8-jonctionPN

Vers la jonction PN
Jérémy Freixas – jeremy.freixas@isen-ouest.yncrea.fr

A3 – Version du 5 décembre 2022
1
2
3
4
https://www.laas.fr/public/sites/www.laas.fr.public/files/general/service-team/pdf/II1-implanteur-ionique.pdf
5
https://microelectronique.univ-rennes1.fr/animation/animimplanionique.htm
6
http://inf.emt.inrs.ca/?q=fr/Fiche_14
1/ Comment formaliser la mise en contact de deux
matériaux ?
2/ Quels sont les courants de porteurs existant dans
une jonction PN ?
3/ Comment la mise en jonction va-t-elle modifier les
propriétés énergétiques ?
7
matériaux ?
une jonction PN ?
8
L’exemple du transistor MOSFET
symbole
composant
vue schématique en coupe

9
Images tirées de https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde
https://www.mdpi.com/2079-9292/3/4/582/htm
Interfaces
● Un composant électronique est réalisé
– Par juxtaposition de différents matériaux (de nature et
de propriétés variables)
– Par dopage variable d’un même matériau
● Les propriétés du composant vont être liées à ces
variations
De quelle façon les porteurs de
charges vont-ils être affectés par
ces propriétés variables ? 10
Barrières énergétiques
● La variation des niveaux d’énergie va amener les
porteurs à se réorganiser (recherche de la
minimisation de leur énergie).
● La variation des niveaux d’énergie peut donc être

vue comme une barrière au passage des porteurs
(de la même façon que la bande interdite constitue
une barrière énergétique au passage des porteurs
de la bande de valence à la bande de conduction).
11
Niveau de vide
● Exemple : électron libre dans un métal
Bande de
conduction
Bande de
valence
Métaux
12
Niveau de vide
Bande de
conduction L’électron étant
libre, pourquoi
Bande de ne part-il pas ?
valence
Métaux
13
Niveau de vide
On ne peut vraiment
Bande de le considérer libre que
conduction dans le cœur du métal.
Mais en surface,
Bande de les forces d’attraction
valence ne se compensent pas :
Métaux l’électron ne peut pas partir.
(T qcq)
14
Niveau de vide
Conséquence :
il faut fournir une certaine
quantité d’énergie pour
extraire l’électron du métal.
Métaux
(T qcq)
15
Niveau de vide
Travail NIVEAU DU VIDE (NV) : état dans lequel l’électron n’est plus

sous influence du métal avec une énergie cinétique nulle
de sortie
eΦ
EF
e Φ=|N V −E F|
Métaux
(T qcq)
16
Niveau de vide
● Exemple : électron dans BC d’un semi conducteur
NIVEAU DU VIDE (NV) : état dans lequel l’électron n’est plus

Travail sous influence du métal avec une énergie cinétique nulle
de sortie
eΦ
EF
e Φ=|N V −E F|
Peut-on trouver un électron

au niveau de Fermi ? 17
Niveau de vide

Travail sous influence du métal avec une énergie cinétique nulle
de sortie
eΦ
EF
e Φ=|N V −E F|
Le niveau de Fermi
est-il constant ? 18
Niveau de vide

Affinité sous influence du métal avec une énergie cinétique nulle
électronique
eχ EC
e χ =|N V −EC|
19
Niveau de vide - résumé
Grandeur caractéristique : Grandeur caractéristique :
affinité électronique eχ travail de sortie eΦ
NV NV
eΦ
eχ
eΦ EF
EC EC
EF
EV EV
semi-conducteur métal 20
Niveau de vide - résumé
Grandeur caractéristique : Grandeur caractéristique :
affinité électronique eχ travail de sortie eΦ
Espèce eχ Espèce eΦ
Ge 4,13 eV Li 2,3 eV
Si 4,01 eV Al 4,3 eV
AsGa 4,07 eV Au 4,8 eV
SiO2 0,9 eV Cu 4,4 eV
Pt 5,3 eV
Ag 4,3 eV
21
Mise en contact
● Avant la mise en contact, les niveaux de vides
s’alignent.
● Au moment où l’on atteint l’équilibre
thermodynamique, les niveaux de Fermi s’alignent.
22
matériaux ?
une jonction PN ?
23
Définitions
p n
x
0
Jonction PN
diode PN
P N
(ANODE) (CATHODE)
Un même cristal passe d’un dopage de type P à un dopage de type N.
Dopage de type N ? de type P ? 24

A retenir – dopage type N
Électron dans la bande
de conduction
Bande de
Si conduction
Eg (qq eV)
Si P+ Si
Bande de
Si valence
T ++
n = ND (électrons porteurs majoritaires) 25

A retenir – dopage type P
Si
Eg (qq eV)
Si B- Si
Si
T ++
p = NA (trous porteurs majoritaires) 26

Définitions
p n
x
0
Jonction PN
diode PN
P N
(ANODE) (CATHODE)
Un même cristal passe d’un dopage de type P à un dopage de type N.a

On considère homogène le dopage de type P (NA = constante) et le
dopage de type N (ND = constante) dans chacune des zones. 27
Définitions
Un même cristal passe d’un dopage de p n
type P à un dopage de type N.a
On considère homogène 0
x
le dopage de type P (NA = constante) Jonction PN
et le dopage de type N (ND = constante)

diode PN
dans chacune des zones.
P N
(ANODE) (CATHODE)
Jonction PN = volume dopé P + interface + volume dopé N

Si NA > ND : diode P+N
Si NA < ND : diode PN+ 28
Courants
● Deux (principales) différences avec les métaux
– Deux types de porteurs : électrons / trous
– Densité de porteur non homogène : à l’interface,
les concentrations d’électrons et de trous varient
de tout à rien
Comment exprimer un courant de porteurs ?
29
Courant de conduction
30
⃗j=n q ⃗v =n q µ E
⃗
Densité de courant
(A.m-2) Champ électrique
Densité de porteurs Charge du Vitesse Mobilité (V.m-1)
(m-3) porteur (C) (m.s-1) (m².V-1.s-1)
31
⃗j=n q µ E
⃗
courant d’électrons j⃗c =n(−e) µn ⃗

n
E (µn négatif)
courant de trous j⃗c = p e µ p ⃗

p
E
Lié à la présence d’un

champ électrique / d’une ⃗
E
différence de potentiel 32
Courants
Sans champ électrique, peut-on tout

de même observer un mouvement des
porteurs dans la diode ? 33
Courant de diffusion
DÛ À UN GRADIENT DE CONCENTRATION DES PORTEURS MOBILES
● Diffusion : phénomène qui tend à homogénéiser un

milieu soumis à un gradient
34

Des idées ?
35

Température, composition chimique, densité de porteurs
36
Crédit image : BruceBlaus https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Blausen_0315_Diffusion.png
n Considérons cette distribution inégale de porteurs :

on peut définir le gradient de densité de porteurs par
⃗ dn
grad n= u⃗x
dx coefficient de diffusion
x
0 u⃗
x
Le flux de porteurs est alors ⃗ n
F⃗n =− D n grad
flux allant des zones denses

aux zones peu denses
37

⃗ dn
grad n= u⃗x
dx
x
0 u⃗
x
F⃗n =− D n grad
Le courant associé est ⃗ n

j⃗d =(−e) F⃗n=e D n grad
n
Quelle est la dimension de D n ? 38


⃗ dn
grad n= u⃗x
dx
x
0 u⃗
x
F⃗n =− D n grad

n
m².s-1
Comment représenter ces grandeurs ? 39


⃗ n
grad on peut définir le gradient de densité de porteurs par
F⃗n
⃗ dn
grad n= u⃗x
j⃗d n dx
x
0 u⃗
x
F⃗n =− D n grad

n
m².s-1
40
Le courant associé au gradient de densité d’électrons est
⃗ n
j⃗d =(−e) F⃗n=e Dn grad
n
Dans le cas où il y a un gradient de trous, il est également possible

d’associer un courant de diffusion de trous,
⃗ p
j⃗d =e F⃗p =−e D p grad
p
41
Courants dans le semi-conducteur
Différence de potentiel Gradient de densité de porteurs
j⃗c =n(−e) µn ⃗
E ⃗ n
j⃗d =e D n grad
n n
j⃗c = p e µ p ⃗
p
E p
⃗ p
j⃗d =−e D p grad
⃗
E ⃗ densité
grad
42
Durée de vie des porteurs
● Dès lors que l’on injecte des porteurs minoritaires
dans un semi-conducteur dopé, ces porteurs vont
« facilement » rencontrer un porteur majoritaire
avec lequel il va se recombiner (suppression de la
paire électron-trou)
● On définit la durée de vie moyenne comme étant
ce temps moyen jusqu’à la recombinaison
43
● On définit la durée de vie moyenne comme étant
ce temps moyen jusqu’à la recombinaison
τn durée de vie d’un électron injecté dans un semi-conducteur de type P
τp durée de vie d’un trou injecté dans un semi-conducteur de type N
● La longueur de diffusion correspond à la distance

parcourue dans le semi-conducteur jusqu’à la
recombinaison
Ln= √ D n τ n L p =√ D p τ p 44
UN EXEMPLE
● Soit un semi-conducteur de type P e-

e- P (n0, p0)
où l’on injecte Δn0 électrons e-
On va observer
n
0
+Δ
●
n
0
– Une diffusion des porteurs au sein du
semi-conducteur (gradient de n)
– La recombinaison des porteurs (au
bout du temps moyen τn)
45
UN EXEMPLE
● On a p0 ≈ NA et n0 = ni² / NA e-
e- P (n0, p0)
● Le profil est du type x
e-
n
0
−
+Δ
Ln
n
0
n( x)=n0 +Δ n0 e
46
UN EXEMPLE
e- P (n0, p0)
e-
n
0
−
+Δ
Ln
n
0
n( x)=n0 +Δ n0 e
n
n(0)
nn00++Δn 0
n0
0 Ln x 47

surface
UN EXEMPLE
e- P (n0, p0)
e-
n
0
−
+Δ
Ln
n
0
n( x)=n0 +Δ n0 e
n0+Δn0 Δ n≈0,14 Δ n0 pour x=2 Ln

Δ n≈0,05 Δ n 0 pour x=3 L n
48
matériaux ?
une jonction PN ?
49
Équilibre thermodynamique
● A l’équilibre thermodynamique, on considère que
la jonction PN n’est soumise à aucune contrainte
extérieure : notamment pas de champ électrique.
● Le système est à température ambiante :
on « accole » la zone P et la zone N.
Que se passe-t-il ?
50
Jonction PN à l’équilibre
COURANT DE DIFFUSION
● Gradients de densité → courant de diffusion

t+
Flux (- D grad densité)
e-
P N
j⃗d p
j⃗d n
⃗ n
j⃗d =e D n grad ⃗ p
j⃗d =−e D p grad
n p
51

t+
e-
P N
j⃗d p
j⃗d n
Quelles sont les conséquences

sur la densité de porteurs ? 52

t+
e-
P N
j⃗d p
j⃗d n
Quelle est la durée de vie de ces

porteurs dans la zone où ils diffusent ?
53
ZONE CHARGE D’ESPACE
● Les porteurs participant au courant de diffusion vont

se retrouver dans une zone où ils sont minoritaires :
recombinaison après τn/p
ZCE
Zone charge d’espace (ZCE)
P N
La ZCE ne contient
(NA) (ND) plus de charges
mobiles
-XP -WP 0 WN XN x
Dopants accepteurs ionisés Ei Dopants donneurs ionisés 54

ZONE CHARGE D’ESPACE
● Les porteurs participant au courant de diffusion vont

se retrouver dans une zone où ils sont minoritaires :
recombinaison après τn/p
Zone charge d’espace (ZCE) La ZCE voit
apparaître une
différence de
potentiel :
présence d’un
champ électrique
55
COURANT DE CONDUCTION
● Champ électrique → courant de conduction

E⃗ZCE
P N
j⃗c p
j⃗c n
⃗j c = j⃗c + j⃗c =n(−e) µn E

⃗ + p e µp E
⃗
n p 56
COURANTS
● L’équilibre est atteint dès lors que les porteurs ne

sont plus en mouvement
⃗j= j⃗c + j⃗c + j⃗d + j⃗d = ⃗0

n p n p
57
Diagramme énergétique
AVANT LE CONTACT
NV
eχ eχ
EC
EFn
eVD
EFp
EV
semi-conducteur semi-conducteur
dopé p dopé n
Mise en contact : évolution ? 58

Diagramme énergétique
APRÈS LE CONTACT
EC
eVD Barrière énergétique pour l’électron
(du fait de la présence de EZCE)
EV
ZCE
x
-XP -WP WN XN
- +
- +
- +
59
E⃗ZCE
Propriétés de la jonction
POTENTIEL INTERNE
EC
EFn
( E F −E V
)
eVD
p=N v exp − EFp
kT EV
dopé p dopé n
60
POTENTIEL INTERNE
EC
EFn
( E F −E V
)
eVD
p=N v exp − EFp
kT EV
dopé p dopé n
p = ?
61
POTENTIEL INTERNE
EC
EFn
( E F −E V
)
eVD
p=N v exp − EFp
kT EV
dopé p dopé n
( ) ( )
2
E F −E V ni E F − EV
N A =N v exp − p
=N v exp − n
kT ND kT
( )
NAND
eV D =kT ln 2
ni 62
DENSITÉ DE CHARGE ÉLECTRIQUE
x
-XP -WP WN XN
- +
- +
- +
ρ(x)
eND
x
-XP -WP WN XN
-eNA
63
CALCUL DU POTENTIEL ET DU CHAMP ÉLECTRIQUE
d 2 V ( x) ρ ( x)
=−
dx
2
ϵ
Équation de Poisson
Maxwell Gauss + relation E/V
ρ(x)
eND
x
-XP -WP WN XN
-eNA
64
ρ(x)
eND
d 2 V ( x) ρ ( x)
=− x
dx
2
ϵ -XP -WP WN XN
-eNA
1. CALCUL DU CHAMP ÉLECTRIQUE

- Pour x < -WP d 2 V ( x)
dx
2 =−
ρ ( x)
ϵ
=0 → dVdx( x) =cte=−E ( x)
Dans cette zone, les bandes d’énergie sont plates, on a donc dV ( x) =0
dx
E (x)=0 65
ρ(x)
eND
d 2 V ( x) ρ ( x)
=− x
dx
2
ϵ -XP -WP WN XN
-eNA

- Pour x > WN d 2 V ( x)
dx
2 =−
ρ ( x)
ϵ
=0 → dVdx( x) =cte=−E ( x)
Dans cette zone, les bandes d’énergie sont plates, on a donc dV ( x) =0
dx
E (x)=0 66
ρ(x)
eND
d 2 V ( x) ρ ( x)
=− x
dx
2
ϵ -XP -WP WN XN
-eNA

d 2 V ( x)
- Pour 0 > x > -WP
dx
2
=−
ρ ( x) e N A
ϵ
=
ϵ
→ dV ( x) eN A x
dx
=
ϵ
+C 1 =−E ( x)
−eN A W P eN A W P
La continuité en -WP impose +C 1 =0 soit C 1 =
ϵ ϵ
eN A
E (x)=− (x+W P ) 67
ϵ
ρ(x)
eND
x
-XP -WP WN XN
-eNA
E(x)
-XP -WP WN XN
eN A eN D
E (x)=− (x+W P ) E (x)= (x−W N )
ϵ ϵ 68
E(x)
d V (x )
=−E ( x) x
dx -XP -WP WN XN
2. CALCUL DU POTENTIEL ÉLECTRIQUE

- Pour x < -WP d V ( x)
dx
=0 → V ( x)=V P
- Pour x > WN d V ( x)
dx
=0 → V ( x)=V N
69
E(x)
d V (x )
=−E ( x) x
dx -XP -WP WN XN
2. CALCUL DU POTENTIEL ÉLECTRIQUE

- Pour 0 > x > -WP d V ( x)
dx
=−
eN A
ϵ
→
( x+W P )
eN 2
V (x)=− A ( x+W P ) +C 2
2ϵ
eN A 2
La continuité en -WP impose V P=− ((−W P )+W P ) +C 2 soit C 2 =V P
2ϵ
eN A 2
V ( x)= (x +W P ) +V P 70
2ϵ
E(x)
x
-XP -WP WN XN
VN V(x)
x
-XP -WP WN XN
eN A VP
V ( x)=
2
(x+W P ) +V P eN D 2
2ϵ V ( x)=− (x−W N ) +V N 71
2ϵ
CONTINUITÉ EN X = 0
E(0): N A W P =N D W N
Neutralité électrique du composant
V (0)=.. .
Informations sur WN et WP
72
CONTINUITÉ EN X = 0
V (0)=.. .
Informations sur WN et WP
73
●
Quel rôle jouent les interfaces dans un composant électronique ?
●
Comment définir le niveau de vide ?
●
Comment définir l’affinité électronique ? Pourquoi cette notion est-
elle particulièrement adaptée à l’étude des semi-conducteurs ?
●
On s’intéresse à la jonction entre différents matériaux. Quels
niveaux d’énergie s’alignent avant la jonction ?
●
Comment détermine-t-on la barrière énergétique du métal vers le
semi-conducteur ?
●
Quelle quantité permet de placer le niveau de Fermi par rapport au
niveau de vide avant la jonction ?
●
Qu’est-ce qu’une jonction PN ?
●
A quelle condition un courant de conduction peut-il apparaître dans
un matériau contenant des porteurs de charges mobiles ?
74
●
Comment exprimer le courant de conduction ?
●
Qu’est-ce que la diffusion ?
●
Qu’est-ce que la durée de vie d’un porteur ?
●
Qu’est-ce que la longueur de diffusion ?
●
Quel effet le courant de diffusion va-t-il avoir sur les populations de porteurs
après la jonction ? Quelle est la principale propriété de la ZCE ?
●
Comment expliquer la présence d’un courant de conduction dans la diode à
l’équilibre ?
●
Comment définit-on l’équilibre thermodynamique au sein de la jonction ?
●
Comment les niveaux d’énergie évoluent-ils dans la ZCE ?
Comment l’expliquer ?
●
Comment exprimer la barrière énergétique liée à la ZCE à l’aide des propriétés
du semi-conducteur ?
●
Comment obtenir la densité de charges dans la ZCE ?
●
Comment établir l’expression du potentiel dans la ZCE ?
75

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Jérémy Freixas – jeremy.freixas@isen-ouest.yncrea.fr

vue schématique en coupe

● La variation des niveaux d’énergie peut donc être

Travail NIVEAU DU VIDE (NV) : état dans lequel l’électron n’est plus

NIVEAU DU VIDE (NV) : état dans lequel l’électron n’est plus

Peut-on trouver un électron

NIVEAU DU VIDE (NV) : état dans lequel l’électron n’est plus

NIVEAU DU VIDE (NV) : état dans lequel l’électron n’est plus

AsGa 4,07 eV Au 4,8 eV

SiO2 0,9 eV Cu 4,4 eV

Un même cristal passe d’un dopage de type P à un dopage de type N.

Dopage de type N ? de type P ? 24

n = ND (électrons porteurs majoritaires) 25

p = NA (trous porteurs majoritaires) 26

Un même cristal passe d’un dopage de type P à un dopage de type N.a

le dopage de type P (NA = constante) Jonction PN

et le dopage de type N (ND = constante)

Jonction PN = volume dopé P + interface + volume dopé N

Comment exprimer un courant de porteurs ?

courant d’électrons j⃗c =n(−e) µn ⃗

courant de trous j⃗c = p e µ p ⃗

Lié à la présence d’un

Sans champ électrique, peut-on tout

● Diffusion : phénomène qui tend à homogénéiser un

● Diffusion : phénomène qui tend à homogénéiser un

● Diffusion : phénomène qui tend à homogénéiser un

n Considérons cette distribution inégale de porteurs :

flux allant des zones denses

n Considérons cette distribution inégale de porteurs :

Le courant associé est ⃗ n

Quelle est la dimension de D n ? 38

n Considérons cette distribution inégale de porteurs :

Le courant associé est ⃗ n

Comment représenter ces grandeurs ? 39

n Considérons cette distribution inégale de porteurs :

Le courant associé est ⃗ n

Le courant associé au gradient de densité d’électrons est

Dans le cas où il y a un gradient de trous, il est également possible

● La longueur de diffusion correspond à la distance

● Soit un semi-conducteur de type P e-

n0+Δn0 Δ n≈0,14 Δ n0 pour x=2 Ln

● Gradients de densité → courant de diffusion

● Gradients de densité → courant de diffusion

Quelles sont les conséquences

● Gradients de densité → courant de diffusion

Quelle est la durée de vie de ces

● Les porteurs participant au courant de diffusion vont

Dopants accepteurs ionisés Ei Dopants donneurs ionisés 54

● Les porteurs participant au courant de diffusion vont

● Champ électrique → courant de conduction

⃗j c = j⃗c + j⃗c =n(−e) µn E

● L’équilibre est atteint dès lors que les porteurs ne

⃗j= j⃗c + j⃗c + j⃗d + j⃗d = ⃗0

Mise en contact : évolution ? 58

1. CALCUL DU CHAMP ÉLECTRIQUE

1. CALCUL DU CHAMP ÉLECTRIQUE

1. CALCUL DU CHAMP ÉLECTRIQUE