Plycopié TP - Électronique

Travaux Pratiques
Électronique de base
Table des matières
1 Diodes et applications I 2
1.1 Rappel de cours . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.1 Courbe caractéristique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.2 Modèle électrique équivalent à la diode en direct . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3 Modèle de la diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.4 Diodes électroluminescentes (LED) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2 Applications des diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.1 Écrêteurs-limiteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.2 Circuits restaurateurs DC à diode à jonction PN . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.3 Doubleur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3 Manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.1 Caractéristique I-V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.2 Écrêteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3.3 Restaurateur DC à diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.4 Doubleur de tension à diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2 Diodes et applications II 24
2.1 Rappel de cours . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.1 Stabilisateur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.1.2 Redressement de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.1.3 Redressement double alternance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.1.4 Composante DC, valeur efficace et facteur de forme du signal périodique 29
2.1.5 Détecteur de pic (redresseur + filtre) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2 Manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.2.1 Régulation de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.3 Redressement de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3.1 Redresseur mono alternance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3.2 Redresseur double alternance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
iii
TABLE DES MATIÈRES TABLE DES MATIÈRES
3 Ampli EC 42
3.1 Rappel de cours . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.1.1 Transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.2 Amplificateur émetteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.3 Manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.3.1 Caractéristiques du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.3.2 Amplificateur émetteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4 Amplificateur source commune 54

4.1 Rappel de cours . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.1.1 Amplificateur source commune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.2 Manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.2.1 Caractérisation du transistor à effet de champ . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.2.2 Amplificateur source commune . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5 Amplificateur CC-Darlington 66
5.1 Paramètres hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.2 Étude en statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
5.3 Étude En dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.4 Manipulation 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.5 Manipulation 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
5.6 Manipulation 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
6 Circuits RC-CR 79
6.1 Analyse transitoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
6.2 Analyse fréquentielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
6.2.1 Fonctions de transfert des circuits R-C et C-R . . . . . . . . . . . . . . . 80
6.2.2 Diagramme de Bode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
6.3 Manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
6.3.1 Analyse transitoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
6.3.2 Analyse fréquentielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
A Notices des appareils utilisés en TP 90
Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 iv

1
Lab 1
Diodes et applications 1 : Caractéristique

I − V , limiteurs, restaurateurs DC et
doubleur de tension
1.1 Rappel de cours

La diode est un élément actif comportant deux électrodes désignées généralement par
anode et cathode. La diode PN résulte de la jonction de deux éléments semi-conducteurs
généralement en silicium (cf. Fig. 1.1 ). L’un des éléments a subit un dopage type P, l’autre
un dopage type N. À cause des propriétés particulières des semi-conducteurs, la circulation
du courant à travers la jonction ne peut s’effectuer que dans le sens P → N.
1.1.1 Courbe caractéristique

En examinant en détail la relation courant-tension d’une jonction polarisée, on constate que
le courant obéit à la tension appliquée selon la loi exponentielle suivante :
Figure 1.1 – Constitution et symbole d’une diode à jonction PN.
2
1.1. RAPPEL DE COURS LAB 1. DIODES ET APPLICATIONS I
Figure 1.2 – Caractéristique réelle de la jonction PN.

VD
ID = Is exp( )−1 (1.1)
nVT
− le courant Is est appelé courant inverse de saturation. C’est la valeur asymptotique du

courant traversant la jonction en polarisation inverse ;
− VT est la tension thermodynamique qui vaut VT = KT

q
' 26mV à 25◦ C (q = 1, 6 × 10−19 C ,
K = 1, 23 × 10−23 J/ ◦ K ).
− n est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les jonctions de

transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 dans les
diodes au silicium.
La caractéristique courant-tension (1.1) peut être approximée convenablement par la relation

ID ' Is exp( nV
VD
T
) dans le cas où la tension VD excède 100mV .
La diode est dite polarisée en direct lorsque la tension VD est positive. Dans ce cas, la
croissance exponentielle du courant est fortement marquée par la tension de seuil VD0 (cf.
Fig. 1.2). Pour la jonction au silicium, la tension seuil VD0 s’établit environ entre 0.6V et 0.7V .
Pour une tension appliquée VD < 0, la diode est polarisée en inverse. Le courant traver-
sant la diode de la cathode vers l’anode est extrêmement faible et croît rapidement avec la
température ; il vaut Is . On considère que la diode est bloquée.
— Diode à Jonction PN
Lorsque la tension inverse |VD | augmente jusqu’à atteindre une tension |VBR | dite de cla-
quage, le courant augmente rapidement dans la diode entraînant sa destruction.
Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 3

Figure 1.3 – Modèles de la jonction PN en direct.
— Diode Zener
Le courant ID est négligeable tant que |VD | < |VBR | = |VZ | (tension Zener). Au-delà, le
courant ID croît très rapidement et VD = Vz . Pour éviter la destruction de la diode Zener, le
constructeur spécifie le courant maximal. |VZ | varie selon le type de la diode entre quelques
volts et plusieurs dizaines de volts.
1.1.2 Modèle électrique équivalent à la diode en direct

Modèles statiques
Pour étudier les structures électroniques, on est conduit dans un but de simplification à
linéariser la fonction ID = f (VD ) en direct. En fonction du problème à traiter, différentes
hypothèses peuvent être envisagées (voir Fig. 1.3) :
— Diode idéale
Si VD < 0, le courant ID = 0.
Si ID > 0, la tension VD = 0.
La diode est équivalente à un interrupteur (Cf. Fig. 1.4) A désigne l’anode et K la cathode.
— Diode parfaite
Si VD < VD0 , le courant ID = 0.
Si ID > 0, la tension VD = VD0 .

Figure 1.4 – La diode se comporte comme un interrupteur.
Figure 1.5 – Modèle à source de tension et résistance
La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de tension parfaite de
f.é.m VD0 .
— Diode réelle
Si VD < VD0 , le courant ID = 0.
Si ID > 0, la tension VD = VD0 + RD IA→K .
La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de tension de f.é.m VD0 et
de résistance interne RD (voir Fig. 1.5).
Notons que le cas de diode parfaite est obtenu en remplaçant la résistance RD par un
court-circuit.
Résistance et modèle dynamiques
Dans quelques applications, on cherche à déterminer le comportement en AC du circuit

à diodes autour d’un point de fonctionnement. On a donc une superposition d’un signal DC
et d’un signal AC de faible amplitude (voir Fig. 1.6) .
Le signal instantané appliqué à la diode est :
vD = VDQ + vd (1.2)
|{z}
Composante AC

Figure 1.6 – Excitation AC de la diode autour du point de fonctionnement Q
Le courant dans la diode correspondant s’écrit :
vD
iD ' Is exp( )
nVT
VDQ vd
= Is exp( ) exp( )
nV nVT
| {z T }
IDQ

vd vd
' IDQ (1 + ),
nVT nVT 1 (1.3)
| {z }
Faible signal
Il s’ensuit que :
IDQ
id = iD − IDQ ' vd
nVT
|{z}
1/rd
où rd est la résistance dynamique de la diode définie par : rd = nV

IDQ
T
.
En polarisation directe, la diode est équivalente en dynamique au circuit de la figure 1.8.
1.1.3 Modèle de la diode Zener

Dans le sens direct, cette diode se comporte comme une diode normale, dans le sens inverse
la diode Zener est équivalente à une source de tension de f.é.m Vz et de résistance interne
rz (cf. 1.8 ).

Figure 1.7 – Schéma petits signaux de la diode.Cd est la somme des capacités de diffusion et de
jonction.
Figure 1.8 – Modèle, symbole et caractéristique de la diode Zener.
1.1.4 Diodes électroluminescentes (LED)

Les diodes électroluminescentes (LED) ne sont pas fabriquées à partir du silicium ou
du germanium, mais sont fabriquées à partir d’éléments comme le gallium, le phosphore et
l’arsenic. En faisant varier les quantités de ces éléments, il est possible de produire de la
lumière de différentes longueurs d’onde avec des couleurs qui incluent le rouge, le vert, le
jaune et le bleu. Par exemple, lorsqu’une LED est fabriquée avec de l’arsenic de gallium,
elle produira une lumière rouge. Si la LED est fabriquée avec du phosphure de gallium, elle
produira une lumière verte.
Lorsque la diode électroluminescente (LED) est polarisée en direct, comme illustré à la
figure 1.9, les électrons du matériau de type n traversent la jonction PN et se recombinent
avec des trous dans le matériau de type p. Rappelons que ces électrons libres sont en bande
de conduction et à un niveau d’énergie plus élevé que les trous de la bande de valence.
Lorsque la recombinaison a lieu, les électrons recombinés libèrent de l’énergie sous forme
de chaleur et de lumière. Dans les diodes au germanium et au silicium, la quasi-totalité de
l’énergie est cédée sous forme de chaleur et la lumière émise est insignifiante. Cependant,
dans des matériaux comme l’arséniure de gallium, le nombre de photons d’énergie lumineuse
est suffisant pour produire une lumière visible assez intense.

1.2. APPLICATIONS DES DIODES LAB 1. DIODES ET APPLICATIONS I
Figure 1.9 – Symbole de la diode électroluminescente (LED).
Matériaux Rayonnement Longueur d’onde λ (nm)

phospho-arséniure de gallium
rouge 610< λ<760
arséniure de gallium-aluminium
phospho-arséniure de gallium (GaAsP) jaune 570 < λ< 590
nitrure de gallium (GaN)/
vert 500 < λ < 570
phosphure de gallium (GaP)
Table 1.1 – Longueurs d’onde et matériaux pour les LEDs rouge, bleue et jaune.
Le tableau ci-dessous montre les matériaux et les longueurs d’ondes associées pour les
LEDs rouge, verte et bleue.
Les valeurs nominales de tension directe dans la plupart des LEDs sont de 1V à 3V et la
plage de courant direct de 20mA à 100mA. Afin que le courant traversant la LED ne dépasse
pas la valeur de sécurité, une résistance Rs est connectée en série avec celle-ci.
Le spectre d’émission d’une diode LED est relativement étroit. La figure 1.10 représente
le spectre d’une LED rouge. Le maximum d’émission est obtenu pour une longueur d’onde de
λ = 625nm.
1.2 Applications des diodes
1.2.1 Écrêteurs-limiteurs
Le limiteur à diode est appelé aussi écrêteurs car il sert à limiter la tension d’entrée. Un
circuit limiteur à diode de base est composé d’une diode et d’une résistance. En fonction de
la configuration et de la polarisation du circuit, le circuit peut écrêter ou éliminer une partie
de la forme d’onde d’entrée. Il limite la tension de sortie à une valeur spécifique. Les circuits
représentés sur la figure 1 illustrent des circuits limiteurs typiques à une seule diode.

Figure 1.10 – Spectre d’émission de la LED rouge.
Figure 1.11 – Limiteurs de base à une seule diode.

Figure 1.12 – Principe du circuit restaurateur DC.
1.2.2 Circuits restaurateurs DC à diode à jonction PN

Le circuit restaurateur DC permet l’ajout d’une composante continue au signal variable de
valeur moyenne nulle. La composante continue peut être positive ou négative comme illustré
Fig. 1.12. La figure 1.13 représente la structure de base de restaurateurs DC.
— Principe de fonctionnement
Considérons le circuit de la figure 1.13 a). On suppose que la diode est idéale. Pendant
l’alternance négative, e = Vm sin(ωt) < 0, la diode conduit (court circuit) et la capacité se
charge rapidement pour atteindre la tension vC = Vm à t = T /2 de polarité + du côté de la
charge R. Pour t > T /2, la tension aux bornes de la diode est :
s(t) = e(t) + Vm (1.4)

= Vm sin(ωt) + Vm > 0
La diode D devient bloquée et la tension à ses bornes est maintenue à s(t) = Vm sin(ωt) + Vm
à condition de choisir la constante de temps RC suffisamment grande pour ne pas produire
la décharge de la capacité.
1.2.3 Doubleur de tension

Le doubleur de tension est illustré Fig. 1.14. Il permet de produire en sortie une tension
DC de valeur égale au double de l’amplitude de la tension AC appliquée à son entrée.
Principe de fonctionnement
Supposons pour simplicité que les diodes D1 et D2 sont idéales. Pendant l’alternance
négative, la diode D2 est conductrice et la capacité C2 se charge pour atteindre à
t = T /2 la tension Vm de polarité + du côté de D1. Pour t > T /2, la diode D2 se

Figure 1.13 – Configurations de base de restaurateurs DC
Figure 1.14 – Doubleur de tension

1.3. MANIPULATION LAB 1. DIODES ET APPLICATIONS I
bloque, la diode D1 conduit et la capacité C1 se charge pour atteindre la tension 2Vm

pendant la seconde alternance.
1.3 Manipulation
Liste du matériel
Quantité
Plaque d’essai 1
Fils pour plaque d’essai 12
Alimentation DC 1
Multimètre 1
GBF 1
Oscilloscope 1
Valeur Quantité
Résistances 1kΩ 2
330Ω 1
Capacité 1µF 2
LED Rouge 5mm 1
1N4007 2
1N4732 1
Potentiomètre 1kΩ 1
Table 1.2 – Liste de matériels requis pour le Lab 1.
1.3.1 Caractéristique I-V
Diode 1N4007
— Réaliser les montages a) et b) de la figure 1.15. La diode considérée est 1N4007
et la résistance vaut R = 1kΩ.
La réalisation sur platine d’essai permettant la mesure de la tension aux bornes
de la diode et le courant qui la traverse pour les polarisations directe et inverse
est illustrée Fig. 1.16 a, b, c et d.
— Remplir le tableau ci-dessous en effectuant les mesures spécifiées Fig. 1.16 pour
une variation de la tension E.
— Tracer la caractéristique I-V et déduire la résistance statique RD , la résistance
dynamique rD pour ID = 7mA à partir du graphe ainsi que la tension seuil VD0 .
Quel est le type de la diode ? Ge ou Si.
LED Rouge

Figure 1.15 – Relevé de caractéristique I-V de la diode 1N4007
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

E(V)
1 2 4 6 8 10 13
VD (Pol.
directe)(V)
ID (Pol. di-
recte)(mA)
VD (Pol.
inverse)(V)
ID (Pol.
inverse)(µA)
Table 1.3 – Caractéristique I-V de la diode.

— a- Réaliser le montage de la figure 1.17a), d). La diode 1N4007 est introduite

pour protéger la LED rouge en polarisation inverse. On prend R = 330Ω.
b- Ajuster la fréquence du GBF à f = 1kHz et l’amplitude du signal sinusoïdal

à Vm = 8V .
c- Reporter les courbes CH1 et CH2 sur la figure 1.18 en spécifiant les valeurs
maximales et minimales et les calibres (base de temps et tensions). Déduire
la valeur de la tension seuil VD0,LED . CH1 et CH2 devraient être en mode DC.
d- Éliminer la base de temps et visualiser la caractéristique I-V du dipôle LED

en dérivation avec la diode 1N4007. Notons que le canal CH2 visualise la
tension RID (proportionnelle au courant). Reproduire la caractéristique à la
Fig. 1.19 a).
e- Afin de visualiser la caractéristique I-V de la LED, insérer une diode 1N4007

en série avec le GBF comme illustré Fig 1.17 b), e). Éliminer la base de
temps, inverser le canal CH2 et reproduire la caractéristique ainsi obtenue
à la figure 1.19 b).
Diode Zener
— Réaliser le montage de la Fig. 1.20 (1.21).
— Ajuster l’amplitude du signal sinusoïdal du GBF à la fréquence 1kHz et son
amplitude à 8V. La résistance vaut R = 1kΩ. La diode D est 1N4007.
— Visualiser les signaux CH1 et CH2 puis éliminer la base de temps (Mode XY) et
inverser CH2. Reproduire la caractéristique ainsi obtenue à la figure 1.22.
— Déduire la valeur de Vz .
1.3.2 Écrêteur
— Réaliser le montage Fig. 1.23.

— Visualiser sur CH1 et CH2 en mode DC les tensions vs1 et vs2 et reporter les
courbes sur Fig. 1.24 a), b) en indiquant les calibres, les valeurs minimales et
maximales des tensions.
Faire une étude théorique pour expliquer l’allure des tensions.
— Relever les caractéristiques vs1 = f (e) et vs2 = g(e) sur oscilloscope et reporter
les courbes sur Fig. 1.24 c), d).

Figure 1.16 – Montages pour la mesure de la tension aux bornes de la diode et du courant qui la
traverse pour les polarisations directe et inverse.

Figure 1.17 – Schémas pour visualiser la caractéristique de la LED rouge.

Figure 1.18 – Courbes CH1 et CH2 des tensions aux bornes du dipôle LED-DIODE 1N4007 en
dérivation et aux bornes de la résistance respectivement.
a) b)
Figure 1.19 – Caractéristique de la LED rouge. a) Caractéristique du dipôle LED-1N4007 en déri-

vation. b) Caractéristique de la LED.

Figure 1.20 – Schéma pour le relevé de la caractéristique I-V de la diode Zener.
Figure 1.21 – Schéma sur platine d’essai pour visualiser la caractéristique de la diode Zener.

Figure 1.22 – Caractéristique de la diode Zener.
Figure 1.23 – Écrêteur à diodes

a) b)
c) d)
Figure 1.24 – Caractéristique de l’écrêteur a) tension vs1, b) tension vs2, c) caractéristique vs1=f(e)
et d) caractéristique vs2=g(e).

Figure 1.25 – Restaurateur DC à valeur moyenne variable
1.3.3 Restaurateur DC à diode
— Réaliser le montage Fig. 1.25. La résistance R1 = 1kΩ et le potentiomètre R2

est de 1kΩ. la capacité C = 1µF .
— Ajuster l’amplitude du signal sinusoïdal du GBF à 3V et la fréquence à 1kHz.
Fixer la valeur du Générateur DC à E = 5V .
— Visualiser en mode DC sur oscilloscope e (CH1) et s ( CH2) dans le cas où la
résistance R2 est quasi nulle. Reproduire les courbes de e et de s sur la figure
1.26. Quelle est la valeur smoy de s ?
— En augmentant R2 à partir de la valeur minimale, observer le signal s et justifier
son comportement.
— Changer l’orientation de la diode D dans le circuit de la Fig. 1.25. Varier le
potentiomètre R2 de sorte que la valeur moyenne de s soit égale à smoy = −2V .
Mesurer la valeur de la résistance R2 permettant d’avoir cette valeur moyenne.
1.3.4 Doubleur de tension à diodes
— Réaliser le montage de la figure 1.27. On donne C1 = C2 = 1µF . D1 et D2 sont

deux diodes 1N4007. Ajuster E à 4V , l’amplitude du signal GBF à 1V et sa
fréquence 1kHz.

Figure 1.26 – Tensions d’entrée et de sortie du restaurateur DC.
Figure 1.27 – Doubleur de tension à Diodes (dans le cas où E=0V)

Figure 1.28 – Tensions d’entrée et de sortie du doubleur de tension.
— Visualiser sur CH1 et CH2 la tension d’entrée et celle aux bornes de la capacité,
puis reproduire ces tensions sur la figure 1.28. Relever sur la même figure la
tension v0 .
— Expliquer le fonctionnement du circuit et déduire la valeur de la tension seuil
VD0 des diodes en supposant que celles-ci admettent les mêmes valeurs.

Lab 2
Diodes et applications II : Régulateur et

redressement
2.1 Rappel de cours
2.1.1 Stabilisateur de tension
Les diodes Zener sont idéales pour stabiliser des tensions continues ayant une on-
dulation résiduelle non négligeable (cas des tensions redressées filtrées). Le montage
de la figure est un régulateur de tension. Il permet de maintenir une tension quasi
constante aux bornes de la charge RL lorsque le courant IL varie entre 0 et IL max et/ou
la tension d’entrée vi varie entre vi min et vi max (tension non régulée : tension à la sortie
d’un redresseur de tension après filtrage par exemple).
Pour que le circuit Fig. 2.1 fonctionne en régulateur, il faut que la diode Zener soit
Figure 2.1 – Régulateur de tension
24
2.1. RAPPEL DE COURS LAB 2. DIODES ET APPLICATIONS II
polarisée en inverse. Le courant Iz doit donc être supérieur à Iz min spécifié dans la fiche
signalétique du composant. D’autre part, le courant Iz doit être inférieur à Iz max dicté
par la puissance maximale Pz admissible de la diode. On peut donc écrire :
Iz min Iz Iz max (2.1)
Le fonctionnement en stabilisateur de tension se traduit par :
Vi − Vz
Iz = − IL (2.2)
Rs
Vi max − Vz
Iz max = − IL min (2.3)
Rs min
En supposant IL min = 0A , on obtient :
Vi max − Vz
Rs min =
Iz max
Vi max − Vz
= VZ (2.4)
Pz
De plus,
Vi min − Vz
Iz min = − IL max
Rs max
vi min − Vz
Rs max = (2.5)
IL max + Iz min
Coefficients de régulation
La tension de sortie VL du montage Fig. 2.1 va varier lorsque la tension d’entrée et /
ou la charge vont varier. On distingue deux coefficients :
Stabilisation amont : Le coefficient de stabilité amont représente la sensibilité du

montage aux variations de la tension non régulée vi et ceci à charge constante
(IL =cte), c’est le rapport :

dvL rz
kv = ' (2.6)
dvi IL =cte Rs
Stabilisation aval : ce coefficient est représentatif de la variation de la tension

de sortie quand le courant dans la charge varie (RL , varie), et ceci à tension
d’entrée constante (vi =cte), C’est le rapport :

dvL
ki = ' rz (2.7)
dIL vi =cte

Figure 2.2 – Chaîne de conversion AC-DC.
Figure 2.3 – Redresseur simple alternance (ou mono alternance).
2.1.2 Redressement de tension
Les redresseurs sont des circuits qui permettent de transformer l’alternatif en DC. On
distingue deux types de redresseurs : mono alternance et double alternance. Le principe
est décrit dans la figure 2.2.
On suppose dans ce qui va suivre que les diodes sont caractérisées par une résistance
directe RD nulle.
Redressement mono alternance
Le montage simple alternance est illustré Fig. 2.3.

La tension vi est sinusoïdale : vi = Vm sin(ωt) de fréquence f = ω
2π
= T1 . T est la période
du signal.
Si i > 0, la diode idéale est un court-circuit. La loi des mailles s’écrit : vi − VD0 = và =
Ri > 0. Donc, si :
vi > VD0 , vo = vi − VD0 . (2.8)

Figure 2.4 – Caractéristique de transfert et évolution de la tension de sortie.
Figure 2.5 – Pont redresseur double alternance.
Si vAK = vA − vK < 0, la diode idéale est un circuit ouvert, vA = vi , vK = VD0 , vo = 0.

Donc, si :
vi < VD0 , v0 = 0 (2.9)
Le signal de sortie et la caractéristique du redresseur sont représentés Fig. 2.4.
2.1.3 Redressement double alternance
Le schéma du redresseur double alternance est donné Fig. 2.5.

En remplaçant les diodes (supposées ici identiques) par leurs modèles équivalents, on
peut redessiner le schéma du redresseur double alternance ainsi :
Si vi > 2VD0 , les diodes idéales D1i et D3i sont équivalentes à des courts circuits, la
tension de sortie vaut donc : vo = vi − 2VD0 .

Figure 2.6 – Schéma équivalent du pont pour l’alternance positive et pour l’alternance négative.
Figure 2.7 – Caractéristique et tension de sortie du redresseur double alternance.
Si vi < −2VD0 , les diodes idéales D2i et D4i sont équivalentes à des courts circuits, la
tension de sortie vaut donc : vo = vi + 2VD0 .
La caractéristique de transfert et le signal de sortie v0 du redresseur double alternance
sont illustrés Fig. 2.7.

2.1.4 Composante DC, valeur efficace et facteur de forme du signal

périodique
Soit s(t) un signal périodique de période T . Par définition :

Z
1
SDC = Smoy = s(t)dt (2.10)
T T
s Z
1
Sef f = s2 (t)dt (2.11)
T T
Le taux d’ondulation r et le facteur de forme F sont définis par :
√ Sef f ,ac
r= F2 − 1 = (2.12)
SDC
Sef f
F= (2.13)
Smoy
Où sef f ,ac est la valeur efficace de la composante AC du signal (Signal auquel on a

retranché la composante continue ou valeur moyenne).
— Pour le signal redressé mono alternance(cas où VD0 = 0) :
Vm
Vo,DC = (2.14)
π
Vm
Vo,ef f = (2.15)
2
π 2π
F= signal d’entrée vi = Vm sin( t) (2.16)
2 T
— Pour le signal redressé double alternance (cas où VD0 = 0) :
2Vm
Vo,DC = (2.17)
π
Vm
Vo,ef f = √ (2.18)
2
π
F= √ (2.19)
2 2
Dans le cas où la les diodes ne sont pas idéales, la composante Vo,DC vaut : 2(Vm −2V
π
D0 )
.
La figure 2.8 montre la position de la valeur moyenne d’un signal redressé double
alternance par rapport à la valeur crête (cas idéal).

Figure 2.8 – Valeur moyenne du signal de sortie du redresseur double alternance dans le cas où
VD0 = 0V .
Figure 2.9 – Détecteur de pic.
2.1.5 Détecteur de pic (redresseur + filtre)
Le circuit le plus simple d’un détecteur de pic est représenté à la figure 2.9. Il s’agit
du redresseur mono alternance auquel une capacité en dérivation avec la résistance a
été introduite.
La loi des nœuds au nœud de potentiel vo entraîne :
vo dvo
iD = +C (2.20)
R dt
La tension de sortie du détecteur de pic est représentée Fig.2.10. Elle présente des
ondulations d’amplitude vr .
Lorsque la diode est passante, le condensateur se charge et vo = vi − VD0 . À l’instant
t1 , la diode se bloque et le condensateur se décharge avec une constante de temps
τ = RC :
t − t1
vo (t) = (Vm − VD0 ) exp(− )
τ
À l’instant t1 + T − ∆T où ∆t = T4 − T3 désigne le temps de conduction de la diode,

Figure 2.10 – Tension ondulée à la sortie du détecteur de pic.
la tension aux bornes du condensateur vaut :
T − ∆t
vo (t1 + T − ∆t) = (Vm − VD0 ) exp(− )
τ
T
' (Vm − VD0 ) exp(− ), τ T (2.21)
τ
T
' (Vm − VD0 )(1 − )
τ
_
L’amplitude vr des ondulations vaut donc :
T
vr = (Vm − VD0 ) − (Vm − VD0 )(1 − )
τ
T
= (Vm − VD0 ) (2.22)
τ
Dans le cas d’un détecteur de pic à base d’un redresseur double alternance, l’amplitude
des ondulations est donnée par :
T
vr = (Vm − 2VD0 )
2τ

2.2. MANIPULATION LAB 2. DIODES ET APPLICATIONS II
2.2 Manipulation
Liste de Materiel
Platine d’essai 1
Fils pour platine d’essai 12
Alimentation DC 1
Générateur basses fréquences 1
(GBF)
Multimètre 2
Oscilloscope 1
Valeur Quantité
1kΩ 1
Résistances
330Ω 1
100Ω 1
potentiomètre 10kΩ 1
Capacité 1µF 1
Diode 1N4007 4
Diode Zener 1N4732 1
Table 2.1 – Liste du matériel du Laboratoire 2.
2.2.1 Régulation de tension
Régulation Amont
— Réaliser le montage de la figure 2.11. La résistance admet pour valeur Rs =

330Ω. Le potentiomètre est RL = 1kΩ.
Ajuster la fréquence du signal sinusoïdal à f = 1kHz, une amplitude Vm = 9V
et une composante DC E = 8V (e(t) = Vm sin(ωt) + E). D1 est la diode 1N4007.
La diode D2 est une diode Zener 4.7V .
— Fixer la valeur du potentiomètre à RL = 1kΩ. Visualiser sur canal CH1 de
l’oscilloscope avec un calibre de 5V la tension d’entrée et sur CH2 avec un
calibre de 2V la tension aux bornes de la diode Zener. Adopter le mode DC pour
les canaux et ajuster la position verticale pour capturer correctement les deux
tensions des canaux CH1 et CH2 sur l’écran.
— Éliminer la base de temps et visualiser la caractéristique vL = g(vi ) sur l’oscillo-
scope (ajuster les positions verticale et horizontale de sorte à ce que la courbe
débute en 0V). Reporter cette caractéristique de transfert du régulateur sur la
figure 2.12.
Quelle est la valeur de la tension d’entrée minimale vi min permettant le fonc-
tionnement en régulateur du circuit Fig. 2.11 (Cette valeur est à lire sur la

Figure 2.11 – Schéma pour le relevé de la caractéristique de transfert vL = g(vi ) du régulateur.
caractéristique de transfert vL = g(vi ) ) ?

Quelle est la valeur de tension Vz de la diode Zener ?
Varier le potentiomètre en diminuant la résistance RL . Noter les valeurs vi min
qui correspondent aux résistances dans le tableau 2.2 . Puis justifier le compor-
tement de vi min .
RL 200Ω 500Ω 1kΩ

vimin (V)
Table 2.2 – Valeur minimale de la tension d’entrée permettant la régulation.
— Réaliser le montage de la figure 2.13. La résistance de charge est fixée à

RL = 1kΩ. Les figures 2.14 a), b) c) illustrent les montages sur plaque d’es-
sai permettant la mesure de la tension VL et des courants IL (dans la charge) et
Iz (dans la diode D2).
— Compléter le tableau 2.3 en y insérant les valeurs mesurées.
— Tracer sur Fig. 2.15 la caractéristique Iz = h(VL ) et déterminer rz et Vz .
— Tracer sur Fig. 2.16 la caractéristique VL = G(E) et déterminer le facteur de
régulation kv . Interpréter les résultats obtenus.

Figure 2.12 – Caractéristique vL = g(vi ).
Figure 2.13 – Schéma pour la régulation amont.
1 2 3 4 4,5 5 6 7
E(V)
8 9 10 11 12 13
IL (mA)
VL (V)
Iz (mA)
Table 2.3 – Relevé des caractéristiques pour la régulation amont.

Figure 2.14 – Schémas pour la mesure de : a) Is : courant dans Rs , b) VL : tension aux bornes de
RL , c) Iz : Courant dans D2.

Figure 2.15 – Caractéristique Iz = h(VL ).
Figure 2.16 – Caractéristique VL = G(E).

2.3. REDRESSEMENT DE TENSION LAB 2. DIODES ET APPLICATIONS II
Figure 2.17 – Schéma de la régulation Aval.
RL (Ω) 300 400 500 600 700 800 900 1000

VL (V)
IL (mA)
Table 2.4 – Mesures pour la régulation Aval.
Régulation aval
— Réaliser le montage de la figure 2.17. On prend E = 10V . On désigne par RL la

résistance de 100Ω en série avec un potentiomètre de 1kΩ.
— Effectuer les mesures indiquées à la figure 2.17 pour les différentes valeurs de
la résistance RL et reporter les résultats dans le tableau 2.4.
— Tracer la courbe correspondant à VL en fonction de IL sur la figure 2.18. Déduire
le coefficient |ki | et interpréter les résultats obtenus.
2.3 Redressement de tension
2.3.1 Redresseur mono alternance
— Réaliser le montage de la figure 2.3. On prend R = 1kΩ et on ajuste le GBF

à une fréquence f = 0.5kHz et un signal sinusoïdal d’amplitude Vm = 2V . La
réalisation sur platine d’essai est illustrée Fig. 2.19.

Figure 2.18 – Tension VL en fonction du courant IL .

V0,ac
RL Vo,ac Vo,DC r= V0,DC
1kΩ
Table 2.5 – Taux d’ondulation du redresseur mono alternance.
— Visualiser la tension d’entrée sur CH1 et la tension de sortie sur CH2. Choisir
les mêmes calibres (Calibre 1V) pour CH1 et CH2. Reporter l’oscillogramme sur
la Fig. 2.20 a).
— Mesurer la tension seuil de la diode VD0 à partir des tensions des canaux CH1
et CH2.
— Éliminer la base de temps et reporter la fonction de transfert v0 fonction de vi
sur la figure 2.20 b).
— Compléter le tableau 2.5 en utilisant les mesures correspondantes par le multi-
mètre.
où V0,ac est la valeur efficace de la tension de sortie (multimètre en mode AC) et
V0,DC est la valeur moyenne du signal de sortie (multimètre en mode DC). Comparer le
résultat avec la valeur théorique.
— Insérer la capacité C = 1µF en dérivation (Shunt) avec la résistance de charge
RL qui est un potentiomètre de 10kΩ (Voir Fig. 2.21 ).
— Ajuster l’amplitude Vm du signal sinusoïdal vi à Vm = 3V et la fréquence à
f = 0.5kHz. En utilisant le multimètre, fixer la valeur de RL à 1kΩ. Visualiser
les signaux d’entrée et de sortie sur CH1 et CH2 de l’oscilloscope.
En assimilant le signal ondulé en sortie à un signal périodique en dents de scie (ou

Figure 2.19 – Schéma sur plaquette d’essai du redresseur Mono alternance.
a) b)
Figure 2.20 – Caractéristique du redresseur mono alternance. a) tensions de sortie et d’entrée, b)

caractéristique de transfert.

Figure 2.21 – Redressement mono alternance avec filtrage.
RL v0,min v0,max V0,AC V0,DC r

1kΩ
3kΩ
10kΩ
Table 2.6 – Facteur d’ondulation du signal filtré mono alternance.
triangulaire), la valeur efficace de la composante AC de la tension de sortie est :
Vr v0,max − vo,min
V0,ac = √ = √ (2.23)
2 3 2 3
D’autre part, la composante continue de la tension de sortie est :
v0,max + v0,min
V0,DC = (2.24)
2
Le taux d’ondulation est donc défini par :
V0,ac v0,max − v0,min

r= =√ (2.25)
V0,DC 3(v0,max + v0,min )
— Varier la résistance RL et compléter le tableau ci-dessous (Tab. 2.6). Discuter le

résultat.

Figure 2.22 – Redresseur double alternance.

Taux d’ondu-
RL V0,ac V0,DC
lation r.
1kΩ
3kΩ
10kΩ
Table 2.7 – Taux d’ondulation du redresseur double alternance.
2.3.2 Redresseur double alternance
— Réaliser le montage Fig. 2.22. Ajuster la tension sinusoïdale à une amplitude de

Vm = 3V et une fréquence de f = 0.5kHz. Le potentiomètre RL est de 10kΩ et
la capacité C = 1µF .
— Visualiser la tension de sortie v0 à la sortie du redresseur (avec filtrage) et
compléter le tableau 2.6 en effectuant les mesures par multimètre.
— Comparer les deux types de redresseurs et commenter vos résultats.

Lab 3
Amplificateur émetteur commun (EC)
3.1 Rappel de cours
3.1.1 Transistor bipolaire
Le transistor est constitué de deux jonctions, placées en série, très proches l’une de
l’autre et de polarités opposées. On distingue le transistor NPN et le transistor PNP
dont voici les symboles, les conventions et les caractéristiques (Fig. 3.1) :
Avec les conventions de la Fig. 3.1 :
1. a. Pour le transistor NPN
— Les courants collecteur iC , émetteur iE , et base iB sont positifs.

— Les tensions vBE et vC E sont positives.
Figure 3.1 – Convention, symbole (du NPN et PNP) et caractéristiques du transistor NPN.
42
3.1. RAPPEL DE COURS LAB 3. AMPLI EC
Figure 3.2 – Modèle simplifié du transistor NPN.
b. Pour le transistor PNP
— Les courants collecteur iC , émetteur iE , et base iB sont positifs.

— Les tensions vEB et vEC sont positives.
Le transistor NPN est constitué d’une jonction NP (Collecteur-Base) et d’une jonction

PN (Base-Émetteur). Suivant le mode de polarisation de ces deux jonctions (bloquée =
inverse ou passante = directe), quatre modes de fonctionnement du transistor peuvent
apparaître (voir tableau ci-dessous).
Jonction collecteur-base Jonction base-émetteur Mode de fonctionnement

Inverse Directe Normal
Bloquée Bloquée Bloqué
Directe Directe Saturé
Directe Inverse Inverse
En mode normal, le transistor ajuste le courant collecteur de sorte qu’il soit une version
amplifiée du courant base avec une constante d’amplification β :
ic = βib , ie = ic + ib = (β + 1)ib
Le modèle du transistor dans cette région est représenté à la figure 3.2. Le courant de
saturation Is ' 10nA.
Si on injecte un signal de faible amplitude ∆vBE au niveau de la base autour du point
de fonctionnement Q(IBQ , VBEQ ), on aura en entrée et en sortie des grandeurs de faibles
amplitudes ∆iB , ∆iC et ∆vC E : Le courant base comporte une composante DC et une

3.1. RAPPEL DE COURS LAB 3. AMPLI EC
Figure 3.3 – Application d’un signal de faible amplitude autour du point de fonctionnement Q
caractérisé par VBEQ , IBQ , IC Q et VC EQ .
composante de faible amplitude :
iB = IBQ + ∆iB (3.1)

IS 1
' exp(VBEQ /VT )(1 + ∆vBE )
β VT
| {z }
IBQ
IBQ
= IBQ + ∆vBE
VT
IC Q IC Q
= IBQ + ∆vBE → ∆iB = ∆vBE
βVT βVT
|{z} |{z}
1/rπ 1/rπ
rπ est la résistance d’entrée du transistor monté en émetteur commun. A température

ambiante, on peut écrire :
26β
rπ ' (Ω), IC Q en (mA) (3.2)
IC Q
De même, le courant collecteur peut être mis sous la forme :
iC = IC Q + ∆iC (3.3)
1
' IC Q (1 + ∆vBE )
VT
z}|{
IC Q IC Q
→ ∆iC = β ∆vBE = β∆iB = ∆vBE
βVT VT
|{z} |{z}
1/rπ gm =β/rπ

3.2. AMPLIFICATEUR ÉMETTEUR COMMUN LAB 3. AMPLI EC
Figure 3.4 – Schéma simplifié du transistor pour les petits signaux.
gm est la transconductance du transistor.
Compte tenu des relations (3.1) et (3.3), on peut représenter le transistor, vis à vis des
signaux de faibles amplitudes (petits signaux 1 ), par le schéma équivalent de la figure
3.4.
Les paramètres hije désignent les paramètres hybrides du transistor monté en émetteur
commun. h12e est très faible de l’ordre de 10−4 (négligeable). La résistance de sortie ρ
est souvent négligée.
3.2 Amplificateur émetteur commun
On considère l’amplificateur émetteur commun de la figure 3.5.

En choisissant la fréquence f de la tension sinusoïdale vi dans la bande passante
de l’amplificateur, les capacités C1 , C2 et CE sont des courts circuits. Le schéma en
dynamique de l’amplificateur est représenté à la figure 3.6.
Le gain en tension Av = v0 /vi , la résistance d’entrée Ri et la résistance de sortie R0 de
l’amplificateur sont donnés par :
Av = −gm RC (3.4)
Ri = rπ (3.5)
R0 = RC (3.6)
Dans le cas où la capacité CE = 0, le gain Av , la résistance d’entrée Ri et la résistance

1. Dans toute la suite, on remplacera ∆vX Y par vxy et ∆iX Y par ixy .
Exemple : ∆vBE vbe, ∆iB ib

3.2. AMPLIFICATEUR ÉMETTEUR COMMUN LAB 3. AMPLI EC
Figure 3.5 – Amplificateur émetteur commun.
Figure 3.6 – Schéma en dynamique de l’amplificateur de la figure 3.5 pour RC ρ .

3.3. MANIPULATION LAB 3. AMPLI EC
Figure 3.7 – Visualisation de la caractéristique IC − VC E .
de sortie R0 deviennent :
βRC g m RC
Av = − '− (3.7)
(β + 1)RE + rπ 1 + gm RE
Ri = rπ + (β + 1)RE (3.8)
R0 ' RC (3.9)
3.3 Manipulation
3.3.1 Caractéristiques du transistor
Caractéristique de sortie IC − VC E
— Réaliser le montage de la Figure 3.7. Ajuster la fréquence du signal GBF à une

amplitude de Vm = 6V et une fréquence f = 300Hz. La tension continue est
fixée à E = 5V . Le potentiomètre RB est 100kΩ et la résistance RC = 100Ω.
La réalisation sur platine d’essai est représentée à la figure 3.8.
— Varier le potentiomètre de sorte que IB = 40µA.
Relever la tension VEC sur CH1 et VRc sur CH2 en mode DC et ajuster les canaux
aux calibres 0.5V et 0.2V respectivement.

Figure 3.8 – Réalisation sur platine d’essai du circuit Fig 3.7. .
0.1 0.2 0.4 0.6 0.7 0.8 0.9

E(V)
1 2 2.5 3 4 5 6
IB (µA)
VBE (V)
Table 3.1 – Relevé de la caractéristique IB − VBE pour VC E = 5V .
Passer en Mode XY et reporter la caractéristique sur la figure 3.9 (On effectuera

les manipulations nécessaires pour que la courbe débute à l’origine du repère
indiqué) .
Refaire les étapes précédentes pour IB = 60µA et IB = 80µA (on tracera toutes
les courbes sur la même Figure 3.9).
Caractéristique d’entrée IB − VBE
— Réaliser le montage de la figure 3.10. On prend RB = 100kΩ et E = 5V .

— Effectuer la mesure de la tension VBE et du courant IB et compléter le tableau
3.1.
— Tracer la caractéristique IB − VBE tabulée (Tab. 3.1) sur la figure 3.11. Conclure.

Figure 3.9 – Caractéristique RC IC − VC E .
Figure 3.10 – Schéma pour le relevé de la caractéristique IB − VBE

Figure 3.11 – Caractéristique IB − VBE à VC E = 5V .
VCE (V) RBmes RCmes VRC (V) VRB (V) IC (mA) IB (µA) β
2.2
2.5
3
Table 3.2 – Estimation de β .
3.3.2 Amplificateur émetteur commun
— Réaliser le montage de de la figure 3.12. On prend VCC = 5V , Rp1 = 10kΩ,

Rp2 = 47kΩ, RC = 820Ω, RE = 330, R1 = 100Ω, R2 = 680Ω, C1 = 1µF , C2 =
10µF , CE = 100µF . La résistance RB est constituée d’un potentiomètre de 100kΩ
en série avec une résistance de 100kΩ. La figure ?? représente l’amplificateur
réalisé sur platine d’essai.
Estimation du gain β
— Ajuster le signal sinusoïdal du GBF à une amplitude minimale et appuyer sur

le bouton atténuateur de −20dB. Fixer la fréquence à f = 1kHz. La tension DC
du générateur DC est VCC = 5V .
— Varier la valeur du potentiomètre de sorte que la tension VC E prenne les valeurs
indiquées aux tableau 3.2. Compléter le tableau par la mesure des tensions VRB
aux bornes de RB et VRc aux bornes de Rc moyennant le multimètre en mode
DC. On mesurera la résistance RB pour chaque valeur de VC E et la résistance
Rc .

Figure 3.12 – Amplificateur émetteur commun.
Figure 3.13 – Schéma de l’amplificateur EC sur platine d’essai.

v0,C −C
vin,C −C v0,C −C Av = vi,C −C Av,th
Avec CE
Sans
CE (CE = 0)
Table 3.3 – Gain en tension avec et sans la capacité CE .
Note : RBmes et Rcmes désignent les résistances mesurées au multimètre.
Gain en tension
— Fixer VC E à 2.5V dans toute la suite (éviter de toucher au potentiomètre une

fois cette valeur fixée).
Visualiser sur CH1 calibre 10mA (20mA pour CE = 0) la tension d’entrée et sur
CH2 calibre 0.2V (50mV pour CE = 0) et compléter le tableau 3.3.
Ath désigne le gain théorique obtenu en adoptant pour β la valeur correspondant à
VC E = 2.5V du tableau 3.1 et en prenant VT ' 26mV . vx,c−c désigne la tension crête à
crête de vx .
Interpréter les résultats du tableau 3.3.
— À partir du gain Av mesuré dans le cas où CE 6= 0, déduire la valeur de gm et
celle de rπ .
Résistances d’entrée et de sortie
— Pour mesurer la résistance d’entrée de l’amplificateur (avec capacité CE ), on

insère un potentiomètre de 10kΩ comme indiqué Fig. 3.14.
Visualiser les signaux CH1 et CH2 et faire varier la valeur du potentiomètre
de sorte que le signal CH2 soit la moitié en amplitude crête à crête du signal
CH1. Débrancher le potentiomètre (faire attention de ne pas varier sa valeur)
et mesurer sa valeur au multimètre. Cette valeur correspond à la résistance
d’entrée Ri de l’amplificateur. Mesurer la valeur de cette résistance et comparer
- la à rπ . Expliquer.
— Pour mesurer la résistance de sortie R0 de l’amplificateur, visualiser la tension
v0 sur CH1 et mesurer sa tension crête à crête v0,C s
−C , . Brancher par la suite
un potentiomètre de 1kΩ en sortie et faire varier sa valeur jusqu’à ce que la
tension C-C de sortie soit la moitié de v0,C
s
−C . Débrancher le potentiomètre et
mesurer sa valeur R0 . Discuter les résultats.

Figure 3.14 – Schéma pour la mesure de la résistance d’entrée.
Figure 3.15 – Schéma sur platine d’essai pour la mesure de résistance d’entrée Ri .

Lab 4
Amplificateur source commune
4.1 Rappel de cours
Le transistor FET est un transistor à effet de champ dont la grille n’est pas isolée. Il
est constitué d’un barreau semi-conducteur généralement au silicium, du type N ou
P faiblement dopé (canal) placé entre deux couches de semi-conducteur de dopage
opposé et reliées entre elles pour former l’électrode que l’on nomme la grille. Les
extrémités du canal forment deux autres électrodes nommées le drain et la source. La
figure 4.1résume les principales caractéristiques du JFET.
Le modèle basse fréquence du JFET est représenté à la figure 4.2. La transconductance
gm du transistor est donnée par la relation suivante, évaluée au point de repos Q (ID ,
VGS ) :
IDSS VGS
gm = −2 1− (4.1)
Vp Vp
gm varie de 0.1 à 10mA/V . RDS est la résistance de sortie du transistor monté en source
commune.
4.1.1 Amplificateur source commune
La figure 4.3 illustre le schéma d’un amplificateur source commune à polarisation par
pont.
54
4.1. RAPPEL DE COURS LAB 4. AMPLIFICATEUR SOURCE COMMUNE
Figure 4.1 – Symboles et caractéristiques du transistor à effet de champ JFET.
Figure 4.2 – Modèle petits signaux du JFET.

Figure 4.3 – Amplificateur source commune.
Caractéristique statique (point de fonctionnement)
Pour un mode de fonctionnement en saturation, la tension VGS est obtenue à partir de

la loi des mailles :
− ET + VGS + RD ID = 0, (4.2)
avec :
R1
ET = VDD (4.3)
R2 + R1
Compte tenue de la saturation, on a :
IDSS
ID = k(VGS − Vp )2 , k = (4.4)
Vp2
où Vp est la tension de pincement qui est négative pour le JFET canal N et IDSS est le
courant de saturation maximal (correspondant à VGS = 0V ).
En reportant la relation 4.4 dans l’équation 4.2, on obtient :
2
− ET + VGS + RD k VGS − Vp =0 (4.5)

Figure 4.4 – Schéma petits signaux de l’amplificateur source commune.

2 1 ET
VGS + VGS − 2Vp + Vp2 − =0 (4.6)
kRD kRD
La tension VGS est la racine de l’équation 4.6 qui vérifie l’inégalité suivante :
Vp < VGS < 0 (4.7)
Le courant ID est déterminé en reportant la racine VGS dans la relation 4.4. Finalement,
la tension VDS est donnée par :
VDS = VDD − (RD + Rs )ID (4.8)
Afin d’assurer un mode de fonctionnement en saturation, la tension VDS doit satisfaire

l’inégalité suivante :
VDS > VGS − Vp (4.9)
Caractéristiques en dynamique
Le schéma de l’amplificateur Fig. 4.3 en dynamique pour une fréquence f du signal

sinusoïdal du GBF choisie dans la bande passante est représenté à la figure 4.4.
— Résistance d’entrée
Ri = RT (4.10)

Figure 4.5 – Schéma en dynamique de l’amplificateur Fig. 4.3pour Cs = 0.
— Gain en tension
v0
Av = (4.11)
vi
= −gm RD ||Rds ||Ru
w −gm RD ||Ru , pour Rds RD ||Ru
— Résistance de sortie
R0 = RD ||Rds w RD , pour Rds RD (4.12)
Dans le cas où Cs = 0 , Le schéma en dynamique de l’amplificateur est donné Fig 4.5.

Les caractéristiques de l’amplificateur sont :
— Résistance d‘entrée
Ri = RT (4.13)
— Gain en tension ( effet de Rds négligé)
v0
Av =
vi
RL ||Ru gm
=− (4.14)
1 + Rs gm
— Résistance de sortie ( effet de Rds négligé)
R0 = RD (4.15)

4.2. MANIPULATION LAB 4. AMPLIFICATEUR SOURCE COMMUNE
Figure 4.6 – Schéma pour la mesure de IDSS .
4.2 Manipulation
4.2.1 Caractérisation du transistor à effet de champ
Mesure de IDSS
— Réaliser le montage de la figure 4.6. Le JFET est un F245C. Ajuster E à 15V

puis mesurer IDSS .
Caractéristique ID − VGS et tension de pincement Vp
— Réaliser le montage de la figure 5.1. La tension E = 15V . La résistance Rs est

un potentiomètre de 10kΩ. Elle peut également prendre la valeur de 1MΩ. La
résistance RD est de 10Ω et la résistance RG = 100Ω.
— Compléter le tableau 4.1 en effectuant les mesures pour les différentes résis-
tances.
Note : Pour les valeurs de Rs inférieures ou égales à 10kΩ, utiliser le potentio-
mètre de 10kΩ. Pour la résistance 1MΩ, débrancher le potentiomètre et insérer
cette résistance.

Figure 4.7 – Schéma pour le relevé de la caractéristique ID − VGS .
10Ω 20Ω 30Ω 60Ω 100Ω 300Ω

Rs
400Ω 500Ω 1kΩ 4kΩ 10kΩ 1MΩ
VGS (V)
ID (mA)
Table 4.1 – Relevé de caractéristique ID -VGS .

Figure 4.8 – Schéma pour le relevé de la caractéristique ID − VDS .
0.5 1 2 3 4 5 6 7
VDS (V)
8 9 10 11 12
ID (mA)
Table 4.2 – Relevé de la caractéristique ID − VDS à VGS = −0.5V .
— Déduire la tension de pincement Vp .
Caractéristique ID − VDS à VGS fixe
— Réaliser le montage de la figure 4.8. Le montage sur platine d’essai est repré-
senté Fig 4.9.
Ajuster l’alimentation DC à ±E = ±15V . Les résistances sont : R1 = 1.5kΩ,
R2 = 2.2kΩ, R est un potentiomètre de 10kΩ et RG = 1MΩ.
— Varier le potentiomètre R de sorte que la tension VGS = −0.5V . Maintenir cette
tension jusqu’à la fin du relevé de la caractéristique ID − VDS .
— Compléter le tableau 4.2 en variant le potentiomètre RD pour fixer VDS , puis
mesurer ID . Tracer la caractéristique ID − VDS .

Figure 4.9 – Montage Fig. 4.8 réalisé sur platine d’essai.

Figure 4.10 – Amplificateur source commune.
4.2.2 Amplificateur source commune
— Réaliser le montage de la figure 4.10. La fréquence f du signal sinusoïdal du

GBF est f = 10kHz et son amplitude 0.5 V. Le potentiomètre est de valeur
R = 10kΩ. Les résistances ont pour valeurs : R1 = 1kΩ, R2 = 4.7kΩ, Rs = 470Ω,
RD = 680Ω. La tension VDD = 15V et C1 = C2 = 10µF , Cs = 100µF . La figure
4.11 illustre la réalisation sur platine d’essai de l’amplificateur source commune.
— Visualiser les signaux d’entrée vi et de sortie v0 sur les canaux CH1 et CH2 de
l’oscilloscope. Ajuster le potentiomètre de sorte que la tension de sortie crête à
crête soit égale à v0,C −C , avec Cs = 2V et v0,C −C , sans Cs = 800mV . Compléter
le tableau 4.3 en effectuant les mesures correspondantes.
— Mesurer à l’aide du multimètre en MODE DC les tensions VGS et VDS . En
utilisant les valeurs mesurées de Vp et IDSS , déduire la transconductance gm .
où Av,th est le gain en tension donné par les expressions (4.11) et (4.14) (utiliser la
valeur de gm détrminé ci-dessus).
— À partir de la valeur du gain en tension (avec capacité de découplage), déduire

Figure 4.11 – Amplificateur de la figure 4.10 sur platine d’essai.
vi,C-C v0,C-C Av Av,th vi,C-C v0,C-C Av

Av,th avec
sans sans sans sans avec avec avec
Cs
Cs Cs Cs Cs Cs Cs Cs
0.8V 2V
Table 4.3 – Gains de tension avec et sans capacité de découplage.

la valeur de gm et comparer cette valeur avec celle obtenue précédemment.

— Utiliser une résistance variable de 1kΩ pour déterminer les résistances d’entrée
Ri et de sortie R0 de l’amplificateur. La technique est semblable à celle introduite
au LAB 2.
— Conclure.

Lab 5
Amplificateur Collecteur commun avec

Darlington
Dans certaines applications, il serait souhaitable d’avoir un transistor bipolaire avec un

gain de courant supérieur à ce qui peut normalement être obtenu. La figure 5.1 montre
une configuration à multiple transistors, appelée paire Darlington ou configuration
Darlington, qui permet d’augmenter le gain de courant.
Le schéma en dynamique de la paire Darlington est représenté à la Fig. 5.2. Les
résistances collecteur-émetteur des transistors sont négligées.
On rappelle que rπi = βi VICTi (i=1,2). k est la constante de Boltzmann (k ' 8.617 ×
10−5 eV K −1 ). T est la température en °K et IC i le courant collecteur statique du tran-
sistor Qi dans un circuit de polarisation donné. On prendra VT ' 25mV à température
ambiante.
5.1 Paramètres hybrides du transistor équivalent
Les paramètres hybrides du transistor équivalent à la paire Darlington sont définis

par :
vb1e2 = h11,D ib1 + h12,D vc2e2 (5.1)

ic2 = h21,D ib1 + h22,D vc2e2 (5.2)
Compte tenu du fait que les résistances émetteur-collecteur des transistors sont sup-
posées infinies, on a :
66
5.1. PARAMÈTRES HYBRIDES LAB 5. AMPLIFICATEUR CC-DARLINGTON
Figure 5.1 – Configuration Amplificateur collecteur à Darlington.
Figure 5.2 – Schéma petits signaux de la paire Darlington. Les résistances r01 et r02 sont négligées.

5.2. ÉTUDE EN STATIQUE LAB 5. AMPLIFICATEUR CC-DARLINGTON
Figure 5.3 – Transistor équivalent à la paire Darlington.
vb1e2 = rπ1 ib1 + rπ2 ib2 (5.3)

= rπ1 ib1 + rπ2 (β1 + 1)ib1
h11,D = rπ,D = rπ1 + rπ2 (β1 + 1) (5.4)
h12,D ' 0 (5.5)
ic2 = β1 ib1 + β2 ib2 (5.6)
= (β1 + β2 (β1 + 1))ib1
h21D = βD = β1 + β2 (β1 + 1) ' β1 β2 , β1 , β2 1 (5.7)
h22,D = 0, r0,D = ∞ (5.8)
La paire Darlington de la figure 5.2 peut donc être représentée par le transistor équi-
valent de paramètres rπ,D et βD (Cf. Fig. 5.3). En comparant le gain en courant βD de
la paire Darlington et le gain en courant β1 (β2 ) du transistor Q1 (Q2), on constate
que le gain en courant de la paire Darlington est très grand (Cf. 5.7). D’autre part, la
résistance rπ,D rπ1 , rπ2 (Cf. 5.4). En conséquence, la paire Darlington introduit un fort
gain en courant et une forte résistance d’entrée.
5.2 Étude statique de l’amplificateur CC Darlington
Le schéma de l’amplificateur CC Darlington en statique est représenté Fig. 5.4 :

Les éléments du générateur de Thévenin attaquant la base sont :
R2
ET = VCC (5.9)
R1 + R2
−1
R2 R1 1 1
RT = = + (5.10)
R1 + R2 R1 R2

5.2. ÉTUDE EN STATIQUE LAB 5. AMPLIFICATEUR CC-DARLINGTON
Figure 5.4 – Schéma en statique de l’amplificateur CC Darlington
L a loi des mailles se traduit pour la maille M1 ainsi :
IC 1
− ET RT + VBE1 + VBE2 + RE IE2 = 0, IE2 ' IC 1 , β2 1 (5.11)
β1
D’autre part, on a :
IC 2
IE1 ' IC 1 ' , β1 1 (5.12)
β2
De la combinaison des relations (5.11) et (5.12), on obtient :
ET −VBE1 −VBE2
IC 1 ' RT
β1 +RE β2
(5.13)
IC 2 = ET −VBE1 −VBE2
RT , βD = β1 β2
β +RE
D
La maille M2 nous permet d’écrire :
− RE IE2 − VC E2 + VCC = 0 (5.14)
Soit :
VC E2 = VCC − RE IE2 ' VCC − β2 RE IC 2 (5.15)
De plus, l’équation de maille M3 s’écrit :
− VC E1 + VC B2 = 0 (5.16)

5.3. ÉTUDE EN DYNAMIQUE LAB 5. AMPLIFICATEUR CC-DARLINGTON
Figure 5.5 – Schéma en dynamique de l’amplificateur de la Figure 1.
VC E1 = VC B2 = VC E2 − VBE2 (5.17)
' VCC − β2 RE IC 2 (5.18)
5.3 Étude en dynamique
Le schéma en dynamique de l’amplificateur CC Darlington dans la bande de fréquences

intermédiaires est illustré Fig. 5.5.
— Gain en tension
Le gain en tension de l’amplificateur CC Darlington est donné par :
v0
Av = (5.19)
vi
v0 = RE (βD + 1)ibD (5.20)
− RE (βD + 1)ibD − rπ,D ibD + vi = 0 (5.21)

vi = rπ,D + (βD + 1) RE ibD (5.22)
En utilisant le rapport des deux expressions (5.20) et (5.22), on déduit donc le gain en
tension :
RE (βD + 1)
Av = (5.23)
rπ,D + (βD + 1)RE
Le gain est de l’ordre de l’unité.

5.3. ÉTUDE EN DYNAMIQUE LAB 5. AMPLIFICATEUR CC-DARLINGTON
Figure 5.6 – Circuit de détermination de la résistance de sortie R0 .
— Résistance d’entrée
Elle est définie par :
vi
Ri = (5.24)
ii
vi
= RT || (5.25)
ibD

= RT || rπ,D + (βD + 1) RE (5.26)
La résistance d’entrée est de l’ordre de RT puisque généralement la résistance

rπ,D + (βD + 1) RE reste largement très grande.
— Résistance de sortie
La résistance de sortie est définie par (voir schéma Fig. 5.6) :
e0
R0 = (5.27)
i0
D’autre part, on a :
e0
i0 = − (βD + 1)ibD (5.28)
RE
e0 βD + 1
= + e0 (5.29)
RE rπ,D
!
1 1
= e0 + rπ,D (5.30)
RE 1+βD
Soit finalement : !−1

1 1 rπ,D
R0 = + rπ,D = RE || (5.31)
RE 1+βD
1 + βD

5.4. MANIPULATION 1 LAB 5. AMPLIFICATEUR CC-DARLINGTON
Figure 5.7 – Circuit de mesure de β .
RB VCE IC IB
160kΩ
170kΩ
180kΩ
190kΩ
Table 5.1 – Tableau des valeurs statiques pour différentes résistances RB .
La résistance de sortie est très faible du fait que βD 1.
5.4 Manipulation 1
Mesure de β1 et β2
— Réaliser le montage de la figure 5.7. Le schéma de la figure 5.8 représente

le circuit réalisé sur platine de prototypage. Utiliser pour le transistor Q, le
transistor Q1 (Q2).
— Varier la résistance du potentiomètre de 100kΩ de sorte à fixer les valeurs de la
résistance RB reportées dans le tableau ci-dessous puis mesurer les paramètres
IC , VC E et IB (remplir le tableau 5.1)
— Représentez graphiquement IC en fonction de IB pour chaque transistor (Q1, Q2)
et déduire β1 et β2 .

Figure 5.8 – Circuit de mesure du gain β d’un transistor sur platine d’essai.
5.5 Manipulation 2
— Réaliser le montage de la figure 5.1 (voir Fig. 5.9).

On donne : R1 = 47kΩ, R2 = 100kΩ, RE = 1kΩ, VCC = 12V , Q1, Q2 : BD137
(Transistor bipolaire NPN) et C1 = 1µF , C2 = 1µF . La tension vi = 2 sin(ωt)V ,
ω = 2πf , f = 10kHz .
— Mesurez les grandeurs statiques suivantes : IE1 , IE2 , VC E1 , VC E2 et déduire les
valeurs de β1 , puis interchanger l’emplacement des transistors Q1 et Q2 et refaire
les mesures. Déduire la valeur de β2 (rendre les transistors Q1 et Q2 à leurs
places initiales après les mesures) . À partir de la relation (5.7) estimer la valeur
de βD en utilisant les valeurs de βi,i=1,2 mesurées à la manipulation 1.
— On suppose qu’à température ambiante, VT = 26mV . Déterminer les valeurs de
rπ1 , rπ2 et déduire à partir de la relation (5.4) la valeur de rπ,D .
— En insérant une résistance Rs = 15kΩ en série juste avant la capacité

C1 , mesurez à l’aide du multimètre la tension vsig,ef f , délivrée par le GBF
et la tension d’entrée vi,ef f juste après la résistance Rs . Déduire la valeur
de la résistance d’entrée Ri moyennant la formule :
Rs
Ri = vs,ef f (5.32)
vi,ef f
− 1

Figure 5.9 – Amplificateur CC Darlington de la Fig. 5.1. Le schéma est réalisé moyennant le logiciel
Fritzing (version beta).
— Remplacer Rs par un potentiomètre de 100kΩ. Visualiser la tension avant

cette résistance variable Rs sur CH1 et après sur CH2 (voir Fig. 5.10).
Choisir le calibre de CH1 égal au double de celui de CH2 et faire varier la
résistance Rs jusqu’à ce que les courbes des deux canaux soient confon-
dues. Détacher Rs du circuit et mesurer sa valeur à l’aide du multimètre.
Comparer votre résultat à celui trouvé précédemment. Que constatez-
vous ?
— Visualiser sur CH1 la tension d’entrée et sur CH2 la tension de sortie (tension
aux bornes de RE ) et vérifier que le gain en tension est de l’ordre de l’unité. En
utilisant le multimètre en mode AC, mesurez le gain Av = vv0i .
v0
— Déterminer la valeur du gain en courant à partir de la formule : Ai = i0

ii
= RE
vi =
Ri
Av RREi
— En utilisant la relation (5.31), estimez la valeur de la résistance de sortie de
l’amplificateur de la figure 1.
5.6 Manipulation 3
Afin d’améliorer le gain en courant du montage collecteur commun avec Darlington,

il faut augmenter sa résistance d’entrée qui est fixée par la valeur de la résistance
équivalente du pont (R1 ||R2 ), car la résistance d’entrée du Darlington et βD sont très

Figure 5.10 – Schéma de mesure de la résistance d’entrée moyennant un potentiomètre de 100kΩ.
grands. Dans ce but, considérons le montage collecteur-commun Darlington du type

bootstrap de la figure 5.11.
La tension VCC , les résistances R1 , R2 , RE et les capacités C1 , C2 gardent les mêmes
valeurs que précédemment. On donne CB = 10µF , RB = 4.7kΩ. vi = 2 sin(2πf t )V ,
f = 1kHz. Q1 et Q2 sont les transistors utilisés dans les manipulations 1 et 2.
Travail préliminaire
1. Établir le schéma en statique en utilisant les valeurs mesurées de β1 et β2 , puis

déterminer les valeurs de : VC E1 , VC E2 , IE1,2 , rπ1,2 , rπD et βD .
2. Etablir le schéma en dynamique dans les deux cas suivants :
a- avec bootstrap
b- sans bootstrap (capacité CB retirée du circuit)
puis déterminer
— la résistance d’entrée Ri (pour chaque cas)
— le gain en tension Av
— le gain en courant Ai

Figure 5.11 – Amplificateur collecteur-commun avec Darlington du type bootstrap.
Manipulation
— Réaliser le montage de la figure 5.11 (voir la version platine d’essai à la Fig.
5.12).
— Afficher sur CH1 et CH2 les tension d’entrée et de sortie respectivement dans
les deux cas (avec/sans bootstrap). Mesurer les gains en tension Av,sans (CB = 0,
capacité équivalente à un circuit ouvert) et Av,avec en utilisant le multimètre en
mode AC.
— Pour mesurer le gain en courant, on va exploiter la relation liant ce gain à celui
en tension via la formule :
Ri
Ai = Av (5.33)
RE
On mesurera donc la résistance d’entrée dans les deux cas (avec et sans le
bootstrap) afin de ressortir l’effet du ‘bootstrap’ sur la résistance d’entrée et par
la suite sur le gain en courant. Comme indiqué à la relation (5.33), le gain en
courant est proportionnel à la résistance d’entrée. Plus celle-ci est grande, plus
le gain est plus grand aussi.
En introduisant un potentiomètre Rs = 500kΩ juste après le GBF comme in-
diqué Fig. 5.13. Relever sur CH1 la tension produite par le GBF et sur CH2 la
tension après Rs . Choisir CH1 de calibre le double de celui de CH2 et ajuster la
résistance Rs de sorte que les deux signaux soient confondus. Débrancher Rs et
mesurer à l’aide du multimètre la résistance d’entrée Ri avec et sans bootstrap.
Remplir le tableau 5.2 :

Figure 5.12 – Schéma de l’amplificateur de la Fig.5.11 sur platine de prototypage.
Résistance d’entrée Ri gain en courant Ai

Avec Bootstrap
Sans Bootstap
Table 5.2 – Résistance d’entrée et gain en courant avec et sans le ‘bootstrap’.

Figure 5.13 – Montage de mesure de la résistance d’entrée de l’amplificateur CC Darlington du type

bootstrap.
— Conclure.

Lab 6
Circuits RC-CR : Analyse transitoire et

fréquentielle
L’objectif de cette manipulation consiste en l’analyse transitoire et fréquentielle des

circuits RC-CR. L’analyse transitoire porte sur la réponse à l’échelon. L’analyse fré-
quentielle se rapporte à l’identification de filtres RC et CR par un relevé de diagramme
de Bode.
6.1 Analyse transitoire
On considère le circuit RC représenté à la figure 6.1a alimenté par un échelon e(t) =

Eu(t) d’amplitude E (Fig. 6.1b). u désigne l’échelon unitaire. La tension à la sortie du
circuit RC (tension vC ) est donnée par :
t
vC (t) = E(1 − e− τ )u(t)
où τ = RC est la constante de temps du circuit.

Pour le circuit CR (Fig. 5.1c), la tension de sortie s’écrit :
t
vR (t) = Ee− τ u(t)
79
6.2. ANALYSE FRÉQUENTIELLE LAB 6. CIRCUITS RC-CR
Figure 6.1 – a) Circuit RC. b) Echelon d’amplitude E. c) Circuit CR.
6.2 Analyse fréquentielle
6.2.1 Fonctions de transfert des circuits R-C et C-R
Considérons le circuit R-C de la figure 6.1a. En régime sinusoïdal permanent (RSP) de

pulsation ω, la fonction de transfert du circuit est définie par :
VC (jω)
G(jω) =
E(jω)
1
C jω
= 1
C jω
+R
1 1 1
= , ω0 = = , j 2 = −1
1 + j ωω0 RC τ
où VC (jω) et E(jω) sont les amplitudes complexes en RSP (phaseurs) associées aux
tensions respectives vc (t) et e(t).
La quantité G(jω) est complexe. Elle peut donc s’écrire :
G(jω) = |G(jω)| ejφ , φ = arg(G(jω))

avec :
1 ω
|G(jω)| = q , φ = − arctan
2 ω0
1 + ωω0
Pour le circuit C-R de la figure 1c, le gain en tension en RSP est donné par :
VR (jω)
T (jω) =
E(jω)
R
= 1
C jω
+R
1 1 1
= , ω0 = = , j 2 = −1
1 − j ωω0 RC τ
Le module et l’argument du gain sont :

1 ω0
|T (jω)| = q , φ = arctan
ω0 2 ω
1+ ω
6.2.2 Diagramme de Bode
Le diagramme de Bode est une représentation graphique de la fonction de transfert G

en décibel (GdB = 20 log(|G(jω)|)) et de l’argument (la phase) en degrés (ou en radians)
en fonction de ω sur une échelle logarithmique.
Circuit R-C
Le gain en tension en dB et la phase φ sont donnés par :
GdB = 20 log(|G(jω)|)

1
= 20 log q
ω 2
1+ ω0
2 !
ω
= − 10 log 1 +
ω0
ω
φ = − arctan( )
ω0

Figure 6.2 – Gain en dB du circuit R-C.
- si ω ω0

ω
GdB ' − 20 log
ω0
= −20 (log(ω) − log(ω0 ))
φ ' −90◦
- si ω = ω0
GdB = −10 log (2) = −3dB

φ = −45◦
- si ω ω0
GdB ' 0
φ'0
ω0 est appelée pulsation de coupure du filtre R-C. La courbe du gain en dB est repré-
sentée à la figure 6.2.
D’après la figure 6.2, les fréquences basses correspondent à un maximum de gain.
D’autre part, pour des fréquences supérieures à la fréquence de coupure f0 = 2π ω0
, le
gain est atténué. Le circuit R-C est alors un filtre passe bas. La courbe de phase du
circuit R-C est illustrée à la figure 6.3.

Figure 6.3 – Courbe de phase du circuit R-C.
Circuit C-R
Le gain en tension en dB et la phase φ s’expriment ainsi :
TdB = 20 log(|T (jω)|)

1
= 20 log q
ω0 2
1+ ω
2 !
ω0
= − 10 log 1 +
ω
ω0
φ = arctan( )
ω
- si ω ω0

ω0
TdB ' − 20 log
ω
= 20 (log(ω) − log(ω0 ))
φ ' 90◦
- si ω = ω0
TdB = −10 log (2) = −3dB

φ = 45◦

6.3. MANIPULATION LAB 6. CIRCUITS RC-CR
Figure 6.4 – Gain en dB du circuit C-R.
- si ω ω0
GdB ' 0
◦
φ'0
ω0 est appelée pulsation de coupure du filtre C-R. La courbe du gain en dB est illustrée
à la figure 6.4.
Cette fois, les fréquences hautes correspondent à un maximum de gain. Le gain est
atténué pour les fréquences basses en dessous de la fréquence de coupure. Le circuit
C-R est appelé filtre passe haut. La figure 6.5 montre la variation de la phase en
fonction de la pulsation normalisée ω/ω0 .
6.3 Manipulation
6.3.1 Analyse transitoire
Réponse à l’échelon
1. Réaliser le montage de la figure 4.1 en prenant R = 1kΩ et C = 0.1µF . Pour

simuler un échelon, il suffit de produire un signal carré positif à une fréquence
relativement faible pour que le régime permanent soit pratiquement atteint avant
le front descendant de ce signal carré. La réalisation sur platine d’essai est
illustrée Fig.

Figure 6.5 – Phase du circuit C-R en Degré.

vC (τ) vC (3τ) vC (5τ)
vC max vC max vC max
Circuit
Fig. 6.8
Table 6.1 – Tension aux bornes de la capacité.
2. Ajuster l’amplitude de l’onde carrée positive à E = 10V et sa période à T '

10τ = 10RC .
3. Visualiser l’entrée e(t) sur CH1 et vC (t) sur CH2 de l’oscilloscope et relever
l’oscillogramme sur la figure 6.7.
4. Réaliser le montage de la figure 6.8en prenant R1 = 1kΩ, R2 = 1.5kΩ, C =

◦
0.1µF et e(t) le signal défini en 2 , puis relever l’oscillogramme sur la figure
6.9. CH1 et CH2 sont connectés respectivement à l’entrée et aux bornes de la
capacité C .
5. Mesurer la constante de temps τ et comparer le résultat avec la valeur théorique

obtenue en ramenant le circuit de la figure 6.8 à un circuit R-C équivalent par
application du théorème de Thévenin.
6. Compléter le tableau suivant
6.3.2 Analyse fréquentielle
1. Réaliser le montage de la figure 6.1a. On donne R = 1kΩ et C = 0.1µF . La

source est une sinusoïde de fréquence f et d’amplitude E = 4V .

Figure 6.6 – Circuit de visualisation de la charge de la capacité.
Figure 6.7 – Oscillogramme de la réponse transitoire à l’échelon du circuit RC .

Figure 6.8 – Circuit RC du premier ordre.
Figure 6.9 – Oscillogramme de la réponse transitoire à l’échelon du circuit du premier ordre de

la figure 5.1.

2. Déterminer la fréquence de coupure fC .

Procédure : Fixer la tension d’entrée e(t) à une tension crête de 4V . Varier
la fréquence pour repérer la tension crête maximale vC max,c . La fréquence de
coupure correspond à la fréquence pour laquelle l’amplitude de la tension vC
v
est égale à C√max,c
2
.
3. Compléter le tableau suivant et tracer le diagramme de Bode
f (kHz) 0.5 0.8 1.2 1.6 2 4 6 10 30

ec−c
vC ,c−c
vC ,c−c
G= ec−c
GdB = 20 log(G)
φ
où ec−c désigne la tension d’entrée crête à crête et vC ,c−c celle de sortie crête à crête.
Déduire la fréquence de coupure.
4. Réaliser le montage de la figure 6.1c. On prendra R = 1kΩ, C = 10nF .

5. Déterminer la fréquence de coupure fC . Comparer sa valeur à celle théorique.
6. Compléter le tableau suivant et tracer le diagramme de Bode
f (kHz) 4 6 12 16 25 35 60 100 200

ec−c
vR,c−c
vR,c−c
T = ec−c
TdB = 20 log(T )
φ
7. Déduire la fréquence de coupure fC . Comparer sa valeur à celle théorique.
Remarque : Pour la détermination de la phase, on utilise le mode XY en éliminant la

base de temps. On obtient l’ellipse représentée ??.

Ellipse obtenue par élimination de la

base de temps.
La phase est telle que :

h
sin(φ) =
H
On peut également déterminer la phase à partir de la relation :
∆t
φ= × 360◦
T
où T la période. ∆t le délai entre les signaux d’entrée et de sortie.

Annexe A
Notices des appareils utilisés en TP
L’oscilloscope : permet de visualiser une tension, ainsi que son évolution au cours du
temps. L’écran possède deux réglages, le réglage de l’axe horizontal, appelé axe des
temps est opéré avec le bouton "durée de balayage" (9), celui de l’axe vertical est appelé
axe des tensions est effectué avec le bouton "sensibilité verticale". L’oscilloscope que
nous utilisons dispose de 2 canaux (CH1 et CH2), nous avons donc 2 boutons "sensibilité
verticale" (7) et (8).
Figure A.1 – Oscilloscope
Principales fonctions :
1. Power Switch : pousser le bouton pour allumer ou étendre la machine

2. Commutateur AC/GND/DC : pour sélectionner la méthode de couplage du signal
d’entrée CH2
90
ANNEXE A. NOTICES DES APPAREILS UTILISÉS EN TP
3. Entrée pour appliquer un signal à CH2 ou à l’axe Y pendant le fonctionnement

X-Y
4. Entrée pour appliquer un signal à CH1 ou à l’axe X pendant le fonctionnement
X-Y
5. Commutateur AC/GND/DC pour sélectionner la méthode de couplage du signal
d’entrée CH1
6. Connecteur de masse pour fixer un fil de masse séparé
7. Sensibilité verticale pour CH2 pour ajuster du facteur de tension par déviation
(Volt/ Div)
8. Sensibilité verticale pour CH1 pour ajuster du facteur de tension par déviation
(Volt/ Div)
9. Commutateur Time/Div pour sélectionner la durée de balayage ou le mode X-Y
10. Contrôle de la position horizontale pour régler la position horizontale des courbes
affichées
11. Commutateur CH2 INV inverse le signal de l’entrée à CH2
12. Contrôle vertical CH2 pour positionner verticalement le tracé de CH2 sur l’écran
13. Commutateur de sélection du mode d’affichage :
La position CH1 affiche uniquement le signal d’entrée CH1

La position CH2 affiche uniquement le signal d’entrée CH2
La position DUAL affiche simultanément le signal d’entrée CH1 et CH2
La position ADD affiche la somme algébrique CH1 + CH2
14. Contrôle vertical CH1 pour positionner verticalement le tracé de CH1.

15. Contrôle INTEN pour ajuster la luminosité de l’affichage à l’écran.
16. Contrôle Focus : pour fixer la netteté des traces
Générateur Basses fréquences (GBF) : Générateur de signaux

Principales fonctions :
1. Poignée de transport et étrier de support (réglable).

2. Afficheur
3. Affichages système : mHz, Hz, kHz, MHz, G.T (Gate-Time)
4. Borne BNC pour l’entrée du fréquencemètre (EXT COUNT IN)

Figure A.2 – Générateurs de signaux (GBF)
5. Borne d’entrée BNC pour le réglage de la fréquence commandé par tension

(VCF IN)
6. Borne BNC pour la sortie synchrone (niveau TTL/CMOS)
7. Borne BNC pour la sortie des signaux (50Ω)
8. Interrupteur ATT pour l’atténuation des signaux (-20 dB) sur la sortie (7)
9. Contrôle de l’amplitude (tension des signaux)
10. Contrôle forme des signaux de sortie (sinus/triangle/rectangle)
11. Réglage d’offset (enfoncé : offset=0)
12. Réglage de la sortie TTL/CMOS (enfoncé : TTL, tiré : CMOS réglable de 5 à 15
V ± 1 V)
13. Sélection de la plage des fréquences (1 Hz à 1 MHz)
14. Réglage de symétrie (enfoncé : automatique, tiré : réglage manuel)
15. Réglage du vobulateur. (enfoncé : éteinte, tiré : réglage de la largeur de bande
16. Réglage de la vitesse de vobulation (Rate)
17. Touches LPF (filtre passe-bas du mode compteur)
18. Réglage de la fréquence du générateur
19. Interrupteur secteur (ON = Marche / OFF = Arrêt)
Multimètre : Voltmètre, Ampèremètre, Ohmmètre

Figure A.3 – Multimètre
1. interrupteur marche / arrêt.

2. Choix de fonction : voltmètre, ampèremètre, Ohmmètre, testeur de connectivité,
...
3. Choix de la plage ou le calibre. (Dépend de la fonction utilisée)
4. Choix de la plage ou le calibre. (Dépend de la fonction utilisée)
5. Entrée pour le voltmètre ou Ohmmètre
6. Entrée de la masse
7. Ecran d’affichage. Affiche la valeur métrique demandée.
La breadboard ou platine d’essais :
C’est un dispositif qui permet de réaliser le prototype d’un circuit électronique et de

le tester, il peut être totalement réutilisable et permet de relier les composants sans
avoir à les souder, ce qui permet de faire des tests très facilement et très rapidement.
La breadboard que nous utilisons est composée de trous permettant d’enfoncer des
composants et de les relier entre eux afin de réaliser les montages. Les contacts entre
les trous sont faits par des bandes métalliques.
Puisque qu’une image vaut mieux que mille mots, la photo ci-dessous permet de dis-
tinguer ces bandes métalliques et mieux comprendre comment sont reliés les différents

Figure A.4 – Platine d’essais vue de face
trous entre eux. La connexion au milieu est coupée pour pouvoir connecter les compo-
sants qui ont deux rangées de pattes.
Figure A.5 – Connexions métalliques de la platine d’essais.

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Travaux Pratiques

4 Amplificateur source commune 54

A Notices des appareils utilisés en TP 90

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 iv

Diodes et applications 1 : Caractéristique

1.1 Rappel de cours

1.1.1 Courbe caractéristique

Figure 1.1 – Constitution et symbole d’une diode à jonction PN.

Figure 1.2 – Caractéristique réelle de la jonction PN.

− le courant Is est appelé courant inverse de saturation. C’est la valeur asymptotique du

− VT est la tension thermodynamique qui vaut VT = KT

− n est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les jonctions de

La caractéristique courant-tension (1.1) peut être approximée convenablement par la relation

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 3

Figure 1.3 – Modèles de la jonction PN en direct.

1.1.2 Modèle électrique équivalent à la diode en direct

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 4

Figure 1.4 – La diode se comporte comme un interrupteur.

Figure 1.5 – Modèle à source de tension et résistance

Résistance et modèle dynamiques

Dans quelques applications, on cherche à déterminer le comportement en AC du circuit

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 5

Figure 1.6 – Excitation AC de la diode autour du point de fonctionnement Q

Le courant dans la diode correspondant s’écrit :

où rd est la résistance dynamique de la diode définie par : rd = nV

1.1.3 Modèle de la diode Zener

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 6

Figure 1.8 – Modèle, symbole et caractéristique de la diode Zener.

1.1.4 Diodes électroluminescentes (LED)

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 7

Figure 1.9 – Symbole de la diode électroluminescente (LED).

Matériaux Rayonnement Longueur d’onde λ (nm)

1.2 Applications des diodes

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 8

Figure 1.10 – Spectre d’émission de la LED rouge.

Figure 1.11 – Limiteurs de base à une seule diode.

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 9

Figure 1.12 – Principe du circuit restaurateur DC.

1.2.2 Circuits restaurateurs DC à diode à jonction PN

s(t) = e(t) + Vm (1.4)

1.2.3 Doubleur de tension

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 10

Figure 1.13 – Configurations de base de restaurateurs DC

Figure 1.14 – Doubleur de tension

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 11

bloque, la diode D1 conduit et la capacité C1 se charge pour atteindre la tension 2Vm

Table 1.2 – Liste de matériels requis pour le Lab 1.

1.3.1 Caractéristique I-V

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 12

Figure 1.15 – Relevé de caractéristique I-V de la diode 1N4007

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

Table 1.3 – Caractéristique I-V de la diode.

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 13

— a- Réaliser le montage de la figure 1.17a), d). La diode 1N4007 est introduite

b- Ajuster la fréquence du GBF à f = 1kHz et l’amplitude du signal sinusoïdal

d- Éliminer la base de temps et visualiser la caractéristique I-V du dipôle LED

e- Afin de visualiser la caractéristique I-V de la LED, insérer une diode 1N4007

— Réaliser le montage Fig. 1.23.

Pr. A. MAAOUNI, Pr. M. HIMMI, FSR-2021/2022 14

Iz min Iz Iz max (2.1)