point de la
t.c
caractéristique directe est définie par l'inverse de la pente de la I
droite qui est tangente à la courbe en ce point.
po
∆V 1 M
rd = =
∆I g V
avec g =
∆V
∆I
gs
pente de la tangente au point M.
I
lo
c. Résistance inverse
Sous polarisation inverse, une diode laisse passer un Vi V
.b
courant inverse très faible. La diode peut être assimiler à un Ii

résistance inverse Ri très grande. Elle est définie par:
rs
Ri= Vi/ Ii où Ii est le courant inverse et Vi est la tension

inverse.
ou
Figure 9
e. Capacité d'une diode
Comme chaque composant muni de connexion, une diode a une capacité parasite. Elle peut affecter son
t-c
utilisation aux fréquences élevées. Cette capacité externe est habituellement inférieure ou égale à 1pF. La
capacité interne due à la jonction d'une diode est nettement plus importante. On l'appelle capacité de transition de
jonction de barrière où de zone de déplétion. On sait que plus la tension inverse est élevées, plus la zone de
.fs
déplétion est étendue. La zone de déplétion n'ayant pratiquement pas de charge libres se comporte comme un
isolant.
Les régions P et N sont bons conducteurs. On peut les assimiler aux armatures d'un condensateur dont le
w
diélectrique est constitué par la zone de déplétion.

w
En définitive, une diode sous polarisation inverse est équivalente à une résistance en parallèle avec une
capacité.
w
Pour les diodes courantes, cette capacité est de l'ordre de 1 à 5 PF. Elle est donc faible et n'intervient
qu'an hautes fréquences (ordre de 100 Mhz).
5.2. Les approximations pratiques d'une diode à semi-conducteur

La diode est un composant actif non linéaire (pas de linéarité entre le courant et la tension appliquée à la
diode). Pour pouvoir prévoir les formes des signaux issus des montages incluant des diodes, il est nécessaire de
représenter les diodes par des équations approchant les courbes réelles de la caractéristique I=f(V).
a. Première approximation – Diode idéale

• En polarisation directe, la diode se comporte comme un conducteur parfait. La diode est passante : Vd
=0, i>0 et rd =0.
• En polarisation inverse, la diode se comporte comme un isolant parfait. La diode est bloquée : pour
V<0, i=0 et Ri est infinie.
I
Diode idéale
Figure 10
Interrupteur fermé
A K
⇔
i
V Polarisation directe
A K
om
Application 1:
Déterminer la tension de sortie VR du circuit suivant en
utilisant la première approximation de la diode (diode idéale). Ve(t ) = Vm sin ω t VR
R
t.c
b. Deuxième approximation
po
Le schéma équivalent de la diode est donné par la figure
suivante. Figure 11
• En polarisation directe, il
I
faut environ Vd = 0,7 volt pour
qu'une diode au silicium ( 0,4 volt
pour une diode au germanium)
gs i
A K
⇔
i
Vd
lo
conduise le courant: pour V>Vd ,i>0
et rd =0 (pente de la tangente V Polarisation directe
.b
infinie).
Vd
Figure 12
Application 2:
rs
Représenter la tension de
sortie VR du circuit de la figure 11 en utilisant la deuxième approximation.
ou
c. Troisième approximation
Le schéma équivalent
t-c
de la diode est donné par la I

figure suivante.
• En polarisation A K Vd rd
.fs
directe et pour V>Vd, la diode ⇔

est passante et conduit le i i
courant. Elle est équivalente à
w
V Polarisation directe et V>Vd

un récepteur de f.c.e.m. Vd et
Vd
w
résistance interne rd qui

s'oppose au générateur qui Figure 13
w
alimente la
diode. V AK = rd i + Vd I
• Pour V<Vd , la diode est bloquée et i=0. Elle est VZ V
équivalente à une résistance de très grande valeur
souvent assimilée à une résistance infinie (Ri= ∞ ).
Application 3:
Représenter la tension de sortie VR du circuit de
la figure 11 en utilisant la troisième approximation.
VZ rZ
- i
+
⇔
V<0 V<VZ
Figure 14
Remarque:
La caractéristique courant-tension d'une diode Zener est identique à celle d'une diode de redressement.
• Après claquage ( V<VZ en polarisation inverse), la tension aux bornes de la diode est pratiquement
constante.
La diode Zener est équivalente à un récepteur de f.c.e.m. VZ et de résistance interne rZ (inverse de la pente
de la droite).
La diode Zener peut être utiliser en polarisation directe, mais elle est souvent utilisée en polarisation
inverse comme stabilisateur de tension.
om
t.c
po
gs
lo
.b
rs
ou
t-c
.fs
w
w
w
Pr. A.SDAQ : Faculté sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 12 Circuits à diodes
Chapitre 3
Utilisation des diodes dans les circuits
Applications des diodes
1. Introduction
Pour un bon fonctionnement de tout composant actif, en particulier la diode à jonction, il ne faut pas dépasser
la température que peut supporter la jonction ( de l'ordre de 150°C à 225°C pour le silicium et de 60°C à 100°C
pour le germanium). D'autre part, on ne doit pas dépasser une valeur limite de la puissance dissipée au sein de la
diode qui est en générale indiquée par le constructeur pour chaque type de diode.
De ce fait, le constructeur indique:
• le courant maximum Imax direct à ne pas dépasser;
om
• la température maximale de la jonction.
Nous citons ici quelques domaines d'utilisation de la diode:
• redressement, filtrage de courants (ou tensions) alternatifs;
• les multiplicateurs de tension;
t.c
• les détecteurs de crêtes;
• les circuits logiques (opérations de Boole);
• stabilisation des tensions par diodes Zener.
po
2. Redressement monoalternance-Filtrage
2.1. Redressement monoalternance
gs
L'une des applications principales des diodes est le redressement. Cette fonction permet d'obtenir une tension
de signe constant à partir d'une tension alternative dont le signe varie périodiquement avec le temps.
lo
Le redressement est obtenu à l'aide d'un circuit simple comprenant A K
une diode et une résistance pure (figure1).
.b
On suppose que la diode est idéale : Vd ≈ 0, rd ≈ 0 et Ri ≈ ∞ .

On sait que : Ve(t ) = Vm sin ω t
rs
R VR
• Si VAK < 0, iAK = 0 la diode est bloquée.
• Si VAK = 0, iAK > 0 la diode est passante.
ou
Pour tout état de polarisation de la diode, nous avons: Ve=VR+VAK
• En polarisation inverse (alternance négative de Ve): VAK < 0, iAK = 0 Figure 1

t-c
la diode est bloquée et on a : VAK=Ve et VR=0.

• En polarisation directe (alternance positive de Ve): la diode est passante et le courant circule dans le sens
positif. On a VAK=0 et VR=Ve c-à-d VR > 0 .
.fs
Ve(t)
Représentation graphique:
w
+ + + +
• Pour 0 < t <T/2 , Ve > 0 (Alternance positive) : - t
- - -
⎧V AK = 0,
w
⎪
⎨ Ve
⎪⎩V R = R i = Ve ( avec i = R )
w
VR(t)
• Pour T/2 < t <T , Ve < 0 + + + +

(Alternance négative) : t
⎧V AK = Ve ,
⎨
⎩V R = R i = 0 ( car i = 0)
On obtient à la sortie un signal VR (t) périodique (période T) de signe constant mais qui n'est pas
1 T 1 T/2 V
alternatif. Sa valeur moyenne U0 est non nulle: U 0 = ∫
T 0
V R ( t )dt = ∫
T 0
V m sin ωtdt = m
π
Exercice: Etudier le même circuit en utilisant la diode dans l'approximation suivante: Vd ≈ 0, rd ≠ 0 et Ri ≈ ∞
2.2. Filtrage
Le filtrage consiste à réaliser une tension sensiblement continue à partir d'une tension variable mais de
polarité constante obtenue par redressement.
Parmis les filtres les plus simples, nous citerons K
A
:résistance-self, résistance-capacité.
Nous utiliserons dans la suite le filtre constitué d'un
condensateur C placé entre les bornes de sortie du redresseur Ve(t ) = Vm sin ω t R C
(c-à-d en parallèle avec la résistance R).
La tension aux bornes de l'ensemble R, C a la forme
donnée sur la figure 3
Figure 2
om
Ve(t)
VS ∆U
t.c
+ + + + t
t
- - - - t1 t2 t3
po
Figure 3
La diode joue le rôle d'un interrupteur qui est:
gs
a) fermé quand Ve ≥ Vs ( 0 <t < t1, t2 < t < t3 …).
On a Vs = Ve dans ces intervalles.
lo
b) ouvert quand Ve < Vs ( t1 < t < t2 …).
Pour ces intervalles, le condensateur se décharge dans la résistance R suivant la loi exponentielle
.b
⎛ t − t1 ⎞
Vs( t ) = V m exp⎜ − ⎟
⎝ RC ⎠
rs
L'efficacité du filtrage est mesurée à l'aide du taux d'ondulation défini comme le rapport ∆U à la valeur
∆U
moyenne de la tension redressée U0 : β =
ou
.
U0
Pour que le filtrage soit efficace, il faut que le taux d'ondulation soit le plus faible possible. Il faut donc
diminuer ∆U . Pour cela, la constante du temps du filtre RC doit vérifier la condition: τ = RC >> T .
t-c
3. Redressement double alternance D1

.fs
Il est obtenu avec des circuits

comprenant au moins deux diodes. Le Ve1
même raisonnement que ci-dessus doit être Secteur R
Figure 4
w
appliquer à chacune des diodes.

On se place dans le cas où les diodes Ve2 VR
w
sont idéales.
3.1. Redresseur à deux diodes D2
w
On utilise un transformateur ayant un

enroulement avec prise médiane
Sens du courant i
symétrique.(figure 4)
+ -
Le transformateur est construit de D1 passante D1 bloquée
façon à fournir deux tensions (en
Ve1 Ve1
secondaire) Ve1 et Ve2 identiques et en R R
phase : Ve1 (t ) = Ve2 (t ) = Vemax sin ω t - (a) + (b)
• Pendant l'alternance positive des
+ -
deux tensions Ve1 et Ve2 , la diode D1 est Ve2 Ve2
polarisée en direct et D2 en inverse. Le D2 passante
courant parcourt la diode D1, la résistance et - +
D2 bloquée Figure 5 Sens du courant i
puis le demi enroulement du haut du transformateur. (figure 5-a)

• Durant l'alternance négative, la diode D2 est polarisée en direct et D1 en inverse. Le courant parcourt la
diode D2, la résistance et puis le demi enroulement du bas du transformateur.(figure 5-b)
On remarquera que la tension VR garde la même polarité (pendant les deux alternances) car le courant
parcourt la résistance R dans même sens quelque soit la diode en conduction.
Ve(t) VR(t)
+ + + + t
- t
- - -
om
Exercice: Donner la période de VR et calculer sa valeur moyenne, sa valeur efficace et le facteur de forme.
t.c
3.2. Redresseur en pont à quatre diodes ( pont de GRAETZ)
La figure 6 représente le redresseur en pont le plus simple. On utilise un transformateur à une seule
po
tension (i.e. un seul enroulement) au secondaire.
gs
Ve
D1
R
D2
lo
D3 D4
.b
rs
Figure 6
Pendant l'alternance positive, les diodes D2 et D3 conduisent (D1 et D4 sont bloquées).Le courant
ou
parcourt la diode D2, la résistance R, la diode D3 et revient à l'enroulement du transformateur (figure 7-a).
Pendant l'alternance négative, les diodes D1 et D4 conduisent (D2 et D3 sont bloquées). Le courant
parcourt D4, R, D1 et revient à l'enroulement (figure 7-b).
t-c
Durant les deux alternances, la tension VR a gardé la même polarité.

.fs
(a) Alternance positive (b) Alternance négative

i
w
+ -
D1 D2 D1 D2
w
R R
w
Ve - + Ve - +
D3 D4 D3 D4
- +
i
Ve(t) VR(t)
+ + + + t
- t
- - -
Figure 7
4. Stabilisateur utilisant la diode Zener

Le but de la stabilisation (appelée aussi régulation en tension) est de maintenir la tension entre deux points
d'un circuit à une valeur constante V.
i R
Il suffit de placer entre ces points une diode Zener de tension
Zener VZ=V (polarisée en inverse).
Pour comprendre la stabilisation par diode Zener, étudions le UR
circuit suivant:
E DZ V
La résistance R sert à limiter le courant dans le circuit afin de ne
pas endommager la diode Zener (i < imax courant maximum supporter
om
par la diode). Figure 7
La diode Zener est polarisée en inverse. Sa caractéristique I
est donnée par la figure 8.
t.c
La diode après claquage est équivalente à un récepteur de VZ V
po
f.c.e.m. VZ et de résistance interne rZ ( inverse de la pente de la
droite en pointillé) -figure 9-
Figure 8
gs
• Dans un premier temps, on se propose de déterminer le
courant i circulant dan le circuit ainsi que la d.d.p. V. Le point
M(V, i) correspondant à ces deux valeurs et se trouvant sur la
lo
caractéristique est appelé point de fonctionnement. VZ rZ
i
.b
- +
⇔
Pour cela, il suffit de résoudre le système suivant:
rs
⎧i = f (V ) ( caratéristique de DZ ) V<0 V
⎨ Figure 9
⎩V = E − R i appelée droite de charge
ou
Le point de fonctionnement est déterminé graphiquement par l'intersection de la droite de charge avec la
caractéristique de la diode.
t-c
i R
•• Sinon, on peut utiliser le schéma équivalent de la diode Zener
en polarisation inverse et faire un calcul direct (figure 10) UR
.fs
rZ
N.B.: Sur ce circuit, pour s'abstraire du signe moins "-", nous avons E V
considéré les tensions V et VZ ainsi que le courant i comme positifs ( VZ
w
ceci revient à inverser les axes de la caractéristique)

w
Analyse du circuit:
Figure 10
• Si V < VZ (ou E < VZ), la diode est bloquée.
w
Le circuit ne présente aucun intérêt.

⎧ V − VZ
⎪V = rZ i + VZ ⇒ i =
⎨ rZ
• Si V > VZ (zone de claquage de DZ) on a : ⎪
⎩E = R i + V
r E + R VZ
On en déduit la valeur de la d.d.p. V en fonction de E: V = Z .
rZ + R
Si on suppose que E subit des variations lentes mais assez importantes ∆E , qu'en est-il pour V ?
rZ
La variation correspondante de V est :∆V = ∆E .
R + rZ
∆E R + rZ
On défini le facteur de stabilisation amont par: F = = .
∆V rZ
Plus F est grand ( rZ faible : pente raide de la caractéristique au niveau de VZ) plus la stabilisation est
meilleure.
Illustration numérique :
On donne : • paramètres du circuit: E = 20 volt , R = 0,5 kΩ ;
• caractéristique de DZ: V Z = 10 volt , rZ = 10 Ω .
om
Un calcul simple donne: V=10,19 volt , i = 19 mA (courant qui circule dans le circuit).
Supposons que E subit une variation entre 15 volt et 25 volt : E ± ∆E = ( 20 ± 5) volt .
t.c
∆E
Ceci correspond à une variation relative de = 20 % assez importante !!!. En conséquence, V subit aussi
E
po
rZ
une variation de ∆V = ∆E ≈ 0,098 volt .
R + rZ
∆V
On a alors V ± ∆V = (10,19 ± 0,098) volt
≈ 0,96 % ( < 1 % !!!)

gs ce qui correspond à une variation relative
lo
V
En conclusion: Pour une variation relative de E de 20% , on a une variation relative
.b
de V inférieure à 1%. V est donc stabilisée.

rs
ou
t-c
.fs
w
w
w
Pr. A.SDAQ : Faculté sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 17 Transistor bipolaire
Chapitre 4
Le transistor bipolaire
En associant judicieusement deux jonctions, il est possible de commander les caractéristiques électriques
d'une jonction (courant-tension) en agissant sur le courant de l'autre jonction. Cette découverte due à Bardeen,
Brattain et Shockley en 1951 a ouvert à l'électronique un champ d'application immense dans tous les secteurs.
1. Définition
Le transistor bipolaire (communément appelé "transistor à jonction") est construit avec des couches de
semiconducteurs de type P ou N assemblées de façon à former deux jonctions P-N dos-à-dos.
Il existe deux types de transistor biplaire:
om
Le transistor NPN Le transistor PNP
E C E C
N P N P N P
t.c
B B
po
Symbole Symbole
C
C B
B
E
gs E
lo
.b
NPN PNP
N.B.La flèche indique le sens réel du courant électrique.

rs
De point de vue physique, le fonctionnement des deux transistors est rigoureusement le même. Nous
ou
étudierons par la suite le transistor NPN. Le raisonnement est identique pour le transistor PNP: il suffit de
permuter le rôle des électrons et des trous.
Les trois bornes s'appellent respectivement:
♦ L'émetteur (E), région de type N, qui est fortement dopé. Son rôle est d'émettre les électrons
t-c
(majoritaires dans l'émetteur). Sa dimension est inférieure à celle du collecteur.

♦ La base (B), région de type P, faiblement dopée et qui a une faible épaisseur ( ≈ 1µm ) devant la
.fs
longueur de diffusion des porteurs minoritaires (électrons) dans cette région. Elle transmet au collecteur
la plus part des électrons venant de l'émetteur.
♦ Le collecteur (C), région de type N moyennement dopée. Le collecteur recueille les électrons qui lui
w
viennent de la base d'où son nom. C'est la plus grande des trois régions dopées.
w
2. Le transistor bipolaire non polarisé

En absence de tension appliquée, comme pour une seule jonction P-N (cf. chapitre 2), il se crée au niveau
w
des deux jonctions émetteur-base et base-collecteur des zones de charges d'espace. Comme le dopage de
l'émetteur est supérieur à celui du collecteur, sa charge positive est supérieure à celle du collecteur.
A l'équilibre, les barrières énergétiques imposées par les jonctions émetteur-base et base-collecteur
empêchent toute diffusion de porteurs libres. Le courant dans le transistor est globalement nul.
3. Transistor bipolaire sous polarisation

3.1. Modes de fonctionnement d'un transistor bipolaire
Selon la polarité des tensions appliquées aux jonctions émetteur-base et base-collecteur, on obtient des
comportement différents du transistor. On distingue quatre modes (ou régimes) de fonctionnement du transistor:
♦ Mode de fonctionnement normal : la jonction E-B est polarisée en direct et la jonction B-C en inverse.
Ce mode est utilisé en amplification et pour tracer les caractéristiques du transistor.
♦ Mode de fonctionnement bloqué : les jonctions E-B et B-C sont polarisées en inverse. Le transistor est
équivalent à un circuit ouvert.
♦ Mode de fonctionnement saturé : les jonctions E-B et B-C sont polarisées en direct. Le transistor est
équivalent à un circuit fermé.
♦ Mode de fonctionnement inverse : la jonction E-B est polarisée en inverse et la jonction B-C en direct.
Ce mode est très peu utilisé.
3.2. Montages de base

Quand on branche un transistor, il y a trois montages possibles pour qu'il y ait une des pattes commune à
l'entrée et à la sortie :
♦ Montage émetteur commun : la patte commune est l'émetteur. L'entrée est la base et la sortie est le
collecteur.
om
♦ Montage base commune : la patte commune est la base. L'entrée est l'émetteur et la sortie est le
collecteur.
♦ Montage collecteur commun : la patte commune est le collecteur. L'entrée est la base et la sortie est
t.c
l'émetteur.
3.3. L'effet transistor
po
3.3.1 Etude expérimentale (Montage base commune en mode
de fonctionnement normal) E B C
Appliquons entre l'émetteur et la base une d.d.p. continue VBE
gs
de l'ordre de 1volt tel que la jonction N-P émetteur-base soit
polarisée en direct (VBE>0). Et appliquons entre la base et le
collecteur une tension VBC d'une dizaine de volt tel que la jonction
N P N
lo
base-collecteur soit polarisée en inverse (VBC<0)-figure 1- VBE VCB
Dans ce montage, la base constitue la référence commune aux
.b
circuits d'entrée (circuit émetteur-base) et de sortie (circuit

collecteur-base). Ce montage est appelé base commune. Figure 1
rs
3.3.2 Analyse du circuit

ou
La jonction base-émetteur étant polarisée en direct: les électrons majoritaires de l'émetteur diffusent
facilement vers la base. De même, les trous majoritaires de la base vont diffuser vers l'émetteur.
Les électrons injectés de l'émetteur vers la base deviennent minoritaires. Certains d'entre eux vont se
t-c
recombiner avec les trous majoritaires de la base. Mais comme la base est très faiblement dopée et son épaisseur
est faible devant la longueur de diffusion des électrons injectés par l'émetteur, ces derniers auront peu de chance
de rencontrer les trous majoritaires de la base. Seule une faible portion de ces électrons va subir des
.fs
recombinaison avec les trous de la base.

Les électrons émis par l'émetteur arrivent à proximité de la jonction base-collecteur (polarisée en inverse)
sont accélérés vers le collecteur par un champ dirigé du collecteur vers la base.
w
En conclusion, la presque totalité des électrons "émis" par l'émetteur est collectée par le collecteur.
w
Bilan des courants pour un transistor réel

Courant de porteurs majoritaires émis
w
(par l'émetteur) et presque entièrement

collectés (par le collecteur)
Figure 2
IE IC
Courant de
E (N) B (P) C (N)
recombinaison
Faible courant de porteurs Courant de porteurs
majoritaires de la base IB minoritaires (courant inverse
de saturation) ICBO
Remarque:
Il faut noter qu'au courant précédent se superpose un courant inverse de saturation dû aux porteurs
minoritaires de la base et du collecteur ICBO, mais l'intensité correspondante reste très faible.
3.3.3. Définition de l'effet transistor

Le transistor permet, avec une faible tension (VBE de l'ordre de 1volt) d'injecter un courant donnée (courant
d'émetteur) dans un circuit de faible résistance (jonction émetteur-base polarisée en direct) et de transférer ce
même courant dans un circuit de grande résistance (jonction base-collecteur en inverse) : c'est l'effet transistor.
Remarque: la nomination "transistor bipolaire" provient du fait que les porteurs de charge intervenant dans son
fonctionnement sont les électrons (majoritaires du l'émetteur et du collecteur) et les trous (minoritaires dans la
om
base). Le transistor bipolaire fait intervenir deux types de porteurs de charges.
3.4. Relations fondamentales

3.4.1. Montage base commune (gain en courant en base commune)
t.c
Reprenons le montage "base commune" de la figure 3 . IE E C IC
po
Bilan des courants en régime stationnaire:
♦ IE=IB+IC B
♦ I C = α I E + I CB 0
gs
Où ICBO est le courant inverse de saturation de la jonction
B-C (appelé aussi courant de fuite à émetteur ouvert IE=0).
VBE IB VCB
lo
Figure 3
Dans la pratique, ICBO est un courant très faible.
.b
En première approximation, I C = α I E avec 0,98 < α < 0,99 .

I
rs
Le coefficient α = C est appelé le "gain en courant en base commune".

IE
ou
3.4.2. Montage émetteur commun (gain en courant en émetteur commun)

IC
Dans la pratique, le montage le plus fréquemment
C
t-c
utilisé est le montage en "émetteur commun"-figure 4-(à

noter que l'émetteur est commun à l'entrée et à la sortie). IB B
.fs
Bilan des courants en régime stationnaire:

♦ IE=IB+IC E VCB
♦ I C = β I B + I CEO VBE IE
w
Où ICEO est le courant de fuite à base ouverte.

w
On déduit des équations ci-dessus:

α
et ICE0=( β +1) ICB0
w
β= Figure 4
1−α
Comme α est voisin de l'unité, le coefficient β est dans la pratique compris entre 20 et 900.
Dans la pratique, le courant ICEO est faible et IC est proportionnel à IB pour VCE = constante:
I
Le coefficient β = C est appelé "gain en courant en émetteur commun".
IB
3.5. Réseaux des caractéristiques du transistor bipolaire
Déterminer l'état de fonctionnement d'un transistor bipolaire nécessite la connaissance de six variables:
♦ Trois courants: IB, IE, IC; IC
♦ Trois tensions: VCE, VBE, VCB. C
Pour le tracer des caractéristiques, le montage le
plus utilisé dans la pratique est le montage à IB B RC
"émetteur commun".-figure 5-
Les conditions de fonctionnement normal du RB E VCC

transistor sont tel que: IE
⎧V BE > 0 jonction B − E polarisée en direct VBB
om
⎨
⎩V BC < 0 jonction B − C polarisée en inverse.
Figure 5
Dans ce montage:
t.c
♦ la jonction B-E est polarisée en direct à l'aide du générateur de tension VBB à travers la résistance RB,
grande devant la résistance d'entrée du transistor. VBE est de l'ordre de 0,7volt pour un transistor au
po
silicium.
♦ Le collecteur est polarisé par la résistance RC (à l'aide du générateur VCC) de telle manière que la
tension du collecteur soit supérieure à la tension de la base (jonction B-C polarisée en inverse).
3.5.1 Caractéristique d'entrée IB=f(VBE) gs IB

lo
Elle est donnée par la relation IB=f(VBE) à VCE constante. C'est VCE=cte
pratiquement la caractéristique d'une diode en polarisation directe.
.b
Cette caractéristique dépend très peu de VCE. -figure 6-

VBE
rs
On la donne en général pour une seule valeur de VCE. En

fonctionnement normal, VBE est d'environ 0,7V pour un transistor au
Figure 6
silicium. IB est généralement inférieur au mA.
ou
3.5.2 Caractéristique de sortie IC=f(VCE)

t-c
Elle est définie par la relation IC=f(VCE) à IB constant. –figure 7-

En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB.
.fs
On distingue trois zones:

• Une zone importante où le courant IC dépend de IB IC IB4
w
( I C ≈ β I B ) et qui varie très peu avec VCE. Cette caractéristique

est celle d'un générateur de courant (de résistance interne très
IB3
w
grande) utilisé en tant que récepteur. IB2

• La zone des faibles tension VCE (0 à quelque volts ). On IB1
w
l'appelle zone de saturation. Quand la tension C-B diminue pour

devenir très faible, la jonction C-B cesse d'être polarisée en IB0
IB=0 VCE
inverse et l'effet transistor décroît rapidement. A la limite, la
jonction C-B devient polarisée en direct: le transistor est Figure 7
équivalent à deux diodes en parallèles.
Remarque: Lorsque la tension VCE devient supérieure à la tension d'avalanche de la jonction C-B, le courant IC
augmente très rapidement. Le transistor se chauffe et risque d'être endommagé.
3.5.3 Caractéristique de transfert en courant IC=f(IB)

IC Pente β
Elle est donnée par la relation IC=f(IB) à VCE constante. Elle
se déduit de la caractéristique précédente.-et dépend très VCE
-figure 8-
Le courant du collecteur IC est proportionnel à IB: I C ≈ β I B

ICE0 IB
β dépend du type de transistor : 0 à 10 pour les transistors de
grosse puissance, 30 à 80 de moyenne puissance et de 100 à 150 Figure 8
pour les transistors de signal (faible puissance).
om
3.5.4 Caractéristique de transfert en tension VBE=f(VCE) VBE
Elle est donnée par la relation VBE=f(VCE) à IB IB=cte
t.c
constant -figure 9-
Par suite de la faible influence de la tension de
sortie VCE sur la tension d'entrée VBE, les caractéristiques de
po
transfert en tensions sont presque horizontales.
Cette caractéristique est souvent ignorée par les VC
constructeurs. Figure 9
gs
Remarque: limites et choix d'utilisation d'un transistor bipolaire
Le transistor bipolaire pourra fonctionner sans destruction à l'intérieur d'un domaine d'utilisation bien
lo
déterminé. Le choix du transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètres suivants:
♦ VCEmax que peut supporter le transistor;
.b
♦ Le courant maximum du collecteur Icmax.

♦ La puissance maximale (Pmax=VCE IC) que le transistor aura à dissiper (choix du radiateur);
rs
♦ Le gain en courant β .
ou
t-c
.fs
w
w
w
Chapitre 5
Transistor bipolaire en régime continu (ou statique)
Soit le montage à transistor monté en émetteur commun:
IC
C
IB B RC
Figure 1 RB E
VCC
om
IE
VBB
t.c
On se propose de déterminer l'état de fonctionnement, appelé aussi "point de fonctionnement ou de point
de repos". Pour cela, il faut déterminer les quatre variables (IB0, VBE0, IC0, VCE0) qui sont fixées de façon unique
par RB, RC, VBB et VCC.
po
VBE
1. Détermination du point de repos
1.1 Droite d'attaque statique VBB
VBE=VBB-RB IB. gs
La loi des mailles appliquée au circuit d'entrée donne:
Dans le plan (IB, VBE), cette relation constitue l'équation

lo
de la droite d'attaque statique. Elle constitue l'ensemble des IB
points de fonctionnement du circuit d'entrée.(figure 2)
.b
V BB
Figure 2
RB
rs
1.2 Droite de charge statique IC

La loi des mailles appliquée au circuit de sortie donne:
VCC
ou
VCE=VCC-RC IC.
Dans le plan (VCE , IC,), cette relation constitue l'équation RC
de la droite de charge statique. Elle constitue l'ensemble des
t-c
points de fonctionnement du circuit de sortie (figure 3).

VCE
VCC
.fs
1.3 Méthode de détermination du point de repos Figure 3

♦ Le point de repos à l'entrée
IC
w
Pentrée(VBE0, IB0) est l'intersection

entre la droite d'attaque et la
w
caractéristique d'entrée VBE=f(IB)

dans le plan (IB, VBE).
♦ La valeur de IB0, permet de
w
Psortie
connaître le point de repos Ptransfert IC0
Ptransfert(IB0, IC0) sur la
caractéristique de transfert en IB=0
courant dans le plan (IC, IB). IB VCE0
IB0
♦ Le courant de sortie IC0 étant
connu, le point de fonctionnement
Psortie(VCE0, IC0). appartient à la VBE0
droite de charge statique. On en Pentrée
Figure 4
déduit par projection, le point de
repos dans le réseau de sortie.
VBE
2. Différents régime de fonctionnement d'un transistor bipolaire

2.1 Régime normal
C'est le cas où les deux jonctions du transistor sont polarisées en sens contraire (effet transistor).
Le point de repos est généralement sur la partie rectiligne horizontale des caractéristiques de sortie (région
linéaire).
2.2 Régime bloqué IC
Dès que la tension d'entrée VBE (ou VBB) est inférieure VCC
à la tension seuil Vd de la jonction E-B, cette dernière est RC
bloquée. Le courant IB est quasiment nul et le point de repos
om
est Q (figure 5) de coordonnées IC ≈ 0 et VCE ≈ VCC.
Remarque : Q
Pour bloquer un transistor, il suffit de polariser en
IB=0
t.c
inverse les deux jonctions E-B et C-B. VCC VCE
Figure 5
po
2.3 Régime saturé IC
Lorsqu'on augmente la tension d'entrée, le courant IB VCC S0
gs
augmente et le point de repos est déplacé jusqu'à sa position
limite S0 figure 6). Les courants IC et IB étant limités
uniquement par RB et RC. Le transistor est saturé et on a IC ≈
VCC/RC et VCE ≈ 0.
RC
lo
IB=0
.b
Remarque :
On dit que le transistor fonctionne en commutation (ou VCC VCE
Figure 6
en tout ou rien) s’il prend les seuls états :
rs
• bloqué : Ic=0 et IB=0, VCE=VCC.

• Saturé : IC=IC sat=VCC/RC et VCE=0.
ou
3. Autre montages de polarisation courants:

t-c
En pratique, on peut utiliser d'autre circuit de polarisation (moins coûteux) et qui présentent le même
fonctionnement.
Dans les montages usuels, on utilise rarement une source de tension séparée VBB pour polariser en direct la
.fs
jonction E-B. On alimente la base à partir d'un générateur unique VCC:

♦ soit par une résistance série RB (figure 7-a);
♦ soit par un pont diviseur à résistance R1 et R2 (figure 7-b).
w
IC
w
IC
RC RC
R1
w
C C
RB VCC
VCC
IB B IB B
E R2 E
IE IE
Figure 7-a Figure 7-b

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Généralités sur les semi-conducteurs

Les métaux Les semi-conducteurs Les isolants

10-5 1014 Résistivité ρ(Ω cm)

Aluminium 2,8 10-8 Arsenure de gallium (GaAs) 109

champ électrique comme

1.1 Notion de trou Si Si Si Si Si Si Si Si

se rompt sous l'effet de Si Si Si Si Si Si Si Si

positive du noyau non Si Si

Ainsi une paire électron-trou

A 27 °C on a: • pour le silicium : ni= pi=1,5 1016 m-3

La résistivité a pour expression: ρ =

Exemple: Dans le cas du silicium à T=300K on a:

sur la place vacante que constitue le trou qui disparaît ainsi.

- semi-conducteurs de type P (impuretés de la troisième colonne).

Les principaux dopant utilisés sont regroupés dans le tableau suivant:

Dopant trivalent Semi-conducteur Dopant pentavelent

2.1 Semi-conducteur extrinsèque de type N

La densité intrinsèque est de l'ordre de ni=1,5 1010 électron/cm3.

σ i = 4,4 10 −6 (Ω cm) −1 σ n = ene µ n ≈ eN D µ n = 0,22 (Ω cm) −1

2.2. Semi-conducteurs de type P Si Si Si

On ajoute cette fois une

Le semi-conducteur de type P est schématisé par la figure suivante.

Illustration: cas du silicium de type P et N à T=300K

4,6 1015 5 104

ype P "" "" "" "" 1 1

1. Jonction P-N non polarisée

• ions négatifs du côté P: ,

1.1. Courant de diffusion dû aux porteurs majoritaires

• lié au déplacement des porteurs de charges minoritaires,

2. La jonction P-N sous tension. Jonction P-N

polarisée Courant de diffusion Id

Lorsque l'extrémité de la région P est portée à Ea

2.2. Polarisation en sens inverse Courant de diffusion Id

pas 25°C. On dit que la jonction est bloquée.

3. Caractéristique courant-tension I=f(V) I

On montre que l'équation de la caractéristique

V est la tension de polarisation, T la température V

Le graphe de la caractéristique I=f(V) est donnée

4. Claquage d'une jonction

certains générateurs de fréquence.

5. Modélisation de la diode à semi-conducteur

5.1. Interprétation de la caractéristique courant-tension

a. Tension de coude (où tension seuil)

caractéristique. Elle varie avec la tension appliquée à la diode (elle R2=V2/I2

courant inverse très faible. La diode peut être assimiler à un Ii

Ri= Vi/ Ii où Ii est le courant inverse et Vi est la tension

diélectrique est constitué par la zone de déplétion.

5.2. Les approximations pratiques d'une diode à semi-conducteur

a. Première approximation – Diode idéale

de la diode est donné par la I

directe et pour V>Vd, la diode ⇔

V Polarisation directe et V>Vd

résistance interne rd qui

On suppose que la diode est idéale : Vd ≈ 0, rd ≈ 0 et Ri ≈ ∞ .

Pour tout état de polarisation de la diode, nous avons: Ve=VR+VAK

• En polarisation inverse (alternance négative de Ve): VAK < 0, iAK = 0 Figure 1

la diode est bloquée et on a : VAK=Ve et VR=0.

• Pour T/2 < t <T , Ve < 0 + + + +