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À mes très cheTs j}aremls.
À rnjes f tères et rnies sœ:u;rs chtwwmpa:r
Sm Tborrm

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À tow Trbes a:mis (es}.

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t;oi;m à td réattii atiom dè ce tTawal[

ii
 sŒ-Ù,e

Sommaire

Introdiirion générale ............ „ ................................................... „ .... „ ................. „ ...................... l

Chapitr€ I : Généralités su les systèmes photovoltaïques

l.1 htroduction : .„ .................................... „.3

I.2 Energie photovoltal"que : ............................................................ * .......................................... 4

I.3 Cellules photoüoltà-1-qtffi ou photopîlæ : ............................................................................... 4

I.3.1 Définition : ..... „~ .......................... 4

1.3.2 Principe de fonctionmment : ..... ~...~..„ .... „...„ ...... „„ ..... „„„ .......... „.„ ..... „ .......... „ ........ 4

1.3.3 Diffërents types des cenules photovoltaïques : ........... „ ................ „ ................................ 5

I.3.4 Modélisation des oellules photwoltal~ques : ................................. „ ....................... w ....... 6

1.3.4.1 Modèle à quaïre paŒmètres (4P} : ......................... „„„„ ............. „ ........................... 7

1.3.4.2 Mddèle à cinq paranritres (5P) : ......................................................................... „...8

I.3.5 Paramètres des cellule§ photovoltal-ques : ....... „...„~...~...„„..~„~ ..................... „ ........... 9

I.3.6Caractéristiqued'unecellulephotovolta~ique:.............„..~.........„...~..............................9

1.4 Influence des diffëpents parmètres : ................................................ „ ..... „ .............. „ .... ~ .... 10

I.4.l hflue" de l'éclairm" G ................. „.„„.„.,10

1.42 Influence de la tempérætue et de la résistanœ série : ................................................... 1 1

1.4.3 Influence du facteu de qualité :..„ ...... ~ ........ ~..„ .... „„ ...... „ .......... ~ ................... „„„.„..12

1.5 Les pameaux photovoltai.ques : ........................................................................................ „ 12

1.6 Assœirion des cellulcs photovolüi.q]es : .......................................................................... 13

I.6.1 Association parallèle : ...................... ~.„.~ ................ ] 3

I
I.6.2 Association ent\série : ........ „ . . „ ......... ~.„ ......... „ ........ „„.„ ...... „...„ ............... „~ 14

1.6.3 Assœiation mixte (Série + Parallèle) :.„ .... ~ ......... ~ ....... „ ........... „ ............ „ .......... „ ...... 14
1

I.7 Rendement d'un généraœur photovoltal~que : ..................................... „ ........... „ .................. 15

I.8 Conclusion :...~.~ ..... „. . .„ .... „.„ ....... „ ............................ 15

[

[ Chæpitpe H : Convertisseu DC /DC

[ II.1 Introduction: .... „„.„ ........ „..„ ................. „..~ ........ „ ........ ~ ...... „ ..................... 16

1
I

s_g ___ _ __3æ

H.2 Fonctionnement d'un convrisseur --. „.„ ........ „...„...„ ..... „ .... „.~ 17
I II .2.1 Convertisseu dévaltetH {{ Bœk convefter ï+ : ................... 18
11 .2.1.1 Principe de fonctionnement du convertisseu Buck : ..„„ .................. „„ .............. 18
[ 11.2.1.2 Mbdèle du circuit équivàlent : ...........................................,............ „ .................... 18

II.2.1 .3 ffiGription et dimemsionnement des éléments : ................................................... 20

[ 11.2.1.4 Avamtages st inconvénients du cûnvertisseur Buck : ........................................... 21

H.2£ Le convertisseu survolteur « Boost conwertff » ........... „ ........ 22

[ 11.2.2.1 Principe de fonctionnement du converissetm Boost : .......................................... 22

II.2.3 Convertisseu dévolteur-survolteur « Buck-Boost œnverter » .... 23

I
11.2.3.1 Modèle équiwa]ent du convErtisseur : ..„„ ...... „ ...... „.„ ...... „ ........ „ ......... ~ ......... „..24

11.3 Poursuite du Point de Puissance Maximale QÆPP'I) : .................................................... „.24

[
IH.3.1 Principe de pousuite du poiHt de puissance mæEimale : „ .... ~h" ....... „...„ ........ „ ...... 24
11.3.2. Fonctionnmmt d'un générateu PV à sa puissance maximale : „ .... „.~ ....... „„ .... „„.25
[
II.3.3 Contrôle du point de puissance Maximale:..„..„..„..„.„„ .... „...„.„ ........ „...„.26
II.3.4 MédHrics couH"ti# du hffpT: .............. „ ...................................... 27
I
H.3.4.1 Méthode de Perturiation et observrion (P&O) : ...„...„„..„.„ ...... „ ......... „..„ ....... 27
11.3.4.2 Méthode de conductance incrÉmfflale {C-INC): .................................................. 30
[
11.3.5 Avantages et inconvénients des algorithmes P&O et C-INC :„ ..... „ .... „ ..... „~ ...... „„„31
11.4 lœ batteries : ........ „..„ .... „...„„ ...................... „.„ ..... „ .................... „...„„~...„„...„..„ ......... 32
[
11.4.1 Iæ diffë"ts types de t"ttëries : ...................... „...„ ..... „ ........... „ ..... „„ ..... „ ............... 32

11.4.1.1 I.a batterie au plomb : „ .................................................... „ ................................... 32

1

H.4.1.2 I+es accumulateurs Nickel€admitm et Nickel-Hydrue Métalfique : ...+.„.„ ....... 33

11.4.1.3 Les æcumulateurs au LithiLm ion (Li-ion} : ..................... „ .......... „ ...... „ ............. 33
[

II.4. l .4 I+es super"ndensateurs : ..„ .... „ .................... „ ......... „ ...................... „ ............... „.33

II.5 Caraffistiqtæs te€hniques dæ baïtëries : .........,...,...,,. „...„ ...................... „ ........ „ ........... 33

11.6 IÆ ét# de chffge dcs batœries: „ ........... „„...„„„ ....... „..~„ ....... „ ......... ~..„ .......... „ ...... 35

11.6.1 Charge rapide Œulk charge) : ...„+..„..„„+...n..„ ........................ w...„ ....... ~...„„.„.„ ...... 35

11.6.2 Charge d'absorption : ............ „ ...................... „ .................................................... „ ...... 36

II.6.3 Charge de maintien Œloat charge) ......................................... „ .... „ ........... „ ................ 36

H-7 Ia Charge d'm bafirie aii plomb-acide :~..„ ..... " .......... „ .... „.~ ..... „„ ...... „ ...,.. w ........ ~.„36
11-8 Conclusion : ..... „ ...... „...„ ....... „ .......... „ ...... „ .... „„„ ..... „..„...„.„.„...„~„..„.„„ ........... ~..„„.37

fy
 s®-
Chapitre IH : Conceptiûn et æÉælisation du convertisseu Buck

III.1 Introduction :..„~ .......... „.. „ ....... „..„„ ....... „...~38

111.2 Schéma synoptique du chargeur de batterie : ................................................................... 39

111.3 Cæactéristiques des panneaux photovoltaËques et batterie utilisés : ................................ 39

111.4 "mcmsionnement des composants du œnwrissem Buck : ................ „ .......................... 40

111.4.1 Description du circuit de base : „ .................................. „..„ .................... „ ..... „ ...... „...42

IH.4.2 Amélioration du circuit de base : ................ „ ..... „ ........................ „..42

111.4.3 Dimfflsimment de 1'inductance : .... „..„ .............. „.„„..„..„ .... „„„„„ ....... „ ............. 43

111.4.4 DimensionnemeHt de§ condensateim {Cin et Coü) : ................................................... 44

HI.4.5 DimcmsiŒEnemeæt etchoix de ladiode :. . . „ ...... „~.„„.„ ..... „45

111.4.6 Dimensionnmemt et choix des MOSFETs : ..... „ ........ „ ....... „ ......... „„ .......... „ ...... „„.46

111.4.7 Dimensionnement et choix des ponts diviseurs de œnsion : ........... „ ........ * ................ 46

III.4.?. l cÆcule dï# ïésistames dms le diriseinr d'entrée : ...„„ ........... ~ ...... 46
IH.4.7.2 Càlcule des résistances dans le diviseu de sortie : ........ „..„„...„ .......... „ ....... „...47

111.4.8 Dimensiomeme"t et €h®ix du cap€etm d€ cstmt : ................................ „...„ ............ 47

111.5 Circuit électrorique complet de la partie priss"ce du chargeu : ................................... 48
111.6 Circuit d'alimmtation pour capteur de cot"t : ....................... „„„„ ............................... 52

HI.7Cûncl"ion„.„...„.„..„„.......„.„......„.„..........„..................„.........................„....„.........„..55

Chqpitre IV : Etude et réalisation de k partie œmmande du chaŒ.geLff

IV.1 IntroduÆon: „„ ...... „ ............. 56

IV.2 Schém synoptique : .......... „ ................... „ ........................................ „ .............................. 57

IV.3 Carte de commande : ...~~..„ .... „...„.„ ................. ~„ ..... „„„ ....... 57

IV.3.1 Choix du microcontrôleur :...„ ....................... „ .„...„...„ ..................... 57

IV.3.2 Alimcmtation de la carte de commande : „ ..... „„ ....... „ .... ~..~ ...... „ ................. „.„.~„..59

IV.3.3 Circuit électmniq.ue dë la carte d£ œmmand€ : ..... „ ....... „..„ ...... „„.„„„ .................... 59
IV.4 Conclusion : „ ..... „.„„..„ .... „ ..... „...~...„ ...... ~.~„...„*„.„„...„.~.„„ ....... „„ ..... „ ...... „ ........ „..62

Conclusion généræe ..................................................................................... „ ...... „„ ................. 6.3

V
 so-e
Bibliographie et webographie .................................................................................................. 64

Amexe„..~........„.66

Y'
Fi8ure 1.1 : Module photovoltai.q]e ..................................................................... 04

Fîgure 1.2 : Principe de fonctionnement d'une cellule photwol"~que ............. 05

FÎ8ur€ 1.3 : Types de cellules photovoltaï.ques ................................................. 06

FÎ8ur€ 1.4 : Schéma électrique du modèle à quaŒ pammètr€s ............................ 07

Figure L5 : Schéma électrique modèle à 5 pammètmes ...................................... 08

Fi8ür€ 1.6 : Caractéristique l(V) d'une cellule photwoltàËqœ„ ....... „ ....... „ ....... 09
Fi8ure 1.7 : Caractéristique p(V) d'une œllule photovoltal.que ......................... 10
Fi8ur€ 1.8 : Influence de l'éclairemcmt su la camctéristique I(V)...„ ................. 10
Fi8ur€ 1.9 : Influence de l'éclairemcmt su la camctéristique P{V} .................... 1 1
Fîgur€ 1.10 : Influence de la température su la caractéristique I(V) ................... 1 1
Figiire 1.11 : Influence de la résistance série su la carastéristique I{V)„.." .... * .... 12
Figure 1.12 : Influence du factem de qualité pom T=25°C .................................... 12
Figure 1.13 : Panneau solaire ................................................... „ .......... „„.„„ .......... „ 13

Figme 1.14 : Assœiætions des cellules PV m parallèle ......................................... 13

Figure 1.15 : Association des cellules en série ....................................................... 14

Figur€ 1.16 : Association des œlldæ " mixte {Série + Parallèle) ........................... 14

Figi]r€ H.1 : Schéma d'un quadripôle électrique ........ „„..„..~..~ ...... ~...~ ..... „..17
Figure H.2 : Périodes de femetLme et d'ouvemme d'un commutatem ................ 17
Figure H3 : Schéma de principe d'un convertisseur Buck ............,.................... 18
Figure H.4 : Circuit équivàlcmt du hacheu Buck quand f € [0, d.rs] .................. 18
Figure 11.5 : Circuit équivalent du hachem Buck quand f € [d.r„ rs] ................. 19
Fîgur€ II.6 : Formcs d'ondes typiques d'tm oonvrisseu Bu;k..„w ...... „ ................ 21
vii
Figur€ II.7 : Schéma de principe d'tm convertisseur boost ................................ 22

Fîgure 11.8 : Circuit équivalemt du haœhem Boost quand f € [8, d.r£] ............. „„ 22
Figure 11.9 : Circuit équivalent du hacheur Boûst q.uand f € [d.rs, r£] ...* ............ 23
Figure H.10 : Circuit équivalmt de conveftissem dévolteur-survoltem..„„.„..„„ 23
Fîgure H.l l : Cîrcuit équivàlent de convertisseu dévolteur-survolteur au temps
de femeture du commutateur Æ ........................................................................... 24

Fîgt[r€ H.12 : Cimüit équiwalcmt dü conveŒtisseur dÉvolteur-stErvolteur " temps

d'ouv"]re du commutateurdT ......................................................... * ................. ~ 24

Figure 11.13 : Principe d€ fm€tiomement d'un€ commande MPPT ..................... 25

Figure 11.14 : a: connexion dinecte entpe tm générateu PV et une charge résistive.
b: Diffërcmts points de fonctiomnemcmts résultant de l'assŒiation d'm panneau
PV sous deux éclairements et d'une charge résistive variable ............................... 26
Fïgure 11.15 : Chaine élémentaire de conveision PV menue d'me commande
hÆPPT .._ ..... _" . .._.._..".._"..""" .... _..".." .... """ .... __... 27

Figure 11.16 : Organigmmme de la méthode P&0 ............................................... 28

Figür€ H.17.a : Prin€ipe de fonctiomemŒt du P&O : vŒs le MPP ..„...„„ .......... 29

Figure ll.17.b : Principe de fmctionnement du P&O : loin du MPP ............. „ ..... 29
Figure 11.18 : Caractéristique P{V) du mûdule PV {lKW/n2, 298 K} variatim de
dp/dv .... ".."" .......... "." .... " .............. " .............. ".."" ...... _.„ ...... _".""".""""_... 30

Figur€ 11.19 : Battrie st ses éléments ...... * .... * ........,............ * .....,............................ 32

Fîgur€ H.28 : Compara±ssn ætæe les éleëtBBdæ d'une batÊrie sûlaire {à ga:uche}
et ceux d'une batterie de démarrage (à droite) ................. „ .......... „ ............... „ ....... 35

Figur€ IL2l : Diagiamme de charg€ d'une bafterie pbmbiæid£. ..* ........... + .,........... „ 37

Fîguï€ 111.1 : Schéma synoptiq"; du chargeur de b"rie ........ ~ ......... ~...„„„.„..„~.. 39

Figur€ HI.2 : Modules W MSX120 Înstallés su le tûit du laboratûire ..................... 40
Fîgure m.3 : Battrie solaire gel SONNENSCIIEN SOLAR S12Æ30A...„ ............ „.. 40
Figum lIL4 : Cir€uit de base du convertisseu Buck ................. * ........... „ .......... „ ............ 42

Figtire HI.5 : Equivalenœ élc#trique: Sour\ce de couramt = source de tension .............. 42

Fîgur€ 111.6 : Cir€uit améüoté dii convertisseu Btmk ................................................ 43

viii
I

I
Figure 111.7 : Connexion tyrique du IR2104 ............................................................. 43

[ Figtir€ m.8 : RæœriemŒt dti LA25-m ........... ~.„..„ ......... „...„ .............. „ ........... 48
Figue 111.9 : Circuit électrûnique de la came de püissanœ ......................................., 49
[ Figure HI.10 : Circuit imprimé de la carie de püssance ............................................ 51

Figure IH.11 : Circuit de la cane de puissance coté composants ................................ 51

[
Fîgur. IH.12 : Photo de la carœ de puissance ........................................................... 52

Hgum 111.13 : Cimuit élœtmrique de la car€e d'alimentrion ............................., „..„ 53

[
Figure IH.14 : Circuit de la cade d'alimentation coté composants ........................,.... 53
Figure 111.1§ : Circuit imprimé de k carœ d'alinmtation ...........................,.............. 53
1

Figure 111.16 : Photo de la carœ d'alimentation ........................................................ 54

[ Figme 111.1 : Essai des du chargeur avœ un GBF .................................................,... 55

Figur€ IV.l : Schéma synoptique du systÈme photovofta~lque ŒV} ........................... 57

[
Figur€ IV.2 : Broches du PIC 16F877 ............................................. ~ ....................... 58

I
Figtir€ IV3 : Régtilatem linéaire d'àLimentation de la carte de commande..~ ...... ~.._ 59
Figür€ IV.4 : Circuit élœtrorique de la carte de command€ .............................,........ 60

[ Figum IV.S : Cimuit imprimé de la carte de œmnande ............................................ 60

Figure IV.6 : Circuit de la cafte de commande coté composants„.„„..." .... „„~ .... n... 61
[ Hgure IV.7 : Photo de la carte de commande ......................................................... „ 61

[
lx

[
I
I InbpodseütÈon f[éné.qle

1
1 Introduction générale

I
1
1 Actuellement la production de l'énergie domestique et dans l'industrie est basée, en
gmnde partie, su tme ressource limitée : le pétmle. Les souices du pétmle deviennent de plŒ
1 en plus rares, pendant que les deznûndæ énergétiques du monde s'élèvent continüellcment.
Etam domé que cefte forme d'énergie cowre ime g]osse partie de la pmduction énergétique

1 acttœlle, il s'avère nécessaire de trouver une aihÊ solution pom prendre le relais, la contrainte
imposée est d'utiliser ime souce d'énergie économiqu3 et peu polluante car la protection de
l'enviromeinmt est deümue im point impûrtant [1 ].
1
La recherche des ressources d'énŒgie àLternafives est devenue donc une question
cruciale de nos jouis. Beaucoup de recherihes scientifiques om étÉ menées, non seulcmcmt,
1 dans le domaine de la production d'éncrgie nucléaire, mais égalment dans le secteur des
sources d'énerËe illimitées, telles que la production d'électricité paŒ. le vcmt et la
1 tiBansfomrion d'énergie solaire . [2]. Dans ce demiff cas, la conception. l'optimisation et la
réàLisation des systèmes photovol""ques sont des pmblèmes d'actualité puisqu'ils conduisent
1 sûment à une meilleLme e]ploitation de l'énffgie solaire. Pou une installafion
photovoltaïque, la variation de 50 % de l'éclairemŒt ou de la charge induit une dégradation
de la puissance fournie par le générateu PV de l'oædiie de 50 %; en plus le générateu PV ne
1 fonctionne plLE dans les conditions optimuns [3].

1 L'énergie solaîpe n.étant pas diporible la nuiL il est nécessaire d'équiper les systèmes
photwoltal-qŒs autonomes paŒ. des bat€ries d'accumülateus qui pemettent de stcN3kH:
l'énergie et de h restier em temps voülu. Pou les systèmcs mccordés au réseau de
1 disribution électrique, le stockage de l'éEærri€ et biffi éridemmerït pas indiqpensable.

1 lÆ batterie doit powoir réponùe aux erigenœs d'une charge su une période de
plusiems joim. Des contrôleurs de charge et de décharge son± dors iequis pou lîmitff la
pmfondeu de la décharge, limiter le courant de charge et empêcher les sLmcharges tout en
1 utilisant l'énergie solaire d'une maniène optimale quand celleti est diponible par la
recherche di point de puissance maximæle.
1,

1
 ImodugÉùîn ËéæÉtd±_

Un système photovoftaÈ.que ne petft cm général pas garantir un cycle optimal de charge

et de décharge, ainsi m régulateu de charge est nécessaire car fi de`m pouvoir s'assurer que
le régime de charg€ est }e müllstn possibie qri prisse ëtre ach€wé. Ceüe commande est alors
qppliq]ée à travers l'implémemtation d'im àlgrithme de commande sur un PIC.

L'objectif de ce travail est de ftire une conception et réalisation d'm chargeu de

ba«erieparpanmauxphstovoltaËques.

Au cours du premier chapitre, nous pŒésentems des généralités sur les systèmes
photovolË~l"ques.

Dans le deuxième chapiŒ, on s'intéressera au fonctiomement et aux équations des

conwerisseurs sta:tiques mfl}C, cm particuliŒ le convrisseur Buck trilisé dans le chffgeur
de batterie. En plus, de l'àlgorithme pertLriation et observation et les diffë"ts t3pes de
battries solaires.

Dans le tmisième chqpitre, nous exposerons les diffëœentes étqpes de conœption et de

choix des diffërents moddes et composants de la partie puissance du chargeu.

Le quatrième chapitpe fbcalise su les diffëmtes étapes et la médiodologie suivie pou

la conception et la néalisation de la carte de commnde du chargeür. Le choix des diffërents
composants ainsi que le lamgage de pmgmmmrion du micmcontrôleu sont justifiés st
l'organigmmme du pmgmmme global est présemé.

Enfin, on réstme nos résùltæts dans tme coÏHltision généræEe ainsi qie dæ perspectivcs
pou d'autres travaux à venir.
 Chœpitre 1

Généralüés sur les syst`emes

1

photovoltdjïques
1

1
1.1 lntpoduction :
1 Lorsque la lumière flappe la surface d'une cellule photovoltai~que, une partie de leu
énergie est restituée sous fome d'énergie élecrique. Ce phénomène est qppelé "effet
photovolta±~que". L'association de plusietns cellulcs PV en série/Éaraüèle doime lieu à un
1 généræeu photovoftHque {GPV) qui produit des puissances élevées. L'énergie électrique
ainsi produite est utilisée de diffërentes manières pou rÉpondre aux besoins des
1 consommateurs, elle sera irilisée soit pou dimenter des sites isolés, soit êtr€ revendue en
partie ou totalement au réseau de distribution de l'éleGtricité.
I Dans ce chapitre, on va exposer le principe de la conversion de l'énffde
photovolta"i"qtæ, les cellules photovoltaËques, l'effet des conditions atmoæhériques sur la
puissance produite, ainsi que les t3pes d'associrions dcs cellüles.
1

1
-
ChaJ "lftÉs su{ Ies "1

1.2 En€rgie photwo[taïque :

L'énerÈe phomvoltal"qtœ est ime énerÈe pooduite à parir de la conversion du
rayomememt solaire, c'est une énergie dite inœrmittente c" sa prodLrion est nulle la nuit
(àbsence du soleil) et ffiible les jous de mouvais temps. L'énergie solaire, peut êtbe convertie
cm chaleur ou m éleri€ité, on parie dors :
- D'énergie solaire photovoltal~que pou tme conversion en électricité.
- D'énergie solaire themiqtæ pou une œweision en chaleu.

Ch utilise pou ce ffire des modüles photovolta-1ques composés de cellùes solaires ou

photwoltai-iques, qui réalisent la transfonnrion d'énergie photovoltal-qu€ (figuic 1. 1 ).

Figur€ 1.1 : Modu]e photovoltaËque.

13 C€l]ulcs photwoltiËqüŒ ou photopîIŒ :

13.1 Démition :
I.es œllules photwolŒques ou photppflcs sûnt des œmposmts élæmniqu3s a scmi-
conducteu qui transfoment directement la lumière solaire en élœüicité. E]les sont réalisées
à l'aide de matéria]x semi¢ondmteurs utilisés m tBanches fmes ou en dSôts su un substraL
Les matériat]x les plus comus sont:
- le silicim (Si)
- 1e sulfime de cadmium (Cds)
- l'arséniüe de gallium {GaAs)
- le tellue de cadmium (CdTe)
- le gemrim (Ge)
- Ie phophore d'indim {Inp)

Toutefois, le matériau le plus urainmm ufflisé est le siücim pu obtenu à padir de

la silice (quartz ou sable) par transfomations chimiques et métallugiques [04].

13.2 Printipe de fonffionn€ment :

I.a cellule photovolta~l~que ŒV) est rÉalisée à partir de deux couches de siliciunL me
dopée P (dopée au BŒe} et l'ai" dopée N (qûpée au Phophoré) créam ainsi uie jonction
PN ave€ une barière de pot£ntiel.

4
Cb8 •mÉs su,

I.orsque les photons sont absori]és pæ le semi¢onductetH, ils transmettmt leu

énerÉe ai]x atomes de la jonction PN de telle sorte que les électrom de ces atomes se libèpent
et crémt des électrons {charges N) ti des œotEs (charges P}. Ceü Œée àlors me diffërence
de potentiel entpe les deux cÛuches. Ceüe diffërmce de potentiel est mesurable entre les
connexiom des bomes positives et négatives de la œllule.

Ija tension maximale de h cellule est d'environ 0.6 V pou un c®urant nül. Cette
tension est nommée tension de circuit ouvert (Vco).

Le couram maximal se produit lorsque les bornes de la ceüule sont court¢ircuitées,

il est applé couram de counLcircuit (|) et dépend fortement du nivœu d'éclairememt. I.a
figuœ Œ.2) prÉsente le principe de fomtionnmmt d'Lme œ]lu]e photûüoltal~qm :

Figur€ 12 : PTîn€ipe de fonffionnemmt d'une œHul€ photovoltaîqu€ [5].

133 Dîfiér€nts typ€s dœ ¢ellu]€s photwoltaîques :

n existe trois types principai]x de œllules :

æ- Lœ €ellu]Œ mono€ristaüîncs :
I.es c€llules mono€ristallines sont les photovo]tai.ques de la pmière génération,
elles sont élabŒées à partir dlm bkx; de silici:tm cristallisé en \m s€ù cristal. Les cellules sont
rondes ou presqtæ carréœ eL vues de pŒès, eües ont une couleu unifome. Elles ont un
taux de rendemcmt de 12 à 16%, mais la méthode de production est laborieuse et difficile, et
donc très cher, €ar fl flift une grande quantité d'énerÈe pou obtmir du cristal pu [5].

b- LŒ cellmt€s pob¢risü]]inœ :
I.es cellules polyLcristallines sont élabories à partir d'tm blœ de silicium cristallist
en fome de cristaux mùtiples. Vues de pris, on peut voir les orientations diffërentes des

5
1

1
cristaux. EZJœ ont Lm rcmdcmŒt de 11 à 13%, mais leu coût de prüduçtion est moins éleiné
que les œuulc§ monœristallines [5].
1
c- I.€s œHul€s amorphŒ :
1 I+es cellules amophes o" un coût d€ pmdmtion bim phE bas, mais malheimeusmfflt
]eu jmd€mëzz± n'est qœ dë 6 à lû%, CëüÊ technnlogi£ pmËt d'iüÈliscr des cÛŒhÊs æÈs
nrinces de silicim [5].
1
On peut donc appliquer de très fines cotmhÉ£ de silicium amorphe stm dcs vitres, du plastique
souple ou du métal, par un pziocédé de vqporisatiŒ sotEs vide.
1 C'est le silicium amorphe qu'on trow€ 1e plus souvem dans les petits produits de
oonsomination comme les calculatriœs et les znontres, mais aussi plüs réoemment sur les
grandes surffijces ifiilisées pom k muvdm dës tûiïs.
1
IÆ figure{I.3} suivmte résume les diffërents types de celhles phstovoltaHqtœs :

1
Figur€ 13 : Typ€s d€ cellülœ photwoltaËqi]e3.

1 I.es œHü]cs monocristal]ines et polyLcristallinæ sont les plus répanducs mais leu
fi¥rilité obfige à les ritégff par des plaques de verre, ce qui accmît d'aütant plus le poids du
panneau solaire.
I

13.4 ModéHsætion dœ €€lhles photwobüuœ :

[
Pou déwelopper im €ir€uit équival€nt précis pom tme œllul€ PV, il est nécessaire de
comprendre h cûnfigLiraÉon physîque dcs éléments de la cellule aLLssi bien qLœ les
1 caractéristques électriques de chaque éléfnÊnL Selon cet€e philosophie plusieurs modèles
éle€triques on:t été pppposés pou reppéscŒter h œllrie phûtovoltaËqæ. Pami ces modèles on
peut citer les strivanffi :
1.

I
 13.4.1 Mbdèl€ à quatp pammètpes (4P} :

Ipi..

\-

Figur€ 1.4 : Schéma élœtriqu€ du modèle à quatbe pammètnes.

Les quatre paramèdes de ce modèle sont

lpv : le couramt photonique.
1 b : cotzmnt de sattmætion rivezse.
A : fapteu d'idéalité.
Rs : 1a résistamœ série.
1

I+es diffërentæ équatîons décrivmt ce modèle seront détaillées par la suite.

1

Ce modèle tmite la œllule photovoltaïque camme une source de coumnt, dépendante

de l'éclairement Œnnestée cm parallèle avœ tme diode et en série avec une résistance série
1
Rs.

I Les quatre pammètres æpamissa" dms l'équ3tion d€ la caræctéristîque I{V) som : /e

courants photonique (Iw), la résistance série Œs}, et deux carastéristiques de la diode Œo) et

1
(A). Ces pamznètzEs ne sont pas des quantités mesLmbles et ne sont pas génémlement incJus
dans lœ domées des ffibricants. Pæ conséqüent ils doivcmt êtpe déÊEminés à partir des
systèmes des équatiom I{V) pou diffërents points de fonctionnement {donnés par les
1 fabricants).

I D.après Kirchhoff, le courant de sortie de la cellule est :

I -- I w - I D Œ.1)
I
I.e courant de la diode est domé par l'équation de Shocklçy :
I
|D-h[expéïË¥ï-|, (1.2)

I
b=Io,H(F=)3exp[{#)(±_±)] ¢.3)
I
I
I
I
ChaœÈœ 1_

1
IÆ caractéristiqLæ I(V) est décrite ainsi par :

1
I-Ipv-IO[€xp(¥)-1] (1.4)

1
13.4£ Mbdèl€ à riq pammètries {5P) :

1 R`I

Figur€ 1.5 S€héma é]f#trique modèl€ à S pammètpes.

1

Le circuit équivalemt de ce modèle est obtenu en utilisamt une simplification aü circuit

I de modèle à cinq paiamètres représenté sur la figure (1.5). Cette simplification se tBadrit à
supposer que Zû résistanoe série est négligeab]e.

[
Les cinq pammètres de ce modèle sont :
Ipv : cotumt photonique.
I hi : courant de satLmtion de diode 1.
Io2 : courant de saturation de diode 2.
I
Al : le facteur d'idéalité de diode 1.
A2 : le fasteu d'idéalité de diode 2.

I L'équation générale de ce modèle est :

1 I - Ipv - IDl - ID2 (1.5)

1 IDl-hl[ŒptËi+:J-l] Œ.6)

1 ]m=h2[expëjï:j.]] (1.7)

I I=Pw-hi(exp{Ë=J-1}-h2(exp{Ï#)-l}] tl.8)

I V : Ia tension de sortie Wolts].

1o : le courant inverse de saturation [Ampère].

1 8

1
 •h _ __ _ __B_m
ÇhgÊæœ__1 G±_némlitÆsur_1i

A : le ftcœur d'idéalité.
Rs : la résistance série [Ohm].
q : la constante de chargg d'élœtrün, 1.6Û2. 10" c.
k : la constante de Boltmann, | .38.|0-23 {ï/K).

133 Pammè±pes dæ €ellæ]cs photwoftùtiü :

Le fabricant foumit généralement la terim à vide (circuft oweri} VŒ]ŒF, le cotmt de
cour[¢ircuit lsciŒF, la tgnsion et le coumHt à la puissanœ maximale VMp±ŒF et lmjïEF. Iæ
procédé à suiviie pou les tpois paiamètœs h]Œ, 1LmF et ARff est en forçamt le passage de la
courbe I {V) par œs tpois porits. Ceci est obtmu m ftmant im wfie d€ trois équations. Ce
gstème peut êœe simplifié st une solution cKplicite est possible.
Les relatiûns p"m les points donnés sont :
Au Courtrci"it: I=ISC V-O
Au circuit ouver[ : Iæ V=VŒ
À k puissanœ mnEimale : I=IMp V - VMP

13.6 Canistéristiqu€ d' iin€ c€llül€ photovofflËqu€:

Une cellüle phûtoüoLtaËqu€ est défirie par sa coL]rie caiactérisüque élætrique
(courant-tension}, elle indique la variation du œurant quelle pmduit en fonction de la tfflsion
aux bomes de la cellule depuis le c®tmrcircuit jusqu'au tircuit ouveft (figure 1.6 et figure
1.7).
Les carastéristiques électrique de la cellule peuvent être détemrinées soit à partir des coubes
I-V ou de l'équation camctéristique (1.5) ces cara€téristiques sont : courant de court¢ir€uit,
tension en €jrcrit ozivëzt k pirissanæ maxîmal£, fæteu de forme.

=æsæLrr.ef Sr. æue tËbiÈ"}„ E-üË`~=\=üæ*.*Üæï+e+S* T-25aü=.

ZT

ï tLLI

e
•É

Ü¥'=
=r-
£
•-g = =
-'Ï

=_Ë

6*i

Figtme 1.6 : Camstéristîqu€ I{V} d'un€ c€llül€ photoiromËqu€.

I
I
1
=a ra=±EfL ` =t ŒL7æ F`'Î:#:S . Ë =|==`=L+a**`=.Wgiî,. -=E5`:=.

-----lstrt-rL'---!ï

' z.d.

:=4 -----=iiJ:---
--J-r=?-':r-j-----
I

I
Figum 1.7 : Camctéristiqu€ P{V} d'un€ cd]u[€ phobvoüæïqü€.
1
1.4 Influ€nce dŒ dîffér€nts pammètpes :
1
1.4.1 lnfluenœ d€ ]'éclaî"mcmt G :

1 h puissmce délivrée par un générateur PV dépend de l'irradiation qu'il reçoit.

L'augmentæion du flux lumineux fitit accroître le courant de court¢ircuit lsc, ainsi que la
tension à circuit ouvert, oomme illüstrées par læ figues Œ.8) st (1.9).
1

1
Tüs£®n { Lf }
Fîgur¢ 1.8 : Innu€n€e d€ I'é€lair€m€nt sur ]a camctéristiqu€ I(V} [06].
1

10
1

I
I ÏRÉs sur

I1
]]1

-t-,=) = ±lül`'`,```,3' ,y``„l=r=ÉfJ£J*.,`Ï,-<jr=--«=g,':]==.È=3ù|t=s=¥çLB3æa.eœo.îsœæmæ€,3=î,:.Ïæ{;\ï .jÏT=•tJlSt., -TISï,+',-t.,Ï`3.#,ï+-, `=Ï?ïE'ïiù{.'iï-3 •--.1J !

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Û -ô 4 t5 E ïS ï.2 r4 *S -;`3 .±!$ 22

TmsEon { V }
Figur€ 1.9 : Influ€nc€ d€ ]'éc]aîrem€nt sur læ camctéristique P(V) [06].
1
1.42 Influence de k t€mpémtur€ €t d€ læ pésîstin€€ séri€ :
1
h teHipérafi]æe est un paŒ"èœe important dans le cûmport€mfflt des œllules. La
figure Œ.10) montne que ]'augmentation de la températme Œtraîne une diminution nette de la
1 tension de circuft ouverL ainsi qu'une diminution de la puissance maximale (une variation
20°C entnBîne tme dirit]tion de 1 0 watts de ]a ptzissance znûxiznale}.
1
La résistance série agit sur la pente de la camctéristique dms la zx]ne où la photodiode
se comporte comme un générateur de tension, et lorsqu'elle augmente, elle diminue la vàLeü
1
de œ`mz)t de coiHt- cir"it Œigue 1. 1 1 }.

1
-1
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! i , -`r`. .ï t+! r` ,--\-\`

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11

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tl 2 4 S ïü 'i ï ?¢ r i:` . `] `3i.+J æ

1 Tmsion ,t V )

Figur€ 1.10 : Influmœ de h t€mpératum sur 1& œnctéristîque I(V) [06].

I

11
1

1
I
I
II +
G
1

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1 1---] iæ = Û.48 {ohm ]

1

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I
•£ 4 .-. t3 i {J . r. ï¢ is "3 2{3 22

Tmsi®ll ,t V '

Fîgure 1.11 : Influcnce d€ la résistince série sur la caractéristique I{V} [06].

I 1.43 Inflüenœ du fæsteur de qualité :

1 L'augmentation du facteu d'idéalité de la diode inflœ inversment sur le point de

püissanœ maximàle et cela se traduit par une baisse de puissance au niveau de la zone de
fonctionnement{figŒel.12}.
1
I
1
1
1
E
Figup 1.12 : Influ€nce du hdeur d€ qualité pour T=5°C [06].
Ë
15 Iz€s pann€aü= phobvoltal"quŒ :
I Le pameau solaire ou (champ solaire} se compose de modules photovoltaïques
interconnectés en série et/ou en parallèle afin de produire la puissance œquise. Ces modules
sont montés sur une armattm métalliqtie qri pemet de stppor(Œ le champ solaire ave€ un
1 mgle d'inclizrison spécifiqtæ, comme £llustré par la figure suivmte :

1 12

L
 'üæ SqT_kȱ
J

Figum 1.13 : Pænnœu so]aire.

1.6 Association dœ œllules photwolüïqüœ :

ïa puissamce disponible aux bomes d'une cellu]e unitaire est tiiès firible, il est donc
néccssaire d'assœiff cm série et em parallèle dcs modules photwolta~l~ques pou augmmter la
puissance et de rendr€ 1a puissance compatible avœ l'équipement électrique usuel. I+es
puissances des modulæ disponiblæ su le zmmhé s'échelonnent ffltne quelque watt czête et
quelque dirine de im# cpÊse, 1 m2 de œllul€ pmduit fflvimn lüw. En réalités I'assocîation
de cellules PV est analogue à l'association de générateurs de courant. En série : leurs temions
s'ajoutcmt. En parallèle : letHs courants s'ajodmt.

L6.l Associati®n Paræl]èl€ :

L'association en paral±èle d€s cellHles phstovoltai"iquÊ {figuie 1.14} délivre un

cciH" égal à k somme des œuiants indivîdæls et ime tëHsion égale à cët{e d'une setrie
cellüle [04].

Ü -- U I = U 2 = U 3 = Ür s

I -- 11 + 12 + 13 + ._. + In

1Û Ë 30 m
Figuiie 1.14 : Asso€iatîons des œuulœ PV en pam]lèl€.

13

[
I
1
1.62 Associætion €n série :
1 L'association cn série des modülŒ photovolta±~ques {figLne 1.15} déüvre une tension
égale à la somme dcs œnsions individuelles et un courant égal à celui d'un seul module [04].

1
U = Ül + U2 + ... + Un

1 I -- I 1 -- I 2 -- In

ÊaïactÊïistiquë l=fl`\f^]
6C4ÎÛ ' ' [ £aïacïËFi§tiq £
t*Œ„,.,~..`u,Ï.~`„,~`^®`-~--`t-`~```--c''^'r~~o~"~~t`-~"'""+Jrë§iÆ3nleÀ,c:arË£igristiqiJg

Éf dtüne [ëllülg \`
!'{

iJ, _,,, Ns`,` i

-( -`.t) t 'Iili{Ï.cÛ,:v.§cæ=N.€.t.ii[à,

1.
ïÜ ." æ 4æ S8fisiûr

1 Figtir€ I.1S : Assorition dœ c€üulœ €n séri€.

ïa plupan des modules commercialisés sont œmposés de 36 celluLes cm silicium

1 cristàLlin, conne€tées en série pou des applications en 12 V.

1 1.63 Asso€iætîon mi=t€ {Séri€ + Paral]èl€) :

Pou avoir une satisfætion en couiant et en tension, on est obligé d'utiliser un
1 groupcment mixte (figtire 1.16), c'est à dize Séric+Paml]èle |04].

==
Np
1 iJ I Î] Æ `# Æ

Fîgme 1.16 : Association dœ c€Ihles en mîrie (Série + Pam]]èle}.

1

14
1

L
I
I 1.7 R€nd€ment d'un génémt€ur photovolüïiqu€ :
néralÈséssur!es___s]Ls£Èmes_Êh_æSmmttdSmues

I Ije rendemŒt qg de comersion du gÉnéffi:tem pbotsvoltai~qtæ est donnÉ par La relation

suivamte [07] :

I 7g-£ q.13)

I La prissance d'entiée P€ du chflmp phûtovoltal"que est donnée par :

1 Pe--E.Ns.Np.S a.14)

1 Avœ:
E : Irradiation solaire sur le plan incliné du module photovoltai.que {W/m2).

I S : Surface du module photovoltàïque {m2).

Ns: Nombre de modHle en série.
Np : Nombre de module en parallèle.
1
I.a puissance Ps d£ sortie du £hamp photovoltal"qæ est donnée par :
1
Ps--Iy tl.15)

1 Où:
V : I.a tension a" bomes du champ photovoltai"que (V).
I I : Le courant aiK bomes du champ photovoltaËqu£ {A}.

Le rendememt maximüm du générateu photwoltai"que est :

1
V_J"
1 ENSNpS
tl.16)

1 1.8 Conclusîon :
Dms ce chapitre, nous avons vu des notions sm l'éncrgie solaire comme le principe de
I fonctionnemmt d'tme c€Hule phûtûvoftaffque, les diffërents t3pes d€ cel]ules existants, 1a
modélisation maffiémûtique équivalente de la cellule, 1es panneaux, et l'influence des
diffipents paæamètres la camctéristique I{V} et P(V) du modul€. Ces notions sont très iriles
1 potH l'étude des convrisseurs et les systèmes de st"kage de l'énffÆe photwoltal"lque.

[
I 15

E
!
•,__ml_œ_

1
Cha[pitre 11
I

1
Corwertisseur DC/DC
1

1 H.i introduction: T
I.a concçption d'un étage d'adaptation à partir du concept de transformateu DC,
1 pemet aüjourd'hui de relier aisément im générateu photovolta~l"que (GPV) à une charge de
t]pe continue qm) avec un rendement de conversion très é]evé. En ffit, le concçpt de
1 tmnsformateur DC conepond à la modélisation des fonctiom basiques idéalisées d.un
convrisseu à décsupage œntinuTcontinu Œ"). Ce cmcçpt est nommé ainsi à cause des
liens que le convertisseu crée entre ses qiatœ grandeurs éle€triques su les porB d'entpée et
n de sortie qui sont ses coummts et ses tensions d'entrée et de sortie. Autrememt dit à tmwers la
notion de conservation de la pLrissance transfiÊrée par tm cûnvertisseu statique fonctionnant
1 en comutation.

I 16

r-
I •t_D€J_æ€

I
11.2 Fonctionnem€nt d'un convertisseur DCOC `:
1 D'tm point de vue cîrcuit, le cûnveriisseu {DC/DC} appææ^t œmme tm quadripôle
(figure 11.1), jouant le rôle d'organe de Haison entre deux parties d'im réseau. Ch peut le
considém comme im tBansformateu de grandeuis élœtiques continues.
1

1
Fîgur€ H.l : S€héma d'un quadripôl€ électiqu¢.

1 Le converisseu {mÆ") se compose de condensateurs, d'inductances et de commutateurs.

Dms le cas idéàl, tous ces dipositifs ne œnsomment aucune puissance active, c'est la raison
1 pou laquelle on a de bons rendemcmts dams les convertisseurs {DC/DC).

Le commdatfflir est un dispositif semi¢ondücteu en mode (bloqué-sattmé), hàbituellement un

1 t"istor MOSFET.

1 Si le dipositif scmi¢onducteu est bloqué, son courant est zéBo et par conséquent sa
dissipætion de puissance est nulle. Si le dispositif est dans l'état saturé, la chute de tension à
ses bomes sem presqu= zéro st par conséquent ]a ptrissûnoe perdüe sem dès petite [05].
I
Pcmdant le fonctionnement du convertisseu (DCOC), le transistor sera commné à une
I fiéqumce comstan€ej: avc€ un temps d€ femfflzre égale à d rS st un temps d'ouve"me égale
à d'.Ts , où.
• rs est lapériode de commutation qui est égàLe à ///S.
E
• d le rappor[ cycliqtæ du œmmztæetm {d €[0,1]) ŒigLm ll.2)

I Figür€ H.2 : Périodcs d€ f€m€tur€ et d'ouv€rtum d'un €ommutateur.

1
17
1
I
I
I 11 exisœ p}usieus structures des convertisseurs (DCŒC}, distinguer par le rapport

I Œtpe la tension d'entrée et de sortie, les principamL structmes sont : le convertisseu œcÆ}C)
dévofte" {Buck œnvertff), 1e convertisseim {"/"} survoîtem {boost converter}, et le

I convertissem Q)C/DC) dévolteur/survoltt=m {Buck/boost convertcr}.

11 21 Conv€rtîsseur déyoHeur « Bis€k Coæy€rter » :

I 11 2.1.1 Prindp€ d€ fonffionn€m€nt du conirertîss€ur Buck :
Dans le cas d'm convertisseu Buék k tënsion de sartie {yotEt} est Înftrietme à la
1 terLsion d'entrée (Prm}, d'où son nom. I.e schéma d'un convertisseu Buck est montmé à la
FÎ8uœ tll.3).

1
1
1 Figur€ 113 : Schéma d€ prin€ip€ d'un cony€rtisseur Bu€k

1 Quand Je commuta*e" est femé (figure 11.4} {c.à.d / €[0,drf]}, la diode se bloqu3 et un
couiant circulŒa dans la charge à trawŒs l'industance. Dès que le commutateu sera ouvert
I {f E [dTs , rs ]} , k sÛuce et la charge ne somt plŒ en contast d`H" cëtte phase. La diode sera
sattHÉe et l'inductance maintiendra le coürant dans la charge Œigtiœ 11.5} [09].
I 11.2.1.2 Mbdèle dq irincüît équivabnt :
Pou étudier le conveftisseu dévoltetm et extrire son modèle mathématique, on
E
analyse la rEprésemtation du cimuit équivalcmt pou les dÊ" états du commdateu (oweft et
fenné). La figue ql.4) mome le schéma du circuit équivdent d'm convertisseu dévolteur
[ avœ le commLmiiem femé.
La figure Œ.5} rçprésent€ le converiissgur déwolteur awec 1€ cûmmm±eur ouveri pendant
E l'inmrdle dTs du temps où d' ridiqŒ le œmplémcmt du rapporÈ cycliqœ de commutation
d défini come :
Ë d`-_1-d ŒI.l)

E
Figure H.4 : Cir€üit éqiiîvæl€nt dü hæ€h€ur Bu€k quand f € [0, d.rs].

18
I
Ë
I
rT EæJœ€

i
La loi de Kirchhoff appEquée à la figue(H.4) {commutateu femé} dome les équations
E
suivantes :

1
icl(t,=qd#vË#--i"iL¢t, (11.2)

ic2fit)=C2#--ii.WiMt} (11.3)
1
vL¢t}=LdËË-_vj®-vo¢t} ¢1.4)
dF
1

1 Figur€ 11.5 : Cibcuit équival€nt dü hacheur Buck quand f € [d.r„ rs].

L'application de la Loi de Kirchhoff su la figure(II.5) dome les équations suivantes :

1

I
icl¢t)-cld#V=i¢t)
Œ.5)

I
ic2V-_C2d#v=iL¢t]~irit] (11.6)

vL¢t)--LË¥---vo¢t)
dr Œ.7)
1

Pmdam la première phase, on a :

I
vîn_Vout=LjïË2Ë=LË
tl (H.8)
I Où:
Ail
tl=L Vin-Vout Œ.9)
I
Voüt : la tension de sortie du convertisseu,
I V{n : la tension à l'entDée du convertisseu.

Pendant la deuxième phasè, on a :

I
19
I
I
I
1
•aqk,',L-Vaut-LË
1 Œ.10)
Cm

1 t2-L± Œll)

I Avec :
ti = dT et tz = (1 - d}T
Vout = d. Vin Œ.12)
1
lout = ËË Œ.13)
d
1
A parir de l'équafiûn (11.12} et Œ.13}, le rappor[ de conversion du conwertisseu dévoltem est
1 donné par la fome suivant :
M(d) =#=d ŒI.14)

1
H2.13 Des€ription st dim€nsîonn€mmt des éléments :

1 Pou m cycle T on a :

È=tï+t2=L#+LË=Lüàri#ÏTipùri Œ.15)

[ Œtmm:
v®ü.Ûrh-vOU®
Ail= ŒI.16)

1 Œ
Ail = ËË-
f.L Œ.17)
[ D'appès al.3) ontmuve :
11 = lc2 - lS Œ.1S)
Sæhant que :
I Ail - 0, tl - tz
Ch tmuve :
1 \.
ic2 = 4± .t\
tll.19)

1 IÆ €ension du condemsaÊeu est donnée par E'e]=pæssion striwaüœ :

Vo = J ic2. dt + Vo{t = 0) Œ.20)

mm' m a :
AV¢=vo(t}-vo(t=o}=/o:Ëdt=Ë=Lï
Û.c2 8.f.c (H2l)

AVo=V®#tûLrm£-v¥mï ŒI.22)

2Û
I
't,e2

1
Cm
Y!ndtl-d)
1 &VÔ-
8.cÆ2.L
tll.23)

1 c2-¥ 8JIVo Œ.24)

I Et la valeu de L est détemiBée par la formule :

t2-L± (H.25)
1 Avec t2 = T(1 -d ).

1 vsË
1 r

1
_t_ri
1
+.3
+,Fn-`\,-,gL.1

E
Figur€ 11.6 : Fomes d'ondfÊ typîqucs d'un convertîss€ur Buck

m2.l.4 Avantagœ et inœnvéni€nts du mwertîsseür Bu€k :

I
Ce convertissetH a l'avamtage d'tme ondulation du œtmnt de charge linrité par
l'inductance L. En outre, dans le cas d'me installation photovoltai.quc, fl pemet d'annuler le
E couramt par blocage d`i transistûr lorsqæ k charge n'est pas em état d'être alîmentée.
Cependant le coumnt d'Œtrée est discontinu, un filbe d'emtrée est donc nomalement requis
I tout particulièremcmt dans le cas d'un système ŒV), il nécessite un circuit de protection
cæntre le cas de cmmrircuit de la diode. Enfin, dms le cas d'im ærstème {PV}, il ne pffld
fonctionner lorsque la tension du gémérateu ŒV) est infërieure à la tension de la charge de
E sorte que l'éneræe reçue pendant lcs périodes à ffible éclairemcnt est perdue.

21
1
L
I
ÇhaœHæ2_ myertfsseür
I
11.2£ Le convertiss€ur survolteur « Boost Convert€r » :
1 H22.1 Printipe d€ fon€tionn€mcnt du cony€rtiss€ur Boost :
Dans le cas d'un convertisseu « boost », la tension de sortie Vout est supériem à la
1 tension d'entrée Vin, d'où son nom. Le s€héma d'un convertisseu « boost » est montré à la
figüre(II.P.

1
Fîgum 11.7 : Schéma de prinüpe d'un convertissetir boost.
1
Pendant la première phase de fonctiomement d . rs , le commutateu à l'état fenné
1 comc€te l'entiée à la masse à tmveis l'inductance et un très gmnd courant commence à
circuler, la diod€ est polarisée en invetse ainsi amun œurant d'indu€tance ne traverse la
charge (figLme 11.8).
1
Pendant la deuxième phase d'.rs , où le œmmi"etH est o`weft (figure 11.9}, la natime
1 de l'inductance s'oppose à la discontinuité de l'écoulement de courant, et le courant circulmt
dans la diode qui est maintenant polarisée en direct mène à une haute élévation de la tension
1 qui est appliquée à la charge.

Pou dérivff les fonctiorLs de transfërt de l'état d'équilibœe du hacheu survolteu et

1
l'Œpressîon de son ipppoft de conversionM(d} , les deux intervàLles de temps d . 7:s et d'.rS
de la période de commutation doivent être comidérés.
[

1 Figum H£ : Cincuit équîvalmt du hach€ur Boost qüand f e [0. d.rs].

IÆ loi de Kirchhoff appHquée à la figure{H.8} {commtitateu femé) donne les équations

1
rivamœs :

22
1

L
I
1
ic\¢t)-_C\d#vË#-_io-iL¢n
1
ic2¢t,--C2#--"„ ŒI.26)

1
vLtt)-LË¥-vitt)
dr
1
Le circuit équivalent d'un hacheu survolteu pendant l'intervalle de tmps dTS
quand le cotnmftaœu æ ouvert est représenté sur la figure Œ.9) :
1
L

[
Figure 11.9 : Cipcüit équival€nt dq ha€heur Boost qüand f E [d.r„ rs].
1
L'application de la loi de Kimhhoff sm la figure {H.9) donne lœ équatio" suivamtes :
1
icl¢t)-ct¥--i¢,-w
1
tc2¢t)--C2d#V=È,¢t)_„t) Œ.27)

1 VL{t}-_LË#--V,¢n-¥O{t)
I.e rpport de conwersion dans le cas du convertisseur Boost est :
1
„td,=ï=F=ïï 11
¢1.28)

1
H23 Convertiss€ur dévoltetirLsüwolt€ur « Bu€k-Boost conv€rt€r » :
I Le convertisseu dévolteu-survolteu combine les pmpriétés des convertisseurs
dévolteu et survolteu. 11 pŒft être employé pou transfomer idéalement n'impone quelle
tension continue d'emtrée cm n'importe quelle œnsion contîmm désirée de sortie [09].
I
1

I Figue 11.10 : Cir€uit équiva]ent d€ convertisseur dévolt"rL3urvolteur.

I 23

I
 lnNerasseur

HJL3.l Modè]e équiva]€Bt du conv€rtÉs€ur :

h figimeŒ.ll} montpe le sÆéma de €ircuit équivrient idéal de converisseur
dévolteu-survolteu, quand le commdateu est femé pendant l'intervalle drf de la période
rgde commutation et la figue(II.12) qprès que le c®mmutæu s'ouvre au déb" de
rintervme dT .

Fîgtip 11.11 : Cinuît équivælent d€ œnv€rtîss€ur déüolt€ur-survo]t€ur au t€mps de

femeftiiie du œmmuû.teur dr.

I
Figure H.12 : Cir€uit équiva]ent du œnvertÉss€ur dévolt€urLsüNolteur æu t€mps
I d'oüv€rtum dü œmmutit€ür d' r .

1 Le rapport de conwersion dans œ cas est :

„(d, = ï -f = T± (ii.2g,
1
H3 Poursuit€ du Point de PüÎssæn€e Maximal€ {MPPD :
Ë
PaŒ' définition, r'tme commande MPPT, associée à un étage interinédiaire d'adaptation,
peHnet de ffire fi)nctionner un génémteu PV de façon à produire en permaneœce le marimum
I de sa puissanœ. Ainsi, quel que soit lcs conditions météomloËques (températtme et
irradiation), et quel que soit la tension de la bafferie, la commande du cænvertisseu place le
Ë système au point de fonctionnement maKimum ( yopr, /opz).

H13.1 Prin€ip€ d€ poüHüit€ du poht d€ puissanc€ ma=imal€ :

1
IÆ stratégîe de rechemhe du point de puissanœ maximale est œlle représentée sü
lafigure{II.13}.
1
24
1
Ë
I
1

Fîgur€ 11.13 : Pririp€ d€ fonÆonn€mmt d'un€ œmmand€ MPPT [87].

1

La Ïe€hËrche du poin€ dë puissanæ mæEimæie æ dérëulë pr®gpessiiiëmeHt en cherëhant ie

1 pæmi£r maximum; les tmsiûn£ st Ïes æuræHÈs æîït mÊsupés dë ffianièæ à déduiæ }a püissanæ
extrrite du pameau. Ia puissance ainsi obtemæ est compazée avec la puissanœ de 1'instamt
1 précédent. I+a tensim aiix bomes des païmeaïn[ est ensüite augmŒtée ou réduite suivaq± 1g
résultat de la compara5son [10].

[
H3.2. Fon€tionnem€nt d'un génémt€ür PV à sæ puissan€e mærimale :

1
IÆ concçption de ffstëmcs photûvoltari"ques optimisés doit memdne en compæe la naæire
même de la souce. Pou m générateu photovoltai.que (PP), la production de puissance varie
foriemcmt en fonction de l'écffirm£mt de h température, mais aussi du vieillissememt global
1 du systÈme. 11 ft" dûnc ariiœr à conciliff €es comportemæÆs ame€ ætm propres à une
cAdmge, qu'elle soit de nattme contimæ (PÛ comme des batteries ou bien altemative (4C)
1 comme le réseau élætrique 220V/50Hz. Dams œs conditions, pou qu'une connexion So3mce-
£#mgg soit psssîbl€, tm point de fûnctiŒmment correspmdant à l'intersection des deux
caractéristiques électriques doit exister. Pou micüx comprendre cecî, prenons le cæ d'une
1
œnngxion dire€œ entm m généræeu PV €t une charge résistive Æ, comme illusdé dans h
figure{II.14.a}.
[
Comme notË Pùuvons le constater su la figLme {II.14.b}, Ie fonctionnement du
générateu dépend for6ement des caractéristiques de la charge awec laquelle il est associé. En
1
effst, pou dîffë"tes valgtErs de Æ, l'adaptatiüÆ üptimàEe se pŒiodtri pau un seri pûïnt de
fonctiomemmt particuliff, n®mmé Point de Puissance Maximale {PPÜ. Celuiœi comspond
[ à la puissance maximàle que peut délivm m générate" PV po" ime œube Æ/F? domée.
AinsL lorsqæ l'on réalis€ une conn€xiûn dÈrëcse Æozzrt:€€*mgË7, le æemd£ment de l'ims€mb]e
est alors optimal lorsque le système fonctionne à son PPM.
[

1 25

I
I
I
I
I
E
1
1 Fîgpr€ H.14 3 : CûnnŒÎon dipeti€ €ntpe æn génémteuï PV ti un€ €harg€ riésîÊfts.
b : Différ€nts poiDts d€ fon€tîonnem€nts résultant d€ l'æssociation d'tin
pænnœu PV sous d€ql é€læîrements €t d'une charge résîstive værîæble.
E
Des lois de commande spécifique tKistamt pou amener des dispositifs à fonctionnff à
1 des points maximtm de leurs camctéristiques sans qu'à priori ces points soient connus à
l'awanœ, ri que l'on sache à qœl momfflt ils Qnt été mûdifiés ri qu'€lles sont les ÏiaisûŒ de
œ changement pom ie cas de souces énŒgétiques, cela se traduit par des points de puissance
1 maximum. Ce t}pe de commamde est souvent mmmé dans la lîftémeur « recherche du Poîm
de Püissance Maximum » ou bien « Maximum Power Porit Træking » en anghsaxon
1 {MPPI). I.e principe de ces eommdes est d'effëcttm une reSherÉEK du point de puissance
maximale Œph® tout en assLmnt une parfi)ite adaptation ende le génératem et sa charge de

Ï ffiçon à transfëæer le mæiimum de puissanœ [11].

H33 Contrôk du Point d€ Puissænœ M&rimal€:

I Affi d'extraiæ en pemæemce la puissance maximale pmeduite par le génémteu
phûtowoltaËquÊ {GPV}, ia sslütion œmmunémeEft adoptée oonsiste à utiliser un circuit MPPT
E cünstitué d'un étage d€ puissance qppelé œnvertisseu statiqLü= et d'tm contrôleu MPPT. Ce
demier à tiavers une commande MPPT Êit vari€r le rapport cycüque du convertisseu statique
{d.} de telle sode qïæ la puissm¢e foümië par 1€ GPV sûit h pLrissmæ maximale ÛÀflÀx}
di"nible à ses bomes.

L'algrithme RffpT pe" être piŒ ou maîns compliqué, maîs en génénal il est bæsé su
la variation du rappoft cycliqŒ (d} jusqu'à se placer su le PPM en fonction des évolutions
dcs paramètres du (d}. Eh pratique, on peut csntrôlër ]e poi" de puissanæ maximale à tmrers
JŒ pamèæes d'ëntré€ du convertissëLzr stûtiqLæ üpv et Vw}, ou bïŒ à tmvÊrs les pammètH=s
de sortie {Lm et Vout}, comme montré par la figure ŒI. 1 5).

26
I

I
Fïgiir€ H.ls : Chain€ élém€nùir€ de €onveHÎon PV m€nue d'un€ €ommand€ MPPI`.
1
113.4 Méthodœ courantes du h4PPT:

1
113.4.1 Méthode de P€rturbætion et observation (P&0) :
La médiode P&O est généralement la plus utîlisée en raison de sa simplicité et sa
facilité de réalisatiûn Comme son nom l'indique, cetse méthode fon€tionne en perturbant le
I
système et obsewant l'impast sur la puissanœ à h sortie du GPV. Su la figLme (11.16), on voit
qu€ si la tenriûn de fmctiûmement est perbHbée dans une dîrection donnée et que ia
I puissanœ augmente {dp/dv > 0), alors i] est claîr que la pertLHbation a dSlaoé le point de
fonctionnement vers le MPP. L'algorithme P&O continŒra à perturber la tension dans la
I même direction. PaŒ. contEe, si la puissame dizni"ie {d"dv < 0}, alors la pert`Hbstioti a
éloigné le porit de fonctionnement du hŒP. L'algorithme inversera la direction de la
perturi]ation suivamte. L'algorithme peut être iiçpmésenté mafliématiqumemt par l'expression :
I
VŒ) = VŒ -1) + AV. Si8n(£|v=vŒ_ï)) (rï.30)
I
Le processus est rÉpété périodiqument jusqu'à ce que le hŒP soit atteint. Le système
I oscille alors autou du MPP, ce qui provoqïæ dcs pertes de puissanœ. L'osrillation peut être
minimisée en diminuant la taille de la perturiation. Cçpendant, une taille de perturbation trop
I petiœ ralmtit considérablemŒt la poursrite du hffp.

A partir de cet organigmmme, on constate que le principe et le suivant :

I
o si AP est positive (la puissanœ croit), donc le point de puissance maximû]e ®ÆPP)
I n'est pas atteint. Dans ce cas, on garde la méme direction de pertubation de la
tension de fonctiomment du pamneaii ŒV).

I o si Ap est égale à zéro, donc le maKimLm est afteint.

I o si AP est négative qa puissance dimintæ), donc le point de puissance maKimale est

dépassé, dans œ cas on inwerse le sens de perturbation.

I 27

E
 dpflre2 n"erüsæu_rlx

± de rrigrithme
P&O

I Figiir€ 11.16: Organîgramm€ de la méthode P&O.

I Les deux figures suivamtes rés`ment bien ce principe :

I
I
I
I 28

_
I
1
Caracteristique PQ/}f E= 1 I{W/m2, T=298°K

11
MPP
•-._-+._--_--.L.:=------.-------;------=-.-.,'->-----i..-==--._.-...v-----_--.

sœæb s" dë la
pedu"" pefturtÆim
50 r - -

1
dv<o :, j
1 ±=±
0L-----
0 5 10 15 20 25
Tensim dLJ modde
1
Figu" II.17.a : Prin€ipe d€ fonffionn€m€nt du P&0 : v€rs 1€ MPP.
1
Canacteristüœ P(V), E= 1 Ia^//m2, T=298oK

- de La s" de k
E peftubaLicm pedurbatim

I
t

oL------L-------
05
i- -: -i
_1_ _-
10
TgBim du modukÈ
____J_
15
_ -
20 25

I Figiire H.17.b : Principe d€ fontionnemŒt du P&O : ]oin du MPP.

1 29

I
 113.4É Méthod€ d€ œndustanœ incrémental€ (C-"C}:
Cet€e méüode est basée sur le flit qLü= la pente de h courbe cæactéristique de
puissance du panneau est nulle au MPP, positive à gauche et négalive à droite figL]re ûl.18}
sui"te :
Ckræedstk}ue PQ/). E= 1 KW/m., Ts298.K

',- dp'dN=o
-------------- i - --e -,----. =..,+r - - - ; ------------

40 è- ^ ------.--

30L
A0=- -

I 05 io i5 20 25
Terœion di+ moduk)

Fîgum 11.18 : C3ractëristique P{V} dü medüle W (1KW/m±, Z98 K) variation de dp/dv.

I
Donc, on peut résmer ces états comme süit :
1
dp/dv=O auhŒP
1
dp/dv > 0 à gamhe du MPP Œ.31)

I dp/dv < 0 à dmiœ du MPP

I Donc, on a:

P - V .1
I Dorp :
Œ.32)

I 3±-_I+V3L (11.33)
dvdv
I
Ë=0+i+Vdi/dv=0=IW"dl/dv (11.34)
dy
I
I 30
Choæjtre£ ZX:

Où lœ termes J/V et dJ/dF rçprésentent, respectiüement la œnd":tance et la

conductance incrémentale ; donc le point de puissance maximale peut êtDe traqué en
€omparent la conductance inŒémentale avœ l'invŒ`se de la conductanœ instantanée. La
relation Œ.34) monflæ qüe le point de puissanæ maximal€ ûŒP} est ætleï" ri la cmductmc€
de la source égale à ]'inverse de la condmtance Încrémental de la source [12].
Alors, l'équation (11.31 ) peut êœe écrite comme suit :

dp/dv-IÆ auMPP

dp/dv > -IW à gaœhe du MPP Œ.35)

dp/dv < -1~ à droite du MPP

H35 Avanbgf# ti in"vénients dü algofthmes P&O st CHNC :

I+es deux algorithmes P&O et C-INC sont le pltË irilisés dans les MPPTs
commerriaux, vii lffi awantagæ qu'ils offi"t par zppori à d'aübes techniques :

/ Ce sont des méd}odes dric€es, bûsées su la mesuzie du couimt et de ]a €ension de

fonctionnemcmt du panne" PV, do" eHes ne nécessttent pas tme connaissanoe a priori des
œiribes caradéristiques I-V et P-V du pameaiL PV.

/ Ce sont des méthodes simplæ st ÊrilÉs à implémemer, cn ffiit la pourstrite du point de

puissance maxîmàLe nécessiœ un certain nombre de mesines et de calculs relativement frible
œmparativement à d'aiibes techniques, œ qui pcmst de œntrôlff le poînt de fonctionnememt
du pameau PV en tÉmps réel.

Mais, ces te€hniques présentent plusieim limitations qui dinrinucmt leu rcmdement :

/ I;e P&O ne traque pas exactment le point de puissance maximale; en réalité dès qœ le
MPP est atteint le point de fonctionnment se plaœ en oscillation aiftou de la tension Vmpp,
dans le cas des conditiom atmophériques stables ou lentment changeantes, provoquant ainsi
tme peste de ptrissæme qüi dépend de la largeam du pas de perttHbtion:

• Si la largeu dLi pas est grande, l'algorithme P&O répondra ippidment aux changments
soudains des conditions de fonti"memfflt mais les pertes seront æcnics dans lcs cmditims
stables ou lcmtement changeantes.

31
I

• Si la largeu du pas de perturbation est trÈs petite, les pertes dans les condïtions stables ou
[
lentemcmt changeantes semcmt réduites, mais le s}Fstème ne po`ma phË strivie lcs changments
rapides de la température ou de l'éclàirement.

[ / Lorsque la quantité de lümière dinrinæ, k courbe de puissamcg s'aplatit œ qui ænd

difficile au hŒPT de discemer la position du point de puissance maxîmale, à cause de la
[ frible variation de la puissance en fonction de la pdirbation intrüduite su la tension, qui est
du même ordre de grandeu que les bruits de mesures.

L 11.4 k batt€ries :
L'énffrie photo¥Ûltaï!quæ est stockée dans un æcumula*em ou bEttrie
[
d'accumulateuis qui est constitué de plusteurs éléments en série. Chaque élément est un
compartiment qui contient la solution éle€tr81ytique dans laqueHe trëmpent des élœtrodes
[ qppelées plaques, elles sûm de detH types : ]cs plaques positives et lgs plaques négativffi+

La figtm(H+19) illustæe les éléments qui constituent une b3tterie, la tension d'm
1
acctmulateu est égde à la somme des tenstons de tous les éléments où la tension d'un
élémÊn± V€1t est d3emriæm égale à 2 V+
[

8*V*#
1

[ Figtire H.19 : Bæft€ri€ st ses élém€nts.

[
H.4.l Les diffëmnts t}pes d€ baff€riŒ :
Pou les élémemts rechargeables on dilise les temes de batteries ou d'accumulateurs,
à la diffërmce d'une pile qui n'est pas rechargeable. La batterie désignera un groupe
[
d'æcuinulatcus ass€mblés ; ime batterie d'æcumulateurs. On distingue :

[ 11.4.1.1 La batt€ri€ au plomb :

C'est le t}pe d£ baürie qui tdilise h plus ancienne teGhnGlogîe de stockagg d'énerÈ€.
[ Une batterie au plomb est composée de plŒieurs éléments dont le nombre détermine la

1 32

1
 ___ _______ ,

tension que la battrie déüvrera. Un élément est une association d'électrodes positives et
négatives baignant dans de l'électEülyte. L'ensemble a une difEëpmc€ de potentiel entpe sæ
bomes d'environ 2 Volts. I.orsqu'on applique ime somce de tension continLLe aux bomes des
plaques Œlectrodes) Lm courant s'établit créant une modificûtion chimique des plaques et de
L'élœtrolyte, cette modification produit me diffërenœ d€ poteüriel enb les deux plaqiæs. 11
est à mtff que la rieulation des électrûns à l'intérieu de l'électrol]de est assuée grâce aux
icms. Duant la déchaEge, lcs plaques positives subissent ime "riéductionft c'est-àTdire, qu'eües
consomment des électms et les plaq`]es négativæ libèDem dæ éle#tmns (ïéarion
d`ŒFydatiûn). 1£ phÉmmèæe Înverse se produit pcmdam la charge.

H.4.12 I+€s aœumulæt€ub NickelTcadmîum st Ni€keL-Hydmt€ M€*&l]Îqu€ :

Dans la ffimille des accumulateuis aii nickel, on retrouve deux types df accumulæeuis
qui comepondent à deux œuples électrolytiques diffirients :
• Ie NickeL€admium ®fi€d} décŒ"ert m l899 par Jungmr.
• ]e NÎckel-Hydrue Métallique (Ni-hŒI} œmmercialisé (en 1990, m andaïs : "ickel-
Métal Hydride').
Ccs æcLmulateuis sod les phLs æépandus dans læ apparils pûrtaffi.

H.4.13 I.€s a¢ciimB]ateurs æu Lithium ion ŒÎ-Îon} :

C'est la dernièpe générion d'æcimulatgLm5. IÆ principe cst connu depris la fin des
[ amées 70 mais le liüium étant instable à la charge, la commercialisation n'a été possible
qu'Π1991.
[
11.4.1.4 Les süperL€ondensæt€um :
Totnes les batteries et æc`mulateuis décrits précédemment sont élœtrüchimiqLœs, ils
[
se bascmt stn une réaction chimiqœ pom pmd`riæ de l'énerrie. I.Ês stperLcûndmsa£etErs3 em=.
accumulent des charges {et donc de l'énŒgie) à leurs bomes.
1

115 Cara€téristiquf# te€hniquŒ dæ batteriœ :

1 I+es printipales caractéristiques des batteriœ de stock?ge pou le solaire
photovoltal.que sont [13] :

1 • Ia tension nomînd€ : c'est ]a force électmmotice de l'accumulateu en fonction du

couple élect"himiqtæ uti]isé.
1
• la tmsîon d€ €harge : €'est la tmsion minimale à appliquer pou charger efficaccment
l'ammulateu.
1
• m œpa€ift nomimle : c'est la quætité d'énergie qtü= l'on pe`ft stœker dans la
I batterie, elle s'exprime m ampères-h€ims {Ah). I+es caractéristiq.ues des batteries sont

33
1
rT
"pjbt:2 œ___ '_ _ u_t

souvent domées poLff des dmées d€ décharge de 20h, 100h et 120 hemes (C20, Cloo,
C 120) et pom une température de 25°C.

• Læ profond€ur d€ dé€harg€ : mppoft cmtpe la quantité d'électricité déchaŒ'gée à un

instant t et la capacité nominale.

• La durée de vi€ : qui est le nombre de cycles chaŒ'ge/décharge que la batterie peut
souterir awant de perdre 20% de sa cqpacité nominale.

Une bæ€ërie se dé€harge le"emeHt même si on ûe s'Œ geft pas, ceci est ppelé
l'aLdûdécharge. L'aüïûdstharge est dLæ à ]'équîlibre des réa£tions aix élœdodes qui est dans
Je s£ns de la décharg€ {l'état de déchûrge est dæmodymmiquement plus stable). Pou le cas
dune baüeri€ au Plæmb, ls tmzx d'a=nædéchaB£ "ei" 5Ô/æ par mûis pom des t"eriffi zæarvæ
à 25EC. 11 augmente cepemdant rapidement avec la température et qiand la batterie vieillit : il
petft atteindne 1 % par jou m fin de vie.

Dans le cas où la batterie est abandomée durant une longue période après ime
déÊharge pmfonde, le plomb du suppor[ et celri des plaqtœs est convri en cristaux de sulftte
de plomb. Cffi cristmæc peiwent dffirenîr important§ st empêdhsr le" œconveisi" en plûmb
ou en oxyde de plomb. Par conséquent la batterie perd une partie de sa capacité de stockage.
De phE, les cristaux peuvcmt altérer la stmdm dcs plaques, causmt Lme perte du matériau,
des courtsrcircuits et des donHnagŒ phystques. En præique, la déèharge pmfonde doit être
évitée.

En œ qui conceme la recharge d'me batserie, me tension sLpérieue à la tmsion

nomimle dûït êtæe appliquée. Cçpemdmt o"e tension ne doft pas dSasser une ±Îne
waJeu ûppelée temsion de charge maximale quî œmepond à la tmsion dite de gazage. Au-
dessus de cefte tension {sLmhaŒ.ge), le cotLramt de chaŒ'ge est dépensé dans l'électro]yse de
l'eaii dûnnamt naissance à de l'hydrœgèæe Œ de FÛxygÈEie et pmvecaHt l'assèdemeni de
l'électrolyte. PaŒ. œnséqumt le rendement de stockage de la baüerie s'en trouve diminué.
Pou me baftrie de 12V, la tension de recharge est comprise entœ 12V et 14,4V.

Les batteries taü plomb utilisées dans im système PV {b"ries solaires} sont
diffërmtes de celles utilisées pour les atftomobiles {b"eries de démanage).

La figureŒI.20) montre une comparaison entpe la structuæ des électrodes utilisées

pou ies batteries solaires et celle des baftries de démarrage [14].

34
 n"reüsseuT

ELprTi.cb.Ï€ El.{t-ble
tH:+f,+) fH±.mjl

Il€€tl.Ûd® £l¢ctl.®dt
tpLrmo:3 tpb. Pbû`)

Figtme 1120 : Comparæison eDtpe les électrodŒ d'un€ batteri€ s®lair€ (à gauche)
€t c€ux d'une batt€ri€ d€ démarræg€ {à dmite).

Dans l'électrolyte, les ions pris de la surfice des élœtpodes participent immédiatement
à une réaction chimique résultant en me diffërmce de potentiel qui contribue à la circula±ion
du coumnt. Une surfæce dÈs poæuse pæéscmæ une aiæ de ziéaction phE gæande, et par
conséquent un courant plus grand. Pou cet€e raison, les bafferies de démarrage peuvent
fotmir de forts courants pou un court moment.

Plusieurs bafteries somt assem"ées en série lorsqü 1'on désim disposer dçune tmsion
plŒ gmnde que œlle d'une seule batterie, et en parallèle, lorsqœ le courant requis dépasse la
capa€ité d'une s€ule batterie.

H.6 Les étapes d€ charge des batt€ries:

En généæaL, les diffërentes étapes de charge des batteriæ sont :

11.6.1 Charg€ mpid€ Œu]k charge) :

Dans la prmièDe étape, diœ Bulk charge, un cotmt constant est appliqué à la
batterie. La tension de charge pe" varier d'environ 11V à 15V (pou une batterie de 12V), la
seüle €xigcmce étant qœ }a tmsion de charge doit êûe sipérieure à ]a tension d€ ]a battri€. Le
t}pe de chargement rapide est utilisé pou tme battrie complètememt dédargée à emviron 80 -
90% de sa capacité.

Dans notre travail, on utilisera une bafterie avec tension nominale de 12V. Elle sera
considénée comme "complètement déchargée" lorsque ]a tension at€eint 10,5V. A ce moment
peu d'énerÈe ped ê"e extraite de la baürie st une décharg€ aüdessom de ce niveau peut
endonmager définitivement h batterie. L'algorithme MPPT contribuem à améliorer
l'efficacité du charggur de batterie principalement dans cette phase.

35
 ænye_dÆsse_u_[

H.6L2 Chærg€ d'æbsoptÉon :

I.a deuxième étape, gpelée la charge d'àbsorption, commence immédiatement après
lfétape de chargÉment `Bulk' ¢Œsque k tmsiûn de la battrie atæin£ tm seLril prédéterminé).
Dans cette étape, la tmsion de charge est maintenue à une vàLeu co"tante et le courant
diminue lorsque la résistanœ inteme de la baftrie augmente. Lorsque la batterie atteint sa
pleine capacité, le c"mt dimimü= d'awantæge en raison de l'augmffltaüon de h résistanœ
inteme. Quand le courant passe en dessous dtm œriain niveau, typiquement de 0,5% de la
capacité nominale de laL bafterie (1.15 A pou une ba:tterie 230Ah}, elle est considérée comme
complètmentchargée.

H.63 Chaqg€ d€ mæînti€B Œ]oat charg€)

Ia demière étape est appelée la phase de mainticn `float'. Dans cette étape, la temion
de charge est réglée à `me vdetn constmte, mais à un niveau plus bas q.ue la phase
d'absorption. I+a phase de maintien compense la décharge spontanée, ou la perte progresstve
de la tension ®uissanœ} aü fil du tempsî ce qui dégmde totE les types de batteries. Cefte
é€ape maîntieŒt la chaŒ'ge œmplèœ de la b"erie à lQ0% de sa cæarité.

11-7 La Charge d'une batterie au plomb-acide :

I+e chargemŒt d'ime batserie de type plomharide "ilîse im algûrithme Ên tDois ét?peg
permettant une charge de ]a bafterie rqpide, efficace et sans dangff. h Hgure (H20) j]]usm
la séqucmce dc§ phaffi.

La pmemième étape est un étage à courant constant. Pou une batterie de tension
mminale d€ 12V, une tension entie 11V et 15V sem optimale. La tension exacte sera trouvée
en utilisant l'dgorithme MPPT du suirit dü point de puissanœ mæ[imale. I+e coumnt st la
tension correpondante seront fixés à ce point gpM) de sorte que la plus grande puissance
ped ëtne délîvrée à la bætfrie pendflm cette phase de charge rride.

Lorsqu= la bat€erie at€eint 80% de sa capæité, chaqu5 œHule a tme tmsion de lfordre
de 2,07V tandis que la batterie entiène a une tension d'environ
12.42V. Lorsque ce niveaii de tension est atseint l'étape suivanœ du processus de h charge
pœndra 1€ œlais : l'étpe de la chargg de rmplissag€ {absorption}.

L'étape de charge de remplissage impose une tension constante au lieu d'utiliser im

œumnt constant. Dans œ cas, la tension par œllule doit êtE€ réglée à 2.385V ce qui est autou
de 14JV pou me battrie de 12V à une températue de 25° C. Cette valeu de tension est
conservée jusqu'à ce q"5 le couant passe en dessous de 0,5% de h capacité nomimle de la
batterie. À œ stade, la tmisième et dmière étape de l'dgorithme de charge oommence :
}'étape de maintien {floût'. La tension c§{ de nouvœu réglée à une vàleur constante, m".s
inftrieure à celle trilisée dans la phase d'æbsorption à envirûn 13,3V.

36
 nnïæTËsæu_iEæ£_D€

Vütüp i- "î
-L,- --- -.- -, chargû c«mant
Sti" 1 ëtaü z t 5Sage 3
r;4.+slaæl *...f7léæl Tfig+pÈ€*q *ha.!g+ | L +üi.t
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Tiœ thrsï

Figtir€ IL2l : Diagræmm€ dc €harge d'un€ batt€rie plomb-acid&

Dans le cæ d'une bafterie humide, une autBe étape supplémentaire appelée étape
d'égalisation, peLd être 3ppliquée durant le pmcessüs d£ charg€. Um fonction d'égdisation
automatiqLœ est activée pendant trois (3) hetmes toLB les 28 joups. L'égalisation de la charge
élève la temion de la batterie au-dessus de la tension standard d'àbsorption pou fæiliter le
dégagemcmt des gaz électEülytiques. Ce priscédé évite }'accumülation de l'élætrolyte et
pemet l'égalisætion des tensiûns des éléments individuels de la bætterie.

Les batteries aü plomb sont lentes à charger, généralement elles nécessitent cntpe 12 et
16 heures pou aüeindre üne capacité de 100%. I+e soleil brille habitL]ellement pendant de
nombœuses heues au cours d'une joumée donnée, délivrant de la puissance à une vitesse qui
est suffisamment lente pou perme"e une charge efficace des batteries au plomb-acide. Les
battries au plomb ont aussi une grande tolérance à la suchaŒ'ge par rappor[ aux bafteries aii
lithim-ion[15].

H-7 Conclusiûn :
Au cours de cette partie, le fonctionnement et les équations des diffëpents
convertisseurs statiques DCOC ont été ppésentés. Seul le convertissetn Buck sera utilisé dans
]e chffgeü de bûtterie, car É] pemet d'avoir une tension à la sortie infÆeuœ à œlle délivrée
par le panneau solaire. De plus, I'algorithnEe P&O sera implémenté poŒ æsLuff la poursuîte
du point de pirissance maximale, vu sa simpücité d'impLémentation et son efficacité. Enfinb
lœ diffërents types de battries solaires ont été exposés. I.a batterie au plomb-acide qui est la
plŒ utilisée est di"nibls au niveau du lab"æir€.

37
 •t'_yettË"r Bu

Chq[pifte 111

Conception et réalisœtion du
corwertisseur B uck

IH.1 Introdüction :
Une connexion directe enbe une charge et un généraSeu photovoltal"que pose
beaucot]p de problèmes cûncemant l'optimisation de la puissance, l'influenœ sur le
rendement du système et la mauvaise adqptation. En plus, si cette charge est me batterie, le
bon fonctionnement et la protection de cet€e dernière ne seront jamris assurés par cette
cûnnexion directe. Pou œkL on doit imemalŒ un étage d'adætation cmtpe le GPV et la
charge. Cet étage n'est qu'un convertisseu DC/DC abaisseu Œuck) de la tension de sortie
par rpport à celle d'entrée. Puisque l'otiectif principal lŒs de la concçption de ce t}pe de
convertisseu]s est de r`éduire aü maximum le coût et la consommation d'énerSe, ce chapitre
présenteæa le calct]l des diffëren{es valeuis des œmposants élemriques du chargeur.

38
[

ædjbp '„
1.

I11.2 Schéma syn®ptiqüe du chargeur d€ batt€ri€ :

[ I+e schéma synoriqtH du chaqgeu de battërie à partir d€ I'énergi€ photovûlta~iqu€
figure (111.1) est constitué de quatrë {04} éléments essentiels à savoir : les panneaux
[ phstwoltri.ques, le convertisseu Bmk, la cade de commande st l'élément de stockage d€
] 'éme*gie qui est h bæürie.

1-
`..,..```-'.,.`-.``..1^`..`:.`,-:..``,Ï....`.\\`'.'...`...L..-.,``:.1......,..-.

Figum IH.1 : Schémæ synoptÉque du €hærgeür d€ bætt€rie.

111.3 Cam€térÈstîqüŒ des pannœu= photwoltaïquŒ €t bætteri€ uülisés :

Les panneaux photovoltaïques utilisés dans le caùe de æ projet sont des modules
photwoltaïques au Siü€iim Cristallin du œnstrusteu BP Solar, diponibles au niveau du
Làboratoîre d'Energies Renouvelables Q,ER) de I'université de Jijel. Ses caractéristiques
sous les conditions de test standæd B±rLsoleillement = lkw/m2 ; Spectre air mass = 1.5 ;
Températue de cellule = 25°C] sont :
• Mbdèle :MSX120.
• Sœiété : BP solaff.
• Courant de oottririæcuit : Isc = T.7 À
• Tensionde ci"uit ouvert : Vœ =21.1V
• Couran:t maximàL : Im= 7.1A
• Tension maximale : Vbp = 16.9V
• puissance maximde : Pmak=120W

Ije gÉnéma±em phætû¥oltà~1~qüe {ënsemble d€ mûdules} MSX120 est rçpæésmté su la figure

suivante.

39
 Figür€ IH2 : Modules PV MSX120 instaüés sur 1€ toit du laboratoîre.

Pour œ qui est de l'élément de stockage de l'énergi€, 1a battrie qui sem chargée par
notme système est une batterie solaire au plomb étanche à électrolyte géüfié
SONNENSCHE" SOLAR S12/230A (figuie 111.3), qui a iime tension nominale de 12V, me
tension de charge Œtre 14.lv - 14.7V, une caparité nominale à Cloo de 230 Ah et me
profondeu de décharge de 2,5% pæ mois.

---- s-=-=--i--=: -±--:_

Figum IH3 : Bætt€ri€ solaim gti SONNENSCHEm SOLAR S12Æ30A.

111.4 Dimensionnement des composants du convertisseur Bück :

I,a raison de choisir un convertisseu Buck est que notpe charge est une batterie au
plomb-acid€ de 12 V, où müs dlozB chargff avæ m s€ul module PV quî génêæe ime teæsion
continu= se situant à environ 16.9V. Ainsi, noŒ avom besoin dim convertisseü DC / " qui
prend en entrée une tension supérieure et la convertit en me tension de sortie infitieüre. Cela
ne peut êœe ftft que par tm convertisseu BtH:k. L'étude détaî]lée conccmadt le

40
ftnctiomement du c®nverisseu Buck a été prisŒitée dans le chapitre précédentt Ainsi,
seulement le dimensionnement de ses composmts sem étudié dans ce chqpitpe.

Avant d'entamer la tache de dimensionnement des diffërmts constituants du

convertissem, il est tout d'abord important de dÆermincr les spécifications du système global.
Comme les camctéristiques techniques du panneazi à utilïser, Ja gmme de variation de la
tension d'entrée, tension de sortie, tension d'ondulation de sortie, 1e type et la fiéquence du
sigri de cornmande. . .etc.

D'airiæs spécifications typiques liées à l'espace resdeint et à l'risæice du transf"

thenniqtœ sont aussi à prendre en consid"on cm phase de réalisation pmtique. Alors
commençons par :

I.es €amctéristîquŒ du pænne&u photwolüËque ŒP MSX120) :

• Intervalle de variation des grandeurs élœtiques de sortie :

Vpv = [0, VŒ]V = [0, 21.1]V

lpv = [0, hc]A = [0, 7.7]A

• Données de la puissance nomimle (dans les conditions: G =1000W/m2 et T

-25OC) :
Vri_m = 16.9V

lin_mpp-7.1A

La héqü€nœ du signal d€ commande :

La fiéqtmœ de découpage des comvertissems DC/DC, joue un rôle important dans la
détemination dœ perfomances globales de ce t)pe de convertisseuis. La fixation de cet€e
fiéquence de ¢omm"tion est généralement dé€eminée par les exigencœ d'efficacité et de
rendement, du frit q.ue les pertes de commutation peuvent êtpe minimisées en opérant à dœ
fiiéquenœs de commutation relativement £tible. Des fléquences typiques de commutation se
situent dans la gamme de lkLlz à lMIÈ en fonstion de la vi€esse des dispositifs semi-
condusteu.

Pou œ qui est de l'application en cotus, nûus avons choisi d'opéper à une fiéquence
de commutation de 50 Klk avœ une topologie PWM classique. Ce choix à été motivé par les
risons suivmtes :
- Plus la fiéqœnce de commutation est grande, moins est grande la taille de;`
composants réactifs utilisés (çapæités et inductance). ~tï
- Le retæd de la sortie par rapport à l'emtrée qui est dû aü œmps de commtiation est
ffible (20Hs).

41
 'u_m_.___r_B_uck_

111.4.1 D€s€ription du cimuit d€ bæs€ :

Le circuit de base d'm convertissetn abaisseu de tension est rçpris à la Figue (111.4)
cidessous. Deux i"emp€eurs sont trilisés dans ce circuit de base, généralement im contrôlé
QÆOSFET) et une incontrôlée (diode), pou obtenir un écoulmcmt de puissance
unidriectionnel à partir de l'entrée vers la sortie. Ce circuit utilise aussi un œndensateur et une
indüstan¢e de stûdEag€ pou "sfëBæ de l`énfflgi€ mæe 1'ffltrÉe et la sorti€. ns ont,
égalememt, un filtre RC en parallèle avec l'indüctamce pou avoir un courant lisse.

Fïgqr€ 111.4 : Cir"ft d€ bas€ du œnv€rtissftr Bü€k

Une autre caractéristiqtœ technique impoftante, que nous n'oublions quand même pas
de signaler par ce débüt : pou un panneau photovoltaËqu€ connecté à un converüsseu
DCOC, la somce de tension continue œnnecté à l'endée (Vin) du convertisseu DC/DC, dont
le schéma éle€trique est dressé à la figure Œ.5), est en réalité équivàlente à me source de
couant, qui est d'aille`ns la modélisation ]a plŒ rqæésent3tive d'tm pameau photwoltà"l"qtæ,
à laquelle on connæte souvent en parallèle un condensateur de grande valeu.

EEEEÆ
Figür€ 111.5 : Equival€nc€ élestriqu€: S®ür€€ d€ €our"t = souce de t€nsioD.

111.42 Améliorætion du cir€üit d€ bæs€ :

Au lieu d'utiliser un seul MOSFET et vu le courant élevé issu des panneaux, on
utilisera deux MOSFETs Ql et Q2. IÆ Figtme (111.6} montre Je schéma amélioré du
convertisseu Buck de base :

42
CbaœÈttje_1_H_

Figure 111.6 : Cir€uit améliori du €onvertiss€ur Bu€k.

I.e Ql est 1£ MOSFET principal dü ¢onveftisseür Bück ët Q2 £st ]e MOSFET de

œmmutation synchrone. La commande des MOSFFrs est assirie par des circuits spécidîsés,
comme le IR2104 qtri génème des tmsiom de grille à partîr d'un signal PWM. I.e circuit
IR2104 est capable de produire des tensions de grille élevées poŒ Ql et Q2, mais de manière
transitoire. ILa figuc {IH.7} moHtLe le schéma d'utilisatioŒi dü circuit intégré m2104 pou la
commænde des detzx MOSFETs {annexe}.

•, T.l +Ë-' .Ë,Ï,.= :

-1
r' ,,. \, : ,.-.-.,,
•++,\®_±s\
'..; --. `,,.! ç€

--,*iLiû
J--~+ `-ï tfï....-ï-.`,

•3F .`.-,=.-.-J•=S?Ê,}çL,Û -\,t

•;.----
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' : :.\- _
. , . `- -

Figur€ IH.7 : Connerion typiqu€ du IR2104.

IH.43 Dîm€n3Îonn€m€nt de l'Îndüdan€e :

Dans notr€ application, on a besoin de convertir me source d'alimentafion 17V à iine
sortie de 12 V à charger une battrie plombiæide à l'tide d'un sed module PV ŒP MSX120}.
Ch a fixé le couant de sorie atftotff de 10A pour plus d'cfficatité ti un rmdemem maximal.
La fléq.uenœ de œmmutation est sélc€tiomée à 50kHz et l'ondulation du courant sera
limitée à 30% de h chæge mæiimale. juors, les valeuzs dffi paramètres dfmtrée-sortie sûnt:

Vh = 17V, Voüt = 12V, IL = 10A, Fsw =50kHz, D æ.706, Irippk = 0.3IL

43
 'lssaüm d_u can *

D'après la Figure (HI.®, on petft réécrire la valeur de l'inductance L:

L-Œh+ou.'¥ ŒII.1)

Donc, la valeur mini"le de l'indüctûnœ est : L = 23.53 jiFI {Lmin}. Pap conséquent, un£
valeu nomalîsée de L = 33 iiFl est choisie.

111.4.4 Dim€nsiom€m€nt dœ €onde"at€um {Cù st Com} :

I+es condensateurs (Cin et Cout) perm"ent essentiellemŒt de fi]tre le coumnt et de

mirimiser le taux d'ondulation de la tension d'enùée et de la tension de sodie.

/ Cond€nsaœur de sortie :
lÆ courant qui traverse l'industance est affècté d'une ondulation A IL. Si cette
ondulation de cour3nt est imccçpŒable pou lcs baffries, on doit prévoir un œndensæeür en
parallèle su la sortie du convertisseu, comme indiqué à la FigLme ŒII.Û La valeu du
condensatem dSend de 1'ondùation Avam tûlérée su la tension de sortie, mais aussi de
L'amplittide de l'ondulation du coumt.

Pou comprendre le fonctionnmezft des cændensateurs utilisés pou les filtpes et

assuitg le rôle de résmroir d'énergie, le modèle cirrit le pltE utilisé est un circuit RI.C série
awœ R, représentant la résistance équivàLenœ série ŒSR} et L, 1.inductance parasite ŒSL)
qui est décrit cidessou5.

Tableau IH.1 : Modèl¢ cond€nsateur de ffltmg€ à la sorti€ du Bu€k

44
1
\n stËéæ!_iË

1
Ch peut déduipe dg la demière l'équation dü tableau préoédent que :

[
AVouT=Alotrr.{ESR+É=+;± Œ.2)
1
Pou k simplificatimg on sLppose qœ ESL égBle à zém. Ch obtieHt :

[ AlotrrJLT
CoÜT - tlll.3)
AVoÜT-(ÆouT.ESR}

[ L'ondulation de la tension de sortie, AVûgr, est 1 % de Voür = 0.01 * 12V = 120 mv.
L'ondulation de courmt de sortie, AJoür, est 30% de /ogT = 0.3* 10A = 3A.
D
De plus, on a : ÊT = æ S D 3.706, Fsw =OKlk st ESR 3.Û3Ûhms. Œ aim la imleu
minimale : Cod = 56.5LLF (riinimum), tme vàLeu nomalisée de Cod = 100 iiF et de tension
norninale 35 V sera choisie.

/ Cond€nsaœqr d'€ntpée :
Comme le œndensatem de sortie, la sélection du condmsa:teu d'entDée est d'abord
dictée pm l'ESR, Œîgæce nécessaire pom rÉpondæe à l'Kigenœ d'ondülrion de h tension.
Ihbituellement, l'exigenœ d'ondulation de la tension d'Œtrée n'est pæ aussi strictes que la
œnsion.de sortie. Dans noùe qpplicationè le module PV génèz€ le plu5 de watts néoessaincs au
fûnctionncment à cmÉmn 17 V, donc tm oŒ"Ïensateu Cin {35V} a é€é séle€tionné avœ la
valeu ESR de 0,12 ohm pou plus d'efficæité.

On obtient :
ÀT
CIN=Ïv]ri/ir=}'lÉsri (111.4)

L'ondulation de tensim m eHtrée = AV7„ = 0.02*17V, ÂJfjv fi.1*7.1A, ÂT=±,D3.706,

Fsw =50KHz, ESR æ.12ohms. On obtient ime valeu de Cfjy = 118 iiF. Alors, on utiHsem
deux œndensateurs de l ûo iiF £n parallèles.

IH.45 Dim€nsionnement d choîx d€ h diode :

La diode en parallële avc€ le MOSFET bas (Q2) assuie la continuité du courant

indüctif pemdant l'absence du cüurant foumi pæ les panneaux. I.a dissipation de puissamœ est
le Êcteur limitant le €hoix d£ c"e diode. Elle est calculée par L'éqt]ation suivamte :

Pdiode = (1 -D}.IL.VD (111.5)

45
 'œ_st_rég_!Îsœtiondu_corwi

Où VD est la chuœ de tEnsion aux bomes de la diode dûnné au couraiit de sortie L" i,m
(VàLeurs typiques som de 0,7 V pou me diode aü silicium et 0,3 V pou une diode Schottlqr).
En trilîsant une diode Schûtflpr, les pertæ de commftation sont œégligeûbles.

111.4.6 Dim€nsionn€m€nt ti €hoîl dffi MOSFETs :

Les MOSFETs qu'on a choisi d'utilisŒ sont des transistors à effet de champ à grille
métalœxyde de cmal N Q¢-MOSFET). Læ N-MOSFET% cûntrairment am P-MOSFETs,
ont l'avantage d'avoir une résistanœ à l'é" "on" tpès petite, œ qui rédrit les pertes par
conduction. De plus, à l'éût bloqué, ils se cŒmportmt comme tm cîr€trit otwert. Les
MOSFETs assurtHit aussi tme bonne isolrion de la partie commande de la partie prissance.

Plusieins paramètœs doiv"t être pris ffl comsidÉmtion l"s du choix dii MOSFET :
- Résistance à l'état passant R"Œ}
- Tension drain-source maximale VDs{dm}.
- Tënsion de seiril minimale V"ri}.
- Charge total de la grille Qg.

Nou avons choisi le MOSFET IRF640A d'Intemational Rc€tifier pou sa di"nibiHté. Ce

MOSFET sem uti]isé pom Ql , Q2 et Q3. Ses camstéristiques principalæ sont (ameKe) :
- Résistance à l'état on : RŒ(cm) = 180 m£2.
- Tension drrin-source maximale : VDs{n"} = 200 V.
- Ttision de seuil m_injm_Æe : V"{ri} = 2 V.
- Courant Drain continu maximal : ID = 1 8 A.
- Charge tota] de la grille : Qg = 70 nc.
-Temps de momée : tr = 16 ns.
-Temps de chute : tf = 24 m.

Im4.7 Dimensionncm€nt d choil dŒ ponts divis€um d€ t€nsion :

Le pont diviseu de tension est un montage élœtiqLœ simple. n pemet de déteminŒ
me tension proportionnellement à une aidm tension, ce Üpe de montage est utilisé
œurament pom ŒéŒ me tmsion de rÉfërmce dams m cimüit éleriq"=. IÆ pltü simple
représentation du diviseu de tension consiste à placer deux résistances électriques en série
(voir le schéma en FigLme 111.1). Dams notpe cas, on cn a besoin du divisem de tension pou
diminuer les tensio" d'entrée et de sori€ de mtm système et de les limiter à 5V maximüm
afin de protégŒ le microcontrôlem utiHsé pmdant leus acquisffons comme illustré sur la
Figuç(m.l).

m.4.?.1 Cal€ük dæ nésistances dans b diyî3eur d'entrée :

D'pmès la Figure ŒI.l) on a :

R2bvw
Eüm+R2in Œ.6)
Avec :

46
Va : Tension dirigée veis le pic, donc toujouis infrieue ou égàle à 5V.
Vpv : Tension maximale du panneau st sa valeu (21.1 * 1.25=27 V).
LÆLÏE Ë
R2in <i
Rlin+H2in - 27 Œ.7)

Ch pŒri ÆI΄= 10 k£2, on trûuv£ : E2æ¢ ± 2272.72 ( E2 = 2.2 k£2}.

111.4.72 Calcu]€ dœ résistances dans 1€ dîvis€ur de sorti€ :

D'après la Figure HI.1 on a :

R2outvs
Rloœ+R2out Œ.8)
Avtæ :
Vs : Tension maximale de sortie et sa valeu est (Vs = 14V}.
Ch tpouve : J{1"t = 10 Æ£2 et J}2oœ = 2.2 k£2.

HI.4.8 Dîm€nsionn€m€nt €t €hoîx du œp€eur d€ €oumnt :

Les micmcontrôleus PIC ne sont pas capables de mesui€r un œurant. Um méüode
indîmcte doft être utilisée poü accomplir cüe tâche. H existe plusians méthodes pm"ant
de mesuer un courant on peut citer :
- Mesure à l'tide de la résistance Rp{am) du MOSFET.
- Mesure triüsant un ffitre aux bomes de l'inductance.
- Mesme par détection magnétique - captem à effet Hàll.
-Mesue à l'aide d'tme résistmœ de mesuœ série.

I,es inconvéniemts st les avmtages de ¢es méthûdes sont :

- Résistame du MOSFET : cefte méthode n'est pas appmpriée pom notre qpplication en
raison de la hairie fiéquence de commutætion du MOSFET. En effet, le courant à travers Rm
petft êtE€ mestHé imiqiment lorsqtæ le MOSFET est à I'é" « on ».

- Filde aux bomæ dë l'inductance : œtte méthode pmet ime mesuie prûportionnelle du
œimn£ awœ peu d£ ptrissance dissipée. C€pendants €11£ €st impnécis€.

- I.a résistance de mesuie série : oetSe médiode consiste à triliser une résistance relativement
petite {quelq.ues miliohri). I.a tension aux bomes de la réststamce est alors proporionmlle au
cotmit qui la ûmvffse, rendffit posstbk ls mesue d`i cotmHt. L'inomvénîŒt de cette
"5thode, est qu'ell€ présenœ une perie de puissance dans la résistance, œ qui réduit le
riendement. De pLŒ, pou avoir une mesue exacte du coumnt la tension aux bomes de la
résistance deArmît êtpg d£ 18Ûmv emrimn à pl€in charge. Un mplificæœiu doit ensuiœ être
utilist affin de rammer la tension mesuée aux bomes de la résistanœ à la plage O-5V
cŒrespondant à l'entrée du microcontrôleu. Elle est simple et son coût est ffible.

47
NOŒ avons choisi d'utiliser un cqpteur à effet Hall, màLgré son coût vu h disponibflité du
cpetff LÂ25-NP au rivc"i du iaboræire, et il zæ néoessite pas un amplificæe=m Œ plus st
nous pemet encoœ d'éviter 1'utilisation des résistances de fitible valeu qui sautent
régulièment.
Le capteür d€ coLmt LA25-NP est d£ t3pe « boml€ fæmé » {à cümpens3rion}
utiüsant l'effit Hal] (annexe}. n assure une isolation gàLvanique cmŒ le circuit primaire
(couant fort} et le circtrit secondaire {circuit électmnique). Son mccordement pou utilisation

Figu" 111.8 : Rac¢ordem€nt du LA25+NP.

Avec : Vs = ki*Ip st ki = Rm*Hri

CŒme le oouzm£ mæErial génÉrÉ par lŒ panneænE est de 7.? A m± on ¥a configtiiff lcs
cmtnées-sortics du cqpteu comme suit : les pris {1, 2 et 3) sont cmnedés entre eux (Œtrée),
les pins (4, 5, 8, 9 et 10) sont connecté enti`e euL les pins {6 et 7) sont connœtés {sortie},
alors on aura læ €amstéristq.ues suivades :
/ coLmntmaximàl : Ip=18A.
/ coumnt nominal en entrée: IPN =12A.
/ Rappüd dg transformation : Kri = 2/1Û00.

On a choisi une résistanœ Rm = 200 Q, ainsi, si L =7.7 A, Vs = Rm*KN*Ip = 3.08 V, me

tension maximale ïnfërieue à 5 V tolérée par les miciocontrôlet[rs.

m5 Cir€uit électronique comp]et de la partie puÎssænc€ du chargeur :

I+e circuit éle"nique complet de k partie de prissame du chargeu est l'assemblage
des diffëæeœ:ts mûdulcs cités pœécédemmd 11 s'agit essentiellement d'un cûnwertisseur Btæk
commandé par m PIC 16F877A, qui génèœ un signal PWM pou commander les transistors
MOSFET à ime fiéqumœ de 50Klk Le rapport de transféri de tension est basé su le rapport
€y€lique du signal P". Ifl figuE QII.9} montre le schéma électmniqœ pmpost :

48
 EHT
ü=

Figür€ 111.9 : Cir€uit é]ectronique de la cart€ de puissanc&

49
 nbœl-_dtL

En regardamt le schéma de la carte de puissance, les connt#teurs {PV+ et PV-} sont les
detH bornes du pamneaii sclaire à raccordff à }'entiée du circuit. 11 n'y a pas de protectiûn
pûm riHvrion dë pûlariti5, donc cn dæit s'assÈmff qtæ le§ parmeæEx s®iaires sont œnnectés
œrrectëment. IÆ temsion d'entpée du pameau solaire est reliée æi Vjæ. L'entrée ŒV-) du
panneau solaire est relîée à la masse.

La t€nsion d'entnée du panneau solaire est divisée par Rlin et R2in, la tension
Œ'V_VOLTS) ob¢enue est envoyée à l'Œtnée amalûSqtæ {RAO} du PIC, comme mesure de la
temsion générée par le pameau sûlaire.

Le coumnt d'emée du paimeau solaiæ est converti par 1€ cqpœi]r LA25-NP et la

æÉsistance Rm3 h tËnsiæn PV_AMPS} æbsmœ lmsqLæ 1£ æimH£ €imule est en¥oyée à
1'entpëe analogiqœ ŒÀ1 } du PIC, comme mesure de coumn:t généri par le panneau solaire.

Pour mesmŒ la temion de la baüerie3 RIQm et R2Ûüt foment le diviseur de tcmsion qui
génèæ la tenston {BÂT_VOLTS} à eEvüyŒ à l'ŒtEée analogiq`ie ŒA2} du PIC,.#¢omme
mesuredelaæ"ionauxbomesdelabaæeri€+BAT+etBAT-mntlescon;F#i¥ï;±aja
baftrie.

I+e condensatem de ffitrage d'emtrée (CIN} pemet de lissff le cûuramt est

le MOSFET de blocage qu± empêche le coLmmit de la batterie de circulŒ
pemdant la nLZÉt. Nomalement œla se füt par tme diode mais œmme tûtstës les diodes ont
une chute de tension, un ùansistor MOSFET est beaucoup plus efficace. Lorsque le MOSFET
{Q1} conduit, la tensiûn qui traverse la diode Dl assure la condüction d€ {Q3). Si Ql est
blûqüéS la résistmce R3 isole la grill€ d€ Q3 et driënt blûqué.

Ql est le MOSFET principaL de cûmmutation du conveftisseŒ abaissem et Q2 est le

MOSFET de commutation Smchrone. LŒ MOSFETs sont commamdés par un circuit intégré
qri est le drivŒ des MGSFETs {IR2104}. L'HË104 irilise œmme signæl d'ëntEée à sa pattÊ
niméœo (2 : IN), le signal PWM généré par le PIC à sa sortie ŒC2) pom commander les
transistors MOSFET d€ commutation. L'IR2104 peü aussi êtpE désactivé ou a€tivé ave€ m
sîgnal d£ cmtrôl€ sur sa patse {3 : SDÛ, æ stgnal æt ob€mu aüssî du PIC à sa sortie {R£3}.

Alors, un seul signal est nécessaîne potff commandff les detK MOSFETs. I+e driver
IR21Û4 assLme lgu qmchmrisætion et ériœ d±avüîr les de" MOSFETs passaüt m même
œmps, ce qui provoqurit un court¢ircuit. IÆ diode D2 et le comdœsûsem Cs font partie du
€ir€uit d'amorçage qüi génère la tension nécessaire à la commande du MOSFEr haid {Q]}.
En effët lorsqii'm N-MOSFEr est trilîst comm€ idempte=ir ha=ri, la ænsion appliquée à sa
grille doit êtiie supérieur de 1 ÜV par rapport à la tension à sa source.

D3 est tme diûde ultia rapide qui mmemcera à condirire avant la condüction de Q2.
EHepemetd'a#®irtmcomF:ëEüsseuFæefficæoe,maiseikpe*riEEep3sêtrenécessaire.

50
I
l,t±_stlriÊstË •T_BædË

L est lïndüctanœ principale qui pŒmti de lisser le courant de œmmutation, et avec

1
(CoLd} elle lisse la tension d€ soTtie. C6 et R6 pŒmettfflt de réduri les ondulations de la
temston aux bomes de Friductanc€.

I Le schéma de la figuæ {111.9}, rqppésmtant la €arie de puissance œmplète à réaliser, a

ËÉ Êit sÛus le logi€iël d€ £À0 élecîmrique Pm3e&is {Isis} ænçü£ pæ "IÆbemser Ele"nics"
[ qui pemet de dessinŒ des schémas élætrûriques, de les simuler st de réaliser le cizcuit
imprimé comespondant. 1Æ figure {111.10} préserie le schéma du cirrit imprimé coté pistes et
kfigtmeŒII.1I}cœtécŒmposmts.
[

Figur€ 111.10 : Cîrcœî* imprimé d€ h cært€ d€ püissan€&

Ï'

1-

ï'
Figur€ IH.11 : Cir€uit d€ h ürt€ d€ puissan€€ coté composants.

1.
51

1-
 'u Cœtiifiertssseur
Chaü* '''

IÆ figure suivÉmte moHtre la photo de la Œrœ de puissance réalisée :

Fîgüm HI.1Î : Phoïû d€ h ürœ d€ puÎssan€&

111.6 Cîrcuît d'a]Îm€ntation pot]r capteur de courænt :

Une carie d'alimentation +12V st -12V est nécessàire pou alimenter le capteu de
comant LA25-NP présmt dans la carœ dg puissanœ. Ch peut dériw ces tgrEsions directement
à partir des panneam solaires avec des régulateurs des tmsiom positives et négativæ, en
adûptant un moœtage pmtique adéqüat. Màis, dams nûæ pmjst, on s'est æntenté d'm cirit
standæd d'alimerEtation à partir du 220 V du sectetn.

Un transfomateu abaisseu 220V AC / 24V AC, suivi par m pont de diode Sont de
Grætz intégBé), un circuit de filtrage et dSux régula*eurs de tension +12V et -12Vsont utilisés
comm€ le momiÊ la figi]æ {HI.13}, gt læ sÉhémas coræpmdants {figue IH.14, m.15 ët
IH.16).

52
€haBüæ_ll_! æ_iéstËsatkm du 8

Fîgur€ IH.13 : Cir€üit élecflœnîque d€ k œrt€ d'æHm€nætion.

:ËËË-®:
ë ë -
ËË=

®
ëJ. ËËiï -"
-ë
q-- F-¥Ë

•iE.
------- p

J*®
E+ ë
ëa
ë@
ë ®if±.
----_-_-_: __= t+

Figure HI.14 : Circuit d€ h cart€ d'alim€ntætion €oté composants.

:..`'...ï,:'...:.,.:,. : ' : '.:

9Iœl fflfi§TEE 1! ÜHI¥ JIJEL Z$13

FîgŒr€- III.1S : CÎpcæît Împrimé d€ k œr€e d±aEîmŒtitîon.

53
ŒÈËÈse_H± r

Figure 111.16 : moto d€ h €art€ d'alim€ntætion.

I+es deux cariæ ®nt étÉ Sessées ensembl€ en utilisaiit im signal PWM d3 5Û kHb st de
rapport cyclique variable à partir d'un générateu basse fiéquence (GBF). Ch a pu obtenir une
tension de sortie de 12 V à partir du panneau solaire, comme montrée pæ h figure ci~
dÉffius :

54
œ _ lË1 -st_ •r Budk

Figur€ 111.17 : Essaî dœ du chargeur avœ un GBF.

IH.7 Conc]usion
Ce chapitre c"tient les diffërentes étapes de conception et de choix des diflërcmts
mûdules et cœmpœants de k partie puissance du chargetErt lie p"tot}pe réalisé a éeé testé
avec succès au niveau du labo"oire, m utiLisant un signàl PWM obtenu directcmcmt d'un
générateu basse fiiéquence (GBF) avec vriation du rapport cyclique. Reste 1'étude et la
réalisation de la carie de commande dans le ch¥iæ suiiffint.

55
 'e et néalîsa*it.t. de tti mrüe aoir.ir.ande du dhameur

Chœpifte IV

Etude et réalisœtion de la ptirtie

commar&de du churrge"r

IV.1 Introduction :
La demièæe carte à étudier et réalisff est la carte d€ €ommand€ du chaŒ'geur de batterie.
H s'agit d'im]}LÉmemer l'a]gûrithm£ du hÆ'PT st l'àlgûrithme d£s diffëædes Étqpes d£ €harg€
de la batterie, stg tm micrücontrôleu qüi commandera la commutation des transistors
MOSFETs utilist dans le convertisseŒ Buck "/" par un signal principàL PWM st d'aLms
signaux de cantrÊle.

56
çbæœîÈæ_H_ E_˱ȱ_æ_Ëéæ!_isœtiotide*æœtüeeœmtnœnd€dudhaz"T

IV.2 Schéma gynoptiqüe :

Le schéma qfnqptique du système ÉhotûruûltaËqug {PV} cûmplet est rüris sur la figuæ
(IV.1), pom monter la position de la carie de commande dans le système.

Fîgur€ IV.1 : S€héma synoptiqü€ du ïystèm€ photwolta"H]u€ ŒV}.

C'est 13 carSe élecæiDniqæ de ffiÆS æænsæmmaiîûn é]ætrique3 qri génèæ un sjgna] dë

sortie PWM avec tm rapport cycïique D variable en fonction de l'àlgorithme P&O
Împlémenté. Ce signal activeia à son toŒ la carœ de prissamce appelée cænvertisseur DC/DC
dams notre cas.

IV3 Carie d€ co"mand€ :

L'unité d£ œmmandæ est 1'iiniti5 dë logiqæ et de décisions. Son rôle est d'ëfftætuff la
mesLme des diffëmetiües grandeuis requises par 1'àlgorithme utilisé, Ïàire les calculs
cŒrre"ndants et commamdŒ }es iBtgmFFÊems de la carie de puissance+ En pmtique, to" ceci
peut êdie accŒmp]j par ] 'milÉsatiœ d'tm riŒt>cmtrô]eLnr+

IV3.1 Choîx du mi€ro€ontrôkur :

En ce qri cmcems le €hûix du micmcontrôlgm; no" awons cpté pom le
microcûmtrôleu PIC d€ Micmchip, phis parËcu]ièrement, à la Ïàmille Middle-Range {rii]ieu
de gæmme} qtzi tztilis€ des instmctioûs stzr 14 bits. Pstm nûtrë qppljcatîan, je microc"tzôletm
adéquat doit satisftire les cünditions suiwmtt# :

57
FE=iiJ EÈadæÈÈÊgH!Hi dg_chg_-r_

- 3 entiiées configuFées en convertissetm analogiques numériqŒs CAN.

- 1 sortie P"-
- 1 sortie SD/
- me mémorie de programme de taine suffisante.

Iæ PIC16F877À ztempli{ parEÈ€Ement ces oondîtions. La figure {W.2} montæ la

diposition de ses brŒhes. Ses caŒætéristiques principales som :

f c'est tm microcûmtrôleu 40 pattes de la fime Micrûchip.

kÆ€:LL'r:È:.r¥r.i.`+ ! L~v - = -= L{ȱf..î3rjü

Ïi:/\il*fihéirï = -= = = F.ïÊ3L=_.l =€p=
Lû^..`,\N1 = = = -= füà.
HrTüf^r+ï;¥F`EF = = = = rtË4
rùaLi+.A`ü.`¥FiEF t = = = = LŒ3.,t3t3"
FïfL4.-' Êr\it-;K! = = =="Ï
rtn!Jl+±et4.`.S= - -= = = tiH1
r€±c...r=H.,J"t} <- = =- = TiJJuL' h
LtEi.`TëER-AhèÊi = = =V}I
itz..t=.Ahi,, = --= -- \+ -+-`--`
ut.= i-= i+iJ,.;'S5I=/
¥ïS= = = !izJæL.I=Sl=ü
€3+S€+..`#L<tü----= = -= i.üJ.J,.'3S13b
c]s££..c:Lr`rjl ! = < ---- = L{lJ4..I£S154
L¢.,.;£jL., î tï.3Sf2.,rE t{:.;KL = = = = i{f+f..r,ül.LJ I
fii~;1.+.{ îüSL.''+?C!+2 = = = = L{Cü.' ! X.'1`=K
f€i-;,£.+'`:=&ËJt = = = = kr+.Jl`StJL-J
L{f,3i.âctL>SCL = = = -=-= t+ï:4..SL}L.ËBft
iLJlr?,.f}St&-Ï = = =---= liiJï.lssls£
+u',+'tslli = = = = F+L3ï.12`S|!2

Figure IV.2 : Broches du PIC16F877.

/ Héquence de fonctionnement élgvéÊ, jusqu'à 20Mhz.

/ Une mémoine vive de 192 à 368 octets, pou les données.
/ Une mémoire EEPROM pour sauvŒ des paramètres de 128 à 256 octets.
/ Une mémoiæe mofte de t}pe FLASH de 4kmots à sKmots {1mot =14 bits)
/ Surveillame d'hûrlûge osT.
/ Survieïl}ance de tension d'alimentation BOR.
/ De 21 à 32 entrées et sorties suivamt le tipe de microcontrôLeu.
/ Œaqtie sûrtie peLft ssrtir tm cûtqmt marimtm de 25mA.
/ 2 entrées de capttmes et de cûmparaison avec PWM.
/ Plusieus modes de fonctionnemŒts Ëribles consommation.
/ Uræ seule tension d'alimentation 2 ou 5V.
/ Faible consommation :
o <2mAà5VpouF quartz=4Mhz.
o 20uA à 3V pou F quartz = 32Mhz.
o <luApou en mode sommeil.

58
 ËbæÊÉËœ__W 'IËiËËÈSŒËoz±__±±Èœœrtieœom r

IV3.2 AHm€ntætion d€ h œrt€ d€ command€ :

Ùn régulaœu linéaine simple est utilisé pou alimenter notpe PIC, il assune une temion
continüe à sa sartie inferieure ou égale à 5V. I.a Figuæ ŒV.3} présÊme le s€héma électmnique
utilisé, où la tension d'entrée du montage peift êtpe une source de tension continue de plus de
9 V ou dirœtememt à partir du panneau solaire. Ce circujt appartîeüt aü cïncu.t complst de ]a
carœ d£ co-ande.
t==

Figur€ IV3 : Rég]ilateur linéaire d'alîm€ntation d€ h €art€ d€ €ommande.

IV33 Cir€uit é]ectponique de la carte de €ommand€ :

Le microcontrôleu PIC16F876A est cadencé à 20Mhz par le biais d'un quariz. n est
alime"é en 5V que fsurrit le régulateu de tenston linéaire. Les PIN 2 ŒAO), 3 ŒA1) et 4
ŒA2) sont configurées Œ convertisseu anaioËque mmérique (CAN).

Ia PIN 2 (RAO) est reliée à la mesure de la tension généæée par le pannæu solaire, la
trim ŒV_VOLTS).

La PIN 3 ŒA1} reçoit la mestme du comant d'entrée du panncau solaire, qui est
converti par }e capœŒ IA25-NP st la riésîstanoe Rm ŒV_AhŒS}.

Ia PIN 4 (RA2) arrive du divisem de tension pou la mesuie de la tension de la

battrie œAT~V0IjTS}.

La PIN 18 ŒC3) est destinée à ætiver ou désactiver le driver m2104 des MOSFETs.
IÆ PIN 17 ŒC2} fourrit le stgnal PWM pou la commande du drivŒ et par cmséquÉmt des
MOSFETs.

I,e PIC utilise 3 LED su læ P" 28 ŒD5}, 29 ŒD6) €t 30 ŒD7) pour indiquF l'état
du disposîtif et de la batterie. Les adbs ports sont comecùés à diffërents comecteurs pou
d'éventuelles améliorations ou changemŒ des ports d'entrée / sorie. En plus, un cirrit de
reset de la cade de comrrÈæde est ajouté. Ijes schémas correpcmdants {figure IV.4, IV.5, IV.6

59
I
EË4de__E±i±alîsaüon _de la imLHæ_d±_dudba_EgŒ

[
et IV.7) prÉsentŒt le circtrit électrûnique de la carte de comamde rÉalisé, le circuit imprizné
csté pistes et composants, ainsi que la phstœ du protot}pe réalist.
[

<,
1-
==
aS'' ;ü •1
]
flJ+
!
- ! i--
LJ T +±+-_=-

i T--- T

Figüm IV.4 : Cîrcuit élect"ique d€ Ia caTte de commande.

C]LftTE æE COEÆMANBE SfBt MÆSTER 11 UHl¥ .IdEL Z81=

Figum IV5 : Cîr"it imprîmé d€ h œrt€ d€ cmmand€.
æ
 E_ï±±d±_striéalisationdeɱ_
'u_ëha_-Œ

Fïgum IV.6 : Circuit d€ Ia carte de commænd€ coté œmpœants.

[ Fîgur€ IV.7 : Phots d€ la œrte d€ pqissanceL

[ 61

1
Chaœim W EËE±tiæ_æ__E±a_!ÈsaüËiot\_m_d_e_]±na!fi±i±œmrnœnded\idharaeur

IV.4 Conc]usion :
h partie hardwaie de la carte de commande a été réalisée. Néanmoins+ nous n'avons
pas eu le œmps pour entam€r h partie software de la car€e de commande. Alors, k théorie et
les algorithm# de cette partie que nous avom étudiés ne seront pas présentés.
 Cbæc!uston £énérœl€

Conclusion générale

Dans ce thème, on a firit l'étude, la concçption et la réàLisation d'un chargeu de

batterie paŒ' un système photovoltai-que, adqpté paŒ. un convertisseu DC/DC (BLpk) et
¢ommandé par une ¢ommaæde MPPT implémenté sm un ri€ziooontrôleur.

I.es diffërentes étapes de conception et de choix des diffërents müdules et composants

de la partie puissanœ du chargcür ont été présentés. Le protot]pe réaLisé a été testé awec
suecès au riveau du laboraLûire, cm utilisam tm sigBæl PWM dbtfflü dirçctem" d'un GBF
avec variation du rEport cyclique.

Le cir€uit imprimé de la carte de commande a été Ïéalisé aüc* l'implmtation des

composamts et des connœteurs. Néanmoins, nous n'avons pas eu le temps pour entamer ]a
partie programmation de la carte de commande.

Nous poworEs donc cûnclüæ qüe notEs avofis réalist tme majetm partie du cahîŒ des
charges du chargeu, même s'il reste qtælques points.

PersDectives :

Ie prisent tra:vail petft êtm cmrihi d'ar¥aHtage par :

> Une éft]d€ conp]ète et inplémcmtation de la partie software de la carie de

oommande.

> L'ajout d'un afficheu pou visualiser l'état du système photovoltaïque

complet.

> L'essai de d'autres àlgoritimes du MPPT et la comparaison des performances

obtemes par imort à œlles du P&O.

63
 Bîbtîomœmhùg ct Webomœz]*ie

Bibliographie et Webographie

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65
 Ann"

Annexe

Data Sheçt No. PD60Ô46-S

lntemational
ieRRectifier lR21Û4{S}&PbF)

HALF-BRIDGE DRIVER
Featüres hoduct Smmary
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Bescription
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