INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA

MECANICA Y ELCTRICA

FUENTE DE PODER CONMUTADA

RETROALIMENTADA POR VOLTAJE

TESIS

QUE PARA OBTENER EL TTULO DE

INGENIERO EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

PRESENTAN

MIGUEL FRANCISCO LPEZ MENDOZA

SERGIO IRINEO HRNANDEZ

ASESORES: ING. ROBERTO BACA ARROYO

ING. MAURICIO DARIO SANCHEZ RAMOS

MXICO, D. F. 2007

Gracias.
Hoy quiero dar las gracias por existir, por sonrer
y celebrar que todava queda mucho por vivir,
hoy quiero decir gracias por vivir, gracias por un da
soleado donde poderme divertir, gracias por tener
conciencia, tener el don de hacer ciencia que
aboga por la no violencia, gracias a mis padres
bondadosos que me arroparon con besos, voy a hacerlos
sentir orgullosos y a mis hermanos por su
confianza, por ensearme que la base es el
trabajo y la constancia, gracias por
no caer en la maldad y en la ignorancia, por nacer
en tierra de luz y abundancia, gracias por mis
momentos de paz sin malas sorpresas, por una cama
y un plato lleno en mi mesa, gracias por quejarme
slo de problemas mnimos y a Montse
por su amor, sus apoyos y nimos, gracias,
gracias.
Amigos
Por que en esas noches de proyectos me dejaron descansar
A los que no lo eran
Por hacerme reaccionar, les digo gracias.
A mis maestros, incansables y sin doma, grandes
Ingenieros y lo que es ms importante, grandes
personas. ESIME, fue mi cobijo en esta selva,
habr respeto y afecto siempre que
all vuelva.
Gracias

Ing. Sergio Irineo Hernndez.

ndice:

Objetivo general.
Alcances.
Resumen.
Generalidades.
Capitulo 1
Tecnologa del transistor de efecto de campo oxido metal.
1.1 Principio de funcionamiento.
1.2 Respuesta en frecuencia.
1.3 Fenmenos de ruptura.
1.4 Operacin en altas temperaturas.
Capitulo 2
Fuente de poder conmutada con aislamiento de lnea 60 Hz.
2.1 Rectificador de entrada y filtro.
2.2 Elemento de conmutacin.
2.3 Circuito de control.
2.4 Rectificador de salida y filtro.
2.5 Desventajas de la fuente de poder conmutada comercial.
2.6 Fuente de poder conmutada con transistor de efecto de
campo metal oxido.
Capitulo 3
Fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje.
3.1 Rectificador de entrada monofsico y filtro.
3.2 Red de arranque.
3.3 Convertidores flyback.
3.3.1 Diseo de los inductores auxiliares.
3.4 Circuito de control TL494 con modulacin por ancho de
pulso.
3.5 Circuito de salida.
Capitulo 4
Resultados y perspectivas.
4.1 Elaboracin del prototipo.
4.2 Mediciones.
4.3 Caractersticas elctricas.
4.4 Perspectivas.
Justificacin econmica
Conclusiones
Referencias
Apndices

1
1
1
2
4
4
6
7
10

11
11
12
13
15
16
17
20
20
21
22
24
26
29

31
31
33
34
35
36
39
40
41

OBJETIVO GENERAL
En este trabajo, se implementara una topologa de fuente de poder conmutada, que opera bajo el
principio de retroalimentacin por voltaje, para proporcionar mejoras a las limitaciones de las
fuentes de poder conmutadas comerciales.

ALCANCES
1. Proponer un mtodo alternativo, para conseguir aislamiento de la lnea de 60Hz por
retroalimentacin de voltaje, sin la necesidad de utilizar elementos de conmutacin (transistores
bipolares de potencia), que operen en altas frecuencias y en la regin de corte-saturacin.
2. Operar la fuente de poder conmutada con retroalimentacin por voltaje, a una frecuencia de
operacin de alrededor de 20KHz, para evitar el envejecimiento prematuro de los elementos de
conmutacin.
3. Evitar el fenmeno de ruptura secundaria, debido a la operacin de los transistores con altas
O
temperaturas de unin TJ > 150 C, debido a la existencia de la inyeccin de portadores
minoritarios.
4. Reducir las limitaciones del elemento de conmutacin (transistor de potencia), en el manejo de
altas densidades de corriente, para asegurar una temperatura promedio de operacin en el rea
de operacin segura SOA, dentro de su curva caracterstica I-V, sin necesidad de utilizar un
disipador metlico de calor.

RESUMEN
En este trabajo, se presenta una alternativa para solucionar el problema que existe en las fuentes
de poder conmutadas de computadora personal, a partir del principio de funcionamiento del
transistor de efecto de campo xido de metal MOSFET. El principal inters por desarrollar este
trabajo, es buscar soluciones para mejorar el rendimiento en las fuentes de poder conmutadas que
existen comercialmente.
Para conocer las limitaciones que existen en la actualidad en una fuente de poder conmutada de
PC, se estudia el funcionamiento de una fuente de poder conmutada tradicional de PC, y as se
conoce su principio de funcionamiento, detectando de est manera los puntos dbiles de est
tecnologa, que ha sido utilizada ampliamente desde 1970. A pesar de que una fuente de poder
conmutada presenta una alta eficiencia de operacin, por su alta densidad de corriente que se
obtiene a su salida, carece de estabilidad cuando opera en altas frecuencias (>50KHz), debido a
que los dispositivos semiconductores, como los transistores bipolares de potencia, presentan un
bajo rendimiento, por el alto contenido armnico en la seales de voltaje y corriente.
El trabajo est organizado de la siguiente forma:
CAPITULO I. Este capitulo, est dedicado a explicar las ventajas tecnolgicas que permiten
reemplazar un transistor MOSFET por un transistor BJT. Aqu se discuten algunos parmetros
desde el punto de vista de la fsica electrnica, como la respuesta en frecuencia, fenmenos de
ruptura y operacin en altas temperaturas de los dispositivos semiconductores de tres terminales.

CAPITULO II. Este capitulo, explica en forma detallada, el principio de funcionamiento de una
fuente de poder conmutada comercial, para conocer sus limitaciones de funcionamiento, con
respecto a la tecnologa utilizada en los dispositivos semiconductores de tres terminales. Tambin
se comienza explicando, la propuesta de este trabajo, con el principio de funcionamiento de una
topologa flyback, que se utilizar como fuente de poder conmutada a base de un transistor
MOSFET.
CAPITULO III. En este capitulo, se desarrolla el diseo de la fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje. Se desarrolla el diseo por etapas, que corresponden a: (a)
rectificador monofsico de entrada y filtro, (b) red de arranque, (c) convertidor flyback, (d)
inductores auxiliares, (e) circuito de control TL494 con modulacin por ancho de pulso, (f) circuito
de salida. Se explica el funcionamiento del circuito integrado TL494, as como tambin se utiliza la
informacin contenida en las hojas del fabricante del TL494, para su adaptacin en la fuente de
poder conmutada retroalimentada por voltaje.
CAPITULO IV. En este capitulo, se da a conocer el aspecto del prototipo del diseo de la fuente de
poder conmutada. Se indican los resultados alcanzados, con las mediciones registradas sobre el
circuito de control TL494, con las respectivas lecturas de la seal de control PWM, entre otras. As
como tambin, se proponen las perspectivas, que permiten el mejorar el rendimiento de la fuente
de poder conmutada retroalimentada por voltaje.

GENERALIDADES
La opcin de utilizar fuentes de poder conmutadas lineales, en un diseo particular, se basa
principalmente en las necesidades de cada aplicacin. Ambas fuentes de poder, conmutadas
lineales tienen distintas cualidades. As que, con la idea de utilizar el tipo de fuente de poder mas
apropiada en un diseo particular, es necesario considerar el costo y los requerimientos elctricos
al seleccionar el tipo de fuente de poder, que mejor satisfaga estos requerimientos. Una fuente de
poder lineal, ofrece al diseador tres principales ventajas:
1. Fcil adquisicin. Se puede comprar un regulador lineal completo en un encapsulado, y
simplemente agregar 2 filtros capacitvos para estabilizar la seal.
2. Estabilidad y capacidad de operacin con carga. El regulador lineal genera algo nada de
ruido elctrico a su salida, y su tiempo de respuesta de carga dinmica (tiempo que toma para
responder a cambios en la corriente de carga), es realmente mnimo.
3. Costos de fabricacin. Para una salida de potencia aproximadamente menor a 10W, los costos
de sus componentes y los costos de manufactura son menores, comparables con el regulador
conmutado.
La desventaja del regulador tipo lineal, es que solo puede ser utilizado como regulador reductor, lo
que implica que el diseador deba de algn modo desarrollar una salida de voltaje entre 2 3
veces mayor, para satisfacer la salida requerida de voltaje. Esto significa que en situaciones fuera
de lnea, un transformador de 60Hz con rectificador y filtro, deber colocarse antes de la fuente
lineal de potencia. sta condicin de prealimentacin, incrementa el costo. Por otra parte, cada
regulador lineal, puede tener solo una salida. As que para cada salida de voltaje adicional
requerida, un regulador lineal completo, deber agregarse. Otra desventaja importante, es la
eficiencia promedio del regulador lineal. En aplicaciones normales, los reguladores lineales
exhiben eficiencias del 30 a 60%. Esto significa que por cada watt entregado a la carga, ms de un
watt se desperdicia dentro de la fuente de energa.

Cuando se utiliza un transistor como regulador lineal, existe un desperdicio de energa, que ocurre
en el transistor de paso y es desafortunadamente necesario para desarrollar las operaciones
bsicas requeridas, dentro de la fuente de poder, cuando el voltaje de entrada se modifica, entre
lnea baja y lnea alta, de acuerdo a sus especificaciones. Esto hace necesario agregar un
disipador de calor al transistor de paso, demasiado grande durante la mayor parte de su tiempo de
operacin. El punto donde el costo del disipador de calor comienza a ser excesivo, es cerca de los
10W de la potencia de salida. Hasta este punto, cualquier pieza metlica conveniente puede
disipar adecuadamente el calor desarrollado. Estos defectos se hacen ms notorios,
principalmente a niveles ms altos de potencia de salida, esto hace que el regulador conmutado,
sea una mejor opcin.
El regulador conmutado evita todos los defectos del regulador lineal. Primero, la fuente de poder
conmutada exhibe eficiencias del 68 al 90%, sin importar el voltaje de entrada, esto reduce
drsticamente el tamao requerido del disipador de calor y por lo tanto su costo. Los transistores
de potencia dentro de la fuente de poder conmutada, trabajan en sus puntos ms eficientes de
operacin: saturacin y corte. Esto significa que los transistores de potencia, pueden entregar
muchas veces su valor de potencia a la carga, al menor costo.
A partir de que la frecuencia de operacin de una fuente de poder conmutada, sea mucho mayor
que la frecuencia de lnea de 60Hz, los componentes magnticos y capacitivos, utilizados para el
almacenamiento de energa, son mucho ms pequeos y el costo para construir una fuente de
poder conmutada, llega a ser menor que el de una fuente lineal a niveles mas altos de potencia.
Todas estas ventajas hacen de la fuente conmutada de energa una opcin mucho ms verstil,
con una mayor gama de aplicaciones, que la fuente lineal.
El diseo de una fuente de poder conmutada, no es simple. Muchas consideraciones, se deben
tomar en cuenta, incluso si hay un diseo publicado que resuelva las necesidades del sistema. El
diseador experimentado, necesitar al menos de 3 meses de trabajo, dependiendo de su
complejidad, diseo, prototipo y pruebas antes de llevar a cabo la etapa de produccin. Para el
perfeccionamiento del diseo, antes de la etapa de produccin, debe planearse entre 4 a 6 meses
de trabajo de esfuerzo. Obviamente este perfeccionamiento del diseo lleva un costo.
Generalmente, la industria tiene reas acondicionadas con fuentes de poder, lineales y
conmutadas. Las fuentes de poder lineales, son elegidas para potencia y regulacin a nivel de
tarjeta, en donde el sistema de distribucin de potencia dentro del equipo, es altamente variable y
el voltaje de alimentacin de carga requiere ser restringido. Son usualmente utilizadas en circuitos,
en donde un voltaje de alimentacin en reposo es necesario, as como en circuitos analgicos de
audio de interfase. Tambin son utilizados donde se requiere una baja sobre carga y en donde la
generacin de calor, no es un problema. Las fuentes de poder conmutadas, se utilizan en
situaciones, donde se necesita de una mayor eficiencia y la disipacin de calor presenta un
problema, tal como un acumulador y aplicaciones donde la vida del acumulador y la temperatura
interna y externa sean importantes.
En resumen, debido a su versatilidad, eficiencia, tamao y costo, una fuente de poder conmutada,
se preferida en la mayora de las aplicaciones. Los avances en las nuevas topologas, as como en
la tecnologa de semiconductores, y componentes magnticos, lleva al desarrollo de nuevas
aplicaciones, como es el caso, del presente trabajo de tesis.

CAPITULO 1
TECNOLOGA DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO XIDO
DE METAL
Los dispositivos de potencia, tienen en general, caractersticas de control, como la activacin y
desactivacin. En especial los Transistores de Juntura Bipolares BJT, y los Transistores
Semiconductores xido de Metal por Efecto de Campo MOSFET, se utilizan hoy en da, como
elementos de conmutacin, para aplicaciones de baja y mediana potencia, en especial en Fuentes
de Poder Conmutadas con Aislamiento de Lnea. Los transistores de potencia reales, difieren de
los ideales. Estos dispositivos, presentan ciertas limitaciones, como son la respuesta en
frecuencia, fenmenos de ruptura, operacin en altas temperaturas, etc.
El transistor BJT, es un dispositivo activado por corriente, que requiere corriente de base IB para
controlar el flujo de corriente del colector IC. Dado que la corriente de colector, depende de la
corriente inyectada en la base, la ganancia de corriente es altamente dependiente de la
temperatura de unin. El transistor BJT opera en la regin de saturacin, en donde la corriente de
la base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor VCE, sea bajo, y el transistor
pueda actuar como interruptor [1].
El transistor MOSFET, es un dispositivo activado por voltaje, que requiere solamente una pequea
corriente de compuerta, para controlar el flujo de corriente del drenaje ID. La ganancia en corriente,
que es la relacin entre la corriente de drenaje ID y la corriente de compuerta IG, es tpicamente del
orden de 109. Sin embargo, la ganancia de corriente en un transistor MOSFET, no es un parmetro
importante, como lo es la transconductancia, que define las caractersticas de transferencia,
como funcin de la relacin de la corriente de drenaje ID y del voltaje compuerta-fuente VGS. Debido
a la alta corriente de drenaje ID y al bajo voltaje de drenaje VD, los MOSFET de potencia, se operan
en la regin lineal, como interruptores [1].

1.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Una estructura MOS, es fabricada usando tecnologa de difusin planar con un material de
compuerta refractario, como el poli silicio. En este dispositivo, la regin de base P y la regin de
+
fuente N , son difundidas a travs de una ventana comn definida en los extremos de la compuerta
+
de poli silicio. La diferencia en la difusin lateral entre la regin de base P y la regin de fuente N
define la regin del canal superficial [2].
La conduccin de corriente en un transistor MOSFET, ocurre a travs del transporte de portadores
mayoritarios en la regin de arrastre sin la presencia de la inyeccin de portadores minoritarios,
como es requerido para la operacin de un transistor BJT [3]. Adems, no existe retardo de tiempo
por el almacenamiento de la recombinacin de portadores minoritarios en el MOSFET, durante la
desactivacin.
El MOSFET tipo de enriquecimiento de canal p, no tiene un canal fsico, tal como se observa en la
Fig. 1.1. Cuando VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los huecos del substrato n, y los
acumular en la superficie por debajo de la capa de xido. Si VGS es mayor que o igual a un valor
conocido como voltaje umbral, VT, se acumular un nmero suficiente de huecos para formar un
canal virtual p y por consiguiente, la corriente de electrones fluir de la fuente al drenador [1]

Una importante conexin del electrodo de compuerta a la fuente, establece el potencial en un punto
durante el estado de bloqueo directo. Si la compuerta se deja flotada, este potencial puede
alcanzar un acoplamiento a travs de la capacitancia compuerta-fuente, a un potencial del
drenador. Esto induce una modulacin en la regin del canal, el cual puede producir un
indeseable flujo de corriente a voltajes de drenaje por debajo de los lmites de ruptura por
avalancha.

Fig. 1.1. Esquema de un transistor MOSFET y su diagrama de bandas de energa

La corriente de transporte desde drenador a la fuente en un transistor MOSFET de potencia, es
+
esencial para formar la trayectoria de conduccin extensible entre la regin de fuente N , y la
regin de arrastre N. Esto puede ser acompaado por la aplicacin de una polarizacin positiva de
compuerta. La polarizacin de compuerta modula la conductividad de la regin del canal por la
creacin del campo elctrico intenso perpendicular a la superficie del semiconductor a travs de la
capa del xido. Por la consiguiente aplicacin de un voltaje de drenador positivo, resulta un flujo de
corriente entre el drenador y fuente a travs de la regin de arrastre N al canal. El flujo de corriente,
es controlado por la resistencia de estas regiones [2].
Una mayor transconductancia es deseable para obtener una capacidad de manejo de alta
corriente, con un voltaje de compuerta mnimo y para alcanzar una alta respuesta en frecuencia. La
transconductancia, es entonces determinada por el diseo del canal y la estructura de compuerta.
Este importante parmetro del dispositivo MOSFET de potencia, est definido por:

gm

I DS
VGS

Cuando la polarizacin positiva de compuerta es aplicada, el canal comienza a ser conductivo. A

bajos voltajes de drenaje, el flujo de corriente, es esencialmente resistivo, con una resistencia de
encendido RDS determinada por la suma de la resistencia del canal y la resistencia de arrastre. La
resistencia del canal, disminuye con el incremento de la polarizacin de compuerta, mientras la
resistencia de la regin de arrastre permanece constante. Para un mayor voltaje de polarizacin de
la compuerta, la resistencia del canal, comienza a disminuir, con respecto a la resistencia de la
regin de arrastre, y la resistencia de encendido RDS comienza a ser independiente de la
polarizacin de compuerta [2]. En la Fig. 1.2, se ilustra una curva caracterstica corriente-voltaje de
salida, para un MOSFET de potencia [3].

Fig. 1.2. Curvas Caractersticas de salida corriente-voltaje de un transistor MOSFET de potencia

+

Polarizando directamente la unin N -P, se activa el transistor bipolar parsito y permite la

inyeccin de portadores minoritarios. Esto no permite, que se disminuya la conmutacin del
MOSFET de potencia, pero si, que se puede permitir la ruptura secundaria. En la Fig. 1.1, se
+
observa la formacin de los transistores bipolares parsitos con regiones N -N-P [2].

1.2 RESPUESTA EN FRECUENCIA

El transistor de potencia MOSFET es inherentemente capaz de operar en altas frecuencias, por la
ausencia de portadores minoritarios de transporte. Existe una limitacin principal de operacin
en altas frecuencias, para el MOSFET, que es el tiempo de trnsito, que cruza a travs de la
regin de arrastre [2]. El tiempo de trnsito, limita la respuesta en frecuencia en el MOSFET,
entonces por consiguiente, este tiempo, estar en funcin del voltaje de ruptura BVpp.

fT

6.11 1011
L

7/6
1 BV pp
d

En est frmula, L es la longitud del canal y d es el espesor de la regin de arrastre. Para alcanzar
una respuesta en altas frecuencias, es importante conseguir una longitud del canal menor [2].
Otra limitacin para lograr la operacin en alta frecuencia de un MOSFET, es la necesidad de
cargar y descargar la capacitancia de entrada de compuerta. Un simple circuito equivalente para el
MOSFET de potencia, se ilustra en la Fig. 1.3.

Fig. 1.3. Circuito equivalente simple de un transistor MOSFET

Para una estructura MOS, con un electrodo de compuerta extendido entre celdas adyacentes,
como el de la Fig. 1.1: (1) La capacitancia de entrada compuerta-fuente CN, surge por la cubierta
del electrodo de compuerta sobre la regin del emisor N+. (2) la capacitancia CP, surge de la
estructura MOS creada por el elctrodo de compuerta, sobre la regin de base P, y (3) la
capacitancia CM, surge por funcionamiento de la fuente de metal sobre el electrodo de compuerta.
La capacitancia total compuerta-fuente es dada por

C GS C N C P C M
La capacitancia entre la fuente y el electrodo de compuerta CM, es determinado por la constante
dielctrica y espesor de la capa aislante t, as como tambin del rea A traslapada, entre la
fuente y el electrodo de compuerta

CM

A
t

El tiempo de desactivacin en un MOSFET, es controlado por la razn de carga removida sobre

el electrodo de compuerta, ya que est carga determina la conductividad del canal [2]. Sin
embargo, los tiempos de activacin y desactivacin de un transistor MOSFET de potencia, son muy
pequeos, comparados con los tiempos de encendido y apagado para un transistor BJT [4]. En la
Tabla I, se indican los valores de los diferentes tiempos de conmutacin para un transistor
MOSFET de potencia.
TABLA I.1. Tiempos de conmutacin para un MOSFET de potencia

1.3 FENMENOS DE RUPTURA

El rea de operacin segura SOA, para un MOSFET de potencia, est determinada por el lmite de
operacin del dispositivo. En la Fig. 1.4, se muestra una curva caracterstica corriente-voltaje, para
un MOSFET de potencia, en la que se indica la regin SOA [3]. Se conoce bien, que a la corriente
mxima, a voltajes bajos del drenador, es limitada por la disipacin de potencia, que permite
considerar suficientemente, la prevencin de la destruccin del MOSFET [2].

Fig. 1.4. rea segura de operacin de un transistor MOSFET

Bajo la aplicacin simultanea de alta corriente y alto voltaje, el dispositivo, puede ser susceptible a
la falla, incluso, si la duracin de los transitorios es tambin menor para prevenir la excesiva
disipacin de potencia. Este modo de falla ha sido referido a la ruptura secundaria. Este trmino,
se refiere a una repentina reduccin en la capacidad de voltaje de bloqueo, cuando se incrementa
la corriente del drenador [2].
Este fenmeno, ha sido observado en los MOSFET de potencia. Es originado por la presencia del
transistor bipolar parsito en la estructura del dispositivo [2]. Cuando el voltaje del drenador, es
incrementado cercano al voltaje de ruptura de avalancha, la corriente fluye en el interior de la
regin base P en adicin al flujo de corriente perpendicular dentro del canal. La corriente de
avalancha colectada dentro de la regin base P, fluye lateralmente a lo largo de la base P.
Cuando la polarizacin directa sobre el emisor excede de 0.6 a 0.7V, este comenzar a inyectar
portadores. El transistor bipolar parsito no es capaz de soportar por ms tiempo una ruptura de
voltaje BVCBO. La ruptura en los MOSFET de potencia, considera, que el flujo del dispositivo toma
dos trayectorias, una a travs del canal MOS y la otra a travs del transistor parsito bipolar activo
[2].
Durante la ruptura secundaria, la corriente del emisor es causada por polarizacin directa, a partir
de un voltaje de polarizacin VB, que causa el flujo lateral de corriente de base, y que puede
obtenerse a partir de una expansin de primer orden del trmino exponencial de la ecuacin de la
corriente del emisor [2], para poder evaluar los efectos de la ruptura secundaria, se muestra por

IE

IO
qR B
1
KT

M 1 I O

El factor de multiplicacin M, est relacionado por el voltaje del drenador, y el voltaje de ruptura a
partir de

1
VD 4

1
BV

El voltaje del drenador, al cual est ruptura puede ocurrir, se puede obtener de las ecuaciones
anteriormente descritas

V D , SB

BV
qR B I O
1 KT

0.25

En est ecuacin, BV, corresponde al voltaje de ruptura, RB, es la resistencia de base, IO, es la
corriente de saturacin para un diodo de unin, y T, es la temperatura de la unin base-emisor.
Otro fenmeno, que puede causar la ruptura secundaria ocurre, por efecto del voltaje lateral, que
decae en la base P sobre la corriente del canal. Para altos voltajes de drenador, el alto campo
elctrico, causa una multiplicacin por avalancha de la corriente del canal, entonces la corriente
base y de la fuente, deben estar en funcin del factor de multiplicacin por

IE

M 1 I M
1 R B M 1

IS

IM
1 R B M 1

Como el voltaje de drenador incrementa, el factor de multiplicacin tambin incrementar y causar

un incremento peligroso en la corriente de la fuente. El voltaje del drenador, al cual la ruptura
secundara ocurre, es

V D , SB

BV

1 RB 0.25

En estas ecuaciones, BV corresponde al voltaje de ruptura, RB es la resistencia de base, es el

coeficiente de polarizacin que relaciona a la corriente del drenador con respecto a la corriente de
base, y M es el factor de multiplicacin, causado por la ionizacin por impacto, en la regin del
canal.
Cuando la temperatura incrementa, el voltaje de ruptura BV, es susceptible a incrementarse. Este
intentar alcanzar un voltaje de ruptura, sin embargo, la resistencia RB en la base P, tambin
incrementa con la temperatura, como resultado se tiene una reduccin de la movilidad, esto es
asociado como un efecto de compensacin, en la operacin del MOSFET.
La capacidad de corriente de operacin para el MOSFET, determina la disipacin de potencia
durante la conduccin de corriente. Para altos voltajes de drenador, la resistencia en el transistor
incrementa. La corriente de saturacin en un transistor de potencia MOSFET, puede ser usada
para proveer una limitacin de corriente.
Un MOSFET de potencia, en comparacin con un transistor BJT, fue desarrollado para resolver las
limitaciones de funcionamiento, bajo aplicaciones simultneas, en donde la alta corriente y voltaje,
son comnmente requeridos para circuitos inductivos de baja y mediana potencia.

1.4 OPERACIN EN ALTAS TEMPERATURAS

Un MOSFET de potencia, exhibe muy buenas caractersticas de operacin para altas
temperaturas. Estos dispositivos, estn comercialmente disponibles con una temperatura pico en el
O
rango alto de los 200 C. La habilidad del MOSFET de potencia para operar con elevadas
temperaturas, esta relacionado por la ausencia de la inyeccin de portadores minoritarios.
Un parmetro importante en la determinacin de la operacin en altas temperaturas de un
MOSFET, es el incremento de la resistencia de encendido RDS, que incrementa con la temperatura.
Aunque esto puede parecer una primera seal de que es una caracterstica indeseable, por que
incrementara de disipacin de potencia, esto da un importante beneficio en trminos de la
estabilidad del dispositivo. Afortunadamente, en este caso, en el MOSFET de potencia, la
movilidad para huecos y electrones disminuye con la temperatura, causando un incremento en la
resistividad local. Esto intenta homogenizar la distribucin de corriente y prevenir un
calentamiento incontrolado en el MOSFET [2].

10

CAPITULO 2
FUENTE DE PODER CONMUTADA CON AISLAMIENTO DE LA
LINEA DE 60Hz
Hoy en da las fuentes de poder conmutada, son del tipo moduladas por ancho de pulso PWM.
Est tcnica vara el tiempo de conduccin de un transistor conmutado durante un periodo para el
control y regulacin del voltaje de salida, para un valor predeterminado. El mtodo PWM, ofrece
una excelente regulacin de carga y estabilidad durante variaciones de temperatura [5].
En la Fig. 2.1, se presenta el diagrama de bloques de una fuente de poder conmutada. En este
diagrama de bloques, se observan dos tipos de smbolos de referencia de tierra. Este diagrama de
bloques es universal y puede ser utilizado para varios tipos bsicos de diseos, semejantes como
el diagrama elctrico de la Fig. 2.2, con una configuracin Flyback, utilizada como fuente de poder
conmutada con aislamiento de lnea.

Fig. 2.1. Diagrama general de bloques de una fuente de poder conmutada

El diagrama de bloques de la Fig. 2.1, est integrado por un amplificador de error, circuito de
control por PWM, los cuales tienen una tierra comn con el rectificador y filtro de entrada. El
asilamiento de entrada/salida, se alcanza con un transformador de potencia T1, y un transformador
auxiliar T2. El transformador de potencia T1, suministra energa al rectificador y filtro de salida, para
abastecer de voltaje y corriente a la carga.
A continuacin se describirn las caractersticas de funcionamiento de los circuitos que integran a
la fuente de poder conmutada con aislamiento de lnea, utilizada en equipos comerciales, como
sistemas de video, instrumentacin electrnica y de control, as como tambin en sistemas de
comunicacin, etc.

2.1 RECTIFICADOR DE ENTRADA Y FILTRO

Para desarrollar una fuente de poder conmutada para bajos voltajes de salida, con aislamiento
para lnea, se debe disponer de un rectificador de onda completa, con capacidad para alta
corriente, que se ve en la Fig. 2.3, as como tambin de un condensador electroltico, utilizado
como filtro, dimensionado para el voltaje pico de lnea desde 170V hasta 200V.

11

Fig. 2.2. Diagrama Elctrico de una Fuente de Poder Conmutada con Aislamiento de Lnea

Fig. 2.3. Rectificador de Entrada y Filtro

2.2 ELEMENTO DE CONMUTACIN
El voltaje de CD con aproximadamente ~108V, obtenido por el rectificador y el filtro, debe
abastecer al convertidor FLYBACK, que se muestra en la Fig. 2.4. Como elemento de carga, para
el elemento de conmutacin (transistor bipolar), se conecta un transformador con ncleo de
ferrita, el cual contiene 4 devanados, correspondientes al devanado principal N1, devanado de
retroalimentacin N2, y un par de devanados secundarios N3 y N4. La activacin del transistor BJT,
se realiza por medio de la aplicacin de un pulso EA, EB en la base, y enseguida se obliga a cerrar
la unin colector-emisor, consiguiendo con esto que fluya abruptamente una corriente de colector
IC, por el devanado principal N1. Entonces, al mismo tiempo, el campo magntico desarrollado en el
devanado principal N1, se induce sobre el devanado de retroalimentacin N2, el cual suministra un
voltaje VIN, al circuito de control de la Fig. 2.6, as como tambin al par de devanados secundarios
N3 y N4. [5]
Por otra parte, el voltaje de encendido inicial, se provee por el capacitor C2, el cual se carga a
travs del resistor R1. Despus de un instante de tiempo, va el diodo UT236, se inyecta al
capacitor C2, el voltaje de compensacin VIN, para abastecer del voltaje adecuado al circuito de
control PWM.

12

El voltaje de encendido inicial, se provee a travs de un circuito de arranque, que est formado
por el resistor R1 y por el capacitor C2, el cual est sostenido, desde la fuente de alimentacin de
lnea, va el rectificador y filtro.
Esta red RC, puede disminuir el voltaje de CD, a un valor menor de voltaje VIN, para el suministro
de energa del circuito de control, cuya regin de operacin, se ilustra en la Fig. 2.5.
La cantidad de corriente que puede proporcionar el circuito de arranque, depende del valor
mnimo necesario de la corriente que se requiere para hacer funcionar al circuito de control. Este
valor de corriente, se obtiene de las hojas del fabricante, del circuito integrado UC1524A.
2.3 CIRCUITO DE CONTROL
El UC1524A, fue la primera versin de circuito integrado comercialmente utilizado, para el control
PWM. En la Fig. 2.6, se muestra el diagrama de bloques correspondiente de los elementos
necesarios, que debe disponer un circuito de control PWM, para poder realizar el proceso de
control en una fuente de poder conmutada. El UC1524A, es adecuado para realizar la etapa de
control, que debe satisfacer el funcionamiento de una fuente de poder conmutada, como la
configuracin de la Fig. 2.1.

Fig. 2.4. Elemento de conmutacin (transistor BJT)

Fig. 2.5. Respuesta temporal del circuito de arranque RC

13

En la Fig. 2.7, se muestran las terminales de conexin del circuito integrado UC1524A, para
obtener las seales que sern inyectadas al elemento de conmutacin de la Fig. 2.4. El UC1524A,
esta integrado por un oscilador lineal diente de sierra de frecuencia programable por un resistor
RT y un condensador CT externos.
Con la seal del oscilador lineal diente de sierra, entonces se puede cambiar la salida del
comparador entre 0 y 1, por la comparacin de una seal, provenientes de un amplificador de
error con entradas INV y NI, cuyo voltaje de referencia VREF de 5V, es inyectado va el diodo D2 y
el resistor de 4.7K a la terminal NI, mientras que en la terminal INV, se inyecta va el diodo D1, y su
filtro correspondiente, la seal del voltaje de regulacin, proveniente del devanado secundario N2.
En este circuito integrado, tambin se dispone de otro amplificador de error, el cual est
configurado como un amplificador limitador de corriente con entradas CL(+), CL(-), en donde se
inyecta una seal de voltaje de pequea amplitud, va un resistor de 0.1. Si esta seal sobre pasa
cierto valor limite, entonces, la fuente de poder conmutada, deja de funcionar, debido a que es
indicativo de un exceso de corriente que atraviesa por el elemento de conmutacin, que se observa
en la Fig. 2.4. [5]

Fig. 2.6. Diagrama de bloques de un control con retroalimentacin

La salida de modulacin por ancho de pulso PWM, corresponde a las terminales CA, CB y EA, EB
del circuito UC1524A, que permite la conduccin del pulso resultante con el ciclo de trabajo
correspondiente para activar al elemento de conmutacin de la Fig. 2.4, va el amplificador de
corriente construido con Q2, como se ve en la Fig. 2.7. En el Capitulo 3, se describir en detalle, el
funcionamiento interno del circuito de control PWM, basado en el circuito integrado TL494, que es
un circuito de bajo costo y de fcil adquisicin en el comercio, adems de que es muy semejante al
circuito integrado UC1524A.

14

Fig. 2.7. Circuito de control PWM

2.4 RECTIFICADOR DE SALIDA Y FILTRO
Despus de que el campo magntico desarrollado en el devanado principal N1, se induce sobre el
devanado de retroalimentacin N2, as como tambin al par de devanados secundarios N3 y N4.
Entonces, en cada devanado secundario N3 y N4, respectivamente, se dispone de un rectificador
de media onda, a base de un diodo 645C y UES2402, tambin de un filtro LC, integrado por un
inductor L1, y un condensador electroltico, respectivamente. Otro elemento importante, es el
conjunto transistor Q3, devanados independientes N1, N3, as como devanado secundario N2, que
provee la seal del voltaje de regulacin, va el diodo D1, que se observa en la Fig. 2.8. Finalmente
el rectificador de salida y filtro, de la Fig. 2.8, provee un voltaje de CD con +5V y +12V, con
capacidad de corriente de 7A y 1.5A, respectivamente con un voltaje de rizo V, mnimo posible,
ya que la frecuencia de operacin de la fuente de poder conmutada es de > 40KHz
aproximadamente, lo que permite que los elementos pasivos como inductores y condensadores,
sean de menor tamao. [5]

Fig. 2.8. Rectificador de salida y filtro

15

2.5 DESVENTAJAS EN LA FUENTE DE PODER CONMUTADA COMERCIAL

Entre las desventajas, que se presentan en el diseo de la fuente de poder conmutada de la Fig.
2.2, es principalmente, la utilizacin de un transistor bipolar de unin BJT. Este tipo de transistor,
presenta limitaciones por fenmenos de ruptura y limitaciones trmicas, principalmente, lo que
implica que se tenga que utilizar un disipador de calor metlico [4].
Estas limitaciones, se indican sobre la curva caracterstica corriente-voltaje IC-VCE del transistor
BJT, que corresponde a la habilidad en el manejo de potencia con la temperatura de unin
promedio y ruptura secundaria, sobre el rea de operacin segura SOA [4].
Los fenmenos de ruptura, son ocasionados por el aumento de la concentracin de portadores
mayoritarios en la regin de la base del transistor BJT. Para niveles altos de corriente, se puede
observar un tipo de ruptura en el transistor npn, que corresponde a la ruptura por avalancha o de
ionizacin por impacto, en la unin base-colector BC [2].
El funcionamiento de un transistor BJT, se basa en la modulacin de corriente, que se inicia
cuando se polariza directamente la unin base-emisor BE, e inversamente la unin base-colector
BC, entonces los portadores mayoritarios, sern inyectados hacia el interior de la regin de la
base, hasta que alcancen a la unin base-colector BC, donde sern acelerados por el potencial
positivo, que corresponde al voltaje de polarizacin, y as se colectarn los electrones en la regin
n del colector, como se ilustra en la Fig. 2.9. [6]
Cuando la regin de carga espacial WBE, alcanza una extensin, sobre el lado de la regin de la
base a la unin base-colector BC, y alcanza a la unin base-emisor, sin que ocurra un proceso de
ruptura, entonces la regin base-colector BC, alcanzar a la regin base-emisor BE. A
continuacin las regiones n, correspondientes al emisor y al colector, sern conectadas por una
regin de desercin. En este instante, una alta corriente fluye, dando origen al fenmeno de
ruptura secundara, asociada a la ionizacin por impacto. [6]

Fig. 2.9. Representacin de un transistor npn y su diagrama de bandas de energa

El voltaje de ruptura, requerido para un transistor npn, se puede estimar conociendo la
distribucin del rea del campo elctrico, en la regin de desercin continua, por las dos regiones
n, que estar dada por:

16

BV

qQB
ro

QB
W B

2 ND

En donde QB, es el nmero total de impurezas por unidad de rea, en la regin de la base,
mientras que ND, es la concentracin de donores en el colector.
Por otra parte, la limitacin trmica, que se presenta en los transistores BJT, est asociada por la
aceleracin de portadores en la regin de desercin base-colector, para altos campos elctricos,
en donde sufren muchas colisiones con la red del semiconductor, por consiguiente est energa
cintica se convierte en calor. La disipacin de potencia de esta forma, ICVCB, puede ser
transportada hacia afuera desde la unin base-colector, si la temperatura de la unin permanece
en un valor de estado estable [6]. Para el caso de altas temperaturas, la limitacin trmica reducir
la potencia, que puede ser manejada para valores menores, que los impuestos por limitacin por
ruptura secundaria.
La variacin de la ganancia de corriente a niveles altos de corriente, se reduce por que la
eficiencia de emisor, disminuye, debido a que la razn de la corriente de difusin de
electrones, hacia el interior de la regin de la base WB con respecto a la corriente total del emisor
IE, disminuye por el subsiguiente aumento de la temperatura de la unin. La expresin analtica de
la eficiencia de emisor, se puede dar por

N AB WB D pE
WBE
qV

exp BE

DnB N DE WE 2 o ni
KT

De la ecuacin, se tiene que DnB, es la difusividad de electrones hacia el interior de la base, DpE, es
la difusividad de huecos hacia el interior del emisor, NAB, es la concentracin de aceptores en al
regin de base, NDE, es la concentracin de donores en la regin del emisor, WE, es la extensin de
la regin del emisor, WBE, es la regin de carga espacial, o, es el tiempo promedio en el que
ocurre la recombinacin de huecos inyectados hacia el emisor con los electrones en la regin de
carga espacial [6].
En el circuito de la Fig. 2.8, el transistor Q3, realiza la funcin de proveer la seal pulsante del
voltaje de referencia a travs de la conmutacin del transistor, por medio de un acoplamiento
magntico, desarrollado por los devanados N1, N3, as como del devanado secundario N2. El
transistor Q3, debe operar en alta frecuencia, lo cual es una limitante, por el tiempo requerido para
el reordenamiento de los portadores minoritarios, en la regin de base del transistor BJT. Este
tiempo, corresponde al tiempo de transito, que a su vez depende de la difusividad de electrones
DnB, hacia el interior de la base, y de la regin de la base WB. Ya que ambos parmetros, son
dependientes de la temperatura de unin, por consiguiente el transistor Q3, depender de
fenmenos de ruptura y limitaciones trmicas.
2.6 FUENTE DE PODER CONMUTADA CON TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO OXIDO DE
METAL
En la Fig. 2.10, se propone el diagrama elctrico de una fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje, a base de un transistor de efecto de campo xido de metal MOSFET
IR740. A continuacin se describe el funcionamiento de est fuente de poder conmutada.

17

Fig. 2.10. Diagrama elctrico de la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje
Cuando se requiere suministrar energa alterna de la lnea de 60Hz, para desarrollar una fuente de
poder conmutada, en primer lugar se requiere disponer de un rectificador de onda completa y
posteriormente de un filtro capacitivo de alto valor, para conseguir un voltaje de CD, proveniente de
la lnea.
En seguida, se coloca una red de arranque, formada por un circuito RC, el cual sirve para
suministrar el voltaje correcto del circuito integrado TL494, que proporciona la seal del control
PWM al transistor de efecto de campo xido de metal MOSFET IR740. En la red de arranque, el
capacitor es cargado, va el resistor, con una constante de tiempo , determinada por RC [5].
Cuando se suministra el voltaje de operacin al circuito integrado TL494, desde la red de arranque,
entonces un nmero de pulsos son inyectados a la terminal de la compuerta del transistor de efecto
de campo xido de metal MOSFET, el cual se activa, cuando la unin drenaje-fuente se cierra,
permitiendo la circulacin de corriente por los devanados primarios de los transformadores T1 y T2
con ncleo de ferrita marca ferroxcube [7], el cual induce un campo magntico al devanado de
compensacin NC incluido en el transformador T1, que tiene como funcin compensar la cantidad
de corriente faltante, para hacer operar al circuito integrado TL494, y activar la red de
acoplamiento, va el diodo de alta velocidad 1N4937.

18

En este momento, el circuito integrado TL494, ya puede inyectar un mayor nmero de pulsos a la
terminal de la compuerta del transistor de efecto de campo xido de metal IR740, debido, a que el
voltaje de retroalimentacin, proporcionado por el devanado de retroalimentacin NR incluido en el
transformador T2, incrementa por la cantidad de corriente elctrica, que se exige por los devanados
secundarios de ambos transformadores T1 y T2.
El devanado primario del transformador con ncleo de ferrita, induce tambin un campo magntico
a los devanados secundarios del transformador con ncleo de ferrita. Los devanados secundarios,
tienen como funcin convertir la seal pulsante, en un voltaje de CD, va el arreglo en paralelo de
dos rectificadores 1N4937 (diodo de alta velocidad) y el filtro capacitivo.
En este tipo de diseo, la fuente de poder conmutada, solamente opera cuando la carga es
conectada a los devanados secundarios de los transformadores de ferrita T1 y T2, en este caso el
funcionamiento de esta fuente de poder conmutada, ser dependiente de la cantidad de carga.

19

CAPITULO 3
FUENTE DE PODER CONMUTADA RETROALIMENTADA POR
VOLTAJE
Para el diseo de la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, se debe conocer el
principio de funcionamiento de los elementos que la integran. Entre los elementos que integran la
fuente de poder conmutada, se puede mencionar al rectificador monofsico de entrada, red de
arranque, convertidor flyback, transformador con ncleo de ferrita, circuito de control TL494 con
modulacin por ancho de pulso y circuito de salida.
En este capitulo, se desarrolla el diseo de la fuente de poder conmutada retroalimentada por
voltaje. El procedimiento de diseo en est aplicacin, consiste en la explicacin y clculo de cada
uno de los componentes de las diversas etapas del circuito.
3.1 RECTIFICADOR MONOFSICO DE ENTRADA Y FILTRO
Para poder desarrollar una fuente de poder conmutada con suministro de energa alterna de lnea
de 60Hz, se requiere disponer de un rectificador monofsico de onda completa, y posteriormente
para obtener un voltaje de CD, se debe conectar un filtro capacitivo. En la Fig. 3.1, se ve el
diagrama del rectificador monofsico de onda completa.

Fig. 3.1. Rectificador monofsico de onda completa y red de arranque

El rectificador de onda completa, debe ser capaz de suministrar corriente a una carga inductiva
pulsante, a travs de un transistor MOSFET, como se observa en la Fig. 2.10, del capitulo 2. El
rectificador de onda completa, que se debe seleccionar en el circuito de la Fig. 3.1, debe tener una
capacidad de corriente de operacin entre 2A y 4A, as como un voltaje pico inverso de 400V. Para
obtener el valor del filtro capacitivo, que es un condensador electroltico se deben conocer, el
valor del voltaje rizo, la corriente elctrica requerida para abastecer la carga, as como la
frecuencia de operacin.
Para obtener el valor mnimo del condensador utilizado como filtro, se requiere conocer el voltaje
del rizo V, determinado por (1), mientras que para obtener el valor mximo del condensador
utilizado como filtro, se requiere conocer el voltaje del rizo V, determinado por (2):

Vmin

4
Vm
15

(1)

4
Vm
3

(2)

Vmx

20

El valor ptimo del condensador electroltico, se obtiene a partir del valor del voltaje rizo
correspondiente, corriente de carga y frecuencia de operacin, por:

C I L
f V

(3)

SOLUCIN.
Para determinar el valor del condensador electroltico, se utiliza la ecuacin (3), conociendo
previamente el valor del voltaje rizo, que se obtiene de las ecuaciones (1), (2), obtenidas por
desarrollo de SERIE DE FOURIER, as como el valor de: Vm = 170V, IL = 0.5A , f = 60Hz. De
acuerdo con la ecuacin (3):

Vmn 72.15V

0.5
115.5F
60 72.15

C min

Vmin 14.43V

C mx

0.5
577.5F
60 14.43

Un valor prctico para el condensador electroltico, se puede seleccionar entre el valor mnimo y el
valor mximo de capacitancia, obtenidos anteriormente. Entonces, el valor de C = 470F, cumple
la condicin anterior.
3.2 RED DE ARRANQUE
Para suministrar el voltaje de operacin al circuito integrado TL494, desde un suministro de
energa alterna de lnea de 60Hz, se debe disponer de una red de arranque, integrada por un
circuito RC, como se observa en la Fig. 3.1. El voltaje de CD, obtenido del condensador
electroltico C1, debe ser capaz de hacer funcionar al circuito de control, con una corriente limitada
por el resistor R1.
Para obtener el valor ptimo de la red de arranque RC, se requiere conocer el valor de la corriente
mnima necesaria para operar al circuito de control TL494, voltaje de CD, obtenido del filtro
capacitivo VCD, voltaje en el condensador a plena carga VL y la frecuencia de operacin. La
ecuacin (4), se utiliza para determinar el resistor limitador de corriente, mientras que la ecuacin
(5), se utiliza para determinar el valor del condensador:

R
C

VCD VL
IC

1.5
V
f R ln 1 L
VCD

(4)

(5)

21

El valor de corriente IC, depende del valor mnimo necesario de corriente que se requiere para
operar al circuito de control TL494. Este valor de corriente, se obtiene de las hojas del fabricante.
[8]
SOLUCIN.
Para determinar el valor del resistor R1, y el valor del condensador electroltico C1, se debe conocer
previamente el valor de: VCD = 108V, VL = 12V, IC =14mA, f = 60Hz. De acuerdo con la ecuacin
(4) y (5):

R1

C1

108 12
6.85 K
14 10 3

3.5
12
60 6.85 10 ln 1

108

72.78F

Un valor prctico para el resistor R1 y condensador electroltico C1, se deben seleccionar en funcin
de la corriente mnima IC y por el valor del voltaje de operacin VL del circuito integrado TL494.
Entonces, el valor de R1 = 8.2K y C1 = 100F, cumplen la condicin de operacin.
3.3 CONVERTIDOR FLYBACK
Para llevar cabo la conversin del voltaje y corriente CD-CD de forma aislada, se puede utilizar un
convertidor flyback, como se observa en el diagrama elctrico de la Fig. 2.10. El principio de
funcionamiento de un convertidor flyback, consiste en la activacin del transistor MOSFET, que se
realiza por medio de la aplicacin de un pulso en la compuerta, seguido del cierre de la unin
drenador-fuente, consiguiendo con esto que fluya abruptamente una corriente ID = IP, por el
inductor y por el transistor MOSFET. En la Fig. 3.2a, se ilustra el diagrama elctrico simplificado de
la topologa del convertidor flyback, y en la Fig. 3.2b, las correspondientes formas de onda
asociadas.

Fig. 3.2a. Convertidor flyback

22

Por otra parte, el campo magntico desarrollado en el inductor primario LP, del transformador con
ncleo de ferrita, se induce sobre el inductor secundario LS, creando de esta manera un voltaje VL
y por consiguiente la corriente IS, sobre el devanado secundario, que son requeridos por la carga.
Cuando del pulso inyectado en la compuerta del transistor MOSFET, satisface que el ciclo de
trabajo k 0.5, ayudar a que el inductor no se sature, y as se pueda evitar la destruccin del
dispositivo transistor MOSFET, debido a la corriente de saturacin mxima.
El transistor MOSFET, que se debe seleccionar para el diseo del convertidor flyback, que se
ilustra en la Fig. 2.10, debe tener una capacidad de corriente de operacin mnima de 1A y un
voltaje de unin drenador-fuente de 400V. El transistor MOSFET IR740, cumple con estos criterios
de diseo, para el desarrollo de est aplicacin. [9]
Para el calculo de los devanados primario NP y secundario NS, de los transformadores con ncleo
de ferrita, se requiere conocer el valor de voltaje que ser inyectado al devanado primario, y el
valor de voltaje que ser utilizado para suministrar a la carga, as como tambin la cantidad de
corriente, que se consume por ambos devanados. La obtencin del nmero de espiras por cada
devanado, se consigue a partir de:

NP

VP 108
4 f Ae Bm

(6)

NS

VS 108
4 f Ae Bm

(7)

Por otra parte, el valor del resistor de compuerta RG se obtiene, a partir de la informacin que se
proporciona en las hojas del fabricante, para el transistor MOSFET IR740. En el apndice, se
proporciona la informacin del fabricante del transistor IRF740.

Fig. 3.2b. Formas de onda del convertidor flyback asociadas al diagrama de la Fig. 3.2a

23

SOLUCIN.
Para determinar el valor del nmero de espiras para el devanado primario y secundario, del
transformador T1, se utilizan las ecuaciones (6) y (7), conociendo previamente el valor de: VP =
2
54V, VS = 12V, IP = 0.326A, IS = 1.5A, f = 20KHz, Ae = 0.81cm y Bm = 2500G. De acuerdo con la
ecuacin (6) y (7):

NP

NS

54 108
333.33 espiras
4 20000 0.81 2500
12 108
74.07 espiras
4 20000 0.81 2500

Para determinar el valor del nmero de espiras para el devanado primario y secundario, del
transformador T2, se utilizan las ecuaciones (6) y (7), conociendo previamente el valor de: VP =
2
54V, VS = 5V, IP = 0.13A, IS = 2.5A, f = 20KHz, Ae = 0.81cm y Bm = 2500G. De acuerdo con la
ecuacin (6) y (7):

NP

54 108
333.33 espiras
4 20000 0.81 2500

NS

5 108
30.86 espiras
4 20000 0.81 2500

La seleccin del calibre del alambre magneto, se elige, en funcin de la capacidad de corriente de
los devanados primario y secundario, de ambos transformadores T1 y T2. En el apndice, se
proporciona una tabla, que indica la relacin calibre del alambre magneto AWG con la
correspondiente capacidad de corriente.
3.3.1 DISEO DE LOS INDUCTORES AUXILIARES
En el transformador T1 y en el transformador T2 con ncleo de ferrita, tambin se dispone de dos
devanados, que corresponden a inductores auxiliares, cuya funcin, es generar un voltaje de
retroalimentacin y compensacin de la corriente faltante para el suministro del circuito de
control, respectivamente. En la Fig. 3.3, se ilustra el aspecto de los transformadores T1 y T2.

Fig. 3.3. Aspecto del transformador con ncleo de ferrita para una frecuencia de 20Khz

24

Para el clculo del devanado de compensacin NC y de retroalimentacin NR, se requiere conocer

el valor de voltaje de CD correspondiente, para poder operar al circuito de control TL494, as como
tambin el voltaje de retroalimentacin requerido, para que el amplificador de error del circuito
TL494, opere correctamente. La obtencin del nmero de espiras por cada uno de estos
devanados, se consigue a partir de ecuaciones similares para el clculo de los devanados NP y NS.
SOLUCIN.
Para determinar el valor del nmero de espiras para el devanado de compensacin NC y de
retroalimentacin NR, del transformador T1 y T2, se debe conocer previamente el valor de: VC =
2
12V, VR = 5V, IC = IR = 0.11A, f = 20KHz, Ae = 0.81cm y Bm = 2500G. De acuerdo con la ecuacin
(6):

NC

12 108
74.07 espiras
4 20000 0.81 2500

NR

5 108
30.86 espiras
4 20000 0.81 2500

La seleccin del calibre del alambre magneto, se elige, en funcin de la capacidad de corriente de
los devanados de compensacin y retroalimentacin. En el apndice, se proporciona una tabla,
que indica la relacin calibre del alambre magneto AWG con la correspondiente capacidad de
corriente.
Como en el circuito de control TL494, se requiere inyectar voltajes de CD, tanto para el suministro
de corriente, como para el voltaje de retroalimentacin, las seales pulsantes obtenidas a la salida
de los devanados de compensacin y retroalimentacin, respectivamente, deben ser convertidas
en voltajes de CD. En la Fig. 3.3, se puede ver, la conexin en ambos devanados (compensacin y
retroalimentacin) de un diodo rectificador de alta velocidad, con su correspondiente filtro
capacitivo.
El diodo rectificador de alta velocidad, que se ilustra en la Fig. 2.10, debe tener una capacidad de
corriente de operacin de 0.11A y un voltaje pico inverso mayor a 10V. El diodo rectificador de alta
velocidad 1N4937, opera con los criterios de diseo, para est aplicacin. [10]
Para determinar el valor del condensador de retroalimentacin, se puede utilizar la ecuacin (3),
conociendo previamente el valor del voltaje rizo, que se obtiene de las ecuacin (1), as como el
valor de: Vm = 10V, IR = 0.11A, f = 20KHz. De acuerdo con la ecuacin (3):

Vmin 0.848V
C mx

0.11
6.48F
20000 0.848

Un valor prctico para el condensador de retroalimentacin, se puede seleccionar por un valor de

capacitancia CR = 10F.

25

3.4 CIRCUITO DE CONTROL TL494 CON MODULACIN POR ANCHO DE PULSO

En la Fig. 2.6, se observa que se requiere de un oscilador de seal diente de sierra, el cual se
compara con un voltaje de error de CD, obtenido a partir de la diferencia de dos voltajes que
corresponden al voltaje de referencia y al voltaje de retroalimentacin, para proporcionar a la
salida de un comparador, una seal de control PWM. La variacin del voltaje de error de CD, se
obtiene de un amplificador diferencial, que hace la funcin de amplificador de error, el cual resta
el voltaje de referencia, con el valor de voltaje de retroalimentacin, que corresponde a la
variacin correcta del sistema, es decir cuando se presenta estabilidad. Pero cuando, la seal de
referencia se iguala a la seal de retroalimentacin, se alcanza una inestabilidad, y esa condicin
se mantiene, hasta que exista nuevamente un cambio en el sistema, que obligue al cambio en la
seal de retroalimentacin. En la Fig. 3.4, se presenta los casos extremos, que se observan en el
funcionamiento del circuito de control para la fuente de poder conmutada. [8]

Fig. 3.4. Funcionamiento del control retroalimentado para dos voltajes de error. (a) Seal PWM para
un caso inestable, (b) Seal PWM para un caso estable
El circuito integrado TL494, se utiliza como circuito de control con modulacin por ancho de pulso
PWM. Este circuito integrado, tiene mucha aceptacin en el diseo de fuentes de poder
conmutadas operadas en alta frecuencia (>20Khz). Este circuito contiene un oscilador diente de
sierra, dos amplificadores de error, referencia de +5V con histresis, control para el tiempo muerto
de la seal PWM, proteccin contra sobre voltaje, y dos transistores bipolares con capacidad de
manejo de corriente de hasta 0.5A [8].
Para la seleccin del circuito integrado TL494, como control PWM, utilizado en la fuente de poder
conmutada retroalimentada por voltaje, se hizo una analoga de funcionamiento con el esquema
bsico del control retroalimentado de la Fig. 2.6, con el cual se tiene como propsito, relacionarlo
con el diagrama interno del TL494, para comprobar la funcin correspondiente de cada bloque y
asegurar su funcin en esta aplicacin. En la Fig. 3.5, se ilustra el diagrama de bloques del circuito
integrado TL494.

26

En el diagrama de bloques, se observan algunas terminales, que pueden presentar confusin, por
ejemplo, el control de tiempo muerto (deadtime), que corresponde a la terminal No 4, mientras que
la terminal No 13, se refiere al control de la seal de salida (output control), en la cual solo se
puede inyectar una seal con nivel de voltaje de +5V, por ser una compuerta con lgica TTL.
Las caractersticas elctricas ms importantes del circuito integrado TL494, son de utilidad para el
desarrollo de un diseo especfico, como la informacin, que recomienda el fabricante, para que se
utilicen ciertas condiciones de operacin para el TL494, las cuales son de importancia, ya que
sirven de gua, para el diseo de una fuente de poder conmutada. En la tabla 3.1, se enlistan
ests caractersticas que proporciona el fabricante [8].

Fig. 3.5. Diagrama interno de bloques del circuito integrado TL494

TABLA 3.I. Caractersticas elctricas del circuito integrado TL494

27

Entre las curvas caractersticas ms importantes, que se tienen que considerar cuando se realiza el
diseo de una fuente de poder conmutada, son por ejemplo, la grfica de la frecuencia del
oscilador, la grfica de la ganancia en voltaje del amplificador de error en lazo abierto, y la grfica
del porcentaje del ciclo de utilidad, para el control del tiempo muerto (deadtime), de la seal de
control, como funcin de la frecuencia del oscilador. En la Fig. 3.6, se ilustra el diagrama elctrico
del circuito integrado TL494, utilizado para generar la seal de control para la activacin del
transistor MOSFET IR740.

Fig. 3.6. Diagrama elctrico del circuito integrado TL494

En la Fig. 3.7, se observa la curva correspondiente a la variacin de la frecuencia del oscilador f,
en funcin del valor del resistor RT. A partir de est grafica se obtiene el valor del resistor RT y
condensador CT, para generar la seal diente de sierra como oscilador para una frecuencia de
20KHz, en donde resistor RT = 8.2K y CT = 0.01F.

Fig. 3.7. Variacin de la frecuencia del oscilador en funcin del valor de RT

28

En la Fig. 3.8, se observa la respuesta del amplificador de error diferencial, el cual debe
funcionar para una frecuencia de 20KHz. Sobre la curva de respuesta de este amplificador, se
observa, que para una frecuencia de 20KHz, su operacin es inestable [5], por lo que es necesario
realizar una compensacin en frecuencia, agregando una red R3C conectada en serie entre si, y
en paralelo con el resistor R2, el cual determina la ganancia en el amplificador de error diferencial.
El fabricante proporciona una solucin para resolver este inconveniente y conseguir que el
amplificador de error sea estable para 20KHz [X]. Con el valor propuesto de resistores y
condensador por el fabricante: R1 = 4.7K, R2 = 1M, R3 = 33K y C = 0.1F, se obtiene una
ganancia en voltaje en lazo cerrado de aproximadamente 30dB.

Fig. 3.8. Variacin de la ganancia en voltaje en lazo abierto en funcin de la frecuencia

Para activar al transistor MOSFET IR740, se requiere de una red de acoplamiento adicional,
debido a que el circuito integrado TL494, no puede proporcionar el nivel de voltaje VG hacia la
terminal de compuerta, para activar al IR740, como lo sugiere el fabricante [5]. En la Fig. 3.6, se
observa la conexin de la red de acoplamiento a la terminal No 8. La obtencin del valor de los
resistores RC, R4 y R5, para que los transistores Q1 (BC547) y Q2 (BC557) satisfagan su operacin
en la regin de corte-saturacin, la ganancia en corriente = 10, permitir conseguir que: RC =
940, R4 = 9.4K y R5 = 1K. [5]
3.5 CIRCUITO DE SALIDA
Para obtener un voltaje de CD de los devanados secundarios de los transformadores T1 y T2, se
requiere disponer de rectificadores de alta velocidad, por la frecuencia de operacin de la fuente de
poder conmutada a 20KHz. Posteriormente, se debe conectar un filtro capacitivo. En la Fig. 3.4, se
ve el diagrama de la etapa de salida con rectificadores de alta velocidad.
El diodo rectificador de alta velocidad, que se ilustra en la Fig. 2.10, debe tener una capacidad de
corriente de operacin de 2A y un voltaje pico inverso de 400V. El diodo rectificador de alta
velocidad 1N4937, opera con una corriente mxima de 1A, por est razn, se conectan en paralelo
dos diodos alta velocidad 1N4937, para cumplir con los criterios de diseo.
SOLUCIN.
Para determinar el valor del condensador C1, se puede utilizar la ecuacin (3), conociendo
previamente el valor del voltaje rizo, que se obtiene de las ecuacin (1), as como el valor de: Vm =
24V, I1 = 1.5A, f = 20KHz. De acuerdo con la ecuacin (3):

29

Vmin 2.03V

C mx

1.5
36.94 F
20000 2.03

Un valor prctico para el condensador C1, se puede seleccionar por un valor de capacitancia C1 =
47F.
Para determinar el valor del condensador C2, se puede utilizar la ecuacin (3), conociendo
previamente el valor del voltaje rizo, que se obtiene de las ecuacin (1), as como el valor de: Vm =
10V, I1 = 2.5A, f = 20KHz. De acuerdo con la ecuacin (3):

Vmin 0.848V

C mx

2.5
147.7 F
20000 0.848

Un valor prctico para el condensador C2, se puede seleccionar por un valor de capacitancia C2 =
220F.

Fig. 3.7. Rectificador de alta velocidad D1, D2 y filtro capacitivo para una frecuencia de 20Khz
En una conexin en paralelo, se conecta un resistor R con valor de 10K, como proteccin para la
descarga del propio condensador, y as evitar que se quede cargado, cuando se desconecte la
fuente de poder conmutada.

30

CAPITULO 4
RESULTADOS Y PERSPECTIVAS
En este capitulo, se presentan los resultados obtenidos con el prototipo de la fuente de poder
conmutada retroalimentada por voltaje, a travs de oscilogramas correspondientes a las seales de
control del circuito integrado TL494. Estas mediciones son realizadas en el laboratorio, cuando la
fuente de poder retroalimentada con voltaje tiene carga.

4.1 ELABORACIN DEL PROTOTIPO

A continuacin, se presenta una sencilla descripcin de la forma como se realiza la placa del
circuito impreso para la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje. Tambin se indica
como se deben distribuir los dispositivos electrnicos, magnticos (transformador con ncleo de
ferrita), etc.
En la Fig. 4.1.1, se muestra el aspecto de la fuente de poder conmutada retroalimentada por
voltaje, que est integrada por: (a) Rectificador monofsico de entrada y filtro, (b) Red de arranque,
(c) Convertidor flyback, (d) Inductores auxiliares, (e) Circuito de control TL494 con modulacin por
ancho de pulso, (f) Circuito de salida.

Fig. 4.1.1. Aspecto Fsico de la Fuente de Poder Conmutada Retroalimentada por Voltaje

El circuito impreso del prototipo de fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, se
realiza sobre una placa fenlica, de cara individual, siendo los dispositivos electrnicos distribuidos,
segn, se muestran en la placa de circuito impreso de la Fig. 4.1.2. a y el esquema del circuito
impreso en la Fig. 4.1.2.b.
El montaje de fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje junto, con la carga que
consiste de dos lmparas de 21W, que se conectan a su salida, para mostrar el funcionamiento de
la fuente de poder conmutada. En la Fig. 4.1.3, se ilustra el aspecto del montaje de la fuente de
poder conmutada con carga.

31

Fig. 4.1.2.a Distribucin de Componentes sobre la Placa del Circuito Impreso

Fig. 4.1.2. b Placa de Circuito Impreso

Fig. 4.1.3. Fuente de Poder Conmutada Retroalimentada por Voltaje con

Carga Resistiva (lmparas de 21W)

32

4.2 MEDICIONES
En esta seccin, se hace una descripcin de las mediciones realizadas para obtener las seales
correspondientes del circuito del control, para justificar el funcionamiento de la fuente de poder
conmutada [5]. Ests mediciones, se realizaron con ayuda de un osciloscopio digital de la serie
TDS3000B de TEKTRONIX. El osciloscopio digital, permite que se pueda guardar la informacin,
es decir los oscilogramas en un disco floppy, esto hace ms verstil, la realizacin de la medicin.
En primer lugar, se realizaron las mediciones correspondientes a la seal del reloj con frecuencia
de 20KHz, y ciclo de trabajo del 30%, en seguida la seal que corresponde al diente de sierra, que
se utiliza para formar las seal de control, con la comparacin del voltaje de error, obtenido de la
diferencia del voltaje de referencia con valor de 4.9V y del voltaje de retroalimentacin de 3.6V, que
es igual a 1.3V aproximadamente.
En las Fig. 4.2.1 y 4.2.2, se observan estos oscilogramas respectivamente. En la figura de cada
oscilograma, se indica la informacin correspondiente de la amplitud, frecuencia, ciclo de
trabajo, etc.

Fig. 4.2.1. Oscilograma de la seal de reloj para el TL494

33

Fig. 4.2.2. Oscilograma de la seal diente de sierra para generar la seal PWM
4.3 CARACTERSTICAS ELCTRICAS
En esta seccin, se procede evaluar el rendimiento de la fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje. Se inyecta una seal alterna de 120V RMS, 60Hz, para obtener sus
respectivas caractersticas elctricas, con dos lmparas de 21W como carga. La informacin
obtenida, se enlista en la Tabla 4.1.
TABLA 4.1
CARACTERSTICAS ELCTRICAS
PARMETRO

VARIABLE

VALOR

Voltaje de entrada

VE

54V

Voltaje de salida menor

V1

+ 9V

Voltaje de salida mayor

V2

+ 12V

Corriente de entrada

IE

0.16A

Corriente con carga

(lmpara de 21W)
Temperatura del
transistor MOSFET

IS

1.0A

Tj

< 1000C

Eficiencia

~ 80%

De acuerdo con las mediciones de disipacin de calor en el transistor MOSFET IR740, con ayuda
de un multimetro de la marca STEREN, se observa que el valor de temperatura registrada, no
O
alcanza el valor de TJ = 150 C, en donde el cambio de la temperatura en el transistor, es una
variable dependiente del nivel de potencia; esto indica, que el transistor est operando
correctamente en el limite del pulso, que es valido para ciclos de trabajo de 10% a 40%, y que
O
provee un valor TJ < 150 C. Por est razn, el transistor MOSFET IRF740, no requiere disipador
metlico auxiliar, bajo las condiciones de operacin reportadas en la Tabla 4.1, y que se
observan en la Fig. 4.1.3.

34

Por otra parte, tambin se puede observar de la Tabla 4.1, que la eficiencia de la fuente de poder
conmutada retroalimentada por voltaje, realizada en este trabajo, es tan solo del 80%. Esto es
debido en parte al diseo del transformador con ncleo de ferrita, el cual presenta algunas
deficiencias, con respecto al tipo de alambre magneto, que se utiliza, para sus respectivos
devanados [11], as como tambin a su baja permeabilidad magntica del ncleo de ferrita.
Sin embargo, a pesar de los inconvenientes mencionados, la fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje, es funcional, para aplicaciones con baja potencia alrededor de 15W.

4.4 PERSPECTIVAS
Debido a las deficiencias explicadas en la seccin 4.3, sobre la fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje, se debe evitar que el ncleo de ferrita del transformador de alta
frecuencia, se sature, como se observa en la curva del ciclo de histresis (B-H), de la Fig. 4.4.1
[7].

Fig. 4.4.1. Curva de magnetizacin normal, correspondiente al ciclo de histresis, en donde se observa
la regin de saturacin.

Como mejora en el rendimiento de la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, se

propone utilizar transformadores de alta frecuencia, con ncleo de ferrita de alta permeabilidad ( >
2000), de la marca Ferroxcube (material 3C85). Esta solucin permite, que la fuente de poder
conmutada, mejore su rendimiento, es decir que alcance eficiencias del oren del 90%. [7]
Por otra parte a la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, le hace falta un circuito
de proteccin, contra sobre carga. Este circuito puede ser desarrollado, aprovechando la variacin
de calor en el transistor MOSFET IRF740. En la Fig. 4.4.2, se propone un circuito de proteccin al
diseo original de la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje.
El circuito de proteccin implementado en la fuente de poder conmutada de la Fig. 4.4.2, est
provisto por un relevador magntico, el cual es activado por el transistor 2N2222, cuando se cierre
la unin base-emisor con un voltaje aproximadamente de 4.5V, que corresponde a una
O
temperatura en el transistor MOSFET IRF740 de TJ = 150 C, en donde la fuente de poder
conmutada retroalimentada por voltaje, se desconecta de la lnea de 60Hz, hasta que se restaure
la carga.

35

Fig. 4.4.2. Diagrama del circuito elctrico propuesto para la mejora del rendimiento de la fuente de
poder conmutada retroalimentada por voltaje.

JUSTIFICACIN ECONMICA
Enseguida, se expone un importante asunto, acerca del presupuesto, pues es indispensable
desarrollar un buen proyecto. Es necesario, que en el presupuesto no falte ningn material, por lo
tanto, la forma de proceder es la siguiente:
Se toma al diagrama elctrico de la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje (Fig.
2.10), como gua para realizar el presupuesto. A continuacin se procede a realizar una lista de
materiales, en la que se debe especificar la cantidad, unidad, descripcin, costo por unidad y costo
total.
LISTA DE MATERIAL
CANTIDAD

DESCRIPCIN

PRECIO
UNITARIO

PRECIO
TOTAL

$100.00

$200.00

$10.00

$10.00

$8.00

$8.00

$15.00

$15.00

Transformador con
ncleo de ferrita
Rectificador de 4A
Circuito Integrado
TL494
TRIMPOT de 10K

Porta fusible

$2.50

$2.50

Bloque de 2 terminales

$4.00

$12.00

1
1

36

Base de integrado
(16 PINES)
Fusible tipo europeo
1 / 250 V
Header en escuadra

Clavija

$5.00

$5.00

1m de cable

$10.00

$10.00

Diodo 1N4937

$1.50

$12.00

MOSFET IRF740

$9.00

$9.00

Transistor BC547

$2.50

$5.00

Transistor BC557

$2.50

$2.50

$4.00

$4.00

$5.00

$10.00

$20.00

$20.00

$4.00

$4.00

$1.50

$1.50

$1.50

$1.50

$4.00

$4.00

$5.00

$5.00

$2.50

$2.50

$7.00

$7.00

Capacitor electroltico
100F a 50V
Capacitor electroltico
220F a 50V
Capacitor electroltico
470F a 250V
Capacitor electroltico
22F a 50V
Capacitor cermico
1nF
Capacitor cermico
100nF
Resistor 8K2 / 2W

Resistor 10K / W

$0.50

$2.00

Resistor 560 / W

$2.00

$2.00

Resistor 4.7K / W

$2.00

$2.00

Resistor 33K / W

$2.00

$2.00

Resistor 470K / W

$2.00

$2.00

Resistor 56K / W

$2.00

$2.00

Resistor 10K / W

$2.00

$2.00

Resistor 1K / W

$2.00

$2.00

Resistor 100 / W

$2.00

$4.00

Resistor 1.2K / W

$2.00

$4.00

Resistor 8.2K / W

$2.00

$2.00

Resistor 820 / W

$2.00

$2.00

Resistor 2.7K / W
Placa para impreso
10x15cm

$0.50

$0.50

$20.00

$20.00

TOTAL

$370.00

1
2
1
1
1
1

37

El costo total es de $370.00, lo que corresponde solamente al circuito total, que integra la fuente de
poder conmutada retroalimentada por voltaje. Sin embargo, este costo total, puede ser mayor, que
el correspondiente para una fuente de poder conmutada comercial, pero el reducido tamao,
mnimo peso, mayor eficiencia, y baja disipacin, hace que se compense el costo total.
Con respecto al desarrollo original de ingeniera que se llevo a cabo en este trabajo de TESIS, es
indispensable que se de el valor correspondiente al diseo; como base, se puede estimar un valor
de $100.000.00, pero considerando la experiencia profesional adquirida durante el trabajo, adems
de tomar en cuenta el costo de la hora ingeniera de $240.00, podemos calcular en base al tiempo
invertido un costo aproximado, ya que trabajando 5 horas diarias en das laborales durante seis
meses 2 ingenieros, el diseo adquiere un mayor valor alrededor de $300.000.00. Adems, se
deben considerar otros aspectos menos importantes, pero que son de utilidad, y se enlistan a
continuacin junto con el anterior presupuesto:

LISTA DE MATERIAL

$364.00

VALOR DEL DISEO

$300.000.00

ACCESORIOS

$500.00

GABINETES PROFESIONALES

$1.500.00

TOTAL

$302.364.00

38

CONCLUSIONES
En este trabajo se desarroll una fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, con el
propsito de mejorar las limitaciones que se presentan en las fuentes de poder conmutadas
comerciales de computadora personal PC, debido a su funcionamiento en alta frecuencia para
proporcionar altas densidades de corriente. El propsito de este trabajo, es disear una fuente de
poder conmutada, bajo el principio de retroalimentacin por voltaje por medio de componentes
magnticos.
Para la realizacin de la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, se requiri, que se
comprendiera profundamente el funcionamiento de un sistema retroalimentado, a base de
componentes magnticos (que es su base de diseo). La fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje, desarrollada en este trabajo, se logro gracias a que se alcanzaron los
siguientes puntos:
A. Se tiene un alto aislamiento de la lnea de 60Hz, proporcionado por el transformador del ncleo
de ferrita, operado a 20KHz, sin la necesidad de utilizar un transistor de conmutacin con
operacin en alta frecuencia, como en la fuente de poder conmutada comercial de PC.
B. Al operar a la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje, a una frecuencia de
20KHz, se consigue que la fuente de poder conmutada alcance un mayor tiempo de vida. Logrando
de est manera que los elementos de conmutacin como el transistor MOSFET, no tenga un
envejecimiento prematuro.
C. Como la disipacin de calor en el transistor MOSFET IRF740, alcanza solamente una
O
temperatura alrededor de TJ < 100 C, entonces se evita alcanzar el fenmeno de ruptura
secundaria, como sucede en los transistores BJT.
D. El transistor MOSFET IRF740 en la fuente de poder conmutada retroalimentada por voltaje
trabaja, funciona correctamente en la regin de segura de operacin SOA, de la curva
caracterstica de salida I-V, sin la necesidad de utilizar un disipador metlico.
Desarrollando las mejoras al diseo actual obtenido de la fuente de poder conmutada
retroalimentada por voltaje, este tipo de tecnologa, puede ser utilizada para reemplazar en un
futuro a la utilizada en los sistemas comerciales. Este trabajo de TESIS, es un ejemplo de
innovacin tecnolgica como desarrollo nacional.

39

REFERENCIAS
[1] Muhammad H. Rashid, ELECTRONICA DE POTENCIA Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones,
Tercera Edicin, Prentice Hall, pp. 280 - 286, 2004
[2] B. Jayant Baliga, Modern Power Devices, John Weley & Sons, pp. 263 - 269, pp. 300 - 302, pp. 314 318, 1992
[3] Intersil, 14A, 50V, 0.01Ohm, N, Channel Power MOSFET, datasheet: BUZ71, June, 1999
[4] MOSPEC, Complementary Silicon Plastic Power Transistor, 3A, 40-100V, datasheet: TIP31A.
[5] Crisis George, High-Frequency Switching Power Supplies: Theory and Design, Second Edition,
McGraw-Hill, pp. 96 - 100, pp. 197 - 206, 1989.
[6] A. S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Device, John Weley & Sons, pp. 263 - 269,
pp. 208 - 236, 1967.
[7] Marty Brown, Practical Switching Power Supply Design, Motorola Series in Solid State Electronics,
pp. 67 - 79, 1990.
[8] ON semiconductor, Switchmode Pulse Width Modulation Control Circuit, datasheet: TL494, July,
2000
[9] Intersil, 5.5A, 400V, 1.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET, datasheet: IRF740, June, 1999
[10] MCC semiconductor, 1A, 420V, Fast Recovery Rectifier DIODE, datasheet: IN4937.
[11] Grupo CONDUMEX, Catalogo 2003: Alambre Magneto: http://www.condumex.com

40

APNDICES
ALAMBRE MAGNETO: CAPACIDAD DE CORRIENTE
A continuacin se da a conocer una TABLA, con informacin correspondiente, para la seleccin del
0
calibre AWG del alambre magneto SOLDANEL, clase B, 130 C, con respecto a la capacidad de
corriente. Este tipo de alambre magneto, es utilizado en la fabricacin de transformadores de alta
frecuencia 20KHz, con ncleo de ferrita [11].
TABLA
DIMENSIONES ALAMBRE MAGENTO
Calibre
Nmero
AWG

Dimetro
mm

Seccin
Transversal
2
mm

Corriente
(AMPERS)

18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40

1.0240
0.9116
0.8118
0.7230
0.6438
0.5733
0.5106
0.4647
0.4049
0.3606
0.3211
0.2859
0.2546
0.2268
0.2019
0.1798
0.1601
0.1426
0.1270
0.1131
0.1007
0.0897
0.0799

0.82
0.65
0.52
0.41
0.33
0.26
0.20
0.16
0.13
0.10
0.08
0.064
0.051
0.040
0.032
0.0254
0.0201
0.0159
0.0127
0.0100
0.0079
0.0063
0.0050

3.2
2.5
2.0
1.8
1.5
1.2
0.92
0.73
0.58
0.46
0.33
0.22
0.15
0.11
0.09
0.072
0.057
0.045
0.036
0.030
0.025
0.016
0.010

Para el diseo del transformador con ncleo de ferrita para 20KHz, calculado en la seccin 3.3, del
capitulo 3, se tiene:
NP = 340 espiras
NS1 = 74 espiras
NS2 = 30 espiras
NC = 74 espiras
NR = 30 espiras

AWG #
AWG #
AWG #
AWG #
AWG #

30
22
19
34
34

Cuando, se fabrican transformadores de alta potencia y frecuencias > 50KHz, en aplicaciones

como son los balastros electrnicos, en donde se exige, que estos sistemas operen con bajas
prdidas, con un alto asilamiento, se recomienda utilizar un alambre magneto LITZ, del tipo
0
POLISOLDATERMANEL, clase H, 180 C. [11]

41

MATERIALES DE FERRITA
El diseo de componentes magnticos es una ciencia exacta, ya que esto sigue precisamente a las
leyes fundamentales del electromagnetismo desarrolladas por los pioneros cientficos del campo,
como son: Maxwell, Ampere, Oersted y Gauss.
El propsito de este resumen, es dar la informacin correspondiente para la construccin y
fabricacin de transformadores con operacin en alta frecuencia. El aspecto de un ncleo de ferrita
se observa en la Fig. 1.

Fig. 1. Aspecto de un ncleo de ferrita

Para el diseo de inductores y transformadores, se requiere conocer el tipo de ncleo que se va a
utilizar, el mximo valor de la densidad de flujo magntico Bm, y la frecuencia de operacin f para
el tipo de ncleo. En la Tabla I, se indican algunas propiedades fsico-qumicas, de inters, que
son tiles para la seleccin de materiales de ferrita.

TABLA I
PROPIEDADES FISICO-QUIMICAS
MATERIAL

FERROXCUBE
3C8
FERROXCUBE
3C85

COMPOSICIN
QUIMICA
MnFe2O4 +
ZnFe2O4
MnFe2O4 +
ZnFe2O4

PERMEABILIDAD
MXIMA

RESISTIVIDAD

r = 1500

10 -cm

r = 5000

10 -cm

PUNTO DE
CURIE

~ 200 C

~ 200 C

La frecuencia de operacin para materiales de ferrita ferroxcube 3C8 es <50KHz y ferroxcube

3C85 es <1MHz.

El rea efectiva en un ncleo de material de ferrita, se toma como la regin en donde se enrollan
las espiras para formar los inductores.

42

A partir de resultados experimentales realizados en el laboratorio de Industrias Sola Basic ISB, se

obtuvo la siguiente informacin, que sirve como gua, para seleccionar el tamao del ncleo de
ferrita, como funcin del rea efectiva Ae y la potencia elctrica disponible PE. De est informacin
contenida en la Tabla II, no se tiene informacin tcnica.

TABLA II
AREA EFECTIVA COMO FUNCIN DE LA POTENCIA ELCTRICA

Ferroxcube 3C8
Bm = 4000G
f = 20KHz

Potencia
(VA)

rea
Efectiva
2
(cm )

10

0.52

20

0.74

40

1.04

60

1.28

80

1.48

100

1.65

43