Ensaios em Geradores

GERADOR
COMPONENTES DO SISTEMA DE ISOLAO
ISOLAO ENTRE CONDUTORES

ISOLAO ENTRE ESPIRAS
ISOLAO PARA A TERRA
CAMADA SEMICONDUTIVA (GRAFITE)
CAMADA CARBETO DE SILICIO
Construo tipo Tijolo
Cobre
Isolao entre espiras
Isolao para a terra
Condutores de
igual tamanho
Isolao entre
condutores
DEGRADAO TRMICA
Perda de Rigidez mecnica por aquecimento
prolongado
Afrouxamento da isolao entre camadas, vibrao de condutores, falhas

por descargas parciais que levam facilmente a falhas na isolao para a
massa.
90
Cobre
Isolao para
a massa
Sensor de
temperatura
100
(C)
Sobreaquecimento devido a sobrecarga, falha na refrigerao, correntes

de inrush, desbalanceamento de tenses, problemas de
dimensionamento.
Cunha
Semicondutor
Calo lateral
Ncleo do
Estator
Aterrado
Espaamento
Ncleo Bobina
Cin Car
dar
Cin
Quando
Car
Rsemi
Var
Ear = Var > 3 kV/mm

dar
==> Ocorrem Decargas Parciais
CONTROLE DO ESTRESSE DE TENSO
NCLEO
CAMADA SEMICONDUTIVA
(GRAFITE)
CAMADA SEMICONDUTIVA
(CARBETO DE SILCIO)
NCLEO
REGIO DE
SOBREPOSIO
OBJETIVO: EVITAR DESCARGAS PARCIAIS NA SUPERFICIE (CORONA)

PARA MQUINAS A PARTIR DE 6 kV
CAMADAS SEMICONDUTORAS PODEM SER APLICADAS NA FORMA DE TINTAS
OU FITAS, TANTO NA RANHURA QUANTO NA SADA DA BARRA.
FLUXO DISPERSO
CO
ND
UT
OR
CAMPO
MAGNTICO
FLUXO
PRINCIPAL
ROTOR
CAMPO
MAGNTICO
FLUXO DISPERSO
CAMPO MAGNTICO
FLUXO
PRINCIPAL
ESTATOR
CONDUTOR
Isolao
entre espiras
CONDUTOR (EM CORTE)
FLUXO DISPERSO
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Isolao
para a terra
CORRENTES
PARASITAS
(FOUCAULT)
PERDAS PARASITAS Pp
Pp = V 2 / R
V Tenso Induzida no condutor (valor eficaz), proporcional
rea cortada pelo fluxo longitudinal ao condutor
R Resistncia equivalente do condutor
Exemplo simplificado. Dividindo o condutor em 9 partes iguais
e considerando a corrente concentrada no permetro
destas.
Em cada segmento, V torna-se V / 9 e R torna-se R / 3 (usando
simplificadamente o permetro como caminho da corrente)
Pp = 9 x [(V/9)2 / (R/3)] = 27 / 81 [V2/R]

Pp = V2 / R
3
EFEITO DA LOCALIZAO DAS DPs NA POLARIDADE

Cobre
DP positivas > DP negativas

DP positivas DP negativas
DP positivas < DP negativas
Isolao para
a massa
Ncleo do
Estator
EFEITO DA TEMPERATURA
VARIAES SUTIS PARA FAIXAS DE 5 C
VARIAES DRSTICAS PARA FAIXAS DE 20 C
ENSAIOS FEITOS PARA A MESMA CARGA E DIFERENTES TEMPERATURAS,

PELO MENOS 20 C PODEM SERVIR PARA IDENTIFICAR O MECANISMO DA
FALHA
EFEITO INVERSO () DAS DPs COM A t

(QUANDO AS DPs DIMINUEM COM O AUMENTO DA TEMPERATURA)
O TAMANHO DOS ESPAOS VARIA INVERSAMENTE COM A TEMPERATURA.

COBRE E ISOLAO AUMENTAM DE TAMANHO, DIMINUNDO OS ESPAOS
ENTRE A ISOLAO E O NCLEO, E, PORTANTO, AS DPs
ESTE EFEITO MAIS SIGNIFICATIVO PARA ISOLAES DE POLIESTER E
ASFLTICAS, MAS TAMBM PODE SER OBSERVADO EM ENROLAMENTOS
ISOLADOS EM EPOXI
NOTAR QUE A TEMPERATURA DO COBRE OU DAS CAMADAS INTERNAS DA
ISOLAO NO SO REFLETIDAS COM RAPIDEZ PELOS RTDs.
EFEITO PROPORCIONAL (+) DAS DPs COM A t

(QUANDO AS DPs AUMENTAM COM O AUMENTO DA TEMPERATURA)
INDICATIVO DA DETERIORAO DA TINTA SEMICONDUTIVA

COM O AUMENTO DA TEMPERATURA, A RESISTNCIA DESTE MATERIAL
CRESCE AUMENTANDO O NVEL DE DP POSITIVAS
ESTE UM MECANISMO DE FALHAS MUITO LENTO, PORM PODE LEVAR
AO APARECIMENTO DE ZONAS DE ELEVADA PRODUO DE OZNIO
Fonte
AC
Capacitor
P/deteco
de DP
Ao Osc.
Tenso de 60 Hz
180
360
Amplitude
dos Pulsos
DP (+)
DP ()
Pulsos individuais
de Descargas Parciais
10
MECANISMOS DE FALHA E TESTES DE DETECO

TESTE
TIPOS DE
ISOLAO
DP,
DESCOLORAO
DA ISOLAO
DP, GIRTH
CICLOS DE CARGA
CRACKING
DP, DESCARGAS
NA RANHURA,
PERDAS NO
OZNIO,
ENROLAMENTO
AFROUXAMENTO
DE CUNHAS
DP, DESCARGAS
DESCARGAS ELTRICAS
NA RANHURA,
NA RANHURA
OZNIO,
DP, INSPEO
VISUAL, tan , FP
MICA-ASFLTICA
DP, INSPAO
VISUAL, tan , FP
MICA-ASFLTICA
DP, INSPAO
VISUAL, CUNHAS
BATENDO,
OZNIO
SISTEMAS
DUROS
EPXI E
POLIESTER
IMPREGNAO
IMPRPRIA
DP
DP, tan , FP
DP, P BRANCO,
LEO E GRAXA
DP, INSPEO
VISUAL, RI, IP, HI- ESTRESSE DE
ALTA TENSO
POT, FP, tan
DP, P BRANCO,
OZNIO
DP, INSPEO
VISUAL
INTERFACE
SEMICONDUTIVA
DP, P BRANCO,
OZNIO
DP, INSPEO
VISUAL, FP, tan
VIBRAO EM FIM DE
ENROLAMENTO
PERDA DE
APERTO, P
BRANCO
MECANISMO DA FALHA
SINTOMAS
DEGRADAO TRMICA
CONTAMINAO NA
SADA DO
ENROLAMENTO
ESPAAMENTO
INADEQUADO ENTRE
BOBINAS
DP, INSPEO
VISUAL
MQUINAS
REFRIGERADAS
A AR
VACUUM
PRESSURE
IMPREGNATION
(VPI) GLOBAL,
BOBINAS COM
CARGA DE
RESINA
REFRIGERADA A
AR
REFRIGERADA A
AR COM TINTAS
DE CONTROLE
DE ESTRESSE
MQUINAS DE AT,
ACELERMETRO, COM
INSPEO
PROLONGAMENVISUAL
TOS E BRAOS?
(LONG E ARMS)
11
CARACTERSTICAS DAS DPs E MECANISMOS DE FALHA

MECANISMO DA PREDOMINNCIA
FALHA
DE POLARIDADE
DETERIORAO
SEM
TRMICA
CICLOS DE
NEGATIVA
CARGA
PERDAS NOS
POSITIVA
ENROLAMENTOS
DESCARGA
POSITIVA
BARRA/NCLEO
IMPREGNAO
SEM
INADEQUADA
CONTAMINAO
EM SADA DO
SEM
ENROLAMENTO
ESPAAMENTO
INADEQUADO
SEM
ENTRE BOBINAS
DETERIORAO
DE INTERFACE
POSITIVA
SEMICONDUTORA
EFEITO DA
CARGA
EFEITO DA
TEMPERATURA
NGULO DE
LOCALIZAO
SEM
INVERSO
45 e 225
INVERSO
INVERSO
45
DIRETO
INVERSO
225
SEM
INVERSO
225
SEM
INVERSO
45 e 225
SEM
IMPREVISVEL
15, 75, 195 e

255
SEM
IMPREVISVEL
15, 75, 195 e

255
SEM
DIRETO
225
12
LOCALIZAO DE CURTOS-CIRCUITOS ENTRE ESPIRAS DE

BOBINAS POLARES DE ROTORES, MOTORES, TFs...
Em regime, o calor e a fora centrfuga promovem curtos-circuitos entre as
espiras dos plos do rotor, provocando desbalanceamento e vibrao mecnica
no gerador. Quando o gerador pra para inspeo, o defeito dificilmente
localizvel com os mtodos usuais CC e CA.
ENSAIO DE RESPOSTA A IMPULSO

Princpio: Comparao das impedncias de surto de bobinas de mesmas
caractersticas (duas a duas), usando uma onda impulsiva.
Impedncias iguais ==> freqncias de ressonncia e oscilaes iguais.
Descrio do Instrumento. Comparador de Resposta a Impulsos, da Baker
Instrument Co. At 12 kVp e mdulo de expanso para 24 kV
Fo = 1 / ( 2
Freqncia de Ressonncia
LC
L
C
R
Fo
Circuito ressonante paralelo
Fo
Circuito ressonante srie
13
Circuito equivalente da isolao para resposta a impulso (alta freqncia)
Ondas coincidentes
Ondas no coincidentes
C Aplica-se tenso compatvel com o NBI do enrolamento. Em bobinas

rotricas, na Copel, o valor empregado 250 volts de pico.
U
I
D No caso de comparar polos desmontados, a simetria fundamental
(tomar cuidado com objetos ferrosos prximos aos polos ensaiados,
A
como por exemplo cubculos).
D
O Transformadores: a indutncia da bobina da perna central maior que a
S
das laterais.
14
TENSO APLICADA CC HY-POT EM GERADORES

Tenso de prova Up (mxima) = (2 x Unom) + 1
Acima de 26 kV o efeito corona influi fortemente: faixa inadequada
Primeiros 10 minutos: degrau inicial 0,3 x Up (mximo de 10 kV). Nos degraus
seguintes: acrscimos de 20 %
Ajuste para 90 ~ 95 % do valor (a tenso sobe, por efeito capacitivo)
Tempo de durao de cada degrau: Mtodo de Schleif. Consiste em
ajustar os tempos de aplicao dos degraus para conseguir uma reta
Leitura da corrente de fuga para 1, 3 e 10 minutos
Clculos:
C = [(I1 x I10) I32] / (I1 + I10 2 I3)

Relao de Absoro (N) = (I1 C) / (I10- C)
N ==> Tabela de tempos de aplicao
Aterramento: usar basto de aterramento com resistor entre 1 e 6 k / kV
Norma: aterrar durante 1 hora antes de testar a fase seguinte.
Discusso:
Segurana: Tempo para descarga total suficiente?
Controle da umidade e condio da superfcie?
Influncia da temperatura, correes, etc?
15
LEVANTAMENTO DE CARACTERSTICAS EM GERADORES
SHUNT
Iexc
DISJ.DE
CAMPO
Freq
TP
TP
TP
V1
V2
V3
SATURAO EM VAZIO CIRCUITO DE MEDIO
TC
SHUNT
TC
Iexc
VCC
TC
DISJ.DE
CAMPO
I1
Freq
I2
I3
RETA DE CURTO-CIRCUITO - CIRCUITO DE MEDIO

16
Curva de Saturao em Vazio

U
Reta de Curto-circuito
Linha de entreferro
A
Un
F
B
In
C
0
I (In)
D
I (Un)
I de Excitao
RELAO DE CURTO-CIRCUITO = I (Un) / I (In)
Comparao com dados do fabricante
ALGUNS PARMETROS TIRADOS DESTES ENSAIOS

REATNCIA SNCRONA DE EIXO DIRETO
NO SATURADA = AC / BC
SATURADA = ED / FD
17
18

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GERADOR

COMPONENTES DO SISTEMA DE ISOLAO

ISOLAO ENTRE CONDUTORES

Construo tipo Tijolo

Isolao para a terra

Afrouxamento da isolao entre camadas, vibrao de condutores, falhas

Sobreaquecimento devido a sobrecarga, falha na refrigerao, correntes

Ear = Var > 3 kV/mm

==> Ocorrem Decargas Parciais

CONTROLE DO ESTRESSE DE TENSO

OBJETIVO: EVITAR DESCARGAS PARCIAIS NA SUPERFICIE (CORONA)

CONDUTOR (EM CORTE)

Pp = 9 x [(V/9)2 / (R/3)] = 27 / 81 [V2/R]

EFEITO DA LOCALIZAO DAS DPs NA POLARIDADE

DP positivas > DP negativas

VARIAES SUTIS PARA FAIXAS DE 5 C

VARIAES DRSTICAS PARA FAIXAS DE 20 C

ENSAIOS FEITOS PARA A MESMA CARGA E DIFERENTES TEMPERATURAS,

EFEITO INVERSO () DAS DPs COM A t

O TAMANHO DOS ESPAOS VARIA INVERSAMENTE COM A TEMPERATURA.

EFEITO PROPORCIONAL (+) DAS DPs COM A t

INDICATIVO DA DETERIORAO DA TINTA SEMICONDUTIVA

MECANISMOS DE FALHA E TESTES DE DETECO

CARACTERSTICAS DAS DPs E MECANISMOS DE FALHA

15, 75, 195 e

15, 75, 195 e

LOCALIZAO DE CURTOS-CIRCUITOS ENTRE ESPIRAS DE

ENSAIO DE RESPOSTA A IMPULSO

Circuito ressonante paralelo

Circuito ressonante srie

Circuito equivalente da isolao para resposta a impulso (alta freqncia)

C Aplica-se tenso compatvel com o NBI do enrolamento. Em bobinas

TENSO APLICADA CC HY-POT EM GERADORES

C = [(I1 x I10) I32] / (I1 + I10 2 I3)

LEVANTAMENTO DE CARACTERSTICAS EM GERADORES

SATURAO EM VAZIO CIRCUITO DE MEDIO

RETA DE CURTO-CIRCUITO - CIRCUITO DE MEDIO

Curva de Saturao em Vazio

RELAO DE CURTO-CIRCUITO = I (Un) / I (In)

Comparao com dados do fabricante

ALGUNS PARMETROS TIRADOS DESTES ENSAIOS

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