2010 Du Sable A La Puce

Microélectronique : du
sable à la puce
Jean-Marc Routoure
Université de Caen Basse-Normandie
Conférence culture scientifique de base L1 sciences
pour l’igénieur
1
But de la présentation
• Définition de la microélectronique : comment
réalise t’on les puces (“ICs” )
• A quoi cela sert : les applications actuelles de la
microélectronique
• Les applications du futur. (cf transparents Cor
Claeys, “director Advanced Semiconductor
Technologies at IMEC”, professeur à l’université
de Louvain, Belgique). Utilisation d’une partie ces
transparents avec son accord et mes
remerciements. (cf. www.imec.be)
L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 2
IMEC 1984 – 2008 …a bit of history
1984
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Caen, France, December 17, 2009,

C. Claeys !
Du sable à la puce
• Rappel historique
• Du sable à la puce
• Pour faire quoi exactement ?
• Les futurs composants ?
• Conclusion
Rappel historique :
nécessité d’interrupteur
commandé
5
Fonction logique
Variable d’entréeFonctions logiques
= tension de commande , variableet
de interrupteurs
sortie, courant circulant dans la branche
!
La fonction NON !
La fonction ET
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La fonction OU

Culture scientifique de base en «!science pour l'ingénieur!» Les fonctions de l'électronique 21
Calculateur mécanique !
Ancêtre : machine de Pascal
Opérations simples : addition, soustraction, multiplication

Augmentation des
puissances de calcul !
Les inductances permettent de ...
Mais existence
!
Moyenner dans le temps
3 cm
de bug !
!
Filtrer (Blocage du courant continu et lentement variable dans le
temps)
!
Calcul analogique
!
Mémoire magnétique
!
Capteurs inductifs
!
Relais et actionneurs inductifs
Culture scientifique de base en «!science pour l'ingénieur!» Les fonctions de l'électronique 18
1944 ENIAC (Electronic numérical Integrator and computer) : Relais électroméca-

nique. Système de 30 tonnes. Occupe un hall de 10x17m2 Consomnation 150 kW.
Utilisation jusquʼen 1955. Une addition dure 0.2 ms. Pas de réel programme !

Utilisation de tubes
électroniques
Le SSEC (Selective Sequence Electronic Calculator) IBM 1945-1948. 13500 tubes

à vides + 21400 relais électromécaniques. Mémoire électronique de 8 bits !

Utilisation de composants de
taille micrométrique
≅1 μm ≅1 cm
Coupe d’un transistor MOS en Microprocesseur intel 8008.

microscopie électronique 1972. 2500 Transistors MOS
Une idée des dimensions

1947 : invention du
transistor bipolaire
Le transistor est issu de la Silicon Valley, il a été inventé le 23 décembre 1947 par
les Américains John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain, chercheurs de la
compagnie Bell Téléphone1. Ces chercheurs ont reçu pour cette invention le prix
Nobel de physique en 1956.
Quelques jalons historiques
• 1947 : invention du transistor bipolaire
• 1958 : invention du circuit intégré (Jack Kilby
Texas instrument)
• 1959 : premier CI commercial (Fairchild)
• Mai 1961 : lancement du programme Apollo
• 1971 : Intel 4004 ( 2300 transistors MOS en
technologie 10 μm)
• 1976 : Apple I (cadencé à 1 MHz)
• 1981 : IBM PC ( Intel 8088 cadencé à 4,77 MHz )

Loi de Moore
Ref : Wikipedia. Loi de Moore
Gordon Moore : fondateur d’intel
Doublement du nombre de
composants sur un circuit
intégré tous les 18 mois

Une autre vue de la loi de
Moore
Source : Intel
Du sable à la puce
16
Les différentes étapes
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La fabrication d’une puce
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17
Cours Capteurs 2004/2005 - Alain Foucaran
Opérations effectuées en
salle blanche
• Prévention des poussières
Défaut
Grain de
M1 sel
Pollens
• Tenue particulière pour les

opérateurs
La classe d’une salle blanche
spécifie le nombre de
particules de 0.1 μm par m3
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Cours Capteurs 2004/2005 - Alain Foucaran 4
Préparation des substrats
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Résultats
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Evolution de la taille des plaquettes

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“Wafer” : gaufrette

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22
Utilisation de masques
Réalisation des dispositifs : photolithographie
Principe : utilisation de résine photosensible insolée aux
Principe :
travers de masque reproduisant les motifs à réaliser

Les différentes étapes de
photolithographie
Substrat initial

Les différentes étapes de Département de Physique
ECOLE POLYTECHNIQUE Majeure MN
photolithographie 1/ Introduction
2/ La Photolithographie
Étape 1 : Caisso
3/ Séquences de fabrication CMOS Technologies
4/ Quelques éléments pour le futur
5/ Dessin de Masques
Le réacteu
Oxydation du silicium Si+O2→SiO2 centre , un
Opération réalisée dans un four à verticalem
Un flux co
1000°C environ (pour les c
Ce flux es
Température
L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. de 900°C
Jean-Marc à 1200°C avec un
Routoure 25 débit de gaz
32 Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniq

photolithographie Département de Physique
ECOLE POLYTECHNIQUE Majeure MNO :
1/ Introduction Résine
2/ La Photolithographie
3/ Séquences de fabrication CMOS
4/ Quelques éléments pour le futur deux types de résines photo
5/ Dessin de Masques Elles se caractérisent par leu
Dépôt d’une résine photosensible
L’étalement des résines sur les wafer : « les tournettes »

photolithographie Département de Physique
ECOLE POLYTECHNIQUE Majeure MNO : Fa
1/ Introduction
2/ La Photolithographie Principe de la
masquage par
Insolation de la résine au travers d’un

masque
=> Alignement de chaque masque utilisé 15 Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniques
pour les différentes étapes technologiques

photolithographie
Révélation de la résine : on élimine la

résine aux endroits non exposés au
rayonnement UV

photolithographie
Département de Physique
ECOLE POLYTECHNIQUE Majeure MNO : Fabrication CMOS
Étape 1 : Caisson dopé N (XI)

Gravure de l’oxyde
1/ Introduction
2/ La Photolithographie à l’endroit où la résine a été
Technologies associées : Gravure (III)
éliminée : effectuéOxydation
par attaque
à l’acide nitriquechimique (on plonge
les plaquettes dans un Sibain ! 4 HNO d’acide)

" Si 0 ! 2 Hou
3 O ! 4par
2 NO gravure
2 2
sèche (plasma) L’acide fluorhydrique permet ensuite de dissoudre la silice

SiO 2 ! 6 HF " H 2 SIF6 ! 2 H 2 0
Gravure
L1 Culture humide dudesilicium
scientifique base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 29
photolithographie
Elimination de la résine : utilisation d’un

solvant

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L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure
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photolithographie
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Réalisation de l’étape technologique !
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de Bore par implantation ionique :
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accélérateur
Les possibilités offertes par
la microélectronique
• gravure des isolants, des métaux, des semi-
conducteurs
• dépôt des isolants, des métaux, des semi-
conducteurs
• Sélection fine des endroits où ces étapes
technologiques sont réalisées à la fois la position sur
le “wafer” mais aussi dans et sur le matériau

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Back-end
33
Tests et packaging
• Test en fin de production des plaques pour trier
les circuits fonctionnels
• Utilisation de machines sous pointes
• Marquage de composants fonctionnels
• Découpage des composants fonctionnels et
mise en boîtier
• Test après mise en boîtier pour s’assurer du
fonctionnement correct du circuit

Différents types de boitiers

Visite virtuelle d’une salle
blanche
http://www.necel.com/v_factory/en/title.swf Go !
Origine des documents : nec

Pour faire quoi
exactement ?
37
Semiconductors underpin 6 trillion Euros
worth of electronics and services
European Data
$1600B Telecom operations

Broadcast
Internet
Games
$315B
FAB Materials
Equipment
$42B
$43B $41B
$4B
$2.9B

C. Claeys !"
… IC for systems meeting society’s needs
C. Claeys. IMEC
C. Claeys !"
Societal Needs = ‘Electronics’ Based
‘The Doctor in your Pocket’

Health Real-Time Diagnostics
Bio-Chips / Body-Sensors
100% Safety on the Road

Mobility / Transport Integrated Transport Systems
Prevention of Pollution
Personal Emergency Systems

Security Protection against Crime and Terrorism
Secure Home Environment
Ultra low power systems

Energy Energy saving illumination
Energy saving motors
Seamless Wired / Wireless Access

Communication Mobile Services without Compromise
Protection of Privacy
Learning Anywhere, Anytime

Education / Entertainment Content with Best Quality (e.g. HDTV)
Content Protection

C. Claeys !"
Pour faire quoi ?
Quelques composants
41
Le plus simple : des
résistances
Vue en coupe
Vue de dessus

Des capteurs avec électronique
analogique et numérique intégré

Exemple de l’accéléromètre
4 mm
4 mm
Cell Phone as Powerful Nomadic Tool
Camera Electronic Key

Audio Player
TV Game
Electronic Money
Soruce: Dr. T. Makimoto C. Claeys !"
Des “Micro-Mechanical Systems” (MEMS)
Système micromécanique

Un exemple : technologie
DLP de texas instrument

Les futurs
composants ?
48
Retour sur la loi de Moore
≅1 μm
Source : intel
Les composants doivent être de plus en plus petits pour

permettre d’augmenter la puissance de calcul des puces
mais ...
Puissance consomnée !!!! Evolution de la dissipation thermique

(microprocesseurs Intel X86)
d'après Fred Pollack, Intel
1000
Puissance dissipée
Cœur de réacteur nucléaire

W/cm2
100
P4 3Ghz
PII PIII P4 1,5Ghz
Plaque de cuisson
10
P Pro
Pentium
I386 I486
Familles technologiques
1
1.5µ 1µ 0.7µ 0.5µ 0.35µ 0.25µ 0.18µ 0.13µ 0.1µ 0.07µ
9 Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniques Yvan BONNASSIEUX janv. 2005

Evolution des technologies
CMOS : More Moore !
Nouveau
matériau
semiconducteur
, nouvelle
structure de
composant,
remplacement
de l’électrons !
Ref : M. Jurczak. EUROSOI2008 Workshop

Meilleure contrôle du canal
! 2/ La Photolithographie technologies est très chère
Réduction
! Des des fuites: 3/ Séquences de fabrication CMOS Une fab : 2 à 4 Milliard $
alliances stratégiques
!IBM, Infinion, UMC 4/ Quelques éléments pour le futur Pour 4-5 ans de durée de vie
! Réduction des capacités5/ Dessin de Masques
!ST, Phillips, Motorola
– Nouveau isolants!IMEC:
le courrant de fuites
!Others
De nouvelles structures et de
deInfinion,
gille (High K) pourSTréduire
Intel, Samsung,
Des alliances stratégiques :
!IBM, Infinion, UMC
nouveaux matériaux
!ST, Phillips, Motorola
!IMEC: Infinion, Intel, Samsung, ST
!Others
Moore’s Law in 1977
1/ Introduction predicted a 57” wafer
2/ La Photolithographie by 2003
Département de Physique Et après ? (I)
ECOLEdePOLYTECHNIQUE
3/ Séquences fabrication CMOS Majeure MNO : Fabrication CMOS
75
“Gate All around MOSFET”
Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniques Yvan BONNASSIEUX janv. 2005
1/ Introduction
2/ La Photolithographie Et après ? (I) Majeure MNO : Fabrication
ECOLE POLYTECHNIQUE Moore’s Law in 1977
CMOS
troniques YvanRemplacement
3/ Séquences de fabrication
BONNASSIEUX de
CMOS
janv. 2005 la silice Structure en 3D predicted a 57” wafer
par d’autre
oxyde 1/àIntroduction
haute
2/ La Photolithographie Et après ? (II) by 2003
constante diélectrique
75 Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniques Yvan BONNASSIEUX janv. 2005

Structure en 3D
!
Nanotube de carbone
Which technology(ies) will take
Vertical CMOS transistor
over after CMOS ?
– Molecular devices ?
79 finFET
Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniques
– Quantum devices ?
Yvan BONNASSIEUX janv. 2005
– Carbon nano tube devices ?
L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure – Optical devices ?
52
– Single electron transistors ?
Introduction of New Materials
11 Elements
15 Elements
Source: Terrence McManus, Intel

>60 Elements

C. Claeys !!
Multi-gate Structures
22nm: #$%&'(%)*+%, -%)./01*.2

3*234# (%)*+%
NiSi
poly-Si
Fin
SOI FF
50 nm
Bulk FF
56

C. Claeys !"
Nanowires
R.Balkenende, Philips research, MAM2004
Vapour Liquid Solid (VLS) of nanowires
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2 E099%<',8*<'9-*('0.-7-9*0==-57/*40,(*80D

C. Claeys !"
Circuit intégré 3D

EEG System - 2008

C. Claeys !"
ICT Technology Drivers
“More Moore” to 10nm size…
+ emerging “More than Moore” tech…
Personal Mobile Smart Sensors Polymer & 3-D Integration

Gateway to a4 and Actuators Flexible Invisible ICT
Electronics
More Moore
More Than Moore H. De Man

C. Claeys !"
Healthcare

C. Claeys !"
A chaque fois que votre taux de cholesterol atteint un niveau élevé, le capteur va
Nano-bio vision :Bio & ICT meet at the
nanoscale
BIOTECH
nm Pm cm
NANOTECH
Nano building stone
31n m
x109
transistor NANOELECTRONICS
C. Claeys !"
ARTIFICIAL SYNAPSE
ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing

bi-directional communication between a neuron and an
integrated circuit = neurons-on-chip

C. Claeys !"
Artificial Synapse Platform
ELECTRICAL CHEMICAL
eNES cNES
Stimulation Recording/stimulation Recording

C. Claeys !"
C. Claeys !"
Conclusion
65
Conclusion
• Rappel historique Pourquoi. Quels sont les besoins ?
• Du sable à la puce Comment fait on ?
• Pour faire quoi exactement ? Qu’est ce qu’on obtient

• Les futurs composants ? Ce qu’ond’obtenir
va être capable
Cf. Cor Claeys :

• l’innovation a besoin de l’électronique.
• l’électronique a besoin de compétences
multidisciplinaires.
Microélectronique à l’UFR
sciences
• L3 : éléments de microtechnologie
• M1 : architecture des circuits intégrés
• M2 : technologies submicroniques ,
MEMS, ...
+ Enseignements en électronique et capteur L2, L3 et M1

Microélectronique au GREYC
Transistors bipolaires FinFET
Contrat de recherche
IMEC
MEMS
Couches minces
Guillet et al. EMRS 2009 fall meeting

Microélectronique au GREYC
Analyseur DC et testeur sous pointes à

température ambiante
Système de mesure de
bruit basse fréquence Testeur sous pointes
Testeur sous pointes Température 10K-400K
Température 10K -400K Champ magnétique -> 0.5 T
Pour toutes questions :
Jean-Marc Routoure
02.31.45.27.22
routoure@greyc.ensicaen.fr
Retrouver ce document mis à jour à l’adresse :
www.greyc.ensicaen.fr/∼routoure/Enseignement
ou taper routoure sous google :-)
70

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Microélectronique : du

Caen, France, December 17, 2009,

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 6

Opérations simples : addition, soustraction, multiplication

Culture scientifique de base en «!science pour l'ingénieur!» Les fonctions de l'électronique 18

1944 ENIAC (Electronic numérical Integrator and computer) : Relais électroméca-

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 8

Le SSEC (Selective Sequence Electronic Calculator) IBM 1945-1948. 13500 tubes

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 9

Coupe d’un transistor MOS en Microprocesseur intel 8008.

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 11

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 13

Gordon Moore : fondateur d’intel

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 14

La fabrication d’une puce

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 4

• Tenue particulière pour les

La fabrication d’une puce

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 19

Sable => silice=> cristal de silicium pur

Découpage des plaquettes : !*+# )0"<(*..*+# -'2.# *2

Evolution de la taille des plaquettes

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 21

La fabrication d’une puce

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 4

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 23

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 24

32 Majeure MNO Phy568 : Circuits Microélectroniq

Dépôt d’une résine photosensible

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 26

L’étalement des résines sur les wafer : « les tournettes »

Insolation de la résine au travers d’un

pour les différentes étapes technologiques

Révélation de la résine : on élimine la

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 28

Étape 1 : Caisson dopé N (XI)

les plaquettes dans un Sibain ! 4 HNO d’acide)

sèche (plasma) L’acide fluorhydrique permet ensuite de dissoudre la silice

Elimination de la résine : utilisation d’un

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 30

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 32

La fabrication d’une puce

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 34

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 35

Origine des documents : nec

$1600B Telecom operations

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‘The Doctor in your Pocket’

100% Safety on the Road

Personal Emergency Systems

Ultra low power systems

Seamless Wired / Wireless Access

Learning Anywhere, Anytime

Caen, France, December 17, 2009,

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 42

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 43

Camera Electronic Key

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 46

L1 Culture scientifique de base. Université de Caen Basse-Normandie. Jean-Marc Routoure 47

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