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    Exam 2017 Analogie

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    Faculté des Sciences

    16/01/2017
    Département de Physique
    SMP – S5

    Examen d’Electronique Analogique


    Durée 1h30

    Exercice 1 :
    On désire réaliser un amplificateur à deux étages utilisant un transistor à effet de champ à canal N
    T1 avec un transistor bipolaire T2 de type PNP (Figure 1). Les deux transistors sont alimentés par
    une tension continue VCC = 15V à la température T = 25° .
    2
     V 
    - On donne pour T1 : I DSS = 12mA , VP = −2V , ρ = 335kΩ , et on rappelle : I D = I DSS 1 − GS 
     VP 

    - Et pour T2 : β = 200 , VBE = −0,6V et VA = 100V ( VA est la tension d’Early), et on rappelle :

     V  V 
    I C = I S 1 + CE  exp BE  avec I S courant de saturation et U T = 26mV le potentiel
     VA   UT 
    thermodynamique.
    VCC
    RE C2
    RD

    T2
    C1
    vS
    T1 v1

    r
    vE RG RS CS
    eg

    On choisit le point de fonctionnement du transistor T1 tel que I D 0 = 3mA et VDS 0 =6,8V, et du


    transistor T2 tel que I C 0 = 2mA .
    Etude statique du montage (Etablir d’abord l’expression puis la valeur numérique)
    1)- Dessiner le schéma équivalent du montage en régime statique.
    2)- Calculer la tension VGS 0 , et déduire la valeur de RS .
    3)- Calculer la valeur de RD puis celle du RE .
    4)- En déduire la valeur de VCE 0 .

    5)- Déterminer la valeur de la transconductance g m du transistor T1 .

    6)- Déterminer l’expression de la résistance h11 du Transistor T2 en fonction de β , I C 0 , et U T .

    7)- Déterminer l’expression h22 du Transistor T2 en fonction de VA , VCE 0 et I C 0 .

    1/2
    Faculté des Sciences
    16/01/2017
    Département de Physique
    SMP – S5

    Etude dynamique du montage (Donner uniquement l’expression analytique)


    8)- Donner le schéma équivalent du montage en régime dynamique.
    9)- Déterminer l’expression de la résistance d’entrée RIN 2 du 2ème étage.

    10)- Déterminer le gain en tension du 2ème étage AV 2 = vS v1 .

    11)- Déterminer le gain en tension du 1er étage chargé avec le 2ème étage AV 1 = v1 vE , En déduire
    le gain du montage complet : AV = vS ve .

    12)- Déterminer l’expression de la résistance d’entrée RIN 1 du 1er étage.

    13)- Calculer la résistance de sortie Rout du montage complet.

    Exercice 2 :
    On propose d’étudier le montage suivant où l’amplificateur opérationnel est supposé idéal
    fonctionnant en régime linéaire :

    R2

    C
    i
    +
    − vS
    vE R1

    1) Etablir l’expression de la fonction de transfert H = vS v E du quadripôle.


    2) Tracer l’allure du diagramme de Bode concernant le module de H , et déduire sa nature.
    vE
    3) Donner l’expression de l’impédance d’entrée Z E = , en la mettant sous forme :
    i
    1 + j ω ω2
    Z E = A0 . , identifier A0 , ω1 et ω2 .
    1 + j ω ω1

    RS
    4) Montrer que ce montage est équivalent à une résistance RS en
    série avec une inductance L shunté par une résistance RP (figure
    ci-contre). Calculer RS , RP et L en fonction de R1 , R2 et C. RP L

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