TD 4
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2021 – 2022
Exercice 1
Indiquer à chaque fois si c’est vrai ou faux. Expliquer et corriger si nécessaire en remplaçant
les mots soulignés.
1. Si les jonctions base-émetteur et base-collecteur d’un transistor bipolaire sont toutes les
deux polarisées en direct alors le transistor est en région active.
3. Pour un transistor bipolaire PNP en mode actif, le potentiel de la base est supérieur à celui
de l’émetteur.
4. Pour un transistor bipolaire NPN en mode saturation, la tension du collecteur est supérieure
à celle de la base.
Exercice 2
1. En mode amplificateur, le potentiel à la base d’un transistor bipolaire NPN doit être :
d. 0 V
a. gain en courant
b. gain en tension
c. gain en puissance
d. résistance interne
a. directe-inverse
b. directe-directe
c. inverse-inverse
a. 5
b. 500
c. 50
d. 100
a. un amplificateur linéaire
b. un interrupteur
a. 0.7 V
b. égal à VCC
c. minimal
d. maximal
Exercice 3
b. En fonctionnement normal d’un transistor PNP, le potentiel à la base doit être (+ ou -) par
rapport à l’émetteur, (+ ou -) par rapport au collecteur.
c. Calculer IC pour IE = 5.34 mA et IB = 475 µA?
Exercice 4
U
Un courant de 50 µA est injecté à la base d’un transistor (Figure 1), et une tension de 5 V est
appliquée aux bornes de RC.
3. On suppose que le transistor du circuit de la Figure 1 est remplacé par un transistor de βDC =
200. Déterminer IB, IC, IE, and VCE sachant que VCC = 10 V et VBB = 3 V.
Figure 1
Exercice 5
U
Figure 2
Exercice 6
U
Figure 4
Exercice 8
U
Déterminer le potentiel en chaque électrode du transistor (Figure 5) puis calculer les tensions
VCE, VBE, et VCB.
Figure 5