NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

F. Briones

Las nanoestructuras o estructuras de baja dimensionalidad fabricadas en semiconductores

(pozos cuánticos, superredes, hilos y puntos cuánticos) son la base de dispositivos
electrónicos (diodos túnel, transistores HEMT, etc.) y optoelectrónicos (moduladores y
conmutadores ópticos, diodos láser, detectores de IR). En el IMM se dispone de la tecnología
más avanzada para la fabricación de nanoestructuras: la epitaxia de haces moleculares (MBE)
de materiales III-V (GaAs, InP, InSb, etc.) A lo largo de los últimos quince años se ha ido
desarrollando esta técnica en el IMM (diseñando e incluso construyendo los reactores de
epitaxia) hasta llegar a alcanzar reconocimiento internacional por las variantes y mejoras
introducidas y la transferencia de tecnología y patentes a multinacionales del sector. Este
desarrollo está sustentado en investigación básica sobre diversos aspectos fundamentales del
proceso, como son la cinética del crecimiento, la epitaxia por capas atómicas (ALMBE),
incorporación de impurezas, sistemas con desajuste del parámetro de red, distribución y
propagación de dislocaciones, segregación superficial, crecimiento autoorganizado, control in
situ con diversas técnicas (espectroscopías ópticas (RDS), RHEED, dispersión de luz, medida
de tensión acumulada).

Laboratorio de crecimiento por epitaxia de haces moleculares (MBE). Vista de los dos reactores de
MBE comunicados entre sí por un túnel de transferencia. El sistema cuenta además con una
cámara de análisis Auger in situ y una cámara de sputtering.

Figura 1: Laboratorio de epitaxia de haces moleculares (MBE). Vista de los dos reactores de MBE comunicados entre sí por
un túnel de transferencia. El sistema cuenta además con una cámara de análisis Auger in situ y una cámara de sputtering.

9
CRECIMIENTO DE NANOESTRUCTURAS AUTO-ENSAMBLADAS

J. M. García, L. González, Y. González, J. P. Silveira, F. Briones

Las nanoestructuras auto-ensambladas como los puntos (QD), los anillos (Q-Ring) o los hilos
cuánticos (QWR) son un área de creciente actividad científica. Estas estructuras, escaladas a
tamaño nanométrico se forman de forma natural debido a los efectos de tensión-relajación
cuando un material semiconductor se crece sobre una superficie de un segundo material
semiconductor con un ligero desajuste de red. Su tamaño resulta adecuado para el
confinamiento espacial de las cargas, produciendo una escalera de niveles de energía
atómicamente abruptos. Estos niveles pueden ser usados como base para construir nuevos
materiales semiconductores avanzados.

El mecanismo de auto ensamblaje permite 4.0

Ts=480 ºC
la formación de decenas de billones de 3.5
puntos por cm2 con un alto grado de [110]
uniformidad en un único paso de 3.0
crecimiento. Los puntos pueden ser
2.5
inmediatamente cubiertos por una segunda [110]
Σσ(N/m)
capa del material sustrato, configurando 2.0
de ésta manera un material con una alta [110]
1.5
calidad óptica. Algunas de las
-
extraordinarias ventajas de su utilización 1.0 [110]

en dispositivos láser demuestran el gran

0.5
potencial de ésta tecnología.
0.0
En el IMM se ha investigado los detalles
-2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 40 60 80
de la formación de QD (1) y de QWR por
time (s)
medio de técnicas de caracterización in
Figura 2: Medida de la tensión acumulada durante la
situ como la medida de la tensión formación de Hilos Cuánticos InAs/InP(001).
acumulada (? s). Como puede observarse
en la imagen de Microscopía de Fuerzas
Atómicas del recuadro de la figura, la calidad estructural de los hilos es muy grande. Las
medidas in situ de la tensión acumulada permiten comprender los procesos de formación de
los hilos. El gráfico muestra la evolución claramente anisotrópica de la tensión acumulada
durante la epitaxia de InAs sobre InP(001). Una de las conclusiones de nuestro trabajo es que
la formación de QWR se debe a una acumulación anisotrópica de tensión.

Es posible controlar el tamaño y forma de los puntos cuánticos. Un ejemplo es la formación

de Q-rings (2) al introducir una pausa durante el recubrimiento de los QD en el momento
adecuado. Estos anillos pueden emplearse para la fabricación de láseres con emisión en 980
nm, otra región de elevado interés tecnológico. La Comunidad de Madrid subvenciona éste
proyecto.

El IMM es un centro pionero (3) en la fabricación de QWR auto-ensamblados de InAs sobre

InP(001). Estos hilos, una vez recubiertos con InP presentan una fuerte emisión en 1.55 µm a
temperatura ambiente, por lo que su empleo en la región activa de láseres (como se indica en
el esquema) tiene una importante aplicación tecnológica en el mundo de las
telecomunicaciones. Actualmente ésta es una importante línea de investigación en
colaboración con el grupo de Materiales y Estructuras para Láseres de Semiconductores.

10
Se cuenta con la financiación en el año 2001 de un proyecto Europeo del V programa marco
durante 3 años.

Figura 3: Esquema de la epitaxia de un láser con inclusión de nanoestructruras auto-ensambladas (hilos y puntos
cuánticos) en la región activa.

Referencias:
J.M. García, J.P. Silveira and F. Briones, , Appl. Phys. Lett. 77, 409-411, (2000).
A. Lorke, R.J. Luyken, M. Fricke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, J.M. García, and P.M. Petroff, Phys. Rev.
Lett.84, 2223, (2000).
L. González, J.M. García, R. García, J. Martínez-Pastor, C. Ballesteros and F. Briones, Appl. Phys. Lett. 76, 1104,
(2000).
J.M.García, L.González, M.U.González, J.P.Silveira, Y.González and F.Briones, aceptado en J.Cryst. Growth
(2001)

11
EFECTO DE LAS TENSIONES EN LAS PROPIEDADES ÓPTICAS DE
NANOESTRUTURAS

J.A. Prieto, G. Armelles, J. M. García, L. González

La distribución de tensiones mecánicas en una nanoestructura autoorganizada tiene una

importancia capital en las propiedades de la misma. En particular, el estado de tensiones
determina donde están localizados los estados electrónicos. A modo de ejemplo en la figura
se presenta los espectros de fotoreflectancia de dos muestras de puntos de InAs depositados
sobre GaAs

80 K E1
L
∆R/R (arb. units)

intensity (arb. units)

B C

A
LOS

S TOS 80 K
E1
200 220 240 260 280 300 320
2,4 2,6 2,8 3,0 -1
energy (eV) Raman shift (cm )

Figura 4: Espectros de Fotoreflectancia y Raman de puntos de InAs depositados sobre GaAs de diferente tamaño(Lineas
continuas : puntos con diámetro en el plano superior a unos 30 nm ,Lineas a trazos: diametro en el plano inferior a 30 nm)

Cuando el punto tiene un diámetro inferior a unos 30 nm (línea discontinua) sólo se observa
señal de fotoreflectancia asociada al substrato (E1S) . Sin embargo, para tamaños superiores
(línea continua) aparece claramente una transición a 2,6 eV (E1L) junto con la transición del
substrato . Este comportamiento se repite en los espectros Raman , apareciendo señal Raman
asociada a los puntos de InAs cuando su diámetro es superior a unos 30 nm. Del análisis de
los espectros Raman se deduce que estos puntos tienen un contenido en Ga cercano al 10% y
,sobre todo , que no están tensados .

El origen de esta modificación de las propiedades ópticas con el tamaño hay que buscarlo en
la dependencia que la tensión tiene en el alineamiento de bandas entre el InAs y el GaAs. En
el siguiente esquema se representa el alineamiento entre las bandas de conducción (LCB) y

GaAs InAs GaAs InAs

3.19
energy(eV)

L
CB
3.02
2.93

0.68

0.40 L
VB

(a) (b)

Figura 5: Alineamiento de bandas entre el InAs y el GaAs para diferentes valores de tensión en el InAs.a InAs no tensado, b
InAs acoplado al GaAs.

12
valencia (LVB) en el punto L para diferentes tensiones de InAs. Si el InAs tiene en el plano el
mismo parámetro de red que el GaAs (b) los electrones están localizados en el GaAs
mientras que en un InAs no tensado (a) están localizados en el InAs. Por lo tanto, la
probabilidad de transición será mucho mayor en este último caso.

Otro aspecto importante es el efecto que la forma de la nanoestrutura tiene en las propiedades
ópticas . Por ejemplo, en la figura se presentan espectros de fotoreflectancia de puntos e hilos
de InAs depositados sobre InP junto con sus imágenes de AFM . Las líneas discontinuas
corresponden a polarización paralela a los hilos [110] y las continuas perpendicular a los hilos
[-110]. En los puntos los dos espectros son idénticos , mientras que en los hilos se observa
una anisotropía óptica .El origen de esta anisotropía óptica se atribuye al diferente grado de
relajación de la tensión a lo largo de la dirección del hilo o perpendicular a ella ,. Esta
diferencia en la relajación provoca que los valles localizados en los puntos L ({111}) ,
equivalentes en los puntos, dejen de serlo , lo que induce un clivado de las transiciones
ópticas que se originan entre estados electrónicos asociados a estos valles.

∆ R/R (arb. units)

80 K

2,4 2,6 2,8 3,0

energy (eV)
∆ R/R (arb. units)

80 K

80 K

2,4 2,6 2,8 3,0

energ y (eV)

Figura 6: Imágenes de AFM y espectros de Fotoreflectancia de puntos e hilos de InAs depositados sobre InP. Líneas
continuas luz polarizada paralela a la dirección 110] , líneas discontinuas luz polarizada paralela a la dirección [110]

Referencias:
J.A. Prieto, G. Armelles, J.M. Garcia, L. Gozalez, A. San Paulo, R. Garcia. Applied Physics Letters 76 (2000),
2919-2921.
J.A. Prieto, G. Armelles, C. Priester, J.M. Garcia, L. Gozalez, R. Garcia. Applied Physics Letters 76 (2000),
2197-2199.

13
OPTIMIZACIÓN DEL PROCESO DE FABRICACIÓN DE CAPAS DE DESACOPLO
DE PARÁMETRO DE RED.

Y. González, M. U. González y L. González.

Esta línea de investigación tiene como objetivo el desarrollo de un proceso de crecimiento

epitaxial que permita obtener capas de desacoplo de parámetro de red homogéneas y
relajadas. Las dislocaciones que aparecen durante el proceso de relajación deben quedar
confinadas en una región cercana a la intercara sustrato-heteroepitaxia y al mismo tiempo se
pretende que las capas tengan una morfología plana. Estos requisitos son imprescindibles
para conseguir que la ingeniería del ancho de banda (band-gap) no esté limitada por el
parámetro de red del sustrato.

Para ello, se estudia cómo afectan los cambios de condiciones de crecimiento (estequiometría,
temperatura del sustrato, velocidad de crecimiento) a la formación de la capa de desacoplo
(tensión acumulada, proceso de relajación, modulación de composición en el caso de
aleaciones y morfología superficial). El hecho de disponer de técnicas de caracterización in
situ y en tiempo real (medida de la tensión acumulada y dispersión de luz láser polarizada)
nos permite interrelacionar dichos procesos y obtener información imprescindible a la hora
de actuar sobre ellos. Mediante la técnica ALMBE podemos estudiar el comportamiento de
las heteroestructuras en un rango de condiciones de crecimiento muy amplio:

- Temperatura de sustrato (Ts): 100 ºC ≤Ts < 500ºC (Ts convencional para MBE).
- Estequiometría: se puede variar desde la saturación en elemento V hasta la saturación en
elemento III.
A partir de los estudios básicos
realizados en capas de In0.2Ga0.8As
crecidas sobre sustratos de GaAs
hemos conseguido [1] optimizar la
morfología superficial de las capas,
obteniendo valores de rms=0.9 nm
frente a los 4nm que presentan las
heteroepitaxias crecidas por MBE
convencional. En ambos casos el
grado de relajación es del 70%. En
cuanto al estudio de la estructura de
defectos hemos iniciado una
Figura 7: Imagen de la superficie de una capa de InGaAs crecida por
MBE de manera convencional (Ts=500 ºC, vc=1 MC/s)cuya rms es 5.6
colaboración con el grupo de
nm (Iqda.). Imagen de la superficie de una capa crecida mediante el microscopía electrónica de la
proceso diseñado para optimizar la morfología (Dcha.). En este caso, Universidad de Cádiz que nos
rms = 1 nm.
permitirá estudiar la estructura de
defectos en las capas de desacoplo en las que hemos optimizado la morfología superficial.

Referencias:
M. U. González, Y. González, L. González, M. Calleja, J.P. Silveira, J.M. García, y F. Briones:. Proccedings de
XIth International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE-XI, Pekin, China, 10-15 Septiembre del 2000.
(Aceptado para su publicación en Journal of Crystal Growth)

14
MEDIDA DE LA TENSIÓN IN SITU Y EN TIEMPO REAL DURANTE EL
CRECIMIENTO POR MBE

F. Briones, J P. Silveira, J. M. García, M. U. González, Y. González, L. González

Dado el gran interés que tiene el conocimiento de la evolución de las tensiones durante el
crecimiento de heteroestructuras, hemos implementado una técnica que permite la medida in
situ y en tiempo real de estas tensiones. La medida de la deflexión de dos haces láser paralelos
que inciden en los extremos de un sustrato adelgazado permite calcular las tensiones a partir
del combamiento que producen en el sustrato. Las tensiones generadas durante el crecimiento
de láminas con distinto parámetro de red o incluso las variaciones de la tensión asociada a
cambios de la reconstrucción superficial producen la flexión del sustrato, que puede ser
detectada mediante el uso de sustratos adelgazados hasta 100 µm y con forma de palanca de
15x3 mm2. Utilizando ésta técnica hemos realizado diferentes estudios, como la variación de
la tensión anisótropa asociada a las reconstrucciones del GaAs, la relajación producida por la
formación de puntos cuánticos de InAs en GaAs y GaSb en GaAs, la formación de hilos
cuánticos de InAs en InP o los procesos de relajación durante el crecimiento de láminas de
InGaAs en GaAs.

RHEED
CÉLULA
FOTODIODOS
PARTIDOS
REFERENCIA
SEÑAL
VENTANA
HORNO
ESPEJO

DIVISOR
DE HAZ LÁSER
CÉLULA

Figura 8: Esquema del sistema experimental de la medida de la tensión in situ y en tiempo real durante le crecimiento por
MBE

Con esta técnica se ha puesto en evidencia la limitación en la incorporación de InAs durante

el crecimiento de la primera capa sobre GaAs, permaneciendo un 50% de los átomos de indio
“flotando” en la superficie. También se ha estudiado la incorporación gradual de el indio
flotante durante el crecimiento posterior de GaAs, que impide la realización de intercaras
abruptas en heteroestructuras GaAs/(InGa)As. El seguimiento de la relajación elástica durante
la formación de puntos cuánticos durante el crecimiento de InAs y GaAs sobre GaAs e InAs
sobre InP ha permitido obtener valores críticos de la tensión y correlacionar la forma de las
nanoestructuras fabricadas en este proceso de crecimiento epitaxial por MBE.

Referencias:
J.M. García, J.P. Silveira and F. Briones. Appl. Phys. Lett. 77, 409-411, (2000).

15
MEDIDA DE LA MORFOLOGÍA SUPERFICIAL DURANTE EL CRECIMIENTO
POR MBE

M. U. González, Y. González, L. González

En el IMM hemos implementado la técnica de dispersión de luz láser (laser light scattering,
LLS), que nos permite seguir en tiempo real la evolución de los motivos de la morfología
superficial de tamaño en torno a centenares de nanómetros. La técnica LLS consiste en
iluminar la superficie de la muestra que se está creciendo con un haz láser (He-Ne en nuestro
caso) y recoger la luz dispersada en los distintos ángulos, de manera que cada ángulo da
información acerca de la evolución de la rugosidad con un tamaño característico. Sin
embargo, debido a las restricciones geométricas de una compleja cámara de ultra alto vacío
como es la cámara de crecimiento MBE, sólo unos pocos ángulos son accesibles, con lo cual
la información está limitada a determinados tamaños. Para ayudar a la interpretación de los
resultados sobre evolución de la morfología obtenidos en tiempo real, también hemos
montado en el IMM un sistema, externo a la cámara MBE, que permite realizar barridos
angulares (ver figura). Con la colaboración de José Antonio Sánchez Gil, del Instituto de
Estructura de la Materia (CSIC), hemos establecido el formalismo necesario para poder
calcular la densidad espectral de rugosidad a partir de la intensidad dispersada [1].

Control de movimientos:
0º ≤ θi ≤ 60º Rotación de la
-72º ≤ θs ≤ 72º muestra, ϕ
0º ≤ϕ ≤360º

Muestra
Láser He-Ne Chopper

θi
θs
Haz reflejado

Fotodiodo
+ polarizador

Detector lock -in

Ordenador
de control

Figura 9: Izda.: Montaje experimental para la realización de medidas de luz dispersada con resolución
angular. Sup. dcha.:Imagen obtenida con microscopía de fuerzas atómicas de la morfología superficial
conocida como “cross-hatch”. Inf. dcha.: imagen del patrón de dispersión producido por dicha morfología.

La información que proporciona la técnica LLS es muy variada. Nos permite por ejemplo
detectar la aparición de gotas metálicas o de altas densidades de defectos ovales durante el
crecimiento. Con ella hemos estudiado la influencia de la velocidad de crecimiento en la
evolución de una morfología característica del crecimiento heteroepitaxial con baja tensión,
conocida como “cross-hatch” (ver figura). Asimismo, constituye una herramienta fundamental
para conocer la influencia de las condiciones de crecimiento en la morfología de las capas
epitaxiales dentro de la línea de optimización del proceso de fabricación de capas de
desacoplo de parámetro de red.

Referencias:
M. U. González, J. A. Sánchez-Gil, Y. González, L. González, y E. R. Méndez, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1980
(2000).

16
MATERIALES Y ESTRUCTURAS PARA LÁSERES DE SEMICONDUCTOR.

D. Golmayo, M.L.Dotor, L. González, Y. González, P.A. Postigo, J.P. Silveira, F. Briones,

Mediante esta técnica de epitaxia por MBE, que ha demostrado ya su viabilidad para la
producción industrial a gran escala y cuya versatilidad y precisión permite la realización de
nuevos diseños de estructuras láser, se han crecido y optimizado las capas confinadoras, guías
de luz y zonas activas para emisores láser de baja dimensionalidad, con emisión en 850, 980,
1300 y 1550 nm. Esto ha permitido su utilización posterior en las heterostructuras completas
de diodos láser.

Capas confinadoras: capas de Ga0.51In 0.49P sobre 100

GaAs, dopadas tipo n (Si) y p (Be); capas de InP tipo 80

n (Si) y p (Be) , y Al0.48In0.52As dopado Be sobre InP.

µ (cm /V.s)
60
La Fig.1 muestra las movilidades frente el número de

2
portadores en GaInP e InP. 40

InP:Be
20
Guías de luz para 1300 nm y 1550 nm: superredes
(SR) de período corto de (InP)m(Ga0.47In0.53As)n o de 0
1E17 1E18 1E19

(Ga0.22In0.78As)m(Ga0.22In0.78P)m para sustituir las -3

pHall (cm )
diferentes aleaciones GaxIn1-xAsyP1-y en estructuras 1000
tipo SCH o GRIN-SCH. Los subíndices m y n
/V.s) GaInP:Si
indican el número de monocapas de cada
2

100
constituyente de la superred.
Hall mobility (cm

Zona activa: pozos cuánticos de diversos materiales, 10 GaInP:Be

como cuaternarios GaxIn1-xAsyP1-y, ternarios GaxIn1-

xAs o SR de período corto de tensiones compensadas 1
1E17 1E18 1E19 1E20
(GaAs)2(InAs)2 con emisión en 1300 nm y 1550 nm.. -3
carrier concentration (cm )
La Fig. 2 muestra el detalle de una micrografía de Figura 10: Movilidad Hall versus número
TEM de alta resolución de una estructura de siete de portadores en InP dopado con Be y en
pozos de (GaAs)2(InAs)2 con barreras y guía de GaInP dopado Si y dopado Be.
(InP)m(Ga0.47In0.53As)n y un barrido theta-2theta de la
misma estructura.

I3 530-3
10000
7 pozos (GaAs) 2 (InAs) 2 )

1000
cps

100

10

1
-8000 -6000 -4000 -2000 0 2000 4000 6000 8000

arc sec

Figura 11: Análisis de rayos X y TEM de una estructura guía + pozos cuánticos, con barrera de superred. (Micrografía de
C. Quintana y M. Lancin).

Estructuras láser: se han fabricado diodos láser de pozos cuánticos de GaInAsP con emisión
en 1300nm, cuyas características de emisión se están estudiando en el IMM.

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TECNOLOGÍA DE INTEGRACIÓN MONOLÍTICA DE DISPOSITIVOS
OPTOELECTRÓNICOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS VLSI DE GaAs.

L. González, P. A. Postigo, Y. González, F. Briones, J. M. García, D. Golmayo, M. L. Dotor.

El aumento de la velocidad de los procesadores y sistemas de comunicación, requiere de la

utilización de interconexiones ópticas entre sus diversos elementos. Para ello, es necesario
compatibilizar la tecnología actual de circuitos integrados con la de circuitos optoelectrónicos
integrados (OEIC's). La tecnología más prometedora para conseguir la integración monolítica
de estos circuitos complejos es la EoE (epitaxia sobre electrónica). Recientemente,
investigadores del Massachusetts Institute of Technology (MIT) han fabricado dispositivos
emisores de luz (LEDs) de GaInP/GaAs sobre un chip de GaAs basándose en la tecnología
EoE. Sin embargo, existen problemas básicos aún no resueltos debido a que el proceso de
integración está limitado por las restricciones térmicas
que impone la tecnología VLSI: temperaturas mayores de
475ºC dañan las conexiones metálicas y limitan
seriamente la adhesión de los contactos.

El objetivo concreto de nuestro trabajo, en colaboración

con el Profesor C.G. Fonstad del MIT y con los grupos
de investigación dirigidos por los Profesores J. Martínez–
Pastor de la Universidad de Valencia y R. García Roja de
la Universidad de Cádiz, es el desarrollo de un proceso
epitaxial a baja temperatura basado en la experiencia del
IMM en la técnica ALMBE. Esta técnica permite el
crecimiento epitaxial mediante un proceso de baja
temperatura siendo adecuada para la fabricación de
dispositivos optoelectrónicos basados en GaInP y es
totalmente compatible con el proceso de cointegración en
circuitos VLSI de GaAs.

Objetivos científicos:
1) Estudio de la influencia de un haz de hidrógeno
atómico presente durante el crecimiento epitaxial por
Figura 12: Esquema de proceso “Epitaxy
on Electronics”. Las heteroestructuras para ALMBE y MBE en la modulación de composición
dispositivos optoelectrónicos se crecen de aleaciones InGaP con composición en el gap de
epitaxialmente (b) sobre ventanas abiertas miscibilidad.
al sustrato de GaAs (a).
2) Crecimiento epitaxial de estructuras de dispositivos
láser sobre substratos GaAs-VLSI.
Actividad presente:
Diseño y construcción de una célula de hidrógeno atómico, necesario para preparar los chips
de GaAs para el crecimiento epitaxial a temperaturas compatibles con el proceso de
cointegración en circuitos VLSI de GaAs. Dicha célula consiste en un capilar de tantalio
calentado a alta temperatura (T>1500ºC) mediante bombardeo electrónico, por el que se hace
pasar un flujo de H2. Las moléculas de H2 a alta temperatura se rompen produciéndose un haz
de hidrógeno atómico. Los resultados obtenidos en la preparación de substratos de GaAs
demuestran que la eficiencia de nuestra célula de hidrógeno atómico es unas cinco veces
superior a la de dispositivos comerciales de características similares.

18
CRECIMIENTO EPITAXIAL DE ESTRUCTURAS DE GaSb CON ELEMENTOS
ISOTÓPICAMENTE PUROS

J. P. Silveira, F. Briones

Uno de los dos reactores MBE del Instituto se ha dedicado a lo largo del año a la epitaxia de
estructuras de antimoniuros dentro de una colaboración entre la Universidad de California, el
Laboratorio Nacional Lawrence Berkeley, en California, y el Instituto de Microelectrónica de
Madrid (CNM-CSIC). Las estructuras necesarias para la realización de este estudio, compuestas
por varias capas de GaSb en las que se han alternado los isótopos que las forman, han sido
fabricadas en el Instituto de Microelectrónica de Madrid. Se ha utilizado la técnica de epitaxia
por haces moleculares puesto que permite un mayor control en la fabricación de estas
estructuras, obteniéndose intercaras abruptas. La necesidad de introducir los cuatro isótopos más
los elementos en la proporción isotópica natural ha obligado al desarrollo de nuevas células de
efusión para el reactor de ultra alto vacío en el que se realiza el proceso. Se fabricaron estructuras
de capas alternas de 69Ga121Sb/71Ga123Sb a una temperatura de 450ºC y después de tratamientos
térmicos entre 500ºC y 700ºC fueron medidas por SIMS en Berkeley. Se observó que mientras la
distribución de antimonio no cambia apenas, los átomos de galio se mueven apreciablemente con
la aplicación de un tratamiento térmico de 2 horas a 700ºC y se llega a una distribución
prácticamente homogénea después de 2 días a esa temperatura. De esta forma, se determinaron
los coeficientes de difusión y se observó una disparidad entre ambos elementos de tres órdenes
de magnitud. Esta diferencia tan grande es poco usual en procesos de difusión en sólidos. Se ha
asociado a que cada elemento tiene un mecanismo de difusión diferente. El galio se mueve
dentro de la red a través de las vacantes de galio, cuya concentración aumenta con la
temperatura. Sin embargo, según nuestros resultados, el antimonio se difunde a través de los
intersticiales, que disminuyen su concentración al aumentar la temperatura. La disminución es
debida a una curiosa reacción entre los intersticiales de antimonio y las vacantes de galio: el
antimonio se sitúa en la posición de galio, ya que esta posición es más favorable energéticamente
debido a su menor energía electrónica, y queda así inmovilizado.

Figura 13: Perfiles concentración-profundidad de los isótopos de Ga y Sb.antes y después de un tratamiento térmico a 700ºC durante
105 minutos en atmósfera rica en Sb.

Referencias:
H.Bracht, S.P.Nicols, W.Walukiewicz, J.P.Silveira, F.Briones and E.E.Haller. Nature 408 2 nov. 69-72 (2000)

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